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JP2023038765A - 検査方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体 - Google Patents

検査方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体 Download PDF

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JP2023038765A JP2021145651A JP2021145651A JP2023038765A JP 2023038765 A JP2023038765 A JP 2023038765A JP 2021145651 A JP2021145651 A JP 2021145651A JP 2021145651 A JP2021145651 A JP 2021145651A JP 2023038765 A JP2023038765 A JP 2023038765A
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智輝 高吉
Tomoki Takayoshi
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
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Abstract

【課題】リードフレームの検査精度を向上可能な、検査方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体を提供する。【解決手段】実施形態に係る検査方法では、リードフレームの表面に対して傾斜した第1方向から前記表面に第1光を照射したときの、前記表面での前記第1光の反射光に基づく第1画像が取得される。さらに、前記検査方法では、前記第1画像を用いて、前記表面における異物が検出される。【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、検査方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体に関する。
画像を用いたリードフレームの検査について、精度の向上が求められている。
特開2019-168328号公報
本発明が解決しようとする課題は、リードフレームの検査精度を向上可能な、検査方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体を提供することである。
実施形態に係る検査方法では、リードフレームの表面に対して傾斜した第1方向から前記表面に第1光を照射したときの、前記表面での前記第1光の反射光に基づく第1画像が取得される。さらに、前記検査方法では、前記第1画像を用いて、前記表面における異物が検出される。
図1は、第1実施形態に係る検査システムを例示する模式的側面図である。 図2は、検査対象であるリードフレームを例示する模式的平面図である。 図3(a)は、第1実施形態に係る検査方法を説明するための模式的側面図である。図3(b)は、図3(a)に示す部分の画像を示す模式図である。 図4(a)は、第1実施形態に係る検査方法によって得られた画像を示す模式図である。図4(b)は、図4(a)のA-B線におけるラインプロファイルである。 図5は、第1実施形態に係る検査方法を示すフローチャートである。 図6は、参考例に係る検査方法を示す模式的側面である。 図7(a)は、参考例に係る検査方法を説明するための模式的側面図である。図7(b)は、図7(a)に示す部分の画像を示す模式図である。 図8(a)は、参考例に係る検査方法によって得られた画像を示す模式図である。図8(b)は、図8(a)のA-B線におけるラインプロファイルである。 図9(a)は、第1実施形態の第1変形例に係る検査システムを例示する模式的側面図である。図9(b)は、第1実施形態の第1変形例に係る検査システムを例示する模式的平面図である。 図10(a)~図10(d)は、第1実施形態の第1変形例に係る検査システムによって得られた画像を示す模式図である。 図11(a)~図11(d)は、第1実施形態の第1変形例に係る検査装置によって処理された画像を示す模式図である。 図12(a)及び図12(b)は、第1実施形態の第1変形例に係る検査装置によって処理された画像を示す模式図である。 図13は、第1実施形態の第1変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。 図14は、画像における検査領域を例示する模式図である。 図15は、リードフレームの画像を示す模式図である。 図16(a)は、第1実施形態の第2変形例に係る検査装置によって処理された画像を示す模式図である。