JP2024063360A - ガス流路を有する部材の製造方法、およびガス流路を有する部材 - Google Patents
ガス流路を有する部材の製造方法、およびガス流路を有する部材 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】ガス流路の表面の耐食性を高く維持しつつ簡易に製造することができる、ガス流路を有する部材の製造方法、およびガス流路を有する部材を提供する。【解決手段】ガス流路を有する部材の製造方法は、内部にガス流路が形成された金属素材を準備する工程と、ALDによりガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程とを有する。【選択図】図5
Description
本開示は、ガス流路を有する部材の製造方法、およびガス流路を有する部材に関する。
例えば、ALD(Atomic Layer Deposition)により基板に対して成膜処理を行う成膜装置においては、処理容器内にガスを導入するために、ガス流路を有する部材が用いられる(例えば特許文献1)。
本開示は、ガス流路の表面の耐食性を高く維持しつつ簡易に製造することができる、ガス流路を有する部材の製造方法、およびガス流路を有する部材を提供する。
本開示の一実施形態に係るガス流路を有する部材の製造方法は、内部にガス流路が形成された金属素材を準備する工程と、ALDにより前記ガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程と、を有する。
本開示によれば、ガス流路の表面の耐食性を高く維持しつつ簡易に製造することができる、ガス流路を有する部材の製造方法、およびガス流路を有する部材が提供される。
以下、添付図面を参照して実施形態について説明する。
<経緯>
まず、経緯について説明する。
ALD成膜等の成膜装置には、処理容器内にガスを導入するために、特許文献1にも記載されているような、ガス流路を有する部材が用いられる。このようなガス流路を有する部材としてアルミニウムやアルミニウム合金のような一般的なアルミニウム材料が適用される場合、ガス流路を通流するガスによる流路表面の腐食対策として陽極酸化処理(アルマイト処理)が多用されている。
まず、経緯について説明する。
ALD成膜等の成膜装置には、処理容器内にガスを導入するために、特許文献1にも記載されているような、ガス流路を有する部材が用いられる。このようなガス流路を有する部材としてアルミニウムやアルミニウム合金のような一般的なアルミニウム材料が適用される場合、ガス流路を通流するガスによる流路表面の腐食対策として陽極酸化処理(アルマイト処理)が多用されている。
陽極酸化処理は、電解液中に部材を浸漬して通電することにより行われる液浸処理であるため、ガス流路を有する部材のガス流路全体に陽極酸化処理を行うために、従来、ガス流路に開口を設けて陽極酸化処理を行い、処理後、プラグや蓋で開口を塞ぐことが行われていた。例えば、まず、図8(a)に示すように、アルミニウム素材500のガス流路501に開口502を設けた状態とする。次いで、図8(b)に示すように、陽極酸化処理により陽極酸化皮膜503を形成するとともに、内側に陽極酸化皮膜504aが形成された蓋504を溶接する。これらの処理により開口502を塞ぐことができる。
このようにプラグや蓋を溶接して開口を塞ぐ場合、その分のコストや時間がかかり、特に、長い流路や複雑な流路だと、コストや時間が増大してしまう。また、プラグや蓋にも陽極酸化処理を施すが、これらを装着する際に部材本体との擦れや溶接の熱により皮膜が破損してアルミニウム部分が露出してしまい、耐食性が不十分となることもある。
そこで、一実施形態では、内部にガス流路を有するアルミニウム材料からなる素材を準備し、ガス流路の内面の全面にALDにより酸化アルミニウム(アルミナ)膜を形成する。これにより、アルミニウム材料からなる本体部と、本体部の内部に形成されたガス流路と、ガス流路の内面の全面に耐食膜として形成されたALD膜である酸化アルミニウム膜とを有する、ガス流路を有する部材が得られる。
ALDはガスによる処理であるため、開口を設けなくてもガス流路に処理ガスが十分に供給される。このため、陽極酸化処理の際に必要であった開口が不要になり、プラグや蓋を溶接して開口を塞ぐ手間をほぼなくして、ガス流路の表面の全面に耐食性膜を形成することができる。また、微小なプラグや蓋が必要な場合でも、ALDはプラグや蓋を装着した後に行えばよく、プラグや蓋の装着時にALD膜として形成された酸化アルミニウム膜が剥がれることない。しかも、プラグや蓋と本体との間の微小な隙間にもガスが回り、ALD膜が形成される。
このため、ガス流路の表面の全面に亘って高い耐食性を維持しつつ、ガス流路表面が耐食性を有する、ガス流路を有する部材を簡易に製造することができる。
<具体的な実施形態>
[ガス流路を有する部材が適用されるALD成膜装置]
実施形態に係るガス流路を有する部材としては、典型例として例えばALD成膜のようにガスを用いた成膜を行う成膜装置において、基板が収容された処理容器内にガスを導入するガス導入部材を挙げることができる。ガス導入部材としては、インレットブロックやフィッティングブロックを挙げることができる。
