JP2021040090A - Printed wiring board and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
【課題】プリント配線板において大きさの異なるバンプ間の高さのバラつきを抑える。【解決手段】基部絶縁層と、基部絶縁層上に形成された導体層と、基部絶縁層上および導体層上に形成され、かつ、導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および第1の開口よりも径が小さく導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、第2の導体パッド上に形成された、第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、を備え、第1のバンプは、第1のめっきポスト上に形成された略半球状の第1のトップめっき層を有し、第2のバンプは、第2のめっきポスト上に形成された略半球状の第2のトップめっき層を有し、第1のめっきポストと第2のめっきポストとは上面が平坦で互いに高さが揃っており、かつ、第1のバンプと第2のバンプとは互いに高さが揃っている。【選択図】図1PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a variation in height between bumps having different sizes in a printed wiring board. SOLUTION: A base insulating layer, a conductor layer formed on the base insulating layer, and a part of the conductor layer formed on the base insulating layer and the conductor layer and exposed as a first conductor pad. A solder resist layer having one opening and a second opening that is smaller in diameter than the first opening and exposes the other part of the conductor layer as a second conductor pad, and formed on the first conductor pad. A first bump and a second bump formed on the second conductor pad having a diameter smaller than that of the first bump are provided, and the first bump is formed on the first plating post. It has a substantially hemispherical first top plating layer, and the second bump has a substantially hemispherical second top plating layer formed on the second plating post, and the first plating post. The upper surface of the first bump and the second plating post are flat and the heights are the same as each other, and the heights of the first bump and the second bump are the same as each other. [Selection diagram] Fig. 1
Description
本発明は、めっきバンプを有するプリント配線板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a printed wiring board having plated bumps and a method for manufacturing the printed wiring board.
特許文献1は、めっき法を用いたバンプ形成を開示している。 Patent Document 1 discloses bump formation using a plating method.
しかしながら、図4に示すように、ソルダーレジスト層16’に形成された大きさの異なる開口16a’,16b’内の導体パッド14a’,14b’上にベースめっき層24’,30’を形成し、該ベースめっき層24’,30’上に、中間層26’,31’を介してトップめっき層28’,32’を形成して、大きさの異なるめっきバンプ20’,22’を形成した場合、めっきバンプ20’とめっきバンプ22’との間に高さのバラつきVが発生することがありうる。
However, as shown in FIG. 4, the base plating layers 24'and 30'are formed on the
本発明に係るプリント配線板は、基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、前記第2の導体パッド上に形成された、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、を備え、
前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層およびその上に第1のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第1のポストからなる第1のめっきポストと、該第1のめっきポスト上に形成された略半球状の第1のトップめっき層とを有し、
前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層およびその上に第2のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第2のポストからなる第2のめっきポストと、該第2のめっきポスト上に形成された略半球状の第2のトップめっき層とを有し、
前記第1のめっきポストと前記第2のめっきポストとは、上面が平坦で互いに高さが揃っており、かつ、
前記第1のバンプと前記第2のバンプとは、互いに高さが揃っている。
The printed wiring board according to the present invention includes a base insulating layer, a conductor layer formed on the base insulating layer, and a part of the conductor layer formed on the base insulating layer and the conductor layer. A solder resist layer having a first opening exposed as a first conductor pad and a second opening smaller in diameter than the first opening and exposing another part of the conductor layer as a second conductor pad. A first bump formed on the first conductor pad and a second bump formed on the second conductor pad and having a diameter smaller than that of the first bump are provided.
The first bump is composed of a first base plating layer formed in the first opening and a first post integrally formed on the first base plating layer with the same metal as the first base plating layer. It has a plating post of 1 and a first top plating layer having a substantially hemispherical shape formed on the first plating post.
The second bump is composed of a second base plating layer formed in the second opening and a second post integrally formed on the second base plating layer with the same metal as the second base plating layer. Has a substantially hemispherical second top plating layer formed on the second plating post.
The first plating post and the second plating post have flat upper surfaces, are flush with each other, and have the same height.
The heights of the first bump and the second bump are the same as each other.
