JP2023036214A - 処理液 - Google Patents

Abstract

【課題】 Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きく、ＴｉＮの溶解速度が大きい処理液を提供すること。【解決手段】 水と、カチオン性化合物と、カルボキシ基またはその塩を有する樹脂、スルホ基またはその塩を有する樹脂、亜リン酸基またはその塩を有する樹脂、および、リン酸基またはその塩を有する樹脂からなる群から選択されるアニオン性化合物と、酸化剤とを含み、ｐＨが７．０以下であり、砥粒を実質的に含まない、処理液。【選択図】なし

Description

本発明は、処理液に関する。

半導体製品の微細化が進む中で、半導体製造プロセス中における基板上の不要な金属含有物、および、レジスト等を除去する工程を、高効率かつ精度よく実施する需要が高まっている。

例えば、特許文献１では、酸化剤、エッチャント、防食剤、および、溶液を含む組成物であって、タングステン等を溶解せず、窒化チタンを選択的に除去するための組成物が開示されている。

米国第１０３９２５６０号公報

本発明者らは、上記特許文献に記載の組成物（処理液）について検討したところ、タングステン（Ｗ）の溶解速度に対する、窒化チタン（ＴｉＮ）の溶解速度の比が必ずしも十分でなく、また、ＴｉＮの溶解速度が十分でないことを知見した。

そこで本発明は、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きく、ＴｉＮの溶解速度が大きい処理液を提供することを課題とする。

本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成させるに至った。すなわち、以下の構成により上記課題が解決されることを見出した。

〔１〕水と、
カチオン性化合物と、
カルボキシ基またはその塩を有する樹脂、スルホ基またはその塩を有する樹脂、亜リン酸基またはその塩を有する樹脂、および、リン酸基またはその塩を有する樹脂からなる群から選択されるアニオン性化合物と、
酸化剤とを含み、
ｐＨが７．０以下であり、
砥粒を実質的に含まない、処理液。
〔２〕上記カチオン性化合物が、窒素原子を有する化合物を含む、〔１〕に記載の処理液。
〔３〕上記カチオン性化合物が、後述する式（１）～（４）で表される構造からなる群から選択される構造を有する化合物を含む、〔１〕または〔２〕に記載の処理液。
〔４〕上記カチオン性化合物が、後述する式（Ａ）～（Ｇ）で表される化合物からなる群から選択される化合物を含む、〔１〕～〔３〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔５〕上記カチオン性化合物が、後述する式（３－４）で表される構造を有する化合物を含む、〔１〕～〔３〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔６〕上記カチオン性化合物が、後述する式（Ｈ）で表される化合物を含む、〔５〕に記載の処理液。
〔７〕上記カチオン性化合物が、後述する式（Ｉ）～（Ｌ）で表される繰り返し単位からなる群から選択される繰り返し単位を有する樹脂を含む、〔１〕～〔３〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔８〕上記カチオン性化合物が、後述する式（Ｌ）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含む、〔７〕に記載の処理液。
〔９〕上記アニオン性化合物の含有量に対する、上記カチオン性化合物の含有量の質量比が、１～１００である、〔１〕～〔８〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔１０〕上記酸化剤が、過酸化水素、硝酸、硝酸セリウム塩、硝酸鉄、過酢酸、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩、過塩素酸、過塩素酸塩、塩素酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸塩、過硫酸、過硫酸塩、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸塩、イソシアヌル酸、イソシアヌル酸塩、トリクロロイソシアヌル酸、および、トリクロロイソシアヌル酸塩からなる群から選択される１つ以上の酸化剤を含む、〔１〕～〔９〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔１１〕フッ化物源をさらに含む、〔１〕～〔１０〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔１２〕上記フッ化物源が、ＨＦ、Ｈ_２ＳｉＦ_６、Ｈ_２ＴｉＦ_６、Ｈ_２ＺｒＦ_６、ＨＰＦ_６、および、ＨＢＦ_４からなる群から選択される化合物を含む、〔１１〕に記載の処理液。
〔１３〕腐食防止剤をさらに含む、〔１〕～〔１２〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔１４〕有機溶剤をさらに含む、〔１〕～〔１３〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔１５〕エッチング後残渣除去液、レジスト剥離剤、化学機械研磨後洗浄液、および、エッチング液のいずれかに用いられる、〔１〕～〔１４〕のいずれか１つに記載の処理液。

本発明によれば、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きく、ＴｉＮの溶解速度が大きい処理液を提供できる。

以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされる場合があるが、本発明はそのような実施態様に制限されない。

以下、本明細書における各記載の意味を表す。
本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、ある成分が２種以上存在する場合、その成分の「含有量」は、それら２種以上の成分の合計含有量を意味する。
本明細書において、「ｐｐｍ」とは「ｐａｒｔｓ－ｐｅｒ－ｍｉｌｌｉｏｎ（１０^－６）」を意味し、「ｐｐｂ」とは「ｐａｒｔｓ－ｐｅｒ－ｂｉｌｌｉｏｎ（１０^－９）」を意味する。
本明細書に記載の化合物において、特段の断りがない限り、異性体（原子数が同じであるが構造が異なる化合物）、光学異性体および同位体が含まれていてもよい。また、異性体および同位体は、１種のみが含まれていてもよいし、複数種含まれていてもよい。
本明細書において、表記される２価の基（例えば、－ＣＯＯ－）の結合方向は、特段の断りがない限り、制限されない。例えば、「Ｘ－Ｙ－Ｚ」なる式で表される化合物中の、Ｙが－ＣＯＯ－である場合、上記化合物は「Ｘ－Ｏ－ＣＯ－Ｚ」であってもよく、「Ｘ－ＣＯ－Ｏ－Ｚ」であってもよい。

本明細書において、「重量平均分子量」とは、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によって測定されたポリエチレングリコール換算の重量平均分子量のことを意味する。

以下、本発明について詳細に説明する。
なお、以下、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きいことを、「ＴｉＮ溶解選択性に優れる」ともいう。

＜処理液＞
本発明の処理液は、水と、カチオン性化合物と、カルボキシ基またはその塩を有する樹脂、スルホ基またはその塩を有する樹脂、亜リン酸基またはその塩を有する樹脂、および、リン酸基またはその塩を有する樹脂からなる群から選択されるアニオン性化合物と、酸化剤とを含み、ｐＨが７．０以下であり、砥粒を実質的に含まない。
本発明の処理液が、ＴｉＮ溶解選択性に優れ、ＴｉＮの溶解速度が大きくなる機序は必ずしも明らかではないが、本発明者らは以下のように推測している。
本発明の処理液が、水および酸化剤を含み、ｐＨが７．０以下であることで、ＴｉＮに対する溶解能を有すると考えられる。
さらに、カチオン性化合物とアニオン性化合物とを同時に含むことで、Ｗと処理液との界面に上記２つの化合物による保護層を形成し、Ｗの溶解速度を低下させる一方、ＴｉＮと処理液との表面には上記のような保護層は形成されず、ＴｉＮの選択的な溶解が進行すると考えられる。Ｗと処理液との界面のみに保護層が形成される理由としては、Ｗは酸化剤および水の存在下において、処理液との界面で負の電荷を帯びやすく、上記２つの化合物による保護層が形成されやすいことが挙げられる。
以下、本発明の処理液について説明する。

［処理液の成分］
本発明の処理液は、水と、カチオン性化合物と、上記アニオン性化合物と、酸化剤とを含む。
以下、処理液の各成分について説明する。

（水）
処理液は、水を含む。
処理液に含まれる水は、特に制限されないが、処理対象に対して影響を及ぼさない点で、蒸留水、脱イオン水、純水、または、超純水が好ましく、純水または超純水がより好ましい。
水の含有量は、処理液に含まれ得る成分の残部であればよい。
水の含有量は、処理液の全質量に対して、１．０質量％以上が好ましく、３０．０質量％以上がより好ましく、６０．０質量％以上がさらに好ましく、８０．０質量％以上が特に好ましい。上限は、処理液の全質量に対して、９９．９９質量％以下が好ましく、９９．９質量％以下がより好ましく、９９．０質量％以下がさらに好ましく、９７．０質量％以下が特に好ましい。

（カチオン性化合物）
処理液は、カチオン性化合物を含む。
カチオン性化合物は、カチオン化した構造を有する基を有する化合物である。また、カチオン化した構造には、処理液中でカチオン化し得る構造も含む。すなわち、カチオン性化合物には、それ単体ではカチオン化した構造を有する基を有さないが、処理液中でカチオン化し得る構造を有する基を有する化合物も含む。
カチオン性化合物は特に制限されないが、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、窒素原子を有する化合物を含むことが好ましい。
窒素原子を含む化合物は特に制限されず、低分子化合物であってもよく、高分子化合物（樹脂）であってもよい。

窒素原子を含む化合物のなかでも、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、下記式（１）～（４）で表される構造を有する化合物が好ましい。

式（１）～（４）中、＊は、結合位置を表す。
式（１）、式（２）、および、式（４）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒが表す１価の置換基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、および、ヒドロキシ基等が挙げられる。また、Ｒが表す１価の置換基は、上記１価の置換基と、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－、－ＮＲ_Ｎ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＳＯ_２－、および、－ＰＯ_４Ｒ_Ｐ－等の２価の連結基とを組み合わせた１価の置換基であってもよい。Ｒ_ＮおよびＲ_Ｐは、それぞれ１価の置換基を表し、置換基を有していてもよいアルキル基が挙げられる。
置換基を有していてもよいアルキル基は、環状であってもよく、鎖状であってもよい。置換基を有していてもよい環状のアルキル基は、単環であってもよく、多環であってもよい。置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基は、直鎖状および分岐鎖のいずれであってもよい。
置換基を有していてもよい環状のアルキル基（シクロアルキル基）の炭素数は、特に制限されないが、４～２５が好ましく、５～２０がより好ましい。
置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基の炭素数は、特に制限されないが、１～２５が好ましく、１～２０がより好ましい。
置換基を有していてもよいアルキル基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、置換基を有していてもよいアルキル基、および、置換基を有していてもよいアリール基が挙げられる。また、置換基を有していてもよいアルキル基を構成するメチレン基は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＳＯ_２－、および、上記式（１）～（４）等の２価の連結基で置換されていてもよい。
置換基を有していてもよいアルキル基としては、置換基を有していない直鎖状のアルキル基が好ましい。
置換基を有していてもよいアリール基は、環員に炭素原子以外の原子を含むヘテロアリール基であってもよい。置換基を有していてもよいアリール基は、多環であってもよく、単環であってもよい。置換基を有していてもよいアリール基の環員原子数は、特に制限されないが、５～１５が好ましく、５～１０がより好ましい。
置換基を有していてもよいアリール基の置換基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基の置換基と同様のものが挙げられ、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、または、置換基を有していないアルキル基が好ましい。
Ｒが表す基としては、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、または、置換基を有していてもよいアリール基が好ましい。

また、式（１）～（４）中、＊で表される結合位置は、それぞれ独立に、他の置換基に結合してもよい。すなわち、下記式（１－１）、式（２－１）、式（３－１）、式（３－２）、式（４－１）および式（４－２）で表される１価または２価の基であってもよい。

式（１－１）、式（２－１）、式（３－２）、式（４－１）および式（４－２）中、Ｒは、上記式（１）～（４）中のＲと同様である。
式（３－１）および式（４－２）中、Ｒ_Ｓは、２価の置換基を表す。２価の置換基としては、例えば、上記置換基を有していてもよいアルキル基の結合位置にある炭素原子から、水素原子を１つ取り除いてなる２価の置換基が挙げられる。

上記式で表される構造の中でも、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、下記式（３－３）で表される構造を有する化合物が好ましい。

式（３－３）中、＊は、結合位置を表す。
式（３－３）中、ｎは、１～３の整数を表す。
なかでも、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、上記式（３－３）中のｎが２の態様、すなわち、下記式（３－４）で表される構造を有する化合物がより好ましい。

式（３－４）中、＊は、結合位置を表す。

また、式（１）～（４）中の結合位置に他の連結基が結合して、環を形成していてもよい。形成される環は、全体として芳香性を有していてもよく、有していなくてもよい。
式（１）の構造を有する環構造としては、例えば、ピロリジン環、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、ピぺリジン環、モルホリン環、チアジン環、ピロール環、インドール環、および、カルバゾール環等が挙げられる。
式（２）の構造を有する環構造としては、例えば、上記式（１）の構造を有する環構造における窒素原子がカチオン化したものが挙げられる。
式（３）の構造を有する環構造としては、例えば、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾリン環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、キノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、プリン環、プテリジン環、および、アクリジン環等が挙げられる。
式（４）の構造を有する環構造としては、例えば、上記式（３）の構造を有する環構造における窒素原子がカチオン化したものが挙げられる。

