JP2024082069A - Substrate heat treatment apparatus and substrate heat treatment method - Google Patents
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Abstract
【課題】基板を熱板の上面に設けられた複数の吸引口を介して吸引するにあたり、当該吸引を行うための吸引路と前記各吸引口との接続を容易に行う。
【解決手段】基板熱処理装置は、載置された基板を加熱する熱板と、前記熱板の上面に複数開口する吸引口と、前記熱板の下方に当該熱板から離れて形成される隔離部と、前記隔離部に複数設けられる開口部と、前記各開口部が接続される排気路と、を備える排気路形成部と、前記排気路形成部に対する高さが変位可能であり、前記隔離部の上方に突出して前記開口部毎に設けられる高さ変位部と、前記高さ変位部の上側に各々接続された接続部と、下流端が前記排気路に接続されるように、前記接続部の上端から前記高さ変位部に亘って設けられる吸引路と、前記各高さ変位部を上方に付勢し、前記複数の吸引口に前記吸引路を各々接続するための第2弾性部材と、を備える。
【選択図】図3
When a substrate is sucked through a plurality of suction ports provided on the upper surface of a hot plate, a suction path for performing the suction can be easily connected to each of the suction ports.
[Solution] The substrate heat treatment apparatus comprises a hot plate for heating a substrate placed thereon, a plurality of suction ports opening on the upper surface of the hot plate, an isolation section formed below the hot plate and spaced apart from the hot plate, a plurality of openings provided in the isolation section, and an exhaust path forming section having an exhaust path to which each of the openings is connected, height displacement sections whose height relative to the exhaust path forming section is displaceable and which protrude above the isolation section and are provided for each of the openings, connection sections each connected to the upper side of the height displacement sections, suction paths provided from the upper end of the connection sections to the height displacement section so that a downstream end is connected to the exhaust path, and a second elastic member for biasing each of the height displacement sections upward and connecting each of the suction paths to the plurality of suction ports.
[Selected figure] Figure 3
Description
本開示は、基板熱処理装置、及び基板熱処理方法に関する。 This disclosure relates to a substrate heat treatment apparatus and a substrate heat treatment method.
例えば半導体デバイス製造におけるフォトリソグラフィなどを行う塗布、現像装置は、半導体ウエハ上に回路を形成するため、半導体ウエハ(以下、ウエハという)にレジスト膜の形成及び露光、露光箇所の現像、及び加熱などを行う様々な処理モジュールを含む。特許文献1には、加熱処理の一つとして露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させるベーキング処理を行うPEB(Post Exposure Bake)装置が記載されている。このPEB装置は、熱板の吸引口に接続される負圧発生装置の作用によりウエハの反りを矯正しつつ基板Wを加熱する構成とされている。
For example, a coating and developing apparatus for photolithography in semiconductor device manufacturing includes various processing modules that form and expose a resist film on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), develop the exposed areas, and heat the wafer in order to form a circuit on the wafer.
本開示は、基板を熱板の上面に設けられた複数の吸引口を介して吸引するにあたり、当該吸引を行うための吸引路と前記各吸引口との接続を容易に行うことができる技術を提供する。 This disclosure provides a technology that allows for easy connection of a suction path for suctioning a substrate through multiple suction ports provided on the upper surface of a heat plate to each of the suction ports.
本開示の基板熱処理装置は、載置された基板を加熱する熱板と、
前記熱板の上面に複数開口し、前記基板を各々吸引するための吸引口と、
前記熱板の下方に当該熱板から離れて形成される隔離部と、前記熱板に向けて開口するように前記隔離部に複数設けられる開口部と、前記各開口部が接続される排気路と、を備える排気路形成部と、
前記排気路形成部に対する高さが変位可能であり、前記隔離部の上方に突出して前記開口部毎に設けられる高さ変位部と、
前記高さ変位部の上側に各々接続され、第1弾性部材によって形成される接続部と、
前記各接続部により上流端が形成されると共に下流端が前記排気路に接続されるように、前記接続部の上端から前記高さ変位部に亘って設けられる吸引路と、
前記各高さ変位部を上方に付勢し、前記複数の吸引口に前記吸引路を各々接続するための第2弾性部材と、
を備える。
The substrate heat treatment apparatus of the present disclosure includes a heat plate for heating a substrate placed thereon;
a plurality of suction ports formed on an upper surface of the heat plate for sucking the substrate;
An exhaust path forming part including a separating part formed below the hot plate and spaced apart from the hot plate, a plurality of openings provided in the separating part so as to open toward the hot plate, and an exhaust path to which each of the openings is connected;
a height variable portion that is variable in height relative to the exhaust path forming portion and that protrudes above the isolation portion and is provided for each of the openings;
a connecting portion connected to an upper side of each of the height displacement portions and formed by a first elastic member;
a suction passage provided from an upper end of the connection portion to the height displacement portion such that an upstream end is formed by each of the connection portions and a downstream end is connected to the exhaust passage;
a second elastic member for urging each of the height displacement portions upward and connecting each of the suction paths to the plurality of suction ports;
Equipped with.
本開示は、基板を熱板の上面に設けられた複数の吸引口を介して吸引するにあたり、当該吸引を行うための吸引路と前記各吸引口との接続を容易に行うことができる。 This disclosure allows the substrate to be sucked through multiple suction ports provided on the upper surface of the heat plate, and makes it easy to connect the suction path for performing the suction to each of the suction ports.