また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基部絶縁層を形成することと、前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、
前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成するとともに前記第1のベースめっき層上に第1のベースめっき層と同じ金属で一体に第1のポストを形成して第1のめっきポストを形成することと、前記第1のめっきポスト上に第1のトップめっき層を形成することと、第1のトップめっき層をリフローして略半球状の第1のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成するとともに前記第2のベースめっき層上に第2のベースめっき層と同じ金属で一体に第2のポストを形成して第2のめっきポストを形成することと、前記第2のめっきポスト上に第2のトップめっき層を形成することと、第2のトップめっき層をリフローして略半球状の第2のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第1のめっきポストと前記第2のめっきポストとを形成することは、それら第1のめっきポストと第2のめっきポストとの高さを研磨によって互いに揃えることを含み、かつ、
前記第1のトップめっき層と前記第2のトップめっき層とを形成することは、それら第1のトップめっき層と第2のトップめっき層との高さを第1のトップめっき層と第2のトップめっき層を形成するにあたってのレジストの開口径を調整することによって互いに揃えることを含む。
Further, the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes forming a base insulating layer, forming a conductor layer on the base insulating layer, and solder resist on the base insulating layer and the conductor layer. Forming a layer, forming a first opening in the solder resist layer for exposing a part of the conductor layer as a first conductor pad, and forming a first opening in the solder resist layer from the first opening. To form a second opening having a small diameter and to expose another part of the conductor layer as a second conductor pad, to form a first bump on the first conductor pad, and to form the first bump. Including forming a second bump having a diameter smaller than that of the first bump on the second conductor pad.
To form the first bump, the first base plating layer is formed in the first opening, and the same metal as the first base plating layer is integrally formed on the first base plating layer. Forming a post to form a first plating post, forming a first top plating layer on the first plating post, and reflowing the first top plating layer to form a substantially hemisphere. Including forming a first top plating layer in the form of
Forming the second bump means forming a second base plating layer in the second opening and integrally using the same metal as the second base plating layer on the second base plating layer. Forming the second post to form the second plating post, forming the second top plating layer on the second plating post, and reflowing the second top plating layer to form a substantially hemisphere. Including forming a second top plating layer in the shape
Forming the first plating post and the second plating post includes aligning the heights of the first plating post and the second plating post with each other by polishing, and
Forming the first top plating layer and the second top plating layer means that the heights of the first top plating layer and the second top plating layer are adjusted to the height of the first top plating layer and the second top plating layer. This includes aligning the resists with each other by adjusting the opening diameter of the resists in forming the top plating layer of the above.
<本発明のプリント配線板について>
本発明のプリント配線板の一実施形態が、図面を参照して説明される。図1には、実施形態のプリント配線板10の一部が拡大して示されている。プリント配線板10は、コア基板(図示せず)の片面または両面に所定の回路パターンを有する導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体(図示せず)を介して接続されていてもよい。あるいは、プリント配線板10は、コア基板の代わりに支持板(図示せず)上で導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層した後、支持板を除去してなるコアレス基板であってもよい。いずれにせよ、プリント配線板10は、図1に示すように、少なくとも1層の樹脂絶縁層のうち最外に配置されたものである基部絶縁層12と、基部絶縁層12上に形成された、所定の回路パターンを有する導体層14と、基部絶縁層12および導体層14上に形成されたソルダーレジスト層16とを備えている。基部絶縁層12の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に設けられている場合が多いが、図では省略されている。しかし、プリント配線板10は、1層の基部絶縁層12と1層の導体層14とからなるものでもよい。
