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JP2024082069A - Substrate heat treatment apparatus and substrate heat treatment method - Google Patents

Substrate heat treatment apparatus and substrate heat treatment method Download PDF

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JP2024082069A
JP2024082069A JP2022195785A JP2022195785A JP2024082069A JP 2024082069 A JP2024082069 A JP 2024082069A JP 2022195785 A JP2022195785 A JP 2022195785A JP 2022195785 A JP2022195785 A JP 2022195785A JP 2024082069 A JP2024082069 A JP 2024082069A
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Japan
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suction
hot plate
substrate
heat treatment
plate
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JP2022195785A
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Japanese (ja)
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響 大谷
Hibiki Otani
遼平 藤瀬
Ryohei Fujise
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Priority to CN202323253049.1U priority patent/CN221805448U/en
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/38Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
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Abstract

Figure 2024082069000001

【課題】基板を熱板の上面に設けられた複数の吸引口を介して吸引するにあたり、当該吸引を行うための吸引路と前記各吸引口との接続を容易に行う。
【解決手段】基板熱処理装置は、載置された基板を加熱する熱板と、前記熱板の上面に複数開口する吸引口と、前記熱板の下方に当該熱板から離れて形成される隔離部と、前記隔離部に複数設けられる開口部と、前記各開口部が接続される排気路と、を備える排気路形成部と、前記排気路形成部に対する高さが変位可能であり、前記隔離部の上方に突出して前記開口部毎に設けられる高さ変位部と、前記高さ変位部の上側に各々接続された接続部と、下流端が前記排気路に接続されるように、前記接続部の上端から前記高さ変位部に亘って設けられる吸引路と、前記各高さ変位部を上方に付勢し、前記複数の吸引口に前記吸引路を各々接続するための第2弾性部材と、を備える。
【選択図】図3

Figure 2024082069000001

When a substrate is sucked through a plurality of suction ports provided on the upper surface of a hot plate, a suction path for performing the suction can be easily connected to each of the suction ports.
[Solution] The substrate heat treatment apparatus comprises a hot plate for heating a substrate placed thereon, a plurality of suction ports opening on the upper surface of the hot plate, an isolation section formed below the hot plate and spaced apart from the hot plate, a plurality of openings provided in the isolation section, and an exhaust path forming section having an exhaust path to which each of the openings is connected, height displacement sections whose height relative to the exhaust path forming section is displaceable and which protrude above the isolation section and are provided for each of the openings, connection sections each connected to the upper side of the height displacement sections, suction paths provided from the upper end of the connection sections to the height displacement section so that a downstream end is connected to the exhaust path, and a second elastic member for biasing each of the height displacement sections upward and connecting each of the suction paths to the plurality of suction ports.
[Selected figure] Figure 3

Description

本開示は、基板熱処理装置、及び基板熱処理方法に関する。 This disclosure relates to a substrate heat treatment apparatus and a substrate heat treatment method.

例えば半導体デバイス製造におけるフォトリソグラフィなどを行う塗布、現像装置は、半導体ウエハ上に回路を形成するため、半導体ウエハ(以下、ウエハという)にレジスト膜の形成及び露光、露光箇所の現像、及び加熱などを行う様々な処理モジュールを含む。特許文献1には、加熱処理の一つとして露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させるベーキング処理を行うPEB(Post Exposure Bake)装置が記載されている。このPEB装置は、熱板の吸引口に接続される負圧発生装置の作用によりウエハの反りを矯正しつつ基板Wを加熱する構成とされている。 For example, a coating and developing apparatus for photolithography in semiconductor device manufacturing includes various processing modules that form and expose a resist film on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), develop the exposed areas, and heat the wafer in order to form a circuit on the wafer. Patent Document 1 describes a PEB (Post Exposure Bake) apparatus that performs a baking process to promote chemical reactions in the resist film after exposure as one type of heating process. This PEB apparatus is configured to heat the substrate W while correcting the warp of the wafer by the action of a negative pressure generator connected to the suction port of the heating plate.

特開2007-300047号公報JP 2007-300047 A

本開示は、基板を熱板の上面に設けられた複数の吸引口を介して吸引するにあたり、当該吸引を行うための吸引路と前記各吸引口との接続を容易に行うことができる技術を提供する。 This disclosure provides a technology that allows for easy connection of a suction path for suctioning a substrate through multiple suction ports provided on the upper surface of a heat plate to each of the suction ports.

本開示の基板熱処理装置は、載置された基板を加熱する熱板と、
前記熱板の上面に複数開口し、前記基板を各々吸引するための吸引口と、
前記熱板の下方に当該熱板から離れて形成される隔離部と、前記熱板に向けて開口するように前記隔離部に複数設けられる開口部と、前記各開口部が接続される排気路と、を備える排気路形成部と、
前記排気路形成部に対する高さが変位可能であり、前記隔離部の上方に突出して前記開口部毎に設けられる高さ変位部と、
前記高さ変位部の上側に各々接続され、第1弾性部材によって形成される接続部と、
前記各接続部により上流端が形成されると共に下流端が前記排気路に接続されるように、前記接続部の上端から前記高さ変位部に亘って設けられる吸引路と、
前記各高さ変位部を上方に付勢し、前記複数の吸引口に前記吸引路を各々接続するための第2弾性部材と、
を備える。
The substrate heat treatment apparatus of the present disclosure includes a heat plate for heating a substrate placed thereon;
a plurality of suction ports formed on an upper surface of the heat plate for sucking the substrate;
An exhaust path forming part including a separating part formed below the hot plate and spaced apart from the hot plate, a plurality of openings provided in the separating part so as to open toward the hot plate, and an exhaust path to which each of the openings is connected;
a height variable portion that is variable in height relative to the exhaust path forming portion and that protrudes above the isolation portion and is provided for each of the openings;
a connecting portion connected to an upper side of each of the height displacement portions and formed by a first elastic member;
a suction passage provided from an upper end of the connection portion to the height displacement portion such that an upstream end is formed by each of the connection portions and a downstream end is connected to the exhaust passage;
a second elastic member for urging each of the height displacement portions upward and connecting each of the suction paths to the plurality of suction ports;
Equipped with.

本開示は、基板を熱板の上面に設けられた複数の吸引口を介して吸引するにあたり、当該吸引を行うための吸引路と前記各吸引口との接続を容易に行うことができる。 This disclosure allows the substrate to be sucked through multiple suction ports provided on the upper surface of the heat plate, and makes it easy to connect the suction path for performing the suction to each of the suction ports.

本開示の第1実施形態に係る基板熱処理装置の縦断正面図である。1 is a vertical sectional front view of a substrate heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present disclosure; 前記基板熱処理装置の熱板及び吸引構造体を示す分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view showing a hot plate and a suction structure of the substrate heat treatment apparatus. 前記熱板及び前記吸引構造体を示す拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the hot plate and the suction structure. 前記熱板及び前記吸引構造体の作用を示す拡大断面図である。5 is an enlarged cross-sectional view showing the function of the hot plate and the suction structure. FIG. 第2実施形態に係る前記吸引構造体を示す拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing the suction structure according to the second embodiment. 第3実施形態に係る前記吸引構造体を示す拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing the suction structure according to the third embodiment. 第4実施形態に係る前記吸引構造体を示す拡大断面図である。FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing the suction structure according to the fourth embodiment. 第5実施形態に係る前記吸引構造体を示す拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view showing the suction structure according to the fifth embodiment. 第6実施形態に係る前記吸引構造体を示す拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view showing the suction structure according to the sixth embodiment. 本開示の基板熱処理装置が設けられる塗布、現像装置の平面図である。1 is a plan view of a coating and developing apparatus in which a substrate heat treatment apparatus according to the present disclosure is provided. 前記塗布、現像装置の側面図である。FIG.

(第1実施形態)
本開示に係る基板熱処理装置1について、図1の縦断正面図を参照しながら説明する。
基板熱処理装置1は、後述する塗布、現像装置10に多数設けられるウエハW(以下、基板Wという)の熱処理装置であって、例えばレジスト塗布後、露光前にレジスト膜を乾燥させるためのPAB(Post Apply Bake)を行う装置である。
First Embodiment
A substrate heat treatment apparatus 1 according to the present disclosure will be described with reference to the vertical sectional front view of FIG.
The substrate heat treatment apparatus 1 is a heat treatment apparatus for wafers W (hereinafter referred to as substrates W) which are provided in large numbers in a coating and developing apparatus 10 described later, and is an apparatus which performs PAB (Post Apply Bake) to dry a resist film after resist coating and before exposure.

基板熱処理装置1は、外装体を構成する筐体61と、筐体61に形成された基板Wの搬送口62及び区画板63と、を備えている。区画板63は、筐体61内の上下を仕切る。筐体61内には、基板Wを熱処理する熱処理機構1Hと、搬送口62を介して外部の主搬送機構から受け取った基板Wを熱処理機構1Hまで搬送する基板移載機構1Tと、が設けられている。熱処理機構1Hは、搬送口62から見て奥側に配置され、基板移載機構1Tは、搬送口62から見て熱処理機構1Hの手前側に配置されている。 The substrate heat treatment apparatus 1 comprises a housing 61 constituting an exterior body, and a substrate W transport port 62 and a partition plate 63 formed in the housing 61. The partition plate 63 separates the upper and lower parts of the housing 61. Inside the housing 61, there are provided a heat treatment mechanism 1H that heat treats the substrate W, and a substrate transfer mechanism 1T that transports the substrate W received from the external main transport mechanism via the transport port 62 to the heat treatment mechanism 1H. The heat treatment mechanism 1H is located at the rear side as viewed from the transport port 62, and the substrate transfer mechanism 1T is located at the front side of the heat treatment mechanism 1H as viewed from the transport port 62.

基板移載機構1Tは、基板Wを載置し、かつ載置した熱処理後の基板Wの冷却機能を有する基板載置台64を有し、熱処理後の基板Wを例えば20℃程度に冷却する。基板移載機構1Tは、区画板63の上方において基板載置台64を手前側と奥側との間で移動させ、熱処理機構1Hを構成する後述の熱板2上へと、基板Wを搬送することができる。 The substrate transfer mechanism 1T has a substrate placement table 64 on which the substrate W is placed and which has a function of cooling the substrate W after heat treatment, and cools the substrate W after heat treatment, for example to about 20°C. The substrate transfer mechanism 1T can move the substrate placement table 64 between the front and rear sides above the partition plate 63, and transport the substrate W onto the heat plate 2 (described below) which constitutes the heat treatment mechanism 1H.

熱処理機構1Hは、蓋部65と、区画板63に取り付けられて蓋部65の下方に配置されるカップ体66と、熱板2と、支持部材69と、を備えている。区画板63に円形の開口部63aが形成されている。この開口部63a内に円形の熱板2が水平に配置されており、この熱板2の側周を囲むように当該熱板2を開口部63a内に支持するための環状の支持部材69が設けられており、この支持部材69はカップ体66の側壁の上部側に囲まれている。カップ体66の上端部が区画板63に接続されている。 The heat treatment mechanism 1H includes a lid 65, a cup body 66 attached to the partition plate 63 and positioned below the lid 65, a hot plate 2, and a support member 69. A circular opening 63a is formed in the partition plate 63. The circular hot plate 2 is positioned horizontally within the opening 63a, and an annular support member 69 is provided to surround the side periphery of the hot plate 2 and support the hot plate 2 within the opening 63a. The support member 69 is surrounded by the upper side of the side wall of the cup body 66. The upper end of the cup body 66 is connected to the partition plate 63.

このように各部材が配置されているためカップ体66は、熱板2の下方の領域を周囲の領域から区画している。なお、カップ体66の底壁は、熱板2の下面から離れて位置している。そして蓋部65は熱板2上に設けられ、蓋部65、熱板2、支持部材69によって処理容器が構成される。この処理容器は、蓋部65を昇降させる開閉機構67によって開閉可能であり、下降状態の蓋部65によって密閉空間である処理室71が形成される。 As each component is arranged in this manner, the cup body 66 separates the area below the hot plate 2 from the surrounding area. The bottom wall of the cup body 66 is located away from the underside of the hot plate 2. The lid portion 65 is provided on the hot plate 2, and the lid portion 65, hot plate 2, and support member 69 form a processing vessel. This processing vessel can be opened and closed by an opening and closing mechanism 67 that raises and lowers the lid portion 65, and the lid portion 65 in the lowered state forms a processing chamber 71, which is an enclosed space.

