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JP2021040090A - Printed wiring board and its manufacturing method - Google Patents

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JP2021040090A
JP2021040090A JP2019161927A JP2019161927A JP2021040090A JP 2021040090 A JP2021040090 A JP 2021040090A JP 2019161927 A JP2019161927 A JP 2019161927A JP 2019161927 A JP2019161927 A JP 2019161927A JP 2021040090 A JP2021040090 A JP 2021040090A
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伊久哉 寺内
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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

【課題】プリント配線板において大きさの異なるバンプ間の高さのバラつきを抑える。【解決手段】基部絶縁層と、基部絶縁層上に形成された導体層と、基部絶縁層上および導体層上に形成され、かつ、導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および第1の開口よりも径が小さく導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、第2の導体パッド上に形成された、第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、を備え、第1のバンプは、第1のめっきポスト上に形成された略半球状の第1のトップめっき層を有し、第2のバンプは、第2のめっきポスト上に形成された略半球状の第2のトップめっき層を有し、第1のめっきポストと第2のめっきポストとは上面が平坦で互いに高さが揃っており、かつ、第1のバンプと第2のバンプとは互いに高さが揃っている。【選択図】図1PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a variation in height between bumps having different sizes in a printed wiring board. SOLUTION: A base insulating layer, a conductor layer formed on the base insulating layer, and a part of the conductor layer formed on the base insulating layer and the conductor layer and exposed as a first conductor pad. A solder resist layer having one opening and a second opening that is smaller in diameter than the first opening and exposes the other part of the conductor layer as a second conductor pad, and formed on the first conductor pad. A first bump and a second bump formed on the second conductor pad having a diameter smaller than that of the first bump are provided, and the first bump is formed on the first plating post. It has a substantially hemispherical first top plating layer, and the second bump has a substantially hemispherical second top plating layer formed on the second plating post, and the first plating post. The upper surface of the first bump and the second plating post are flat and the heights are the same as each other, and the heights of the first bump and the second bump are the same as each other. [Selection diagram] Fig. 1

Description

本発明は、めっきバンプを有するプリント配線板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a printed wiring board having plated bumps and a method for manufacturing the printed wiring board.

特許文献1は、めっき法を用いたバンプ形成を開示している。 Patent Document 1 discloses bump formation using a plating method.

特開2010−129996号公報JP-A-2010-129996

しかしながら、図4に示すように、ソルダーレジスト層16’に形成された大きさの異なる開口16a’,16b’内の導体パッド14a’,14b’上にベースめっき層24’,30’を形成し、該ベースめっき層24’,30’上に、中間層26’,31’を介してトップめっき層28’,32’を形成して、大きさの異なるめっきバンプ20’,22’を形成した場合、めっきバンプ20’とめっきバンプ22’との間に高さのバラつきVが発生することがありうる。 However, as shown in FIG. 4, the base plating layers 24'and 30'are formed on the conductor pads 14a' and 14b' in the openings 16a'and 16b' of different sizes formed in the solder resist layer 16'. On the base plating layers 24'and 30', top plating layers 28' and 32' were formed via intermediate layers 26' and 31' to form plating bumps 20' and 22'of different sizes. In this case, height variation V may occur between the plating bump 20'and the plating bump 22'.

本発明に係るプリント配線板は、基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、前記第2の導体パッド上に形成された、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、を備え、
前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層およびその上に第1のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第1のポストからなる第1のめっきポストと、該第1のめっきポスト上に形成された略半球状の第1のトップめっき層とを有し、
前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層およびその上に第2のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第2のポストからなる第2のめっきポストと、該第2のめっきポスト上に形成された略半球状の第2のトップめっき層とを有し、
前記第1のめっきポストと前記第2のめっきポストとは、上面が平坦で互いに高さが揃っており、かつ、
前記第1のバンプと前記第2のバンプとは、互いに高さが揃っている。
The printed wiring board according to the present invention includes a base insulating layer, a conductor layer formed on the base insulating layer, and a part of the conductor layer formed on the base insulating layer and the conductor layer. A solder resist layer having a first opening exposed as a first conductor pad and a second opening smaller in diameter than the first opening and exposing another part of the conductor layer as a second conductor pad. A first bump formed on the first conductor pad and a second bump formed on the second conductor pad and having a diameter smaller than that of the first bump are provided.
The first bump is composed of a first base plating layer formed in the first opening and a first post integrally formed on the first base plating layer with the same metal as the first base plating layer. It has a plating post of 1 and a first top plating layer having a substantially hemispherical shape formed on the first plating post.
The second bump is composed of a second base plating layer formed in the second opening and a second post integrally formed on the second base plating layer with the same metal as the second base plating layer. Has a substantially hemispherical second top plating layer formed on the second plating post.
The first plating post and the second plating post have flat upper surfaces, are flush with each other, and have the same height.
The heights of the first bump and the second bump are the same as each other.