図16(b)は、図16(a)の部分拡大図である。 図17(a)は、第1実施形態の第2変形例に係る検査装置によって処理された画像を示す模式図である。図17(b)は、図17(a)の部分拡大図である。 図18は、第1実施形態の第2変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。 図19は、第2実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す模式的平面図である。 図20は、第2実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す模式的平面図である。 図21は、第2実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す模式的平面図である。 図22は、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 図23は、ハードウェア構成を示す模式図である。
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る検査システムを例示する模式的側面図である。
図1に示す検査システム1は、リードフレーム100を検査する。検査システム1は、検査装置10、ステージ20、光源31(第1光源)、撮像装置40、及び光学系40aを含む。
ステージ20は、リードフレーム100を保持する。ステージ20は、X-Y面に平行な表面21を有し、リードフレーム100は、表面21に載置される。
光源31は、ステージ20よりも上方に設けられる。光源31は、表面101に対して傾斜した第1方向から、リードフレーム100に光L1(第1光)を照射する。光源31は、半導体発光ダイオード、蛍光ランプなどの発光装置を含む。一例として、X-Y面に対する光L1の照射角度は、60度よりも大きく90度未満に設定される。
撮像装置40は、ステージ20よりも上方に設けられる。表面101で反射された光L1の一部は、光学系40aを透過し、撮像装置40に入射する。光学系40aは、1つ以上のレンズを含む。撮像装置40は、光源31とは異なる位置及び角度から表面101を撮像し、表面101での光L1の反射光に基づく画像(静止画)を取得する。撮像装置40が動画を取得し、動画から静止画が切り出されても良い。撮像装置40は、CCDイメージセンサ又はMOSイメージセンサを含むカメラである。
ステージ20に対する撮像装置40の位置及び角度は、後述する表面101の異物を検出できるように設定される。図1の例では、撮像装置40は、X-Y面に垂直なZ方向から表面101を撮像している。撮像装置40による撮像方向のX-Y面に対する傾きが、光L1の照射方向のX-Y面に対する傾きよりも大きければ、撮像方向は、Z方向に対して傾斜していても良い。
図2は、検査対象であるリードフレームを例示する模式的平面図である。
リードフレーム100は、導電性であり、銅合金又は鉄合金を含む。図2に示すように、リードフレーム100は、複数のダイパッド110及び複数の端子部120を含む。複数のダイパッド110は、X方向及びY方向に沿って並んでいる。それぞれのダイパッド110の周りには、1つ以上の端子部120が設けられている。端子部120は、ダイパッド110と電気的に接続されている。
図3(a)は、第1実施形態に係る検査方法を説明するための模式的側面図である。図3(b)は、図3(a)に示す部分の画像を示す模式図である。図4(a)は、第1実施形態に係る検査方法によって得られた画像を示す模式図である。図4(b)は、図4(a)のA-B線におけるラインプロファイルである。
図3(a)では、表面101の一部が拡大して示されている。図3(a)の例では、表面101は、平坦領域101a及び粗化領域101bを含む。粗化領域101bの面粗さは、平坦領域101aの面粗さよりも大きい。例えば、粗化領域101bは、薬液を用いて化学的に粗面化されている。平坦領域101aは、プレス加工により平坦化されている。表面101は、粗化領域101bのような粗面化された領域を含みうるが、全体としてはX-Y面に実質的に平行である。
表面101には、異物130が存在しうる。例えば、リードフレーム100の加工中に、除去された材料の一部が表面101に付着することで、異物130が発生する。又は、異物130は、リードフレーム100以外に由来するゴミなどである。
図3(a)に示すように、平坦領域101a、粗化領域101b、及び異物130には、第1方向から、光源31からの光L1a~L1cがそれぞれ照射される。光L1aは、平坦領域101aにより、Z方向に対して傾斜した方向に正反射される。光L1bは、粗化領域101bにより、乱反射される。異物130は、典型的にはX-Y面に対して傾斜した面を有する。このため、光L1cの少なくとも一部は、異物130により、Z方向に向けて反射される。
