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JP2024068175A - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDF

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JP2024068175A
JP2024068175A JP2023188223A JP2023188223A JP2024068175A JP 2024068175 A JP2024068175 A JP 2024068175A JP 2023188223 A JP2023188223 A JP 2023188223A JP 2023188223 A JP2023188223 A JP 2023188223A JP 2024068175 A JP2024068175 A JP 2024068175A
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JP
Japan
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substrate
transmission window
chamber
processing
holding
Prior art date
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Pending
Application number
JP2023188223A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
淳 松下
Atsushi Matsushita
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Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
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Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
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Abstract

To provide a wafer processing device capable of performing satisfactory wafer drying while making the inside of a processing chamber into a clean atmosphere, especially, maintaining the clean atmosphere on a surface of a wafer, and a wafer processing method.SOLUTION: A wafer processing device comprises: a chamber 21 in which a wafer W with a liquid film formed on a surface is carried; a holding part 22 which is provided in the chamber 21 and holds the wafer W; a heating part 211 which is provided in an upper portion of the chamber 21 and heats the wafer W so as to generate an air layer between the surface and the liquid film of the wafer W held by the holding part 22; a transmission window 23 which is provided between the heating part 211 and the holding part 22 and includes a hole 23a; a gas supply part 26 which supplies a gas from the hole 23a toward the wafer W held by the holding part; and a motor 24 which rotates the transmission window 23.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

半導体や液晶パネルなどを製造する製造工程において、ウェーハや液晶基板などの基板の表面に処理液を供給してその基板表面を例えば、洗浄処理し、その後、基板表面を乾燥させる基板処理装置が用いられている。 In the manufacturing process for producing semiconductors, liquid crystal panels, and the like, substrate processing equipment is used to supply a processing liquid to the surface of a substrate such as a wafer or liquid crystal substrate, for example to clean the substrate surface, and then to dry the substrate surface.

上述した基板処理装置を用いた乾燥工程においては、基板の表面に形成されたパターン同士の間隔や構造、処理液の表面張力などに起因して、例えば、メモリセルやゲート周辺のパターンが倒壊して閉塞する問題が発生している。この傾向は、近年、半導体の高集積化や大容量化による微細化に伴って高くなる。 In the drying process using the above-mentioned substrate processing apparatus, problems occur, such as the collapse and blockage of patterns around memory cells and gates, due to the spacing and structure between patterns formed on the surface of the substrate, the surface tension of the processing liquid, etc. This tendency has intensified in recent years with the miniaturization that has resulted from the high integration and large capacity of semiconductors.

上述したパターンの倒壊を抑制することを目的として、処理液を供給後、回転する基板を急速に加熱して、基板の表面と処理液の液膜との間に気層を生じさせ、液膜を液玉化して、回転の遠心力により基板外に排出することで、表面張力による微細なパターンの倒壊を抑制して乾燥処理を行う基板処理装置が知られている(特許文献1)。 To prevent the above-mentioned collapse of the pattern, a substrate processing apparatus is known that, after supplying the processing liquid, rapidly heats the rotating substrate, creating an air layer between the substrate surface and the liquid film of the processing liquid, turns the liquid film into droplets, and expels them from the substrate by the centrifugal force of the rotation, thereby preventing the collapse of fine patterns due to surface tension and performing a drying process (Patent Document 1).

特開2020-102652号公報JP 2020-102652 A

しかしながら、このような、基板を急速に加熱して基板の表面と液膜の間に気層を生じさせ、液膜を液玉化する現象(ライデンフロスト現象)を利用した基板処理装置では、処理中の基板の周囲の雰囲気、特に基板の表面上の雰囲気を清浄に保つ点で課題がある。すなわち、処理中の基板の周囲の雰囲気を清浄に保つためには、処理室の天井側から基板に向かう清浄なガスを供給することが有効である。しかしながら、基板の上方には、基板を急速に加熱させるためのハロゲンランプ等の加熱部が配置される。しかも、加熱部の下には、加熱部に処理液がかかることを防ぐ目的と加熱部に起因する塵埃の落下を防ぐ目的で、透過窓が配置されている。そのため、上述のガスの供給によって清浄な雰囲気を作り出すことが困難となっている。 However, in such substrate processing apparatuses that utilize the phenomenon of rapidly heating the substrate to generate an air layer between the substrate surface and the liquid film, thereby turning the liquid film into droplets (the Leidenfrost phenomenon), there is a problem with keeping the atmosphere around the substrate during processing, particularly the atmosphere above the substrate surface, clean. That is, in order to keep the atmosphere around the substrate during processing clean, it is effective to supply clean gas from the ceiling side of the processing chamber toward the substrate. However, above the substrate, a heating unit such as a halogen lamp is disposed to rapidly heat the substrate. Moreover, a transmission window is disposed below the heating unit to prevent the processing liquid from splashing on the heating unit and to prevent dust from falling due to the heating unit. This makes it difficult to create a clean atmosphere by supplying the above-mentioned gas.

本発明の目的は、処理室内を清浄な雰囲気にし、特に、基板の表面上において清浄な雰囲気を保ちつつ、良好な基板乾燥を行える基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。 The object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can provide a clean atmosphere in the processing chamber, and in particular, can perform good substrate drying while maintaining a clean atmosphere on the surface of the substrate.

実施形態に係る基板処理装置は、表面に液膜が形成された基板が搬入されるチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記基板を保持する保持部と、前記チャンバの上部に設けられ、前記保持部によって保持された前記基板の前記表面と前記液膜との間に気層を生じさせるように前記基板を加熱する加熱部と、前記加熱部と前記保持部との間に設けられ、孔を有する透過窓と、前記孔から前記保持部によって保持された前記基板に向けてガスを供給するガス供給部と、前記透過窓を回転させるモータと、を備える。 The substrate processing apparatus according to the embodiment includes a chamber into which a substrate having a liquid film formed on its surface is carried, a holding unit provided within the chamber for holding the substrate, a heating unit provided at the top of the chamber for heating the substrate so as to generate an air layer between the surface of the substrate held by the holding unit and the liquid film, a transmission window provided between the heating unit and the holding unit and having a hole, a gas supply unit for supplying gas from the hole toward the substrate held by the holding unit, and a motor for rotating the transmission window.

実施形態に係る基板処理方法は、保持部が、表面に液膜が形成された状態でチャンバに搬入された基板を保持し、加熱部が、前記保持部によって保持された前記基板の前記表面と前記液膜との間に気層を生じさせるように前記基板を加熱し、ガス供給部が、前記加熱部と前記保持部との間に設けられた透過窓の孔から、前記保持部によって保持された前記基板に向けてガスを供給し、モータが、前記透過窓を回転させる。 In the substrate processing method according to the embodiment, a holding unit holds a substrate that has been brought into a chamber with a liquid film formed on its surface, a heating unit heats the substrate so as to generate an air layer between the surface of the substrate held by the holding unit and the liquid film, a gas supply unit supplies gas to the substrate held by the holding unit through a hole in a transmission window provided between the heating unit and the holding unit, and a motor rotates the transmission window.

本発明の実施形態によれば、処理室内を清浄な雰囲気にし、特に、基板の表面上において清浄な雰囲気を保ちつつ、良好な基板乾燥を行うことができる。 According to an embodiment of the present invention, it is possible to create a clean atmosphere inside the processing chamber, and in particular to perform good substrate drying while maintaining a clean atmosphere on the surface of the substrate.

第1の実施形態に係る基板処理装置の全体概略構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a schematic overall configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment; 第1の実施形態に係る基板処理装置の処理チャンバの概略構成を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a processing chamber of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理部の概略構成を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a drying processing section of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理部内における乾燥処理中のガス、ミスト及び水蒸気成分等の流れを示す断面図である。4 is a cross-sectional view showing the flow of gas, mist, water vapor components, etc. during drying processing in the drying processing section of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. FIG. 第1の実施形態に係る乾燥処理の手順を示すフローチャートである。4 is a flowchart showing a procedure of a drying process according to the first embodiment. 第1の実施形態に係る乾燥処理における基板及び透過窓が回転した際のガスの速度分布図である。5 is a diagram showing a gas velocity distribution when the substrate and the transmission window are rotated in the drying process according to the first embodiment. FIG. 第2の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理部の透過窓保持部の断面図である。13 is a cross-sectional view of a transmission window holding part of a drying processing part of a substrate processing apparatus according to a second embodiment. 第2の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理部の透過窓保持部の下面図である。13 is a bottom view of a transmission window holding part of a drying processing part of a substrate processing apparatus according to a second embodiment. FIG. 第2の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理部の透過窓保持部付近のガス、ミスト及び水蒸気成分等の流れを示す斜視図である。13 is a perspective view showing the flow of gas, mist, water vapor components, and the like in the vicinity of a transmission window holding part of a drying processing part of a substrate processing apparatus according to a second embodiment. FIG.