式（１）の構造を有する化合物としては、例えば、アンモニア、第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン、ヒドロキシアミン、および、ヒドラジン系化合物等の化合物、ならびに、上記式（１）の構造を有する環構造を有する化合物が挙げられる。
式（２）の構造を有する化合物としては、例えば、アンモニウム塩および第４級アンモニウム塩等の化合物、ならびに、上記式（２）の構造を有する環構造を有する化合物が挙げられる。
式（３）の構造を有する化合物としては、例えば、イミン、アミジン、グアニジン、ビグアニド、トリグアニド、および、オキシム等の化合物、ならびに、上記式（３）の構造を有する環構造を有する化合物が挙げられる。
式（４）の構造を有する化合物としては、例えば、イミニウム塩、アミニジウム塩、グアニジニウム塩、ビグアニド塩、および、トリビグアニド塩、ならびに、上記式（４）の構造を有する環構造を有する化合物が挙げられる。
なお、式（１）～（４）の構造を有する化合物は、上記構造を有する繰り返し単位を含む樹脂であってもよい。また、上記化合物は、適当なアニオンと結合した塩の形態であってもよい。
以下、上記式（１）～（４）の構造を有する化合物について説明する。

上記構造を有する化合物としては、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、下記式（Ａ）～（Ｇ）で表される化合物が好ましい。以下、各式で表される化合物について、詳細に説明する。

式（Ａ）中、Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３は、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒと同様の基が挙げられ、なかでも、置換基を有していてもよいアルキル基、または、置換基を有していてもよいアリール基が好ましく、置換基を有していてもよいアルキル基がより好ましく、置換基を有さないアルキル基がさらに好ましい。置換基を有さないアルキル基は、直鎖状のアルキル基が好ましい。置換基を有さないアルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～２５が好ましく、１～２０がより好ましい。
また、Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される基のうち、１つの基が、炭素数３以下の置換基を有さない直鎖状のアルキル基であって、他の２つの基が、炭素数８以上の置換基を有さない直鎖状のアルキル基である態様も好ましい。
なお、Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基は、２つ以上の基が互いに結合して環を形成していてもよい。
なお、Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基が、－Ｌ_Ａ１－Ｎ（－Ｒ_Ａ１）（－Ｒ_Ａ２）で表される基であることも好ましい。上記式中、Ｌ_Ａ１は、２価の連結基を表し、下記Ｌ_Ｈ１で表される２価の連結基と同様のものが挙げられ、アルキレン基が好ましい。アルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましい。

式（Ｂ）中、Ｒ_Ｂ１～Ｒ_Ｂ４は、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒ_Ｂ１～Ｒ_Ｂ４で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基で挙げた基と同様の基が挙げられ、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基と同様の態様が好ましい。
なお、Ｒ_Ｂ１～Ｒ_Ｂ４で表される基のうち、１つの基が、炭素数８以上の置換基を有さない直鎖状のアルキル基であって、他の３つの基が、炭素数３以下の置換基を有さない直鎖状のアルキル基である態様も好ましい。
なお、Ｒ_Ｂ１～Ｒ_Ｂ４で表される１価の置換基は、２つ以上の基が互いに結合して環を形成していてもよい。
式（Ｂ）中、Ａ^ｙ－は、ｙ価のアニオンを表す。また、式（Ｂ）中、ｙは、１～６の整数を表す。したがって、式（Ｂ）は、ｙ価のアニオンＡ^ｙ－と、角括弧内で表されるカチオンがｙ個とがイオン結合した化合物であることを表す。ｙは、１～４が好ましく、１～３が好ましく、１または２がさらに好ましい。
アニオンは特に制限されず、無機イオンであってもよく、有機イオンであってもよいが、無機イオンが好ましい。無機イオンとしては、例えば、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、および、硫酸イオン等が挙げられる。
なかでも、アニオンは、塩化物イオン、臭化物イオン、またはヨウ化物イオンが好ましい。

式（Ｂ－１）中、Ｒ_Ｂ５～Ｒ_Ｂ１０は、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。Ｒ_Ｂ５～Ｒ_Ｂ１０で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基で挙げた基と同様の基が挙げられ、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基と同様の態様が好ましい。
式（Ｂ－１）中、Ｌ_Ｂ１は、２価の連結基を表す。Ｌ_Ａ１が表す２価の連結基としては、下記Ｌ_Ｈ１で表される２価の連結基と同様のものが挙げられ、アルキレン基が好ましい。アルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましい。
式（Ｂ－１）中、Ａ^－は、１価のアニオンを表す。アニオンは特に制限されず、上記Ａ^ｙ－が表す１価のイオンが挙げられ、なかでも、アニオンは、塩化物イオン、臭化物イオン、またはヨウ化物イオンが好ましい。

式（Ｃ）中、Ｒ_Ｃ１は、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒ_Ｃ１で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基で挙げた基と同様の基が挙げられ、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基と同様の態様が好ましい。また、Ｒ_Ｃ１が水素原子を表すことも好ましい。
式（Ｃ）中、Ｘは、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＨを表す。
式（Ｃ）中のＸのうち、１つまたは２つのＸがＮであることが好ましい。

式（Ｄ）中、Ｒ_Ｄ１およびＲ_Ｄ２は、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒ_Ｄ１およびＲ_Ｄ２で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基で挙げた基と同様の基が挙げられ、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基と同様の態様が好ましい。
式（Ｄ）中、Ｘは、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＨを表す。
式（Ｄ）中のＸのうち、１つまたは２つのＸがＮであることが好ましい。
式（Ｄ）中、Ａ^ｙ－は、ｙ価のアニオンを表す。式（Ｄ）中、ｙは、１～６の整数を表す。
ｙおよびアニオンは式（Ｂ）で説明したものと同様であるため、その説明を省略する。

式（Ｅ）中、Ｒ_Ｅ１は、１価の置換基を表す。
Ｒ_Ｅ１で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒと同様の基が挙げられ、なかでも、置換基を有していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、または、ハロゲン原子が好ましい。なお、置換基を有していてもよいアルキル基は、上述したとおりである。
式（Ｅ）中、ｍは、０～５の整数を表す。
ｍは、０～３が好ましく、０または１がより好ましく、０がさらに好ましい。

式（Ｆ）中、Ｒ_Ｆ１は、１価の置換基を表す。
Ｒ_Ｆ１で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒ_Ｅ１で表される１価の置換基で挙げた基と同様の基が挙げられ、上記Ｒ_Ｅ１で表される１価の置換基と同様の態様が好ましい。
式（Ｆ）中、Ｒ_Ｆ２は、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒ_Ｆ２で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基で挙げた基と同様の基が挙げられ、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基と同様の態様が好ましい。なかでも、Ｒ_Ｆ２で表される１価の置換基が、炭素数８～２０の直鎖状のアルキル基である態様が好ましい。
式（Ｆ）中、ｍは、０～５の整数を表す。
ｍは、０～３が好ましく、０または１がより好ましく、０がさらに好ましい。
式（Ｆ）中、Ａ^ｙ－は、ｙ価のアニオンを表す。式（Ｆ）中、ｙは、１～６の整数を表す。
ｙおよびアニオンは式（Ｂ）で説明したものと同様であるため、その説明を省略する。

式（Ｇ）中、Ｒ_Ｇ１およびＲ_Ｇ２は、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒ_Ｇ１およびＲ_Ｇ２で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒと同様の基が挙げられ、なかでも、置換基を有していてもよいアルキル基、または、置換基を有していてもよいアリール基が好ましい。上記置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は、１～８が好ましく、置換基として、ヒドロキシ基を有していることも好ましい。上記置換基を有していてもよいアリール基は、置換基を有していてもよいフェニル基が好ましく、置換基として、炭素数１～３のアルキル基を有していることも好ましい。また、Ｒ_Ｇ１およびＲ_Ｇ２のいずれか一方が水素原子を表すことも好ましい。
式（Ｇ）中、ｎは、１～３の整数を表す。
ｎは、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、２または３が好ましく、２がより好ましい。

式（Ｇ）で表される化合物としては、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、下記式（Ｈ）で表される化合物が好ましい。

式（Ｈ）中、Ｒ_Ｈ１は、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒ_Ｈ１で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒ_Ｇ１およびＲ_Ｇ２で表される１価の置換基で挙げた基と同様の基が挙げられ、上記Ｒ_Ｇ１およびＲ_Ｇ２で表される１価の置換基と同様の態様が好ましい。また、Ｒ_Ｈ１が水素原子を表すことも好ましい。
式（Ｈ）中、Ｌ_Ｈ１は、単結合または２価の連結基を表す。
Ｌ_Ｈ１で表される２価の連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、および、アリーレン基、ならびに、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、および、－ＳＯ_２－からなる群から選択される１つ以上の２価の連結基と、アルキレン基、シクロアルキレン基、および、アリーレン基とを組み合わせた基が挙げられる。
なかでも、Ｌ_Ｈ１で表される２価の連結基としては、アルキレン基が好ましい。上記アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～１５が好ましく、３～１０がより好ましい。
式（Ｈ）中、Ｚは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、または、下記式（３－５）で表される基を表す。なかでも、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、下記式（３－５）で表される基が好ましい。

式（３－５）中、＊は、結合位置を表す。
式（３－５）中、Ｒ_３は、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒ_３で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒ_Ｇ１およびＲ_Ｇ２で表される１価の置換基で挙げた基と同様の基が挙げられ、上記Ｒ_Ｇ１およびＲ_Ｇ２で表される１価の置換基と同様の態様が好ましい。なかでも、Ｒ_３で表される１価の置換基は、置換基を有していてもよいアルキル基、または、置換基を有していてもよいアリール基が好ましく、置換基を有していてもよいアリール基がより好ましい。置換基を有していてもよいアリール基の置換基としては、炭素数１～３のアルキル基、ヒドロキシ基、または、ハロゲン原子が好ましく、ハロゲン原子がより好ましい。

上記カチオン性化合物の具体例としては、例えば、トリブチルアミン、ジドデシルメチルアミン、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルピリジニウムクロリド、ヘキサメトニウムクロリド二水和物、グアニジノ酢酸、４－グアニジノ酪酸、３－メチル－Ｌ－アルギニン、アルギニン、ホモアルギニン、Ｎ^５－モノメチル－Ｌ－アルギニン、カナバニン、Ｎ^２－メチル－Ｌ－アルギニン、Ｎ^２－（２－アミノエチル）－Ｄ－アルギニン、Ｎ^２－（２－アミノエチル）－Ｌ－アルギニン、２－メチル－Ｌ－アルギニン、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド、１－（３－メチルフェニル）ビグアニド、１－（４－メチルフェニル）ビグアニド、１－（２－クロロフェニル）ビグアニド、１－（４－クロロフェニル）ビグアニド、１－（２，３－ジメチルフェニル）ビグアニド、１－（２，６－ジメチルフェニル）ビグアニド、１－（１－ナフチル）ビグアニド、１－（４－メトキシフェニル）ビグアニド、１－（４－ニトロフェニル）ビグアニド、１－ジフェニルビグアニド、１，５－ジフェニルビグアニド、１，５－ビス（４－クロロフェニル）ビグアニド、１，５－ビス（３－クロロフェニル）ビグアニド、１－（４－クロロ）フェニル－５－（４－メトキシ）フェニルビグアニド、１，１－ビス（３－クロロ－４－メトキシフェニル）ビグアニド、１，５－ビス（３，４－ジクロロフェニル）ビグアニド、１，５－ビス（３，５－ジクロロフェニル）ビグアニド、１，５－ビス（４－ブロモフェニル）ビグアニド、１－１－フェニル－１－メチルビグアニド、１－（４－クロロフェニル）－５－（１－メチルエチル）ビグアニド（別称：プログアニル）、１－（３，４－ジクロロフェニル）－５－（１－メチルエチル）ビグアニド、１－（４－メチルフェニル）－５－オクチルビグアニド、１－（４－クロロフェニル）－２－（Ｎ’－プロパン－２－イルカルバムイミドイル）グアニジン、ジトリルビグアニド、ジナフチルビグアニド、ジベンジルビグアニド、４－クロロベンズヒドリルビグアニド、１－ベンゾ［１，３］ジオキソール－５－イルメチルビグアニド、１－ベンジル－５－（ピリジン－３－イル）メチルビグアニド、１－ベンジルビグアニド、４－クロロベンジルビグアニド、１－（２－フェニルエチル）ビグアニド、１－ヘキシル－５－ベンジルビグアニド、１，１－ジベンジルビグアニド、１，５－ジベンジルビグアニド、１－（フェネチル）－５－プロピルビグアニド、１，５－ビス（フェネチル）ビグアニド、１－シクロヘキシル－５－フェニルビグアニド、１－（４－フェニルシクロヘキシル）ビグアニド、１－（４－メチル）シクロヘキシル－５－フェニルビグアニド、１－シクロペンチル－５－（４－メトキシフェニル）ビグアニド、ノルボルニルビグアニド、ジノルボルニルビグアニド、アダマンチルビグアニド、ジアダマンチルビグアニド、ジシクロヘキシルビグアニド、エチレンジビグアニド、プロピレンジビグアニド、テトラメチレンジビグアニド、ペンタメチレンジビグアニド、ヘキサメチレンジビグアニド、ヘプタメチレンジビグアニド、オクタメチレンジビグアニド、１，６－ビス－（４－クロロベンジルビグアニド）－ヘキサン、１、１’－ヘキサメチレンビス（５－（ｐ－クロロフェニル）ビグアニド）（別名：クロルヘキシジン）、２－（ベンジルオキシメチル）ペンタン－１，５－ビス（５－ヘキシルビグアニド）、２－（フェニルチオメチル）ペンタン－１，５－ビス（５－フェネチルビグアニド）、３－（フェニルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－ヘキシルビグアニド）、３－（フェニルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－シクロヘキシルビグアニド）、３－（ベンジルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－ヘキシルビグアニド）、３－（ベンジルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－シクロヘキシルビグアニド）、フェニレニルジビグアニド、ナフチレニルジビグアニド、ピリジニルジビグアニド、ピペラジニルジビグアニド、フタリルジビグアニド、１，１’－［４－（ドデシルオキシ）－ｍ－フェニレン］ビスビグアニド、２－（デシルチオメチル）ペンタン－１，５－ビス（５－イソプロピルビグアニド）、２－（デシルチオメチル）ペンタン－１，５－ビス（５，５－ジエチルビグアニド）、１，１－ジメチルビグアニド（別名：メトホルミン）、１－（２－フェニルエチル）ビグアニド（別名：フェンホルミン）、および、ポリアルキレンビグアナイド（例えば、ポリヘキサメチレンビグアナイド）が挙げられる。