[ガス流路を有する部材が適用されるALD成膜装置]
実施形態に係るガス流路を有する部材としては、典型例として例えばALD成膜のようにガスを用いた成膜を行う成膜装置において、基板が収容された処理容器内にガスを導入するガス導入部材を挙げることができる。ガス導入部材としては、インレットブロックやフィッティングブロックを挙げることができる。
図1は、ガス流路を有する部材であるガス導入部材としてインレットブロックやフィッティングブロックを有するALD成膜装置の一例を示す概略構成部である。
成膜装置1は、減圧可能に構成され、基板Wを収容する処理容器10を有する。処理容器10の側壁には基板Wを搬入出する搬入出口(図示せず)が設けられている。処理容器10の上部には、壁部を周回するように排気ダクト51が設けられている。処理容器10の上部は開口を有しており、開口を塞ぐようにシール部材を介して蓋13が装着される。蓋13の下部にはキャップ部材3が取り付けられている。
処理容器10内のキャップ部材3の下方には、基板Wが載置される載置台2が設けられている。載置台2の内部には、基板Wを加熱するためのヒータ(図示せず)が設けられている。載置台2の下面中央部には、処理容器10の底壁に形成された開口15を通って、下方に延びる支持部材23が接続されている。載置台2は、支持部材23を介して昇降機構24によって図1に示す基板を処理する処理位置と、その下方の基板を搬送する搬送位置との間で昇降される。支持部材23の処理容器10の外側位置には、フランジ25が設けられ、このフランジ25と処理容器10の底壁の間には、開口15を囲むようにベローズ26が設けられている。
載置台2が処理位置に位置されている状態で、キャップ部材3と載置台2との間に処理空間Sが形成される。キャップ部材3の下面には処理空間Sを形成する逆すり鉢状の凹部31が形成されている。蓋13およびキャップ部材3の中央部には、これらを貫通するように、処理空間S内へガスを導入するためのガス導入路35が形成されている。
環状をなす排気ダクト51は、内部にガス通流路55が形成されており、排気ダクト51の内周面にはガス通流路55につながるスリット56が全周に亘って形成されている。排気ダクト51の外壁には排気口57が設けられ、排気口57には排気管52の一端が接続されている。排気管52の他端は、例えば真空ポンプにより構成される排気装置53が接続されている。また、排気管52には、処理空間S内の圧力を調整するためのAPCバルブ54が設けられている。
蓋体13の上には、ガス導入路35を介して処理容器10内の処理空間Sにガスを導入するガス導入機構4が設けられている。ガス導入機構4は、実施形態に係るガス流路を有する部材であるガス導入部材として、インレットロック41およびフィッティングブロック42を有する。ガス導入機構4へは、ガス供給部60の複数のガス供給源(図示せず)から、配管61を介してALD成膜を行うための原料ガス、反応ガス、パージガス等が供給される。
以上のように構成される成膜装置1においては、基板Wを処理容器10内に搬入し、搬送位置にある載置台2に載置した後、載置台2を上昇させて処理位置に位置させ、処理空間Sを形成する。そして、排気装置53により処理空間Sを排気して処理空間Sを所望の真空度に調整し、ヒータにより基板Wを所望の温度に加熱する。この状態で、ガス供給部60から、ガス導入機構4およびガス導入路35を介して処理空間Sに、原料ガス、反応ガス、パージガスをシーケンシャルに供給し、ALDにより基板W上にALD膜を成膜する。
[ガス導入部材]
次に、実施形態に係るガス流路を有する部材であるガス導入部材について詳細に説明する。
図2は実施形態に係るガス流路を有する部材であるガス導入部材としてのインレットブロック41およびフィッティングブロック42を示す斜視図、図3はインレットブロック41を示す平面図、図4はインレットブロック41およびフィッティングブロック42を示す断面図である。
次に、実施形態に係るガス流路を有する部材であるガス導入部材について詳細に説明する。
図2は実施形態に係るガス流路を有する部材であるガス導入部材としてのインレットブロック41およびフィッティングブロック42を示す斜視図、図3はインレットブロック41を示す平面図、図4はインレットブロック41およびフィッティングブロック42を示す断面図である。
インレットブロック41は、アルミニウムまたはアルミニウム合金のようなアルミニウム材料からなる本体部411と、本体部411の内部に形成された3本のガス流路414a、414b、414cとを有する。また、図4に示すように、インレットブロック41は、さらに、本体部411のガス流路414a、414b、414cの内面の全面に耐食性膜としてALD膜である酸化アルミニウム膜415を有する。本体部411の先端部はガス導入路35に接続される第1接続部412となっており、本体部411の基端部はフィッティングブロック42に接続される第2接続部413となっている。第1接続部412は円柱状をなしており、その下部には空間412aが形成されている。ガス流路414a、414b、414cは、その一端が空間412aに臨むように形成されている。
