JP2024014768A - 基板搬送システムおよび搬送モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理システムの設置面積を削減する。
【解決手段】基板搬送システムは、ロードロックモジュールと、大気搬送モジュールと、第１のロードポートと、第２のロードポートと、を備える。大気搬送モジュールは、第１の側壁、第２の側壁及び第３の側壁を有する。第１の側壁は、第１の方向に沿って延在し、ロードロックモジュールに接続される。第２の側壁は、第１の方向と直交する第２の方向に沿って延在する。第３の側壁は、第２の側壁の反対側にある。第１のロードポートは、第２の側壁から第１の方向に沿って外方に延在する。第２のロードポートは、第３の側壁から第１の方向に沿って外方に延在する。
【選択図】図１

Description

本開示の種々の側面および実施形態は、基板搬送システムおよび搬送モジュールに関する。

複数の処理モジュール（ＰＭ）と、真空搬送モジュール（ＶＴＭ）と、ロードロックモジュール（ＬＬＭ）と、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）と、ロードポート（ＬＰ）とを備える基板処理システムが知られている（例えば下記特許文献１参照）。それぞれのＰＭは、基板にプラズマ等を用いて処理を施す。ＶＴＭは、低圧環境下で、基板をそれぞれのＰＭへ搬送する。ＬＬＭは、ＶＴＭとＥＦＥＭとの間で圧力変換を行う。ＬＰは、ＥＦＥＭに設けられ、複数の基板が収容された容器が接続される。ＥＦＥＭは、ＬＰに接続された容器とＬＬＭとの間で基板を搬送する。

特開２０２１－１４１１３６号公報

本開示は、基板処理システムの設置面積を削減することができる基板搬送システムおよび搬送モジュールを提供する。

本開示の一側面における基板搬送システムは、ロードロックモジュールと、大気搬送モジュールと、第１のロードポートと、第２のロードポートと、を備える。大気搬送モジュールは、第１の側壁、第２の側壁及び第３の側壁を有する。第１の側壁は、第１の方向に沿って延在し、ロードロックモジュールに接続される。第２の側壁は、第１の方向と直交する第２の方向に沿って延在する。第３の側壁は、第２の側壁の反対側にある。第１のロードポートは、第２の側壁から第１の方向に沿って外方に延在する。第２のロードポートは、第３の側壁から第１の方向に沿って外方に延在する。

本開示の種々の側面および実施形態によれば、基板処理システムの設置面積を削減することができる。

図１は、第１の実施形態における基板処理システムの一例を示す概略平面図である。 図２は、ＰＭの一例を示す概略断面図である。 図３は、図１に例示されたＥＦＥＭおよびＬＰのＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。 図４は、図３に例示されたＥＦＥＭのＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。 図５Ａは、ＬＰの移動部に載せられた容器がＥＦＥＭに接続される過程の一例を示す図である。 図５Ｂは、ＬＰの移動部に載せられた容器がＥＦＥＭに接続される過程の一例を示す図である。 図５Ｃは、ＬＰの移動部に載せられた容器がＥＦＥＭに接続される過程の一例を示す図である。 図６は、第２の実施形態におけるＥＦＥＭおよびＬＰの一例を示す概略平面図である。 図７は、図６に例示されたＥＦＥＭおよびＬＰのＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。 図８は、図７に例示されたＥＦＥＭのＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。 図９Ａは、ＬＰの移動部に載せられた容器がＥＦＥＭに接続される過程の一例を示す図である。 図９Ｂは、ＬＰの移動部に載せられた容器がＥＦＥＭに接続される過程の一例を示す図である。 図９Ｃは、ＬＰの移動部に載せられた容器がＥＦＥＭに接続される過程の一例を示す図である。 図９Ｄは、ＬＰの移動部に載せられた容器がＥＦＥＭに接続される過程の一例を示す図である。 図１０は、第３の実施形態におけるＥＦＥＭおよびＬＰの一例を示す概略平面図である。 図１１は、図１０に例示されたＥＦＥＭおよびＬＰのＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。 図１２は、図１１に例示されたＥＦＥＭのＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。 図１３は、第４の実施形態におけるＥＦＥＭおよびＬＰの一例を示す概略平面図である。 図１４は、図１３に例示されたＥＦＥＭおよびＬＰのＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。 図１５は、図１４に例示されたＥＦＥＭのＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。 図１６は、第５の実施形態におけるＥＦＥＭおよびＬＰの一例を示す概略平面図である。 図１７は、図１６に例示されたＥＦＥＭのＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。 図１８は、図１７に例示されたＥＦＥＭのＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。

以下に、基板搬送システムおよび搬送モジュールの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される基板搬送システムおよび搬送モジュールが限定されるものではない。

ところで、単位時間あたりに処理可能な基板の数を増やすためには、基板に対するＰＭを増やすことが考えられる。ＰＭが増えると、複数のＰＭ、ＶＴＭ、ＬＬＭ、およびＥＦＥＭ等を含む基板処理システムが大型化する。基板処理システムが大型化すると、クリーンルーム等の設備内での基板処理システムの設置面積（フットプリント）が大きくなり、複数の基板処理システムを配置することが難しくなる。そのため、基板処理システムの設置面積の削減が求められている。

そこで、本開示は、基板処理システムの設置面積を削減することができる技術を提供する。

（第１の実施形態）
［基板処理システム１の構成］
図１は、第１の実施形態における基板処理システム１の構成の一例を示す平面図である。図１では、便宜的に一部の装置の内部の構成要素が透過するように図示されている。基板処理システム１は、ＶＴＭ（Vacuum Transfer Module）１１、複数のＰＭ（Process Module）１２、複数のＬＬＭ（Load Lock Module）１３、およびＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）１４を備える。ＥＦＥＭ１４は、搬送モジュールの一例である。図１の例では、ＶＴＭ１１、ＬＬＭ１３、およびＥＦＥＭ１４は、図１のｙ軸方向に沿って並べて配置されている。

ＶＴＭ１１の側壁には、ゲートバルブＧ１を介して複数のＰＭ１２が接続されている。それぞれのＰＭ１２は、処理対象となる基板Ｗに対して、エッチングや成膜等の処理を施す。なお、図１の例では、ＶＴＭ１１に６個のＰＭ１２が接続されているが、ＶＴＭ１１に接続されるＰＭ１２の数は、６台より多くてもよく、６台より少なくてもよい。