図3(b)及び図4(a)に示す画像では、ドットの密度が高いほど、画素値(輝度)が小さいことを示す。図4(b)に示すグラフでは、横軸は、X方向における位置Pを表し、縦軸は画素値Vを表す。図4(b)において、点a及び点bは異物130の端を示す。平坦領域101a、粗化領域101b、及び異物130によって反射された光の強度差により、図3(b)及び図4(a)に示すように、平坦領域101a、粗化領域101b、及び異物130の画素値が互いに異なる画像が得られる。図4(b)に示すように、異物130の少なくとも一部の画素値を、表面101の画素値よりも高くできる。これにより、撮像装置40によって取得された画像IMG1(第1画像)において、異物130の少なくとも一部が、表面101から容易に区別可能となる。
検査装置10は、撮像装置40によって取得された第1画像を受信する。検査装置10は、第1画像を用いて、表面101における異物を検出する。具体的な一例として、検査装置10は、第1画像において異物が写っている異物領域を特定し、その異物領域の面積を予め設定された閾値と比較する。検査装置10は、比較結果に基づいて、表面101における異物130の有無を判定する。
異物領域の特定では、二値化処理又は色抽出が実行される。二値化処理では、第1画像が、2つの色(第1色及び第2色)で表される。二値化のレベルは、予め設定される。二値化処理により、異物130の少なくとも一部は白色(第1色の一例)で表され、その他の領域は黒色(第2色の一例)で表される。白色で表された領域が、異物領域に対応する。
色抽出では、第1画像から、予め設定された色(第1色の別の一例)の画素が抽出される。異物130の色が、抽出される色として設定される。抽出された領域が、異物領域に対応する。
二値化処理の前に、エッジ抽出が実行されても良い。エッジ抽出では、画像が微分処理される。これにより、異物130のエッジが白色で表された二値画像が得られる。その後、膨張処理及び収縮処理を行うことで、エッジ内が穴埋めされた二値画像が得られる。穴埋め後に白色で表される領域が、異物領域に対応する。
異物領域の面積が予め設定された閾値よりも大きい場合、検査装置10は、表面101に異物130が存在すると判定する。当該面積が閾値以下の場合、検査装置10は、表面101に異物130が存在しないと判定する。
又は、検査装置10は、第1画像を、予め用意された基準画像と比較しても良い。検査装置10は、第1画像と基準画像との差分を算出する。基準画像として、異物130が存在しない場合の画像を用いることができる。この場合、差分が予め設定された閾値よりも大きいと、検査装置10は、表面101に異物130が存在すると判定する。基準画像として、異物130が存在する場合の画像が用いられても良い。この場合、差分が予め設定された閾値よりも小さいと、検査装置10は、表面101に異物130が存在すると判定する。
検査装置10は、判定結果を出力する。例えば、検査装置10は、判定結果及び第1画像を記憶装置に保存する。検査装置10は、モニタなどの出力装置に判定結果及び第1画像を出力しても良い。
図5は、第1実施形態に係る検査方法を示すフローチャートである。
第1実施形態に係る検査方法IM0において、光源31は、表面101に対して傾斜した第1方向から光L1を照射する(ステップS1)。撮像装置40は、光が照射された表面101を撮像して第1画像を取得する(ステップS2)。検査装置10は、第1画像を用いて異物を検出する(ステップS3)。検査装置10は、異物が検出されたか否かを示す判定結果を出力する(ステップS4)。
参考例を参照しながら、第1実施形態の利点を説明する。
図6は、参考例に係る検査方法を示す模式的側面である。図7(a)は、参考例に係る検査方法を説明するための模式的側面図である。図7(b)は、図7(a)に示す部分の画像を示す模式図である。図8(a)は、参考例に係る検査方法によって得られた画像を示す模式図である。図8(b)は、図8(a)のA-B線におけるラインプロファイルである。
図6に示す参考例に係る検査方法では、光源31が、Z方向に沿って光Lを表面101に照射する。撮像装置40は、Z方向から表面101を撮像する。
参考例では、図7(a)に示すように、表面101の平坦領域101aに入射した光Laは、Z方向に向けて正反射される。粗化領域101bに入射した光Lb及び異物130に入射した光Lcは、Z方向とは異なる方向に反射される。
図7(b)及び図8(a)に示す画像では、ドットの密度が高いほど、画素値(輝度)が小さいことを示す。図8(b)に示すグラフでは、横軸は、X方向における位置Pを表し、縦軸は画素値Vを表す。図8(b)において、点a及び点bは異物130の端を示す。参考例では、図7(b)、図8(a)、及び図8(b)に示すように、異物130の画素値と、表面101(特に粗化領域101b)の画素値と、の差が小さい。特に表面101の色と異物130の色が同系統である場合、図7(b)及び図8(a)に示すように、異物130を粗化領域101bと区別することが困難となる。
