JP2020031168A

JP2020031168A - 半導体発光装置

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Publication number: JP2020031168A
Application number: JP2018156974A
Authority: JP
Inventors: 裕也長谷川; Yuya Hasegawa; 貴章正木; Takaaki Masaki
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2018-08-24
Filing date: 2018-08-24
Publication date: 2020-02-27
Anticipated expiration: 2038-08-24
Also published as: JP7219565B2

Abstract

【課題】カバーの損傷に起因した半導体発光素子からの光を直接視認することを抑制可能な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】半導体発光素子４と、基材２および当該基材２上に配置された導電部３を含み、半導体発光素子４からの光を通過させる開口部２７を有する支持体１と、ｚ方向視において開口部２７を塞ぐカバー５と、を備える半導体発光装置Ａ１であって、カバー５は、半導体発光素子４からの光を透過させる第１層５１、半導体発光素子４からの光を拡散させる第２層５２、および導電性材料からなり且つ第１層５１の変形状態に応じて導通状態が変化する第３層５３を含む。【選択図】図６

Description

本開示は、半導体発光装置に関する。

半導体発光素子を光源として備えた半導体発光装置が広く提案されている。特許文献１には、従来の半導体発光装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体発光装置は、半導体発光素子の一例である半導体レーザ素子と、半導体発光素子が搭載された基板と、半導体発光素子を囲むケースと、ケースを塞ぐ透光性を有するカバーとを備えている。

特開２０１５−１２３３７８号公報

半導体発光素子からの光は、肉眼で直接視認することは好ましくない。カバーが拡散機能を有する等の場合には、カバーの損傷等が半導体発光素子からの光を直接視認してしまうことに繋がりかねない。

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、カバーの損傷に起因した半導体発光素子からの光を直接視認することを抑制可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。

本開示によって提供される半導体発光装置は、半導体発光素子と、基材および当該基材上に配置された導電部を含み、前記半導体発光素子からの光を通過させる開口部を有する支持体と、第１方向視において前記開口部を塞ぐカバーと、を備える半導体発光装置であって、前記カバーは、前記半導体発光素子からの光を透過させる第１層、前記半導体発光素子からの光を拡散させる第２層、および導電性材料からなり且つ前記第１層の変形状態に応じて導通状態が変化する第３層を含む。

本開示によれば、カバーの損傷に起因した半導体発光素子からの光を直接視認することを抑制できる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す斜視図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す要部平面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す底面図である。図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。図２のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の半導体発光素子を示す拡大断面斜視図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の半導体発光素子を示す要部拡大断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置のカバーの一例を示す底面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置が用いられた電子機器の一例を示すシステム構成図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一工程を示す要部平面図である。図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う要部断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一工程を示す要部平面図である。図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う要部断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一工程を示す要部平面図である。図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う要部断面図である。図１７のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う要部断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置のカバーの他の例を示す断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置のカバーのさらに他の例を示す底面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例を示す平面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第２変形例を示す断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第３変形例を示す要部平面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第３変形例を示す底面図である。図２４のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図２７のＸＸＩＸーＸＸＩＸ線に沿う断面図である。図２７のＸＸＸーＸＸＸ線に沿う要部断面図である。本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一工程を示す要部断面図である。本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。図３２のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一工程を示す要部断面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す要部平面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す底面図である。図３５のＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。図３５のＸＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の基材を示す平面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の基材を示す平面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の基材を示す平面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の基材を示す平面図である。図４２のＸＬＩＩＩ−ＸＬＩＩＩ線に沿う要部断面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例を示す要部平面図である。図４４のＸＬＶ−ＸＬＶ線に沿う断面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例の基材を示す平面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の第２変形例の基材を示す平面図である。本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置を示す要部平面図である。図４８のＸＬＩＸ−ＸＬＩＸ線に沿う断面図である。図４８のＬ−Ｌ線に沿う断面図である。本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例を示す断面図である。本開示の支持部の通気部の一例を示す要部平面図である。本開示の支持部の通気部の一例を示す要部断面図である。本開示の支持部の通気部の他の例を示す要部平面図である。本開示の支持部の通気部のさらに他の例を示す要部平面図である。本開示の支持部の通気部のさらに他の例を示す要部平面図である。本開示の支持部の通気部のさらに他の例を示す要部平面図である。本開示の支持部の通気部の他の例を示す要部断面図である。本開示の支持部の通気部のさらに他の例を示す要部断面図である。本開示の支持部の通気部のさらに他の例を示す要部断面図である。本開示の支持部の通気部のさらに他の例を示す要部断面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