また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基部絶縁層を形成することと、前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、
前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成するとともに前記第1のベースめっき層上に第1のベースめっき層と同じ金属で一体に第1のポストを形成して第1のめっきポストを形成することと、前記第1のめっきポスト上に第1のトップめっき層を形成することと、第1のトップめっき層をリフローして略半球状の第1のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成するとともに前記第2のベースめっき層上に第2のベースめっき層と同じ金属で一体に第2のポストを形成して第2のめっきポストを形成することと、前記第2のめっきポスト上に第2のトップめっき層を形成することと、第2のトップめっき層をリフローして略半球状の第2のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第1のめっきポストと前記第2のめっきポストとを形成することは、それら第1のめっきポストと第2のめっきポストとの高さを研磨によって互いに揃えることを含み、かつ、
前記第1のトップめっき層と前記第2のトップめっき層とを形成することは、それら第1のトップめっき層と第2のトップめっき層との高さを第1のトップめっき層と第2のトップめっき層を形成するにあたってのレジストの開口径を調整することによって互いに揃えることを含む。
Further, the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes forming a base insulating layer, forming a conductor layer on the base insulating layer, and solder resist on the base insulating layer and the conductor layer. Forming a layer, forming a first opening in the solder resist layer for exposing a part of the conductor layer as a first conductor pad, and forming a first opening in the solder resist layer from the first opening. To form a second opening having a small diameter and to expose another part of the conductor layer as a second conductor pad, to form a first bump on the first conductor pad, and to form the first bump. Including forming a second bump having a diameter smaller than that of the first bump on the second conductor pad.
To form the first bump, the first base plating layer is formed in the first opening, and the same metal as the first base plating layer is integrally formed on the first base plating layer. Forming a post to form a first plating post, forming a first top plating layer on the first plating post, and reflowing the first top plating layer to form a substantially hemisphere. Including forming a first top plating layer in the form of
Forming the second bump means forming a second base plating layer in the second opening and integrally using the same metal as the second base plating layer on the second base plating layer. Forming the second post to form the second plating post, forming the second top plating layer on the second plating post, and reflowing the second top plating layer to form a substantially hemisphere. Including forming a second top plating layer in the shape
Forming the first plating post and the second plating post includes aligning the heights of the first plating post and the second plating post with each other by polishing, and
Forming the first top plating layer and the second top plating layer means that the heights of the first top plating layer and the second top plating layer are adjusted to the height of the first top plating layer and the second top plating layer. This includes aligning the resists with each other by adjusting the opening diameter of the resists in forming the top plating layer of the above.

本発明の一実施形態のプリント配線板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said embodiment. 上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said embodiment. 上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said embodiment. 上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said embodiment. 上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said embodiment. 上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said embodiment. 上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said embodiment. 上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said embodiment. 上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said embodiment. 上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said embodiment. 本発明の他の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of another Embodiment of this invention. 上記他の実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said other Embodiment. 上記他の実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said other Embodiment. 上記他の実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of the said other Embodiment. 従来技術に従うプリント配線板において高さのバラつきが発生する様子を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating how the height variation occurs in the printed wiring board according to the prior art.

<本発明のプリント配線板について>
本発明のプリント配線板の一実施形態が、図面を参照して説明される。図1には、実施形態のプリント配線板10の一部が拡大して示されている。プリント配線板10は、コア基板(図示せず)の片面または両面に所定の回路パターンを有する導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体(図示せず)を介して接続されていてもよい。あるいは、プリント配線板10は、コア基板の代わりに支持板(図示せず)上で導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層した後、支持板を除去してなるコアレス基板であってもよい。いずれにせよ、プリント配線板10は、図1に示すように、少なくとも1層の樹脂絶縁層のうち最外に配置されたものである基部絶縁層12と、基部絶縁層12上に形成された、所定の回路パターンを有する導体層14と、基部絶縁層12および導体層14上に形成されたソルダーレジスト層16とを備えている。基部絶縁層12の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に設けられている場合が多いが、図では省略されている。しかし、プリント配線板10は、1層の基部絶縁層12と1層の導体層14とからなるものでもよい。
<About the printed wiring board of the present invention>
An embodiment of the printed wiring board of the present invention will be described with reference to the drawings. In FIG. 1, a part of the printed wiring board 10 of the embodiment is shown in an enlarged manner. The printed wiring board 10 may be a board with a core formed by alternately laminating conductor layers and resin insulating layers having a predetermined circuit pattern on one side or both sides of a core board (not shown). When the conductor layers are formed on both sides of the core substrate, the conductor layers facing each other via the core substrate may be connected to each other via a through-hole conductor (not shown). Alternatively, the printed wiring board 10 may be a coreless substrate obtained by alternately laminating conductor layers and resin insulating layers on a support plate (not shown) instead of the core substrate, and then removing the support plate. .. In any case, as shown in FIG. 1, the printed wiring board 10 is formed on the base insulating layer 12 and the base insulating layer 12, which are arranged on the outermost side of at least one resin insulating layer. A conductor layer 14 having a predetermined circuit pattern, and a solder resist layer 16 formed on the base insulating layer 12 and the conductor layer 14 are provided. In many cases, a plurality of other conductor layers and a resin insulating layer are alternately provided in the lower layer of the base insulating layer 12, but they are omitted in the drawing. However, the printed wiring board 10 may be composed of one layer of the base insulating layer 12 and one layer of the conductor layer 14.

基部絶縁層12は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。導体層14は導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。 The base insulating layer 12 can be made of, for example, a resin composition containing an inorganic filler such as silica or alumina and an epoxy resin. The conductor layer 14 is formed of a conductive metal, for example, a metal containing copper as a main component.

ソルダーレジスト層16は、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと、第1の開口16aよりも径が小さく導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bとを有している。第1の開口16aのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比は0.5以下とすることができる。第2の開口16bのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比0.6以上とすることができる。 The solder resist layer 16 has a first opening 16a that exposes a part of the conductor layer 14 as a first conductor pad 14a, and a second portion of the conductor layer 14 that is smaller in diameter than the first opening 16a. It has a second opening 16b to be exposed as the conductor pad 14b of the above. The aspect ratio of the first opening 16a, that is, the ratio of the depth to the diameter of the bottom can be 0.5 or less. The aspect ratio of the second opening 16b, that is, the ratio of the depth to the diameter of the bottom can be 0.6 or more.

プリント配線板10はさらに、第1の導体パッド14a上に形成された第1のバンプ20と、第2の導体パッド14b上に形成され、第1のバンプ20よりも小径の第2のバンプ22とを備えている。第1および第2のバンプ20、22は、第1および第2の導体パッド14a、14b上に直接形成することができる。第1のバンプ20は電源もしくはグランド線との接続に用いることができる。第1のバンプ20よりも径の小さい第2のバンプ22は信号線との接続に用いることができる。 The printed wiring board 10 is further formed on a first bump 20 formed on the first conductor pad 14a and a second bump 22 formed on the second conductor pad 14b and having a diameter smaller than that of the first bump 20. And have. The first and second bumps 20, 22 can be formed directly on the first and second conductor pads 14a, 14b. The first bump 20 can be used for connection with a power supply or a ground wire. The second bump 22 having a diameter smaller than that of the first bump 20 can be used for connection with the signal line.

