JP2023177038A - 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】適度な酸強度を有し、かつ拡散の小さい酸を発生することができる酸発生剤を含む化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】（Ａ１）または（Ａ２）の酸発生剤、及びフェノール骨格を有する繰り返し単位を含み、酸によりアルカリ現像液への溶解性が増すポリマーを含むレジスト組成物。TIFF2023177038000128.tif67118【選択図】なし

Description

本発明は、化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法に関する。

近年、ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が急速に進んでいる。このうち、０.２μｍ以下のパターンの加工では、もっぱら酸を触媒とした化学増幅レジスト組成物が使用されている。また、露光源として紫外線、遠紫外線、電子線（ＥＢ）等の高エネルギー線が用いられており、特に超微細加工技術として利用されているＥＢリソグラフィーは、半導体製造用のフォトマスクを作製する際のフォトマスクブランクの加工方法としても不可欠となっている。

酸性側鎖を有する芳香族骨格を多量に有するポリマー、例えばポリヒドロキシスチレンは、ＫｒＦエキシマレーザーを用いるＫｒＦリソグラフィー用レジスト組成物の材料として有用であるが、波長２００ｎｍ付近の光に対して大きな吸収を示すため、ＡｒＦエキシマレーザーを用いるＡｒＦリソグラフィー用レジスト組成物の材料としては使用されなかった。しかし、ＡｒＦエキシマレーザーによる加工限界よりも小さなパターンを形成するための有力な技術であるＥＢリソグラフィー用レジスト組成物や、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィー用レジスト組成物の材料としては高いエッチング耐性が得られる点で重要な材料となっている。

通常、ポジ型のＥＢリソグラフィー用レジスト組成物やＥＵＶリソグラフィー用レジスト組成物のベースポリマーとしては、高エネルギー線を照射することで光酸発生剤より発生した酸を触媒として、ベースポリマーが持つフェノール側鎖の酸性官能基をマスクしている酸分解性保護基（酸不安定基）を脱保護させて、アルカリ現像液に可溶化する材料が主に用いられている。

前記酸分解性保護基として、第３級アルキル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、アセタール基等が主として用いられてきた。ここで、アセタール基のような脱保護に必要な活性化エネルギーが比較的小さい保護基を用いると、高感度のレジスト膜が得られるという利点があるものの、発生する酸の拡散の抑制が十分でないと、レジスト膜中の露光していない部分においても脱保護反応が起きてしまい、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の劣化やパターン線幅の寸法均一性（ＣＤＵ）の低下を招くという問題があった。また、特に重要な用途であるフォトマスクブランクの加工では、フォトマスク基板に成膜された酸化クロムをはじめとするクロム化合物膜等、化学増幅レジスト膜のパターン形状に影響を与えやすい表面材料を持つものがあり、高解像性やエッチング後の形状を保つためには基板の種類に依存せずレジスト膜のパターンプロファイルを矩形に保つことも重要な性能の１つとなっている。また、近年では、微細化を達成するためにマスクブランクの加工にＭＢＭＷ（マルチビームマスクライティング）描画プロセスを用いる場合があり、その際、レジスト組成物としてはラフネスに有利な低感度レジスト組成物（高ドーズ領域）を使用するが、この高ドーズ領域におけるレジスト組成物の最適化も脚光を浴びてきた。

感度やパターンプロファイルの制御について、レジスト組成物に使用する材料の選択や組み合わせ、プロセス条件等によって種々の改良がなされてきた。その改良の１つとして、酸の拡散の問題がある。この酸の拡散については、化学増幅レジスト組成物の感度と解像性に大きな影響を与えることから多くの検討がされてきた。

特許文献１や特許文献２には、露光により光酸発生剤から発生するベンゼンスルホン酸を嵩高くすることで酸拡散を抑制し、ラフネスを低減する例が記載されている。しかし、前記酸発生剤では酸拡散の抑制が未だ不十分であるので、より拡散の小さい酸発生剤の開発が望まれていた。

特許文献３には、露光により発生するスルホン酸をレジスト組成物に使用するポリマーに結合させて拡散を抑制することで、酸拡散を制御する例が記載されている。このような露光により酸を発生する繰り返し単位をベースポリマーに含ませて酸拡散を抑える方法は、ＬＥＲの小さなパターンを得るのに有効である。しかし、このような繰り返し単位の構造や導入率によっては、露光により酸を発生する繰り返し単位を結合させたベースポリマーの有機溶剤に対する溶解性に問題が生じることがあった。

また、特許文献４に記載されている、フッ素化アルカンスルホン酸のような酸強度の高い酸を発生させるスルホニウム塩と、アセタール基を有する繰り返し単位を含むポリマーとを用いた場合には、ＬＥＲの大きなパターンが形成される問題があった。脱保護の活性化エネルギーが比較的小さいアセタール基の脱保護にはフッ素化アルカンスルホン酸の酸強度は高すぎるため、酸の拡散を抑えたとしても未露光部に拡散した微量の酸により脱保護反応が進行してしまうからである。このことは、特許文献１や２に記載されているベンゼンスルホン酸を発生させるスルホニウム塩においても同様である。そこで、アセタール基の脱保護に、より好適な強度の酸を発生する酸発生剤の開発が望まれている。

酸発生剤の１つとして、特許文献５に記載されているヨウ素原子を含む芳香族基を有するスルホン酸を発生させるスルホニウム塩があるが、ＥＵＶリソグラフィーにおける感度の増感効果を狙ったものであり、役割としても、フッ素化アルカンスルホン酸に対するクエンチャーとしての取り扱いが主であり、酸発生剤、特にマスクブランク加工においてＥＢ描画プロセスに用いるポリヒドロキシスチレンをベースポリマーとするレジスト組成物に用いる酸発生剤としては、十分な検討がなされてこなかった。

酸の拡散を抑制するには、前述の発生酸を嵩高くする方法のほかに、クエンチャー（酸拡散制御剤）を改良する方法も考えられる。クエンチャーは、酸拡散を抑制するものであり、レジスト組成物の性能を向上させるためには事実上必須成分である。クエンチャーは、これまで様々な検討がなされており、一般的にアミン類や弱酸オニウム塩が用いられている。弱酸オニウム塩の例として、特許文献６には、トリフェニルスルホニウムアセテートの添加により、Ｔ－トップの形成、孤立パターンと密集パターンとの線幅の差及びスタンディングウエーブのない良好なレジストパターンを形成できることが記載されている。特許文献７には、スルホン酸アンモニウム塩又はカルボン酸アンモニウム塩の添加により、感度、解像性及び露光マージンが改善されたことが記載されている。また、特許文献８には、フッ素原子含有カルボン酸を発生する光酸発生剤を含む組み合わせのＫｒＦリソグラフィー及びＥＢリソグラフィー用レジスト組成物が解像力に優れ、露光マージン、焦点深度等のプロセス許容性が改善されたことが記載されている。これらは、ＫｒＦリソグラフィー、ＥＢリソグラフィー又はＦ₂リソグラフィーに用いられているものである。

特許文献９には、カルボン酸オニウム塩を含むＡｒＦリソグラフィー用ポジ型感光性組成物が記載されている。これらは、露光によって光酸発生剤から生じた強酸（スルホン酸）が弱酸オニウム塩と交換し、弱酸及び強酸オニウム塩を形成することで酸性度の高い強酸（スルホン酸）から弱酸（カルボン酸）に置き換わることによって酸不安定基の酸分解反応を抑制し、酸拡散距離を小さくする（制御する）ものであり、見かけ上クエンチャーとして機能する。

しかしながら、近年はラフネスの更なる改善のみならず、ラインアンドスペース（ＬＳ）、アイソライン（ＩＬ）、アイソスペース（ＩＳ）に加え、ホールパターン形状にも優れるレジスト組成物が求められている。特許文献１０に記載されている、発生酸が嵩高く、酸の拡散を抑制した光酸発生剤では、解像性、ラフネス共に良好なパターンが得られたが、ホールパターンにおいては、コーナーラウンディングが見られるという欠点があった。

特開２００９－５３５１８号公報 特開２０１０－１００６０４号公報 特開２０１１－２２５６４号公報 特許第５０８３５２８号公報 特許第６６４５４６４号公報 特許第３９５５３８４号公報 特開平１１－３２７１４３号公報 特許第４２３１６２２号公報 特許第４２２６８０３号公報 特許第６２４８８８２号公報

本発明は、前記事情に鑑みなされたもので、適度な酸強度を有し、かつ拡散の小さい酸を発生することができる酸発生剤を含む化学増幅ポジ型レジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、下記式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩及び下記式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩から選ばれる少なくとも１種をレジスト組成物に導入した場合、発生酸が最適な構造を有するため酸の拡散が抑制され、これによりＬＥＲの小さなパターンが得られ、さらにホールパターンにおいては、適度な溶解阻止性により、良好な矩形性のパターンが得られることを知見し、本発明をなすに至った。

すなわち、本発明は、下記化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。
１．（Ａ）下記式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩及び下記式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩から選ばれる少なくとも１種を含む酸発生剤、並びに（Ｂ）下記式（Ｂ１）で表される繰り返し単位を含み、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大するポリマーを含むベースポリマーを含む化学増幅ポジ型レジスト組成物。

（式中、ｍは、０又は１である。ｐは、１～３の整数である。ｑは、１～５の整数である。ｒは、０～３の整数である。
Ｌ¹は、単結合、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合又はカーバメート結合である。
Ｌ²は、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合又はカーバメート結合である。
Ｘ¹は、ｐが１のときは単結合又は炭素数１～２０のヒドロカルビレン基であり、ｐが２又は３のときは炭素数１～２０の(ｐ＋１)価炭化水素基であり、該ヒドロカルビレン基及び(ｐ＋１)価炭化水素基は、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、スルトン環、ラクタム環、カーボネート結合、ハロゲン原子、ヒドロキシ基及びカルボキシ基から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
Ｒｆ¹及びＲｆ²は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であるが、少なくとも１つはフッ素原子又はトリフルオロメチル基である。
Ｒ¹は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数２～６の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アミノ基、－Ｎ(Ｒ^1A)－Ｃ(＝Ｏ)－Ｒ^1B又は－Ｎ(Ｒ^1A)－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｒ^1Bであり、Ｒ^1Aは、水素原子又は炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基であり、Ｒ^1Bは、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基又は炭素数２～８の不飽和脂肪族ヒドロカルビル基である。
Ｒ²は、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビレン基又は炭素数６～１４のアリーレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の水素原子の一部又は全部が、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されていてもよく、該アリーレン基の水素原子の一部又は全部が、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数６～１４のアリール基、ハロゲン原子及びヒドロキシ基から選ばれる置換基で置換されていてもよい。
Ｒ³～Ｒ⁷は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又は炭素数１～２０のヒドロカルビル基であり、該ヒドロカルビル基は、酸素原子、硫黄原子、窒素原子及びハロゲン原子から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。また、Ｒ³とＲ⁴とが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。）

（式中、ａ１は、０又は１である。ａ２は、０～２の整数である。ａ３は、０≦ａ３≦５＋２ａ２－ａ４を満たす整数である。ａ４は、１～３の整数である。
Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
Ｒ¹¹は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～８の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。
Ａ¹は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の－ＣＨ₂－が－Ｏ－で置換されていてもよい。）
２．（Ａ）成分が、下記式（Ａ３）で表されるオニウム塩である１の化学増幅ポジ型レジスト組成物。

（式中、ｐ、ｑ、ｒ、Ｘ¹、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴及びＲ⁵は、前記と同じ。
ｎは、１～４の整数である。
Ｒ^2Aは、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数６～１４のアリール基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基である。）
３．前記ポリマーが、更に、下記式（Ｂ２－１）で表される繰り返し単位を含むものである１又は２の化学増幅ポジ型レジスト組成物。

（式中、Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
ｂ１は、０又は１である。ｂ２は、０～２の整数である。ｂ３は、０≦ｂ３≦５＋２ｂ２－ｂ４を満たす整数である。ｂ４は、１～３の整数である。ｂ５は、０又は１である。
Ｒ¹²は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～８の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。
Ａ²は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の－ＣＨ₂－が－Ｏ－で置換されていてもよい。
Ｘは、ｂ４が１のときは酸不安定基であり、ｂ４が２以上のときは水素原子又は酸不安定基であるが、少なくとも１つは酸不安定基である。）
４．前記ポリマーが、更に、下記式（Ｂ２－２）で表される繰り返し単位を含むものである１～３のいずれかの化学増幅ポジ型レジスト組成物。