＜半導体発光装置第１実施形態＞
図１〜図１２は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ１は、支持体１、半導体発光素子４、受光素子８およびカバー５を備えている。

図１は、半導体発光装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、半導体発光装置Ａ１を示す平面図である。図３は、半導体発光装置Ａ１を示す要部平面図である。図４は、半導体発光装置Ａ１を示す底面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図２のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、半導体発光装置Ａ１の半導体発光素子を示す拡大断面斜視図である。図１０は、半導体発光装置Ａ１の半導体発光素子を示す要部拡大断面図である。図１１は、半導体発光装置Ａ１のカバーの一例を示す底面図である。図１２は、半導体発光装置Ａ１が用いられた電子機器の一例を示すシステム構成図である。ｚ方向は、本開示の第１方向に相当する。

半導体発光装置Ａ１の形状や大きさは特に限定されない。図示された例においては、半導体発光装置Ａ１は、直方体形状である。半導体発光装置Ａ１のｘ方向寸法は、たとえば２．８ｍｍ〜４．０ｍｍであり、ｙ方向寸法は、たとえば２．８ｍｍ〜４．０ｍｍ程度であり、ｚ方向寸法は、たとえば１．２ｍｍ〜３．０ｍｍ程度である。

支持体１の構成は特に限定されず、本実施形態においては、支持体１は、基材２および導電部３を含む。

基材２は、少なくとも表面が絶縁性である材料からなる。本実施形態においては、基材２は、第１層２１、第２層２２、第３層２３および第４層２４を含む。基材２は、第１層２１、第２層２２、第３層２３および第４層２４の材質は特に限定されず、本実施形態においては、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックスからなる。

第１層２１は、板状の部位であり、その形状は特に限定されない。図示された例においては、第１層２１は、主面２１ａ、裏面２１ｂ、第１面２１ｃ、第２面２１ｄ、第３面２１ｅおよび第４面２１ｆを有しており、ｚ方向視において、略矩形状である。

主面２１ａおよび裏面２１ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。主面２１ａは、本開示の「第１主面」に相当する。

第１面２１ｃおよび第２面２１ｄは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第１面２１ｃは、ｚ方向において主面２１ａおよび裏面２１ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２１ａおよび裏面２１ｂに繋がっている。第２面２１ｄは、ｚ方向において主面２１ａおよび裏面２１ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２１ａおよび裏面２１ｂに繋がっている。

第３面２１ｅおよび第４面２１ｆは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第３面２１ｅは、ｚ方向において主面２１ａおよび裏面２１ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２１ａおよび裏面２１ｂに繋がっている。第４面２１ｆは、ｚ方向において主面２１ａおよび裏面２１ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２１ａおよび裏面２１ｂに繋がっている。

第２層２２は、板状の部位であり、その形状は特に限定されない。図示された例においては、第２層２２は、主面２２ａ、裏面２２ｂ、第１面２２ｃ、第２面２２ｄ、第３面２２ｅ、第４面２２ｆ、第５面２２ｇ、第６面２２ｈ、第７面２２ｉおよび第８面２２ｊを有しており、ｚ方向視において、略矩形環状である。

主面２２ａおよび裏面２２ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。裏面２２ｂは、第１層２１の主面２１ａに対面しており、互いに接合されている。主面２１ａと裏面２２ｂとは、たとえば上述したセラミックス材料を積層させ、これらを焼成することによって接合される。