<About the printed wiring board of the present invention>
An embodiment of the printed wiring board of the present invention will be described with reference to the drawings. In FIG. 1, a part of the printed
基部絶縁層12は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。導体層14は導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。
The
ソルダーレジスト層16は、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと、第1の開口16aよりも径が小さく導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bとを有している。第1の開口16aのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比は0.5以下とすることができる。第2の開口16bのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比0.6以上とすることができる。
The
プリント配線板10はさらに、第1の導体パッド14a上に形成された第1のバンプ20と、第2の導体パッド14b上に形成され、第1のバンプ20よりも小径の第2のバンプ22とを備えている。第1および第2のバンプ20、22は、第1および第2の導体パッド14a、14b上に直接形成することができる。第1のバンプ20は電源もしくはグランド線との接続に用いることができる。第1のバンプ20よりも径の小さい第2のバンプ22は信号線との接続に用いることができる。
The printed
第1および第2の導体パッド14a、14bと第1および第2のバンプ20,22との間に下地層を設けてもよい。下地層としては、第1および第2の導体パッド14a、14bの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とを例示することができる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とを例示することができる。
An underlayer may be provided between the first and
第1のバンプ20は、第1の開口16a内に形成された第1のベースめっき層およびその第1のベースめっき層と一体の略円柱状の第1のポストからなる第1のめっきポスト24と、第1のめっきポスト24上に例えばニッケルを主成分とするかまたはニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる第1の中間層26を介して形成された略半球状の第1のトップめっき層28とを有する。第1の中間層26の厚みは7μm以下とすることが好ましい。
The
第1のめっきポスト24を形成する第1のベースめっき層は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。これも第1のめっきポスト24を形成する第1のポストは、第1のベースめっき層と同じ金属すなわち、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第1のめっきポスト24を形成する第1のベースめっき層と第1のポストとは順次に形成されて互いに一体化されている。第1のめっきポスト24は、ソルダーレジスト層16の表面(基部絶縁層12とは反対側の面)を充分に超える高さまで形成する。これにより第1のバンプ20が第1の開口16a内に安定して保持される。ソルダーレジスト層16の表面から第1のめっきポスト24の上端面24aまでの高さB1は3μm〜15μmの範囲内とすることが好ましい。
The first base plating layer forming the
第1のトップめっき層28は、第1のめっきポスト24よりも融点が低く、リフロー処理により溶融して図1示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1のトップめっき層28の厚み(第1のバンプ20の外周面において第1のトップめっき層28の下端から第1のトップめっき層の頂部までの垂直方向の距離)A1は20μm〜40μmの範囲とすることが好ましい。第1のトップめっき層28の厚みA1をこの範囲とすることで、第1のバンプ20と、プリント配線板10に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド(図示せず)との間で良好な接続信頼性が得られる。
The first
第2のバンプ22は、第2の開口16b内に形成された第2のベースめっき層およびその第2のベースめっき層と一体の略円柱状の第2のポストからなる第2のめっきポスト30と、第2のめっきポスト30上に例えばニッケルを主成分とするかまたはニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる第2の中間層32を介して形成された略半球状の第2のトップめっき層34とを有する。第2の中間層32の厚みは7μm以下とすることが好ましい。
The
第2のめっきポスト30を形成する第2のベースめっき層は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。これも第2のめっきポスト30を形成する第2のポストは、第2のベースめっき層と同じ金属すなわち、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第2のめっきポスト30を形成する第2のベースめっき層と第2のポストとは順次に形成されて互いに一体化されている。第2のめっきポスト30は、ソルダーレジスト層16の表面(基部絶縁層12とは反対側の面)を充分に超える高さまで形成する。これにより第2のバンプ22が第2の開口16b内に安定して保持される。ソルダーレジスト層16の表面から第2のめっきポスト30の上端面30aまでの高さB2は3μm〜15μmの範囲内とすることが好ましい。
The second base plating layer forming the
第2のトップめっき層34は、第2のめっきポスト30よりも融点が低く、リフロー処理により溶融して図1に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第2のトップめっき層34の厚み(第2のバンプ22の外周面において第2のトップめっき層34の下端から第2のトップめっき層34の頂部までの垂直方向の距離)A2は20μm〜40μmの範囲とすることが好ましい。第2のトップめっき層34の厚みA2をこの範囲とすることで、第2のバンプ22と、プリント配線板10に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド(図示せず)との間で良好な接続信頼性が得られる。