（式中、ｃ１は、０～２の整数である。ｃ２は、０～２の整数である。ｃ３は、０～５の整数である。ｃ４は、０～２の整数である。
Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
Ａ³は、単結合、フェニレン基、ナフチレン基又は*－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ａ³¹－である。Ａ³¹は、ヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合若しくはラクトン環を含んでいてもよい炭素数１～２０の脂肪族ヒドロカルビレン基、又はフェニレン基若しくはナフチレン基である。
Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビル基であり、Ｒ¹³とＲ¹⁴とが、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。
Ｒ¹⁵は、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数１～５のフッ素化アルキル基又は炭素数１～５のフッ素化アルコキシ基である。
Ｒ¹⁶は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビル基である。）
５．前記ポリマーが、更に、下記式（Ｂ３）で表される繰り返し単位、下記式（Ｂ４）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｂ５）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含む１～４のいずれかの化学増幅ポジ型レジスト組成物。

（式中、ｄ及びｅは、それぞれ独立に、０～４の整数である。ｆ１は、０又は１である。ｆ２は、０～５の整数である。ｆ３は、０～２の整数である。
Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
Ｒ²¹及びＲ²²は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８の飽和ヒドロカルビルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～８の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。
Ｒ²³は、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数２～２０の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基、炭素数２～２０の飽和ヒドロカルビルオキシヒドロカルビル基、炭素数２～２０の飽和ヒドロカルビルチオヒドロカルビル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、スルフィニル基又はスルホニル基である。
Ａ⁴は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の－ＣＨ₂－が－Ｏ－で置換されていてもよい。）
６．前記ポリマーが、更に、下記式（Ｂ６）～（Ｂ１３）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含む１～５のいずれかの化学増幅ポジ型レジスト組成物。

（式中、Ｒ^Bは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。
Ｙ¹は、単結合、炭素数１～６の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、ナフチレン基若しくはこれらを組み合わせて得られる炭素数７～１８の基、－Ｏ－Ｙ¹¹－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｙ¹¹－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｙ¹¹－であり、Ｙ¹¹は、炭素数１～６の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、ナフチレン基又はこれらを組み合わせて得られる炭素数７～１８の基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。
Ｙ²は、単結合又は－Ｙ²¹－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－であり、Ｙ²¹は、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビレン基である。
Ｙ³は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化フェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、－Ｏ－Ｙ³¹－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｙ³¹－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｙ³¹－であり、Ｙ³¹は、炭素数１～６の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、フッ素化フェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基又はこれらを組み合わせて得られる炭素数７～２０の基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。
Ｙ⁴は、単結合又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～３０のヒドロカルビレン基である。ｇ１及びｇ２は、それぞれ独立に、０又は１であるが、Ｙ⁴が単結合のとき、ｇ１及びｇ２は、０である。
Ｒ³¹～Ｒ⁴⁸は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビル基である。また、Ｒ³¹及びＲ³²が、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよく、Ｒ³³及びＲ³⁴、Ｒ³⁶及びＲ³⁷、又はＲ³⁹及びＲ⁴⁰が、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。
Ｒ^HFは、水素原子又はトリフルオロメチル基である。
Ｘａ^-は、非求核性対向イオンである。）
７．前記ベースポリマーに含まれるポリマーの全繰り返し単位中、芳香環骨格を有する繰り返し単位の含有率が６０モル％以上である１～６のいずれかの化学増幅ポジ型レジスト組成物。
８．更に、（Ｃ）クエンチャーを含む１～７のいずれかの化学増幅ポジ型レジスト組成物。
９．（Ｃ）クエンチャーに対する（Ａ）酸発生剤の含有比率が、質量比で６未満である８の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
１０．更に、（Ｄ）下記式（Ｄ１）で表される繰り返し単位、下記式（Ｄ２）で表される繰り返し単位、下記式（Ｄ３）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｄ４）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含み、更に下記式（Ｄ５）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｄ６）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよいフッ素原子含有ポリマーを含む１～９のいずれかの化学増幅ポジ型レジスト組成物。

（式中、Ｒ^Cは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
Ｒ^Dは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。
Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²、Ｒ¹⁰⁴及びＲ¹⁰⁵は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビル基である。
Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁶、Ｒ¹⁰⁷及びＲ¹⁰⁸は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１５のヒドロカルビル基、炭素数１～１５のフッ素化ヒドロカルビル基又は酸不安定基であり、Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁶、Ｒ¹⁰⁷及びＲ¹⁰⁸がヒドロカルビル基又はフッ素化ヒドロカルビル基のとき、炭素－炭素結合間に、エーテル結合又はカルボニル基が介在していてもよい。
Ｒ¹⁰⁹は、水素原子、又は炭素－炭素結合間にヘテロ原子を含む基が介在していてもよい直鎖状若しくは分岐状の炭素数１～５のヒドロカルビル基である。
Ｒ¹¹⁰は、炭素－炭素結合間にヘテロ原子を含む基が介在していてもよい直鎖状又は分岐状の炭素数１～５のヒドロカルビル基である。
Ｒ¹¹¹は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基であり、前記飽和ヒドロカルビル基の－ＣＨ₂－の一部が、エステル結合又はエーテル結合で置換されていてもよい。
ｘは、１～３の整数である。ｙは、０≦ｙ≦５＋２ｚ－ｘを満たす整数である。ｚは、０又は１である。ｈは、１～３の整数である。
Ｚ¹は、炭素数１～２０の(ｈ＋１)価の炭化水素基又は炭素数１～２０の(ｈ＋１)価のフッ素化炭化水素基である。
Ｚ²は、単結合、*－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－又は*－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－である。*は、主鎖の炭素原子との結合手である。
Ｚ³は、単結合、－Ｏ－、*－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｚ³¹－Ｚ³²－又は*－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｚ³¹－Ｚ³²－である。Ｚ³¹は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基である。Ｚ³²は、単結合、エステル結合、エーテル結合又はスルホンアミド結合である。*は、主鎖の炭素原子との結合手である。）
１１．更に、（Ｅ）有機溶剤を含む１～１０のいずれかの化学増幅ポジ型レジスト組成物。
１２．１～１１のいずれかの化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線を用いて前記レジスト膜にパターンを照射する工程、及びアルカリ現像液を用いて前記パターンを照射したレジスト膜を現像する工程を含むレジストパターン形成方法。
１３．前記高エネルギー線が、ＥＵＶ又はＥＢである１２のレジストパターン形成方法。
１４．前記基板の最表面が、クロム、ケイ素、タンタル、モリブデン、コバルト、ニッケル、タングステン及びスズから選ばれる少なくとも１種を含む材料からなる１２又は１３のレジストパターン形成方法。
１５．前記基板が、透過型又は反射型マスクブランクである１２～１４のいずれかのレジストパターン形成方法。
１６．１～１１のいずれかの化学増幅ポジ型レジスト組成物を塗布した透過型又は反射型マスクブランク。

本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物は、式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩及び／又は式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩の作用により、パターン形成時の露光による酸拡散を効果的に制御することができ、これを用いてレジスト膜を成膜してパターンを形成する際に、極めて高い解像性を有し、ＬＥＲが小さく、矩形性に優れ、パターン忠実性に優れたパターンを得ることができる。また、式（Ｂ１）で表される繰り返し単位の作用により、アルカリ現像液に対して良好な溶解性を示すものとなるほか、レジスト膜を成膜する際の基板への密着性を向上させることができる。

以下、本発明について詳細に記述する。なお、以下の説明中、化学式で表される構造によっては不斉炭素が存在し、エナンチオマーやジアステレオマーが存在し得るものがあるが、その場合は一つの式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は、１種単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。

［化学増幅ポジ型レジスト組成物］
本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物は、（Ａ）所定のスルホニウム塩及びヨードニウム塩から選ばれる少なくとも１種を含む酸発生剤、及び（Ｂ）所定のポリマーを含むベースポリマーを含むことを特徴とする。

［（Ａ）酸発生剤］
（Ａ）成分の酸発生剤は、下記式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩及び下記式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩から選ばれる少なくとも１種を含むものである。

式（Ａ１）及び（Ａ２）中、ｍは、０又は１である。ｐは、１～３の整数である。ｑは、１～５の整数である。ｒは、０～３の整数である。

式（Ａ１）及び（Ａ２）中、Ｌ¹は、単結合、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合又はカーバメート結合である。

式（Ａ１）及び（Ａ２）中、Ｌ²は、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合又はカーバメート結合である。

式（Ａ１）及び（Ａ２）中、Ｘ¹は、ｐが１のときは単結合又は炭素数１～２０のヒドロカルビレン基であり、ｐが２又は３のときは炭素数１～２０の(ｐ＋１)価炭化水素基であり、該ヒドロカルビレン基及び(ｐ＋１)価炭化水素基は、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、スルトン環、ラクタム環、カーボネート結合、ハロゲン原子、ヒドロキシ基及びカルボキシ基から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。

Ｘ¹で表される炭素数１～２０のヒドロカルビレン基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、メタンジイル基、エタン－１,１－ジイル基、エタン－１,２－ジイル基、プロパン－１,３－ジイル基、ブタン－１,４－ジイル基、ペンタン－１,５－ジイル基、ヘキサン－１,６－ジイル基、ヘプタン－１,７－ジイル基、オクタン－１,８－ジイル基、ノナン－１,９－ジイル基、デカン－１,１０－ジイル基、ウンデカン－１,１１－ジイル基、ドデカン－１,１２－ジイル基等の炭素数１～２０のアルカンジイル基；シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、ノルボルナンジイル基、アダマンタンジイル基等の炭素数３～２０の環式飽和ヒドロカルビレン基；ビニレン基、プロペン－１,３－ジイル基等の炭素数２～２０の不飽和脂肪族ヒドロカルビレン基；フェニレン基、ナフチレン基等の炭素数６～２０のアリーレン基；これらを組み合わせて得られる基等が挙げられる。また、Ｘ¹で表される炭素数１～２０の(ｐ＋１)価炭化水素基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、前述した炭素数１～２０のヒドロカルビレン基の具体例から更に水素原子を１個又は２個取り除いて得られる基が挙げられる。

式（Ａ１）及び（Ａ２）中、Ｒｆ¹及びＲｆ²は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であるが、少なくとも１つはフッ素原子又はトリフルオロメチル基である。

式（Ａ１）及び（Ａ２）中、Ｒ¹は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数２～６の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アミノ基、－Ｎ(Ｒ^1A)－Ｃ(＝Ｏ)－Ｒ^1B又は－Ｎ(Ｒ^1A)－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｒ^1Bであり、Ｒ^1Aは、水素原子又は炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基であり、Ｒ^1Bは、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基又は炭素数２～８の不飽和脂肪族ヒドロカルビル基である。

Ｒ¹、Ｒ^1A及びＲ^1Bで表される炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基等の炭素数１～６のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３～６の環式飽和ヒドロカルビル基が挙げられる。また、Ｒ¹で表される炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基の飽和ヒドロカルビル部としては、前述した飽和ヒドロカルビル基の具体例と同様のものが挙げられ、Ｒ¹で表される炭素数２～６の炭素数２～６の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基の飽和ヒドロカルビル部としては、前述した炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基の具体例のうち炭素数１～５のものが挙げられる。

Ｒ^1Bで表される炭素数２～８の不飽和脂肪族ヒドロカルビル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等の炭素数２～８のアルケニル基；エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等の炭素数２～８のアルキニル基；シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基等の炭素数３～８の環式不飽和脂肪族ヒドロカルビル基等が挙げられる。

式（Ａ１）及び（Ａ２）中、Ｒ²は、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビレン基又は炭素数６～１４のアリーレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の水素原子の一部又は全部が、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されていてもよく、該アリーレン基の水素原子の一部又は全部が、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数６～１４のアリール基、ハロゲン原子及びヒドロキシ基から選ばれる置換基で置換されていてもよい。

Ｒ²で表される炭素数１～２０のヒドロカルビレン基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、Ｘ¹で表される炭素数１～２０のヒドロカルビレン基として例示したものと同様のものが挙げられる。