これに対して、第1実施形態に係る検査方法では、光源31からの光L1が、表面101に対して傾斜した第1方向から照射される。第1方向からリードフレーム100に光L1を照射したときの画像が、異物の検出に用いられる。これにより、図3(b)、図4(a)、及び図4(b)に示すように、画像において、異物130が存在する領域とその他の領域との間での画素値の差を大きくできる。例えば、参考例に比べて、異物130の輪郭の一部が強調された画像が得られる。
第1実施形態に係る検査方法によれば、リードフレーム100における異物を画像からより容易に検出でき、検査精度を向上できる。また、三次元検査装置やレーザー変位計等の高額な検査装置を用いずに、リードフレーム100を画像から検査できる。
撮像装置40は、カラー画像を取得しても良いし、グレースケール画像を取得しても良い。好ましくは、撮像装置40は、カラー画像を取得する。取得されるカラー画像は、RGB画像、HSV画像、HSL画像など任意である。カラー画像を検査に用いることで、異物130の色と表面101の色とが異なる場合に、異物130の検出が容易となる。また、第1実施形態に係る検査方法によれば、異物130の色と表面101の色とが同系統である場合でも、表面101からの反射光と異物130からの反射光との強度差により、異物130の検出が容易となる。
例えば、リードフレーム100に含まれる材料と異物130に含まれる材料が同じ場合には、表面101の色と異物130の色が同系統となる。同系色の異物130は、リードフレーム100の一部を除去する加工により発生しうる。そのような加工として、リードフレーム100に刻印を形成するためのレーザエッチングが挙げられる。エッチング中に、除去された材料の一部が表面101に付着し、同系色の異物130が発生する。
(第1変形例)
図9(a)は、第1実施形態の第1変形例に係る検査システムを例示する模式的側面図である。図9(b)は、第1実施形態の第1変形例に係る検査システムを例示する模式的平面図である。
図9(a)及び図9(b)に示す第1変形例に係る検査システム1aは、検査システム1と比べて、光源32(第2光源)、光源33(第3光源)、光源34(第4光源)をさらに含む。
光源32~34は、それぞれ、表面101に対して傾斜した第2~第4方向から、光L2(第2光)~L4を照射する。いずれかの光源が光を照射している間は、他の光源は、光を照射しない。第1~第4方向は、互いに異なる。好ましくは、図9(b)に示すように、Z方向に対する第1方向の傾きは、Z方向に対する第2方向の傾きとは逆向きである。Z方向に対する第3方向の傾きは、Z方向に対する第4方向の傾きとは逆向きである。一例として、X-Y面に対する光L1~L4の照射角度は、60度よりも大きく90度未満に設定される。
光源31~34は、互いに異なるタイミングで表面101に光L1~L4をそれぞれ照射する。光L1~L4が照射されると、異物130の異なる面でそれぞれ光が反射される。光L1~L4のそれぞれの照射時に、撮像装置40は表面101を撮像する。これにより、光L1~L4のそれぞれの表面101での反射光に基づく4種類の画像が得られる。
図10(a)~図10(d)は、第1実施形態の第1変形例に係る検査システムによって得られた画像を示す模式図である。
図10(a)は、光源31から光L1が照射されたときの表面101の画像IMG1(第1画像)を示す。同様に、図10(b)~図10(d)は、光源32~34から光L2~L4がそれぞれ照射されたときの表面101の画像IMG2~IMG4(第2~第4画像)を示す。図10(a)~図10(d)に示すように、光が照射される方向に応じて、異物130の互いに異なる部分131~134が強調される。
検査装置10は、図10(a)~図10(d)に示す複数の画像を用いて、表面101における異物130を検出する。具体的な処理の一例は、以下の通りである。
図11(a)~図11(d)及び図12(a)及び図12(b)は、処理された画像を示す模式図である。
検査装置10は、それぞれの画像における異物領域を特定する(ステップS15)。例えば、検査装置10は、画像IMG1~IMG4のそれぞれについて、エッジ抽出、二値化処理、及び穴埋め処理を実行する。これにより、図11(a)~図11(d)に示す複数の二値画像IMG1a~IMG4aが得られる。二値画像IMG1a~IMG4aでは、部分131~134が、それぞれ白色領域131a~134aで表されている。白色領域131a~134aが、異物領域に対応する。
検査装置10は、二値画像IMG1a~IMG4aを用いて、図12(a)に示す合成画像IMG5を生成する。合成画像IMG5には、白色領域131a~134aが合成された異物領域135が存在する。異物領域135は、二値画像IMG1a~IMG4aにおける白色領域131a~134aの和集合に対応する。