(第1実施形態)
本開示に係る基板熱処理装置1について、図1の縦断正面図を参照しながら説明する。
基板熱処理装置1は、後述する塗布、現像装置10に多数設けられるウエハW(以下、基板Wという)の熱処理装置であって、例えばレジスト塗布後、露光前にレジスト膜を乾燥させるためのPAB(Post Apply Bake)を行う装置である。
First Embodiment
A substrate
The substrate
基板熱処理装置1は、外装体を構成する筐体61と、筐体61に形成された基板Wの搬送口62及び区画板63と、を備えている。区画板63は、筐体61内の上下を仕切る。筐体61内には、基板Wを熱処理する熱処理機構1Hと、搬送口62を介して外部の主搬送機構から受け取った基板Wを熱処理機構1Hまで搬送する基板移載機構1Tと、が設けられている。熱処理機構1Hは、搬送口62から見て奥側に配置され、基板移載機構1Tは、搬送口62から見て熱処理機構1Hの手前側に配置されている。
The substrate
基板移載機構1Tは、基板Wを載置し、かつ載置した熱処理後の基板Wの冷却機能を有する基板載置台64を有し、熱処理後の基板Wを例えば20℃程度に冷却する。基板移載機構1Tは、区画板63の上方において基板載置台64を手前側と奥側との間で移動させ、熱処理機構1Hを構成する後述の熱板2上へと、基板Wを搬送することができる。
The
熱処理機構1Hは、蓋部65と、区画板63に取り付けられて蓋部65の下方に配置されるカップ体66と、熱板2と、支持部材69と、を備えている。区画板63に円形の開口部63aが形成されている。この開口部63a内に円形の熱板2が水平に配置されており、この熱板2の側周を囲むように当該熱板2を開口部63a内に支持するための環状の支持部材69が設けられており、この支持部材69はカップ体66の側壁の上部側に囲まれている。カップ体66の上端部が区画板63に接続されている。
The
このように各部材が配置されているためカップ体66は、熱板2の下方の領域を周囲の領域から区画している。なお、カップ体66の底壁は、熱板2の下面から離れて位置している。そして蓋部65は熱板2上に設けられ、蓋部65、熱板2、支持部材69によって処理容器が構成される。この処理容器は、蓋部65を昇降させる開閉機構67によって開閉可能であり、下降状態の蓋部65によって密閉空間である処理室71が形成される。
As each component is arranged in this manner, the
蓋部65の下面中央部には、処理室71の排気を行う排気口65aが設けられ、排気口65aには、工場の排気系統に一端側が接続される排気路の他端側が接続されている。基板Wを熱板2上に載置して熱処理を行う際には処理室71が形成され、当該処理室71が排気された状態で行われる。図1に示す74は、基板移載機構1Tと熱板2との間で基板Wの受け渡しを行うための昇降ピンである。昇降ピン74は、カップ体66の下部及び熱板2を貫通して配置され、昇降機構75により昇降可能に構成されている。昇降ピン74は、熱板2の上面に含まれた基板Wを載置する載置領域上に出没可能であって、基板Wを支持して昇降できる。
An
また、76は、外部の主搬送機構と基板移載機構1Tとの間で基板Wの受け渡しを行うための昇降ピンである。昇降ピン76は、区画板63及び基板載置台64を貫通して配置され、昇降機構77により昇降可能に構成されている。このため、昇降ピン76は、基板移載機構1Tの基板Wの載置領域上に出没可能であって、基板Wを支持して昇降できる。昇降ピン74、76は、それぞれ例えば3本(図1では2本のみ表示)ずつ設けられている。
Also, 76 is a lift pin for transferring the substrate W between the external main transport mechanism and the
上記したように熱板2上に基板Wが載置されて熱処理される。その際に基板Wに反りが生じていると、基板Wと熱板2の上面との間の距離がばらつくことで、基板Wの温度にばらつきが生じてしまうことで、処理の均一性が損なわれてしまうおそれが有る。それが防止されるように、熱板2の上面には複数の吸引口21aが形成され、加熱処理中、基板Wは熱板2に向けて吸引される。熱板2の下方で上記のカップ体66が囲む空間に、その吸引口21aに接続される吸引路13を形成する部材(後述する吸引構造体V)が設けられる。
As described above, the substrate W is placed on the
この吸引構造体Vの吸引路13と、熱板2の吸引口21aとの接続は、ネジやボルトなどの固定具を用いずに行うことができ、さらに上記の複数の吸引口21aに対して一括して吸引路13が接続される。そのために熱板2に対する当該吸引構造体Vの着脱は容易であることから、熱板2、当該吸引構造体Vの各々のメンテナンスが容易である。後に詳しく述べるが、このような接続が行われるにあたり、吸引構造体Vのうちの熱板2に直接接する部位である接続部については、弾性部材により構成される。
The connection between the
ところで熱板2上で基板Wが熱処理されるにあたり、基板W表面のレジスト膜から発生する昇華物の多くは、蓋部65の排気口65aから排気されるが、一部は熱板2の吸引口21aから吸引される。吸引構造体Vは、この吸引した昇華物が冷却されることで生じた液体を排出し、熱処理装置1の外部へと除去できるようにも構成されている。
When the substrate W is heat-treated on the
上記の接続部については吸引路13を形成することから、この昇華物に接することになる。そのため接続部については、当該昇華物を構成する材質に触れても劣化が防止ないしは抑制されるものを使用することが好ましい。この材質によっては、製造できる形状に制約が有る。つまり、接続部については複雑な形状とすることが難しい場合が有る。
The above-mentioned connection part forms the
後に詳述するように、吸引構造体Vについてはこの接続部の下方に設けられて当該接続部と共に吸引路13を形成する部材(内筒5)を、弾性部材であるばねにより上方に付勢する構成とされている。それにより、接続部を複雑な形状としなくても熱板2に対して押し付けられて密着し、上記の吸引口21aと吸引路13との接続がなされる構成とされている。従って、接続部の形状の簡素化を可能としつつ、上記したように吸引構造体Vについての熱板2の容易な着脱が可能とされている。
As will be described in detail later, the suction structure V is configured such that a member (inner cylinder 5) that is provided below this connection and forms the
以下、熱板2について詳しく説明する。図1から図3に示すように、熱板2は、この載置領域を上面において構成する上板21と、上板21を下方から支持する板支持部22と、により構成されている。上板21は水平板として構成され、上板21の下面には給電されて発熱する複数のヒータ23(図1では1つのみ表示)が相互に間隔を空けて設けられている。これらのヒータ23により熱板2の載置領域の各部は、載置された基板Wを均一性高く熱処理できるように、予め設定された温度、例えば100~350℃に温度調節される。
The
上板21の上面における載置領域には、基板Wを支持する凸部である複数のギャップピン24が設けられる。このギャップピン24は、熱板2との間に微小な隙間を形成して基板Wを載置し、熱板2に非接触な状態で載置された基板Wを熱板2からの輻射熱で加熱することができる。
In the mounting area on the top surface of the
図2及び図3に示すように、上板21には、吸引口21aが例えば8個形成されている。各吸引口21aは、上板21を鉛直方向に貫通し、上板21の上面に載置された基板Wを吸引するように円形に構成されている。複数の吸引口21aは、載置領域において相互に間隔を空けて設けられ、詳細には、上板21の周縁に沿って等間隔で配置されている。
As shown in Figures 2 and 3, the
板支持部22は、上板21に対して離隔すると共に対向して設けられる水平な下板25と、下板25の上面に配置されて上板21の下面を支える複数の支柱26と、を備えており、下板25は上板21の輻射熱を上板21に向けて反射して、下方側の温度上昇を抑制する。なお下板25の厚さは、上板21の厚さよりも大きく、下板25の剛性については上板21の剛性よりも高い。
The
下板25には、上板21の吸引口21aの下方に各々設けられる下板貫通孔27が例えば8個形成されている。各下板貫通孔27は吸引口21aより径が大きい円形状を有しており、上方から見て吸引口21aに対して同心状に重なるように設けられている。