以下、上記式（１）～（４）の構造を有する繰り返し単位を含む樹脂について説明する。上記繰り返し単位としては、下記式（Ｉ）～（Ｌ）で表される繰り返し単位が好ましい。以下、各式で表される繰り返し単位について、詳細に説明する。

式（Ｉ）中、Ｌ_Ｉ１は、単結合または２価の連結基を表す。
Ｌ_Ｉ１で表される２価の連結基としては、例えば、上記Ｌ_Ｈ１で表される２価の連結基が挙げられ、アルキレン基またはアリーレン基が好ましく、アルキレン基がより好ましい。上記アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～６が好ましく、１～４がより好ましい。上記アリーレン基の炭素数は特に制限されないが、６～１０が好ましい。
式（Ｉ）中、Ｙは、上記式（１－１）、式（２－１）、式（３－１）または式（４－２）で表される構造を有する基を表す。Ｙとしては、式（１－１）または式（２－１）で表される構造を有する基が好ましく、式（１－１）で表される構造を有する基がより好ましい。

式（Ｊ）中、Ｌ_Ｊ１～Ｌ_Ｊ４は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。
Ｌ_Ｊ１およびＬ_Ｊ２で表される２価の連結基としては、例えば、上記Ｌ_Ｈ１で表される２価の連結基が挙げられ、アルキレン基が好ましい。上記アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～６が好ましく、１～４がより好ましい。
Ｌ_Ｊ３およびＬ_Ｊ４で表される２価の連結基としては、例えば、上記Ｌ_Ｈ１で表される２価の連結基が挙げられ、アルキレン基が好ましい。上記アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～３が好ましく、１または２がより好ましい。
式（Ｊ）中、Ｒ_Ｊ１は、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒ_Ｊ１で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基で挙げた基と同様の基が挙げられ、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基と同様の態様が好ましい。また、Ｒ_Ｊ１が水素原子を表すことも好ましい。

式（Ｋ）中、Ｌ_Ｋ１～Ｌ_Ｋ４は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。
Ｌ_Ｋ１～Ｌ_Ｋ４で表される２価の連結基としては、それぞれ対応するＬ_Ｊ１～Ｌ_Ｊ４で表される２価の連結基と同様の態様であるため、説明を省略する。
式（Ｋ）中、Ｒ_Ｋ１およびＲ_Ｋ２は、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。
Ｒ_Ｋ１およびＲ_Ｋ２で表される１価の置換基としては、例えば、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基で挙げた基と同様の基が挙げられ、上記Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３で表される１価の置換基と同様の態様が好ましい。
式（Ｋ）中、Ａ^－は、１価のアニオンを表す。
Ａ^－で表される１価のアニオンは、１価のアニオンであり、式（Ｂ）で説明したもののうち、１価のアニオンであるものが挙げられる。なかでも、Ａ^－で表される１価のアニオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、またはヨウ化物イオンが好ましい。

式（Ｌ）中、Ｌ_Ｌ１は、単結合または２価の連結基を表す。
上記Ｌ_Ｈ１で表される２価の連結基が挙げられ、アルキレン基またはアリーレン基が好ましく、アルキレン基がより好ましい。上記アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～１５が好ましく、４～１０がより好ましい。上記アリーレン基の炭素数は特に制限されないが、６～１０が好ましい。
式（Ｌ）中、ｋは、０～３の整数を表す。
ｋは、１または２が好ましく、２がより好ましい。

上記式（Ｉ）～（Ｌ）で表される繰り返し単位を有する樹脂の具体例としては、例えば、アリルアミンの重合生成物、ジアリルアミンの重合生成物、ジアリルアルキルアミンの重合生成物（例えば、ジアリルメチルアミンの重合生成物）、ジアリルジアルキルアンモニウム塩の重合生成物（例えば、ジアリルジメチルアンモニウムクロリドの重合生成物）、および、ビグアニジル置換α－オレフィンモノマーの重合生成物（例えば、ポリ（ビニルビグアニド）、ポリ（Ｎ－ビニルビグアニド）、ポリ（アリルビグアニド））、ならびに、上記重合前の化合物の共重合体（コポリマー）が挙げられる。

また、上記式（Ｉ）～（Ｋ）で表される繰り返し単位を有する樹脂としては、特開平１１－２５５８４１号公報の段落［００３６］～［００７１］、特開２００１－１０６７１４号公報の段落［００２５］～［００３９］、特開２００４－１１５６７５号公報の段落［００６２］～［００６５］、特開２００５－００２１９６号公報の段落［００５１］～［００５５］、特開２００５－０９７６３６号公報の段落［００９７］～［０１１１］、特開２０１５－１６６４６３号公報の段落［００２６］～［００２７］、特開２０１７－７５２４３号公報の段落［００３７］～［００４８］、特開２０２１－０２１０２０号公報の段落［００６２］～［００６９］等に記載された樹脂も好ましく挙げられる。

上記式（Ｉ）～（Ｌ）で表される繰り返し単位を含む樹脂において、上記式（Ｉ）～（Ｌ）で表される繰り返し単位からなる群から選択される１つ以上の繰り返し単位の質量比は、樹脂の全質量に対して、３０～１００質量％が好ましく、５０～１００質量％が好ましく、７０～１００量％がさらに好ましい。上記樹脂において、上記式（Ｉ）～（Ｌ）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位は、公知の繰り返し単位を適宜選択できる。
上記式（Ｉ）～（Ｌ）で表される繰り返し単位を含む樹脂の重量平均分子量は、５００～２０００００が好ましく、１６００～１５０００がより好ましく、３０００～８０００がさらに好ましい。

カチオン性化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．００１質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０３質量％以上がさらに好ましい。上限は、処理液の全質量に対して、５．００質量％以下が好ましく、１．００質量％以下がより好ましく、０．５０質量％以下がさらに好ましく、０．１０質量％以下が特に好ましい。
カチオン性化合物の含有量は、処理液の溶媒を除いた固形分全質量に対して、０．００１質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０３質量％以上がさらに好ましい。上限は、処理液の全質量に対して、５．００質量％以下が好ましく、１．００質量％以下がより好ましく、０．５０質量％以下がさらに好ましく、０．１０質量％以下が特に好ましい。
カチオン性化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
カチオン性化合物を２種類以上用いる場合、その合計量が、上記好ましい含有量の範囲であることが好ましい。

（アニオン性化合物）
本発明の処理液は、アニオン性化合物を含む。
上記アニオン性化合物は、カルボキシ基またはその塩を有する樹脂、スルホ基またはその塩を有する樹脂、亜リン酸基またはその塩を有する樹脂および、リン酸基またはその塩を有する樹脂からなる群から選択される化合物である。
なお、リン酸基は、－ＰＯ_４Ｈ_２で表される基をいい、亜リン酸基は、－ＰＯ_３Ｈ_２で表される基をいう。
アニオン性化合物は、上記基またはその塩を有する樹脂であればよく、２種類以上の上記基またはその塩を有する樹脂であってもよい。例えば、カルボキシ基とスルホ基とを有する樹脂（共重合体）であってもよい。

アニオン性化合物は、以下の式（１Ａ）で表される繰り返し単位を有する樹脂が好ましい。

式（１Ａ）中、Ｌ_１Ａは、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。
Ｌ_１Ａが表す２価の連結基としては、例えば、上記Ｌ_Ｈ１で表される２価の連結基が挙げられる。なかでも、Ｌ_１Ａが表す２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、－ＣＯＯ－とアルキレン基とを組み合わせてなる基、または、－ＣＯＮＨ－とアルキレン基とを組み合わせてなる基が好ましく、アリーレン基、または、－ＣＯＮＨ－とアルキレン基とを組み合わせてなる基がより好ましい。
式（１Ａ）中、Ｒ_１Ａは、水素原子、または、１価の置換基を表す。Ｒ_１Ａが表す１価の置換基としては、炭素数１～３のアルキル基が好ましい。
式（１Ａ）中、Ｗは、それぞれ独立に、水素原子またはアニオン性基を表す。
Ｗが表すアニオン性基は、－ＣＯＯＨ、－ＣＯＯ^－Ｃｔ^＋、－ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_３ ^－Ｃｔ^＋、－ＰＯ_４Ｈ_２、－ＰＯ_３Ｈ_２、－ＰＯ_４ ^２－（Ｃｔ^＋）_２、および、－ＰＯ_３ ^２－（Ｃｔ^＋）_２のいずれかである。なかでも、－ＣＯＯＨ、－ＣＯＯ^－Ｃｔ^＋、－ＳＯ_３Ｈ、または、－ＰＯ_３Ｈ_２が好ましい。
なお、Ｃｔ^＋は、１価のカチオンを表す。Ｃｔ^＋としては、Ｎａ^＋、または、Ｋ^＋が好ましい。

上記式（１Ａ）で表される繰り返し単位としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、４－ビニル安息香酸、ｐ－スチレンスルホン酸、亜リン酸ビニル、および、リン酸ビニル、２－（アクリロイルアミノ）－２－メチル－１－プロパンスルホン酸、ならびに、それら化合物のＮａ塩に由来する繰り返し単位が挙げられる。

上記式（１Ａ）で表される繰り返し単位の含有量は、アニオン性化合物の全質量に対して、５０～１００質量％が好ましく、７０～１００質量％がより好ましく、９０～１００質量％がさらに好ましい。アニオン性化合物が含む上記式（１Ａ）で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位としては、公知の繰り返し単位を適宜選択できる。
アニオン性化合物は、２種類以上の上記式（１Ａ）で表される繰り返し単位を含んでいてもよい。

アニオン性化合物の重量平均分子量は、２０００以上が好ましく、１００００以上がより好ましく、５００００以上がさらに好ましく、１０００００以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、１００００００以下が挙げられる。

アニオン性化合物の含有量に対する、カチオン性化合物の含有量の質量比は、ＴｉＮの溶解速度により優れる点、および／または、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、０．８～１２０．０が好ましく、１．０～１００．０がより好ましく、２．０～５０．０がさらに好ましく、３．０～２０．０が特に好ましい。