蓋部65の下面中央部には、処理室71の排気を行う排気口65aが設けられ、排気口65aには、工場の排気系統に一端側が接続される排気路の他端側が接続されている。基板Wを熱板2上に載置して熱処理を行う際には処理室71が形成され、当該処理室71が排気された状態で行われる。図1に示す74は、基板移載機構1Tと熱板2との間で基板Wの受け渡しを行うための昇降ピンである。昇降ピン74は、カップ体66の下部及び熱板2を貫通して配置され、昇降機構75により昇降可能に構成されている。昇降ピン74は、熱板2の上面に含まれた基板Wを載置する載置領域上に出没可能であって、基板Wを支持して昇降できる。 An exhaust port 65a is provided in the center of the underside of the lid 65 for exhausting the processing chamber 71, and the exhaust port 65a is connected to one end of an exhaust path, the other end of which is connected to the exhaust system of the factory. When the substrate W is placed on the hot plate 2 and heat treatment is performed, a processing chamber 71 is formed, and the processing chamber 71 is evacuated. 74 shown in FIG. 1 is a lifting pin for transferring the substrate W between the substrate transfer mechanism 1T and the hot plate 2. The lifting pin 74 is arranged to penetrate the lower part of the cup body 66 and the hot plate 2, and is configured to be able to be raised and lowered by the lifting mechanism 75. The lifting pin 74 can appear and disappear above the placement area on the upper surface of the hot plate 2 where the substrate W is placed, and can be raised and lowered while supporting the substrate W.

また、76は、外部の主搬送機構と基板移載機構1Tとの間で基板Wの受け渡しを行うための昇降ピンである。昇降ピン76は、区画板63及び基板載置台64を貫通して配置され、昇降機構77により昇降可能に構成されている。このため、昇降ピン76は、基板移載機構1Tの基板Wの載置領域上に出没可能であって、基板Wを支持して昇降できる。昇降ピン74、76は、それぞれ例えば3本(図1では2本のみ表示)ずつ設けられている。 Also, 76 is a lift pin for transferring the substrate W between the external main transport mechanism and the substrate transfer mechanism 1T. The lift pin 76 is arranged penetrating the partition plate 63 and the substrate placement table 64, and is configured to be capable of being raised and lowered by a lift mechanism 77. Therefore, the lift pin 76 can appear and disappear above the placement area of the substrate W of the substrate transfer mechanism 1T, and can support and raise and lower the substrate W. There are, for example, three lift pins each (only two are shown in FIG. 1) provided for each of the lift pins 74 and 76.

上記したように熱板2上に基板Wが載置されて熱処理される。その際に基板Wに反りが生じていると、基板Wと熱板2の上面との間の距離がばらつくことで、基板Wの温度にばらつきが生じてしまうことで、処理の均一性が損なわれてしまうおそれが有る。それが防止されるように、熱板2の上面には複数の吸引口21aが形成され、加熱処理中、基板Wは熱板2に向けて吸引される。熱板2の下方で上記のカップ体66が囲む空間に、その吸引口21aに接続される吸引路13を形成する部材(後述する吸引構造体V)が設けられる。 As described above, the substrate W is placed on the hot plate 2 and heat-treated. If the substrate W is warped during this process, the distance between the substrate W and the upper surface of the hot plate 2 will vary, causing variations in the temperature of the substrate W and potentially impairing the uniformity of the treatment. To prevent this, multiple suction ports 21a are formed on the upper surface of the hot plate 2, and the substrate W is sucked toward the hot plate 2 during heat treatment. A member (a suction structure V, described later) that forms a suction path 13 connected to the suction ports 21a is provided in the space surrounded by the cup body 66 below the hot plate 2.

この吸引構造体Vの吸引路13と、熱板2の吸引口21aとの接続は、ネジやボルトなどの固定具を用いずに行うことができ、さらに上記の複数の吸引口21aに対して一括して吸引路13が接続される。そのために熱板2に対する当該吸引構造体Vの着脱は容易であることから、熱板2、当該吸引構造体Vの各々のメンテナンスが容易である。後に詳しく述べるが、このような接続が行われるにあたり、吸引構造体Vのうちの熱板2に直接接する部位である接続部については、弾性部材により構成される。 The connection between the suction path 13 of the suction structure V and the suction port 21a of the hot plate 2 can be made without using fasteners such as screws or bolts, and the suction path 13 is connected to the above-mentioned multiple suction ports 21a all at once. This makes it easy to attach and detach the suction structure V to the hot plate 2, making maintenance of both the hot plate 2 and the suction structure V easy. As will be described in detail later, when making such a connection, the connection portion of the suction structure V that is in direct contact with the hot plate 2 is made of an elastic material.

ところで熱板2上で基板Wが熱処理されるにあたり、基板W表面のレジスト膜から発生する昇華物の多くは、蓋部65の排気口65aから排気されるが、一部は熱板2の吸引口21aから吸引される。吸引構造体Vは、この吸引した昇華物が冷却されることで生じた液体を排出し、熱処理装置1の外部へと除去できるようにも構成されている。 When the substrate W is heat-treated on the heat plate 2, most of the sublimates generated from the resist film on the surface of the substrate W are exhausted from the exhaust port 65a of the lid 65, but some are sucked in from the suction port 21a of the heat plate 2. The suction structure V is also configured to discharge the liquid generated by cooling the sucked in sublimates and remove it to the outside of the heat treatment device 1.

上記の接続部については吸引路13を形成することから、この昇華物に接することになる。そのため接続部については、当該昇華物を構成する材質に触れても劣化が防止ないしは抑制されるものを使用することが好ましい。この材質によっては、製造できる形状に制約が有る。つまり、接続部については複雑な形状とすることが難しい場合が有る。 The above-mentioned connection part forms the suction path 13, and therefore comes into contact with the sublimate. For this reason, it is preferable to use a connection part that prevents or suppresses deterioration even when it comes into contact with the material that constitutes the sublimate. Depending on this material, there are restrictions on the shape that can be manufactured. In other words, it may be difficult to make the connection part into a complex shape.

後に詳述するように、吸引構造体Vについてはこの接続部の下方に設けられて当該接続部と共に吸引路13を形成する部材(内筒5)を、弾性部材であるばねにより上方に付勢する構成とされている。それにより、接続部を複雑な形状としなくても熱板2に対して押し付けられて密着し、上記の吸引口21aと吸引路13との接続がなされる構成とされている。従って、接続部の形状の簡素化を可能としつつ、上記したように吸引構造体Vについての熱板2の容易な着脱が可能とされている。 As will be described in detail later, the suction structure V is configured such that a member (inner cylinder 5) that is provided below this connection and forms the suction path 13 together with the connection is biased upward by a spring, which is an elastic member. As a result, the connection is pressed against the hot plate 2 and tightly adheres to it, even without a complex shape, and the suction port 21a and the suction path 13 are connected. This allows the shape of the connection to be simplified, while also allowing for easy attachment and detachment of the hot plate 2 to the suction structure V as described above.

以下、熱板2について詳しく説明する。図1から図3に示すように、熱板2は、この載置領域を上面において構成する上板21と、上板21を下方から支持する板支持部22と、により構成されている。上板21は水平板として構成され、上板21の下面には給電されて発熱する複数のヒータ23(図1では1つのみ表示)が相互に間隔を空けて設けられている。これらのヒータ23により熱板2の載置領域の各部は、載置された基板Wを均一性高く熱処理できるように、予め設定された温度、例えば100~350℃に温度調節される。 The hot plate 2 will be described in detail below. As shown in Figures 1 to 3, the hot plate 2 is composed of an upper plate 21, which defines the mounting area on its upper surface, and a plate support portion 22, which supports the upper plate 21 from below. The upper plate 21 is configured as a horizontal plate, and a plurality of heaters 23 (only one is shown in Figure 1) that generate heat when powered are provided at intervals on the lower surface of the upper plate 21. These heaters 23 adjust the temperature of each part of the mounting area of the hot plate 2 to a preset temperature, for example, 100 to 350°C, so that the substrate W placed thereon can be heat-treated with high uniformity.

上板21の上面における載置領域には、基板Wを支持する凸部である複数のギャップピン24が設けられる。このギャップピン24は、熱板2との間に微小な隙間を形成して基板Wを載置し、熱板2に非接触な状態で載置された基板Wを熱板2からの輻射熱で加熱することができる。 In the mounting area on the top surface of the upper plate 21, multiple gap pins 24, which are protrusions that support the substrate W, are provided. The gap pins 24 form a small gap between them and the hot plate 2 to mount the substrate W, and the substrate W placed in a non-contact state with the hot plate 2 can be heated by radiant heat from the hot plate 2.

図2及び図3に示すように、上板21には、吸引口21aが例えば8個形成されている。各吸引口21aは、上板21を鉛直方向に貫通し、上板21の上面に載置された基板Wを吸引するように円形に構成されている。複数の吸引口21aは、載置領域において相互に間隔を空けて設けられ、詳細には、上板21の周縁に沿って等間隔で配置されている。 As shown in Figures 2 and 3, the upper plate 21 is formed with, for example, eight suction ports 21a. Each suction port 21a penetrates the upper plate 21 vertically and is circularly configured to suck in the substrate W placed on the upper surface of the upper plate 21. The multiple suction ports 21a are provided at intervals from each other in the placement area, and more specifically, are arranged at equal intervals along the periphery of the upper plate 21.

板支持部22は、上板21に対して離隔すると共に対向して設けられる水平な下板25と、下板25の上面に配置されて上板21の下面を支える複数の支柱26と、を備えており、下板25は上板21の輻射熱を上板21に向けて反射して、下方側の温度上昇を抑制する。なお下板25の厚さは、上板21の厚さよりも大きく、下板25の剛性については上板21の剛性よりも高い。 The plate support section 22 is provided with a horizontal lower plate 25 that is spaced apart from and faces the upper plate 21, and a number of supports 26 that are arranged on the upper surface of the lower plate 25 and support the lower surface of the upper plate 21. The lower plate 25 reflects the radiant heat of the upper plate 21 toward the upper plate 21, suppressing the temperature rise on the lower side. The thickness of the lower plate 25 is greater than the thickness of the upper plate 21, and the rigidity of the lower plate 25 is greater than the rigidity of the upper plate 21.

下板25には、上板21の吸引口21aの下方に各々設けられる下板貫通孔27が例えば8個形成されている。各下板貫通孔27は吸引口21aより径が大きい円形状を有しており、上方から見て吸引口21aに対して同心状に重なるように設けられている。 The lower plate 25 has, for example, eight lower plate through holes 27, each of which is provided below the suction port 21a of the upper plate 21. Each lower plate through hole 27 has a circular shape with a larger diameter than the suction port 21a, and is provided so as to overlap concentrically with the suction port 21a when viewed from above.

図2に示すように、熱処理機構1Hは、基板Wを熱板2の吸引口21aに向かって吸引するための吸引構造体Vを備えている。上記したように吸引構造体Vは熱板2に対して着脱自在であり、図2では熱板2から取り外された状態、図3では熱板2取り付けられた状態を夫々示すが、以下の説明では、特に記載しない限り熱板2に取り付けられている状態であるものとして説明する。 As shown in FIG. 2, the heat treatment mechanism 1H is equipped with a suction structure V for sucking the substrate W toward the suction port 21a of the hot plate 2. As described above, the suction structure V is detachable from the hot plate 2, and FIG. 2 shows it removed from the hot plate 2, while FIG. 3 shows it attached to the hot plate 2, but in the following explanation, it will be described as being attached to the hot plate 2 unless otherwise specified.

吸引構造体Vは、熱板2の下方に離れて配置される排気路形成部3と、排気路形成部3と熱板2の吸引口21aとを繋ぐように排気路形成部3から鉛直上方へ伸びるロッド部40を備えており、このロッド部40によって上記した吸引路13が形成される。ロッド部40は、吸引口21a及び下板貫通孔27に対応して1つずつ設けられるため、これらと同数の計8個設けられている。ロッド部40は、接続パッド4と、内筒5(第1筒体)と、コイルばね6と、外筒33(第2筒体)と、を備えている。 The suction structure V comprises an exhaust path forming part 3 arranged at a distance below the hot plate 2, and a rod part 40 extending vertically upward from the exhaust path forming part 3 so as to connect the exhaust path forming part 3 and the suction port 21a of the hot plate 2, and the suction path 13 described above is formed by this rod part 40. The rod part 40 is provided in a total of eight parts, the same number as the suction ports 21a and the lower plate through holes 27, one each. The rod part 40 comprises a connection pad 4, an inner cylinder 5 (first cylinder), a coil spring 6, and an outer cylinder 33 (second cylinder).

