JP2023038129A - 検出装置、及び検出装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ホバー検出の精度を改善される検出装置を提供すること。【解決手段】検出装置であって、検出装置であって、行方向及び列方向に配列され、近接する対象物を検出する複数の検出電極と、前記複数の検出電極のそれぞれに接続された複数の配線と、前記複数の配線と接続され、複数の検出期間によって前記複数の検出電極の電圧を検出する検出回路と、前記検出回路に接続され、前記検出回路が検出した前記複数の検出電極の電圧を用いて、前記近接する対象物の位置を算出する演算回路と、を有し、前記検出回路は、前記複数の検出電極の中から行方向及び列方向に相互に隣接する一組の検出電極を検出単位とし、前記複数の検出期間は連続して出現し、前記複数の検出期間の連続において、前記検出期間ごとに、行方向に１行、又は、列方向に１列、前記検出単位に含まれる前記検出電極を異ならせる。【選択図】図１

Description

本発明は、検出装置、及び検出装置の駆動方法に関する。

ユーザが表示装置に対して情報を入力するためのインターフェースとして、タッチパネルや近接センサが知られている。タッチパネルや近接センサを表示装置に備えることで、操作者は操作者自身の指、または、タッチペンを用いて、画面上に表示される入力ボタンやアイコンなどを操作することができる。近接センサを備える表示装置は、操作者自身の指を画面に触れさせない状態で、例えば、操作者自身の指の近接状態を検出する、所謂、ホバー検出（近接検出）の機能を備える。

例えば、ホバー検出の機能を備える表示装置は、ホバー検出可能な電極を複数備えている。以降の説明において、ホバー検出の機能を備える表示装置、又は、ホバー検出の機能を備える装置は、まとめて、検出装置と呼ばれ、ホバー検出可能な電極は検出電極と呼ばれる。近年、検出電極を複数束ねることによってホバー検出の感度を向上させる検出装置が開発されている（特許文献１）。

特開２０１５－１６６９２１号公報

検出装置では、検出装置内における検出電極の位置によって、ホバー検出の精度が異なることが知られている。近年では、ホバー検出の精度が異なることに伴い、ホバー検出の検出精度の低下が課題となっている。

本発明の一実施形態では、上記問題に鑑み、ホバー検出の精度を改善される検出装置を提供することを目的の一つとする。

検出装置であって、行方向及び列方向に配列され、近接する対象物を検出する複数の検出電極と、前記複数の検出電極のそれぞれに接続された複数の配線と、前記複数の配線と接続され、複数の検出期間によって前記複数の検出電極の電圧を検出する検出回路と、前記検出回路に接続され、前記検出回路が検出した前記複数の検出電極の電圧を用いて、前記近接する対象物の位置を算出する演算回路と、を有し、前記検出回路は、前記複数の検出電極の中から行方向及び列方向に相互に隣接する一組の検出電極を検出単位とし、前記複数の検出期間は連続して出現し、前記複数の検出期間の連続において、前記検出期間ごとに、行方向に１行、又は、列方向に１列、前記検出単位に含まれる前記検出電極を異ならせる。

行方向及び列方向に配列され、近接する対象物を検出する複数の検出電極と、前記複数の検出電極のそれぞれに接続された複数の配線と、前記複数の配線と接続される検出回路と、前記検出回路に接続される演算回路と、を有する検出装置の駆動方法であって、前記複数の検出電極の中から行方向及び列方向に相互に隣接する一組の検出電極を検出単位として、複数の検出期間によって前記複数の検出電極の電圧を検出し、前記検出した前記複数の検出電極の電圧を用いて、前記近接する対象物の位置を算出し、前記複数の検出期間は連続して出現し、前記複数の検出期間の連続において、前記検出期間ごとに、行方向に１行、又は、列方向に１列、前記検出単位に含まれる前記検出電極を異ならせる。

本発明の一実施形態に係る検出装置の構成を示す模式的な平面図である。 本発明の一実施形態に係る検出装置の構成を示す模式的な平面図である。 本発明の一実施形態に係る検出装置が有する機能構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る検出装置が有する機能構成を示す平面図である。 自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの模式的な端部断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの画素の構成を示す等価回路図である。 本発明の一実施形態に係る画素のレイアウトの一例を示す図である。 本発明の一実施形態に係る画素の模式的な端部断面図である。 本発明の一実施形態に係る検出電極、電極接続回路、及び検出回路の構成を示す模式的な平面図である。 本発明の一実施形態に係る検出装置の駆動方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る検出装置の構成（ユニット０（ｕｎｉｔ０））を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る検出装置の構成（ユニット１（ｕｎｉｔ１））を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る検出装置の構成（ユニット２（ｕｎｉｔ２））を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る検出装置の構成（ユニット３（ｕｎｉｔ３））を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るバンドルスキャン０における検出対象物と検出装置の位置関係の一例を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るバンドルスキャン１における検出対象物と検出装置の位置関係の一例を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るバンドルスキャン２における検出対象物と検出装置の位置関係の一例を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るバンドルスキャン３における検出対象物と検出装置の位置関係の一例を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る検出装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第２実施形態に係る検出装置の駆動方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る検出装置の駆動方法のステップ４１３（Ｓ４１３）を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る検出装置の駆動方法のステップ４１５（Ｓ４１５）を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る検出装置の駆動方法のステップ４１５（Ｓ４１５）を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る検出装置の駆動方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る検出装置の駆動方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る検出装置の駆動方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の第３実施形態に係る検出装置の駆動方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の第３実施形態に係る検出装置の駆動方法のうち、バンドルスキャン４（ｂａｎｄｌｅｓｃａｎ４）を説明するための図である。 本発明の第３実施形態に係る検出装置の駆動方法のうち、バンドルスキャン５（ｂａｎｄｌｅｓｃａｎ５）を説明するための図である。 本発明の第３実施形態に係る検出装置の駆動方法のうち、バンドルスキャン６（ｂａｎｄｌｅｓｃａｎ６）を説明するための図である。 本発明の第３実施形態に係る検出装置の駆動方法のうち、バンドルスキャン７（ｂａｎｄｌｅｓｃａｎ７）を説明するための図である。 本発明の第３実施形態に係る検出装置の駆動方法のうち、バンドルスキャン８（ｂａｎｄｌｅｓｃａｎ８）を説明するための図である。 本発明の第３実施形態に係る検出装置の駆動方法の各バンドルスキャンにおける検出電極のサイズ比の一例を示す図である。 本発明の第４実施形態に係る検出電極、電極接続回路、及び検出回路の構成を示す模式的な平面図である。 本発明の第５実施形態に係る検出電極、電極接続回路、及び検出回路の構成を示す模式的な平面図である。 本発明の第６実施形態に係る検出装置の構成を示す模式的な平面図である。 本発明の第６実施形態に係る検出装置が有する機能構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る検出装置の模式的な端部断面図である。

以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の構成等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（または数字の後にＡ、Ｂ、ａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。なお、各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。

＜１．第１実施形態＞
＜１－１．検出装置１０のハードウェア構成＞
図１は本発明の一実施形態に係る検出装置１０の一例を示す模式的な平面図である。図２は本発明の一実施形態に係る表示パネル６００の一例を示す模式的な平面図である。図１及び図４に示される検出装置１０のハードウェア構成は、一例であって、検出装置１０のハードウェア構成は、図１及び図２に示される構成に限定されない。

図１または図２に示すように、検出装置１０は、フレキシブルプリント基板１５０、電極選択回路３００、検出回路４００、演算回路５００、及び表示パネル６００を有する。

表示パネル６００、及び演算回路５００は、フレキシブルプリント基板１５０を用いて、電気的に接続される。検出回路４００はフレキシブルプリント基板１５０上に設けられる。

表示パネル６００は、基板２０、対向基板１００、表示部１２２、近接センサ部１２４、周辺部１２６、制御回路２００、配線２１０、配線２１２、配線２１３、配線２１４、配線２１６、及び電極選択回路３００を有する。

基板２０、及び対向基板１００は、基板２０と対向基板１００の間に設けられるシール部（図示は省略）で貼り合わせられる。シール部は周辺部１２６に設けられる。表示部１２２、近接センサ部１２４、及び周辺部１２６は、基板２０上に設けられる。配線２１０、配線２１２、配線２１３、配線２１４、及び配線２１６は、基板２０上に配置される。

表示部１２２、及び近接センサ部１２４は、対向基板１００と周辺部１２６に囲まれている。表示部１２２には、複数の画素２２０が、左右方向（行方向、Ｘ方向）及び上下方向（列方向、Ｙ方向）にマトリクス状に配置される。複数の画素２２０のそれぞれは、配線２１０、及び配線２１２を用いて、制御回路２００、及び電極選択回路３００に電気的に接続される。近接センサ部１２４には、複数の検出電極１８０が、左右方向（行方向、Ｘ方向）及び上下方向（列方向、Ｙ方向）にマトリクス状に配置される。複数の検出電極１８０のそれぞれは、配線２１４を用いて、電極選択回路３００に電気的に接続される。

詳細は後述するが、本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、検出対象物を検出するための１つの近接センサＨＳ（図１０）は、複数の検出電極１８０のうち、ｋ（ｋは正の整数）個の電極を用いて構成される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０は、ｋ個の電極を用いて構成される近接センサＨＳを複数個用いて、検出対象物を検出する。本発明の一実施形態では、例えば、係数ｋは４である。検出装置１０では、検出対象物は、「近接する対象物」と呼ばれる。近接センサＨＳは、複数の検出電極１８０の中から行方向及び列方向に相互に隣接する一組の検出電極（ｋ＝４の場合は４個の検出電極）を検出単位とし、検出対象物の電圧（電圧の変化）を検出する。

制御回路２００は、例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式で配線２１３及び配線２１６に電気的に接続される。また、制御回路２００は、配線２１３を用いて、電極選択回路３００に電気的に接続される。制御回路２００、及び電極選択回路３００は、配線２１６を用いて、複数の端子（図示は省略）に電気的に接続される。端子部（図示は省略）には、複数の端子が配置される。複数の端子は、フレキシブルプリント基板１５０に電気的に接続される。制御回路２００、電極選択回路３００、及び端子部は、Ｙ方向において対向基板１００から露出する基板２０の上に配置される。

複数の画素２２０の配列は、例えば、ストライプ配列である。複数の画素２２０のそれぞれは、例えば、副画素Ｒ、副画素Ｇ、副画素Ｂに対応してよい。１つの画素が３つの副画素で形成されてもよい。画素２２０は、表示部１２２で再現される画像の一部を構成する最小単位である。各副画素には表示素子が１つ備えられる。表示素子は、例えば、液晶素子、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子などである。本実施形態の例では、表示素子は液晶素子２４０（図７）である。副画素が対応する色は液晶素子２４０、又は副画素上に設けられるカラーフィルタ（図示は省略）の特性によって決定される。

ストライプ配列では、副画素Ｒ、副画素Ｇ、副画素Ｂが互いに異なる色を与えるように構成することができる。例えば、副画素Ｒ、副画素Ｇ、副画素Ｂにそれぞれ、赤色、緑色、青色の３原色を発するカラーフィルタ層９０（図５）を備えることができる。３つの副画素のそれぞれに任意の電圧又は電流が供給され、表示パネル６００は画像を表示することができる。

例えば、ソース配線２２２は、配線２１２に接続され、Ｙ方向に延びており、Ｙ方向に配置される複数の画素２２０に接続される。例えば、ゲート配線２２４は、配線２１０に接続され、Ｘ方向に延びており、Ｘ方向に配置される複数の画素２２０に接続される。

＜１－２．検出装置１０が有する機能構成＞
図３及び図４は本発明の一実施形態に係る検出装置１０が有する機能構成を示す平面図である。図３及び図４に示される検出装置１０が有する機能構成は、一例であって、検出装置１０が有する機能構成は、図３及び図４に示される構成に限定されない。図１及び図２と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。

本発明の一実施形態に係る検出装置１０は、表示動作、及び近接検出動作を行うことができる。この場合、制御回路２００は、表示部１２２を用いて画像を表示する表示動作、及び、近接センサ部１２４を用いて検出対象物４９０の位置を検出する近接検出動作を実行することができる。例えば、本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、表示動作、及び近接検出動作は時分割で実行されてよく、表示動作、または近接検出動作の何れか一方が実行されてもよい。

本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、近接センサ部１２４に含まれる複数の近接センサＨＳ（図１０）を用いて、自己静電容量方式で近接検出動作を実行することができる。本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、近接検出動作は、検出対象物４９０と検出面１０２が離れて検出されるホバー検出動作（非接触検出）であってよく、検出対象物と検出面１０２が接触して検出されるタッチ検出（接触検出）であってもよい。具体的には、本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、タッチ検出は、検出対象物４９０が検出面１０２に接触した状態、または接触した状態と同様に近接した状態（接触状態）において、検出対象物４９０の位置を検出することを表す。また、ホバー検出は、検出対象物４９０が検出面１０２に接触していない状態または接触と同様には近接していない状態（非接触状態）において、検出対象物４９０の位置または動作を検出することを表す。なお、本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、検出面１０２は表示面と同様である。

近接検出動作では、検出装置１０は、複数の検出電極１８０（図２）のそれぞれの初期状態の電圧を含む初期信号Ｖｉｎｉ１を検出するベースラインスキャン、及び、検出対象物４９０が近接したとき複数の検出電極１８０（図２）のそれぞれの電圧を含む検出信号Ｖｄｅｔ１を、検出電極１８０を複数個束ねることによって検出するバンドルスキャンを実行する。近接検出動作における、ベースラインスキャン、及びバンドルスキャンの詳細は後述するが、例えば、検出装置１０は、ベースラインスキャン、及びバンドルスキャンをそれぞれ４回実行する。検出装置１０は、例えば、ベースラインスキャン０～３及びバンドルスキャン０～３を、時分割で実行する。

本発明の一実施形態に係る検出装置１０のベースラインスキャン、及びバンドルスキャンでは、検出装置１０に対して、Ｙ方向、Ｘ方向のオーバーラップスキャンが実行される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、複数の検出電極１８０を含む近接センサＨＳ用いて、複数回のバンドルスキャンの前後のスキャンを比較すると複数の検出電極１８０の一部を重複してスキャンするオーバーラップスキャンが実行されるように制御される。その結果、検出対象物４９０が、複数の近接センサＨＳにわたって検出されることを抑制し、検出対象物４９０の検出位置座標の検出精度を改善することができる。

＜１－２－１．制御回路２００の機能構成＞
図３に示すように、制御回路２００は、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３及び駆動電極ドライバ１４を有する。制御回路２００は、例えば、演算回路５００から映像制御信号Ｖｄｉｓｐを供給される。制御回路２００は、映像制御信号Ｖｄｉｓｐを用いて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４、電極選択回路３００及び検出回路４００に制御信号を供給し、表示動作と近接検出動作を制御する回路である。

ゲートドライバ１２は、制御回路２００から供給される制御信号を用いて、表示部１２２に含まれる複数の画素２２０（図２）に接続されるゲート配線に走査信号Ｖｓｃａｎを供給する回路である。例えば、ゲートドライバ１２は、表示動作の対象となるゲート配線を順次又は同時に選択する。

ソースドライバ１３は、表示部１２２に含まれる複数の画素２２０（図２）に接続されるソース配線に、複数の画素２２０のそれぞれに対応する画像信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。なお、ソースドライバ１３の機能の一部は、表示パネル６００に搭載されてもよい。この場合、制御回路２００は画像信号Ｖｐｉｘを生成し、生成された画像信号Ｖｐｉｘがソースドライバ１３に供給されてもよい。

駆動電極ドライバ１４は、例えば、表示動作では、電極選択回路３００を介して、表示パネル６００の共通電極となる検出電極１８０に制御信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。また、駆動電極ドライバ１４は、例えば、近接検出動作では、電極選択回路３００を介して、表示パネル６００の検出電極１８０に、制御信号Ｖｈｓを供給する回路である。

＜１－２－２．電極選択回路３００の機能構成＞
図１～図３に示すように、電極選択回路３００は、近接センサ部１２４と検出回路４００の間に配置される。電極選択回路３００は、制御回路２００（駆動電極ドライバ１４）から検出回路４００を介して供給される制御信号Ｖｈｓを用いて、近接検出動作の対象となる検出電極１８０（図２）と検出回路４００との接続と遮断とを切り換える回路である。例えば、１つの近接センサＨＳが、４個（係数ｋが４）の検出電極１８０を用いて構成される場合、電極選択回路３００は、近接センサ部１２４に含まれる複数の検出電極１８０のうち、Ｘ方向及びＹ方向に互いに隣接する４個の検出電極１８０の接続と遮断とを切り換え、電極選択回路３００は、複数の近接センサＨＳのそれぞれに対して、対応する４個の検出電極１８０の接続と遮断とを切り換える。例えば、検出装置１０は、時分割でバンドルスキャン０～バンドルスキャン３のそれぞれを実行し、各バンドルスキャンにおいて、１つの近接センサＨＳに対応する第１の検出電極、第２の検出電極、第３の検出電極及び第４の検出電極のそれぞれを時分割で個別にスキャンさせるように、４個の検出電極１８０と検出回路４００に含まれる検出信号増幅回路４１０との接続と遮断とを切り換えることができる。また、例えば、検出装置１０は、時分割でバンドルスキャン０～バンドルスキャン３のそれぞれを実行し、各バンドルスキャンにおいて１つの近接センサＨＳに対応する４個の検出電極１８０の全てを同時に駆動させるように４個の検出電極１８０と検出回路４００に含まれる検出信号増幅回路４１０との接続と遮断とを切り換えることができる。

検出電極１８０のそれぞれは、検出対象物４９０（図６）の接触又は近接を検出し、検出信号Ｖｄｅｔを、電極選択回路３００に供給する。電極選択回路３００は、複数の近接センサＨＳのそれぞれに対して、対応する検出電極１８０のそれぞれの検出信号Ｖｄｅｔ１を用いて検出信号Ｖｄｅｔ２を生成する。電極選択回路３００は、複数の近接センサＨＳのそれぞれに対して生成された複数の検出信号Ｖｄｅｔ２を検出回路４００に供給する。

本発明の一実施形態では、ベースラインスキャンにおいて検出電極１８０のそれぞれによって検出される検出信号は、初期信号Ｖｉｎｉ１と呼ばれ、複数の近接センサＨＳのそれぞれに対して生成される検出信号は、初期信号Ｖｉｎｉ２と呼ばれる。

＜１－２－３．検出回路４００の機能構成＞
近接検出動作では、図３に示すように、検出回路４００は、駆動電極ドライバ１４から制御信号Ｖｈｓを供給され、表示パネル６００（電極選択回路３００）から検出信号Ｖｄｅｔ２及び初期信号Ｖｉｎｉ２を供給される。検出回路４００は、制御信号Ｖｈｓ、及び検出信号Ｖｄｅｔ２または初期信号Ｖｉｎｉ２を用いて、検出面１０２に近接した検出対象物４９０を検出する回路である。

図４に示すように、検出回路４００は、検出信号増幅回路４１０、ＡＤ変換回路４２０、信号処理回路４３０、及び検出タイミング制御回路４４０を有する。検出タイミング制御回路４４０は、制御回路２００（駆動電極ドライバ１４）から供給される制御信号Ｖｈｓを用いて、検出信号増幅回路４１０、ＡＤ変換回路４２０、及び信号処理回路４３０を同期して動作するように制御する。

検出回路４００（検出信号増幅回路４１０）は、電極選択回路３００を介して、複数の近接センサＨＳのそれぞれに対して生成された複数の検出信号Ｖｄｅｔ２及び初期信号Ｖｉｎｉ２を、シリアルに供給される。検出信号増幅回路４１０は、制御回路２００及び検出タイミング制御回路４４０を介して、制御信号Ｖｈｓを供給される。検出信号増幅回路４１０は、複数の検出信号Ｖｄｅｔ２、初期信号Ｖｉｎｉ２、及び制御信号Ｖｈｓを用いて、制御信号Ｖｈｓに同期して、複数の検出信号Ｖｄｅｔ２及び複数の初期信号Ｖｉｎｉ２を増幅する。検出信号増幅回路４１０は、複数の検出信号Ｖｄｅｔ２及び複数の初期信号Ｖｉｎｉ２を増幅すると共に、例えば、複数の検出信号Ｖｄｅｔ２及び複数の初期信号Ｖｉｎｉ２のノイズを抑制するように構成されてもよい。

ＡＤ変換回路４２０は、制御信号Ｖｈｓに同期したタイミングで、検出信号増幅回路４１０から、シリアルに供給される複数のアナログ信号のそれぞれをサンプリングし、デジタル信号に変換する。ＡＤ変換回路４２０は、生成された複数のデジタル信号をシリアルに信号処理回路４３０に供給する。本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、複数の検出信号Ｖｄｅｔ２及び複数の初期信号Ｖｉｎｉ２を読み出すための読み出し回路が備えられてよく、読み出し回路がＡＤ変換回路４２０を含んでもよい。

信号処理回路４３０は、例えば、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、揮発メモリ、及び不揮発性メモリを含む。信号処理回路４３０は、制御信号Ｖｈｓに同期して、ＡＤ変換回路４２０から供給される複数のデジタル信号に含まれるデータを演算処理し、複数の出力信号Ｖｏｕｔ及び複数の初期出力信号Ｖｏｕｔｂをシリアルに演算回路５００に供給する。信号処理回路４３０は、デジタルシグナルプロセッサに含まれる乗算器及び加算器を用いて、当該複数のデジタル信号に含まれるデータの演算処理を高速化することができる。例えば、信号処理回路４３０は、当該複数のデジタル信号に含まれるノイズを除去し、複数のデジタル信号の波形を成形することができる。本発明の一実施形態では、出力信号Ｖｏｕｔは、ローデータ（ＲａｗＤａｔａ）と呼ばれる。

なお、検出回路４００は、制御回路２００と同じ集積回路（ＩＣ）に設けられ、当該集積回路がフレキシブルプリント基板１５０上に電気的に接続されてもよい。この場合、制御回路２００は、基板２０上ではなくフレキシブルプリント基板１５０上に配置される。

＜１－２－４．演算回路５００の機能構成＞
図４に示すように、演算回路５００は、信号処理回路５１０、座標算出回路５２０、差分値算出回路５３０、及び比較判定回路５４０を有する。詳細は後述するが、演算回路５００は、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、信号処理回路４３０から供給される複数の出力信号Ｖｏｕｔ及び複数の初期出力信号Ｖｏｕｔｂを用いて、例えば、検出対象物の位置を算出すること、検出対象物の有無を判定すること、バンドルスキャンを打ち切るか否かを判定することを実行する。