（酸化剤）
本発明の処理液は、酸化剤を含む。
酸化剤は、上述したカチオン性化合物およびアニオン性化合物とは異なる化合物である。
酸化剤としては、酸化能を有していれば特に制限されないが、酸化剤が、過酸化水素、硝酸、硝酸セリウム塩、硝酸鉄、過酢酸、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩、過塩素酸、過塩素酸塩、塩素酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸塩、過硫酸、過硫酸塩、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸塩、イソシアヌル酸、イソシアヌル酸塩、トリクロロイソシアヌル酸、および、トリクロロイソシアヌル酸塩からなる群から選択される１つ以上の酸化剤を含むことが好ましい。なお、上記過ヨウ素酸には、メタ過ヨウ素酸（ＨＩＯ_４）、および、オルト過ヨウ素酸（Ｈ_５ＩＯ_６）が含まれる。また、上記過ヨウ素酸塩には、メタ過ヨウ素酸塩、および、オルト過ヨウ素酸塩が含まれる。
なかでも、ＴｉＮの溶解速度により優れる点、および／または、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、酸化剤が、硝酸、過酢酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、ペルオキソ二硫酸塩、および、トリクロロイソシアヌル酸からなる群から選択される１つ以上の酸化剤を含むことがより好ましく、過酢酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、ペルオキソ二硫酸塩、および、トリクロロイソシアヌル酸からなる群から選択される１つ以上の酸化剤を含むことがさらに好ましい。

酸化剤の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０００１～５．００質量％が好ましく、０．００１～１．００質量％がより好ましく、０．００１～０．１０質量％がより好ましい。

（砥粒）
本発明の処理液は、砥粒を実質的に含まない。
上記「砥粒」とは、研磨微粒子のことをいい、無機固形物等の粒子であって、最終的に処理液中で溶解せずに粒子として存在するものが該当する。
上記「実質的に含まない」とは、砥粒の含有量が、処理液の全質量に対して、０．１質量％以下であることをいう。砥粒の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０１質量％以下であることが好ましく、０．００１質量％以下であることがより好ましい。砥粒の含有量の下限は特に制限されないが、０．０質量％以上が挙げられる。
砥粒の含有量は、レーザを光源とした光散乱式液中粒子測定方式における市販の測定装置を利用して液相で測定できる。

（フッ化物源）
本発明の処理液は、フッ化物源を含んでいてもよい。処理液がフッ化物源を含むことで、ＴｉＮの溶解速度を高めることができる。
フッ素化物源は、上述したカチオン性化合物およびアニオン性化合物とは異なる化合物である。
フッ化物源とは、フッ化物イオンを供給できる化合物をいう。
フッ化物源は、一般的に、フッ化物イオンと、カチオンとを含む化合物である。
上記フッ化物イオンとしては、例えば、フッ化物イオン（Ｆ^－）、ビフルオリドイオン（ＨＦ_２ ^－）、および、フッ化物含有イオン（例えば、ＭＦ_６ ^ｎ－、Ｍ：任意の原子、ｎ：１～３）が挙げられる。上記Ｍとしては、例えば、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｐ（リン）、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｓｂ（アンチモン）、および、Ｔａ（タンタル）が挙げられる。
カチオンとしては、例えば、Ｈ^＋、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、および、ＮＨ_４ ^＋が挙げられ、Ｈ^＋が好ましい。
上記フッ化物源のなかでも、フッ化物源は、ＨＦ、Ｈ_２ＳｉＦ_６、Ｈ_２ＴｉＦ_６、Ｈ_２ＺｒＦ_６、ＨＰＦ_６、および、ＨＢＦ_４からなる群から選択される化合物を含むことが好ましい。
フッ化物源の含有量は、処理液の全質量に対して、０．００１～５．００質量％が好ましく、０．００５～３．００質量％がより好ましく、０．１０～１．００質量％がさらに好ましい。
フッ化物源は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
フッ化物源を２種類以上用いる場合、その合計量が、上記好ましい含有量の範囲であることが好ましい。

（腐食防止剤）
本発明の処理液は、腐食防止剤を含んでいてもよい。処理液が腐食防止剤を含むことで、ＴｉＮ溶解選択性により優れる処理液とすることができる。
腐食防止剤は、上述したカチオン性化合物およびアニオン性化合物とは異なる化合物である。
腐食防止剤としては、特に制限されないが、ケイ酸イオン、ポリケイ酸イオン、リン酸イオン、ポリリン酸イオン、または、ホウ酸イオンを含む化合物が好ましい。
なかでも、腐食防止剤としては、ケイ酸テトラメチルアンモニウム、ケイ酸テトラエチルアンモニウム、または、ホウ酸が好ましい。
腐食防止剤の含有量は、処理液の全質量に対して、０．００１～５．００質量％が好ましく、０．００５～３．００質量％がより好ましく、０．１０～１．００質量％がさらに好ましい。
腐食防止剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
腐食防止剤を２種類以上用いる場合、その合計量が、上記好ましい含有量の範囲であることが好ましい。

（有機溶剤）
本発明の処理液は、有機溶剤を含んでいてもよい。
有機溶剤は、上述したカチオン性化合物およびアニオン性化合物とは異なる化合物である。
有機溶剤は、水と任意の比率で混和することが好ましい。
有機溶剤としては、例えば、アルコール系溶剤、グリコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、ケトン系溶剤、アミド系溶剤、および、含硫黄系溶剤が挙げられる。

アルコール系溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、１－ブタノール、２－ブタノール、イソブチルアルコール、および、ｔｅｒｔ－ブチルアルコールが挙げられる。

グリコール系溶剤としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、および、テトラエチレングリコールが挙げられる。

グリコールエーテル系溶剤としては、例えば、グリコールモノエーテルが挙げられる。
グリコールモノエーテルとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｎ－プロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、１－メトキシ－２－プロパノール、２－メトキシ－１－プロパノール、１－エトキシ－２－プロパノール、２－エトキシ－１－プロパノール、プロピレングリコールモノ－ｎ－プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ－ｎ－プロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、および、ジエチレングリコールモノベンジルエーテルが挙げられる。

ケトン系溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、および、シクロヘキサノンが挙げられる。

アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、１－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリジノン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、２－ピロリジノン、ホルムアミド、Ｎ－メチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロパンアミド、および、ヘキサメチルホスホリックトリアミドが挙げられる。

含硫黄系溶剤としては、例えば、ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、および、スルホランが挙げられる。

有機溶剤の含有量は、処理液の全質量に対して、１～５．００質量％が好ましく、０．００５～３．００質量％がより好ましく、０．１０～１．００質量％がさらに好ましい。
有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
有機溶剤を２種類以上用いる場合、その合計量が、上記好ましい含有量の範囲であることが好ましい。

（ｐＨ調整剤）
本発明の処理液は、ｐＨ調整剤を含んでいてもよい。ｐＨ調整剤によって、処理液のｐＨを後述する好ましいｐＨの範囲に調整してもよい。
ｐＨ調整剤は、上記化合物とは異なる化合物であることが好ましい。ｐＨ調整剤としては、酸性化合物および塩基性化合物が挙げられる。

－酸性化合物－
酸性化合物とは、水溶液中で酸性（ｐＨが７．０未満）を示す酸性化合物である。
酸性化合物としては、例えば、無機酸、有機酸、および、それらの塩が挙げられる。
無機酸としては、硫酸、塩酸、および、それらの塩が挙げられる。
有機酸としては、例えば、カルボン酸、スルホン酸、および、それらの塩が挙げられる。
カルボン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、および、酪酸等の低級（炭素数１～４）脂肪族モノカルボン酸、ならびに、それらの塩が挙げられる。
スルホン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸（トシル酸）、および、それらの塩が挙げられる。
酸性化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．１～１０．０質量％が好ましく、０．３～５．０質量％がより好ましい。

－塩基性化合物－
塩基性化合物とは、水溶液中でアルカリ性（ｐＨが７．０超）を示す化合物である。
塩基性化合物としては、例えば、無機塩基、および、それらの塩が挙げられる。
無機塩基としては、例えば、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物が挙げられる。
塩基性化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．１～１０．０質量％が好ましく、０．３～５．０質量％がより好ましい。

（その他添加剤）
処理液は、上述した成分以外のその他添加剤を含んでいてもよい。
以下、その他添加剤について説明する。

－分子量５００以上のポリヒドロキシ化合物－
処理液は、分子量５００以上のポリヒドロキシ化合物を含んでいてもよい。
上記ポリヒドロキシ化合物は、処理液に含まれ得る上記化合物とは異なる化合物である。
上記ポリヒドロキシ化合物は、１分子中に２個以上（例えば２～２００個）のアルコール性水酸基を有する有機化合物である。
上記ポリヒドロキシ化合物の分子量（分子量分布を有する場合は重量平均分子量）は、５００以上であり、５００～１０００００が好ましく、５００～３０００がより好ましい。

上記ポリヒドロキシ化合物としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングルコールおよびポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール等のポリオキシアルキレングリコール；マンニトリオース、セロトリオース、ゲンチアノース、ラフィノース、メレチトース、セロテトロースおよびスタキオース等のオリゴ糖；デンプン、グリコーゲン、セルロース、キチンおよびキトサン等の多糖類およびその加水分解物が挙げられる。

上記ポリヒドロキシ化合物としては、シクロデキストリンも好ましい。
シクロデキストリンとは、複数のＤ－グルコースがグルコシド結合によって結合し、環状構造をとった環状オリゴ糖の１種を意味する。グルコースが５個以上（例えば６～８個）結合した化合物が知られている。
シクロデキストリンとしては、例えば、α－シクロデキストリン、β－シクロデキストリンおよびγ－シクロデキストリンが挙げられ、γ－シクロデキストリンが好ましい。

上記ポリヒドロキシ化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上で用いてもよい。
上記ポリヒドロキシ化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０１～１０質量％が好ましく、０．０５～５質量％がより好ましく、０．１～３質量％がさらに好ましい。
上記ポリヒドロキシ化合物の含有量は、処理液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～３０質量％が好ましく、０．０５～２５質量％がより好ましく、０．５～２０質量％がさらに好ましい。

－界面活性剤－
本発明の処理液は、界面活性剤を含んでいてもよい。
上記ポリヒドロキシ化合物は、処理液に含まれ得る上記化合物とは異なる化合物である。
界面活性剤としては、１分子中に親水性基と疎水性基（親油基）とを有する化合物であれば特に制限されず、例えば、ノニオン性界面活性剤が挙げられる。

界面活性剤が有する疎水性基としては特に制限されないが、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、および、それらの組合せが挙げられる。
疎水性基が芳香族炭化水素基を含む場合、疎水性基の炭素数は、６以上が好ましく、１０以上がより好ましい。
疎水性基が芳香族炭化水素基を含まず、脂肪族炭化水素基のみから構成される場合、疎水性基の炭素数は、８以上が好ましく、１０以上がより好ましい。疎水性基の炭素数の上限は特に制限されないが、２４以下が好ましく、２０以下がより好ましい。
界面活性剤全体の炭素数は、１６～１００が好ましい。

ノニオン性界面活性剤としては、例えば、エステル型ノニオン性界面活性剤、エーテル型ノニオン性界面活性剤、エステルエーテル型ノニオン性界面活性剤およびアルカノールアミン型ノニオン性界面活性剤が挙げられ、エーテル型ノニオン性界面活性剤が好ましい。

ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリエチレングリコール、アルキルポリグルコシド（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ社製のＴｒｉｔｏｎ ＢＧ－１０およびＴｒｉｔｏｎ ＣＧ－１１０界面活性剤）、オクチルフェノールエトキシレート（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ社製のＴｒｉｔｏｎ Ｘ－１１４）、シランポリアルキレンオキシド（コポリマー）（Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製のＹ－１７１１２－ＳＧＳ試料）、ノニルフェノールエトキシレート（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ製のＴｅｒｇｉｔｏｌ ＮＰ－１２、ならびに、Ｔｒｉｔｏｎ（登録商標）Ｘ－１０２、Ｘ－１００、Ｘ－４５、Ｘ－１５、ＢＧ－１０およびＣＧ－１１９）、Ｓｉｌｗｅｔ（登録商標）ＨＳ－３１２（Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製）、トリスチリルフェノールエトキシレート（Ｓｔｅｐａｎ Ｃｏｍｐａｎｙ製のＭＡＫＯＮ ＴＳＰ－２０）、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、アルキルアリルホルムアルデヒド縮合ポリオキシエチレンエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、グリセリンエステルのポリオキシエチレンエーテル、ソビタンエステルのポリオキシエチレンエーテル、ソルビトールエステルのポリオキシエチレンエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリンエステル、ポリグリセリンエステル、ソルビタンエステル、プロピレングリコールエステル、ショ糖エステル、脂肪族酸アルカノールアミド、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド、ポリオキシエチレンアルキルアミド、ＢＲＩＪ（登録商標）５６（Ｃ_１６Ｈ_３３（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_１０ＯＨ）、ＢＲＩＪ（登録商標）５８（Ｃ_１６Ｈ_３３（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_２０ＯＨ）、ＢＲＩＪ（登録商標）３５（Ｃ_１２Ｈ_２５（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_２３ＯＨ）等のアルコールエトキシレート、アルコール（第１級および第２級）エトキシレート、アミンエトキシレート、グルコシド、グルカミド、ポリエチレングリコール、ポリ（エチレングリコール－ｃｏ－プロピレングリコール）、セチルアルコール、ステアリルアルコール、セトステアリルアルコール（セチルおよびステアリルアルコール）、オレイルアルコール、オクタエチレングリコールモノドデシルエーテル、ペンタエチレングリコールモノドデシルエーテル、ポリオキシプロピレングリコールアルキルエーテル、デシルグルコシド、ラウリルグルコシド、オクチルグルコシド、ポリオキシエチレングリコールオクチルフェノールエーテル、ノノキシノール－９、グリセロールアルキルエステル、ラウリン酸グリセリル、ポリオキシエチレングリコールソルビタンアルキルエステル、ポリソルベート、ソルビタンアルキルエステル、スパン、コカミドＭＥＡ、コカミドＤＥＡ、ドデシルジメチルアミンオキシド、ポリプロピレングリコールのブロックコポリマー、および、それらの混合物が挙げられる。

