JP2024020064A - リフトオフ方法 - Google Patents

Abstract

【課題】バッファー層が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板を円滑に剥離することができるリフトオフ方法を提供すること。
【解決手段】リフトオフ方法は、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合材を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合ステップ１０１と、光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊ステップ１０２と、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップ１０３と、を含み、光デバイス層移設ステップ１０３は、複合基板の中央部を含む領域を保持した状態で、複合基板の外周部を含む領域に対して繰り返し曲げモーメントを付与する。
【選択図】図３

Description

本発明は、リフトオフ方法に関する。

近年、光デバイスの輝度を向上させる技術として、リフトオフと呼ばれる製造方法（例えば、特許文献１参照）が注目されている。

この特許文献１に示された製造方法では、サファイア基板やＳｉＣ基板等のエピタキシー基板の表面にバッファー層を介して積層されたｎ型半導体層およびｐ型半導体層からなる光デバイス層を、ＡｇＳｎ（銀錫）等の金属もしくは樹脂等の有機物の接合材を介して移設基板に接合し、エピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板を透過しバッファー層で吸収される波長のレーザー光線を照射してバッファー層を破壊することで、光デバイス層をエピタキシー基板から剥離して移設基板に移し替える。

特開２００４－７２０５２号公報

ところが、特許文献１に示された製造方法は、エピタキシー基板の裏面側からバッファー層に集光点を位置付けてレーザー光線を照射してバッファー層を破壊する際に、バッファー層を十分に破壊することができない場合があり、エピタキシー基板を円滑に剥離することができないという問題がある。

また、光デバイスの品質を向上させるためにエピタキシー基板の表面に複数の微細な凹凸が形成されている場合には、レーザー光線の照射によってバッファー層が破壊されてもエピタキシー基板の表面に形成された複数の微細な凹凸によってエピタキシー基板の剥離が困難になるという問題がある。

本願発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、バッファー層が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板を円滑に剥離することができるリフトオフ方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のリフトオフ方法は、エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合材を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合ステップと、該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊ステップと、該バッファー層破壊ステップを実施した後に、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を含み、該光デバイス層移設ステップは、該複合基板の中央部を含む領域を保持した状態で、該複合基板の外周部を含む領域に対して曲げモーメントを付与することで、光デバイス層を移設基板に移設することを特徴とする。

前記リフトオフ方法では、該光デバイス層移設ステップは、該複合基板の反りの方向とは逆の方向に対して曲げモーメントを付与しても良い。

前記リフトオフ方法では、該光デバイス層移設ステップは、該曲げモーメントを繰り返し付与しても良い。

前記リフトオフ方法では、該光デバイス層移設ステップは、凸の反りを有する移設基板側を保持テーブルに対面させ、該複合基板を全面吸着することで、該移設基板の外周部を含む領域に該複合基板の反りの方向とは逆方向の曲げモーメントを付与する全面吸着ステップと、該全面吸着ステップを実施した後、該複合基板の中央部を含む領域は吸引保持を維持しつつ、該複合基板の外周部を含む領域は吸引保持を解除する外周部解放ステップと、を繰り返し行うことで、光デバイス層を移設基板に移設しても良い。

前記リフトオフ方法では、該光デバイス層移設ステップは、凸の反りを有する移設基板側を保持テーブルに対面させ、該複合基板を該保持テーブルに載置した状態で、該複合基板のエピタキシー基板側から該複合基板の外周部を含む領域を押圧することで、該移設基板の外周部を含む領域に該複合基板の反りの方向とは逆方向の曲げモーメントを付与する押圧ステップと、該押圧ステップにより該複合基板の外周部を含む領域が押圧された状態を解除する押圧解除ステップと、を繰り返し行うことで、光デバイス層を移設基板に移設しても良い。

前記リフトオフ方法では、該光デバイス層移設ステップは、該複合基板を構成するエピタキシー基板と移設基板との境界部であるバッファー層に対して流体を噴出する流体噴出ステップを更に含んでも良い。

前記リフトオフ方法では、該光デバイス層移設ステップは、該複合基板のエピタキシー基板側を吸引保持するエピタキシー基板保持ステップを更に含んでも良い。

本発明は、バッファー層が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板を円滑に剥離することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係るリフトオフ方法の加工対象の光デバイスウエーハの構成例を模式的に示す斜視図である。 図２は、図１に示された光デバイスウエーハの要部を模式的に示す断面図である。 図３は、実施形態１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。 図４は、図３に示されたリフトオフ方法の移設基板接合ステップで形成された複合基板を模式的に示す側面図である。 図５は、図３に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップを模式的に示す側面図である。 図６は、図３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの載置ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。 図７は、図３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの全面吸着ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。 図８は、図３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの外周部解放ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。 図９は、実施形態１の変形例１に係るリフトオフ方法の移設基板接合ステップで形成された複合基板を模式的に示す側面図である。 図１０は、実施形態１の変形例１に係るリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの全面吸着ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。 図１１は、実施形態１の変形例１に係るリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの外周部解放ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。 図１２は、実施形態１の変形例２に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。 図１３は、図１２に示されたリフトオフ方法の流体噴出ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。 図１４は、実施形態１の変形例３に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。 図１５は、図１４に示されたリフトオフ方法のエピタキシー基板保持ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。 図１６は、実施形態２に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。 図１７は、図１６に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの載置ステップを模式的に示す側面図である。 図１８は、図１６に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの押圧ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。 図１９は、図１６に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの押圧解除ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。 図２０は、実施形態２の変形例１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。 図２１は、実施形態２の変形例２に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。 図２２は、図２１に示されたリフトオフ方法のエピタキシー基板保持ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。 図２３は、実施形態３に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。 図２４は、図２３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの載置ステップを模式的に示す側面図である。 図２５は、図２３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップのひっぱりステップを模式的に示す側面図である。 図２６は、実施形態１、実施形態２及び実施形態３の変形例に係るリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るリフトオフ方法の加工対象の光デバイスウエーハの構成例を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示された光デバイスウエーハの要部を模式的に示す断面図である。図３は、実施形態１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。実施形態１に係るリフトオフ方法は、図１及び図２に示された光デバイスウエーハ１を加工する方法である。