The
図2に示すように、熱処理機構1Hは、基板Wを熱板2の吸引口21aに向かって吸引するための吸引構造体Vを備えている。上記したように吸引構造体Vは熱板2に対して着脱自在であり、図2では熱板2から取り外された状態、図3では熱板2取り付けられた状態を夫々示すが、以下の説明では、特に記載しない限り熱板2に取り付けられている状態であるものとして説明する。
As shown in FIG. 2, the
吸引構造体Vは、熱板2の下方に離れて配置される排気路形成部3と、排気路形成部3と熱板2の吸引口21aとを繋ぐように排気路形成部3から鉛直上方へ伸びるロッド部40を備えており、このロッド部40によって上記した吸引路13が形成される。ロッド部40は、吸引口21a及び下板貫通孔27に対応して1つずつ設けられるため、これらと同数の計8個設けられている。ロッド部40は、接続パッド4と、内筒5(第1筒体)と、コイルばね6と、外筒33(第2筒体)と、を備えている。
The suction structure V comprises an exhaust
排気路形成部3は平面視で円形の筐体31を備え、筐体31の内部は排気空間12として構成されている。筐体31の外側面に接続された排気管37を介して、排気空間12は排気源11(図1参照)に接続されており、装置の動作中に排気が行われ、ロッド部40の吸引路13を介して吸引口21aからの吸引が行われる。排気源11は、例えば熱処理装置1が設置される工場の排気路により構成され、排気管37には図示しないバルブが介設され、この排気源11による排気空間12が排気される状態と、排気が停止した状態と、を切替え可能である。また、筐体31の底部には、吸液口31aが開口しており、この吸液口31aには、配管を介して吸引機構17が接続されている。吸引機構17は例えばエジェクタにより構成されており、吸液口31aを介して筐体31底部上の吸引(吸液)を行い、熱処理装置1の外部へと液体を排出することで、排気空間12における当該液体の貯留を防止する。
The exhaust
筐体31の上面34(対向面)については熱板2の下面に対向するように水平に形成され、平面視で吸引口21に重なる位置に円形の上面孔34a(貫通孔)が鉛直に穿孔されており、当該上面孔34aは、排気空間12に開口している。この上面34を含む筐体31の上壁は、熱板2の下方に形成される隔離部をなす。筐体31の上面34には、環状台座32が設けられている。図2及び図3に示すように、環状台座32は、各上面孔34aの孔縁上に配置され、当該孔縁に沿って形成された円環部材である。環状台座32の下面には、上面孔34aの周に沿った環状の設置溝32aが形成されている。この設置溝32aには、弾性体である環状のシール部材35が、筐体31の上面34及び環状台座32の各々に密着して配置されている。それにより、熱板2と筐体31の上面34との間の領域の雰囲気が、環状台座32と筐体31の上面34との間の隙間を介して排気空間12へと排気されることが防止される。また環状台座32がなす孔の上部側は、下部側に対して段をなすように拡径されており、当該孔のうち、この段上における領域を拡径領域32bとして示している。
The upper surface 34 (opposing surface) of the
続いて、ロッド部40を構成する各部材について説明する。外筒33は筒軸が鉛直方向に沿うように設けられる金属製の円筒体である。外筒33は上方に向う途中、その側面が、筒の外方に向かって張り出すことで、円形のフランジ33aを形成しており、フランジ33aは拡径領域32bに収まるように環状台座32に密着して配置されている。そして、外筒33の下端部の外周面は、上面孔34aを形成する周面及び環状台座32の内周面に各々接している。外筒33内は筐体31の排気空間12に連通しており、上面孔34aと共に、筐体31の上壁において上方へ向けて開口する開口部14をなす。また、外筒33におけるフランジ33aの上側の部位は環状台座32の上方へと伸出しており、当該部位を伸出部33bとする。
Next, each component that constitutes the
内筒5は、筒軸が外筒33の筒軸と一致するように設けられる金属製の円筒体であり、その下部側は外筒33内に位置するため、内筒5と外筒33とは二重筒をなす。そして、内筒5の上部側は、外筒33から突出するように設けられる。即ち、内筒5は、外筒が形成する開口部14から上方に向けて伸びる。内筒5の下部側の外周面には、内筒5の側周に沿った設置溝51が形成されており、当該設置溝51には、弾性体であると共に環状の筒用シール部材56(吸引防止部)が設けられている。つまり筒用シール部材56は、内筒5の外周面において内筒5を囲むように配置されており、シール用の第1環状体に該当する。
The
例えばYパッキンである筒用シール部材56は、内筒5及び外筒33の各々に密着する。従って筒用シール部材56の下方側の内筒5と外筒33とがなす隙間と、熱板2と筐体31の上面34との間の領域とが区画され、当該隙間を介して当該領域の雰囲気が排気空間12へと排気されることが防止される。なお、このように吸引路13以外の不要な場所から排気空間12への排気を防止することは、吸引口21aからの吸引力を十分なものとして確保することに寄与する。このため第1環状体56は、熱板2と筐体31との間の領域と、開口部14との間を区画し、開口部14による熱板2と筐体31との間の領域の雰囲気の吸引を防ぐことができる。内筒5は外筒33に対して筒軸方向(即ち、鉛直方向)に昇降可能であり、その昇降の際に筒用シール部材56は、外筒33の内側面に対して摺動する。
The
内筒5は上方に向う途中、その側面が筒の外方に向かって張り出すことで、円形のフランジ52(第1フランジ)を形成しており、このフランジ52は、外筒33の伸出部33bの上端よりも上方に位置する。フランジ52の外径は熱板2の下板貫通孔27の径よりも大きく、フランジ52は、熱板2の下板25の下方に位置する。内筒5においてフランジ52よりも上方側の部位を頭部53とすると、頭部53の径は下板25の下板貫通孔27の径よりも小さく、この頭部53は下板貫通孔27に挿通されて、下板25と上板21との間隙に位置する。なお、内筒5において、頭部53についてはフランジ52の下部側の部位よりも若干肉厚とされることで、当該下部側の部位よりもその外径が大きい。頭部53の上端部は内筒5の筒軸に向けて延伸されることで、筒口を縮小化させている。そして、縮小化された筒口の口縁部は上方に向けて突出することで、環状突出部53aとして形成されている。
As the
内筒5の頭部53の上側には、上記した接続部である接続パッド4が設けられている。この接続パッド4の概略形状としては短い円筒であり、接続用筒体として構成される当該接続パッド4と内筒5とは平面視で互いの筒軸が一致するように連接され、上方から見て接続パッド4は、頭部53の上面内に収まるように形成されている。
The
接続パッド4は、下方に向うにつれて末広がりとなる基部41と、上方に向かうにつれて末広がりとなる接続本体部42と、を有している。基部41は内筒5に嵌合する部位であり、頭部53の環状突出部53aを囲むように設けられている。基部41の内周面は縦断面視で鉛直方向に伸び、環状突出部53aの外周面に接している。接続本体部42がなす筒口の口径については、上方に向うにつれて拡張する。そのため、接続本体部42としては喇叭状に形成されている。この接続本体部42の上端は、平面視で吸引口21aを囲むように位置する。なお、接続本体部42は後述のように吸引路13をなすが、このように形成されることにより、当該接続本体部42の内周面に昇華物から生じた液滴が付着しても自重によって滑落させて排気路形成部3の筐体31内へと落下させて吸液口31aから除去することができる。
The
この接続パッド4は第1弾性部材である。接続パッド4の接続本体部42の上端は、後述するコイルばね6の作用によって、熱板2の上板21における下面の吸引口21aの周囲に、下方から押し付けられている。さらに詳しく述べると、コイルばね6の押圧力によって接続本体部42は高さが小さくなるように撓むと共に、接続パッド4の復元力によって上板21の吸引口21aの周囲に密着した状態となっている。
This
接続パッド4の接続本体部42及び内筒5によって囲まれる空間が上記した吸引路13であり、吸引口21aと、排気路形成部3の排気空間12とを接続している。従って吸引路13としては、接続本体部42の上端から内筒5の下端に亘るように鉛直方向に伸びるように形成されており、当該接続本体部42によって形成される部位については上方に向かうにつれて拡張されている。
The space surrounded by the