フィッティングブロック42は、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の本体部421と、本体部421の内部に形成された3本のガス流路424a、424b、424cとを有する。また、図4に示すように、フィッティングブロック42は、さらに、本体部421のガス流路424a、424b、424cの内面の全面に耐食性膜としてALD膜である酸化アルミニウム膜425を有する。本体部421のインレットブロック41の直下部分は、フィッティングブロック41の第2接続部413に接続される第1接続部422となっており、本体部421のインレットブロック41から突出する部分は、ガス供給部60の配管61が接続される第2接続部423となっている。第2接続部423には、3つのガス導入ポート423a、423b、423cが設けられており、これらにそれぞれ配管61が接続される。
インレットブロック41の第2接続部413とフィッティングブロック42の第1接続部422とは、ガス流路414a、414b、414cとガス流路424a、424b、424cとがそれぞれ接続されるように接続される。
なお、本実施例では、インレットブロック41およびフィッティングブロック42は、3本の配管61に接続された3本のガス流路を有しているが、ガス流路の本数は限定されない。
[ガス導入部材の製造方法]
次に、ガス流路を有する部材であるガス導入部材の製造方法の一例について説明する。ここでは、ガス導入部材としてインレットブロックを用いた例について示す。
次に、ガス流路を有する部材であるガス導入部材の製造方法の一例について説明する。ここでは、ガス導入部材としてインレットブロックを用いた例について示す。
図5は、ガス流路を有する部材であるガス導入部材の製造方法の一例を説明する工程断面図である。
最初に、アルミニウムまたはアルミニウム合金のようなアルミニウム材料からなる内部にガス流路414が形成された素材41´を準備する(図5(a))。
ガス流路414は、例えばドリルにより形成されたものである。ガス流路414をドリルにより形成する場合には、素材41´の端部から穿孔するため、ガス流路414以外の部分にも孔が形成されるが、その部分はプラグで塞ぐことができる。
次に、ガス流路414の内面の全面にALDにより耐食性膜として酸化アルミニウム膜415を形成する(図5(b))。
ALDによる酸化アルミニウム膜415の形成は、適宜の原料ガス、反応ガス、パージガスを用いて常法により行えばよい。例えば、素材41´を180~200℃程度に加熱し、原料ガスとしてのトリメチルアルミニウム(TMA)と、反応ガスとしてのO3ガスとを、残留ガスのパージを挟んでシーケンシャルに供給することによりALD膜としての酸化アルミニウム膜415を形成する。すなわち、180~200℃程度の適宜の温度に加熱された素材41´に対し、TMAガスの供給、残留ガスのパージ、O3ガスの供給、残留ガスのパージを繰り返し行い、ALD膜である酸化アルミニウム膜415を形成する。反応ガスとしては、O3ガスの他、H2Oガス、O2ガス等を用いてもよい。また、残留ガスのパージを行う際のパージガスとしては、Arガス等の不活性ガスを用いることができる。パージガスは、原料ガスや反応ガスを供給する際にも供給するようにしてもよい。
このような、ALDによるガス流路414の内面への酸化アルミニウム膜の形成は、以下のような装置により行うことができる。
図6は、実際にALDにより素材内部に形成されたガス流路の内面に酸化アルミニウム膜を形成するための装置の一例を示す断面図である。本例の装置200は、内部にガス流路414が形成された素材41´のガス流路414の入口側に設けられたガス供給部120と、ガス流路414の出口側に設けられた排気部130と、素材41´を加熱する加熱機構140とを有する。
ガス流路414の入口部は、内部にガス導入路を有するガス導入治具111により密閉されており、ガス導入治具111を介してガス供給部120からのガスがガス流路414に供給されるように構成される。
ガス供給部120は、TMAガス供給源121と、O3ガス供給源122と、Arガス供給源123と、これらにそれぞれ一端が接続されたガス配管124、125、126とを有する。ガス配管124、125、126の他端はガス導入治具111に接続され、TMAガス、O3ガス、パージガスとしてのArガスは、これら配管124、125、126およびガス導入治具111を介してガス流路414に導入される。なお、ガス配管124、125、126には、それぞれ開閉バルブ127、128、129が介装されている。また、図示してはいないがこれらガス配管にはマスフローコントローラ等の流量制御器が設けられている。
ガス流路414の出口部は、内部にガス排出路を有するガス排出治具112により密閉されており、ガス排出治具112を介して排気部130によりガス流路414内が排気されるように構成される。