（光デバイスウエーハ）
実施形態１に係るリフトオフ方法の加工対象の光デバイスウエーハ１は、図１に示すように、円板状のサファイアからなるエピタキシー基板２の表面２１に光デバイス層３がエピタキシャル成長法によって形成されている。なお、エピタキシャル成長法によって光デバイス層３が形成されるエピタキシー基板２の表面２１と光デバイス層３との間に、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる厚みが例えば１μｍのバッファー層４（図２に示す）が形成される。このように、光デバイスウエーハ１は、図２に示すように、エピタキシー基板２の表面２１にバッファー層４を介して光デバイス層３が積層されている。

なお、光デバイス層３は、図２に示すように、バッファー層４上に順に積層されたｐ型窒化ガリウム半導体層３１とｎ型窒化ガリウム半導体層３２とからなり、実施形態１では、厚みが例えば１０μｍに形成されている。なお、実施形態１において、光デバイス層３は、格子状に形成された複数のストリート５によって区画された光デバイスに形成されている。

前述した構成の光デバイスウエーハ１は、エピタキシー基板２の表面２１に光デバイス層３をエピタキシャル成長法によって形成する際に、エピタキシー基板２を構成するサファイア結晶と、光デバイス層３を構成するＧａＮ結晶との格子定数の違いによりエピタキシー基板２の表面２１の中央が凸となる反りが生じる。なお、反りは、エピタキシー基板２の表面２１の中央と外縁との厚み方向の距離が３０μｍ～５０μｍ程度の反りである。

（リフトオフ方法）
実施形態１に係るリフトオフ方法は、光デバイスウエーハ１の光デバイス層３を移設基板１０（図４に示す）に移し替える方法である。実施形態１に係るリフトオフ方法は、図３に示すように、移設基板接合ステップ１０１と、バッファー層破壊ステップ１０２と、光デバイス層移設ステップ１０３とを含む。

（移設基板接合ステップ）
図４は、図３に示されたリフトオフ方法の移設基板接合ステップで形成された複合基板を模式的に示す側面図である。移設基板接合ステップ１０１は、光デバイスウエーハ１の光デバイス層３の表面３３に接合材６を介して移設基板１０を接合して複合基板２０を形成するステップである。

実施形態１において、移設基板接合ステップ１０１では、光デバイスウエーハ１のエピタキシー基板２の表面２１に形成された光デバイス層３の表面３３に、厚みが１ｍｍの移設基板１０を接合材６を介して接合する。なお、本発明では、移設基板１０は、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、又はシリコン（Ｓｉ）等に形成される。実施形態１では、移設基板１０は、シリコンからなりかつ光デバイスウエーハ１と同径の円板状に形成されている。

接合材６としてはＡｇＳｎ（銀錫）、ＡｕＳｎ（金錫）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）等の金属、もしくは樹脂等の有機物により構成される。実施形態１において、移設基板接合ステップ１０１は、エピタキシー基板２の表面２１に形成された光デバイス層３の表面３３または移設基板１０の表面１１に上記金属を蒸着、もしくは樹脂を形成し、接合材６と移設基板１０の表面１１または光デバイス層３の表面３３とを対面させて圧着することにより、光デバイスウエーハ１を構成する光デバイス層３の表面３３に移設基板１０の表面１１を接合材６を介して接合して、図４に示す複合基板２０を形成する。

なお、実施形態１において、移設基板接合ステップ１０１では、エピタキシー基板２と移設基板１０との格子定数の違いにより、接合時にエピタキシー基板２の表面２１の中央及び移設基板１０の表面１１の裏側の裏面１２の中央が凸に湾曲した反りが生じる。即ち、移設基板接合ステップ１０１では、移設基板１０は、エピタキシー基板２の反りに倣って反ることとなる。

（バッファー層破壊ステップ）
図５は、図３に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップを模式的に示す側面図である。バッファー層破壊ステップ１０２は、複合基板２０を構成する光デバイスウエーハ１のエピタキシー基板２の表面２１の裏側の裏面２２側からエピタキシー基板２に対しては透過性を有しバッファー層４に対しては吸収性を有する波長のパルス状のレーザービーム４５（パルスレーザービームに相当）を照射し、バッファー層４を破壊するステップである。

実施形態１において、バッファー層破壊ステップ１０２では、図４に示すレーザー加工装置４０が、チャックテーブル４１の保持面４２に複合基板２００の移設基板１０の裏面１２側を吸引保持する。従って、チャックテーブル４１の保持面４２上に保持された複合基板２０は、光デバイスウエーハ１を構成するエピタキシー基板２の表面２１の裏側の裏面２２が上側となる。実施形態１において、バッファー層破壊ステップ１０２では、レーザー加工装置４０が、図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル４１をレーザービーム照射ユニット４３の集光レンズ４４の下方の加工領域に移動し、複合基板２０の一端をレーザービーム照射ユニット４３の集光レンズ４４の直下に位置付ける。

