JP2024090925A - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING ARTICLE - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、基板の上に配置された溶液膜の乾燥技術に関する。 This disclosure relates to a drying technique for a solution film disposed on a substrate.
有機EL(Electro Luminescence)素子であるOLED(Organic Light Emitting Diode)を有するパネル(有機ELパネル)などの物品を製造する際に、基板の上の所望の箇所にインクジェット装置を用いて溶液膜を塗布する方法が知られている。溶液膜は、溶質と溶媒とを含む溶液で構成される膜である。基板の上に塗布された溶液膜を乾燥させることで、基板の上に膜(層)が形成される。溶液膜の乾燥には、基板処理装置である減圧乾燥装置が用いられる。 When manufacturing articles such as panels (organic EL panels) having OLEDs (organic light emitting diodes), which are organic EL (electro luminescence) elements, a method is known in which a solution film is applied to a desired location on a substrate using an inkjet device. A solution film is a film composed of a solution containing a solute and a solvent. A film (layer) is formed on the substrate by drying the solution film applied on the substrate. A reduced pressure drying device, which is a substrate processing device, is used to dry the solution film.
特許文献1には、基板保持部と、基板保持部に保持された基板の側方に配置され、基板の側面を囲う囲い壁と、基板保持部の上方に配置され、上下方向に移動する整流板と、を備える減圧乾燥装置が開示されている。
特許文献1に開示された囲い壁及び整流板によって乾燥速度のムラを調整する場合、乾燥によって蒸発した溶媒が、囲い壁及び整流板に囲まれた空間に滞留する。囲い壁及び整流板に囲まれた空間に蒸気として滞留した溶媒は、基板周囲の溶媒分圧を上げて溶液膜の乾燥速度低下などの経時変化を引き起こす虞がある。また、囲い壁及び整流板に囲まれた空間に蒸気として滞留した溶媒は、囲い壁又は整流板に吸着することがある。囲い壁又は整流板に吸着した溶媒は、囲い壁及び整流板に囲まれた空間に再度蒸発し、基板周囲の溶媒分圧を上げて溶液膜の乾燥速度低下などの経時変化を引き起こす虞がある。
When adjusting the unevenness of the drying speed by using the enclosure wall and the straightening plate disclosed in
本開示は、基板の上に配置された溶液に含まれる溶媒の乾燥速度のムラを低減させ、かつ乾燥速度を向上させることにある。 The present disclosure aims to reduce unevenness in the drying speed of a solvent contained in a solution placed on a substrate and improve the drying speed.
本開示の第1態様は、気密容器と、前記気密容器の内部を減圧する減圧機構と、前記気密容器の内部に配置され、基板を保持可能な基板保持部と、前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板に対向する位置に配置され、前記基板保持部に対して回転可能な回転部材と、を備える、ことを特徴とする基板処理装置である。 A first aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus comprising: an airtight container; a decompression mechanism for decompressing the inside of the airtight container; a substrate holding part disposed inside the airtight container and capable of holding a substrate; and a rotating member disposed inside the airtight container at a position facing the substrate held by the substrate holding part and capable of rotating relative to the substrate holding part.
本開示の第2態様は、基板主面の上に溶液が塗布された基板を、気密容器の内部に配置された基板保持部の上に配置し、前記気密容器の内部を、前記溶液に含まれる溶媒の蒸気圧より高い第1圧力に減圧して、前記溶媒を蒸発させ、前記気密容器の内部を、前記第1圧力から前記溶媒の蒸気圧より低い第2圧力に減圧する過程、又は前記第2圧力に減圧した状態で、前記基板と対向する位置に配置された回転部材を回転させる、ことを特徴とする物品の製造方法である。 A second aspect of the present disclosure is a method for manufacturing an article, which comprises: placing a substrate having a solution applied onto a main surface thereof on a substrate holder disposed inside an airtight container; reducing the pressure inside the airtight container to a first pressure higher than the vapor pressure of a solvent contained in the solution to evaporate the solvent; and rotating a rotating member disposed opposite the substrate while reducing the pressure inside the airtight container from the first pressure to a second pressure lower than the vapor pressure of the solvent, or while the pressure inside the airtight container is reduced to the second pressure.
本開示によれば、基板の上に配置された溶液に含まれる溶媒の乾燥速度のムラが低減され、かつ乾燥速度が向上する。 According to the present disclosure, the unevenness of the drying speed of the solvent contained in the solution placed on the substrate is reduced and the drying speed is improved.
以下、本開示の例示的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。以下の実施形態において、方向は直交座標系であるXYZ座標系によって示される。XYZ座標系において、XY平面は水平面であり、Z軸のマイナス方向は鉛直方向(重力方向)である。 Below, exemplary embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In each drawing, the same components are given the same reference numbers, and duplicated descriptions will be omitted. In the following embodiments, directions are indicated by the XYZ coordinate system, which is an orthogonal coordinate system. In the XYZ coordinate system, the XY plane is the horizontal plane, and the negative direction of the Z axis is the vertical direction (direction of gravity).
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態の基板処理装置の一例である減圧乾燥装置100の構成を示す模式的な断面図である。減圧乾燥装置100は、有機EL素子であるOLEDを有する有機ELパネルを製造する工程の一部において用いられる。即ち、減圧乾燥装置100は、基板Sに塗布された溶液膜Fを乾燥させる乾燥処理を行うことで、基板Sに有機膜を形成する。
First Embodiment
1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a reduced-
溶液膜Fは、例えば、有機膜を形成するための溶質と溶媒とを含む溶液で構成される。溶液膜Fに含まれる溶媒は、大気圧よりも低い減圧環境において蒸発が促進される性質を有することが好ましい。溶媒の蒸発は、例えば、常温(25℃)より高い温度において促進されることが好ましい。 The solution film F is composed of, for example, a solution containing a solute and a solvent for forming an organic film. The solvent contained in the solution film F preferably has a property that facilitates evaporation in a reduced pressure environment lower than atmospheric pressure. The evaporation of the solvent is preferably facilitated, for example, at a temperature higher than room temperature (25°C).
溶媒は、有機溶媒であることが好ましい。溶媒は、少なくとも1種の有機溶媒を含む。有機溶媒としては、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、1,3ージメチルー2-イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、N,N-ジメチルイソブチルアミド、N-メチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N-ジエチルホルムアミド、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジグリシジルエーテル、1,3-オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ-ブチロラクトン、エチルラクテート、N-ヘキシルアセテート、エチルセロソルブアセテートなどが挙げられる。 The solvent is preferably an organic solvent. The solvent contains at least one type of organic solvent. Examples of organic solvents include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, diethylene glycol monomethyl ether, cyclohexanone, N,N-dimethylisobutyramide, N-methylformamide, N-methylacetamide, N-diethylformamide, cyclohexanol, ethylene glycol, ethylene glycol diglycidyl ether, 1,3-octylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol, 1,3-butanediol, and 1,4-butanediol. , propylene glycol, hexylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether, diacetone alcohol, γ-butyrolactone, ethyl lactate, N-hexyl acetate, ethyl cellosolve acetate, etc.
有機膜は、有機層であり、例えば、OLEDの正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、又は電子注入層のいずれかである。有機EL素子の製造は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層の各有機膜を基板Sの上に形成する工程を含む。溶液膜Fは、基板Sが減圧乾燥装置100に搬入される前に、塗布装置により基板Sの上の必要な箇所に塗布される。
The organic film is an organic layer, for example, any one of the hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, and electron injection layer of an OLED. The manufacture of an organic EL element includes the steps of forming each of the organic films, the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer, on a substrate S. The solution film F is applied to the required locations on the substrate S by a coating device before the substrate S is transported into the reduced
減圧乾燥装置100は、気密容器10と、気密容器10の内部を減圧する減圧機構30と、気密容器10の内部に配置され、基板Sを保持可能な基板保持部20と、を備える。また、減圧乾燥装置100は、気密容器10の内部において、基板保持部20に保持された基板Sを囲う位置に配置されたカバーユニット40を備える。カバーユニット40は、基板保持部20に保持される基板Sと接触しない位置に配置されている。
The reduced
気密容器10の外部環境の圧力は、大気圧である。気密容器10は、内部空間SP0を画定する部材である。内部空間SP0は、カバーユニット40で囲まれた空間SP2と、空間SP2以外の空間SP1と、を含む。第1実施形態では、空間SP2は、基板保持部20及びカバーユニット40によって囲まれた空間である。カバーユニット40の内側の空間SP2と外側の空間SP1とは、互いに連通されているが、カバーユニット40で基板Sを囲うことで空間SP2の圧力分布ができるだけ均一となるように調整される。
The pressure of the external environment of the
また、減圧乾燥装置100は、気密容器10に設けられたゲートバルブ12を備える。乾燥処理を施すべき溶液膜Fが塗布された基板Sは、ゲートバルブ12を通して気密容器10の外部空間から内部空間SP0に搬入される。また、乾燥処理を経た基板Sは、ゲートバルブ12を通して内部空間SP0から外部空間に搬出される。
The reduced
減圧機構30は、少なくとも1つのポンプ、例えば複数のポンプを含む。複数のポンプは、例えばドライポンプ及びダイアフラム真空ポンプの少なくとも1つを含む。また、複数のポンプは、例えば、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、ソープションポンプ、油拡散ポンプ、メカニカルブースターポンプ、エジクタポンプ、及び油回転真空ポンプの少なくとも1つを含んでもよい。
