JP2024085070A - 高周波モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】減衰特性が可変する弾性波フィルタを有する高周波モジュールを提供する。
【解決手段】高周波モジュール１は、１以上の直列腕共振子および１以上の並列腕共振子を有するフィルタ１０と、入出力端子１００およびフィルタ１０を結ぶ第２経路に接続されたインダクタ２０と、上記１以上の並列腕共振子のうちの第１並列腕共振子およびグランドの間に接続された並列腕回路８０と、を備え、並列腕回路８０は、インダクタ３０および４０と、共通端子５０ａ、選択端子５０ｂおよび５０ｃを有するスイッチ５０と、を備え、選択端子５０ｂはインダクタ３０の一端に接続され、選択端子５０ｃはインダクタ４０の一端に接続され、共通端子５０ａは第１並列腕共振子に接続され、インダクタ３０の他端およびインダクタ４０の他端はグランドに接続される。
【選択図】図１

Description

本発明は、高周波モジュールに関する。

特許文献１には、共通端子に接続された弾性波送信フィルタおよび受信フィルタを備える高周波モジュールが開示されている。弾性波送信フィルタの並列腕共振子とグランドとの間に接続された第１のインダクタと整合回路のインダクタとが電磁界結合することにより、送信フィルタの減衰特性を改善できるとしている。

国際公開第２０１６／１３６４１３号

弾性波フィルタの並列腕共振子とグランドとの間にインダクタが付加されることにより、当該弾性波フィルタの通過帯域の伝送損失を増加させることなく、特定の減衰帯域の減衰量を改善できる。

しかしながら、マルチバンド化の進展に伴って、上記弾性波フィルタと同時動作するフィルタが変化する場合、また、上記弾性波フィルタを通過する信号の周波数、パワーなどが変化する場合、上記弾性波フィルタの良好な減衰特性を確保したままで減衰帯域および減衰量の少なくとも１つ変化させる必要がある。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、減衰特性が可変する弾性波フィルタを有する高周波モジュールを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１入出力端子および第２入出力端子と、第１入出力端子および第２入出力端子を結ぶ第１経路に直列配置された１以上の直列腕共振子、ならびに、第１経路およびグランドの間に接続された１以上の並列腕共振子を有する弾性波フィルタと、第１入出力端子または第２入出力端子と弾性波フィルタとを結ぶ第２経路に接続された第１インダクタと、１以上の並列腕共振子のうちの第１並列腕共振子およびグランドの間に接続された並列腕回路と、を備え、並列腕回路は、第２インダクタおよび第３インダクタと、共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有するスイッチと、を備え、第１選択端子は第２インダクタの一端に接続され、第２選択端子は第３インダクタの一端に接続され、共通端子は第１並列腕共振子およびグランドの一方に接続され、第２インダクタの他端および第３インダクタの他端は、第１並列腕共振子およびグランドの他方に接続される。

本発明によれば、減衰特性が可変する弾性波フィルタを有する高周波モジュールを提供することが可能となる。

実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 実施の形態に係る高周波モジュールの具体的な回路構成図である。 実施の形態に係る高周波モジュール（磁界結合なし）の第１の回路状態を示す図である。 実施の形態に係る高周波モジュール（磁界結合なし）の第１の回路状態における通過特性を示すグラフである。 実施の形態に係る高周波モジュール（磁界結合なし）の第２の回路状態を示す図である。 実施の形態に係る高周波モジュール（磁界結合なし）の第２の回路状態における通過特性を示すグラフである。 実施の形態に係る高周波モジュール（磁界結合あり）の第１の回路状態を示す図である。 実施の形態に係る高周波モジュール（磁界結合あり）の第１の回路状態における通過特性を示すグラフである。 実施の形態に係る高周波モジュール（磁界結合あり）の第２の回路状態を示す図である。 実施の形態に係る高周波モジュール（磁界結合あり）の第２の回路状態における通過特性を示すグラフである。 実施例１に係る半導体ＩＣの平面概略図および断面概略図である。 実施例１に係る高周波モジュールの断面図である。 変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。 変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。 変形例３に係る高周波モジュールの断面図である。 変形例４に係る高周波モジュールの断面図である。 変形例５に係る高周波モジュールの断面図である。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。

また、本開示において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、および、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。

また、本開示において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含むことを意味する。また、「ＡとＢとの間に接続される」、「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢを結ぶ経路上でＡおよびＢと接続されることを意味する。

また、本開示において、基板の平面視とは、基板および基板に実装された回路素子を基板の主面に平行な平面に正投影して見ることを意味する。

また、本開示の部品配置において、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板の主面上に配置されること、および、部品が基板内に配置されることを含む。「部品が基板の主面上に配置される」とは、部品が基板の主面に接触して配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに当該主面の上方に配置されること（例えば、部品が主面と接触して配置された他の部品上に積層されること）を含む。また、「部品が基板の主面上に配置される」は、主面に形成された凹部に部品が配置されることを含んでもよい。「部品が基板内に配置される」とは、部品がモジュール基板内にカプセル化されることに加えて、部品の全部が基板の両主面の間に配置されているが部品の一部が基板に覆われていないこと、および、部品の一部のみが基板内に配置されていることを含む。

また、本開示において、「経路」とは、高周波信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

また、本開示において、「部品Ａが経路Ｂに直列配置される」とは、部品Ａの信号入力端および信号出力端の双方が、経路Ｂを構成する配線、電極、または端子に接続されていることを意味する。

また、本開示の部品配置において、回路素子Ａ（または配線Ａ）と回路素子Ｂ（または配線Ｂ）とが隣接配置されている（または隣り合っている）とは、回路素子Ａ（または配線Ａ）と回路素子Ｂ（または配線Ｂ）との間に、他の回路素子（および配線）が配置されていないことを意味する。

（実施の形態）
［１．高周波モジュール１および通信装置５の構成］
本実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波モジュール１と、電力増幅器２と、アンテナ３と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ：Radio Frequency Integrated Circuit）４と、を備える。

高周波モジュール１は、アンテナ３とＲＦＩＣ４との間で高周波信号を伝送する。高周波モジュール１の詳細な回路構成については後述する。

電力増幅器２は、入力端が信号入力端子１２０を介してＲＦＩＣ４に接続され、出力端が高周波モジュール１に接続されている。なお、電力増幅器２は、送信信号を増幅する増幅器であるが、これに代わって、アンテナ３で受信し高周波モジュール１を通過した受信信号を増幅する低雑音増幅器であってもよい。

アンテナ３は、高周波モジュール１に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を送信する。なお、アンテナ３は、外部から高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力してもよい。

ＲＦＩＣ４は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ４は、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ、図示せず）から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。なお、ＲＦＩＣ４は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号をダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣへ出力してもよい。

また、ＲＦＩＣ４は、高周波モジュール１のスイッチ５０の接続切り替えを制御し、また、電力増幅器２に供給される電源電圧およびバイアス電圧（電流）を制御する制御部としての機能も有する。なお、ＲＦＩＣ４の制御部としての機能の一部または全部は、ＲＦＩＣ４の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣまたは高周波モジュール１に実装されてもよい。

なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ３は、必須の構成要素ではない。

次に、高周波モジュール１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波モジュール１は、フィルタ１０と、インダクタ２０と、並列腕回路８０と、入出力端子１００および１１０と、を備える。

入出力端子１００は、第１入出力端子の一例であり、フィルタ１０およびアンテナ３に接続されている。入出力端子１１０は、第２入出力端子の一例であり、フィルタ１０および電力増幅器２に接続されている。

フィルタ１０は、弾性波フィルタの一例であり、入力端が入出力端子１１０に接続され、出力端が入出力端子１００に接続されている。フィルタ１０は、入出力端子１００および１１０を結ぶ第１経路に直列配置された１以上の直列腕共振子、および、第１経路とグランドとの間に接続された１以上の並列腕共振子を有する。上記１以上の直列腕共振子および上記１以上の並列腕共振子のそれぞれは、弾性波共振子である。なお、弾性波共振子は、圧電性を有する基板上にＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極が形成された弾性表面波共振子、および、対向する平面電極で圧電膜を挟んだ構造を有するバルク弾性波共振子などを含む。