実施形態１において、バッファー層破壊ステップ１０２では、レーザー加工装置４０が、集光レンズ４４から照射されるレーザービーム４５の集光点４６をバッファー層４に設定する。実施形態１において、バッファー層破壊ステップ１０２では、レーザー加工装置４０が、図５に示すように、レーザービーム照射ユニット４３の発振器４７からパルス状のレーザービーム４５を出射し、レーザービーム４５をミラー４８で集光レンズ４４に向けて反射し、集光レンズ４４からパルス状のレーザービーム４５を複合基板２０に照射しつつチャックテーブル４１を所定の加工送り速度で加工送り方向に移動させる。

実施形態１において、バッファー層破壊ステップ１０２では、レーザー加工装置４０が、レーザービーム照射ユニット４３の集光レンズ４４の下方にエピタキシー基板２の他端が達したら、レーザービーム４５の照射を一旦停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。その後、実施形態１において、バッファー層破壊ステップ１０２では、レーザー加工装置４０が、レーザービーム照射ユニット４３の集光レンズ４４とチャックテーブル４１とを水平方向に沿いかつ加工送り方向に対して直交する割り出し送り方向に相対的に移動させた後、集光レンズ４４からパルス状のレーザービーム４５を複合基板２０に照射しつつチャックテーブル４１を所定の加工送り速度で加工送り方向に移動させる。

実施形態１において、バッファー層破壊ステップ１０２では、レーザー加工装置４０が、チャックテーブル４１を加工送り方向に移動させながら複合基板２０にレーザービーム４５を照射する工程を繰り返して、バッファー層４の全面にレーザービーム４５を照射する。なお、本発明において、バッファー層破壊ステップ１０２では、レーザー加工装置４０が、集光レンズ４４をエピタキシー基板２の最外縁の上方に位置付け、チャックテーブル４１を軸心回りに回転しつつ集光レンズ４４をエピタキシー基板２の中央に向けて移動することによりバッファー層４の全面にレーザービーム４５を照射してもよい。また、本発明において、バッファー層破壊ステップ１０２では、チャックテーブル４１を固定した状態で、レーザービーム４５をガルバノミラー等の走査手段によりらせん状にスキャンすることでバッファー層４を破壊してもよい。

なお、実施形態１では、バッファー層破壊ステップ１０２では、例えば、光源としてＹＡＧレーザーが用いられ、レーザービーム４５の波長を２６６ｎｍとし、レーザービーム４５の繰り返し周波数を５０ｋＨｚとし、レーザービーム４５の平均出力を０．１２Ｗとし、レーザービーム４５のパルス幅を１００ｐｓとし、集光点４６を直径７０μｍの円形と、エピタキシー基板２の裏面２２にレーザービーム４５の集光点４６を位置付けた状態で集光レンズ４４を１ｍｍエピタキシー基板２に近付け、加工送り速度を６００ｍｍ／秒として、実施される。

（光デバイス層移設ステップ）
光デバイス層移設ステップ１０３は、バッファー層破壊ステップ１０２を実施した後に、エピタキシー基板２を光デバイス層３から剥離して光デバイス層３を移設基板１０に移設するステップである。実施形態１において、光デバイス層移設ステップ１０３は、図３に示すように、載置ステップ１０３１と、全面吸着ステップ１０３２と、外周部解放ステップ１０３３とを含む。

（載置ステップ）
図６は、図３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの載置ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。載置ステップ１０３１は、複合基板２０の移設基板１０側を分離装置５０の保持テーブル５１（図６に示す）の水平方向に沿って平坦な保持面５２に載置するステップである。

なお、保持テーブル５１は、厚手の円盤状に形成され、実施形態１では、複合基板２０、エピタキシー基板２及び移設基板１０と外径が略等しい。保持テーブル５１は、保持面５２の中心に開閉弁５３１を介して負圧生成源５３と接続した中心吸引孔５３２と、保持面５２の中心と外縁との間に開閉弁５３３を介して負圧生成源５３と接続した外周吸引孔５３４とが開口している。また、保持テーブル５１は、保持面５２の中心吸引孔５３２と外周吸引孔５３４との間にリング状の内周側弾性部材５２１を取り付け、保持面５２の外周吸引孔５３４よりも外周側にリング状の外周側弾性部材５２２を取り付けている。

弾性部材５２１，５２２は、それぞれ、ゴム等の弾性変形自在な樹脂により構成され、保持面５２と同軸に配置されている。内周側弾性部材５２１よりも外周側弾性部材５２２が、非弾性変形時の厚みが厚い。なお、同軸とは、弾性部材５２１，５２２の軸心が保持面５２の軸心と一致することをいう。また、内周側弾性部材５２１よりも外周側弾性部材５２２が、硬度が低い材料で構成されている。なお、実施形態１では、内周側弾性部材５２１及び外周側弾性部材５２２は、外径が４インチ又は６インチの光デバイスウエーハ等のウエーハに対応した位置に配置されている。

実施形態１において、載置ステップ１０３１では、図６に示すように、保持テーブル５１の保持面５２に移設基板１０の中央が凸に湾曲した裏面１２側が対面されて、複合基板２０の移設基板１０の裏面１２が保持テーブル５１の保持面５２に載置される。

（全面吸着ステップ）
図７は、図３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの全面吸着ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。全面吸着ステップ１０３２は、凸の反りを有する移設基板１０側を保持テーブル５１に対面させ、複合基板２０を全面吸着することで、移設基板１０の外周部を含む領域に複合基板２０の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を付与するステップである。