Ｒ²で表される炭素数６～１４のアリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、フェナントレンジイル基、アントラセンジイル基等が挙げられる。前記アリーレン基の置換基である炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基及び炭素数１～２０のヒドロカルビルオキシ基のヒドロカルビル部は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等の炭素数１～２０のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、４－メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の炭素数３～２０の環式飽和ヒドロカルビル基が挙げられる。前記アリーレン基の置換基である炭素数６～１４のアリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、フェナントレンジイル基、アントラセンジイル基等が挙げられる。

式（Ａ１）及び（Ａ２）中、Ｒ³～Ｒ⁷は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又は炭素数１～２０のヒドロカルビル基であり、該ヒドロカルビル基は、酸素原子、硫黄原子、窒素原子及びハロゲン原子から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。

Ｒ³～Ｒ⁷で表される炭素数１～２０のヒドロカルビル基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等の炭素数１～２０のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、４－メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の炭素数３～２０の環式飽和ヒドロカルビル基；ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等の炭素数２～２０のアルケニル基；シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基等の炭素数３～２０の環式不飽和脂肪族ヒドロカルビル基；エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等の炭素数２～２０のアルキニル基；フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ－プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ－ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｓｅｃ－ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基、ｎ－プロピルナフチル基、イソプロピルナフチル基、ｎ－ブチルナフチル基、イソブチルナフチル基、ｓｅｃ－ブチルナフチル基、ｔｅｒｔ－ブチルナフチル基等の炭素数６～２０のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７～２０のアラルキル基；これらを組み合わせて得られる基等が挙げられる。また、前記ヒドロカルビル基の水素原子の一部又は全部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ハロゲン原子等のヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、前記ヒドロカルビル基の－ＣＨ₂－の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、その結果、ヒドロキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合、ラクトン環、スルトン環、カルボン酸無水物（－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｃ(＝Ｏ)－）、ハロアルキル基等を含んでいてもよい。

また、Ｒ³及びＲ⁴が、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。このとき形成される環としては、以下に示すもの等が挙げられる。

（式中、破線は、結合手である。）

（Ａ）成分の酸発生剤としては、下記式（Ａ３）で表されるオニウム塩が好ましい。

式（Ａ３）中、ｐ、ｑ、ｒ、Ｘ¹、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴及びＲ⁵は、前記と同じ。ｎは、１～４の整数である。Ｒ^2Aは、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数６～１４のアリール基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基である。なお、ｎが２～４のとき、各Ｒ^2Aは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩及び式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩のアニオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。

式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩のカチオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。

式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩のカチオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。

式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩及び式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩は、化学増幅ポジ型レジスト組成物に適用することで、最適な酸発生剤（光酸発生剤）として極めて有効に機能する。

式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩及び式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩の合成方法としては、特開２０１０－１５５８２４号公報に記載された方法が挙げられる。例えば、イセチオン酸のようなヒドロキシ基を有するスルホン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩のヒドロキシ基を、ヨウ素化安息香酸とエステル化することによって合成することができる。

本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物中、（Ａ）式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩及び／又は式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩の含有量は、後述する（Ｂ）ベースポリマー８０質量部に対し、感度と酸拡散抑制効果の点から０.００１～５０質量部が好ましく、０.０１～４０質量部がより好ましい。

本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物では、パターンの形状補正等を目的として、更に式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩及び式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩以外の酸発生剤（以下、その他の酸発生剤ともいう。）を含んでもよい。その他の酸発生剤としては、レジスト組成物用の酸発生剤として公知のものを使用することができる。その他の酸発生剤の含有量は、後述する（Ｂ）ベースポリマー８０質量部に対し、感度と酸拡散抑制効果の点から０～３０質量部が好ましく、０～２０質量部がより好ましい。その他の酸発生剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

［（Ｂ）ベースポリマー］
（Ｂ）成分のベースポリマーは、下記式（Ｂ１）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ１ともいう。）を含み、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大するポリマーを含むものである。

式（Ｂ１）中、ａ１は、０又は１である。ａ２は、０～２の整数であり、０の場合はベンゼン骨格を、１の場合はナフタレン骨格を、２の場合はアントラセン骨格をそれぞれ表す。ａ３は、０≦ａ３≦５＋２ａ２－ａ４を満たす整数であり、ａ４は、１～３の整数である。ａ２が０の場合、好ましくは、ａ３は０～３の整数であり、ａ４は１～３の整数であり、ａ２が１又は２の場合、好ましくは、ａ３は０～４の整数であり、ａ４は１～３の整数である。

式（Ｂ１）中、Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。

式（Ｂ１）中、Ｒ¹¹は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～８の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。前記飽和ヒドロカルビル基、並びに飽和ヒドロカルビルオキシ基及び飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基の飽和ヒドロカルビル部は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；これらを組み合わせて得られる基等が挙げられる。炭素数が上限以下であれば、アルカリ現像液に対する溶解性が良好である。ａ３が２以上のとき、各Ｒ¹¹は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｂ１）中、Ａ¹は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の－ＣＨ₂－が－Ｏ－で置換されていてもよい。前記飽和ヒドロカルビレン基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチレン基、エタン－１,２－ジイル基、プロパン－１,３－ジイル基、ブタン－１,４－ジイル基、ペンタン－１,５－ジイル基、ヘキサン－１,６－ジイル基、これらの構造異性体等のアルカンジイル基；シクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基等の環式飽和ヒドロカルビレン基；これらを組み合わせて得られる基等が挙げられる。前記飽和ヒドロカルビレン基がエーテル結合を含む場合には、式（Ｂ１）中のａ１が１のときはエステル酸素原子に対してα位の炭素原子とβ位の炭素原子との間を除くいずれの箇所に入ってもよい。また、ａ１が０のときは主鎖と結合する原子がエーテル性酸素原子となり、該エーテル性酸素原子に対してα位の炭素原子とβ位の炭素原子との間を除くいずれの箇所に第２のエーテル結合が入ってもよい。なお、前記飽和ヒドロカルビレン基の炭素数が１０以下であれば、アルカリ現像液に対する溶解性を十分に得ることができるため好ましい。

ａ１が０かつＡ¹が単結合である場合、つまり芳香環がポリマーの主鎖に直接結合している（すなわち、リンカー（－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ａ¹－）を有しない）場合、繰り返し単位Ｂ１の好ましい例としては、３－ヒドロキシスチレン、４－ヒドロキシスチレン、５－ヒドロキシ－２－ビニルナフタレン、６－ヒドロキシ－２－ビニルナフタレン等に由来する単位が挙げられる。特に、下記式（Ｂ１－１）で表される繰り返し単位が好ましい。

（式中、Ｒ^A及びａ４は、前記と同じ。）

また、ａ１が１である（すなわち、リンカーとして－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ａ¹－を有する）場合、繰り返し単位Ｂ１の好ましい例としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。

（式中、Ｒ^Aは、前記と同じ。）

繰り返し単位Ｂ１の含有量は、前記ポリマーを構成する全繰り返し単位中、１０～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。ただし、後述する本発明で使用するポリマーにより高いエッチング耐性を与える式（Ｂ３）で表される繰り返し単位及び式（Ｂ４）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種を含み、その単位が置換基としてフェノール性ヒドロキシ基を有する場合には、その比率も加えて前記範囲内とされることが好ましい。繰り返し単位Ｂ１は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

前記ポリマーは、ポジ型レジスト組成物として露光部がアルカリ水溶液に溶解する特性を与えるため、酸不安定基により保護された酸性官能基を有する繰り返し単位（酸不安定基により保護され、酸の作用によりアルカリ可溶性となる繰り返し単位）が含まれることが好ましい。この場合、前記繰り返し単位中の酸不安定基（保護基）が酸の作用により脱保護反応を起こすため、前記ポリマーがアルカリ現像液に対してより良好な溶解性を示すものとなる。

このような繰り返し単位の最も好ましいものとしては、下記式（Ｂ２－１）で表されるもの（以下、繰り返し単位Ｂ２－１ともいう。）が挙げられる。

式（Ｂ２－１）中、Ｒ^Aは、前記と同じ。ｂ１は、０又は１である。ｂ２は、０～２の整数であり、０の場合はベンゼン骨格を、１の場合はナフタレン骨格を、２の場合はアントラセン骨格をそれぞれ表す。ｂ３は、０≦ｂ３≦５＋２ｂ２－ｂ４を満たす整数である。ｂ４は、１～３の整数である。ｂ５は、０又は１である。ｂ２が０の場合、好ましくは、ｂ３は０～３の整数であり、ｂ４は１～３の整数であり、ｂ２が１又は２の場合、好ましくは、ｂ３は０～４の整数であり、ｂ４は１～３の整数である。

式（Ｂ２－１）中、Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。

式（Ｂ２－１）中、Ｒ¹²は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～８の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。前記飽和ヒドロカルビル基、並びに飽和ヒドロカルビルオキシ基及び飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基の飽和ヒドロカルビル部は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；これらを組み合わせて得られる基等が挙げられる。炭素数が上限以下であれば、アルカリ現像液に対する溶解性が良好である。ｂ３が２以上のとき、各Ｒ¹²は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｂ２－１）中、Ａ²は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の－ＣＨ₂－が－Ｏ－で置換されていてもよい。前記飽和ヒドロカルビレン基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチレン基、エタン－１,２－ジイル基、プロパン－１,３－ジイル基、ブタン－１,４－ジイル基、ペンタン－１,５－ジイル基、ヘキサン－１,６－ジイル基、これらの構造異性体等のアルカンジイル基；シクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基等の環式飽和ヒドロカルビレン基；これらを組み合わせて得られる基等が挙げられる。前記飽和ヒドロカルビレン基がエーテル結合を含む場合には、式（Ｂ２－１）中のｂ１が１のときはエステル酸素原子に対してα位の炭素原子とβ位の炭素原子との間を除くいずれの箇所に入ってもよい。また、ｂ１が０のときは主鎖と結合する原子がエーテル性酸素原子となり、該エーテル性酸素原子に対してα位の炭素原子とβ位の炭素原子との間を除くいずれの箇所に第２のエーテル結合が入ってもよい。なお、前記飽和ヒドロカルビレン基の炭素数が１０以下であれば、アルカリ現像液に対する溶解性を十分に得ることができるため好ましい。

式（Ｂ２－１）中、Ｘは、ｂ４が１のときは酸不安定基であり、ｂ４が２以上のときは水素原子又は酸不安定基であるが、少なくとも１つは酸不安定基である。すなわち、繰り返し単位Ｂ２－１は、芳香環に結合したフェノール性ヒドロキシ基の少なくとも１つが酸不安定基で保護されたもの、あるいは芳香環に結合したカルボキシ基が酸不安定基で保護されたものである。このような酸不安定基としては、既に公知の多数の化学増幅ポジ型レジスト組成物で用いられてきた、酸によって脱離して酸性基を与えるものであれば、特に限定されることなくいずれも使用することができる。

前記酸不安定基として第３級飽和ヒドロカルビル基を選択すると、レジスト膜厚が、例えば、１０～１００ｎｍになるように成膜され、４５ｎｍ以下の線幅を持つような微細パターンを形成した場合にも、ＬＥＲが小さなパターンを与えるため好ましい。前記第３級アルキル基としては、得られた重合用のモノマーを蒸留によって得るために、炭素数４～１８のものであることが好ましい。また、前記第３級飽和ヒドロカルビル基の第３級炭素原子に結合する基としては、エーテル結合やカルボニル基のような酸素含有官能基を含んでいてもよい炭素数１～１５の飽和ヒドロカルビル基が挙げられ、前記第３級炭素原子に結合する基同士が結合して環を形成していてもよい。

前記第３級炭素原子に結合する基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、テトラヒドロフラン－２－イル基、７－オキサノルボルナン－２－イル基、シクロペンチル基、２－テトラヒドロフリル基、トリシクロ[５.２.１.０^2,6]デシル基、テトラシクロ[４.４.０.１^2,5.１^7,10]ドデシル基、３－オキソ－１－シクロヘキシル基が挙げられる。