インダクタ２０は、第１インダクタの一例であり、入出力端子１００とフィルタ１０とを結ぶ第２経路とグランドとの間に接続されている。なお、インダクタ２０は、入出力端子１１０とフィルタ１０とを結ぶ第２経路とグランドとの間に接続されてもよい。また、インダクタ２０は、第２経路に直列配置されてもよい。

並列腕回路８０は、フィルタ１０を構成する１以上の並列腕共振子のうちの第１並列腕共振子とグランドとの間に接続されている。並列腕回路８０は、インダクタ３０および４０と、スイッチ５０と、を備える。スイッチ５０は、共通端子５０ａ、選択端子５０ｂ（第１選択端子）および５０ｃ（第２選択端子）を有する。共通端子５０ａは、第１並列腕共振子に接続されている。インダクタ３０は、第２インダクタの一例であり、一端が選択端子５０ｂに接続され、他端がグランドに接続されている。インダクタ４０は、第３インダクタの一例であり、一端が選択端子５０ｃに接続され、他端がグランドに接続されている。

スイッチ５０は、共通端子５０ａと選択端子５０ｂとの接続および非接続を切り替え、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとの接続および非接続を切り替えることが可能である。これによれば、高周波モジュール１は、（１）フィルタ１０とインダクタ３０との接続かつフィルタ１０とインダクタ４０との非接続、（２）フィルタ１０とインダクタ３０との非接続かつフィルタ１０とインダクタ４０との接続、（３）フィルタ１０とインダクタ３０との接続かつフィルタ１０とインダクタ４０との接続、および（４）フィルタ１０とインダクタ３０との非接続かつフィルタ１０とインダクタ４０との非接続、を実現できる。

なお、並列腕回路８０は、インダクタ３０および４０がフィルタ１０側に接続され、スイッチ５０がグランド側に接続されてもよい。具体的には、インダクタ３０の一端が選択端子５０ｂに接続され、インダクタ４０の一端が選択端子５０ｂに接続され、共通端子５０ａがグランドに接続され、インダクタ３０の他端およびインダクタ４０の他端が第１並列腕共振子に接続されてもよい。

高周波モジュール１の上記構成によれば、フィルタ１０の第１並列腕共振子とグランドとの間にインダクタ３０および／またはインダクタ４０が付加されることにより、フィルタ１０の通過帯域の伝送損失を増加させることなく、特定の減衰帯域の減衰量を改善できる。このとき、フィルタ１０と同時動作するフィルタが変わる場合、または、フィルタ１０を通過する信号の周波数、パワーなどが変化する場合であっても、インダクタ３０および４０によりフィルタ１０の通過帯域の低損失性を維持しつつ減衰帯域および減衰量の少なくとも１つ変化させることができる。よって、減衰特性が可変する弾性波フィルタを有する高周波モジュール１を提供することが可能となる。

次に、高周波モジュール１の具体的な回路構成例について説明する。図２は、実施の形態に係る高周波モジュール１の具体的な回路構成図である。

同図に示すように、フィルタ１０は、直列腕共振子１１、１２、１３、１４および１５と、並列腕共振子１６、１７、１８および１９と、端子１０１および１０２と、を備える。直列腕共振子１１～１５のそれぞれは、端子１０１および１０２を結ぶ経路に直列配置された弾性波共振子である。並列腕共振子１６は、直列腕共振子１１および１２を結ぶ経路とグランドとの間に接続された弾性波共振子である。並列腕共振子１７は、直列腕共振子１２および１３を結ぶ経路とグランドとの間に接続された弾性波共振子である。並列腕共振子１８は、直列腕共振子１３および１４を結ぶ経路とグランドとの間に接続された弾性波共振子である。並列腕共振子１９は、直列腕共振子１４および１５を結ぶ経路と並列腕回路８０との間に接続された弾性波共振子である。並列腕共振子１６、１７および１８とグランドとの間にインダクタが接続されている。並列腕共振子１９とグランドとの間に並列腕回路８０が接続されている。本回路例では、フィルタ１０は、５つの直列腕共振子および４つの並列腕共振子で構成されたラダー型の弾性波フィルタを構成している。

本回路例では、インダクタ２０とインダクタ３０とは磁界結合が可能であり、インダクタ２０とインダクタ４０とは磁界結合が可能である。インダクタ２０とインダクタ３０または４０とが磁界結合する構成については後述する。

なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、インダクタ２０とインダクタ３０とは磁界結合していなくてもよく、インダクタ２０とインダクタ４０とは磁界結合していなくてもよい。なお、インダクタ３０および４０の少なくとも１つは、インダクタ２０と磁界結合が可能であることが望ましい。

インダクタ３０がインダクタ２０と磁界結合することで、共通端子５０ａと選択端子５０ｂとが接続された場合、インダクタ３０および２０を経由した高周波成分を、端子１０２から端子１０１を伝送する高周波信号と、第１の減衰帯域において逆相とすることが可能となる。これにより、端子１０２から端子１０１を伝送する高周波信号における第１の減衰帯域の減衰量を大きくすることが可能となる。

また、インダクタ４０がインダクタ２０と磁界結合することで、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとが接続された場合、インダクタ４０および２０を経由した高周波成分を、端子１０２から端子１０１を伝送する高周波信号と、第２の減衰帯域において逆相とすることが可能となる。これにより、端子１０２から端子１０１を伝送する高周波信号における第２の減衰帯域の減衰量を大きくすることが可能となる。

つまり、フィルタ１０と同時動作するフィルタが変わる場合、または、フィルタ１０を通過する信号の周波数、パワーなどが変化する場合であっても、インダクタ３０および４０によりフィルタ１０の良好な通過特性および減衰特性を維持しつつ減衰帯域および減衰量の少なくとも１つ変化させることができる。よって、減衰特性が可変する弾性波フィルタを有する高周波モジュール１を提供することが可能となる。

さらに、インダクタ３０および４０の少なくとも１つがインダクタ２０と磁界結合することで、フィルタ１０の減衰特性を改善するために必要なインダクタ３０のインダクタンス値および／またはインダクタ４０のインダクタンス値に、インダクタ２０との磁界結合により生成される相互インダクタンスを加味できるので、インダクタ３０自体のインダクタンス値および／またはインダクタ４０自体のインダクタンス値を小さくできる。これにより、インダクタ３０および４０を小さくでき、高周波モジュール１を小型化できる。

なお、インダクタ２０のインダクタンス値は、インダクタ３０のインダクタンス値よりも大きく、かつ、インダクタ４０のインダクタンス値よりも大きいことが望ましい。これによれば、インダクタ２０と磁界結合させない場合のインダクタ３０および４０のインダクタンス値と、インダクタ２０と磁界結合させた場合のインダクタ３０および４０のインダクタンス値との差を大きくできるので、フィルタ１０の減衰特性の変化幅を大きくすることが可能となる。

また、本実施の形態のように、インダクタ２０が入出力端子１００および１１０のうちの入出力端子１００に接続されており、フィルタ１０が２以上の並列腕共振子を含む場合、並列腕回路８０が接続された並列腕共振子１９は、並列腕共振子１６～１９のうちで、入出力端子１００から最も離れて端子１０１および１０２を結ぶ経路に接続されていることが望ましい。

これによれば、並列腕回路８０は電力増幅器２の出力端に最も近く接続された並列腕共振子１９に接続されているため、並列腕回路８０に入力される高周波成分の信号強度を大きく確保できる。このため、端子１０２から端子１０１を伝送する所定の減衰帯域の信号を十分に相殺することが可能となる。

また、並列腕回路８０は、並列腕共振子１６～１９のうちで入出力端子１００から最も離れて端子１０１および１０２を結ぶ経路に接続された並列腕共振子１９のみに接続されていることが望ましい。これによれば、並列腕回路８０は１つのみフィルタ１０に付加されるので、端子１０２から端子１０１を伝送する所定の減衰帯域の信号を十分に相殺でき、かつ、小型化された高周波モジュール１を提供できる。