第1および第2の導体パッド14a、14bと第1および第2のバンプ20,22との間に下地層を設けてもよい。下地層としては、第1および第2の導体パッド14a、14bの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とを例示することができる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とを例示することができる。 An underlayer may be provided between the first and second conductor pads 14a and 14b and the first and second bumps 20 and 22. Examples of the base layer include a nickel layer formed on the surfaces of the first and second conductor pads 14a and 14b, a palladium layer formed on the nickel layer, and a gold layer formed on the palladium layer. it can. In addition, a nickel layer and a gold layer formed on the nickel layer can be exemplified.

第1のバンプ20は、第1の開口16a内に形成された第1のベースめっき層およびその第1のベースめっき層と一体の略円柱状の第1のポストからなる第1のめっきポスト24と、第1のめっきポスト24上に例えばニッケルを主成分とするかまたはニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる第1の中間層26を介して形成された略半球状の第1のトップめっき層28とを有する。第1の中間層26の厚みは7μm以下とすることが好ましい。 The first bump 20 is a first plating post 24 composed of a first base plating layer formed in the first opening 16a and a substantially columnar first post integrated with the first base plating layer. And a first intermediate layer 26 composed of, for example, nickel as a main component on the first plating post 24, or a nickel layer, a palladium layer formed on the nickel layer, and a gold layer formed on the palladium layer. It has a substantially hemispherical first top plating layer 28 formed via the above. The thickness of the first intermediate layer 26 is preferably 7 μm or less.

第1のめっきポスト24を形成する第1のベースめっき層は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。これも第1のめっきポスト24を形成する第1のポストは、第1のベースめっき層と同じ金属すなわち、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第1のめっきポスト24を形成する第1のベースめっき層と第1のポストとは順次に形成されて互いに一体化されている。第1のめっきポスト24は、ソルダーレジスト層16の表面(基部絶縁層12とは反対側の面)を充分に超える高さまで形成する。これにより第1のバンプ20が第1の開口16a内に安定して保持される。ソルダーレジスト層16の表面から第1のめっきポスト24の上端面24aまでの高さB1は3μm〜15μmの範囲内とすることが好ましい。 The first base plating layer forming the first plating post 24 is formed of a conductive metal, preferably a metal containing copper as a main component. The first post, which also forms the first plating post 24, is formed of the same metal as the first base plating layer, that is, preferably a metal containing copper as a main component. The first base plating layer forming the first plating post 24 and the first post are sequentially formed and integrated with each other. The first plating post 24 is formed to a height sufficiently exceeding the surface of the solder resist layer 16 (the surface opposite to the base insulating layer 12). As a result, the first bump 20 is stably held in the first opening 16a. The height B1 from the surface of the solder resist layer 16 to the upper end surface 24a of the first plating post 24 is preferably in the range of 3 μm to 15 μm.

第1のトップめっき層28は、第1のめっきポスト24よりも融点が低く、リフロー処理により溶融して図1示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1のトップめっき層28の厚み(第1のバンプ20の外周面において第1のトップめっき層28の下端から第1のトップめっき層の頂部までの垂直方向の距離)A1は20μm〜40μmの範囲とすることが好ましい。第1のトップめっき層28の厚みA1をこの範囲とすることで、第1のバンプ20と、プリント配線板10に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド(図示せず)との間で良好な接続信頼性が得られる。 The first top plating layer 28 has a melting point lower than that of the first plating post 24, and is made of a metal that is melted by a reflow treatment and shaped into a substantially hemispherical shape as shown in FIG. Become. Thickness of the first top plating layer 28 (vertical distance from the lower end of the first top plating layer 28 to the top of the first top plating layer on the outer peripheral surface of the first bump 20) A1 is 20 μm to 40 μm. It is preferably in the range. By setting the thickness A1 of the first top plating layer 28 to this range, the first bump 20 and a connection pad (not shown) for electronic components such as a semiconductor chip and a memory mounted on the printed wiring board 10 can be connected to each other. Good connection reliability can be obtained between them.

第2のバンプ22は、第2の開口16b内に形成された第2のベースめっき層およびその第2のベースめっき層と一体の略円柱状の第2のポストからなる第2のめっきポスト30と、第2のめっきポスト30上に例えばニッケルを主成分とするかまたはニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる第2の中間層32を介して形成された略半球状の第2のトップめっき層34とを有する。第2の中間層32の厚みは7μm以下とすることが好ましい。 The second bump 22 is a second plating post 30 composed of a second base plating layer formed in the second opening 16b and a substantially columnar second post integrated with the second base plating layer. And a second intermediate layer 32 composed of, for example, nickel as a main component on the second plating post 30, or a nickel layer, a palladium layer formed on the nickel layer, and a gold layer formed on the palladium layer. It has a substantially hemispherical second top plating layer 34 formed via the above. The thickness of the second intermediate layer 32 is preferably 7 μm or less.

第2のめっきポスト30を形成する第2のベースめっき層は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。これも第2のめっきポスト30を形成する第2のポストは、第2のベースめっき層と同じ金属すなわち、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第2のめっきポスト30を形成する第2のベースめっき層と第2のポストとは順次に形成されて互いに一体化されている。第2のめっきポスト30は、ソルダーレジスト層16の表面(基部絶縁層12とは反対側の面)を充分に超える高さまで形成する。これにより第2のバンプ22が第2の開口16b内に安定して保持される。ソルダーレジスト層16の表面から第2のめっきポスト30の上端面30aまでの高さB2は3μm〜15μmの範囲内とすることが好ましい。 The second base plating layer forming the second plating post 30 is formed of a conductive metal, preferably a metal containing copper as a main component. The second post, which also forms the second plating post 30, is formed of the same metal as the second base plating layer, that is, preferably a metal containing copper as a main component. The second base plating layer forming the second plating post 30 and the second post are sequentially formed and integrated with each other. The second plating post 30 is formed to a height sufficiently exceeding the surface of the solder resist layer 16 (the surface opposite to the base insulating layer 12). As a result, the second bump 22 is stably held in the second opening 16b. The height B2 from the surface of the solder resist layer 16 to the upper end surface 30a of the second plating post 30 is preferably in the range of 3 μm to 15 μm.