実施形態１において、全面吸着ステップ１０３２では、分離装置５０が開閉弁５３１，５３３を開いて、吸引孔５３２，５３４を吸引して、図７に示すように、複合基板２０の移設基板１０の裏面１２全体を保持テーブル５１の保持面５２に密に接触させて、保持テーブル５１の保持面５２に複合基板２０を吸引保持する。すると、複合基板２０の移設基板１０が裏面１２の中央が凸に湾曲しているので、移設基板１０の外周部に複合基板２０の反りの方向とは逆方向（裏面１２を平坦にする方向）の曲げモーメント１００（図７に矢印で示す）が付与されることとなる。

（外周部解放ステップ）
図８は、図３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの外周部解放ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。外周部解放ステップ１０３３は、全面吸着ステップを実施した後、複合基板２０の中央部を含む領域は吸引保持を維持しつつ、複合基板２０の外周部を含む領域は吸引保持を解除するステップである。

実施形態１において、外周部解放ステップ１０３３では、分離装置５０が、図８に示すように、開閉弁５３１を開いた状態を維持して中心吸引孔５３２を吸引するとともに、開閉弁５３３を閉じて外周吸引孔５３４の吸引を停止する。実施形態１において、外周部解放ステップ１０３３では、分離装置５０が、保持面５２の複合基板２０の移設基板１０の裏面１２の中央部の吸引保持を維持しつつ保持面５２の複合基板２０の移設基板１０の裏面１２の外周部の吸引保持を解除する。すると、全面吸着ステップ１０３２前では、複合基板２０の移設基板１０の裏面１２の中央が凸に湾曲しているので、移設基板１０に曲げモーメント１００が付与されなくなって、複合基板２０の移設基板１０の裏面１２の中央が凸に湾曲して、移設基板１０の裏面１２の外周部が保持面５２から離れる。

その後、分離装置５０等が全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを予め定められた所定回数（例えば、２回から２０回）繰り返して、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とが終了したか否かを判定する（ステップ１０４）。分離装置５０等が全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを予め定められた所定回数繰り返してなく、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とが終了していないと判定する（ステップ１０４：Ｎｏ）と、全面吸着ステップ１０３２に戻る。

このように、実施形態１に係るリフトオフ方法は、所定回数、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返すことにより、複合基板２０の中央部を含む領域を保持テーブル５１に保持した状態で、複合基板２０の外周部を含む領域に対して繰り返し曲げモーメント１００を付与するとともに、複合基板２０の反りの方向とは逆の方向に対して繰り返し曲げモーメント１００を付与することとなる。繰り返して、曲げモーメント１００が付与されると、複合基板２０は、バッファー層４の全面が破断して、光デバイス層３を移設基板１０に移設することとなる。なお、実施形態１では、全面吸着ステップ１０３２及び外周部解放ステップ１０３３の吸着の際のバキューム圧は、－３０ｋＰａ（ゲージ圧）から－６０ｋＰａ（ゲージ圧）であり、－２０ｋＰａ（ゲージ圧）では、剥離させることができなかった。

また、分離装置５０等が全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを予め定められた所定回数繰り返して、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とが終了したと判定する（ステップ１０４：Ｙｅｓ）と、エピタキシー基板２を移設基板１０から分離させて、光デバイス層３を移設基板１０に移設する。なお、本発明では、外周部解放ステップ１０３３後、分離装置５０等が、エピタキシー基板２の上側からカメラで撮像し、撮像して得た画像からＧａＮが分解して形成された窒素ガスの伸展具合が所定の値に達した否かを判定して、全面吸着ステップ１０３２に戻るか否かを判定して良い。例えば、分離装置５０等が、窒素ガスの伸展具合が所定の値に達していないと判定すると、全面吸着ステップ１０３２に戻り、窒素ガスの伸展具合が所定の値に達したと判定すると、エピタキシー基板２を移設基板１０から分離させて、光デバイス層３を移設基板１０に移設する。

以上、説明した実施形態１に係るリフトオフ方法は、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返して、エピタキシー基板２の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を複合基板２０に繰り返して付与することで、たとえバッファー層破壊ステップ１０２においてバッファー層４が十分に破壊できていなくても、エピタキシー基板２を光デバイス層３から円滑に剥離して、光デバイス層３を移設基板１０に移設することができる。その結果、実施形態１に係るリフトオフ方法は、バッファー層４が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板２を円滑に剥離することができるという効果を奏する。

また、実施形態１に係るリフトオフ方法は、光デバイス層移設ステップ１０３で用いられる保持テーブル５１の外周側弾性部材５２２の硬度が内周側弾性部材５２１の硬度よりも低いので、特に、全面吸着ステップ１０３２において保持面５２に移設基板１０を密着させて、複合基板２０を吸引保持することができる。

〔変形例１〕
実施形態１の変形例１に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図９は、実施形態１の変形例１に係るリフトオフ方法の移設基板接合ステップで形成された複合基板を模式的に示す側面図である。図１０は、実施形態１の変形例１に係るリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの全面吸着ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。図１１は、実施形態１の変形例１に係るリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの外周部解放ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。なお、図９、図１０及び図１１は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態１の変形例１に係るリフトオフ方法は、移設基板１０－１の外径が光デバイスウエーハ１の外径よりも大径で、かつ、複合基板２０－１の移設基板１０－１の外周部が、図９、図１０及び図１１に示すように、全周に亘って光デバイスウエーハ１の外縁よりも外周側に突出していること以外、実施形態１と同じである。なお、実施形態１の変形例１では、光デバイスウエーハ１の外径が４インチであり、移設基板１０－１の外径が８インチである。