図２は、ＰＭ１２の一例を示す概略断面図である。本実施形態において、ＰＭ１２は、例えば容量結合型のプラズマ処理装置である。ＰＭ１２は、プラズマ処理チャンバ１２０、ガス供給部１２４、電源１２５、および排気システム１２８を含む。また、ＰＭ１２は、基板支持部１２１およびガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１２０内に導入するように構成されている。ガス導入部は、シャワーヘッド１２３を含む。基板支持部１２１は、プラズマ処理チャンバ１２０内に配置されている。シャワーヘッド１２３は、基板支持部１２１の上方に配置されている。一実施形態において、シャワーヘッド１２３は、プラズマ処理チャンバ１２０の天部（Ceiling）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１２０は、シャワーヘッド１２３、プラズマ処理チャンバ１２０の側壁１２０ａ、および基板支持部１２１により規定されたプラズマ処理空間１２０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１２０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１２０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１２０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１２０は接地されている。シャワーヘッド１２３および基板支持部１２１は、プラズマ処理チャンバ１２０の筐体とは電気的に絶縁されている。プラズマ処理チャンバ１２０の側壁１２０ａには、基板Ｗの搬入および搬出を行うための開口部１２０ｂが形成されている。開口部１２０ｂは、ゲートバルブＧ１によって開閉される。

基板支持部１２１は、本体部１２１１およびリングアセンブリ１２１２を含む。本体部１２１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１２１１ａと、リングアセンブリ１２１２を支持するための環状領域１２１１ｂとを有する。ウェハは、基板Ｗの一例である。本体部１２１１の環状領域１２１１ｂは、平面視で本体部１２１１の中央領域１２１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１２１１の中央領域１２１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１２１２は、本体部１２１１の中央領域１２１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１２１１の環状領域１２１１ｂ上に配置されている。中央領域１２１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１２１１ｂは、リングアセンブリ１２１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

一実施形態において、本体部１２１１は、基台１２１１０および静電チャック１２１１１を含む。基台１２１１０は、導電性部材を含む。基台１２１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１２１１１は、基台１２１１０の上に配置されている。静電チャック１２１１１は、セラミック部材１２１１１ａとセラミック部材１２１１１ａ内に配置される静電電極１２１１１ｂとを含む。セラミック部材１２１１１ａは、中央領域１２１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１２１１１ａは、環状領域１２１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１２１１１を囲む他の部材が環状領域１２１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１２１２は、環状静電チャックまたは環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１２１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Radio Frequency）電源１２６および／またはＤＣ（Direct Current）電源１２７に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１２１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号および／またはＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１２１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１２１１１ｂが下部電極として機能してもよい。基板支持部１２１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

リングアセンブリ１２１２は、１または複数の環状部材を含む。一実施形態において、１または複数の環状部材は、１または複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料または絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

また、基板支持部１２１は、静電チャック１２１１１、リングアセンブリ１２１２、および基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１２１１０ａ、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１２１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１２１１０ａが基台１２１１０内に形成され、１または複数のヒータが静電チャック１２１１１のセラミック部材１２１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１２１は、基板Ｗの裏面と中央領域１２１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

シャワーヘッド１２３は、ガス供給部１２４からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１２０ｓ内に導入するように構成されている。シャワーヘッド１２３は、少なくとも１つのガス供給口１２３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１２３ｂ、および複数のガス導入口１２３ｃを有する。ガス供給口１２３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１２３ｂを通過して複数のガス導入口１２３ｃからプラズマ処理空間１２０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１２３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、シャワーヘッド１２３の下面には、上部電極プレートが着脱可能に設けられてもよい。また、ガス導入部は、シャワーヘッド１２３に加えて、側壁１２０ａに形成された１または複数の開口部に取り付けられる１または複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Side Gas Injector）を含んでもよい。

ガス供給部１２４は、少なくとも１つのガスソース１２４０および少なくとも１つの流量制御器１２４１を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部１２４は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース１２４０からそれぞれに対応の流量制御器１２４１を介してシャワーヘッド１２３に供給するように構成されている。各流量制御器１２４１は、例えばマスフローコントローラまたは圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部１２４は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調またはパルス化する１またはそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

電源１２５は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１２０に結合されるＲＦ電源１２６を含む。ＲＦ電源１２６は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１２０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源１２６は、プラズマ処理チャンバ１２０において１またはそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

一実施形態において、ＲＦ電源１２６１は、第１のＲＦ生成部１２６ａおよび第２のＲＦ生成部１２６ｂを含む。第１のＲＦ生成部１２６ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部１２６ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１または複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に供給される。

第２のＲＦ生成部１２６ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであってもよく、異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部１２６ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１または複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号およびバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

また、電源１２５は、プラズマ処理チャンバ１２０に結合されるＤＣ電源１２７を含んでもよい。ＤＣ電源１２７は、第１のＤＣ生成部１２７ａおよび第２のＤＣ生成部１２７ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部１２７ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部１２７ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

種々の実施形態において、第１および第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形、またはこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部１２７ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部１２７ａおよび波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部１２７ｂおよび波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１または複数の正極性電圧パルスと１または複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１のＤＣ生成部１２７ａおよび第２のＤＣ生成部１２７ｂは、ＲＦ電源１２６に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部１２７ａが第２のＲＦ生成部１２６ｂに代えて設けられてもよい。

排気システム１２８は、例えばプラズマ処理チャンバ１２０の底部に設けられたガス排出口１２０ｅに接続され得る。排気システム１２８は、圧力調整弁および真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１２０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。

図１に戻って説明を続ける。ＶＴＭ１１の他の側壁には、ゲートバルブＧ２を介して複数のＬＬＭ１３が接続されている。図１の例では、ＶＴＭ１１に２台のＬＬＭ１３が接続されているが、ＶＴＭ１１に接続されるＬＬＭ１３の数は、２台より多くてもよく、２台より少なくてもよい。

ＶＴＭ１１内には、搬送ロボット１１０が配置されている。搬送ロボット１１０は、ＶＴＭ１１内に設けられたガイドレール１１１に沿ってＶＴＭ１１内を移動し、ＰＭ１２とＬＬＭ１３との間で基板Ｗを搬送する。基板Ｗは、被搬送物の一例である。なお、搬送ロボット１１０は、ＶＴＭ１１内の予め定められた位置に固定され、ＶＴＭ１１内を移動しない構成であってもよい。ＶＴＭ１１内は、大気圧よりも低い圧力雰囲気に保たれている。