接続パッド4を構成する材質については、上記のように復元力を利用して熱板2へ密着することができ、熱板2に接続された際に熱板2と内筒5とを比較的大きく断熱できるものであれば、特に制約は無い。具体的には例えば、シリコーンゴム、フッ素ゴム、またはバイトン(商標名)等の合成ゴムなどによって形成することができる。フッ素ゴムとしては耐薬性が比較的高いパーフルオロエラストマを用いることが好ましい。このパーフルオロエラストマは例えば、4フッ化エチレンパーフルオロメチルビニルエーテル共重合体、又は4フッ化エチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体である。
There are no particular restrictions on the material that constitutes the
なお、接続パッド4についてはこのような形状に限られず、例えば蛇腹形状とすることで上方へ向うにつれて末広がりとなる部位が複数設けられるように構成してもよく、上下の伸縮性が比較的高くなるようにしてもよい。ただし、接続パッド4として示したように簡素な構成とすることで高度な成型技術は不要となり、使用することができる材料の選択の幅を広くすることができるので有利である。
The
上記の内筒5のフランジ52(突出部)と外筒33のフランジ33aとの間に、第2弾性部材である例えば金属製のコイルばね6が設けられている。コイルばね6の巻軸は、内筒5及び外筒33の各筒軸に揃う。従って、当該巻軸は、各筒軸に沿って伸びる。そして、コイルばね6の巻き線は、内筒5及び外筒33を囲む。従って、コイルばね6は内筒5の側方に位置している。コイルばね6によりフランジ52は下板25に当接されており、フランジ52ひいては内筒5は上方に付勢された状態となっている。そのような高さに内筒5が位置することで、接続パッド4は上記したように上板21に押し付けられて密着した状態となっている。なお、下板25については、上記したように上板21に比べて剛性が高く、このフランジ52の当接の影響が抑えられる。
Between the flange 52 (protruding portion) of the
コイルばね6及び内筒5について、吸引構造体Vが熱板2から取り外されているものとして、さらに説明する。排気路形成部3の高さが固定された状態で、高さ変位部をなす内筒5を鉛直下方に向けて押圧した際には、この内筒5のフランジ52によって下方へ押し付けられることで、外筒33のフランジ33aへ向けてコイルばね6が縮み、内筒5は鉛直下方へと移動することができる。この際に、そのコイルばね6の復元力によって、内筒5は鉛直上方へ向かうように付勢される。内筒5の下方への押圧を停止した場合には、コイルばね6は元の長さに戻り、内筒5は上昇して元の高さに戻る。このように排気路形成部3に対する内筒5の高さを変化させることができ、例えば上記の内筒5の押圧がなされていないときには内筒5の下端は排気路形成部3の筐体31の排気空間12外に位置し、押圧がなされることで、当該内筒5の下端は排気空間12内に進入可能である。内筒5の高さ変更に伴って、接続パッド4の高さも変更される。上記したようにロッド部40については8つ設けられているが、内筒5へ加わる押圧力によって、内筒5及び接続パッド4の高さはその押圧力に応じた個々の高さとなる。つまり、ロッド部40間で、内筒5及び接続パッド4の高さは独立して変化する。
The
熱処理装置1は、コンピュータにより構成される制御部100を備えており、プログラム及びメモリを備えている。プログラムには、熱処理装置1における後述の基板Wの熱処理を実施することができるようにステップ群が組み込まれており、当該プログラムによって制御部100は、各部に制御信号を出力して動作を制御する。具体的には、排気源11を用いた吸引構造体Vの排気、開閉機構67による蓋部65の昇降、昇降機構75、77による昇降ピン74、76の昇降、ヒータ23による熱板2の昇温などの各動作が、制御信号によって制御される
The
以上のように構成された吸引構造体Vへの熱板2への取付け作業から、基板Wの処理に至るまでの手順について説明する。作業者は、吸引構造体Vを、熱板2の下方に配置する。その際に、各ロッド部40が、熱板2の下板25の下板貫通孔27の下方に位置させる。図4(a)はこのように配置されたロッド部40の一つを示している。そして、作業者は吸引構造体Vにおける排気路形成部3を熱板2に対して相対的に上昇させて、各ロッド部40を下板貫通孔27に挿通させ、一のロッド部40の上端部を形成する接続パッド4が、熱板2の上板21の下面における吸引口21aの周囲に接する。
The procedure from the attachment of the suction structure V configured as above to the
さらに吸引構造体Vを相対的に上昇させることで当該一のロッド部40の接続パッド4は撓み、その復元力によって上板21の下面と接続パッド4とが密着し、ロッド部40内の吸引路13と吸引口21aとが接続された状態となる。その一方で、上板21からロッド部40を構成する接続パッド4及び内筒5は、下方へ向う応力を受ける。このように応力を受けることにより、接続パッド4及び内筒5は、外筒33に対して下方へと移動し、それによってコイルばね6が縮む。このコイルばね6の復元力によって、ロッド部40は上方へ向けて付勢された状態となることで、上記した接続パッド4と吸引口21aの周囲との密着状態が保たれる。
Furthermore, by raising the suction structure V relatively, the
吸引構造体Vの製造誤差による排気路形成部3上でのロッド部40間での高さのばらつきや、熱板2に対する吸引構造体Vの僅かな傾きなどの要因により、例えば上記のように一のロッド部40について吸引口21aへの接続がなされる一方で、他のロッド部40については吸引口21aへの接続がされていない状態となる。さらに吸引構造体Vが相対的に上昇することによって、他のロッド部40についても一のロッド部40と同様に吸引口21aへの接続がなされる。その一方で、先に接続がなされた一のロッド部40については、コイルばね6がさらに縮むことで、内筒5に設けられるフランジ52が、下板25の下板貫通孔27の孔縁に当接し、内筒5の上端と上板21との距離が一定に保たれる状態となる。
Due to factors such as the variation in height between the
さらに吸引構造体Vの相対的に上昇が続けられて、すべてのロッド部40について吸引口21aへの接続がなされると共に、フランジ52が下板25に当接する状態となったら、吸引構造体Vの相対的上昇を停止させ、熱板2と吸引構造体Vの取り付け作業の終了とする。既述した図3はこの作業終了時におけるロッド部40を示している。
The relative ascent of the suction structure V continues until all
この取り付け作業について説明を補足すると、既述したように吸引構造体Vを熱板2に対して相対的に上昇させるにあたり、仮にコイルばね6の圧縮が比較的大きくなることで内筒5の上方への付勢力が大きくなるとする。それにより、内筒5が上板21に接近しすぎて接続パッド4を介して上板21に過度な応力が加わってしまうと、上板21の変形や破損を招くおそれが有る。しかし、上記のようにフランジ52が下板25に当接する構成であるため、内筒5の上板21への過度の接近が防止される。従って、フランジ52についてはコイルばね6による付勢作用を受ける役割の他に、内筒5の上板21に対する高さを規制し、上板21への荷重を抑える役割を有している。このように第1フランジであるフランジ52は、内筒5の高さを規制する高さ規制部及びコイルばね6の付勢作用を受ける突出部として構成されている。なお、上記したように下板25については上板21よりも高い剛性を備えることで、このフランジ52の当接による変形、破損が抑えられる。
To supplement the explanation of this installation work, when the suction structure V is raised relative to the
また、この取り付け作業時に吸引構造体Vに比較的大きな衝撃が加わって内筒5が瞬間的に傾いても、外筒33が内筒5に接することでその傾きが大きくなることが防止される。従って、接続パッド4の熱板2への接続位置が所望の位置からずれてしまうことが防止される。
In addition, even if a relatively large impact is applied to the suction structure V during the installation work, causing the
図4(b)を参照して基板Wの処理について説明すると、既述のように熱板2に取り付けられた吸引構造体Vの排気路形成部3の排気空間12が排気されることで、吸引路13を介して各吸引口21aから熱板2上の雰囲気が排気される。そのように吸引口21aからの排気が行われた状態で、基板Wが熱板2のギャップピン24上に載置される。この基板Wについて、周縁部が中心部に対して上方に位置するように反りが生じているとすると(図中、二点鎖線で表示)、当該基板Wの周縁部が下方に向けて吸引されて、反りが矯正される。よって、平坦な上板21からの距離が均一になった基板W(図中、実線で表示)を、全面に亘って均一に熱処理できる。そして、熱板2から基板Wが離れる際に、吸引口21aからの排気が停止する。