典型的には、画像IMG1~IMG4に写る異物130について、光がL1~L4が照射された方向の端部の画素値が大きくなる。このため、合成画像IMG5において、異物領域135は、図12(a)に示すように、中心に穴が存在する円環状の領域となる。検査装置10は、合成画像IMG5に対して異物領域135の穴埋め処理を行い、図12(b)に示す処理画像IMG6を得る。処理画像IMG6には、穴埋めされた異物領域136が存在する。
検査装置10は、処理画像IMG6を用いて、表面101における異物130の有無を判定する。具体的には、検査装置10は、処理画像IMG6における異物領域136の面積を、予め設定された閾値と比較する。当該面積が閾値よりも大きい場合、検査装置10は、表面101に異物130が存在すると判定する。当該面積が閾値以下の場合、検査装置10は、表面101に異物130が存在しないと判定する。
図13は、第1実施形態の第1変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。
第1変形例に係る検査方法IM1において、光源31は、第1方向から、表面101に光L1を照射する(ステップS11a)。撮像装置40は、光L1が照射された表面101の第1画像を取得する(ステップS11b)。光源32は、第2方向から、表面101に光L2を照射する(ステップS12a)。撮像装置40は、光L2が照射された表面101の第2画像を取得する(ステップS12b)。光源33は、第3方向から、表面101に光L3を照射する(ステップS13a)。撮像装置40は、光L3が照射された表面101の第3画像を取得する(ステップS13b)。光源34は、第4方向から、表面101に光L4を照射する(ステップS14a)。撮像装置40は、光L4が照射された表面101の第4画像を取得する(ステップS14b)。
検査装置10は、第1~第4画像のそれぞれにおける異物領域を特定する(ステップS15)。検査装置10は、異物領域が特定された第1~第4画像を合成する(ステップS16)。検査装置10は、合成画像における異物領域を穴埋めする(ステップS17)。検査装置10は、穴埋め処理後の画像に基づいて、表面101における異物130を検出する(ステップS18)。検査装置10は、異物が検出されたか否かを示す判定結果を出力する(ステップS19)。検査装置10は、画像IMG1~IMG6の少なくともいずれかをさらに出力しても良い。検査装置10は、処理画像IMG6から算出される異物130のサイズをさらに出力しても良い。
なお、ステップS11aとS11bの組、ステップS12aとS12bの組、ステップS13aとS13bの組、ステップS14aとS14bの組の実行順序は、適宜入れ替え可能である。
第1変形例によれば、複数の方向から光が照射されたときの画像を用いることで、異物130のサイズをより正確に算出できる。これにより、表面101における異物130の有無をより正確に判定できる。リードフレーム100の検査精度を向上できる。
上述した例では、4つの光源が用いられている。この例に限定されず、第1変形例で用いられる光源の数は、適宜変更可能である。光源の数は、2又は3であっても良いし、4より多くても良い。2つ以上の光源を用いることで、検査方法IM0に比べて、リードフレーム100の検査精度を向上できる。
(第2変形例)
図14は、画像における検査領域を例示する模式図である。
検査精度をさらに向上させるためには、画像における検査領域が予め設定することが好ましい。検査領域が設定される場合、検査装置10は、画像の検査領域からのみ、異物を検出する。検査領域としては、異物130が存在しうる領域が設定される。図14の例では、ダイパッド110及び複数の端子部120を含む検査領域IRが設定されている。検査領域を設定することで、ノイズ、表面101以外のステージ20上のゴミなどが検査に与える影響を低減できる。
また、リードフレーム100の検査は、1つのダイパッド110及びその周囲の端子部120について、個々に実行されても良いし、複数のダイパッド110及び複数の端子部120について、まとめて実行されても良い。検査効率の観点から、複数のダイパッド110及び複数の端子部120がまとめて検査されることが好ましい。
一方で、複数のダイパッド110及び複数の端子部120に対する検査領域の設定は、ユーザへの負担が大きい。ユーザへの負担を軽減するために、検査領域は、検査装置10によって自動的に設定されても良い。
図15は、リードフレームの画像を示す模式図である。図16(a)及び図17(a)は、第1実施形態の第2変形例に係る検査装置によって処理された画像を示す模式図である。図16(b)及び図17(b)は、それぞれ、図16(a)及び図17(a)の部分拡大図である。
撮像装置40は、異物を含まないリードフレーム100の全体を撮像し、図15に示す画像IMG10を取得する。検査装置10は、その画像を二値化処理し、図16(a)に示す二値画像IMG11を生成する。この例では、リードフレーム100は白色で表され、その他は黒色で表されている。