それぞれのＬＬＭ１３の１つの側壁には、ゲートバルブＧ２を介してＶＴＭ１１が接続されており、他の１つの側壁には、ゲートバルブＧ３を介してＥＦＥＭ１４が接続されている。ＬＬＭ１３では、ゲートバルブＧ３を介してＥＦＥＭ１４からＬＬＭ１３内に基板Ｗが搬入された場合、ゲートバルブＧ３が閉じられる。そして、ＬＬＭ１３内の圧力が予め定められた第１の圧力（例えば大気圧）から予め定められた第２の圧力（例えば所定の真空度の圧力）まで下げられる。そして、ゲートバルブＧ２が開かれ、ＬＬＭ１３内の基板Ｗが搬送ロボット１１０によってＶＴＭ１１内へ搬出される。

また、ＬＬＭ１３内が第２の圧力となっている状態で、搬送ロボット１１０によってゲートバルブＧ２を介してＶＴＭ１１からＬＬＭ１３内に基板Ｗが搬入され、ゲートバルブＧ２が閉じられる。そして、ＬＬＭ１３内の圧力が第２の圧力から第１の圧力まで上げられる。そして、ゲートバルブＧ３が開かれ、ＬＬＭ１３内の基板ＷがＥＦＥＭ１４内へ搬出される。

ＥＦＥＭ１４は、側壁１４７、側壁１４８－１、および側壁１４８－２を有する。ＥＦＥＭ１４において、ＬＬＭ１３が接続されるＥＦＥＭ１４の側壁１４７の反対側にある側壁１４８－１および側壁１４８－２に、複数のＬＰ（Load Port）１５がそれぞれ設けられている。図１の例において、側壁１４７は、ｘ軸方向に沿って延在し、ＬＬＭ１３に接続される。側壁１４８－１は、ｘ軸方向と直交するｙ軸方向に沿って延在する。側壁１４８－２は、側壁１４８－１の反対側に設けられている。側壁１４８－１には、側壁１４８－１からｘ軸方向に沿って外方に延在するＬＰ１５が設けられており、側壁１４８－２には、側壁１４８－２からｘ軸方向に沿って外方に延在するＬＰ１５が設けられている。

側壁１４７は第１の側壁の一例であり、側壁１４８－１は第２の側壁の一例であり、側壁１４８－２は第３の側壁の一例である。また、側壁１４８－１に設けられたＬＰ１５は第１のロードポートの一例であり、側壁１４８－２に設けられたＬＰ１５は第２のロードポートの一例である。また、ｘ軸方向は第１の方向の一例であり、ｙ軸方向は第２の方向の一例である。

それぞれのＬＰ１５には、複数の基板Ｗを収容可能なＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）等の容器が載せられる移動部１５０が設けられている。側壁１４８－１に設けられたＬＰ１５に設けられた移動部１５０は第１の基板キャリアステージの一例であり、側壁１４８－２に設けられたＬＰ１５に設けられた移動部１５０は第２の基板キャリアステージの一例である。ＦＯＵＰ等の容器は、例えばＯＨＴ（Overhead Hoist Transport）等の容器搬送機構によって搬送され、移動部１５０の上に載せられる。

このように、本実施形態では、ＬＬＭ１３が接続されるＥＦＥＭ１４の側壁１４７の反対側にある側壁以外の側壁１４８－１および側壁１４８－２に、複数のＬＰ１５が設けられている。これにより、側壁１４７に対向する側壁に複数のＬＰ１５が設けられる場合に比べて、ｙ軸に沿う方向における基板処理システム１の長さを短くすることができる。これにより、基板処理システム１の設置面積を削減することができる。

ＥＦＥＭ１４内には搬送ロボット１４０が設けられている。搬送ロボット１４０は、搬送装置の一例である。また、ＥＦＥＭ１４内にはアライメント室１４２が設けられており、アライメント室１４２内には、基板Ｗの向きを調整するアライナユニット１４２０が配置されている。搬送ロボット１４０は、ＥＦＥＭ１４内に設けられたガイドレール１４１に沿って鉛直方向にＥＦＥＭ１４内を移動し、ＬＰ１５にセットされた容器とアライメント室１４２とＬＬＭ１３との間で基板Ｗを搬送する。なお、搬送ロボット１４０は、ＥＦＥＭ１４内の予め定められた位置に固定され、ＥＦＥＭ１４内を移動しない構成であってもよい。

本実施形態において、ＥＦＥＭ１４は気密に構成されており、ＥＦＥＭ１４内には図示しないガス供給部から窒素ガスや希ガス等の不活性ガスが供給され、不活性ガスはＥＦＥＭ１４内を循環している。ＥＦＥＭ１４の上部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）が設けられており、パーティクル等が除去された不活性ガスが上部からＥＦＥＭ１４内に供給され、ＥＦＥＭ１４内にダウンフローが形成される。なお、本実施形態において、ＥＦＥＭ１４内の圧力は大気圧であるが、他の形態として、ＥＦＥＭ１４内の圧力は、陽圧となるように制御されてもよい。これにより、外部からＥＦＥＭ１４内へのパーティクル等の侵入を抑制することができる。

基板処理システム１は、制御部１０によって制御される。制御部１０は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。メモリ内には、レシピ等のデータやプログラム等が格納される。メモリは、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、またはＳＳＤ（Solid State Drive）等である。プロセッサは、メモリから読み出されたプログラムを実行することにより、メモリ内に格納されたレシピ等のデータに基づいて、入出力インターフェイスを介して基板処理システム１の各部を制御する。プロセッサは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＤＳＰ（Digital Signal Processor）等である。

［ＥＦＥＭ１４およびＬＰ１５の詳細］
図３は、図１に例示されたＥＦＥＭ１４およびＬＰ１５のＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図であり、図４は、図３に例示されたＥＦＥＭ１４のＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。図３では、ガイドレール１４１も併せて図示されている。

ＥＦＥＭ１４は、筐体１４９を有する。ＥＦＥＭ１４には、例えば図３および図４に示されるように、アライメント室１４２が設けられており、アライメント室１４２内にはアライナユニット１４２０が配置されている。ＥＦＥＭ１４の上部には、ＦＦＵ１４３が設けられている。ＬＬＭ１３が接続されるＥＦＥＭ１４の側壁１４７には、ＬＬＭ１３に連通する開口部１４４が形成されている。開口部１４４は、第１の開口部の一例である。アライナユニット１４２０は、例えば図４に示されるように、ＬＬＭ１３の上方に配置されている。

