JP2020115659A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】消費電力が少ない半導体装置などを提供する。【解決手段】電流出力型のＤＡコンバータとして機能することができる半導体装置であって、デジタル信号に応じた電流を電圧に変換した後、該電圧を保持することで、該電流の供給を停止してもアナログ電圧の出力を可能とする。電流を電圧に変換する回路を複数設けることで、アナログ出力電圧を変更する時に生じるセトリング時間を短縮する。【選択図】図１０

Description

本発明の一態様は、半導体装置、およびその駆動方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。例えば、本発明の一態様は、
物、方法、もしくは製造方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、
マニュファクチャ、もしくは組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。

本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうるもの全般を
指す。よって、トランジスタやダイオードなどの半導体素子や半導体回路は半導体装置で
ある。また、表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、および電子機器などは、半
導体素子や半導体回路を含む場合がある。よって、表示装置、発光装置、照明装置、電気
光学装置、および電子機器なども半導体装置を有する場合がある。

近年、スマートフォンを始めとした携帯情報端末の急速な普及に伴い、携帯情報端末の高
性能化が急速に進んでいる。また、携帯情報端末に用いられる表示装置には、高精細化、
高画質化、低消費電力化などが求められている。

また、各画素に表示素子を駆動するためのトランジスタを有するアクティブマトリクス型
の表示装置が知られている。例えば、表示素子として液晶素子を用いたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置や、表示素子として有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型Ｅ
Ｌ表示装置などが知られている。アクティブマトリクス型の表示装置は、単純マトリクス
型の表示装置に比べて画面の大型化や高精細化が容易であり、消費電力の低減などの面で
有利である。

また、表示装置の高精細化や高画質化に伴い、デジタル駆動方式の表示装置が注目されて
きている。デジタル駆動方式の表示装置は、デジタル信号で供給されるビデオ信号をアナ
ログ信号（階調信号）に変換して画像を表示する表示装置である。デジタル信号をアナロ
グ信号に変換するために、ＤＡ変換回路（ＤＡコンバータ、またはＤＡＣ（Ｄｉｇｉｔａ
ｌ ｔｏ Ａｎａｌｏｇ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）などとも呼ばれる。）が用いられる。Ｄ
Ａ変換回路は、パルス幅変調型、抵抗ラダー型、抵抗ストリング型、容量アレイ型、デル
タシグマ型、電流出力型など、様々な方式が知られている。例えば、特許文献１に開示さ
れている電流出力型のＤＡ変換回路が知られている。

特開２０１２−６０６１８号公報

特許文献１に開示されているＤＡ変換回路は、デジタル入力信号に応じて供給される総電
流Ｉｔｏｔａｌと抵抗Ｒを用いて出力電圧ＶＲＥＦを生成している。出力電圧ＶＲＥＦは
総電流Ｉｔｏｔａｌと抵抗Ｒの積で決定されるため、出力電圧ＶＲＥＦを出力する期間中
は抵抗Ｒに総電流Ｉｔｏｔａｌを流し続ける必要がある。このため、当該ＤＡ変換回路で
は消費電力の低減が難しいという問題がある。

本発明の一態様は、消費電力が少ない半導体装置などを提供することを課題の一とする。
または、信頼性の良好な半導体装置などを提供することを課題の一とする。または、新規
な半導体装置などを提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の回路と、第２の回路と、を有する半導体装置であって、第１の
回路は、ｔ個の電流源Ｉ_１乃至Ｉ_ｔ（ｔは２以上の自然数）と、ｔ個のスイッチＳ_１乃至
Ｓ_ｔと、を有し、ｊ番目の電流源Ｉ_ｊ（ｊは１以上ｔ以下の自然数）は、ｊ番目のスイッ
チＳ_ｊの一方の端子と電気的に接続され、スイッチＳ_１乃至Ｓ_ｔの他方の端子は、第１の
ノードと電気的に接続され、第２の回路は、第３の回路と、第４の回路と、を有し、第３
の回路は、第１乃至第３のスイッチと、第１の容量素子と、を有し、第１のスイッチの一
方の端子は第１のノードと電気的に接続され、第１のスイッチの他方の端子は第２のノー
ドと電気的に接続され、第２のスイッチの一方の端子は第２のノードと電気的に接続され
、第２のスイッチの他方の端子は第３のノードと電気的に接続され、第３のスイッチの一
方の端子は第２のノードと電気的に接続され、第３のスイッチの他方の端子は第６のノー
ドと電気的に接続され、第１の容量素子の一方の端子は第２のノードと電気的に接続され
、第１の容量素子の他方の端子は第３のノードと電気的に接続され、第４の回路は、第４
乃至第６のスイッチと、第２の容量素子と、を有し、第４のスイッチの一方の端子は第１
のノードと電気的に接続され、第４のスイッチの他方の端子は第４のノードと電気的に接
続され、第５のスイッチの一方の端子は第４のノードと電気的に接続され、第５のスイッ
チの他方の端子は第５のノードと電気的に接続され、第６のスイッチの一方の端子は第４
のノードと電気的に接続され、第６のスイッチの他方の端子は第６のノードと電気的に接
続され、第２の容量素子の一方の端子は第４のノードと電気的に接続され、第２の容量素
子の他方の端子は第５のノードと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置で
ある。

スイッチＳ_１乃至Ｓ_ｔとしてトランジスタを用いることができる。また、第１乃至第６の
スイッチとしてトランジスタを用いることができる。また、トランジスタは、チャネルが
形成される半導体層に酸化物半導体を含むトランジスタが好ましい。

または、本発明の一態様は、第６のノードに第５の回路が電気的に接続されていることを
特徴とする半導体装置である。第５の回路は、バッファとして機能できることが好ましい
。また、第５の回路は差動増幅回路として機能できる回路であってもよい。

消費電力が少ない半導体装置などを提供することができる。または、信頼性の良好な半導
体装置などを提供することができる。または、新規な半導体装置などを提供することがで
きる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、
図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項な
どの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

半導体装置を説明する回路図。 半導体装置を説明する回路図。 半導体装置の動作を説明するタイミングチャート。 半導体装置を説明する回路図。 半導体装置を説明する回路図。 半導体装置を説明する回路図。 半導体装置の動作を説明するタイミングチャート。 半導体装置を説明する回路図。 半導体装置を説明する回路図。 半導体装置を説明する回路図。 半導体装置の動作を説明するタイミングチャート。 半導体装置の動作を説明する図。 半導体装置の動作を説明する図。 半導体装置の動作を説明する図。 半導体装置の動作を説明する図。 半導体装置を説明する回路図。 半導体装置を説明する回路図。 半導体装置を説明する回路図。 表示装置を説明する図。 表示装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置の動作を説明する図。 半導体装置の動作を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 エネルギーバンド構造を説明する図。 表示装置の一例を説明する図。 表示装置の一例を説明する図。 表示モジュールの一例を説明する図。 電子機器を説明する図。 試料のＸＲＤスペクトルの測定結果を説明する図。 試料のＴＥＭ像、および電子線回折パターンを説明する図。 試料のＥＤＸマッピングを説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する場合がある。

また、図面などにおいて示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、発明の理解を容易と
するため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示す
る発明は、必ずしも、図面などに開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

また、図面において、発明の理解を容易とするため、一部の構成要素の記載を省略する場
合がある。また、一部の隠れ線などの記載を省略する場合がある。

本明細書等における「第１」、「第２」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために
付すものであり、工程順または積層順など、なんらかの順番や順位を示すものではない。
また、本明細書等において序数詞が付されていない用語であっても、構成要素の混同を避
けるため、特許請求の範囲において序数詞が付される場合がある。また、本明細書等にお
いて序数詞が付されている用語であっても、特許請求の範囲において異なる序数詞が付さ
れる場合がある。また、本明細書等において序数詞が付されている用語であっても、特許
請求の範囲などにおいて序数詞を省略する場合がある。

また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限
定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、
その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配
線」が一体となって形成されている場合なども含む。

なお、本明細書等において「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上または直
下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極
Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶
縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。

また、ソースおよびドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回
路動作において電流の方向が変化する場合など、動作条件などによって互いに入れ替わる
ため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。このため、
本明細書においては、ソースおよびドレインの用語は、入れ替えて用いることができるも
のとする。

また、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合
は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合
と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。
したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、
図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとす
る。

また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの
」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの
」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。
よって、「電気的に接続する」と表現される場合であっても、現実の回路においては、物
理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。

なお、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトラン
ジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重な
る領域、またはチャネルが形成される領域（「チャネル形成領域」ともいう。）における
、ソース（ソース領域またはソース電極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極
）との間の距離をいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で
同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定ま
らない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域
における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。

チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で
電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成される領
域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つのト
ランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一
つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細
書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、
最小値または平均値とする。

なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネ
ル幅（「実効的なチャネル幅」ともいう。）と、トランジスタの上面図において示される
チャネル幅（「見かけ上のチャネル幅」ともいう。）と、が異なる場合がある。例えば、
ゲート電極が半導体層の側面を覆う場合、実効的なチャネル幅が、見かけ上のチャネル幅
よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細かつゲート電
極が半導体の側面を覆うトランジスタでは、半導体の側面に形成されるチャネル領域の割
合が大きくなる場合がある。その場合は、見かけ上のチャネル幅よりも、実効的なチャネ
ル幅が大きくなる。

このような場合、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある。
例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知という
仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的なチ
ャネル幅を正確に測定することは困難である。

そこで、本明細書では、見かけ上のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅（ＳＣＷ：Ｓｕ
ｒｒｏｕｎｄｅｄ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｗｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細書
では、単にチャネル幅と記載した場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネ
ル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実
効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル
幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを解析するこ
となどによって、値を決定することができる。

なお、トランジスタの電界効果移動度や、チャネル幅当たりの電流値などを計算して求め
る場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャ
ネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。

なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度
が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。不純物が含まれることにより、例えば、半
導体のＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅ）が高くなることや、キャリア移動度
が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導
体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族
元素、第１３族元素、第１４族元素、第１５族元素、および酸化物半導体の主成分以外の
遷移金属などがあり、特に、例えば、水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、
シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素など
の不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコンである
場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素
、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。

また、本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で
配置されている状態をいう。従って、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略
平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。
また、「垂直」および「直交」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置
されている状態をいう。従って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂
直」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。

なお、本明細書等において、計数値および計量値に関して「同一」、「同じ」、「等しい
」または「均一」（これらの同意語を含む）などと言う場合は、明示されている場合を除
き、プラスマイナス２０％の誤差を含むものとする。

また、本明細書において、フォトリソグラフィ工程を行った後にエッチング工程を行う場
合は、特段の説明がない限り、フォトリソグラフィ工程で形成したレジストマスクは、エ
ッチング工程終了後に除去するものとする。

また、本明細書等において、高電源電位ＶＤＤ（以下、単に「ＶＤＤ」または「Ｈ電位」
ともいう。）とは、低電源電位ＶＳＳよりも高い電位の電源電位を示す。また、低電源電
位ＶＳＳ（以下、単に「ＶＳＳ」または「Ｌ電位」ともいう。）とは、高電源電位ＶＤＤ
よりも低い電位の電源電位を示す。また、接地電位をＶＤＤまたはＶＳＳとして用いるこ
ともできる。例えばＶＤＤが接地電位の場合には、ＶＳＳは接地電位より低い電位であり
、ＶＳＳが接地電位の場合には、ＶＤＤは接地電位より高い電位である。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応
じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜
」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用
語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す
。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置１００について、図面を参照して説明す
る。半導体装置１００は、ｔビット（ｔは２以上の自然数）のデジタル信号を電圧信号に
変換する機能を有する。

＜半導体装置１００の構成＞
図１は半導体装置１００の構成を示す回路図である。半導体装置１００は、ＤＡ変換部１
１０、電流電圧変換部１２０、および増幅部１３０を有する。ＤＡ変換部１１０はノード
ＮＤ１を介して電流電圧変換部１２０と電気的に接続されている。また、電流電圧変換部
１２０はノードＮＤ２を介して増幅部１３０と電気的に接続されている。

〔ＤＡ変換部１１０〕
ＤＡ変換部１１０は、ｔ個の電流源１１１（電流源１１１＿１乃至電流源１１１＿ｔ）、
およびｔ個のスイッチ１１２（スイッチ１１２＿１乃至スイッチ１１２＿ｔ）を有する。
ｋ番目（ｋは１以上ｔ以下の自然数。）の電流源１１１（電流源１１１＿ｋ）は、ｋ番目
のスイッチ１１２（１１２＿ｋ）の一方の端子と電気的に接続され、ｋ番目のスイッチ１
１２（スイッチ１１２＿ｋ）の他方の端子はノードＮＤ１と電気的に接続されている。

スイッチ１１２は、それぞれがｔビットのデジタル信号の桁に対応する。例えば、スイッ
チ１１２＿１はデジタル信号の１桁目（１ビット目）に対応し、スイッチ１１２＿ｋはデ
ジタル信号のｋ桁目（ｋビット目）に対応する。

電流源１１１は、それぞれがｔビットのデジタル信号の桁に対応する。例えば、電流源１
１１＿１はデジタル信号の１桁目（１ビット目）に対応し、電流源１１１＿ｋはデジタル
信号のｋ桁目（ｋビット目）に対応する。

電流源１１１＿１は、スイッチ１１２＿１がオン状態（導通状態）となることで、ノード
ＮＤ１に一定の電流を供給する機能を有する。また、電流源１１１＿２は、スイッチ１１
２＿２がオン状態となることで、ノードＮＤ１に電流源１１１＿１の２倍の電流を供給す
る機能を有する。電流源１１１＿ｋは、スイッチ１１２＿ｋがオン状態となることで、ノ
ードＮＤ１に電流源１１１＿１の２^ｋ−１倍の電流を供給する機能を有する。

例えば、ＤＡ変換部１１０に４ビットのデジタル信号である”１０１１”が入力された場
合、スイッチ１１２＿１、スイッチ１１２＿２、およびスイッチ１１２＿４がオン状態と
なり、スイッチ１１２＿３がオフ状態（非導通状態）となる。電流源１１１＿１からノー
ドＮＤ１に供給される電流値をＳアンペアとすると、ＮＤ１には合計１１Ｓアンペア（Ｓ
＋２Ｓ＋８Ｓ）が供給される。このように、ＤＡ変換部１１０は、デジタル信号の値に応
じた電流をノードＮＤ１に供給する機能を有する。

〔電流電圧変換部１２０〕
電流電圧変換部１２０は、スイッチ１２１、スイッチ１２２、スイッチ１２３、および容
量素子１２７を有する。スイッチ１２１の一方の端子はノードＮＤ１と電気的に接続され
、他方の端子はノードＮＤ３と電気的に接続される。スイッチ１２２の一方の端子はノー
ドＮＤ３と電気的に接続され、他方の端子はノードＮＤ４と電気的に接続される。スイッ
チ１２３の一方の端子はノードＮＤ３と電気的に接続され、他方の端子はノードＮＤ２と
電気的に接続される。容量素子１２７の一方の端子はノードＮＤ３と電気的に接続され、
他方の端子はノードＮＤ４と電気的に接続される。ノードＮＤ４には一定の電位が供給さ
れる。ノードＮＤ４に供給される電位は、一定の電位であればどのような電位であっても
よく、接地電位や、共通電位であってもよい。本実施の形態では、ノードＮＤ４に接地電
位が供給されるものとする。

スイッチ１２１は、ノードＮＤ１とノードＮＤ３を電気的に接続する機能を有する。スイ
ッチ１２２は、ノードＮＤ３にノードＮＤ４の電位を供給する機能を有する。スイッチ１
２３は、ノードＮＤ３とノードＮＤ２を電気的に接続する機能を有する。また、容量素子
１２７は、ＤＡ変換部１１０から供給される電荷を保持する機能を有する。

電流電圧変換部１２０は、ＤＡ変換部１１０からノードＮＤ１を介して供給される電流を
電圧（電位）に変換する機能を有する。また、電流電圧変換部１２０は当該電流の供給が
停止した後も、ノードＮＤ３の電位を一定期間保持する機能を有する。

〔増幅部１３０〕
増幅部１３０は、供給される信号を増幅して出力端子１３５から出力する機能を有する。
本実施の形態では、増幅部１３０にオペアンプ１３１を用いる場合について示している。
増幅部１３０が有するオペアンプ１３１は、非反転入力端子がノードＮＤ２と電気的に接
続され、反転入力端子が出力端子１３５と電気的に接続されている。

図１に示す増幅部１３０では、ノードＮＤ３と同じ電位が出力端子１３５から出力される
。この場合、増幅部１３０に入力された信号の電位と出力端子１３５から出力される信号
の電位は同じだが、電流の供給能力が高められる。図１に示す増幅部１３０は、バッファ
として機能することができる。

また、増幅部１３０を差動増幅回路として機能させることもできる。図２（Ａ）および図
２（Ｂ）に、差動増幅回路として機能できる増幅部１３０の構成例を示す。図２（Ａ）に
示すように、反転入力端子と接地電位を、抵抗Ｒ_１を介して接続し、かつ、反転入力端子
と出力端子１３５を、抵抗Ｒ_２を介して接続すると、ノードＮＤ２に供給される信号の電
位を増幅して出力端子１３５に出力することができる。ノードＮＤ２に供給される信号の
電位をＶ_ｉｎ、出力端子１３５から出力される信号の電位をＶ_ｏｕｔとすると、両者の関
係を数式１で表すことができる。

また、図２（Ｂ）に示すように、ノードＮＤ２と反転入力端子を、抵抗Ｒ_１を介して接続
し、かつ、反転入力端子と出力端子１３５を、抵抗Ｒ_２を介して接続すると、ノードＮＤ
２に供給される信号の位相を１８０°変化させて出力端子１３５に出力することができる
。ノードＮＤ２に供給される信号の電位をＶ_ｉｎ、出力端子１３５から出力される信号の
電位をＶ_ｏｕｔとすると、両者の関係を数式２で表すことができる。

なお、増幅部１３０の構成は、本実施の形態に示した構成に限定されるものではない。

＜半導体装置１００の動作＞
図１に示す半導体装置１００の動作について、図３のタイミングチャートを用いて説明す
る。図３のタイミングチャートは、ＤＡ変換部１１０の動作または非動作を示している。
また、図３のタイミングチャートは、スイッチ１２１、スイッチ１２２、およびスイッチ
１２３のオン状態またはオフ状態、並びに、ノードＮＤ３および出力端子１３５の電位変
化を示している。

期間１４１において、スイッチ１２１をオフ状態として、スイッチ１２２およびスイッチ
１２３をオン状態とする。すると、ノードＮＤ３およびノードＮＤ２にノードＮＤ４の電
位が供給される（リセット動作）。

期間１４２において、スイッチ１２２およびスイッチ１２３をオフ状態、スイッチ１２１
をオン状態とする。また、ＤＡ変換部１１０に入力されたデジタル信号に応じた電流をＤ
Ａ変換部１１０からノードＮＤ１に供給する。当該電流はノードＮＤ１およびスイッチ１
２１を介してノードＮＤ３に供給され、ノードＮＤ３の電位が変化する（書き込み動作）
。

期間１４３において、スイッチ１２１をオフ状態とすると、ノードＮＤ３の電位変化が停
止する（保持動作）。この時、ノードＮＤ３の電位は、ＤＡ変換部１１０に入力されたデ
ジタル信号に応じた電位となる。また、ＤＡ変換部１１０の電流供給動作を停止する。

期間１４４において、スイッチ１２３をオン状態とすると、ノードＮＤ３の電位がノード
ＮＤ２を介してオペアンプ１３１の非反転入力端子に入力される。また、非反転入力端子
に入力された電位と同じ電位が出力端子１３５から出力される（出力動作）。

ノードＮＤ３に容量素子１２７を接続することで、スイッチ１２１をオフ状態とした後も
ノードＮＤ３の電位を保持することができる。このため、出力動作中にノードＮＤ３に電
流を流し続ける必要がなく、半導体装置１００の消費電力を低減することができる。