第１面２２ｃおよび第２面２２ｄは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第１面２２ｃは、ｚ方向において主面２２ａおよび裏面２２ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２２ａおよび裏面２２ｂに繋がっている。第２面２２ｄは、ｚ方向において主面２２ａおよび裏面２２ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２２ａおよび裏面２２ｂに繋がっている。第１面２２ｃは、第１面２１ｃと面一である。第２面２２ｄは、第２面２１ｄと面一である。

第３面２２ｅおよび第４面２２ｆは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第３面２２ｅは、ｚ方向において主面２２ａおよび裏面２２ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２２ａおよび裏面２２ｂに繋がっている。第４面２２ｆは、ｚ方向において主面２２ａおよび裏面２２ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２２ａおよび裏面２２ｂに繋がっている。第３面２２ｅは、第３面２１ｅと面一である。第４面２２ｆは、第４面２１ｆと面一である。

第５面２２ｇおよび第６面２２ｈは、ｙ方向において第１面２２ｃおよび第２面２２ｄの間に位置する。第５面２２ｇおよび第６面２２ｈは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第５面２２ｇは、第２面２２ｄと同じ側を向いている。第６面２２ｈは、第１面２２ｃと同じ側を向いている。第５面２２ｇは、ｚ方向において主面２２ａおよび裏面２２ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２２ａおよび裏面２２ｂに繋がっている。第６面２２ｈは、ｚ方向において主面２２ａおよび裏面２２ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２２ａおよび裏面２２ｂに繋がっている。

第７面２２ｉおよび第８面２２ｊは、ｘ方向において第３面２２ｅおよび第４面２２ｆの間に位置する。第７面２２ｉおよび第８面２２ｊは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第７面２２ｉは、第４面２２ｆと同じ側を向いている。第８面２２ｊは、第３面２２ｅと同じ側を向いている。第７面２２ｉは、ｚ方向において主面２２ａおよび裏面２２ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２２ａおよび裏面２２ｂに繋がっている。第８面２２ｊは、ｚ方向において主面２２ａおよび裏面２２ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２２ａおよび裏面２２ｂに繋がっている。

第３層２３は、板状の部位であり、その形状は特に限定されない。図示された例においては、第３層２３は、主面２３ａ、裏面２３ｂ、第１面２３ｃ、第２面２３ｄ、第３面２３ｅ、第４面２３ｆ、第５面２３ｇ、第６面２３ｈ、第７面２３ｉおよび第８面２３ｊを有しており、ｚ方向視において、略矩形環状である。

主面２３ａおよび裏面２３ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。裏面２３ｂは、第２層２２の主面２２ａに対面しており、互いに接合されている。主面２２ａと裏面２３ｂとは、たとえば上述したセラミックス材料を積層させ、これらを焼成することによって接合される。主面２３ａは、本開示の「第２主面」の一例に相当する。

第１面２３ｃおよび第２面２３ｄは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第１面２３ｃは、ｚ方向において主面２３ａおよび裏面２３ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２３ａおよび裏面２３ｂに繋がっている。第２面２３ｄは、ｚ方向において主面２３ａおよび裏面２３ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２３ａおよび裏面２３ｂに繋がっている。第１面２３ｃは、第１面２２ｃと面一である。第２面２３ｄは、第２面２２ｄと面一である。

第３面２３ｅおよび第４面２３ｆは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第３面２３ｅは、ｚ方向において主面２３ａおよび裏面２３ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２３ａおよび裏面２３ｂに繋がっている。第４面２３ｆは、ｚ方向において主面２３ａおよび裏面２３ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２３ａおよび裏面２３ｂに繋がっている。第３面２３ｅは、第３面２２ｅと面一である。第４面２３ｆは、第４面２２ｆと面一である。