界面活性剤の含有量は、処理液の全質量に対して、０．００１～８．０質量％が好ましく、０．００５～５．０質量％がより好ましく、０．０１～３．０質量％がさらに好ましい。

－抗菌剤－
処理液は、抗菌剤を含んでいてもよい。
抗菌剤は、処理液に含まれ得る上記化合物とは異なる化合物である。
抗菌剤としては、例えば、ソルビン酸、安息香酸、デヒドロ酢酸、ホスホマイシン、ペニシリン、スルバクタム、および、ジアフェニルスルホンが挙げられる。

－還元性硫黄化合物－
処理液は、還元性硫黄化合物を含んでいてもよい。
還元性硫黄化合物は、処理液に含まれ得る上記化合物とは異なる化合物である。
還元性硫黄化合物は、還元性を有し、硫黄原子を含む化合物である。
還元性硫黄化合物は、処理液の腐食防止作用を向上させ得る。つまり、還元性硫黄化合物は防食剤として作用し得る。

還元性硫黄化合物としては、例えば、メルカプトコハク酸、ジチオジグリセロール、ビス（２，３－ジヒドロキシプロピルチオ）エチレン、３－（２，３－ジヒドロキシプロピルチオ）－２－メチル－プロピルスルホン酸ナトリウム、１－チオグリセロール、３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸ナトリウム、２－メルカプトエタノール、チオグリコール酸および３－メルカプト－１－プロパノールが挙げられる。
なかでも、ＳＨ基を有する化合物（メルカプト化合物）が好ましく、１－チオグリセロール、３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸ナトリウム、２－メルカプトエタノール、３－メルカプト－１－プロパノールまたはチオグリコール酸がより好ましい。

上記還元性硫黄化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上で用いてもよい。
還元性硫黄化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０１～１０質量％が好ましく、０．０５～５質量％がより好ましく、０．１～３質量％がさらに好ましい。
還元性硫黄化合物の含有量は、処理液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～３０．０質量％が好ましく、０．０５～２５．０質量％がより好ましく、０．５～２０．０質量％がさらに好ましい。

［処理液の物性］
以下、処理液の物性について説明する。

（ｐＨ）
本発明の処理液のｐＨは、７．０以下である。
ここで、処理液のｐＨは、公知のｐＨメーターを用いて、ＪＩＳ Ｚ８８０２－１９８４に準拠した方法により測定できる。測定温度は２５℃とする。
処理液のｐＨは、ＴｉＮの溶解速度により優れる点、および／または、ＴｉＮ溶解選択性により優れる点で、１．０～６．５が好ましく、１．５～５．５がより好ましく、１．５～４．０がさらに好ましく、２．０～３．０が特に好ましい。

（金属含有量）
本発明の処理液は、液中に不純物として含まれる金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎａ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、ＳｎおよびＡｇの金属元素）の含有量（イオン濃度として測定される）がいずれも５質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、１質量ｐｐｍ以下であることがより好ましい。最先端の半導体素子の製造においては、さらに高純度の処理液が求められることが想定されることから、その金属含有量が１質量ｐｐｍよりも低い値、つまり、質量ｐｐｂオーダー以下であることがさらに好ましく、１００質量ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１０質量ｐｐｂ未満であることが最も好ましい。下限としては、０が好ましい。

金属含有量の低減方法としては、例えば、処理液を製造する際に使用する原材料の段階または処理液の製造後の段階において、蒸留およびイオン交換樹脂またはフィルタを用いたろ過等の精製処理を行うことが挙げられる。
他の金属含有量の低減方法としては、原材料または製造された処理液を収容する容器として、後述する不純物の溶出が少ない容器を用いることが挙げられる。また、処理液の製造時に配管等から金属成分が溶出しないように、配管内壁にフッ素樹脂のライニングを施すことも挙げられる。

（粗大粒子）
処理液は、粗大粒子を含んでいてもよいが、その含有量が低いことが好ましい。
粗大粒子とは、粒子の形状を球体とみなした場合における直径（粒径）が０．０３μｍ以上である粒子を意味する。なお、上記砥粒は、粗大粒子に含まれ得る。
処理液における粗大粒子の含有量は、粒径０．１μｍ以上の粒子の含有量が、処理液１ｍＬあたり１００００個以下であることが好ましく、５０００個以下であることがより好ましい。下限は、処理液１ｍＬあたり０個以上が好ましく、０．０１個以上がより好ましい。
処理液に含まれる粗大粒子は、原料に不純物として含まれる塵、埃、有機固形物および無機固形物等の粒子、ならびに、処理液の調製中に汚染物として持ち込まれる塵、埃、有機固形物および無機固形物等の粒子であって、最終的に処理液中で溶解せずに粒子として存在するものが該当する。
処理液中に存在する粗大粒子の含有量は、レーザを光源とした光散乱式液中粒子測定方式における市販の測定装置を利用して液相で測定できる。
粗大粒子の除去方法としては、例えば、後述するフィルタリング等の精製処理が挙げられる。

＜処理液の製造方法＞
処理液は、公知の方法により製造できる。以下、処理液の製造方法について詳述する。

［調液工程］
処理液の調液方法は、例えば、上記各成分を混合することにより処理液を製造できる。
上記各成分を混合する順序および／またはタイミングは、特に制限されず、例えば、精製した純水を入れた容器に、カチオン性化合物、アニオン性化合物、および、酸化剤を順次添加した後、撹拌して混合するとともに、ｐＨ調整剤を添加して混合液のｐＨを調整することにより、調製する方法が挙げられる。また、水および各成分を容器に添加する場合、一括して添加してもよいし、複数回にわたって分割して添加してもよい。

処理液の調液に使用する撹拌装置および撹拌方法は、撹拌機または分散機として公知の装置を使用すればよい。撹拌機としては、例えば、工業用ミキサー、可搬型撹拌器、メカニカルスターラーおよびマグネチックスターラーが挙げられる。分散機としては、例えば、工業用分散器、ホモジナイザー、超音波分散器およびビーズミルが挙げられる。

処理液の調液工程における各成分の混合および後述する精製処理、ならびに、製造された処理液の保管は、４０℃以下で行うことが好ましく、３０℃以下で行うことがより好ましい。また、下限は、５℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。上記の温度範囲で処理液の調液、処理および／または保管を行うことにより、長期間安定に性能を維持できる。

（精製処理）
処理液を調製するための原料のいずれか１種以上に対して、事前に精製処理を行うことが好ましい。精製処理としては、例えば、蒸留、イオン交換およびろ過（フィルタリング）等の公知の方法が挙げられる。
精製の程度は、原料の純度が９９質量％以上となるまで精製することが好ましく、原液の純度が９９．９質量％以上となるまで精製することがより好ましい。

精製処理の方法としては、例えば、原料をイオン交換樹脂またはＲＯ膜（Ｒｅｖｅｒｓｅ Ｏｓｍｏｓｉｓ Ｍｅｍｂｒａｎｅ）等に通液する方法、原料の蒸留および後述するフィルタリングが挙げられる。
精製処理として、上記精製方法を複数組み合わせて実施してもよい。例えば、原料に対して、ＲＯ膜に通液する１次精製を行った後、カチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂または混床型イオン交換樹脂からなる精製装置に通液する２次精製を実施してもよい。
また、精製処理は、複数回実施してもよい。

（フィルタリング）
フィルタリングに用いるフィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に制限されない。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）およびテトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、ナイロン等のポリアミド系樹脂、ならびに、ポリエチレンおよびポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度または超高分子量を含む）からなるフィルタが挙げられる。これらの材料のなかでもポリエチレン、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）、フッ素樹脂（ＰＴＦＥおよびＰＦＡを含む）およびポリアミド系樹脂（ナイロンを含む）からなる群から選択される材料が好ましく、フッ素樹脂のフィルタがより好ましい。これらの材料により形成されたフィルタを用いて原料のろ過を行うことで、欠陥の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できる。

フィルタの臨界表面張力としては、７０～９５ｍＮ／ｍが好ましく、７５～８５ｍＮ／ｍがより好ましい。なお、フィルタの臨界表面張力の値は、製造メーカーの公称値である。臨界表面張力が上記範囲のフィルタを使用することで、欠陥の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できる。

フィルタの孔径は、２～２０ｎｍであることが好ましく、２～１５ｎｍであることがより好ましい。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、原料中に含まれる不純物および凝集物等の微細な異物を確実に除去することが可能となる。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。

フィルタリングは１回のみであってもよいし、２回以上行ってもよい。フィルタリングを２回以上行う場合、用いるフィルタは同じであってもよいし、異なっていてもよい。

また、フィルタリングは室温（２５℃）以下で行うことが好ましく、２３℃以下がより好ましく、２０℃以下がさらに好ましい。また、０℃以上が好ましく、５℃以上がより好ましく、１０℃以上がさらに好ましい。上記の温度範囲でフィルタリングを行うことにより、原料中に溶解する粒子性の異物および不純物の量を低減し、異物および不純物を効率的に除去できる。

（容器）
処理液（後述する希釈処理液の態様を含む）は、腐食性等が問題とならない限り、任意の容器に充填して保管、運搬および使用できる。

容器としては、半導体用途向けに、容器内のクリーン度が高く、容器の収容部の内壁から各液への不純物の溶出が抑制された容器が好ましい。そのような容器としては、半導体処理液用容器として市販されている各種容器が挙げられ、例えば、アイセロ化学社製の「クリーンボトル」シリーズおよびコダマ樹脂工業製の「ピュアボトル」等が挙げられ、これらに制限されない。
また、処理液を収容する容器としては、その収容部の内壁等の各液との接液部が、フッ素樹脂（パーフルオロ樹脂）または防錆および金属溶出防止処理が施された金属で形成された容器が好ましい。
容器の内壁は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂およびポリエチレン－ポリプロピレン樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂、もしくはこれとは異なる樹脂またはステンレス、ハステロイ、インコネルおよびモネル等、防錆および金属溶出防止処理が施された金属から形成されることが好ましい。

上記の異なる樹脂としては、フッ素樹脂（パーフルオロ樹脂）が好ましい。このように、内壁がフッ素樹脂である容器を用いることで、内壁が、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂またはポリエチレン－ポリプロピレン樹脂である容器と比べて、エチレンまたはプロピレンのオリゴマーの溶出という不具合の発生を抑制できる。
このような内壁がフッ素樹脂である容器としては、例えば、Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製 ＦｌｕｏｒｏＰｕｒｅＰＦＡ複合ドラムが挙げられる。また、特表平３－５０２６７７号公報の第４頁、国際公開第２００４／０１６５２６号明細書の第３頁、ならびに、国際公開第９９／４６３０９号明細書の第９頁および１６頁等に記載の容器も使用できる。

また、容器の内壁には、上記フッ素樹脂以外に、石英および電解研磨された金属材料（つまり、電解研磨済みの金属材料）も好ましく用いられる。
上記電解研磨された金属材料の製造に用いられる金属材料は、クロムおよびニッケルからなる群から選択される少なくとも１つを含み、クロムおよびニッケルの含有量の合計が金属材料全質量に対して２５質量％超である金属材料であることが好ましく、例えば、ステンレス鋼およびニッケル－クロム合金が挙げられる。
金属材料におけるクロムおよびニッケルの含有量の合計は、金属材料全質量に対して３０質量％以上がより好ましい。
なお、金属材料におけるクロムおよびニッケルの含有量の合計の上限としては一般的に９０質量％以下が好ましい。