信号処理回路５１０は、信号処理回路４３０と同様の構成及び機能を有する。信号処理回路５１０は、制御信号Ｈｉｎｔに同期して、複数の出力信号Ｖｏｕｔ及び複数の初期出力信号Ｖｏｕｔｂに含まれるデータを演算処理する。信号処理回路５１０は、信号処理回路４３０と同様に、乗算器及び加算器を用いて、当該複数の出力信号Ｖｏｕｔ及び複数の初期出力信号Ｖｏｕｔｂに含まれるデータの演算処理を高速化することができる。例えば、信号処理回路５１０は、当該複数の出力信号Ｖｏｕｔ及び複数の初期出力信号Ｖｏｕｔｂに含まれるノイズを除去し、当該複数の出力信号Ｖｏｕｔ及び複数の初期出力信号Ｖｏｕｔｂの波形を成形することができる。

座標算出回路５２０は、制御信号Ｈｉｎｔに同期して、複数の出力信号Ｖｏｕｔ及び複数の初期出力信号Ｖｏｕｔｂを用いて、検出対象物４９０の座標を算出する回路である。算出された座標は、例えば、差分値算出回路５３０、比較判定回路５４０に供給される。

差分値算出回路５３０は、制御信号Ｈｉｎｔに同期して、複数の出力信号Ｖｏｕｔ及び複数の初期出力信号Ｖｏｕｔｂを用いて、それぞれ対応する出力信号Ｖｏｕｔと初期出力信号Ｖｏｕｔｂの差分信号（絶対値｜ΔＶ｜）を生成する。差分値算出回路５３０は、生成された複数の絶対値｜ΔＶ｜を比較判定回路５４０に供給する。

比較判定回路５４０は、制御信号Ｈｉｎｔに同期して、複数の絶対値｜ΔＶ｜を用いて、検出対象物４９０の有無（存在状態または非存在状態）を判定する。例えば、比較判定回路５４０は、絶対値｜ΔＶ｜を所定の閾値電圧（Ｖｔｈ）と比較し、当該絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧（Ｖｔｈ）未満であれば、検出対象物が無し（非存在状態）であると判定する。比較判定回路５４０は、絶対値｜ΔＶ｜を所定の閾値電圧（Ｖｔｈ）と比較し、当該絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧（Ｖｔｈ）以上であれば、検出対象物が有り（存在状態）であると判定する。比較判定回路５４０は、検出対象物が有り（存在状態）であると判定すると、バンドルスキャンを打ち切るか否かを判定する。

なお、比較判定回路５４０は、制御信号Ｈｉｎｔに同期して、複数の絶対値｜ΔＶ｜の総和（Ｓｕｍ（複数の絶対値｜ΔＶ｜））を算出し、Ｓｕｍ（複数の絶対値｜ΔＶ｜）を所定の閾値電圧（Ｖｔｈ）と比較し、Ｓｕｍ（複数の絶対値｜ΔＶ｜）が閾値電圧（Ｖｔｈ）未満であれば、検出対象物が無し（非存在状態）であると判定してよく、Ｓｕｍ（複数の絶対値｜ΔＶ｜）を所定の閾値電圧（Ｖｔｈ）と比較し、当該Ｓｕｍ（複数の絶対値｜ΔＶ｜）が閾値電圧（Ｖｔｈ）以上であれば、検出対象物が有り（存在状態）であると判定してもよい。比較判定回路５４０は、検出対象物が有り（存在状態）であると判定すると、バンドルスキャンを打ち切るか否かを判定する。

以上説明したように、本発明の一実施形態に係る検出装置１０は、検出対象物４９０と検出面１０２の接触状態及び非接触状態を検出し、検出対象物４９０の座標を算出し、検出対象物４９０の位置を精度よく算出することができる。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞
図５は、本発明の一実施形態に係る自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例を説明するための図である。図５に示される検出装置１０の構成は一例であって、検出装置１０の構成は、図５に示される構成に限定されない。図１～図４と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。

図５に示すように、例えば、電極選択回路３００はスイッチ４１１及びスイッチ４１２を含む。表示パネル６００は検出面１０２を有する対向基板１００、及び静電容量Ｃ１を有する検出電極１８０を含む。検出信号増幅回路４１０に含まれる増幅回路４１５は、アナログアンプ４１４、静電容量Ｃ３、スイッチ４１３を含む。スイッチ４１１は、検出電極１８０に電気的に接続され、スイッチ４１２は、検出電極１８０とアナログアンプ４１４の間に電気的に接続される。スイッチ４１３及び静電容量Ｃ３は、アナログアンプ４１４の一方の入力端子と出力端子の間に電気的に接続される。アナログアンプ４１４の他方の入力端子は、基準電圧Ｖｒｅｆを供給されている。

例えば、検出対象物４９０の無い非存在状態において、スイッチ４１１、スイッチ４１２、及びスイッチ４１３がオンされ、交流矩形波Ｖｓｉｇ及び検出信号増幅回路４１０に含まれる増幅回路４１５に基準電圧Ｖｒｅｆが供給され、増幅回路４１５がリセットされる。

続いて、例えば、検出対象物４９０の無い非存在状態において、スイッチ４１１及びスイッチ４１２がオンされ、所定の周波数の交流矩形波Ｖｓｉｇが、静電容量Ｃ１を有する検出電極１８０に供給されると、静電容量Ｃ１に応じた電流が検出電極１８０に流れる。交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電圧の変動が検出信号Ｖｄｅｔであり、検出信号Ｖｄｅｔが増幅回路４１５に入力される。検出対象物４９０の無い非存在状態において出力される検出信号Ｖｄｅｔは、ベースラインスキャンにおいて検出される初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２に相当する。初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、初期出力信号Ｖｏｕｔｂとして出力される。所定の周波数は、例えば、数ｋＨｚ以上数百ｋＨｚ以下の周波数である。

次に、検出対象物４９０の有る存在状態では、検出対象物４９０と検出電極１８０の間の静電容量Ｃ２が、検出電極１８０の静電容量Ｃ１に加わる。静電容量Ｃ２は、検出対象物４９０と検出電極１８０の距離Ｄに応じて変化する。検出対象物４９０の有る存在状態において、スイッチ４１１及びスイッチ４１２がオンされ、交流矩形波Ｖｓｉｇが検出電極１８０に供給されると、静電容量Ｃ１及び静電容量Ｃ２に応じた電流が検出電極１８０に流れる。交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電圧の変動が検出信号Ｖｄｅｔであり、検出信号Ｖｄｅｔが増幅回路４１５に入力される。検出対象物４９０の有る存在状態において出力される検出信号Ｖｄｅｔは、バンドルスキャンにおいて検出される検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２に相当する。検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、出力信号Ｖｏｕｔとして出力される。

本発明の一実施形態に係る検出装置１０は、存在状態での出力信号Ｖｏｕｔと非存在状態での初期出力信号Ｖｏｕｔｂの差分の絶対値｜ΔＶ｜を用いて、検出対象物４９０の座標（位置）を算出することができる。

＜１－４．表示パネル６００の構成＞
図６は、本発明の一実施形態に係る表示パネル６００の模式的な端部断面図であり、図１に示されるＡ１とＡ２によって示される領域な端部断面図である。図７は、表示パネル６００に含まれる画素２２０の構成を示す等価回路図である。図８は、画素２２０のレイアウトの一例を示す図である。図９は、画素２２０の模式的な端部断面図であり、図８に示す画素２２０のレイアウトのＢ１とＢ２によって示される領域の端部断面図である。図６～図９に示される表示パネル６００の構成は一例であって、表示パネル６００の構成は、図６～図９に示される構成に限定されない。図１～図５と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。

表示パネル６００は、基板２０、ＴＦＴアレイ層３０、検出電極層４０、接続配線層５０、第１の配向膜６０、液晶層７０、第２の配向膜８０、カラーフィルタ層９０、及び対向基板１００を有する。

ＴＦＴアレイ層３０は、複数のトランジスタ１７０、容量素子、抵抗素子、及び配線を含む。ＴＦＴアレイ層３０は、基板２０の上に配置される。検出電極層４０は、有機膜４２、検出電極１８０、及び配線２１４を含む。検出電極層４０は、ＴＦＴアレイ層３０の上に配置される。検出電極１８０、及び配線２１４は同一層に配置され、検出電極１８０は配線２１４に接続される。有機膜４２は、第３開口部５６を有し、検出電極１８０、及び配線２１４を覆っている。

接続配線層５０は、有機膜５７、第１の接続配線５５を有する。第１の接続配線５５は、第３開口部５６を介して、検出電極１８０に電気的に接続される。有機膜５７は、第１の接続配線５５を覆っている。画素２２０の画素電極６２は、検出電極層４０と接続配線層５０の間に配置され、有機膜５７の上に配置される。第１の配向膜６０は、画素電極６２を覆い、有機膜５７の上に配置される。

カラーフィルタ層９０は、基板２０が対向する対向基板１００の上に配置される。第２の配向膜８０は、カラーフィルタ層９０に対して対向基板１００が設けられる側と反対側に配置される。液晶層７０は、第１の配向膜６０と第２の配向膜８０の間に挟持される。

図７に示すように、画素２２０は、例えば、トランジスタ２３０、保持容量２３８、及び液晶素子２４０などの素子を含む。トランジスタ２３０はゲート電極２３２、ソース電極２３４、及びドレイン電極２３６を含む。ゲート電極２３２はゲート配線２２４に接続されている。ソース電極２３４はソース配線２２２に接続されている。ドレイン電極２３６は保持容量２３８及び液晶素子２４０に接続されている。ドレイン電極２３６とソース電極２３４が互いに切り替わってもよく、それぞれの電極のソースとしての機能とドレインとしての機能とが入れ替わってもよい。

図８に示す画素２２０は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードまたはＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードに適用可能な構成である。画素２２０を有する表示パネル６００では、検出電極１８０と画素電極６２の間に横電界（例えば、フリンジ電界のうちの基板２０の主面（上面）に平行または略平行な電界）が形成される。表示パネル６００では、横電界を主に利用して液晶層７０に含まれる液晶分子の配向が制御される。

画素２２０は、トランジスタ１７０、ソース配線２２２（ソース電極２３４）、ゲート配線２２４（ゲート電極２３２）、ドレイン電極２３６、及び画素電極６２を含む。トランジスタ１７０は、半導体膜３２、ゲート電極２３２、ソース電極２３４及びドレイン電極２３６、第１開口部３９ａ及び第１開口部３９ｂを含む。ソース電極２３４は、第１開口部３９ａを介して、半導体膜３２と電気的に接続されている。ドレイン電極２３６は、第１開口部３９ｂを介して、半導体膜３２と電気的に接続されている。画素電極６２は、第２開口部１９４を介して、ドレイン電極２３６と電気的に接続されている。ドレイン電極２３６、検出電極１８０、及び、平坦化膜３１（図９）を用いて、容量素子が形成されている。検出電極１８０、第１の接続配線５５（図９）、画素電極６２、有機膜５７（図９）、及び、有機膜４２（図９）を用いて、容量素子が形成されている。ソース電極２３４は、ソース配線２２２ａ（ソース電極２３４ａ）に電気的に接続されている。ソース配線２２２ｂ（ソース電極２３４ｂ）は隣接する画素のソース配線である。ゲート電極２３２は、ゲート配線２２４に電気的に接続されている。

画素電極６２には、複数のスリット１３８ａが設けられている。画素電極６２と検出電極１８０のそれぞれに電圧が供給されると、複数のスリット１３８ａを介して、画素電極６２と検出電極１８０の間に横電界（例えば、フリンジ電界のうちの基板２０の主面（上面）に平行または略平行な電界）が形成される。液晶層７０に含まれる液晶素子の配向が、横電界によって制御される。その結果、表示パネル６００は画像を表示することができる。

図８に示す画素のレイアウトでは、一例として、Ｕ字型の形状を有する半導体膜３２がゲート電極２３２と交差する。なお、半導体膜３２の形状は図８に示す形状に限定されない。トランジスタ１７０を形成する半導体膜３２の形状はＬ字型であってよく、Ｉ字型であってもよい。また、トランジスタ１７０の構造は、ダブルゲート構造に限定されない。トランジスタ１７０の構造は、シングルゲート構造であってよく、ソース電極とドレイン電極との間に２つ以上のチャネルが直列または並列に配列するようにゲート電極が備えられたマルチゲート構造であってもよい。また、トランジスタ１７０において、半導体膜３２を形成する材料は、例えば、ポリシリコン、モルファスシリコン又は酸化物半導体が挙げられる。

本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、近接検出動作のとき、検出電極１８０は、近接センサＨＳ（図１０）を構成する電極の１つである。

図９を用いて、表示パネル６００の作製方法を説明する。表示パネル６００の作製方法では、表示パネルの作製において用いられるフォトリソグラフィー技術を適用することができる。なお、表示パネル６００の作製方法では、フォトリソグラフィー技術に限らず、本発明の技術分野で通常使用される作成方法を適用することができる。

ＴＦＴアレイ層３０が、基板２０の上に形成されている。ＴＦＴアレイ層３０は、下地膜１０６、半導体膜３２、ゲート絶縁膜３３、ゲート配線２２４（ゲート電極２３２）、層間膜３５、ソース配線２２２（ソース電極２３４）、ドレイン電極２３６、第１開口部３９ａ及び第１開口部３９ｂ、及び平坦化膜３１を含む。ＴＦＴアレイ層３０に、トランジスタ１７０、及び容量素子が形成されている。

ＴＦＴアレイ層３０の形成方法、トランジスタ１７０及び容量素子の構造、それぞれの膜、層、及び各部材は、本発明の技術分野で通常使用されている方法、部材を採用することができる。例えば、平坦化膜３１を形成する材料は、ポリイミド系またはアクリル系の樹脂を用いることができる。ポリイミド系またはアクリル系の樹脂を用いることで、光を十分に透過することができる。

平坦化膜３１の上に、検出電極層４０が形成される。検出電極層４０は、配線２１４（図１）、検出電極１８０、及び有機膜４２から構成される。配線２１４、及び検出電極１８０が形成されたのちに、有機膜４２が配線２１４、及び検出電極１８０を覆うように塗布される。配線２１４は検出電極１８０と同一層に形成される。有機膜４２が各電極を覆うように塗布されることで、それぞれの電極がお互いに接触し導通することを防止する。有機膜４２は、有機膜４２よりも下の層の膜、配線、またはトランジスタを形成した際の凹凸を緩和する。よって、有機膜４２の上に形成される膜またはパターンは平坦な面の上に形成される。

次に、有機膜４２を開口する第３開口部５６（図５）が形成される。第３開口部５６を介して、配線２１４、検出電極１８０及び第１の接続配線５５が電気的に接続される。有機膜４２の上に、接続配線層５０が形成される。接続配線層５０は、第１の接続配線５５、及び有機膜４２から構成される。有機膜４２の上に第１の接続配線５５を形成した後に、第１の接続配線５５、有機膜５７、配線２１４及び検出電極１８０を貫通する開口部を形成する。有機絶縁膜４７が第１の接続配線５５と当該開口部を覆うように塗布される。

配線２１４、検出電極１８０及び第１の接続配線５５を形成する材料は、透光性を有し、かつ、導電性を有することが好ましい。例えば、配線２１４、検出電極１８０及び第１の接続配線５５を形成する材料は、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）を用いることができる。Ａｌ、Ｔｉ、またはＷに代表される導電性金属材料の薄い膜を用いてもよい。また、有機膜４２、及び有機膜５７を形成する材料は、平坦化膜３１を形成する材料と同様の材料を用いることができる。

次に、第２開口部１９４が形成される。第２開口部１９４は、有機膜５７を開口する。続いて、画素電極６２が形成される。画素電極６２は、第２開口部１９４を介して、ドレイン電極２３６に電気的に接続される。画素電極６２を形成した後に、第１の配向膜６０が画素電極６２を覆うように塗布される。画素電極６２を形成する材料は、例えば、検出電極１８０を形成する材料と同様の材料を用いることができる。また、第１の配向膜６０を形成する材料は、例えば、ポリイミド系の樹脂を用いることができる。

以上説明した製造方法により、所謂、ＴＦＴアレイ側の基板を作製することができる。電極選択回路３００、配線２１３、及び配線２１６は、ＴＦＴアレイ側の基板のＴＦＴアレイ層３０、接続配線層５０、及び検出電極層４０に設けられたトランジスタ、容量、抵抗、配線などを用いて形成される。

引き続き、所謂、対向側の基板の作製方法を説明する。対向側の基板は、対向基板１００、カラーフィルタ層９０、第２の配向膜８０を有する。対向基板１００の上に、カラーフィルタ層９０形成したのちに、第２の配向膜８０を塗布する。例えば、カラーフィルタ層９０は塗布により全面に塗られた後に、フォトリソグラフィー技術により形成される。カラーフィルタ層９０は、例えば、赤色カラーフィルタ層、緑色カラーフィルタ層、青色カラーフィルタ層を有する。第２の配向膜８０を形成する材料は、例えば、第１の配向膜６０を形成する材料と同様の材料を用いることができる。

対向基板１００とカラーフィルタ層９０の間に、絶縁膜が形成されてもよい。前記絶縁膜を形成することで、対向基板１００の表面を平坦にすることができる。よって、前記絶縁膜の上に形成されるカラーフィルタ層９０を平坦にすることができるため、隣接する画素同士の混色を抑制することができる。また、対向基板１００の上、或いは、カラーフィルタ層９０と第２の配向膜８０との間に、遮光膜が形成されてもよい。遮光膜が形成された層は、可視光を遮断する役割を有し、また、隣接する画素同士の混色を抑制することもできる。

以上のような製造方法により、対向側の基板を作製することができる。

最後に、液晶層７０が、ＴＦＴアレイ側の基板と対向側の基板の間に挟持される。例えば、シール材を用いて、液晶層７０が、ＴＦＴアレイ側の基板と対向側の基板の間に挟まれ、ＴＦＴアレイ側の基板は対向側の基板に張り合わされる。さらに、偏光板を基板２０と対向基板１００の一方または両方に貼り合わせてもよい。このようにして、表示パネル６００を製造することができる。

＜１－５．検出装置１０の駆動方法＞
図１０は、本発明の一実施形態に係る検出装置１０の近接センサ部１２４、電極選択回路３００、及び検出回路４００の構成を示す模式的な平面図である。図１１は、本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法を説明するためのフローチャートである。図１２～図１５は、検出装置１０の駆動方法における、検出装置１０の構成ユニット０（ｕｎｉｔ０）～ユニット３（ｕｎｉｔ３）を説明するための図である。図１６は、本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法を説明するためのフローチャートである。図１７～図２０は、本発明の一実施形態に係るバンドルスキャン０（ＢａｎｄｌｅＳｃａｎ０）～バンドルスキャン３（ＢａｎｄｌｅＳｃａｎ３）のぞれぞれのスキャンにおける検出対象物と検出装置の位置関係の一例を説明するための図である。図１０～図２０に示される検出装置１０の駆動方法は一例であって、検出装置１０の駆動方法は、図１０～図２０に示される構成に限定されない。図１～図９と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。

本明細書及び図面において、検出電極１８０、または近接センサＨＳの座標が記載されている場合、説明の便宜上、図面の見やすさ等を考慮し、検出電極１８０、または近接センサＨＳの座標の記載を最小限にとどめている。

本発明の一実施形態に係る検出装置１０は、図１０～図２０に示される検出装置１０の駆動方法を用いて、近接検出動作を実行することができる。

図１０は、図１に示す検出装置１０において、主に、近接センサ部１２４、電極選択回路３００、及び検出回路４００を抜粋された平面図である。図１に示す検出装置１０に対して、主に、近接センサ部１２４、電極選択回路３００、及び検出回路４００が、詳細に示されている。

近接センサ部１２４には、複数の検出電極１８０が配置されている。電極選択回路３００は、マルチプレクサ３１０を有する。検出回路４００は、検出信号増幅回路４１０を有する。検出信号増幅回路４１０は、複数の増幅回路４１５を有する。複数の検出電極１８０は、配線２１４を用いて、マルチプレクサ３１０に電気的に接続されている。マルチプレクサ３１０は、配線２１６を用いて、複数の増幅回路４１５に電気的に接続されている。検出電極１８０は配線２１４と同一の層に配置されるが、説明の便宜のため、配線２１４は検出電極１８０上を通るように記載されている。

図１０に示す例では、複数の検出電極１８０は、ｍ列ｎ行のｍ×ｎ個配置されている。係数ｍ及び係数ｎは、正の整数である。また、図１０に示す例では、複数の検出電極１８０のそれぞれの座標は（ｍ，ｎ）で表されるが、説明の便宜のため、座標の記載は最小限の記載にとどめている。例えば、図１０の左上に位置する１列１行の検出電極１８０の座標は座標（１，１）で示され、１列２行の検出電極１８０の座標は座標（１，２）で示され、１列３行の検出電極１８０の座標は座標（１，３）で示され、１列ｎ－２行の検出電極１８０の座標は座標（１，ｎ－２）で示され、１列ｎ－１行の検出電極１８０の座標は座標（１，ｎ－１）で示され、１列ｎ行の検出電極１８０の座標は座標（１，ｎ）で示される。同様にして、図１０の右上に位置するｍ列１行の検出電極１８０の座標は座標（ｍ，１）で示され、図１０の右下に位置するｍ列ｎ行の検出電極１８０の座標は座標（ｍ，ｎ）で示されている。

図１０に示す例では、近接センサＨＳは、４個（係数ｋ＝４）の検出電極１８０から構成される。例えば、複数の近接センサＨＳは、Ｍ列Ｎ行のＭ×Ｎ個配置されている。係数Ｍ及び係数Ｎは、正の整数であり、例えば、係数Ｍと係数Ｎの積は、係数ｍと係数ｎの積の１／４である。また、図１０に示す例では、複数の近接センサＨＳのそれぞれの座標がＨＳ（Ｍ，Ｎ）で表されるが、説明の便宜のため、座標の記載は最小限の記載にとどめている。例えば、図１０の左上に位置する１列１行の近接センサＨＳの座標は座標ＨＳ（１，１）で示され、１列２行の近接センサＨＳの座標は座標ＨＳ（１，２）で示され、１列Ｎ行の近接センサＨＳの座標は座標ＨＳ（１，Ｎ）で示され、図１０の右上に位置するＭ列１行の近接センサＨＳの座標は座標ＨＳ（Ｍ，１）で示され、図１０の右下に位置するＭ列Ｎ行の近接センサＨＳの座標は座標ＨＳ（Ｍ，Ｎ）で示されている。

マルチプレクサ３１０は、複数の近接センサＨＳのそれぞれに対して、対応する４個の検出電極１８０の接続と遮断とを切り換える。マルチプレクサ３１０は、複数の近接センサＨＳのそれぞれに対して、対応する検出電極１８０のそれぞれの検出信号Ｖｄｅｔ１（図３）を用いて検出信号Ｖｄｅｔ２（図３）を生成する。マルチプレクサ３１０は、複数の近接センサＨＳのそれぞれに対して生成された複数の検出信号Ｖｄｅｔ２を、複数の近接センサＨＳのそれぞれに対応する増幅回路４１５に供給する。