また、これらを置換基として有する第３級飽和ヒドロカルビル基としては、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－エチル－１－メチルプロピル基、１,１－ジエチルプロピル基、１,１,２－トリメチルプロピル基、１－アダマンチル－１－メチルエチル基、１－メチル－１－(２－ノルボルニル)エチル基、１－メチル－１－(テトラヒドロフラン－２－イル)エチル基、１－メチル－１－(７－オキサノルボルナン－２－イル)エチル基、１－メチルシクロペンチル基、１－エチルシクロペンチル基、１－プロピルシクロペンチル基、１-イソプロピルシクロペンチル基、１－シクロペンチルシクロペンチル基、１－シクロヘキシルシクロペンチル基、１－(２－テトラヒドロフリル)シクロペンチル基、１－(７－オキサノルボルナン－２－イル)シクロペンチル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－エチルシクロヘキシル基、１－シクロペンチルシクロヘキシル基、１－シクロヘキシルシクロヘキシル基、２－メチル－２－ノルボニル基、２－エチル－２－ノルボニル基、８－メチル－８－トリシクロ[５.２.１.０^2,6]デシル基、８－エチル－８－トリシクロ[５.２.１.０^2,6]デシル基、３－メチル－３－テトラシクロ[４.４.０.１^2,5.１^7,10]ドデシル基、３－エチル－３－テトラシクロ[４.４.０.１^2,5.１^7,10]ドデシル基、２－メチル－２－アダマンチル基、２－エチル－２－アダマンチル基、１－メチル－３－オキソ－１－シクロヘキシル基、１－メチル－１－(テトラヒドロフラン－２－イル)エチル基、５－ヒドロキシ－２－メチル－２－アダマンチル基、５－ヒドロキシ－２－エチル－２－アダマンチル基が挙げられるが、これらに限定されない。

また、前記酸不安定基として、下記式（Ｂ２－１'）で表される基が挙げられる。式（Ｂ２－１'）で表される基は、酸不安定基としてよく利用され、パターンと基板の界面が比較的矩形であるパターンを安定して与える酸不安定基として有用な選択肢である。Ｘが式（Ｂ２－１'）で表される基である場合、アセタール構造が形成される。

式（Ｂ２－１'）中、Ｒ^L1は、水素原子又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビル基である。Ｒ^L2は、炭素数１～３０の飽和ヒドロカルビル基である。前記飽和ヒドロカルビル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。

Ｒ^L1は、酸に対する分解性基の感度の設計に応じて適宜選択される。例えば、比較的高い安定性を確保した上で強い酸で分解するという設計であれば水素原子が選択され、比較的高い反応性を用いてｐＨ変化に対して高感度化という設計であれば、直鎖状アルキル基が選択される。レジスト組成物に配合する酸発生剤や塩基性化合物との組み合わせにもよるが、Ｒ^L2として末端に比較的大きなアルキル基が選択され、分解による溶解性変化が大きく設計されている場合には、Ｒ^L1としては、アセタール炭素と結合する炭素原子が第２級炭素原子であるものが好ましい。第２級炭素原子によってアセタール炭素と結合するＲ^L1の例としては、イソプロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。

前記アセタール基のうち、より高い解像性を得るためには、Ｒ^L2は、炭素数７～３０の多環式アルキル基であることが好ましい。また、Ｒ^L2が多環式アルキル基である場合、該多環式環構造を構成する第２級炭素原子とアセタール酸素との間で結合を形成していることが好ましい。環構造の第２級炭素原子上で結合している場合、第３級炭素原子上で結合している場合に比べて、ポリマーが安定な化合物となり、レジスト組成物として保存安定性が良好となり、解像力も劣化することがない。また、Ｒ^L2が炭素数１以上の直鎖状アルキル基を介在した第１級炭素原子上で結合している場合と比べても、ポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）が良好なものとなり、現像後のレジストパターンがベークにより形状不良を起こすことがない。

式（Ｂ２－１'）で表される基の好ましい例としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、Ｒ^L1は、前記と同じである。

また、前記酸不安定基により保護された酸性官能基を有する繰り返し単位として、下記式（Ｂ２－２）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ２－２ともいう。）も挙げられる。式（Ｂ２－２）で表される繰り返し単位は、露光部の溶解速度が高くなるため、現像ローディングにおける線幅変動に対して良好な性能を与える酸不安定基含有単位として有用な選択肢である。

式（Ｂ２－２）中、ｃ１は、０～２の整数である。ｃ２は、０～２の整数である。ｃ３は、０～５の整数である。ｃ４は、０～２の整数である。

式（Ｂ２－２）中、Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。

式（Ｂ２－２）中、Ａ³は、単結合、フェニレン基、ナフチレン基又は*－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ａ³¹－である。Ａ³¹は、ヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合若しくはラクトン環を含んでいてもよい炭素数１～２０の脂肪族ヒドロカルビレン基、又はフェニレン基若しくはナフチレン基である。

式（Ｂ２－２）中、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビル基であり、Ｒ¹³とＲ¹⁴とが、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。

式（Ｂ２－２）中、Ｒ¹⁵は、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数１～５のフッ素化アルキル基又は炭素数１～５のフッ素化アルコキシ基である。

式（Ｂ２－２）中、Ｒ¹⁶は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビル基である。

繰り返し単位Ｂ２－２の好ましい例としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、Ｒ^Aは、前記と同じである。

その他の酸不安定基としては、フェノール性ヒドロキシ基の水素原子が－ＣＨ₂ＣＯＯ－(第３級飽和ヒドロカルビル基)で置換されたものを使用することもできる。このとき前記第３級飽和ヒドロカルビル基としては、前述したフェノール性ヒドロキシ基の保護に用いる第３級飽和ヒドロカルビル基と同じものを使用することができる。

繰り返し単位Ｂ２－１及びＢ２－２の含有量は、前記ポリマーを構成する全繰り返し単位中、５～５０モル％が好ましい。繰り返し単位Ｂ２－１及びＢ２－２は、それぞれ１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

前記ポリマーは、更に、下記式（Ｂ３）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ３ともいう。）、下記式（Ｂ４）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ４ともいう。）及び下記式（Ｂ５）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ５ともいう。）から選ばれる少なくとも１種を含んでもよい。

式（Ｂ３）及び（Ｂ４）中、ｄ及びｅは、それぞれ独立に、０～４の整数である。

式（Ｂ３）及び（Ｂ４）中、Ｒ²¹及びＲ²²は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８の飽和ヒドロカルビルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～８の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。前記飽和ヒドロカルビル基、飽和ヒドロカルビルオキシ基及び飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。ｄが２以上のとき、各Ｒ²¹は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。ｅが２以上のとき、各Ｒ²²は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｂ５）中、ｆ１は、０又は１である。ｆ２は、０～５の整数である。ｆ３は、０～２の整数であり、０の場合はベンゼン骨格を、１の場合はナフタレン骨格を、２の場合はアントラセン骨格をそれぞれ表す。ｆ３が０の場合、ｆ２は、好ましくは０～３の整数であり、ｆ３が１又は２の場合、ｆ２は、好ましくは０～４の整数である。

式（Ｂ５）中、Ｒ^Aは、前記と同じ。Ｒ²³は、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数２～２０の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基、炭素数２～２０の飽和ヒドロカルビルオキシヒドロカルビル基、炭素数２～２０の飽和ヒドロカルビルチオヒドロカルビル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、スルフィニル基又はスルホニル基である。前記飽和ヒドロカルビル基、飽和ヒドロカルビルオキシ基、飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基、飽和ヒドロカルビルオキシヒドロカルビル基及び飽和ヒドロカルビルチオヒドロカルビル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。ｆ２が２以上のとき、各Ｒ²³は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ²³としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、これらの構造異性体等の飽和ヒドロカルビル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、これらの炭化水素部の構造異性体等の飽和ヒドロカルビルオキシ基が好ましい。これらのうち、特にメトキシ基及びエトキシ基が有用である。

また、飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基は、ポリマーの重合後でも容易に化学修飾法で導入することができ、ベースポリマーのアルカリ現像液に対する溶解性の微調整に用いることができる。前記飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、これらの炭化水素部の構造異性体等が挙げられる。炭素数が２０以下であれば、ベースポリマーとしてのアルカリ現像液に対する溶解性を制御・調整する効果（主に下げる効果）を適切なものとすることができ、スカム（現像欠陥）の発生を抑制することができる。

前述した好ましい置換基の中で、特にモノマーとして準備しやすく、有用に用いられる置換基としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基等が挙げられる。

式（Ｂ５）中、Ａ⁴は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の－ＣＨ₂－が－Ｏ－で置換されていてもよい。前記飽和ヒドロカルビレン基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチレン基、エタン－１,２－ジイル基、プロパン－１,３－ジイル基、ブタン－１,４－ジイル基、ペンタン－１,５－ジイル基、ヘキサン－１,６－ジイル基、これらの構造異性体等のアルカンジイル基；シクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基等の環式飽和ヒドロカルビレン基；これらを組み合わせて得られる基等が挙げられる。前記飽和ヒドロカルビレン基がエーテル結合を含む場合には、式（Ｂ５）中のｆ１が１のときはエステル酸素原子に対してα位の炭素原子とβ位の炭素原子との間を除くいずれの箇所に入ってもよい。また、ｆ１が０のときは主鎖と結合する原子がエーテル性酸素原子となり、該エーテル性酸素原子に対してα位の炭素原子とβ位の炭素原子との間を除くいずれの箇所に第２のエーテル結合が入ってもよい。なお、前記飽和ヒドロカルビレン基の炭素数が１０以下であれば、アルカリ現像液に対する溶解性を十分に得ることができるため好ましい。

ｆ１が０かつＡ⁴が単結合である場合、つまり芳香環がポリマーの主鎖に直接結合した（すなわち、リンカー（－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ａ⁴－）を有しない）場合、繰り返し単位Ｂ５の好ましい例としては、スチレン、４－クロロスチレン、４－メチルスチレン、４－メトキシスチレン、４－ブロモスチレン、４－アセトキシスチレン、２－ヒドロキシプロピルスチレン、２－ビニルナフタレン、３－ビニルナフタレン等に由来する単位が挙げられる。

また、ｆ１が１である場合（すなわち、リンカーとして－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ａ⁴－を有する場合）、繰り返し単位Ｂ５の好ましい例としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、Ｒ^Aは、前記と同じである。

繰り返し単位Ｂ３～Ｂ５のうち少なくとも１種を構成単位として使用した場合には、芳香環が持つエッチング耐性に加えて主鎖に環構造が加わることによるエッチング耐性やパターン検査の際のＥＢ照射耐性を高めるという効果が得られる。

繰り返し単位Ｂ３～Ｂ５の含有量は、エッチング耐性を向上させるという効果を得るためには、前記ポリマーを構成する全繰り返し単位中、５モル％以上が好ましい。また、繰り返し単位Ｂ３～Ｂ５の含有量は、前記ポリマーを構成する全繰り返し単位中、３５モル％以下であることが好ましく、３０モル％以下であることがより好ましい。官能基を持たない場合や、官能基がそのいずれでもない場合の導入量が３５モル％以下であれば、現像欠陥が発生するおそれがないために好ましい。繰り返し単位Ｂ３～Ｂ５は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

前記ポリマーは、構成単位として、繰り返し単位Ｂ１と、繰り返し単位Ｂ２－１及び／又はＢ２－２と、繰り返し単位Ｂ３～Ｂ５から選ばれる少なくとも１種とを含むことが、高いエッチング耐性と解像性の両立に優れるという点から好ましい。このとき、これらの繰り返し単位が、全繰り返し単位中、６０モル％以上含まれることが好ましく、７０モル％以上含まれることがより好ましく、８０モル％以上含まれることが更に好ましい。

前記ポリマーは、更に、下記式（Ｂ６）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ６ともいう。）、下記式（Ｂ７）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ７ともいう。）、下記式（Ｂ８）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ８ともいう。）、下記式（Ｂ９）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ９ともいう。）、下記式（Ｂ１０）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ１０ともいう。）、下記式（Ｂ１１）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ１１ともいう。）、下記式（Ｂ１２）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ１２ともいう。）及び下記式（Ｂ１３）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ１３ともいう。）から選ばれる少なくとも１種を含んでもよい。この場合、酸拡散を効果的に抑制することができ、解像性が向上し、かつ、ＬＥＲの低減されたパターンを得ることができる。