排気部130は、一端がガス排出治具112のガス排出路に接続された排気配管131と、排気配管131に接続された排気装置132とを有している。排気装置132は真空ポンプと圧力制御バルブとを有している。
このように構成される装置200においては、加熱機構140により、内部にガス流路414が形成された素材41´を180~200℃に加熱した状態とする。この状態で、まず、ガス供給部120からガス流路414にArガスを供給しつつ、排気部130によりガス流路414を排気して所定の減圧状態とする。そして、排気部130によりガス流路414内の圧力を制御しつつ、ガス供給部120および排気部130により、ガス流路414に対して、TMAガスの供給、Arガスによるパージ、O3ガスの供給、Arガスによるパージを繰り返すALDを行う。これにより、ガス流路414の内面の全面にALD膜である酸化アルミニウム膜を所望の厚さで成膜する。
図7は、実際にALDにより素材内部に形成されたガス流路の内面に酸化アルミニウム膜を形成するための装置の他の例を示す断面図である。本例の装置300は、内部にガス流路414が形成された素材41´を収容する処理容器210と、処理容器210にガスを供給するガス供給部220と、処理容器210内を排気する排気部230と、素材41´を加熱する加熱機構240とを有する。
ガス供給部220は、TMAガス供給源221と、O3ガス供給源222と、Arガス供給源223と、これらにそれぞれ一端が接続されたガス配管224、225、226とを有する。ガス配管224、225、226の他端はガス導入ノズル250に接続され、TMAガス、O3ガス、パージガスとしてのArガスは、これら配管224、225、226およびガス導入ノズル250を介して処理容器210内に導入される。なお、ガス配管224、225、226には、それぞれ開閉バルブ227、228、229が介装されている。また、図示してはいないがこれらガス配管にはマスフローコントローラ等の流量制御器が設けられている。
排気部230は、一端が処理容器210の排気口211に接続された排気配管231と、排気配管231に接続された排気装置232とを有している。排気装置232は真空ポンプと圧力制御バルブとを有している。
このように構成される装置300においては、処理容器210の搬入口(図示せず)から処理容器210内に、内部にガス流路414が形成された素材41´を搬入する。次いで、加熱機構240により、内部にガス流路414が形成された素材41´を180~200に加熱した状態とする。この状態で、まず、ガス供給部220からガス導入ノズル250を経てArガスを処理容器210内に供給しつつ、排気部230により処理容器210内を排気して所定の減圧状態とする。そして、排気部230により処理容器210内の圧力を制御しつつ、ガス供給部220および排気部230により、処理容器210に対して、TMAガスの供給、Arガスによるパージ、O3ガスの供給、Arガスによるパージを繰り返すALDを行う。これにより、ガス流路414の内面にALD膜である酸化アルミニウム膜を所望の厚さで成膜する。
また、ALDによるガス流路414の内面への酸化アルミニウム膜の形成は、図1に示す成膜装置1におけるインレットブロック41の代わりに内部にガス流路が形成された素材41´を装着した成膜装置を用いて行うこともできる。具体的には、成膜装置1のインレットブロック41の代わりに内部にガス流路が形成された素材41´を装着し、ガス供給部60をTMAガスおよびO3ガスを供給可能にするとともに、素材41´を加熱する加熱機構を設ける。このような成膜装置においては、基板WへのALDに先立って、加熱機構により素材41´を加熱しつつTMAガスとO3ガスとのALDにより素材41´のガス流路414の内面に酸化アルミニウム膜を形成してインレットブロック41を形成する。そして、その後、基板WへのALD成膜を繰り返し実施する。
このような装置構成とすることにより、基板WへのALDを繰り返してインレットブロック41内部のガス流路内面の酸化アルミニウム膜が損耗した場合に、TMAガスとO3ガスとのALDにより酸化アルミニウム膜を補修することもできる。
以上のように、本実施形態によれば、内部にガス流路を有するアルミニウム材料からなる素材41´を準備し、ガス流路の内面の全面にALDにより酸化アルミニウム膜415を形成して、ガス導入部材(インレットブロック41、フィッティングブロック42)を形成する。ALDはガスによる処理であるため、陽極酸化処理の際に必要であった開口を設けなくても処理ガスが十分にガス流路全体に行き渡る。このため、プラグや蓋を溶接して開口を塞ぐ手間をほぼなくして、ガス流路の表面の全面に耐食性膜を形成することができる。また、ガス流路を形成するためにドリルで穿孔した後、余分な部分をプラグで塞ぐ場合でも、ALDはプラグを装着した後に行えばよく、ALD膜として形成された酸化アルミニウム膜が剥がれることない。しかも、プラグや蓋と本体との間の微小な隙間にもガスが回り込み、ALD膜が形成される。
このため、ガス流路の表面の全面に亘って酸化アルミニウム膜形成して高い耐食性を維持しつつ、ガス流路表面が耐食性を有するガス導入部材を簡易に製造することができる。
<他の適用>