半導体装置１００に用いるスイッチとしては、電気信号によってオン状態とオフ状態を切
りかえ可能な素子であればよく、例えば、トランジスタ（バイポーラトランジスタ、電界
効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）など）
、ダイオード、リレーなどが挙げられる。

例えば、スイッチ１１２、スイッチ１２１、スイッチ１２２、およびスイッチ１２３にＦ
ＥＴを用いた場合の半導体装置１００の回路図を図４に示す。図４では、スイッチ１１２
、スイッチ１２１、スイッチ１２２、およびスイッチ１２３のそれぞれを、トランジスタ
１１２ｒ、トランジスタ１２１ｒ、トランジスタ１２２ｒ、およびトランジスタ１２３ｒ
に置き換えている。また、スイッチとして用いるトランジスタは、ｎチャネル型トランジ
スタでもよいし、ｐチャネル型トランジスタでもよい。ｎチャネル型トランジスタとｐチ
ャネル型トランジスタを必要に応じて組み合わせて用いてもよい。

また、スイッチとしてＦＥＴを用いる場合は、チャネルが形成される半導体層が酸化物半
導体であるトランジスタ（以下、「ＯＳトランジスタ」ともいう。）が好ましい。酸化物
半導体のバンドギャップは２ｅＶ以上あるため、チャネルが形成される半導体層に酸化物
半導体を用いたトランジスタは、オフ電流を極めて小さくすることができる。具体的には
、ソースとドレイン間の電圧が３．５Ｖ、室温（２５℃）下において、チャネル幅１μｍ
当たりのオフ電流を１×１０^−２０Ａ未満、１×１０^−２２Ａ未満、あるいは１×１０^−
２４Ａ未満とすることができる。すなわち、オンオフ比を２０桁以上１５０桁以下とする
ことができる。

特に、スイッチ１２１、スイッチ１２２、スイッチ１２３にＯＳトランジスタを用いると
、容量素子１２７を設けることなくノードＮＤ３の電位を保持することも可能となる。

＜半導体装置１００の変形例＞
次に、半導体装置１００の変形例について図面を用いて説明する。

〔変形例１〕
図５に示す半導体装置１００ａは、電流電圧変換部１２０の構成が半導体装置１００と異
なる。具体的には、スイッチ１２２の一方の端子がノードＮＤ３と電気的に接続され、他
方の端子がノードＮＤ４ａと電気的に接続されている。容量素子１２７の一方の端子はノ
ードＮＤ３と電気的に接続され、他方の端子はノードＮＤ４ｂと電気的に接続されている
。

ノードＮＤ４ａとノードＮＤ４ｂは同じ電位でなくても構わない。スイッチ１２２の他方
の端子と容量素子１２７の他方の端子を、それぞれ別々のノードに接続することで、リセ
ット動作時に容量素子１２７が保持する電圧を変化させることができる。

〔変形例２〕
図６に示す半導体装置１００ｂは、半導体装置１００からスイッチ１２３を除去し、ノー
ドＮＤ２とノードＮＤ３を電気的に接続した構成を有している。半導体装置１００ｂはス
イッチ１２３を設けないため、半導体装置１００よりも占有面積を低減することができる
。

図７は、半導体装置１００ｂの動作例を示すタイミングチャートである。図７のタイミン
グチャートは、ＤＡ変換部１１０の動作または非動作を示している。また、図７のタイミ
ングチャートは、スイッチ１２１、およびスイッチ１２２のオン状態またはオフ状態、並
びに、ノードＮＤ３および出力端子１３５の電位変化を示している。

半導体装置１００ｂではスイッチ１２３を設けないため、ノードＮＤ３の電位変化と出力
端子１３５の電位変化が同じになる。このため、期間１４３または期間１４４のどちらか
一方を省略することができる。なお、半導体装置１００においても、スイッチ１２３を常
にオン状態としておくことで、半導体装置１００ｂと同様の動作を実現できる。

〔変形例３〕
図８に示す半導体装置１００ｃは、半導体装置１００ｂからスイッチ１２１を除去し、ノ
ードＮＤ１、ノードＮＤ２、およびノードＮＤ３を電気的に接続した構成を有している。
半導体装置１００ｃはスイッチ１２１を設けないため、半導体装置１００ｂよりも占有面
積を低減することができる。

〔変形例４〕
図９（Ａ）に示す半導体装置１００ｄは、半導体装置１００ｂのＤＡ変換部１１０を一つ
の電流源１１１と一つのスイッチ１１２とした構成を有している。半導体装置１００ｄの
ＤＡ変換部１１０は、入力されたデジタル信号に応じた期間スイッチ１１２をオン状態に
して、ノードＮＤ３に電荷を供給することができる。例えば、ＤＡ変換部１１０に８ビッ
トのデジタル信号が入力される場合、クロック信号とカウンタ回路を用いて、クロック信
号が最大２５５カウントされるまでスイッチ１１２をオン状態とする。

半導体装置１００ｄは、半導体装置１００、半導体装置１００ｂ、および半導体装置１０
０ｃと比較してノードＮＤ３の電位が決定されるまでの時間（セトリング時間）が長くな
り易いものの、電流源１１１とスイッチ１１２の総数を削減することができるため半導体
装置の占有面積や消費電力などを低減することができる。

〔変形例５〕
また、図９（Ｂ）に示す半導体装置１００ｅは、半導体装置１００ｄからスイッチ１２１
を除去し、ノードＮＤ１、ノードＮＤ２、およびノードＮＤ３を電気的に接続した構成を
有する。半導体装置１００ｅはスイッチ１２１を設けないため、半導体装置１００ｄより
も占有面積を低減することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、半導体装置１００と異なる構成を有する半導体装置２００について図
面を参照して説明する。なお、説明の重複を避けるため、本実施の形態では原則として半
導体装置２００の半導体装置１００と異なる点について説明する。

＜半導体装置２００の構成例＞
図１０に示す半導体装置２００は、電流電圧変換部１２０の構成が半導体装置１００と異
なる。半導体装置２００の電流電圧変換部１２０は、複数の電流電圧変換部を有する。具
体的には、半導体装置２００の電流電圧変換部１２０は、電流電圧変換部１２０ａおよび
電流電圧変換部１２０ｂを有する。

電流電圧変換部１２０ａは、スイッチ１２１ａ、スイッチ１２２ａ、スイッチ１２３ａ、
および容量素子１２７ａを有する。スイッチ１２１ａの一方の端子はノードＮＤ１と電気
的に接続され、他方の端子はノードＮＤ３と電気的に接続される。スイッチ１２２ａの一
方の端子はノードＮＤ３と電気的に接続され、他方の端子はノードＮＤ４と電気的に接続
される。スイッチ１２３ａの一方の端子はノードＮＤ３と電気的に接続され、他方の端子
はノードＮＤ２と電気的に接続される。容量素子１２７ａの一方の端子はノードＮＤ３と
電気的に接続され、他方の端子はノードＮＤ４と電気的に接続される。

電流電圧変換部１２０ｂは、スイッチ１２１ｂ、スイッチ１２２ｂ、スイッチ１２３ｂ、
および容量素子１２７ｂを有する。スイッチ１２１ｂの一方の端子はノードＮＤ１と電気
的に接続され、他方の端子はノードＮＤ５と電気的に接続される。スイッチ１２２ｂの一
方の端子はノードＮＤ５と電気的に接続され、他方の端子はノードＮＤ６と電気的に接続
される。スイッチ１２３ｂの一方の端子はノードＮＤ５と電気的に接続され、他方の端子
はノードＮＤ２と電気的に接続される。容量素子１２７ｂの一方の端子はノードＮＤ５と
電気的に接続され、他方の端子はノードＮＤ６と電気的に接続される。ノードＮＤ６には
ノードＮＤ４と同じ電位が供給される。

スイッチ１２１ａおよびスイッチ１２１ｂは、前述したスイッチ１２１と同様に機能する
ことができる。スイッチ１２２ａおよびスイッチ１２２ｂは、前述したスイッチ１２２と
同様に機能することができる。スイッチ１２３ａおよびスイッチ１２３ｂは、前述したス
イッチ１２３と同様に機能することができる。容量素子１２７ａおよび容量素子１２７ｂ
は、前述した容量素子１２７と同様に機能することができる。

また、ノードＮＤ５はノードＮＤ３と同様に機能することができる。ノードＮＤ６はノー
ドＮＤ４と同様に機能することができる。

＜半導体装置２００の動作＞
上記の半導体装置１００および半導体装置１００ｂでは、ノードＮＤ３の電位をＤＡ変換
部１１０に入力されたデジタル信号に応じた電位にして出力端子１３５から出力にするた
めに、リセット動作や書き込み動作などが必要となる。このため、新たなデジタル信号に
応じた出力を出力端子１３５から得るためには、ノードＮＤ３の電位が安定するまでに一
定の時間（セトリング時間）が必要となる。半導体装置２００では、電流電圧変換部を複
数設けることにより、セトリング時間を短縮することができる。

半導体装置２００の動作について、図１１のタイミングチャートおよび図１２乃至図１５
の回路図を用いて説明する。図１１のタイミングチャートは、ＤＡ変換部１１０の動作ま
たは非動作を示している。また、図１１のタイミングチャートは、スイッチ１２１ａ、ス
イッチ１２２ａ、スイッチ１２３ａ、スイッチ１２１ｂ、スイッチ１２２ｂ、およびスイ
ッチ１２３ｂのオン状態またはオフ状態、並びに、ノードＮＤ３、ノードＮＤ５、および
出力端子１３５の電位変化を示している。

期間１４１ａにおいて、スイッチ１２１ａおよびスイッチ１２３ａをオフ状態、スイッチ
１２２ａをオン状態とする。すると、ノードＮＤ３にノードＮＤ４の電位が供給される（
リセット動作。図１２（Ａ）参照。）。この時、スイッチ１２３ｂがオン状態である場合
、ノードＮＤ５と同じ電位が出力端子１３５から出力される。

次に、期間１４２ａにおいて、スイッチ１２２ａをオフ状態、スイッチ１２１ａをオン状
態とし、ＤＡ変換部１１０からノードＮＤ１に電流を供給する。すると、ノードＮＤ１に
供給される電流値に応じた速度でノードＮＤ３の電位が上昇する（書き込み動作。図１２
（Ｂ）参照。）。

次に、期間１４３ａにおいて、スイッチ１２１ａをオフ状態とすると、ノードＮＤ３がフ
ローティング状態となり、容量素子１２７ａによりノードＮＤ３とノードＮＤ４の電位差
が保持される（保持動作。図１３（Ａ）参照。）。また、ＤＡ変換部１１０の出力を停止
する。

次に、期間１４４ａにおいて、スイッチ１２３ｂをオフ状態とし、スイッチ１２３ａをオ
ン状態とする。すると、ノードＮＤ２とノードＮＤ３が同電位となり、ノードＮＤ３と同
じ電位が出力端子１３５から出力される（出力動作。図１３（Ｂ）参照。）。

次に、期間１４１ｂにおいて、スイッチ１２２ｂをオン状態として、ノードＮＤ５にノー
ドＮＤ６の電位を供給する（リセット動作。図１４（Ａ）参照。）。

次に、期間１４２ｂにおいて、スイッチ１２２ｂをオフ状態、スイッチ１２１ｂをオン状
態とし、ＤＡ変換部１１０からノードＮＤ１に電流を供給する。すると、ノードＮＤ１に
供給される電流値に応じた速度でノードＮＤ５の電位が上昇する（書き込み動作。図１４
（Ｂ）参照。）。

次に、期間１４３ｂにおいて、スイッチ１２１ｂをオフ状態とすると、ノードＮＤ５がフ
ローティング状態となり、容量素子１２７ｂによりノードＮＤ５とノードＮＤ６の電位差
が保持される（保持動作。図１５（Ａ）参照。）。また、ＤＡ変換部１１０の出力を停止
する。

次に、期間１４４ｂにおいて、スイッチ１２３ａをオフ状態とし、スイッチ１２３ｂをオ
ン状態とする。すると、ノードＮＤ２とノードＮＤ５が同電位となり、ノードＮＤ５と同
じ電位が出力端子１３５から出力される（出力動作。図１５（Ｂ）参照。）。

このようにして、半導体装置２００は、電流電圧変換部１２０ａまたは電流電圧変換部１
２０ｂの一方で取得した電位を出力端子１３５から出力している間に、次に出力する電位
を電流電圧変換部１２０ａまたは電流電圧変換部１２０ｂの他方で取得することができる
。すなわち、セトリング時間を著しく短縮、または実質的に無くすことができる。よって
、出力端子１３５から出力する電位を迅速に変化させることができる。本発明の一態様に
よれば、高速動作が可能な半導体装置を実現することができる。

〔変形例１〕
半導体装置２００の変形例として、半導体装置２００ａを図１６に示す。半導体装置２０
０ａは、増幅部１３０に、電流電圧変換部１２０ａと接続するオペアンプ１３１ａと、電
流電圧変換部１２０ｂと接続するオペアンプ１３１ｂと、を有する。

オペアンプ１３１ａの非反転入力端子はノードＮＤ３と電気的に接続され、反転入力端子
は出力端子と電気的に接続されている。オペアンプ１３１ａの出力端子は、スイッチ１３
２ａを介して出力端子１３５と電気的に接続されている。オペアンプ１３１ｂの非反転入
力端子はノードＮＤ５と電気的に接続され、反転入力端子は出力端子と電気的に接続され
ている。オペアンプ１３１ｂの出力端子は、スイッチ１３２ｂを介して出力端子１３５と
電気的に接続されている。

〔変形例２〕
図１７に示す半導体装置２００ｂは、半導体装置２００のＤＡ変換部１１０を一つの電流
源１１１と一つのスイッチ１１２とした構成を有している。半導体装置１００ｄと同様に
、半導体装置２００ｂのＤＡ変換部１１０は、入力されたデジタル信号に応じた期間スイ
ッチ１１２をオン状態にして、ノードＮＤ３またはノードＮＤ５に電荷を供給することが
できる。

半導体装置２００ｂは、半導体装置２００、および半導体装置２００ａと比較してノード
ＮＤ３またはノードＮＤ５の電位が決定されるまでの時間（セトリング時間）が長くなり
易いものの、電流源１１１とスイッチ１１２の総数を削減することができるため半導体装
置の占有面積や消費電力などを低減することができる。

〔変形例３〕
図１８に示す半導体装置２００ｃは、半導体装置２００ａのＤＡ変換部１１０を一つの電
流源１１１と一つのスイッチ１１２とした構成を有している。半導体装置２００ｂと同様
に、半導体装置２００ｃのＤＡ変換部１１０は、入力されたデジタル信号に応じた期間ス
イッチ１１２をオン状態にして、ノードＮＤ３またはノードＮＤ５に電荷を供給すること
ができる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態で開示した半導体装置を表示装置に用いる例について
、図面を用いて説明する。図１９（Ａ）は、表示装置５００の構成例を説明するブロック
図である。

図１９（Ａ）に示す表示装置５００は、駆動回路５１１、駆動回路５２１ａ、駆動回路５
２１ｂ、および表示領域５３１を有している。なお、駆動回路５１１、駆動回路５２１ａ
、および駆動回路５２１ｂをまとめて「駆動回路」または「周辺駆動回路」という場合が
ある。

駆動回路５２１ａ、駆動回路５２１ｂは、例えば走査線駆動回路として機能できる。また
、駆動回路５１１は、例えば信号線駆動回路として機能できる。なお、駆動回路５２１ａ
、および駆動回路５２１ｂは、どちらか一方のみとしてもよい。また、表示領域５３１を
挟んで駆動回路５１１と向き合う位置に、何らかの回路を設けてもよい。

また、図１９（Ａ）に例示する表示装置５００は、各々が略平行に配設され、且つ、駆動
回路５２１ａ、および／または駆動回路５２１ｂによって電位が制御されるｍ本の配線５
３５と、各々が略平行に配設され、且つ、駆動回路５１１によって電位が制御されるｎ本
の配線５３６と、を有する。さらに、表示領域５３１はマトリクス状に配設された複数の
画素５３２を有する。画素５３２は、画素回路５３４および表示素子を有する。

また、３つの画素５３２を１つの画素として機能させることで、フルカラー表示を実現す
ることができる。３つの画素５３２は、それぞれが赤色光、緑色光、または青色光の、透
過率、反射率、または発光光量などを制御する。なお、３つの画素５３２で制御する光の
色は赤、緑、青の組み合わせに限らず、黄、シアン、マゼンダであってもよい。

また、赤色光、緑色光、青色光を制御する画素に、白色光を制御する画素５３２を加えて
、４つの画素５３２をまとめて１つの画素として機能させてもよい。白色光を制御する画
素５３２を加えることで、表示領域の輝度を高めることができる。また、１つの画素とし
て機能させる画素５３２を増やし、赤、緑、青、黄、シアン、およびマゼンダを適宜組み
合わせて用いることにより、再現可能な色域を広げることができる。

画素を１９２０×１０８０のマトリクス状に配置すると、いわゆるフルハイビジョン（「
２Ｋ解像度」、「２Ｋ１Ｋ」、「２Ｋ」などとも言われる。）の解像度で表示可能な表示
装置５００を実現することができる。また、例えば、画素を３８４０×２１６０のマトリ
クス状に配置すると、いわゆるウルトラハイビジョン（「４Ｋ解像度」、「４Ｋ２Ｋ」、
「４Ｋ」などとも言われる。）の解像度で表示可能な表示装置５００を実現することがで
きる。また、例えば、画素を７６８０×４３２０のマトリクス状に配置すると、いわゆる
スーパーハイビジョン（「８Ｋ解像度」、「８Ｋ４Ｋ」、「８Ｋ」などとも言われる。）
の解像度で表示可能な表示装置５００を実現することができる。画素を増やすことで、１
６Ｋや３２Ｋの解像度で表示可能な表示装置５００を実現することも可能である。

ｉ行目の配線５３５＿ｉ（ｉは１以上ｍ以下の自然数。）は、表示領域５３１においてｍ
行ｎ列（ｍ、ｎは、ともに１以上の自然数。）に配設された複数の画素５３２のうち、ｉ
行に配設されたｎ個の画素５３２と電気的に接続される。また、ｊ列目の配線５３６＿ｊ
（ｊは１以上ｎ以下の自然数。）は、ｍ行ｎ列に配設された画素５３２のうち、ｊ列に配
設されたｍ個の画素５３２に電気的に接続される。

〔表示素子〕
表示装置５００は、様々な形態を用いること、または様々な表示素子を有することが出来
る。表示素子の一例としては、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機ＥＬ素子、
無機ＥＬ素子、または、有機物及び無機物を含むＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色
ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジ
スタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバ
ルブ（ＧＬＶ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表
示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シ
ャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェロメトリック・モジ
ュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素
子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチュー
ブを用いた表示素子、など、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射
率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。また、表示素子として量子ドッ
トを用いてもよい。

ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子
を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又は
ＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。量子ドットを用いた表示
装置の一例としては、量子ドットディスプレイなどがある。液晶素子を用いた表示装置の
一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ
、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などが
ある。電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例
としては、電子ペーパーなどがある。表示装置はプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
であってもよい。

なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電
極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、
画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。
さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である
。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。

なお、ＬＥＤを用いる場合、ＬＥＤの電極や窒化物半導体の下に、グラフェンやグラファ
イトを配置してもよい。グラフェンやグラファイトは、複数の層を重ねて、多層膜として
もよい。このように、グラフェンやグラファイトを設けることにより、その上に、窒化物
半導体、例えば、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層などを容易に成膜することができる。
さらに、その上に、結晶を有するｐ型ＧａＮ半導体層などを設けて、ＬＥＤを構成するこ
とができる。なお、グラフェンやグラファイトと、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層との
間に、ＡｌＮ層を設けてもよい。なお、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体層は、ＭＯＣＶＤで
成膜してもよい。ただし、グラフェンを設けることにより、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体
層は、スパッタ法で成膜することも可能である。