The second
図1に示す実施形態のプリント配線板10では、第1のめっきポスト24の上端面24aと第2のめっきポスト30の上端面30aとは一緒に研磨されて、平坦かつ互いに同一の高さ(B1=B2)にされている。また、第1の中間層26と第2の中間層32とは一緒に形成されて、互いに同一の厚み(高さ)にされている。
In the printed
そして、第1のトップめっき層28と第2のトップめっき層34とは一緒に形成されるとともにそれぞれ金属めっき量を調節されて、リフロー処理による溶融後の厚み(高さ)が互いに同一(A1=A2)にされている。
Then, the first
これにより、図1に示す実施形態のプリント配線板10は大きさの異なるバンプ20,22を備えていても、バンプ20とバンプ22との間に高さのバラつき(相違)がほとんどもしくは実質上全くない。
As a result, even if the printed
<本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法について>
以下、図1に示すプリント配線板10を製造するための、本発明の一実施形態に係るプリント配線板の製造方法を、図2A〜図2Kを参照して説明する。
<About the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention>
Hereinafter, a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment of the present invention for manufacturing the printed
図2Aには、公知の方法を用いて、基部絶縁層12上に所定の回路パターンを有する導体層14およびソルダーレジスト層16が形成された中間体が示されている。基部絶縁層12の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に形成されている場合が多いが、図では省略されている。複数の導体層および樹脂絶縁層はコア基板上もしくは後に除去可能な支持板上で積層することができる。しかし、プリント配線板10は、基部絶縁層12としての1層の樹脂絶縁層と1層の導体層14とからなるものでもよく、この場合この樹脂絶縁層が基部絶縁層12に相当する。
FIG. 2A shows an intermediate in which a
基部絶縁層12には、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルムを用いることができる。ソルダーレジスト層16には、例えば炭酸ガスレーザまたはUV−YAGレーザ等により、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bとが形成される。第1の開口16aのアスペクト比は0.5以下とし、第2の開口16bのアスペクト比は0.6以上とするのが好ましい。第1および第2の導体パッド14a,14b上には、めっきにより下地層が形成されてもよい。下地層としては、第1および第2の導体パッド14a、14bの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とを例示することができる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とを例示することができる。
For the
図2Bに示されるように、例えば、無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、中間体の表面(ソルダーレジスト層16の表面および第1および第2の開口16a,16bの側面)上と導体パッド14a,14b上とにシード層36が形成される。
As shown in FIG. 2B, for example, an electroless plating treatment such as an electroless copper plating treatment is performed, and the surface of the intermediate body (the surface of the solder resist
図2Cに示されるように、シード層36上に、第1および第2のバンプ20,22(図1)の形成予定部位に開口38a,38bを有する所定パターンのめっきレジスト38が形成される。
As shown in FIG. 2C, a plating resist 38 having a predetermined
図2Dに示されるように、電解めっき処理が行われ、シード層36の、めっきレジスト38の開口38a,38b内に露出する部分のうち、ソルダーレジスト層16の第1および第2の開口16a,16b内の部分の上に、例えば銅を主成分とする第1のベースめっき層および第2のベースめっき層が形成され、続いてそれら第1のベースめっき層および第2のベースめっき層上および、シード層36の、めっきレジスト38の開口38a,38b内に露出する部分のうち残りの部分上に一体的に、第1のベースめっき層および第2のベースめっき層と同じ金属、例えば銅を主成分とする第1のポストおよび第2のポストが形成されて、第1のベースめっき層とその上の第1のポストとが第1のめっきポスト24とされ、第2のベースめっき層とその上の第2のポストとが第2のめっきポスト30とされる。
As shown in FIG. 2D, among the portions of the
図2Eに示されるように、第1および第2のめっきポスト24,30を形成する際には、ソルダーレジスト層16の表面からの第1および第2のめっきポスト24,30の上端面24a,30aの高さが5μm〜17μmの範囲内で互いに揃うように、第1および第2のめっきポスト24,30の上端部がめっきレジスト38の上端部と一緒に研磨機で水平に研磨され、研磨前よりも好ましくは5μm程度低くされる。
As shown in FIG. 2E, when forming the first and second plating posts 24 and 30, the upper end surfaces 24a of the first and second plating posts 24 and 30 from the surface of the solder resist
図2Fに示されるように、エッチング処理が行われ、第1および第2のめっきポスト24,30の上端面24a,30aの高さが、好ましくは2μm程度、めっきレジスト38の上端面より低くされ、互いに実質上同一とされる。 As shown in FIG. 2F, the etching process is performed so that the heights of the upper end surfaces 24a and 30a of the first and second plating posts 24 and 30 are preferably about 2 μm, which is lower than the upper end surfaces of the plating resist 38. , Are virtually identical to each other.