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
例えば、上記実施形態では、本体部となる素材をアルミニウムやアルミニウム合金のようなアルミニウム材料で構成し、ガス流路の内面にALDにより形成される耐食性膜として酸化アルミニウム膜を用いた場合を示したが、これに限るものではない。本体部となる素材としては、アルミニウムの他に、ステンレス鋼やニッケル合金等も適用可能である。また、ALDによる耐食性膜も酸化アルミニウムの他に、窒化アルミニウムや酸化ケイ素、窒化ケイ素、ジルコニア、酸化イットリウム(イットリア)、酸化ニオブ、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化チタン等も可能である。素材を構成する金属と耐食性膜に含まれる金属が異なるものであってもよい。このように、素材である金属と耐食性膜の組み合わせの自由度が高い点も、アルミニウム材料からなる素材のガス流路の内面に陽極酸化皮膜を形成する場合と比べて大きな利点である。
また、上記実施形態では、ガス流路を有する部材として、ALD成膜装置のガス導入部材であるインレットブロックやフィッティングブロックを用いた例を示したが、ALDに限らずガスを用いた成膜装置のガス導入部であれば用いることができる。また、ガス導入部に限らずガス流路の内面に耐食性が要求される部材であれば適用可能である。
1;成膜装置
4;ガス導入機構
41;インレットブロック(ガス導入部材)
41´;素材
42;フィッティングブロック(ガス導入部材)
411、421;本体部
414、414a、414b、414c、424a、424b、424c;ガス流路
415、425;酸化アルミニウム膜(耐食性膜、ALD膜)
4;ガス導入機構
41;インレットブロック(ガス導入部材)
41´;素材
42;フィッティングブロック(ガス導入部材)
411、421;本体部
414、414a、414b、414c、424a、424b、424c;ガス流路
415、425;酸化アルミニウム膜(耐食性膜、ALD膜)
Claims (9)
- 内部にガス流路が形成された金属素材を準備する工程と、
ALDにより前記ガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程と、
を有する、ガス流路を有する部材の製造方法。 - 前記金属素材はアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記耐食性膜は酸化アルミニウム膜である、請求項1に記載のガス流路を有する部材の製造方法。
- 前記酸化アルミニウム膜は、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムガスを用い、反応ガスとしてO3ガス、H2Oガス、O2ガスのいずれかを用いて、180~200℃でALDを行うことにより形成される、請求項2に記載のガス流路を有する部材の製造方法。
- 前記ガス流路を有する部材は、成膜装置においてガス導入に用いられるガス導入部材である、請求項1に記載のガス流路を有する部材の製造方法。
- 前記成膜装置に前記金属素材を装着した状態で、前記金属素材の前記ガス流路にガスを供給して、前記ALDにより前記ガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程を行う、請求項4に記載のガス流路を有する部材の製造方法。
- 前記金属素材の内部に形成された前記ガス流路の一方の端部にガス導入部を設け、他方の端部に排気部を設け、前記排気部により前記ガス流路を排気しつつ、前記ガス導入部から前記ガス流路にガスを供給することで、前記ALDにより前記ガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程を行う、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のガス流路を有する部材の製造方法。
- 処理容器内に前記内部にガス流路が形成された金属素材を配置し、前記処理容器内を排気しつつ、前記処理容器内にガスを供給することで、前記ALDにより前記ガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程を行う、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のガス流路を有する部材の製造方法。
- 金属からなる本体部と、
前記本体部に形成されたガス流路と、
前記ガス流路の内面に耐食性膜として形成されたALD膜と、
を有する、ガス流路を有する部材。 - 前記本体部はアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記ALD膜は、酸化アルミニウム膜である、請求項8に記載のガス流路を有する部材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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