＜１－５－１．近接検出動作＞
図１１に示すように、検出装置１０の駆動方法では、制御回路２００（図２）から検出回路４００（検出タイミング制御回路４４０）（図２）に、制御信号Ｖｈｓが供給されると、近接検出動作が開始される。検出装置１０が各スキャンを実行するにあたり、スキャンとスキャンの間に、制御回路２００（図２）から検出回路４００（検出タイミング制御回路４４０）（図２）に、制御信号Ｖｈｓが供給されてよい。例えば、検出装置１０がベースラインスキャン３を実行した後、制御回路２００から検出回路４００に、制御信号Ｖｈｓが供給されると、検出装置１０がバンドルスキャン０を実行してよく、検出装置１０がバンドルスキャン０を実行した後、制御回路２００から検出回路４００に、制御信号Ｖｈｓが供給されると、検出装置１０がバンドルスキャン１を実行してもよい。なお、検出装置１０の駆動方法において、図１１に示される各スキャンの実行される順番は一例であって、例えば、ベースラインスキャン０～３の実行される順番が入れ替わってもよく、バンドルスキャン０～３の実行される順番が入れ変わってもよい。

本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、係数ｍは２０、係数ｎは８、係数Ｍは１０、係数Ｎは４である例を示す。すなわち、検出装置１０は、１６０個の検出電極１８０から構成される４０個の近接センサＨＳを有する。

＜１－５－１－１．第１の初期電圧検出期間＞
近接検出動作が開始されると、ステップ４０１（Ｓ４０１）では、検出装置１０はベースラインスキャン０を実行する。ベースラインスキャン０では、検出対象物４９０の無い非存在状態において、図１２に示すユニット０（ｕｎｉｔ０）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して初期信号Ｖｉｎｉ１及び初期信号Ｖｉｎｉ２が生成される。＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された初期出力信号Ｖｏｕｔｂとして、演算回路５００に送信される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、ベースラインスキャン０を実行する期間は、第１の初期電圧検出期間と呼ばれ、第１の初期電圧検出期間で生成される初期出力信号Ｖｏｕｔｂは第１の初期電圧と呼ばれる。

図１２に示すように、ユニット０（ｕｎｉｔ０）では、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，１）、（１，２）、（２，１）、及び（２，２）から構成され、近接センサＨＳ（１，２）は検出電極１８０の座標（１，３）、（１，４）、（２，３）、及び（２，４）から構成され、近接センサＨＳ（１，３）は検出電極１８０の座標（１，５）、（１，６）、（２，５）、及び（２，６）から構成され、近接センサＨＳ（１，４）は検出電極１８０の座標（１，７）、（１，８）、（２，７）、及び（２，８）から構成され、近接センサＨＳ（２，１）は検出電極１８０の座標（３，１）、（３，２）、（４，１）、及び（４，２）から構成され、近接センサＨＳ（２，２）は検出電極１８０の座標（３，３）、（３，４）、（４，３）、及び（４，４）から構成され、近接センサＨＳ（２，３）は検出電極１８０の座標（３，５）、（３，６）、（４，５）、及び（４，６）から構成され、近接センサＨＳ（２，４）は検出電極１８０の座標（３，７）、（３，８）、（４，７）、及び（４，８）から構成され、近接センサＨＳ（３，１）は検出電極１８０の座標（５，１）、（５，２）、（６，１）、及び（６，２）から構成され、近接センサＨＳ（３，２）は検出電極１８０の座標（５，３）、（５，４）、（６，３）、及び（６，４）から構成され、近接センサＨＳ（３，３）は検出電極１８０の座標（５，５）、（５，６）、（６，５）、及び（６，６）から構成され、近接センサＨＳ（３，４）は検出電極１８０の座標（５，７）、（５，８）、（６，７）、及び（６，８）から構成され、近接センサＨＳ（４，１）は検出電極１８０の座標（７，１）、（７，２）、（８，１）、及び（８，２）から構成され、近接センサＨＳ（４，２）は検出電極１８０の座標（７，３）、（７，４）、（８，３）、及び（８，４）から構成され、近接センサＨＳ（４，３）は検出電極１８０の座標（７，５）、（７，６）、（８，５）、及び（８，６）から構成され、近接センサＨＳ（４，４）は検出電極１８０の座標（７，７）、（７，８）、（８，７）、及び（８，８）から構成され、近接センサＨＳ（５，１）は検出電極１８０の座標（９，１）、（９，２）、（１０，１）、及び（１０，２）から構成され、近接センサＨＳ（５，２）は検出電極１８０の座標（９，３）、（９，４）、（１０，３）、及び（１０，４）から構成され、近接センサＨＳ（５，３）は検出電極１８０の座標（９，５）、（９，６）、（１０，５）、及び（１０，６）から構成され、近接センサＨＳ（５，４）は検出電極１８０の座標（９，７）、（９，８）、（１０，７）、及び（１０，８）から構成され、近接センサＨＳ（６，１）は検出電極１８０の座標（１１，１）、（１１，２）、（１２，１）、及び（１２，２）から構成され、近接センサＨＳ（６，２）は検出電極１８０の座標（１１，３）、（１１，４）、（１２，３）、及び（１２，４）から構成され、近接センサＨＳ（６，３）は検出電極１８０の座標（１１，５）、（１１，６）、（１２，５）、及び（１２，６）から構成され、近接センサＨＳ（６，４）は検出電極１８０の座標（１１，７）、（１１，８）、（１２，７）、及び（１２，８）から構成され、近接センサＨＳ（７，１）は検出電極１８０の座標（１３，１）、（１３，２）、（１４，１）、及び（１４，２）から構成され、近接センサＨＳ（７，２）は検出電極１８０の座標（１３，３）、（１３，４）、（１４，３）、及び（１４，４）から構成され、近接センサＨＳ（７，３）は検出電極１８０の座標（１３，５）、（１３，６）、（１４，５）、及び（１４，６）から構成され、近接センサＨＳ（７，４）は検出電極１８０の座標（１３，７）、（１３，８）、（１４，７）、及び（１４，８）から構成され、近接センサＨＳ（８，１）は検出電極１８０の座標（１５，１）、（１５，２）、（１６，１）、及び（１６，２）から構成され、近接センサＨＳ（８，２）は検出電極１８０の座標（１５，３）、（１５，４）、（１６，３）、及び（１６，４）から構成され、近接センサＨＳ（８，３）は検出電極１８０の座標（１５，５）、（１５，６）、（１６，５）、及び（１６，６）から構成され、近接センサＨＳ（８，４）は検出電極１８０の座標（１５，７）、（１５，８）、（１６，７）、及び（１６，８）から構成され、近接センサＨＳ（９，１）は検出電極１８０の座標（１７，１）、（１７，２）、（１８，１）、及び（１８，２）から構成され、近接センサＨＳ（９，２）は検出電極１８０の座標（１７，３）、（１７，４）、（１８，３）、及び（１８，４）から構成され、近接センサＨＳ（９，３）は検出電極１８０の座標（１７，５）、（１７，６）、（１８，５）、及び（１８，６）から構成され、近接センサＨＳ（９，４）は検出電極１８０の座標（１７，７）、（１７，８）、（１８，７）、及び（１８，８）から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（１９，１）、（１９，２）、（２０，１）、及び（２０，２）から構成され、近接センサＨＳ（１０，２）は検出電極１８０の座標（１９，３）、（１９，４）、（２０，３）、及び（２０，４）から構成され、近接センサＨＳ（１０，３）は検出電極１８０の座標（１９，５）、（１９，６）、（２０，５）、及び（２０，６）から構成され、近接センサＨＳ（１０，４）は検出電極１８０の座標（１９，７）、（１９，８）、（２０，７）、及び（２０，８）から構成される。

近接センサＨＳ（１，１）はマルチプレクサ３１０内の００チャンネル（００ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（１，２）はマルチプレクサ３１０内の０１チャンネル（０１ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（１，３）はマルチプレクサ３１０内の０２チャンネル（０２ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（１，４）はマルチプレクサ３１０内の０３チャンネル（０３ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（２，１）はマルチプレクサ３１０内の０４チャンネル（０４ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（２，２）はマルチプレクサ３１０内の０５チャンネル（０５ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（２，３）はマルチプレクサ３１０内の０６チャンネル（０６ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（２，４）はマルチプレクサ３１０内の０７チャンネル（０７ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（３，１）はマルチプレクサ３１０内の０８チャンネル（０８ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（３，２）はマルチプレクサ３１０内の０９チャンネル（０９ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（３，３）はマルチプレクサ３１０内の１０チャンネル（１０ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（３，４）はマルチプレクサ３１０内の１１チャンネル（１１ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（４，１）はマルチプレクサ３１０内の１２チャンネル（１２ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（４，２）はマルチプレクサ３１０内の１３チャンネル（１３ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（４，３）はマルチプレクサ３１０内の１４チャンネル（１４ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（４，４）はマルチプレクサ３１０内の１５チャンネル（１５ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（５，１）はマルチプレクサ３１０内の１６チャンネル（１６ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（５，２）はマルチプレクサ３１０内の１７チャンネル（１７ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（５，３）はマルチプレクサ３１０内の１８チャンネル（１８ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（５，４）はマルチプレクサ３１０内の１９チャンネル（１９ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（６，１）はマルチプレクサ３１０内の２０チャンネル（２０ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（６，２）はマルチプレクサ３１０内の２１チャンネル（２１ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（６，３）はマルチプレクサ３１０内の２２チャンネル（２２ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（６，４）はマルチプレクサ３１０内の２３チャンネル（２３ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（７，１）はマルチプレクサ３１０内の２４チャンネル（２４ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（７，２）はマルチプレクサ３１０内の２５チャンネル（２５ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（７，３）はマルチプレクサ３１０内の２６チャンネル（２６ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（７，４）はマルチプレクサ３１０内の２７チャンネル（２７ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（８，１）はマルチプレクサ３１０内の２８チャンネル（２８ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（８，２）はマルチプレクサ３１０内の２９チャンネル（２９ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（８，３）はマルチプレクサ３１０内の３０チャンネル（３０ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（８，４）はマルチプレクサ３１０内の３１チャンネル（３１ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（９，１）はマルチプレクサ３１０内の３２チャンネル（３２ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（９，２）はマルチプレクサ３１０内の３３チャンネル（３３ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（９，３）はマルチプレクサ３１０内の３４チャンネル（３４ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（９，４）はマルチプレクサ３１０内の３５チャンネル（３５ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（１０，１）はマルチプレクサ３１０内の３６チャンネル（３６ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（１０，２）はマルチプレクサ３１０内の３７チャンネル（３７ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（１０，３）はマルチプレクサ３１０内の３８チャンネル（３８ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（１０，４）はマルチプレクサ３１０内の３９チャンネル（３９ｃｈ）に電気的に接続される。

＜１－５－１－２．第２の初期電圧検出期間＞
ステップ４０１（Ｓ４０１）に続くステップ４０３（Ｓ４０３）では、検出装置１０はベースラインスキャン１を実行する。ベースラインスキャン１では、検出対象物４９０の無い非存在状態において、図１３に示すユニット１（ｕｎｉｔ１）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して初期信号Ｖｉｎｉ１及び初期信号Ｖｉｎｉ２が生成される。ユニット１は、ユニット０に対して、それぞれの近接センサＨＳの座標が、検出電極１８０の１行分シフトしている。例えば、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，２）、（１，３）、（２，２）、及び（２，３）の４個の検出電極１８０から構成され、近接センサＨＳ（１，４）は検出電極１８０の座標（１，８）、及び（２，８）の２個の検出電極１８０から構成される。＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された初期出力信号Ｖｏｕｔｂとして、演算回路５００に送信される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、ベースラインスキャン１を実行する期間は、第２の初期電圧検出期間と呼ばれ、第２の初期電圧検出期間で生成される初期出力信号Ｖｏｕｔｂは第２の初期電圧と呼ばれる。

図１３に示すように、ユニット１（ｕｎｉｔ１）では、近接センサＨＳＡは、検出電極１８０の座標（１，１）～（２０，１）から構成される。第２の初期電圧検出期間において、近接センサＨＳＡは、交流矩形波Ｖｓｉｇを供給されるが、マルチプレクサ３１０内のチャンネルには接続されない。近接センサＨＳＡに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＡに対応する初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は第２の初期電圧は生成されない。

図１３に示すように、ユニット１（ｕｎｉｔ１）では、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，２）、（１，３）、（２，２）、及び（２，３）から構成され、近接センサＨＳ（１，２）は検出電極１８０の座標（１，４）、（１，５）、（２，４）、及び（２，５）から構成され、近接センサＨＳ（１，３）は検出電極１８０の座標（１，６）、（１，７）、（２，６）、及び（２，７）から構成され、近接センサＨＳ（１，４）は検出電極１８０の座標（１，８）、及び（２，８）から構成され、近接センサＨＳ（２，１）は検出電極１８０の座標（３，２）、（３，３）、（４，２）、及び（４，３）から構成され、近接センサＨＳ（２，２）は検出電極１８０の座標（３，４）、（３，５）、（４，４）、及び（４，５）から構成され、近接センサＨＳ（２，３）は検出電極１８０の座標（３，６）、（３，７）、（４，６）、及び（４，７）から構成され、近接センサＨＳ（２，４）は検出電極１８０の座標（３，８）、及び（４，８）から構成され、近接センサＨＳ（３，１）は検出電極１８０の座標（５，２）、（５，３）、（６，２）、及び（６，３）から構成され、近接センサＨＳ（３，２）は検出電極１８０の座標（５，４）、（５，５）、（６，４）、及び（６，５）から構成され、近接センサＨＳ（３，３）は検出電極１８０の座標（５，６）、（５，７）、（６，６）、及び（６，７）から構成され、近接センサＨＳ（３，４）は検出電極１８０の座標（５，８）、及び（６，８）から構成され、近接センサＨＳ（４，１）は検出電極１８０の座標（７，２）、（７，３）、（８，２）、及び（８，３）から構成され、近接センサＨＳ（４，２）は検出電極１８０の座標（７，４）、（７，５）、（８，４）、及び（８，５）から構成され、近接センサＨＳ（４，３）は検出電極１８０の座標（７，６）、（７，７）、（８，６）、及び（８，７）から構成され、近接センサＨＳ（４，４）は検出電極１８０の座標（７，８）、及び（８，８）から構成され、近接センサＨＳ（５，１）は検出電極１８０の座標（９，２）、（９，３）、（１０，２）、及び（１０，３）から構成され、近接センサＨＳ（５，２）は検出電極１８０の座標（９，４）、（９，５）、（１０，４）、及び（１０，５）から構成され、近接センサＨＳ（５，３）は検出電極１８０の座標（９，６）、（９，７）、（１０，６）、及び（１０，７）から構成され、近接センサＨＳ（５，４）は検出電極１８０の座標（９，８）、及び（１０，８）から構成され、近接センサＨＳ（６，１）は検出電極１８０の座標（１１，２）、（１１，３）、（１２，２）、及び（１２，３）から構成され、近接センサＨＳ（６，２）は検出電極１８０の座標（１１，４）、（１１，５）、（１２，４）、及び（１２，５）から構成され、近接センサＨＳ（６，３）は検出電極１８０の座標（１１，６）、（１１，７）、（１２，６）、及び（１２，７）から構成され、近接センサＨＳ（６，４）は検出電極１８０の座標（１１，８）、及び（１２，８）から構成され、近接センサＨＳ（７，１）は検出電極１８０の座標（１３，２）、（１３，３）、（１４，２）、及び（１４，３）から構成され、近接センサＨＳ（７，２）は検出電極１８０の座標（１３，４）、（１３，５）、（１４，４）、及び（１４，５）から構成され、近接センサＨＳ（７，３）は検出電極１８０の座標（１３，６）、（１３，７）、（１４，６）、及び（１４，７）から構成され、近接センサＨＳ（７，４）は検出電極１８０の座標（１３，８）、及び（１４，８）から構成され、近接センサＨＳ（８，１）は検出電極１８０の座標（１５，２）、（１５，３）、（１６，２）、及び（１６，３）から構成され、近接センサＨＳ（８，２）は検出電極１８０の座標（１５，４）、（１５，５）、（１６，４）、及び（１６，５）から構成され、近接センサＨＳ（８，３）は検出電極１８０の座標（１５，６）、（１５，７）、（１６，６）、及び（１６，７）から構成され、近接センサＨＳ（８，４）は検出電極１８０の座標（１５，８）、及び（１６，８）から構成され、近接センサＨＳ（９，１）は検出電極１８０の座標（１７，２）、（１７，３）、（１８，２）、及び（１８，３）から構成され、近接センサＨＳ（９，２）は検出電極１８０の座標（１７，４）、（１７，５）、（１８，４）、及び（１８，５）から構成され、近接センサＨＳ（９，３）は検出電極１８０の座標（１７，６）、（１７，７）、（１８，６）、及び（１８，７）から構成され、近接センサＨＳ（９，４）は検出電極１８０の座標（１７，８）、及び（１８，８）から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（１９，２）、（１９，３）、（２０，２）、及び（２０，３）から構成され、近接センサＨＳ（１０，２）は検出電極１８０の座標（１９，４）、（１９，５）、（２０，４）、及び（２０，５）から構成され、近接センサＨＳ（１０，３）は検出電極１８０の座標（１９，６）、（１９，７）、（２０，６）、及び（２０，７）から構成され、近接センサＨＳ（１０，４）は検出電極１８０の座標（１９，８）、及び（２０，８）から構成される。

ユニット０と同様に、近接センサＨＳ（１，１）～ＨＳ（１０，４）はそれぞれ、マルチプレクサ３１０内の００チャンネル（００ｃｈ）～３９チャンネル（３９ｃｈ）に電気的に接続される。

＜１－５－１－３．第３の初期電圧検出期間＞
ステップ４０３（Ｓ４０３）に続くステップ４０５（Ｓ４０５）では、検出装置１０はベースラインスキャン２を実行する。ベースラインスキャン２では、検出対象物４９０の無い非存在状態において、図１４に示すユニット２（ｕｎｉｔ２）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して初期信号Ｖｉｎｉ１及び初期信号Ｖｉｎｉ２が生成される。ユニット２は、ユニット０に対して、それぞれの近接センサＨＳの座標が、検出電極１８０の１列分シフトしている。例えば、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（２，１）、（２，２）、（３，１）、及び（３，２）の４個の検出電極１８０から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（２０，１）、及び（２０，２）の２個の検出電極１８０から構成される。＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された初期出力信号Ｖｏｕｔｂとして、演算回路５００に送信される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、ベースラインスキャン２を実行する期間は、第３の初期電圧検出期間と呼ばれ、第３の初期電圧検出期間で生成される初期出力信号Ｖｏｕｔｂは第３の初期電圧と呼ばれる。

図１４に示すように、ユニット２（ｕｎｉｔ２）では、近接センサＨＳＢは、検出電極１８０の座標（１，１）～（１，８）から構成される。第３の初期電圧検出期間において、近接センサＨＳＢは、交流矩形波Ｖｓｉｇを供給されるが、マルチプレクサ３１０内のチャンネルには接続されない。近接センサＨＳＢに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＢに対応する初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は生成されない。

図１４に示すように、ユニット２（ｕｎｉｔ２）では、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（２，１）、（２，２）、（３，１）、及び（３，２）から構成され、近接センサＨＳ（１，２）は検出電極１８０の座標（２，３）、（２，４）、（３，３）、及び（３，４）から構成され、近接センサＨＳ（１，３）は検出電極１８０の座標（２，５）、（２，６）、（３，５）、及び（３，６）から構成され、近接センサＨＳ（１，４）は検出電極１８０の座標（２，７）、（２，８）、（３，７）、及び（３，８）から構成され、近接センサＨＳ（２，１）は検出電極１８０の座標（４，１）、（４，２）、（５，１）、及び（５，２）から構成され、近接センサＨＳ（２，２）は検出電極１８０の座標（４，３）、（４，４）、（５，３）、及び（５，４）から構成され、近接センサＨＳ（２，３）は検出電極１８０の座標（４，５）、（４，６）、（５，５）、及び（５，６）から構成され、近接センサＨＳ（２，４）は検出電極１８０の座標（４，７）、（４，８）、（５，７）、及び（５，８）から構成され、近接センサＨＳ（３，１）は検出電極１８０の座標（６，１）、（６，２）、（７，１）、及び（７，２）から構成され、近接センサＨＳ（３，２）は検出電極１８０の座標（６，３）、（６，４）、（７，３）、及び（７，４）から構成され、近接センサＨＳ（３，３）は検出電極１８０の座標（６，５）、（６，６）、（７，５）、及び（７，６）から構成され、近接センサＨＳ（３，４）は検出電極１８０の座標（６，７）、（６，８）、（７，７）、及び（７，８）から構成され、近接センサＨＳ（４，１）は検出電極１８０の座標（８，１）、（８，２）、（９，１）、及び（９，２）から構成され、近接センサＨＳ（４，２）は検出電極１８０の座標（８，３）、（８，４）、（９，３）、及び（９，４）から構成され、近接センサＨＳ（４，３）は検出電極１８０の座標（８，５）、（８，６）、（９，５）、及び（９，６）から構成され、近接センサＨＳ（４，４）は検出電極１８０の座標（８，７）、（８，８）、（９，７）、及び（９，８）から構成され、近接センサＨＳ（５，１）は検出電極１８０の座標（１０，１）、（１０，２）、（１１，１）、及び（１１，２）から構成され、近接センサＨＳ（５，２）は検出電極１８０の座標（１０，３）、（１０，４）、（１１，３）、及び（１１，４）から構成され、近接センサＨＳ（５，３）は検出電極１８０の座標（１０，５）、（１０，６）、（１１，５）、及び（１１，６）から構成され、近接センサＨＳ（５，４）は検出電極１８０の座標（１０，７）、（１０，８）、（１１，７）、及び（１１，８）から構成され、近接センサＨＳ（６，１）は検出電極１８０の座標（１２，１）、（１２，２）、（１３，１）、及び（１３，２）から構成され、近接センサＨＳ（６，２）は検出電極１８０の座標（１２，３）、（１２，４）、（１３，３）、及び（１３，４）から構成され、近接センサＨＳ（６，３）は検出電極１８０の座標（１２，５）、（１２，６）、（１３，５）、及び（１３，６）から構成され、近接センサＨＳ（６，４）は検出電極１８０の座標（１２，７）、（１２，８）、（１３，７）、及び（１３，８）から構成され、近接センサＨＳ（７，１）は検出電極１８０の座標（１４，１）、（１４，２）、（１５，１）、及び（１５，２）から構成され、近接センサＨＳ（７，２）は検出電極１８０の座標（１４，３）、（１４，４）、（１５，３）、及び（１５，４）から構成され、近接センサＨＳ（７，３）は検出電極１８０の座標（１４，５）、（１４，６）、（１５，５）、及び（１５，６）から構成され、近接センサＨＳ（７，４）は検出電極１８０の座標（１４，７）、（１４，８）、（１５，７）、及び（１５，８）から構成され、近接センサＨＳ（８，１）は検出電極１８０の座標（１６，１）、（１６，２）、（１７，１）、及び（１７，２）から構成され、近接センサＨＳ（８，２）は検出電極１８０の座標（１６，３）、（１６，４）、（１７，３）、及び（１７，４）から構成され、近接センサＨＳ（８，３）は検出電極１８０の座標（１６，５）、（１６，６）、（１７，５）、及び（１７，６）から構成され、近接センサＨＳ（８，４）は検出電極１８０の座標（１６，７）、（１６，８）、（１７，７）、及び（１７，８）から構成され、近接センサＨＳ（９，１）は検出電極１８０の座標（１８，１）、（１８，２）、（１９，１）、及び（１９，２）から構成され、近接センサＨＳ（９，２）は検出電極１８０の座標（１８，３）、（１８，４）、（１９，３）、及び（１９，４）から構成され、近接センサＨＳ（９，３）は検出電極１８０の座標（１８，５）、（１８，６）、（１９，５）、及び（１９,６）から構成され、近接センサＨＳ（９，４）は検出電極１８０の座標（１８，７）、（１８，８）、（１９，７）、及び（１９，８）から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（２０，１）、及び（２０，２）から構成され、近接センサＨＳ（１０，２）は検出電極１８０の座標（２０，３）、及び（２０，４）から構成され、近接センサＨＳ（１０，３）は検出電極１８０の座標（（２０，５）、及び（２０，６）から構成され、近接センサＨＳ（１０，４）は検出電極１８０の座標（２０，７）、及び（２０，８）から構成される。