The
減圧乾燥装置100は、温度制御部70を更に備える。温度制御部70は、基板保持部20の温度を制御することで、基板Sあるいは基板S上の溶液膜Fの温度を制御する。温度制御部70は、基板保持部20を加熱するヒータを含むことが好ましい。
The reduced
また、温度制御部70は、基板保持部20を冷却するクーラを含んでもよい。温度制御部70は、基板保持部20に対して加熱及び冷却の少なくとも一方を行うことで、基板保持部20の温度を制御する。
The
温度制御部70は、基板Sが一様な温度分布となるように、基板保持部20の複数の領域を互いに同一の温度、又は互いに異なる温度に制御する。好ましくは、温度制御部70は、基板保持部20に保持される基板Sの複数の領域の間の温度差が10度以内になるように制御する。より好ましくは、温度制御部70は、基板保持部20に保持される基板Sの複数の領域の間の温度差が5度以内になるように制御する。温度制御部70は、基板Sの温度が、0度から100度までの範囲内の所定の温度となるように、基板保持部20の温度を制御する。基板保持部20を加熱することで、基板S上に塗布された溶液膜Fの乾燥速度を向上させることができる。
The
カバーユニット40は、基板保持部20の上に配置されている。カバーユニット40の主な材質は、金属、例えばステンレス鋼が好適である。ステンレス鋼は、例えば0.045%以下のリン及び0.030%以下の硫黄を含有するオーステナイト系のステンレス鋼(即ち日本産業規格:JISにおいてSUS304で指定されたステンレス鋼)が好適である。
The
図2(a)は、第1実施形態に係る減圧乾燥装置100の構成の一部の上面図である。図2(a)には、カバーユニット40をZ方向に視たカバーユニット40及びカバーユニット40の周辺の部材の上面図が図示されている。カバーユニット40は、壁部材の一例である囲い壁41と、基板保持部20、即ち囲い壁41に対して回転可能な複数の回転部材、例えば5つの回転部材42-1,42-2,42-3,42-4,42-5と、を含む。複数の回転部材42-1~42-5は、囲い壁41に直接的又は別部材を介して間接的に支持されている。図2(b)は、第1実施形態に係る回転部材42-1~42-5をX方向に視た回転部材42-1~42-5の側面図である。
Figure 2(a) is a top view of a portion of the configuration of the reduced
また、図1に示すように、減圧乾燥装置100は、空間SP1に不活性ガスを導入するガス導入部51と、空間SP2に不活性ガスを導入するガス導入部52と、を備える。ガス導入部51,52は、例えば可撓性を有するチューブであることが好ましい。ガス導入部51には、バルブ53が配置されている。また、ガス導入部52には、バルブ54が配置されている。
As shown in FIG. 1, the reduced
ガス導入部51は、気密容器10を貫通して設けられており、空間SP1に不活性ガスを供給できる構成となっている。ガス導入部52は、気密容器10及びカバーユニット40の囲い壁41を貫通して設けられており、空間SP2に不活性ガスを供給できる構成となっている。
The
不活性ガスは、例えば窒素である。なお、第1実施形態において、ガス導入部51及び52から気密容器10の内部に供給されるガスは、不活性ガスであることが好ましいが、溶液膜Fの溶媒とは異なる組成を持つガスであれば、不活性ガス以外のガスでもよく、例えばクリーンドライエアであってもよい。
The inert gas is, for example, nitrogen. In the first embodiment, the gas supplied to the inside of the
ガス導入部51を介して空間SP1にガスが供給されることにより、気密容器10の内部空間SP0の圧力、特に空間SP1の圧力が調整される。また、ガス導入部52を介して空間SP2にガスが供給されることにより、気密容器10の内部空間SP0の圧力、特に空間SP2の圧力が調整される。
The pressure in the internal space SP0 of the
また、減圧乾燥装置100は、空間SP2の特定のガスを検出するガス分析計55を更に備える。ガス分析計55には、接続部材56を介して空間SP2のガスが導入される。ガス分析計55は、例えば、質量分析計等の残留ガス分析計(RGA:Residual Gas Analyzer)である。ガス分析計55が検出する特定のガスは、基板Sの溶液膜Fから蒸発する溶媒の蒸気(ガス)である。接続部材56は、可撓性を有するチューブ、例えばグラスファイバーチューブであってもよいし、ベローズであってもよい。
The reduced
また、減圧乾燥装置100は、気密容器10の内部空間SP0の圧力を検出する圧力計57を備える。圧力計57は、空間SP1に配置されてもよいが、空間SP2の圧力を検出することが好ましく、第1実施形態では空間SP2内に配置されている。
The reduced
基板保持部20は、基板Sが配置される面状の領域21を有する。領域21は、例えば水平面、即ちXY平面と平行な面である。すなわち、領域21は基板配置面であるともいえる。囲い壁41は、Z方向に延びる壁部材である。囲い壁41は、領域21上に配置される基板Sの側面SSに対向する位置に配置されている。囲い壁41は、領域21上に配置される基板Sの側面SSを囲う形状に形成されている。このように、囲い壁41は、領域21の側方に配置されている。囲い壁41は、基板Sの搬入及び搬出を行うための不図示の開口を有する。不図示の開口は、不図示のシャッターにより開閉される。なお、囲い壁41は、基板保持部20上に立設されているが、これに限定されるものではなく、別の部材上に立設されていてもよい。
The
複数の回転部材42のうち、2つ以上の回転部材は、領域21に垂直な方向、即ちZ方向において、領域21上に配置される基板Sに対向する位置に配置されている。第1実施形態において、2つ以上の回転部材は、回転部材42-1~42-5である。即ち、回転部材42-1~42-5は、Z方向において領域21上に配置される基板Sに対向する位置に配置されている。具体的には、回転部材42-1~42-5は、Z方向において領域21上に配置される基板Sの主面(基板主面)MS、即ち主面MS上に塗布された溶液膜Fに対向する位置に配置されている。このように、回転部材42-1~42-5は、領域21の上方に配置されている。回転部材42-1~42-5は、互いに接触しないように、互いに間隔をあけて配置されている。
Of the multiple rotating
回転部材42-1~42-5の各々を回転部材42とする。回転部材42は、回転軸線Lを中心に回転可能であり、回転軸線Lに沿う長手方向(例えばX方向)に延びる平板状の板部材421と、板部材421の長手方向の両端に配置された一対の回転軸422と、を含む。板部材421の厚さは、10mm以下であることが好ましい。
Each of the rotating members 42-1 to 42-5 is referred to as a rotating
一対の回転軸422のうち一方には、駆動源44が接続されている。駆動源44は、例えばモータを含み、回転部材42を回転軸線Lまわりに回転駆動することができる。複数の回転部材42は、それぞれ複数の駆動源44によって個別に回転駆動される。第1実施形態では、複数の駆動源44を有して駆動機構45が構成されている。駆動機構45は、回転部材42-1~42-5を個別に回転するよう構成されているが、これに限定されるものではなく、駆動機構45は、回転部材42-1~42-5を一括して回転するよう構成されてもよい。
A driving
板部材421は、2つの主面4211,4212を有する。主面4212は、主面4211とは反対側の主面である。回転部材42を回転させることで、主面4211,4212のうちいずれかを基板Sの主面MS上の溶液膜Fに対向させることができる。図1の例では、主面4211を基板Sの主面MS上の溶液膜Fに対向させている。
The
回転部材42-1~42-5の各々の回転軸線Lは、領域21に沿うX方向と平行に延びる。回転部材42-1~42-5は、領域21に沿うX方向と交差するY方向に互いに間隔をあけて並んで配置されている。回転部材42-1~42-5の各々において、X方向は、第1方向の一例であり、Y方向は、第2方向の一例である。第1実施形態では、Y方向は、X方向と直交する。
The rotation axis L of each of the rotating members 42-1 to 42-5 extends parallel to the X direction along the
回転部材42-1~42-5の各々は、複数の開口43を有する。各開口43は、貫通穴である。開口43の形状は、丸形状であってもよいし、スリットのような線形状であってもよい。開口43の配置および寸法は、基板S上に塗布された溶液膜Fの乾燥が均一に行われるように決定される。例えば、基板S上の溶液膜Fの乾燥速度が高い部位に対向している開口43の面積を、他の開口43の面積より小さくすることにより、溶液膜Fの乾燥速度を調整して乾燥速度ムラを解消することができる。
Each of the rotating members 42-1 to 42-5 has a plurality of
カバーユニット40における単位面積当たりの開口面積を開口率という。カバーユニット40は、基板Sの中心付近の開口率より、基板Sの外周付近の開口率が小さくなるように、各開口43の面積が調整されている。例えば、カバーユニット40において、基板Sの中心に対向した部分の開口率を40~70%、基板Sの外周に対向した部分の開口率を20~50%に規定してもよい。なお、カバーユニット40は、空間SP2と空間SP1とを連通させうる構成を有していればよく、必ずしも開口43を有する必要はない。
The opening area per unit area in the
また、減圧乾燥装置100は、装置全体の各部を制御する制御装置90を備える。制御装置90は、例えばコンピュータで構成される。制御装置90は、プロセッサの一例であるCPU、一時的な記憶デバイスであるRAM、非一時的な記憶デバイス(記録媒体)であるROM及びSSD、インタフェースであるI/Oなどを備える。非一時的な記憶デバイスには、後述する製造工程において、装置全体の各部の制御を、制御装置90のCPUに実行させる制御プログラムが格納される。制御装置90は、減圧機構30を制御することで、気密容器10の内部の圧力を制御し、駆動機構45、即ち駆動源44を制御することで、回転部材42-1~42-5の回転を制御する。また、制御装置90は、バルブ53,54を制御することで、ガスの供給と停止、及びガスの流量を制御する。
The reduced
なお、回転部材42-1~42-5の回転軸線Lの方向を、全てX方向に揃えた場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。図3(a)は、第1実施形態の変形例に係る減圧乾燥装置の構成の一部の上面図である。図3(a)には、第1実施形態の変形例のカバーユニット40AをZ方向に視たカバーユニット40A及びカバーユニット40Aの周辺の部材の上面図が図示されている。図3(b)は、第1実施形態の変形例に係る回転部材42-1~42-5をX方向に視た回転部材42-1~42-5の側面図である。
Note that, although the above description has been given with the example of the case where the directions of the rotation axes L of the rotating members 42-1 to 42-5 are all aligned in the X direction, the present invention is not limited to this. FIG. 3(a) is a top view of a portion of the configuration of a reduced pressure drying device according to a modified example of the first embodiment. FIG. 3(a) shows a top view of the
カバーユニット40Aは、複数の回転部材として7つの回転部材42-1~42-7を有する。複数の回転部材42-1~42-7は、囲い壁41に直接的又は別部材を介して間接的に支持されている。回転部材42-1~42-5の各々の回転軸線Lの方向は、X方向である。回転部材42-6及び42-7の各々の回転軸線Lの方向は、Y方向である。つまり、回転部材42-6及び42-7の各々の回転軸線Lの方向は、回転部材42-1~42-5の各々の回転軸線Lの方向と異なる。回転部材の数及び回転部材の回転軸線の方向は、溶液膜Fの乾燥速度の傾向に応じて決めればよい。
The
図4は、第1実施形態に係る空間SP2側のカバーユニット40の内面に吸着した溶媒量に対する、基板Sに塗布された溶液膜Fからの溶媒の蒸発速度、即ち溶媒の乾燥速度を示すグラフである。
Figure 4 is a graph showing the evaporation rate of the solvent from the solution film F applied to the substrate S, i.e., the drying rate of the solvent, relative to the amount of solvent adsorbed on the inner surface of the
図4に示すように、カバーユニット40の内面に吸着した溶媒量が多いほど、空間SP2内の溶媒濃度、即ち分圧が高まることから、溶液膜Fの乾燥速度が低下する。一方、カバーユニット40の内面に吸着した溶媒量が少ないほど、空間SP2内の溶媒濃度、即ち分圧が低下することから、溶液膜Fの乾燥速度が高まる。また、溶液膜Fの乾燥速度にムラがあると、形成される膜(層)の厚さにムラが生じる虞がある。つまり、形成される層の厚さのムラを低減するには、基板Sにおける溶液膜Fの乾燥速度を均一にすることが重要であり、溶液膜Fの乾燥速度を高めるには、カバーユニット40の内面に吸着する溶媒量を低減することが重要である。
As shown in FIG. 4, the greater the amount of solvent adsorbed on the inner surface of the
以下、物品の一例である有機ELパネルの製造方法の複数の工程のうち、乾燥工程(乾燥処理)を含む一部の工程について説明する。基板Sの主面MS上の必要な箇所には、インクジェット装置などの塗布装置によって、溶液膜Fが塗布される。そして、溶液膜Fが塗布された基板Sが、不図示の搬送装置によってカバーユニット40の内側の空間SP2に搬入される。そして、制御装置90の制御により、基板S上の溶液膜Fの溶媒を乾燥(蒸発)させる乾燥処理が行われる。
Below, some of the steps, including a drying step (drying process), out of the multiple steps in the method of manufacturing an organic EL panel, which is an example of an article, will be described. A solution film F is applied to necessary locations on the main surface MS of the substrate S by a coating device such as an inkjet device. The substrate S on which the solution film F has been applied is then carried into the space SP2 inside the
図5は、第1実施形態に係る物品の製造方法のフローチャートである。ステップS1において、制御装置90は、基板Sの処理開始が指示されると、囲い壁41に対して所定姿勢に回転部材42が回転するよう駆動源44を制御する。即ち、制御装置90は、回転部材42を回転制御する。
Figure 5 is a flowchart of the method for manufacturing an article according to the first embodiment. In step S1, when the
なお、回転部材42が囲い壁41に対して所定姿勢であった場合は、ステップS1の処理は省略される。所定姿勢は、溶液膜Fの種類や乾燥条件に応じて設定される。例えば、所定姿勢は、回転部材42の主面4211又は4212が基板Sの主面MSに対向し得る姿勢、即ち回転部材42の主面4211,4212が水平面と平行になる姿勢である。
When the rotating
次に、ステップS2において、制御装置90は、溶液膜Fが塗布された基板Sを、気密容器10の内部に配置された基板保持部20に搬入するよう、不図示の搬送装置を制御する。これにより、基板Sは、基板保持部20の領域21上に載置される。