第2のトップめっき層34は、第2のめっきポスト30よりも融点が低く、リフロー処理により溶融して図1に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第2のトップめっき層34の厚み(第2のバンプ22の外周面において第2のトップめっき層34の下端から第2のトップめっき層34の頂部までの垂直方向の距離)A2は20μm〜40μmの範囲とすることが好ましい。第2のトップめっき層34の厚みA2をこの範囲とすることで、第2のバンプ22と、プリント配線板10に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド(図示せず)との間で良好な接続信頼性が得られる。 The second top plating layer 34 has a melting point lower than that of the second plating post 30, and is melted by a reflow treatment and shaped into a substantially hemispherical shape as shown in FIG. 1, for example, a metal containing tin as a main component. Consists of. Thickness of the second top plating layer 34 (vertical distance from the lower end of the second top plating layer 34 to the top of the second top plating layer 34 on the outer peripheral surface of the second bump 22) A2 is 20 μm to 40 μm. It is preferable that the range is. By setting the thickness A2 of the second top plating layer 34 within this range, the second bump 22 and the connection pad (not shown) of electronic components such as a semiconductor chip and memory mounted on the printed wiring board 10 can be connected to each other. Good connection reliability can be obtained between them.

図1に示す実施形態のプリント配線板10では、第1のめっきポスト24の上端面24aと第2のめっきポスト30の上端面30aとは一緒に研磨されて、平坦かつ互いに同一の高さ(B1=B2)にされている。また、第1の中間層26と第2の中間層32とは一緒に形成されて、互いに同一の厚み(高さ)にされている。 In the printed wiring board 10 of the embodiment shown in FIG. 1, the upper end surface 24a of the first plating post 24 and the upper end surface 30a of the second plating post 30 are polished together to be flat and have the same height as each other. B1 = B2). Further, the first intermediate layer 26 and the second intermediate layer 32 are formed together to have the same thickness (height) as each other.

そして、第1のトップめっき層28と第2のトップめっき層34とは一緒に形成されるとともにそれぞれ金属めっき量を調節されて、リフロー処理による溶融後の厚み(高さ)が互いに同一(A1=A2)にされている。 Then, the first top plating layer 28 and the second top plating layer 34 are formed together and the amount of metal plating is adjusted respectively, so that the thickness (height) after melting by the reflow treatment is the same (A1). = A2).

これにより、図1に示す実施形態のプリント配線板10は大きさの異なるバンプ20,22を備えていても、バンプ20とバンプ22との間に高さのバラつき(相違)がほとんどもしくは実質上全くない。 As a result, even if the printed wiring board 10 of the embodiment shown in FIG. 1 has bumps 20 and 22 having different sizes, there is almost or substantially no difference in height between the bumps 20 and the bumps 22. Not at all.

<本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法について>
以下、図1に示すプリント配線板10を製造するための、本発明の一実施形態に係るプリント配線板の製造方法を、図2A〜図2Kを参照して説明する。
<About the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention>
Hereinafter, a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment of the present invention for manufacturing the printed wiring board 10 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2A to 2K.

図2Aには、公知の方法を用いて、基部絶縁層12上に所定の回路パターンを有する導体層14およびソルダーレジスト層16が形成された中間体が示されている。基部絶縁層12の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に形成されている場合が多いが、図では省略されている。複数の導体層および樹脂絶縁層はコア基板上もしくは後に除去可能な支持板上で積層することができる。しかし、プリント配線板10は、基部絶縁層12としての1層の樹脂絶縁層と1層の導体層14とからなるものでもよく、この場合この樹脂絶縁層が基部絶縁層12に相当する。 FIG. 2A shows an intermediate in which a conductor layer 14 and a solder resist layer 16 having a predetermined circuit pattern are formed on a base insulating layer 12 by a known method. In many cases, a plurality of other conductor layers and a resin insulating layer are alternately formed in the lower layer of the base insulating layer 12, but they are omitted in the drawing. The plurality of conductor layers and the resin insulating layer can be laminated on the core substrate or on a support plate that can be removed later. However, the printed wiring board 10 may be composed of one resin insulating layer as the base insulating layer 12 and one conductor layer 14, and in this case, the resin insulating layer corresponds to the base insulating layer 12.

基部絶縁層12には、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルムを用いることができる。ソルダーレジスト層16には、例えば炭酸ガスレーザまたはUV−YAGレーザ等により、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bとが形成される。第1の開口16aのアスペクト比は0.5以下とし、第2の開口16bのアスペクト比は0.6以上とするのが好ましい。第1および第2の導体パッド14a,14b上には、めっきにより下地層が形成されてもよい。下地層としては、第1および第2の導体パッド14a、14bの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とを例示することができる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とを例示することができる。 For the base insulating layer 12, a build-up insulating resin film containing an inorganic filler such as silica or alumina and an epoxy resin can be used. In the solder resist layer 16, a first opening 16a for exposing a part of the conductor layer 14 as a first conductor pad 14a and another part of the conductor layer 14 are formed on the solder resist layer 16 by, for example, a carbon dioxide gas laser or a UV-YAG laser. A second opening 16b to be exposed as the conductor pad 14b of 2 is formed. The aspect ratio of the first opening 16a is preferably 0.5 or less, and the aspect ratio of the second opening 16b is preferably 0.6 or more. An underlayer may be formed by plating on the first and second conductor pads 14a and 14b. Examples of the base layer include a nickel layer formed on the surfaces of the first and second conductor pads 14a and 14b, a palladium layer formed on the nickel layer, and a gold layer formed on the palladium layer. it can. In addition, a nickel layer and a gold layer formed on the nickel layer can be exemplified.