図１９（Ｂ）、図１９（Ｃ）、図２０（Ａ）、および図２０（Ｂ）は、画素５３２に用い
ることができる回路構成例を示している。

〔発光表示装置用画素回路の一例〕
図１９（Ｂ）に示す画素回路５３４は、トランジスタ４６１と、容量素子４６３と、トラ
ンジスタ４６８と、トランジスタ４６４と、を有する。また、図１９（Ｂ）に示す画素回
路５３４は、表示素子として機能できる発光素子４６９と電気的に接続されている。

トランジスタ４６１のソース電極およびドレイン電極の一方は、配線５３６＿ｊに電気的
に接続される。さらに、トランジスタ４６１のゲート電極は、配線５３５＿ｉに電気的に
接続される。配線５３６＿ｊからはビデオ信号が供給される。

トランジスタ４６１は、ビデオ信号のノード４６５への書き込みを制御する機能を有する
。

容量素子４６３の一対の電極の一方は、ノード４６５に電気的に接続され、他方は、ノー
ド４６７に電気的に接続される。また、トランジスタ４６１のソース電極およびドレイン
電極の他方は、ノード４６５に電気的に接続される。

容量素子４６３は、ノード４６５に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能
を有する。

トランジスタ４６８のソース電極およびドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電
気的に接続され、他方はノード４６７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ４６
８のゲート電極は、ノード４６５に電気的に接続される。

トランジスタ４６４のソース電極およびドレイン電極の一方は、電位供給線Ｖ０に電気的
に接続され、他方はノード４６７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ４６４の
ゲート電極は、配線５３５＿ｉに電気的に接続される。

発光素子４６９のアノードまたはカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続
され、他方は、ノード４６７に電気的に接続される。

発光素子４６９としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子ともい
う）などを用いることができる。ただし、発光素子４６９としては、これに限定されず、
例えば無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。

例えば、電位供給線ＶＬ＿ａまたは電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが
与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。

図１９（Ｂ）の画素回路５３４を有する表示装置５００では、駆動回路５２１ａ、および
／または駆動回路５２１ｂにより各行の画素回路５３４を順次選択し、トランジスタ４６
１、およびトランジスタ４６４をオン状態にしてビデオ信号をノード４６５に書き込む。

ノード４６５にデータが書き込まれた画素５３２は、トランジスタ４６１、およびトラン
ジスタ４６４がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、ノード４６５に書き込ま
れたデータの電位に応じてトランジスタ４６８のソース電極とドレイン電極の間に流れる
電流量が制御され、発光素子４６９は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行
毎に順次行うことにより、画像を表示できる。

また、図２０（Ａ）に示すように、トランジスタ４６１、トランジスタ４６４、およびト
ランジスタ４６８として、バックゲートを有するトランジスタを用いてもよい。図２０（
Ａ）に示すトランジスタ４６１、およびトランジスタ４６４は、ゲートがバックゲートと
電気的に接続されている。よって、ゲートとバックゲートが常に同じ電位となる。また、
トランジスタ４６８はバックゲートがノード４６７と電気的に接続されている。よって、
バックゲートがノード４６７と常に同じ電位となる。

〔液晶表示装置用画素回路の一例〕
図１９（Ｃ）に示す画素回路５３４は、トランジスタ４６１と、容量素子４６３と、を有
する。また、図１９（Ｃ）に示す画素回路５３４は、表示素子として機能できる液晶素子
４６２と電気的に接続されている。

液晶素子４６２の一対の電極の一方の電位は、画素回路５３４の仕様に応じて適宜設定さ
れる。例えば、液晶素子４６２の一対の電極の一方に、共通の電位（コモン電位）を与え
てもよいし、特定の電位が供給される配線（以下、「容量線ＣＬ」ともいう。）と同電位
としてもよい。また、液晶素子４６２の一対の電極の一方に、画素５３２毎に異なる電位
を与えてもよい。液晶素子４６２の一対の電極の他方はノード４６６に電気的に接続され
ている。液晶素子４６２は、ノード４６６に書き込まれるデータにより配向状態が設定さ
れる。

液晶素子４６２を備える表示装置の駆動方法としては、例えば、ＴＮモード、ＳＴＮモー
ド、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉ
ｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂ
ｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒ
ｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、またはＴＢＡ
（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｂｅｎｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい。
また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
ａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ
（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホ
ストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子およびその駆動方式として
様々なものを用いることができる。

表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これら
の液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイ
ラルネマチック相、等方相等を示す。

また、配向膜を用いないブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）を示す液晶を用いてもよい。
ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック
相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現し
ないため、温度範囲を改善するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物
を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が
１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、かつ、視野角依
存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビ
ング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示
装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させるこ
とが可能となる。

また、画素（ピクセル）をいくつかの領域（サブピクセル）に分け、それぞれ別の方向に
分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる
方法を用いることができる。

また、液晶材料の固有抵抗は、１×１０^９Ω・ｃｍ以上であり、好ましくは１×１０^１１
Ω・ｃｍ以上であり、さらに好ましくは１×１０^１２Ω・ｃｍ以上である。なお、本明細
書における固有抵抗の値は、２０℃で測定した値とする。

ｉ行ｊ列目の画素回路５３４において、トランジスタ４６１のソース電極およびドレイン
電極の一方は、配線５３６＿ｊに電気的に接続され、他方はノード４６６に電気的に接続
される。トランジスタ４６１のゲート電極は、配線５３５＿ｉに電気的に接続される。配
線５３６＿ｊからはビデオ信号が供給される。トランジスタ４６１は、ノード４６６への
ビデオ信号の書き込みを制御する機能を有する。

容量素子４６３の一対の電極の一方は、容量線ＣＬに電気的に接続され、他方は、ノード
４６６に電気的に接続される。なお、容量線ＣＬの電位は、画素回路５３４の仕様に応じ
て適宜設定される。容量素子４６３は、ノード４６６に書き込まれたデータを保持する保
持容量としての機能を有する。

例えば、図１９（Ｃ）の画素回路５３４を有する表示装置５００では、駆動回路５２１ａ
、および／または駆動回路５２１ｂにより各行の画素回路５３４を順次選択し、トランジ
スタ４６１をオン状態にしてノード４６６にビデオ信号を書き込む。

ノード４６６にビデオ信号が書き込まれた画素回路５３４は、トランジスタ４６１がオフ
状態になることで保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、表示領域５３１に
画像を表示できる。

また、図２０（Ｂ）に示すように、トランジスタ４６１にバックゲートを有するトランジ
スタを用いてもよい。図２０（Ｂ）に示すトランジスタ４６１は、ゲートがバックゲート
と電気的に接続されている。よって、ゲートとバックゲートが常に同じ電位となる。

〔周辺回路の構成例〕
次に、図２１を用いて駆動回路５１１の構成例を説明する。駆動回路５１１は、シフトレ
ジスタ５１２、第１のラッチ回路５１３、第２のラッチ回路５１４、およびＤＡ変換出力
回路５１５を有する。

シフトレジスタ５１２はｎ個のレジスタＳＲ（レジスタＳＲ＿１乃至レジスタＳＲ＿ｎ）
を有する。シフトレジスタ５１２にはスタートパルスＳＰ、クロック信号ＣＬＫなどが入
力される。

第１のラッチ回路５１３はｎ個のラッチＬＡＴ＿１（ラッチＬＡＴ＿１１乃至ラッチＬＡ
Ｔ＿１ｎ）を有する。第１のラッチ回路５１３には映像情報を含むデジタル信号などが入
力される。全てのラッチＬＡＴ＿１は入力されたデジタル信号を保持する機能を有する。
また、ｊ番目のレジスタＳＲ＿ｊの出力は、ｊ番目のラッチＬＡＴ＿１ｊに入力される。
また、レジスタＳＲ＿ｊはラッチＬＡＴ＿１ｊの動作を制御する信号を出力する。

第２のラッチ回路５１４はｎ個のラッチＬＡＴ＿２（ラッチＬＡＴ＿２１乃至ラッチＬＡ
Ｔ＿２ｎ）を有する。全てのラッチＬＡＴ＿２は入力されたデジタル信号を保持する機能
を有する。また、ｊ番目のラッチＬＡＴ＿１ｊの出力は、ｊ番目のラッチＬＡＴ＿２ｊに
入力される。

ＤＡ変換出力回路５１５は、ｎ個の変換出力回路ＣＡ（変換出力回路ＣＡ＿１乃至変換出
力回路ＣＡ＿ｎ）を有する。変換出力回路ＣＡは、入力されたデジタル信号をアナログ電
圧信号に変換する機能を有する。変換出力回路ＣＡとして、上記実施の形態に開示した半
導体装置を用いることができる。また、ｊ番目のラッチＬＡＴ＿２ｊの出力は、ｊ番目の
変換出力回路ＣＡ＿ｊに入力される。また、ｊ番目の変換出力回路ＣＡ＿ｊの出力は、配
線５３６＿ｊに供給される。

〔周辺回路の動作例〕
本実施の形態では、駆動回路５１１が、ｉ行目の画素回路５３４に接続する配線５３６＿
ｊにビデオ信号を供給する動作について説明する。また、本実施の形態では変換出力回路
ＣＡ＿ｊとして半導体装置２００を用いる場合について説明する。

ｉ行目の配線５３５＿ｉが選択されると、シフトレジスタ５１２にスタートパルスＳＰが
入力される。シフトレジスタ５１２が有するレジスタＳＲ＿１乃至レジスタＳＲ＿ｎの出
力は、スタートパルスＳＰをきっかけとして、クロック信号ＣＬＫと同期して順送りされ
る。このため、動作するラッチＬＡＴ＿１がクロック信号ＣＬＫと同期して順次選択され
る。具体的には、シフトレジスタ５１２にスタートパルスＳＰが入力されると、まず１番
目のレジスタＳＲ＿１から１列目が選択されたことを知らせる列選択信号がラッチＬＡＴ
＿１１、ラッチＬＡＴ＿２１、変換出力回路ＣＡ＿１に入力される。よって、ｊ列目が選
択されたことを知らせる列選択信号は、ラッチＬＡＴ＿１ｊ、ラッチＬＡＴ＿２ｊ、変換
出力回路ＣＡ＿ｊに入力される。

図２２および図２３は、ｊ列目のレジスタＳＲ＿ｊ、ラッチＬＡＴ＿１ｊ、ラッチＬＡＴ
＿２ｊ、および変換出力回路ＣＡ＿ｊの動作を説明するブロック図である。ｊ列に列選択
信号が入力されると、変換出力回路ＣＡ＿ｊ（半導体装置２００）が有する電流電圧変換
部１２０ａまたは電流電圧変換部１２０ｂのうち、ｉ−１行目に書き込み動作が行なわれ
た方（例えば、電流電圧変換部１２０ａ。）のスイッチ１２３（例えば、スイッチ１２３
ａ。）がオン状態となり、配線５３６＿ｊにビデオ信号が供給される（図２２（Ａ）参照
。）。

また、ラッチＬＡＴ＿１ｊは、ｉ−１行目の動作時に書き込まれたデジタル信号ＤＳ＿ｉ
−１をラッチＬＡＴ＿２ｊに転送する（図２２（Ａ）参照。）。その後、ラッチＬＡＴ＿
１ｊにデータ線ＤＡＴＡからデジタル信号ＤＳ＿ｉが書き込まれ、ラッチＬＡＴ＿１ｊは
それを保持する（図２２（Ｂ）参照。）。

また、電流電圧変換部１２０ａまたは電流電圧変換部１２０ｂのうち、もう一方の電流電
圧変換部１２０（例えば、電流電圧変換部１２０ｂ。）では、リセット動作に続いてラッ
チＬＡＴ＿２ｊに保持されているデジタル信号に応じた電位の書き込み動作、および当該
電位の保持動作が行なわれる（図２２（Ｃ）参照。）。

上記動作がｎ列目まで終了すると、ｉ＋１行目の配線５３５＿ｉ＋１が選択され、シフト
レジスタ５１２にスタートパルスＳＰが入力される。また、ｊ列目が選択されたことを知
らせる列選択信号がラッチＬＡＴ＿１ｊ、ラッチＬＡＴ＿２ｊ、変換出力回路ＣＡ＿ｊに
入力される。

ｊ列に列選択信号が入力されると、変換出力回路ＣＡ＿ｊ（半導体装置２００）が有する
電流電圧変換部１２０ａまたは電流電圧変換部１２０ｂのうち、ｉ行目に書き込み動作が
行なわれた方（例えば、電流電圧変換部１２０ｂ。）のスイッチ１２３（例えば、スイッ
チ１２３ｂ。）がオン状態となり、配線５３６＿ｊにビデオ信号が供給される（図２３（
Ａ）参照。）。

また、ラッチＬＡＴ＿１ｊは、ｉ行目の動作時に書き込まれたデジタル信号ＤＳ＿ｉをラ
ッチＬＡＴ＿２ｊに転送する（図２３（Ａ）参照。）。その後、ラッチＬＡＴ＿１ｊにデ
ータ線ＤＡＴＡからデジタル信号ＤＳ＿ｉ＋１が書き込まれ、ラッチＬＡＴ＿１ｊはそれ
を保持する（図２３（Ｂ）参照。）。

また、電流電圧変換部１２０ａまたは電流電圧変換部１２０ｂのうち、もう一方の電流電
圧変換部１２０（例えば、電流電圧変換部１２０ａ。）では、リセット動作に続いてラッ
チＬＡＴ＿２ｊに保持されているデジタル信号に応じた電位の書き込み動作、および当該
電位の保持動作が行なわれる（図２３（Ｃ）参照。）。

上記動作が繰り返され、ｍ行ｎ列まで終了すると、次のフレームの書き込みが開始される
。このようにして、表示領域５３１に画像を表示させることができる。変換出力回路ＣＡ
に複数の電流電圧変換部を設けることにより、一つの電流電圧変換部からビデオ信号を出
力している間に、他の電流電圧変換部で次のビデオ信号の出力を準備することができる。
よって、実質的にセトリング時間を無くす、もしくは短くすることができる。よって、画
素にビデオ信号を迅速に供給することができる。本発明の一態様によれば、解像度を高め
ても消費電力が増加しにくい表示装置を実現することができる。本発明の一態様によれば
、表示品位の良好な表示装置を実現することができる。

また、図２４に示す駆動回路５１１ａのように、第２のラッチ回路５１４とＤＡ変換出力
回路５１５の間にレベルシフタ５１６を設けてもよい。レベルシフタ５１６は、各列に対
応するシフタＬＳ（シフタＬＳ＿１乃至シフタＬＳ＿ｎ）を有する。ｊ列目のシフタＬＳ
＿ｊは、ラッチＬＡＴ＿２ｊから出力された信号の電圧振幅を大きくして、変換出力回路
ＣＡ＿ｊに入力する機能を有する。レベルシフタ５１６を設けることで、シフトレジスタ
５１２、第１のラッチ回路５１３、および第２のラッチ回路５１４の動作電圧を小さくす
ることができる。よって、表示装置５００の消費電力を低減することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した画素回路や駆動回路などに用いることができ
るトランジスタの一例を示す。

本発明の一態様の半導体装置などは、ボトムゲート型のトランジスタや、トップゲート型
トランジスタなどの様々な形態のトランジスタを用いて作製することができる。よって、
既存の製造ラインに合わせて、使用する半導体層の材料やトランジスタ構造を容易に置き
換えることができる。

〔ボトムゲート型トランジスタ〕
図２５（Ａ１）は、ボトムゲート型のトランジスタの一種であるチャネル保護型のトラン
ジスタ４１０の断面図である。トランジスタ４１０は、基板２７１上に絶縁層２７２を介
して電極２４６を有する。また、電極２４６上に絶縁層２２６を介して半導体層２４２を
有する。電極２４６はゲート電極として機能できる。絶縁層２２６はゲート絶縁層として
機能できる。

また、半導体層２４２のチャネル形成領域上に絶縁層２２５を有する。また、半導体層２
４２の一部と接して、絶縁層２２６上に電極２４４ａおよび電極２４４ｂを有する。電極
２４４ａの一部、および電極２４４ｂの一部は、絶縁層２２５上に形成される。

絶縁層２２５は、チャネル保護層として機能できる。チャネル形成領域上に絶縁層２２５
を設けることで、電極２４４ａおよび電極２４４ｂの形成時に生じる半導体層２４２の露
出を防ぐことができる。よって、電極２４４ａおよび電極２４４ｂの形成時に、半導体層
２４２のチャネル形成領域がエッチングされることを防ぐことができる。本発明の一態様
によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現することができる。

また、トランジスタ４１０は、電極２４４ａ、電極２４４ｂおよび絶縁層２２５上に絶縁
層２２８を有し、絶縁層２２８の上に絶縁層２２９を有する。

なお、半導体層２４２に酸化物半導体を用いる場合、電極２４４ａおよび電極２４４ｂの
、少なくとも半導体層２４２と接する部分に、半導体層２４２の一部から酸素を奪い、酸
素欠損を生じさせることが可能な材料を用いることが好ましい。半導体層２４２中の酸素
欠損が生じた領域はキャリア濃度が増加し、当該領域はｎ型化し、ｎ型領域（ｎ^＋層）と
なる。したがって、当該領域はソース領域またはドレイン領域として機能することができ
る。酸化物半導体から酸素を奪い、酸素欠損を生じさせることが可能な材料の一例として
、タングステン、チタン等を挙げることができる。

半導体層２４２にソース領域およびドレイン領域が形成されることにより、電極２４４ａ
および電極２４４ｂと半導体層２４２の接触抵抗を低減することができる。よって、電界
効果移動度や、しきい値電圧などの、トランジスタの電気特性を良好なものとすることが
できる。

半導体層２４２にシリコンなどの半導体を用いる場合は、半導体層２４２と電極２４４ａ
の間、および半導体層２４２と電極２４４ｂの間に、ｎ型半導体またはｐ型半導体として
機能する層を設けることが好ましい。ｎ型半導体またはｐ型半導体として機能する層は、
トランジスタのソース領域またはドレイン領域として機能することができる。

絶縁層２２９は、外部からのトランジスタへの不純物の拡散を防ぐ、または低減する機能
を有する材料を用いて形成することが好ましい。なお、必要に応じて絶縁層２２９を省略
することもできる。

なお、半導体層２４２に酸化物半導体を用いる場合、絶縁層２２９の形成前または形成後
、もしくは絶縁層２２９の形成前後に加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことで、
絶縁層２２９や他の絶縁層中に含まれる酸素を半導体層２４２中に拡散させ、半導体層２
４２中の酸素欠損を補填することができる。または、絶縁層２２９を加熱しながら成膜す
ることで、半導体層２４２中の酸素欠損を補填することができる。

なお、一般に、ＣＶＤ法は、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓ
ｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａ
ｌ ＣＶＤ）法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属ＣＶＤ（ＭＣＶＤ
：Ｍｅｔａｌ ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ
ＣＶＤ）法などに分類できる。

また、一般に、蒸着法は、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法、ＩＡＤ（Ｉｏｎ ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などに分類できる。

プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、ＭＯＣＶＤ法や蒸着法
などの、成膜時にプラズマを用いない成膜方法を用いると、被形成面にダメージが生じに
くく、また、欠陥の少ない膜が得られる。

また、一般に、スパッタリング法は、ＤＣスパッタリング法、マグネトロンスパッタリン
グ法、ＲＦスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スパッタリング法、対向ターゲットスパ
ッタリング法などに分類できる。

対向ターゲットスパッタリング法では、プラズマがターゲット間に閉じこめられるため、
基板へのプラズマダメージを低減することができる。また、ターゲットの傾きによっては
、スパッタリング粒子の基板への入射角度を浅くすることができるため、段差被覆性を高
めることができる。

図２５（Ａ２）に示すトランジスタ４１１は、絶縁層２２９上にバックゲート電極として
機能できる電極２２３を有する点がトランジスタ４１０と異なる。電極２２３は、電極２
４６と同様の材料および方法で形成することができる。