実施形態１の変形例１に係るリフトオフ方法は、実施形態１と同様に、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返して、エピタキシー基板２の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を複合基板２０－１に繰り返して付与するので、バッファー層４が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板２を円滑に剥離することができるという効果を奏する。

〔変形例２〕
実施形態１の変形例２に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図１２は、実施形態１の変形例２に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。図１３は、図１２に示されたリフトオフ方法の流体噴出ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。なお、図１２及び図１３は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態１の変形例２に係るリフトオフ方法は、図１２に示すように、光デバイス層移設ステップ１０３が流体噴出ステップ１０３４を含む事以外、実施形態１と同じである。流体噴出ステップ１０３４は、複合基板２０を構成するエピタキシー基板２と移設基板１０との境界部であるバッファー層４に対して流体５４１を噴出するステップである。

実施形態１の変形例２において、流体噴出ステップ１０３４では、分離装置５０が全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返している間中、図１３に示すように、流体噴出ノズル５４から流体５４１（実施形態１の変形例２では、加圧された気体）をエピタキシー基板２と移設基板１０との境界部であるバッファー層４に向けて噴射する。

実施形態１の変形例２において、流体噴出ステップ１０３４では、分離装置５０が全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返している間中、流体噴出ノズル５４の位置を適宜変更しながらバッファー層４に流体５４１を噴出しても良く、例えば、内径が３ｍｍ程度の流体噴出ノズル５４の位置を変更することなくバッファー層４に流体５４１を噴出しても良い。また、実施形態１の変形例２において、流体噴出ステップ１０３４では、流体噴出ノズル５４から噴出する流体５４１の流量を３０ｌ／ｍｉｎ以上であるのが好ましく、常時ブローしても良く、パルス（５Ｈｚから６Ｈｚ程度）状にブローしても良く、パルス状にブローする方が効果が高い。

実施形態１の変形例２に係るリフトオフ方法は、実施形態１と同様に、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返して、エピタキシー基板２の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を複合基板２０に繰り返して付与するので、バッファー層４が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板２を円滑に剥離することができるという効果を奏する。

また、実施形態１の変形例２に係るリフトオフ方法は、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返している間中、流体噴出ノズル５４からバッファー層４に流体５４１を噴出するので、流体５４１によって移設基板１０とエピタキシー基板２とを剥離することができる。

なお、実施形態１の変形例２では、実施形態１の変形例１と同様に、複合基板２０－１の移設基板１０－１の外径が光デバイスウエーハ１の外径よりも大径でも良い。

〔変形例３〕
実施形態１の変形例３に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図１４は、実施形態１の変形例３に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。図１５は、図１４に示されたリフトオフ方法のエピタキシー基板保持ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。なお、図１４及び図１５は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態１の変形例３に係るリフトオフ方法は、図１４に示すように、光デバイス層移設ステップ１０３がエピタキシー基板保持ステップ１０３５を含む事以外、実施形態１と同じである。エピタキシー基板保持ステップ１０３５は、複合基板２０のエピタキシー基板２側を吸引保持するステップである。

実施形態１の変形例３において、エピタキシー基板保持ステップ１０３５では、分離装置５０が、載置ステップ１０３１後でかつ全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返す前に、図１５に示すように、移設基板１０からエピタキシー基板２を剥離する剥離ユニット５５の吸着パッド５５１に複合基板２０のエピタキシー基板２の外周部もしくは中心部を吸引保持する。実施形態１の変形例３において、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返している間中、複合基板２０の外周部の移動に追従して剥離ユニット５５を上下に移動させても良く、剥離ユニット５５を上下に移動させなくても良い。

実施形態１の変形例３に係るリフトオフ方法は、実施形態１と同様に、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返して、エピタキシー基板２の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を複合基板２０に繰り返して付与するので、バッファー層４が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板２を円滑に剥離することができるという効果を奏する。

また、実施形態１の変形例３に係るリフトオフ方法は、全面吸着ステップ１０３２と外周部解放ステップ１０３３とを繰り返す前に、吸着パッド５５１に複合基板２０のエピタキシー基板２の外周部もしくは中心部を吸引保持するので、移設基板１０とエピタキシー基板２とを剥離することができる。

なお、実施形態１の変形例３では、実施形態１の変形例１と同様に、複合基板２０－１の移設基板１０－１の外径が光デバイスウエーハ１の外径よりも大径でも良い。

〔実施形態２〕
実施形態２に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図１６は、実施形態２に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。図１７は、図１６に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの載置ステップを模式的に示す側面図である。図１８は、図１６に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの押圧ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。図１９は、図１６に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの押圧解除ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。なお、図１６、図１７、図１８及び図１９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係るリフトオフ方法は、図１６に示すように、光デバイス層移設ステップ１０３が、載置ステップ１０３１と、押圧ステップ１０３６と、押圧解除ステップ１０３７とを備える事以外、実施形態１と同じである。

実施形態２に係るリフトオフ方法において、載置ステップ１０３１では、実施形態１と同様に、図１７に示すように、保持テーブル５１の保持面５２に移設基板１０－１の中央が凸に湾曲した裏面１２側が対面されて、複合基板２０－１の移設基板１０－１の裏面１２が分離装置５０の保持テーブル５１の水平方向に沿って平坦な保持面５２に載置される。

実施形態２に係るリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップ１０３の押圧ステップ１０３６は、凸の反りを有する移設基板１０－１側を保持テーブル５１に対面させ、複合基板２０を保持テーブル５１に載置した状態で、複合基板２０－１のエピタキシー基板２側から複合基板２０－１の外周部を含む領域を押圧することで、移設基板１０－１の外周部を含む領域に複合基板２０－１の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を付与するステップである。