図2Bに示されるように、例えば、無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、中間体の表面(ソルダーレジスト層16の表面および第1および第2の開口16a,16bの側面)上と導体パッド14a,14b上とにシード層36が形成される。 As shown in FIG. 2B, for example, an electroless plating treatment such as an electroless copper plating treatment is performed, and the surface of the intermediate body (the surface of the solder resist layer 16 and the side surfaces of the first and second openings 16a and 16b). A seed layer 36 is formed on the top and on the conductor pads 14a and 14b.

図2Cに示されるように、シード層36上に、第1および第2のバンプ20,22(図1)の形成予定部位に開口38a,38bを有する所定パターンのめっきレジスト38が形成される。 As shown in FIG. 2C, a plating resist 38 having a predetermined pattern having openings 38a and 38b is formed on the seed layer 36 at the planned formation sites of the first and second bumps 20 and 22 (FIG. 1).

図2Dに示されるように、電解めっき処理が行われ、シード層36の、めっきレジスト38の開口38a,38b内に露出する部分のうち、ソルダーレジスト層16の第1および第2の開口16a,16b内の部分の上に、例えば銅を主成分とする第1のベースめっき層および第2のベースめっき層が形成され、続いてそれら第1のベースめっき層および第2のベースめっき層上および、シード層36の、めっきレジスト38の開口38a,38b内に露出する部分のうち残りの部分上に一体的に、第1のベースめっき層および第2のベースめっき層と同じ金属、例えば銅を主成分とする第1のポストおよび第2のポストが形成されて、第1のベースめっき層とその上の第1のポストとが第1のめっきポスト24とされ、第2のベースめっき層とその上の第2のポストとが第2のめっきポスト30とされる。 As shown in FIG. 2D, among the portions of the seed layer 36 exposed in the openings 38a and 38b of the plating resist 38 after the electrolytic plating treatment, the first and second openings 16a of the solder resist layer 16 A first base plating layer and a second base plating layer containing, for example, copper as a main component are formed on the portion in 16b, and subsequently on the first base plating layer and the second base plating layer and on the second base plating layer. , The same metal as the first base plating layer and the second base plating layer, for example, copper, is integrally formed on the remaining portion of the seed layer 36 exposed in the openings 38a and 38b of the plating resist 38. The first post and the second post which are the main components are formed, and the first base plating layer and the first post above it become the first plating post 24, and the second base plating layer The second post above it is referred to as the second plating post 30.

図2Eに示されるように、第1および第2のめっきポスト24,30を形成する際には、ソルダーレジスト層16の表面からの第1および第2のめっきポスト24,30の上端面24a,30aの高さが5μm〜17μmの範囲内で互いに揃うように、第1および第2のめっきポスト24,30の上端部がめっきレジスト38の上端部と一緒に研磨機で水平に研磨され、研磨前よりも好ましくは5μm程度低くされる。 As shown in FIG. 2E, when forming the first and second plating posts 24 and 30, the upper end surfaces 24a of the first and second plating posts 24 and 30 from the surface of the solder resist layer 16 The upper ends of the first and second plating posts 24 and 30 are horizontally polished together with the upper end of the plating resist 38 by a polishing machine so that the heights of 30a are aligned with each other within the range of 5 μm to 17 μm. It is preferably about 5 μm lower than before.

図2Fに示されるように、エッチング処理が行われ、第1および第2のめっきポスト24,30の上端面24a,30aの高さが、好ましくは2μm程度、めっきレジスト38の上端面より低くされ、互いに実質上同一とされる。 As shown in FIG. 2F, the etching process is performed so that the heights of the upper end surfaces 24a and 30a of the first and second plating posts 24 and 30 are preferably about 2 μm, which is lower than the upper end surfaces of the plating resist 38. , Are virtually identical to each other.

図2Gに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、めっきレジスト38の開口38a内で第1および第2のめっきポスト24,30の上端面24a,30a上に、例えばニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる第1および第2の中間層26,32が形成される。第1および第2の中間層26,32の厚みは、好ましくは7μm以下とされ、互いに実質上同一とされる。 As shown in FIG. 2G, for example, an electrolytic plating process is performed, and in the opening 38a of the plating resist 38, on the upper end surfaces 24a, 30a of the first and second plating posts 24, 30, for example, a nickel layer and a nickel layer. The first and second intermediate layers 26 and 32 composed of the palladium layer formed above and the gold layer formed on the palladium layer are formed. The thicknesses of the first and second intermediate layers 26 and 32 are preferably 7 μm or less, and are substantially the same as each other.

図2Hに示されるように、めっきレジスト38上に、例えばドライフィルムレジストからなり、第1および第2のバンプ20,22(図1)の形成予定部位の中央部に開口40a,40bを有する所定パターンのめっきレジスト40が形成される。めっきレジスト40の厚みと開口40a,40bの直径は、開口40a,40b内に形成される後述の第1および第2のトップめっき層28,34の高さが互いに揃うように調整される。 As shown in FIG. 2H, a predetermined shape made of, for example, a dry film resist, having openings 40a and 40b at the center of the planned formation portions of the first and second bumps 20 and 22 (FIG. 1) on the plating resist 38. The pattern plating resist 40 is formed. The thickness of the plating resist 40 and the diameters of the openings 40a and 40b are adjusted so that the heights of the first and second top plating layers 28 and 34, which will be described later, are aligned with each other.

図2Iに示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきポスト24,30の上端面24a,30a上に第1および第2の中間層26,32を介在させて第1および第2のトップめっき層28,34が形成される。第1および第2のトップめっき層28,34は、第1および第2のめっきポスト24,30よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1および第2のトップめっき層28,32の厚みは、好ましくは20μm〜40μmの範囲内で、互いに実質上同一とされる。 As shown in FIG. 2I, an electrolytic plating process is performed, and the first and second tops 26 and 32 are interposed on the upper end surfaces 24a and 30a of the plating posts 24 and 30. Plating layers 28 and 34 are formed. The first and second top plating layers 28 and 34 are mainly composed of a metal having a lower melting point than the first and second plating posts 24 and 30, which is melted by a reflow treatment and shaped into a substantially hemispherical shape, for example, tin. It is made of metal. The thicknesses of the first and second top plating layers 28 and 32 are substantially the same as each other, preferably in the range of 20 μm to 40 μm.