排気路形成部3は平面視で円形の筐体31を備え、筐体31の内部は排気空間12として構成されている。筐体31の外側面に接続された排気管37を介して、排気空間12は排気源11(図1参照)に接続されており、装置の動作中に排気が行われ、ロッド部40の吸引路13を介して吸引口21aからの吸引が行われる。排気源11は、例えば熱処理装置1が設置される工場の排気路により構成され、排気管37には図示しないバルブが介設され、この排気源11による排気空間12が排気される状態と、排気が停止した状態と、を切替え可能である。また、筐体31の底部には、吸液口31aが開口しており、この吸液口31aには、配管を介して吸引機構17が接続されている。吸引機構17は例えばエジェクタにより構成されており、吸液口31aを介して筐体31底部上の吸引(吸液)を行い、熱処理装置1の外部へと液体を排出することで、排気空間12における当該液体の貯留を防止する。 The exhaust path forming part 3 has a circular housing 31 in a plan view, and the inside of the housing 31 is configured as an exhaust space 12. The exhaust space 12 is connected to the exhaust source 11 (see FIG. 1) through an exhaust pipe 37 connected to the outer surface of the housing 31, and exhaust is performed during operation of the device, and suction is performed from the suction port 21a through the suction path 13 of the rod part 40. The exhaust source 11 is configured, for example, by an exhaust path of a factory in which the heat treatment device 1 is installed, and a valve (not shown) is interposed in the exhaust pipe 37, and it is possible to switch between a state in which the exhaust space 12 is exhausted by the exhaust source 11 and a state in which exhaust is stopped. In addition, a liquid suction port 31a is opened at the bottom of the housing 31, and a suction mechanism 17 is connected to the liquid suction port 31a through a pipe. The suction mechanism 17 is configured, for example, by an ejector, and suction (liquid suction) on the bottom of the housing 31 through the liquid suction port 31a and discharges the liquid to the outside of the heat treatment device 1, thereby preventing the liquid from accumulating in the exhaust space 12.

筐体31の上面34(対向面)については熱板2の下面に対向するように水平に形成され、平面視で吸引口21に重なる位置に円形の上面孔34a(貫通孔)が鉛直に穿孔されており、当該上面孔34aは、排気空間12に開口している。この上面34を含む筐体31の上壁は、熱板2の下方に形成される隔離部をなす。筐体31の上面34には、環状台座32が設けられている。図2及び図3に示すように、環状台座32は、各上面孔34aの孔縁上に配置され、当該孔縁に沿って形成された円環部材である。環状台座32の下面には、上面孔34aの周に沿った環状の設置溝32aが形成されている。この設置溝32aには、弾性体である環状のシール部材35が、筐体31の上面34及び環状台座32の各々に密着して配置されている。それにより、熱板2と筐体31の上面34との間の領域の雰囲気が、環状台座32と筐体31の上面34との間の隙間を介して排気空間12へと排気されることが防止される。また環状台座32がなす孔の上部側は、下部側に対して段をなすように拡径されており、当該孔のうち、この段上における領域を拡径領域32bとして示している。 The upper surface 34 (opposing surface) of the housing 31 is formed horizontally so as to face the lower surface of the hot plate 2, and a circular upper surface hole 34a (through hole) is drilled vertically at a position overlapping the suction port 21 in a plan view, and the upper surface hole 34a opens into the exhaust space 12. The upper wall of the housing 31 including this upper surface 34 forms an isolation part formed below the hot plate 2. The upper surface 34 of the housing 31 is provided with an annular pedestal 32. As shown in Figures 2 and 3, the annular pedestal 32 is a circular member disposed on the hole edge of each upper surface hole 34a and formed along the hole edge. The lower surface of the annular pedestal 32 is formed with an annular installation groove 32a along the circumference of the upper surface hole 34a. In this installation groove 32a, an annular seal member 35, which is an elastic body, is disposed in close contact with each of the upper surface 34 of the housing 31 and the annular pedestal 32. This prevents the atmosphere in the area between the hot plate 2 and the upper surface 34 of the housing 31 from being exhausted to the exhaust space 12 through the gap between the annular pedestal 32 and the upper surface 34 of the housing 31. In addition, the upper side of the hole formed by the annular pedestal 32 is expanded in diameter to form a step with respect to the lower side, and the area of the hole above this step is shown as the expanded diameter area 32b.

続いて、ロッド部40を構成する各部材について説明する。外筒33は筒軸が鉛直方向に沿うように設けられる金属製の円筒体である。外筒33は上方に向う途中、その側面が、筒の外方に向かって張り出すことで、円形のフランジ33aを形成しており、フランジ33aは拡径領域32bに収まるように環状台座32に密着して配置されている。そして、外筒33の下端部の外周面は、上面孔34aを形成する周面及び環状台座32の内周面に各々接している。外筒33内は筐体31の排気空間12に連通しており、上面孔34aと共に、筐体31の上壁において上方へ向けて開口する開口部14をなす。また、外筒33におけるフランジ33aの上側の部位は環状台座32の上方へと伸出しており、当該部位を伸出部33bとする。 Next, each component that constitutes the rod portion 40 will be described. The outer tube 33 is a metal cylinder with the tube axis aligned vertically. As the outer tube 33 moves upward, its side surface projects outward to form a circular flange 33a, and the flange 33a is placed in close contact with the annular pedestal 32 so as to fit within the expanded diameter region 32b. The outer peripheral surface of the lower end of the outer tube 33 contacts the peripheral surface that forms the upper surface hole 34a and the inner peripheral surface of the annular pedestal 32. The inside of the outer tube 33 is connected to the exhaust space 12 of the housing 31, and together with the upper surface hole 34a, forms an opening 14 that opens upward in the upper wall of the housing 31. In addition, the upper part of the flange 33a of the outer tube 33 extends above the annular pedestal 32, and this part is called the extension part 33b.

内筒5は、筒軸が外筒33の筒軸と一致するように設けられる金属製の円筒体であり、その下部側は外筒33内に位置するため、内筒5と外筒33とは二重筒をなす。そして、内筒5の上部側は、外筒33から突出するように設けられる。即ち、内筒5は、外筒が形成する開口部14から上方に向けて伸びる。内筒5の下部側の外周面には、内筒5の側周に沿った設置溝51が形成されており、当該設置溝51には、弾性体であると共に環状の筒用シール部材56(吸引防止部)が設けられている。つまり筒用シール部材56は、内筒5の外周面において内筒5を囲むように配置されており、シール用の第1環状体に該当する。 The inner tube 5 is a metal cylinder whose axis coincides with the axis of the outer tube 33, and its lower side is located inside the outer tube 33, so that the inner tube 5 and the outer tube 33 form a double tube. The upper side of the inner tube 5 is arranged to protrude from the outer tube 33. That is, the inner tube 5 extends upward from the opening 14 formed by the outer tube. An installation groove 51 is formed on the outer peripheral surface of the lower side of the inner tube 5 along the side circumference of the inner tube 5, and an elastic and annular tube seal member 56 (suction prevention part) is provided in the installation groove 51. In other words, the tube seal member 56 is arranged on the outer peripheral surface of the inner tube 5 so as to surround the inner tube 5, and corresponds to the first annular sealing body.

例えばYパッキンである筒用シール部材56は、内筒5及び外筒33の各々に密着する。従って筒用シール部材56の下方側の内筒5と外筒33とがなす隙間と、熱板2と筐体31の上面34との間の領域とが区画され、当該隙間を介して当該領域の雰囲気が排気空間12へと排気されることが防止される。なお、このように吸引路13以外の不要な場所から排気空間12への排気を防止することは、吸引口21aからの吸引力を十分なものとして確保することに寄与する。このため第1環状体56は、熱板2と筐体31との間の領域と、開口部14との間を区画し、開口部14による熱板2と筐体31との間の領域の雰囲気の吸引を防ぐことができる。内筒5は外筒33に対して筒軸方向(即ち、鉛直方向)に昇降可能であり、その昇降の際に筒用シール部材56は、外筒33の内側面に対して摺動する。 The cylinder seal member 56, which is, for example, a Y-packing, is in close contact with each of the inner cylinder 5 and the outer cylinder 33. Therefore, the gap between the inner cylinder 5 and the outer cylinder 33 below the cylinder seal member 56 and the area between the hot plate 2 and the upper surface 34 of the housing 31 are partitioned, and the atmosphere of the area is prevented from being exhausted to the exhaust space 12 through the gap. In addition, preventing exhaust from unnecessary places other than the suction path 13 to the exhaust space 12 in this way contributes to ensuring sufficient suction force from the suction port 21a. Therefore, the first annular body 56 partitions the area between the hot plate 2 and the housing 31 and the opening 14, and can prevent the opening 14 from suctioning the atmosphere of the area between the hot plate 2 and the housing 31. The inner cylinder 5 can be raised and lowered in the cylinder axis direction (i.e., vertical direction) relative to the outer cylinder 33, and the cylinder seal member 56 slides against the inner surface of the outer cylinder 33 during the raising and lowering.

内筒5は上方に向う途中、その側面が筒の外方に向かって張り出すことで、円形のフランジ52(第1フランジ)を形成しており、このフランジ52は、外筒33の伸出部33bの上端よりも上方に位置する。フランジ52の外径は熱板2の下板貫通孔27の径よりも大きく、フランジ52は、熱板2の下板25の下方に位置する。内筒5においてフランジ52よりも上方側の部位を頭部53とすると、頭部53の径は下板25の下板貫通孔27の径よりも小さく、この頭部53は下板貫通孔27に挿通されて、下板25と上板21との間隙に位置する。なお、内筒5において、頭部53についてはフランジ52の下部側の部位よりも若干肉厚とされることで、当該下部側の部位よりもその外径が大きい。頭部53の上端部は内筒5の筒軸に向けて延伸されることで、筒口を縮小化させている。そして、縮小化された筒口の口縁部は上方に向けて突出することで、環状突出部53aとして形成されている。 As the inner tube 5 moves upward, its side projects outward to form a circular flange 52 (first flange), which is located above the upper end of the extension 33b of the outer tube 33. The outer diameter of the flange 52 is larger than the diameter of the lower plate through hole 27 of the hot plate 2, and the flange 52 is located below the lower plate 25 of the hot plate 2. If the part of the inner tube 5 above the flange 52 is the head 53, the diameter of the head 53 is smaller than the diameter of the lower plate through hole 27 of the lower plate 25, and this head 53 is inserted into the lower plate through hole 27 and located in the gap between the lower plate 25 and the upper plate 21. In the inner tube 5, the head 53 is made slightly thicker than the lower part of the flange 52, and therefore its outer diameter is larger than that of the lower part. The upper end of the head 53 is extended toward the axis of the inner tube 5, thereby reducing the size of the tube mouth. The rim of the reduced nozzle protrudes upward to form an annular protrusion 53a.

内筒5の頭部53の上側には、上記した接続部である接続パッド4が設けられている。この接続パッド4の概略形状としては短い円筒であり、接続用筒体として構成される当該接続パッド4と内筒5とは平面視で互いの筒軸が一致するように連接され、上方から見て接続パッド4は、頭部53の上面内に収まるように形成されている。 The connection pad 4, which is the connection part described above, is provided on the upper side of the head 53 of the inner tube 5. The general shape of this connection pad 4 is a short cylinder, and the connection pad 4 and the inner tube 5, which are configured as a connection cylinder, are connected so that their cylindrical axes coincide in a plan view, and the connection pad 4 is formed to fit within the upper surface of the head 53 when viewed from above.

接続パッド4は、下方に向うにつれて末広がりとなる基部41と、上方に向かうにつれて末広がりとなる接続本体部42と、を有している。基部41は内筒5に嵌合する部位であり、頭部53の環状突出部53aを囲むように設けられている。基部41の内周面は縦断面視で鉛直方向に伸び、環状突出部53aの外周面に接している。接続本体部42がなす筒口の口径については、上方に向うにつれて拡張する。そのため、接続本体部42としては喇叭状に形成されている。この接続本体部42の上端は、平面視で吸引口21aを囲むように位置する。なお、接続本体部42は後述のように吸引路13をなすが、このように形成されることにより、当該接続本体部42の内周面に昇華物から生じた液滴が付着しても自重によって滑落させて排気路形成部3の筐体31内へと落下させて吸液口31aから除去することができる。 The connection pad 4 has a base 41 that widens downward and a connection body 42 that widens upward. The base 41 is a portion that fits into the inner tube 5 and is provided to surround the annular protrusion 53a of the head 53. The inner peripheral surface of the base 41 extends vertically in a vertical cross-sectional view and is in contact with the outer peripheral surface of the annular protrusion 53a. The diameter of the tube mouth formed by the connection body 42 expands upward. Therefore, the connection body 42 is formed in a horn shape. The upper end of the connection body 42 is positioned to surround the suction port 21a in a plan view. The connection body 42 forms the suction path 13 as described later, and by being formed in this way, even if droplets generated from the sublimate adhere to the inner peripheral surface of the connection body 42, they can be slid down by their own weight into the housing 31 of the exhaust path forming part 3 and removed from the liquid suction port 31a.