ユニット０と同様に、近接センサＨＳ（１，１）～ＨＳ（１０，４）はそれぞれ、マルチプレクサ３１０内の００チャンネル（００ｃｈ）～３９チャンネル（３９ｃｈ）に電気的に接続される。

＜１－５－１－４．第４の初期電圧検出期間＞
ステップ４０５（Ｓ４０５）に続くステップ４０７（Ｓ４０７）では、検出装置１０はベースラインスキャン３を実行する。ベースラインスキャン３では、検出対象物４９０の無い非存在状態において、図１５に示すユニット３（ｕｎｉｔ３）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して初期信号Ｖｉｎｉ１及び初期信号Ｖｉｎｉ２が生成される。ユニット３は、ユニット０に対して、それぞれの近接センサＨＳの座標が、検出電極１８０の１列１行分シフトしている。例えば、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（２，２）、（２，３）、（３，２）、及び（３，３）の４個の検出電極１８０から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（２０，８）の１個の検出電極１８０から構成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された初期出力信号Ｖｏｕｔｂとして、演算回路５００に送信される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、ベースラインスキャン３を実行する期間は、第４の初期電圧検出期間と呼ばれ、第３の初期電圧検出期間で生成される初期出力信号Ｖｏｕｔｂは第３の初期電圧と呼ばれる。

図１５に示すように、ユニット３（ｕｎｉｔ３）では、近接センサＨＳＣは、検出電極１８０の座標（１，１）～（１，８）、及び（２，１）～（２０，１）から構成される。第４の初期電圧検出期間において、近接センサＨＳＣは、交流矩形波Ｖｓｉｇを供給されるが、マルチプレクサ３１０内のチャンネルには接続されない。近接センサＨＳＣに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳｃに対応する初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は生成されない。

図１５に示すように、ユニット３（ｕｎｉｔ３）では、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（２，２）、（２，３）、（３，２）、及び（３，３）から構成され、近接センサＨＳ（１，２）は検出電極１８０の座標（２，４）、（２，５）、（３，４）、及び（３，５）から構成され、近接センサＨＳ（１，３）は検出電極１８０の座標（２，６）、（２，７）、（３，６）、及び（３，７）から構成され、近接センサＨＳ（１，４）は検出電極１８０の座標（２，８）、及び（３，８）から構成され、近接センサＨＳ（２，１）は検出電極１８０の座標（４，２）、（４，３）、（５，２）、及び（５，３）から構成され、近接センサＨＳ（２，２）は検出電極１８０の座標（４，４）、（４，５）、（５，４）、及び（５，５）から構成され、近接センサＨＳ（２，３）は検出電極１８０の座標（４，６）、（４，７）、（５，６）、及び（５，７）から構成され、近接センサＨＳ（２，４）は検出電極１８０の座標（４，８）、及び（５，８）から構成され、近接センサＨＳ（３，１）は検出電極１８０の座標（６，２）、（６，３）、（７，２）、及び（７，３）から構成され、近接センサＨＳ（３，２）は検出電極１８０の座標（６，４）、（６，５）、（７，４）、及び（７，５）から構成され、近接センサＨＳ（３，３）は検出電極１８０の座標（６，６）、（６，７）、（７，６）、及び（７，７）から構成され、近接センサＨＳ（３，４）は検出電極１８０の座標（６，８）、及び（７，８）から構成され、近接センサＨＳ（４，１）は検出電極１８０の座標（８，２）、（８，３）、（９，２）、及び（９，３）から構成され、近接センサＨＳ（４，２）は検出電極１８０の座標（８，４）、（８，５）、（９，４）、及び（９，５）から構成され、近接センサＨＳ（４，３）は検出電極１８０の座標（８，６）、（８，７）、（９，６）、及び（９，７）から構成され、近接センサＨＳ（４，４）は検出電極１８０の座標（８，８）、及び（９，８）から構成され、近接センサＨＳ（５，１）は検出電極１８０の座標（１０，２）、（１０，３）、（１１，２）、及び（１１，３）から構成され、近接センサＨＳ（５，２）は検出電極１８０の座標（１０，４）、（１０，５）、（１１，４）、及び（１１，５）から構成され、近接センサＨＳ（５，３）は検出電極１８０の座標（１０，６）、（１０，７）、（１１，６）、及び（１１，７）から構成され、近接センサＨＳ（５，４）は検出電極１８０の座標（１０，８）、及び（１１，８）から構成され、近接センサＨＳ（６，１）は検出電極１８０の座標（１２，２）、（１２，３）、（１３，２）、及び（１３，３）から構成され、近接センサＨＳ（６，２）は検出電極１８０の座標（１２，４）、（１２，５）、（１３，４）、及び（１３，５）から構成され、近接センサＨＳ（６，３）は検出電極１８０の座標（１２，６）、（１２，７）、（１３，６）、及び（１３，７）から構成され、近接センサＨＳ（６，４）は検出電極１８０の座標（１２，８）、及び（１３，８）から構成され、近接センサＨＳ（７，１）は検出電極１８０の座標（１４，２）、（１４，３）、（１５，２）、及び（１５，３）から構成され、近接センサＨＳ（７，２）は検出電極１８０の座標（１４，４）、（１４，５）、（１５，４）、及び（１５，５）から構成され、近接センサＨＳ（７，３）は検出電極１８０の座標（１４，６）、（１４，７）、（１５，６）、及び（１５，７）から構成され、近接センサＨＳ（７，４）は検出電極１８０の座標（１４，８）、及び（１５，８）から構成され、近接センサＨＳ（８，１）は検出電極１８０の座標（１６，２）、（１６，３）、（１７，２）、及び（１７，３）から構成され、近接センサＨＳ（８，２）は検出電極１８０の座標（１６，４）、（１６，５）、（１７，４）、及び（１７，５）から構成され、近接センサＨＳ（８，３）は検出電極１８０の座標（１６，６）、（１６，７）、（１７，６）、及び（１７，７）から構成され、近接センサＨＳ（８，４）は検出電極１８０の座標（１６，８）、及び（１７，８）から構成され、近接センサＨＳ（９，１）は検出電極１８０の座標（１８，２）、（１８，３）、（１９，２）、及び（１９，３）から構成され、近接センサＨＳ（９，２）は検出電極１８０の座標（１８，４）、（１８，５）、（１９，４）、及び（１９，５）から構成され、近接センサＨＳ（９，３）は検出電極１８０の座標（１８，６）、（１８，７）、（１９，６）、及び（１９,７）から構成され、近接センサＨＳ（９，４）は検出電極１８０の座標（１８，８）、及び（１９，８）から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（２０，２）、及び（２０，３）から構成され、近接センサＨＳ（１０，２）は検出電極１８０の座標（２０，４）、及び（２０，５）から構成され、近接センサＨＳ（１０，３）は検出電極１８０の座標（（２０，６）、及び（２０，７）から構成され、近接センサＨＳ（１０，４）は検出電極１８０の座標（２０，８）から構成される。

ユニット０と同様に、近接センサＨＳ（１，１）～ＨＳ（１０，４）はそれぞれ、マルチプレクサ３１０内の００チャンネル（００ｃｈ）～３９チャンネル（３９ｃｈ）に電気的に接続される。

＜１－５－１－５．第１の検出電圧検出期間＞
図１１に示すように、ステップ４０７（Ｓ４０７）に続くステップ４０９（Ｓ４０９）では、検出装置１０はバンドルスキャン０を実行する。バンドルスキャン０では、検出対象物４９０の有る存在状態において、図１２に示すユニット０（ｕｎｉｔ０）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して検出信号Ｖｄｅｔ１及び検出信号Ｖｄｅｔ２が生成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔとして、演算回路５００に送信される。このとき、例えば、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔは、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されてもよい。そののち、演算回路５００は、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、当該記憶装置から、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを受信（読み出し）してもよい。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、バンドルスキャン０を実行する期間は、第１の検出電圧検出期間と呼ばれ、第１の検出電圧検出期間で生成される出力信号Ｖｏｕｔは第１の検出電圧と呼ばれ、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された複数の第１の検出電圧は、まとめて、第１の検出データＲＤ０と呼ばれる。

演算回路５００は、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン０における検出対象物４９０の座標（ｙ０，ｘ０）を算出する。例えば、図１６に示すように、検出対象物４９０が、ユニット０における近接センサＨＳ（５，２）、近接センサＨＳ（５，３）、近接センサＨＳ（６，２）、及び近接センサＨＳ（６，３）にわたって存在している。このとき、演算回路５００は、近接センサＨＳ（５，２）に対して生成された出力信号Ｖｏｕｔ、近接センサＨＳ（５，３）に対して生成された出力信号Ｖｏｕｔ、近接センサＨＳ（６，２）に対して生成された出力信号Ｖｏｕｔ、及び近接センサＨＳ（６，３）に対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン０における検出対象物４９０の座標（ｙ０，ｘ０）を算出する。

＜１－５－１－６．第２の検出電圧検出期間＞
ステップ４０９（Ｓ４０９）に続くステップ４１７（Ｓ４１７）では、検出装置１０はバンドルスキャン１を実行する。バンドルスキャン１では、検出対象物４９０の有る存在状態において、図１３に示すユニット１（ｕｎｉｔ１）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して検出信号Ｖｄｅｔ１及び検出信号Ｖｄｅｔ２が生成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔとして、演算回路５００に送信される。このとき、例えば、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔは、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されてもよい。そののち、演算回路５００は、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、当該記憶装置から、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを受信（読み出し）してもよい。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、バンドルスキャン１を実行する期間は、第２の検出電圧検出期間と呼ばれ、第２の検出電圧検出期間で生成される出力信号Ｖｏｕｔは第２の検出電圧と呼ばれ、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された複数の第２の検出電圧は、まとめて、第２の検出データＲＤ１と呼ばれる。

演算回路５００は、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン１における検出対象物４９０の座標（ｙ１，ｘ１）を算出する。例えば、図１７に示すように、検出対象物４９０が、ユニット１における近接センサＨＳ（５，２）、及び近接センサＨＳ（６，２）にわたって存在している。このとき、演算回路５００は、近接センサＨＳ（５，２）に対して生成された出力信号Ｖｏｕｔ、及び近接センサＨＳ（６，２）に対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン１における検出対象物４９０の座標（ｙ１，ｘ１）を算出する。

＜１－５－１－７．第３の検出電圧検出期間＞
ステップ４１７（Ｓ４１７）に続くステップ４２５（Ｓ４２５）では、検出装置１０はバンドルスキャン２を実行する。バンドルスキャン２では、検出対象物４９０の有る存在状態において、図１４に示すユニット２（ｕｎｉｔ２）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して検出信号Ｖｄｅｔ１及び検出信号Ｖｄｅｔ２が生成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔとして、演算回路５００に送信される。このとき、例えば、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔは、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されてもよい。そののち、演算回路５００は、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、当該記憶装置から、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを受信（読み出し）してもよい。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、バンドルスキャン２を実行する期間は、第３の検出電圧検出期間と呼ばれ、第３の検出電圧検出期間で生成される出力信号Ｖｏｕｔは第３の検出電圧と呼ばれ、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された複数の第３の検出電圧は、まとめて、第３の検出データＲＤ２と呼ばれる。

演算回路５００は、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン２における検出対象物４９０の座標（ｙ２，ｘ２）を算出する。例えば、図１８に示すように、検出対象物４９０が、ユニット２における近接センサＨＳ（５，２）、及び近接センサＨＳ（５，３）にわたって存在している。このとき、演算回路５００は、近接センサＨＳ（５，２）に対して生成された出力信号Ｖｏｕｔ、及び近接センサＨＳ（５，３）に対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン２における検出対象物４９０の座標（ｙ２，ｘ２）を算出する。

＜１－５－１－８．第４の検出電圧検出期間＞
ステップ４２５（Ｓ４２５）に続くステップ４３３（Ｓ４３３）では、検出装置１０はバンドルスキャン３を実行する。バンドルスキャン３では、検出対象物４９０の有る存在状態において、図１５に示すユニット３（ｕｎｉｔ３）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して検出信号Ｖｄｅｔ１及び検出信号Ｖｄｅｔ２が生成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔとして、演算回路５００に送信される。このとき、例えば、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔは、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されてもよい。そののち、演算回路５００は、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、当該記憶装置から、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを受信（読み出し）してもよい。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、バンドルスキャン３を実行する期間は、第４の検出電圧検出期間と呼ばれ、第４の検出電圧検出期間で生成される出力信号Ｖｏｕｔは第４の検出電圧と呼ばれ、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された複数の第４の検出電圧は、まとめて、第４の検出データＲＤ３と呼ばれる。

演算回路５００は、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン３における検出対象物４９０の座標（ｙ３，ｘ３）を算出する。例えば、図１９に示すように、検出対象物４９０が、ユニット２における近接センサＨＳ（５，２）に存在している。このとき、演算回路５００は、近接センサＨＳ（５，２）に対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン３における検出対象物４９０の座標（ｙ３，ｘ３）を算出する。

演算回路５００は、バンドルスキャン０における検出対象物４９０の座標（ｙ０，ｘ０）、バンドルスキャン１における検出対象物４９０の座標（ｙ１，ｘ１）、バンドルスキャン２における検出対象物４９０の座標（ｙ２，ｘ２）、及びバンドルスキャン３における検出対象物４９０の座標（ｙ３，ｘ３）を用いて、検出対象物４９０の位置座標（Ｙ、Ｘ）を算出する。例えば、検出対象物４９０の位置座標（Ｙ、Ｘ）は、各バンドルスキャンにおける出力信号Ｖｏｕｔの平均値を用いて、算出されてよく、公知の平均値または重心を用いた算出方法を用いて算出されてもよい。

演算回路５００は、ステップ４３３（Ｓ４３３）が終了すると、ステップ４０９（Ｓ４０９）～ステップ４３３（Ｓ４３３）を繰り返し実行する。演算回路５００は、繰り返し実行されるステップ４０９（Ｓ４０９）～ステップ４３３（Ｓ４３３）のそれぞれにおいて検出される出力信号Ｖｏｕｔを送信される。

なお、第２の初期電圧検出期間と同様に第２の検出電圧検出期間においても、近接センサＨＳＡに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＡに対応する検出信号Ｖｄｅｔは生成されない。第３の初期電圧検出期間と同様に第３の検出電圧検出期間においても、近接センサＨＳＢに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＢに対応する検出信号Ｖｄｅｔは生成されない。第４の初期電圧検出期間と同様に第４の検出電圧検出期間においても、近接センサＨＳＣに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＣに対応する検出信号Ｖｄｅｔは生成されない。

以上説明した通り、本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、第１の初期電圧検出期間、第２の初期電圧検出期間、第３の初期電圧検出期間、第４の初期電圧検出期間、第１の検出電圧検出期間、第２の検出電圧検出期間、第３の検出電圧検出期間、及び第４の検出電圧検出期間は連続して出現する。すなわち、本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、複数の検出期間は連続して出現し、本発明の一実施形態に係る検出装置１０は、複数の検出期間の連続において、検出期間ごとに、行方向に１行、又は、列方向に１列、当該検出単位に含まれる検出電極を異ならせるように、各近接センサ、制御回路２００、電極選択回路３００、検出回路４００、演算回路５００などを制御する。

本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、複数の検出電極１８０を含む近接センサＨＳ用いて、複数回のバンドルスキャンによってオーバーラップスキャンが実行される。その結果、検出対象物４９０の有る存在状態に対して、複数回のバンドルスキャンで複数の近接センサＨＳを用いて、検出対象物４９０の検出位置座標を検出することができる。その結果、検出対象物４９０が、複数の近接センサＨＳにわたって検出されることを抑制し、検出対象物４９０の検出位置座標の検出精度を改善することができる。

＜２．第２実施形態＞
第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、バンドルスキャン０とバンドルスキャン１の間で、バンドルスキャンを打ち切ることが可能な近接検出動作を説明する。図２０は、本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。図２１は、本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法を説明するためのフローチャートである。図２２は、本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法のステップ４１３（Ｓ４１３）を説明するための図である。図２３は、本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法のステップ４１５（Ｓ４１５）を説明するための図である。図２４は、本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法のステップ４１５（Ｓ４１５）を説明するための図である。図２５は、本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法の変形例１を説明するためのフローチャートである。図２６は、本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法の変形例１を説明するためのフローチャートである。図２７は、本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法の変形例２を説明するためのフローチャートである。図２０～図２７に示される第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法は、一例であって、検出装置１０の駆動方法は、図２０～図２７に示される構成に限定されない。図１～図１９と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。

第１実施形態に係る検出装置１０の駆動方法と同様に、第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法においても、制御回路２００（図２）から検出回路４００（検出タイミング制御回路４４０）（図２）に、制御信号Ｖｈｓが供給されると、近接検出動作が開始される。

第１実施形態に係る検出装置１０の駆動方法と同様に、第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法においても、係数ｍは２０、係数ｎは８、係数Ｍは１０、係数Ｎは４である例を示す。すなわち、検出装置１０は、１６０個の検出電極１８０から構成される４０個の近接センサＨＳを有する。

図２０に示すタイミングチャートでは、第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法のバンドルスキャン０、バンドルスキャン１、バンドルスキャン２、及びバンドルスキャン３がモード（ＭＯＤＥ）として示されている。また、スキャンとスキャンの間に、制御回路２００（図２）から検出回路４００（検出タイミング制御回路４４０）（図２）に供給される制御信号Ｖｈｓが示されている。さらに、制御回路２００（図２）から検出回路４００（検出タイミング制御回路４４０）（図２）に制御信号Ｖｈｓが供給され、次の制御信号Ｖｈｓが制御回路２００（図２）から検出回路４００（検出タイミング制御回路４４０）（図２）に供給される間に、検出回路４００から演算回路５００に供給される制御信号Ｈｉｎｔが示されている。また、演算回路５００の状態が示されている。

検出装置１０は、例えば、制御信号Ｖｈｓに同期して、各スキャンを実行する。演算回路５００は、例えば、検出回路４００から制御信号Ｈｉｎｔを供給されると、読み出し状態（ＲＥＡＤ状態）となり、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されていたそれぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔ（例えば、第１の検出データＲＤ０）を読み出す。また、演算回路５００は、制御回路２００から検出回路４００に制御信号Ｖｈｔを供給されると、判定状態（ＪＵＤＧＥＭＥＮＴ状態）となり、差分値｜ΔＶ｜、及び差分値｜ΔＶ｜と閾値（Ｔｈ）の比較結果を用いて、スキャンを続けるかまたは打ち切るかを判定する。

図２１に示される第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、ステップ４０１（Ｓ４０１）、ステップ４０３（Ｓ４０３）、ステップ４０５（Ｓ４０５）、ステップ４０７（Ｓ４０７）、ステップ４０９（Ｓ４０９）、ステップ４１７（Ｓ４１７）、ステップ４２５（Ｓ４２５）、及びステップ４３３（Ｓ４３３）での検出装置１０の駆動方法、構成及び機能は、第１実施形態に係る検出装置１０の駆動方法と同様であるから、ここでの説明は省略される。第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法の説明では、第１実施形態に係る検出装置１０の駆動方法と異なる駆動方法が説明される。

＜２－１．差分値｜ΔＶ｜の算出＞
ステップ４０９（Ｓ４０９）では、検出装置１０はベースラインスキャン０を実行する。ステップ４０９（Ｓ４０９）に続くステップ４１１（Ｓ４１１）では、検出装置１０は差分値｜ΔＶ｜を算出する。

具体的には、演算回路５００に含まれる差分値算出回路５３０は、制御信号Ｈｉｎｔに同期して、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されていたそれぞれの近接センサＨＳに対して生成された第１の検出データＲＤ０（複数の第１の検出電圧Ｖｏｕｔ）を読み出す。また、差分値算出回路５３０は、信号処理回路５１０に含まれる記憶装置に一時的に格納されていたそれぞれの近接センサＨＳに対して生成された複数の第１の初期電圧Ｖｏｕｔｂを読み出す。

差分値算出回路５３０は、複数の第１の検出電圧Ｖｏｕｔ及び複数の第１の初期電圧Ｖｏｕｔｂを用いて、それぞれ対応する第１の検出電圧Ｖｏｕｔと複数の第１の初期電圧Ｖｏｕｔｂの差分信号（絶対値｜ΔＶ｜＝Ｖｏｕｔ－Ｖｏｕｔｂ）を生成する。差分値算出回路５３０は、生成された複数の絶対値｜ΔＶ｜を比較判定回路５４０に供給する。第２実施形態では、絶対値｜ΔＶ｜は差分値｜ΔＶ｜と呼ばれる。

＜２－２．差分値｜ΔＶ｜と閾値（Ｔｈ）の比較及び判定＞
ステップ４１１（Ｓ４１１）に続くステップ４１３（Ｓ４１３）では、検出装置１０は差分値｜ΔＶ｜と閾値（Ｔｈ）を比較する。具体的には、演算回路５００に含まれる比較判定回路５４０は、制御信号Ｈｉｎｔに同期して、絶対値｜ΔＶ｜を所定の閾値電圧（Ｔｈ）と比較する。信号強度に対して差分値｜ΔＶ｜をプロットすると、例えば、図２２に示すようなプロット図となる。

当該絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧（Ｖｔｈ）未満であると、比較判定回路５４０は、検出対象物が無し（非存在状態、図２１に示されるフローチャートにおいてＮＯ）であると判定する。比較判定回路５４０がＮＯと判定すると、検出装置１０はステップ４０９（Ｓ４０９）に戻って、バンドルスキャン０を実行する。

当該絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧（Ｔｈ）以上であると、検出対象物が有り（存在状態、図２１に示されるフローチャートにおいてＹＥＳ）であると判定する。比較判定回路５４０がＹＥＳと判定すると、比較判定回路５４０はステップ４１５（Ｓ４１５）を実行する。