図2Jに示されるように、めっきレジスト38,40が剥離される。また、めっきレジスト38,40の除去により露出したシード層36の部分がエッチングにより除去される。 As shown in FIG. 2J, the plating resists 38 and 40 are peeled off. Further, the portion of the seed layer 36 exposed by removing the plating resists 38 and 40 is removed by etching.

図2Kに示されるように、リフロー処理が行われ、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層34が略半球状に整形される。 As shown in FIG. 2K, a reflow process is performed to shape the first top plating layer 28 and the second top plating layer 34 into a substantially hemispherical shape.

このリフロー処理により、第1および第2の導体パッド14a、14bに近い側から、例えばニッケル層、パラジウム層および金層が積層された下地層と、例えば銅のめっきポストと、例えばニッケル層、パラジウム層および金層が積層された中間層と、スズのトップめっき層とからなる第1のバンプ20および第2のバンプ22が形成される。 By this reflow treatment, from the side close to the first and second conductor pads 14a and 14b, for example, a base layer in which a nickel layer, a palladium layer and a gold layer are laminated, for example, a copper plating post, and for example, a nickel layer and palladium. A first bump 20 and a second bump 22 composed of an intermediate layer in which a layer and a gold layer are laminated and a tin top plating layer are formed.

また、リフロー処理により略半球状に整形された第1のトップめっき層28の、ソルダーレジスト層16の表面からの高さH1は、リフロー処理により略半球状に整形された第2のトップめっき層34の、ソルダーレジスト層16の表面からの高さH2と実質的に同一にされ、第1および第2のバンプ20,22の高さが揃えられて、第1および第2のバンプ20,22の高さのばらつきがほとんどもしくは実質上全くなくなる。 Further, the height H1 of the first top plating layer 28 shaped to be substantially hemispherical by the reflow treatment from the surface of the solder resist layer 16 is the second top plating layer shaped to be substantially hemispherical by the reflow treatment. The height H2 of 34 from the surface of the solder resist layer 16 is made substantially the same, and the heights of the first and second bumps 20 and 22 are aligned so that the first and second bumps 20 and 22 are aligned. There is almost no or virtually no variation in the height of the plating.

<本発明の他の一実施形態のプリント配線板の製造方法について>
以下、図1に示すプリント配線板10を製造するための、本発明の他の一実施形態に係るプリント配線板の製造方法を、図3A〜図3Dを参照して説明する。
<About the manufacturing method of the printed wiring board of another embodiment of this invention>
Hereinafter, a method for manufacturing a printed wiring board according to another embodiment of the present invention for manufacturing the printed wiring board 10 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 3A to 3D.

図3Aには、図2Fに示されたものと同じ状態まで先の実施形態と同様にして形成された中間体が示されている。第1のめっきポスト24と第2のめっきポスト30は、めっきレジスト38の上端部と一緒に水平に研磨されて互いに高さを揃えられた後、エッチングされてそれらの高さを、好ましくは2μm程度、めっきレジスト38の上端面より低くされて、互いに実質上同一とされている。 FIG. 3A shows an intermediate formed in the same manner as in the previous embodiment up to the same state as shown in FIG. 2F. The first plating post 24 and the second plating post 30 are horizontally polished together with the upper end of the plating resist 38 to align their heights with each other, and then etched to increase their height, preferably 2 μm. To some extent, it is lowered below the upper end surface of the plating resist 38 so that they are substantially the same as each other.

図3Bに示されるように、めっきレジスト38上に、例えばドライフィルムレジストからなり、第1および第2のバンプ20,22(図1)の形成予定部位の中央部に開口40a,40bを有する所定パターンのめっきレジスト40が形成される。めっきレジスト40の厚みと開口40a,40bの直径は、開口40a,40b内に形成される後述の第1および第2のトップめっき層28,34の高さが互いに揃うように調整される。 As shown in FIG. 3B, a predetermined shape made of, for example, a dry film resist, having openings 40a and 40b at the center of the planned formation portions of the first and second bumps 20 and 22 (FIG. 1) on the plating resist 38. The pattern plating resist 40 is formed. The thickness of the plating resist 40 and the diameters of the openings 40a and 40b are adjusted so that the heights of the first and second top plating layers 28 and 34, which will be described later, are aligned with each other.

図3Cに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、めっきレジスト38の開口38a,38b内で第1および第2のめっきポスト24,30の上端面24a,30a上に、例えばニッケルを主成分とする第1および第2の中間層26,32が形成される。第1および第2の中間層26,32の厚みは、好ましくは7μm以下で、互いに実質上同一とされる。 As shown in FIG. 3C, for example, an electrolytic plating process is performed, and nickel is mainly used on the upper end surfaces 24a and 30a of the first and second plating posts 24 and 30 in the openings 38a and 38b of the plating resist 38. The first and second intermediate layers 26 and 32 as components are formed. The thicknesses of the first and second intermediate layers 26 and 32 are preferably 7 μm or less, and are substantially the same as each other.

図3Dに示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきポスト24,30の上端面24a,30a上に第1および第2の中間層26,32を介在させて第1および第2のトップめっき層28,34が形成される。第1および第2のトップめっき層28,34は、第1および第2のめっきポスト24,30よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1および第2のトップめっき層28,32の厚みは、好ましくは20μm〜40μmの範囲内で、互いに実質上同一とされる。 As shown in FIG. 3D, an electrolytic plating process is performed, and the first and second tops 26 and 32 are interposed on the upper end surfaces 24a and 30a of the plating posts 24 and 30. Plating layers 28 and 34 are formed. The first and second top plating layers 28 and 34 are mainly composed of a metal having a lower melting point than the first and second plating posts 24 and 30, which is melted by a reflow treatment and shaped into a substantially hemispherical shape, for example, tin. It is made of metal. The thicknesses of the first and second top plating layers 28 and 32 are substantially the same as each other, preferably in the range of 20 μm to 40 μm.