[第1の実施形態]
以下、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1について、図1から図6を参照して説明する。
[First embodiment]
A substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

[基板処理装置]
図1に示すように第1の実施形態に係る基板処理装置1は、基板Wが収納されているFOUP2を載置するFOUP載置台3と、FOUP2に収納された基板Wを搬送する搬送ロボット4と、搬送ロボット4が移動する搬送レール5と、搬送ロボット4によって搬送された基板Wを載置する基板載置台6と、基板載置台6に載置された基板Wを、後述する処理チャンバ10及び乾燥処理部20に搬送する搬送ロボット7と、搬送ロボット7が移動する搬送レール8と、処理液により処理を実行する処理チャンバ10と、処理チャンバ10で処理された基板Wを乾燥処理するための乾燥処理部20と、これら各部を制御する制御部60と、を備えている。
[Substrate processing equipment]
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment includes a FOUP placement stage 3 for placing a FOUP 2 in which a substrate W is stored, a transport robot 4 for transporting the substrate W stored in the FOUP 2, a transport rail 5 along which the transport robot 4 moves, a substrate placement stage 6 for placing the substrate W transported by the transport robot 4, a transport robot 7 for transporting the substrate W placed on the substrate placement stage 6 to a processing chamber 10 and a drying processing section 20 described below, a transport rail 8 along which the transport robot 7 moves, a processing chamber 10 for performing processing using a processing liquid, a drying processing section 20 for drying the substrate W processed in the processing chamber 10, and a control section 60 for controlling each of these sections.

[処理チャンバ]
図2に示すように、処理チャンバ10内には、基板Wを保持する保持部11が配置されている。保持部11は、回転テーブル111と回転軸112とモータ113と保持ピン114を有する。回転テーブル111は、回転軸112を介してモータ113に連結されている。モータ113は、制御部60と電気的に接続されており、制御部60からの指令により設定された回転数で回転する。保持ピン114は、基板Wの外周に接触してその基板Wを保持するようになっている。
[Processing chamber]
2, a holder 11 for holding a substrate W is disposed in the processing chamber 10. The holder 11 has a rotating table 111, a rotating shaft 112, a motor 113, and holding pins 114. The rotating table 111 is coupled to the motor 113 via the rotating shaft 112. The motor 113 is electrically connected to the control unit 60, and rotates at a rotation speed set by a command from the control unit 60. The holding pins 114 are adapted to contact the outer periphery of the substrate W to hold the substrate W.

カップ12は、円筒形状であり回転テーブル111の周囲を囲むように配置されている。カップ12の周壁の上部は、径方向の内側に向かって傾斜し、回転テーブル111上の基板Wが露出するように開口している。カップ12は、モータ113によって回転する基板Wから飛散した処理液を回収し、回収した処理液を排出管(図示せず)に誘導する役割を果たしている。このカップ12は、昇降機構(図示せず)によって昇降可能に設けられている。より具体的には、カップ12は、昇降機構によって、基板Wの周囲を覆うことで飛散した処理液を回収する上昇位置と、搬送ロボット7による基板Wの搬入・搬出を許容する下降位置との間で昇降可能となっている。 The cup 12 is cylindrical and is arranged to surround the periphery of the turntable 111. The upper part of the peripheral wall of the cup 12 is inclined radially inward and opens to expose the substrate W on the turntable 111. The cup 12 plays a role in collecting the processing liquid scattered from the substrate W rotated by the motor 113 and guiding the collected processing liquid to a discharge pipe (not shown). The cup 12 is provided so that it can be raised and lowered by a lifting mechanism (not shown). More specifically, the cup 12 can be raised and lowered by the lifting mechanism between an elevated position where the cup 12 covers the periphery of the substrate W to collect the scattered processing liquid and a lowered position where the substrate W can be loaded and unloaded by the transport robot 7.

処理液供給部13は、保持部11によって保持された基板Wに処理液を供給する。処理液供給部13は、アーム駆動機構131と、揺動アーム132と、処理液吐出ノズル133を有する。 The processing liquid supply unit 13 supplies processing liquid to the substrate W held by the holder 11. The processing liquid supply unit 13 has an arm drive mechanism 131, a swing arm 132, and a processing liquid discharge nozzle 133.

アーム駆動機構131は、カップ12より外側に配置され、揺動アーム132を旋回できるように揺動アーム132の一端と連結している。また、アーム駆動機構131は、制御部60と電気的に接続され、制御部60に設定されたプログラムにより、揺動アーム132を駆動するようになっている。 The arm drive mechanism 131 is disposed outside the cup 12 and is connected to one end of the swing arm 132 so that the swing arm 132 can be rotated. The arm drive mechanism 131 is also electrically connected to the control unit 60 and drives the swing arm 132 according to a program set in the control unit 60.

処理液吐出ノズル133は、揺動アーム132の他端に接続されており、アーム駆動機構131により、水平方向に移動する。処理液吐出ノズル133により処理液が基板Wの表面上に吐出されて、基板Wの表面を処理することができる。基板Wを処理する時、処理液吐出ノズル133は、アーム駆動機構131の動作により、カップ12より外側に設定された待機位置から、基板Wの中心に設定された処理位置に向けて、水平方向に移動する。なお、処理液吐出ノズル133は、処理液供給源30と処理液供給管31によって接続される。また、処理液供給管31の途中には、バルブ(図示せず)が設置される。このバルブや処理液供給源30は、制御部60と電気的にそれぞれ接続される。この制御部60により、処理液供給源30やバルブが制御されることで、処理液を処理液吐出ノズル133へ供給している。この処理液は、基板Wの洗浄処理を行うための液であり、エッチング液や洗浄液(APM、SC-1)等が使用される。 The processing liquid discharge nozzle 133 is connected to the other end of the swing arm 132 and is moved horizontally by the arm drive mechanism 131. The processing liquid discharge nozzle 133 discharges the processing liquid onto the surface of the substrate W to process the surface of the substrate W. When the substrate W is processed, the processing liquid discharge nozzle 133 moves horizontally from a standby position set outside the cup 12 to a processing position set at the center of the substrate W by the operation of the arm drive mechanism 131. The processing liquid discharge nozzle 133 is connected to the processing liquid supply source 30 by a processing liquid supply pipe 31. A valve (not shown) is installed in the middle of the processing liquid supply pipe 31. The valve and the processing liquid supply source 30 are electrically connected to the control unit 60. The control unit 60 controls the processing liquid supply source 30 and the valve to supply the processing liquid to the processing liquid discharge nozzle 133. The processing liquid is a liquid for performing a cleaning process on the substrate W, and an etching liquid or a cleaning liquid (APM, SC-1) is used.

リンス液供給部14は、保持部11によって保持された基板Wにリンス液を供給する。リンス液供給部14は、アーム駆動機構141と、揺動アーム142と、リンス液吐出ノズル143を有する。 The rinse liquid supply unit 14 supplies rinse liquid to the substrate W held by the holder 11. The rinse liquid supply unit 14 has an arm drive mechanism 141, a swing arm 142, and a rinse liquid discharge nozzle 143.

アーム駆動機構141は、カップ12より外側に配置され、揺動アーム142を旋回できるように揺動アーム142の一端と連結している。なお、アーム駆動機構141は、制御部60と電気的に接続され、制御部60に設定されたプログラムにより駆動する。 The arm drive mechanism 141 is disposed outside the cup 12 and is connected to one end of the swing arm 142 so that the swing arm 142 can rotate. The arm drive mechanism 141 is electrically connected to the control unit 60 and is driven by a program set in the control unit 60.

リンス液吐出ノズル143は、揺動アーム142の他端に接続されており、アーム駆動機構141により、カップ12より外側に設定された待機位置から、基板Wの中心に設定された処理位置に向けて、水平方向に移動する。リンス液吐出ノズル143により、リンス液が基板Wの表面上に吐出されて、基板Wの表面上に存在する処理液吐出ノズル133より吐出された処理液を洗い流すことができる。なお、リンス液吐出ノズル143は、リンス液供給源40とリンス液供給管41によって接続される。また、リンス液供給管41の途中には、バルブ(図示せず)が設置される。このバルブやリンス液供給源40は、制御部60と電気的にそれぞれ接続される。この制御部60により、リンス液供給源40やバルブが制御されることで、リンス液をリンス液吐出ノズル143へ供給している。このリンス液は、基板Wの表面に存在する、処理液供給源30から供給された処理液を置換する液であり、後述する乾燥処理部20での乾燥処理で使用する液膜を形成する液である。リンス液は、超純水が使用される。なお、リンス液としては、超純水の他に、IPA(イソプロピルアルコール)を使用する場合も考えられ、リンス液吐出ノズル143の他にIPAを吐出するノズルや供給源を設けてもよい。 The rinse liquid discharge nozzle 143 is connected to the other end of the swing arm 142, and is moved horizontally by the arm drive mechanism 141 from a standby position set outside the cup 12 to a processing position set at the center of the substrate W. The rinse liquid discharge nozzle 143 discharges rinse liquid onto the surface of the substrate W to wash away the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 133 on the surface of the substrate W. The rinse liquid discharge nozzle 143 is connected to the rinse liquid supply source 40 by the rinse liquid supply pipe 41. A valve (not shown) is also installed in the middle of the rinse liquid supply pipe 41. The valve and the rinse liquid supply source 40 are electrically connected to the control unit 60. The control unit 60 controls the rinse liquid supply source 40 and the valve to supply the rinse liquid to the rinse liquid discharge nozzle 143. The rinse liquid is a liquid that replaces the processing liquid supplied from the processing liquid supply source 30 present on the surface of the substrate W, and is a liquid that forms a liquid film used in the drying process in the drying process unit 20 described later. Ultrapure water is used as the rinsing liquid. In addition to ultrapure water, IPA (isopropyl alcohol) may also be used as the rinsing liquid, and a nozzle or supply source for discharging IPA may be provided in addition to the rinsing liquid discharge nozzle 143.

搬送扉15は、搬送ロボット7によって基板Wを回転テーブル111上に搬入するための、搬入口の開閉を行う。この搬送扉15は、昇降機構によって昇降可能に設けられることにより、その開閉動作を行うことができる。 The transport door 15 opens and closes the entrance for the transport robot 7 to load the substrate W onto the rotating table 111. The transport door 15 is movable up and down by a lifting mechanism, allowing it to be opened and closed.