式（Ｂ６）～（Ｂ１３）中、Ｒ^Bは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｙ¹は、単結合、炭素数１～６の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、ナフチレン基若しくはこれらを組み合わせて得られる炭素数７～１８の基、－Ｏ－Ｙ¹¹－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｙ¹¹－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｙ¹¹－であり、Ｙ¹¹は、炭素数１～６の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、ナフチレン基又はこれらを組み合わせて得られる炭素数７～１８の基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Ｙ²は、単結合又は－Ｙ²¹－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－であり、Ｙ²¹は、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビレン基である。Ｙ³は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化フェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、－Ｏ－Ｙ³¹－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｙ³¹－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｙ³¹－であり、Ｙ³¹は、炭素数１～６の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、フッ素化フェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基又はこれらを組み合わせて得られる炭素数７～２０の基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Ｙ⁴は、単結合又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～３０のヒドロカルビレン基である。ｇ１及びｇ２は、それぞれ独立に、０又は１であるが、Ｙ⁴が単結合のとき、ｇ１及びｇ２は、０である。

式（Ｂ７）及び（Ｂ１１）中、Ｙ²が－Ｙ²¹－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－のとき、Ｙ²¹で表されるヘテロ原子を含んでいてもよいヒドロカルビレン基としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。

（式中、破線は、結合手である。）

式（Ｂ７）及び（Ｂ１１）中、Ｒ^HFは、水素原子又はトリフルオロメチル基である。繰り返し単位Ｂ７及びＢ１１において、Ｒ^HFが水素原子である場合の具体例としては、特開２０１０－１１６５５０号公報に記載されたものが挙げられ、Ｒ^HFがトリフルオロメチル基である場合の具体例としては、特開２０１０－７７４０４号公報に記載されたものが挙げられる。繰り返し単位Ｂ８及びＢ１２としては、特開２０１２－２４６２６５号公報や特開２０１２－２４６４２６号公報に記載されたものが挙げられる。

式（Ｂ６）及び（Ｂ１０）中、Ｘａ^-は、非求核性対向イオンである。Ｘａ^-で表される非求核性対向イオンの例としては、特開２０１０－１１３２０９号公報や特開２００７－１４５７９７号公報に記載されたものが挙げられる。

繰り返し単位Ｂ９及びＢ１３を与えるモノマーのアニオンの好ましい例としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。

式（Ｂ６）～（Ｂ１３）中、Ｒ³¹～Ｒ⁴⁸は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビル基である。前記ヒドロカルビル基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、式（Ａ１）の説明においてＲ³、Ｒ⁴及びＲ⁵で表されるヒドロカルビル基として例示したものと同様のものが挙げられる。また、前記ヒドロカルビル基の水素原子の一部又は全部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ハロゲン原子等のヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、前記ヒドロカルビル基の－ＣＨ₂－の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、その結果、ヒドロキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合、ラクトン環、スルトン環、カルボン酸無水物（－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｃ(＝Ｏ)－）、ハロアルキル基等を含んでいてもよい。

また、Ｒ³¹及びＲ³²が、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよく、Ｒ³³及びＲ³⁴、Ｒ³⁶及びＲ³⁷、又はＲ³⁹及びＲ⁴⁰が、が、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。このとき形成される環としては、式（Ａ１）の説明においてＲ³及びＲ⁴が互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に形成し得る環として例示したものと同様のものが挙げられる。

また、繰り返し単位Ｂ７～Ｂ９のスルホニウムカチオンの具体例としては、式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩のカチオンとして例示したものと同様のものが挙げられる。繰り返し単位Ｂ１１～Ｂ１３のヨードニウムカチオンの具体例としては、式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩のカチオンとして例示したものと同様のものが挙げられる。

繰り返し単位Ｂ６～Ｂ１３は、高エネルギー線の照射により酸を発生させる単位である。これらの単位がポリマー中に含まれることで、酸拡散が適度に抑制され、ＬＥＲ及びＣＤＵが改善されたパターンを得ることができると考えられる。また、これらの単位がポリマーに含まれていることで、真空中でのベーク時に、露光部から酸が揮発し、未露光部へ再付着するという現象が抑制され、ＬＥＲ及びＣＤＵの改善や、未露光部での望まない脱保護化反応抑制によるパターン欠陥の低減等に効果的であると考えられる。繰り返し単位Ｂ６～Ｂ１３を含む場合、その含有量は、前記ポリマーを構成する全繰り返し単位中、０.５～３０モル％が好ましい。繰り返し単位Ｂ６～Ｂ１３は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

（Ｂ）ベースポリマーは、繰り返し単位Ｂ１に加えて繰り返し単位Ｂ６～Ｂ１３から選ばれる少なくとも１種を含むポリマーと、繰り返し単位Ｂ１を含み、繰り返し単位Ｂ６～Ｂ１３を含まないポリマーとの混合物であってもよい。このとき、繰り返し単位Ｂ６～Ｂ１３を含まないポリマーの含有量は、繰り返し単位Ｂ６～Ｂ１３を含むポリマー１００質量部に対し、２～５０００質量部が好ましく、１０～１０００質量部がより好ましい。

前記ポリマーは、常用される、酸不安定基で保護された(メタ)アクリル酸エステル単位や、ラクトン構造、フェノール性ヒドロキシ基以外のヒドロキシ基等の密着性基を持つ(メタ)アクリル酸エステル単位を含んでもよい。これらの繰り返し単位によってレジスト膜の特性の微調整を行うことができるが、これらの単位を含まなくてもよい。

前記密着性基を持つ(メタ)アクリル酸エステル単位の例として、下記式（Ｂ１４）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ１４ともいう。）、下記式（Ｂ１５）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ１５ともいう。）及び下記式（Ｂ１６）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位Ｂ１６ともいう。）が挙げられる。これらの単位は、酸性を示さず、基板に対する密着性を与える単位や溶解性を調整する単位として補助的に用いることができる。

式（Ｂ１４）～（Ｂ１６）中、Ｒ^Aは、前記と同じである。Ｒ⁵¹は、－Ｏ－又はメチレン基である。Ｒ⁵²は、水素原子又はヒドロキシ基である。Ｒ⁵³は、炭素数１～４の飽和ヒドロカルビル基である。ｋは、０～３の整数である。

繰り返し単位Ｂ１４～Ｂ１６を含む場合、その含有量は、前記ポリマーを構成する全繰り返し単位中、０～３０モル％が好ましく、０～２０モル％がより好ましい。繰り返し単位Ｂ１４～Ｂ１６は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

前記ポリマーは、公知の方法によって、必要に応じて保護基で保護した各モノマーを共重合させ、その後必要に応じて脱保護反応を行うことで合成することができる。共重合反応は、特に限定されないが、好ましくはラジカル重合、アニオン重合である。これらの方法については、特開２００４－１１５６３０号公報を参考にすることができる。

前記ポリマーは、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００～５００００であることが好ましく、２０００～２００００であることが更に好ましい。Ｍｗが１０００以上であれば、従来知られているように、パターンの頭が丸くなって解像力が低下するとともに、ＬＥＲ及びＣＤＵが劣化するといった現象が生じるおそれがない。一方、Ｍｗが５００００以下であれば、特にパターン線幅が１００ｎｍ以下のパターンを形成する場合においてＬＥＲ及びＣＤＵが劣化するおそれがない。なお、本発明においてＭｗは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）又はジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を溶剤として用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算測定値である。

前記ポリマーは、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１.０～２.０、特に１.０～１.８と狭分散であることが好ましい。このように狭分散である場合には、現像後、パターン上に異物が生じたり、パターンの形状が悪化したりすることがない。

［（Ｃ）クエンチャー］
本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物は、（Ｃ）成分としてクエンチャーを含むことが好ましい。前記クエンチャーとしては、従来型の塩基性化合物が挙げられる。従来型の塩基性化合物としては、第１級、第２級、第３級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類等が挙げられる。特に、特開２００８－１１１１０３号公報の段落［０１４６］～［０１６４］に記載の第１級、第２級、第３級のアミン化合物、特にはヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合、ラクトン環、シアノ基、スルホン酸エステル結合を有するアミン化合物あるいは特許第３７９０６４９号公報に記載のカーバメート基を有する化合物等が好ましい。好ましいものとしては、トリス[２－(メトキシメトキシ)エチル]アミン、トリス[２－(メトキシメトキシ)エチル]アミン－Ｎ－オキシド、ジブチルアミノ安息香酸、モルホリン誘導体、イミダゾール誘導体等が挙げられる。このような塩基性化合物を添加することによって、例えば、レジスト膜中での酸の拡散速度を更に抑制したり、形状を補正したりすることができる。

また、前記クエンチャーとして、特開２００８－１５８３３９号公報に記載されたα位がフッ素化されていないカルボン酸の、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩等のオニウム塩が挙げられる。α位がフッ素化されたスルホン酸、イミド酸又はメチド酸は、酸不安定基を脱保護させるのに必要であるが、α位がフッ素化されていないオニウム塩との塩交換によってα位がフッ素化されていないカルボン酸が放出される。α位がフッ素化されていないカルボン酸は、脱保護反応を殆ど起こさないため、クエンチャーとして機能する。

α位がフッ素化されていないカルボン酸のオニウム塩としては、例えば、下記式（Ｃ１）で表されるものが挙げられる。

式（Ｃ１）中、Ｒ⁶¹は、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～４０のヒドロカルビル基であるが、カルボキシ基のα位の炭素原子に結合する水素原子が、フッ素原子又はフルオロアルキル基で置換されたものを除く。

前記ヒドロカルビル基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等の炭素数１～４０のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基、ノルボルニル基、トリシクロ[５.２.１.０^2,6]デカニル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基等の炭素数３～４０の環式飽和ヒドロカルビル基；ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等の炭素数２～４０のアルケニル基；シクロヘキセニル基等の炭素数３～４０の環式不飽和脂肪族ヒドロカルビル基；フェニル基、ナフチル基、アルキルフェニル基（２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、４－エチルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、４－ｎ－ブチルフェニル基等）、ジアルキルフェニル基（２,４－ジメチルフェニル基、２,４,６－トリイソプロピルフェニル基等）、アルキルナフチル基（メチルナフチル基、エチルナフチル基等）、ジアルキルナフチル基（ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基等）等の炭素数６～４０のアリール基；ベンジル基、１－フェニルエチル基、２－フェニルエチル基等の炭素数７～４０のアラルキル基等が挙げられる。

また、前記ヒドロカルビル基の水素原子の一部又は全部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ハロゲン原子等のヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、前記ヒドロカルビル基の－ＣＨ₂－の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子含有基で置換されていてもよく、その結果、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合、ラクトン環、スルトン環、カルボン酸無水物（－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｃ(＝Ｏ)－）、ハロアルキル基等を含んでいてもよい。ヘテロ原子を含むヒドロカルビル基としては、チエニル基等のヘテロアリール基；４－ヒドロキシフェニル基、４－メトキシフェニル基、３－メトキシフェニル基、２－メトキシフェニル基、４－エトキシフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基、３－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基；メトキシナフチル基、エトキシナフチル基、ｎ－プロポキシナフチル基、ｎ－ブトキシナフチル基等のアルコキシナフチル基；ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基；２－フェニル－２－オキソエチル基、２－(１－ナフチル)－２－オキソエチル基、２－(２－ナフチル)－２－オキソエチル基等の２－アリール－２－オキソエチル基等のアリールオキソアルキル基等が挙げられる。

式（Ｃ１）中、Ｍｑ⁺は、オニウムカチオンである。前記オニウムカチオンとしては、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン又はアンモニウムカチオンが好ましく、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンがより好ましい。前記スルホニウムカチオンの具体例としては、式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩のカチオンとして例示したものと同様のものが挙げられる。前記ヨードニウムカチオンの具体例としては、式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩のカチオンとして例示したものと同様のものが挙げられる。

式（Ｃ１）で表されるオニウム塩のアニオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。

前記クエンチャーとして、下記式（Ｃ２）で表されるヨウ素化ベンゼン環含有カルボン酸のスルホニウム塩も好適に使用できる。

式（Ｃ２）中、ｓは、１～５の整数である。ｔは、０～３の整数である。ｕは、１～３の整数である。

式（Ｃ２）中、Ｒ⁷¹は、ヒドロキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、若しくは水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数２～６の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基若しくは炭素数１～４の飽和ヒドロカルビルスルホニルオキシ基、又は－Ｎ(Ｒ^71A)－Ｃ(＝Ｏ)－Ｒ^71B若しくは－Ｎ(Ｒ^71A)－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｒ^71Bである。Ｒ^71Aは、水素原子又は炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基である。Ｒ^71Bは、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基又は炭素数２～８の不飽和脂肪族ヒドロカルビル基である。ｔ及び／又はｕが２以上のとき、各Ｒ⁷¹は互いに同一であっても異なっていてもよい。