ガイドレール１４１は、開口部１４４が設けられたＥＦＥＭ１４の側壁１４７に対向する側壁に、当該側壁に沿って上下方向に延在するように配置されている。搬送ロボット１４０は、ＥＦＥＭ１４内をガイドレール１４１に沿って上下方向に移動する。ＥＦＥＭ１４の下部には、処理前および処理後の基板Ｗを一時的に格納するストレージユニット１４５が配置されている。

ＬＬＭ１３が接続される開口部１４４が形成されている側壁１４７に対向する側壁以外の側壁１４８－１および側壁１４８－２には、例えば図３および図４に示されるように、ＬＰ１５に載せられた容器が接続される開口部１４６が形成されている。開口部１４６は、第２の開口部の一例である。

［ＬＰ１５の動作］
図５Ａ～図５Ｃは、ＬＰ１５の移動部１５０に載せられた容器１６がＥＦＥＭ１４に接続される過程の一例を示す図である。図５Ａ～図５Ｃでは、側壁１４８－１に接続されたＬＰ１５が図示されている。

複数の基板Ｗが収容されたＦＯＵＰ等の容器１６は、例えばＯＨＴ等の搬送機構によって搬送され、移動部１５０に載せられる。容器１６は、例えば図５Ａに示されるように、ドア１６０が設けられた開口部１６１の面が、ＥＦＥＭ１４の側壁１４７に対向する側壁の面に沿う方向（図５Ａの例では、ｘ軸に沿う方向）の向きとなるように移動部１５０上に載せられる。容器１６の開口部１６１は、第１の開口部の一例である。

次に、移動部１５０は、例えば図５Ｂに示されるように、開口部１６１の面が、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１に沿う向き（図５Ｂの例では、ｙ軸方向に沿う向き）となるように、容器１６の向きを変更する。

次に、移動部１５０は、ガイドレール１５１上を移動することにより、例えば図５Ｃに示されるように、容器１６の開口部１６１とＥＦＥＭ１４の側壁１４７に形成された開口部１４６とが近付くように容器１６を移動させる。その後、ドア１６０およびゲートバルブＧ４が開かれることにより、容器１６とＥＦＥＭ１４とが接続される。

以上、第１の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態におけるＥＦＥＭ１４は、筐体１４９と、筐体１４９内に配置され、被搬送物の一例である基板Ｗを搬送する搬送ロボット１４０とを備える。筐体１４９は、ＬＬＭ１３に連通する開口部１４４を有する側壁１４７と、側壁１４７の反対側にある側壁以外の側壁１４８－１であり、側壁１４８－１は、ＬＰ１５に接続され、少なくとも１つの開口部１４６を有する側壁１４８－１とを有する。これにより、基板処理システム１の設置面積を削減することができる。

また、上記した実施形態において、ＬＰ１５は、移動部１５０を有する。移動部１５０は、容器１６容器を搬送する容器搬送機構によって開口部１６１が形成された容器１６の面がＥＦＥＭ１４の側壁１４７に対向する側壁の面に沿う向きとなるように配置された容器１６を、容器１６の開口部１６１と側壁１４８－１の開口部１４６とが連通する位置および向きとなるように容器１６の位置および向きを変更する。これにより、容器搬送機構によって搬送された容器１６をＥＦＥＭ１４に接続することができる。

また、上記した実施形態において、ＥＦＥＭ１４は、筐体１４９内に配置されるアライナユニット１４２０を備える。これにより、ＥＦＥＭ１４内の空間を有効活用することができる。

また、上記した実施形態において、ＥＦＥＭ１４は、筐体１４９内に配置されるストレージユニット１４５を備える。これにより、ＥＦＥＭ１４内の空間を有効活用することができる。

また、上記した実施形態において、ＥＦＥＭ１４は、筐体１４９内に不活性ガスを循環供給するガス供給部をさらに備える。これにより、ＥＦＥＭ１４内を通過する基板Ｗにおいて、酸化等の基板Ｗの変質を抑制することができる。

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに容器１６が１つずつ接続されるが、本実施形態では、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに複数の容器１６が接続される点が、第１の実施形態とは異なる。以下では、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。

図６は、第２の実施形態におけるＥＦＥＭ１４よびＬＰ１５の一例を示す概略平面図である。図７は、図６に例示されたＥＦＥＭ１４およびＬＰ１５のＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。図８は、図７に例示されたＥＦＥＭ１４のＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。本実施形態におけるＬＰ１５には、例えば図６および図７に示されるように、複数の移動部１５０ａおよび移動部１５０ｂが設けられている。複数の移動部１５０ａおよび移動部１５０ｂは、ＥＦＥＭ１４の側壁１４７に対向する側壁の面に沿う方向（例えば図６のｘ軸に沿う方向）に並べて配置されている。本実施形態において、複数の移動部１５０ａおよび移動部１５０ｂの間隔ΔＬ１は、例えばＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International）規格に準拠した５０５ｍｍである。

また、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれには、ＬＰ１５に載せられた容器１６が接続される複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂが形成されている。本実施形態において、複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂは、例えば図６および図８に示されるように、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれの面に沿う方向（例えば図６および図８のｙ軸に沿う方向）に並べて配置されている。図６および図８の例では、複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂは、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれの面に沿って横方向に配列されている。開口部１４６ａはゲートバルブＧ４ａによって開閉され、開口部１４６ｂはゲートバルブＧ４ｂによって開閉される。

また、本実施形態のＥＦＥＭ１４において、ＬＬＭ１３が接続される開口部１４４と、容器１６が接続される開口部１４６ｂとは、例えば図７および図８に示されるように、異なる高さの位置に形成されている。また、例えば図８に示されるように、側壁１４８－１および側壁１４８－２に交差する方向から見た場合に、側壁１４７の面が側壁１４８－１および側壁１４８－２の領域内に迫り出している。換言すれば、例えば図８に示されるように、ＥＦＥＭ１４において、複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂが形成されている高さにおける側壁１４８－１および側壁１４８－２の幅は、開口部１４４が形成されている高さにおける側壁１４８－１および側壁１４８－２の幅よりも広い。なお、開口部１４６ａは、開口部１４６ｂまたは開口部１４４と同じ高さの位置に形成されていてもよく、開口部１４６ｂおよび開口部１４４と異なる高さの位置に形成されていてもよい。

なお、図６～図８の例では、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに２つの開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂが設けられ、ＬＰ１５に２つの移動部１５０ａおよび移動部１５０ｂが設けられるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、例えば、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに３つ以上の開口部１４６が設けられ、ＬＰ１５に３つ以上の移動部１５０が設けられてもよい。