Next, in step S2, the
なお、ステップS1における回転部材42の回転は、基板保持部20上に基板Sがない状況で実施されるが、基板保持部20上に基板Sがある状況で実施されてもよい。例えば、磁性流体を使用した多段の液体Oリングを適用することで、回転部材42の回転による発塵を低減することができ、気密容器10の内部をクリーンな環境を維持することができる。
The rotation of the rotating
次に、ステップS3において、制御装置90は、乾燥処理を実行する。以下、ステップS3の乾燥処理について具体的に説明する。図6は、第1実施形態に係る乾燥処理における圧力制御の例を示すグラフである。図6に示す横軸は、時間であり、縦軸は内部空間SP0の圧力、即ち空間SP2の圧力である。制御装置90は、圧力計57により検出された圧力の値が圧力指令値に近づくように、減圧機構30を制御する。図7(a)~図7(c)は、第1実施形態に係る乾燥処理の説明図である。図7(a)には、カバーユニット40及びカバーユニット40の周辺に配置された部材の断面を図示している。
Next, in step S3, the
まず、制御装置90は、気密容器10の内部空間SP0の圧力、即ち圧力計57が示す圧力が大気圧から第1圧力P1まで下降するよう減圧機構30を制御する(乾燥工程D1)。これにより、気密容器10の内部は第1圧力P1に減圧される。乾燥工程D1は、大気圧から第1圧力P1に減圧する過程の工程である。第1圧力P1は、大気圧より低い圧力であって、溶媒の蒸気圧より高い圧力である。第1圧力P1は、溶媒の蒸気圧にもよるが、例えば10Paである。そして、制御装置90は、圧力計57が示す圧力が第1圧力P1に達した後、内部空間SP0の圧力、即ち圧力計57が示す圧力が第1時間に亘って第1圧力P1に保持されるよう減圧機構30を制御する(乾燥工程D2)。乾燥工程D1,D2は、第1処理に相当する。
First, the
乾燥工程D2において、制御装置90は、減圧機構30を動作させつつ、圧力計57が示す圧力が溶媒の蒸気圧を上回るように、即ち第1圧力P1となるように、ガス導入部51から空間SP1に不活性ガスを供給するよう制御する。なお、乾燥工程D1に限らず、他の乾燥工程D1,D3,D4のいずれか、例えば乾燥工程D4において、ガス導入部51から空間SP1に不活性ガスを供給するようにしてもよい。なお、乾燥工程D1,D2において、ガス導入部52からの不活性ガスの導入は停止させている。
In the drying process D2, the
基板Sの周囲の圧力分布を均一に調整するため、即ち基板Sの上の溶液膜Fの蒸発速度を均一に調整するため、第1実施形態では、カバーユニット40で基板Sを囲っている。溶液膜Fから溶媒が蒸発すると、カバーユニット40で囲われた空間SP2において溶媒の蒸気Gが一旦滞留する。そして、回転部材42-1~42-5の間の隙間、回転部材42-1と囲い壁41との間の隙間、及び開口43を通じて、溶媒の蒸気Gが空間SP2から空間SP1に流れる。空間SP2において溶媒の蒸気Gの一部は、囲い壁41や回転部材42-1~42-5に吸着する。
In order to uniformly adjust the pressure distribution around the substrate S, i.e., to uniformly adjust the evaporation rate of the solution film F on the substrate S, in the first embodiment, the substrate S is surrounded by a
乾燥工程D2では、カバーユニット40の回転部材42の主面4211が基板Sの主面MSに対向した状態であり、空間SP2の圧力が第1圧力P1に維持されることにより、溶液膜Fが均一に乾燥する。即ち、溶液膜Fの膜厚が均一となるように溶液膜Fを乾燥させることができる。よって、溶液膜Fの表面を平坦面にすることができる。また、カバーユニット40の回転部材42には、複数の開口43が形成されている。乾燥工程D2では、空間SP2の圧力を所定圧力に保った状態で空間SP2の圧力分布が均一となるように、開口43の大きさや個数が調整されている。このため、空間SP2の圧力が微調整され、より効果的に溶液膜Fを均一に乾燥させることができる。溶液膜Fの形状は、乾燥工程D2までにおおよそ決まる。
In the drying process D2, the
第1時間の経過後、即ち第1処理の後、制御装置90は、気密容器10の内部空間SP0の圧力、即ち圧力計57が示す圧力が第1圧力P1から第2圧力P2まで下降するよう減圧機構30を制御する(乾燥工程D3)。これにより、気密容器10の内部は第2圧力P2に減圧される。乾燥工程D3は、第1圧力P1から第2圧力P2に減圧する過程の工程である。第2圧力P2は、第1圧力P1より低い圧力であって、溶媒の蒸気圧より低い圧力である。第2圧力P2は、溶媒の蒸気圧にもよるが、例えば10-3Paである。そして、制御装置90は、圧力計57が示す圧力が第2圧力P2に達した後、内部空間SP0の圧力、即ち圧力計57が示す圧力が第2時間に亘って第2圧力P2に保持されるよう減圧機構30を制御する(乾燥工程D4)。乾燥工程D3,D4は、第2処理に相当する。
After the first time has elapsed, that is, after the first process, the
乾燥工程D3以降は、気密容器10の内部の圧力を第2圧力P2まで降下させながら基板S上の溶液膜Fを更に乾燥させる。特に、乾燥工程D4では、内部空間SP0の圧力を第2圧力P2に維持した状態で、基板S上の溶液膜Fを更に乾燥させる。
After the drying process D3, the solution film F on the substrate S is further dried while the pressure inside the
ここで、乾燥工程D1,D2において、図7(a)及び図7(b)に示すように、基板Sの主面MS上の溶液膜Fから溶媒が蒸発すると、図7(b)に示すように、溶媒の蒸気Gの一部が空間SP2に向くカバーユニット40の内面に凝集し、液体の溶媒Lsとなって吸着する。カバーユニット40の内面において溶媒Lsの吸着量が増加してくると、カバーユニット40の内面に吸着した溶媒Lsが蒸発する際に空間SP2の溶媒分圧が上昇する。
Here, in the drying steps D1 and D2, as shown in Figures 7(a) and 7(b), when the solvent evaporates from the solution film F on the main surface MS of the substrate S, part of the solvent vapor G condenses on the inner surface of the
そこで、第1実施形態では、乾燥工程D3以降、即ち乾燥工程D3又はD4、好ましくは乾燥工程D3において、制御装置90は、回転部材42が乾燥工程D1,D2の状態から所定角度、回転軸線Lまわりに回転するよう回転部材42を制御する。具体的には、制御装置90は、駆動機構45の駆動源44に回転部材42を所定角度だけ回転させるよう、駆動機構45を制御する。
Therefore, in the first embodiment, after the drying step D3, i.e., in the drying step D3 or D4, preferably in the drying step D3, the
第1実施形態では、所定角度は180度である。即ち、回転部材42を半回転させることにより、溶媒Lsが吸着した主面4211を空間SP1側に向け、清浄な主面4212を空間SP2側に向ける。よって、空間SP2に向くカバーユニット40の内面の溶媒Lsの吸着量を、回転部材42を180度回転させることにより、低減することができる。これにより、空間SP2側に向くカバーユニット40の内面の溶媒Lsの吸着量を、低水準に維持することができ、溶液膜Fに含まれる溶媒を安定かつ高速に乾燥させることができ、安定して膜を形成することができる。即ち、溶液膜Fの乾燥時間を短縮することができる。
In the first embodiment, the predetermined angle is 180 degrees. That is, by rotating the rotating
第1実施形態では、乾燥工程D3又はD4、好ましくは乾燥工程D3において、Z方向において基板Sに対向する全ての回転部材42-1~42-5が互いに同じ所定角度、即ち180度回転される。これにより、溶液膜Fに含まれる溶媒を、より安定かつ高速に乾燥させることができ、より安定して膜を形成することができる。即ち、溶液膜Fの乾燥時間をより短縮することができる。 In the first embodiment, in the drying step D3 or D4, preferably in the drying step D3, all of the rotating members 42-1 to 42-5 facing the substrate S in the Z direction are rotated by the same predetermined angle, i.e., 180 degrees. This allows the solvent contained in the solution film F to be dried more stably and quickly, and a film can be formed more stably. In other words, the drying time of the solution film F can be further shortened.
また、溶媒Lsが吸着した主面4211が空間SP1の側に向けられるため、主面4211に吸着した溶媒Lsが空間SP1において脱離し、主面4211が清浄な面となる。よって、少なくとも乾燥工程D4において主面4211上の溶媒を脱離させることができるので、乾燥工程D4の後に別途、主面4211上の溶媒Lsを脱離させる工程を設ける必要がなく、タクト時間を短縮することができる。
In addition, since the
また、乾燥工程D3及びD4において、制御装置90は、ガス導入部52を介して空間SP2に不活性ガスを導入する。これにより、囲い壁41の内面に不活性ガスが吹き付けられることとなり、囲い壁41の内面に吸着した溶媒を脱離させることができる。また、溶液膜Fの乾燥を促進することができ、乾燥速度を更に高めることができる。
In addition, in drying steps D3 and D4, the
乾燥工程D3及びD4においてガス導入部52から導入される不活性ガスは、空間SP2に滞留した溶媒を空間SP1に排出する作用もある。これにより溶液膜Fの溶媒の乾燥速度を更に高めることができる。なお、不活性ガスの導入を開始するタイミングは、回転部材42の回転前であってもよいし、回転部材42の回転中であってもよいし、回転部材42の回転後であってもよい。
The inert gas introduced from the
第2時間の経過後、即ち第2処理の後、制御装置90は、気密容器10の内部空間SP0の圧力、即ち圧力計57が示す圧力が大気圧となるよう制御する。例えば、制御装置90は、減圧機構30の動作を止め、不活性ガスを気密容器10の内部に導入することで、気密容器10の内部を大気圧にすることができる。
After the second time has elapsed, i.e., after the second process, the
以上、乾燥処理は、複数の乾燥工程D1~D4を含み、制御装置90は、複数の乾燥工程D1~D4を実行するように減圧機構30を制御する。なお、乾燥工程の数は、4つに限定されるものではない。
As described above, the drying process includes multiple drying steps D1 to D4, and the
以上、圧力の条件が互いに異なる複数の乾燥工程D1~D4により、溶液膜Fを乾燥させている。これにより、溶液膜Fを乾燥させて形成される膜の厚さを均一にすることができ、また、乾燥速度を高めることができる。 As described above, the solution film F is dried through multiple drying steps D1 to D4, each with different pressure conditions. This allows the thickness of the film formed by drying the solution film F to be uniform, and also increases the drying speed.
仮に、乾燥工程D1,D2で、空間SP2の圧力を一気に第2圧力P2まで低下させてしまうと、溶媒の乾燥速度は高まるものの、溶媒の激しい蒸発により、溶液膜Fの膜厚が均一にならない虞がある。第1実施形態では、第1圧力P1にて溶液膜Fをある程度乾燥させることで膜の形状がおおよそ決まるため、その後、第2圧力P2にて溶媒の乾燥速度を高めても、膜厚に与える影響が緩和される。ただし、カバーユニット40の内面に吸着した溶媒が、空間SP2の溶媒濃度、即ち分圧が高まると、圧力の低下が阻害されることになる。第1実施形態では、回転部材42を半回転させることにより、回転部材42に吸着した溶媒が空間SP2の外、即ち空間SP1へ排出される。これにより、空間SP2の圧力を速やかに第2圧力P2に下げることができる。このように、乾燥処理、即ち複数の乾燥工程D1~D4を経ることで、基板S上の溶液膜Fの乾燥速度のムラを低減することができ、また溶液膜Fの乾燥時間を短縮することができる。
If the pressure in the space SP2 is suddenly lowered to the second pressure P2 in the drying steps D1 and D2, the drying speed of the solvent increases, but the thickness of the solution film F may not be uniform due to the intense evaporation of the solvent. In the first embodiment, the shape of the film is roughly determined by drying the solution film F to a certain extent at the first pressure P1, so that the effect on the film thickness is mitigated even if the drying speed of the solvent is then increased at the second pressure P2. However, if the solvent adsorbed on the inner surface of the
ステップS4において、制御装置90は、すべての乾燥工程が終了したかどうか、即ち乾燥処理が終了したかどうかを判定する。乾燥処理が終了したかどうかは、ガス分析計55の出力値、又は予め設定された処理時間に基づいて判定される。なお、乾燥処理が複数の乾燥工程を含む場合、制御装置90は、ステップS4の判定処理を、複数の乾燥工程のうち最後の乾燥工程の開始後に実施するようにしてもよい。
In step S4, the
ステップS4がYESの場合、即ち乾燥処理が終了した場合、制御装置90は、次のステップS5を実行する。ステップS4がNOの場合、即ち乾燥処理が終了していない場合、制御装置90は、再びステップS3の処理に戻り、乾燥処理を継続する。
If step S4 is YES, i.e., the drying process is completed, the
ステップS5において、制御装置90は、基板保持部20に保持された基板Sが気密容器10の外部に搬出されるよう不図示の搬送装置を制御する。
In step S5, the
以上、第1実施形態によれば、基板Sに塗布された溶液膜Fに含まれる溶媒の乾燥速度のムラが低減され、かつ溶液膜Fに含まれる溶媒の乾燥速度が向上する。これにより、物品である有機ELパネルの生産性が向上する。 As described above, according to the first embodiment, the unevenness of the drying speed of the solvent contained in the solution film F applied to the substrate S is reduced, and the drying speed of the solvent contained in the solution film F is improved. This improves the productivity of the product, the organic EL panel.