式（Ｃ２）中、Ｌ¹¹は、単結合又は炭素数１～２０の(ｕ＋１)価の連結基であり、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、スルトン環、ラクタム環、カーボネート結合、ハロゲン原子、ヒドロキシ基及びカルボキシ基から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。前記飽和ヒドロカルビル基、飽和ヒドロカルビルオキシ基、飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基及び飽和ヒドロカルビルスルホニルオキシ基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。

式（Ｃ２）中、Ｒ⁷²、Ｒ⁷³及びＲ⁷⁴は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビル基である。前記ヒドロカルビル基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数７～２０のアラルキル基等が挙げられる。また、前記ヒドロカルビル基の水素原子の一部又は全部が、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、オキソ基、シアノ基、ニトロ基、スルトン環、スルホ基又はスルホニウム塩含有基で置換されていてもよく、前記ヒドロカルビル基の－ＣＨ₂－の一部が、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、アミド結合、カーボネート結合又はスルホン酸エステル結合で置換されていてもよい。また、Ｒ⁷²及びＲ⁷³が、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。

式（Ｃ２）で表される化合物の具体例としては、特開２０１７－２１９８３６号公報に記載されたものが挙げられる。式（Ｃ２）で表される化合物は、高吸収で増感効果が高く、酸拡散制御効果も高い。

前記クエンチャーとして、下記式（Ｃ３）で表される窒素原子含有カルボン酸塩型化合物を使用することもできる。

式（Ｃ３）中、Ｒ⁸¹～Ｒ⁸⁴は、それぞれ独立に、水素原子、－Ｌ¹²－ＣＯ₂ ^-、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビル基である。Ｒ⁸¹とＲ⁸²と、Ｒ⁸²とＲ⁸³と、又はＲ⁸³とＲ⁸⁴とが、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。Ｌ¹²は、単結合又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビレン基である。Ｒ⁸⁵は、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビル基である。

式（Ｃ３）中、環Ｒは、式中の炭素原子及び窒素原子を含む炭素数２～６の環であり、該環の炭素原子に結合する水素原子の一部又は全部が、炭素数１～２０のヒドロカルビル基、又は－Ｌ¹²－ＣＯ₂ ^-で置換されていてもよく、該環の炭素原子の一部が、硫黄原子、酸素原子又は窒素原子で置換されていてもよい。前記環は、脂環でも芳香環でもよく、また、５員環又は６員環であることが好ましく、その具体例としては、ピリジン環、ピロール環、ピロリジン環、ピペリジン環、ピラゾール環、イミダゾリン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、イミダゾリン環、オキサゾール環、チアゾール環、モルホリン環、チアジン環、トリアゾール環等が挙げられる。

式（Ｃ３）で表されるカルボン酸オニウム塩は、少なくとも１つの－Ｌ¹²－ＣＯ₂ ^-基を有する。すなわち、Ｒ⁸¹～Ｒ⁸⁴のうち少なくとも１つが－Ｌ¹²－ＣＯ₂ ^-である、及び／又は環Ｒの炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つが－Ｌ¹²－ＣＯ₂ ^-で置換されたものである。

式（Ｃ３）中、Ｑ⁺は、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン又はアンモニウムカチオンであるが、スルホニウムカチオンが好ましい。前記スルホニウムカチオンの具体例としては、式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩のカチオンとして例示したものと同様のものが挙げられる。

式（Ｃ３）で表される化合物のアニオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。

また、前記クエンチャーとして、弱酸のベタイン型化合物を使用することもできる。その具体例としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。

前記クエンチャーとしては、更に、特開２００８－２３９９１８号公報に記載のポリマー型のクエンチャーが挙げられる。これは、レジスト膜の表面に配向することによってレジストパターンの矩形性を高める。ポリマー型クエンチャーは、液浸露光用の保護膜を適用したときのパターンの膜減りやパターントップのラウンディングを防止する効果もある。

本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物が（Ｃ）クエンチャーを含む場合、その含有量は、（Ｂ）ベースポリマー８０質量部に対し、０～５０質量部が好ましく、０.１～４０質量部がより好ましい。（Ｃ）クエンチャーは、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物が（Ａ）成分の酸発生剤及び（Ｃ）成分のクエンチャーをともに含む場合、クエンチャーに対する光酸発生剤の含有比率（（Ａ）／（Ｃ）が、質量比で６未満となるように含まれることが好ましく、５未満となるように含まれることがより好ましく、４未満となるように含まれることが更に好ましい。前記化学増幅ポジ型レジスト組成物に含まれるクエンチャーに対する酸発生剤の含有比率が前記範囲であれば、酸拡散を十分に抑制することが可能になり、優れた解像性や寸法均一性を得ることができる。

［（Ｄ）フッ素原子含有ポリマー］
本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物は、高コントラスト化や、高エネルギー線照射における酸のケミカルフレア及び帯電防止膜材料をレジスト膜上に塗布するプロセスにおける帯電防止膜からの酸のミキシングを遮蔽し、予期しない不要なパターン劣化を抑制する目的で、（Ｄ）成分として、下記式（Ｄ１）で表される繰り返し単位、下記式（Ｄ２）で表される繰り返し単位、下記式（Ｄ３）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｄ４）で表される繰り返し単位（以下、それぞれ繰り返し単位Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３及びＤ４ともいう。）から選ばれる少なくとも１種を含み、更に下記式（Ｄ５）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｄ６）で表される繰り返し単位（以下、それぞれ繰り返し単位Ｄ５及びＤ６ともいう。）から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよいフッ素原子含有ポリマーを含んでもよい。前記フッ素原子含有ポリマーは、界面活性剤の機能も有することから、現像プロセス中に生じ得る不溶物の基板への再付着を防止できるため、現像欠陥に対する効果も発揮する。

式（Ｄ１）～（Ｄ６）中、Ｒ^Cは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^Dは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²、Ｒ¹⁰⁴及びＲ¹⁰⁵は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビル基である。Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁶、Ｒ¹⁰⁷及びＲ¹⁰⁸は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１５のヒドロカルビル基、炭素数１～１５のフッ素化ヒドロカルビル基又は酸不安定基であり、Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁶、Ｒ¹⁰⁷及びＲ¹⁰⁸がヒドロカルビル基又はフッ素化ヒドロカルビル基のとき、炭素－炭素結合間に、エーテル結合又はカルボニル基が介在していてもよい。Ｒ¹⁰⁹は、水素原子、又は炭素－炭素結合間にヘテロ原子を含む基が介在していてもよい直鎖状若しくは分岐状の炭素数１～５のヒドロカルビル基である。Ｒ¹¹⁰は、炭素－炭素結合間にヘテロ原子を含む基が介在していてもよい直鎖状又は分岐状の炭素数１～５のヒドロカルビル基である。Ｒ¹¹¹は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基であり、前記飽和ヒドロカルビル基の－ＣＨ₂－の一部が、エステル結合又はエーテル結合で置換されていてもよい。ｘは、１～３の整数である。ｙは、０≦ｙ≦５＋２ｚ－ｘを満たす整数である。ｚは、０又は１である。ｈは、１～３の整数である。Ｚ¹は、炭素数１～２０の(ｈ＋１)価の炭化水素基又は炭素数１～２０の(ｈ＋１)価のフッ素化炭化水素基である。Ｚ²は、単結合、*－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－又は*－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－である。*は、主鎖の炭素原子との結合手である。Ｚ³は、単結合、－Ｏ－、*－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｚ³¹－Ｚ³²－又は*－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｚ³¹－Ｚ³²－である。Ｚ³¹は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基である。Ｚ³²は、単結合、エステル結合、エーテル結合又はスルホンアミド結合である。*は、主鎖の炭素原子との結合手である。

式（Ｄ１）及び（Ｄ２）中、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²、Ｒ¹⁰⁴及びＲ¹⁰⁵で表される炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－へプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等の炭素数１～１０のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等の炭素数３～１０の環式飽和ヒドロカルビル基が挙げられる。これらのうち、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基が好ましい。

式（Ｄ１）～（Ｄ４）中、Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁶、Ｒ¹⁰⁷及びＲ¹⁰⁸で表される炭素数１～１５のヒドロカルビル基としては、炭素数１～１５のアルキル基、炭素数２～１５のアルケニル基、炭素数２～１５のアルキニル基等が挙げられるが、炭素数１～１５のアルキル基が好ましい。前記アルキル基としては、前述したもののほか、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基等が挙げられる。また、フッ素化ヒドロカルビル基としては、前述したヒドロカルビル基の炭素原子に結合する水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。

式（Ｄ４）中、Ｚ¹で表される炭素数１～２０の(ｈ＋１)価の炭化水素基としては、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数３～２０の環式飽和ヒドロカルビル基から更に水素原子をｈ個除いた基が挙げられる。また、Ｚ¹で表される炭素数１～２０の(ｈ＋１)価のフッ素化炭化水素基としては、前述した(ｈ＋１)価の炭化水素基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された基が挙げられる。

繰り返し単位Ｄ１～Ｄ４の具体例としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、Ｒ^Cは、前記と同じである。

式（Ｄ５）中、Ｒ¹⁰⁹及びＲ¹¹⁰で表される炭素数１～５のヒドロカルビル基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられるが、アルキル基が好ましい。前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。また、前記ヒドロカルビル基の炭素－炭素結合間に、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含む基が介在していてもよい。

式（Ｄ５）中、－ＯＲ¹⁰⁹は親水性基であることが好ましい。この場合、Ｒ¹⁰⁹としては水素原子、炭素－炭素結合間に酸素原子が介在した炭素数１～５のアルキル基等が好ましい。

式（Ｄ５）中、Ｚ²は、*－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－又は*－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－であることが好ましい。さらに、Ｒ^Dがメチル基であることが好ましい。Ｚ²にカルボニル基が存在することにより、帯電防止膜由来の酸のトラップ能が向上する。また、Ｒ^Dがメチル基であると、よりガラス転移温度（Ｔｇ）が高い剛直なポリマーとなるため、酸の拡散が抑制される。これにより、レジスト膜の経時安定性が良好なものとなり、解像力やパターン形状も劣化することがない。

繰り返し単位Ｄ５としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、Ｒ^Dは、前記と同じである。

式（Ｄ６）中、Ｚ³で表される炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メタンジイル基、エタン－１,１－ジイル基、エタン－１,２－ジイル基、プロパン－１,１－ジイル基、プロパン－１,２－ジイル基、プロパン－１,３－ジイル基、プロパン－２,２－ジイル基、ブタン－１,１－ジイル基、ブタン－１,２－ジイル基、ブタン－１,３－ジイル基、ブタン－２,３－ジイル基、ブタン－１,４－ジイル基、１,１－ジメチルエタン－１,２－ジイル基等が挙げられる。

式（Ｄ６）中、Ｒ¹¹¹で表される少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数３～２０の環式飽和ヒドロカルビル基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられる。

繰り返し単位Ｄ６としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、Ｒ^Dは、前記と同じである。

繰り返し単位Ｄ１～Ｄ４の含有量は、前記フッ素原子含有ポリマーの全繰り返し単位中、１５～９５モル％が好ましく、２０～８５モル％がより好ましい。繰り返し単位Ｄ５及び／又はＤ６の含有量は、前記フッ素原子含有ポリマーの全繰り返し単位中、５～８５モル％が好ましく、１５～８０モル％がより好ましい。繰り返し単位Ｄ１～Ｄ６は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

前記フッ素原子含有ポリマーは、前述した繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位を含んでもよい。このような繰り返し単位としては、特開２０１４－１７７４０７号公報の段落［００４６］～［００７８］に記載されているもの等が挙げられる。前記フッ素原子含有ポリマーがその他の繰り返し単位を含む場合、その含有量は、前記フッ素原子含有ポリマーの全繰り返し単位中５０モル％以下が好ましい。

前記フッ素原子含有ポリマーは、公知の方法によって、必要に応じて保護基で保護した各単量体を共重合させ、その後必要に応じて脱保護反応を行うことで合成することができる。共重合反応は特に限定されないが、好ましくはラジカル重合、アニオン重合である。これらの方法については、特開２００４－１１５６３０号公報を参考にすることができる。