一般に、バックゲート電極は導電層で形成され、ゲート電極とバックゲート電極で半導体
層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲート電
極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同電位と
してもよいし、接地電位（ＧＮＤ電位）や、任意の電位としてもよい。また、バックゲー
ト電極の電位をゲート電極と連動させず独立して変化させることで、トランジスタのしき
い値電圧を変化させることができる。

電極２４６および電極２２３は、どちらもゲート電極として機能することができる。よっ
て、絶縁層２２６、絶縁層２２５、絶縁層２２８、および絶縁層２２９は、それぞれがゲ
ート絶縁層として機能することができる。なお、電極２２３は、絶縁層２２８と絶縁層２
２９の間に設けてもよい。

なお、電極２４６または電極２２３の一方を、「ゲート電極」または「ゲート」という場
合、他方を「バックゲート電極」または「バックゲート」という。例えば、トランジスタ
４１１において、電極２２３を「ゲート電極」と言う場合、電極２４６を「バックゲート
電極」と言う。なお、電極２２３を「ゲート電極」として用いる場合は、トランジスタ４
１１をトップゲート型のトランジスタの一種と考えることができる。また、電極２４６お
よび電極２２３のどちらか一方を、「第１のゲート電極」といい、他方を「第２のゲート
電極」という場合がある。

半導体層２４２を挟んで電極２４６および電極２２３を設けることで、更には、電極２４
６および電極２２３を同電位とすることで、半導体層２４２においてキャリアの流れる領
域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、ト
ランジスタ４１１のオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなる。

したがって、トランジスタ４１１は、占有面積に対して大きいオン電流を有するトランジ
スタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ４１１の占有面積を
小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占有面積を小さくす
ることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導体装置を実現する
ことができる。

また、ゲート電極とバックゲート電極は導電層で形成されるため、トランジスタの外部で
生じる電界が、チャネルが形成される半導体層に作用しないようにする機能（特に静電気
などに対する電界遮蔽機能）を有する。なお、バックゲート電極を半導体層よりも大きく
形成し、バックゲート電極で半導体層を覆うことで、電界遮蔽機能を高めることができる
。

また、電極２４６および電極２２３は、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有す
るため、絶縁層２７２側もしくは電極２２３上方に生じる荷電粒子等の電荷が半導体層２
４２のチャネル形成領域に影響しない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲートに負の
電荷を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験
）による劣化が抑制される。また、ドレイン電圧の大きさにより、オン電流が流れ始める
ゲート電圧（立ち上がり電圧）が変化する現象を軽減することができる。なお、この効果
は、電極２４６および電極２２３が、同電位、または異なる電位の場合において生じる。

なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジ
スタの特性変化（経年変化）を短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試験
前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標
となる。しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる
。

また、電極２４６および電極２２３を有し、且つ電極２４６および電極２２３を同電位と
することで、しきい値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジスタにおけ
る電気特性のばらつきも同時に低減される。

また、バックゲート電極を有するトランジスタは、ゲートに正の電荷を印加する＋ＧＢＴ
ストレス試験前後におけるしきい値電圧の変動も、バックゲート電極を有さないトランジ
スタより小さい。

また、バックゲート電極を、遮光性を有する導電膜で形成することで、バックゲート電極
側から半導体層に光が入射することを防ぐことができる。よって、半導体層の光劣化を防
ぎ、トランジスタのしきい値電圧がシフトするなどの電気特性の劣化を防ぐことができる
。

本発明の一態様によれば、信頼性の良好なトランジスタを実現することができる。また、
信頼性の良好な半導体装置を実現することができる。

図２５（Ｂ１）に、ボトムゲート型のトランジスタの１つであるチャネル保護型のトラン
ジスタ４２０の断面図を示す。トランジスタ４２０は、トランジスタ４１０とほぼ同様の
構造を有しているが、絶縁層２２５が半導体層２４２を覆っている点が異なる。絶縁層２
２５を設けることで、電極２４４ａおよび電極２４４ｂの形成時に生じる半導体層２４２
の露出を防ぐことができる。よって、電極２４４ａおよび電極２４４ｂの形成時に半導体
層２４２の薄膜化を防ぐことができる。

また、半導体層２４２と重なる絶縁層２２５の一部を選択的に除去して形成した開口部に
おいて、半導体層２４２と電極２４４ａが電気的に接続している。また、半導体層２４２
と重なる絶縁層２２５の一部を選択的に除去して形成した他の開口部において、半導体層
２４２と電極２４４ｂが電気的に接続している。絶縁層２２５の、チャネル形成領域と重
なる領域は、チャネル保護層として機能できる。

図２５（Ｂ２）に示すトランジスタ４２１は、絶縁層２２９上にバックゲート電極として
機能できる電極２２３を有する点が、トランジスタ４２０と異なる。

また、トランジスタ４２０およびトランジスタ４２１は、トランジスタ４１０およびトラ
ンジスタ４１１よりも、電極２４４ａと電極２４６の間の距離と、電極２４４ｂと電極２
４６の間の距離が長くなる。よって、電極２４４ａと電極２４６の間に生じる寄生容量を
小さくすることができる。また、電極２４４ｂと電極２４６の間に生じる寄生容量を小さ
くすることができる。本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現で
きる。

図２５（Ｃ１）に示すトランジスタ４２５は、ボトムゲート型のトランジスタの１つであ
るチャネルエッチング型のトランジスタである。トランジスタ４２５は、絶縁層２２５を
設けずに、半導体層２４２に接して電極２４４ａおよび電極２４４ｂを形成する。このた
め、電極２４４ａおよび電極２４４ｂの形成時に露出する半導体層２４２の一部がエッチ
ングされる場合がある。一方、絶縁層２２５を設けないため、トランジスタの生産性を高
めることができる。

図２５（Ｃ２）に示すトランジスタ４２６は、絶縁層２２９上にバックゲート電極として
機能できる電極２２３を有する点が、トランジスタ４２５と異なる。

〔トップゲート型トランジスタ〕
図２６（Ａ１）に、トップゲート型のトランジスタの一種であるトランジスタ４３０の断
面図を示す。トランジスタ４３０は、基板２７１の上に絶縁層２７２を介して半導体層２
４２を有し、半導体層２４２および絶縁層２７２上に、半導体層２４２の一部に接する電
極２４４ａ、および半導体層２４２の一部に接する電極２４４ｂを有し、半導体層２４２
、電極２４４ａ、および電極２４４ｂ上に絶縁層２２６を有し、絶縁層２２６上に電極２
４６を有する。

トランジスタ４３０は、電極２４６および電極２４４ａ、並びに、電極２４６および電極
２４４ｂが重ならないため、電極２４６および電極２４４ａの間に生じる寄生容量、並び
に、電極２４６および電極２４４ｂの間に生じる寄生容量を小さくすることができる。ま
た、電極２４６を形成した後に、電極２４６をマスクとして用いて不純物２５５を半導体
層２４２に導入することで、半導体層２４２中に自己整合（セルフアライメント）的に不
純物領域を形成することができる（図２６（Ａ３）参照）。本発明の一態様によれば、電
気特性の良好なトランジスタを実現することができる。

なお、不純物２５５の導入は、イオン注入装置、イオンドーピング装置またはプラズマ処
理装置を用いて行うことができる。

不純物２５５としては、例えば、第１３族元素または第１５族元素のうち、少なくとも一
種類の元素を用いることができる。また、半導体層２４２に酸化物半導体を用いる場合は
、不純物２５５として、希ガス、水素、および窒素のうち、少なくとも一種類の元素を用
いることも可能である。

図２６（Ａ２）に示すトランジスタ４３１は、電極２２３および絶縁層２２７を有する点
がトランジスタ４３０と異なる。トランジスタ４３１は、絶縁層２７２の上に形成された
電極２２３を有し、電極２２３上に形成された絶縁層２２７を有する。電極２２３は、バ
ックゲート電極として機能することができる。よって、絶縁層２２７は、ゲート絶縁層と
して機能することができる。絶縁層２２７は、絶縁層２２６と同様の材料および方法によ
り形成することができる。

トランジスタ４１１と同様に、トランジスタ４３１は、占有面積に対して大きいオン電流
を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ４
３１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占
有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導
体装置を実現することができる。

図２６（Ｂ１）に例示するトランジスタ４４０は、トップゲート型のトランジスタの１つ
である。トランジスタ４４０は、電極２４４ａおよび電極２４４ｂを形成した後に半導体
層２４２を形成する点が、トランジスタ４３０と異なる。また、図２６（Ｂ２）に例示す
るトランジスタ４４１は、電極２２３および絶縁層２２７を有する点が、トランジスタ４
４０と異なる。トランジスタ４４０およびトランジスタ４４１において、半導体層２４２
の一部は電極２４４ａ上に形成され、半導体層２４２の他の一部は電極２４４ｂ上に形成
される。

トランジスタ４１１と同様に、トランジスタ４４１は、占有面積に対して大きいオン電流
を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ４
４１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占
有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導
体装置を実現することができる。

図２７（Ａ１）に例示するトランジスタ４４２は、トップゲート型のトランジスタの１つ
である。トランジスタ４４２は、絶縁層２２９上に電極２４４ａおよび電極２４４ｂを有
する。電極２４４ａおよび電極２４４ｂは、絶縁層２２８および絶縁層２２９に形成した
開口部において半導体層２４２と電気的に接続する。

また、電極２４６と重ならない絶縁層２２６の一部が除去されている。また、トランジス
タ４４２が有する絶縁層２２６の一部は、電極２４６の端部を越えて延伸している。

電極２４６と絶縁層２２６をマスクとして用いて不純物２５５を半導体層２４２に導入す
ることで、半導体層２４２中に自己整合（セルフアライメント）的に不純物領域を形成す
ることができる（図２７（Ａ３）参照）。

この時、半導体層２４２の電極２４６と重なる領域には不純物２５５が導入されず、電極
２４６と重ならない領域に不純物２５５が導入される。また、半導体層２４２の絶縁層２
２６を介して不純物２５５が導入された領域の不純物濃度は、絶縁層２２６を介さずに不
純物２５５が導入された領域よりも低くなる。よって、半導体層２４２中の電極２４６と
隣接する領域にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域が形成される。

図２７（Ａ２）に示すトランジスタ４４３は、半導体層２４２の下方に電極２２３を有す
る点がトランジスタ４４２と異なる。また、電極２２３は絶縁層２７２を介して半導体層
２４２と重なる。電極２２３は、バックゲート電極として機能することができる。

また、図２７（Ｂ１）に示すトランジスタ４４４および図２７（Ｂ２）に示すトランジス
タ４４５のように、絶縁層２２６の電極２４６と重ならない領域を全て除去してもよい。
また、図２７（Ｃ１）に示すトランジスタ４４６および図２７（Ｃ２）に示すトランジス
タ４４７のように、絶縁層２２６の開口部以外を除去せずに残してもよい。

トランジスタ４４４、トランジスタ４４５、トランジスタ４４６、およびトランジスタ４
４７も、電極２４６を形成した後に、電極２４６をマスクとして用いて不純物２５５を半
導体層２４２に導入することで、半導体層２４２中に自己整合的に不純物領域を形成する
ことができる。

図２８（Ａ）に、トップゲート型のトランジスタの一例として、基板２７１に半導体基板
を用いたトランジスタ４７１およびトランジスタ４７２の断面図を示す。半導体基板を用
いて形成されたトランジスタは、高速動作が可能である。本実施の形態では、基板２７１
としてｐ型の単結晶シリコン基板を用いる例を示す。トランジスタ４７１およびトランジ
スタ４７２は、基板２７１中にチャネルが形成されるトランジスタである。

トランジスタ４７１は、ｎチャネル型のトランジスタとして機能することができる。トラ
ンジスタ４７１は、チャネル形成領域２８３、ＬＤＤ（ＬＤＤ：Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐ
ｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域やエクステンション領域として機能するｎ型不純物領域２８４、
ソース領域またはドレイン領域として機能するｎ型不純物領域２８５、絶縁層２１６、電
極２８７を有している。電極２８７はゲート電極として機能する。絶縁層２１６はゲート
絶縁層として機能する。なお、ｎ型不純物領域２８５の不純物濃度は、ｎ型不純物領域２
８４よりも高い。電極２８７の側面には側壁絶縁層２８６が設けられており、電極２８７
および側壁絶縁層２８６をマスクとして用いて、ｎ型不純物領域２８４、ｎ型不純物領域
２８５を自己整合的に形成することができる。

トランジスタ４７２は、ｐチャネル型のトランジスタとして機能することができる。トラ
ンジスタ４７２は、ｎ型のウェル２８１に形成される。ｎ型のウェル２８１は、基板２７
１の一部にｎ型を付与する不純物元素を添加して形成される。トランジスタ４７２は、チ
ャネル形成領域２９３、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域やエク
ステンション領域として機能するｐ型不純物領域２９４、ソース領域またはドレイン領域
として機能するｐ型不純物領域２９５、絶縁層２１６、電極２９７を有している。電極２
９７はゲート電極として機能する。絶縁層２１６はゲート絶縁層として機能する。なお、
ｐ型不純物領域２９５の不純物濃度は、ｐ型不純物領域２９４よりも高い。電極２９７の
側面には側壁絶縁層２９６が設けられており、電極２９７および側壁絶縁層２９６をマス
クとして用いて、ｐ型不純物領域２９４、ｐ型不純物領域２９５を自己整合的に形成する
ことができる。

トランジスタ４７１およびトランジスタ４７２は素子分離領域２９９により、基板２７１
に形成される他のトランジスタと分離されている。また、電極２８７、側壁絶縁層２８６
、電極２９７、および側壁絶縁層２９６を覆って、絶縁層２２８および絶縁層２２９が形
成されている。また、絶縁層２２９上に平坦な表面を有する絶縁層２７５が形成され、絶
縁層２７５上に電極２８９ａ、電極２８９ｂ、電極２９２ａ、および電極２９２ｂが形成
されている。

素子分離領域２９９は、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）
法や、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法を用い
て形成することができる。なお、ＳＴＩ法はＬＯＣＯＳによる素子分離法で発生した素子
分離部のバーズビークを抑制することができ、素子分離部の縮小等が可能となる。よって
、素子分離領域２９９の形成は、ＳＴＩ法を用いて行うことが好ましい。

側壁絶縁層２８６、および側壁絶縁層２９６は絶縁層を異方性エッチングするなど、既知
の方法で作製することができる。

電極２８９ａは、絶縁層２７５、絶縁層２２９、および絶縁層２２８の一部を除去して形
成した開口において、コンタクトプラグ２８８ａを介してｎ型不純物領域２８５の一方と
電気的に接続されている。電極２８９ｂは、絶縁層２７５、絶縁層２２９、および絶縁層
２２８の一部を除去して形成した開口において、コンタクトプラグ２８８ｂを介してｎ型
不純物領域２８５のもう一方と電気的に接続されている。

電極２９２ａは、絶縁層２７５、絶縁層２２９、および絶縁層２２８の一部を除去して形
成された開口において、コンタクトプラグ２９８ａを介してｐ型不純物領域２９５の一方
と電気的に接続されている。電極２９２ｂは、絶縁層２７５、絶縁層２２９、および絶縁
層２２８の一部を除去して形成した開口において、コンタクトプラグ２９８ｂを介してｐ
型不純物領域２９５のもう一方と電気的に接続されている。

トランジスタ４７１および／またはトランジスタ４７２としてシリサイド（サリサイド）
を有するトランジスタや、側壁絶縁層を有さないトランジスタを用いてもよい。シリサイ
ド（サリサイド）を有する構造であると、ソース領域およびドレイン領域をより低抵抗化
でき、半導体装置の高速化が可能である。また、低電圧での動作が可能となるため、半導
体装置の消費電力を低減することが可能である。

〔Ｆｉｎ型トランジスタ〕
図２８（Ｂ１）および図２８（Ｂ２）に、基板２７１に半導体基板を用いたトランジスタ
の他の一例を示す。図２８（Ｂ１）はトランジスタ２９１のチャネル長方向の断面図であ
り、図２８（Ｂ２）はトランジスタ２９１のチャネル幅方向の断面図である。トランジス
タ２９１はＦｉｎ型のトランジスタである。Ｆｉｎ型のトランジスタは、実効上のチャネ
ル幅が増大し、トランジスタのオン特性を向上させることができる。また、チャネル形成
領域に対するゲート電極の電界の寄与を高くすることができるため、トランジスタのオフ
特性を向上させることができる。

また、トランジスタ２９１において、絶縁層２７５上に電極２８９ｃが形成されている。
電極２８９ｃは、絶縁層２７５、絶縁層２２９、および絶縁層２２８の一部を除去して形
成された開口において、コンタクトプラグ２８８ｃを介して電極２８７と電気的に接続さ
れている（図２８（Ｂ２）参照。）。

〔ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ型トランジスタ〕
図２９に、半導体層２４２として酸化物半導体を用いたトランジスタ構造の一例を示す。
図２９に例示するトランジスタ４５０は、半導体層２４２ａの上に半導体層２４２ｂが形
成され、半導体層２４２ｂの上面並びに半導体層２４２ａ及び半導体層２４２ｂの側面が
半導体層２４２ｃに覆われた構造を有する。図２９（Ａ）はトランジスタ４５０の上面図
である。図２９（Ｂ）は、図２９（Ａ）中のＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示した部位の断面図
（チャネル長方向の断面図）である。図２９（Ｃ）は、図２９（Ａ）中のＹ１−Ｙ２の一
点鎖線で示した部位の断面図（チャネル幅方向の断面図）である。

また、トランジスタ４５０は、ゲート電極として機能する電極２４３を有する。電極２４
３は、電極２４６と同様の材料および方法で形成することができる。本実施の形態では、
電極２４３を２層の導電層の積層としている。

半導体層２４２ａ、半導体層２４２ｂ、および半導体層２４２ｃは、ＩｎもしくはＧａの
一方、または両方を含む材料で形成する。代表的には、Ｉｎ−Ｇａ酸化物（ＩｎとＧａを
含む酸化物）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物（ＩｎとＺｎを含む酸化物）、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（
Ｉｎと、元素Ｍと、Ｚｎを含む酸化物。元素Ｍは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、
Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆから選ばれた１種類以上の元素で、Ｉｎよりも酸素との結合力が強
い金属元素である。）がある。

半導体層２４２ａおよび半導体層２４２ｃは、半導体層２４２ｂを構成する金属元素のう
ち、１種類以上の同じ金属元素を含む材料により形成されることが好ましい。このような
材料を用いると、半導体層２４２ａおよび半導体層２４２ｂとの界面、ならびに半導体層
２４２ｃおよび半導体層２４２ｂとの界面に界面準位を生じにくくすることができる。よ
って、界面におけるキャリアの散乱や捕獲が生じにくく、トランジスタの電界効果移動度
を向上させることが可能となる。また、トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減す
ることが可能となる。よって、良好な電気特性を有する半導体装置を実現することが可能
となる。

半導体層２４２ａおよび半導体層２４２ｃの厚さは、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好まし
くは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。また、半導体層２４２ｂの厚さは、３ｎｍ以上２０
０ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下とする。

また、半導体層２４２ｂがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であり、半導体層２４２ａおよび半導体
層２４２ｃもＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であるとき、半導体層２４２ａおよび半導体層２４２
ｃをＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ_１：ｙ_１：ｚ_１［原子数比］、半導体層２４２ｂをＩｎ：Ｍ：Ｚ
ｎ＝ｘ_２：ｙ_２：ｚ_２［原子数比］とすると、ｙ_１／ｘ_１がｙ_２／ｘ_２よりも大きくなる
ように半導体層２４２ａ、半導体層２４２ｃ、および半導体層２４２ｂを選択することが
できる。好ましくは、ｙ_１／ｘ_１がｙ_２／ｘ_２よりも１．５倍以上大きくなるように半導
体層２４２ａ、半導体層２４２ｃ、および半導体層２４２ｂを選択する。さらに好ましく
は、ｙ_１／ｘ_１がｙ_２／ｘ_２よりも２倍以上大きくなるように半導体層２４２ａ、半導体
層２４２ｃ、および半導体層２４２ｂを選択する。より好ましくは、ｙ_１／ｘ_１がｙ_２／
ｘ_２よりも３倍以上大きくなるように半導体層２４２ａ、半導体層２４２ｃおよび半導体
層２４２ｂを選択する。ｙ_１がｘ_１以上であるとトランジスタに安定した電気特性を付与
できるため好ましい。ただし、ｙ_１がｘ_１の３倍以上になると、トランジスタの電界効果
移動度が低下してしまうため、ｙ_１はｘ_１の３倍未満であると好ましい。半導体層２４２
ａおよび半導体層２４２ｃを上記構成とすることにより、半導体層２４２ａおよび半導体
層２４２ｃを、半導体層２４２ｂよりも酸素欠損が生じにくい層とすることができる。