図2Gに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、めっきレジスト38の開口38a内で第1および第2のめっきポスト24,30の上端面24a,30a上に、例えばニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる第1および第2の中間層26,32が形成される。第1および第2の中間層26,32の厚みは、好ましくは7μm以下とされ、互いに実質上同一とされる。
As shown in FIG. 2G, for example, an electrolytic plating process is performed, and in the
図2Hに示されるように、めっきレジスト38上に、例えばドライフィルムレジストからなり、第1および第2のバンプ20,22(図1)の形成予定部位の中央部に開口40a,40bを有する所定パターンのめっきレジスト40が形成される。めっきレジスト40の厚みと開口40a,40bの直径は、開口40a,40b内に形成される後述の第1および第2のトップめっき層28,34の高さが互いに揃うように調整される。
As shown in FIG. 2H, a predetermined shape made of, for example, a dry film resist, having
図2Iに示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきポスト24,30の上端面24a,30a上に第1および第2の中間層26,32を介在させて第1および第2のトップめっき層28,34が形成される。第1および第2のトップめっき層28,34は、第1および第2のめっきポスト24,30よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1および第2のトップめっき層28,32の厚みは、好ましくは20μm〜40μmの範囲内で、互いに実質上同一とされる。
As shown in FIG. 2I, an electrolytic plating process is performed, and the first and second tops 26 and 32 are interposed on the upper end surfaces 24a and 30a of the plating posts 24 and 30. Plating layers 28 and 34 are formed. The first and second
図2Jに示されるように、めっきレジスト38,40が剥離される。また、めっきレジスト38,40の除去により露出したシード層36の部分がエッチングにより除去される。
As shown in FIG. 2J, the plating resists 38 and 40 are peeled off. Further, the portion of the
図2Kに示されるように、リフロー処理が行われ、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層34が略半球状に整形される。
As shown in FIG. 2K, a reflow process is performed to shape the first
このリフロー処理により、第1および第2の導体パッド14a、14bに近い側から、例えばニッケル層、パラジウム層および金層が積層された下地層と、例えば銅のめっきポストと、例えばニッケル層、パラジウム層および金層が積層された中間層と、スズのトップめっき層とからなる第1のバンプ20および第2のバンプ22が形成される。
By this reflow treatment, from the side close to the first and
また、リフロー処理により略半球状に整形された第1のトップめっき層28の、ソルダーレジスト層16の表面からの高さH1は、リフロー処理により略半球状に整形された第2のトップめっき層34の、ソルダーレジスト層16の表面からの高さH2と実質的に同一にされ、第1および第2のバンプ20,22の高さが揃えられて、第1および第2のバンプ20,22の高さのばらつきがほとんどもしくは実質上全くなくなる。
Further, the height H1 of the first
<本発明の他の一実施形態のプリント配線板の製造方法について>
以下、図1に示すプリント配線板10を製造するための、本発明の他の一実施形態に係るプリント配線板の製造方法を、図3A〜図3Dを参照して説明する。
<About the manufacturing method of the printed wiring board of another embodiment of this invention>
Hereinafter, a method for manufacturing a printed wiring board according to another embodiment of the present invention for manufacturing the printed
図3Aには、図2Fに示されたものと同じ状態まで先の実施形態と同様にして形成された中間体が示されている。第1のめっきポスト24と第2のめっきポスト30は、めっきレジスト38の上端部と一緒に水平に研磨されて互いに高さを揃えられた後、エッチングされてそれらの高さを、好ましくは2μm程度、めっきレジスト38の上端面より低くされて、互いに実質上同一とされている。
FIG. 3A shows an intermediate formed in the same manner as in the previous embodiment up to the same state as shown in FIG. 2F. The
図3Bに示されるように、めっきレジスト38上に、例えばドライフィルムレジストからなり、第1および第2のバンプ20,22(図1)の形成予定部位の中央部に開口40a,40bを有する所定パターンのめっきレジスト40が形成される。めっきレジスト40の厚みと開口40a,40bの直径は、開口40a,40b内に形成される後述の第1および第2のトップめっき層28,34の高さが互いに揃うように調整される。
As shown in FIG. 3B, a predetermined shape made of, for example, a dry film resist, having
図3Cに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、めっきレジスト38の開口38a,38b内で第1および第2のめっきポスト24,30の上端面24a,30a上に、例えばニッケルを主成分とする第1および第2の中間層26,32が形成される。第1および第2の中間層26,32の厚みは、好ましくは7μm以下で、互いに実質上同一とされる。
As shown in FIG. 3C, for example, an electrolytic plating process is performed, and nickel is mainly used on the upper end surfaces 24a and 30a of the first and second plating posts 24 and 30 in the