金属材料を電解研磨する方法としては公知の方法を用いることができる。例えば、特開２０１５－２２７５０１号公報の段落［００１１］～［００１４］および特開２００８－２６４９２９号公報の段落［００３６］～［００４２］等に記載された方法を使用できる。

これらの容器は、処理液を充填する前にその内部が洗浄されることが好ましい。洗浄に使用される液体は、その液中における金属不純物量が低減されていることが好ましい。処理液は、製造後にガロン瓶またはコート瓶等の容器にボトリングし、輸送、保管されてもよい。

保管における処理液中の成分の変化を防ぐ目的で、容器内を純度９９．９９９９５体積％以上の不活性ガス（窒素またはアルゴン等）で置換しておいてもよい。特に含水率が少ないガスが好ましい。また、輸送および保管に際しては、常温であってもよく、変質を防ぐため、－２０℃から２０℃の範囲に温度制御してもよい。

（クリーンルーム）
処理液の製造、容器の開封および洗浄、処理液の充填等を含めた取り扱い、処理分析、ならびに、測定は、全てクリーンルームで行うことが好ましい。クリーンルームは、１４６４４－１クリーンルーム基準を満たすことが好ましい。ＩＳＯ（国際標準化機構）クラス１、ＩＳＯクラス２、ＩＳＯクラス３およびＩＳＯクラス４のいずれかを満たすことが好ましく、ＩＳＯクラス１またはＩＳＯクラス２を満たすことがより好ましく、ＩＳＯクラス１を満たすことがさらに好ましい。

［希釈工程］
上記処理液は、希釈剤を用いて希釈する希釈工程を経た後、希釈された処理液（希釈処理液）として使用に供されてもよい。
なお、希釈処理液も、本発明の要件を満たす限り、本発明の処理液の一形態である。

希釈液としては、水、および、イソプロパノールアミン（１－アミノ－２－プロパノール）またはアンモニアを含む水溶液が挙げられる。
希釈工程に用いる希釈液に対しては、事前に精製処理を行うことが好ましい。また、希釈工程により得られた希釈処理液に対して、精製処理を行うことがより好ましい。
精製処理としては、上記処理液に対する精製処理として記載した、イオン交換樹脂またはＲＯ膜等を用いたイオン成分低減処理およびフィルタリングを用いた異物除去が挙げられ、これらのうちいずれかの処理を行うことが好ましい。

希釈工程における処理液の希釈率は、各成分の種類および含有量、ならびに、処理液の使用対象および目的に応じて適宜調整すればよい。希釈前の処理液に対する希釈処理液の比率（希釈倍率）は、質量比または体積比（２３℃における体積比）で１．５～１００００倍が好ましく、２～２０００倍がより好ましく、５０～１０００倍がさらに好ましい。

また、上記処理液に含まれ得る各成分（水は除く）の好適な含有量を、上記範囲の希釈倍率（例えば１００）で除した量で各成分を含む処理液（希釈処理液）も好適に実用できる。
換言すると、希釈処理液の全質量に対する各成分（水は除く）の好適含有量は、例えば、処理液（希釈前の処理液）の全質量に対する各成分の好適含有量として説明した量を、上記範囲の希釈倍率（例えば１００）で除した量である。

希釈前後におけるｐＨの変化（希釈前の処理液のｐＨと希釈処理液のｐＨとの差分）は、２．０以下が好ましく、１．８以下がより好ましく、１．５以下がさらに好ましい。
希釈前の処理液のｐＨおよび希釈処理液のｐＨは、それぞれ、上記好適態様であることが好ましい。

処理液を希釈する希釈工程の具体的方法は、上記の処理液の調液工程に準じて行えばよい。希釈工程で使用する撹拌装置および撹拌方法もまた、上記の処理液の調液工程において挙げた公知の撹拌装置を用いて行えばよい。

＜処理液の用途＞
本発明の処理液の用途は、特に制限されないが、半導体基板から特定の部材を除去する工程に好適に用いることができる。なかでも、本発明の処理液は、エッチング後残渣除去液、レジスト剥離剤、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）後洗浄液、または、エッチング液に用いられることが好ましい。
上述したとおり、処理液の使用においては、処理液を希釈して得られる希釈処理液を用いてもよい。

［被処理物］
本発明の処理液を好適に用いることができる被処理物としては、半導体基板上に、金属含有物を有する半導体基板が挙げられる。
なお、「半導体基板上」とは、例えば、半導体基板の表裏、側面および溝内等のいずれも含む。また、半導体基板上の金属含有物とは、半導体基板の表面上に直接金属含有物がある場合のみならず、半導体基板上に他の層を介して金属含有物がある場合も含む。
また、半導体基板は、上述したような複数の態様の金属含有物を同時に有していてもよい。すなわち、半導体基板は、複数の種類の金属含有物を有していてもよい。

金属含有物に含まれる金属としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｐｔ（白金）、および、Ｉｒ（イリジウム）からなる群より選択される少なくとも１種の金属Ｍが挙げられる。
金属含有物は、金属（金属原子）を含む物質であればよく、例えば、金属Ｍの単体、金属Ｍを含む合金、金属Ｍの酸化物、金属Ｍの窒化物、および、金属Ｍの酸窒化物が挙げられる。
また、金属含有物は、これらの単体または化合物のうちの２種以上を含む混合物でもよい。
なお、上記酸化物、窒化物、および、酸窒化物は、金属を含む、複合酸化物、複合窒化物、および、複合酸窒化物でもよい。
金属含有物中の金属原子の含有量は、金属含有物の全質量に対して、１０質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましい。上限は、金属含有物が金属そのものであってもよいことから、１００質量％である。

半導体基板は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａ、および、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属含有物を有することが好ましく、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｔａ、および、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属含有物を有することがより好ましく、Ｔｉ、Ｃｏ、および、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属含有物を有することがさらに好ましい。

被処理物の半導体基板は、特に制限されず、例えば、半導体基板を構成するウエハの表面に、金属配線膜、バリア膜、および絶縁膜を有する基板が挙げられる。

半導体基板を構成するウエハとしては、例えば、シリコン（Ｓｉ）ウエハ、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）ウエハ、シリコンを含む樹脂系ウエハ（ガラスエポキシウエハ）等のシリコン系材料からなるウエハ、ガリウムリン（ＧａＰ）ウエハ、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ウエハおよびインジウムリン（ＩｎＰ）ウエハが挙げられる。
シリコンウエハとしては、例えば、シリコンウエハに５価の原子（例えば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）およびアンチモン（Ｓｂ）等）をドープしたｎ型シリコンウエハ、ならびに、シリコンウエハに３価の原子（例えば、ホウ素（Ｂ）およびガリウム（Ｇａ）等）をドープしたｐ型シリコンウエハが挙げられる。シリコンウエハのシリコンとしては、例えば、アモルファスシリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコンおよびポリシリコンが挙げられる。
なかでも、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハおよびシリコンを含む樹脂系ウエハ（ガラスエポキシウエハ）等のシリコン系材料からなるウエハが好ましい。

半導体基板は、上記ウエハに絶縁膜を有していてもよい。
絶縁膜としては、例えば、シリコン酸化膜（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜およびオルトケイ酸テトラエチル（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）膜（ＴＥＯＳ膜）等）、シリコン窒化膜（例えば、窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）および窒化炭化シリコン（ＳｉＮＣ）等）、ならびに、低誘電率（Ｌｏｗ－ｋ）膜（例えば、炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）膜およびシリコンカーバイド（ＳｉＣ）膜等）が挙げられ、低誘電率（Ｌｏｗ－ｋ）膜が好ましい。

金属含有物は、金属を含む金属膜であることも好ましい。
半導体基板が有する金属膜としては、金属Ｍを含む金属膜が好ましく、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、ＴａおよびＷからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属膜がより好ましく、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｕ、ＴａおよびＷからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属膜がさらに好ましく、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、ＲｕおよびＷからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属膜が特に好ましく、Ｔｉを含む金属膜、または、Ｗを含む金属膜が最も好ましい。
Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、ＲｕおよびＷからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属膜としては、例えば、チタンを主成分とする膜（Ｔｉ含有膜）、コバルトを主成分とする膜（Ｃｏ含有膜）、銅を主成分とする膜（Ｃｕ含有膜）、ルテニウムを主成分とする膜（Ｒｕ含有膜）、および、タングステンを主成分とする膜（Ｗ含有膜）挙げられる。

チタン含有膜（チタンを主成分とする金属膜）としては、例えば、金属Ｔｉのみからなる金属膜（チタン金属膜）、および、金属チタンと他の金属とからなる合金製の金属膜（チタン合金金属膜）が挙げられる。
チタン合金金属膜としては、Ａｌ（アルミニウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、および、タングステン（Ｗ）から選ばれる１種以上の金属とチタンとからなる合金製の金属膜が挙げられる。より具体的には、チタン－アルミニウム合金金属膜（ＴｉＡｌ合金金属膜）、チタン－シリコン合金金属膜（ＴｉＳｉ合金金属膜）、チタン－クロム合金金属膜（ＴｉＣｒ合金金属膜）、チタン－銅合金金属膜（ＴｉＣｕ合金金属膜）、チタン－モリブデン合金金属膜（ＴｉＭｏ合金金属膜）、および、チタン－タングステン合金金属膜（ＴｉＷ合金金属膜）が挙げられる。

コバルト含有膜（コバルトを主成分とする金属膜）としては、例えば、金属コバルトのみからなる金属膜（コバルト金属膜）および金属コバルトと他の金属とからなる合金製の金属膜（コバルト合金金属膜）が挙げられる。
コバルト合金金属膜としては、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）およびタングステン（Ｗ）から選ばれる１種以上の金属とコバルトとからなる合金製の金属膜が挙げられる。より具体的には、コバルト－チタン合金金属膜（ＣｏＴｉ合金金属膜）、コバルト－クロム合金金属膜（ＣｏＣｒ合金金属膜）、コバルト－鉄合金金属膜（ＣｏＦｅ合金金属膜）、コバルト－ニッケル合金金属膜（ＣｏＮｉ合金金属膜）、コバルト－モリブデン合金金属膜（ＣｏＭｏ合金金属膜）、コバルト－パラジウム合金金属膜（ＣｏＰｄ合金金属膜）、コバルト－タンタル合金金属膜（ＣｏＴａ合金金属膜）およびコバルト－タングステン合金金属膜（ＣｏＷ合金金属膜）が挙げられる。

半導体基板は、銅含有膜（銅を主成分とする金属膜）を有していることも好ましい。
銅含有膜としては、例えば、金属銅のみからなる配線膜（銅配線膜）および金属銅と他の金属とからなる合金製の配線膜（銅合金配線膜）が挙げられる。
銅合金配線膜としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、タンタル（Ｔａ）およびタングステン（Ｗ）から選ばれる１種以上の金属と銅とからなる合金製の配線膜が挙げられる。より具体的には、銅－アルミニウム合金配線膜（ＣｕＡｌ合金配線膜）、銅－チタン合金配線膜（ＣｕＴｉ合金配線膜）、銅－クロム合金配線膜（ＣｕＣｒ合金配線膜）、銅－マンガン合金配線膜（ＣｕＭｎ合金配線膜）、銅－タンタル合金配線膜（ＣｕＴａ合金配線膜）および銅－タングステン合金配線膜（ＣｕＷ合金配線膜）が挙げられる。

ルテニウム含有膜としては、例えば、金属ルテニウムのみからなる金属膜（ルテニウム金属膜）および金属ルテニウムと他の金属とからなる合金製の金属膜（ルテニウム合金金属膜）が挙げられる。ルテニウム含有膜は、バリアメタルとして使用されることが多い。

タングステン含有膜（タングステンを主成分とする金属膜）としては、例えば、タングステンのみからなる金属膜（タングステン金属膜）およびタングステンと他の金属とからなる合金製の金属膜（タングステン合金金属膜）が挙げられる。
タングステン合金金属膜としては、例えば、タングステン－チタン合金金属膜（ＷＴｉ合金金属膜）およびタングステン－コバルト合金金属膜（ＷＣｏ合金金属膜）が挙げられる。
タングステン含有膜は、例えば、バリアメタルまたはビアと配線の接続部に使用される。

金属含有物は、金属を含む化合物を含む金属化合物膜であることも好ましい。
金属化合物膜としては、窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）、および、窒化タンタル膜（ＴａＮ）が挙げられる。
金属化合物膜は、例えば、バリア膜として使用される。