［２．高周波モジュール１の通過特性］
次に、高周波モジュール１の通過特性がスイッチ５０の接続切り替えにより変化することを説明する。ここでは、フィルタ１０は、バンド１のアップリンク動作バンド（１９２０－１９８０ＭＨｚ）を通過帯域とし、（１）高周波モジュール１がバンド１の送信信号を伝送すると同時にバンド７の受信信号を受信する（動作モード１）場合、および（２）高周波モジュール１がバンド１の送信信号を伝送すると同時にバンド３の受信信号を受信する（動作モード２）場合を想定する。

なお、本実施の形態において、バンド１、バンド３およびバンド７のそれぞれは、４Ｇ（4th Generation）－ＬＴＥ(Long Term Evolution)システム、５Ｇ（5th Generation）－ＮＲ（New Radio）システムに用いられる周波数バンドである。なお、本実施の形態に適用される周波数バンドは、４Ｇ－ＬＴＥシステム、５Ｇ－ＮＲシステム、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのために、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された周波数バンドであり、バンド１、バンド３およびバンド７に限定されない。

図３Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１（インダクタ２０とインダクタ３０および４０との磁界結合なし）の第１の回路状態（動作モード１）を示す図である。また、図３Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１（磁界結合なし）の第１の回路状態（動作モード１）における通過特性を示すグラフである。

図３Ａに示すように、高周波モジュール１の動作モード１において、バンド７のダウンリンク動作バンド（２６２０－２６９０ＭＨｚ）の減衰量を優先して確保したい場合、共通端子５０ａと選択端子５０ｂとを接続し、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとを非接続とする。図３Ｂには、フィルタ１０の狭帯域（１．５－２．７ＧＨｚ）および広帯域（１－８ＧＨｚ）における通過特性が示されている。

図４Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１（インダクタ２０とインダクタ３０および４０との磁界結合なし）の第２の回路状態（動作モード２）を示す図である。また、図４Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１（磁界結合なし）の第２の回路状態（動作モード２）における通過特性を示すグラフである。

図４Ａに示すように、高周波モジュール１の動作モード２において、バンド３のダウンリンク動作バンド（１８０５－１８８０ＭＨｚ）の減衰量を優先して確保したい場合、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとを接続し、共通端子５０ａと選択端子５０ｂとを非接続とする。図４Ｂには、フィルタ１０の狭帯域（１．５－２．７ＧＨｚ）および広帯域（１－８ＧＨｚ）における通過特性が示されている。

図３Ｂおよび図４Ｂのグラフを比較すると、図３Ｂでは、図４Ｂと比較して、バンド７のダウンリンク動作バンド（図３Ｂのマーカｍ１－ｍ２）の減衰量が改善されている。一方、図４Ｂでは、図３Ｂと比較して、バンド３のダウンリンク動作バンド（図４Ｂのマーカｍ４）の減衰量が改善されている。

高周波モジュール１の上記構成（磁界結合なし）によれば、フィルタ１０の第１並列腕共振子とグランドとの間にインダクタ３０が付加されることにより、動作モード１において、フィルタ１０の通過帯域の伝送損失を増加させることなく、バンド７のダウンリンク動作バンドの減衰量を改善できる。また、フィルタ１０の第１並列腕共振子とグランドとの間にインダクタ４０が付加されることにより、動作モード２において、フィルタ１０の通過帯域の伝送損失を増加させることなく、バンド３のダウンリンク動作バンドの減衰量を改善できる。つまり、高周波モジュール１の動作モードの変化に応じてインダクタ３０および４０の接続を切り替えることでフィルタ１０の良好な通過特性を維持したままで減衰帯域および減衰量の少なくとも１つ変化させることができる。よって、減衰特性が可変する弾性波フィルタを有する高周波モジュール１を提供することが可能となる。

図５Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１（インダクタ２０とインダクタ３０または４０との磁界結合あり）の第１の回路状態（動作モード１）を示す図である。また、図５Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１（磁界結合あり）の第１の回路状態（動作モード１）における通過特性を示すグラフである。

図５Ａに示すように、高周波モジュール１の動作モード１において、バンド７のダウンリンク動作バンド（２６２０－２６９０ＭＨｚ）の減衰量を優先して確保したい場合、共通端子５０ａと選択端子５０ｂとを接続し、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとを非接続とする。図５Ｂには、フィルタ１０の狭帯域（１．５－２．７ＧＨｚ）および広帯域（１－８ＧＨｚ）における通過特性が示されている。

図６Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１（インダクタ２０とインダクタ３０または４０との磁界結合あり）の第２の回路状態（動作モード２）を示す図である。また、図６Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１（磁界結合あり）の第２の回路状態（動作モード２）における通過特性を示すグラフである。

図６Ａに示すように、高周波モジュール１の動作モード２において、バンド３のダウンリンク動作バンド（１８０５－１８８０ＭＨｚ）の減衰量を優先して確保したい場合、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとを接続し、共通端子５０ａと選択端子５０ｂとを非接続とする。図６Ｂには、フィルタ１０の狭帯域（１．５－２．７ＧＨｚ）および広帯域（１－８ＧＨｚ）における通過特性が示されている。

図５Ｂおよび図６Ｂのグラフを比較すると、図５Ｂでは、図６Ｂと比較して、バンド７のダウンリンク動作バンド（図５Ｂのマーカｍ１－ｍ２）の減衰量が改善されている。一方、図６Ｂでは、図５Ｂと比較して、バンド３のダウンリンク動作バンド（図６Ｂのマーカｍ３－ｍ４）の減衰量が改善されている。

さらに、実施の形態に係る高周波モジュール１において、インダクタ２０とインダクタ３０および４０とを磁界結合させない場合（図３Ａおよび図４Ａ）に比べて、インダクタ２０とインダクタ３０または４０とを磁界結合させる場合（図５Ａおよび図６Ａ）のほうが、バンド７のダウンリンク動作バンドおよびバンド３のダウンリンク動作バンドの減衰量が改善される。

高周波モジュール１の上記構成（磁界結合あり）によれば、動作モード１において、フィルタ１０の第１並列腕共振子とグランドとの間にインダクタ３０が付加されることにより、フィルタ１０の通過帯域の伝送損失を増加させることなく、バンド７のダウンリンク動作バンドの減衰量を改善できる。この場合、インダクタ３０がインダクタ２０と磁界結合するので、インダクタ３０および２０を経由した高周波成分を、端子１０２から端子１０１を伝送する高周波信号と、バンド７のダウンリンク動作バンド（第１の減衰帯域）において逆相とすることが可能となる。これにより、端子１０２から端子１０１を伝送する高周波信号におけるバンド７のダウンリンク動作バンドの減衰量を大きくすることが可能となる。

また、フィルタ１０の第１並列腕共振子とグランドとの間にインダクタ４０が付加されることにより、動作モード２において、フィルタ１０の通過帯域の伝送損失を増加させることなく、バンド３のダウンリンク動作バンドの減衰量を改善できる。この場合、インダクタ４０がインダクタ２０と磁界結合するので、インダクタ４０および２０を経由した高周波成分を、端子１０２から端子１０１を伝送する高周波信号と、バンド３のダウンリンク動作バンド（第２の減衰帯域）において逆相とすることが可能となる。これにより、端子１０２から端子１０１を伝送する高周波信号におけるバンド３のダウンリンク動作バンドの減衰量を大きくすることが可能となる。

つまり、高周波モジュール１において、インダクタ２０および３０は、共通端子５０ａと選択端子５０ｂとが接続された場合、インダクタ２０および３０を経由した高周波成分が、フィルタ１０を伝送する高周波信号と第１の減衰帯域において逆相となるよう磁界結合し、インダクタ２０および４０は、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとが接続された場合、インダクタ２０および４０を経由した高周波成分が、フィルタ１０を伝送する高周波信号と第２の減衰帯域において逆相となるよう磁界結合していてもよい。

これによれば、高周波モジュール１の動作モードの変化に応じてインダクタ３０および４０の接続を切り替えることでフィルタ１０の良好な通過特性および減衰特性を確保したままで、減衰帯域および減衰量の少なくとも１つ変化させることができる。よって、減衰特性が可変する弾性波フィルタを有する高周波モジュール１を提供することが可能となる。