なお、半導体層２４２ａおよび半導体層２４２ｃがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であるとき、Ｉ
ｎおよび元素Ｍの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたときのＩｎと元素Ｍの原子数比率は、
好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、元素Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％以上、さらに好
ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、元素Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以上とする。また
、半導体層２４２ｂがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であるとき、Ｉｎおよび元素Ｍの和を１００
ａｔｏｍｉｃ％としたときのＩｎと元素Ｍの原子数比率は好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍ
ｉｃ％以上、元素Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏｍｉ
ｃ％以上、元素Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。

例えば、ＩｎまたはＧａを含む半導体層２４２ａ、およびＩｎまたはＧａを含む半導体層
２４２ｃとしてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２、１：３：４、１：３：６、１：６：４、
または１：９：６などの原子数比のターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物
や、Ｉｎ：Ｇａ＝１：９などの原子数比のターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ酸化物
や、酸化ガリウムなどを用いることができる。また、半導体層２４２ｂとしてＩｎ：Ｇａ
：Ｚｎ＝３：１：２、１：１：１、５：５：６、５：１：７、または４：２：４．１など
の原子数比のターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いることができる
。なお、半導体層２４２ａ、半導体層２４２ｂ、および半導体層２４２ｃの原子数比はそ
れぞれ、誤差として上記の原子数比のプラスマイナス２０％の変動を含む。

半導体層２４２ｂを用いたトランジスタに安定した電気特性を付与するためには、半導体
層２４２ｂ中の不純物および酸素欠損を低減して高純度真性化し、半導体層２４２ｂを真
性または実質的に真性と見なせる酸化物半導体層とすることが好ましい。また、少なくと
も半導体層２４２ｂ中のチャネル形成領域が真性または実質的に真性と見なせる半導体層
とすることが好ましい。

なお、実質的に真性と見なせる酸化物半導体層とは、酸化物半導体層中のキャリア密度が
、８×１０^１１／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１１／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは
１×１０^１０／ｃｍ^３未満であり、１×１０^−９／ｃｍ^３以上である酸化物半導体層をい
う。

図３０に、半導体層２４２として酸化物半導体を用いたトランジスタ構造の一例を示す。
図３０に例示するトランジスタ４２２は、半導体層２４２ａの上に半導体層２４２ｂが形
成されている。トランジスタ４２２は、バックゲート電極を有するボトムゲート型のトラ
ンジスタの一種である。図３０（Ａ）はトランジスタ４２２の上面図である。図３０（Ｂ
）は、図３０（Ａ）中のＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示した部位の断面図（チャネル長方向の
断面図）である。図３０（Ｃ）は、図３０（Ａ）中のＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示した部位
の断面図（チャネル幅方向の断面図）である。

絶縁層２２９上に設けられた電極２２３は、絶縁層２２６、絶縁層２２８、および絶縁層
２２９に設けられた開口２４７ａおよび開口２４７ｂにおいて、電極２４６と電気的に接
続されている。よって、電極２２３と電極２４６には、同じ電位が供給される。また、開
口２４７ａおよび開口２４７ｂは、どちらか一方を設けなくてもよい。また、開口２４７
ａおよび開口２４７ｂの両方を設けなくてもよい。開口２４７ａおよび開口２４７ｂの両
方を設けない場合は、電極２２３と電極２４６に異なる電位を供給することができる。

［酸化物半導体のエネルギーバンド構造］
ここで、半導体層２４２ａ、半導体層２４２ｂ、および半導体層２４２ｃの積層により構
成される半導体層２４２の機能およびその効果について、図３４（Ａ）および図３４（Ｂ
）に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図３４（Ａ）は、図２９（Ｂ）にＤ
１−Ｄ２の一点鎖線で示す部位のエネルギーバンド構造図である。図３４（Ａ）は、トラ
ンジスタ４５０のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造を示している。

図３４（Ａ）中、Ｅｃ３８２、Ｅｃ３８３ａ、Ｅｃ３８３ｂ、Ｅｃ３８３ｃ、Ｅｃ３８６
は、それぞれ、絶縁層２７２、半導体層２４２ａ、半導体層２４２ｂ、半導体層２４２ｃ
、絶縁層２２６の伝導帯下端のエネルギーを示している。

ここで、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差（「電子親和力」ともいう。）は、真
空準位と価電子帯上端のエネルギーとの差（イオン化ポテンシャルともいう。）からエネ
ルギーギャップを引いた値となる。なお、エネルギーギャップは、分光エリプソメータ（
例えば、ＨＯＲＩＢＡ ＪＯＢＩＮ ＹＶＯＮ社 ＵＴ−３００）を用いて測定できる。
また、真空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光分析（ＵＰＳ：Ｕｌ
ｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）装置（
例えば、ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ社 ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ）を用いて測定できる。

なお、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２のターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇ
ａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．５ｅＶ、電子親和力は約４．５ｅＶである
。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４のターゲットを用いて形成したＩｎ−
Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．４ｅＶ、電子親和力は約４．５ｅＶであ
る。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：６のターゲットを用いて形成したＩｎ
−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．３ｅＶ、電子親和力は約４．５ｅＶで
ある。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：２のターゲットを用いて形成したＩ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．９ｅＶ、電子親和力は約４．３ｅＶ
である。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：８のターゲットを用いて形成した
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．５ｅＶ、電子親和力は約４．４ｅ
Ｖである。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：１０のターゲットを用いて形成
したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．５ｅＶ、電子親和力は約４．
５ｅＶである。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲットを用いて形
成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約３．２ｅＶ、電子親和力は約４
．７ｅＶである。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２のターゲットを用いて
形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のエネルギーギャップは約２．８ｅＶ、電子親和力は約
５．０ｅＶである。

絶縁層２７２と絶縁層２２６は絶縁物であるため、Ｅｃ３８２とＥｃ３８６は、Ｅｃ３８
３ａ、Ｅｃ３８３ｂ、およびＥｃ３８３ｃよりも真空準位に近い（電子親和力が小さい）
。

また、Ｅｃ３８３ａは、Ｅｃ３８３ｂよりも真空準位に近い。具体的には、Ｅｃ３８３ａ
は、Ｅｃ３８３ｂよりも０．０５ｅＶ以上、０．０７ｅＶ以上、０．１ｅＶ以上または０
．１５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、０．５ｅＶ以下または０．４ｅＶ以下真
空準位に近いことが好ましい。

また、Ｅｃ３８３ｃは、Ｅｃ３８３ｂよりも真空準位に近い。具体的には、Ｅｃ３８３ｃ
は、Ｅｃ３８３ｂよりも０．０５ｅＶ以上、０．０７ｅＶ以上、０．１ｅＶ以上または０
．１５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、０．５ｅＶ以下または０．４ｅＶ以下真
空準位に近いことが好ましい。

また、半導体層２４２ａと半導体層２４２ｂとの界面近傍、および、半導体層２４２ｂと
半導体層２４２ｃとの界面近傍では、混合領域が形成されるため、伝導帯下端のエネルギ
ーは連続的に変化する。即ち、これらの界面において、準位は存在しないか、ほとんどな
い。

従って、当該エネルギーバンド構造を有する積層構造において、電子は半導体層２４２ｂ
を主として移動することになる。そのため、半導体層２４２ａと絶縁層２７２との界面、
または、半導体層２４２ｃと絶縁層２２６との界面に準位が存在したとしても、当該準位
は電子の移動にほとんど影響しない。また、半導体層２４２ａと半導体層２４２ｂとの界
面、および半導体層２４２ｃと半導体層２４２ｂとの界面に準位が存在しないか、ほとん
どないため、当該領域において電子の移動を阻害することもない。従って、上記酸化物半
導体の積層構造を有するトランジスタ４５０は、高い電界効果移動度を実現することがで
きる。

なお、図３４（Ａ）に示すように、半導体層２４２ａと絶縁層２７２の界面、および半導
体層２４２ｃと絶縁層２２６の界面近傍には、不純物や欠陥に起因したトラップ準位３９
０が形成され得るものの、半導体層２４２ａ、および半導体層２４２ｃがあることにより
、半導体層２４２ｂと当該トラップ準位とを遠ざけることができる。

特に、本実施の形態に例示するトランジスタ４５０は、半導体層２４２ｂの上面と側面が
半導体層２４２ｃと接し、半導体層２４２ｂの下面が半導体層２４２ａと接して形成され
ている。このように、半導体層２４２ｂを半導体層２４２ａと半導体層２４２ｃで覆う構
成とすることで、上記トラップ準位の影響をさらに低減することができる。

ただし、Ｅｃ３８３ａまたはＥｃ３８３ｃと、Ｅｃ３８３ｂとのエネルギー差が小さい場
合、半導体層２４２ｂの電子が該エネルギー差を越えてトラップ準位に達することがある
。トラップ準位に電子が捕獲されることで、絶縁層の界面にマイナスの固定電荷が生じ、
トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。

従って、Ｅｃ３８３ａ、およびＥｃ３８３ｃと、Ｅｃ３８３ｂとのエネルギー差を、それ
ぞれ０．１ｅＶ以上、好ましくは０．１５ｅＶ以上とすると、トランジスタのしきい値電
圧の変動が低減され、トランジスタの電気特性を良好なものとすることができるため、好
ましい。

また、半導体層２４２ａ、および半導体層２４２ｃのバンドギャップは、半導体層２４２
ｂのバンドギャップよりも広いほうが好ましい。

図３４（Ｂ）は、図３０（Ｂ）にＤ３−Ｄ４の一点鎖線で示す部位のエネルギーバンド構
造図である。図３４（Ｂ）は、トランジスタ４２２のチャネル形成領域のエネルギーバン
ド構造を示している。

図３４（Ｂ）中、Ｅｃ３８７は、絶縁層２２８の伝導帯下端のエネルギーを示している。
半導体層２４２を半導体層２４２ａと半導体層２４２ｂの２層とすることで、トランジス
タの生産性を高めることができる。なお、半導体層２４２ｃを設けない分、トラップ準位
３９０の影響を受けやすくなるが、半導体層２４２を単層構造とした場合よりも高い電界
効果移動度を実現することができる。

本発明の一態様によれば、電気特性のばらつきが少ないトランジスタを実現することがで
きる。よって、電気特性のばらつきが少ない半導体装置を実現することができる。本発明
の一態様によれば、信頼性の良好なトランジスタを実現することができる。よって、信頼
性の良好な半導体装置を実現することができる。

また、酸化物半導体は、エネルギーギャップが３．０ｅＶ以上と大きく、可視光に対する
透過率が大きい。また、酸化物半導体を適切な条件で加工して得られたトランジスタにお
いては、オフ電流を使用時の温度条件下（例えば、２５℃）において、１００ｚＡ（１×
１０^−１９Ａ）以下、もしくは１０ｚＡ（１×１０^−２０Ａ）以下、さらには１ｚＡ（１
×１０^−２１Ａ）以下とすることができる。このため、消費電力の少ない半導体装置を提
供することができる。

本発明の一態様によれば、消費電力が少ないトランジスタを実現することができる。よっ
て、消費電力が少ない表示素子や表示装置などの半導体装置を実現することができる。ま
たは、信頼性の良好な表示素子や表示装置などの半導体装置を実現することができる。

図２９に示すトランジスタ４５０の説明にもどる。絶縁層２７２に設けた凸部上に半導体
層２４２ｂを設けることによって、半導体層２４２ｂの側面も電極２４３で覆うことがで
きる。すなわち、トランジスタ４５０は、電極２４３の電界によって、半導体層２４２ｂ
を電気的に取り囲むことができる構造を有している。このように、導電膜の電界によって
、チャネルが形成される半導体層を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏ
ｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。また、ｓ−ｃｈａｎｎ
ｅｌ構造を有するトランジスタを、「ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ型トランジスタ」もしくは「ｓ
−ｃｈａｎｎｅｌトランジスタ」ともいう。

ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、半導体層２４２ｂの全体（バルク）にチャネルを形成する
こともできる。ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのドレイン電流を大きくする
ことができ、さらに大きいオン電流を得ることができる。また、電極２４３の電界によっ
て、半導体層２４２ｂに形成されるチャネル形成領域の全領域を空乏化することができる
。したがって、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのオフ電流をさらに小さくす
ることができる。

なお、絶縁層２７２の凸部を高くし、また、チャネル幅を小さくすることで、ｓ−ｃｈａ
ｎｎｅｌ構造によるオン電流の増大効果、オフ電流の低減効果などをより高めることがで
きる。また、半導体層２４２ｂの形成時に、露出する半導体層２４２ａを除去してもよい
。この場合、半導体層２４２ａと半導体層２４２ｂの側面が揃う場合がある。

また、図３１に示すトランジスタ４５１のように、半導体層２４２の下方に、絶縁層を介
して電極２２３を設けてもよい。図３１（Ａ）はトランジスタ４５１の上面図である。図
３１（Ｂ）は、図３１（Ａ）中のＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示した部位の断面図である。図
３１（Ｃ）は、図３１（Ａ）中のＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示した部位の断面図である。

また、図３２に示すトランジスタ４５２のように、電極２４３の上方に絶縁層２７５を設
け、絶縁層２７５上に層２１４を設けてもよい。図３２（Ａ）はトランジスタ４５２の上
面図である。図３２（Ｂ）は、図３２（Ａ）中のＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示した部位の断
面図である。図３２（Ｃ）は、図３２（Ａ）中のＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示した部位の断
面図である。

なお、図３２では、層２１４を絶縁層２７５上に設けているが、絶縁層２２８上、または
絶縁層２２９上に設けてもよい。層２１４を、遮光性を有する材料で形成することで、光
照射によるトランジスタの特性変動や、信頼性の低下などを防ぐことができる。なお、層
２１４を少なくとも半導体層２４２ｂよりも大きく形成し、層２１４で半導体層２４２ｂ
を覆うことで、上記の効果を高めることができる。層２１４は、有機物材料、無機物材料
、又は金属材料を用いて作製することができる。また、層２１４を導電性材料で作製した
場合、層２１４に電圧を供給してもよいし、電気的に浮遊した（フローティング）状態と
してもよい。

図３３に、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタの一例を示す。図３３に例示す
るトランジスタ４４８は、前述したトランジスタ４４７とほぼ同様の構成を有する。トラ
ンジスタ４４８は、絶縁層２７２が有する凸部の上に半導体層２４２が形成されている。
トランジスタ４４８はバックゲート電極を有するトップゲート型のトランジスタの一種で
ある。図３３（Ａ）はトランジスタ４４８の上面図である。図３３（Ｂ）は、図３３（Ａ
）中のＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示した部位の断面図である。図３３（Ｃ）は、図３３（Ａ
）中のＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示した部位の断面図である。

図３３では、トランジスタ４４８を構成する半導体層２４２にシリコンなどの無機半導体
層を用いる場合を例示する。図３３において、半導体層２４２は、ゲート電極と重なる領
域に半導体層２４２ｉと、２つの半導体層２４２ｔと、２つの半導体層２４２ｕとを有す
る。半導体層２４２ｉは、２つの半導体層２４２ｔの間に配置されている。また、半導体
層２４２ｉと２つの半導体層２４２ｔは、２つの半導体層２４２ｕの間に配置されている
。

トランジスタ４４８がオン状態の時に半導体層２４２ｉにチャネルが形成される。よって
、半導体層２４２ｉはチャネル形成領域として機能する。また、半導体層２４２ｔは低濃
度不純物領域（ＬＤＤ）として機能する。また、半導体層２４２ｕは高濃度不純物領域と
して機能する。なお、２つの半導体層２４２ｔのうち、一方または両方の半導体層２４２
ｔを設けなくてもよい。また、２つの半導体層２４２ｕのうち、一方の半導体層２４２ｕ
はソース領域として機能し、他方の半導体層２４２ｕはドレイン領域として機能する。

絶縁層２２９上に設けられた電極２４４ａは、絶縁層２２６、絶縁層２２８、および絶縁
層２２９に設けられた開口２４７ｃにおいて、半導体層２４２ｕの一方と電気的に接続さ
れている。また、絶縁層２２９上に設けられた電極２４４ｂは、絶縁層２２６、絶縁層２
２８、および絶縁層２２９に設けられた開口２４７ｄにおいて、半導体層２４２ｕの他方
と電気的に接続されている。

絶縁層２２６上に設けられた電極２４３は、絶縁層２２６、および絶縁層２７２に設けら
れた開口２４７ａおよび開口２４７ｂにおいて、電極２２３と電気的に接続されている。
よって、電極２４３と電極２２３には、同じ電位が供給される。また、開口２４７ａおよ
び開口２４７ｂは、どちらか一方を設けなくてもよい。また、開口２４７ａおよび開口２
４７ｂの両方を設けなくてもよい。開口２４７ａおよび開口２４７ｂの両方を設けない場
合は、電極２２３と電極２４３に異なる電位を供給することができる。

＜基板＞
基板２７１として用いる材料に大きな制限はない。目的に応じて、透光性の有無や加熱処
理に耐えうる程度の耐熱性などを勘案して決定すればよい。例えばバリウムホウケイ酸ガ
ラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファ
イア基板などを用いることができる。また、基板２７１として、半導体基板、可撓性基板
（フレキシブル基板）、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどを用いてもよい。

半導体基板としては、例えば、シリコン、もしくはゲルマニウムなどを材料とした単体半
導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウ
ム、酸化亜鉛、もしくは酸化ガリウムを材料とした化合物半導体基板などがある。また、
半導体基板は、単結晶半導体であってもよいし、多結晶半導体であってもよい。

可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの材料としては、例えば、ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサ
ルフォン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリプロピレン、ポリ
エステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン
、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネート、アラミド、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂などを用いることができる。

基板２７１に用いる可撓性基板は、線膨張率が低いほど環境による変形が抑制されて好ま
しい。基板２７１に用いる可撓性基板は、例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、５
×１０^−５／Ｋ以下、または１×１０^−５／Ｋ以下である材質を用いればよい。特に、ア
ラミドは、線膨張率が低いため、可撓性基板として好適である。

＜絶縁層＞
絶縁層２７２、絶縁層２２６、絶縁層２２５、絶縁層２２８、および絶縁層２２９は、窒
化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸
化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、
酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン
、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどから選ば
れた材料を、単層でまたは積層して用いる。また、酸化物材料、窒化物材料、酸化窒化物
材料、窒化酸化物材料のうち、複数の材料を混合した材料を用いてもよい。

なお、本明細書中において、窒化酸化物とは、酸素よりも窒素の含有量が多い化合物をい
う。また、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い化合物をいう。なお、各元素
の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃ
ｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）等を用いて測定することができる
。

特に絶縁層２７２および絶縁層２２９は、不純物が透過しにくい絶縁性材料を用いて形成
することが好ましい。例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アル
ミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、
ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁材料を、単層
で、または積層で用いればよい。例えば、不純物が透過しにくい絶縁性材料として、酸化
アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化
ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸
化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、窒化シリコンなどを挙げることができる。
また、絶縁層２７２または絶縁層２２９として、絶縁性の高い酸化インジウム錫亜鉛（Ｉ
ｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）などを用いてもよい。