図3Dに示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきポスト24,30の上端面24a,30a上に第1および第2の中間層26,32を介在させて第1および第2のトップめっき層28,34が形成される。第1および第2のトップめっき層28,34は、第1および第2のめっきポスト24,30よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1および第2のトップめっき層28,32の厚みは、好ましくは20μm〜40μmの範囲内で、互いに実質上同一とされる。
As shown in FIG. 3D, an electrolytic plating process is performed, and the first and second tops 26 and 32 are interposed on the upper end surfaces 24a and 30a of the plating posts 24 and 30. Plating layers 28 and 34 are formed. The first and second
先の実施形態の図2J〜図2Kに示される手順と同様にして、めっきレジスト38,40が剥離され、めっきレジスト38,40の除去により露出したシード層36の部分がエッチングにより除去され、その後、リフロー処理が行われて、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層34が略半球状に整形される。
The plating resists 38 and 40 are peeled off, and the portion of the
このリフロー処理により、第1および第2の導体パッド14a、14bに近い側から、例えば銅のめっきポストと、例えばニッケルを主とした中間層と、スズのトップめっき層とからなる第1のバンプ20および第2のバンプ22が形成される。
By this reflow treatment, a first bump composed of, for example, a copper plating post, for example, an intermediate layer mainly composed of nickel, and a tin top plating layer from the side close to the first and
また、リフロー処理により略半球状に整形される第1のトップめっき層28の、ソルダーレジスト層16の表面からの高さH1は、リフロー処理により略半球状に整形される第2のトップめっき層34の、ソルダーレジスト層16の表面からの高さH2と実質的に同一にされ、第1および第2のバンプ20,22の高さが揃えられて、第1および第2のバンプ20,22の高さのばらつきがほとんどもしくは実質上全くなくなる。
Further, the height H1 of the first
10 プリント配線板
12 基部絶縁層
14 導体層
14a 第1の導体パッド
14b 第2の導体パッド
16 ソルダーレジスト層
16a 第1の開口
16b 第2の開口
20 第1のバンプ
22 第2のバンプ
24 第1のめっきポスト
24a,30a 上端面
26 第1の中間層
28 第1のトップめっき層
30 第2のめっきポスト
32 第2の中間層
34 第2のトップめっき層
36 シード層
38,40 めっきレジスト
38a,38b,40a,40b 開口
10 Printed
Claims (15)
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、
前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、
前記第2の導体パッド上に形成された、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、を備え、
前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層およびその上に第1のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第1のポストからなる第1のめっきポストと、該第1のめっきポスト上に形成された略半球状の第1のトップめっき層とを有し、
前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層およびその上に第2のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第2のポストからなる第2のめっきポストと、該第2のめっきポスト上に形成された略半球状の第2のトップめっき層とを有し、
前記第1のめっきポストと前記第2のめっきポストとは、上面が平坦で互いに高さが揃っており、かつ、
前記第1のバンプと前記第2のバンプとは、互いに高さが揃っている。 It is a printed wiring board
With the base insulation layer,
The conductor layer formed on the base insulating layer and
A first opening formed on the base insulating layer and the conductor layer and exposing a part of the conductor layer as a first conductor pad, and the conductor layer having a diameter smaller than that of the first opening. A solder resist layer with a second opening that exposes the other part as a second conductor pad,
With the first bump formed on the first conductor pad,
A second bump having a diameter smaller than that of the first bump formed on the second conductor pad is provided.
The first bump is composed of a first base plating layer formed in the first opening and a first post integrally formed on the first base plating layer with the same metal as the first base plating layer. It has a plating post of 1 and a first top plating layer having a substantially hemispherical shape formed on the first plating post.