前記フッ素原子含有ポリマーのＭｗは、２０００～５００００であることが好ましく、３０００～２００００であることがより好ましい。Ｍｗが２０００未満であると、酸の拡散を助長し、解像性の劣化や経時安定性が損なわれることがある。Ｍｗが大きすぎると、溶剤への溶解度が小さくなり、塗布欠陥を生じることがある。また、前記フッ素原子含有ポリマーは、Ｍｗ／Ｍｎが１.０～２.２であることが好ましく、１.０～１.７であることがより好ましい。

本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物が（Ｄ）フッ素原子含有ポリマーを含む場合、その含有量は、（Ｂ）ベースポリマー８０質量部に対し、０.０１～３０質量部が好ましく、０.１～２０質量部がより好ましく、０.５～１０質量部が更に好ましい。（Ｄ）フッ素原子含有ポリマーは、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

［（Ｅ）有機溶剤］
本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物は、（Ｅ）成分として有機溶剤を含んでもよい。前記有機溶剤としては、各成分を溶解可能なものであれば特に限定されない。このような有機溶剤としては、例えば、特開２００８－１１１１０３号公報の段落［０１４４］～［０１４５］に記載の、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル－２－ｎ－ペンチルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；３－メトキシブタノール、３－メチル－３－メトキシブタノール、１－メトキシ－２－プロパノール、１－エトキシ－２－プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル（ＥＬ）、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ－ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ－ブチル、プロピレングリコールモノｔｅｒｔ－ブチルエーテルアセテート等のエステル類；γ－ブチロラクトン等のラクトン類；及びこれらの混合溶剤が挙げられる。アセタール系の酸不安定基を用いる場合は、アセタールの脱保護反応を加速させるため、高沸点のアルコール系溶剤、具体的にはジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、１,４－ブタンジオール、１,３－ブタンジオール等を加えることもできる。

これらの有機溶剤の中でも、１－エトキシ－２－プロパノール、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、シクロヘキサノン、ＥＬ、γ－ブチロラクトン、及びこれらの混合溶剤が好ましい。

本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物中、（Ｅ）有機溶剤の含有量は、（Ｂ）ベースポリマー８０質量部に対し、２００～１００００質量部が好ましく、４００～５０００質量部がより好ましい。（Ｅ）有機溶剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。

［（Ｆ）界面活性剤］
本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物は、基板への塗布性を向上させるため、慣用されている界面活性剤を含んでもよい。前記界面活性剤は、特開２００４－１１５６３０号公報にも多数の例が記載されているように多数のものが公知であり、それらを参考にして選択することができる。本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物中、（Ｆ）界面活性剤の含有量は、（Ｂ）ベースポリマー８０質量部に対し、０～５質量部が好ましい。（Ｆ）界面活性剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

［レジストパターン形成方法］
本発明のレジストパターン形成方法は、前述した化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線を用いて前記レジスト膜にパターンを照射する工程（すなわち、高エネルギー線を用いて前記レジスト膜を露光する工程）、及びアルカリ現像液を用いて前記パターンを照射したレジスト膜を現像する工程を含む。

前記基板としては、例えば、集積回路製造用の基板（Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ、ＷＳｉ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ、有機反射防止膜等）、あるいは透過型又は反射型マスク回路製造用の基板（Ｃｒ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＭｏＳｉ₂、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＮＣ、ＣｏＴａ、ＮｉＴａ、ＴａＢＮ、ＳｎＯ₂等）等を用いることができる。前記基板上に、スピンコーティング等の方法で膜厚が０.０３～２μｍとなるように前記化学増幅ポジ型レジスト組成物を塗布し、これをホットプレート上で、好ましくは６０～１５０℃、１～２０分間、より好ましくは８０～１４０℃、１～１０分間プリベークし、レジスト膜を形成する。

次いで、高エネルギー線を用いて前記レジスト膜を露光し、パターンを照射する。前記高エネルギー線としては、紫外線、遠紫外線、エキシマレーザー光（ＫｒＦ、ＡｒＦ等）、ＥＵＶ、Ｘ線、γ線、シンクロトロン放射線、ＥＢ等が挙げられる。本発明においては、ＥＵＶ又はＥＢを用いて露光することが好ましい。

前記高エネルギー線として紫外線、遠紫外線、エキシマレーザー光、ＥＵＶ、Ｘ線、γ線又はシンクロトロン放射線を用いる場合は、目的のパターンを形成するためのマスクを用いて、露光量が好ましくは１～５００ｍＪ／ｃｍ²、より好ましくは１０～４００ｍＪ／ｃｍ²となるように照射する。ＥＢを用いる場合は、目的のパターンを形成するため直接、露光量が好ましくは１～５００μＣ／ｃｍ²、より好ましくは１０～４００μＣ／ｃｍ²となるように照射する。

露光は、通常の露光法のほか、場合によってはマスクとレジスト膜との間を液浸する液浸法を用いることも可能である。その場合には、水に不溶な保護膜を用いることも可能である。

次いで、ホットプレート上で、好ましくは６０～１５０℃、１～２０分間、より好ましくは８０～１４０℃、１～１０分間ＰＥＢする。

その後、０.１～５質量％、好ましくは２～３質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液の現像液を用い、好ましくは０.１～３分間、より好ましくは０.５～２分間、浸漬（dip）法、パドル（puddle）法、スプレー（spray）法等の常法により現像することで、基板上に目的のパターンが形成される。

なお、本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物は、特に解像性が良好でＬＥＲが小さいパターンを形成することができるため、有用である。また、本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物は、レジストパターンの密着性が取り難いことから、パターン剥がれやパターン崩壊を起こしやすい材料を表面に持つ基板のパターン形成に特に有用である。このような基板として、金属クロムや酸素、窒素及び炭素から選ばれる１以上の軽元素を含むクロム化合物を最表面にスパッタリング成膜した基板、ＳｉＯ、ＳｉＯ_x、タンタル化合物、モリブデン化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物、タングステン化合物、スズ化合物を最表層に含む基板等が挙げられる。本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物は、特に、基板としてフォトマスクブランクを用いたパターン形成に有用である。このとき、フォトマスクブランクとしては、透過型でも反射型でもよい。

透過型マスクブランクとして、クロム系材料による遮光膜をもつフォトマスクブランクは、バイナリーマスク用フォトマスクブランクでもよく、位相シフトマスク用フォトマスクブランクでもよい。バイナリーマスク用フォトマスクブランクの場合、遮光膜としてクロム系材料による反射防止層と遮光層をもつものでもよく、表層側の反射防止膜全部又は表層側の反射防止膜の更に表層側のみがクロム系材料で、残りの部分は、例えば遷移金属を含有していてもよいケイ素系化合物材料からなるものであってもよい。また、位相シフトマスク用フォトマスクブランクの場合、位相シフト膜上にクロム系遮光膜を有する位相シフトマスク用フォトマスクブランクを対象とすることができる。

前述した最表層にクロム系材料をもつフォトマスクブランクは、特開２００８－２６５００号公報、特開２００７－３０２８７３号公報又はそれらの中で従来技術として例示されているように、非常によく知られているものであり、詳細の説明は省略するが、例えばクロム系材料によって反射防止層と遮光層をもつ遮光膜を構成する場合には、下記のような膜構成を用いることができる。

クロム系材料によって反射防止層と遮光層とを有する遮光膜を形成する場合、層構成としては、表層側より反射防止層及び遮光層の順に積層してもよいし、反射防止層、遮光層及び反射防止層の順に積層してもよい。また、反射防止層と遮光層はそれぞれ多層であってもよく、組成の異なる層の間は、不連続に組成が変わるものでもよいし、組成が連続変化するものでもよい。用いるクロム系材料としては、金属クロム及び金属クロムに酸素、窒素、炭素のような軽元素を含有する材料が用いられる。具体的には、金属クロム、酸化クロム、窒化クロム、炭化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、窒化炭化クロム、酸化窒化炭化クロム等を用いることができる。

また、反射型マスクブランクは、基板と、基板の一の主表面（表側の面）上に形成された多層反射膜、具体的には、ＥＵＶ光などの露光光を反射する多層反射膜と、多層反射膜上に形成された吸収体膜、具体的には、ＥＵＶ光などの露光光を吸収し、反射率を低下させる吸収体膜とを備える。反射型マスクブランク（ＥＵＶ用反射型マスクブランク）からは、吸収体膜をパターニングして形成される吸収体パターン（吸収体膜のパターン）を有する反射型マスク（ＥＵＶ用反射型マスク）が製造される。ＥＵＶリソグラフィーに用いられるＥＵＶ光の波長は１３～１４ｎｍであり、通常、波長が１３.５ｎｍ程度の光である。

多層反射膜は、通常、基板の一の主表面に接して設けられることが好ましいが、本発明の効果を失わなければ、基板と多層反射膜との間に下地膜を設けることも可能である。吸収体膜は多層反射膜に接して形成してもよいが、多層反射膜と吸収体膜との間には、好ましくは多層反射膜と接して、より好ましくは多層反射膜及び吸収体膜と接して、保護膜（多層反射膜の保護膜）を設けてもよい。保護膜は、洗浄、修正等の加工などにおいて、多層反射膜を保護するためなどに用いられる。また、保護膜には、吸収体膜をエッチングによりパターニングするときの多層反射膜の保護や、多層反射膜の酸化を防止する機能を有するものが好ましい。一方、基板の一の主表面と反対側の面である他の主表面（裏側の面）下、好ましくは他の主表面に接して、反射型マスクを露光装置に静電チャックするために用いる導電膜を設けてもよい。なお、ここでは、基板の一の主表面を表側の面かつ上側、他の主表面を裏側の面かつ下側としているが、両者の表裏及び上下は便宜上定めたものであり、一の主表面と他の主表面とは、基板における２つの主表面（膜形成面）のいずれかであり、表裏及び上下は置換可能である。より具体的には、特開２０２１－１３９９７０号公報又はそれらの中で従来技術として例示されているような方法にて形成することができる。

本発明のレジストパターン形成方法によれば、最表面が、クロム、ケイ素又はタンタルを含む材料等のレジストパターン形状に影響を与えやすい材料からなる基板（例えば、透過型又は反射型マスクブランク）を用いた場合であっても、極めて高い解像性を有し、ＬＥＲが小さく、矩形性に優れ、パターン忠実性に優れたパターンを得ることができる。

以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されない。なお、共重合組成比はモル比であり、Ｍｗは、ＧＰＣによるポリスチレン換算測定値である。

本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物に用いた酸発生剤ＰＡＧ－１～ＰＡＧ－１２の構造を以下に示す。

比較例に用いた酸発生剤ｃＰＡＧ－１～ｃＰＡＧ－４の構造を以下に示す。

レジスト組成物に用いたポリマーＡ－１～Ａ－１４及びポリマーＰ－１～Ｐ－５の構造を以下に示す。

レジスト組成物に用いたクエンチャーＱ－１～Ｑ－３及びフッ素原子含有ポリマーＤ－１～Ｄ－５の構造を以下に示す。

［１］化学増幅ポジ型レジスト組成物の調製
［実施例１－１～１－４４、比較例１－１～１－４］
下記表１～３に示す組成で各成分を有機溶剤中に溶解し、得られた各溶液を１０ｎｍ、５ｎｍ、３ｎｍ及び１ｎｍサイズから選択されるＵＰＥフィルター及び／又はナイロンフィルターで濾過することで、化学増幅ポジ型レジスト組成物（Ｒ－１～Ｒ－４４、ＣＲ－１～ＣＲ－４）を調製した。なお、前記有機溶剤は、ＰＧＭＥＡ９００質量部、ＥＬ１８００質量部及びＰＧＭＥ１８００質量部の混合溶剤である。

［２］ＥＢリソグラフィー評価
［実施例２－１～２－４４、比較例２－１～２－４］
各化学増幅ポジ型レジスト組成物（Ｒ－１～Ｒ－４４、ＣＲ－１～ＣＲ－４）を、ＡＣＴ－Ｍ（東京エレクトロン(株)製）を用いて１５２ｍｍ角の最表面がクロム膜であるマスクブランク上にスピンコーティングし、ホットプレート上で、１１０℃で６００秒間プリベークして膜厚８０ｎｍのレジスト膜を作製した。得られたレジスト膜の膜厚測定は、光学式測定器ナノスペック（ナノメトリックス社製）を用いて行った。測定は、ブランク外周から１０ｍｍ内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内８１箇所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。
電子線露光装置（(株)ニューフレアテクノロジー製EBM-5000plus、加速電圧５０ｋＶ）を用いて露光し、１１０℃で６００秒間ＰＥＢを施し、２.３８質量％ＴＭＡＨ水溶液で現像を行い、ポジ型のパターンを得た。