［ＬＰ１５の動作］
図９Ａ～図９Ｄは、ＬＰ１５の移動部１５０ａおよび移動部１５０ｂに載せられた容器１６がＥＦＥＭ１４に接続される過程の一例を示す図である。図９Ａ～図９Ｄでは、側壁１４８－１に接続されたＬＰ１５が図示されている。

複数の基板Ｗが収容されたＦＯＵＰ等の容器１６ａおよび容器１６ｂは、例えばＯＨＴ等の搬送機構によって搬送され、移動部１５０ａおよび移動部１５０ｂの上にそれぞれ載せられる。このとき、容器１６ａおよび容器１６ｂは、開口部１６１の面がＥＦＥＭ１４の側壁１４７に対向する側壁の面に沿う方向（図９Ａの例では、ｘ軸に沿う方向）となる向きで移動部１５０ａおよび移動部１５０ｂの上にそれぞれ載せられる。

次に、移動部１５０ａは、例えば図９Ｂに示されるように、開口部１６１の面が、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１に沿う向き（図９Ｂの例では、ｙ軸方向に沿う向き）となるように、容器１６ａの向きを変更する。また、移動部１５０ｂは、例えば図９Ｂに示されるように、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１に沿って（例えば図９Ｂのｙ軸方向へ）容器１６ｂを移動させる。

次に、移動部１５０ａは、ガイドレール１５１ａ上を移動することにより、例えば図９Ｃに示されるように、容器１６ａの開口部１６１とＥＦＥＭ１４の開口部１４６ａとが近付くように容器１６ａを移動させる。また、移動部１５０ｂは、例えば図９Ｃに示されるように、開口部１６１の面が、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１に沿う向き（図９Ｃの例では、ｙ軸方向に沿う向き）となるように、容器１６ｂの向きを変更する。

次に、移動部１５０ｂは、ガイドレール１５１ｂ上を移動することにより、例えば図９Ｄに示されるように、容器１６ｂの開口部１６１とＥＦＥＭ１４の開口部１４６ｂとが近付くように容器１６ｂを移動させる。その後、ドア１６０およびゲートバルブＧ４が開かれることにより、容器１６ａおよび容器１６ｂとＥＦＥＭ１４とが接続される。これにより、複数の容器１６ａおよび容器１６ｂが、ＥＦＥＭ１４の側壁に沿って横方向に並ぶようにＥＦＥＭ１４に接続される。

ここで、図９Ｄに示されるように、ＥＦＥＭ１４に接続された状態における容器１６ａと容器１６ｂとの間隔ΔＬ２は、図６および図９Ａに例示された間隔ΔＬ１よりも短い。本実施形態において、間隔ΔＬ２は、例えば４００ｍｍである。これにより、ｙ軸に沿う方向におけるＥＦＥＭ１４の長さを短くすることができ、基板処理システム１の設置面積を小さくすることができる。

以上、第２の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態において、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれには、複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂが、側壁１４８－１または側壁１４８－２の面に沿って横方向に並ぶように形成されている。これにより、より多くの容器１６をＥＦＥＭ１４に接続することができる。

また、上記した実施形態において、ＥＦＥＭ１４の側壁１４７には、ＬＬＭ１３に連通する開口部１４４が形成されており、開口部１４４と開口部１４６とは、異なる高さの位置に形成されている。これにより、開口部１４４を介する基板Ｗの搬送と、開口部１４６を介する基板Ｗの搬送とを互いに干渉することなく実行することができる。

また、上記した実施形態において、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２の面に交差する方向から見た場合に、開口部１４４が形成された側壁１４７の面が、側壁１４８－１および側壁１４８－２の領域内に迫り出している。これにより、容器１６と接続するための複数の開口部１４６の領域を側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに確保しつつ、ＥＦＥＭ１４を小型化することができる。

（第３の実施形態）
第２の実施形態では、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに、複数の容器１６が横方向に並ぶように接続される。これに対し、本実施形態では、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに複数の容器１６が上下方向（縦方向）に並ぶように接続される点が、第２の実施形態とは異なる。以下では、第２の実施形態と異なる点を中心に説明する。

図１０は、第３の実施形態におけるＥＦＥＭ１４およびＬＰ１５の一例を示す概略平面図である。図１１は、図１０に例示されたＥＦＥＭ１４およびＬＰ１５のＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。図１２は、図１１に例示されたＥＦＥＭ１４のＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。本実施形態では、例えば図１０および図１１に示されるように、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２の面に沿って、上下方向（縦方向）に複数のＬＰ１５ａおよびＬＰ１５ｂが設けられている。ＬＰ１５ａには移動部１５０ａが設けられており、ＬＰ１５ｂには移動部１５０ｂが設けられている。図１１の例では、ＬＰ１５ａは、ＬＰ１５ｂの上方において側壁１４８－１または側壁１４８－２からｘ軸方向に沿って外方に延在している。また、移動部１５０ａおよび移動部１５０ｂは、平面視で異なる位置に配置されている。側壁１４８－１に設けられたＬＰ１５ｂは第１のロードポートの一例であり、側壁１４８－１に設けられたＬＰ１５ａは第３のロードポートの一例である。また、側壁１４８－２に設けられたＬＰ１５ｂは第２のロードポートの一例であり、側壁１４８－２に設けられたＬＰ１５ａは第４のロードポートの一例である。また、側壁１４８－１に設けられたＬＰ１５ｂに設けられた移動部１５０ｂは第１の基板キャリアステージの一例であり、側壁１４８－１に設けられたＬＰ１５ａに設けられた移動部１５０ｂは第３の基板キャリアステージの一例である。また、側壁１４８－２に設けられたＬＰ１５ｂに設けられた移動部１５０ｂは第２の基板キャリアステージの一例であり、側壁１４８－２に設けられたＬＰ１５ａに設けられた移動部１５０ｂは第４の基板キャリアステージの一例である。また、本実施形態では、１つの側壁１４８－１または側壁１４８－２に設けられているＬＰ１５ａおよびＬＰ１５ｂにおいて、移動部１５０ａと移動部１５０ｂとの間隔ΔＬ１は、平面視において、例えばＳＥＭＩ規格に準拠した５０５ｍｍである。