[乾燥処理部]
図3に示すように乾燥処理部20は、チャンバ21と、保持部22と、透過窓23と、モータ24と、透過窓保持部25と、ガス供給部26と、カップ27と、リンス液供給部28と、昇降機構29を有する。
[Drying processing section]
As shown in FIG. 3, the drying processing unit 20 has a chamber 21, a holder 22, a transmission window 23, a motor 24, a transmission window holder 25, a gas supply unit 26, a cup 27, a rinsing liquid supply unit 28, and a lifting mechanism 29.

チャンバ21は、内部に空間を有する直方体の上端部に円筒が設けられている。直方体の部分と円筒とは仕切りがなく、同一空間を有する。チャンバ21は、加熱部211と、搬送扉212を有する。 The chamber 21 is a rectangular parallelepiped with a space inside, with a cylinder at the top end. There is no partition between the rectangular parallelepiped and the cylinder, and they share the same space. The chamber 21 has a heating section 211 and a transport door 212.

加熱部211は、横長の直方体を成しており、チャンバ21の天井に壁面の一部として設けられている。加熱部211は、チャンバ21内の基板Wの表面に光を照射し、基板Wを加熱するものである。加熱部211は、ランプ211aと窓211bを有する。本実施形態では、ランプ211aは、直管タイプのハロゲンランプとしている。ランプ211aは、ハロゲンランプを平行に複数本並べて配置する。なお、二組のハロゲンランプ群を、互いに直交するように上下に重ねて配置し、格子状を成してもよい。窓211bは、ランプ211aの直下に配置されており、ランプ211aの点灯によって照射された光を透過する。窓211bは、ランプ211aで発生したパーティクルが基板Wに付着して金属汚染が発生することを防ぐ。また、窓211bは、チャンバ21内で発生したパーティクルがランプ211aに付着してランプ211aが劣化することを防ぐ。本実施形態では、窓211bに石英が用いられているが、石英に限らず、ランプ211aの発熱に耐えることができ、光を透過する部材であればよい。また、窓211bの形状は円形状を用いているが、ランプ211a全体の光が照射できれば、他の形状でも可能である。加熱部211は、制御部60と電気的に接続されており、ランプ211aの点灯の制御が制御部60によって行われる。 The heating unit 211 has a horizontally long rectangular parallelepiped shape and is provided on the ceiling of the chamber 21 as a part of the wall surface. The heating unit 211 irradiates light onto the surface of the substrate W in the chamber 21 to heat the substrate W. The heating unit 211 has a lamp 211a and a window 211b. In this embodiment, the lamp 211a is a straight-tube type halogen lamp. The lamp 211a is a halogen lamp arranged in parallel. Two groups of halogen lamps may be arranged vertically so as to be perpendicular to each other, forming a lattice shape. The window 211b is arranged directly below the lamp 211a and transmits light irradiated by turning on the lamp 211a. The window 211b prevents particles generated by the lamp 211a from adhering to the substrate W and causing metal contamination. The window 211b also prevents particles generated in the chamber 21 from adhering to the lamp 211a and causing deterioration of the lamp 211a. In this embodiment, quartz is used for the window 211b, but it is not limited to quartz and can be any material that can withstand the heat generated by the lamp 211a and transmits light. Also, although a circular shape is used for the window 211b, other shapes are possible as long as the light from the entire lamp 211a can be irradiated. The heating unit 211 is electrically connected to the control unit 60, and the lighting of the lamp 211a is controlled by the control unit 60.

搬送扉212は、搬送ロボット7によってチャンバ21内に基板Wを搬入するための、搬入口の開閉を行う。この搬送扉212は、昇降機構によって昇降可能に設けられることにより、その開閉動作を行うことができる。 The transport door 212 opens and closes the entrance for the transport robot 7 to load the substrate W into the chamber 21. The transport door 212 is movable up and down by a lifting mechanism, allowing it to be opened and closed.

保持部22は、チャンバ21内に搬入された基板Wを保持する。保持部22は、回転テーブル221と回転軸222とモータ223と保持ピン224を有する。回転テーブル221は、回転軸222を介してモータ223に連結されている。モータ223は、制御部60と電気的に接続されており、制御部60からの指令により回転テーブル221を設定された回転数、例えば、100rpm~1000rpmで回転させる。保持ピン224は、基板Wの外周に接触してその基板Wを保持するようになっている。 The holding unit 22 holds the substrate W that has been loaded into the chamber 21. The holding unit 22 has a rotating table 221, a rotating shaft 222, a motor 223, and holding pins 224. The rotating table 221 is connected to the motor 223 via the rotating shaft 222. The motor 223 is electrically connected to the control unit 60, and rotates the rotating table 221 at a set rotation speed, for example, 100 rpm to 1000 rpm, in response to a command from the control unit 60. The holding pins 224 are adapted to contact the outer periphery of the substrate W to hold the substrate W.

透過窓23は、加熱部211の下方に所定の間隔をあけて配置されている。これにより、加熱部211と透過窓23との間に空間Aが形成されている。また、透過窓23は、保持部22の上方に所定の間隔をあけて設けられる。これにより、保持部22によって保持された基板Wと透過窓23との間に空間Bが形成されている。つまり、透過窓23は、加熱部211と保持部22との間に配置されるように設けられている。また、透過窓23は、円板状を成している。この透過窓23は、保持部22によって保持された基板Wの上方の空間Bにガスを供給するため、中心部に厚み方向に貫通する孔23aを有している。本実施形態では、透過窓23の孔23aは円形であり、直径は、例えば、8mm未満としている。また、本実施形態では、窓211bと同様に、透過窓23に石英が用いられているが、石英に限らず、ランプ211aの発熱に耐えることができ、光を透過する部材であればよい。 The transmission window 23 is disposed below the heating unit 211 at a predetermined interval. As a result, a space A is formed between the heating unit 211 and the transmission window 23. The transmission window 23 is disposed above the holding unit 22 at a predetermined interval. As a result, a space B is formed between the substrate W held by the holding unit 22 and the transmission window 23. In other words, the transmission window 23 is disposed between the heating unit 211 and the holding unit 22. The transmission window 23 is also disk-shaped. The transmission window 23 has a hole 23a penetrating in the thickness direction at the center to supply gas to the space B above the substrate W held by the holding unit 22. In this embodiment, the hole 23a of the transmission window 23 is circular, and has a diameter of, for example, less than 8 mm. In this embodiment, quartz is used for the transmission window 23, as with the window 211b, but it is not limited to quartz and may be any material that can withstand the heat generated by the lamp 211a and transmit light.

モータ24は、透過窓23を回転させるものであり、チャンバ21の上端部に配置される。モータ24は、ステータ24a、ロータ24bを有している。ステータ24aは円環状を成しており、チャンバ21の上端部においてチャンバ21の外側に配置される。具体的には、チャンバ21の上端部は、ステータ24aの内径が嵌る大きさの円筒形状を成しており、ステータ24aはこの円筒形状の部分に嵌るように設けられている。ステータ24aは、内部に永久磁石(図示せず)と電磁石(図示せず)が等間隔で交互に配置されている。ロータ24bは、ステータ24aの内径より小さい外径の円環状を成しており、ステータ24aの内周と対向するように、チャンバ21内に設けられる。ロータ24bの外周面とチャンバ21の円筒形状の部分の内周面との間には、わずかな隙間が設けられる。また、ロータ24bの内部には、永久磁石(図示せず)が等間隔に配置されている。ステータ24aは、制御部60の電気信号により電流が流れることで、内部の電磁石に磁界を発生させる。よって、ステータ24aとロータ24b間で吸引力と反発力が発生し、ロータ24bが、ステータ24aと非接触で回転動作を行う。これにより、後述する透過窓保持部25を介して透過窓23が回転する。ステータ24aの永久磁石は、制御部60からの電気信号の切断後でも、ステータ24aとロータ24bを非接触で保持する役割がある。モータ24による透過窓23の回転方向は、基板Wの回転方向と同一の方向であることが好ましい。また、このモータ24は、ロータ24bを通じて透過窓23の回転数が基板Wの回転数より高くなるように回転させる。 The motor 24 rotates the transmission window 23 and is disposed at the upper end of the chamber 21. The motor 24 has a stator 24a and a rotor 24b. The stator 24a is annular and disposed outside the chamber 21 at the upper end of the chamber 21. Specifically, the upper end of the chamber 21 is cylindrical in size to fit the inner diameter of the stator 24a, and the stator 24a is disposed to fit into this cylindrical portion. The stator 24a has permanent magnets (not shown) and electromagnets (not shown) arranged alternately at equal intervals inside it. The rotor 24b is annular with an outer diameter smaller than the inner diameter of the stator 24a, and is disposed in the chamber 21 so as to face the inner circumference of the stator 24a. A small gap is provided between the outer peripheral surface of the rotor 24b and the inner peripheral surface of the cylindrical portion of the chamber 21. In addition, permanent magnets (not shown) are arranged at equal intervals inside the rotor 24b. The stator 24a generates a magnetic field in the electromagnet inside when a current flows due to an electric signal from the control unit 60. Therefore, an attractive force and a repulsive force are generated between the stator 24a and the rotor 24b, and the rotor 24b rotates without contacting the stator 24a. This causes the transmission window 23 to rotate via the transmission window holding unit 25 described later. The permanent magnet of the stator 24a has the role of holding the stator 24a and the rotor 24b without contacting each other even after the electric signal from the control unit 60 is cut off. The rotation direction of the transmission window 23 by the motor 24 is preferably the same as the rotation direction of the substrate W. In addition, the motor 24 rotates the transmission window 23 through the rotor 24b so that the rotation speed of the transmission window 23 is higher than the rotation speed of the substrate W.