実施形態２において、押圧ステップ１０３６では、分離装置５０が、保持テーブル５１に載置された複合基板２０－１の移設基板１０－１の表面１１の外周部に押圧ユニット５６の押圧部材５６１をエピタキシー基板２側から当接させ、図１８に示すように、押圧ユニット５６を保持テーブル５１に近づけて、押圧部材５６１で移設基板１０－１の外周部を保持テーブル５１に向かって押圧する。すると、移設基板１０－１の外周部に曲げモーメント１００が付与されて、バッファー層破壊ステップ１０２においてバッファー層４の少なくとも一部が破壊されているので、複合基板２０－１の外周部において光デバイス層３がエピタキシー基板２から分離することとなる。

実施形態２に係るリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップ１０３の押圧解除ステップ１０３７は、押圧ステップ１０３６により複合基板２０－１の移設基板１０－１の外周部を含む領域が押圧された状態を解除するステップである。実施形態２において、押圧解除ステップ１０３７では、分離装置５０が、押圧ユニット５６を上昇させて、押圧ユニット５６を保持テーブル５１から離し、図１９に示すように、押圧部材５６１を移設基板１０－１の表面１１の外周部から離して、移設基板１０－１の押圧を解除する。すると、押圧ステップ１０３６前では、複合基板２０－１の移設基板１０－１の裏面１２の中央が凸に湾曲しているので、移設基板１０－１に曲げモーメント１００が付与されなくなって、複合基板２０－１の移設基板１０－１の裏面１２の中央が凸に湾曲して、移設基板１０－１の裏面１２の外周部が保持面５２から離れる。

その後、分離装置５０等が押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを予め定められた所定回数（例えば、２回から２０回）繰り返して、押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とが終了したか否かを判定する（ステップ１０４）。分離装置５０等が押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを予め定められた所定回数繰り返してなく、押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とが終了していないと判定する（ステップ１０４：Ｎｏ）と、押圧ステップ１０３６に戻る。

このように、実施形態２に係るリフトオフ方法は、所定回数、押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを繰り返すことにより、複合基板２０－１の中央部を含む領域を保持テーブル５１に保持した状態で、複合基板２０－１の外周部を含む領域に対して繰り返し曲げモーメント１００を付与するとともに、複合基板２０－１の反りの方向とは逆の方向に対して繰り返し曲げモーメント１００を付与することとなる。繰り返して、曲げモーメント１００が付与されると、複合基板２０－１は、バッファー層４の全面が破断して、光デバイス層３を移設基板１０－１に移設することとなる。

また、分離装置５０等が押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを予め定められた所定回数繰り返して、押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とが終了したと判定する（ステップ１０４：Ｙｅｓ）と、エピタキシー基板２を移設基板１０－１から分離させて、光デバイス層３を移設基板１０－１に移設する。なお、本発明では、押圧解除ステップ１０３７後、分離装置５０等が、エピタキシー基板２の上側からカメラで撮像し、撮像して得た画像からＧａＮが分解して形成された窒素ガスの伸展具合が所定の値に達した否かを判定して、押圧ステップ１０３６に戻るか否かを判定して良い。例えば、分離装置５０等が、窒素ガスの伸展具合が所定の値に達していないと判定すると、押圧ステップ１０３６に戻り、窒素ガスの伸展具合が所定の値に達したと判定すると、エピタキシー基板２を移設基板１０－１から分離させて、光デバイス層３を移設基板１０－１に移設する。

実施形態２に係るリフトオフ方法は、押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを繰り返して、エピタキシー基板２の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を複合基板２０－１に繰り返して付与することで、たとえバッファー層破壊ステップ１０２においてバッファー層４が十分に破壊できていなくても、エピタキシー基板２を光デバイス層３から円滑に剥離して、光デバイス層３を移設基板１０－１に移設することができる。その結果、実施形態２に係るリフトオフ方法は、バッファー層４が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板２を円滑に剥離することができるという効果を奏する。

〔変形例１〕
図２０は、実施形態２の変形例１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。なお、図２０は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２の変形例１の係るリフトオフ方法は、図２０に示すように、実施形態２の変形例２と同様に、光デバイス層移設ステップ１０３が流体噴出ステップ１０３４を含む事以外、実施形態２と同じである。流体噴出ステップ１０３４は、複合基板２０－１を構成するエピタキシー基板２と移設基板１０－１との境界部であるバッファー層４に対して流体５４１を噴出するステップである。

実施形態２の変形例１において、流体噴出ステップ１０３４では、分離装置５０が押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを繰り返している間中、実施形態１の変形例２と同様に、流体噴出ノズル５４から流体５４１（実施形態２の変形例１では、加圧された気体）をエピタキシー基板２と移設基板１０－１との境界部であるバッファー層４に向けて噴射する。

実施形態２の変形例１に係るリフトオフ方法は、実施形態２と同様に、押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを繰り返して、エピタキシー基板２の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を複合基板２０－１に繰り返して付与するので、バッファー層４が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板２を円滑に剥離することができるという効果を奏する。

また、実施形態２の変形例１に係るリフトオフ方法は、押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを繰り返している間中、流体噴出ノズル５４からバッファー層４に流体５４１を噴出するので、流体５４１によって移設基板１０－１とエピタキシー基板２とを剥離することができる。