［３．実施例および変形例に係る高周波モジュールの構成］
次に、実施例に係る高周波モジュールの配置構成について説明する。

図７は、実施例１に係る半導体ＩＣ７０の平面概略図および断面概略図である。同図の（ａ）には、インダクタ２０、３０および４０を含む半導体ＩＣ７０の平面概略図が示され、同図の（ｂ）には、インダクタ２０、３０および４０を含む半導体ＩＣ７０の断面概略図が示されている。

図７の（ａ）および（ｂ）に示すように、実施例１において、インダクタ２０、３０および４０は、１つの半導体ＩＣ（Integrated Circuit）７０内に形成されている。

インダクタ２０、３０および４０は、半導体基板６０に形成され、例えば巻回構造を有するコイル導体で構成されている。

半導体ＩＣ７０は、第１集積回路の一例であり、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）を用いて構成され、具体的にはＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより製造されてもよい。なお、半導体ＩＣ７０は、ＣＭＯＳに限定されない。

これによれば、インダクタ２０、３０および４０を同一チップに形成することで、インダクタ２０、３０および４０が形成される高周波モジュールの加工精度（実装精度などによる傾きなど）の影響を受けることなく、インダクタ２０、３０および４０の配置関係を安定化でき、インダクタ２０とインダクタ３０および４０との磁界結合度を安定化できる。

また、図７の（ｂ）に示すように、インダクタ２０の巻回軸、インダクタ３０の巻回軸、およびインダクタ４０の巻回軸は、互いに平行となっており、インダクタ２０、３０および４０は、インダクタ２０の巻回軸方向（ｚ軸方向）に、インダクタ３０、インダクタ２０、インダクタ４０の順で配置されている。また、インダクタ２０の巻回軸の方向から半導体ＩＣ７０を見た場合、インダクタ２０とインダクタ３０とは少なくとも一部重なり、かつ、インダクタ２０とインダクタ４０とは少なくとも一部重なっている。言い換えると、インダクタ２０は、半導体ＩＣ７０の中央付近に配置され、インダクタ３０および４０で巻回軸方向（ｚ軸方向）にインダクタ２０を挟みこむような構成となっている。

これによれば、インダクタ２０、３０および４０の巻回軸方向が揃っており、インダクタ２０とインダクタ３０とが隣接配置され、インダクタ２０とインダクタ４０とが隣接配置されるので、大きな相互インダクタンスを確保しつつ半導体ＩＣ７０を小型化できる。また、インダクタ３０および４０がインダクタ２０に対して異なる側に振り分けて配置されるので、インダクタ３０および４０のそれぞれの形成領域を大きく確保できる。

なお、インダクタの巻回軸とは、次のように定義される。インダクタが平面コイルで構成されている場合には、その巻回軸は、平面コイルを含む平面に垂直であって平面コイルで囲まれた領域と交叉する軸である。また、インダクタがチップ状部品ある場合には、その巻回軸は、当該部品の内部に形成されたコイルの巻回軸である。

また、図７の（ａ）に示すように、インダクタ２０の巻回軸方向から見た場合、インダクタ３０とインダクタ４０とは重ならない。

これによれば、インダクタ３０とインダクタ４０との不要な磁界結合を抑制できる。

なお、インダクタ２０のインダクタンス値は、インダクタ３０のインダクタンス値よりも大きく、かつ、インダクタ４０のインダクタンス値よりも大きくてもよい。これを実現するため、インダクタ２０の巻回径は、インダクタ３０の巻回径よりも大きく、かつ、インダクタ４０の巻回径よりも大きくてもよい。

図８Ａは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの断面図である。同図には、実施例に係る高周波モジュール１Ａを構成する回路部品のうち、半導体ＩＣ７０、フィルタ１０、スイッチ５０が示されている。高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路部品のほか、さらに、モジュール基板９０、シールド電極層９１、グランド層９２、および樹脂部材９３を備える。

モジュール基板９０は、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板９０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Low Temperature Co-fired Ceramics：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（High Temperature Co-fired Ceramics：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Redistribution Layer：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。

半導体ＩＣ７０、フィルタ１０およびスイッチ５０は、モジュール基板９０の主面に配置されている。

樹脂部材９３は、モジュール基板９０の主面、フィルタ１０、スイッチ５０および半導体ＩＣ７０を覆うように配置されている。

シールド電極層９１は、グランド電極層の一例であり、樹脂部材９３の表面およびモジュール基板９０の側面を覆うように形成され、グランド電位に設定されている。

グランド層９２は、グランド電極層の一例であり、モジュール基板９０内に形成され、グランド電位に設定されている。

ここで、インダクタ３０のインダクタンス値Ｌ３０はインダクタ４０のインダクタンス値Ｌ４０よりも大きい。インダクタ３０とインダクタ３０に最も近く配置されたグランド電極層（グランド層９２）との距離Ｄｂは、インダクタ４０とインダクタ４０に最も近く配置されたグランド電極層（シールド電極層９１）との距離Ｄｔよりも大きい。

これによれば、インダクタ３０および４０のうちのインダクタンス値が大きいインダクタ３０が配置されている面が、高周波モジュール１Ａのグランド電極層から遠くなるように実装されるので、インダクタ３０のＱ値がグランド電極層により劣化することを抑制できる。

図８Ｂは、変形例１に係る高周波モジュール１Ｂの断面図である。同図には、変形例１に係る高周波モジュール１Ｂを構成する回路部品のうち、半導体ＩＣ７０、フィルタ１０、スイッチ５０が示されている。高周波モジュール１Ｂは、図１に示された回路部品のほか、さらに、モジュール基板９０、シールド電極層９１、グランド層９２、および樹脂部材９３を備える。変形例１に係る高周波モジュール１Ｂは、実施例に係る高周波モジュール１Ａと比較して、半導体ＩＣ７０の実装構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施例に係る高周波モジュール１Ａと異なる構成を中心に説明する。

ここで、インダクタ３０のインダクタンス値Ｌ３０はインダクタ４０のインダクタンス値Ｌ４０よりも大きい。インダクタ３０とインダクタ３０に最も近く配置されたグランド電極層（シールド電極層９１）との距離Ｄｔは、インダクタ４０とインダクタ４０に最も近く配置されたグランド電極層（グランド層９２）との距離Ｄｂよりも大きい。つまり、本変形例に係る半導体ＩＣ７０は、インダクタ３０および４０とグランド電極層との距離を考慮して、インダクタ３０および４０が実施例に係る半導体ＩＣ７０に比べてｚ軸方向に反転して配置されている。

これによれば、インダクタ３０および４０のうちのインダクタンス値が大きいインダクタ３０が配置されている面が、高周波モジュール１Ｂのグランド電極層から遠くなるように実装されるので、インダクタ３０のＱ値がグランド電極層により劣化することを抑制できる。

次に、インダクタ２０、３０および４０が個別の回路部品である場合の実装構成について説明する。

図９Ａは、変形例２に係る高周波モジュール１Ｃの断面図である。同図には、変形例に係る高周波モジュール１Ｃを構成する回路部品のうち、インダクタ２０、３０および４０、フィルタ１０、ならびにスイッチ５０が示されている。高周波モジュール１Ｃは、図１に示された回路部品のほか、さらに、モジュール基板９０、シールド電極層９１、外部接続端子１５０、ならびに樹脂部材９３および９４を備える。

モジュール基板９０は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、高周波モジュール１Ｃを構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板９０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。

樹脂部材９３は、モジュール基板９０の第１主面、フィルタ１０およびインダクタ２０を覆うように配置されている。樹脂部材９４は、モジュール基板９０の第２主面、インダクタ３０および４０、ならびにスイッチ５０を覆うように配置されている。

シールド電極層９１は、グランド電極層の一例であり、樹脂部材９３および９４の表面ならびにモジュール基板９０の側面を覆うように形成され、グランド電位に設定されている。