上記被処理物のなかでも、窒化チタン膜、および、タングステン金属膜またはタングステン合金金属膜を含む被処理物が好ましい。

（被処理物の製造方法）
半導体基板を構成するウエハ上に、上記の絶縁膜、チタン含有膜、コバルト含有膜、銅含有膜、ルテニウム含有膜、タングステン含有膜、および、金属化合物膜等を形成する方法としては、通常この分野で行われる方法であれば特に制限はない。
絶縁膜の形成方法としては、例えば、半導体基板を構成するウエハに対して、酸素ガス存在下で熱処理を行うことによりシリコン酸化膜を形成し、次いで、シランおよびアンモニアのガスを流入して、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりシリコン窒化膜を形成する方法が挙げられる。
ルチタン含有膜、コバルト含有膜、銅含有膜、ルテニウム含有膜、タングステン含有膜、および、金属化合物膜を形成する方法としては、例えば、上記の絶縁膜を有するウエハ上に、レジスト等の公知の方法で回路を形成し、次いで、鍍金、スパッタリング法、ＣＶＤ法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、および、原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の方法により、チタン含有膜、コバルト含有膜、銅含有膜、ルテニウム含有膜、タングステン含有膜、および、金属化合物膜を形成する方法が挙げられる。

また、被処理物は、上記方法で製造した基板に対し、所定の処理を実施したものであってもよい。所定の処理とは、エッチング処理、ＣＭＰ処理、および、レジストパターン形成処理等が挙げられる。

＜処理液の使用方法＞
処理液の使用方法としては、例えば、被処理物と処理液とを接触させる方法が挙げられる。以下、被処理物と処理液とを接触させる方法を含む工程を、「接触工程」ともいう。
接触工程を実施したとき、被処理物にＷ金属膜が含まれる場合は、Ｗ金属膜は溶解されず、所望の処理（残渣の除去および洗浄等）を実施できる。また、Ｗと類似した化学的性質を有する金属は、Ｗと同様に本発明の処理液によって溶解されない。すなわち、本発明の処理液は、それら金属に対する防食性を有する。本発明の処理液が防食性を発現し得る金属としては、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、および、Ｔａが挙げられる。
接触工程を実施したとき、被処理物にＴｉＮが含まれる場合、ＴｉＮは溶解される。また、ＴｉＮと類似した化学的性質を有する材料は、ＴｉＮと同様に、本発明の処理液によって溶解される。すなわち、本発明の処理液は、それら材料に対する溶解能を有する。本発明の処理液が溶解能を発現し得る材料としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、および、Ｒｕ、ならびに、それらの酸化物または窒化物が挙げられる。
接触工程を実施したとき、被処理物にＷおよびＴｉＮが含まれる場合、Ｗに対してＴｉＮが選択的に溶解される。また、上記本発明の処理液が防食性を発現し得る金属に対して、上記溶解能を発現し得る材料が選択的に溶解され得る。したがって、本発明の処理液は、Ｗ等に対してＴｉＮ等を選択的に溶解するエッチング液として好適に用いることができる。
被処理物については上述したとおりである。

被処理物と処理液とを接触させる方法としては、特に制限されず、例えば、タンクに入れた処理液中に被処理物を浸漬する方法、被処理物上に処理液を噴霧する方法、被処理物上に処理液を流す方法、および、それらの組み合わせが挙げられる。上記方法は、目的に応じて適宜選択すればよい。
また、上記方法は、通常この分野で行われる様式を適宜採用してもよい。例えば、処理液を供給しながらブラシ等の洗浄部材を被処理物の表面に物理的に接触させて残渣物等を除去するスクラブ洗浄、および、被処理物を回転させながら処理液を滴下するスピン（滴下）式等であってもよい。浸漬式では、被処理物の表面に残存する不純物をより低減できる点で、処理液に浸漬された被処理物に対して超音波処理を施すことが好ましい。
接触工程における被処理物と処理液との接触は、１回のみ実施してもよく、２回以上実施してもよい。２回以上接触させる場合は、同じ方法を繰り返してもよいし、異なる方法を組み合わせてもよい。

接触工程の方法としては、枚葉方式およびバッチ方式のいずれであってもよい。
枚葉方式とは、一般的に被処理物を１枚ずつ処理する方式であり、バッチ方式とは、一般的に複数枚の被処理物を同時に処理する方式である。

処理液の温度は、通常この分野で行われる温度であれば特に制限はない。一般的には室温（約２５℃）で洗浄が行われるが、洗浄性の向上および部材への対ダメージ性を抑えるために、温度は任意に選択できる。例えば、処理液の温度としては、１０～６０℃が好ましく、１５～５０℃がより好ましい。

処理液のｐＨは、７．０以下であり、上述した処理液のｐＨの好適態様であることが好ましい。希釈された処理液のｐＨも上述した処理液のｐＨの好適態様であることが好ましい。

被処理物と処理液との接触時間は、処理液に含まれる各成分の種類および含有量、ならびに、処理液の使用対象および目的に応じて適宜変更できる。実用的には、１０～１２０秒が好ましく、２０～９０秒がより好ましく、３０～６０秒がさらに好ましい。

処理液の供給量（供給速度）としては、５０～５０００ｍＬ／分が好ましく、５００～２０００ｍＬ／分がより好ましい。

接触工程において、処理液の洗浄能力をより増進するために、機械的撹拌方法を用いてもよい。
機械的撹拌方法としては、例えば、被処理物上で処理液を循環させる方法、被処理物上で処理液を流過または噴霧させる方法および超音波またはメガソニックにて処理液を撹拌する方法が挙げられる。

また、接触工程の後に、被処理物を溶剤ですすいで清浄する工程（以下、「リンス工程」ともいう。）を行ってもよい。
リンス工程は、接触工程の後に連続して行われ、リンス溶剤（リンス液）を用いて５～３００秒にわたってすすぐ工程であることが好ましい。リンス工程は、上記機械的撹拌方法を用いて行ってもよい。

リンス溶剤としては、例えば、水（好ましくは脱イオン（ＤＩ：Ｄｅ Ｉｏｎｉｚｅ）水）、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、Ｎ－メチルピロリジノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、乳酸エチルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。また、ｐＨが８．０超である水性リンス液（希釈した水性の水酸化アンモニウム等）を利用してもよい。
リンス溶剤を被処理物に接触させる方法としては、上記処理液を被処理物に接触させる方法を同様に適用できる。

また、上記リンス工程の後に、被処理物を乾燥させる乾燥工程を行ってもよい。
乾燥方法としては、例えば、スピン乾燥法、被処理物上に乾性ガスを流過させる方法、ホットプレートおよび赤外線ランプ等の加熱手段によって基板を加熱する方法、マランゴニ乾燥法、ロタゴニ乾燥法、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）乾燥法、ならびに、これらの任意の組み合わせた方法が挙げられる。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。
以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきではない。

以下の実施例において、処理液のｐＨは、ｐＨメーター（堀場製作所社製、型式「Ｆ－７４」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ８８０２－１９８４に準拠して２５℃において測定した。
また、実施例および比較例の処理液の製造にあたって、容器の取り扱い、処理液の調液、充填、保管および分析測定は、全てＩＳＯクラス２以下を満たすレベルのクリーンルームで行った。

＜処理液の調製＞
以下に示す各成分を混合して、各実施例および各比較例に用いた処理液を調製した。処理液における各成分の含有量は、後段に示す表１－１～１－５のとおりとした。なお、各表中の含有量は、下記成分が溶媒と当該成分との混合物の場合、溶媒を除いた当該成分の含有量を示す。
なお、実施例で使用した各種成分はいずれも、半導体グレードに分類されるものまたはそれに準ずる高純度グレードに分類されるものを使用した。

［水］
・超純水

［カチオン性化合物］
カチオン性化合物は、以下に示すＣ１～Ｃ１３を用いた。なお、繰り返し単位を示した化合物は、その繰り返し単位からなる化合物を表す。

［アニオン性化合物］
・Ａ１：下記繰り返し単位からなる化合物

・Ａ５：ポリ（ビニル亜リン酸）（重量平均分子量：１００００、富士フイルム和光純薬社製）
・Ａ６：ポリマレイン酸（重量平均分子量：２０００、日油株式会社製、商品名「ノンポールＰＷＡ－５０Ｗ」）
・Ａ７：ポリアクリル酸（重量平均分子量：２０００、富士フイルム和光純薬社製）
・Ａ８：ポリアクリル酸（重量平均分子量：８０００、富士フイルム和光純薬社製）
・Ａ９：アクリル酸－マレイン酸共重合体（重量平均分子量：１００００、日本触媒製、商品名「アクアリックＴＬ３７」）
・Ａ１０：ポリアクリル酸（重量平均分子量：５００００、富士フイルム和光純薬社製）
・Ａ１１：ポリ（スチレンスルホン酸）（重量平均分子量：７５０００、富士フイルム和光純薬社製）
・Ａ１２：ポリアクリル酸（重量平均分子量：１０００００、富士フイルム和光純薬社製）
・Ａ１３：ポリアクリル酸（重量平均分子量：１２５０００、富士フイルム和光純薬社製）

［低分子アニオン性化合物］
比較例５～７においては、上記アニオン性化合物の代わりに下記化合物（低分子アニオン性化合物）を用いた。

・Ａ２：下記化合物

・Ａ３：下記化合物

・Ａ４：下記化合物

［フッ化物源］
・Ｅ１：フッ化水素酸（フッ化水素（ＨＦ）水溶液）
・Ｅ２：ヘキサフルオロジルコニウム酸（Ｈ_２ＺｒＦ_６）水溶液
・Ｅ３：ヘキサフルオロチタン酸（Ｈ_２ＴｉＦ_６）水溶液
・Ｅ４：ヘキサフルオロリン酸（ＨＰＦ_６）水溶液
・Ｅ５：テトラフルオロホウ酸（ＨＢＦ_４）水溶液
・Ｅ６：ヘキサフルオロケイ酸（Ｈ_２ＳｉＦ_６）水溶液

［酸化剤］
・Ｏ１：過ヨウ素酸（Ｈ_５ＩＯ_６水溶液）
・Ｏ２：過酸化水素水
・Ｏ３：硝酸
・Ｏ４：過酢酸
・Ｏ５：過塩素酸
・Ｏ６：ペルオキソ二硫酸アンモニウム
・Ｏ７：トリクロロイソシアヌル酸

［腐食防止剤］
・Ｉ１：ケイ酸テトラメチルアンモニウム
・Ｉ２：ケイ酸テトラエチルアンモニウム
・Ｉ３：ケイ酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）
・Ｉ４：ホウ酸（Ｈ_３ＢＯ_３）

［有機溶剤］
・Ｓ１：エチレングリコール
・Ｓ２：ジメチルスルホキシド
・Ｓ３：Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド
・Ｓ４：グリセロール
・Ｓ５：スルホラン

［ｐＨ調整剤］
・Ｒ１：メタンスルホン酸
・Ｒ２：水酸化ナトリウム

＜評価＞
［ＴｉＮ溶解速度］
市販のシリコンウエハ（直径：１２インチ）の一方の表面上に、ＣＶＤ法により３０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）層を形成したＴｉＮ層付き基板を準備した。
得られたＴｉＮ層付き基板を、各実施例又は各比較例の処理液を満たした容器に入れ、処理液を撹拌してＴｉＮ層の除去処理を３分間実施した。組成物の温度は、４０℃とした。
分光エリプソメーター（ジェー・エー・ウーラム・ジャパン社製「Ｖａｃｅ」）を用いて測定したＴｉＮ層の厚みを、上記処理前後で比較することにより、ＴｉＮの溶解速度を算出した。各実施例および各比較例におけるＴｉＮの溶解速度を、表１－１～１－５に示す。
また、下記評価基準にしたがって、ＴｉＮの溶解速度を評価した。評価結果を表１－１～１－５に示す。なお、実用上、Ｄ以上の評価が好ましい。

（ＴｉＮ溶解速度の評価基準）
Ａ：ＴｉＮの溶解速度が８０Å／分以上
Ｂ：ＴｉＮの溶解速度が５０Å／分以上８０Å／分未満
Ｃ：ＴｉＮの溶解速度が３０Å／分以上５０Å／分未満
Ｄ：ＴｉＮの溶解速度が１０Å／分以上３０Å／分未満
Ｅ：ＴｉＮの溶解速度が１Å／分未満

［Ｗ溶解速度］
市販のシリコンウエハ（直径：１２インチ）の一方の表面上に、ＣＶＤ法により３０ｎｍのタングステン（Ｗ）層を形成したＷ層付き基板を準備した。
得られたＷ層付き基板を、各実施例又は各比較例の処理液を満たした容器に入れ、処理液を撹拌してＷ層の除去処理を３分間実施した。組成物の温度は、４０℃とした。
ＴｉＮの溶解速度と同様にして、Ｗの溶解速度を算出した。各実施例および各比較例におけるＷの溶解速度を、表１－１～１－５に示す。