なお、比較判定回路５４０は、制御信号Ｈｉｎｔに同期して、複数の絶対値｜ΔＶ｜の総和（Ｓｕｍ（複数の絶対値｜ΔＶ｜））を算出してもよい。比較判定回路５４０は、Ｓｕｍ（複数の絶対値｜ΔＶ｜）を所定の閾値電圧（Ｔｈ）と比較してもよい。比較判定回路５４０は、Ｓｕｍ（複数の絶対値｜ΔＶ｜）が閾値電圧（Ｖｔｈ）未満であると、検出対象物が無し（非存在状態、図２１に示されるフローチャートにおいてＮＯ）であると判定してよい。比較判定回路５４０がＮＯと判定すると、検出装置１０はステップ４０９（Ｓ４０９）に戻って、バンドルスキャン０を実行する。Ｓｕｍ（複数の絶対値｜ΔＶ｜）を所定の閾値電圧（Ｖｔｈ）と比較し、当該Ｓｕｍ（複数の絶対値｜ΔＶ｜）が閾値電圧（Ｖｔｈ）以上であれば、検出対象物が有り（存在状態、図２１に示されるフローチャートにおいてＹＥＳ）であると判定してもよい。比較判定回路５４０がＹＥＳと判定すると、比較判定回路５４０はステップ４１５（Ｓ４１５）を実行する。

ステップ４１３（Ｓ４１３）に続くステップ４１５（Ｓ４１５）では、検出装置１０はバンドルスキャンを打ち切るか（中断するか）否かを判定する。

例えば、図２３に示すように、検出対象物４９０が、近接センサＨＳ（５，２）上に存在すると仮定する。近接センサＨＳ（５，２）はマルチプレクサ３１０内の１７チャンネル（１７ｃｈ）に電気的に接続され、１７ｃｈから出力された検出信号Ｖｄｅｔ２の電圧の変化が最も大きく、すなわち、１７ｃｈに対応する第１の検出電圧Ｖｏｕｔが最も大きいものとする。近接センサＨＳ（４，１）はマルチプレクサ３１０内の１３チャンネル（１３ｃｈ）に電気的に接続され、１３ｃｈから出力された検出信号Ｖｄｅｔ２の電圧変化が２番目に大きく、すなわち、１３ｃｈに対応する第１の検出電圧Ｖｏｕｔが２番目に大きいものとする。

電圧の変化が最も大きいデータと電圧の変化が２番目に大きいデータの差分値が、閾値電圧（Ｔｈ）以上（電圧の変化が最も大きいデータ－電圧の変化が２番目に大きいデータ≧Ｔｈ）のとき、比較判定回路５４０はバンドルスキャンを打ち切る（中断する、図２１に示されるフローチャートにおいてＹＥＳ）と判定する。図２３に示される状態では、電圧の変化が最も大きいデーと電圧の変化が２番目に大きいデータの差分値は閾値電圧（Ｔｈ）以上である。よって、比較判定回路５４０はＹＥＳと判定する。比較判定回路５４０はＹＥＳと判定すると、検出装置１０はステップ４０９（Ｓ４０９）に戻って、バンドルスキャン０を実行する。

例えば、図２４に示すように、検出対象物４９０が、近接センサＨＳ（４，１）と近接センサＨＳ（５，２）にわたって存在すると仮定する。図２３に示される近接センサと同様に、近接センサＨＳ（５，２）が接続された１７ｃｈから出力された検出信号Ｖｄｅｔ２の電圧の変化が最も大きく、近接センサＨＳ（４，１）が接続された１３ｃｈから出力された検出信号Ｖｄｅｔ２の電圧変化が２番目に大きいものとする。

図２４に示される状態では、電圧の変化が最も大きいデーと電圧の変化が２番目に大きいデータの差分値は、閾値電圧（Ｔｈ）より小さい。よって、比較判定回路５４０はバンドルスキャンを打ち切らない（中断しない、図２１に示されるフローチャートにおいてＮＯ）と判定する。比較判定回路５４０はＮＯと判定すると、検出装置１０はステップ４１７（Ｓ４１７）において、バンドルスキャン１を実行する。

本発明の第２実施形態に係る検出装置１０では、検出対象物４９０が１つの近接センサＨＳを用いて検出されるとき、後に続くバンドルスキャンを打ち切り、近接検出動作の時間を短縮することができる。

＜２－３．変形例１＞
図２５及び図２６を用いて、本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法の変形例１を説明する。検出装置１０の駆動方法の変形例１では、図２１に示されるフローチャートに対して、検出装置１０はステップ４１７（Ｓ４１７）でのバンドルスキャン１の後においても、差分値｜ΔＶ｜、及び差分値｜ΔＶ｜と閾値（Ｔｈ）の比較結果を用いて、スキャンを続けるかまたは打ち切るかを判定する。それ以外の駆動方法は、図２１に示すフローチャートと同様であるから、ここでの説明は省略される。

図２５に示すように、ステップ４１７（Ｓ４１７）に続くステップ４１９（Ｓ４１９）では、検出装置１０は、ベースラインスキャン１及びバンドルスキャン１において検出された信号を用いて差分値｜ΔＶ｜を算出する。ベースラインスキャン１において検出された信号は、複数の第２の初期検出電圧Ｖｏｕｔであり、バンドルスキャン１において検出された信号は、第２の検出データＲＤ１（複数の第２の検出電圧Ｖｏｕｔ）である。ステップ４１９（Ｓ４１９）における駆動方法は、以上説明した点以外は、ステップ４１１（Ｓ４１１）における駆動方法と同様であるから、ここでの説明は省略される。

ステップ４１９（Ｓ４１９）に続くステップ４２１（Ｓ４２１）では、検出装置１０は、ベースラインスキャン１及びバンドルスキャン１において検出された信号を用いて差分値｜ΔＶ｜と閾値（Ｔｈ）を比較する。ステップ４２１（Ｓ４２１）における駆動方法は、以上説明した点以外は、ステップ４１３（Ｓ４１３）における駆動方法と同様であるから、ここでの説明は省略される。

ステップ４２１（Ｓ４２１）に続くステップ４２３（Ｓ４２３）では、検出装置１０はバンドルスキャン１を打ち切るか（中断するか）否かを判定する。

当該絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧（Ｖｔｈ）未満であると、比較判定回路５４０は、検出対象物が無し（非存在状態、図２５に示されるフローチャートにおいてＮＯ）であると判定する。比較判定回路５４０がＮＯと判定すると、検出装置１０はステップ４０９（Ｓ４０９）に戻って、バンドルスキャン０を実行する。当該絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧（Ｔｈ）以上であると、検出対象物が有り（存在状態、図２５に示されるフローチャートにおいてＹＥＳ）であると判定する。比較判定回路５４０がＹＥＳと判定すると、比較判定回路５４０は図２６に示されるステップ４２５（Ｓ４２５）を実行する。ステップ４２３（Ｓ４２３）における駆動方法は、以上説明した点以外は、ステップ４１５（Ｓ４１５）における駆動方法と同様であるから、ここでの説明は省略される。

本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法の変形例１では、バンドルスキャン０またはバンドルスキャン１の何れかにおいて、後に続くバンドルスキャンを打ち切り、近接検出動作の時間を短縮することができる。

＜２－４．変形例２＞
図２５及び図２７を用いて、本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法の変形例２を説明する。検出装置１０の駆動方法の変形例１２では、図２５及び図２６に示されるフローチャートに対して、検出装置１０はステップ４２５（Ｓ４２５）でのバンドルスキャン３の後においても、差分値｜ΔＶ｜、及び差分値｜ΔＶ｜と閾値（Ｔｈ）の比較結果を用いて、スキャンを続けるかまたは打ち切るかを判定する。それ以外の駆動方法は、図２５及び図２６に示すフローチャートと同様であるから、ここでの説明は省略される。

図２７に示すように、ステップ４２５（Ｓ４２５）に続くステップ４２７（Ｓ４２７）では、検出装置１０は、ベースラインスキャン２及びバンドルスキャン２において検出された信号を用いて差分値｜ΔＶ｜を算出する。ベースラインスキャン２において検出された信号は、複数の第３の初期検出電圧Ｖｏｕｔであり、バンドルスキャン２において検出された信号は、第３の検出データＲＤ２（複数の第３の検出電圧Ｖｏｕｔ）である。ステップ４２７（Ｓ４２７）における駆動方法は、以上説明した点以外は、ステップ４１９（Ｓ４１９）における駆動方法と同様であるから、ここでの説明は省略される。

ステップ４２７（Ｓ４２７）に続くステップ４２９（Ｓ４２９）では、検出装置１０は、ベースラインスキャン２及びバンドルスキャン２において検出された信号を用いて差分値｜ΔＶ｜と閾値（Ｔｈ）を比較する。ステップ４２９（Ｓ４２９）における駆動方法は、以上説明した点以外は、ステップ４２１（Ｓ４２１）における駆動方法と同様であるから、ここでの説明は省略される。

ステップ４２９（Ｓ４２９）に続くステップ４３１（Ｓ４３１）では、検出装置１０はバンドルスキャン２を打ち切るか（中断するか）否かを判定する。

当該絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧（Ｖｔｈ）未満であると、比較判定回路５４０は、検出対象物が無し（非存在状態、図２７に示されるフローチャートにおいてＮＯ）であると判定する。比較判定回路５４０がＮＯと判定すると、検出装置１０はステップ４０９（Ｓ４０９）に戻って、バンドルスキャン０を実行する。当該絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧（Ｔｈ）以上であると、検出対象物が有り（存在状態、図２７に示されるフローチャートにおいてＹＥＳ）であると判定する。比較判定回路５４０がＹＥＳと判定すると、比較判定回路５４０はステップ４３３（Ｓ４３３）を実行する。ステップ４３１（Ｓ４３１）における駆動方法は、以上説明した点以外は、ステップ４２３（Ｓ４２３）における駆動方法と同様であるから、ここでの説明は省略される。

本発明の第２実施形態に係る検出装置１０の駆動方法の変形例２では、バンドルスキャン０、バンドルスキャン１またはバンドルスキャン２の何れかにおいて、後に続くバンドルスキャンを打ち切り、近接検出動作の時間を短縮することができる。

＜３．第３実施形態＞
本発明の第３実施形態に係る検出装置１０の駆動方法は、図１１に示される第１の実施形態に係る検出装置１０の駆動方法に対して、検出装置１０の四隅の検出精度を改善する駆動方法である。具体的には、第３実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、第１の実施形態に係る検出装置１０の駆動方法に対して、ベースラインスキャン４～ベースラインスキャン８、及び、バンドルスキャン４～バンドルスキャン８が増加している点において異なる。第３実施形態に係る検出装置１０の駆動方法の説明では、主に、ベースラインスキャン４～ベースラインスキャン８、及び、バンドルスキャン４～バンドルスキャン８の駆動方法を説明する。それ以外の点は、第１の実施形態に係る検出装置１０の駆動方法と同様であうから、ここでの説明は省略される。

図２８は、本発明の第３実施形態に係る検出装置１０の駆動方法を説明するためのフローチャートである。図２９は、本発明の第３実施形態に係る検出装置１０の駆動方法のうち、バンドルスキャン４（ｂａｎｄｌｅｓｃａｎ４）を説明するための図である。図３０は、本発明の第３実施形態に係る検出装置１０の駆動方法のうち、バンドルスキャン５（ｂａｎｄｌｅｓｃａｎ５）を説明するための図である。図３１は、本発明の第３実施形態に係る検出装置１０の駆動方法のうち、バンドルスキャン６（ｂａｎｄｌｅｓｃａｎ６）を説明するための図である。図３２は、本発明の第３実施形態に係る検出装置１０の駆動方法のうち、バンドルスキャン７（ｂａｎｄｌｅｓｃａｎ７）を説明するための図である。図３３は、本発明の第３実施形態に係る検出装置の駆動方法のうち、バンドルスキャン８（ｂａｎｄｌｅｓｃａｎ８）を説明するための図である。図３４は、本発明の第３実施形態に係る検出装置１０の駆動方法の各バンドルスキャンにおける検出電極のサイズ比の一例を示す図である。図２８～図３４に示される検出装置１０の駆動方法は一例であって、検出装置１０の駆動方法は、図２８～図３４に示される構成に限定されない。図１～図２７と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。

＜３－１．第５の初期電圧検出期間＞
図２８に示すように、近接検出動作が開始されると、ステップ６０１（Ｓ６０１）では、検出装置１０はベースラインスキャン４を実行する。ベースラインスキャン４では、検出対象物４９０の無い非存在状態において、図２９に示すユニット４（ｕｎｉｔ４）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して初期信号Ｖｉｎｉ１及び初期信号Ｖｉｎｉ２が生成される。ユニット４は、ユニット０に対して、それぞれの近接センサＨＳの座標が、検出電極１８０の１列分右にシフトし、１行分上にシフトしている。例えば、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（２，１）、及び（３，１）の２個の検出電極１８０から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（２０，１）の１個の検出電極１８０から構成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された初期出力信号Ｖｏｕｔｂとして、演算回路５００に送信される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、ベースラインスキャン４を実行する期間は、第５の初期電圧検出期間と呼ばれ、第５の初期電圧検出期間で生成される初期出力信号Ｖｏｕｔｂは第５の初期電圧と呼ばれる。

図２９に示すように、ユニット４では、近接センサＨＳＤは、検出電極１８０の座標（１，１）～（１，８）、及び（２，８）～（１０,８）から構成される。第５の初期電圧検出期間において、近接センサＨＳＤは、交流矩形波Ｖｓｉｇを供給されるが、マルチプレクサ３１０内のチャンネルには接続されない。近接センサＨＳＤに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＤに対応する初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２に対応する第５の初期電圧は生成されない。

図２９に示すように、ユニット４では、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（２，１）、及び（３，１）から構成され、近接センサＨＳ（１，２）は検出電極１８０の座標（２，２）、（２，３）、（３，２）、及び（３，３）から構成され、近接センサＨＳ（１，３）は検出電極１８０の座標（２，４）、（２，５）、（３，４）、及び（３，５）から構成され、近接センサＨＳ（１，４）は検出電極１８０の座標（２，６）、（２，７）、（３，６）、及び（３，７）から構成され、近接センサＨＳ（２，１）は検出電極１８０の座標（４，１）、及び（５，１）から構成され、近接センサＨＳ（２，２）は検出電極１８０の座標（４，２）、（４，３）、（５，２）、及び（５，３）から構成され、近接センサＨＳ（２，３）は検出電極１８０の座標（４，４）、（４，５）、（５，４）、及び（５，５）から構成され、近接センサＨＳ（２，４）は検出電極１８０の座標（４，６）、（４，７）、（５，６）、及び（５，７）から構成され、近接センサＨＳ（３，１）は検出電極１８０の座標（６，１）、及び（７，１）から構成され、近接センサＨＳ（３，２）は検出電極１８０の座標（６，２）、（６，３）、（７，２）、及び（７，３）から構成され、近接センサＨＳ（３，３）は検出電極１８０の座標（６，４）、（６，５）、（７，４）、及び（７，５）から構成され、近接センサＨＳ（３，４）は検出電極１８０の座標（６，６）、（６，７）、（７，６）、及び（７，７）から構成され、近接センサＨＳ（４，１）は検出電極１８０の座標（８，１）、及び（９，１）から構成され、近接センサＨＳ（４，２）は検出電極１８０の座標（８，２）、（８，３）、（９，２）、及び（９，３）から構成され、近接センサＨＳ（４，３）は検出電極１８０の座標（８，４）、（８，５）、（９，４）、及び（９，５）から構成され、近接センサＨＳ（４，４）は検出電極１８０の座標（８，６）、（８，７）、（９，６）、及び（９，７）から構成され、近接センサＨＳ（５，１）は検出電極１８０の座標（１０，１）、及び（１１，１）から構成され、近接センサＨＳ（５，２）は検出電極１８０の座標（１０，２）、（１０，３）、（１１，２）、及び（１１，３）から構成され、近接センサＨＳ（５，３）は検出電極１８０の座標（１０，４）、（１０，５）、（１１，４）、及び（１１，５）から構成され、近接センサＨＳ（５，４）は検出電極１８０の座標（１０，６）、（１０，７）、（１１，６）、及び（１１，７）から構成され、近接センサＨＳ（６，１）は検出電極１８０の座標（１２，１）、及び（１３，１）から構成され、近接センサＨＳ（６，２）は検出電極１８０の座標（１２，２）、（１２，３）、（１３，２）、及び（１３，３）から構成され、近接センサＨＳ（６，３）は検出電極１８０の座標（１２，４）、（１２，５）、（１３，４）、及び（１３，５）から構成され、近接センサＨＳ（６，４）は検出電極１８０の座標（１２，６）、（１１，７）、（１３，６）、及び（１３，７）から構成され、近接センサＨＳ（７，１）は検出電極１８０の座標（１４，１）、及び（１５，１）から構成され、近接センサＨＳ（７，２）は検出電極１８０の座標（１４，２）、（１４，３）、（１５，２）、及び（１５，３）から構成され、近接センサＨＳ（７，３）は検出電極１８０の座標（１４，４）、（１４，５）、（１５，４）、及び（１５，５）から構成され、近接センサＨＳ（７，４）は検出電極１８０の座標（１４，６）、（１４，７）、（１５，６）、及び（１５，７）から構成され、近接センサＨＳ（８，１）は検出電極１８０の座標（１６，１）、及び（１７，１）から構成され、近接センサＨＳ（８，２）は検出電極１８０の座標（１６，２）、（１６，３）、（１７，２）、及び（１７，３）から構成され、近接センサＨＳ（８，３）は検出電極１８０の座標（１６，４）、（１６，５）、（１７，４）、及び（１７，５）から構成され、近接センサＨＳ（８，４）は検出電極１８０の座標（１６，６）、（１６，７）、（１７，６）、及び（１７，７）から構成され、近接センサＨＳ（９，１）は検出電極１８０の座標（１８，１）、及び（１９，１）から構成され、近接センサＨＳ（９，２）は検出電極１８０の座標（１８，２）、（１８，３）、（１９，２）、及び（１９，３）から構成され、近接センサＨＳ（９，３）は検出電極１８０の座標（１８，４）、（１８，５）、（１９，４）、及び（１９，５）から構成され、近接センサＨＳ（９，４）は検出電極１８０の座標（１８，６）、（１８，７）、（１９，６）、及び（１９，７）から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（２０，１）から構成され、近接センサＨＳ（１０，２）は検出電極１８０の座標（２０，２）、及び（２０，３）から構成され、近接センサＨＳ（１０，３）は検出電極１８０の座標（２０，４）、及び（２０，５）から構成され、近接センサＨＳ（１０，４）は検出電極１８０の座標（２０，６）、及び（２０，７）から構成される。

ユニット０と同様に、近接センサＨＳ（１，１）～ＨＳ（１０，４）はそれぞれ、マルチプレクサ３１０内の００チャンネル（００ｃｈ）～３９チャンネル（３９ｃｈ）に電気的に接続される。

＜３－２．第６の初期電圧検出期間＞
ステップ６０１（Ｓ６０１）に続くステップ６０３（Ｓ６０３）では、検出装置１０はベースラインスキャン５を実行する。ベースラインスキャン５では、検出対象物４９０の無い非存在状態において、図３０に示すユニット５（ｕｎｉｔ５）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して初期信号Ｖｉｎｉ１及び初期信号Ｖｉｎｉ２が生成される。ユニット５は、ユニット０に対して、それぞれの近接センサＨＳの座標が、検出電極１８０の１行分上にシフトしている。例えば、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（２，１）、及び（３，１）の２個の検出電極１８０から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（１９，１）、及び（２０，１）の２個の検出電極１８０から構成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された初期出力信号Ｖｏｕｔｂとして、演算回路５００に送信される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、ベースラインスキャン５を実行する期間は、第６の初期電圧検出期間と呼ばれ、第６の初期電圧検出期間で生成される初期出力信号Ｖｏｕｔｂは第６の初期電圧と呼ばれる。

図３０に示すように、ユニット５では、近接センサＨＳＥは、検出電極１８０の座標（１，８）～（２０，８）から構成される。第６の初期電圧検出期間において、近接センサＨＳＥは、交流矩形波Ｖｓｉｇを供給されるが、マルチプレクサ３１０内のチャンネルには接続されない。近接センサＨＳＥに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＥに対応する初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２に対応する第６の初期電圧は生成されない。

図３０に示すように、ユニット５では、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，１）、及び（２，１）から構成され、近接センサＨＳ（１，２）は検出電極１８０の座標（１，２）、（１，３）、（２，２）、及び（２，３）から構成され、近接センサＨＳ（１，３）は検出電極１８０の座標（１，４）、（１，５）、（２，４）、及び（２，５）から構成され、近接センサＨＳ（１，４）は検出電極１８０の座標（１，６）、（１，７）、（２，６、及び（２，７）から構成され、近接センサＨＳ（２，１）は検出電極１８０の座標（３，１）、及び（４，１）から構成され、近接センサＨＳ（２，２）は検出電極１８０の座標（３，２）、（３，３）、（４，２）、及び（４，３）から構成され、近接センサＨＳ（２，３）は検出電極１８０の座標（３，４）、（３，５）、（４，４）、及び（４，５）から構成され、近接センサＨＳ（２，４）は検出電極１８０の座標（３，６）、（３，７）、（４，６）、及び（４，７）から構成され、近接センサＨＳ（３，１）は検出電極１８０の座標（５，１）、及び（６，１）から構成され、近接センサＨＳ（３，２）は検出電極１８０の座標（５，２）、（５，３）、（６，２）、及び（６，３）から構成され、近接センサＨＳ（３，３）は検出電極１８０の座標（５，４）、（５，５）、（６，４）、及び（６，５）から構成され、近接センサＨＳ（３，４）は検出電極１８０の座標（５，６）、（５，７）、（６，６）、及び（６，7）から構成され、近接センサＨＳ（４，１）は検出電極１８０の座標（７，１）、及び（８，１）から構成され、近接センサＨＳ（４，２）は検出電極１８０の座標（７，２）、（７，３）、（８，２）、及び（８，３）から構成され、近接センサＨＳ（４，３）は検出電極１８０の座標（７，４）、（７，５）、（８，４）、及び（８，５）から構成され、近接センサＨＳ（４，４）は検出電極１８０の座標（７，６）、（７，７）、（８，６）、及び（８，７）から構成され、近接センサＨＳ（５，１）は検出電極１８０の座標（９，１）、及び（１０，１）から構成され、近接センサＨＳ（５，２）は検出電極１８０の座標（９，２）、（９，３）、（１０，２）、及び（１０，３）から構成され、近接センサＨＳ（５，３）は検出電極１８０の座標（９，４）、（９，５）、（１０，４）、及び（１０，５）から構成され、近接センサＨＳ（５，４）は検出電極１８０の座標（９，６）、（９，７）、（１０，６）、及び（１０，７）から構成され、近接センサＨＳ（６，１）は検出電極１８０の座標（１１，１）、及び（１２，１）から構成され、近接センサＨＳ（６，２）は検出電極１８０の座標（１１，２）、（１１，３）、（１２，２）、及び（１２，３）から構成され、近接センサＨＳ（６，３）は検出電極１８０の座標（１１，４）、（１１，５）、（１２，４）、及び（１２，５）から構成され、近接センサＨＳ（６，４）は検出電極１８０の座標（１１，６）、（１１，７）、（１２，６）、及び（１２，７）から構成され、近接センサＨＳ（７，１）は検出電極１８０の座標（１３，１）、及び（１４，１）から構成され、近接センサＨＳ（７，２）は検出電極１８０の座標（１３，２）、（１３，３）、（１４，２）、及び（１４，３）から構成され、近接センサＨＳ（７，３）は検出電極１８０の座標（１３，４）、（１３，５）、（１４，４）、及び（１４，５）から構成され、近接センサＨＳ（７，４）は検出電極１８０の座標（１３，６）、（１３，７）、（１４，６）、及び（１４，７）から構成され、近接センサＨＳ（８，１）は検出電極１８０の座標（１５，１）、及び（１６，１）から構成され、近接センサＨＳ（８，２）は検出電極１８０の座標（１５，２）、（１５，３）、（１６，２）、及び（１６，３）から構成され、近接センサＨＳ（８，３）は検出電極１８０の座標（１５，４）、（１５，５）、（１６，４）、及び（１６，５）から構成され、近接センサＨＳ（８，４）は検出電極１８０の座標（１５，６）、（１５，７）、（１６，６）、及び（１６，７）から構成され、近接センサＨＳ（９，１）は検出電極１８０の座標（１７，１）、及び（１８，１）から構成され、近接センサＨＳ（９，２）は検出電極１８０の座標（１７，２）、（１７，３）、（１８，２）、及び（１８，３）から構成され、近接センサＨＳ（９，３）は検出電極１８０の座標（１７，４）、（１７，５）、（１８，４）、及び（１８，５）から構成され、近接センサＨＳ（９，４）は検出電極１８０の座標（１７，６）、（１７，７）、（１８，６）、及び（１８，７）から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（１９，１）、及び（２０，１）から構成され、近接センサＨＳ（１０，２）は検出電極１８０の座標（１９，２）、（１９，３）、（２０，２）、及び（２０，３）から構成され、近接センサＨＳ（１０，３）は検出電極１８０の座標（１９，４）、（１９，５）、（２０，４）、及び（２０，５）から構成され、近接センサＨＳ（１０，４）は検出電極１８０の座標（１９，６）、（１９，７）、（２０，６）、及び（２０，７）から構成される。