Referring to FIG. 4(b), the processing of the substrate W will be described. As described above, the
なお、吸引機構17による排気路形成部3の筐体31からの液体の排出が、任意のタイミングで行われる。上記した基板Wの処理中であってもよいし、基板Wの処理が行われていないタイミングであってもよい。この液体の排出は、複数枚の基板Wの処理後にまとめて行ってもよいし、基板Wの処理毎に行ってもよい。メンテナンス等のために熱板2に対して吸引構造体Vを取り外す際には、上記の取り付け作業時とは逆の作業が行われる。
The
以上に述べたように、熱処理装置1は、基板Wを吸引するための複数の吸引口21aを備える熱板2と、吸引構造体Vと、を備えており、吸引構造体Vは、排気路形成部3と、当該排気路形成部3から上方へ伸びて、吸引口21aに接続される吸引路13を各々形成する複数のロッド部40と、を備えている。そして、各ロッド部40は、接続パッド4を上方に備える内筒5について、排気路形成部3に対する高さが変位可能であると共に、下方へと高さが変位した際に、コイルばね6により上方に付勢される。従って、取り付けのために吸引構造体Vを熱板2に対して相対的に上昇させる際に、ロッド部40間での熱板2に対する接続パッド4及び内筒5の高さの差のばらつきを、内筒5の排気路形成部3に対する高さを変位させることで吸収しつつ、各接続パッド4を、熱板2に過度な荷重が加わらないように熱板2に押し付けられる。そのため、その吸引構造体Vの相対的な上昇により、各ロッド部40の吸引路13を吸引口21aに一括して接続することができる。例えば、吸引路をなすための配管等を固定具を使って熱板2の吸引口21aに個々に接続するようなケースに比べれば、この吸引構造体Vの熱板2への接続作業は簡便に行うことができるし、取り外しも容易となる。そのため、吸引構造体V及び熱板2の各々についてのメンテナンスが容易である。
As described above, the
(変形例)
熱板2は、上板21及び板支持部22で構成されているが、これに限らず、厚くして剛性を向上させた上板21のみで構成されていてもよい。吸引口21aは、8個に設けられているが、基板Wの矯正を行うことができる程度に複数設けられていればこれに限らない。また、熱板2の吸引口21aのレイアウトは任意のものとすることができ、例えば熱板2の中央部に吸引口21aが設けられていてもよい。ロッド部40については吸引口21aの配置に応じたものとすればよく、既述の例に限られない。なお、既述した形状の基板Wを処理することには限られない。例えば反りが形成されていない基板Wを処理してもよく、熱板2からの吸引が行われることで処理室71での排気による熱板2上での位置ずれが防止されるという観点から、当該基板Wに対しても均一性高い熱処理を行うことができる。
(Modification)
The
接続パッド4、内筒5、及び外筒33は、筒形状であるが、これに限定されず、四角柱などの他の形状であってもよい。また、設置溝51及び筒用シール部材56については、内筒5の外周面に設けることに限られず、外筒33の内周面に設けられていてもよい。以降も、設置溝51及び筒用シール部材56について、内筒の外周面及び外筒の内周面のうちの一方側に設ける例を示すが、表示した例に限られず他方側に設けることができる。
The
また、コイルばね6の強度次第では、フランジ52について内筒5の比較的下方に設け、下板25に当接しない構成としてもよい。つまり、上板21に対する内筒5の高さを規制する高さ規制部が設けられない構成であってもよい。ただし、高さ規制部としてフランジ52を設けることで、上記したように上板21への負荷を確実に抑えることができる。また、コイルばね6の選定について比較的強度が高いものを用いることができ、部材の選択の幅が広がることになる。なお、コイルばね6や後述する他のばねについて、金属であることには限られず、樹脂等により構成してもよい。
Depending on the strength of the
(第2実施形態)
図5に基づいて、本開示の第2実施形態における吸引構造体VAについて説明する。尚、以降の各実施形態の説明では、第1実施形態との差異点を中心に説明し、第1実施形態と同様の構成については説明を省略する。図5は、図4と同様な部分断面図を示している。
Second Embodiment
The suction structure VA in the second embodiment of the present disclosure will be described with reference to Fig. 5. In the following description of each embodiment, differences from the first embodiment will be mainly described, and the description of the same configuration as the first embodiment will be omitted. Fig. 5 shows a partial cross-sectional view similar to Fig. 4.
本実施形態の吸引構造体VAではロッド部40の代わりに、二重筒構造をなすロッド部40Aを備えている。ただしロッド部40Aについて、内筒は排気路形成部3の筐体31の上面34に固定され、外筒がコイルばね6による付勢力を受けると共に筐体31に対して昇降可能な構成とされ、接続パッド4は外筒に設けられている。このロッド部40Aの外筒を81、内筒を82とすると、外筒81は、第1実施形態の内筒5と概ね同様に構成されているが、フランジについては上下2段に互いに離れて設けられており、上方側のフランジ(高さ規制部)を83、下方側のフランジ(突出部)を84として示している。上方側のフランジ83が下板25に当接するように、吸引構造体VAは熱板2に取り付けられる。
In the suction structure VA of this embodiment, instead of the
内筒82は、第1実施形態の外筒33と概ね同様に構成されているが、外周面に設置溝51及び筒用シール部材56が設けられ、外筒81は筒用シール部材56に対して摺動可能である。コイルばね6は内筒82を囲むと共に、内筒82のフランジ33aと、外筒81のフランジ84との間に設けられている。以上の構成により、外筒81を内筒82に対して下方へ移動させると、コイルばね6が縮むことで外筒81を上方に向けて付勢し、第1実施形態と同様に接続パッド4を熱板2の上板21に密着させることができる。なお、上記した構成により、ロッド部40Aでは、接続パッド4、外筒81及び内筒82により、吸引路13が形成される。
The
この吸引構造体VAについても、吸引構造体Vと同様に熱板2に取り付けられ、同様の作用効果を奏する。ただし、ロッド部40Aについてはこの吸引路13を流れる気体から見て、内筒82の上端面が壁となる。排気路形成部3の排気空間12に至るまでの吸引路13の壁の形成を防ぎ、当該壁に液化あるいは固化した昇華物が付着して滞留することを防ぐという観点からは、第1実施形態のロッド部40のように内筒5が排気路形成部3に対して昇降する構成とすることが好ましい。
This suction structure VA is attached to the
なお、吸引路13を形成する高さ変位部へコイルばね6による付勢力を与えるためのフランジと、当該高さ変位部の高さ位置を規制するためのフランジとについてはロッド部40のように共通のものとすることに限られず、このロッド部40Aのように別体であってもよい。
The flange for applying the biasing force of the
ところで、この吸引構造体VAでは高さ変位部である外筒81及び接続パッド4に対して、下方にコイルばね6が設けられている。このように高さ変位部に付勢力を与える弾性部材としては、第1実施形態で示したように高さ変位部(第1実施形態では内筒5)の側方に位置することに限られない。
In this suction structure VA, a
(第3実施形態)
図6に基づいて、本開示の第3実施形態における吸引構造体VBについて説明する。この吸引構造体VBにおいて、ロッド部40に相当する部材(同様の役割を有する部材)をロッド部40Bとすると、このロッド部40Bは、外筒33を備えていない。そして、排気路形成部3の筐体31上における環状台座32の内周面に、設置溝51及び筒用シール部材56が設けられており、筒用シール部材56は、内筒5と環状台座32の内周面とに接してこれらの間の隙間をシールする。コイルばね6は、環状台座32上に設けられている。このような吸引構造体VBについても、吸引構造体Vと同様の効果を奏する。