［溶解速度比］
上記方法で得られるＷの溶解速度とＴｉＮの溶解速度とを用いて、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比（溶解速度比）を算出した。各実施例および各比較例における溶解速度比を、表１－１～１－５に示す。
また、下記評価基準にしたがって、溶解速度比を評価した。評価結果を表１－１～１－５に示す。なお、実用上、Ｄ以上の評価が好ましい。

（溶解速度比の評価基準）
ＡＡ：Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が１００以上
Ａ：Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が６０以上１００未満
Ｂ：Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が３０以上６０未満
Ｃ：Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が１０以上３０未満
Ｄ：Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が１以上１０未満
Ｅ：Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が１未満

＜結果＞
表１－１～１－５に、各実施例および各比較例に用いた処理液の成分、ならびに、各実施例および各比較例の評価結果を示す。
各表中、「水」欄における「残部」の表記は、処理液における各成分以外の成分が水であることを表す。なお、上記成分が水溶液の場合、その成分に含まれる水は残部となる。
各表中、「Ｃ／Ａ」欄は、アニオン性化合物の含有量に対するカチオン性化合物の含有量の比を表す。
各表中、「ｐＨ」欄の「２～３」の表記は、処理液のｐＨが２．０～３．０であったことを表す。

各表の結果から、本発明の処理液は所望の効果を奏することが確認された。
実施例１３と、他の実施例との比較から、カチオン性化合物が、窒素原子を有する化合物を含む場合、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きくなることが確認された。
実施例１１および１２と、他の実施例との比較から、カチオン性化合物が、上記式（３－４）で表される構造を有する化合物を含む場合、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きく、ＴｉＮの溶解速度に優れることが確認された。
実施例１０と、他の実施例との比較から、カチオン性化合物が、上記式（Ｌ）で表される繰り返し単位を有する樹脂場合、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きく、ＴｉＮの溶解速度に優れることが確認された。
実施例２３および２９と、実施例２４～２８との比較から、アニオン性化合物の含有量に対する、カチオン性化合物の含有量の質量比が、１～１００である場合、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きく、ＴｉＮの溶解速度に優れることが確認された。
実施例３４と、他の実施例の比較から、処理液がフッ化物源をさらに含む場合、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きく、ＴｉＮの溶解速度に優れることが確認された。
実施例４６と、他の実施例との比較から、処理液が腐食防止剤をさらに含む場合、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きいことが確認された。
実施例５０と、他の実施例との比較から、処理液が有機溶剤をさらに含む場合、Ｗの溶解速度に対するＴｉＮの溶解速度の比が大きいことが確認された。

＜ドライエッチング残渣除去＞
基板（Ｓｉ）上に、厚さ１００ｎｍのＳｉＯ_２膜が積層されている積層物を準備する。この積層物に対して、ＴｉＮメタルハードマスクをマスクとして、フッ素を含むガスによりプラズマエッチングを実施して、ＳｉＯ_２膜に対して５０ｎｍ程度のエッチングを行い、２ｃｍ四方の格子状パターンが形成されている評価試験用の試験片を作製する。
エッチング後の試験片上には、フッ素を含有するドライエッチング残渣物が付着する。フッ素を含有するドライエッチング残渣物は、Ｘ線光電分光分析法（ＸＰＳ：Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）でフッ素を検出することで解析できる。なお、エッチング後の試験片の表面におけるフッ素原子量の含有量は、４～５原子％となる。

次いで、下記の手順により、上記各実施例の処理液によるドライエッチング残渣除去性能を評価する。
処理液を撹拌しながら、上記試験片を液温６５℃の処理液に所定の洗浄時間が経過するまで浸漬し、試験片を洗浄する。９０秒経過後、試験片をすぐに処理液から取り出し、イオン交換水でリンスし、窒素ガス流で試験片の表面を乾燥させる。

得られた試験片の表面の組成分析を、ＸＰＳ装置（Ｕｌｖａｃ－ＰＨＩ社製、商品名ＱｕａｎｔｅｒａＳＸＭ）を用いて行い、試験片の表面におけるドライエッチング残渣物由来のフッ素原子の含有量（原子％）を測定する。
９０秒間の洗浄により、フッ素原子の含有量は１原子％以下となり、上記各実施例の処理液によれば、ドライエッチング残渣が十分に除去できる。

＜化学機械研磨残渣除去＞
Ｓｉウエハ（直径８インチ）の表面に線幅０．１８μｍ、深さ０．５μｍの溝を有するパターンを作製し、蒸着によりＷからなる金属膜を表面に形成する。上記ウエハの金属膜を有する側の表面を、ＦＲＥＸ３００Ｓ－ＩＩ（研磨装置、（株）荏原製作所製）を用いて研磨する。研磨液としてＣＳＬ９０４４Ｃ、および、ＢＳＬ８１７６Ｃ（商品名、いずれも富士フイルムプラナーソリューションズ社製）をそれぞれ使用して研磨（ＣＭＰ処理）を行う。上記の金属膜を表面に有するウエハに対するＣＭＰ処理において、研磨圧力は２．０ｐｓｉとし、研磨液の供給速度は０．２８ｍＬ／（分・ｃｍ^２）とする。研磨時間は６０秒間とする。なお、「ｐｓｉ」とは、“ｐｏｕｎｄ－ｆｏｒｃｅ ｐｅｒ ｓｑｕａｒｅ ｉｎｃｈ”、すなわち重量ポンド毎平方インチを意味し、１ｐｓｉ＝６８９４．７６Ｐａを意味する。
その後、室温（２３℃）に調整した各実施例の処理液を用いて、ＣＭＰ処理されたウエハを３０秒間、スクラブ洗浄し、次いで、乾燥処理する。
乾燥処理後のウエハに対して、欠陥検出装置（ＡＭＡＴ社製、ＣｏｍＰｌｕｓ－ＩＩ）を用い、ウエハの研磨面において、長さが０．１μｍ以上である欠陥に対応する信号強度の検出数を計測する。
各実施例の処理液を用いてＣＭＰ処理後のウエハをスクラブ洗浄すると、ウエハの研磨面におけるウエハあたりの欠陥数は、３００個未満となる。また、ＣＭＰ処理で溝内に残存するＷは腐食されない。

Claims (15)

1. 水と、
   カチオン性化合物と、
   カルボキシ基またはその塩を有する樹脂、スルホ基またはその塩を有する樹脂、亜リン酸基またはその塩を有する樹脂、および、リン酸基またはその塩を有する樹脂からなる群から選択されるアニオン性化合物と、
   酸化剤とを含み、
   ｐＨが７．０以下であり、
   砥粒を実質的に含まない、処理液。
2. 前記カチオン性化合物が、窒素原子を有する化合物を含む、請求項１に記載の処理液。
3. 前記カチオン性化合物が、下記式（１）～（４）で表される構造からなる群から選択される構造を有する化合物を含む、請求項１または２に記載の処理液。
   

   

   
   式（１）～（４）中、＊は、結合位置を表す。
   式（１）、式（２）、および、式（４）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。
4. 前記カチオン性化合物が、下記式（Ａ）～（Ｇ）で表される化合物からなる群から選択される化合物を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
   

   

   
   式（Ａ）中、Ｒ_Ａ１～Ｒ_Ａ３は、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。
   式（Ｂ）中、Ｒ_Ｂ１～Ｒ_Ｂ４は、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。式（Ｂ）中、Ａ^ｙ－は、ｙ価のアニオンを表す。式（Ｂ）中、ｙは、１～６の整数を表す。
   式（Ｂ－１）中、Ｒ_Ｂ５～Ｒ_Ｂ１０は、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。式（Ｂ－１）中、Ｌ_Ｂ１は、２価の連結基を表す。式（Ｂ－１）中、Ａ^－は、１価のアニオンを表す。
   式（Ｃ）中、Ｒ_Ｃ１は、水素原子または１価の置換基を表す。式（Ｃ）中、Ｘは、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＨを表す。
   式（Ｄ）中、Ｒ_Ｄ１およびＲ_Ｄ２は、水素原子または１価の置換基を表す。式（Ｄ）中、Ｘは、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＨを表す。式（Ｄ）中、Ａ^ｙ－は、ｙ価のアニオンを表す。式（Ｄ）中、ｙは、１～６の整数を表す。
   式（Ｅ）中、Ｒ_Ｅ１は、１価の置換基を表す。式（Ｅ）中、ｍは、０～５の整数を表す。
   式（Ｆ）中、Ｒ_Ｆ１は、１価の置換基を表し、Ｒ_Ｆ２は、水素原子または１価の置換基を表す。式（Ｆ）中、ｍは、０～５の整数を表す。式（Ｆ）中、Ａ^ｙ－は、ｙ価のアニオンを表す。式（Ｆ）中、ｙは、１～６の整数を表す。
   式（Ｇ）中、Ｒ_Ｇ１およびＲ_Ｇ２は、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。式（Ｇ）中、ｎは、１～３の整数を表す。
5. 前記カチオン性化合物が、下記式（３－４）で表される構造を有する化合物を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
   

   

   
   式（３－４）中、＊は結合位置を表す。
6. 前記カチオン性化合物が、下記式（Ｈ）で表される化合物を含む、請求項５に記載の処理液。
   

   

   
   式（Ｈ）中、Ｒ_Ｈ１は、水素原子または１価の置換基を表す。式（Ｈ）中、Ｌ_Ｈ１は、単結合または２価の連結基を表す。
   式（Ｈ）中、Ｚは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、または、下記式（３－５）で表される基を表す。
   

   

   
   式（３－５）中、Ｒ_３は、水素原子または１価の置換基を表す。式（３－５）中、＊は、結合位置を表す。
7. 前記カチオン性化合物が、下記式（Ｉ）～（Ｌ）で表される繰り返し単位からなる群から選択される繰り返し単位を有する樹脂を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
   

   

   
   式（Ｉ）中、Ｌ_Ｉ１は、単結合または２価の連結基を表す。式（Ｉ）中、Ｙは、下記式（１－１）、式（２－１）、式（３－１）または式（４－２）で表される構造を有する基を表す。
   式（Ｊ）中、Ｌ_Ｊ１～Ｌ_Ｊ４は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。式（Ｊ）中、Ｒ_Ｊ１は、水素原子または１価の置換基を表す。
   式（Ｋ）中、Ｌ_Ｋ１～Ｌ_Ｋ４は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。式（Ｋ）中、Ｒ_Ｋ１およびＲ_Ｋ２は、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。式（Ｋ）中、Ａ^－は、１価のアニオンを表す。
   式（Ｌ）中、Ｌ_Ｌ１は、単結合または２価の連結基を表す。式（Ｌ）中、ｋは、０～３の整数を表す。
   

   

   
   式（１－１）、式（２－１）、式（３－１）および式（４－２）中、＊は、結合位置を表す。
   式（１－１）および式（２－１）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。
   式（３－１）および式（４－２）中、Ｒ_Ｓは、２価の置換基を表す。
8. 前記カチオン性化合物が、前記式（Ｌ）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含む、請求項７に記載の処理液。
9. 前記アニオン性化合物の含有量に対する、前記カチオン性化合物の含有量の質量比が、１～１００である、請求項１～８のいずれか１項に記載の処理液。
10. 前記酸化剤が、過酸化水素、硝酸、硝酸セリウム塩、硝酸鉄、過酢酸、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩、過塩素酸、過塩素酸塩、塩素酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸塩、過硫酸、過硫酸塩、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸塩、イソシアヌル酸、イソシアヌル酸塩、トリクロロイソシアヌル酸、および、トリクロロイソシアヌル酸塩からなる群から選択される１つ以上の酸化剤を含む、請求項１～９のいずれか１項に記載の処理液。
11. フッ化物源をさらに含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の処理液。
12. 前記フッ化物源が、ＨＦ、Ｈ_２ＳｉＦ_６、Ｈ_２ＴｉＦ_６、Ｈ_２ＺｒＦ_６、ＨＰＦ_６、および、ＨＢＦ_４からなる群から選択される化合物を含む、請求項１１に記載の処理液。
13. 腐食防止剤をさらに含む、請求項１～１２のいずれか１項に記載の処理液。
14. 有機溶剤をさらに含む、請求項１～１３のいずれか１項に記載の処理液。
15. エッチング後残渣除去液、レジスト剥離剤、化学機械研磨後洗浄液、および、エッチング液のいずれかに用いられる、請求項１～１４のいずれか１項に記載の処理液。