検査装置10は、図16(a)に示す二値画像IMG11に対して、収縮処理を実行する。収縮処理により、図17(a)に示す二値画像IMG12が生成される。図16(b)及び図17(b)の比較から分かるように、収縮処理により、白色領域が狭まる。
検査装置10は、図17(a)に示す画像での白色の領域を、検査領域として設定する。検査装置10は、以降の検査において、各画像の検査領域内で、異物領域を特定する。又は、検査装置10は、検査領域内の画素について、基準画像との差分を算出する。
図18は、第1実施形態の第2変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。
第2変形例に係る検査方法IM2において、撮像装置40は、リードフレーム100の画像を取得する(ステップS21)。検査装置10は、その画像を二値化する(ステップS22)。検査装置10は、二値画像に対して収縮処理を実行する(ステップS23)。検査装置10は、収縮処理された二値画像を用いて、検査領域を設定する(ステップS24)。以降は、検査方法IM0と同じステップが実行される。ステップS3では、設定された検査領域について、異物130の検出が実行される。
第2変形例に係る検査方法によれば、リードフレーム100の画像を用いて検査領域の位置及びサイズを設定できる。このため、ユーザによる検査領域の設定の負担を緩和できる。また、第1画像に対して検査領域が設定されることで、検査精度を向上できる。
(第2実施形態)
図19~図21は、第2実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す模式的平面図である。
異物が検出されなかったリードフレーム100は、その後、半導体装置の製造に用いられる。異物が検出されたリードフレーム100は、異物の除去後に、半導体装置の製造に用いられる。
半導体装置の製造では、図19に示すように、リードフレーム100のダイパッド110に、半導体チップ140がそれぞれ実装される。半導体チップ140の裏面電極は、ダイパッド110と電気的に接続される。図20に示すように、半導体チップ140の上に、リード部材150がそれぞれ接続される。半導体チップ140の表面電極は、リード部材150と電気的に接続される。図21に示すように、絶縁部材160により、半導体チップ140を封止する。封止後、ダイシングラインDLに沿ってリードフレーム100及び絶縁部材160をダイシングする。これにより、個片化された半導体装置200が得られる。
図22は、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
第2実施形態に係る製造方法MMでは、リードフレーム100が加工される(ステップS31)。加工では、平坦領域101a及び粗化領域101bの形成、リードフレーム100への刻印の形成などが行われる。加工後、リードフレーム100が検査される(ステップS32)。検査では、検査方法IM0~IM2のいずれかが実行される。検査後、リードフレーム100に半導体チップ140が実装される(ステップS33)。半導体チップ140の上に、リード部材150が接続される(ステップS34)。絶縁部材160により、半導体チップ140が封止される(ステップS35)。リードフレーム100及び絶縁部材160がダイシングされる(ステップS36)。
第2実施形態に係る製造方法では、検査において第1実施形態に係る検査方法が用いられる。このため、異物の検出精度を向上できる。第2実施形態によれば、製造された半導体装置200に異物が含まれる可能性を低減できる。例えば、製造された半導体装置200の信頼性を向上できる。
図23は、ハードウェア構成を示す模式図である。
図23に示すハードウェア構成を含む処理装置90を、検査装置10として用いることができる。図23に示す処理装置90は、CPU91、ROM92、RAM93、記憶装置94、入力インタフェース95、出力インタフェース96、及び通信インタフェース97を含む。
ROM92は、コンピュータの動作を制御するプログラムを格納している。ROM92には、上述した各処理をコンピュータに実現させるために必要なプログラムが格納されている。RAM93は、ROM92に格納されたプログラムが展開される記憶領域として機能する。
CPU91は、処理回路を含む。CPU91は、RAM93をワークメモリとして、ROM92又は記憶装置94の少なくともいずれかに記憶されたプログラムを実行する。プログラムの実行中、CPU91は、システムバス98を介して各構成を制御し、種々の処理を実行する。
記憶装置94は、プログラムの実行に必要なデータや、プログラムの実行によって得られたデータを記憶する。