透過窓保持部25は、透過窓23の外縁を保持するものであり、ロータ24bの下面に設けられている。透過窓保持部25は、円環状を成しており、透過窓23を保持するため、ロータ24bの回転中心に向かって円環全体の底面から水平に突出する突起部25aを有している。また、この突起部25aに対して透過窓23の外縁が固定部材(図示せず)によって固定されている。透過窓保持部25は、制御部60からの電気信号によりステータ24aに電流が流れると、ロータ24bと共に回転する。これにより、透過窓23も回転する。 The transmission window holding part 25 holds the outer edge of the transmission window 23, and is provided on the underside of the rotor 24b. The transmission window holding part 25 is annular, and has a protrusion 25a that protrudes horizontally from the bottom surface of the entire ring toward the center of rotation of the rotor 24b in order to hold the transmission window 23. The outer edge of the transmission window 23 is fixed to the protrusion 25a by a fixing member (not shown). When a current flows through the stator 24a due to an electrical signal from the control part 60, the transmission window holding part 25 rotates together with the rotor 24b. This causes the transmission window 23 to rotate as well.

ガス供給部26は、ガスを、加熱部211と透過窓23との間に形成された空間Aに供給する。空間Aに供給されたガスは、空間A内に充満し、孔23aを経由して、保持部22によって保持された基板Wと透過窓23との間に形成された空間Bに移動する。ガス供給部26により供給されるガスは、不活性ガスであることが好ましく、例えば、窒素ガスがある。ガス供給部26は、ガス導入口26aとガス供給管26bを有する。ガス導入口26aは、チャンバ21の天井側にあり、加熱部211よりも外方に複数個、設けられている。ガス導入口26aより供給されるガスの流量は、例えば、30L/minであることが好ましい。ガス供給部26は、ガス供給管26bを通じてガス供給源50と接続される。ガス供給管26bにはフィルタが設けられており、このフィルタにより空間Aに清浄なガスを供給する。また、ガス供給管26bの途中には、バルブ(図示せず)が設定されている。バルブは、制御部60と電気的に接続される。制御部60により、バルブが制御されることで、ガスの供給及び供給停止、供給するガスの流量の調節が可能となる。また、ガス供給部26によって供給されたガスは、チャンバ21に設けられた排気口(図示せず)から排出される。 The gas supply unit 26 supplies gas to the space A formed between the heating unit 211 and the transmission window 23. The gas supplied to the space A fills the space A and moves through the hole 23a to the space B formed between the substrate W held by the holding unit 22 and the transmission window 23. The gas supplied by the gas supply unit 26 is preferably an inert gas, for example, nitrogen gas. The gas supply unit 26 has a gas inlet 26a and a gas supply pipe 26b. The gas inlet 26a is located on the ceiling side of the chamber 21, and a plurality of gas inlets 26a are provided outside the heating unit 211. The flow rate of the gas supplied from the gas inlet 26a is preferably, for example, 30 L/min. The gas supply unit 26 is connected to the gas supply source 50 through the gas supply pipe 26b. A filter is provided in the gas supply pipe 26b, and clean gas is supplied to the space A through this filter. In addition, a valve (not shown) is set in the middle of the gas supply pipe 26b. The valve is electrically connected to the control unit 60. The control unit 60 controls the valve, making it possible to start and stop the supply of gas and adjust the flow rate of the gas being supplied. In addition, the gas supplied by the gas supply unit 26 is exhausted from an exhaust port (not shown) provided in the chamber 21.

カップ27は、円筒形状であり回転テーブル221の周囲を囲むように配置されている。カップ27の周壁の上部は、径方向の内側に向かって傾斜し、回転テーブル221上の基板Wが露出するように開口している。このカップ27は、昇降機構(図示せず)によって昇降可能に設けられており、回転テーブル221の高さ位置に対応するように昇降できる。 The cup 27 is cylindrical and is arranged to surround the periphery of the turntable 221. The upper part of the peripheral wall of the cup 27 is inclined radially inward and is open to expose the substrate W on the turntable 221. The cup 27 is arranged so that it can be raised and lowered by a lifting mechanism (not shown), and can be raised and lowered to correspond to the height position of the turntable 221.

リンス液供給部28は、保持部22によって保持された基板Wにリンス液を供給する。リンス液供給部28は、アーム駆動機構281と、揺動アーム282と、リンス液吐出ノズル283を有する。 The rinse liquid supply unit 28 supplies rinse liquid to the substrate W held by the holder 22. The rinse liquid supply unit 28 has an arm drive mechanism 281, a swing arm 282, and a rinse liquid discharge nozzle 283.

アーム駆動機構281は、カップ27より外側に配置され、揺動アーム282を旋回できるように揺動アーム282の一端と連結している。なお、アーム駆動機構281は、制御部60と電気的に接続され、制御部60に設定されたプログラムにより駆動する。 The arm drive mechanism 281 is disposed outside the cup 27 and is connected to one end of the swing arm 282 so that the swing arm 282 can rotate. The arm drive mechanism 281 is electrically connected to the control unit 60 and is driven by a program set in the control unit 60.

リンス液吐出ノズル283は、揺動アーム282の他端に接続されており、アーム駆動機構281により、水平方向に移動できる。リンス液吐出ノズル283は、処理チャンバ10で供給されたリンス液が、基板Wの搬送途中に揮発したために薄くなった液盛り状態の液膜に、新たなリンス液を供給する役割を果たす。これにより、予め実験等で求められた、乾燥処理で必要となるリンス液の最適な液膜の厚さにすることができる。この最適な液膜の厚さは、基板Wが、後述する乾燥位置Uに移動してから乾燥処理が開始されるまでの間に、透過窓23からの輻射熱によって基板Wから蒸発しない程度の液膜の厚さで、かつ、ライデンフロスト現象による乾燥処理を行う上で、良好に乾燥できる液膜の厚さである。リンス液吐出ノズル283は、リンス液供給源40のリンス液供給管42が接続される。また、リンス液供給管42の途中には、バルブ(図示せず)が設置される。このバルブやリンス液供給源40は、制御部60と電気的にそれぞれ接続される。この制御部60により、リンス液供給源40やバルブが制御されることで、リンス液をリンス液吐出ノズル283へ供給している。このリンス液は、超純水が使用される。なお、リンス液としては、超純水の他に、IPA(イソプロピルアルコール)を使用する場合も考えられ、リンス液吐出ノズル283の他にIPAを吐出するノズルや供給源を設けてもよい。 The rinse liquid discharge nozzle 283 is connected to the other end of the swing arm 282 and can be moved horizontally by the arm drive mechanism 281. The rinse liquid discharge nozzle 283 serves to supply new rinse liquid to the liquid film in a puddle state that has become thin due to evaporation of the rinse liquid supplied in the processing chamber 10 during the transportation of the substrate W. This allows the optimum liquid film thickness of the rinse liquid required for the drying process to be obtained in advance through experiments, etc. This optimum liquid film thickness is a liquid film thickness that does not evaporate from the substrate W due to radiant heat from the transmission window 23 during the period from when the substrate W moves to the drying position U described later until the drying process is started, and is a liquid film thickness that allows the substrate W to be dried well when performing the drying process by the Leidenfrost phenomenon. The rinse liquid discharge nozzle 283 is connected to the rinse liquid supply pipe 42 of the rinse liquid supply source 40. In addition, a valve (not shown) is installed in the middle of the rinse liquid supply pipe 42. This valve and the rinse liquid supply source 40 are each electrically connected to the control unit 60. The control unit 60 controls the rinse liquid supply source 40 and valves to supply the rinse liquid to the rinse liquid discharge nozzle 283. Ultrapure water is used as the rinse liquid. Note that, in addition to ultrapure water, IPA (isopropyl alcohol) may also be used as the rinse liquid, and a nozzle or supply source for discharging IPA may be provided in addition to the rinse liquid discharge nozzle 283.

昇降機構29は、チャンバ21の外側、かつ、モータ223の下側に設けられており、回転テーブル221を昇降させる。また、昇降機構29は、基板Wが、予め設定した待機位置Dと乾燥位置Uに位置づけられるように、回転テーブル221を昇降させる。 The lifting mechanism 29 is provided outside the chamber 21 and below the motor 223, and raises and lowers the rotating table 221. The lifting mechanism 29 also raises and lowers the rotating table 221 so that the substrate W is positioned at the preset waiting position D and drying position U.