ユニット０と同様に、近接センサＨＳ（１，１）～ＨＳ（１０，４）はそれぞれ、マルチプレクサ３１０内の００チャンネル（００ｃｈ）～３９チャンネル（３９ｃｈ）に電気的に接続される。

＜３－３．第７の初期電圧検出期間＞
ステップ６０３（Ｓ６０３）に続くステップ６０５（Ｓ６０５）では、検出装置１０はベースラインスキャン６を実行する。ベースラインスキャン６では、検出対象物４９０の無い非存在状態において、図３１に示すユニット６（ｕｎｉｔ６）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して初期信号Ｖｉｎｉ１及び初期信号Ｖｉｎｉ２が生成される。ユニット６は、ユニット０に対して、それぞれの近接センサＨＳの座標が、検出電極１８０の１列分左にシフトし、検出電極１８０の１行分上にシフトしている。例えば、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，１）の１個の検出電極１８０から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（１９，１）、及び（２０，１）の２個の検出電極１８０から構成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された初期出力信号Ｖｏｕｔｂとして、演算回路５００に送信される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、ベースラインスキャン６を実行する期間は、第７の初期電圧検出期間と呼ばれ、第７の初期電圧検出期間で生成される初期出力信号Ｖｏｕｔｂは第７の初期電圧と呼ばれる。

図３１に示すように、ユニット６では、近接センサＨＳＦは、検出電極１８０の座標（１，８）～（１９，８）、及び（２０，１）～（２０、８）から構成される。第７の初期電圧検出期間において、近接センサＨＳＢは、交流矩形波Ｖｓｉｇを供給されるが、マルチプレクサ３１０内のチャンネルには接続されない。近接センサＨＳＦに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＦに対応する初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は生成されない。

図３１に示すように、ユニット６では、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，１）から構成され、近接センサＨＳ（１，２）は検出電極１８０の座標（１，２）、及び（１，３）から構成され、近接センサＨＳ（１，３）は検出電極１８０の座標（１，４）、及び（１，５）から構成され、近接センサＨＳ（１，４）は検出電極１８０の座標（１，６）、及び（１，７）から構成され、近接センサＨＳ（２，１）は検出電極１８０の座標（２，１）、及び（３，１）から構成され、近接センサＨＳ（２，２）は検出電極１８０の座標（２，２）、（２，３）、（３，２）、及び（３，３）から構成され、近接センサＨＳ（２，３）は検出電極１８０の座標（２，４）、（２，５）、（３，４）、及び（３，５）から構成され、近接センサＨＳ（２，４）は検出電極１８０の座標（２，６）、（２，７）、（３，６）、及び（３，７）から構成され、近接センサＨＳ（３，１）は検出電極１８０の座標（４，１）、及び（５，１）から構成され、近接センサＨＳ（３，２）は検出電極１８０の座標（４，２）、（４，３）、（５，２）、及び（５，３）から構成され、近接センサＨＳ（３，３）は検出電極１８０の座標（４，４）、（４，５）、（５，４）、及び（５，５）から構成され、近接センサＨＳ（３，４）は検出電極１８０の座標（４，６）、（４，７）、（５，６）、及び（５，7）から構成され、近接センサＨＳ（４，１）は検出電極１８０の座標（６，１）、及び（７，１）から構成され、近接センサＨＳ（４，２）は検出電極１８０の座標（６，２）、（６，３）、（７，２）、及び（７，３）から構成され、近接センサＨＳ（４，３）は検出電極１８０の座標（６，４）、（６，５）、（７，４）、及び（７，５）から構成され、近接センサＨＳ（４，４）は検出電極１８０の座標（６，６）、（６，７）、（７，６）、及び（７，７）から構成され、近接センサＨＳ（５，１）は検出電極１８０の座標（８，１）、及び（９，１）から構成され、近接センサＨＳ（５，２）は検出電極１８０の座標（８，２）、（８，３）、（９，２）、及び（９，３）から構成され、近接センサＨＳ（５，３）は検出電極１８０の座標（８，４）、（８，５）、（９，４）、及び（９，５）から構成され、近接センサＨＳ（５，４）は検出電極１８０の座標（１０，６）、（１０，７）、（１１，６）、及び（１１，７）から構成され、近接センサＨＳ（６，１）は検出電極１８０の座標（１０，１）、及び（１１，１）から構成され、近接センサＨＳ（６，２）は検出電極１８０の座標（１０，２）、（１０，３）、（１１，２）、及び（１１，３）から構成され、近接センサＨＳ（６，３）は検出電極１８０の座標（１０，４）、（１０，５）、（１１，４）、及び（１１，５）から構成され、近接センサＨＳ（６，４）は検出電極１８０の座標（１０，６）、（１０，７）、（１１，６）、及び（１１，７）から構成され、近接センサＨＳ（７，１）は検出電極１８０の座標（１２，１）、及び（１３，１）から構成され、近接センサＨＳ（７，２）は検出電極１８０の座標（１２，２）、（１２，３）、（１３，２）、及び（１３，３）から構成され、近接センサＨＳ（７，３）は検出電極１８０の座標（１２，４）、（１２，５）、（１３，４）、及び（１３，５）から構成され、近接センサＨＳ（７，４）は検出電極１８０の座標（１２，６）、（１２，７）、（１３，６）、及び（１３，７）から構成され、近接センサＨＳ（８，１）は検出電極１８０の座標（１４，１）、及び（１５，１）から構成され、近接センサＨＳ（８，２）は検出電極１８０の座標（１４，２）、（１４，３）、（１５，２）、及び（１５，３）から構成され、近接センサＨＳ（８，３）は検出電極１８０の座標（１４，４）、（１４，５）、（１５，４）、及び（１５，５）から構成され、近接センサＨＳ（８，４）は検出電極１８０の座標（１４，６）、（１４，７）、（１５，６）、及び（１５，７）から構成され、近接センサＨＳ（９，１）は検出電極１８０の座標（１６，１）、及び（１７，１）から構成され、近接センサＨＳ（９，２）は検出電極１８０の座標（１６，２）、（１６，３）、（１７，２）、及び（１７，３）から構成され、近接センサＨＳ（９，３）は検出電極１８０の座標（１６，４）、（１６，５）、（１７，４）、及び（１７，５）から構成され、近接センサＨＳ（９，４）は検出電極１８０の座標（１６，６）、（１６，７）、（１７，６）、及び（１７，７）から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（１８，１）、及び（１９，１）から構成され、近接センサＨＳ（１０，２）は検出電極１８０の座標（１８，２）、（１８，３）、（１９，２）、及び（１９，３）から構成され、近接センサＨＳ（１０，３）は検出電極１８０の座標（１８，４）、（１８，５）、（１９，４）、及び（１９，５）から構成され、近接センサＨＳ（１０，４）は検出電極１８０の座標（１８，６）、（１８，７）、（１９，６）、及び（１９，７）から構成される。

ユニット０と同様に、近接センサＨＳ（１，１）～ＨＳ（１０，４）はそれぞれ、マルチプレクサ３１０内の００チャンネル（００ｃｈ）～３９チャンネル（３９ｃｈ）に電気的に接続される。

＜３－４．第８の初期電圧検出期間＞
ステップ６０５（Ｓ６０５）に続くステップ６０７（Ｓ６０７）では、検出装置１０はベースラインスキャン７を実行する。ベースラインスキャン７では、検出対象物４９０の無い非存在状態において、図３２に示すユニット７（ｕｎｉｔ７）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して初期信号Ｖｉｎｉ１及び初期信号Ｖｉｎｉ２が生成される。ユニット７は、ユニット０に対して、それぞれの近接センサＨＳの座標が、検出電極１８０の１列分左にシフトしている。例えば、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，１）、及び（１，２）の２個の検出電極１８０から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（１８，１）、（１８，２）、（１９，１）、及び（１９，２）の４個の検出電極１８０から構成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された初期出力信号Ｖｏｕｔｂとして、演算回路５００に送信される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、ベースラインスキャン７を実行する期間は、第８の初期電圧検出期間と呼ばれ、第８の初期電圧検出期間で生成される初期出力信号Ｖｏｕｔｂは第８の初期電圧と呼ばれる。

図３２に示すように、ユニット７では、近接センサＨＳＧは、検出電極１８０の座標（２０，１）～（２０，８）から構成される。第８の初期電圧検出期間において、近接センサＨＳＧは、交流矩形波Ｖｓｉｇを供給されるが、マルチプレクサ３１０内のチャンネルには接続されない。近接センサＨＳＧに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＧに対応する初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は生成されない。

図３２に示すように、ユニット７では、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，１）、及び（２，１）から構成され、近接センサＨＳ（１，２）は検出電極１８０の座標（１，３）、及び（１，４）から構成され、近接センサＨＳ（１，３）は検出電極１８０の座標（１，５）、及び（１，６）から構成され、近接センサＨＳ（１，４）は検出電極１８０の座標（１，７）、及び（１，８）から構成され、近接センサＨＳ（２，１）は検出電極１８０の座標（２，１）、（２，２）、（３，１）、及び（３，２）から構成され、近接センサＨＳ（２，２）は検出電極１８０の座標（２，３）、（３，４）、（３，３）、及び（３，４）から構成され、近接センサＨＳ（２，３）は検出電極１８０の座標（２，５）、（２，６）、（３，５）、及び（３，６）から構成され、近接センサＨＳ（２，４）は検出電極１８０の座標（２，７）、（２，８）、（３，７）、及び（３，８）から構成され、近接センサＨＳ（３，１）は検出電極１８０の座標（４，１）、（４，２）、（５，１）、及び（５，２）から構成され、近接センサＨＳ（３，２）は検出電極１８０の座標（４，３）、（４，４）、（５，３）、及び（５，４）から構成され、近接センサＨＳ（３，３）は検出電極１８０の座標（４，５）、（４，６）、（５，５）、及び（５，６）から構成され、近接センサＨＳ（３，４）は検出電極１８０の座標（４，７）、（４，８）、（５，７）、及び（５，８）から構成され、近接センサＨＳ（４，１）は検出電極１８０の座標（６，１）、（６，２）、（７，１）、及び（７，２）から構成され、近接センサＨＳ（４，２）は検出電極１８０の座標（６，３）、（６，４）、（７，３）、及び（７，４）から構成され、近接センサＨＳ（４，３）は検出電極１８０の座標（６，５）、（６，６）、（７，５）、及び（７，６）から構成され、近接センサＨＳ（４，４）は検出電極１８０の座標（６，７）、（６，８）、（７，７）、及び（７，８）から構成され、近接センサＨＳ（５，１）は検出電極１８０の座標（８，１）、（８，２）、（９，１）、及び（９，２）から構成され、近接センサＨＳ（５，２）は検出電極１８０の座標（８，３）、（８，４）、（９，３）、及び（９，４）から構成され、近接センサＨＳ（５，３）は検出電極１８０の座標（８，５）、（８，６）、（９，５）、及び（９，６）から構成され、近接センサＨＳ（５，４）は検出電極１８０の座標（８，７）、（８，８）、（９，７）、及び（９，８）から構成され、近接センサＨＳ（６，１）は検出電極１８０の座標（１０，１）、（１０，２）、（１１，１）、及び（１１，２）から構成され、近接センサＨＳ（６，２）は検出電極１８０の座標（１０，３）、（１０，４）、（１１，３）、及び（１１，４）から構成され、近接センサＨＳ（６，３）は検出電極１８０の座標（１０，５）、（１０，６）、（１１，５）、及び（１１，６）から構成され、近接センサＨＳ（６，４）は検出電極１８０の座標（１０，７）、（１０，８）、（１１，７）、及び（１１，８）から構成され、近接センサＨＳ（７，１）は検出電極１８０の座標（１２，１）、（１２，２）、（１３，１）、及び（１３，２）から構成され、近接センサＨＳ（７，２）は検出電極１８０の座標（１２，３）、（１２，４）、（１３，３）、及び（１３，４）から構成され、近接センサＨＳ（７，３）は検出電極１８０の座標（１２，５）、（１２，６）、（１３，５）、及び（１３，６）から構成され、近接センサＨＳ（７，４）は検出電極１８０の座標（１２，７）、（１２，８）、（１３，７）、及び（１３，８）から構成され、近接センサＨＳ（８，１）は検出電極１８０の座標（１４，１）、（１４，２）、（１５，１）、及び（１５，２）から構成され、近接センサＨＳ（８，２）は検出電極１８０の座標（１４，３）、（１４，４）、（１５，３）、及び（１５，４）から構成され、近接センサＨＳ（８，３）は検出電極１８０の座標（１４，５）、（１４，６）、（１５，５）、及び（１５，６）から構成され、近接センサＨＳ（８，４）は検出電極１８０の座標（１４，７）、（１４，８）、（１５，７）、及び（１５，８）から構成され、近接センサＨＳ（９，１）は検出電極１８０の座標（１６，１）、（１６，２）、（１７，１）、及び（１７，２）から構成され、近接センサＨＳ（９，２）は検出電極１８０の座標（１６，３）、（１６，４）、（１７，３）、及び（１７，４）から構成され、近接センサＨＳ（９，３）は検出電極１８０の座標（１６，５）、（１６，６）、（１７，５）、及び（１７，６）から構成され、近接センサＨＳ（９，４）は検出電極１８０の座標（１６，７）、（１６，８）、（１７，７）、及び（１７，８）から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（１８，１）、（１８，２）、（１９，１）、及び（１９，２）から構成され、近接センサＨＳ（１０，２）は検出電極１８０の座標（１８，３）、（１８，４）、（１９，３）、及び（１９，４）から構成され、近接センサＨＳ（１０，３）は検出電極１８０の座標（１８，５）、（１８，６）、（１９，５）、及び（１９，６）から構成され、近接センサＨＳ（１０，４）は検出電極１８０の座標（１８，７）、（１８，８）、（１９，７）、及び（１９，８）から構成される。

ユニット０と同様に、近接センサＨＳ（１，１）～ＨＳ（１０，４）はそれぞれ、マルチプレクサ３１０内の００チャンネル（００ｃｈ）～３９チャンネル（３９ｃｈ）に電気的に接続される。

＜３－５．第９の初期電圧検出期間＞
ステップ６０７（Ｓ６０７）に続くステップ６０９（Ｓ６０９）では、検出装置１０はベースラインスキャン８を実行する。ベースラインスキャン８では、検出対象物４９０の無い非存在状態において、図３３に示すユニット８（ｕｎｉｔ８）の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して初期信号Ｖｉｎｉ１及び初期信号Ｖｉｎｉ２が生成される。ユニット８は、ユニット０に対して、それぞれの近接センサＨＳの座標が、検出電極１８０の１列分左にシフトし、検出電極１８０の１行分下にシフトしている。例えば、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，２）、及び（１，３）の２個の検出電極１８０から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（１８，２）、（１８，３）、（１９，２）、及び（１９，３）の４個の検出電極１８０から構成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された初期出力信号Ｖｏｕｔｂとして、演算回路５００に送信される。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、ベースラインスキャン８を実行する期間は、第９の初期電圧検出期間と呼ばれ、第９の初期電圧検出期間で生成される初期出力信号Ｖｏｕｔｂは第９の初期電圧と呼ばれる。

図３３に示すように、ユニット８では、近接センサＨＳＨは、検出電極１８０の座標（１、１）～（２０，１）、及び（２０，２）～（２０，８）から構成される。第９の初期電圧検出期間において、近接センサＨＳＨは、交流矩形波Ｖｓｉｇを供給されるが、マルチプレクサ３１０内のチャンネルには接続されない。近接センサＨＳＨに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＨに対応する初期信号Ｖｉｎｉ１または初期信号Ｖｉｎｉ２は生成されない。

図３３に示すように、ユニット８では、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，２）、及び（１，３）から構成され、近接センサＨＳ（１，２）は検出電極１８０の座標（１，４）、及び（１，５）から構成され、近接センサＨＳ（１，３）は検出電極１８０の座標（１，６）、及び（１，７）から構成され、近接センサＨＳ（１，４）は検出電極１８０の座標（１，８）から構成され、近接センサＨＳ（２，１）は検出電極１８０の座標（２，２）、（２，３）、（３，２）、及び（３，３）から構成され、近接センサＨＳ（２，２）は検出電極１８０の座標（２，４）、（２，５）、（３，４）、及び（３，５）から構成され、近接センサＨＳ（２，３）は検出電極１８０の座標（２，６）、（２，７）、（３，６）、及び（３，７）から構成され、近接センサＨＳ（２，４）は検出電極１８０の座標（２，８）、及び（３，８）から構成され、近接センサＨＳ（３，１）は検出電極１８０の座標（４，２）、（４，３）、（５，２）、及び（５，３）から構成され、近接センサＨＳ（３，２）は検出電極１８０の座標（４，４）、（４，５）、（５，４）、及び（５，５）から構成され、近接センサＨＳ（３，３）は検出電極１８０の座標（４，６）、（４，７）、（５，６）、及び（５，７）から構成され、近接センサＨＳ（３，４）は検出電極１８０の座標（４，８）、及び（５，８）から構成され、近接センサＨＳ（４，１）は検出電極１８０の座標（６，２）、（６，３）、（７，２）、及び（７，３）から構成され、近接センサＨＳ（４，２）は検出電極１８０の座標（６，４）、（６，５）、（７，４）、及び（７，５）から構成され、近接センサＨＳ（４，３）は検出電極１８０の座標（６，６）、（６，７）、（７，６）、及び（７，７）から構成され、近接センサＨＳ（４，４）は検出電極１８０の座標（６，８）、及び（７，８）から構成され、近接センサＨＳ（５，１）は検出電極１８０の座標（８，２）、（８，３）、（９，２）、及び（９，３）から構成され、近接センサＨＳ（５，２）は検出電極１８０の座標（８，４）、（８，５）、（９，４）、及び（９，５）から構成され、近接センサＨＳ（５，３）は検出電極１８０の座標（８，６）、（８，７）、（９，６）、及び（９，７）から構成され、近接センサＨＳ（５，４）は検出電極１８０の座標（８，８）、及び（９，８）から構成され、近接センサＨＳ（６，１）は検出電極１８０の座標（１０，２）、（１０，３）、（１１，２）、及び（１１，３）から構成され、近接センサＨＳ（６，２）は検出電極１８０の座標（１０，４）、（１０，５）、（１１，４）、及び（１１，５）から構成され、近接センサＨＳ（６，３）は検出電極１８０の座標（１０，６）、（１０，７）、（１１，６）、及び（１１，７）から構成され、近接センサＨＳ（６，４）は検出電極１８０の座標（１０，８）、及び（１１，８）から構成され、近接センサＨＳ（７，１）は検出電極１８０の座標（１２，２）、（１２，３）、（１３，２）、及び（１３，３）から構成され、近接センサＨＳ（７，２）は検出電極１８０の座標（１２，４）、（１２，５）、（１３，４）、及び（１３，５）から構成され、近接センサＨＳ（７，３）は検出電極１８０の座標（１２，６）、（１２，７）、（１３，６）、及び（１３，７）から構成され、近接センサＨＳ（７，４）は検出電極１８０の座標（１２，８）、及び（１３，８）から構成され、近接センサＨＳ（８，１）は検出電極１８０の座標（１４，２）、（１４，３）、（１５，２）、及び（１５，３）から構成され、近接センサＨＳ（８，２）は検出電極１８０の座標（１４，４）、（１４，５）、（１５，４）、及び（１５，５）から構成され、近接センサＨＳ（８，３）は検出電極１８０の座標（１４，６）、（１４，７）、（１５，６）、及び（１５，７）から構成され、近接センサＨＳ（８，４）は検出電極１８０の座標（１４，８）、及び（１５，８）から構成され、近接センサＨＳ（９，１）は検出電極１８０の座標（１６，２）、（１６，３）、（１７，２）、及び（１７，３）から構成され、近接センサＨＳ（９，２）は検出電極１８０の座標（１６，４）、（１６，５）、（１７，４）、及び（１７，５）から構成され、近接センサＨＳ（９，３）は検出電極１８０の座標（１６，６）、（１６，７）、（１７，６）、及び（１７，７）から構成され、近接センサＨＳ（９，４）は検出電極１８０の座標（１６，８）、及び（１７，８）から構成され、近接センサＨＳ（１０，１）は検出電極１８０の座標（１８，２）、（１８，３）、（１９，２）、及び（１９，３）から構成され、近接センサＨＳ（１０，２）は検出電極１８０の座標（１８，４）、（１８，５）、（１９，４）、及び（１９，５）から構成され、近接センサＨＳ（１０，３）は検出電極１８０の座標（１８，６）、（１８，７）、（１９，６）、及び（１９，７）から構成され、近接センサＨＳ（１０，４）は検出電極１８０の座標（１８，８）、及び（１９，８）から構成される。