外部接続端子１５０は、モジュール基板９０の第２主面に配置され、高周波モジュール１Ｃの第２主面側に配置されるマザー基板の電極と接続される。

インダクタ２０、３０および４０は、例えば巻回構造を有するコイル導体で構成された表面実装型のチップ状部品である。また、インダクタ２０の巻回軸、インダクタ３０の巻回軸、およびインダクタ４０の巻回軸は、互いに平行となっており、インダクタ２０は第１主面に配置され、インダクタ３０および４０は第２主面に配置されている。

ここで、インダクタ２０の巻回軸の方向（ｚ軸方向）から高周波モジュール１Ｃを見た場合、インダクタ２０とインダクタ３０とは少なくとも一部重なり、かつ、インダクタ２０とインダクタ４０とは少なくとも一部重なっている。

これによれば、インダクタ２０、３０および４０の巻回軸方向が揃っており、インダクタ２０とインダクタ３０とがモジュール基板９０を挟んで巻回軸方向で重なり、インダクタ２０とインダクタ４０とがモジュール基板９０を挟んで巻回軸方向で重なっているので、大きな相互インダクタンスを確保しつつ高周波モジュール１Ｃを小型化できる。

また、インダクタ３０および２０の磁界結合度と、インダクタ４０および２０の磁界結合度とは異なっている。これによれば、高周波モジュール１Ｃの減衰特性を変化させることが可能となる。

なお、インダクタ３０および２０の磁界結合度とインダクタ４０および２０の磁界結合度とを異ならせるために、インダクタ３０および２０の距離とインダクタ４０および２０の距離とを異ならせてもよい。

また、インダクタ３０および２０の磁界結合度とインダクタ４０および２０の磁界結合度とを異ならせるために、インダクタ３０のインダクタンス値Ｌ３０とインダクタ４０のインダクタンスとＬ４０とを異ならせてもよい。

また、スイッチ５０は、第２主面に配置されている。これによれば、インダクタ２０が第１主面に配置されスイッチ５０が第２主面に配置されることで、インダクタ２０とスイッチ５０との距離を大きく確保できるので、インダクタ２０とスイッチ５０との不要な結合を抑制でき、インダクタ２０とインダクタ３０および４０との磁界結合度を高精度に調整できる。また、スイッチ５０の接続切り替えを制御する制御信号は第２主面側に配置されるマザー基板側から供給されるので、スイッチ５０が第２主面に配置されることで制御配線を短くでき、スイッチ５０の接続切り替えを高精度に制御できる。

また、フィルタ１０は、圧電性基板を含む第２集積回路に形成されていてもよい。このとき、スイッチ５０は、第２集積回路の外部に配置されている。これによれば、フィルタ１０を小型化できる。

図９Ｂは、変形例３に係る高周波モジュール１Ｄの断面図である。同図には、変形例３に係る高周波モジュール１Ｄを構成する回路部品のうち、インダクタ２０、３０および４０、フィルタ１０、ならびにスイッチ５０が示されている。高周波モジュール１Ｄは、図１に示された回路部品のほか、さらに、モジュール基板９０、シールド電極層９１、外部接続端子１５０、ならびに樹脂部材９３および９４を備える。本変形例に係る高周波モジュール１Ｄは、変形例２に係る高周波モジュール１Ｃと比較して、インダクタ２０、３０および４０の実装構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｄについて、変形例２に係る高周波モジュール１Ｃと異なる構成を中心に説明する。

インダクタ２０、３０および４０は、例えば巻回構造を有するコイル導体で構成された表面実装型のチップ状部品である。また、インダクタ２０の巻回軸、インダクタ３０の巻回軸、およびインダクタ４０の巻回軸は、互いに平行であり、かつ、モジュール基板９０主面に垂直である。インダクタ２０、３０および４０は第１主面に配置されている。

ここで、インダクタ３０はインダクタ２０に隣接配置され、インダクタ４０はインダクタ２０に隣接配置されている。

これによれば、インダクタ２０、３０および４０の巻回軸方向が揃っており、インダクタ２０とインダクタ３０とが隣接配置され、インダクタ２０とインダクタ４０とが隣接配置されているので、大きな相互インダクタンスを確保しつつ高周波モジュール１Ｄを小型化できる。

また、インダクタ３０および２０の磁界結合度と、インダクタ４０および２０の磁界結合度とは異なっている。これによれば、高周波モジュール１Ｄの減衰特性を変化させることが可能となる。

なお、インダクタ３０および２０の磁界結合度とインダクタ４０および２０の磁界結合度とを異ならせるために、インダクタ３０および２０の距離Ｇ２３とインダクタ４０および２０の距離Ｇ２４とを異ならせてもよい。

また、インダクタ３０および２０の磁界結合度とインダクタ４０および２０の磁界結合度とを異ならせるために、インダクタ３０のインダクタンス値Ｌ３０とインダクタ４０のインダクタンスとＬ４０とを異ならせてもよい。

図９Ｃは、変形例４に係る高周波モジュール１Ｅの断面図である。同図には、変形例４に係る高周波モジュール１Ｅを構成する回路部品のうち、インダクタ２０、３０および４０、フィルタ１０、ならびにスイッチ５０が示されている。高周波モジュール１Ｅは、図１に示された回路部品のほか、さらに、モジュール基板９０、シールド電極層９１、外部接続端子１５０、ならびに樹脂部材９３および９４を備える。本変形例に係る高周波モジュール１Ｅは、変形例２に係る高周波モジュール１Ｃと比較して、インダクタ２０、３０および４０の実装構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｅについて、変形例２に係る高周波モジュール１Ｃと異なる構成を中心に説明する。

インダクタ２０は、例えば巻回構造を有するコイル導体で構成され、モジュール基板９０内に形成されている。インダクタ３０および４０は、例えば巻回構造を有するコイル導体で構成された表面実装型のチップ状部品である。また、インダクタ２０の巻回軸、インダクタ３０の巻回軸、およびインダクタ４０の巻回軸は、互いに平行となっており、インダクタ３０は第１主面に配置され、インダクタ４０は第２主面に配置されている。

ここで、インダクタ２０の巻回軸の方向（ｚ軸方向）から高周波モジュール１Ｅを見た場合、インダクタ２０とインダクタ３０とは少なくとも一部重なり、かつ、インダクタ２０とインダクタ４０とは少なくとも一部重なっている。

これによれば、インダクタ２０、３０および４０の巻回軸方向が揃っており、インダクタ２０とインダクタ３０とが巻回軸方向で重なり、インダクタ２０とインダクタ４０とが巻回軸方向で重なっているので、大きな相互インダクタンスを確保しつつ高周波モジュール１Ｅを小型化できる。

また、インダクタ３０および２０の磁界結合度と、インダクタ４０および２０の磁界結合度とは異なっている。これによれば、高周波モジュール１Ｅの減衰特性を変化させることが可能となる。

なお、インダクタ３０および２０の磁界結合度とインダクタ４０および２０の磁界結合度とを異ならせるために、インダクタ３０および２０の距離とインダクタ４０および２０の距離とを異ならせてもよい。

また、インダクタ３０および２０の磁界結合度とインダクタ４０および２０の磁界結合度とを異ならせるために、インダクタ３０のインダクタンス値Ｌ３０とインダクタ４０のインダクタンスとＬ４０とを異ならせてもよい。

図９Ｄは、変形例５に係る高周波モジュール１Ｆの断面図である。同図には、変形例５に係る高周波モジュール１Ｆを構成する回路部品のうち、インダクタ２０、３０および４０、フィルタ１０、ならびにスイッチ５０が示されている。高周波モジュール１Ｆは、図１に示された回路部品のほか、さらに、モジュール基板９０、シールド電極層９１、外部接続端子１５０、ならびに樹脂部材９３および９４を備える。本変形例に係る高周波モジュール１Ｆは、変形例２に係る高周波モジュール１Ｃと比較して、インダクタ２０、３０および４０の実装構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｆについて、変形例２に係る高周波モジュール１Ｃと異なる構成を中心に説明する。

インダクタ３０および４０は、例えば巻回構造を有するコイル導体で構成され、モジュール基板９０内に形成されている。インダクタ２０は、例えば巻回構造を有するコイル導体で構成された表面実装型のチップ状部品である。また、インダクタ２０の巻回軸、インダクタ３０の巻回軸、およびインダクタ４０の巻回軸は、互いに平行となっており、インダクタ２０は第１主面に配置されている。