Third Embodiment
Based on Fig. 6, the suction structure VB in the third embodiment of the present disclosure will be described. In this suction structure VB, if a member equivalent to the rod portion 40 (a member having a similar role) is the
なお環状台座32については、筒であると見ることもできるので、環状台座32と内筒5とによって、この吸引構造体VBにおいても、これまでに述べた各実施形態と同様に二重筒構造が形成されているとも言える。そのような二重筒構造を備える構成とすることには限られない。この吸引構造体VBにおいて環状台座32が設けられないものとする。また、内筒5と呼称していたものを、筒5と呼称する。例えば筐体31の上壁が肉厚であり、この筐体31の上面孔34aの内周面に設置溝51及び筒用シール部材56が設けられ、筒用シール部材56に対して筒5はその側周面が摺動するように昇降する構成とすることができる。なお、設置溝51及び筒用シール部材56については、上面孔34aの側周面の代わりに筒5の側周面に設けられてもよい。
The
ただし、外筒33及び環状台座32が設けられないことで既述した熱板2への取り付け作業時における内筒5(筒5)の傾きが大きくなるおそれが有る。この傾きを抑えて、各吸引口21a間で、接続パッド4の接続位置を揃えるためには、これまでに述べた二重筒構造とすることが好ましい。
However, the absence of the
(第4実施形態)
図7に基づいて、本開示の第4実施形態における吸引構造体VCについて説明する。吸引構造体VCは、ロッド部40に相当するロッド部40Cを備えている。ロッド部40Cはコイルばね6の代わりに、金属製の蛇腹状のばね(ベローズばね)6Cを備えている。ベローズばね6Cは、向きが互いに逆となる皿バネが交互に多数積層されると共に、互いに溶接されることで構成されており、皿バネの積層方向の両端部が圧縮される(互いに近づけられる)と、コイルばね6と同様に反発力を生じる。ロッド部40Cの外筒33には伸出部33bが設けられておらず、外筒33のフランジ33a上に当該ベローズばね6Cは、その下端が接続されており、内筒5を囲むと共に伸縮方向が鉛直方向となるように設けられている。
Fourth Embodiment
Based on Fig. 7, the suction structure VC in the fourth embodiment of the present disclosure will be described. The suction structure VC includes a
このロッド部40Cにおける内筒5の頭部53は、当該内筒5の胴部(頭部53の下方側)と一体的に形成されると共に、内筒5の外方へと広がるように形成されている。つまり、頭部53は、内筒5の外周面(外側面)に形成されたフランジ(上側フランジ)をなす。内筒5の上端部にはこの頭部53を含んだ縦長で円形のフランジ(第2フランジ)50が形成されており、このフランジ50にベローズばね6Cの上端が接続されている。このフランジ50としては、頭部53と、頭部53の下方に内筒5を囲んで設けられる円形の下部リング57と、により構成されている。また、下部リング57の下端は外方へと突出して、さらなるフランジ57bを形成し、当該フランジ57bが、第1実施形態のフランジ52と同様に、熱板2の下板25に当接することで、熱板2の上板21に対する内筒5の高さを規制する。
The
下部リング57は内筒5と同軸であり頭部53に支持されて設けられており、下部リング57の外径は、頭部53の外径と同じである。下部リング57の上面における孔縁部は上方に突出して環状突出部57aを形成し、その上端が頭部53の下面に接している。環状突出部57aの外側で、頭部53の下面と下部リング57の上面との間には、内筒5を囲むように、円環状の弾性体であるシール部材56Cが設けられ、頭部53の下面と、下部リング57の上面とに夫々密着している。
The lower ring 57 is coaxial with the
また、内筒5の胴部には環状突起53eが設けられ、下部リング57の内周面に設けられた凹部57cに進入しており、この環状突起53eによっても下部リング57は内筒5に支持されている。なお、下部リング57は内筒5と別体であるために、下部リング57と内筒5の外周面との間には隙間が形成されている。
The
この吸引構造体VCにおいては、コイルばね6の代わりにベローズばね6Cが伸縮することで、内筒5の排気路形成部3に対する高さが変化し、第1実施形態の吸引構造体Vと同様に熱板2への取り付けが行われ、同様の作用効果を奏する。また、この吸引構造体VCでは、内筒5あるいは外筒33に対して摺動する筒用シール部材56が設けられない。そのような摺動する部品が設けられないことは、メンテナンス頻度の低下を図ることができるため好ましい。
In this suction structure VC, the height of the
なお、排気路形成部3の筐体31における上面孔34aに連通する内筒5とベローズばね6Cとの間における空間、下部リング57と内筒5との間の隙間、上面孔34aと内筒5との間の隙間は、互いに連通する。これらの空間、隙間をまとめて連通空間と呼ぶことにすると、この連通空間は、上記したシール部材56Cにより、熱板2、排気路形成部3間の雰囲気と分離されており、連通空間による当該雰囲気の吸引が防止される。ベローズばね6Cは内筒5を上方に付勢する他に、シール用の第2環状体であるシール部材56Cと共に、この連通空間の雰囲気を熱板2、排気路形成部3間の雰囲気と区画する役割を有している。
The space between the
(第5実施形態)
図8に基づいて本開示の第5実施形態における、ロッド部40Dを備える吸引構造体VDについて説明する。熱板2に設ける吸引口21aのレイアウトによっては、1つの吸引口21aに対して、吸引路13を形成する部材を1つ設けることに限られない。また、吸引路13を形成する高さ変位部としても筒として構成することに限られない。ロッド部40Dは、内筒5の代わりに縦長のブロック5Dを排気路形成部3に対して高さが変位する高さ変位部として備え、このブロック5Dを鉛直方向に貫くように2つの貫通孔が設けられ、排気路形成部3の排気空間12に接続されている。ブロック5Dの上部にはこれらの貫通孔を囲むように、接続パッド4Dが設けられている。また、この接続パッド4Dの上端は、2つの吸引口21aを囲むように熱板2に接するように設けられる。
Fifth Embodiment
Based on Fig. 8, the suction structure VD having the
この吸引構造体VDでは第3実施形態で説明したように、外筒33及び環状台座32が設けられず、設置溝51及び筒用シール部材56が、上面孔34aの側周面に設けられる構成としている。ブロック5Dの側方に上下2段に縦断面視で左右に、側面に突出した突起58、59が設けられている。上側の突起58は第1実施形態のフランジ52と同じく、熱板2の下板25に当接することで高さ変位部の高さを規制する。このように高さ変位部の位置を規制する高さ規制部については、高さ変位部の全周を囲むフランジとして形成することには限られない。下側の突起59は、フランジ52と同じくコイルばねによる付勢力を得るために設けられており、この突起58と筐体31の上面34との間にコイルばね6Dが設けられている。図示のように、本例ではコイルばね6Dは、ブロック5Dの左右に各々設けられている。このように、高さ変位部を上方に付勢させるばねは、高さ変位部を囲んで設けることに限られない。
As described in the third embodiment, this suction structure VD does not have an
(第6実施形態)
図9に基づいて本開示の第6実施形態における、吸引構造体VEについて説明する。この吸引構造体VEにおける排気路形成部3は筐体31を備えておらず、熱板2の下面に対向する対向板36が設けられ、対向板36上に第1実施形態のロッド部40が複数設けられている。対向板36には、ロッド部40の外筒33内に連通する貫通孔38が設けられている。対向板36の下方から、貫通孔38に開口するように排気管37の上流端が接続され、当該排気管37の下流端が排気源11に接続されている。この吸引構造体VEでは、対向板36及び外筒33が熱板2から離れて設けられる隔離部、外筒33内が隔離部に設けられる開口部14に夫々相当し、貫通孔38及び排気管37によって開口部14に接続される排気路が形成されている。このように排気経路としては、筐体31内の排気空間12を備えるものに限られない。