入力インタフェース(I/F)95は、処理装置90と入力装置95aとを接続する。入力I/F95は、例えば、USB等のシリアルバスインタフェースである。CPU91は、入力I/F95を介して、入力装置95aから各種データを読み込むことができる。
出力インタフェース(I/F)96は、処理装置90と表示装置96aとを接続する。出力I/F96は、例えば、Digital Visual Interface(DVI)やHigh-Definition Multimedia Interface(HDMI(登録商標))等の映像出力インタフェースである。CPU91は、出力I/F96を介して、表示装置96aにデータを送信し、表示装置96aに画像を表示させることができる。
通信インタフェース(I/F)97は、処理装置90外部のサーバ97aと、処理装置90と、を接続する。通信I/F97は、例えば、LANカード等のネットワークカードである。CPU91は、通信I/F97を介して、サーバ97aから各種データを読み込むことができる。カメラ99は、CCDセンサ又はCMOSセンサを含み、対象を撮影する。カメラ99は、画像をサーバ97aに保存する。カメラ99は、撮像装置40として使用できる。
記憶装置94は、Hard Disk Drive(HDD)及びSolid State Drive(SSD)から選択される1つ以上を含む。入力装置95aは、マウス、キーボード、マイク(音声入力)、及びタッチパッドから選択される1つ以上を含む。表示装置96aは、モニタ及びプロジェクタから選択される1つ以上を含む。タッチパネルのように、入力装置95aと表示装置96aの両方の機能を備えた機器が用いられても良い。
上述した種々のデータの処理は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、磁気ディスク(フレキシブルディスク及びハードディスクなど)、光ディスク(CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD±R、DVD±RWなど)、半導体メモリ、又は、他の非一時的なコンピュータで読取可能な記録媒体(non-transitory computer-readable storage medium)に記録されても良い。
例えば、記録媒体に記録された情報は、コンピュータ(または組み込みシステム)により読み出されることが可能である。記録媒体において、記録形式(記憶形式)は任意である。例えば、コンピュータは、記録媒体からプログラムを読み出し、このプログラムに基づいてプログラムに記述されている指示をCPUで実行させる。コンピュータにおいて、プログラムの取得(または読み出し)は、ネットワークを通じて行われても良い。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
1,1a:検査システム、 10:検査装置、 20:ステージ、 21:表面、 31~34:光源、 40:撮像装置、 40a:光学系、 100:リードフレーム、 101:表面、 101a:平坦領域、 101b:粗化領域、 110:ダイパッド、 120:端子部、 130:異物、 131~134:部分、 131a~134a:白色領域、 135,136:異物領域、 140:半導体チップ、 150:リード部材、 160:絶縁部材、 200:半導体装置、 DL:ダイシングライン、 IR:検査領域、 L,La~Lc,L1,L1a~L1c,L2~L4:光、 MM:製造方法

Claims (9)

  1. リードフレームの表面に対して傾斜した第1方向から前記表面に第1光を照射したときの、前記表面での前記第1光の反射光に基づく第1画像を取得し、
    前記第1画像を用いて、前記表面における異物を検出する、検査方法。
  2. 前記第1画像から特定される異物領域の面積を閾値と比較すること、又は前記第1画像を基準画像と比較することで、前記異物を検出する、請求項1記載の検査方法。
  3. 前記表面に対して傾斜した第2方向から前記表面に第2光を照射したときの、前記表面での前記第2光の反射光に基づく第2画像をさらに取得し、
    前記第1画像及び前記第2画像を用いて、前記異物を検出する、請求項1記載の検査方法。
  4. 前記第1画像から特定される異物領域及び前記第2画像から特定される異物領域を合成し、
    合成された画像を用いて、前記異物を検出する、請求項3記載の検査方法。
  5. 前記第1画像を取得する際の撮像方向の前記表面に対する傾きは、前記第1方向の前記表面に対する傾きよりも大きい、請求項1~4のいずれか1つに記載の検査方法。
  6. リードフレームの表面に対して傾斜した第1方向から前記表面に第1光を照射したときの、前記表面での前記第1光の反射光に基づく第1画像を取得し、
    前記第1画像を用いて、前記表面における異物を検出する、検査装置。
  7. 請求項6記載の検査装置と、
    前記第1方向から前記第1光を照射する第1光源と、