この接続パッド4は第1弾性部材である。接続パッド4の接続本体部42の上端は、後述するコイルばね6の作用によって、熱板2の上板21における下面の吸引口21aの周囲に、下方から押し付けられている。さらに詳しく述べると、コイルばね6の押圧力によって接続本体部42は高さが小さくなるように撓むと共に、接続パッド4の復元力によって上板21の吸引口21aの周囲に密着した状態となっている。 This connection pad 4 is the first elastic member. The upper end of the connection body 42 of the connection pad 4 is pressed from below against the periphery of the suction port 21a on the lower surface of the upper plate 21 of the hot plate 2 by the action of the coil spring 6 described below. More specifically, the pressing force of the coil spring 6 causes the connection body 42 to bend so as to reduce its height, and the restoring force of the connection pad 4 causes it to be in close contact with the periphery of the suction port 21a of the upper plate 21.

接続パッド4の接続本体部42及び内筒5によって囲まれる空間が上記した吸引路13であり、吸引口21aと、排気路形成部3の排気空間12とを接続している。従って吸引路13としては、接続本体部42の上端から内筒5の下端に亘るように鉛直方向に伸びるように形成されており、当該接続本体部42によって形成される部位については上方に向かうにつれて拡張されている。 The space surrounded by the connection body 42 of the connection pad 4 and the inner tube 5 is the suction path 13 described above, which connects the suction port 21a to the exhaust space 12 of the exhaust path forming part 3. Therefore, the suction path 13 is formed to extend vertically from the upper end of the connection body 42 to the lower end of the inner tube 5, and the portion formed by the connection body 42 expands as it moves upward.

接続パッド4を構成する材質については、上記のように復元力を利用して熱板2へ密着することができ、熱板2に接続された際に熱板2と内筒5とを比較的大きく断熱できるものであれば、特に制約は無い。具体的には例えば、シリコーンゴム、フッ素ゴム、またはバイトン(商標名)等の合成ゴムなどによって形成することができる。フッ素ゴムとしては耐薬性が比較的高いパーフルオロエラストマを用いることが好ましい。このパーフルオロエラストマは例えば、4フッ化エチレンパーフルオロメチルビニルエーテル共重合体、又は4フッ化エチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体である。 There are no particular restrictions on the material that constitutes the connection pad 4, so long as it can adhere to the hot plate 2 by utilizing the restoring force as described above, and can provide relatively large thermal insulation between the hot plate 2 and the inner tube 5 when connected to the hot plate 2. Specifically, it can be made of, for example, silicone rubber, fluororubber, or synthetic rubber such as Viton (trade name). It is preferable to use a perfluoroelastomer as the fluororubber, which has relatively high chemical resistance. This perfluoroelastomer is, for example, a tetrafluoroethylene perfluoromethylvinyl ether copolymer, or a tetrafluoroethylene perfluoroalkylvinyl ether copolymer.

なお、接続パッド4についてはこのような形状に限られず、例えば蛇腹形状とすることで上方へ向うにつれて末広がりとなる部位が複数設けられるように構成してもよく、上下の伸縮性が比較的高くなるようにしてもよい。ただし、接続パッド4として示したように簡素な構成とすることで高度な成型技術は不要となり、使用することができる材料の選択の幅を広くすることができるので有利である。 The connection pad 4 is not limited to this shape, and may be bellows-shaped, for example, so that it has multiple sections that widen as they go upward, and it may have relatively high vertical flexibility. However, a simple configuration such as that shown for the connection pad 4 is advantageous because it does not require advanced molding techniques and allows for a wider range of materials to be selected.

上記の内筒5のフランジ52(突出部)と外筒33のフランジ33aとの間に、第2弾性部材である例えば金属製のコイルばね6が設けられている。コイルばね6の巻軸は、内筒5及び外筒33の各筒軸に揃う。従って、当該巻軸は、各筒軸に沿って伸びる。そして、コイルばね6の巻き線は、内筒5及び外筒33を囲む。従って、コイルばね6は内筒5の側方に位置している。コイルばね6によりフランジ52は下板25に当接されており、フランジ52ひいては内筒5は上方に付勢された状態となっている。そのような高さに内筒5が位置することで、接続パッド4は上記したように上板21に押し付けられて密着した状態となっている。なお、下板25については、上記したように上板21に比べて剛性が高く、このフランジ52の当接の影響が抑えられる。 Between the flange 52 (protruding portion) of the inner tube 5 and the flange 33a of the outer tube 33, a coil spring 6 made of metal, for example, is provided as a second elastic member. The winding axis of the coil spring 6 is aligned with the respective cylinder axes of the inner tube 5 and the outer tube 33. Therefore, the winding axis extends along each cylinder axis. The winding of the coil spring 6 surrounds the inner tube 5 and the outer tube 33. Therefore, the coil spring 6 is located on the side of the inner tube 5. The flange 52 is abutted against the lower plate 25 by the coil spring 6, and the flange 52 and therefore the inner tube 5 are in an upwardly biased state. By positioning the inner tube 5 at such a height, the connection pad 4 is pressed against the upper plate 21 and in close contact with it as described above. As described above, the lower plate 25 has a higher rigidity than the upper plate 21, and the influence of the abutment of the flange 52 is suppressed.

コイルばね6及び内筒5について、吸引構造体Vが熱板2から取り外されているものとして、さらに説明する。排気路形成部3の高さが固定された状態で、高さ変位部をなす内筒5を鉛直下方に向けて押圧した際には、この内筒5のフランジ52によって下方へ押し付けられることで、外筒33のフランジ33aへ向けてコイルばね6が縮み、内筒5は鉛直下方へと移動することができる。この際に、そのコイルばね6の復元力によって、内筒5は鉛直上方へ向かうように付勢される。内筒5の下方への押圧を停止した場合には、コイルばね6は元の長さに戻り、内筒5は上昇して元の高さに戻る。このように排気路形成部3に対する内筒5の高さを変化させることができ、例えば上記の内筒5の押圧がなされていないときには内筒5の下端は排気路形成部3の筐体31の排気空間12外に位置し、押圧がなされることで、当該内筒5の下端は排気空間12内に進入可能である。内筒5の高さ変更に伴って、接続パッド4の高さも変更される。上記したようにロッド部40については8つ設けられているが、内筒5へ加わる押圧力によって、内筒5及び接続パッド4の高さはその押圧力に応じた個々の高さとなる。つまり、ロッド部40間で、内筒5及び接続パッド4の高さは独立して変化する。 The coil spring 6 and the inner tube 5 will be further described assuming that the suction structure V is removed from the hot plate 2. When the height of the exhaust path forming part 3 is fixed and the inner tube 5 forming the height displacement part is pressed vertically downward, the flange 52 of the inner tube 5 presses the coil spring 6 downward, contracting the coil spring 6 toward the flange 33a of the outer tube 33, and the inner tube 5 can move vertically downward. At this time, the restoring force of the coil spring 6 urges the inner tube 5 vertically upward. When the downward pressing of the inner tube 5 is stopped, the coil spring 6 returns to its original length, and the inner tube 5 rises and returns to its original height. In this way, the height of the inner tube 5 relative to the exhaust path forming part 3 can be changed. For example, when the inner tube 5 is not pressed, the lower end of the inner tube 5 is located outside the exhaust space 12 of the housing 31 of the exhaust path forming part 3, and when pressed, the lower end of the inner tube 5 can enter the exhaust space 12. As the height of the inner tube 5 changes, the height of the connection pad 4 also changes. As described above, there are eight rod portions 40, but depending on the pressure applied to the inner tube 5, the height of the inner tube 5 and the connection pad 4 will be different depending on the pressure. In other words, the height of the inner tube 5 and the connection pad 4 changes independently between the rod portions 40.

熱処理装置1は、コンピュータにより構成される制御部100を備えており、プログラム及びメモリを備えている。プログラムには、熱処理装置1における後述の基板Wの熱処理を実施することができるようにステップ群が組み込まれており、当該プログラムによって制御部100は、各部に制御信号を出力して動作を制御する。具体的には、排気源11を用いた吸引構造体Vの排気、開閉機構67による蓋部65の昇降、昇降機構75、77による昇降ピン74、76の昇降、ヒータ23による熱板2の昇温などの各動作が、制御信号によって制御される The heat treatment apparatus 1 is equipped with a control unit 100 configured by a computer, and is equipped with a program and a memory. The program incorporates a group of steps so that the heat treatment of the substrate W described below can be performed in the heat treatment apparatus 1, and the control unit 100 outputs control signals to each part according to the program to control the operation. Specifically, each operation such as exhausting the suction structure V using the exhaust source 11, raising and lowering the lid part 65 by the opening and closing mechanism 67, raising and lowering the lifting pins 74 and 76 by the lifting mechanisms 75 and 77, and heating the heat plate 2 by the heater 23 is controlled by the control signal.

以上のように構成された吸引構造体Vへの熱板2への取付け作業から、基板Wの処理に至るまでの手順について説明する。作業者は、吸引構造体Vを、熱板2の下方に配置する。その際に、各ロッド部40が、熱板2の下板25の下板貫通孔27の下方に位置させる。図4(a)はこのように配置されたロッド部40の一つを示している。そして、作業者は吸引構造体Vにおける排気路形成部3を熱板2に対して相対的に上昇させて、各ロッド部40を下板貫通孔27に挿通させ、一のロッド部40の上端部を形成する接続パッド4が、熱板2の上板21の下面における吸引口21aの周囲に接する。 The procedure from the attachment of the suction structure V configured as above to the hot plate 2 to the processing of the substrate W will be described. The worker places the suction structure V below the hot plate 2. At that time, each rod portion 40 is positioned below the lower plate through-hole 27 of the lower plate 25 of the hot plate 2. Figure 4 (a) shows one of the rod portions 40 arranged in this manner. Then, the worker raises the exhaust path forming portion 3 of the suction structure V relative to the hot plate 2, inserts each rod portion 40 into the lower plate through-hole 27, and the connection pad 4 forming the upper end portion of one rod portion 40 comes into contact with the periphery of the suction port 21a on the lower surface of the upper plate 21 of the hot plate 2.

さらに吸引構造体Vを相対的に上昇させることで当該一のロッド部40の接続パッド4は撓み、その復元力によって上板21の下面と接続パッド4とが密着し、ロッド部40内の吸引路13と吸引口21aとが接続された状態となる。その一方で、上板21からロッド部40を構成する接続パッド4及び内筒5は、下方へ向う応力を受ける。このように応力を受けることにより、接続パッド4及び内筒5は、外筒33に対して下方へと移動し、それによってコイルばね6が縮む。このコイルばね6の復元力によって、ロッド部40は上方へ向けて付勢された状態となることで、上記した接続パッド4と吸引口21aの周囲との密着状態が保たれる。 Furthermore, by raising the suction structure V relatively, the connection pad 4 of the one rod portion 40 bends, and the restoring force brings the lower surface of the upper plate 21 and the connection pad 4 into close contact, and the suction path 13 in the rod portion 40 and the suction port 21a are connected. Meanwhile, the connection pad 4 and inner tube 5 constituting the rod portion 40 from the upper plate 21 are subjected to a downward stress. By receiving such stress, the connection pad 4 and inner tube 5 move downward relative to the outer tube 33, thereby compressing the coil spring 6. The restoring force of this coil spring 6 biases the rod portion 40 upward, thereby maintaining the above-mentioned close contact between the connection pad 4 and the periphery of the suction port 21a.

吸引構造体Vの製造誤差による排気路形成部3上でのロッド部40間での高さのばらつきや、熱板2に対する吸引構造体Vの僅かな傾きなどの要因により、例えば上記のように一のロッド部40について吸引口21aへの接続がなされる一方で、他のロッド部40については吸引口21aへの接続がされていない状態となる。さらに吸引構造体Vが相対的に上昇することによって、他のロッド部40についても一のロッド部40と同様に吸引口21aへの接続がなされる。その一方で、先に接続がなされた一のロッド部40については、コイルばね6がさらに縮むことで、内筒5に設けられるフランジ52が、下板25の下板貫通孔27の孔縁に当接し、内筒5の上端と上板21との距離が一定に保たれる状態となる。 Due to factors such as the variation in height between the rod parts 40 on the exhaust path forming part 3 due to manufacturing errors of the suction structure V and the slight inclination of the suction structure V with respect to the hot plate 2, for example, one rod part 40 is connected to the suction port 21a as described above, while the other rod parts 40 are not connected to the suction port 21a. Furthermore, as the suction structure V rises relatively, the other rod parts 40 are also connected to the suction port 21a in the same way as the first rod part 40. On the other hand, for the first rod part 40 that was previously connected, the coil spring 6 further contracts, so that the flange 52 provided on the inner tube 5 abuts against the hole edge of the lower plate through hole 27 of the lower plate 25, and the distance between the upper end of the inner tube 5 and the upper plate 21 is kept constant.