ユニット０と同様に、近接センサＨＳ（１，１）～ＨＳ（１０，４）はそれぞれ、マルチプレクサ３１０内の００チャンネル（００ｃｈ）～３９チャンネル（３９ｃｈ）に電気的に接続される。

＜３－６．第１の検出電圧検出期間～第４の検出電圧検出期間＞
図２８に示すように、ステップ６０９（Ｓ６０９）に続くステップ４０９（Ｓ４０９）では、検出装置１０はバンドルスキャン０を実行する。バンドルスキャン０は、第１の検出電圧検出期間において実行される。ステップ４０９（Ｓ４０９）に続くステップ４１７（Ｓ４１７）～ステップ４３３（Ｓ４３３）では、検出装置１０はバンドルスキャン１～バンドルスキャン３を実行する。バンドルスキャン１～バンドルスキャン３は、第２の検出電圧検出期間～第４の検出電圧検出期間において実行される。ステップ４１７（Ｓ４１７）～ステップ４３３（Ｓ４３３）の駆動方法に係る構成及び機能は、第１実施形態と同様であるから、ここでの説明は省略される。

＜３－７．第５の検出電圧検出期間＞
ステップ４３３（Ｓ４３３）に続くステップ６１１（Ｓ６１１）では、検出装置１０はバンドルスキャン４を実行する。バンドルスキャン４では、検出対象物４９０の有る存在状態において、図２９に示すユニット４の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して検出信号Ｖｄｅｔ１及び検出信号Ｖｄｅｔ２が生成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔとして、演算回路５００に送信される。このとき、例えば、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔは、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されてもよい。そののち、演算回路５００は、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、当該記憶装置から、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを受信（読み出し）してもよい。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、バンドルスキャン４を実行する期間は、第５の検出電圧検出期間と呼ばれ、第５の検出電圧検出期間で生成される出力信号Ｖｏｕｔは第５の検出電圧と呼ばれ、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された複数の第５の検出電圧は、まとめて、第５の検出データＲＤ４と呼ばれる。

演算回路５００は、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン４における検出対象物４９０の座標（ｙ４，ｘ４）を算出する。座標の算出方法は、例えば、図１６～１９を用いて説明した方法と同様の方法を用いることができる。

＜３－８．第６の検出電圧検出期間＞
ステップ６１１（Ｓ６１１）に続くステップ６１３（Ｓ６１３）では、検出装置１０はバンドルスキャン５を実行する。バンドルスキャン５では、検出対象物４９０の有る存在状態において、図３０に示すユニット５の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して検出信号Ｖｄｅｔ１及び検出信号Ｖｄｅｔ２が生成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔとして、演算回路５００に送信される。このとき、例えば、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔは、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されてもよい。そののち、演算回路５００は、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、当該記憶装置から、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを受信（読み出し）してもよい。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、バンドルスキャン５を実行する期間は、第６の検出電圧検出期間と呼ばれ、第６の検出電圧検出期間で生成される出力信号Ｖｏｕｔは第６の検出電圧と呼ばれ、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された複数の第６の検出電圧は、まとめて、第６の検出データＲＤ５と呼ばれる。

演算回路５００は、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン５における検出対象物４９０の座標（ｙ５，ｘ５）を算出する。座標の算出方法は、例えば、図１６～１９を用いて説明した方法と同様の方法を用いることができる。

＜３－９．第７の検出電圧検出期間＞
ステップ６１３（Ｓ６１３）に続くステップ６１５（Ｓ６１５）では、検出装置１０はバンドルスキャン６を実行する。バンドルスキャン６では、検出対象物４９０の有る存在状態において、図３１に示すユニット６の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して検出信号Ｖｄｅｔ１及び検出信号Ｖｄｅｔ２が生成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔとして、演算回路５００に送信される。このとき、例えば、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔは、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されてもよい。そののち、演算回路５００は、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、当該記憶装置から、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを受信（読み出し）してもよい。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、バンドルスキャン６を実行する期間は、第７の検出電圧検出期間と呼ばれ、第７の検出電圧検出期間で生成される出力信号Ｖｏｕｔは第７の検出電圧と呼ばれ、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された複数の第７の検出電圧は、まとめて、第７の検出データＲＤ６と呼ばれる。

演算回路５００は、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン６における検出対象物４９０の座標（ｙ６，ｘ６）を算出する。座標の算出方法は、例えば、図１６～１９を用いて説明した方法と同様の方法を用いることができる。

＜３－１０．第８の検出電圧検出期間＞
ステップ６１５（Ｓ６１５）に続くステップ６１７（Ｓ６１７）では、検出装置１０はバンドルスキャン７を実行する。バンドルスキャン７では、検出対象物４９０の有る存在状態において、図３２に示すユニット７の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して検出信号Ｖｄｅｔ１及び検出信号Ｖｄｅｔ２が生成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔとして、演算回路５００に送信される。このとき、例えば、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔは、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されてもよい。そののち、演算回路５００は、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、当該記憶装置から、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを受信（読み出し）してもよい。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、バンドルスキャン７を実行する期間は、第８の検出電圧検出期間と呼ばれ、第８の検出電圧検出期間で生成される出力信号Ｖｏｕｔは第８の検出電圧と呼ばれ、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された複数の第８の検出電圧は、まとめて、第８の検出データＲＤ７と呼ばれる。

演算回路５００は、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン７における検出対象物４９０の座標（ｙ７，ｘ７）を算出する。座標の算出方法は、例えば、図１６～１９を用いて説明した方法と同様の方法を用いることができる。

＜３－１１．第９の検出電圧検出期間＞
ステップ６１７（Ｓ６１７）に続くステップ６１９（Ｓ６１９）では、検出装置１０はバンドルスキャン８を実行する。バンドルスキャン８では、検出対象物４９０の有る存在状態において、図３３に示すユニット８の構成を用いて、それぞれの近接センサＨＳに対して検出信号Ｖｄｅｔ１及び検出信号Ｖｄｅｔ２が生成される。

＜１－３．自己静電容量方式における電圧の変化の検出の一例＞において説明したように、検出信号Ｖｄｅｔ１または検出信号Ｖｄｅｔ２は、増幅回路４１５において増幅され、ＡＤ変換回路４２０においてデジタル信号に変換され、信号処理回路４３０において信号処理されたのち、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔとして、演算回路５００に送信される。このとき、例えば、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔは、信号処理回路４３０に含まれる記憶装置に一時的に格納されてもよい。そののち、演算回路５００は、検出回路４００から供給される制御信号Ｈｉｎｔに同期して、当該記憶装置から、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを受信（読み出し）してもよい。本発明の一実施形態に係る検出装置１０の駆動方法では、バンドルスキャン８を実行する期間は、第９の検出電圧検出期間と呼ばれ、第９の検出電圧検出期間で生成される出力信号Ｖｏｕｔは第９の検出電圧と呼ばれ、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された複数の第９の検出電圧は、まとめて、第９の検出データＲＤ８と呼ばれる。

演算回路５００は、それぞれの近接センサＨＳに対して生成された出力信号Ｖｏｕｔを用いて、バンドルスキャン８における検出対象物４９０の座標（ｙ８，ｘ８）を算出する。座標の算出方法は、例えば、図１６～１９を用いて説明した方法と同様の方法を用いることができる。

演算回路５００は、バンドルスキャン０における検出対象物４９０の座標（ｙ０，ｘ０）、バンドルスキャン１における検出対象物４９０の座標（ｙ１，ｘ１）、バンドルスキャン２における検出対象物４９０の座標（ｙ２，ｘ２）、バンドルスキャン３における検出対象物４９０の座標（ｙ３，ｘ３）、バンドルスキャン４における検出対象物４９０の座標（ｙ４，ｘ４）、バンドルスキャン５における検出対象物４９０の座標（ｙ５，ｘ５）、バンドルスキャン６における検出対象物４９０の座標（ｙ６，ｘ６）、バンドルスキャン７における検出対象物４９０の座標（ｙ７，ｘ７）、及びバンドルスキャン８における検出対象物４９０の座標（ｙ８，ｘ８）を用いて、検出対象物４９０の位置座標（Ｙ、Ｘ）を算出する。

演算回路５００は、ステップ６１９（Ｓ６１９）が終了すると、ステップ４０９（Ｓ４０９）～ステップ６１９（Ｓ６１９）を繰り返し実行する。演算回路５００は、繰り返し実行されるステップ４０９（Ｓ４０９）～ステップ６１９（Ｓ６１９）のそれぞれにおいて検出される出力信号Ｖｏｕｔを送信される。

なお、第５の初期電圧検出期間と同様に第５の検出電圧検出期間においても、近接センサＨＳＤに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＤに対応する検出信号Ｖｄｅｔは生成されない。第６の初期電圧検出期間と同様に第６の検出電圧検出期間においても、近接センサＨＳＥに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＥに対応する検出信号Ｖｄｅｔは生成されない。第７の初期電圧検出期間と同様に第７の検出電圧検出期間においても、近接センサＨＳＦに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＦに対応する検出信号Ｖｄｅｔは生成されない。第８の初期電圧検出期間と同様に第８の検出電圧検出期間においても、近接センサＨＳＧに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＧに対応する検出信号Ｖｄｅｔは生成されない。第９の初期電圧検出期間と同様に第９の検出電圧検出期間においても、近接センサＨＳＨに対する交流矩形波Ｖｓｉｇに応じた電流の変動は、電圧の変動に変換されず、近接センサＨＳＨに対応する検出信号Ｖｄｅｔは生成されない。

以上説明した通り、本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、第１の初期電圧検出期間、第２の初期電圧検出期間、第３の初期電圧検出期間、第４の初期電圧検出期間、第５の初期電圧検出期間、第６の初期電圧検出期間、第７の初期電圧検出期間、第８の初期電圧検出期間、第９の初期電圧検出期間、第１の検出電圧検出期間、第２の検出電圧検出期間、第３の検出電圧検出期間、第４の検出電圧検出期間、第５の検出電圧検出期間、第６の検出電圧検出期間、第７の検出電圧検出期間、第８の検出電圧検出期間、及び第９の検出電圧検出期間は連続して出現する。すなわち、本発明の一実施形態に係る検出装置１０では、複数の検出期間は連続して出現し、本発明の一実施形態に係る検出装置１０は、複数の検出期間の連続において、検出期間ごとに、行方向に１行、又は、列方向に１列、当該検出単位に含まれる検出電極を異ならせるように、各近接センサ、制御回路２００、電極選択回路３００、検出回路４００、演算回路５００などを制御する。

＜３－１２．検出電極１８０のサイズ比＞
図３４は、バンドルスキャン（バンドルスキャン番号（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．））に対する、近接センサＨＳの電極比を示す図である。図３４に示すように、検出装置１０では、各バンドルスキャンのユニット（ｕｎｉｔ）の四隅の近接センサＨＳの電極比は、バンドルスキャンによって異なる。四隅の近接センサは、近接センサＨＳ（１，１）、近接センサＨＳ（１，４）、近接センサＨＳ（１０，１）、及び近接センサＨＳ（１０，４）である。

本実施形態に係る検出装置１０において、近接センサＨＳの電極比とは、バンドルスキャン０のユニット０の四隅のそれぞれの近接センサＨＳに含まれる検出電極１８０の数に対する各バンドルスキャンのユニットの四隅のそれぞれの近接センサＨＳに含まれる検出電極１８０の数である。具体的には、バンドルスキャン０のユニット０の四隅の近接センサの数を１としたときの、各バンドルスキャンのユニットの四隅のそれぞれの近接センサＨＳに含まれる検出電極１８０の数である。

例えば、バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，１）に含まれる検出電極１８０の数は４である。バンドルスキャン０のユニット０では、近接センサＨＳ（１，１）に含まれる検出電極１８０の数は４である。よって、バンドルスキャン１の近接センサＨＳ（１，１）の電極比は１である。バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，４）に含まれる検出電極１８０の数は２である。よって、バンドルスキャン１の近接センサＨＳ（１，４）の電極比は１／２である。

なお、バンドルスキャン０のユニット０では、近接センサＨＳ（ｍ，ｎ）に含まれる検出電極１８０の数は４である。

バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，１）に含まれる検出電極１８０の数は４であり、近接センサＨＳ（１，４）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１０，１）に含まれる検出電極１８０の数は４であり、近接センサＨＳ（１０，４）に含まれる検出電極１８０の数は２である。よって、バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，１）の電極比は１であり、近接センサＨＳ（１，４）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１０，１）の電極比は１であり、近接センサＨＳ（１０，４）の電極比は１／２である。

バンドルスキャン２（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．２）のユニット２では、近接センサＨＳ（１，１）に含まれる検出電極１８０の数は４であり、近接センサＨＳ（１，４）に含まれる検出電極１８０の数は４であり、近接センサＨＳ（１０，１）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１０，４）に含まれる検出電極１８０の数は２である。よって、バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，１）の電極比は１であり、近接センサＨＳ（１，４）の電極比は１であり、近接センサＨＳ（１０，１）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１０，４）の電極比は１／２である。

バンドルスキャン３（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．３）のユニット３では、近接センサＨＳ（１，１）に含まれる検出電極１８０の数は４であり、近接センサＨＳ（１，４）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１０，１）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１０，４）に含まれる検出電極１８０の数は１である。よって、バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，１）の電極比は１であり、近接センサＨＳ（１，４）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１０，１）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１０，４）の電極比は１／４である。

バンドルスキャン４（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．４）のユニット４では、近接センサＨＳ（１，１）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１，４）に含まれる検出電極１８０の数は４であり、近接センサＨＳ（１０，１）に含まれる検出電極１８０の数は１であり、近接センサＨＳ（１０，４）に含まれる検出電極１８０の数は２である。よって、バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，１）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１，４）の電極比は１であり、近接センサＨＳ（１０，１）の電極比は１／４であり、近接センサＨＳ（１０，４）の電極比は１である。

バンドルスキャン５（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．５）のユニット５では、近接センサＨＳ（１，１）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１，４）に含まれる検出電極１８０の数は４であり、近接センサＨＳ（１０，１）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１０，４）に含まれる検出電極１８０の数は４である。よって、バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，１）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１，４）の電極比は１であり、近接センサＨＳ（１０，１）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１０，４）の電極比は１である。

バンドルスキャン６（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．６）のユニット６では、近接センサＨＳ（１，１）に含まれる検出電極１８０の数は１であり、近接センサＨＳ（１，４）に含まれる検出電極１８０の数は４であり、近接センサＨＳ（１０，１）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１０，４）に含まれる検出電極１８０の数は４である。よって、バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，１）の電極比は１／４であり、近接センサＨＳ（１，４）の電極比は１であり、近接センサＨＳ（１０，１）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１０，４）の電極比は１である。

バンドルスキャン７（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．７）のユニット７では、近接センサＨＳ（１，１）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１，４）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１０，１）に含まれる検出電極１８０の数は４であり、近接センサＨＳ（１０，４）に含まれる検出電極１８０の数は４である。よって、バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，１）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１，４）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１０，１）の電極比は１であり、近接センサＨＳ（１０，４）の電極比は１である。

バンドルスキャン８（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．８）のユニット８では、近接センサＨＳ（１，１）に含まれる検出電極１８０の数は２であり、近接センサＨＳ（１，４）に含まれる検出電極１８０の数は１であり、近接センサＨＳ（１０，１）に含まれる検出電極１８０の数は４であり、近接センサＨＳ（１０，４）に含まれる検出電極１８０の数は２である。よって、バンドルスキャン１（Ｂａｎｄｌｅ Ｓｃａｎ Ｎｏ．１）のユニット１では、近接センサＨＳ（１，１）の電極比は１／２であり、近接センサＨＳ（１，４）の電極比は１／４であり、近接センサＨＳ（１０，１）の電極比は１であり、近接センサＨＳ（１０，４）の電極比は１／２である。

本発明の第３実施形態に係る検出装置１０では、各バンドルスキャンのユニット（ｕｎｉｔ）の四隅の近接センサＨＳにおいて、電極比が１／２の場合、電極比が１／２の検出電極１８０に供給される交流矩形波Ｖｓｉｇの振幅は電極比が１の検出電極１８０に供給される交流矩形波Ｖｓｉｇの振幅の２倍に補正され、電極比が１／４の場合、電極比が１／４の検出電極１８０に供給される交流矩形波Ｖｓｉｇの振幅は電極比が１の検出電極１８０に供給される交流矩形波Ｖｓｉｇの振幅の４倍に補正される。本発明の第３実施形態に係る検出装置１０では、四隅の近接センサＨＳの異なる電極比の電極に供給される矩形波の振幅を補正することによって、補正された検出信号を用いて検出対象物４９０の位置座標（Ｙ、Ｘ）検出することができる。その結果、検出対象物４９０の有る存在状態に対して、検出装置１０の四隅の検出精度を改善することができる。

＜４．第４実施形態＞
本発明の第４実施形態に係る検出装置１０では、第１実施形態に係る検出装置１０に対して、近接センサＨＳが、１６個（係数ｋ＝１６）の検出電極１８０から構成される。本発明の第４実施形態に係る検出装置１０では、それ以外の構成、及び機能は、第１実施形態に係る検出装置１０と同様であるから、ここでの説明は省略される。図３５は、本発明の第４実施形態に係る検出装置１０の近接センサ部１２４、電極選択回路３００、及び検出回路４００の構成を示す模式的な平面図である。図３５に示される検出装置１０の駆動方法は一例であって、検出装置１０の駆動方法は、図３５に示される構成に限定されない。図１～図３４と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。

図３５に示すように、近接センサＨＳは１６個の検出電極１８０から構成される。複数の近接センサＨＳは、５×２個（５列２行、Ｍ＝５、Ｎ＝２）配置されている。第１実施形態と同様に第４実施形態においても、複数の検出電極１８０のそれぞれの座標は（ｍ，ｎ）で表され、説明の便宜のため、座標の記載は最小限の記載にとどめている。

図３５に示すように、近接センサＨＳ（１，１）は検出電極１８０の座標（１，１）、（１，２）、（１，３）、（１，４）、（２，１）、（２，２）、（２，３）、（２，４）、（３，１）、（３，２）、（３，３）、（３，４）、（４，１）、（４，２）、（４，３）、及び（４，４）から構成され、近接センサＨＳ（１，２）は検出電極１８０の座標（１，５）、（１，６）、（１，７）、（１，８）、（２，５）、（２，６）、（２，７）、（２，８）（３，５）、（３，６）、（３，７）、（３，８）、（４，５）、（４，６）、（４，７）、及び（４，８）から構成され、近接センサＨＳ（２，１）は検出電極１８０の座標（５，１）、（５，２）、（５，３）、（５，４）、（６，１）、（６，２）、（６，３）、（６，４）、（７，１）、（７，２）、（７，３）、（７，４）、（８，１）、（８，２）、（８，３）、及び（８，４）から構成され、近接センサＨＳ（２，２）は検出電極１８０の座標（５，５）、（５，６）、（５，７）、（５，８）、（６，５）、（６，６）、（６，７）、（６，８）（７，５）、（７，６）、（７，７）、（７，８）、（８，５）、（８，６）、（８，７）、及び（８，８）から構成され、近接センサＨＳ（３，１）は検出電極１８０の座標（９，１）、（９，２）、（９，３）、（９，４）、（１０，１）、（１０，２）、（１０，３）、（１０，４）、（１１，１）、（１１，２）、（１１，３）、（１１，４）、（１２，１）、（１２，２）、（１２，３）、及び（１２，４）から構成され、近接センサＨＳ（３，２）は検出電極１８０の座標（９，５）、（９，６）、（９，７）、（９，８）、（１０，５）、（１０，６）、（１０，７）、（１０，８）、（１１，５）、（１１，６）、（１１，７）、（１１，８）、（１２，５）、（１２，６）、（１２，７）、及び（１２，８）から構成され、近接センサＨＳ（４，１）は検出電極１８０の座標（１３，１）、（１３，２）、（１３，３）、（１３，４）、（１４，１）、（１４，２）、（１４，３）、（１４，４）、（１５，１）、（１５，２）、（１５，３）、（１５，４）、（１６，１）、（１６，２）、（１６，３）、及び（１６，４）から構成され、近接センサＨＳ（４，２）は検出電極１８０の座標（１３，５）、（１３，６）、（１３，７）、（１３，８）、（１４，５）、（１４，６）、（１４，７）、（１４，８）、（１５，５）、（１５，６）、（１５，７）、（１５，８）、（１６，５）、（１６，６）、（１６，７）、及び（１６，８）から構成され、近接センサＨＳ（５，１）は検出電極１８０の座標（１７，１）、（１７，２）、（１７，３）、（１７，４）、（１８，１）、（１８，２）、（１８，３）、（１８，４）、（１９，１）、（１９，２）、（１９，３）、（１９，４）、（２０，１）、（２０，２）、（２０，３）、及び（２０，４）から構成され、近接センサＨＳ（５，２）は検出電極１８０の座標（１７，５）、（１７，６）、（１７，７）、（１７，８）、（１８，５）、（１８，６）、（１８，７）、（１８，８）、（１９，５）、（１９，６）、（１９，７）、（１９，８）、（２０，５）、（２０，６）、（２０，７）、及び（２０，８）から構成される。

本発明の第４実施形態に係る検出装置１０では、マルチプレクサ３１０は、５×２個のチャンネル００（００ｃｈ）～チャンネル０９（０９ｃｈ）を有する。近接センサＨＳ（１，１）はマルチプレクサ３１０内の００チャンネル（００ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（１，２）はマルチプレクサ３１０内の０１チャンネル（０１ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（２，１）はマルチプレクサ３１０内の０２チャンネル（０２ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（２，２）はマルチプレクサ３１０内の０３チャンネル（０３ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（３，１）はマルチプレクサ３１０内の０４チャンネル（０５ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（３，２）はマルチプレクサ３１０内の０５チャンネル（０５ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（４，１）はマルチプレクサ３１０内の０６チャンネル（０６ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（４，２）はマルチプレクサ３１０内の０７チャンネル（０７ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（５，１）はマルチプレクサ３１０内の０８チャンネル（０８ｃｈ）に電気的に接続され、近接センサＨＳ（５，２）はマルチプレクサ３１０内の０９チャンネル（０９ｃｈ）に電気的に接続される。

本発明の第４実施形態に係る検出装置１０の駆動方法は、第１実施形態～第３実施形態に係る駆動方法において、４個の検出電極１８０から構成される近接センサＨＳを、１６個の検出電極１８０から構成される接センサＨＳに変更した場合と同様の駆動方法を用いることができる。