    前記表面を撮像し、前記第1画像を取得する撮像装置と、
    を備えた、検査システム。
  8. 請求項1~5のいずれか1つに記載の検査方法をコンピュータに実行させる、プログラム。
  9. 請求項8記載のプログラムを記憶した記憶媒体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20250000581A (ko) * 2023-06-27 2025-01-03 이중선 패턴이 형상화되어 있는 표면 이물 연속 검출 및 이물 자동 세정 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116994987A (zh) * 2023-07-17 2023-11-03 上海凯虹科技电子有限公司 一种半导体塑封系统及异物检测方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048837A (ja) * 1996-08-01 1998-02-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd レジスト飛散検査装置および方法
JP2010210373A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Kyushu Nogeden:Kk 外観検査装置
JP2011214946A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Toppan Printing Co Ltd めっき検査装置
JP2014215217A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 住友金属鉱山株式会社 物体検査装置及び物体検査方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5894659A (en) * 1996-03-18 1999-04-20 Motorola, Inc. Method for inspecting lead frames in a tape lead bonding system
CN1685220B (zh) * 2002-09-30 2010-04-28 应用材料以色列股份有限公司 暗场检测系统
WO2017104575A1 (ja) * 2015-12-16 2017-06-22 株式会社リコー 検査システム及び検査方法
KR102270979B1 (ko) * 2016-12-28 2021-06-30 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 다중-이미지 입자 검출 시스템 및 방법
JP2019168328A (ja) * 2018-03-23 2019-10-03 株式会社東芝 半導体装置の検査方法及び半導体装置の製造方法
JP7283445B2 (ja) * 2020-06-08 2023-05-30 株式会社Sumco 半導体ウェーハの評価方法
KR102635249B1 (ko) * 2020-08-31 2024-02-08 세메스 주식회사 이미지 획득 방법, 이미지 획득 장치 및 웨이퍼 검사 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048837A (ja) * 1996-08-01 1998-02-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd レジスト飛散検査装置および方法
JP2010210373A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Kyushu Nogeden:Kk 外観検査装置
JP2011214946A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Toppan Printing Co Ltd めっき検査装置
JP2014215217A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 住友金属鉱山株式会社 物体検査装置及び物体検査方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20250000581A (ko) * 2023-06-27 2025-01-03 이중선 패턴이 형상화되어 있는 표면 이물 연속 검출 및 이물 자동 세정 장치
KR102886462B1 (ko) * 2023-06-27 2025-11-17 이중선 패턴이 형상화되어 있는 표면 이물 연속 검출 및 이물 자동 세정 장치

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