Sixth Embodiment
Based on Fig. 9, the suction structure VE in the sixth embodiment of the present disclosure will be described. The exhaust
熱処理の対象の基板Wはレジストが塗布されていることに限られず、レジスト以外の反射防止膜、絶縁膜などの薬液が塗布された膜であってあってもよい。また、この基板Wとしては、半導体ウエハであることに限られず、例えばフラットパネルディスプレイ(FPD)製造用の基板のような角型の基板であってもよい。 The substrate W to be heat-treated is not limited to being coated with resist, but may be a film coated with a chemical solution such as an anti-reflection film or an insulating film other than resist. Furthermore, the substrate W is not limited to being a semiconductor wafer, but may be a rectangular substrate such as a substrate used in the manufacture of flat panel displays (FPDs).
続いて、基板熱処理装置1が加熱モジュール1Aとして設けられた塗布、現像装置10の構成について、図10の平面図、図11の側面図を参照して説明する。塗布、現像装置10は、キャリアブロックD1と、処理ブロックD2と、インターフェイスブロックD3と、が左右方向に順に接続されて構成され、インターフェイスブロックD3が露光機D4に接続される。キャリアブロックD1は、搬送容器Cのステージ85と、開閉部86と、開閉部86を介して搬送容器Cに対して基板Wを搬送する搬送機構87と、を備えている。
Next, the configuration of the coating and developing
処理ブロックD2は、階層E1~E6が下から順に積層されて構成されており、階層E1~E3がレジスト膜の形成用の階層で互いに同様に構成され、階層E4~E6が現像用の階層で互いに同様に構成されている。代表して階層E1について説明する。左右に延びる基板Wの搬送領域88が形成されており、当該搬送領域88には搬送機構F1が設けられている。搬送領域88の後方側には、加熱モジュール1Aが設けられている。搬送領域88の前方側には、レジスト膜形成モジュール89が複数、左右に並んで設けられている。
Processing block D2 is constructed by stacking levels E1 to E6 in order from the bottom up, with levels E1 to E3 being levels for forming resist films and constructed similarly to each other, and levels E4 to E6 being levels for development and constructed similarly to each other. Level E1 will be explained as a representative. A
階層E4~E6は、レジスト膜形成モジュール89の代りに現像モジュールが設けられること、加熱モジュール1AがPEB(Post Exposure Bake)を行うものであることを除いて、階層E1~E3と同様の構成である。なお、階層E2~E6における搬送機構F1に対応する搬送機構は、F2~F6として示している。また、処理ブロックD2には、搬送領域88におけるキャリアブロックD1側にて、階層E1~E6に跨がるようにタワーV1が設けられている。タワーV1は互いに積層された多数の受け渡しモジュールTRSを備えている。この受け渡しモジュールTRS間で搬送を行う搬送機構90が設けられている。
The levels E4 to E6 have the same configuration as the levels E1 to E3, except that a development module is provided instead of the resist film formation module 89, and the heating module 1A performs PEB (Post Exposure Bake). The transport mechanisms corresponding to the transport mechanism F1 on levels E2 to E6 are shown as F2 to F6. In addition, the processing block D2 is provided with a tower V1 on the carrier block D1 side of the
インターフェイスブロックD3は、複数のモジュールが互いに積層されて構成されるタワーV2、V3、V4を備えている。タワーV2~V4に含まれるモジュールの詳細の説明は省略するが、タワーV2のモジュールとしては多段に積層された受け渡しモジュールTRSが含まれる。図中の符号91、92、93は、タワーV2、V3間、タワーV3、V4間、タワーV2と露光機D4間で、基板Wを夫々受け渡す搬送機構である。
The interface block D3 includes towers V2, V3, and V4, which are constructed by stacking multiple modules on top of each other. A detailed description of the modules included in towers V2 to V4 will be omitted, but the modules of tower V2 include a transfer module TRS that is stacked in multiple stages.
塗布、現像装置10において基板Wは、搬送容器Cから搬送機構87を介してタワーV1に搬送された後、搬送機構90を介して階層E1~E3のいずれかに搬入される。そして当該基板Wは搬送機構F1~F3により、レジスト膜形成モジュール89→加熱モジュール1A→タワーV2の順で搬送される。それにより、レジスト膜の形成、熱処理が順次行われる。然る後、基板Wは搬送機構91~93によりタワーV2~V4間を受け渡されて、露光機D4に搬送され、レジスト膜が回路パターンに沿って露光される。
In the coating and developing
露光済みの基板Wは、搬送機構91~93によりタワーV2~V4間を受け渡されて、階層E4~E6に搬入され、搬送機構F4~F6により加熱モジュール1A→現像モジュールの順で搬送されることで、PEB、現像処理が順に行われ、レジストパターンが形成される。その後基板Wは、タワーV1、搬送機構90、87を介して搬送容器Cに戻される。
The exposed substrate W is transferred between towers V2-V4 by transport mechanisms 91-93 and loaded onto levels E4-E6, and then transported by transport mechanisms F4-F6 to the heating module 1A and then the developing module, where it is subjected to PEB and development processing in that order, forming a resist pattern. The substrate W is then returned to the transport container C via tower V1 and
今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。 The embodiments disclosed herein should be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The above-described embodiments may be omitted, substituted, modified, and combined in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.