待機位置Dは、リンス液吐出ノズル283の吐出口よりも低い位置である。また、待機位置Dは、処理チャンバ10での処理が完了し、リンス液が液盛りされた状態で搬入されてきた基板Wが、回転テーブル221上に受け渡される位置であり、透過窓23から極力離隔した高さ位置に設定される。待機位置Dが、透過窓23から離隔した高さ位置に設定される理由は、以下の通りである。乾燥処理時のみに加熱部211により加熱したとしても、加熱部211によって発せられる熱によって透過窓23が蓄熱する。特に、本実施形態の透過窓23は、材質が石英のため熱伝導率が低いので、蓄熱しやすい。このため、乾燥処理が繰り返し行われることで、透過窓23が蓄熱し、透過窓23の温度が加熱部211による基板Wの加熱温度に近づいていく。つまり、リンス液を蒸発させる温度よりも高い温度になる。このような環境下でリンス液の液膜が形成された基板Wを透過窓23と近接した位置に搬入すると、高温化した透過窓23からの輻射熱によって基板W上の液膜が蒸発してしまう。このとき、液膜の全体が瞬時に蒸発するわけではなく、一部が蒸発する不均一な乾燥状態となることがある。この場合、残留するリンス液の表面張力によって、パターン閉塞が発生することがある。このため、加熱部211から離隔した位置に位置づけることで、このような輻射熱の影響を受けないようにする必要がある。したがって、待機位置Dは、基板W上に液盛りされたリンス液が、加熱部211によって繰り返し加熱されて蓄熱された透過窓23の輻射熱によって蒸発する恐れの小さい状態となるまで、透過窓23と離れている位置である。図3は、待機位置Dに基板Wを位置づけた状態を示している。乾燥位置Uは、透過窓23に近接して、加熱部211による乾燥処理が行われる際の基板Wの高さ位置である。図4は、乾燥位置Uに基板Wを位置付けた状態を示している。 The standby position D is a position lower than the outlet of the rinse liquid discharge nozzle 283. The standby position D is a position where the substrate W, which has been brought in with a puddle of rinse liquid after the processing in the processing chamber 10 is transferred onto the rotating table 221, and is set at a height position as far away as possible from the transmission window 23. The reason why the standby position D is set at a height position far away from the transmission window 23 is as follows. Even if the heating unit 211 heats the substrate W only during the drying process, the transmission window 23 accumulates heat due to the heat generated by the heating unit 211. In particular, the transmission window 23 of this embodiment is made of quartz, which has a low thermal conductivity, and therefore is prone to heat accumulation. For this reason, the transmission window 23 accumulates heat as the drying process is repeated, and the temperature of the transmission window 23 approaches the heating temperature of the substrate W by the heating unit 211. In other words, the temperature becomes higher than the temperature at which the rinse liquid evaporates. Under such an environment, if the substrate W on which the rinsing liquid film is formed is transported to a position close to the transmission window 23, the liquid film on the substrate W will evaporate due to the radiant heat from the high-temperature transmission window 23. At this time, the entire liquid film does not evaporate instantly, and a non-uniform drying state in which only a portion of the liquid film evaporates may occur. In this case, the surface tension of the remaining rinsing liquid may cause pattern blockage. For this reason, it is necessary to position the substrate W at a position away from the heating unit 211 to avoid the influence of such radiant heat. Therefore, the waiting position D is a position away from the transmission window 23 until the rinsing liquid piled on the substrate W is in a state where it is unlikely to evaporate due to the radiant heat of the transmission window 23 that has been repeatedly heated by the heating unit 211 and stored heat. FIG. 3 shows a state in which the substrate W is positioned at the waiting position D. The drying position U is the height position of the substrate W when the substrate W is close to the transmission window 23 and the drying process is performed by the heating unit 211. FIG. 4 shows a state in which the substrate W is positioned at the drying position U.

制御装置を構成する制御部60は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部とを備えている。この制御部60は、搬送ロボット4及び7と、モータ113、223及び24と、アーム駆動機構131,141及び281と、加熱部211と、昇降機構29と、処理液供給源30と、リンス液供給源40と、ガス供給源50と、バルブなどと、電気的に接続され、これらをプログラムで制御する。 The control unit 60, which constitutes the control device, includes a microcomputer that centrally controls each unit, and a storage unit that stores substrate processing information and various programs related to substrate processing. This control unit 60 is electrically connected to the transfer robots 4 and 7, motors 113, 223 and 24, arm drive mechanisms 131, 141 and 281, heating unit 211, lifting mechanism 29, processing liquid supply source 30, rinsing liquid supply source 40, gas supply source 50, valves, etc., and controls them by program.

[動作]
続いて、第1の実施形態の基板処理装置1の動作について、上記の図1~図4に加えて、図5のフローチャート、図6の説明図を参照して説明する。なお、基板Wが収納されているFOUP2は、FOUP載置台3にセットされた状態になっているものとする。
[motion]
Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment will be described with reference to the flowchart of Fig. 5 and the explanatory diagram of Fig. 6 in addition to Fig. 1 to Fig. 4. It is assumed that the FOUP 2 storing the substrate W is set on the FOUP placement stage 3.

図1に示すように、搬送ロボット4が搬送レール5に沿って移動し、FOUP載置台3にセットされているFOUP2に対向するように停止する。この搬送ロボット4は、FOUP2に収納されている基板Wを取り出して、保持したまま搬送レール5に沿って移動し、基板載置台6に対向するように停止する。そして、搬送ロボット4は基板Wを基板載置台6に載置する。次に、搬送ロボット7が搬送レール8に沿って移動し、基板載置台6に対向するように停止する。搬送ロボット7は、基板載置台6に載置された基板Wを保持して、基板Wを保持したまま搬送レール8に沿って移動する。搬送ロボット7は、処理チャンバ10に対向するよう位置することで、基板Wを処理チャンバ10内へ搬入する。このとき、搬送扉15は開いており、カップ12は回転テーブル111より下方の下降位置に位置している。 As shown in FIG. 1, the transport robot 4 moves along the transport rail 5 and stops so as to face the FOUP 2 set on the FOUP placement table 3. The transport robot 4 takes out the substrate W stored in the FOUP 2, moves along the transport rail 5 while holding it, and stops so as to face the substrate placement table 6. The transport robot 4 then places the substrate W on the substrate placement table 6. Next, the transport robot 7 moves along the transport rail 8 and stops so as to face the substrate placement table 6. The transport robot 7 holds the substrate W placed on the substrate placement table 6 and moves along the transport rail 8 while holding the substrate W. The transport robot 7 is positioned so as to face the processing chamber 10, and loads the substrate W into the processing chamber 10. At this time, the transport door 15 is open, and the cup 12 is in a lowered position below the rotating table 111.

図2に示すように、搬送ロボット7によって搬入された基板Wは、回転テーブル111上に保持される。回転テーブル111上に保持された基板Wは、保持ピン114が基板Wの外周に接触することで保持される。これにより、基板Wは、回転テーブル111と共に回転可能に保持される。 As shown in FIG. 2, the substrate W brought in by the transport robot 7 is held on the rotating table 111. The substrate W held on the rotating table 111 is held by the holding pins 114 contacting the outer periphery of the substrate W. This allows the substrate W to be held rotatably together with the rotating table 111.

基板Wが回転テーブル111上に保持されると、制御部60は、モータ113を制御して、回転テーブル111を所定の回転数で回転させる。また、昇降機構を制御して、カップ12を基板Wの周囲を囲う上昇位置まで上昇させる。 When the substrate W is held on the turntable 111, the control unit 60 controls the motor 113 to rotate the turntable 111 at a predetermined rotation speed. It also controls the lifting mechanism to raise the cup 12 to an elevated position that surrounds the substrate W.

基板Wの回転開始後、回転している基板Wの表面を処理するために、図2で示す処理液吐出ノズル133が、カップ12よりも外側に退避した位置(待機位置)から、基板Wの表面の中心(処理位置)まで、アーム駆動機構131及び揺動アーム132によって移動する。なお、処理液吐出ノズル133の処理位置は、中心から少し外れた位置でも良い。処理液吐出ノズル133が処理位置に移動すると、制御部60により電気信号が処理液供給源30に送信される。これにより、処理液供給源30から処理液吐出ノズル133を介して、処理液が基板Wの表面に供給される。処理液が供給されている間は、基板Wの回転によって飛散された処理液をカップ12で回収し、排出管に誘導する。そして、基板Wの表面に処理液が吐出され、処理液の吐出が開始されてから所定時間が経過したら、処理液供給源30から処理液の供給が停止される。なお、処理液の供給が停止されたら、処理液吐出ノズル133は、アーム駆動機構131及び揺動アーム132により待機位置に移動する。 After the substrate W starts rotating, the processing liquid discharge nozzle 133 shown in FIG. 2 moves from a position (standby position) retracted outside the cup 12 to the center (processing position) of the substrate W surface by the arm drive mechanism 131 and the swing arm 132 in order to process the surface of the substrate W. The processing position of the processing liquid discharge nozzle 133 may be a position slightly off the center. When the processing liquid discharge nozzle 133 moves to the processing position, the control unit 60 transmits an electric signal to the processing liquid supply source 30. As a result, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply source 30 to the substrate W surface through the processing liquid discharge nozzle 133. While the processing liquid is being supplied, the processing liquid scattered by the rotation of the substrate W is collected by the cup 12 and guided to the discharge pipe. Then, the processing liquid is discharged onto the substrate W surface, and when a predetermined time has elapsed since the discharge of the processing liquid was started, the supply of the processing liquid from the processing liquid supply source 30 is stopped. When the supply of the processing liquid is stopped, the processing liquid discharge nozzle 133 is moved to a standby position by the arm drive mechanism 131 and the swing arm 132.