絶縁層２７２に不純物が透過しにくい絶縁性材料を用いることで、基板２７１側からの不
純物の拡散を抑制し、トランジスタの信頼性を高めることができる。絶縁層２２９に不純
物が透過しにくい絶縁性材料を用いることで、絶縁層２２９側からの不純物の拡散を抑制
し、トランジスタの信頼性を高めることができる。

絶縁層２７２、絶縁層２２６、絶縁層２２５、絶縁層２２８、および絶縁層２２９として
、これらの材料で形成される絶縁層を複数積層して用いてもよい。絶縁層２７２、絶縁層
２２６、絶縁層２２５、絶縁層２２８、および絶縁層２２９の形成方法は特に限定されず
、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法、スピンコート法な
どの各種形成方法を用いることができる。

例えば、熱ＣＶＤ法を用いて、酸化アルミニウムを成膜する場合には、溶媒とアルミニウ
ム前駆体化合物を含む液体（ＴＭＡなど）を気化させた原料ガスと、酸化剤としてＨ２Ｏ
の２種類のガスを用いる。なお、トリメチルアルミニウムの化学式はＡｌ（ＣＨ３）３で
ある。また、他の材料液としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブ
チルアルミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプ
タンジオナート）などがある。

また、半導体層２４２として酸化物半導体を用いる場合、半導体層２４２中の水素濃度の
増加を防ぐために、絶縁層中の水素濃度を低減することが好ましい。特に、半導体層２４
２と接する絶縁層中の水素濃度を低減することが好ましい。具体的には、絶縁層中の水素
濃度を、ＳＩＭＳにおいて、２×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０
^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さ
らに好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。また、半導体層２４２中の
窒素濃度の増加を防ぐために、絶縁層中の窒素濃度を低減することが好ましい。特に、半
導体層２４２と接する絶縁層中の窒素濃度を低減することが好ましい。具体的には、絶縁
層中の窒素濃度を、ＳＩＭＳにおいて、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましく
は５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ
^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

なお、ＳＩＭＳ分析によって測定された濃度は、プラスマイナス４０％の変動を含む場合
がある。

また、半導体層２４２として酸化物半導体を用いる場合、絶縁層は、加熱により酸素が放
出される絶縁層（「過剰酸素を含む絶縁層」ともいう。）を用いて形成することが好まし
い。特に、半導体層２４２と接する絶縁層は、過剰酸素を含む絶縁層とすることが好まし
い。例えば、当該絶縁層の表面温度が１００℃以上７００℃以下、好ましくは１００℃以
上５００℃以下の加熱処理で行われるＴＤＳ分析において、酸素原子に換算した酸素の脱
離量が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、あるいは３．０×１０^２０ａｔｏｍｓ
／ｃｍ^３以上である絶縁層が好ましい。

また、過剰酸素を含む絶縁層は、絶縁層に酸素を添加する処理を行って形成することもで
きる。酸素を添加する処理は、酸素雰囲気下による熱処理や、イオン注入装置、イオンド
ーピング装置またはプラズマ処理装置を用いて行うことができる。酸素を添加するための
ガスとしては、^１６Ｏ_２もしくは^１８Ｏ_２などの酸素ガス、亜酸化窒素ガスまたはオゾン
ガスなどを用いることができる。なお、本明細書では酸素を添加する処理を「酸素ドープ
処理」ともいう。

また、絶縁層を、酸素を含む雰囲気中でスパッタリング法により成膜することで、被形成
層に酸素を導入することができる。

また、一般に、容量素子は対向する二つの電極の間に誘電体を挟む構成を有し、誘電体の
厚さが薄いほど（対向する二つの電極間距離が短いほど）、また、誘電体の誘電率が大き
いほど容量値が大きくなる。ただし、容量素子の容量値を増やすために誘電体を薄くする
と、トンネル効果などに起因して、二つの電極間に意図せずに流れる電流（以下、「リー
ク電流」ともいう。）が増加しやすくなり、また、容量素子の絶縁耐圧が低下しやすくな
る。

トランジスタのゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層が重畳する部分は、容量素子として
機能する（以下、「ゲート容量」ともいう。）。なお、半導体層の、ゲート絶縁層を介し
てゲート電極と重畳する領域にチャネルが形成される。すなわち、ゲート電極とチャネル
形成領域が、容量素子の二つの電極として機能する。また、ゲート絶縁層が容量素子の誘
電体として機能する。ゲート容量の容量値は大きいほうが好ましいが、容量値を大きくす
るためにゲート絶縁層を薄くすると、前述のリーク電流の増加や、絶縁耐圧の低下といっ
た問題が生じやすい。

そこで、誘電体として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、
窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ（ｘ＞０、ｙ＞０、ｚ＞０
））、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ（ｘ＞０、ｙ＞０
、ｚ＞０））、酸化ハフニウム、または酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用い
ると、誘電体を厚くしても、容量素子の容量値を十分確保することが可能となる。

例えば、誘電体として誘電率が大きいｈｉｇｈ−ｋ材料を用いると、誘電体を厚くしても
、誘電体として酸化シリコンを用いた場合と同等の容量値を実現できるため、容量素子を
形成する二つの電極間に生じるリーク電流を低減できる。なお、誘電体をｈｉｇｈ−ｋ材
料と、他の絶縁材料との積層構造としてもよい。

また、絶縁層２７５は、平坦な表面を有する絶縁層である。絶縁層２７５としては、上記
絶縁性材料のほかに、ポリイミド、アクリル系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリア
ミド、エポキシ系樹脂等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有
機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラ
ス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形
成される絶縁層を複数積層してもよい。

なお、シロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−
Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基（例えばアル
キル基やアリール基）やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有して
いても良い。

絶縁層２７５の形成方法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、ＳＯＧ法
、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法など）、印刷
法（スクリーン印刷、オフセット印刷など）などを用いればよい。

また、試料表面にＣＭＰ処理を行なってもよい。ＣＭＰ処理を行うことにより、試料表面
の凹凸を低減し、この後形成される絶縁層や導電層の被覆性を高めることができる。

＜半導体層＞
半導体層２４２としては、単結晶半導体、多結晶半導体、微結晶半導体、非晶質半導体な
どを用いることができる。半導体材料としては、例えば、シリコンや、ゲルマニウムなど
を用いることができる。また、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素、酸
化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、有機半導体などを用いることができる
。

また、半導体層２４２として有機物半導体を用いる場合は、芳香環をもつ低分子有機材料
やπ電子共役系導電性高分子などを用いることができる。例えば、ルブレン、テトラセン
、ペンタセン、ペリレンジイミド、テトラシアノキノジメタン、ポリチオフェン、ポリア
セチレン、ポリパラフェニレンビニレンなどを用いることができる。

また、前述した通り、酸化物半導体のバンドギャップは２ｅＶ以上あるため、半導体層２
４２に酸化物半導体を用いると、オフ電流が極めて少ないトランジスタを実現することが
できる。また、ＯＳトランジスタは、ソースとドレイン間の絶縁耐圧が高い。よって、信
頼性の良好なトランジスタを提供できる。また、信頼性の良好な表示装置や半導体装置な
どを提供できる。

本実施の形態では、半導体層２４２として酸化物半導体を用いる場合について説明する。
半導体層２４２に用いる酸化物半導体は、例えば、インジウム（Ｉｎ）を含む酸化物半導
体を用いることが好ましい。酸化物半導体は、例えば、インジウムを含むと、キャリア移
動度（電子移動度）が高くなる。また、酸化物半導体は、元素Ｍを含むと好ましい。

元素Ｍは、好ましくは、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどである。
そのほかの元素Ｍに適用可能な元素として、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、
ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム
、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして、前述の元
素を複数組み合わせても構わない場合がある。元素Ｍは、例えば、酸素との結合エネルギ
ーが高い元素である。元素Ｍは、例えば、酸化物半導体のエネルギーギャップを大きくす
る機能を有する元素である。また、酸化物半導体は、亜鉛を含むと好ましい。酸化物半導
体は亜鉛を含むと結晶化しやすくなる場合がある。

ただし、半導体層２４２に用いる酸化物半導体は、インジウムを含む酸化物に限定されな
い。酸化物半導体は、例えば、亜鉛スズ酸化物、ガリウムスズ酸化物、酸化ガリウムなど
の、インジウムを含まず、亜鉛を含む酸化物、ガリウムを含む酸化物、スズを含む酸化物
などであっても構わない。

半導体層２４２に用いる酸化物半導体は、例えば、エネルギーギャップが大きい酸化物半
導体を用いる。半導体層２４２に用いる酸化物半導体のエネルギーギャップは、例えば、
２．５ｅＶ以上４．２ｅＶ以下、好ましくは２．８ｅＶ以上３．８ｅＶ以下、さらに好ま
しくは３ｅＶ以上３．５ｅＶ以下である。

酸化物半導体は、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法（ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法、熱ＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を含むがこれに限定されない）、Ｍ
ＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法またはＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ
Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて成膜すればよい。プラズマＣＶＤ法は
、比較的低温で高品質の膜が得られる。ＭＯＣＶＤ法、ＡＬＤ法、または熱ＣＶＤ法など
の、成膜時にプラズマを用いない成膜方法を用いると、被形成面にダメージが生じにくく
、また、欠陥の少ない膜が得られる。

ＣＶＤ法およびＡＬＤ法は、ターゲットなどから放出される粒子が堆積する成膜方法とは
異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがって
、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特に
、ＡＬＤ法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比の
高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ＡＬＤ法は、比較的成膜速
度が遅いため、成膜速度の速いＣＶＤ法などの他の成膜方法と組み合わせて用いることが
好ましい場合もある。

ＣＶＤ法およびＡＬＤ法は、原料ガスの流量比によって、得られる膜の組成を制御するこ
とができる。例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、原料ガスの流量比によって、任意の
組成の膜を成膜することができる。また、例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、成膜し
ながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜す
ることができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用い
て成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間の分、成膜に掛かる時間を短くす
ることができる。したがって、トランジスタや半導体装置の生産性を高めることができる
場合がある。

例えば、半導体層２４２として、熱ＣＶＤ法でＩｎＧａＺｎＯ_Ｘ（Ｘ＞０）膜を成膜する
場合には、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ_３）_３）、トリメチルガリウム（Ｇａ（Ｃ
Ｈ_３）_３）、およびジメチル亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ_３）_２）を用いる。また、これらの組み合
わせに限定されず、トリメチルガリウムに代えてトリエチルガリウム（Ｇａ（Ｃ_２Ｈ_５）
_３）を用いることもでき、ジメチル亜鉛に代えてジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２）を
用いることもできる。

例えば、半導体層２４２として、ＡＬＤ法で、ＩｎＧａＺｎＯ_Ｘ（Ｘ＞０）膜を成膜する
場合には、Ｉｎ（ＣＨ_３）_３ガスとＯ_３ガスを順次繰り返し導入してＩｎＯ_２層を形成し
、その後、Ｇａ（ＣＨ_３）_３ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入してＧａＯ層を形成し、
更にその後Ｚｎ（ＣＨ_３）_２ガスとＯ_３ガスを順次繰り返し導入してＺｎＯ層を形成する
。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを用いてＩｎＧａＯ
_２層やＩｎＺｎＯ_２層、ＧａＩｎＯ層、ＺｎＩｎＯ層、ＧａＺｎＯ層などの混合化合物層
を形成しても良い。なお、Ｏ_３ガスに変えてＡｒ等の不活性ガスで水をバブリングしたＨ
_２Ｏガスを用いても良いが、Ｈを含まないＯ_３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ（
ＣＨ_３）_３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_３ガスやトリス（アセチルアセトナト）イン
ジウムを用いても良い。なお、トリス（アセチルアセトナト）インジウムは、Ｉｎ（ａｃ
ａｃ）_３とも呼ぶ。また、Ｇａ（ＣＨ_３）_３ガスにかえて、Ｇａ（Ｃ_２Ｈ_５）_３ガスやト
リス（アセチルアセトナト）ガリウムを用いても良い。なお、トリス（アセチルアセトナ
ト）ガリウムは、Ｇａ（ａｃａｃ）_３とも呼ぶ。また、Ｚｎ（ＣＨ_３）_２ガスや、酢酸亜
鉛を用いても良い。これらのガス種には限定されない。

酸化物半導体層をスパッタリング法で成膜する場合、パーティクル数低減のため、インジ
ウムを含むターゲットを用いると好ましい。また、元素Ｍの原子数比が高い酸化物ターゲ
ットを用いた場合、ターゲットの導電性が低くなる場合がある。インジウムの原子数比が
高い酸化物ターゲットを用いる場合、ターゲットの導電率を高めることができ、ＤＣ放電
、ＡＣ放電が容易となるため、大面積の基板へ対応しやすくなる。したがって、半導体装
置の生産性を高めることができる。

また、前述した通り、酸化物半導体層をスパッタリング法で成膜する場合、ターゲットの
原子数比を、例えば、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎが３：１：１、３：１：２、３：１：４、１：１：
０．５、１：１：１、１：１：２、１：４：４、５：１：７、４：２：４．１などとすれ
ばよい。

なお、酸化物半導体層をスパッタリング法で成膜すると、ターゲットの原子数比からずれ
た原子数比の酸化物半導体層が成膜される場合がある。特に、亜鉛は、ターゲットの原子
数比よりも成膜された膜の原子数比が小さくなる場合がある。具体的には、ターゲットに
含まれている亜鉛の割合よりも、成膜された膜に含まれている亜鉛の割合の方が小さくな
る場合がある。

また、ＯＳトランジスタに安定した電気特性を付与するためには、酸化物半導体層中の不
純物及び酸素欠損を低減して高純度真性化し、半導体層２４２を真性または実質的に真性
と見なせる酸化物半導体層とすることが好ましい。また、少なくとも半導体層２４２中の
チャネル形成領域が真性または実質的に真性と見なせる酸化物半導体層とすることが好ま
しい。

また、半導体層２４２に酸化物半導体を用いる場合は、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ
Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）
を用いることが好ましい。ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部を有する酸化物
半導体の一つである。

また、半導体層２４２に用いる酸化物半導体層は、ＣＡＡＣでない領域が当該酸化物半導
体層全体の２０％未満であることが好ましい。

ＣＡＡＣ−ＯＳは誘電率異方性を有する。具体的には、ＣＡＡＣ−ＯＳはａ軸方向および
ｂ軸方向の誘電率よりも、ｃ軸方向の誘電率が大きい。チャネルが形成される半導体層に
ＣＡＡＣ−ＯＳを用いて、ゲート電極をｃ軸方向に配置したトランジスタは、ｃ軸方向の
誘電率が大きいため、ゲート電極から生じる電界がＣＡＡＣ−ＯＳ全体に届きやすい。よ
って、サブスレッショルドスイング値（Ｓ値）を小さくすることができる。また、半導体
層にＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、微細化によるＳ値の増大が生じにくい。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳはａ軸方向およびｂ軸方向の誘電率が小さいため、ソースとドレイ
ン間に生じる電界の影響が緩和される。よって、チャネル長変調効果や、短チャネル効果
、などが生じにくく、トランジスタの信頼性を高めることができる。

ここで、チャネル長変調効果とは、ドレイン電圧がしきい値電圧よりも高い場合に、ドレ
イン側から空乏層が広がり、実効上のチャネル長が短くなる現象を言う。また、短チャネ
ル効果とは、チャネル長が短くなることにより、しきい値電圧の低下などの電気特性の悪
化が生じる現象を言う。微細なトランジスタほど、これらの現象による電気特性の劣化が
生じやすい。

酸化物半導体層の形成後、酸素ドープ処理を行ってもよい。また、酸化物半導体層に含ま
れる水分または水素などの不純物をさらに低減して、酸化物半導体層を高純度化するため
に、加熱処理を行うことが好ましい。

例えば、減圧雰囲気下、窒素や希ガスなどの不活性雰囲気下、酸化性雰囲気下、又は超乾
燥エア（ＣＲＤＳ（キャビティリングダウンレーザー分光法）方式の露点計を用いて測定
した場合の水分量が２０ｐｐｍ（露点換算で−５５℃）以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、
好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）雰囲気下で、酸化物半導体層に加熱処理を施す。なお
、酸化性雰囲気とは、酸素、オゾンまたは窒化酸素などの酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含
有する雰囲気をいう。また、不活性雰囲気とは、前述の酸化性ガスが１０ｐｐｍ未満であ
り、その他、窒素または希ガスで充填された雰囲気をいう。

また、加熱処理を行うことにより、不純物の放出と同時に絶縁層２２６に含まれる酸素を
酸化物半導体層中に拡散させ、当該酸化物半導体層に含まれる酸素欠損を低減することが
できる。なお、不活性雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガス
を１０ｐｐｍ以上、１％以上または１０％以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。な
お、加熱処理は、酸化物半導体層の形成後であればいつ行ってもよい。

加熱処理に用いる加熱装置に特別な限定はなく、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導ま
たは熱輻射によって、被処理物を加熱する装置であってもよい。例えば、電気炉や、ＬＲ
ＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ
Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒ
ｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、
メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウム
ランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を
加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。

加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下で行えば
よい。処理時間は２４時間以内とする。２４時間を超える加熱処理は生産性の低下を招く
ため好ましくない。

＜電極＞
電極２４６、電極２２３、電極２４４ａ、電極２４４ｂ、電極２８７、電極２９７、電極
２８９ａ、電極２８９ｂ、電極２９２ａ、電極２９２ｂを形成するための導電性材料とし
ては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブ
デン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジル
コニウム、ベリリウムなどから選ばれた金属元素を１種以上含む材料を用いることができ
る。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が
高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。これらの材料で形成
される導電層を複数積層して用いてもよい。

また、電極２４６、電極２２３、電極２４４ａ、電極２４４ｂ、電極２８７、電極２９７
、電極２８９ａ、電極２８９ｂ、電極２９２ａ、電極２９２ｂを形成するための導電性材
料に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タング
ステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チ
タンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸
化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物などの酸素を含む導電性材料、窒化チタン
、窒化タンタルなどの窒素を含む導電性材料を適用することもできる。また、前述した金
属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造とすることもできる
。また、前述した金属元素を含む材料と、窒素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造
とすることもできる。また、前述した金属元素を含む材料、酸素を含む導電性材料、およ
び窒素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造とすることもできる。導電性材料の形成
方法は特に限定されず、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法などの各種形成方法を用い
ることができる。

＜コンタクトプラグ＞
コンタクトプラグ２８８ａ、コンタクトプラグ２８８ｂ、コンタクトプラグ２８８ｃ、コ
ンタクトプラグ２９８ａ、およびコンタクトプラグ２９８ｂとしては、例えば、タングス
テン、ポリシリコン等の埋め込み性の高い導電性材料を用いることができる。また、当該
材料の側面および底面を、チタン層、窒化チタン層またはこれらの積層からなるバリア層
（拡散防止層）で覆ってもよい。この場合、バリア層も含めてコンタクトプラグという場
合がある。

本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現することができる。また
、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導体装置を実現することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態５）
上記実施の形態に示したトランジスタを用いて、トランジスタを含む駆動回路の一部また
は全体を画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる
。上記実施の形態に示したトランジスタを用いることが可能な表示装置の構成例について
、図３５および図３６を用いて説明する。

〔液晶表示装置とＥＬ表示装置〕
表示装置の一例として、液晶素子を用いた表示装置およびＥＬ素子を用いた表示装置につ
いて説明する。図３５（Ａ）において、第１の基板４００１上に設けられた画素部４００
２を囲むようにして、シール材４００５が設けられ、第２の基板４００６によって封止さ
れている。図３５（Ａ）においては、第１の基板４００１上のシール材４００５によって
囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多結晶半
導体で形成された信号線駆動回路４００３、及び走査線駆動回路４００４が実装されてい
る。また、信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４、または画素部４００２に
与えられる各種信号および電位は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒ
ｃｕｉｔ）４０１８ａ、ＦＰＣ４０１８ｂから供給されている。