W 基板
2 熱板
3 排気路形成部
4 接続パッド
5 内筒
6 第2弾性部材
12 排気空間
13 吸引路
14 開口部
21a 吸引口
31 筐体
Claims (18)
前記熱板の上面に複数開口し、前記基板を各々吸引するための吸引口と、
前記熱板の下方に当該熱板から離れて形成される隔離部と、前記熱板に向けて開口するように前記隔離部に複数設けられる開口部と、前記各開口部が接続される排気路と、を備える排気路形成部と、
前記排気路形成部に対する高さが変位可能であり、前記隔離部の上方に突出して前記開口部毎に設けられる高さ変位部と、
前記高さ変位部の上側に各々接続され、第1弾性部材によって形成される接続部と、
前記各接続部により上流端が形成されると共に下流端が前記排気路に接続されるように、前記接続部の上端から前記高さ変位部に亘って設けられる吸引路と、
前記各高さ変位部を上方に付勢し、前記複数の吸引口に前記吸引路を各々接続するための第2弾性部材と、
を備える基板熱処理装置。 A hot plate for heating the placed substrate;
a plurality of suction ports formed on an upper surface of the heat plate for sucking the substrate;
An exhaust path forming part including a separating part formed below the hot plate and spaced apart from the hot plate, a plurality of openings provided in the separating part so as to open toward the hot plate, and an exhaust path to which each of the openings is connected;
a height variable portion that is variable in height relative to the exhaust path forming portion and that protrudes above the isolation portion and is provided for each of the openings;
a connecting portion connected to an upper side of each of the height displacement portions and formed by a first elastic member;
a suction passage provided from an upper end of the connection portion to the height displacement portion such that an upstream end is formed by each of the connection portions and a downstream end is connected to the exhaust passage;
a second elastic member for urging each of the height displacement portions upward and connecting each of the suction paths to the plurality of suction ports;
A substrate heat treatment apparatus comprising:
前記接続部は、前記第1筒体に連接される接続用筒体であり、
前記第1筒体の外側面に突出する突出部が設けられ、
前記第2弾性部材は、前記突出部と、前記隔離部との間に設けられるばねである請求項4記載の基板熱処理装置。 the height displacement portion is a first cylindrical body provided for each of the suction ports,
the connecting portion is a connecting cylinder connected to the first cylinder,
A protrusion is provided on an outer surface of the first cylindrical body,
5. The substrate heat treatment apparatus according to claim 4, wherein the second elastic member is a spring provided between the protrusion and the isolation portion.
前記複数の吸引口が形成され、前記接続部が密着する上板と、
前記上板に対して離隔すると共に対向して設けられる下板を含み、当該上板を下方から支持する板支持部と、
前記下板において前記吸引口の下方に各々設けられる複数の下板貫通孔と、を備え、
前記第1筒体は、前記下板貫通孔に挿通される請求項5記載の基板熱処理装置。 The hot plate is
an upper plate in which the plurality of suction ports are formed and to which the connection portion is in close contact;
A plate support portion including a lower plate provided opposite to and spaced apart from the upper plate and supporting the upper plate from below;
a plurality of lower plate through holes each provided below the suction port in the lower plate;
The substrate heat treatment apparatus according to claim 5 , wherein the first cylinder is inserted into the lower plate through hole.
前記熱板の下面に対向する対向面と、
前記対向面に形成された複数の貫通孔と、
前記貫通孔の孔縁から上方に向けて伸びて、前記第1筒体を各々囲む複数の第2筒体と、
を備え、
前記第2筒体に囲まれる領域及び前記貫通孔により、前記開口部が形成される請求項10記載の基板熱処理装置。 The isolation unit includes:
An opposing surface facing the lower surface of the hot plate;
A plurality of through holes formed in the opposing surface;
a plurality of second cylindrical bodies extending upward from the edge of the through hole and surrounding the first cylindrical bodies respectively;
Equipped with
The substrate heat treatment apparatus of claim 10 , wherein the opening is formed by a region surrounded by the second cylinder and the through hole.
当該第1筒体及び当該第2筒体を囲むコイルばねである請求項11記載の基板熱処理装置。 The spring has a winding shaft extending along each of the cylinder axes of the first cylinder body and the second cylinder body,
12. The substrate heat treatment apparatus of claim 11, wherein the first cylinder and the second cylinder are surrounded by a coil spring.
前記ばねは蛇腹状であり、前記開口部の口縁部から上方に向けて伸びて前記第1筒体を囲み、前記第2フランジに接続される請求項5記載の基板熱処理装置。 the protrusion is a second flange;
6. The substrate heat treatment apparatus according to claim 5, wherein the spring is bellows-shaped, extends upward from the edge of the opening, surrounds the first cylindrical body, and is connected to the second flange.
前記第1筒体の外側面に隙間を介して設けられると共に前記ばねが接続される下部リングと、
前記下部リングの上方に位置し、前記外側面に形成される上側フランジと、を備え、
前記吸引防止部は、前記第1筒体を囲んで設けられて前記下部リングと前記上側フランジとの隙間をシールする第2環状体により構成される請求項13記載の基板熱処理装置。 The second flange is
a lower ring provided on an outer surface of the first cylindrical body via a gap and connected to the spring;
an upper flange formed on the outer surface and positioned above the lower ring;
14. The substrate heat treatment apparatus of claim 13, wherein the suction prevention portion is configured by a second annular body provided to surround the first cylindrical body and to seal a gap between the lower ring and the upper flange.
上面が前記熱板の下面に対向する対向面をなし、内部が前記排気路をなす筐体と、
前記排気路に流入した液体を除去するために前記筐体内の底部に開口する吸液口と、
を備え、
前記吸液口からの吸引を行う吸引機構が設けられる請求項1記載の基板熱処理装置。 The exhaust passage forming portion is
a housing having an upper surface that faces the lower surface of the hot plate and an inside that forms the exhaust path;
a liquid suction port opening at a bottom portion of the housing for removing liquid that has flowed into the exhaust path;
Equipped with
2. The substrate heat treatment apparatus according to claim 1, further comprising a suction mechanism for suctioning the liquid from the suction port.
熱板の上面に複数開口する吸引口から、前記基板を各々吸引して加熱する工程と、
前記熱板の下方に当該熱板から離れて形成される隔離部と、前記熱板に向けて開口するように前記隔離部に複数設けられる開口部と、前記各開口部が接続される排気路と、を備える排気路形成部における前記排気路を排気する工程と、
前記隔離部の上方に突出して前記開口部毎に設けられる高さ変位部の前記排気路形成部に対する高さを変位させる工程と、
前記高さ変位部の上側に各々接続され、第1弾性部材によって形成される接続部により上流端が形成されると共に下流端が前記排気路に接続されるように、前記接続部の上端から前記高さ変位部に亘って設けられる吸引路から前記排気路へ気体を吸引する行う工程と、
第2弾性部材により、前記各高さ変位部を上方に付勢し、前記複数の吸引口に前記吸引路を各々接続する工程と、
を備える基板熱処理方法。 placing a substrate on a hot plate;
a step of heating the substrate by sucking the substrate through a plurality of suction ports opened on the upper surface of a hot plate;
A step of exhausting the exhaust path in an exhaust path forming part, the exhaust path forming part including a separating part formed below the hot plate and spaced from the hot plate, a plurality of openings provided in the separating part so as to open toward the hot plate, and an exhaust path to which each of the openings is connected;
changing a height of a height change portion provided for each of the openings and protruding above the isolation portion with respect to the exhaust path forming portion;
a step of sucking gas from a suction passage provided from an upper end of the connection portion to the height displacement portion, the connection portion being connected to an upper side of each of the height displacement portions and formed of a first elastic member, such that an upstream end is formed by the connection portion and a downstream end is connected to the exhaust passage;
a step of biasing each of the height displacement portions upward by a second elastic member to connect the suction paths to the plurality of suction ports, respectively;
A method for heat treating a substrate comprising:
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