次に、リンス液吐出ノズル143が、カップ12よりも外側に退避していた位置(待機位置)から、基板Wの表面の中心(処理位置)まで、アーム駆動機構141及び揺動アーム142によって移動する。なお、リンス液吐出ノズル143の処理位置は、中心から少し外れた位置でも良い。リンス液吐出ノズル143が処理位置に移動すると、制御部60により電気信号がリンス液供給源40に送信される。これにより、リンス液供給源40からリンス液吐出ノズル143を介して、リンス液が基板Wの表面に供給される。リンス液が供給されている間は、基板Wの回転によって飛散されたリンス液をカップ12で回収し、排出管に誘導する。リンス液の供給が開始されてから所定時間が経過したら、リンス液供給源40からのリンス液の供給を停止させる。このとき、リンス液の供給が停止したタイミングで回転テーブル111の回転が停止するように、所定時間の到達前からモータ113の回転を徐々に減速させる。つまり、基板Wの表面全体にリンス液を液盛りした状態で処理が終了する。このように基板Wの表面上を液盛り状態とすることで、基板Wを乾燥処理部20に搬送している途中で、基板Wの表面が汚染することを抑制する。さらに、リンス液による処理が終了したら、リンス液吐出ノズル143は、アーム駆動機構141及び揺動アーム142によって、待機位置に移動する。なお、図2は基板Wにリンス液が供給されている状態を示している。その後、カップ12が基板Wよりも下方の下降位置に移動し、搬送扉15が開くことで、搬送ロボット7により基板Wの表面上にリンス液を液盛りした状態で処理チャンバ10から基板Wが搬出される。 Next, the rinsing liquid discharge nozzle 143 is moved by the arm drive mechanism 141 and the swing arm 142 from a position (standby position) where it was retracted outside the cup 12 to the center (processing position) of the surface of the substrate W. The processing position of the rinsing liquid discharge nozzle 143 may be a position slightly off the center. When the rinsing liquid discharge nozzle 143 moves to the processing position, the control unit 60 transmits an electric signal to the rinsing liquid supply source 40. As a result, the rinsing liquid is supplied from the rinsing liquid supply source 40 to the surface of the substrate W through the rinsing liquid discharge nozzle 143. While the rinsing liquid is being supplied, the rinsing liquid scattered by the rotation of the substrate W is collected by the cup 12 and guided to the discharge pipe. When a predetermined time has elapsed since the supply of the rinsing liquid was started, the supply of the rinsing liquid from the rinsing liquid supply source 40 is stopped. At this time, the rotation of the motor 113 is gradually decelerated before the predetermined time is reached so that the rotation of the turntable 111 stops at the timing when the supply of the rinsing liquid stops. That is, the processing ends with the rinsing liquid puddled over the entire surface of the substrate W. By keeping the surface of the substrate W in this puddled state, contamination of the surface of the substrate W during transport of the substrate W to the drying processing unit 20 is suppressed. Furthermore, when the processing with the rinsing liquid is completed, the rinsing liquid discharge nozzle 143 is moved to a standby position by the arm drive mechanism 141 and the swing arm 142. Note that FIG. 2 shows a state in which the rinsing liquid is being supplied to the substrate W. Thereafter, the cup 12 is moved to a lower position below the substrate W, and the transport door 15 is opened, and the substrate W is transported by the transport robot 7 out of the processing chamber 10 with the rinsing liquid puddled on the surface of the substrate W.

次に、乾燥処理について、図5のフローチャートを用いて説明する。まず、リンス液で液盛りされた状態の基板Wは、搬送ロボット7により乾燥処理部20のチャンバ21内に搬入される(ステップS01)。このとき、搬送扉212は開いており、カップ27は回転テーブル221より下方に位置している。そして、搬入された基板Wは、回転テーブル221上に保持される。回転テーブル221上に保持された基板Wは、保持ピン224が基板Wの外周に接触することで保持される。これにより、基板Wは、回転テーブル221と共に回転可能に保持される。 Next, the drying process will be described using the flowchart in Figure 5. First, the substrate W covered with rinsing liquid is carried into the chamber 21 of the drying processing unit 20 by the transport robot 7 (step S01). At this time, the transport door 212 is open, and the cup 27 is positioned below the turntable 221. The carried-in substrate W is then held on the turntable 221. The substrate W held on the turntable 221 is held by the holding pins 224 coming into contact with the outer periphery of the substrate W. As a result, the substrate W is held so that it can rotate together with the turntable 221.

基板Wが回転テーブル221上に保持されると、制御部60から電気信号がガス供給源50及びモータ24に送信される。その後、ガス供給部26によって、加熱部211と透過窓23との間に形成された空間Aにガスが供給される。空間Aに供給されたガスは、孔23aを経由して、保持部22によって保持された基板Wと透過窓23との間に形成された空間Bへと移動する。これにより、基板Wの表面上を清浄な雰囲気にする。それと同時に、モータ24のステータ24aは、チャンバ21の外部から非接触で、ステータ24aの内側のロータ24bを所定の回転数で回転駆動させる。ロータ24bが回転すると、ロータ24bに固定されている透過窓23及び透過窓保持部25が回転する(ステップS02)。 When the substrate W is held on the rotating table 221, the control unit 60 sends an electric signal to the gas supply source 50 and the motor 24. Then, the gas supply unit 26 supplies gas to the space A formed between the heating unit 211 and the transmission window 23. The gas supplied to the space A moves through the hole 23a to the space B formed between the substrate W held by the holder 22 and the transmission window 23. This creates a clean atmosphere on the surface of the substrate W. At the same time, the stator 24a of the motor 24 rotates the rotor 24b inside the stator 24a at a predetermined rotation speed without contacting the outside of the chamber 21. When the rotor 24b rotates, the transmission window 23 and the transmission window holder 25 fixed to the rotor 24b rotate (step S02).

次に、制御部60から電気信号が、昇降機構とモータ223に送信される。これにより、基板Wよりも下方に位置していたカップ27が、昇降機構によって基板Wの周囲を囲むように上昇する。また、モータ223は所定の回転数で回転駆動し、回転テーブル221及び基板Wが回転される(ステップS03)。 Next, an electrical signal is sent from the control unit 60 to the lifting mechanism and the motor 223. As a result, the cup 27, which was positioned below the substrate W, is raised by the lifting mechanism so as to surround the substrate W. The motor 223 is also driven to rotate at a predetermined number of revolutions, causing the turntable 221 and the substrate W to rotate (step S03).

基板Wの回転開始後、リンス液吐出ノズル283が、カップ27よりも外側に退避していた位置(待機位置)から、基板Wの表面の中心(処理位置)まで、アーム駆動機構281及び揺動アーム282によって移動する(ステップS04)。なお、リンス液吐出ノズル283の処理位置は、中心から少し外れた位置でも良い。リンス液吐出ノズル283が処理位置に移動すると、制御部60により電気信号がリンス液供給源40に送信される。これにより、リンス液供給源40からリンス液が基板Wの表面に供給される(ステップS05)。供給されている間は、カップ27により、基板Wの回転によって飛散されたリンス液を回収し、排出管(図示せず)に誘導する。リンス液の供給が開始されてから所定時間が経過したら、リンス液供給源40からのリンス液の供給を停止させる。リンス液による処理が終了したら、リンス液吐出ノズル283は、アーム駆動機構281及び揺動アーム282により待機位置に移動する(ステップS06)。 After the substrate W starts rotating, the rinsing liquid discharge nozzle 283 is moved by the arm drive mechanism 281 and the swing arm 282 from a position (standby position) where it was retracted outside the cup 27 to the center (processing position) of the surface of the substrate W (step S04). The processing position of the rinsing liquid discharge nozzle 283 may be a position slightly off the center. When the rinsing liquid discharge nozzle 283 moves to the processing position, the control unit 60 transmits an electric signal to the rinsing liquid supply source 40. As a result, the rinsing liquid is supplied from the rinsing liquid supply source 40 to the surface of the substrate W (step S05). During the supply, the cup 27 collects the rinsing liquid scattered by the rotation of the substrate W and guides it to a discharge pipe (not shown). When a predetermined time has elapsed since the supply of the rinsing liquid started, the supply of the rinsing liquid from the rinsing liquid supply source 40 is stopped. When the processing with the rinsing liquid is completed, the rinsing liquid discharge nozzle 283 is moved to the standby position by the arm drive mechanism 281 and the swing arm 282 (step S06).

リンス液による処理後、昇降機構29は、基板Wの回転を維持しながら、基板Wを乾燥位置Uまで上昇させ、基板Wを透過窓23に接近させる(ステップS07)。それと同時に、カップ27が、乾燥位置Uにある基板Wに対応する高さ位置まで上昇する。これにより、乾燥処理中に飛散したリンス液を、カップ27が回収することができる。 After the treatment with the rinsing liquid, the lifting mechanism 29 raises the substrate W to the drying position U while continuing to rotate the substrate W, and brings the substrate W closer to the transmission window 23 (step S07). At the same time, the cup 27 rises to a height position corresponding to the substrate W at the drying position U. This allows the cup 27 to collect the rinsing liquid that has splashed during the drying process.