さらに吸引構造体Vの相対的に上昇が続けられて、すべてのロッド部40について吸引口21aへの接続がなされると共に、フランジ52が下板25に当接する状態となったら、吸引構造体Vの相対的上昇を停止させ、熱板2と吸引構造体Vの取り付け作業の終了とする。既述した図3はこの作業終了時におけるロッド部40を示している。 The relative ascent of the suction structure V continues until all rod parts 40 are connected to the suction ports 21a and the flanges 52 come into contact with the lower plate 25. Then, the relative ascent of the suction structure V is stopped, and the installation of the hot plate 2 and the suction structure V is completed. Figure 3, which was mentioned above, shows the rod parts 40 at the end of this operation.

この取り付け作業について説明を補足すると、既述したように吸引構造体Vを熱板2に対して相対的に上昇させるにあたり、仮にコイルばね6の圧縮が比較的大きくなることで内筒5の上方への付勢力が大きくなるとする。それにより、内筒5が上板21に接近しすぎて接続パッド4を介して上板21に過度な応力が加わってしまうと、上板21の変形や破損を招くおそれが有る。しかし、上記のようにフランジ52が下板25に当接する構成であるため、内筒5の上板21への過度の接近が防止される。従って、フランジ52についてはコイルばね6による付勢作用を受ける役割の他に、内筒5の上板21に対する高さを規制し、上板21への荷重を抑える役割を有している。このように第1フランジであるフランジ52は、内筒5の高さを規制する高さ規制部及びコイルばね6の付勢作用を受ける突出部として構成されている。なお、上記したように下板25については上板21よりも高い剛性を備えることで、このフランジ52の当接による変形、破損が抑えられる。 To supplement the explanation of this installation work, when the suction structure V is raised relative to the hot plate 2 as described above, if the compression of the coil spring 6 becomes relatively large, the upward biasing force of the inner cylinder 5 becomes large. If the inner cylinder 5 approaches the upper plate 21 too closely and excessive stress is applied to the upper plate 21 through the connection pad 4, there is a risk of deformation or damage to the upper plate 21. However, since the flange 52 is configured to abut against the lower plate 25 as described above, excessive approach of the inner cylinder 5 to the upper plate 21 is prevented. Therefore, in addition to the role of receiving the biasing action of the coil spring 6, the flange 52 has the role of regulating the height of the inner cylinder 5 relative to the upper plate 21 and suppressing the load on the upper plate 21. In this way, the flange 52, which is the first flange, is configured as a height regulating part that regulates the height of the inner cylinder 5 and a protruding part that receives the biasing action of the coil spring 6. In addition, since the lower plate 25 has a higher rigidity than the upper plate 21 as described above, deformation and damage due to the abutment of the flange 52 are suppressed.

また、この取り付け作業時に吸引構造体Vに比較的大きな衝撃が加わって内筒5が瞬間的に傾いても、外筒33が内筒5に接することでその傾きが大きくなることが防止される。従って、接続パッド4の熱板2への接続位置が所望の位置からずれてしまうことが防止される。 In addition, even if a relatively large impact is applied to the suction structure V during the installation work, causing the inner cylinder 5 to tilt momentarily, the outer cylinder 33 comes into contact with the inner cylinder 5, preventing the tilt from becoming larger. Therefore, the connection position of the connection pad 4 to the hot plate 2 is prevented from shifting from the desired position.

図4(b)を参照して基板Wの処理について説明すると、既述のように熱板2に取り付けられた吸引構造体Vの排気路形成部3の排気空間12が排気されることで、吸引路13を介して各吸引口21aから熱板2上の雰囲気が排気される。そのように吸引口21aからの排気が行われた状態で、基板Wが熱板2のギャップピン24上に載置される。この基板Wについて、周縁部が中心部に対して上方に位置するように反りが生じているとすると(図中、二点鎖線で表示)、当該基板Wの周縁部が下方に向けて吸引されて、反りが矯正される。よって、平坦な上板21からの距離が均一になった基板W(図中、実線で表示)を、全面に亘って均一に熱処理できる。そして、熱板2から基板Wが離れる際に、吸引口21aからの排気が停止する。 Referring to FIG. 4(b), the processing of the substrate W will be described. As described above, the exhaust space 12 of the exhaust path forming part 3 of the suction structure V attached to the hot plate 2 is exhausted, and the atmosphere above the hot plate 2 is exhausted from each suction port 21a through the suction path 13. With the exhaust from the suction port 21a in this state, the substrate W is placed on the gap pin 24 of the hot plate 2. If the substrate W is warped such that the peripheral portion is located above the center portion (shown by a two-dot chain line in the figure), the peripheral portion of the substrate W is sucked downward to correct the warp. Thus, the substrate W (shown by a solid line in the figure) whose distance from the flat upper plate 21 is uniform can be uniformly heat-treated over the entire surface. Then, when the substrate W leaves the hot plate 2, exhaust from the suction port 21a stops.

なお、吸引機構17による排気路形成部3の筐体31からの液体の排出が、任意のタイミングで行われる。上記した基板Wの処理中であってもよいし、基板Wの処理が行われていないタイミングであってもよい。この液体の排出は、複数枚の基板Wの処理後にまとめて行ってもよいし、基板Wの処理毎に行ってもよい。メンテナンス等のために熱板2に対して吸引構造体Vを取り外す際には、上記の取り付け作業時とは逆の作業が行われる。 The suction mechanism 17 discharges the liquid from the housing 31 of the exhaust path forming part 3 at any time. This may be during the processing of the substrate W described above, or at a time when the substrate W is not being processed. This discharge of the liquid may be performed all at once after processing multiple substrates W, or may be performed after each substrate W is processed. When removing the suction structure V from the heat plate 2 for maintenance or the like, the reverse of the above-mentioned installation work is performed.

以上に述べたように、熱処理装置1は、基板Wを吸引するための複数の吸引口21aを備える熱板2と、吸引構造体Vと、を備えており、吸引構造体Vは、排気路形成部3と、当該排気路形成部3から上方へ伸びて、吸引口21aに接続される吸引路13を各々形成する複数のロッド部40と、を備えている。そして、各ロッド部40は、接続パッド4を上方に備える内筒5について、排気路形成部3に対する高さが変位可能であると共に、下方へと高さが変位した際に、コイルばね6により上方に付勢される。従って、取り付けのために吸引構造体Vを熱板2に対して相対的に上昇させる際に、ロッド部40間での熱板2に対する接続パッド4及び内筒5の高さの差のばらつきを、内筒5の排気路形成部3に対する高さを変位させることで吸収しつつ、各接続パッド4を、熱板2に過度な荷重が加わらないように熱板2に押し付けられる。そのため、その吸引構造体Vの相対的な上昇により、各ロッド部40の吸引路13を吸引口21aに一括して接続することができる。例えば、吸引路をなすための配管等を固定具を使って熱板2の吸引口21aに個々に接続するようなケースに比べれば、この吸引構造体Vの熱板2への接続作業は簡便に行うことができるし、取り外しも容易となる。そのため、吸引構造体V及び熱板2の各々についてのメンテナンスが容易である。 As described above, the heat treatment apparatus 1 includes a hot plate 2 having a plurality of suction ports 21a for sucking the substrate W, and a suction structure V. The suction structure V includes an exhaust path forming portion 3 and a plurality of rod portions 40 each extending upward from the exhaust path forming portion 3 and forming a suction path 13 connected to the suction port 21a. Each rod portion 40 can be displaced in height relative to the exhaust path forming portion 3 with respect to the inner tube 5 having the connection pad 4 on the upper side, and is biased upward by the coil spring 6 when the height is displaced downward. Therefore, when the suction structure V is raised relative to the hot plate 2 for installation, the variation in the difference in height between the connection pad 4 and the inner tube 5 relative to the hot plate 2 between the rod portions 40 is absorbed by displacing the height of the inner tube 5 relative to the exhaust path forming portion 3, and each connection pad 4 is pressed against the hot plate 2 so that an excessive load is not applied to the hot plate 2. Therefore, the suction path 13 of each rod part 40 can be connected to the suction port 21a collectively by the relative rise of the suction structure V. For example, compared to a case where the piping for forming the suction path is individually connected to the suction port 21a of the hot plate 2 using a fixing device, the suction structure V can be easily connected to the hot plate 2 and can be easily removed. Therefore, maintenance of the suction structure V and the hot plate 2 is easy.

(変形例)
熱板2は、上板21及び板支持部22で構成されているが、これに限らず、厚くして剛性を向上させた上板21のみで構成されていてもよい。吸引口21aは、8個に設けられているが、基板Wの矯正を行うことができる程度に複数設けられていればこれに限らない。また、熱板2の吸引口21aのレイアウトは任意のものとすることができ、例えば熱板2の中央部に吸引口21aが設けられていてもよい。ロッド部40については吸引口21aの配置に応じたものとすればよく、既述の例に限られない。なお、既述した形状の基板Wを処理することには限られない。例えば反りが形成されていない基板Wを処理してもよく、熱板2からの吸引が行われることで処理室71での排気による熱板2上での位置ずれが防止されるという観点から、当該基板Wに対しても均一性高い熱処理を行うことができる。
(Modification)
The hot plate 2 is composed of the upper plate 21 and the plate support part 22, but it is not limited to this, and may be composed of only the upper plate 21 which is thickened to improve rigidity. The number of suction holes 21a is eight, but it is not limited to this as long as it is provided in a number sufficient to correct the substrate W. The layout of the suction holes 21a of the hot plate 2 can be any, for example, the suction hole 21a may be provided in the center of the hot plate 2. The rod part 40 may be arranged according to the arrangement of the suction holes 21a, and is not limited to the above-mentioned example. It is not limited to the above-mentioned shape of the substrate W to be processed. For example, the substrate W which is not warped may be processed, and the substrate W can be subjected to a highly uniform heat treatment from the viewpoint that the suction from the hot plate 2 prevents the substrate W from being displaced on the hot plate 2 due to the exhaust in the processing chamber 71.

接続パッド4、内筒5、及び外筒33は、筒形状であるが、これに限定されず、四角柱などの他の形状であってもよい。また、設置溝51及び筒用シール部材56については、内筒5の外周面に設けることに限られず、外筒33の内周面に設けられていてもよい。以降も、設置溝51及び筒用シール部材56について、内筒の外周面及び外筒の内周面のうちの一方側に設ける例を示すが、表示した例に限られず他方側に設けることができる。 The connection pad 4, inner tube 5, and outer tube 33 are cylindrical, but are not limited to this and may be other shapes such as a rectangular prism. Furthermore, the installation groove 51 and tube seal member 56 are not limited to being provided on the outer peripheral surface of the inner tube 5, but may be provided on the inner peripheral surface of the outer tube 33. Hereinafter, an example will be shown in which the installation groove 51 and tube seal member 56 are provided on one side of the outer peripheral surface of the inner tube or the inner peripheral surface of the outer tube, but they can be provided on the other side without being limited to the shown example.

また、コイルばね6の強度次第では、フランジ52について内筒5の比較的下方に設け、下板25に当接しない構成としてもよい。つまり、上板21に対する内筒5の高さを規制する高さ規制部が設けられない構成であってもよい。ただし、高さ規制部としてフランジ52を設けることで、上記したように上板21への負荷を確実に抑えることができる。また、コイルばね6の選定について比較的強度が高いものを用いることができ、部材の選択の幅が広がることになる。なお、コイルばね6や後述する他のばねについて、金属であることには限られず、樹脂等により構成してもよい。 Depending on the strength of the coil spring 6, the flange 52 may be provided relatively below the inner tube 5 and may not abut the lower plate 25. In other words, a height restriction section that restricts the height of the inner tube 5 relative to the upper plate 21 may not be provided. However, by providing the flange 52 as a height restriction section, the load on the upper plate 21 can be reliably reduced as described above. In addition, a coil spring 6 with a relatively high strength can be used, which widens the range of material choices. The coil spring 6 and other springs described below are not limited to being made of metal and may be made of resin, etc.

(第2実施形態)
図5に基づいて、本開示の第2実施形態における吸引構造体VAについて説明する。尚、以降の各実施形態の説明では、第1実施形態との差異点を中心に説明し、第1実施形態と同様の構成については説明を省略する。図5は、図4と同様な部分断面図を示している。
Second Embodiment
The suction structure VA in the second embodiment of the present disclosure will be described with reference to Fig. 5. In the following description of each embodiment, differences from the first embodiment will be mainly described, and the description of the same configuration as the first embodiment will be omitted. Fig. 5 shows a partial cross-sectional view similar to Fig. 4.