側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれには、例えば図１１および図１２に示されるように、上下方向に複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂが形成されている。本実施形態において、複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂの中の少なくとも１つ（図１１および図１２の例では、開口部１４６ａ）は、ＬＬＭ１３が接続される開口部１４４よりも上方の位置に形成される。また、複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂの中の少なくとも他の１つ（図１１および図１２の例では、開口部１４６ｂ）は、ＬＬＭ１３が接続される開口部１４４よりも下方の位置に形成される。

これにより、ＬＬＭ１３から容器１６へ搬出される際の基板Ｗの移動距離を短くすることができ、基板Ｗの搬送に要する時間を短縮することができる。なお、アライナユニット１４２０も、開口部１４６ａと開口部１４６ｂの間の高さの位置に配置されることが好ましい。これにより、容器１６からアライナユニット１４２０へ搬送される際の基板Ｗの移動距離を短くすることができる。

また、本実施形態において、側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに形成されている複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂは、例えば図１１および図１２に示されるように、側壁１４８－１または側壁１４８－２の同一の面に形成されている。これにより、側壁１４８－１および側壁１４８－２の凹凸を少なくすることができ、ＥＦＥＭ１４の筐体１４９内で不活性ガスをスムーズに循環させることができる。これにより、筐体１４９内でガスだまりの発生を抑制することができる。なお、他の形態として、複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂは、平面視において、側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれの異なる位置に形成されていてもよい。

ＬＰ１５ａが設けられた位置の側壁１４８－１および側壁１４８－２には、開口部１４６ａが形成されている。開口部１４６ａは、ゲートバルブＧ４ａによって開閉される。また、ＬＰ１５ｂが設けられた位置の側壁１４８－１および側壁１４８－２には、開口部１４６ｂが形成されている。開口部１４６ｂは、ゲートバルブＧ４ｂによって開閉される。移動部１５０ａおよび移動部１５０ｂの動作は、図５Ａ～図５Ｃを用いて説明された第１の実施形態における移動部１５０の動作と同様であるため、説明を省略する。

なお、図１０～図１２の例では、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに２つの開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂが設けられ、２つのＬＰ１５ａおよびＬＰ１５ｂが設けられるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、例えば、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに３つ以上の開口部１４６およびＬＰ１５がそれぞれ設けられてもよい。

以上、第３の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態において、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれには、複数の開口部１４６ａおよび開口部１４６ｂが上下方向に並ぶように形成されている。これにより、ＥＦＥＭ１４により多くの容器１６を接続することができる。

また、上記した実施形態において、ＥＦＥＭ１４の側壁１４７には、ＬＬＭ１３に連通する開口部１４４が形成されており、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれには、ＬＰ１５に載せられた容器１６に形成された開口部１６１に連通する複数の開口部１４６が形成されている。複数の開口部１４６の中の少なくとも一つは、開口部１４４よりも上方の位置に形成され、複数の開口部１４６の中の少なくとも他の一つは、開口部１４４よりも下方の位置に形成されている。これにより、基板Ｗの搬送に要する時間を短縮することができる。

（第４の実施形態）
第２の実施形態では、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに、複数の容器１６が横方向に並ぶように接続され、第３の実施形態では、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに、複数の容器１６が上下方向に並ぶように接続される。これに対し、本実施形態では、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに複数の容器１６が横方向および上下方向に並ぶように接続される点が、第２および第３の実施形態とは異なる。以下では、第２および第３の実施形態と異なる点を中心に説明する。

図１３は、第４の実施形態におけるＥＦＥＭ１４およびＬＰ１５の一例を示す概略平面図である。図１４は、図１３に例示されたＥＦＥＭ１４およびＬＰ１５のＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。図１５は、図１４に例示されたＥＦＥＭ１４のＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれには、例えば図１３～図１５に示されるように、複数の開口部１４６ａ１および開口部１４６ａ２が側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれの面に沿って横方向（例えば図１３～図１５のｙ軸に沿う方向）に並ぶように形成されている。また、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれには、例えば図１３～図１５に示されるように、複数の開口部１４６ｂ１および開口部１４６ｂ２が側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれの面に沿って横方向（例えば図１３～図１５のｙ軸に沿う方向）に並ぶように形成されている。また、側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれには、例えば図１３～図１５に示されるように、複数の開口部１４６ａ１および開口部１４６ｂ１と、複数の開口部１４６ａ２および開口部１４６ｂ２とが側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれの面に沿って上下方向（例えば図１３～図１５のｚ軸に沿う方向）に並ぶように形成されている。

また、本実施形態では、例えば図１３～図１５に示されるように、ＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに沿って、上下方向に複数のＬＰ１５ａおよびＬＰ１５ｂが設けられている。ＬＰ１５ａには移動部１５０ａ１および移動部１５０ａ２が設けられており、ＬＰ１５ｂには移動部１５０ｂ１および移動部１５０ｂ２が設けられている。側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに設けられているＬＰ１５ａおよびＬＰ１５ｂにおいて、移動部１５０ａ１、移動部１５０ａ２、移動部１５０ｂ１、および移動部１５０ｂ２の間隔ΔＬ１は、平面視において、例えばＳＥＭＩ規格に準拠した５０５ｍｍである。

開口部１４６ａ１は、ゲートバルブＧ４ａ１によって開閉され、開口部１４６ａ２は、ゲートバルブＧ４ａ２によって開閉される。また、開口部１４６ｂ１は、ゲートバルブＧ４ｂ１によって開閉され、開口部１４６ｂ２は、ゲートバルブＧ４ｂ２によって開閉される。

また、本実施形態のＥＦＥＭ１４において、ＬＬＭ１３が接続される開口部１４４と、容器１６が接続される開口部１４６ａ２および開口部１４６ｂ２とは、例えば図１５に示されるように、異なる高さの位置に形成されている。また、例えば図１５に示されるように、側壁１４８－１および側壁１４８－２に交差する方向から見た場合に、ＬＬＭ１３が接続される側壁１４７の面が側壁１４８－１および側壁１４８－２の領域内に迫り出している。換言すれば、例えば図１５に示されるように、ＥＦＥＭ１４において、複数の開口部１４６ａ１～１４６ｂ２が形成されている高さにおける側壁１４８－１および側壁１４８－２の幅は、開口部１４４が形成されている高さにおける側壁１４８－１および側壁１４８－２の幅よりも広い。

移動部１５０ａ１、移動部１５０ａ２、移動部１５０ｂ１、および移動部１５０ｂ２の動作は、図９Ａ～図９Ｄを用いて説明された第２の実施形態における移動部１５０ａおよび移動部１５０ｂの動作と同様であるため、説明を省略する。