また、第1実施形態によれば、平板の回転部材42を180度回転させることによって、空間SP2の側に向く回転部材42の主面4211又は4212の溶媒の吸着量を低水準に保つことができ、溶液膜Fを安定かつ高速に乾燥させて膜(層)を形成することができる。
In addition, according to the first embodiment, by rotating the flat rotating
<第2実施形態>
第2実施形態の基板処理装置の一例である減圧乾燥装置について説明する。図8(a)は、第2実施形態に係る減圧乾燥装置のカバーユニット40Bの説明図である。図8(a)には、カバーユニット40B及びカバーユニット40Bの周辺に配置された部材の断面を図示している。第2実施形態の減圧乾燥装置は、第1実施形態の減圧乾燥装置100において、カバーユニット40をカバーユニット40Bに置き換えたものである。よって、第2実施形態の減圧乾燥装置(基板処理装置)におけるカバーユニット40B以外の構成は、第1実施形態の減圧乾燥装置100におけるカバーユニット40以外の構成と同様であるため、説明を省略する。
Second Embodiment
A reduced pressure drying apparatus, which is an example of a substrate processing apparatus according to the second embodiment, will be described. FIG. 8(a) is an explanatory diagram of a
カバーユニット40Bは、気密容器10(図1)の内部において、基板保持部20に保持された基板Sを囲む位置に配置されている。カバーユニット40Bは、基板保持部20に保持される基板Sと接触しない位置に配置されている。第2実施形態のカバーユニット40Bは、基板保持部20の上に配置されている。空間SP2は、基板保持部20及びカバーユニット40Bによって囲まれた空間である。カバーユニット40Bの内側の空間SP2と外側の空間SP1とは、互いに連通されているが、カバーユニット40Bで基板Sを囲うことで空間SP2の圧力分布ができるだけ均一となるように調整される。
The
カバーユニット40Bの主な材質は、金属、例えばステンレス鋼が好適である。ステンレス鋼は、例えば0.045%以下のリン及び0.030%以下の硫黄を含有するオーステナイト系のステンレス鋼(即ち日本産業規格:JISにおいてSUS304で指定されたステンレス鋼)が好適である。
The main material of the
第2実施形態のカバーユニット40Bは、壁部材の一例である囲い壁41と、基板保持部20、即ち囲い壁41に対して回転可能な複数の回転部材、例えば5つの回転部材42Bと、を含む。即ち、第2実施形態では、第1実施形態の回転部材42を、回転部材42Bに置き換えたものである。複数の回転部材42Bは、囲い壁41に直接的又は別部材を介して間接的に支持されている。
The
複数の回転部材42Bのうち、2つ以上の回転部材は、領域21に垂直な方向、即ちZ方向において、領域21に対向する位置に配置されている。第2実施形態において、2つ以上の回転部材は、5つの回転部材42Bである。即ち、5つの回転部材42Bは、Z方向において領域21上に配置される基板Sに対向する位置に配置されている。具体的には、5つの回転部材42Bは、Z方向において領域21上に配置される基板Sの主面MS、即ち溶液膜Fに対向する位置に配置されている。このように、回転部材42Bは、領域21の上方に配置されている。
Of the multiple
5つの回転部材42Bは、互いに接触しないように、互いに間隔をあけて配置されている。5つの回転部材42Bの各々の回転軸線Lは、領域21に沿うX方向と平行に延びる。5つの回転部材42Bは、領域21に沿うX方向と交差するY方向に互いに間隔をあけて並んで配置されている。5つの回転部材42Bの各々において、X方向は、第1方向の一例であり、Y方向は、第2方向の一例である。第2実施形態では、Y方向は、X方向と直交する。
The five
図8(b)は、第2実施形態に係る回転部材42Bの断面図であり、図8(c)は、第2実施形態に係る回転部材42Bを矢印VIIICの方向に視た平面図である。回転部材42Bは、回転軸線Lを中心に回転可能である。回転部材42Bは、回転軸線Lに沿う長手方向に延びる柱部材421Bと、柱部材421Bの長手方向の両側に配置された一対の回転軸422と、を含む。長手方向は、図8(b)の例ではX方向である。回転部材42Bは、柱部材421Bを含むことで、板部材より剛性が高まる。
Fig. 8(b) is a cross-sectional view of a rotating
柱部材421Bは、円柱や楕円柱であってもよいが、多角柱であることが好ましい。即ち、柱部材421Bは、3つ以上のN個の主面を有する多角柱部材であることが好ましい。多角柱は、正多角柱であることが好ましく、正多角柱の中でも正三角柱又は正四角柱が好ましい。第2実施形態では、柱部材421Bは、正三角柱である。即ち、柱部材421Bは、3つ(N=3)の主面4211B,4212B,4213Bを有する。
The
また、回転部材42Bは、柱部材421Bに形成された複数の開口43を有することが好ましい。開口43は、貫通穴やスリットである。
Furthermore, it is preferable that the rotating
回転部材42Bの一対の回転軸422のうち一方には、不図示の駆動源が接続されている。不図示の駆動源は、例えばモータを含み、回転部材42Bを回転軸線Lまわりに回転駆動することができる。複数の回転部材42Bは、それぞれ個別の駆動源によって個別に回転駆動されてもよいし、一括して回転駆動されてもよい。
A driving source (not shown) is connected to one of the pair of
第2実施形態に係る物品である有機ELパネルの製造方法は、第1実施形態において説明した図5のフローチャートに示す通りであるが、回転部材42Bの回転角度が、第1実施形態の回転部材42の回転角度と異なる。第1実施形態では、図5のステップS3の乾燥処理において、回転部材42を回転軸線Lまわりに所定角度として180度回転させる場合について説明したが、第2実施形態では、回転部材42を回転軸線Lまわりに、所定角度として(360/N)度回転させる。即ち、第2実施形態では、N=3であるので、ステップS3の乾燥処理において、回転部材42Bを回転軸線Lまわりに120度回転させる。
The method for manufacturing an organic EL panel, which is an article according to the second embodiment, is as shown in the flowchart of FIG. 5 described in the first embodiment, but the rotation angle of the rotating
図9(a)~図9(d)は、第2実施形態に係る乾燥処理の説明図である。図9(a)~図9(d)には、カバーユニット40B及びカバーユニット40Bの周辺に配置された部材の断面を図示している。なお、第2実施形態の乾燥処理は、第1実施形態の乾燥処理と同様、図6に示す乾燥工程D1~D4を含む。
FIGS. 9(a) to 9(d) are explanatory diagrams of the drying process according to the second embodiment. FIGS. 9(a) to 9(d) show cross sections of the
図9(a)に示すように、制御装置90は、気密容器10の内部空間SP0の圧力、即ち圧力計57が示す圧力が大気圧から第1圧力P1まで下降するよう減圧機構30を制御する(乾燥工程D1)。これにより、気密容器10の内部は第1圧力P1に減圧される。そして、図9(b)に示すように、制御装置90は、圧力計57が示す圧力が第1圧力P1に達した後、内部空間SP0の圧力、即ち圧力計57が示す圧力が第1時間に亘って第1圧力P1に保持されるよう減圧機構30を制御する(乾燥工程D2)。乾燥工程D1,D2は、第1処理に相当する。
As shown in FIG. 9(a), the
第1時間の経過後、即ち第1処理の後、図9(c)に示すように、制御装置90は、気密容器10の内部空間SP0の圧力、即ち圧力計57が示す圧力が第1圧力P1から第2圧力P2まで下降するよう減圧機構30を制御する(乾燥工程D3)。これにより、気密容器10の内部は第2圧力P2に減圧される。そして、制御装置90は、圧力計57が示す圧力が第2圧力P2に達した後、内部空間SP0の圧力、即ち圧力計57が示す圧力が第2時間に亘って第2圧力P2に保持されるよう減圧機構30を制御する(乾燥工程D4)。乾燥工程D3,D4は、第2処理に相当する。
After the first time has elapsed, i.e., after the first process, as shown in FIG. 9(c), the
第2実施形態では、乾燥工程D3以降、即ち乾燥工程D3又はD4、好ましくは乾燥工程D3において、制御装置90は、回転部材42が乾燥工程D1,D2の状態から120度、回転軸線Lまわりに回転するよう回転部材42Bを制御する。回転部材42Bは、予め定められた一方向、図9(c)の例では反時計まわりに回転制御される。
In the second embodiment, after the drying step D3, i.e., during the drying step D3 or D4, preferably during the drying step D3, the
正三角柱の柱部材421Bを有する回転部材42Bを120度回転させると、空間SP2に向いていた、溶媒Lsが吸着した主面4211Bを、空間SP1に向けることができ、同時に空間SP1に向いていた主面4212B,4213Bのうちの1つの主面4212Bを空間SP2に向けることができる。
When the rotating
このように、第2実施形態によれば、回転部材42Bが柱部材421Bを有することで、回転部材42Bの剛性が高まり、基板Sの大型化に対応してカバーユニット40Bを大型化する際に有利である。
In this way, according to the second embodiment, the rotating
また、三角柱のような多角柱の柱部材421Bでは、空間SP1に向く時間比率が高くなることから、回転部材42Bを清浄に保つ観点からも有利である。例えば、柱部材421Bが正三角柱の場合、空間SP2に向く時間が1/3、空間SP1に向く時間が2/3である。一方、180度回転させる平板状の板部材の場合、空間SP2に向く時間が1/2、空間SP1に向く時間が1/2である。つまり、柱部材421Bは、平板よりも空間SP1に向く時間比率を高めることができる。溶媒が吸着した回転部材42Bの主面4211Bは、乾燥工程D3,D4において空間SP1に向けられることで、主面4211Bに吸着した溶媒が空間SP1に脱離して、回転部材42Bからの溶媒の除去が進められる。このため、空間SP1に向く時間比率が高いことは、回転部材42Bの清浄性を保つ観点からも有利である。
In addition, the
第2実施形態では、乾燥工程D3又はD4、好ましくは乾燥工程D3において、Z方向において基板Sに対向する全ての回転部材42Bが互いに同じ所定角度、即ち120度回転される。これにより、溶液膜Fに含まれる溶媒を、より安定かつ高速に乾燥させることができ、より安定して膜を形成することができる。即ち、溶液膜Fの乾燥時間をより短縮することができる。
In the second embodiment, in the drying step D3 or D4, preferably in the drying step D3, all of the
なお、図9(d)に示すように、回転部材42Bを反時計回りに240度回転させて、回転部材42Bを実質的に時計回りに120度回転させるようにしてもよい。
Alternatively, as shown in FIG. 9(d), the rotating
<第3実施形態>
第3実施形態について説明する。第3実施形態の減圧乾燥装置の構成は、第1実施形態の減圧乾燥装置100の構成と同様である。よって、第3実施形態では、第1実施形態と同じ符号を用いることで説明を省略する。
Third Embodiment
A third embodiment will be described. The configuration of the reduced pressure drying apparatus of the third embodiment is similar to the configuration of the reduced
図10(a)~図10(c)は、第3実施形態に係る乾燥処理の説明図である。図10(a)~図10(c)には、カバーユニット40及びカバーユニット40の周辺に配置された部材の断面を図示している。第3実施形態では、回転部材42の回転制御が、第1実施形態の回転制御と異なる。図10(a)に示す乾燥工程D1及び図10(b)に示す乾燥工程D2は、第1実施形態で説明した通りである。図10(c)に示す乾燥工程D3又はD4において、制御装置90は、回転部材42-1~42-5を、回転軸線Lまわりに90度回転させる。
FIGS. 10(a) to 10(c) are explanatory diagrams of the drying process according to the third embodiment. FIGS. 10(a) to 10(c) show cross sections of the
即ち、乾燥工程D2で、溶液膜Fの膜形状がおおよそ決定した後、乾燥工程D3以降において、回転部材42を90度回転させることで、溶媒の乾燥を促進することができ、空間SP2内に滞留している溶媒を空間SP1へ排出するのを促進することができる。
In other words, after the film shape of the solution film F is roughly determined in the drying process D2, the rotating
また、乾燥工程D3及びD4において、ガス導入部52から不活性ガスを空間SP2に出して、空間SP2の外部に溶媒を誘導することも有効であり、その際、回転部材42の主面4211を水平面に対して90度とすることにより、溶媒の排出経路を広く確保することができる。つまり、乾燥工程D1~D2では、基板Sの溶液膜Fの乾燥が均一に行われるよう回転部材42を閉じる位置(回転角度0度)として開口面積を最小にし、乾燥工程D3以降では、回転部材42を90度回転させて開口面積を拡げることで、空間SP2から空間SP1に向かう溶媒の蒸気Gのコンダクタンスが大きくなり、空間SP2から空間SP1への溶媒の排出を加速させることができる。これにより、溶液膜Fに含まれる溶媒を安定かつ高速に乾燥させることができ、安定して膜を形成することができる。即ち、溶液膜Fの乾燥時間を短縮することができる。また、回転部材42に吸着した溶媒Lsも脱離させることができる。
In addition, in the drying steps D3 and D4, it is also effective to introduce an inert gas from the
第3実施形態では、乾燥工程D3又はD4、好ましくは乾燥工程D3において、Z方向において基板Sに対向する全ての回転部材42-1~42-5が互いに同じ所定角度、即ち90度回転される。これにより、溶液膜Fに含まれる溶媒を、より安定かつ高速に乾燥させることができ、より安定して膜を形成することができる。即ち、溶液膜Fの乾燥時間をより短縮することができる。 In the third embodiment, in the drying step D3 or D4, preferably in the drying step D3, all of the rotating members 42-1 to 42-5 facing the substrate S in the Z direction are rotated by the same predetermined angle, i.e., 90 degrees. This allows the solvent contained in the solution film F to be dried more stably and quickly, and a film can be formed more stably. In other words, the drying time of the solution film F can be further shortened.