本実施形態の吸引構造体VAではロッド部40の代わりに、二重筒構造をなすロッド部40Aを備えている。ただしロッド部40Aについて、内筒は排気路形成部3の筐体31の上面34に固定され、外筒がコイルばね6による付勢力を受けると共に筐体31に対して昇降可能な構成とされ、接続パッド4は外筒に設けられている。このロッド部40Aの外筒を81、内筒を82とすると、外筒81は、第1実施形態の内筒5と概ね同様に構成されているが、フランジについては上下2段に互いに離れて設けられており、上方側のフランジ(高さ規制部)を83、下方側のフランジ(突出部)を84として示している。上方側のフランジ83が下板25に当接するように、吸引構造体VAは熱板2に取り付けられる。 In the suction structure VA of this embodiment, instead of the rod portion 40, a rod portion 40A having a double-cylinder structure is provided. However, in the rod portion 40A, the inner cylinder is fixed to the upper surface 34 of the housing 31 of the exhaust path forming portion 3, the outer cylinder is biased by the coil spring 6 and is configured to be able to move up and down relative to the housing 31, and the connection pad 4 is provided on the outer cylinder. If the outer cylinder of this rod portion 40A is 81 and the inner cylinder is 82, the outer cylinder 81 is configured generally similarly to the inner cylinder 5 of the first embodiment, but the flanges are provided in two upper and lower stages separated from each other, with the upper flange (height regulation portion) shown as 83 and the lower flange (protruding portion) shown as 84. The suction structure VA is attached to the hot plate 2 so that the upper flange 83 abuts against the lower plate 25.

内筒82は、第1実施形態の外筒33と概ね同様に構成されているが、外周面に設置溝51及び筒用シール部材56が設けられ、外筒81は筒用シール部材56に対して摺動可能である。コイルばね6は内筒82を囲むと共に、内筒82のフランジ33aと、外筒81のフランジ84との間に設けられている。以上の構成により、外筒81を内筒82に対して下方へ移動させると、コイルばね6が縮むことで外筒81を上方に向けて付勢し、第1実施形態と同様に接続パッド4を熱板2の上板21に密着させることができる。なお、上記した構成により、ロッド部40Aでは、接続パッド4、外筒81及び内筒82により、吸引路13が形成される。 The inner cylinder 82 is generally configured in the same manner as the outer cylinder 33 of the first embodiment, but has an installation groove 51 and a cylinder seal member 56 on its outer circumferential surface, and the outer cylinder 81 can slide relative to the cylinder seal member 56. The coil spring 6 surrounds the inner cylinder 82 and is provided between the flange 33a of the inner cylinder 82 and the flange 84 of the outer cylinder 81. With the above configuration, when the outer cylinder 81 is moved downward relative to the inner cylinder 82, the coil spring 6 contracts, urging the outer cylinder 81 upward, and the connection pad 4 can be brought into close contact with the upper plate 21 of the hot plate 2 as in the first embodiment. With the above configuration, the suction path 13 is formed by the connection pad 4, the outer cylinder 81, and the inner cylinder 82 in the rod portion 40A.

この吸引構造体VAについても、吸引構造体Vと同様に熱板2に取り付けられ、同様の作用効果を奏する。ただし、ロッド部40Aについてはこの吸引路13を流れる気体から見て、内筒82の上端面が壁となる。排気路形成部3の排気空間12に至るまでの吸引路13の壁の形成を防ぎ、当該壁に液化あるいは固化した昇華物が付着して滞留することを防ぐという観点からは、第1実施形態のロッド部40のように内筒5が排気路形成部3に対して昇降する構成とすることが好ましい。 This suction structure VA is attached to the hot plate 2 in the same manner as the suction structure V, and has the same effect. However, for the rod portion 40A, the upper end surface of the inner cylinder 82 becomes the wall when viewed from the gas flowing through the suction path 13. From the viewpoint of preventing the formation of a wall of the suction path 13 up to the exhaust space 12 of the exhaust path forming portion 3 and preventing liquefied or solidified sublimate from adhering to and remaining on the wall, it is preferable to configure the inner cylinder 5 to rise and fall relative to the exhaust path forming portion 3 as in the rod portion 40 of the first embodiment.

なお、吸引路13を形成する高さ変位部へコイルばね6による付勢力を与えるためのフランジと、当該高さ変位部の高さ位置を規制するためのフランジとについてはロッド部40のように共通のものとすることに限られず、このロッド部40Aのように別体であってもよい。 The flange for applying the biasing force of the coil spring 6 to the height displacement portion forming the suction passage 13 and the flange for regulating the height position of the height displacement portion are not limited to being a common component as in the rod portion 40, but may be separate components as in the rod portion 40A.

ところで、この吸引構造体VAでは高さ変位部である外筒81及び接続パッド4に対して、下方にコイルばね6が設けられている。このように高さ変位部に付勢力を与える弾性部材としては、第1実施形態で示したように高さ変位部(第1実施形態では内筒5)の側方に位置することに限られない。 In this suction structure VA, a coil spring 6 is provided below the outer tube 81 and connection pad 4, which are the height displacement parts. The elastic member that applies a biasing force to the height displacement part in this manner is not limited to being located to the side of the height displacement part (inner tube 5 in the first embodiment) as shown in the first embodiment.

(第3実施形態)
図6に基づいて、本開示の第3実施形態における吸引構造体VBについて説明する。この吸引構造体VBにおいて、ロッド部40に相当する部材(同様の役割を有する部材)をロッド部40Bとすると、このロッド部40Bは、外筒33を備えていない。そして、排気路形成部3の筐体31上における環状台座32の内周面に、設置溝51及び筒用シール部材56が設けられており、筒用シール部材56は、内筒5と環状台座32の内周面とに接してこれらの間の隙間をシールする。コイルばね6は、環状台座32上に設けられている。このような吸引構造体VBについても、吸引構造体Vと同様の効果を奏する。
Third Embodiment
Based on Fig. 6, the suction structure VB in the third embodiment of the present disclosure will be described. In this suction structure VB, if a member equivalent to the rod portion 40 (a member having a similar role) is the rod portion 40B, this rod portion 40B does not have an outer tube 33. Then, an installation groove 51 and a cylinder seal member 56 are provided on the inner peripheral surface of the annular seat 32 on the housing 31 of the exhaust path forming part 3, and the cylinder seal member 56 contacts the inner tube 5 and the inner peripheral surface of the annular seat 32 to seal the gap between them. The coil spring 6 is provided on the annular seat 32. Such a suction structure VB also has the same effect as the suction structure V.

なお環状台座32については、筒であると見ることもできるので、環状台座32と内筒5とによって、この吸引構造体VBにおいても、これまでに述べた各実施形態と同様に二重筒構造が形成されているとも言える。そのような二重筒構造を備える構成とすることには限られない。この吸引構造体VBにおいて環状台座32が設けられないものとする。また、内筒5と呼称していたものを、筒5と呼称する。例えば筐体31の上壁が肉厚であり、この筐体31の上面孔34aの内周面に設置溝51及び筒用シール部材56が設けられ、筒用シール部材56に対して筒5はその側周面が摺動するように昇降する構成とすることができる。なお、設置溝51及び筒用シール部材56については、上面孔34aの側周面の代わりに筒5の側周面に設けられてもよい。 The annular base 32 can also be considered as a tube, so that the annular base 32 and the inner tube 5 form a double tube structure in this suction structure VB as in each of the embodiments described above. The suction structure VB is not limited to such a double tube structure. The annular base 32 is not provided in this suction structure VB. Also, what was called the inner tube 5 will be called the tube 5. For example, the upper wall of the housing 31 is thick, and the installation groove 51 and the tube seal member 56 are provided on the inner circumferential surface of the upper hole 34a of this housing 31, and the tube 5 can be configured to move up and down so that its side surface slides against the tube seal member 56. The installation groove 51 and the tube seal member 56 may be provided on the side surface of the tube 5 instead of the side surface of the upper hole 34a.

ただし、外筒33及び環状台座32が設けられないことで既述した熱板2への取り付け作業時における内筒5(筒5)の傾きが大きくなるおそれが有る。この傾きを抑えて、各吸引口21a間で、接続パッド4の接続位置を揃えるためには、これまでに述べた二重筒構造とすることが好ましい。 However, the absence of the outer cylinder 33 and the annular base 32 may result in a large inclination of the inner cylinder 5 (cylinder 5) during the attachment to the hot plate 2 as described above. In order to reduce this inclination and align the connection positions of the connection pads 4 between each suction port 21a, it is preferable to use the double cylinder structure described above.

(第4実施形態)
図7に基づいて、本開示の第4実施形態における吸引構造体VCについて説明する。吸引構造体VCは、ロッド部40に相当するロッド部40Cを備えている。ロッド部40Cはコイルばね6の代わりに、金属製の蛇腹状のばね(ベローズばね)6Cを備えている。ベローズばね6Cは、向きが互いに逆となる皿バネが交互に多数積層されると共に、互いに溶接されることで構成されており、皿バネの積層方向の両端部が圧縮される(互いに近づけられる)と、コイルばね6と同様に反発力を生じる。ロッド部40Cの外筒33には伸出部33bが設けられておらず、外筒33のフランジ33a上に当該ベローズばね6Cは、その下端が接続されており、内筒5を囲むと共に伸縮方向が鉛直方向となるように設けられている。
Fourth Embodiment
Based on Fig. 7, the suction structure VC in the fourth embodiment of the present disclosure will be described. The suction structure VC includes a rod portion 40C equivalent to the rod portion 40. The rod portion 40C includes a metal bellows-shaped spring (bellows spring) 6C instead of the coil spring 6. The bellows spring 6C is configured by alternately stacking a large number of disc springs with opposite orientations and welding them together, and when both ends of the disc springs in the stacking direction are compressed (brought closer to each other), a repulsive force is generated similarly to the coil spring 6. The outer tube 33 of the rod portion 40C does not include an extension portion 33b, and the bellows spring 6C has its lower end connected to a flange 33a of the outer tube 33, and is provided so as to surround the inner tube 5 and to extend and contract in the vertical direction.

このロッド部40Cにおける内筒5の頭部53は、当該内筒5の胴部(頭部53の下方側)と一体的に形成されると共に、内筒5の外方へと広がるように形成されている。つまり、頭部53は、内筒5の外周面(外側面)に形成されたフランジ(上側フランジ)をなす。内筒5の上端部にはこの頭部53を含んだ縦長で円形のフランジ(第2フランジ)50が形成されており、このフランジ50にベローズばね6Cの上端が接続されている。このフランジ50としては、頭部53と、頭部53の下方に内筒5を囲んで設けられる円形の下部リング57と、により構成されている。また、下部リング57の下端は外方へと突出して、さらなるフランジ57bを形成し、当該フランジ57bが、第1実施形態のフランジ52と同様に、熱板2の下板25に当接することで、熱板2の上板21に対する内筒5の高さを規制する。 The head 53 of the inner cylinder 5 in the rod portion 40C is formed integrally with the body portion (belower side of the head 53) of the inner cylinder 5, and is formed to expand outward from the inner cylinder 5. In other words, the head 53 forms a flange (upper flange) formed on the outer peripheral surface (outer surface) of the inner cylinder 5. A vertically elongated circular flange (second flange) 50 including the head 53 is formed at the upper end of the inner cylinder 5, and the upper end of the bellows spring 6C is connected to this flange 50. This flange 50 is composed of the head 53 and a circular lower ring 57 provided below the head 53 and surrounding the inner cylinder 5. In addition, the lower end of the lower ring 57 protrudes outward to form a further flange 57b, which abuts against the lower plate 25 of the hot plate 2 in the same way as the flange 52 in the first embodiment, thereby regulating the height of the inner cylinder 5 relative to the upper plate 21 of the hot plate 2.

下部リング57は内筒5と同軸であり頭部53に支持されて設けられており、下部リング57の外径は、頭部53の外径と同じである。下部リング57の上面における孔縁部は上方に突出して環状突出部57aを形成し、その上端が頭部53の下面に接している。環状突出部57aの外側で、頭部53の下面と下部リング57の上面との間には、内筒5を囲むように、円環状の弾性体であるシール部材56Cが設けられ、頭部53の下面と、下部リング57の上面とに夫々密着している。 The lower ring 57 is coaxial with the inner cylinder 5 and is supported by the head 53, and the outer diameter of the lower ring 57 is the same as the outer diameter of the head 53. The hole edge on the upper surface of the lower ring 57 protrudes upward to form an annular protrusion 57a, the upper end of which contacts the underside of the head 53. Outside the annular protrusion 57a, between the underside of the head 53 and the upper surface of the lower ring 57, a seal member 56C, which is an annular elastic body, is provided so as to surround the inner cylinder 5 and is in close contact with the underside of the head 53 and the upper surface of the lower ring 57, respectively.

また、内筒5の胴部には環状突起53eが設けられ、下部リング57の内周面に設けられた凹部57cに進入しており、この環状突起53eによっても下部リング57は内筒5に支持されている。なお、下部リング57は内筒5と別体であるために、下部リング57と内筒5の外周面との間には隙間が形成されている。 The inner cylinder 5 has an annular protrusion 53e on its body, which fits into a recess 57c on the inner circumferential surface of the lower ring 57, and the lower ring 57 is also supported by the inner cylinder 5 by the annular protrusion 53e. Note that since the lower ring 57 is separate from the inner cylinder 5, a gap is formed between the lower ring 57 and the outer circumferential surface of the inner cylinder 5.