なお、図１３～図１５の例では、１つのＬＰ１５に２つの移動部１５０が設けられているが、１つのＬＰ１５には、３つ以上の移動部１５０が設けられていてもよい。また、図１３～図１５の例では、側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれに２つのＬＰ１５が設けられているが、側壁１４８－１および側壁１４８－２のそれぞれには、３つ以上のＬＰ１５が設けられていてもよい。

以上、第４の実施形態について説明した。本実施形態においても、基板処理システム１の設置面積を削減することができる。

（第５の実施形態）
第１～第４の実施形態では、ＬＬＭ１３が接続されるＥＦＥＭ１４の側壁１４７と、容器１６が接続されるＥＦＥＭ１４の側壁１４８－１および側壁１４８－２とは異なる側壁である。これに対し、本実施形態では、側壁１４７と側壁１４８とが同じ側壁である点が、第１～第４の実施形態とは異なる。以下では、第１～第４の実施形態と異なる点を中心に説明する。

図１６は、第５の実施形態におけるＥＦＥＭ１４およびＬＰ１５の一例を示す概略平面図である。図１７は、図１６に例示されたＥＦＥＭ１４のＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。図１８は、図１７に例示されたＥＦＥＭ１４のＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。例えば図１８に示されるように、ＬＬＭ１３が接続されるＥＦＥＭ１４の側壁１４７には、開口部１４６が設けられている。本実施形態において、ＬＬＭ１３が接続される側壁１４７と、容器１６が接続される側壁１４８は、同じ側壁である。また、容器１６が接続される開口部１４６は、側壁１４７において、ＬＬＭ１３に連通する開口部１４４の上方に形成されている。例えば、容器１６が接続される側壁１４８は、ＬＬＭ１３が接続される側壁１４７を含む平面に沿って配置される。側壁１４７は第１の側壁の一例であり、側壁１４８は第２の側壁の一例である。このような構成であっても、図１６～図１８のｙ軸に沿う方向における基板処理システム１の長さを短くすることができる。これにより、基板処理システム１の設置面積を削減することができる。

本実施形態では、アライメント室１４２は、ＬＬＭ１３の上方に配置されている。また、本実施形態において、アライメント室１４２は、容器１６が接続される開口部１４６よりも低く、かつ、ＬＬＭ１３が接続される開口部１４４よりも高い位置に設けられている。これにより、容器１６からアライメント室１４２へ搬入されアライナユニット１４２０によって向きが調整された基板ＷがＬＬＭ１３内に搬入される際の基板Ｗの移動距離を短くすることができる。なお、アライナユニット１４２０が配置されるアライメント室１４２は、開口部１４６よりも高い位置、または、開口部１４４よりも低い位置に設けられてもよい。

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

例えば、上記した各実施形態では、被搬送物の一例として基板Ｗを搬送するＶＴＭ１１およびＥＦＥＭ１４を用いて説明したが、開示の技術はこれに限られない。例えば、他の形態として、エッジリング、カバーリング、上部電極プレート、および静電チャック等の基板Ｗ以外の被搬送物を搬送するＶＴＭ１１およびＥＦＥＭ１４に対しても、開示の技術を適用することができる。

また、上記した各実施形態において、平面視におけるＥＦＥＭ１４の形状は矩形状であるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、平面視におけるＥＦＥＭ１４の形状は、三角形または五角形以上の多角形の形状であってもよく、四角形の場合、台形状、平行四辺形、または菱形等であってもよい。また、平面視におけるＥＦＥＭ１４の形状は、複数の辺の少なくとも１つが曲線状になっていてもよい。

また、上記した各実施形態では、プラズマ源の一例として、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）を用いて処理を行うＰＭ１２を説明したが、プラズマ源はこれに限られない。容量結合型プラズマ以外のプラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトン共鳴プラズマ（ＥＣＰ）、およびヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ）等が挙げられる。

また、上記の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。

（付記１）
ロードロックモジュールと、
第１の側壁、第２の側壁及び第３の側壁を有する大気搬送モジュールであり、前記第１の側壁は、第１の方向に沿って延在し、前記ロードロックモジュールに接続され、前記第２の側壁は、前記第１の方向と直交する第２の方向に沿って延在し、前記第３の側壁は、前記第２の側壁の反対側にある、大気搬送モジュールと、
前記第２の側壁から前記第１の方向に沿って外方に延在する第１のロードポートと、
前記第３の側壁から前記第１の方向に沿って外方に延在する第２のロードポートと、
を備える、基板搬送システム。
（付記２）
前記第１のロードポートは、第１の基板キャリアステージを含み、
前記第２のロードポートは、第２の基板キャリアステージを含む、付記１に記載の基板搬送システム。
（付記３）
前記第１のロードポートの上方において前記第２の側壁から前記第１の方向に沿って外方に延在する第３のロードポートをさらに備え、
前記第３のロードポートは、第３の基板キャリアステージを含み、
前記第１の基板キャリアステージ及び前記第３の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、付記２に記載の基板搬送システム。
（付記４）
前記第２のロードポートの上方において前記第３の側壁から前記第１の方向に沿って外方に延在する第４のロードポートをさらに備え、
前記第４のロードポートは、第４の基板キャリアステージを含み、
前記第２の基板キャリアステージ及び前記第４の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、付記２または３に記載の基板搬送システム。
（付記５）
筐体と、
前記筐体内に配置される搬送装置と
を備え、
前記筐体は、
ロードロックモジュールに連通する第１の開口部を有する第１の側壁と、
前記第１の側壁の反対側にある側壁以外の第２の側壁であり、前記第２の側壁は、ロードポートに接続され、少なくとも１つの第２の開口部を有する第２の側壁と
を備える、搬送モジュール。
（付記６）
前記少なくとも１つの第２の開口部は、横方向に沿って配列される複数の第２の開口部を有する、付記５に記載の搬送モジュール。
（付記７）
前記第１の開口部は、前記少なくとも１つの第２の開口部とは異なる高さに形成されている、付記５または６に記載の搬送モジュール。
（付記８）
前記第２の側壁の面に交差する方向から見た場合に、前記第３の開口部が形成された前記第１の側壁の面が、前記第２の側壁の領域内に迫り出している、付記７に記載の搬送モジュール。
（付記９）
前記少なくとも１つの第２の開口部は、縦方向に沿って配列される複数の第２の開口部を有する、付記５に記載の搬送モジュール。
（付記１０）
前記複数の第２の開口部の中の少なくとも一つは、前記第１の開口部よりも高い位置に形成され、前記複数の第２の開口部の中の少なくとも他の一つは、前記第１の開口部よりも低い位置に形成される、付記９に記載の搬送モジュール。
（付記１１）
前記複数の第２の開口部は、同一平面上に形成されている、付記１０に記載の搬送モジュール。
（付記１２）
前記第２の側壁には、同じ高さの位置に、さらに複数の前記第２の開口部が、前記第２の側壁の面に沿って横方向に並ぶように形成されている、付記１０または１１に記載の搬送モジュール。
（付記１３）
前記第２の側壁の面に交差する方向から見た場合に、前記第３の開口部が形成された前記第１の側壁の面が、前記第２の側壁の領域内に迫り出している、付記１２に記載の搬送モジュール。
（付記１４）
前記筐体内に配置されるアライナユニットをさらに備える、付記５から１３のいずれか一つに記載の搬送モジュール。
（付記１５）
前記筐体内に配置されるストレージユニットをさらに備える、付記５から１４のいずれか一つに記載の搬送モジュール。
（付記１６）
前記筐体内に不活性ガスを循環供給するように構成されるガス供給部をさらに備える、付記５から１５のいずれか一つに記載の搬送モジュール。
（付記１７）
筐体と、
前記筐体内に配置される搬送装置と
を備え、
前記筐体は、
ロードロックモジュールに連通する第１の開口部を有する第１の側壁と、
前記第１の側壁を含む平面に沿って配置される第２の側壁であり、前記第２の側壁は、ロードポートに接続される、少なくとも１つの第２の開口部を有する、第２の側壁と
を備える、搬送モジュール。