図３５（Ｂ）及び図３５（Ｃ）において、第１の基板４００１上に設けられた画素部４０
０２と、走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられてい
る。また画素部４００２と、走査線駆動回路４００４の上に第２の基板４００６が設けら
れている。よって画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１
とシール材４００５と第２の基板４００６とによって、表示素子と共に封止されている。
図３５（Ｂ）及び図３５（Ｃ）においては、第１の基板４００１上のシール材４００５に
よって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多
結晶半導体で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。図３５（Ｂ）及び図
３５（Ｃ）においては、信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４、または画素
部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。

また図３５（Ｂ）及び図３５（Ｃ）においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、
第１の基板４００１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線
駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路
の一部のみを別途形成して実装しても良い。

なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ワイヤボンデ
ィング、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ
Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）などを用いることができる。図
３５（Ａ）は、ＣＯＧにより信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４を実装す
る例であり、図３５（Ｂ）は、ＣＯＧにより信号線駆動回路４００３を実装する例であり
、図３５（Ｃ）は、ＴＣＰにより信号線駆動回路４００３を実装する例である。

また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラ
を含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールと、を含む場合がある。

また第１の基板上に設けられた画素部及び走査線駆動回路は、トランジスタを複数有して
おり、上記実施の形態で示したトランジスタを適用することができる。

図３６（Ａ）及び図３６（Ｂ）は、図３５（Ｂ）中でＮ１−Ｎ２の鎖線で示した部位の断
面構成を示す断面図である。図３６（Ａ）及び図３６（Ｂ）に示す表示装置は電極４０１
５を有しており、電極４０１５はＦＰＣ４０１８が有する端子と異方性導電層４０１９を
介して、電気的に接続されている。また、電極４０１５は、絶縁層４１１２、絶縁層４１
１１、および絶縁層４１１０に形成された開口において配線４０１４と電気的に接続され
ている。

電極４０１５は、第１の電極層４０３０と同じ導電層から形成され、配線４０１４は、ト
ランジスタ４０１０、およびトランジスタ４０１１のソース電極およびドレイン電極と同
じ導電層で形成されている。

また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と走査線駆動回路４００４は、ト
ランジスタを複数有しており、図３６（Ａ）及び図３６（Ｂ）では、画素部４００２に含
まれるトランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれるトランジスタ４０１
１とを例示している。図３６（Ａ）では、トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０
１１上に、絶縁層４１１２、絶縁層４１１１、および絶縁層４１１０が設けられ、図３６
（Ｂ）では、絶縁層４１１２の上に隔壁４５１０が形成されている。

また、トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１は、絶縁層４１０２上に設けら
れている。また、トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１は、絶縁層４１０２
上に形成された電極４０１７を有し、電極４０１７上に絶縁層４１０３が形成されている
。
電極４０１７はバックゲート電極として機能することができる。

トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１は、上記実施の形態で示したトランジ
スタを用いることができる。上記実施の形態で例示したトランジスタは、電気特性変動が
抑制されており、電気的に安定である。よって、図３６（Ａ）及び図３６（Ｂ）で示す本
実施の形態の表示装置を信頼性の高い表示装置とすることができる。

なお、図３６（Ａ）および図３６（Ｂ）では、トランジスタ４０１０およびトランジスタ
４０１１として、上記実施の形態に示したトランジスタ４５１と同様の構造を有するトラ
ンジスタを用いる場合について例示している。

また、図３６（Ａ）および図３６（Ｂ）に示す表示装置は、容量素子４０２０を有する。
容量素子４０２０は、トランジスタ４０１０のソース電極またはドレイン電極の一方の一
部と、電極４０２１が絶縁層４１０３を介して重なる領域を有する。電極４０２１は、電
極４０１７と同じ導電層で形成されている。

一般に、表示装置に設けられる容量素子の容量は、画素部に配置されるトランジスタのリ
ーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。容量素子の
容量は、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。

例えば、液晶表示装置の画素部にＯＳトランジスタを用いることにより、容量素子の容量
を、液晶容量に対して１／３以下、さらには１／５以下とすることができる。ＯＳトラン
ジスタを用いることにより、容量素子の形成を省略することもできる。

画素部４００２に設けられたトランジスタ４０１０は表示素子と電気的に接続する。図３
６（Ａ）は、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の一例である。図３６（Ａ）
において、表示素子である液晶素子４０１３は、第１の電極層４０３０、第２の電極層４
０３１、及び液晶層４００８を含む。なお、液晶層４００８を挟持するように配向膜とし
て機能する絶縁層４０３２、絶縁層４０３３が設けられている。第２の電極層４０３１は
第２の基板４００６側に設けられ、第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１は液晶
層４００８を介して重畳する。

またスペーサ４０３５は絶縁層を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサ
であり、第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１との間隔（セルギャップ）を制御
するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。

なお、トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１としてＯＳトランジスタを用い
ることが好ましい。ＯＳトランジスタは、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低く
することができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電
源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少な
くすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。

また、ＯＳトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能
である。よって、表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を
提供することができる。また、同一基板上に駆動回路部または画素部を作り分けて作製す
ることが可能となるため、表示装置の部品点数を削減することができる。

また、表示装置において、ブラックマトリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、反射
防止部材などの光学部材（光学基板）などを適宜設けてもよい。例えば、偏光基板及び位
相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトな
どを用いてもよい。

また、表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素
子（「ＥＬ素子」ともいう。）を適用することができる。ＥＬ素子は、一対の電極の間に
発光性の化合物を含む層（「ＥＬ層」ともいう。）を有する。一対の電極間に、ＥＬ素子
の閾値電圧よりも大きい電位差を生じさせると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰
極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に
含まれる発光物質が発光する。

また、ＥＬ素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別さ
れ、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。

有機ＥＬ素子は、電圧を印加することにより、一方の電極から電子、他方の電極から正孔
がそれぞれＥＬ層に注入される。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合す
ることにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る
際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素
子と呼ばれる。

なお、ＥＬ層は、発光性の化合物以外に、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質
、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ
性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）などを有していてもよい。

ＥＬ層は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法な
どの方法で形成することができる。

無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明す
る。

発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そし
て、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、当該基板とは逆側の面から発光を取り
出す上面射出（トップエミッション）構造や、基板側の面から発光を取り出す下面射出（
ボトムエミッション）構造や、両面から発光を取り出す両面射出（デュアルエミッション
）構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。

図３６（Ｂ）は、表示素子として発光素子を用いた発光表示装置（「ＥＬ表示装置」とも
いう。）の一例である。表示素子である発光素子４５１３は、画素部４００２に設けられ
たトランジスタ４０１０と電気的に接続している。なお発光素子４５１３の構成は、第１
の電極層４０３０、発光層４５１１、第２の電極層４０３１の積層構造であるが、この構
成に限定されない。発光素子４５１３から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子４
５１３の構成は適宜変えることができる。

隔壁４５１０は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂
材料を用い、第１の電極層４０３０上に開口部を形成し、その開口部の側面が連続した曲
率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。

発光層４５１１は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成され
ていてもどちらでも良い。

発光素子４５１３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極層
４０３１および隔壁４５１０上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、
窒化酸化アルミニウム、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）などを形成
することができる。また、第１の基板４００１、第２の基板４００６、及びシール材４０
０５によって封止された空間には充填材４５１４が設けられ密封されている。このように
、外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィ
ルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ま
しい。

充填材４５１４としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂また
は熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル樹脂、ポ
リイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ
（エチレンビニルアセテート）などを用いることができる。また、充填材４５１４に乾燥
剤が含まれていてもよい。

シール材４００５には、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常
温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることが
できる。また、シール材４００５に乾燥剤が含まれていてもよい。

また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、
位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

また、発光素子をマイクロキャビティ構造とすることで、色純度の高い光を取り出すこと
ができる。また、マイクロキャビティ構造とカラーフィルタを組み合わせることで、映り
込みが低減し、表示画像の視認性を高めることができる。

表示素子に電圧を印加する第１の電極層及び第２の電極層（画素電極層、共通電極層、対
向電極層などともいう）においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び
電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。

第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、インジウム錫酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いるこ
とができる。

また、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン
（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎ
ｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタ
ン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）などの金属
、またはその合金、もしくはその金属窒化物から一種以上を用いて形成することができる
。

また、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリ
マーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子として
は、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリン若
しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導
体、または、アニリン、ピロールおよびチオフェンの２種以上からなる共重合体若しくは
その誘導体などがあげられる。

また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路
を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。

上記実施の形態で示したトランジスタを用いることで、信頼性のよい表示装置を提供する
ことができる。また、上記実施の形態で示したトランジスタを用いることで、高精細化や
、大面積化が可能で、表示品質の良い表示装置を提供することができる。また、消費電力
が低減された表示装置を提供することができる。

〔表示モジュール〕
上述したトランジスタを使用した半導体装置の一例として、表示モジュールについて説明
する。図３７に示す表示モジュール６０００は、上部カバー６００１と下部カバー６００
２との間に、ＦＰＣ６００３に接続されたタッチセンサ６００４、ＦＰＣ６００５に接続
された表示パネル６００６、バックライトユニット６００７、フレーム６００９、プリン
ト基板６０１０、バッテリ６０１１を有する。なお、バックライトユニット６００７、バ
ッテリ６０１１、タッチセンサ６００４などは、設けられない場合もある。

本発明の一態様の半導体装置は、例えば、タッチセンサ６００４、表示パネル６００６、
プリント基板６０１０に実装された集積回路などに用いることができる。例えば、表示パ
ネル６００６に前述した表示装置を用いることができる。

上部カバー６００１および下部カバー６００２は、タッチセンサ６００４や表示パネル６
００６などのサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

タッチセンサ６００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサを表示パネル６
００６に重畳して用いることができる。表示パネル６００６にタッチセンサの機能を付加
することも可能である。例えば、表示パネル６００６の各画素内にタッチセンサ用電極を
設け、静電容量方式のタッチパネル機能を付加することなども可能である。または、表示
パネル６００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサの機能を付加するこ
となども可能である。

バックライトユニット６００７は、光源６００８を有する。光源６００８をバックライト
ユニット６００７の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。また、表示パネル
６００６に発光表示装置などを用いる場合は、バックライトユニット６００７を省略する
ことができる。

フレーム６００９は、表示パネル６００６の保護機能の他、プリント基板６０１０側から
発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。また、フレーム６
００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板６０１０は、電源回路、ビデオ信号およびクロック信号を出力するための信
号処理回路などを有する。電源回路に電力を供給する電源としては、バッテリ６０１１で
あってもよいし、商用電源であってもよい。なお、電源として商用電源を用いる場合には
、バッテリ６０１１を省略することができる。

また、表示モジュール６０００に、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加
して設けてもよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本明細書等に開示した半導体装置などを用いた電子機器の一例につい
て説明する。

本発明の一態様に係る半導体装置を用いた電子機器として、テレビ、モニタ等の表示装置
、照明装置、デスクトップ型或いはノート型のパーソナルコンピュータ、ワードプロセッ
サ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）などの記録媒体に記憶さ
れた静止画又は動画を再生する画像再生装置、ポータブルＣＤプレーヤ、ラジオ、テープ
レコーダ、ヘッドホンステレオ、ステレオ、置き時計、壁掛け時計、コードレス電話子機
、トランシーバ、自動車電話、携帯電話、携帯情報端末、タブレット型端末、携帯型ゲー
ム機、パチンコ機などの固定式ゲーム機、電卓、電子手帳、電子書籍、電子翻訳機、音声
入力機器、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電気シェーバ、電子レンジ等の高周波
加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、電気掃除機、温水器、扇風機、毛髪乾燥機、エアコ
ンディショナー、加湿器、除湿器などの空調設備、食器洗い器、食器乾燥器、衣類乾燥器
、布団乾燥器、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、ＤＮＡ保存用冷凍庫、懐中電
灯、チェーンソー等の工具、煙感知器、透析装置等の医療機器などが挙げられる。さらに
、誘導灯、信号機、ベルトコンベア、エレベータ、エスカレータ、産業用ロボット、電力
貯蔵システム、電力の平準化やスマートグリッドのための蓄電装置等の産業機器が挙げら
れる。また、二次電池からの電力を用いた電動機や、燃料を用いたエンジンにより推進す
る移動体なども、電子機器の範疇に含まれる場合がある。上記移動体として、例えば、電
気自動車（ＥＶ）、内燃機関と電動機を併せ持ったハイブリッド車（ＨＥＶ）、プラグイ
ンハイブリッド車（ＰＨＥＶ）、これらのタイヤ車輪を無限軌道に変えた装軌車両、電動
アシスト自転車を含む原動機付自転車、自動二輪車、電動車椅子、ゴルフ用カート、小型
又は大型船舶、潜水艦、ヘリコプター、航空機、ロケット、人工衛星、宇宙探査機や惑星
探査機、宇宙船などが挙げられる。

図３８（Ａ）に示す携帯型ゲーム機２９００は、筐体２９０１、筐体２９０２、表示部２
９０３、表示部２９０４、マイクロホン２９０５、スピーカ２９０６、操作スイッチ２９
０７等を有する。また、携帯型ゲーム機２９００は、筐体２９０１の内側にアンテナ、バ
ッテリなどを備える。なお、図３８（Ａ）に示した携帯型ゲーム機は、２つの表示部２９
０３と表示部２９０４とを有しているが、表示部の数は、これに限定されない。表示部２
９０３は、入力装置としてタッチスクリーンが設けられており、スタイラス２９０８等に
より操作可能となっている。

図３８（Ｂ）に示す情報端末２９１０は、筐体２９１１に、表示部２９１２、マイク２９
１７、スピーカ部２９１４、カメラ２９１３、外部接続部２９１６、および操作スイッチ
２９１５等を有する。表示部２９１２には、可撓性基板が用いられた表示パネルおよびタ
ッチスクリーンを備える。また、情報端末２９１０は、筐体２９１１の内側にアンテナ、
バッテリなどを備える。情報端末２９１０は、例えば、スマートフォン、携帯電話、タブ
レット型情報端末、タブレット型パーソナルコンピュータ、電子書籍端末等として用いる
ことができる。

図３８（Ｃ）に示すノート型パーソナルコンピュータ２９２０は、筐体２９２１、表示部
２９２２、キーボード２９２３、およびポインティングデバイス２９２４等を有する。ま
た、ノート型パーソナルコンピュータ２９２０は、筐体２９２１の内側にアンテナ、バッ
テリなどを備える。

図３８（Ｄ）に示すビデオカメラ２９４０は、筐体２９４１、筐体２９４２、表示部２９
４３、操作スイッチ２９４４、レンズ２９４５、および接続部２９４６等を有する。操作
スイッチ２９４４およびレンズ２９４５は筐体２９４１に設けられており、表示部２９４
３は筐体２９４２に設けられている。また、ビデオカメラ２９４０は、筐体２９４１の内
側にアンテナ、バッテリなどを備える。そして、筐体２９４１と筐体２９４２は、接続部
２９４６により接続されており、筐体２９４１と筐体２９４２の間の角度は、接続部２９
４６により変えることが可能な構造となっている。筐体２９４１に対する筐体２９４２の
角度によって、表示部２９４３に表示される画像の向きの変更や、画像の表示／非表示の
切り換えを行うことができる。

図３８（Ｅ）にバングル型の情報端末の一例を示す。情報端末２９５０は、筐体２９５１
、および表示部２９５２等を有する。また、情報端末２９５０は、筐体２９５１の内側に
アンテナ、バッテリなどを備える。表示部２９５２は、曲面を有する筐体２９５１に支持
されている。表示部２９５２には、可撓性基板を用いた表示パネルを備えているため、フ
レキシブルかつ軽くて使い勝手の良い情報端末２９５０を提供することができる。

図３８（Ｆ）に腕時計型の情報端末の一例を示す。情報端末２９６０は、筐体２９６１、
表示部２９６２、バンド２９６３、バックル２９６４、操作スイッチ２９６５、入出力端
子２９６６などを備える。また、情報端末２９６０は、筐体２９６１の内側にアンテナ、
バッテリなどを備える。情報端末２９６０は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成
、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを
実行することができる。

表示部２９６２の表示面は湾曲しており、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができ
る。また、表示部２９６２はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に触れるこ
とで操作することができる。例えば、表示部２９６２に表示されたアイコン２９６７に触
れることで、アプリケーションを起動することができる。操作スイッチ２９６５は、時刻
設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及
び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば
、情報端末２９６０に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作スイッチ２９
６５の機能を設定することもできる。

また、情報端末２９６０は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である
。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話
することもできる。また、情報端末２９６０は入出力端子２９６６を備え、他の情報端末
とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子２９６
６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子２９６６を介さずに無
線給電により行ってもよい。

図３８（Ｇ）に家庭用電気製品の一例として電気冷蔵庫を示す。電気冷蔵庫２９７０は、
筐体２９７１、冷蔵室用扉２９７２、冷凍室用扉２９７３、および表示部２９７４等を有
する。

図３８（Ｈ）は、自動車の一例を示す外観図である。自動車２９８０は、車体２９８１、
車輪２９８２、ダッシュボード２９８３、およびライト２９８４等を有する。また、自動
車２９８０は、アンテナ、バッテリなどを備える。

本実施の形態に示す電子機器には、本発明の一態様の半導体装置が搭載されている。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態７）
＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
以下では、上記実施の形態に示したトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕ
ｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）−ＯＳの構成について説明する。

本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の
酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）
、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）な
どに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸
化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合におい
ては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。

本明細書において、金属酸化物が、導電体の機能を有する領域と、誘電体の機能を有する
領域とが混合し、金属酸化物全体では半導体としての機能する場合、ＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ
Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）−ＯＳ（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ）、またはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅと定義する。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１
０ｎｍ以下、好ましくは、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在し
た材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上
の元素が偏在し、該元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、０
．５ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、または
パッチ状ともいう。

特定の元素が偏在した領域は、該元素が有する性質により、物理特性が決定する。例えば
、金属酸化物を構成する元素の中でも比較的、絶縁体となる傾向がある元素が偏在した領
域は、誘電体領域となる。一方、金属酸化物を構成する元素の中でも比較的、導体となる
傾向がある元素が偏在した領域は、導電体領域となる。また、導電体領域、および誘電体
領域がモザイク状に混合することで、材料としては、半導体として機能する。

つまり、本発明の一態様における金属酸化物は、物理特性が異なる材料が混合した、マト
リックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材
（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）の一種である。

なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムお
よび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アル
ミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄
、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム
、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、ま
たは複数種）が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇ
ａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物
（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸
化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）
とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする
。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、および
Ｚ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状とな
り、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した
構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、
またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体
である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比
が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第
２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場
合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（
１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１−ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表
される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、
ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面において
は配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇ
ａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観
察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれ
モザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶
構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。
例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含ま
ない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が
主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナ
ジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン
、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネ
シウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部
に該元素を主成分とするナノ粒子状領域が観察され、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子
状領域が観察され、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

＜ＣＡＣ−ＯＳの解析＞
続いて、各種測定方法を用い、基板上に成膜した酸化物半導体について測定を行った結果
について説明する。

〔試料の構成と作製方法〕
以下では、本発明の一態様に係る９個の試料について説明する。各試料は、それぞれ、酸
化物半導体を成膜する際の基板温度、および酸素ガス流量比を異なる条件で作製する。な
お、試料は、基板と、基板上の酸化物半導体と、を有する構造である。

各試料の作製方法について、説明する。

まず、基板として、ガラス基板を用いる。続いて、スパッタリング装置を用いて、ガラス
基板上に酸化物半導体として、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を形成する。成
膜条件は、チャンバー内の圧力を０．６Ｐａとし、ターゲットには、酸化物ターゲット（
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）を用いる。また、スパッタリング装置
内に設置された酸化物ターゲットに２５００ＷのＡＣ電力を供給する。

なお、酸化物を成膜する際の条件として、基板温度を、意図的に加熱しない温度（以下、
室温またはＲ．Ｔ．ともいう。）、１３０℃、または１７０℃とした。また、Ａｒと酸素
の混合ガスに対する酸素ガスの流量比（以下、酸素ガス流量比ともいう。）を、１０％、
３０％、または１００％とすることで、９個の試料を作製する。