この吸引構造体VCにおいては、コイルばね6の代わりにベローズばね6Cが伸縮することで、内筒5の排気路形成部3に対する高さが変化し、第1実施形態の吸引構造体Vと同様に熱板2への取り付けが行われ、同様の作用効果を奏する。また、この吸引構造体VCでは、内筒5あるいは外筒33に対して摺動する筒用シール部材56が設けられない。そのような摺動する部品が設けられないことは、メンテナンス頻度の低下を図ることができるため好ましい。 In this suction structure VC, the height of the inner tube 5 relative to the exhaust passage forming part 3 changes as a result of the expansion and contraction of the bellows spring 6C instead of the coil spring 6, and it is attached to the hot plate 2 in the same manner as the suction structure V of the first embodiment, achieving the same effect. In addition, in this suction structure VC, a tube seal member 56 that slides against the inner tube 5 or the outer tube 33 is not provided. Not providing such sliding parts is preferable because it reduces the frequency of maintenance.

なお、排気路形成部3の筐体31における上面孔34aに連通する内筒5とベローズばね6Cとの間における空間、下部リング57と内筒5との間の隙間、上面孔34aと内筒5との間の隙間は、互いに連通する。これらの空間、隙間をまとめて連通空間と呼ぶことにすると、この連通空間は、上記したシール部材56Cにより、熱板2、排気路形成部3間の雰囲気と分離されており、連通空間による当該雰囲気の吸引が防止される。ベローズばね6Cは内筒5を上方に付勢する他に、シール用の第2環状体であるシール部材56Cと共に、この連通空間の雰囲気を熱板2、排気路形成部3間の雰囲気と区画する役割を有している。 The space between the inner tube 5 and the bellows spring 6C, which communicates with the upper hole 34a in the housing 31 of the exhaust path forming part 3, the gap between the lower ring 57 and the inner tube 5, and the gap between the upper hole 34a and the inner tube 5 are all connected to each other. If these spaces and gaps are collectively called the communication space, this communication space is separated from the atmosphere between the hot plate 2 and the exhaust path forming part 3 by the above-mentioned sealing member 56C, and the suction of the atmosphere through the communication space is prevented. In addition to biasing the inner tube 5 upward, the bellows spring 6C, together with the sealing member 56C, which is the second annular body for sealing, plays a role in separating the atmosphere of this communication space from the atmosphere between the hot plate 2 and the exhaust path forming part 3.

(第5実施形態)
図8に基づいて本開示の第5実施形態における、ロッド部40Dを備える吸引構造体VDについて説明する。熱板2に設ける吸引口21aのレイアウトによっては、1つの吸引口21aに対して、吸引路13を形成する部材を1つ設けることに限られない。また、吸引路13を形成する高さ変位部としても筒として構成することに限られない。ロッド部40Dは、内筒5の代わりに縦長のブロック5Dを排気路形成部3に対して高さが変位する高さ変位部として備え、このブロック5Dを鉛直方向に貫くように2つの貫通孔が設けられ、排気路形成部3の排気空間12に接続されている。ブロック5Dの上部にはこれらの貫通孔を囲むように、接続パッド4Dが設けられている。また、この接続パッド4Dの上端は、2つの吸引口21aを囲むように熱板2に接するように設けられる。
Fifth Embodiment
Based on Fig. 8, the suction structure VD having the rod portion 40D in the fifth embodiment of the present disclosure will be described. Depending on the layout of the suction port 21a provided on the hot plate 2, the member forming the suction path 13 is not limited to being provided for one suction port 21a. In addition, the height displacement part forming the suction path 13 is not limited to being configured as a tube. The rod portion 40D has a vertically long block 5D instead of the inner tube 5 as a height displacement part whose height is displaced relative to the exhaust path forming part 3, and two through holes are provided to penetrate the block 5D in the vertical direction and are connected to the exhaust space 12 of the exhaust path forming part 3. A connection pad 4D is provided on the upper part of the block 5D so as to surround these through holes. In addition, the upper end of the connection pad 4D is provided so as to contact the hot plate 2 so as to surround the two suction ports 21a.

この吸引構造体VDでは第3実施形態で説明したように、外筒33及び環状台座32が設けられず、設置溝51及び筒用シール部材56が、上面孔34aの側周面に設けられる構成としている。ブロック5Dの側方に上下2段に縦断面視で左右に、側面に突出した突起58、59が設けられている。上側の突起58は第1実施形態のフランジ52と同じく、熱板2の下板25に当接することで高さ変位部の高さを規制する。このように高さ変位部の位置を規制する高さ規制部については、高さ変位部の全周を囲むフランジとして形成することには限られない。下側の突起59は、フランジ52と同じくコイルばねによる付勢力を得るために設けられており、この突起58と筐体31の上面34との間にコイルばね6Dが設けられている。図示のように、本例ではコイルばね6Dは、ブロック5Dの左右に各々設けられている。このように、高さ変位部を上方に付勢させるばねは、高さ変位部を囲んで設けることに限られない。 As described in the third embodiment, this suction structure VD does not have an outer cylinder 33 and annular seat 32, and the installation groove 51 and cylinder seal member 56 are provided on the side peripheral surface of the upper hole 34a. On the side of the block 5D, protrusions 58 and 59 are provided on the left and right sides in a vertical cross-sectional view in two stages, one above the other. The upper protrusion 58, like the flange 52 in the first embodiment, abuts against the lower plate 25 of the hot plate 2 to regulate the height of the height displacement part. The height regulation part that regulates the position of the height displacement part in this way is not limited to being formed as a flange that surrounds the entire circumference of the height displacement part. The lower protrusion 59 is provided to obtain the biasing force of a coil spring, like the flange 52, and a coil spring 6D is provided between this protrusion 58 and the upper surface 34 of the housing 31. As shown in the figure, in this example, the coil spring 6D is provided on the left and right sides of the block 5D. In this way, the spring that biases the height displacement part upward is not limited to being provided around the height displacement part.

(第6実施形態)
図9に基づいて本開示の第6実施形態における、吸引構造体VEについて説明する。この吸引構造体VEにおける排気路形成部3は筐体31を備えておらず、熱板2の下面に対向する対向板36が設けられ、対向板36上に第1実施形態のロッド部40が複数設けられている。対向板36には、ロッド部40の外筒33内に連通する貫通孔38が設けられている。対向板36の下方から、貫通孔38に開口するように排気管37の上流端が接続され、当該排気管37の下流端が排気源11に接続されている。この吸引構造体VEでは、対向板36及び外筒33が熱板2から離れて設けられる隔離部、外筒33内が隔離部に設けられる開口部14に夫々相当し、貫通孔38及び排気管37によって開口部14に接続される排気路が形成されている。このように排気経路としては、筐体31内の排気空間12を備えるものに限られない。
Sixth Embodiment
Based on Fig. 9, the suction structure VE in the sixth embodiment of the present disclosure will be described. The exhaust path forming part 3 in this suction structure VE does not have a housing 31, and an opposing plate 36 is provided facing the lower surface of the hot plate 2, and a plurality of rod parts 40 of the first embodiment are provided on the opposing plate 36. The opposing plate 36 is provided with a through hole 38 that communicates with the inside of the outer tube 33 of the rod part 40. The upstream end of the exhaust pipe 37 is connected to the through hole 38 from the lower side of the opposing plate 36, and the downstream end of the exhaust pipe 37 is connected to the exhaust source 11. In this suction structure VE, the opposing plate 36 and the outer tube 33 correspond to the isolation part that is provided away from the hot plate 2, and the inside of the outer tube 33 corresponds to the opening 14 provided in the isolation part, and an exhaust path that is connected to the opening 14 by the through hole 38 and the exhaust pipe 37 is formed. In this way, the exhaust path is not limited to the one that has the exhaust space 12 in the housing 31.

熱処理の対象の基板Wはレジストが塗布されていることに限られず、レジスト以外の反射防止膜、絶縁膜などの薬液が塗布された膜であってあってもよい。また、この基板Wとしては、半導体ウエハであることに限られず、例えばフラットパネルディスプレイ(FPD)製造用の基板のような角型の基板であってもよい。 The substrate W to be heat-treated is not limited to being coated with resist, but may be a film coated with a chemical solution such as an anti-reflection film or an insulating film other than resist. Furthermore, the substrate W is not limited to being a semiconductor wafer, but may be a rectangular substrate such as a substrate used in the manufacture of flat panel displays (FPDs).

続いて、基板熱処理装置1が加熱モジュール1Aとして設けられた塗布、現像装置10の構成について、図10の平面図、図11の側面図を参照して説明する。塗布、現像装置10は、キャリアブロックD1と、処理ブロックD2と、インターフェイスブロックD3と、が左右方向に順に接続されて構成され、インターフェイスブロックD3が露光機D4に接続される。キャリアブロックD1は、搬送容器Cのステージ85と、開閉部86と、開閉部86を介して搬送容器Cに対して基板Wを搬送する搬送機構87と、を備えている。 Next, the configuration of the coating and developing apparatus 10 in which the substrate heat treatment apparatus 1 is provided as a heating module 1A will be described with reference to the plan view of FIG. 10 and the side view of FIG. 11. The coating and developing apparatus 10 is configured by connecting a carrier block D1, a processing block D2, and an interface block D3 in sequence in the left-right direction, and the interface block D3 is connected to an exposure machine D4. The carrier block D1 includes a stage 85 for a transport container C, an opening/closing section 86, and a transport mechanism 87 that transports a substrate W to the transport container C via the opening/closing section 86.

処理ブロックD2は、階層E1~E6が下から順に積層されて構成されており、階層E1~E3がレジスト膜の形成用の階層で互いに同様に構成され、階層E4~E6が現像用の階層で互いに同様に構成されている。代表して階層E1について説明する。左右に延びる基板Wの搬送領域88が形成されており、当該搬送領域88には搬送機構F1が設けられている。搬送領域88の後方側には、加熱モジュール1Aが設けられている。搬送領域88の前方側には、レジスト膜形成モジュール89が複数、左右に並んで設けられている。 Processing block D2 is constructed by stacking levels E1 to E6 in order from the bottom up, with levels E1 to E3 being levels for forming resist films and constructed similarly to each other, and levels E4 to E6 being levels for development and constructed similarly to each other. Level E1 will be explained as a representative. A transport area 88 for substrates W is formed extending to the left and right, and a transport mechanism F1 is provided in this transport area 88. A heating module 1A is provided on the rear side of the transport area 88. A plurality of resist film forming modules 89 are provided lined up on the left and right in front of the transport area 88.

階層E4~E6は、レジスト膜形成モジュール89の代りに現像モジュールが設けられること、加熱モジュール1AがPEB(Post Exposure Bake)を行うものであることを除いて、階層E1~E3と同様の構成である。なお、階層E2~E6における搬送機構F1に対応する搬送機構は、F2~F6として示している。また、処理ブロックD2には、搬送領域88におけるキャリアブロックD1側にて、階層E1~E6に跨がるようにタワーV1が設けられている。タワーV1は互いに積層された多数の受け渡しモジュールTRSを備えている。この受け渡しモジュールTRS間で搬送を行う搬送機構90が設けられている。 The levels E4 to E6 have the same configuration as the levels E1 to E3, except that a development module is provided instead of the resist film formation module 89, and the heating module 1A performs PEB (Post Exposure Bake). The transport mechanisms corresponding to the transport mechanism F1 on levels E2 to E6 are shown as F2 to F6. In addition, the processing block D2 is provided with a tower V1 on the carrier block D1 side of the transport region 88, spanning levels E1 to E6. The tower V1 is equipped with a number of transfer modules TRS stacked on top of each other. A transport mechanism 90 is provided to transport between these transfer modules TRS.

インターフェイスブロックD3は、複数のモジュールが互いに積層されて構成されるタワーV2、V3、V4を備えている。タワーV2~V4に含まれるモジュールの詳細の説明は省略するが、タワーV2のモジュールとしては多段に積層された受け渡しモジュールTRSが含まれる。図中の符号91、92、93は、タワーV2、V3間、タワーV3、V4間、タワーV2と露光機D4間で、基板Wを夫々受け渡す搬送機構である。 The interface block D3 includes towers V2, V3, and V4, which are constructed by stacking multiple modules on top of each other. A detailed description of the modules included in towers V2 to V4 will be omitted, but the modules of tower V2 include a transfer module TRS that is stacked in multiple stages. Reference numerals 91, 92, and 93 in the figure denote transport mechanisms that transfer substrates W between towers V2 and V3, between towers V3 and V4, and between tower V2 and exposure machine D4, respectively.