基板Wが乾燥位置Uに位置するまでに、透過窓23の回転数を基板Wの回転数より高い回転数、例えば、2000rpmとすることが好ましい。このようにすると、以下の利点がある。図6に示すように、空間Bに供給されたガスには、基板Wの回転と透過窓23の回転によってその回転方向へ移動する力が作用する。このため、空間Bのガスは、基板Wと透過窓23の回転速度に応じた速度、具体的には、基板W側よりも透過窓23側ほど早い速度で移動する。この結果、透過窓23に近いほど、ベルヌーイの定理によりガスの圧力が低くなる。そうすると、図4に示すように、圧力の高い基板Wに近い側から圧力の低い透過窓23側に気流(上昇気流)が発生する。この気流により、乾燥処理中に発生した基板Wの表面上のミストや水蒸気成分等を基板Wから遠ざかる方向へ移動させ、基板Wに再付着することを防止できる。また、基板Wを、加熱部211で加熱する前から回転させることにより、基板Wとともに基板Wの表面上のリンス液の液膜を回転させておき、加熱部211によって基板Wが加熱され、基板Wの表面上と液膜との間に気層が発生した後においても、慣性力によりリンス液の液膜が回転を継続して遠心力が働くようにする。 By the time the substrate W is positioned at the drying position U, it is preferable to set the rotation speed of the transmission window 23 to a higher rotation speed than that of the substrate W, for example, 2000 rpm. This has the following advantages. As shown in FIG. 6, the gas supplied to the space B is subjected to a force moving in the direction of rotation due to the rotation of the substrate W and the transmission window 23. For this reason, the gas in the space B moves at a speed according to the rotation speed of the substrate W and the transmission window 23, specifically, at a speed faster toward the transmission window 23 side than toward the substrate W side. As a result, the closer to the transmission window 23, the lower the gas pressure becomes according to Bernoulli's theorem. Then, as shown in FIG. 4, an air current (upward air current) is generated from the side close to the substrate W with high pressure to the transmission window 23 side with low pressure. This air current moves mist and water vapor components generated on the surface of the substrate W during the drying process away from the substrate W, preventing them from reattaching to the substrate W. In addition, by rotating the substrate W before it is heated by the heating unit 211, the liquid film of the rinsing liquid on the surface of the substrate W is rotated along with the substrate W, and even after the substrate W is heated by the heating unit 211 and an air layer is generated between the surface of the substrate W and the liquid film, the liquid film of the rinsing liquid continues to rotate due to inertial force and centrifugal force is applied.

基板Wとカップ27が上昇した後、加熱部211のランプ211aが点灯し、基板Wの表面を加熱する(ステップS08)。このとき、液膜と基板Wの表面との間の全体にライデンフロスト現象による気層が生じる温度以上になるよう、ランプ211aの温度を上昇させ、基板Wを急速に加熱する。このライデンフロスト現象によって、基板Wの表面と液膜との界面に発生する気層を介して、基板Wの表面から液膜が浮上することになる。この液膜の浮上状態が維持されることで液膜が液玉となり、その液玉が基板Wの回転による遠心力によって、基板Wの径方向外方に飛ばされることで基板Wの表面が乾燥される(ステップS09)。 After the substrate W and cup 27 have risen, the lamps 211a of the heating unit 211 are turned on to heat the surface of the substrate W (step S08). At this time, the temperature of the lamps 211a is raised so that the temperature is equal to or higher than the temperature at which an air layer due to the Leidenfrost phenomenon occurs between the entire area between the liquid film and the surface of the substrate W, and the substrate W is rapidly heated. This Leidenfrost phenomenon causes the liquid film to float from the surface of the substrate W via the air layer that occurs at the interface between the surface of the substrate W and the liquid film. As this floating state of the liquid film is maintained, the liquid film becomes liquid droplets, and the liquid droplets are blown radially outward of the substrate W by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate W, thereby drying the surface of the substrate W (step S09).

基板Wの乾燥処理が終了すると、ランプ211aは消灯する(ステップS10)。その後、昇降機構29は、基板Wの回転を維持しながら、基板Wを待機位置Dまで下降させる。また、カップ27が、待機位置Uにある基板Wに対応する高さ位置まで下降する(ステップS11)。基板Wが下降した後、モータ223による基板Wの回転、モータ24による透過窓23の回転及びガス供給部26による空間Aへのガスの供給を停止する(ステップS12)。その後、保持ピン224によって保持されていた基板Wが解放され、カップ27が基板Wよりも下方に下降する(ステップS13)。そして、乾燥処理済みの基板Wが搬送ロボット7によって、乾燥処理部20から搬出される(ステップS14)。 When the drying process of the substrate W is completed, the lamp 211a is turned off (step S10). Thereafter, the lifting mechanism 29 lowers the substrate W to the waiting position D while maintaining the rotation of the substrate W. The cup 27 also lowers to a height position corresponding to the substrate W at the waiting position U (step S11). After the substrate W has been lowered, the rotation of the substrate W by the motor 223, the rotation of the transmission window 23 by the motor 24, and the supply of gas to the space A by the gas supply unit 26 are stopped (step S12). Thereafter, the substrate W held by the holding pins 224 is released, and the cup 27 is lowered below the substrate W (step S13). The substrate W that has been dried is then carried out of the drying processing unit 20 by the transport robot 7 (step S14).

[効果]
このように、本実施形態の基板処理装置1によれば、ガス供給部26によって、加熱部211と透過窓23との間に形成された空間Aに供給されたガスが、孔23aを経由して、保持部22によって保持された基板Wと透過窓23との間に形成された空間Bに移動することで、基板Wの表面上を清浄な雰囲気にすることができる。そして、ガス供給部26によりガスを供給し続けることで、処理室内を清浄な雰囲気にすることができ、良好な基板処理を行うことができる。
[effect]
Thus, according to the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, the gas supplied by the gas supply unit 26 to the space A formed between the heating unit 211 and the transmission window 23 moves through the holes 23a to the space B formed between the substrate W held by the holder 22 and the transmission window 23, thereby creating a clean atmosphere on the surface of the substrate W. By continuing to supply gas by the gas supply unit 26, a clean atmosphere can be created within the processing chamber, enabling good substrate processing to be performed.

本実施形態の基板処理装置1では、透過窓保持部25を介して、透過窓23にモータ24を設けることで、透過窓23を回転させることができる。また、基板Wの回転数より透過窓23の回転数の方が高いため、空間Bのガスは、基板W側よりも透過窓23側ほど早い速度で移動する。そのため、ベルヌーイの定理により、圧力の高い基板Wに近い側から圧力の低い透過窓23側に気流(上昇気流)が発生する。その気流によって、乾燥処理中に発生した基板Wの表面上のミストや水蒸気成分等が基板Wから遠ざかる方向へ移動する。つまり、基板Wにミストや水蒸気成分等が再付着することを防止でき、基板Wの表面上において清浄な雰囲気を保ちつつ、良好な基板乾燥を行うことができる。 In the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, the transmission window 23 can be rotated by providing a motor 24 on the transmission window 23 via the transmission window holder 25. In addition, since the rotation speed of the transmission window 23 is higher than that of the substrate W, the gas in space B moves at a faster speed toward the transmission window 23 side than toward the substrate W side. Therefore, according to Bernoulli's theorem, an air current (upward air current) is generated from the side close to the substrate W where the pressure is high to the transmission window 23 side where the pressure is low. This air current moves mist, water vapor components, etc. on the surface of the substrate W generated during the drying process in a direction away from the substrate W. In other words, it is possible to prevent mist, water vapor components, etc. from reattaching to the substrate W, and good substrate drying can be performed while maintaining a clean atmosphere on the surface of the substrate W.

本実施形態の基板処理装置1では、孔23aは、透過窓23の中心部に設けることができる。これにより、基板Wの中心部から、基板Wの径方向外側に広がるようにガスが拡散されるため、効率よく空間B全体を清浄な雰囲気にすることができる。 In the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, the hole 23a can be provided in the center of the transmission window 23. This allows the gas to diffuse from the center of the substrate W to the outside in the radial direction of the substrate W, so that the entire space B can be efficiently made into a clean atmosphere.

本実施形態の基板処理装置1では、モータ24は、チャンバ21内に設けられ、透過窓23を回転させるロータ24bと、チャンバ21外に設けられ、ロータ24bを回転させるステータ24aと、を有することで、ステータ24aは、ロータ24bを非接触状態で回転させることができる。これにより、ステータ24aとロータ24bの接触による粉塵の発生を抑制し、チャンバ21内を清浄な雰囲気に保つことができる。 In the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, the motor 24 has a rotor 24b provided inside the chamber 21 for rotating the transmission window 23, and a stator 24a provided outside the chamber 21 for rotating the rotor 24b, so that the stator 24a can rotate the rotor 24b in a non-contact state. This makes it possible to suppress the generation of dust due to contact between the stator 24a and the rotor 24b, and to maintain a clean atmosphere inside the chamber 21.

[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置1について、図7A、図7B及び図8を参照して説明する。第2の実施形態では、第1の実施形態と同様の構成要素には第1の実施形態と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。第2の実施形態において第1の実施形態との相違点は、透過窓保持部25に羽根部材25bを設けた点である。
Second Embodiment
Next, a substrate processing apparatus 1 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to Figures 7A, 7B, and 8. In the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and detailed descriptions thereof will be omitted. The second embodiment differs from the first embodiment in that a blade member 25b is provided in the transmission window holding portion 25.

第2の実施形態の乾燥処理部20の透過窓保持部25の羽根部材25bは、図7Aに示すように、透過窓保持部25の底面から一部に形成されている。また、図7Bに示すように、羽根部材25bは、径方向に延びるように形成されており、回転方向に弧を描くような形状を成している。さらに、羽根部材25bは、透過窓保持部25の周方向に等間隔で、複数枚形成されている。また、本実施形態では、図7Aに示すように、透過窓保持部25の突起部25aは、第1の実施形態とは異なり、内周側の端部から下方に延びる円筒状の部分を有する。羽根部材25bは、この円筒上の部分とほぼ同じ高さに形成される As shown in FIG. 7A, the blade member 25b of the transmission window holding part 25 of the drying processing part 20 in the second embodiment is formed on a part of the bottom surface of the transmission window holding part 25. Also, as shown in FIG. 7B, the blade member 25b is formed so as to extend in the radial direction and has a shape that draws an arc in the rotation direction. Furthermore, the blade member 25b is formed in a plurality of pieces at equal intervals in the circumferential direction of the transmission window holding part 25. Also, in this embodiment, as shown in FIG. 7A, the protrusion 25a of the transmission window holding part 25 has a cylindrical part that extends downward from the end on the inner circumference side, unlike the first embodiment. The blade member 25b is formed at approximately the same height as this cylindrical part.