<第4実施形態>
第4実施形態について説明する。第4実施形態の減圧乾燥装置の構成は、第1実施形態の減圧乾燥装置100の構成と同様である。よって、第4実施形態では、第1実施形態と同じ符号を用いることで説明を省略する。
Fourth Embodiment
A fourth embodiment will be described. The configuration of the reduced pressure drying apparatus of the fourth embodiment is similar to the configuration of the reduced
図11(a)~図11(c)は、第4実施形態に係る乾燥処理の説明図である。図11(a)~図11(c)には、カバーユニット40及びカバーユニット40の周辺に配置された部材の断面を図示している。第4実施形態では、回転部材42の回転制御が、第1~第3実施形態の回転制御と異なる。第1~第3実施形態では、制御装置90は、基板に対向する全ての回転部材を互いに同じ角度だけ回転制御する場合について説明した。第4実施形態では、制御装置90は、基板Sに対向する回転部材42(42-1~42-5)の回転角度を個別に設定する。
FIGS. 11(a) to 11(c) are explanatory diagrams of the drying process according to the fourth embodiment. FIGS. 11(a) to 11(c) show cross sections of the
図11(a)に示す乾燥工程D1及び図11(b)に示す乾燥工程D2は、第1実施形態で説明した通りである。図11(c)に示す乾燥工程D3又はD4において、制御装置90は、回転部材42-1~42-5のそれぞれに設定された回転角度で、回転部材42-1~42-5のそれぞれを、回転軸線Lまわりに個別に回転させる。
The drying process D1 shown in FIG. 11(a) and the drying process D2 shown in FIG. 11(b) are as described in the first embodiment. In the drying process D3 or D4 shown in FIG. 11(c), the
つまり、基板SにZ方向において対向して配置された回転部材42-1~42-5の回転角度は、それぞれ個別に設定された角度に調整される。これにより、カバーユニット40上部における隙間が調整される。
In other words, the rotation angles of the rotating members 42-1 to 42-5 arranged opposite the substrate S in the Z direction are adjusted to the angles set individually. This adjusts the gap at the top of the
回転部材42-1~42-5は、Y方向の最も端に位置する回転部材42-1,42-5と、回転部材42-1,42-5とは別の回転部材42-2~42-4と、を含む。回転部材42-1又は42-5のいずれかは、第1回転部材の一例であり、回転部材42-2~42-4のいずれかは、第2回転部材の一例である。以下、Y方向の最も端に位置する回転部材42-1と、Y方向の中央に位置する回転部材42-3に着目して説明する。 The rotating members 42-1 to 42-5 include rotating members 42-1 and 42-5 located at the extreme ends in the Y direction, and rotating members 42-2 to 42-4 that are separate from rotating members 42-1 and 42-5. Either rotating member 42-1 or 42-5 is an example of a first rotating member, and either rotating member 42-2 to 42-4 is an example of a second rotating member. The following description focuses on rotating member 42-1 located at the extreme ends in the Y direction, and rotating member 42-3 located in the center in the Y direction.
制御装置90は、回転部材42-1の主面4211が領域21、即ち水平面であるXY平面に対して角度θ1となるように回転部材42-1を制御する。角度θ1は第1角度の一例である。角度θ1は、90度未満の鋭角である。制御装置90は、回転部材42-3の主面4211が領域21、即ち水平面であるXY平面に対して角度θ1より大きい角度θ2となるように回転部材42-3を制御する。角度θ2は第2角度の一例である。角度θ2は、90度、即ち直角、又は90度未満の鋭角である。即ち、回転部材42は、基板Sの中心部に近いほど、水平面に対する主面4211の角度が大きいことが好ましい。
The
このように、回転部材42-1~42-5のそれぞれの回転角度を個別に調整することにより、空間SP1と空間SP2とを連通させる開口の面積を個別に調整することができ、溶液膜Fの部位ごとに溶媒の乾燥速度を調整することができる。 In this way, by individually adjusting the rotation angle of each of the rotating members 42-1 to 42-5, the area of the opening that connects the space SP1 to the space SP2 can be individually adjusted, and the drying speed of the solvent can be adjusted for each part of the solution film F.
例えば、基板Sが大型化した場合、空間SP2から空間SP1へ向かう溶媒の蒸気のコンダクタンスが同一であると、基板Sの中央部付近で乾燥速度が低くなる傾向にあり、基板Sの端部付近で乾燥速度が高くなる傾向にある。そこで、第4実施形態では、制御装置90は、基板Sの中央部の上方に位置する回転部材42-3を90度回転させて全開として、溶媒の蒸気Gのコンダクタンスを大きくし、基板Sの端部の上方に位置する回転部材42-1を例えば30度回転させて閉じ気味とすることで、溶媒の蒸気Gのコンダクタンスを小さくする。これにより、基板Sが大型化した場合であっても、基板Sの各部位で乾燥速度を均一にすることができる。また、回転部材42に吸着した溶媒Lsを脱離させることができる。
For example, when the substrate S is enlarged, if the conductance of the solvent vapor from space SP2 to space SP1 is the same, the drying speed tends to be slower near the center of the substrate S and faster near the edge of the substrate S. Therefore, in the fourth embodiment, the
<第5実施形態>
第5実施形態の基板処理装置の一例である減圧乾燥装置について説明する。図12は、第5実施形態に係る減圧乾燥装置のカバーユニット40Cの説明図である。第5実施形態の減圧乾燥装置は、第1実施形態の減圧乾燥装置100において、カバーユニット40をカバーユニット40Cに置き換えたものである。よって、第5実施形態の減圧乾燥装置(基板処理装置)におけるカバーユニット40C以外の構成は、第1実施形態の減圧乾燥装置100におけるカバーユニット40以外の構成と同様であるため、説明を省略する。
Fifth Embodiment
A reduced pressure drying apparatus as an example of a substrate processing apparatus according to the fifth embodiment will be described. Fig. 12 is an explanatory diagram of a
カバーユニット40Cは、基板保持部20に保持された基板Sを覆うように気密容器10(図1)の内部に配置されている。空間SP2は、基板保持部20及びカバーユニット40Cによって囲まれた空間である。カバーユニット40Cの内側の空間SP2と外側の空間SP1とは、互いに連通されているが、カバーユニット40Cで基板Sを囲うことで空間SP2の圧力分布ができるだけ均一となるように調整される。
The
カバーユニット40Cは、壁部材の一例である囲い壁41と、囲い壁41に対して回転可能な2つ以上の回転部材と、を含む。第5実施形態において、2つ以上の回転部材は、4つ以上の回転部材であり、例えば11の回転部材42-1~42-11である。回転部材42-1~42-11は、囲い壁41に直接的又は別部材を介して間接的に支持されている。
The
4つ以上の回転部材42-1~42-11のうち少なくとも2つの回転部材、例えば5つの回転部材42-1~42-5でグループG1が構成され、4つの回転部材42-1~42-11のうち回転部材42-1~42-5とは別の少なくとも2つの回転部材、例えば6つの回転部材42-6~42-11でグループG2が構成される。グループG1は、第1グループの一例であり、グループG2は、第2グループの一例である。 Group G1 is made up of at least two rotating members out of the four or more rotating members 42-1 to 42-11, for example, five rotating members 42-1 to 42-5, and group G2 is made up of at least two rotating members out of the four rotating members 42-1 to 42-11 other than rotating members 42-1 to 42-5, for example, six rotating members 42-6 to 42-11. Group G1 is an example of a first group, and group G2 is an example of a second group.
グループG2は、グループG1が配置された位置よりも領域21から遠い位置に配置されている。具体的には、グループG1は、基板保持部20の上方に配置され、グループG2は、グループG1の上方に配置されている。よって、グループG1,G2に含まれる回転部材42-1~42-11は、Z方向において基板Sに対向して配置されている。回転部材42-1~42-5は、Y方向に互いに間隔をあけて配置されている。回転部材42-6~42-11は、X方向に互いに間隔をあけて配置されている。
Group G2 is disposed at a position farther from
Z方向に視て、グループG2に含まれる回転部材42-6~42-11のそれぞれの回転軸線L2は、グループG1に含まれる回転部材42-1~42-5のそれぞれの回転軸線L1と交差する。第5実施形態では、Z方向に視て、回転軸線L2は、回転軸線L1と直交する。例えば、回転軸線L1は、X方向に延び、回転軸線L2は、Y方向に延びる。 When viewed in the Z direction, the rotation axis L2 of each of the rotating members 42-6 to 42-11 included in group G2 intersects with the rotation axis L1 of each of the rotating members 42-1 to 42-5 included in group G1. In the fifth embodiment, when viewed in the Z direction, the rotation axis L2 is perpendicular to the rotation axis L1. For example, the rotation axis L1 extends in the X direction, and the rotation axis L2 extends in the Y direction.