The second bump is composed of a second base plating layer formed in the second opening and a second post integrally formed on the second base plating layer with the same metal as the second base plating layer. Has a substantially hemispherical second top plating layer formed on the second plating post.
The first plating post and the second plating post have flat upper surfaces, are flush with each other, and have the same height.
The heights of the first bump and the second bump are the same as each other.
前記第1の中間層および前記第2の中間層は、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる。 The printed wiring board according to claim 1, wherein the first top plating layer is formed on the first plating post via a first intermediate layer, and the second top plating layer is the first. Formed on the 2 plating posts via a second intermediate layer,
The first intermediate layer and the second intermediate layer are composed of a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer which are sequentially laminated.
前記第1の中間層および前記第2の中間層は、ニッケルを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。 The printed wiring board according to claim 1, wherein the first top plating layer is formed on the first plating post via a first intermediate layer, and the second top plating layer is the first. Formed on the 2 plating posts via a second intermediate layer,
The first intermediate layer and the second intermediate layer are each formed of a metal containing nickel as a main component.
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、
前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、
前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、
前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成するとともに前記第1のベースめっき層上に第1のベースめっき層と同じ金属で一体に第1のポストを形成して第1のめっきポストを形成することと、前記第1のめっきポスト上に第1のトップめっき層を形成することと、第1のトップめっき層をリフローして略半球状の第1のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成するとともに前記第2のベースめっき層上に第2のベースめっき層と同じ金属で一体に第2のポストを形成して第2のめっきポストを形成することと、前記第2のめっきポスト上に第2のトップめっき層を形成することと、第2のトップめっき層をリフローして略半球状の第2のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第1のめっきポストと前記第2のめっきポストとを形成することは、それら第1のめっきポストと第2のめっきポストとの高さを研磨によって互いに揃えることを含み、かつ、
前記第1のトップめっき層と前記第2のトップめっき層とを形成することは、それら第1のトップめっき層と第2のトップめっき層との高さを第1のトップめっき層と第2のトップめっき層を形成するにあたってのレジストの開口径を調整することによって互いに揃えることを含む。 It is a manufacturing method of printed wiring boards.
Forming the base insulation layer and
Forming a conductor layer on the base insulating layer and
Forming a solder resist layer on the base insulating layer and the conductor layer,
To form a first opening in the solder resist layer that exposes a part of the conductor layer as a first conductor pad.
To form a second opening in the solder resist layer, which has a diameter smaller than that of the first opening and exposes another part of the conductor layer as a second conductor pad.
Forming a first bump on the first conductor pad and
Including forming a second bump having a diameter smaller than that of the first bump on the second conductor pad.
To form the first bump, the first base plating layer is formed in the first opening, and the same metal as the first base plating layer is integrally formed on the first base plating layer. Forming a post to form a first plating post, forming a first top plating layer on the first plating post, and reflowing the first top plating layer to form a substantially hemisphere. Including forming a first top plating layer in the form of
Forming the second bump means forming a second base plating layer in the second opening and integrally using the same metal as the second base plating layer on the second base plating layer. Forming the second post to form the second plating post, forming the second top plating layer on the second plating post, and reflowing the second top plating layer to form a substantially hemisphere. Including forming a second top plating layer in the shape
Forming the first plating post and the second plating post includes aligning the heights of the first plating post and the second plating post with each other by polishing, and
Forming the first top plating layer and the second top plating layer means that the heights of the first top plating layer and the second top plating layer are adjusted to the height of the first top plating layer and the second top plating layer. This includes aligning the resists with each other by adjusting the opening diameter of the resists in forming the top plating layer of the above.
前記第1の中間層および前記第2の中間層は、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 8, wherein the first top plating layer is formed on the first plating post via a first intermediate layer, and the second plating is performed. Including forming the second top plating layer on the post via a second intermediate layer.
The first intermediate layer and the second intermediate layer are composed of a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer which are sequentially laminated.
前記第1の中間層および前記第2の中間層は、ニッケルを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 8, wherein the first top plating layer is formed on the first plating post via a first intermediate layer, and the second plating is performed. Including forming the second top plating layer on the post via a second intermediate layer.
The first intermediate layer and the second intermediate layer are each formed of a metal containing nickel as a main component.
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