〔変形例２〕
実施形態２の変形例２に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図２１は、実施形態２の変形例２に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。図２２は、図２１に示されたリフトオフ方法のエピタキシー基板保持ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。なお、図２１及び図２２は、実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２の変形例２に係るリフトオフ方法は、図２１に示すように、実施形態１の変形例３と同様に、光デバイス層移設ステップ１０３がエピタキシー基板保持ステップ１０３５を含む事以外、実施形態２と同じである。エピタキシー基板保持ステップ１０３５は、複合基板２０のエピタキシー基板２側を吸引保持するステップである。

実施形態２の変形例２において、エピタキシー基板保持ステップ１０３５では、分離装置５０が、載置ステップ１０３１後でかつ押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを繰り返す前に、図２２に示すように、押圧ユニット５６の吸着パッド５６２に複合基板２０－１のエピタキシー基板２の外周部もしくは中心部を吸引保持する。なお、実施形態２の変形例２では、吸着パッド５６２は、押圧部材５６１と独立して上下動可能に構成されている。実施形態２の変形例２において、押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを繰り返している間中、複合基板２０－１の外周部の移動に追従して押圧ユニット５６の吸着パッド５６２を上下に移動させても良く、吸着パッド５６２を上下に移動させなくても良い。

実施形態２の変形例２に係るリフトオフ方法は、実施形態２と同様に、押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを繰り返して、エピタキシー基板２の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を複合基板２０－１に繰り返して付与するので、バッファー層４が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板２を円滑に剥離することができるという効果を奏する。

また、実施形態２の変形例２に係るリフトオフ方法は、押圧ステップ１０３６と押圧解除ステップ１０３７とを繰り返す前に、吸着パッド５６２に複合基板２０－１のエピタキシー基板２の外周部もしくは中心部を吸引保持するので、移設基板１０－１とエピタキシー基板２とを剥離することができる。

〔実施形態３〕
実施形態３に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図２３は、実施形態３に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。図２４は、図２３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップの載置ステップを模式的に示す側面図である。図２５は、図２３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップのひっぱりステップを模式的に示す側面図である。なお、図２３、図２４、及び図２５は、実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態３に係るリフトオフ方法は、図２３に示すように、光デバイス層移設ステップ１０３が、載置ステップ１０３１と、ひっぱりステップ１０３８とを備える事以外、実施形態２と同じである。

実施形態３に係るリフトオフ方法において、載置ステップ１０３１では、実施形態２と同様に、図２４に示すように、保持テーブル５１の保持面５２に移設基板１０の中央が凸に湾曲した裏面１２側が対面されて、複合基板２０の移設基板１０の裏面１２が分離装置５０の保持テーブル５１の水平方向に沿って平坦な保持面５２に載置される。

実施形態３に係るリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップ１０３のひっぱりステップ１０３８は、凸の反りを有する移設基板１０側を保持テーブル５１に対面させ、複合基板２０を保持テーブル５１に載置した状態で、複合基板２０のエピタキシー基板２と移設基板１０とが互いに離れる方向にひっぱることで、移設基板１０の外周部を含む領域に複合基板の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を付与するステップである。

実施形態３において、ひっぱりステップ１０３８では、分離装置５０が、保持テーブル５１に載置された複合基板２０の移設基板１０の裏面１２の外周部を下方引っ張りユニット５７の吸着パッド５７１に吸引保持し、複合基板２０のエピタキシー基板２の裏面２２の外周部を上方引っ張りユニット５８の吸着パッド５８１に吸引保持する。実施形態３において、ひっぱりステップ１０３８では、分離装置５０が、図２５に示すように、引っ張りユニット５７，５８同士を所定距離互いに離れる方向に移動させる。すると、移設基板１０の外周部に曲げモーメント１００が付与されて、バッファー層破壊ステップ１０２においてバッファー層４の少なくとも一部が破壊されているので、複合基板２０の外周部において光デバイス層３がエピタキシー基板２から分離することとなる。

実施形態３に係るリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップ１０３のひっぱりステップ１０３８では、分離装置５０が、図２５に示すように、上方引っ張りユニット５８を上方に引っ張りながら下方引っ張りユニット５７を下方に引っ張り続ける。しかしながら、本発明では、分離装置５０が、上方引っ張りユニット５８を固定した状態で下方引っ張りユニット５７を上下に動かしてもよい（または、その逆でもよい）。

その後、分離装置５０等がひっぱりステップ１０３８を予め定められた所定時間実施して、ひっぱりステップ１０３８が終了したか否かを判定する（ステップ１０４）。分離装置５０等がひっぱりステップ１０３８を予め定められた所定時間実施してなく、ひっぱりステップ１０３８が終了していないと判定する（ステップ１０４：Ｎｏ）と、ひっぱりステップ１０３８に戻る。

このように、実施形態３に係るリフトオフ方法は、所定時間、ひっぱりステップ１０３８を実施し、ひっぱりステップ１０３８において、上方引っ張りユニット５８を上方に引っ張りながら特に下方引っ張りユニット５７を下方に引っ張り続けることにより、複合基板２０の中央部を含む領域を保持テーブル５１に保持した状態で、複合基板２０の外周部を含む領域に対して連続的に曲げモーメント１００を付与するとともに、複合基板２０の反りの方向とは逆の方向に対して連続的に曲げモーメント１００を付与することとなる。連続的に曲げモーメント１００が付与されると、複合基板２０は、バッファー層４の全面が破断して、光デバイス層３を移設基板１０に移設することとなる。