ここで、インダクタ２０の巻回軸の方向（ｚ軸方向）から高周波モジュール１Ｆを見た場合、インダクタ２０とインダクタ３０とは少なくとも一部重なり、かつ、インダクタ２０とインダクタ４０とは少なくとも一部重なっている。

これによれば、インダクタ２０、３０および４０の巻回軸方向が揃っており、インダクタ２０とインダクタ３０とが巻回軸方向で重なり、インダクタ２０とインダクタ４０とが巻回軸方向で重なっているので、大きな相互インダクタンスを確保しつつ高周波モジュール１Ｆを小型化できる。

また、インダクタ３０および２０の磁界結合度と、インダクタ４０および２０の磁界結合度とは異なっている。これによれば、高周波モジュール１Ｆの減衰特性を変化させることが可能となる。

なお、インダクタ３０および２０の磁界結合度とインダクタ４０および２０の磁界結合度とを異ならせるために、インダクタ３０および２０の距離とインダクタ４０および２０の距離とを異ならせてもよい。

また、インダクタ３０および２０の磁界結合度とインダクタ４０および２０の磁界結合度とを異ならせるために、インダクタ３０のインダクタンス値Ｌ３０とインダクタ４０のインダクタンスとＬ４０とを異ならせてもよい。

［４．効果など］
以上、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、入出力端子１００および１１０と、入出力端子１００および１１０を結ぶ第１経路に直列配置された１以上の直列腕共振子、ならびに、第１経路およびグランドの間に接続された１以上の並列腕共振子を有するフィルタ１０と、入出力端子１００または１１０とフィルタ１０とを結ぶ第２経路に接続されたインダクタ２０と、上記１以上の並列腕共振子のうちの第１並列腕共振子およびグランドの間に接続された並列腕回路８０と、を備え、並列腕回路８０は、インダクタ３０および４０と、共通端子５０ａ、選択端子５０ｂおよび５０ｃを有するスイッチ５０と、を備え、選択端子５０ｂはインダクタ３０の一端に接続され、選択端子５０ｃはインダクタ４０の一端に接続され、共通端子５０ａは第１並列腕共振子およびグランドの一方に接続され、インダクタ３０の他端およびインダクタ４０の他端は第１並列腕共振子およびグランドの他方に接続される。

これによれば、第１並列腕共振子とグランドとの間にインダクタ３０および／またはインダクタ４０が付加されることにより、フィルタ１０の通過帯域の伝送損失を増加させることなく、特定の減衰帯域の減衰量を改善できる。このとき、フィルタ１０と同時動作するフィルタが変化する場合、または、フィルタ１０を通過する信号の周波数、パワーなどが変化する場合であっても、インダクタ３０および４０によりフィルタ１０の通過帯域の低損失性を維持しつつ減衰帯域および減衰量の少なくとも１つ変化させることができる。よって、減衰特性が可変する弾性波フィルタを有する高周波モジュール１を提供することが可能となる。

また例えば、高周波モジュール１において、インダクタ３０および４０の少なくとも１つは、インダクタ２０と磁界結合が可能である。

これによれば、インダクタ３０がインダクタ２０と磁界結合することで、インダクタ３０および２０を経由した高周波成分を、フィルタ１０を伝送する高周波信号と、第１の減衰帯域において逆相とすることが可能となる。これにより、フィルタ１０を伝送する高周波信号における第１の減衰帯域の減衰量を大きくすることが可能となる。また、インダクタ４０がインダクタ２０と磁界結合することで、インダクタ４０および２０を経由した高周波成分を、フィルタ１０を伝送する高周波信号と、第２の減衰帯域において逆相とすることが可能となる。これにより、フィルタ１０を伝送する高周波信号における第２の減衰帯域の減衰量を大きくすることが可能となる。つまり、フィルタ１０と同時動作するフィルタが変わる場合、または、フィルタ１０を通過する信号の周波数、パワーなどが変化する場合であっても、インダクタ３０および４０によりフィルタ１０の良好な通過特性および減衰特性を維持しつつ減衰帯域および減衰量の少なくとも１つ変化させることができる。よって、減衰特性が可変する弾性波フィルタを有する高周波モジュール１を提供することが可能となる。さらに、インダクタ３０および４０の少なくとも１つがインダクタ２０と磁界結合することで、フィルタ１０の減衰特性を改善するために必要なインダクタ３０のインダクタンス値および／またはインダクタ４０のインダクタンス値に、インダクタ２０との磁界結合により生成される相互インダクタンスを加味できるので、インダクタ３０自体のインダクタンス値および／またはインダクタ４０自体のインダクタンス値を小さくできる。これにより、インダクタ３０および４０を小さくでき、高周波モジュール１を小型化できる。

また例えば、高周波モジュール１において、インダクタ２０は、第２経路およびグランドの間に接続される。

また例えば、高周波モジュール１において、インダクタ２０のインダクタンス値は、インダクタ３０のインダクタンス値よりも大きく、かつ、インダクタ４０のインダクタンス値よりも大きい。

また例えば、高周波モジュール１において、スイッチ５０は、共通端子５０ａと選択端子５０ｂとの接続および非接続を切り替え、共通端子５０ａと選択端子５０ｃとの接続および非接続を切り替える。

これによれば、高周波モジュール１は、（１）フィルタ１０とインダクタ３０との接続かつフィルタ１０とインダクタ４０との非接続、（２）フィルタ１０とインダクタ３０との非接続かつフィルタ１０とインダクタ４０との接続、（３）フィルタ１０とインダクタ３０との接続かつフィルタ１０とインダクタ４０との接続、および（４）フィルタ１０とインダクタ３０との非接続かつフィルタ１０とインダクタ４０との非接続、を実現できる。

また例えば、高周波モジュール１において、インダクタ２０は、入出力端子１００に接続され、並列腕回路８０が接続された並列腕共振子１９は、並列腕共振子１６～１９のうちで入出力端子１００から最も離れて第１経路に接続されている。

これによれば、並列腕回路８０に入力される高周波成分の信号強度が大きいので、フィルタ１０を伝送する所定の減衰帯域の信号を十分に相殺することが可能となる。

また例えば、高周波モジュール１において、並列腕回路８０は、並列腕共振子１６～１９のうちで入出力端子１００から最も離れて第１経路に接続された並列腕共振子１９のみに接続されている。

これによれば、フィルタ１０を伝送する所定の減衰帯域の信号を十分に相殺でき、かつ、小型化された高周波モジュール１を提供できる。

また例えば、実施例および変形例に係る高周波モジュール１Ａ～１Ｆは、モジュール基板９０を備え、インダクタ２０、３０および４０のそれぞれは、巻回構造を有するコイル導体で構成され、モジュール基板９０に配置される。

これによれば、インダクタ２０、３０および４０のそれぞれが巻回構造を有するコイル導体で構成されるので、インダクタ２０、３０および４０を小型化できる。

また例えば、高周波モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｅおよび１Ｆにおいて、インダクタ２０、３０および４０のそれぞれの巻回軸は平行であり、巻回軸の方向から高周波モジュールを見た場合、インダクタ２０とインダクタ３０とは少なくとも一部重なり、かつ、インダクタ２０とインダクタ４０とは少なくとも一部重なる。

これによれば、インダクタ２０および３０の磁界結合、および、インダクタ２０および４０の磁界結合により、大きな相互インダクタンスを確保しつつ高周波モジュール１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｅおよび１Ｆを小型化できる。

また例えば、高周波モジュール１Ｅにおいて、インダクタ２０は、モジュール基板９０内に配置され、インダクタ３０は第１主面上に配置され、インダクタ４０は第２主面上に配置される。

これによれば、インダクタ２０および３０の磁界結合、および、インダクタ２０および４０の磁界結合により、大きな相互インダクタンスを確保しつつ高周波モジュール１Ｅを小型化できる。