得られたレジストパターンを次のように評価した。作製したパターン付きマスクブランクを上空ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、２００ｎｍの１：１のラインアンドスペース（ＬＳ）を１：１で解像する露光量を最適露光量（μＣ／ｃｍ²）とし、２００ｎｍのＬＳを１：１で解像する露光量における最小寸法を解像度（限界解像性）とした。ＳＥＭを用いて２００ｎｍＬＳパターン３２本のエッジ各々について８０点のエッジ検出を行い、そのばらつき（標準偏差、σ）の３倍値（３σ）を求め、ＬＥＲ（ｎｍ）とした。また、パターン忠実性（Fidelity）評価については、密度３６％で１２０ｎｍサイズの正方形ホールパターンを配置した際、ホールパターン一角のArea loss値（％）を算出した。この値が小さいほどホール形状の矩形性が良いと判断できる。パターン形状については、矩形か否かを目視にて判定した。結果を表４～６に示す。

本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物（Ｒ－１～Ｒ－４４）は、いずれも良好な解像性、ＬＥＲ、パターン矩形性及びパターン忠実性を示した。また、Ｒ－４３とＲ－４４とを比較すると、５０μＣ以上の領域にて良好な解像性能を得ることができた。一方、比較例のレジスト組成物（ＣＲ－１～ＣＲ－４）は、酸発生剤の設計が不十分であり、解像性、ＬＥＲ及びパターン矩形性については性能が不十分であった。本発明の設計として、ヒドロキシスチレン骨格を有するベースポリマーとヨウ素原子含有酸発生剤の組み合わせによる酸拡散抑制効果によって、解像性、ＬＥＲ、パターン矩形性及びパターン忠実性の改善が達成できたものと考えられる。

本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法は、半導体素子製造、特に透過型又は反射型フォトマスクブランクの加工におけるフォトリソグラフィーに有用である。

Claims (16)

1. （Ａ）下記式（Ａ１）で表されるスルホニウム塩及び下記式（Ａ２）で表されるヨードニウム塩から選ばれる少なくとも１種を含む酸発生剤、並びに（Ｂ）下記式（Ｂ１）で表される繰り返し単位を含み、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大するポリマーを含むベースポリマーを含む化学増幅ポジ型レジスト組成物。
   

   

   （式中、ｍは、０又は１である。ｐは、１～３の整数である。ｑは、１～５の整数である。ｒは、０～３の整数である。
   Ｌ¹は、単結合、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合又はカーバメート結合である。
   Ｌ²は、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合又はカーバメート結合である。
   Ｘ¹は、ｐが１のときは単結合又は炭素数１～２０のヒドロカルビレン基であり、ｐが２又は３のときは炭素数１～２０の(ｐ＋１)価炭化水素基であり、該ヒドロカルビレン基及び(ｐ＋１)価炭化水素基は、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、スルトン環、ラクタム環、カーボネート結合、ハロゲン原子、ヒドロキシ基及びカルボキシ基から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
   Ｒｆ¹及びＲｆ²は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であるが、少なくとも１つはフッ素原子又はトリフルオロメチル基である。
   Ｒ¹は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数２～６の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アミノ基、－Ｎ(Ｒ^1A)－Ｃ(＝Ｏ)－Ｒ^1B又は－Ｎ(Ｒ^1A)－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｒ^1Bであり、Ｒ^1Aは、水素原子又は炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基であり、Ｒ^1Bは、炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基又は炭素数２～８の不飽和脂肪族ヒドロカルビル基である。
   Ｒ²は、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビレン基又は炭素数６～１４のアリーレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の水素原子の一部又は全部が、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されていてもよく、該アリーレン基の水素原子の一部又は全部が、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数６～１４のアリール基、ハロゲン原子及びヒドロキシ基から選ばれる置換基で置換されていてもよい。
   Ｒ³～Ｒ⁷は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又は炭素数１～２０のヒドロカルビル基であり、該ヒドロカルビル基は、酸素原子、硫黄原子、窒素原子及びハロゲン原子から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。また、Ｒ³とＲ⁴とが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。）
   

   

   （式中、ａ１は、０又は１である。ａ２は、０～２の整数である。ａ３は、０≦ａ３≦５＋２ａ２－ａ４を満たす整数である。ａ４は、１～３の整数である。
   Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
   Ｒ¹¹は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～８の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。
   Ａ¹は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の－ＣＨ₂－が－Ｏ－で置換されていてもよい。）
2. （Ａ）成分が、下記式（Ａ３）で表されるオニウム塩である請求項１記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
   

   

   （式中、ｐ、ｑ、ｒ、Ｘ¹、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴及びＲ⁵は、前記と同じ。
   ｎは、１～４の整数である。
   Ｒ^2Aは、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数６～１４のアリール基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基である。）
3. 前記ポリマーが、更に、下記式（Ｂ２－１）で表される繰り返し単位を含むものである請求項１記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
   

   

   （式中、Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
   ｂ１は、０又は１である。ｂ２は、０～２の整数である。ｂ３は、０≦ｂ３≦５＋２ｂ２－ｂ４を満たす整数である。ｂ４は、１～３の整数である。ｂ５は、０又は１である。
   Ｒ¹²は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和ヒドロカルビルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～８の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。
   Ａ²は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の－ＣＨ₂－が－Ｏ－で置換されていてもよい。
   Ｘは、ｂ４が１のときは酸不安定基であり、ｂ４が２以上のときは水素原子又は酸不安定基であるが、少なくとも１つは酸不安定基である。）
4. 前記ポリマーが、更に、下記式（Ｂ２－２）で表される繰り返し単位を含むものである請求項１記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
   

   

   （式中、ｃ１は、０～２の整数である。ｃ２は、０～２の整数である。ｃ３は、０～５の整数である。ｃ４は、０～２の整数である。
   Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
   Ａ³は、単結合、フェニレン基、ナフチレン基又は*－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ａ³¹－である。Ａ³¹は、ヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合若しくはラクトン環を含んでいてもよい炭素数１～２０の脂肪族ヒドロカルビレン基、又はフェニレン基若しくはナフチレン基である。
   Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビル基であり、Ｒ¹³とＲ¹⁴とが、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。
   Ｒ¹⁵は、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数１～５のフッ素化アルキル基又は炭素数１～５のフッ素化アルコキシ基である。
   Ｒ¹⁶は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビル基である。）
5. 前記ポリマーが、更に、下記式（Ｂ３）で表される繰り返し単位、下記式（Ｂ４）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｂ５）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
   

   

   （式中、ｄ及びｅは、それぞれ独立に、０～４の整数である。ｆ１は、０又は１である。ｆ２は、０～５の整数である。ｆ３は、０～２の整数である。
   Ｒ^Aは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
   Ｒ²¹及びＲ²²は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８の飽和ヒドロカルビルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～８の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。
   Ｒ²³は、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数２～２０の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基、炭素数２～２０の飽和ヒドロカルビルオキシヒドロカルビル基、炭素数２～２０の飽和ヒドロカルビルチオヒドロカルビル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、スルフィニル基又はスルホニル基である。
   Ａ⁴は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基の－ＣＨ₂－が－Ｏ－で置換されていてもよい。）
6. 前記ポリマーが、更に、下記式（Ｂ６）～（Ｂ１３）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
   

   

   （式中、Ｒ^Bは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。
   Ｙ¹は、単結合、炭素数１～６の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、ナフチレン基若しくはこれらを組み合わせて得られる炭素数７～１８の基、－Ｏ－Ｙ¹¹－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｙ¹¹－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｙ¹¹－であり、Ｙ¹¹は、炭素数１～６の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、ナフチレン基又はこれらを組み合わせて得られる炭素数７～１８の基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。
   Ｙ²は、単結合又は－Ｙ²¹－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－であり、Ｙ²¹は、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビレン基である。
   Ｙ³は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化フェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、－Ｏ－Ｙ³¹－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｙ³¹－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｙ³¹－であり、Ｙ³¹は、炭素数１～６の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、フッ素化フェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基又はこれらを組み合わせて得られる炭素数７～２０の基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。
   Ｙ⁴は、単結合又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～３０のヒドロカルビレン基である。ｇ１及びｇ２は、それぞれ独立に、０又は１であるが、Ｙ⁴が単結合のとき、ｇ１及びｇ２は、０である。
   Ｒ³¹～Ｒ⁴⁸は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビル基である。また、Ｒ³¹及びＲ³²が、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよく、Ｒ³³及びＲ³⁴、Ｒ³⁶及びＲ³⁷、又はＲ³⁹及びＲ⁴⁰が、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。
   Ｒ^HFは、水素原子又はトリフルオロメチル基である。
   Ｘａ^-は、非求核性対向イオンである。）
7. 前記ベースポリマーに含まれるポリマーの全繰り返し単位中、芳香環骨格を有する繰り返し単位の含有率が６０モル％以上である請求項１記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
8. 更に、（Ｃ）クエンチャーを含む請求項１記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
9. （Ｃ）クエンチャーに対する（Ａ）酸発生剤の含有比率が、質量比で６未満である請求項８記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
10. 更に、（Ｄ）下記式（Ｄ１）で表される繰り返し単位、下記式（Ｄ２）で表される繰り返し単位、下記式（Ｄ３）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｄ４）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含み、更に下記式（Ｄ５）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｄ６）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよいフッ素原子含有ポリマーを含む請求項１記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
    

    

    （式中、Ｒ^Cは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
    Ｒ^Dは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。
    Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²、Ｒ¹⁰⁴及びＲ¹⁰⁵は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビル基である。
    Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁶、Ｒ¹⁰⁷及びＲ¹⁰⁸は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１５のヒドロカルビル基、炭素数１～１５のフッ素化ヒドロカルビル基又は酸不安定基であり、Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁶、Ｒ¹⁰⁷及びＲ¹⁰⁸がヒドロカルビル基又はフッ素化ヒドロカルビル基のとき、炭素－炭素結合間に、エーテル結合又はカルボニル基が介在していてもよい。
    Ｒ¹⁰⁹は、水素原子、又は炭素－炭素結合間にヘテロ原子を含む基が介在していてもよい直鎖状若しくは分岐状の炭素数１～５のヒドロカルビル基である。
    Ｒ¹¹⁰は、炭素－炭素結合間にヘテロ原子を含む基が介在していてもよい直鎖状又は分岐状の炭素数１～５のヒドロカルビル基である。
    Ｒ¹¹¹は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基であり、前記飽和ヒドロカルビル基の－ＣＨ₂－の一部が、エステル結合又はエーテル結合で置換されていてもよい。
    ｘは、１～３の整数である。ｙは、０≦ｙ≦５＋２ｚ－ｘを満たす整数である。ｚは、０又は１である。ｈは、１～３の整数である。
    Ｚ¹は、炭素数１～２０の(ｈ＋１)価の炭化水素基又は炭素数１～２０の(ｈ＋１)価のフッ素化炭化水素基である。
    Ｚ²は、単結合、*－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－又は*－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－である。*は、主鎖の炭素原子との結合手である。
    Ｚ³は、単結合、－Ｏ－、*－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｚ³¹－Ｚ³²－又は*－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｚ³¹－Ｚ³²－である。Ｚ³¹は、単結合又は炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基である。Ｚ³²は、単結合、エステル結合、エーテル結合又はスルホンアミド結合である。*は、主鎖の炭素原子との結合手である。）
11. 更に、（Ｅ）有機溶剤を含む請求項１記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
12. 請求項１～１１のいずれか１項記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線を用いて前記レジスト膜にパターンを照射する工程、及びアルカリ現像液を用いて前記パターンを照射したレジスト膜を現像する工程を含むレジストパターン形成方法。
13. 前記高エネルギー線が、極端紫外線又は電子線である請求項１２記載のレジストパターン形成方法。
14. 前記基板の最表面が、クロム、ケイ素、タンタル、モリブデン、コバルト、ニッケル、タングステン及びスズから選ばれる少なくとも１種を含む材料からなる請求項１２記載のレジストパターン形成方法。
15. 前記基板が、透過型又は反射型マスクブランクである請求項１２記載のレジストパターン形成方法。
16. 請求項１～１１のいずれか１項記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物を塗布した透過型又は反射型マスクブランク。