第5実施形態では、第4実施形態と同様、制御装置90は、基板Sに対向する回転部材42-1~42-11の回転角度を個別に設定する。即ち、回転部材42-1~42-11は、それぞれ不図示の駆動源により個別に回転駆動され、回転部材42-1~42-11の回転角度は、それぞれ個別に設定された角度に調整される。回転部材42-1~42-11の回転角度を個別に設定することにより、回転部材42-1~42-11の間の隙間、即ち開口面積を、基板Sの部位毎に調整することができる。これにより、基板S上の部位毎に、溶液膜Fの乾燥速度を早めたり遅らせたり調整することが可能となる。
In the fifth embodiment, similarly to the fourth embodiment, the
また、カバーユニット40CがグループG1,G2を有することにより、基板SのXY方向の部位毎に、溶液膜Fの乾燥速度を、更に精緻に調整することができる。また、制御装置90は、グループG1,G2のそれぞれに含まれる回転部材の回転角度を個別に制御することができるので、より効果的に乾燥速度を精緻に調整することが可能である。例えば、制御装置90が、グループG1に含まれる回転部材を第4実施形態と同様に制御し、グループG2に含まれる回転部材を第4実施形態と同様に制御することで、基板S上の溶液膜Fの乾燥速度を、更に精緻に調整することができる。
In addition, since the
なお、カバーユニット40Cは、2つのグループG1,G2を有する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、3つ以上のグループを有していてもよい。
Note that while the
また、Z方向に視て、回転軸線L1と回転軸線L2とが互いに直交する場合、即ち回転軸線L1と回転軸線L2とが互いに90度で交差する場合について説明したが、これに限定されるものではない。Z方向に視て、回転軸線L1と回転軸線L2とは、60度~120度の範囲で交差していてもよい。 In addition, the case where the rotation axis L1 and the rotation axis L2 are perpendicular to each other when viewed in the Z direction, i.e., the rotation axis L1 and the rotation axis L2 intersect at 90 degrees, has been described, but this is not limited to the case. When viewed in the Z direction, the rotation axis L1 and the rotation axis L2 may intersect at an angle in the range of 60 degrees to 120 degrees.
<第6実施形態>
第6実施形態の基板処理装置の一例である減圧乾燥装置について説明する。図13(a)及び図13(b)は、第6実施形態に係る減圧乾燥装置のカバーユニット40Dの説明図である。図13(a)及び図13(b)には、カバーユニット40D及びカバーユニット40Dの周辺に配置された部材の断面を図示している。第5実施形態の減圧乾燥装置は、第1実施形態の減圧乾燥装置100において、カバーユニット40をカバーユニット40Dに置き換えたものである。よって、第6実施形態の減圧乾燥装置(基板処理装置)におけるカバーユニット40D以外の構成は、第1実施形態の減圧乾燥装置100におけるカバーユニット40以外の構成と同様であるため、説明を省略する。
Sixth Embodiment
A reduced pressure drying apparatus as an example of a substrate processing apparatus according to the sixth embodiment will be described. FIGS. 13(a) and 13(b) are explanatory diagrams of a
図13(a)に示すように、カバーユニット40Dは、囲い壁41Dと、囲い壁41に対して回転可能な複数の回転部材、例えば7つの回転部材42-1~42-7と、を含む。複数の回転部材42-1~42-7は、囲い壁41に直接的又は別部材を介して間接的に支持されている。
As shown in FIG. 13(a), the
複数の回転部材42-1~42-7のうち、2つ以上の回転部材、第6実施形態では5つの回転部材42-1~42-5は、第1実施形態と同様、Z方向において領域21に対向する位置、即ち領域21の上方に配置される。
Of the multiple rotating members 42-1 to 42-7, two or more rotating members, in the sixth embodiment five rotating members 42-1 to 42-5, are positioned
複数の回転部材42-1~42-7のうち、回転部材42-1~42-5とは別の少なくとも1つの回転部材、第6実施形態では2つの回転部材42-6,42-7は、領域21の側方に配置されている。即ち、回転部材42-6,42-7は、基板保持部20に保持された基板Sの側面SSに対向する位置に配置されている。
Of the multiple rotating members 42-1 to 42-7, at least one rotating member other than the rotating members 42-1 to 42-5, in the sixth embodiment, the two rotating members 42-6 and 42-7, are arranged on the side of the
制御装置90は、複数の回転部材42-1~42-7の回転角度を制御する。回転部材42-1~42-7を回転させるタイミングは、第1~第4実施形態と同様、図13(b)に示すように、乾燥工程D3以降である。
The
また、第4実施形態と同様、制御装置90は、少なくとも基板Sに対向する回転部材42-1~42-5の回転角度を個別に設定する。回転部材42-1~42-5の回転角度が個別に設定されることにより、回転部材42-1~42-5の間の隙間、即ち開口面積を、基板Sの部位毎に調整することができる。また、回転部材42-6,42-7が回転されることにより、基板Sの端部付近の溶媒が、図13(b)の太矢印で示すように基板Sの側方から空間SP1に排出される。これにより、基板Sの端部付近の溶媒の排出が加速され、基板Sの端部付近の溶液膜Fの乾燥速度を高めることができる。なお、制御装置90は、全ての回転部材42-1~42-7の回転角度を個別に設定するようにしてもよい。
As in the fourth embodiment, the
<第7実施形態>
第7実施形態の基板処理装置の一例である減圧乾燥装置について説明する。第7実施形態の減圧乾燥装置は、第1実施形態の減圧乾燥装置100において、以下に説明する乾燥補助部材をさらに備えたものである。図14(a)及び図14(b)は、第7実施形態に係る減圧乾燥装置の構成の一部の説明図である。図14(a)及び図14(b)には、回転部材42の断面を図示している。乾燥補助部材は、乾燥工程D3以降に作動させることが好ましい。回転部材42に吸着した溶媒は、回転部材42の180度回転によって空間SP1に向けられ、乾燥補助部材によって除去される。乾燥補助部材による回転部材42に吸着した溶媒の除去は、回転部材42において溶媒が吸着した主面、例えば主面4211が空間SP1に向いている間に行われる。
Seventh Embodiment
A reduced pressure drying apparatus as an example of a substrate processing apparatus according to the seventh embodiment will be described. The reduced pressure drying apparatus according to the seventh embodiment is the reduced
乾燥補助部材は、図14(a)に示すノズル61、図14(a)に示す加熱装置62、又は図14(b)に示す超音波振動装置63のうち、少なくとも1つを含む。第7実施形態では、ノズル61、加熱装置62、及び超音波振動装置63を含む。これらノズル61、加熱装置62、及び超音波振動装置63を組み合わせて使用することにより、回転部材42に吸着した溶媒を効果的に除去することができる。
The drying assistant member includes at least one of the
ノズル61は、回転部材42にガスを吹き付けるのに用いられるガスブローノズルである。図7(c)に示す乾燥工程D3以降、回転部材42が180度回転することで、溶媒が吸着した主面4211が空間SP1に向けられる。ノズル61は、空間SP1に配置され、ガスを回転部材42の主面4211に吹き付ける。これにより、回転部材42の主面4211に吸着した溶媒を脱離させることができ、回転部材42から溶媒を速やかに除去することができる。ガスは、気密容器10の減圧環境が破壊されない程度の微量な不活性ガスである。不活性ガスを回転部材42に吹き付けることにより、主面4211に吸着した溶媒の分子が脱離したり、空間SP2に滞留した溶媒分子が空間SP2から排出されたりする。
The
加熱装置62は、回転部材42を加熱する装置であり、例えばヒータ64と、ヒータ64の温度を制御する温度制御部65と、を有する。ヒータ64は、回転部材42の内部に配置される。温度制御部65は、回転部材42を加熱するようヒータ64の温度を制御する。回転部材42が加熱されることにより、回転部材42に吸着した溶媒が加熱される。
The
温度制御部65は、回転部材42が一様な温度分布となるように、回転部材42の領域毎に同じ温度又は異なる温度に制御する。温度制御部65は、回転部材42の各領域における温度差が10度以内になるように制御することが好ましく、温度差が5度以内になるように制御することがより好ましい。温度制御部65は、回転部材42の温度が、0度から100度までの範囲内の所定の温度となるようにヒータ64を制御する。なお、加熱装置62は、ヒータ64の替わりに、又はヒータ64に加えて、回転部材42を加熱する光源を有してもよい。例えば、光源は、空間SP1に配置され、空間SP1に向けられた回転部材42の主面4211又は主面4212に光を照射することで、回転部材42、即ち回転部材42に吸着した溶媒を加熱することができる。
The
超音波振動装置63は、回転部材42に超音波振動を付与する装置であり、圧電素子などの超音波振動子66と、超音波振動子66に電圧を印加する出力制御部67と、を有する。超音波振動子66は、回転部材42の内部に配置され、印加された電圧を振動に変換する。出力制御部67は、超音波振動子66に電圧を印加して、超音波振動子66に超音波を発生させる。回転部材42に吸着した溶媒は、回転部材42の超音波振動により、回転部材42から脱離する。
The
出力制御部67は、回転部材42に一様に超音波を印加できるように、超音波振動子66に出力する出力電力を制御する。出力電力は、回転部材42のサイズに応じて、20~600Wの範囲内の所定の電力に制御される。
The
<第8実施形態>
第8実施形態の基板処理装置の一例である減圧乾燥装置について説明する。図15(a)は、第8実施形態に係る減圧乾燥装置のカバーユニット40Eの説明図である。図15(a)には、カバーユニット40E及びカバーユニット40Eの周辺に配置された部材の断面を図示している。第8実施形態の減圧乾燥装置は、第1実施形態の減圧乾燥装置100において、カバーユニット40をカバーユニット40Eに置き換えたものである。よって、第8実施形態の減圧乾燥装置(基板処理装置)におけるカバーユニット40E以外の構成は、第1実施形態の減圧乾燥装置100におけるカバーユニット40以外の構成と同様であるため、説明を省略する。
Eighth Embodiment
A reduced pressure drying apparatus as an example of a substrate processing apparatus according to the eighth embodiment will be described. FIG. 15(a) is an explanatory diagram of a
カバーユニット40Eは、壁部材の一例である囲い壁41Eと、囲い壁41Eに支持され、囲い壁41Eに対して回転可能な複数の回転部材、例えば5つの回転部材42Eと、を含む。5つの回転部材42Eは、Z方向において、基板保持部20に保持される基板S、即ち基板保持部20の領域21に対向する位置に配置されている。
The
カバーユニット40Eは、第1実施形態で説明したカバーユニット40に表面処理を施したものである。具体的には、回転部材42Eの表面の少なくとも一部が撥液部材44Eで形成されている。撥液部材44Eは、溶液膜Fに含まれる溶媒、即ち第1実施形態で説明した有機溶媒をはじく性質を有する部材である。
The
回転部材42Eは、ベース部材46Eと、ベース部材46Eの表面の少なくとも一部の上に配置された撥液膜である撥液部材44Eと、を含む。即ち、ベース部材46Eの表面に撥液部材44Eがコーティングされている。ベース部材46Eは、第1実施形態の回転部材42と同様の構成である。ベース部材46Eの主な材質は、金属、例えばステンレス鋼が好適である。ステンレス鋼は、例えば0.045%以下のリン及び0.030%以下の硫黄を含有するオーステナイト系のステンレス鋼(即ち日本産業規格:JISにおいてSUS304で指定されたステンレス鋼)が好適である。
The rotating
回転部材42Eは、回転軸線Lを中心に回転可能である。回転部材42Eは、回転軸線Lに沿う長手方向に延びる板部材421Eを含む。第8実施形態では、回転部材42Eの少なくとも板部材421Eの主面4211E,4212Eが撥液部材44Eで形成されている。主面4212Eは、主面4211Eとは反対側の主面である。撥液部材44Eにより回転部材42Eへの溶媒の吸着量が低減される。これにより、より速やかな乾燥処理が可能になる。
The rotating
真空環境における撥液部材44Eの溶媒の吸着性は、純水に対する動的接触角の後退接触角と相関がある。撥液部材44Eにおける純水の後退接触角が大きいほど、真空環境におけるカバーユニット40Eへの溶媒の吸着量が低減される。よって、後退接触角は、溶媒の吸着力及び溶媒の引き離し力を評価する指標になる。
The solvent adsorption of the liquid-
撥液部材44Eの純水に対する後退接触角は、90度以上であることが好ましい。これにより、カバーユニット40Fの表面に溶媒がより吸着しづらくなり、溶媒がカバーユニット40Fの表面に吸着したとしても、カバーユニット40Fの表面に吸着した溶媒液滴が脱離しやすく、乾燥処理時間をより短縮することができる。また、撥液部材44Eの純水に対する後退接触角は、120度以下であることが好ましい。
It is preferable that the receding contact angle of the liquid-
評価に用いる純水には、電気抵抗率が15MΩ・cm以上の水、いわゆる超純水を用いることができる。また、後退接触角の測定には、微小接触角計(株式会社マイクロジェット製の製品名:DropMeasure)を用いることができる。後退接触角の測定方法は、試験片に水滴(液量2μL)を形成し、約20min程度、水滴の乾燥過程の後退接触角を観察する。この測定方法により、後退接触角を評価することができる。 The pure water used in the evaluation can be water with an electrical resistivity of 15 MΩ·cm or more, so-called ultrapure water. A microcontact angle meter (product name: DropMeasure, manufactured by Microjet Co., Ltd.) can be used to measure the receding contact angle. The receding contact angle is measured by forming a water droplet (liquid volume 2 μL) on the test piece and observing the receding contact angle as the droplet dries for about 20 minutes. This measurement method allows the receding contact angle to be evaluated.