また例えば、高周波モジュール１Ｄにおいて、インダクタ２０、３０および４０のそれぞれの巻回軸は平行であり、かつ、モジュール基板９０の主面に垂直であり、インダクタ３０はインダクタ２０に隣接配置され、インダクタ４０はインダクタ２０に隣接配置される。

これによれば、大きな相互インダクタンスを確保しつつ高周波モジュール１Ｄを小型化できる。

また例えば、高周波モジュール１Ａおよび１Ｂにおいて、インダクタ３０のインダクタンス値Ｌ３０はインダクタ４０のインダクタンス値Ｌ４０よりも大きく、インダクタ３０とインダクタ３０に最も近く配置されたグランド電極層との距離は、インダクタ４０とインダクタ４０に最も近く配置されたグランド電極層との距離よりも大きい。

これによれば、インダクタ３０および４０のうちのインダクタンス値が大きいインダクタ３０が配置されている面が、高周波モジュール１Ａおよび１Ｂのグランド電極層から遠くなるように実装されるので、インダクタ３０のＱ値がグランド電極層により劣化することを抑制できる。

また例えば、高周波モジュール１Ａおよび１Ｂにおいて、インダクタ２０、３０および４０は、半導体ＩＣ７０に含まれる。

これによれば、インダクタ２０、３０および４０を同一チップに形成することで、インダクタ２０、３０および４０が形成される高周波モジュールの加工精度（実装精度などによる傾きなど）の影響を受けることなく、インダクタ２０、３０および４０の配置関係を安定化でき、インダクタ２０とインダクタ３０および４０との磁界結合度を安定化できる。

また例えば、高周波モジュール１Ａおよび１Ｂにおいて、インダクタ２０の巻回径は、インダクタ３０の巻回径よりも大きく、かつ、インダクタ４０の巻回径よりも大きい。

また例えば、高周波モジュール１Ａおよび１Ｂにおいて、インダクタ２０、３０および４０は、インダクタ２０の巻回軸方向に、インダクタ３０、インダクタ２０、インダクタ４０の順で配置されている。

これによれば、インダクタ２０、３０および４０の巻回軸方向が揃っており、インダクタ２０とインダクタ３０とが隣接配置され、インダクタ２０とインダクタ４０とが隣接配置されるので、大きな相互インダクタンスを確保しつつ半導体ＩＣ７０を小型化できる。また、インダクタ３０および４０がインダクタ２０の異なる主面に振り分けて配置されるので、インダクタ３０および４０のそれぞれの形成領域を大きく確保できる。

また例えば、高周波モジュール１Ａおよび１Ｂにおいて、上記巻回軸方向から高周波モジュールを見た場合、インダクタ３０とインダクタ４０とは重ならない。

これによれば、インダクタ３０とインダクタ４０との不要な磁界結合を抑制できる。

また例えば、高周波モジュール１Ａ～１Ｆにおいて、フィルタ１０は、圧電性基板を含む第２集積回路に形成され、スイッチは第２集積回路の外部であってモジュール基板９０に配置される。

これによれば、フィルタ１０を小型化できる。

また例えば、高周波モジュール１Ａ～１Ｆにおいて、インダクタ３０および２０の磁界結合度と、インダクタ４０および２０の磁界結合度とは異なる。

これによれば、高周波モジュール１Ａ～１Ｆの減衰特性を変化させることが可能となる。

また例えば、高周波モジュール１Ａ～１Ｆにおいて、インダクタ３０および２０の距離と、インダクタ４０および２０の距離とは異なる。

これによれば、高周波モジュール１Ａ～１Ｆの減衰特性を変化させることが可能となる。

また例えば、高周波モジュール１Ａ～１Ｆにおいて、インダクタ３０のインダクタンス値Ｌ３０とインダクタ４０のインダクタンス値Ｌ４０とは異なる。

これによれば、高周波モジュール１Ａ～１Ｆの減衰特性を変化させることが可能となる。

（その他の実施の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールについて、実施の形態、実施例および変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールは、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態、実施例および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態、実施例および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

例えば、上記実施の形態、実施例および変形例に係る高周波モジュールにおいて、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。

以下に、上記実施の形態に基づいて説明した高周波モジュールの特徴を示す。

＜１＞
第１入出力端子および第２入出力端子と、
前記第１入出力端子および前記第２入出力端子を結ぶ第１経路に直列配置された１以上の直列腕共振子、ならびに、前記第１経路およびグランドの間に接続された１以上の並列腕共振子を有する弾性波フィルタと、
前記第１入出力端子または前記第２入出力端子と前記弾性波フィルタとを結ぶ第２経路に接続された第１インダクタと、
前記１以上の並列腕共振子のうちの第１並列腕共振子およびグランドの間に接続された並列腕回路と、を備え、
前記並列腕回路は、
第２インダクタおよび第３インダクタと、
共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有するスイッチと、を備え、
前記第１選択端子は前記第２インダクタの一端に接続され、
前記第２選択端子は前記第３インダクタの一端に接続され、
前記共通端子は前記第１並列腕共振子およびグランドの一方に接続され、
前記第２インダクタの他端および前記第３インダクタの他端は、前記第１並列腕共振子およびグランドの他方に接続される、高周波モジュール。

＜２＞
前記第２インダクタおよび前記第３インダクタの少なくとも１つは、前記第１インダクタと磁界結合が可能である、＜１＞に記載の高周波モジュール。

＜３＞
前記第１インダクタは、前記第２経路およびグランドの間に接続される、＜１＞または＜２＞に記載の高周波モジュール。

＜４＞
前記第１インダクタのインダクタンス値は、前記第２インダクタのインダクタンス値よりも大きく、かつ、前記第３インダクタのインダクタンス値よりも大きい、＜１＞～＜３＞のいずれかに記載の高周波モジュール。

＜５＞
前記スイッチは、前記共通端子と前記第１選択端子との接続および非接続を切り替え、前記共通端子と前記第２選択端子との接続および非接続を切り替える、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の高周波モジュール。

＜６＞
前記第１インダクタは、前記第１入出力端子および前記第２入出力端子のうちの前記第１入出力端子に接続され、
前記１以上の並列腕共振子は２以上の並列腕共振子を含み、
前記第１並列腕共振子は、前記１以上の並列腕共振子のうちで、前記第１入出力端子から最も離れて前記第１経路に接続されている、＜１＞～＜５＞のいずれかに記載の高周波モジュール。

＜７＞
前記並列腕回路は、前記１以上の並列腕共振子のうちで前記第１入出力端子から最も離れて前記第１経路に接続された並列腕共振子のみに接続されている、＜６＞に記載の高周波モジュール。

＜８＞
さらに、モジュール基板を備え、
前記第１インダクタ、前記第２インダクタおよび前記第３インダクタのそれぞれは、巻回構造を有するコイル導体で構成され、前記モジュール基板に配置される、＜１＞～＜７＞のいずれかに記載の高周波モジュール。

＜９＞
前記第１インダクタ、前記第２インダクタおよび前記第３インダクタのそれぞれの巻回軸は平行であり、
前記巻回軸の方向から前記高周波モジュールを見た場合、前記第１インダクタと前記第２インダクタとは少なくとも一部重なり、かつ、前記第１インダクタと前記第３インダクタとは少なくとも一部重なる、＜８＞に記載の高周波モジュール。

＜１０＞
前記モジュール基板は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、
前記第１インダクタは、前記モジュール基板内に配置され、
前記第２インダクタは前記第１主面上に配置され、
前記第３インダクタは前記第２主面上に配置される、＜９＞に記載の高周波モジュール。

＜１１＞
前記第１インダクタ、前記第２インダクタおよび前記第３インダクタのそれぞれの巻回軸は平行であり、かつ、前記モジュール基板の主面に垂直であり、
前記第２インダクタは前記第１インダクタに隣接配置され、
前記第３インダクタは前記第１インダクタに隣接配置される、＜８＞に記載の高周波モジュール。

＜１２＞
前記第２インダクタのインダクタンス値は前記第３インダクタのインダクタンス値よりも大きく、
前記第２インダクタと前記第２インダクタに最も近く配置されたグランド電極層との距離は、前記第３インダクタと前記第３インダクタに最も近く配置されたグランド電極層との距離よりも大きい、＜８＞～＜１１＞のいずれかに記載の高周波モジュール。