塗布、現像装置10において基板Wは、搬送容器Cから搬送機構87を介してタワーV1に搬送された後、搬送機構90を介して階層E1~E3のいずれかに搬入される。そして当該基板Wは搬送機構F1~F3により、レジスト膜形成モジュール89→加熱モジュール1A→タワーV2の順で搬送される。それにより、レジスト膜の形成、熱処理が順次行われる。然る後、基板Wは搬送機構91~93によりタワーV2~V4間を受け渡されて、露光機D4に搬送され、レジスト膜が回路パターンに沿って露光される。 In the coating and developing apparatus 10, the substrate W is transported from the transport container C to tower V1 via transport mechanism 87, and then loaded into one of the floors E1 to E3 via transport mechanism 90. The substrate W is then transported by transport mechanisms F1 to F3 in the order resist film formation module 89 → heating module 1A → tower V2, whereby resist film formation and heat treatment are carried out in sequence. The substrate W is then transferred between towers V2 to V4 by transport mechanisms 91 to 93, and transported to exposure machine D4, where the resist film is exposed according to the circuit pattern.

露光済みの基板Wは、搬送機構91~93によりタワーV2~V4間を受け渡されて、階層E4~E6に搬入され、搬送機構F4~F6により加熱モジュール1A→現像モジュールの順で搬送されることで、PEB、現像処理が順に行われ、レジストパターンが形成される。その後基板Wは、タワーV1、搬送機構90、87を介して搬送容器Cに戻される。 The exposed substrate W is transferred between towers V2-V4 by transport mechanisms 91-93 and loaded onto levels E4-E6, and then transported by transport mechanisms F4-F6 to the heating module 1A and then the developing module, where it is subjected to PEB and development processing in that order, forming a resist pattern. The substrate W is then returned to the transport container C via tower V1 and transport mechanisms 90 and 87.

今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。 The embodiments disclosed herein should be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The above-described embodiments may be omitted, substituted, modified, and combined in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.

W 基板
2 熱板
3 排気路形成部
4 接続パッド
5 内筒
6 第2弾性部材
12 排気空間
13 吸引路
14 開口部
21a 吸引口
31 筐体
W substrate 2 heat plate 3 exhaust path forming portion 4 connection pad 5 inner cylinder 6 second elastic member 12 exhaust space 13 suction path 14 opening 21a suction port 31 housing

Claims (18)

載置された基板を加熱する熱板と、
前記熱板の上面に複数開口し、前記基板を各々吸引するための吸引口と、
前記熱板の下方に当該熱板から離れて形成される隔離部と、前記熱板に向けて開口するように前記隔離部に複数設けられる開口部と、前記各開口部が接続される排気路と、を備える排気路形成部と、
前記排気路形成部に対する高さが変位可能であり、前記隔離部の上方に突出して前記開口部毎に設けられる高さ変位部と、
前記高さ変位部の上側に各々接続され、第1弾性部材によって形成される接続部と、
前記各接続部により上流端が形成されると共に下流端が前記排気路に接続されるように、前記接続部の上端から前記高さ変位部に亘って設けられる吸引路と、
前記各高さ変位部を上方に付勢し、前記複数の吸引口に前記吸引路を各々接続するための第2弾性部材と、
を備える基板熱処理装置。
A hot plate for heating the placed substrate;
a plurality of suction ports formed on an upper surface of the heat plate for sucking the substrate;
An exhaust path forming part including a separating part formed below the hot plate and spaced apart from the hot plate, a plurality of openings provided in the separating part so as to open toward the hot plate, and an exhaust path to which each of the openings is connected;
a height variable portion that is variable in height relative to the exhaust path forming portion and that protrudes above the isolation portion and is provided for each of the openings;
a connecting portion connected to an upper side of each of the height displacement portions and formed by a first elastic member;
a suction passage provided from an upper end of the connection portion to the height displacement portion such that an upstream end is formed by each of the connection portions and a downstream end is connected to the exhaust passage;
a second elastic member for urging each of the height displacement portions upward and connecting each of the suction paths to the plurality of suction ports;
A substrate heat treatment apparatus comprising:
前記開口部による前記熱板と前記隔離部との間の領域の雰囲気の吸引を防ぐために、当該領域と当該開口部とを区画する吸引防止部を備える請求項1記載の基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus of claim 1, further comprising a suction prevention section that separates the area between the heat plate and the isolation section from the opening to prevent the opening from suctioning the atmosphere of the area between the heat plate and the isolation section. 前記第2弾性部材は、前記高さ変位部毎に当該高さ変位部の側方に設けられる請求項2記載の基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the second elastic member is provided on the side of each of the height displacement sections. 前記高さ変位部は、前記開口部内から上方に伸びる請求項3記載の基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus of claim 3, wherein the height displacement portion extends upward from within the opening. 前記高さ変位部は、前記吸引口毎に設けられる第1筒体であり、
前記接続部は、前記第1筒体に連接される接続用筒体であり、
前記第1筒体の外側面に突出する突出部が設けられ、
前記第2弾性部材は、前記突出部と、前記隔離部との間に設けられるばねである請求項4記載の基板熱処理装置。
the height displacement portion is a first cylindrical body provided for each of the suction ports,
the connecting portion is a connecting cylinder connected to the first cylinder,
A protrusion is provided on an outer surface of the first cylindrical body,
5. The substrate heat treatment apparatus according to claim 4, wherein the second elastic member is a spring provided between the protrusion and the isolation portion.
前記熱板は、
前記複数の吸引口が形成され、前記接続部が密着する上板と、
前記上板に対して離隔すると共に対向して設けられる下板を含み、当該上板を下方から支持する板支持部と、
前記下板において前記吸引口の下方に各々設けられる複数の下板貫通孔と、を備え、
前記第1筒体は、前記下板貫通孔に挿通される請求項5記載の基板熱処理装置。
The hot plate is
an upper plate in which the plurality of suction ports are formed and to which the connection portion is in close contact;
A plate support portion including a lower plate provided opposite to and spaced apart from the upper plate and supporting the upper plate from below;
a plurality of lower plate through holes each provided below the suction port in the lower plate;
The substrate heat treatment apparatus according to claim 5 , wherein the first cylinder is inserted into the lower plate through hole.
前記第1筒体の外側面には、前記下板貫通孔の孔縁部に下方から当接することで、当該第1筒体の高さを規制する高さ規制部が設けられる請求項6記載の基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus of claim 6, wherein the outer surface of the first cylinder is provided with a height regulating portion that regulates the height of the first cylinder by abutting against the hole edge of the lower plate through hole from below. 前記高さ規制部と前記突出部とは、共通の第1フランジである請求項7記載の基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus of claim 7, wherein the height restriction portion and the protrusion portion are a common first flange. 前記下板の剛性は、前記上板の剛性より高い請求項7記載の基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus of claim 7, wherein the rigidity of the lower plate is higher than the rigidity of the upper plate. 前記吸引防止部は、前記開口部の内側面及び前記第1筒体のうちの一方に当該第1筒体を囲んで設けられると共に他方に対して摺動可能であり、前記第1筒体と前記開口部とがなす隙間をシールする第1環状体により構成される請求項5記載の基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus of claim 5, wherein the suction prevention part is configured by a first annular body that is provided on one of the inner surface of the opening and the first cylinder, surrounding the first cylinder, and is slidable relative to the other, and seals the gap between the first cylinder and the opening. 前記隔離部は、
前記熱板の下面に対向する対向面と、
前記対向面に形成された複数の貫通孔と、
前記貫通孔の孔縁から上方に向けて伸びて、前記第1筒体を各々囲む複数の第2筒体と、
を備え、
前記第2筒体に囲まれる領域及び前記貫通孔により、前記開口部が形成される請求項10記載の基板熱処理装置。
The isolation unit includes:
An opposing surface facing the lower surface of the hot plate;
A plurality of through holes formed in the opposing surface;
a plurality of second cylindrical bodies extending upward from the edge of the through hole and surrounding the first cylindrical bodies respectively;
Equipped with
The substrate heat treatment apparatus of claim 10 , wherein the opening is formed by a region surrounded by the second cylinder and the through hole.
前記ばねは、巻軸が前記第1筒体及び前記第2筒体の各筒軸に沿って伸びて、
当該第1筒体及び当該第2筒体を囲むコイルばねである請求項11記載の基板熱処理装置。
The spring has a winding shaft extending along each of the cylinder axes of the first cylinder body and the second cylinder body,
12. The substrate heat treatment apparatus of claim 11, wherein the first cylinder and the second cylinder are surrounded by a coil spring.
前記突出部は第2フランジであり、
前記ばねは蛇腹状であり、前記開口部の口縁部から上方に向けて伸びて前記第1筒体を囲み、前記第2フランジに接続される請求項5記載の基板熱処理装置。
the protrusion is a second flange;
6. The substrate heat treatment apparatus according to claim 5, wherein the spring is bellows-shaped, extends upward from the edge of the opening, surrounds the first cylindrical body, and is connected to the second flange.
前記第2フランジは、
前記第1筒体の外側面に隙間を介して設けられると共に前記ばねが接続される下部リングと、
前記下部リングの上方に位置し、前記外側面に形成される上側フランジと、を備え、
前記吸引防止部は、前記第1筒体を囲んで設けられて前記下部リングと前記上側フランジとの隙間をシールする第2環状体により構成される請求項13記載の基板熱処理装置。
The second flange is
a lower ring provided on an outer surface of the first cylindrical body via a gap and connected to the spring;
an upper flange formed on the outer surface and positioned above the lower ring;
14. The substrate heat treatment apparatus of claim 13, wherein the suction prevention portion is configured by a second annular body provided to surround the first cylindrical body and to seal a gap between the lower ring and the upper flange.
前記複数の接続用筒体においては、上方に向かうにつれて末広がりとなる拡径部が当該接続用筒体の上端部を形成するように、各々1つのみ設けられる請求項5記載の基板熱処理装置。 A substrate heat treatment apparatus as described in claim 5, in which each of the multiple connection cylinders has only one enlarged diameter portion that widens toward the top, forming the upper end of the connection cylinder. 前記接続用筒体は、フッ素ゴムにより構成される請求項15記載の基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus according to claim 15, wherein the connection cylinder is made of fluororubber. 前記排気路形成部は、
上面が前記熱板の下面に対向する対向面をなし、内部が前記排気路をなす筐体と、
前記排気路に流入した液体を除去するために前記筐体内の底部に開口する吸液口と、
を備え、
前記吸液口からの吸引を行う吸引機構が設けられる請求項1記載の基板熱処理装置。
The exhaust passage forming portion is
a housing having an upper surface that faces the lower surface of the hot plate and an inside that forms the exhaust path;
a liquid suction port opening at a bottom portion of the housing for removing liquid that has flowed into the exhaust path;
Equipped with
2. The substrate heat treatment apparatus according to claim 1, further comprising a suction mechanism for suctioning the liquid from the suction port.
熱板に基板を載置する工程と、
熱板の上面に複数開口する吸引口から、前記基板を各々吸引して加熱する工程と、
前記熱板の下方に当該熱板から離れて形成される隔離部と、前記熱板に向けて開口するように前記隔離部に複数設けられる開口部と、前記各開口部が接続される排気路と、を備える排気路形成部における前記排気路を排気する工程と、
前記隔離部の上方に突出して前記開口部毎に設けられる高さ変位部の前記排気路形成部に対する高さを変位させる工程と、
前記高さ変位部の上側に各々接続され、第1弾性部材によって形成される接続部により上流端が形成されると共に下流端が前記排気路に接続されるように、前記接続部の上端から前記高さ変位部に亘って設けられる吸引路から前記排気路へ気体を吸引する行う工程と、
第2弾性部材により、前記各高さ変位部を上方に付勢し、前記複数の吸引口に前記吸引路を各々接続する工程と、
を備える基板熱処理方法。
placing a substrate on a hot plate;
a step of heating the substrate by sucking the substrate through a plurality of suction ports opened on the upper surface of a hot plate;
A step of exhausting the exhaust path in an exhaust path forming part, the exhaust path forming part including a separating part formed below the hot plate and spaced from the hot plate, a plurality of openings provided in the separating part so as to open toward the hot plate, and an exhaust path to which each of the openings is connected;
changing a height of a height change portion provided for each of the openings and protruding above the isolation portion with respect to the exhaust path forming portion;
a step of sucking gas from a suction passage provided from an upper end of the connection portion to the height displacement portion, the connection portion being connected to an upper side of each of the height displacement portions and formed of a first elastic member, such that an upstream end is formed by the connection portion and a downstream end is connected to the exhaust passage;
a step of biasing each of the height displacement portions upward by a second elastic member to connect the suction paths to the plurality of suction ports, respectively;
A method for heat treating a substrate comprising:
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