撥液部材44Eは、フッ素樹脂又はフッ素含有化合物を主成分として含むことが好ましい。フッ素樹脂は、例えばテトラフロロエチレン樹脂(PTFE)、パーフロロアルコキシ樹脂(PFA)、フッ化エチレンプロピレン樹脂(FEP)、エチレンテトラフルオロエチレン樹脂、若しくはポリクロロトリフルオロエチレン樹脂が好適である。フッ素含有化合物は、例えばフッ素含有シランカップリング剤が好適である。これらいずれかの材質を用いることにより、後退接触角が90度以上120度以下の撥液部材44Eを容易に実現可能である。
The liquid-
フッ素含有化合物の主鎖は、パーフルオロポリエーテル(PFPE)を有することが好ましい。PFPEは、下記の化学構造式(1)~(4)からなる群より選択される少なくとも1つの化学構造を有することが好ましい。
第8実施形態では、回転部材42Eの開口を画成する面43Eも、撥液部材44Eで形成されていることが好ましい。また、囲い壁41Eの内面も、撥液部材44Eで形成されていることが好ましい。
In the eighth embodiment, it is preferable that the
なお、回転部材42Eが板部材421Eを有する場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、回転部材が柱部材を有する場合であってもよい。
Although the rotating
図15(b)は、第8実施形態の変形例に係るカバーユニット40Fの説明図である。図15(b)には、カバーユニット40F及びカバーユニット40Fの周辺に配置された部材の断面を図示している。第8実施形態の変形例に係るカバーユニット40Fは、囲い壁41Eと、回転部材42Fと、を備える。回転部材42Fは、柱部材421Fを有する。柱部材421Fは、第2実施形態と同様、例えば正三角柱の部材である。回転部材42Fの表面の少なくとも一部は、撥液部材44Eで形成されている。
Fig. 15(b) is an explanatory diagram of a
<物品の製造方法の実施形態>
本実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、有機ELパネルなどの物品を、インクジェット印刷装置を用いて製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板の上に溶液膜を、インクジェット印刷装置を用いた印刷法等によって配置あるいは塗布して塗布基板を得る塗布工程を含む。また、上記の減圧乾燥装置により塗布基板の上の溶液膜を乾燥させ、乾燥膜が形成された乾燥基板を得る乾燥工程を含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程、例えば焼成、冷却、除湿、ドライ洗浄、電極の形成、又は封止膜の形成等を含む。本実施形態の物品の製造方法は、物品の性能、品質、生産性、及び生産コストのうち少なくとも1つにおいて有利である。
<Embodiments of a method for manufacturing an article>
The method for manufacturing an article according to this embodiment is suitable for manufacturing an article such as an organic EL panel using an inkjet printing device. The method for manufacturing an article according to this embodiment includes a coating step of arranging or coating a solution film on a substrate by a printing method using an inkjet printing device or the like to obtain a coated substrate. The method also includes a drying step of drying the solution film on the coated substrate by the above-mentioned reduced pressure drying device to obtain a dry substrate on which a dry film is formed. Furthermore, the manufacturing method includes other well-known steps such as firing, cooling, dehumidification, dry cleaning, forming an electrode, or forming a sealing film. The method for manufacturing an article according to this embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article.
本開示は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本実施形態は、本開示の技術的思想内で多くの変形が可能である。また、実施形態に記載された効果は、本開示の実施形態から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本開示の実施形態による効果は、実施形態に記載されたものに限定されない。 The present disclosure is not limited to the embodiments described above, and many variations of the present embodiment are possible within the technical concept of the present disclosure. Furthermore, the effects described in the embodiments are merely a list of the most favorable effects resulting from the embodiments of the present disclosure, and the effects of the embodiments of the present disclosure are not limited to those described in the embodiments.
以上の実施形態の開示は、以下の項を含む。 The disclosure of the above embodiments includes the following:
(項1)
気密容器と、
前記気密容器の内部を減圧する減圧機構と、
前記気密容器の内部に配置され、基板を保持可能な基板保持部と、
前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板に対向する位置に配置され、前記基板保持部に対して回転可能な回転部材と、を備える、
ことを特徴とする基板処理装置。
(Item 1)
An airtight container;
A pressure reducing mechanism for reducing the pressure inside the airtight container;
a substrate holder arranged inside the airtight container and capable of holding a substrate;
a rotating member that is disposed inside the airtight container at a position facing the substrate held by the substrate holding portion and is rotatable relative to the substrate holding portion;
The substrate processing apparatus according to
(項2)
前記気密容器の内部を第1圧力に減圧するよう、前記減圧機構を制御する第1処理と、前記第1処理の後、前記気密容器の内部を前記第1圧力より低い第2圧力に減圧するよう前記減圧機構を制御する第2処理と、を実行する制御装置を更に備え、
前記制御装置は、前記第2処理において、前記回転部材が前記第1処理の状態から所定角度、回転するよう前記回転部材を制御する、
ことを特徴とする項1に記載の基板処理装置。
(Item 2)
A control device that executes a first process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a first pressure, and a second process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a second pressure lower than the first pressure after the first process,
the control device controls the rotating member in the second process so that the rotating member rotates by a predetermined angle from a state of the first process.
2. The substrate processing apparatus according to
(項3)
前記回転部材は、回転軸線を中心に回転可能であり、前記回転軸線に沿う長手方向に延びる板部材を含む、
ことを特徴とする項2に記載の基板処理装置。
(Item 3)
The rotating member is rotatable about a rotation axis and includes a plate member extending in a longitudinal direction along the rotation axis.
3. The substrate processing apparatus according to item 2,
(項4)
前記所定角度は、180度である、
ことを特徴とする項2または3に記載の基板処理装置。
(Item 4)
The predetermined angle is 180 degrees.
4. The substrate processing apparatus according to item 2 or 3,
(項5)
前記所定角度は、90度である、
ことを特徴とする項2または3に記載の基板処理装置。
(Item 5)
The predetermined angle is 90 degrees.
4. The substrate processing apparatus according to item 2 or 3,
(項6)
前記回転部材は、回転軸線を中心に回転可能であり、前記回転軸線に沿う長手方向に延びる柱部材を含む、
ことを特徴とする項2に記載の基板処理装置。
(Item 6)
The rotating member is rotatable about a rotation axis and includes a column member extending in a longitudinal direction along the rotation axis.
3. The substrate processing apparatus according to item 2,
(項7)
前記柱部材は、3つ以上のN個の主面を有する多角柱部材であり、
前記所定角度は、(360/N)度である、
ことを特徴とする項6に記載の基板処理装置。
(Item 7)
The pillar member is a polygonal pillar member having N main surfaces, which are three or more,
The predetermined angle is (360/N) degrees.
7. The substrate processing apparatus according to item 6,
(項8)
2つ以上の前記回転部材を備える、
ことを特徴とする項1乃至7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
(Item 8)
Two or more of the rotating members are provided.
8. The substrate processing apparatus according to any one of
(項9)
前記気密容器の内部を第1圧力に減圧するよう、前記減圧機構を制御する第1処理と、前記第1処理の後、前記気密容器の内部を前記第1圧力より低い第2圧力に減圧するよう前記減圧機構を制御する第2処理と、を実行する制御装置を更に備え、
前記制御装置は、前記第2処理において、前記2つ以上の回転部材が、前記第1処理の状態から互いに同じ所定角度、回転するよう、前記2つ以上の回転部材を制御する、
ことを特徴とする項8に記載の基板処理装置。
(Item 9)
A control device that executes a first process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a first pressure, and a second process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a second pressure lower than the first pressure after the first process,
the control device controls the two or more rotating members in the second process so that the two or more rotating members rotate by the same predetermined angle from a state of the first process.
9. The substrate processing apparatus according to item 8,
(項10)
前記気密容器の内部を第1圧力に減圧するよう、前記減圧機構を制御する第1処理と、前記第1処理の後、前記気密容器の内部を前記第1圧力より低い第2圧力に減圧するよう前記減圧機構を制御する第2処理と、を実行する制御装置を更に備え、
前記制御装置は、前記第2処理において、前記2つ以上の回転部材が、前記第1処理の状態から個別に設定された角度、回転するよう、前記2つ以上の回転部材を制御する、
ことを特徴とする項8に記載の基板処理装置。
(Item 10)
A control device that executes a first process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a first pressure, and a second process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a second pressure lower than the first pressure after the first process,
the control device controls the two or more rotating members in the second process so that the two or more rotating members rotate by angles individually set from a state of the first process.
9. The substrate processing apparatus according to item 8,
(項11)
前記基板保持部は、前記基板が配置される面状の領域を有し、
前記基板保持部に対して回転可能な、前記2つ以上の回転部材とは別の少なくとも1つの回転部材を更に備え、
前記少なくとも1つの回転部材は、前記領域の側方に配置されている、
ことを特徴とする項8乃至10のいずれか1項に記載の基板処理装置。
(Item 11)
the substrate holder has a planar area on which the substrate is placed,
Further comprising at least one rotating member other than the two or more rotating members, the rotating member being rotatable relative to the substrate holder;
The at least one rotating member is disposed laterally of the region.
11. The substrate processing apparatus according to any one of items 8 to 10,
(項12)
前記基板保持部は、前記基板が配置される面状の領域を有し、
前記2つ以上の回転部材の各々の回転軸線は、前記領域に沿う第1方向と平行に延び、
前記2つ以上の回転部材は、前記領域に沿う前記第1方向と交差する第2方向に並んで配置されている、
ことを特徴とする項8乃至11のいずれか1項に記載の基板処理装置。
(Item 12)
the substrate holder has a planar area on which the substrate is placed,
a rotation axis of each of the two or more rotational members extends parallel to a first direction along the region;
The two or more rotating members are arranged side by side in a second direction intersecting the first direction along the region.
12. The substrate processing apparatus according to any one of items 8 to 11,
(項13)
前記基板保持部は、前記基板が配置される面状の領域を有し、
前記2つ以上の回転部材は、4つ以上の回転部材であり、
前記4つ以上の回転部材は、少なくとも2つの回転部材からなる第1グループと、前記第1グループが配置された位置よりも前記領域から遠い位置に配置された、前記少なくとも2つの回転部材とは別の少なくとも2つの回転部材からなる第2グループと、を含む、
ことを特徴とする項8乃至11のいずれか1項に記載の基板処理装置。
(Item 13)
the substrate holder has a planar area on which the substrate is placed,
the two or more rotating members are four or more rotating members,
The four or more rotating members include a first group consisting of at least two rotating members, and a second group consisting of at least two rotating members other than the at least two rotating members, which is arranged at a position farther from the region than a position where the first group is arranged.