〔Ｘ線回折による解析〕
本項目では、９個の試料に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏ
ｎ）測定を行った結果について説明する。なお、ＸＲＤ装置として、Ｂｒｕｋｅｒ社製Ｄ
８ ＡＤＶＡＮＣＥを用いた。また、条件は、Ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２
θスキャンにて、走査範囲を１５ｄｅｇ．乃至５０ｄｅｇ．、ステップ幅を０．０２ｄｅ
ｇ．、走査速度を３．０ｄｅｇ．／分とした。

図３９にＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法を用いてＸＲＤスペクトルを測定した結果を示す。
なお、図３９において、上段には成膜時の基板温度条件が１７０℃の試料における測定結
果、中段には成膜時の基板温度条件が１３０℃の試料における測定結果、下段には成膜時
の基板温度条件がＲ．Ｔ．の試料における測定結果を示す。また、左側の列には酸素ガス
流量比の条件が１０％の試料における測定結果、中央の列には酸素ガス流量比の条件が３
０％の試料における測定結果、右側の列には酸素ガス流量比の条件が１００％の試料にお
ける測定結果、を示す。

図３９に示すＸＲＤスペクトルは、成膜時の基板温度を高くする、または、成膜時の酸素
ガス流量比の割合を大きくすることで、２θ＝３１°付近のピーク強度が高くなる。なお
、２θ＝３１°付近のピークは、被形成面または上面に略垂直方向に対してｃ軸に配向し
た結晶性ＩＧＺＯ化合物（ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌ
ｉｎｅ）−ＩＧＺＯともいう。）であることに由来することが分かっている。

また、図３９に示すＸＲＤスペクトルは、成膜時の基板温度が低い、または、酸素ガス流
量比が小さいほど、明確なピークが現れなかった。従って、成膜時の基板温度が低い、ま
たは、酸素ガス流量比が小さい試料は、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向
は見られないことが分かる。

〔電子顕微鏡による解析〕
本項目では、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％で作製した試料を
、ＨＡＡＤＦ（Ｈｉｇｈ−Ａｎｇｌｅ Ａｎｎｕｌａｒ Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ）−ＳＴ
ＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）によって観察、および解析した結果について説明する（以下、ＨＡＡＤＦ−Ｓ
ＴＥＭによって取得した像は、ＴＥＭ像ともいう。）。

ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭによって取得した平面像（以下、平面ＴＥＭ像ともいう。）、およ
び断面像（以下、断面ＴＥＭ像ともいう。）の画像解析を行った結果について説明する。
なお、ＴＥＭ像は、球面収差補正機能を用いて観察した。なお、ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像
の撮影には、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆを用
いて、加速電圧２００ｋＶ、ビーム径約０．１ｎｍφの電子線を照射して行った。

図４０（Ａ）は、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％で作製した試
料の平面ＴＥＭ像である。図４０（Ｂ）は、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス
流量比１０％で作製した試料の断面ＴＥＭ像である。

〔電子線回折パターンの解析〕
本項目では、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％で作製した試料に
、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで、電子
線回折パターンを取得した結果について説明する。

図４０（Ａ）に示す、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％で作製し
た試料の平面ＴＥＭ像において、黒点ａ１、黒点ａ２、黒点ａ３、黒点ａ４、および黒点
ａ５で示す電子線回折パターンを観察する。なお、電子線回折パターンの観察は、電子線
を照射しながら０秒の位置から３５秒の位置まで一定の速度で移動させながら行う。黒点
ａ１の結果を図４０（Ｃ）、黒点ａ２の結果を図４０（Ｄ）、黒点ａ３の結果を図４０（
Ｅ）、黒点ａ４の結果を図４０（Ｆ）、および黒点ａ５の結果を図４０（Ｇ）に示す。

図４０（Ｃ）、図４０（Ｄ）、図４０（Ｅ）、図４０（Ｆ）、および図４０（Ｇ）より、
円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測できる。また、リング状の領域に複
数のスポットが観測できる。

また、図４０（Ｂ）に示す、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％で
作製した試料の断面ＴＥＭ像において、黒点ｂ１、黒点ｂ２、黒点ｂ３、黒点ｂ４、およ
び黒点ｂ５で示す電子線回折パターンを観察する。黒点ｂ１の結果を図４０（Ｈ）、黒点
ｂ２の結果を図４０（Ｉ）、黒点ｂ３の結果を図４０（Ｊ）、黒点ｂ４の結果を図４０（
Ｋ）、および黒点ｂ５の結果を図４０（Ｌ）に示す。

図４０（Ｈ）、図４０（Ｉ）、図４０（Ｊ）、図４０（Ｋ）、および図４０（Ｌ）より、
リング状に輝度の高い領域が観測できる。また、リング状の領域に複数のスポットが観測
できる。

ここで、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、試料面に平行
にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させると、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶の（００９
）面に起因するスポットが含まれる回折パターンが見られる。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは
、ｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることがわか
る。一方、同じ試料に対し、試料面に垂直にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させ
ると、リング状の回折パターンが確認される。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ軸およびｂ
軸は配向性を有さないことがわかる。

また、微結晶を有する酸化物半導体（ｎａｎｏ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ
ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ。以下、ｎｃ−ＯＳという。）に対し、大きいプローブ径（
例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折を行うと、ハローパターンのような回
折パターンが観測される。また、ｎｃ−ＯＳに対し、小さいプローブ径の電子線（例えば
５０ｎｍ未満）を用いるナノビーム電子線回折を行うと、輝点（スポット）が観測される
。また、ｎｃ−ＯＳに対しナノビーム電子線回折を行うと、円を描くように（リング状に
）輝度の高い領域が観測される場合がある。さらに、リング状の領域に複数の輝点が観測
される場合がある。

成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％で作製した試料の電子線回折パ
ターンは、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点を有する。従って、
成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％で作製した試料は、電子線回折
パターンが、ｎｃ−ＯＳになり、平面方向、および断面方向において、配向性は有さない
。

以上より、成膜時の基板温度が低い、または、酸素ガス流量比が小さい酸化物半導体は、
アモルファス構造の酸化物半導体膜とも、単結晶構造の酸化物半導体膜とも明確に異なる
性質を有すると推定できる。

〔元素分析〕
本項目では、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖ
ｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用い、ＥＤＸマッピングを取得し、評価
することによって、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％で作製した
試料の元素分析を行った結果について説明する。なお、ＥＤＸ測定には、元素分析装置と
して日本電子株式会社製エネルギー分散型Ｘ線分析装置ＪＥＤ−２３００Ｔを用いる。な
お、試料から放出されたＸ線の検出にはＳｉドリフト検出器を用いる。

ＥＤＸ測定では、試料の分析対象領域の各点に電子線照射を行い、これにより発生する試
料の特性Ｘ線のエネルギーと発生回数を測定し、各点に対応するＥＤＸスペクトルを得る
。本実施の形態では、各点のＥＤＸスペクトルのピークを、Ｉｎ原子のＬ殻への電子遷移
、Ｇａ原子のＫ殻への電子遷移、Ｚｎ原子のＫ殻への電子遷移及びＯ原子のＫ殻への電子
遷移に帰属させ、各点におけるそれぞれの原子の比率を算出する。これを試料の分析対象
領域について行うことにより、各原子の比率の分布が示されたＥＤＸマッピングを得るこ
とができる。

図４１には、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％で作製した試料の
断面におけるＥＤＸマッピングを示す。図４１（Ａ）は、Ｇａ原子のＥＤＸマッピング（
全原子に対するＧａ原子の比率は１．１８乃至１８．６４［ａｔｏｍｉｃ％］の範囲とす
る。）である。図４１（Ｂ）は、Ｉｎ原子のＥＤＸマッピング（全原子に対するＩｎ原子
の比率は９．２８乃至３３．７４［ａｔｏｍｉｃ％］の範囲とする。）である。図４１（
Ｃ）は、Ｚｎ原子のＥＤＸマッピング（全原子に対するＺｎ原子の比率は６．６９乃至２
４．９９［ａｔｏｍｉｃ％］の範囲とする。）である。また、図４１（Ａ）、図４１（Ｂ
）、および図４１（Ｃ）は、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％で
作製した試料の断面において、同範囲の領域を示している。なお、ＥＤＸマッピングは、
範囲における、測定元素が多いほど明るくなり、測定元素が少ないほど暗くなるように、
明暗で元素の割合を示している。また、図４１に示すＥＤＸマッピングの倍率は７２０万
倍である。

図４１（Ａ）、図４１（Ｂ）、および図４１（Ｃ）に示すＥＤＸマッピングでは、画像に
相対的な明暗の分布が見られ、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、および酸素ガス流量比１０％
で作製した試料において、各原子が分布を持って存在している様子が確認できる。ここで
、図４１（Ａ）、図４１（Ｂ）、および図４１（Ｃ）に示す実線で囲む範囲と破線で囲む
範囲に注目する。

図４１（Ａ）では、実線で囲む範囲は、相対的に暗い領域を多く含み、破線で囲む範囲は
、相対的に明るい領域を多く含む。また、図４１（Ｂ）では実線で囲む範囲は、相対的に
明るい領域を多く含み、破線で囲む範囲は、相対的に暗い領域を多く含む。

つまり、実線で囲む範囲はＩｎ原子が相対的に多い領域であり、破線で囲む範囲はＩｎ原
子が相対的に少ない領域である。ここで、図４１（Ｃ）では、実線で囲む範囲において、
右側は相対的に明るい領域であり、左側は相対的に暗い領域である。従って、実線で囲む
範囲は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１などが主成分である領域である。

また、実線で囲む範囲はＧａ原子が相対的に少ない領域であり、破線で囲む範囲はＧａ原
子が相対的に多い領域である。図４１（Ｃ）では、破線で囲む範囲において、左上の領域
は、相対的に明るい領域であり、右下側の領域は、相対的に暗い領域である。従って、破
線で囲む範囲は、ＧａＯ_Ｘ３、またはＧａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４などが主成分である領域で
ある。

また、図４１（Ａ）、図４１（Ｂ）、および図４１（Ｃ）より、Ｉｎ原子の分布は、Ｇａ
原子よりも、比較的、均一に分布しており、ＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２
Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が主成分となる領域を介して、互いに繋がって形成されているように見え
る。このように、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ク
ラウド状に広がって形成されている。

このように、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩ
ｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ
酸化物を、ＣＡＣ−ＯＳと呼称することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳにおける結晶構造は、ｎｃ構造を有する。ＣＡＣ−ＯＳが有するｎｃ
構造は、電子線回折像において、単結晶、多結晶、またはＣＡＡＣ構造を含むＩＧＺＯに
起因する輝点（スポット）以外にも、数か所以上の輝点（スポット）を有する。または、
数か所以上の輝点（スポット）に加え、リング状に輝度の高い領域が現れるとして結晶構
造が定義される。

また、図４１（Ａ）、図４１（Ｂ）、および図４１（Ｃ）より、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分
である領域、及びＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域のサイ
ズは、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下で観察される。なお、
好ましくは、ＥＤＸマッピングにおいて、各元素が主成分である領域の径は、１ｎｍ以上
２ｎｍ以下とする。

以上より、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造で
あり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３など
が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域
と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３
などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ
２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化
物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ
１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果
移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ
１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが
主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なス
イッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、
Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用するこ
とにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することが
できる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、デ
ィスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

１００ 半導体装置
１１０ ＤＡ変換部
１１１ 電流源
１１２ スイッチ
１２０ 電流電圧変換部
１２１ スイッチ
１２２ スイッチ
１２３ スイッチ
１２７ 容量素子
１３０ 増幅部
１３１ オペアンプ
１３５ 出力端子
１４１ 期間
１４２ 期間
１４３ 期間
１４４ 期間
２００ 半導体装置
２１４ 層
２１６ 絶縁層
２２３ 電極
２２５ 絶縁層
２２６ 絶縁層
２２７ 絶縁層
２２８ 絶縁層
２２９ 絶縁層
２４２ 半導体層
２４３ 電極
２４６ 電極
２５５ 不純物
２７１ 基板
２７２ 絶縁層
２７５ 絶縁層
２８１ ウェル
２８３ チャネル形成領域
２８４ ｎ型不純物領域
２８５ ｎ型不純物領域
２８６ 側壁絶縁層
２８７ 電極
２９１ トランジスタ
２９３ チャネル形成領域
２９４ ｐ型不純物領域
２９５ ｐ型不純物領域
２９６ 側壁絶縁層
２９７ 電極
２９９ 素子分離領域
３８２ Ｅｃ
３８６ Ｅｃ
３８７ Ｅｃ
３９０ トラップ準位
４１０ トランジスタ
４１１ トランジスタ
４２０ トランジスタ
４２１ トランジスタ
４２２ トランジスタ
４２５ トランジスタ
４２６ トランジスタ
４３０ トランジスタ
４３１ トランジスタ
４４０ トランジスタ
４４１ トランジスタ
４４２ トランジスタ
４４３ トランジスタ
４４４ トランジスタ
４４５ トランジスタ
４４６ トランジスタ
４４７ トランジスタ
４４８ トランジスタ
４５０ トランジスタ
４５１ トランジスタ
４５２ トランジスタ
４６１ トランジスタ
４６２ 液晶素子
４６３ 容量素子
４６４ トランジスタ
４６５ ノード
４６６ ノード
４６７ ノード
４６８ トランジスタ
４６９ 発光素子
４７１ トランジスタ
４７２ トランジスタ
５００ 表示装置
５１１ 駆動回路
５１２ シフトレジスタ
５１３ ラッチ回路
５１４ ラッチ回路
５１５ ＤＡ変換出力回路
５１６ レベルシフタ
５３１ 表示領域
５３２ 画素
５３４ 画素回路
５３５ 配線
５３６ 配線
２９００ 携帯型ゲーム機
２９０１ 筐体
２９０２ 筐体
２９０３ 表示部
２９０４ 表示部
２９０５ マイクロホン
２９０６ スピーカ
２９０７ 操作スイッチ
２９０８ スタイラス
２９１０ 情報端末
２９１１ 筐体
２９１２ 表示部
２９１３ カメラ
２９１４ スピーカ部
２９１５ 操作スイッチ
２９１６ 外部接続部
２９１７ マイク
２９２０ ノート型パーソナルコンピュータ
２９２１ 筐体
２９２２ 表示部
２９２３ キーボード
２９２４ ポインティングデバイス
２９４０ ビデオカメラ
２９４１ 筐体
２９４２ 筐体
２９４３ 表示部
２９４４ 操作スイッチ
２９４５ レンズ
２９４６ 接続部
２９５０ 情報端末
２９５１ 筐体
２９５２ 表示部
２９６０ 情報端末
２９６１ 筐体
２９６２ 表示部
２９６３ バンド
２９６４ バックル
２９６５ 操作スイッチ
２９６６ 入出力端子
２９６７ アイコン
２９７０ 電気冷蔵庫
２９７１ 筐体
２９７２ 冷蔵室用扉
２９７３ 冷凍室用扉
２９７４ 表示部
２９８０ 自動車
２９８１ 車体
２９８２ 車輪
２９８３ ダッシュボード
２９８４ ライト
４００１ 基板
４００２ 画素部
４００３ 信号線駆動回路
４００４ 走査線駆動回路
４００５ シール材
４００６ 基板
４００８ 液晶層
４０１０ トランジスタ
４０１１ トランジスタ
４０１３ 液晶素子
４０１４ 配線
４０１５ 電極
４０１７ 電極
４０１８ ＦＰＣ
４０１９ 異方性導電層
４０２０ 容量素子
４０２１ 電極
４０３０ 電極層
４０３１ 電極層
４０３２ 絶縁層
４０３３ 絶縁層
４０３５ スペーサ
４１０２ 絶縁層
４１０３ 絶縁層
４１１０ 絶縁層
４１１１ 絶縁層
４１１２ 絶縁層
４５１０ 隔壁
４５１１ 発光層
４５１３ 発光素子
４５１４ 充填材
６０００ 表示モジュール
６００１ 上部カバー
６００２ 下部カバー
６００３ ＦＰＣ
６００４ タッチセンサ
６００５ ＦＰＣ
６００６ 表示パネル
６００７ バックライトユニット
６００８ 光源
６００９ フレーム
６０１０ プリント基板
６０１１ バッテリ
１００ａ 半導体装置
１００ｂ 半導体装置
１００ｃ 半導体装置
１００ｄ 半導体装置
１００ｅ 半導体装置
１１２ｒ トランジスタ
１２０ａ 電流電圧変換部
１２０ｂ 電流電圧変換部
１２１ａ スイッチ
１２１ｂ スイッチ
１２１ｒ トランジスタ
１２２ａ スイッチ
１２２ｂ スイッチ
１２２ｒ トランジスタ
１２３ａ スイッチ
１２３ｂ スイッチ
１２３ｒ トランジスタ
１２７ａ 容量素子
１２７ｂ 容量素子
１３１ａ オペアンプ
１３１ｂ オペアンプ
１３２ａ スイッチ
１３２ｂ スイッチ
１４１ａ 期間
１４１ｂ 期間
１４２ａ 期間
１４２ｂ 期間
１４３ａ 期間
１４３ｂ 期間
１４４ａ 期間
１４４ｂ 期間
２００ａ 半導体装置
２００ｂ 半導体装置
２００ｃ 半導体装置
２４２ａ 半導体層
２４２ｂ 半導体層
２４２ｃ 半導体層
２４２ｉ 半導体層
２４２ｔ 半導体層
２４２ｕ 半導体層
２４４ａ 電極
２４４ｂ 電極
２４７ａ 開口
２４７ｂ 開口
２４７ｃ 開口
２４７ｄ 開口
２８８ａ コンタクトプラグ
２８８ｂ コンタクトプラグ
２８８ｃ コンタクトプラグ
２８９ａ 電極
２８９ｂ 電極
２８９ｃ 電極
２９２ａ 電極
２９２ｂ 電極
２９８ａ コンタクトプラグ
２９８ｂ コンタクトプラグ
３８３ａ Ｅｃ
３８３ｂ Ｅｃ
３８３ｃ Ｅｃ
４０１８ｂ ＦＰＣ
５１１ａ 駆動回路
５２１ａ 駆動回路
５２１ｂ 駆動回路

Claims (1)

1. 第１の回路と、第２の回路と、を有する半導体装置であって、
   前記第１の回路は、ｔ個の電流源Ｉ_１乃至電流源Ｉ_ｔ（ｔは２以上の自然数）と、ｔ個のスイッチＳ_１乃至スイッチＳ_ｔと、を有し、
   ｊ番目の電流源Ｉ_ｊ（ｊは１以上ｔ以下の自然数）は、ｊ番目のスイッチＳ_ｊの一方の端子と電気的に接続され、
   スイッチＳ_１乃至スイッチＳ_ｔの他方の端子は、第１のノードと電気的に接続され、
   前記第２の回路は、第３の回路と、第４の回路と、を有し、
   前記第３の回路は、第１のスイッチ乃至第３のスイッチと、第１の容量素子と、を有し、
   前記第１のスイッチは、前記第１のノードと第２のノードとの電気的な接続を制御する機能を有し、
   前記第２のスイッチは、前記第２のノードと第３のノードとの電気的な接続を制御する機能を有し、
   前記第３のスイッチの一方の端子は、前記第２のノードと第６のノードとの電気的な接続を制御する機能を有し、
   前記第１の容量素子は、前記第２のノードと前記第３のノードとの間の電圧を保持する機能を有し、
   前記第４の回路は、第４のスイッチ乃至第６のスイッチと、第２の容量素子と、を有し、
   前記第４のスイッチは、前記第１のノードと第４のノードとの電気的な接続を制御する機能を有し、
   前記第５のスイッチは、前記第４のノードと第５のノードとの電気的な接続を制御する機能を有し、
   前記第６のスイッチは、前記第４のノードと前記第６のノードとの電気的な接続を制御する機能を有し、
   前記第２の容量素子は、前記第４のノードと前記第５のノードとの間の電圧を保持する機能を有する半導体装置。