羽根部材25bが設けられた透過窓保持部25が回転すると、図8に示すように、羽根部材25bの遠心力によって、透過窓保持部25の羽根部材25bの下方のガスが、羽根部材25bを経由して、透過窓保持部25の径方向の外側に放出される気流が発生する。これにより、透過窓23の回転で基板Wから遠ざかるように流れたミストや水蒸気成分等が、さらに径方向の外側に放出され、基板Wへの再付着をさらに防ぐことができる。また、羽根部材25b付近のガスの圧力は、ベルヌーイの定理によって低くなる。そのため、基板Wの表面上との圧力の差によって発生する気流(上昇気流)が、より大きくなる。つまり、基板Wの表面上をより清浄な雰囲気にすることができる。 When the transmission window holding part 25 provided with the blade member 25b rotates, as shown in FIG. 8, the centrifugal force of the blade member 25b generates an airflow in which the gas below the blade member 25b of the transmission window holding part 25 passes through the blade member 25b and is discharged radially outward from the transmission window holding part 25. As a result, the mist and water vapor components that flow away from the substrate W due to the rotation of the transmission window 23 are discharged further radially outward, further preventing reattachment to the substrate W. In addition, the pressure of the gas near the blade member 25b is lowered according to Bernoulli's theorem. Therefore, the airflow (upward airflow) generated by the pressure difference with the surface of the substrate W becomes larger. In other words, a cleaner atmosphere can be created on the surface of the substrate W.

[変形例]
以下、本実施形態に係る基板処理装置1について、変形例を説明する。
[Modification]
Modifications of the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment will be described below.

本実施形態では、透過窓23を回転させるモータ24のステータ24aは、チャンバ21外に設けられ、ロータ24bは、ステータ24aとは非接触状態でチャンバ21内に設けられているが、このような構成に限られない。例えば、モータ24、つまり、ステータ24a及びロータ24bをチャンバ21内に設け、透過窓23を回転させてもよい。 In this embodiment, the stator 24a of the motor 24 that rotates the transmission window 23 is provided outside the chamber 21, and the rotor 24b is provided inside the chamber 21 in a state of non-contact with the stator 24a, but this configuration is not limited to this. For example, the motor 24, i.e., the stator 24a and the rotor 24b, may be provided inside the chamber 21 to rotate the transmission window 23.

また、加熱部211によって基板Wを加熱する前の工程である、基板Wにリンス液を供給する工程の一連、すなわち、(ステップS04)から(ステップS06)を省略してもよい。例えば、基板W上のリンス液の液膜が、加熱部211によって基板Wを加熱する前に最適な厚さであった場合、リンス液供給部28によるリンス液の供給する工程の一連を省略してもよい。なお、レーザー変位計等によって液膜の厚さを検出する検出部を設け、リンス液の液膜が、最適な厚さかどうか判断してもよい。 In addition, the series of steps of supplying rinsing liquid to the substrate W, which are steps prior to heating the substrate W by the heating unit 211, i.e., steps S04 to S06, may be omitted. For example, if the liquid film of rinsing liquid on the substrate W is of an optimal thickness before heating the substrate W by the heating unit 211, the series of steps of supplying rinsing liquid by the rinsing liquid supply unit 28 may be omitted. A detection unit that detects the thickness of the liquid film using a laser displacement meter or the like may be provided to determine whether the liquid film of the rinsing liquid is of an optimal thickness.

[他の実施形態]
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。
[Other embodiments]
Although the embodiment of the present invention and the modified examples of each part have been described above, these embodiments and the modified examples of each part are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments described above can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and modifications can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims.

1 基板処理装置
2 FOUP
3 FOUP載置台
4 搬送ロボット
5 搬送レール
6 基板載置台
7 搬送ロボット
8 搬送レール
10 処理チャンバ
11 保持部
12 カップ
13 処理液供給部
14 リンス液供給部
15 搬送扉
20 乾燥処理部
21 チャンバ
22 保持部
23 透過窓
23a 孔
24 モータ
24a ステータ
24b ロータ
25 透過窓保持部
25a 突起部
25b 羽根部材
26 ガス供給部
26a ガス導入口
27 カップ
28 リンス液供給部
29 昇降機構
30 処理液供給源
31 処理液供給管
40 リンス液供給源
41 リンス液供給管
42 リンス液供給管
50 ガス供給源
60 制御部
111 回転テーブル
112 回転軸
113 モータ
114 保持ピン
131 アーム駆動機構
132 揺動アーム
133 処理液吐出ノズル
141 アーム駆動機構
142 揺動アーム
143 リンス液吐出ノズル
211 加熱部
211a ランプ
211b 窓
212 搬送扉
221 回転テーブル
222 回転軸
223 モータ
224 保持ピン
281 アーム駆動機構
282 揺動アーム
283 リンス液吐出ノズル
1 Substrate processing apparatus 2 FOUP
3 FOUP placement stage 4 Transfer robot 5 Transfer rail 6 Substrate placement stage 7 Transfer robot 8 Transfer rail 10 Processing chamber 11 Holding section 12 Cup 13 Processing liquid supply section 14 Rinse liquid supply section 15 Transfer door 20 Drying processing section 21 Chamber 22 Holding section 23 Transmission window 23a Hole 24 Motor 24a Stator 24b Rotor 25 Transmission window holding section 25a Protrusion section 25b Blade member 26 Gas supply section 26a Gas inlet 27 Cup 28 Rinse liquid supply section 29 Lifting mechanism 30 Processing liquid supply source 31 Processing liquid supply pipe 40 Rinse liquid supply source 41 Rinse liquid supply pipe 42 Rinse liquid supply pipe 50 Gas supply source 60 Control section 111 Rotating table 112 Rotating shaft 113 Motor 114 Holding pin 131 Arm drive mechanism 132 Swing arm 133 Processing liquid discharge nozzle 141 Arm drive mechanism 142 Swing arm 143 Rinse liquid discharge nozzle 211 Heating unit 211a Lamp 211b Window 212 Transport door 221 Rotary table 222 Rotary shaft 223 Motor 224 Holding pin 281 Arm drive mechanism 282 Swing arm 283 Rinse liquid discharge nozzle

Claims (7)

表面に液膜が形成された基板が搬入されるチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、前記基板を保持する保持部と、
前記チャンバの上部に設けられ、前記保持部によって保持された前記基板の前記表面と前記液膜との間に気層を生じさせるように前記基板を加熱する加熱部と、
前記加熱部と前記保持部との間に設けられ、孔を有する透過窓と、
前記孔から前記保持部によって保持された前記基板に向けてガスを供給するガス供給部と、
前記透過窓を回転させるモータと、
を備える基板処理装置。
a chamber into which a substrate having a liquid film formed on its surface is carried;
a holder provided in the chamber and holding the substrate;
a heating unit provided in an upper portion of the chamber and configured to heat the substrate so as to generate an air layer between the surface of the substrate held by the holding unit and the liquid film;
a transmission window having a hole and provided between the heating unit and the holding unit;
a gas supply unit that supplies a gas from the hole toward the substrate held by the holder;
A motor that rotates the transmission window;
A substrate processing apparatus comprising:
前記孔は、前記透過窓の中心部に設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, characterized in that the hole is provided in the center of the transmission window. 前記モータは、
前記チャンバ内に設けられ、前記透過窓を回転させるロータと、
前記チャンバ外に設けられ、前記ロータを回転させるステータと、
を有し、
前記ステータは、前記ロータを非接触状態で回転させることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
The motor is
a rotor provided in the chamber and configured to rotate the transmission window;
a stator provided outside the chamber and configured to rotate the rotor;
having
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the stator rotates the rotor in a non-contact state.
前記基板は、回転駆動可能に設けられ、
前記透過窓の回転数は、前記基板の回転数より高いことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
The substrate is provided so as to be rotatably driven,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the rotation speed of the transmission window is higher than the rotation speed of the substrate.
前記基板と前記透過窓の回転方向は、同一方向であることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4, characterized in that the substrate and the transmission window rotate in the same direction. 前記透過窓を保持する円環状の透過窓保持部と、
を備え、
前記モータは、前記透過窓保持部を介して前記透過窓を回転させ、
前記透過窓保持部は、前記透過窓保持部の底面に径方向に延びた複数の羽根部材が前記透過窓保持部の円周に沿って形成されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
a circular window holding portion that holds the transmission window;
Equipped with
The motor rotates the transmission window via the transmission window holding portion,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transmission window holding portion has a bottom surface on which a plurality of blade members extending in a radial direction are formed along a circumference of the transmission window holding portion.
保持部が、表面に液膜が形成された状態でチャンバに搬入された基板を保持し、
加熱部が、前記保持部によって保持された前記基板の前記表面と前記液膜との間に気層を生じさせるように前記基板を加熱し、
ガス供給部が、前記加熱部と前記保持部との間に設けられた透過窓の孔から、前記保持部によって保持された前記基板に向けてガスを供給し、
モータが、前記透過窓を回転させる、
基板処理方法。
a holding unit holding the substrate that has been brought into the chamber with a liquid film formed on the surface thereof;
a heating unit heating the substrate so as to generate an air layer between the surface of the substrate held by the holding unit and the liquid film;
a gas supply unit supplies a gas toward the substrate held by the holder through a hole in a transmission window provided between the heating unit and the holder;
A motor rotates the transmission window.
A method for processing a substrate.
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