12. The substrate processing apparatus according to any one of items 8 to 11,
(項14)
前記基板保持部は、前記基板が配置される面状の領域を有し、
前記2つ以上の回転部材の各々の回転軸線は、前記領域に沿う第1方向と平行に延び、
前記2つ以上の回転部材は、前記領域に沿う前記第1方向と交差する第2方向に並んで配置されており、
前記2つ以上の回転部材は、前記第2方向の最も端に位置する第1回転部材と、前記第1回転部材とは別の第2回転部材と、を含み、
前記制御装置は、
前記第1回転部材の主面が前記領域に対して第1角度となるように前記第1回転部材を制御し、
前記第2回転部材の主面が前記領域に対して前記第1角度より大きい第2角度となるように前記第2回転部材を制御する、
ことを特徴とする項10に記載の基板処理装置。
(Item 14)
the substrate holder has a planar area on which the substrate is placed,
a rotation axis of each of the two or more rotational members extends parallel to a first direction along the region;
The two or more rotating members are arranged side by side in a second direction intersecting the first direction along the region,
The two or more rotating members include a first rotating member located at an end of the second direction and a second rotating member different from the first rotating member,
The control device includes:
controlling the first rotating member such that a main surface of the first rotating member forms a first angle with respect to the region;
controlling the second rotating member such that a major surface of the second rotating member forms a second angle with respect to the region, the second angle being greater than the first angle;
11. The substrate processing apparatus according to
(項15)
前記回転部材は、少なくとも1つの開口を有する、
ことを特徴とする項1乃至14のいずれか1項に記載の基板処理装置。
(Item 15)
The rotating member has at least one opening.
15. The substrate processing apparatus according to any one of
(項16)
前記回転部材にガスを吹き付けるノズルを更に備える、
ことを特徴とする項1乃至15のいずれか1項に記載の基板処理装置。
(Item 16)
Further comprising a nozzle for blowing gas onto the rotating member.
16. The substrate processing apparatus according to any one of
(項17)
前記回転部材を加熱する加熱装置を更に備える、
ことを特徴とする項1乃至16のいずれか1項に記載の基板処理装置。
(Item 17)
The rotating member may further include a heating device for heating the rotating member.
17. The substrate processing apparatus according to any one of
(項18)
前記回転部材に超音波振動を付与する超音波振動装置を更に備える、
ことを特徴とする項1乃至17のいずれか1項に記載の基板処理装置。
(Item 18)
The rotating member may further include an ultrasonic vibration device that applies ultrasonic vibration to the rotating member.
18. The substrate processing apparatus according to any one of
(項19)
前記回転部材は、表面の少なくとも一部に、撥液部材を有する、
ことを特徴とする項1乃至18のいずれか1項に記載の基板処理装置。
(Item 19)
The rotating member has a liquid-repellent material on at least a part of its surface.
20. The substrate processing apparatus according to any one of
(項20)
前記撥液部材の、純水に対する動的接触角の後退接触角が90度以上である、
ことを特徴とする項19に記載の基板処理装置。
(Item 20)
The liquid-repellent member has a receding dynamic contact angle with respect to pure water of 90 degrees or more.
20. The substrate processing apparatus according to item 19,
(項21)
前記撥液部材の、純水に対する動的接触角の後退接触角が120度以下である、
ことを特徴とする項19又は20に記載の基板処理装置。
(Item 21)
The liquid-repellent member has a receding dynamic contact angle with respect to pure water of 120 degrees or less.
21. The substrate processing apparatus according to
(項22)
項1乃至21のいずれか1項に記載の基板処理装置を用いて、基板上に塗布された溶液膜を乾燥する工程を含むことを特徴とする物品の製造方法。
(Item 22)
22. A method for manufacturing an article, comprising the step of drying a solution film coated on a substrate by using the substrate processing apparatus according to any one of
(項23)
基板主面の上に溶液が塗布された基板を、気密容器の内部に配置された基板保持部の上に配置し、
前記気密容器の内部を、前記溶液に含まれる溶媒の蒸気圧より高い第1圧力に減圧して、前記溶媒を蒸発させ、
前記気密容器の内部を、前記第1圧力から前記溶媒の蒸気圧より低い第2圧力に減圧する過程、又は前記第2圧力に減圧した状態で、前記基板と対向する位置に配置された回転部材を回転させる、
ことを特徴とする物品の製造方法。
(Item 23)
The substrate having the solution applied onto its main surface is placed on a substrate holder disposed inside an airtight container;
The inside of the airtight container is reduced in pressure to a first pressure higher than a vapor pressure of a solvent contained in the solution, thereby evaporating the solvent;
rotating a rotating member disposed at a position facing the substrate in a process of reducing the pressure inside the airtight container from the first pressure to a second pressure lower than the vapor pressure of the solvent, or in a state in which the pressure inside the airtight container is reduced to the second pressure;
A method for producing an article.
10…気密容器、20…基板保持部、30…減圧機構、42…回転部材、100…減圧乾燥装置(基板処理装置) 10... airtight container, 20... substrate holder, 30... pressure reduction mechanism, 42... rotating member, 100... reduced pressure drying device (substrate processing device)
Claims (23)
前記気密容器の内部を減圧する減圧機構と、
前記気密容器の内部に配置され、基板を保持可能な基板保持部と、
前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板に対向する位置に配置され、前記基板保持部に対して回転可能な回転部材と、を備える、
ことを特徴とする基板処理装置。 An airtight container;
A pressure reducing mechanism for reducing the pressure inside the airtight container;
a substrate holder arranged inside the airtight container and capable of holding a substrate;
a rotating member that is disposed inside the airtight container at a position facing the substrate held by the substrate holding portion and is rotatable relative to the substrate holding portion;
The substrate processing apparatus according to claim 1,
前記制御装置は、前記第2処理において、前記回転部材が前記第1処理の状態から所定角度、回転するよう前記回転部材を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 A control device that executes a first process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a first pressure, and a second process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a second pressure lower than the first pressure after the first process,
the control device controls the rotating member in the second process so that the rotating member rotates by a predetermined angle from a state of the first process.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
ことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 The rotating member is rotatable about a rotation axis and includes a plate member extending in a longitudinal direction along the rotation axis.
The substrate processing apparatus according to claim 2 .
ことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 The predetermined angle is 180 degrees.
The substrate processing apparatus according to claim 2 .
ことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 The predetermined angle is 90 degrees.
The substrate processing apparatus according to claim 2 .
ことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 The rotating member is rotatable about a rotation axis and includes a column member extending in a longitudinal direction along the rotation axis.
The substrate processing apparatus according to claim 2 .
前記所定角度は、(360/N)度である、
ことを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 The pillar member is a polygonal pillar member having N main surfaces, which are three or more,
The predetermined angle is (360/N) degrees.
The substrate processing apparatus according to claim 6 .
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 Two or more of the rotating members are provided.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
前記制御装置は、前記第2処理において、前記2つ以上の回転部材が、前記第1処理の状態から互いに同じ所定角度、回転するよう、前記2つ以上の回転部材を制御する、
ことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 A control device that executes a first process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a first pressure, and a second process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a second pressure lower than the first pressure after the first process,
the control device controls the two or more rotating members in the second process so that the two or more rotating members rotate by the same predetermined angle from a state of the first process.
The substrate processing apparatus according to claim 8 .
前記制御装置は、前記第2処理において、前記2つ以上の回転部材が、前記第1処理の状態から個別に設定された角度、回転するよう、前記2つ以上の回転部材を制御する、
ことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 A control device that executes a first process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a first pressure, and a second process of controlling the decompression mechanism so as to decompress the inside of the airtight container to a second pressure lower than the first pressure after the first process,
the control device controls the two or more rotating members in the second process so that the two or more rotating members rotate by angles individually set from a state of the first process.
The substrate processing apparatus according to claim 8 .
前記基板保持部に対して回転可能な、前記2つ以上の回転部材とは別の少なくとも1つの回転部材を更に備え、
前記少なくとも1つの回転部材は、前記領域の側方に配置されている、
ことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 the substrate holder has a planar area on which the substrate is placed,
Further comprising at least one rotating member other than the two or more rotating members, the rotating member being rotatable relative to the substrate holder;
The at least one rotating member is disposed laterally of the region.
The substrate processing apparatus according to claim 8 .
前記2つ以上の回転部材の各々の回転軸線は、前記領域に沿う第1方向と平行に延び、
前記2つ以上の回転部材は、前記領域に沿う前記第1方向と交差する第2方向に並んで配置されている、
ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の基板処理装置。 the substrate holder has a planar area on which the substrate is placed,
a rotation axis of each of the two or more rotational members extends parallel to a first direction along the region;
The two or more rotating members are arranged side by side in a second direction intersecting the first direction along the region.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 8 to 11.
前記2つ以上の回転部材は、4つ以上の回転部材であり、
前記4つ以上の回転部材は、少なくとも2つの回転部材からなる第1グループと、前記第1グループが配置された位置よりも前記領域から遠い位置に配置された、前記少なくとも2つの回転部材とは別の少なくとも2つの回転部材からなる第2グループと、を含む、
ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の基板処理装置。 the substrate holder has a planar area on which the substrate is placed,
the two or more rotating members are four or more rotating members,
The four or more rotating members include a first group consisting of at least two rotating members, and a second group consisting of at least two rotating members other than the at least two rotating members, which are arranged at a position farther from the region than a position where the first group is arranged.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 8 to 11.
前記2つ以上の回転部材の各々の回転軸線は、前記領域に沿う第1方向と平行に延び、
前記2つ以上の回転部材は、前記領域に沿う前記第1方向と交差する第2方向に並んで配置されており、
前記2つ以上の回転部材は、前記第2方向の最も端に位置する第1回転部材と、前記第1回転部材とは別の第2回転部材と、を含み、
前記制御装置は、
前記第1回転部材の主面が前記領域に対して第1角度となるように前記第1回転部材を制御し、
前記第2回転部材の主面が前記領域に対して前記第1角度より大きい第2角度となるように前記第2回転部材を制御する、
ことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 the substrate holder has a planar area on which the substrate is placed,
a rotation axis of each of the two or more rotational members extends parallel to a first direction along the region;
The two or more rotating members are arranged side by side in a second direction intersecting the first direction along the region,
The two or more rotating members include a first rotating member located at an end of the second direction and a second rotating member different from the first rotating member,
The control device includes:
controlling the first rotating member such that a main surface of the first rotating member forms a first angle with respect to the region;
controlling the second rotating member such that a major surface of the second rotating member forms a second angle with respect to the region, the second angle being greater than the first angle;
The substrate processing apparatus according to claim 10 .
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 The rotating member has at least one opening.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 Further comprising a nozzle for blowing gas onto the rotating member.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 The rotating member may further include a heating device for heating the rotating member.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 The rotating member may further include an ultrasonic vibration device that applies ultrasonic vibration to the rotating member.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 The rotating member has a liquid-repellent material on at least a part of its surface.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
ことを特徴とする請求項19に記載の基板処理装置。 The liquid-repellent member has a receding dynamic contact angle with respect to pure water of 90 degrees or more.
The substrate processing apparatus according to claim 19 .
ことを特徴とする請求項19又は20に記載の基板処理装置。 The liquid-repellent member has a receding dynamic contact angle with respect to pure water of 120 degrees or less.
21. The substrate processing apparatus according to claim 19, wherein the substrate processing apparatus is a processing apparatus for processing a substrate.
前記気密容器の内部を、前記溶液に含まれる溶媒の蒸気圧より高い第1圧力に減圧して、前記溶媒を蒸発させ、
前記気密容器の内部を、前記第1圧力から前記溶媒の蒸気圧より低い第2圧力に減圧する過程、又は前記第2圧力に減圧した状態で、前記基板と対向する位置に配置された回転部材を回転させる、
ことを特徴とする物品の製造方法。 The substrate having the solution applied onto its main surface is placed on a substrate holder disposed inside an airtight container;
The inside of the airtight container is reduced in pressure to a first pressure higher than a vapor pressure of a solvent contained in the solution, thereby evaporating the solvent;
rotating a rotating member disposed at a position facing the substrate in a process of reducing the pressure inside the airtight container from the first pressure to a second pressure lower than the vapor pressure of the solvent, or in a state in which the pressure inside the airtight container is reduced to the second pressure;
A method for producing an article.
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Legal Events
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