先の実施形態の図2J〜図2Kに示される手順と同様にして、めっきレジスト38,40が剥離され、めっきレジスト38,40の除去により露出したシード層36の部分がエッチングにより除去され、その後、リフロー処理が行われて、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層34が略半球状に整形される。 The plating resists 38 and 40 are peeled off, and the portion of the seed layer 36 exposed by the removal of the plating resists 38 and 40 is removed by etching in the same manner as in the procedure shown in FIGS. 2J to 2K of the previous embodiment. , The reflow treatment is performed, and the first top plating layer 28 and the second top plating layer 34 are shaped into a substantially hemispherical shape.

このリフロー処理により、第1および第2の導体パッド14a、14bに近い側から、例えば銅のめっきポストと、例えばニッケルを主とした中間層と、スズのトップめっき層とからなる第1のバンプ20および第2のバンプ22が形成される。 By this reflow treatment, a first bump composed of, for example, a copper plating post, for example, an intermediate layer mainly composed of nickel, and a tin top plating layer from the side close to the first and second conductor pads 14a and 14b. 20 and a second bump 22 are formed.

また、リフロー処理により略半球状に整形される第1のトップめっき層28の、ソルダーレジスト層16の表面からの高さH1は、リフロー処理により略半球状に整形される第2のトップめっき層34の、ソルダーレジスト層16の表面からの高さH2と実質的に同一にされ、第1および第2のバンプ20,22の高さが揃えられて、第1および第2のバンプ20,22の高さのばらつきがほとんどもしくは実質上全くなくなる。 Further, the height H1 of the first top plating layer 28 formed into a substantially hemispherical shape by the reflow treatment from the surface of the solder resist layer 16 is the second top plating layer formed into a substantially hemispherical shape by the reflow treatment. The height H2 of 34 from the surface of the solder resist layer 16 is made substantially the same, and the heights of the first and second bumps 20 and 22 are aligned so that the first and second bumps 20 and 22 are aligned. There is almost no or virtually no variation in the height of the plating.

10 プリント配線板
12 基部絶縁層
14 導体層
14a 第1の導体パッド
14b 第2の導体パッド
16 ソルダーレジスト層
16a 第1の開口
16b 第2の開口
20 第1のバンプ
22 第2のバンプ
24 第1のめっきポスト
24a,30a 上端面
26 第1の中間層
28 第1のトップめっき層
30 第2のめっきポスト
32 第2の中間層
34 第2のトップめっき層
36 シード層
38,40 めっきレジスト
38a,38b,40a,40b 開口
10 Printed wiring board 12 Base insulating layer 14 Conductor layer 14a First conductor pad 14b Second conductor pad 16 Solder resist layer 16a First opening 16b Second opening 20 First bump 22 Second bump 24 First Plating post 24a, 30a Top surface 26 First intermediate layer 28 First top plating layer 30 Second plating post 32 Second intermediate layer 34 Second top plating layer 36 Seed layer 38,40 Plating resist 38a, 38b, 40a, 40b openings

Claims (15)