＜１３＞
前記第１インダクタ、前記第２インダクタおよび前記第３インダクタは、第１集積回路に含まれる、＜８＞～＜１２＞のいずれかに記載の高周波モジュール。

＜１４＞
前記第１インダクタの巻回径は、前記第２インダクタの巻回径よりも大きく、かつ、前記第３インダクタの巻回径よりも大きい、＜１３＞に記載の高周波モジュール。

＜１５＞
前記第１インダクタ、前記第２インダクタおよび前記第３インダクタは、前記第１インダクタの巻回軸方向に、前記第２インダクタ、前記第１インダクタ、前記第３インダクタの順で配置されている、＜１３＞または＜１４＞に記載の高周波モジュール。

＜１６＞
前記巻回軸方向から前記高周波モジュールを見た場合、
前記第２インダクタと前記第３インダクタとは重ならない、＜１５＞に記載の高周波モジュール。

＜１７＞
前記弾性波フィルタは、圧電性基板を含む第２集積回路に形成され、
前記スイッチは、前記第２集積回路の外部であって前記モジュール基板に配置される、＜８＞～＜１６＞のいずれかに記載の高周波モジュール。

＜１８＞
前記第２インダクタおよび前記第１インダクタの磁界結合度と、前記第３インダクタおよび前記第１インダクタの磁界結合度とは異なる、＜８＞～＜１７＞のいずれかに記載の高周波モジュール。

＜１９＞
前記第２インダクタおよび前記第１インダクタの距離と、前記第３インダクタおよび前記第１インダクタの距離とは異なる、＜８＞～＜１８＞のいずれかに記載の高周波モジュール。

＜２０＞
前記第２インダクタのインダクタンス値と前記第３インダクタのインダクタンス値とは異なる、＜８＞～＜１９＞のいずれかに記載の高周波モジュール。

本発明は、フロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ 高周波モジュール
２ 電力増幅器
３ アンテナ
４ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
５ 通信装置
１０ フィルタ
１１、１２、１３、１４、１５ 直列腕共振子
１６、１７、１８、１９ 並列腕共振子
２０、３０、４０ インダクタ
５０ スイッチ
５０ａ 共通端子
５０ｂ、５０ｃ 選択端子
６０ 半導体基板
７０ 半導体ＩＣ
８０ 並列腕回路
９０ モジュール基板
９１ シールド電極層
９２ グランド層
９３、９４ 樹脂部材
１００、１１０ 入出力端子
１０１、１０２ 端子
１２０ 信号入力端子
１５０ 外部接続端子

Claims (20)

1. 第１入出力端子および第２入出力端子と、
   前記第１入出力端子および前記第２入出力端子を結ぶ第１経路に直列配置された１以上の直列腕共振子、ならびに、前記第１経路およびグランドの間に接続された１以上の並列腕共振子を有する弾性波フィルタと、
   前記第１入出力端子または前記第２入出力端子と前記弾性波フィルタとを結ぶ第２経路に接続された第１インダクタと、
   前記１以上の並列腕共振子のうちの第１並列腕共振子およびグランドの間に接続された並列腕回路と、を備え、
   前記並列腕回路は、
   第２インダクタおよび第３インダクタと、
   共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有するスイッチと、を備え、
   前記第１選択端子は前記第２インダクタの一端に接続され、
   前記第２選択端子は前記第３インダクタの一端に接続され、
   前記共通端子は前記第１並列腕共振子およびグランドの一方に接続され、
   前記第２インダクタの他端および前記第３インダクタの他端は、前記第１並列腕共振子およびグランドの他方に接続される、
   高周波モジュール。
2. 前記第２インダクタおよび前記第３インダクタの少なくとも１つは、前記第１インダクタと磁界結合が可能である、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記第１インダクタは、前記第２経路およびグランドの間に接続される、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
4. 前記第１インダクタのインダクタンス値は、前記第２インダクタのインダクタンス値よりも大きく、かつ、前記第３インダクタのインダクタンス値よりも大きい、
   請求項２に記載の高周波モジュール。
5. 前記スイッチは、前記共通端子と前記第１選択端子との接続および非接続を切り替え、前記共通端子と前記第２選択端子との接続および非接続を切り替える、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
6. 前記第１インダクタは、前記第１入出力端子および前記第２入出力端子のうちの前記第１入出力端子に接続され、
   前記１以上の並列腕共振子は２以上の並列腕共振子を含み、
   前記第１並列腕共振子は、前記１以上の並列腕共振子のうちで、前記第１入出力端子から最も離れて前記第１経路に接続されている、
   請求項２に記載の高周波モジュール。
7. 前記並列腕回路は、前記１以上の並列腕共振子のうちで前記第１入出力端子から最も離れて前記第１経路に接続された並列腕共振子のみに接続されている、
   請求項６に記載の高周波モジュール。
8. さらに、モジュール基板を備え、
   前記第１インダクタ、前記第２インダクタおよび前記第３インダクタのそれぞれは、巻回構造を有するコイル導体で構成され、前記モジュール基板に配置される、
   請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
9. 前記第１インダクタ、前記第２インダクタおよび前記第３インダクタのそれぞれの巻回軸は平行であり、
   前記巻回軸の方向から前記高周波モジュールを見た場合、前記第１インダクタと前記第２インダクタとは少なくとも一部重なり、かつ、前記第１インダクタと前記第３インダクタとは少なくとも一部重なる、
   請求項８に記載の高周波モジュール。
10. 前記モジュール基板は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、
    前記第１インダクタは前記モジュール基板内に配置され、
    前記第２インダクタは前記第１主面上に配置され、
    前記第３インダクタは前記第２主面上に配置される、
    請求項９に記載の高周波モジュール。
11. 前記第１インダクタ、前記第２インダクタおよび前記第３インダクタのそれぞれの巻回軸は平行であり、かつ、前記モジュール基板の主面に垂直であり、
    前記第２インダクタは前記第１インダクタに隣接配置され、
    前記第３インダクタは前記第１インダクタに隣接配置される、
    請求項８に記載の高周波モジュール。
12. 前記第２インダクタのインダクタンス値は前記第３インダクタのインダクタンス値よりも大きく、
    前記第２インダクタと前記第２インダクタに最も近く配置されたグランド電極層との距離は、前記第３インダクタと前記第３インダクタに最も近く配置されたグランド電極層との距離よりも大きい、
    請求項８に記載の高周波モジュール。
13. 前記第１インダクタ、前記第２インダクタおよび前記第３インダクタは、第１集積回路に含まれる、
    請求項８に記載の高周波モジュール。
14. 前記第１インダクタの巻回径は、前記第２インダクタの巻回径よりも大きく、かつ、前記第３インダクタの巻回径よりも大きい、
    請求項１３に記載の高周波モジュール。
15. 前記第１インダクタ、前記第２インダクタおよび前記第３インダクタは、前記第１インダクタの巻回軸方向に、前記第２インダクタ、前記第１インダクタ、前記第３インダクタの順で配置されている、
    請求項１３に記載の高周波モジュール。
16. 前記巻回軸方向から前記高周波モジュールを見た場合、
    前記第２インダクタと前記第３インダクタとは重ならない、
    請求項１５に記載の高周波モジュール。
17. 前記弾性波フィルタは、圧電性基板を含む第２集積回路に形成され、
    前記スイッチは、前記第２集積回路の外部であって前記モジュール基板に配置される、
    請求項８に記載の高周波モジュール。
18. 前記第２インダクタおよび前記第１インダクタの磁界結合度と、前記第３インダクタおよび前記第１インダクタの磁界結合度とは異なる、
    請求項８に記載の高周波モジュール。
19. 前記第２インダクタおよび前記第１インダクタの距離と、前記第３インダクタおよび前記第１インダクタの距離とは異なる、
    請求項１８に記載の高周波モジュール。
20. 前記第２インダクタのインダクタンス値と前記第３インダクタのインダクタンス値とは異なる、
    請求項１８に記載の高周波モジュール。

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