Ｇ ゲートバルブ
Ｗ 基板
１ 基板処理システム
１０ 制御部
１１ ＶＴＭ
１１０ 搬送ロボット
１１１ ガイドレール
１２ ＰＭ
１３ ＬＬＭ
１４ ＥＦＥＭ
１４０ 搬送ロボット
１４１ ガイドレール
１４２ アライメント室
１４２０ アライナユニット
１４３ ＦＦＵ
１４４ 開口部
１４５ ストレージユニット
１４６ 開口部
１４７ 側壁
１４８ 側壁
１４９ 筐体
１５ ＬＰ
１５０ 移動部
１５１ ガイドレール
１６ 容器
１６０ ドア
１６１ 開口部

Claims (17)

1. ロードロックモジュールと、
   第１の側壁、第２の側壁及び第３の側壁を有する大気搬送モジュールであり、前記第１の側壁は、第１の方向に沿って延在し、前記ロードロックモジュールに接続され、前記第２の側壁は、前記第１の方向と直交する第２の方向に沿って延在し、前記第３の側壁は、前記第２の側壁の反対側にある、大気搬送モジュールと、
   前記第２の側壁から前記第１の方向に沿って外方に延在する第１のロードポートと、
   前記第３の側壁から前記第１の方向に沿って外方に延在する第２のロードポートと、
   を備える、基板搬送システム。
2. 前記第１のロードポートは、第１の基板キャリアステージを含み、
   前記第２のロードポートは、第２の基板キャリアステージを含む、請求項１に記載の基板搬送システム。
3. 前記第１のロードポートの上方において前記第２の側壁から前記第１の方向に沿って外方に延在する第３のロードポートをさらに備え、
   前記第３のロードポートは、第３の基板キャリアステージを含み、
   前記第１の基板キャリアステージ及び前記第３の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、請求項２に記載の基板搬送システム。
4. 前記第２のロードポートの上方において前記第３の側壁から前記第１の方向に沿って外方に延在する第４のロードポートをさらに備え、
   前記第４のロードポートは、第４の基板キャリアステージを含み、
   前記第２の基板キャリアステージ及び前記第４の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、請求項３に記載の基板搬送システム。
5. 筐体と、
   前記筐体内に配置される搬送装置と
   を備え、
   前記筐体は、
   ロードロックモジュールに連通する第１の開口部を有する第１の側壁と、
   前記第１の側壁の反対側にある側壁以外の第２の側壁であり、前記第２の側壁は、ロードポートに接続され、少なくとも１つの第２の開口部を有する第２の側壁と
   を備える、搬送モジュール。
6. 前記少なくとも１つの第２の開口部は、横方向に沿って配列される複数の第２の開口部を有する、請求項５に記載の搬送モジュール。
7. 前記第１の開口部は、前記少なくとも１つの第２の開口部とは異なる高さに形成されている、請求項５または６に記載の搬送モジュール。
8. 前記第２の側壁の面に交差する方向から見た場合に、前記第１の開口部が形成された前記第１の側壁の面が、前記第２の側壁の領域内に迫り出している、請求項７に記載の搬送モジュール。
9. 前記少なくとも１つの第２の開口部は、縦方向に沿って配列される複数の第２の開口部を有する、請求項５に記載の搬送モジュール。
10. 前記複数の第２の開口部の中の少なくとも一つは、前記第１の開口部よりも高い位置に形成され、前記複数の第２の開口部の中の少なくとも他の一つは、前記第１の開口部よりも低い位置に形成される、請求項９に記載の搬送モジュール。
11. 前記複数の第２の開口部は、同一平面上に形成されている、請求項１０に記載の搬送モジュール。
12. 前記第２の側壁には、同じ高さの位置に、さらに複数の前記第２の開口部が、前記第２の側壁の面に沿って横方向に並ぶように形成されている、請求項１０または１１に記載の搬送モジュール。
13. 前記第２の側壁の面に交差する方向から見た場合に、前記第１の開口部が形成された前記第１の側壁の面が、前記第２の側壁の領域内に迫り出している、請求項１２に記載の搬送モジュール。
14. 前記筐体内に配置されるアライナユニットをさらに備える、請求項５に記載の搬送モジュール。
15. 前記筐体内に配置されるストレージユニットをさらに備える、請求項５に記載の搬送モジュール。
16. 前記筐体内に不活性ガスを循環供給するように構成されるガス供給部をさらに備える、請求項５に記載の搬送モジュール。
17. 筐体と、
    前記筐体内に配置される搬送装置と
    を備え、
    前記筐体は、
    ロードロックモジュールに連通する第１の開口部を有する第１の側壁と、
    前記第１の側壁を含む平面に沿って配置される第２の側壁であり、前記第２の側壁は、ロードポートに接続される、少なくとも１つの第２の開口部を有する、第２の側壁と
    を備える、搬送モジュール。

Images