プリント配線板であって、
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、
前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、
前記第2の導体パッド上に形成された、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、を備え、
前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層およびその上に第1のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第1のポストからなる第1のめっきポストと、該第1のめっきポスト上に形成された略半球状の第1のトップめっき層とを有し、
前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層およびその上に第2のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第2のポストからなる第2のめっきポストと、該第2のめっきポスト上に形成された略半球状の第2のトップめっき層とを有し、
前記第1のめっきポストと前記第2のめっきポストとは、上面が平坦で互いに高さが揃っており、かつ、
前記第1のバンプと前記第2のバンプとは、互いに高さが揃っている。
It is a printed wiring board
With the base insulation layer,
The conductor layer formed on the base insulating layer and
A first opening formed on the base insulating layer and the conductor layer and exposing a part of the conductor layer as a first conductor pad, and the conductor layer having a diameter smaller than that of the first opening. A solder resist layer with a second opening that exposes the other part as a second conductor pad,
With the first bump formed on the first conductor pad,
A second bump having a diameter smaller than that of the first bump formed on the second conductor pad is provided.
The first bump is composed of a first base plating layer formed in the first opening and a first post integrally formed on the first base plating layer with the same metal as the first base plating layer. It has a plating post of 1 and a first top plating layer having a substantially hemispherical shape formed on the first plating post.
The second bump is composed of a second base plating layer formed in the second opening and a second post integrally formed on the second base plating layer with the same metal as the second base plating layer. Has a substantially hemispherical second top plating layer formed on the second plating post.
The first plating post and the second plating post have flat upper surfaces, are flush with each other, and have the same height.
The heights of the first bump and the second bump are the same as each other.
請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層の厚みは、20μm〜40μmである。 The printed wiring board according to claim 1, wherein the thickness of the first top plating layer and the second top plating layer is 20 μm to 40 μm. 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のめっきポストおよび前記第2のめっきポストは、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成されている。 The printed wiring board according to claim 1, wherein the first plating post and the second plating post are each formed of a metal containing copper as a main component. 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のトップめっき層は前記第1のめっきポスト上に第1の中間層を介して形成され、前記第2のトップめっき層は前記第2のめっきポスト上に第2の中間層を介して形成され、
前記第1の中間層および前記第2の中間層は、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる。
The printed wiring board according to claim 1, wherein the first top plating layer is formed on the first plating post via a first intermediate layer, and the second top plating layer is the first. Formed on the 2 plating posts via a second intermediate layer,
The first intermediate layer and the second intermediate layer are composed of a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer which are sequentially laminated.
請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のトップめっき層は前記第1のめっきポスト上に第1の中間層を介して形成され、前記第2のトップめっき層は前記第2のめっきポスト上に第2の中間層を介して形成され、
前記第1の中間層および前記第2の中間層は、ニッケルを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。
The printed wiring board according to claim 1, wherein the first top plating layer is formed on the first plating post via a first intermediate layer, and the second top plating layer is the first. Formed on the 2 plating posts via a second intermediate layer,
The first intermediate layer and the second intermediate layer are each formed of a metal containing nickel as a main component.
請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層は、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。 The printed wiring board according to claim 1, wherein the first top plating layer and the second top plating layer are each formed of a metal containing tin as a main component. 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のめっきポストと前記第1の導体パッドとの間、および前記第2のめっきポストと前記第2の導体パッドとの間に、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる下地層をそれぞれ有する。 The printed wiring board according to claim 1, wherein the first plating post and the first conductor pad, and the second plating post and the second conductor pad are sequentially inserted. It has a base layer composed of a laminated nickel layer, a palladium layer, and a gold layer, respectively. プリント配線板の製造方法であって、
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、
前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、
前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、
前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成するとともに前記第1のベースめっき層上に第1のベースめっき層と同じ金属で一体に第1のポストを形成して第1のめっきポストを形成することと、前記第1のめっきポスト上に第1のトップめっき層を形成することと、第1のトップめっき層をリフローして略半球状の第1のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成するとともに前記第2のベースめっき層上に第2のベースめっき層と同じ金属で一体に第2のポストを形成して第2のめっきポストを形成することと、前記第2のめっきポスト上に第2のトップめっき層を形成することと、第2のトップめっき層をリフローして略半球状の第2のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第1のめっきポストと前記第2のめっきポストとを形成することは、それら第1のめっきポストと第2のめっきポストとの高さを研磨によって互いに揃えることを含み、かつ、
前記第1のトップめっき層と前記第2のトップめっき層とを形成することは、それら第1のトップめっき層と第2のトップめっき層との高さを第1のトップめっき層と第2のトップめっき層を形成するにあたってのレジストの開口径を調整することによって互いに揃えることを含む。
It is a manufacturing method of printed wiring boards.
Forming the base insulation layer and
Forming a conductor layer on the base insulating layer and
Forming a solder resist layer on the base insulating layer and the conductor layer,
To form a first opening in the solder resist layer that exposes a part of the conductor layer as a first conductor pad.
To form a second opening in the solder resist layer, which has a diameter smaller than that of the first opening and exposes another part of the conductor layer as a second conductor pad.
Forming a first bump on the first conductor pad and
Including forming a second bump having a diameter smaller than that of the first bump on the second conductor pad.
To form the first bump, the first base plating layer is formed in the first opening, and the same metal as the first base plating layer is integrally formed on the first base plating layer. Forming a post to form a first plating post, forming a first top plating layer on the first plating post, and reflowing the first top plating layer to form a substantially hemisphere. Including forming a first top plating layer in the form of
Forming the second bump means forming a second base plating layer in the second opening and integrally using the same metal as the second base plating layer on the second base plating layer. Forming the second post to form the second plating post, forming the second top plating layer on the second plating post, and reflowing the second top plating layer to form a substantially hemisphere. Including forming a second top plating layer in the shape
Forming the first plating post and the second plating post includes aligning the heights of the first plating post and the second plating post with each other by polishing, and
Forming the first top plating layer and the second top plating layer means that the heights of the first top plating layer and the second top plating layer are adjusted to the height of the first top plating layer and the second top plating layer. This includes aligning the resists with each other by adjusting the opening diameter of the resists in forming the top plating layer of the above.
請求項8に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記レジストの開口径を調整することは、前記第1のめっきポストの上面とレジストとの重なり部分の幅を前記第2のめっきポストの上面とレジストとの重なり部分の幅より大きくすることを含む。 In the method for manufacturing a printed wiring board according to claim 8, adjusting the opening diameter of the resist means that the width of the overlapping portion between the upper surface of the first plating post and the resist is changed to the width of the overlapping portion of the second plating post. Includes making it larger than the width of the overlapping portion of the upper surface and the resist. 請求項8に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記リフロー後の前記略半球状の第1のトップめっき層および前記略半球状の第2のトップめっき層の厚みは、20μm〜40μmである。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 8, wherein the thickness of the substantially hemispherical first top plating layer and the substantially hemispherical second top plating layer after the reflow is 20 μm to 40 μm. Is. 請求項8に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のめっきポストおよび前記第2のめっきポストは、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成されている。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 8, wherein the first plating post and the second plating post are each formed of a metal containing copper as a main component. 請求項8に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のめっきポスト上に第1の中間層を介して前記第1のトップめっき層を形成することと、前記第2のめっきポスト上に第2の中間層を介して前記第2のトップめっき層を形成することとを含み、
前記第1の中間層および前記第2の中間層は、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる。
The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 8, wherein the first top plating layer is formed on the first plating post via a first intermediate layer, and the second plating is performed. Including forming the second top plating layer on the post via a second intermediate layer.
The first intermediate layer and the second intermediate layer are composed of a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer which are sequentially laminated.
請求項8に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のめっきポスト上に第1の中間層を介して前記第1のトップめっき層を形成することと、前記第2のめっきポスト上に第2の中間層を介して前記第2のトップめっき層を形成することとを含み、
前記第1の中間層および前記第2の中間層は、ニッケルを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。
The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 8, wherein the first top plating layer is formed on the first plating post via a first intermediate layer, and the second plating is performed. Including forming the second top plating layer on the post via a second intermediate layer.
The first intermediate layer and the second intermediate layer are each formed of a metal containing nickel as a main component.
請求項8に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層は、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 8, wherein the first top plating layer and the second top plating layer are each formed of a metal containing tin as a main component. 請求項8に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のめっきポストと前記第1の導体パッドとの間、および前記第2のめっきポストと前記第2の導体パッドとの間に、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる下地層をそれぞれ有する。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 8, wherein the first plating post and the first conductor pad and the second plating post and the second conductor pad are used. Each has a base layer composed of a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer which are sequentially laminated.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001308129A (en) * 2000-04-19 2001-11-02 Advanced Interconnect Technology Ltd Method of forming lead-free bump
JP2013149948A (en) * 2011-12-20 2013-08-01 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board and manufacturing method of the same
JP2017118067A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 新光電気工業株式会社 WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001308129A (en) * 2000-04-19 2001-11-02 Advanced Interconnect Technology Ltd Method of forming lead-free bump
JP2013149948A (en) * 2011-12-20 2013-08-01 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board and manufacturing method of the same
JP2017118067A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 新光電気工業株式会社 WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD

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