また、分離装置５０等がひっぱりステップ１０３８を予め定められた所定時間実施して、ひっぱりステップ１０３８が終了したと判定する（ステップ１０４：Ｙｅｓ）と、エピタキシー基板２を移設基板１０から分離させて、光デバイス層３を移設基板１０に移設する。なお、本発明では、ひっぱりステップ１０３８中に、分離装置５０等が、エピタキシー基板２の上側からカメラで撮像し、撮像して得た画像からＧａＮが分解して形成された窒素ガスの伸展具合が所定の値に達した否かを判定して、ひっぱりステップ１０３８が終了したか否かを判定して良い。例えば、分離装置５０等が、窒素ガスの伸展具合が所定の値に達していないと判定すると、ひっぱりステップ１０３８を実施し、窒素ガスの伸展具合が所定の値に達したと判定すると、エピタキシー基板２を移設基板１０から分離させて、光デバイス層３を移設基板１０に移設する。

実施形態３に係るリフトオフ方法は、ひっぱりステップ１０３８を所定時間実施して、エピタキシー基板２の反りの方向とは逆方向の曲げモーメント１００を複合基板２０に連続的に付与することで、たとえバッファー層破壊ステップ１０２においてバッファー層４が十分に破壊できていなくても、エピタキシー基板２を光デバイス層３から円滑に剥離して、光デバイス層３を移設基板１０に移設することができる。その結果、実施形態３に係るリフトオフ方法は、バッファー層４が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板２を円滑に剥離することができるという効果を奏する。

なお、実施形態３では、複合基板２０－１が光デバイスウエーハ１よりも大径な移設基板１０－１を備えても良く、光デバイス層移設ステップ１０３が、流体噴出ステップ１０３４を含んでも良く、光デバイス層移設ステップ１０３が、エピタキシー基板保持ステップ１０３５を含んでも良い。

なお、実施形態３において、本発明では、保持テーブル５１の保持面５２に移設基板１０を吸引保持しても良く、吸引保持しなくても良い。

〔変形例〕
実施形態１、実施形態２及び実施形態３の変形例に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図２６は、実施形態１、実施形態２及び実施形態３の変形例に係るリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。なお、図２６は、実施形態１等と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

変形例に係るリフトオフ方法では、図２６に示すように、保持テーブル５１の保持面５２が複合基板２０の反りと逆方向に湾曲している。具体的には、保持テーブル５１の保持面５２が、中央が凸の曲面に湾曲している。

変形例に係るリフトオフ方法では、実施形態１、実施形態２及び実施形態３と同様に、バッファー層４が十分に破壊できない場合でもエピタキシー基板２を円滑に剥離することができるという効果を奏する。

なお、本発明は、上記実施形態等に等限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

１ 光デバイスウエーハ
２ エピタキシー基板
３ 光デバイス層
４ バッファー層
６ 接合材
１０，１０－１ 移設基板
２０，２０－１ 複合基板
２１ 表面
２２ 裏面
３３ 表面
４５ レーザービーム
１００ 曲げモーメント
１０１ 移設基板接合ステップ
１０２ バッファー層破壊ステップ
１０３ 光デバイス層移設ステップ
５４１ 流体
１０３２ 全面吸着ステップ
１０３３ 外周部解放ステップ
１０３４ 流体噴出ステップ
１０３５ エピタキシー基板保持ステップ
１０３６ 押圧ステップ
１０３７ 押圧解除ステップ

Claims (7)

1. エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、
   光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合材を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合ステップと、
   該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊ステップと、
   該バッファー層破壊ステップを実施した後に、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を含み、
   該光デバイス層移設ステップは、
   該複合基板の中央部を含む領域を保持した状態で、該複合基板の外周部を含む領域に対して曲げモーメントを付与することで、光デバイス層を移設基板に移設することを特徴とする、リフトオフ方法。
2. 該光デバイス層移設ステップは、
   該複合基板の反りの方向とは逆の方向に対して曲げモーメントを付与することを特徴とする、請求項１に記載のリフトオフ方法。
3. 該光デバイス層移設ステップは、該曲げモーメントを繰り返し付与することを特徴とする、請求項１に記載のリフトオフ方法。
4. 該光デバイス層移設ステップは、
   凸の反りを有する移設基板側を保持テーブルに対面させ、該複合基板を全面吸着することで、該移設基板の外周部を含む領域に該複合基板の反りの方向とは逆方向の曲げモーメントを付与する全面吸着ステップと、
   該全面吸着ステップを実施した後、該複合基板の中央部を含む領域は吸引保持を維持しつつ、該複合基板の外周部を含む領域は吸引保持を解除する外周部解放ステップと、
   を繰り返し行うことで、光デバイス層を移設基板に移設することを特徴とする、請求項２に記載のリフトオフ方法。
5. 該光デバイス層移設ステップは、
   凸の反りを有する移設基板側を保持テーブルに対面させ、該複合基板を該保持テーブルに載置した状態で、該複合基板のエピタキシー基板側から該複合基板の外周部を含む領域を押圧することで、該移設基板の外周部を含む領域に該複合基板の反りの方向とは逆方向の曲げモーメントを付与する押圧ステップと、
   該押圧ステップにより該複合基板の外周部を含む領域が押圧された状態を解除する押圧解除ステップと、
   を繰り返し行うことで、光デバイス層を移設基板に移設することを特徴とする、請求項２に記載のリフトオフ方法。
6. 該光デバイス層移設ステップは、該複合基板を構成するエピタキシー基板と移設基板との境界部であるバッファー層に対して流体を噴出する流体噴出ステップを更に含む、請求項４または請求項５に記載のリフトオフ方法。
7. 該光デバイス層移設ステップは、
   該複合基板のエピタキシー基板側を吸引保持するエピタキシー基板保持ステップを更に含む、請求項４または請求項５に記載のリフトオフ方法。

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