本発明の第４実施形態に係る検出装置１０では、近接センサＨＳを構成する検出電極１８０の数を増やすことで、マルチプレクサ３１０のチャネル数を減らすことができる。

＜５．第５実施形態＞
本発明の第５実施形態に係る検出装置１０では、第１実施形態に係る検出装置１０において説明したように、検出電極１８０を複数個束ねて駆動するバンドルスキャン、及び、検出電極１８０のそれぞれを個別にスキャンする個別スキャンが可能な構成を説明する。本発明の第５実施形態に係る検出装置１０では、それ以外の構成、及び機能は、第１実施形態に係る検出装置１０と同様であるから、ここでの説明は省略される。図３６は、本発明の第５実施形態に係る検出装置１０の近接センサ部１２４、電極選択回路３００、及び検出回路４００の構成を示す模式的な平面図である。図３６に示される検出装置１０の駆動方法は一例であって、検出装置１０の駆動方法は、図３６に示される構成に限定されない。図１～図３５と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。なお、第１実施形態と同様に第５実施形態においても、複数の検出電極１８０のそれぞれの座標は（ｍ，ｎ）で表され、説明の便宜のため、座標の記載は最小限の記載にとどめている。

第５実施形態に係る検出装置１０では、個別スキャンを可能とするべく、一例として、図３６に示すように、複数の近接センサＨＳは、２０×８個（２０列８行、Ｍ＝２０、Ｎ＝８）配置され、複数の近接センサＨＳは検出電極に１：１で対応し、近接センサＨＳの座標は、検出電極１８０の座標と１：１で対応する。また、マルチプレクサ３１０は、２０×８個（２０列８行、Ｍ＝２０、Ｎ＝８）のチャンネル０００（０００ｃｈ）～チャンネル１５９（１５９ｃｈ）を有し、チャンネル０００～チャンネル１５９のそれぞれは、検出信号増幅回路４１０に含まれる増幅回路４１５に１：１で電気的に接続される。すなわち、近接センサＨＳ及び検出電極と同様に、近接センサＨＳ、検出電極、チャンネル及び増幅回路４１５は、それぞれ１：１で対応する。例えば、近接センサ部１２４の１列目の近接センサＨＳ（１，１）は、座標（１，１）の検出電極１８０から構成され、チャンネル０００（０００ｃｈ）に電気的に接続され、チャンネル０００（０００ｃｈ）はチャンネル０００に対応した増幅回路４１５に電気的に接続される。同様にして、近接センサＨＳ（２０，８）は、座標（１，１）の検出電極１８０から構成され、チャンネル１５９（１５９ｃｈ）に電気的に接続され、チャンネル１５９（１５９ｃｈ）はチャンネル１５９に対応した増幅回路４１５に電気的に接続される。

また、第５実施形態に係る検出装置１０では、第１実施形態と同様に、複数の検出電極１８０を束ねて駆動するバンドルスキャンを実行することが可能である。第５実施形態に係る検出装置１０において、例えば、４個の検出電極１８０を束ねて駆動するバンドルスキャンを実行する場合、マルチプレクサ３１０に含まれるスイッチの接続が切り替えられ、第１実施形態と同様に４個の検出電極１８０が１つの増幅回路４１５に電気的に接続されるように制御される。

例えば、第５実施形態に係る検出装置１０では、図２または図３に示される検出タイミング制御回路４４０から電極選択回路３００、検出信号増幅回路４１０、ＡＤ変換回路４２０及び信号制御回路４３０へスイッチ制御信号（図示は省略）が送信され、マルチプレクサ３１０に含まれるスイッチを用いて、座標（１，１）、（１，２）、（２，１）及び（２，２）に電気的に接続されたチャンネル０００（０００ｃｈ）、００１（００１ｃｈ）、００８（００８ｃｈ）及び００９（００９ｃｈ）が、１つの増幅回路４１５（例えば、チャンネル０００（０００ｃｈ）に対応した増幅回路４１５）に電気的に接続されるように切り替えることができる。

本発明の第５実施形態に係る検出装置１０の駆動方法は、第１実施形態～第３実施形態に係る駆動方法において、４個の検出電極１８０から構成される近接センサＨＳを、１個の検出電極１８０から構成される接センサＨＳに変更した場合と同様の駆動方法を用いることができる。

本発明の第５実施形態に係る検出装置１０では、近接センサＨＳと検出電極１８０が１：１で対応し、近接センサ部１２４が高精細に形成される。よって、粗い近接センサ部の構成が粗い場合と比較して、本発明の第５実施形態に係る検出装置１０は、検出装置１０の中央及び四隅において、検出対象物４９０の座標を、さらに精度よく検出することができる。

＜６．第６実施形態＞
本発明の第６実施形態に係る検出装置７００は、第１実施形態に係る検出装置７００に対して、表示に関連する構成及び機能を含んでいない。それ以外の構成、及び機能は、第１実施形態に係る検出装置１０と同様であるから、ここでの説明は省略される。図３７は、本発明の第６実施形態に係る検出装置７００の構成を示す模式的な平面図である。図３８は、本発明の第６実施形態に係る検出装置７００が有する機能構成を示す平面図である。図３９は、本発明の一実施形態に係る検出装置７００の模式的な端部断面図である。図３７～図３９に示される検出装置７００の駆動方法は一例であって、検出装置７００の駆動方法は、図３７～図３９に示される構成に限定されない。図１～図３６と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。

図３７に示すように、検出装置７００は、フレキシブルプリント基板１５０、電極選択回路３００、検出回路４００、演算回路５００、及び検出パネル７１０を有する。検出パネル７１０、及び演算回路５００は、フレキシブルプリント基板１５０を用いて、電気的に接続される。検出回路４００はフレキシブルプリント基板１５０上に設けられる。

検出パネル７１０は、基板２０、カバー層１００、近接センサ部１２４、制御回路２００、配線２１０、配線２１２、配線２１３、配線２１４、配線２１６、及び電極選択回路３００を有する。

検出パネル７１０は、第１実施形態に係る表示パネル６００に対して、表示に関連する構成及び機能を除いた構成及び機能を備える。検出パネル７１０において、表示に関連する構成及び機能以外の構成及び機能は、第１実施形態に係る表示パネル６００と同様であるから、ここでの説明は省略される。

カバー層１００は、検出電極層３０を保護し、検出電極１８０、及び無機膜４２の破損を抑制する。カバー層１００は、例えば、カバーガラスである。例えば、カバー層１００及び検出電極層４０は、カバー層１００と検出電極層３０の間に設けられる透明接着層（図示は省略）によって接着される。実施形態６に係る検出パネル７１０では、カバー層１００を有する例が示されるが、カバー層１００は検出パネル７１０の用途、仕様などに基づき、必要に応じて設けられる。近接センサ部１２４、配線２１３、配線２１４、及び配線２１６は、基板２０上に配置される。近接センサ部１２４には、複数の検出電極１８０が、左右方向（行方向、Ｘ方向）及び上下方向（列方向、Ｙ方向）にマトリクス状に配置される。複数の検出電極１８０のそれぞれは、配線２１４を用いて、電極選択回路３００に電気的に接続される。

図３８に示すように、制御回路２００は、駆動電極ドライバ１４を有する。制御回路２００は、第１実施形態に係る制御回路２００から、ゲートドライバ１２、及びソースドライバ１３に関連する構成及び機能を除いた構成及び機能を備える。駆動電極ドライバ１４は、電極選択回路３００を介して、検出パネル７１０の検出電極１８０に、制御信号Ｖｈｓを供給する回路である。

検出装置７００は、第１実施形態と同様の検出電極１８０の構成及び機能、近接センサＨＳの構成及び機能、電極選択回路３００の構成及び機能、検出回路４００の構成及び演算回路５００の構成及び機能を有する。また、検出装置７００は、第１実施形態と同様の駆動方法を用いて、近接検出動作を行うことができる。

図３９は、図３７に示されるＣ１とＣ２によって示される領域な端部断面図である。検出パネル７１０は、電極層１４０、基板２０、ＴＦＴアレイ層３０、検出電極層４０、及びカバー層１００を有する。

電極層１４０は、基板２０に対して、ＴＦＴアレイ層３０が設けられる面と反対側の面に設けられる。電極層１４０は、例えば、基板２０に形成される貫通電極（図示は省略）、または、フレキシブル基板（図示は省略）を用いて、検出回路４００、演算回路５００に電気的に接続される。検出装置７００の近接検出動作において、検出装置７００が、例えば、第１実施形態と同様のバンドルスキャン１（図１３）を実行するとき、近接センサＨＳＡ（図１３）には、交流矩形波Ｖｓｉｇを供給される。電極層１４０は、近接センサＨＳＡと同様の交流矩形波Ｖｓｉｇが供給される。電極層１４０は、検出装置７００の外部からの信号、または電場などを遮蔽することができる。その結果、検出装置７００は、検出対象物４９０の位置を精度よく検出することができる。

ＴＦＴアレイ層３０は、複数のトランジスタ１７０、容量素子、抵抗素子、及び配線を含む。ＴＦＴアレイ層３０は、基板２０の上に配置される。検出電極層４０は、無機膜４２、検出電極１８０、及び配線２１４を含む。検出電極層４０は、ＴＦＴアレイ層３０の上に配置される。検出電極１８０、及び配線２１４は同一層に配置され、検出電極１８０は配線２１４に接続される。電極選択回路３００、配線２１３、及び配線２１６は、ＴＦＴアレイ側の基板のＴＦＴアレイ層３０、接続配線層５０、及び検出電極層４０に設けられたトランジスタ、容量、抵抗、配線などを用いて形成される。対向基板１００が検出電極層４０の上に設けられる。

本発明の第６実施形態に係る検出装置７００は、第１実施形態と同様に、検出対象物４９０とカバー層１００の検出面１０２の接触状態及び非接触状態を検出し、検出対象物４９０の座標を算出し、検出対象物４９０の位置を精度よく算出することができる。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。

上述した検出装置及び検出装置の駆動方法の各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる別の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１０：検出装置、１２：ゲートドライバ、１３：ソースドライバ、１４：駆動電極ドライバ、２０：基板、３０：ＴＦＴアレイ層、３１：平坦化膜、３２：半導体膜、３３：ゲート絶縁膜、３５：層間膜、３９ａ：第１開口部、３９ｂ：第１開口部、４０：検出電極層、４２：有機膜、４７：有機絶縁膜、５０：接続配線層、５５：第１の接続配線、５６：第３開口部、５７：有機膜、６０：第１の配向膜、６２：画素電極、７０：液晶層、８０：第２の配向膜、９０：カラーフィルタ層、１００：対向基板、１０２：検出面、１０６：下地膜、１２２：表示部、１２４：近接センサ部、１２６：周辺部、１３８ａ：スリット、１４０：電極層、１５０：フレキシブルプリント基板、１７０：トランジスタ、１８０：検出電極、１９４：第２開口部、２００：制御回路、２１０：配線、２１２：配線、２１３：配線、２１４：配線、２１６：配線、２２０：画素、２２２：ソース配線、２２２ａ：ソース配線、２２２ｂ：ソース配線、２２４：ゲート配線、２３０：トランジスタ、２３２：ゲート電極、２３４：ソース電極、２３４ａ：ソース電極、２３４ｂ：ソース電極、２３６：ドレイン電極、２３８：保持容量、２４０：液晶素子、３００：電極選択回路、３１０：マルチプレクサ、４００：検出回路、４１０：検出信号増幅回路、４１４：アナログアンプ、４１５：増幅回路、４２０：変換回路、４３０：信号処理回路、４４０：検出タイミング制御回路、４９０：検出対象物、５００：演算回路、５１０：信号処理回路、５２０：座標算出回路、５３０：差分値算出回路、５４０：比較判定回路、６００：表示パネル、７００：検出装置、７１０：検出パネル

Claims (20)

1. 行方向及び列方向に配列され、近接する対象物を検出する複数の検出電極と、
   前記複数の検出電極のそれぞれに接続された複数の配線と、
   前記複数の配線と接続され、複数の検出期間によって前記複数の検出電極の電圧を検出する検出回路と、
   前記検出回路に接続され、前記検出回路が検出した前記複数の検出電極の電圧を用いて、前記近接する対象物の位置を算出する演算回路と、
   を有し、
   前記検出回路は、
   前記複数の検出電極の中から行方向及び列方向に相互に隣接する一組の検出電極を検出単位とし、
   前記複数の検出期間は連続して出現し、
   前記複数の検出期間の連続において、前記検出期間ごとに、行方向に１行、又は、列方向に１列、前記検出単位に含まれる前記検出電極を異ならせる、
   検出装置。
2. 前記複数の検出電極の中から行方向及び列方向に相互に隣接する一組の検出電極のうち、第１の一組の検出電極は、第１の電極、前記第１の電極に対して前記列方向に配置される第２の電極、前記第１の電極に対して前記列方向に交差する前記行方向に配置される第３の電極、及び、前記第２の電極に対して前記行方向に配置され、前記第３の電極に対して前記列方向に配置される第４の電極を含み、
   前記複数の検出期間は、第１の検出電圧検出期間、前記第１の検出電圧検出期間に続く第２の検出電圧検出期間、前記第２の検出電圧検出期間に続く第３の検出電圧検出期間、及び、前記第３の検出電圧検出期間に続く第４の検出電圧検出期間を含み、
   前記複数の検出電極の電圧は、
   前記第１の検出電圧検出期間において、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、及び前記第４の電極を用いて検出される第１の検出電圧、
   前記第２の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第２の電極、及び前記第４の電極を用いて検出される第２の検出電圧、
   前記第３の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第３の電極、及び前記第４の電極を用いて検出される第３の検出電圧、及び、
   前記第４の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第４の電極を用いて検出される第４の検出電圧を含み、
   前記演算回路は、少なくとも前記第１の検出電圧を用いて、前記対象物の位置を算出する、
   請求項１に記載の検出装置。
3. 前記演算回路は、前記第１の検出電圧、前記第２の検出電圧、前記第３の検出電圧、及び前記第４の検出電圧を用いて、前記対象物の位置を算出する、
   請求項２に記載の検出装置。
4. 前記検出回路は、
   前記第１の検出電圧検出期間より前の第１の初期電圧検出期間において、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、及び前記第４の電極を用いて、第１の初期電圧を検出し、
   前記演算回路は、
   前記第１の初期電圧及び前記第１の検出電圧を用いて、差分値を算出し、
   前記差分値を所定の閾値と比較し、前記対象物が近接しているか否かを判定する、
   請求項２に記載の検出装置。
5. 前記演算回路は、
   前記差分値が前記所定の閾値より大きいと、前記対象物が近接していると判定し、
   前記第１の検出電圧に応じて、前記第１の検出電圧検出期間の後に続く前記第２の検出電圧検出期間において、前記第２の検出電圧の検出を中断するか否かを判定する、
   請求項４に記載の検出装置。
6. 前記複数の検出電極の中から行方向及び列方向に相互に隣接する一組の検出電極のうち、前記第１の一組の検出電極に隣接する第２の一組の検出電極は、
   前記第３の電極に対して前記行方向に前記第１の電極と反対側に配置される第５の電極、
   前記第５の電極に対して前記列方向に配置され、前記第４の電極に対して前記列方向に前記第２の電極と反対側に配置される第６の電極、
   前記第５の電極に対して前記行方向に前記第３の電極と反対側に配置される第７の電極、及び、
   前記第６の電極に対して前記行方向に前記第４の電極と反対側に配置され、前記第７の電極に対して前記列方向に配置される第８の電極、
   を有する、
   請求項２に記載の検出装置。
7. 前記複数の検出電極の電圧は、
   前記第１の検出電圧検出期間において、前記第５の電極、前記第６の電極、前記第７の電極、及び前記第８の電極を用いて検出される第５の検出電圧、
   前記第２の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第６の電極、及び前記第８の電極を用いて検出される第６の検出電圧、
   前記第３の検出電圧検出期間において、前記第３の電極、前記第４の電極、前記第５の電極、及び前記第６の電極を用いて、前記第３の検出電圧を検出し、少なくとも前記第７の電極、及び前記第８の電極を用いて検出される第７の検出電圧、
   前記第４の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第４の電極、及び前記第６の電極を用いて検出される前記第４の検出電圧、及び、
   前記第４の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第８の電極を用いて検出される第８の検出電圧、
   を含み、
   前記演算回路は、
   少なくとも前記第１の検出電圧、及び前記第５の検出電圧、を用いて、前記対象物の位置を算出する、
   請求項６に記載の検出装置。
8. 前記演算回路は、前記第１の検出電圧、前記第２の検出電圧、前記第３の検出電圧、前記第４の検出電圧、前記第５の検出電圧、前記第６の検出電圧、前記第７の検出電圧、及び前記第８の検出電圧を用いて、前記対象物の位置を算出する、
   請求項７に記載の検出装置。
9. 前記検出回路は、
   前記第１の検出電圧検出期間より前の第１の初期電圧検出期間において、
   前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、及び前記第４の電極を用いて、第１の初期電圧を検出し、
   前記第５の電極、前記第６の電極、前記第７の電極、及び前記第８の電極を用いて、第５の初期電圧を検出し、
   前記演算回路は、
   前記第１の初期電圧及び前記第１の検出電圧を用いて、第１の差分値を算出し、
   前記第５の初期電圧及び前記第５の検出電圧を用いて、第５の差分値を算出し、
   前記第１の差分値及び前記第５の差分値を加算した値を、所定の閾値と比較し、前記対象物が近接しているか否かを判定する、
   請求項７に記載の検出装置。
10. 前記演算回路は、
    前記加算した値が前記所定の閾値より大きいと、前記対象物が近接していると判定し、
    前記第１の検出電圧及び前記第５の検出電圧に応じて、前記第１の検出電圧検出期間の後に続く前記第２の検出電圧検出期間において、前記第２の検出電圧の検出を中断するか否かを判定する、
    請求項９に記載の検出装置。
11. 行方向及び列方向に配列され、近接する対象物を検出する複数の検出電極と、前記複数の検出電極のそれぞれに接続された複数の配線と、前記複数の配線と接続される検出回路と、前記検出回路に接続される演算回路と、を有する検出装置の駆動方法であって、
    前記複数の検出電極の中から行方向及び列方向に相互に隣接する一組の検出電極を検出単位として、複数の検出期間によって前記複数の検出電極の電圧を検出し、
    前記検出した前記複数の検出電極の電圧を用いて、前記近接する対象物の位置を算出し、
    前記複数の検出期間は連続して出現し、
    前記複数の検出期間の連続において、前記検出期間ごとに、行方向に１行、又は、列方向に１列、前記検出単位に含まれる前記検出電極を異ならせる、
    検出装置の駆動方法。
12. 前記複数の検出電極の中から行方向及び列方向に相互に隣接する一組の検出電極のうち、第１の一組の検出電極は、第１の電極、前記第１の電極に対して前記列方向に配置される第２の電極、前記第１の電極に対して前記列方向に交差する前記行方向に配置される第３の電極、及び、前記第２の電極に対して前記行方向に配置され、前記第３の電極に対して前記列方向に配置される第４の電極を含み、
    第１の検出電圧検出期間において、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、及び前記第４の電極を用いて、第１の検出電圧を検出し、
    第２の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第２の電極、及び前記第４の電極を用いて、第２の検出電圧を検出し、
    第３の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第３の電極、及び前記第４の電極を用いて、第３の検出電圧を検出し、
    第４の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第４の電極を用いて、第４の検出電圧を検出し、
    少なくとも前記第１の検出電圧を用いて、前記対象物の位置を算出する、
    請求項１１に記載の検出装置の駆動方法。
13. 前記第１の検出電圧、前記第２の検出電圧、前記第３の検出電圧、及び前記第４の検出電圧を用いて、前記対象物の位置を算出する、
    請求項１２に記載の検出装置の駆動方法。
14. 前記第１の検出電圧検出期間より前の第１の初期電圧検出期間において、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、及び前記第４の電極を用いて、第１の初期電圧を検出し、
    前記第１の初期電圧及び前記第１の検出電圧を用いて、差分値を算出し、
    前記差分値を所定の閾値と比較し、前記対象物が近接しているか否かを判定する、
    請求項１２に記載の検出装置の駆動方法。
15. 前記差分値が前記所定の閾値より大きいと、前記対象物が近接していると判定し、
    前記第１の検出電圧に応じて、前記第１の検出電圧検出期間の後に続く前記第２の検出電圧検出期間において、前記第２の検出電圧の検出を中断するか否かを判定する、
    請求項１４に記載の検出装置の駆動方法。
16. 前記複数の検出電極の中から行方向及び列方向に相互に隣接する一組の検出電極のうち、前記第１の一組の検出電極に隣接する第２の一組の検出電極は、
    前記第３の電極に対して前記行方向に前記第１の電極と反対側に配置される第５の電極、前記第５の電極に対して前記列方向に配置され、前記第４の電極に対して前記列方向に前記第２の電極と反対側に配置される第６の電極、前記第５の電極に対して前記行方向に前記第３の電極と反対側に配置される第７の電極、及び、前記第６の電極に対して前記行方向に前記第４の電極と反対側に配置され、前記第７の電極に対して前記列方向に配置される第８の電極、
    を有する、
    請求項１２に記載の検出装置の駆動方法。
17. 前記第１の検出電圧検出期間において、前記第５の電極、前記第６の電極、前記第７の電極、及び前記第８の電極を用いて、第５の検出電圧を検出し、
    前記第２の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第６の電極、及び前記第８の電極を用いて、第６の検出電圧を検出し、
    前記第３の検出電圧検出期間において、前記第３の電極、前記第４の電極、前記第５の電極、及び前記第６の電極を用いて、前記第３の検出電圧を検出し、少なくとも前記第７の電極、及び前記第８の電極を用いて、第７の検出電圧を検出し、
    前記第４の検出電圧検出期間において、少なくとも前記第４の電極、及び前記第６の電極を用いて、前記第４の検出電圧を検出し、少なくとも前記第８の電極を用いて、第８の検出電圧を検出し、
    少なくとも前記第１の検出電圧、及び前記第５の検出電圧、を用いて、前記対象物の位置を算出する、
    請求項１６に記載の検出装置の駆動方法。
18. 前記第１の検出電圧、前記第２の検出電圧、前記第３の検出電圧、前記第４の検出電圧、前記第５の検出電圧、前記第６の検出電圧、前記第７の検出電圧、及び前記第８の検出電圧を用いて、前記対象物の位置を算出する、
    請求項１７に記載の検出装置の駆動方法。
19. 前記第１の検出電圧検出期間より前の第１の初期電圧検出期間において、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、及び前記第４の電極を用いて、第１の初期電圧を検出し、前記第５の電極、前記第６の電極、前記第７の電極、及び前記第８の電極を用いて、第５の初期電圧を検出し、
    前記第１の初期電圧及び前記第１の検出電圧を用いて、第１の差分値を算出し、
    前記第５の初期電圧及び前記第５の検出電圧を用いて、第５の差分値を算出し、
    前記第１の差分値及び前記第５の差分値を加算した値を、所定の閾値と比較し、前記対象物が近接しているか否かを判定する、
    請求項１７に記載の検出装置の駆動方法。
20. 前記加算した値が前記所定の閾値より大きいと、前記対象物が近接していると判定し、
    前記第１の検出電圧及び前記第５の検出電圧に応じて、前記第１の検出電圧検出期間の後に続く前記第２の検出電圧検出期間において、前記第２の検出電圧の検出を中断するか否かを判定する、
    請求項１９に記載の検出装置の駆動方法。
    

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