第５面２３ｇおよび第６面２３ｈは、ｙ方向において第１面２３ｃおよび第２面２３ｄの間に位置する。第５面２３ｇおよび第６面２３ｈは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第５面２３ｇは、第２面２３ｄと同じ側を向いている。第６面２３ｈは、第１面２３ｃと同じ側を向いている。第５面２３ｇは、ｚ方向において主面２３ａおよび裏面２３ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２３ａおよび裏面２３ｂに繋がっている。第６面２３ｈは、ｚ方向において主面２３ａおよび裏面２３ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２３ａおよび裏面２３ｂに繋がっている。第５面２３ｇは、第５面２２ｇと面一である。第６面２３ｈは、第６面２２ｈと面一である。

第７面２３ｉおよび第８面２３ｊは、ｘ方向において第３面２３ｅおよび第４面２３ｆの間に位置する。第７面２３ｉおよび第８面２３ｊは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第７面２３ｉは、第４面２３ｆと同じ側を向いている。第８面２３ｊは、第３面２３ｅと同じ側を向いている。第７面２３ｉは、ｚ方向において主面２３ａおよび裏面２３ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２３ａおよび裏面２３ｂに繋がっている。第８面２３ｊは、ｚ方向において主面２３ａおよび裏面２３ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２３ａおよび裏面２３ｂに繋がっている。第７面２３ｉは、第７面２２ｉと面一である。第８面２３ｊは、第８面２２ｊと面一である。

第４層２４は、板状の部位であり、その形状は特に限定されない。図示された例においては、第４層２４は、主面２４ａ、裏面２４ｂ、第１面２４ｃ、第２面２４ｄ、第３面２４ｅ、第４面２４ｆ、第５面２４ｇ、第６面２４ｈ、第７面２４ｉおよび第８面２４ｊを有しており、ｚ方向視において、略矩形環状である。

主面２４ａおよび裏面２４ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。裏面２４ｂは、第３層２３の主面２３ａに対面しており、互いに接合されている。主面２３ａと裏面２４ｂとは、たとえば上述したセラミックス材料を積層させ、これらを焼成することによって接合される。

第１面２４ｃおよび第２面２４ｄは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第１面２４ｃは、ｚ方向において主面２４ａおよび裏面２４ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２４ａおよび裏面２４ｂに繋がっている。第２面２４ｄは、ｚ方向において主面２４ａおよび裏面２４ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２４ａおよび裏面２４ｂに繋がっている。第１面２４ｃは、第１面２３ｃと面一である。第２面２４ｄは、第２面２３ｄと面一である。

第３面２４ｅおよび第４面２４ｆは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第３面２４ｅは、ｚ方向において主面２４ａおよび裏面２４ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２４ａおよび裏面２４ｂに繋がっている。第４面２４ｆは、ｚ方向において主面２４ａおよび裏面２４ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２４ａおよび裏面２４ｂに繋がっている。第３面２４ｅは、第３面２３ｅと面一である。第４面２４ｆは、第４面２３ｆと面一である。

第５面２４ｇおよび第６面２４ｈは、ｙ方向において第１面２４ｃおよび第２面２４ｄの間に位置する。第５面２４ｇおよび第６面２４ｈは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第５面２４ｇは、第２面２４ｄと同じ側を向いている。第６面２４ｈは、第１面２４ｃと同じ側を向いている。第５面２４ｇは、ｚ方向において主面２４ａおよび裏面２４ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２４ａおよび裏面２４ｂに繋がっている。第６面２４ｈは、ｚ方向において主面２４ａおよび裏面２４ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２４ａおよび裏面２４ｂに繋がっている。また、図示された例においては、第５面２４ｇは、ｚ方向視において第１面２４ｃと第５面２３ｇとの間に位置している。第６面２４ｈは、ｚ方向視において第２面２４ｄと第６面２３ｈとの間に位置している。

第７面２４ｉおよび第８面２４ｊは、ｘ方向において第３面２４ｅおよび第４面２４ｆの間に位置する。第７面２４ｉおよび第８面２４ｊは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第７面２４ｉは、第４面２４ｆと同じ側を向いている。第８面２４ｊは、第３面２４ｅと同じ側を向いている。第７面２４ｉは、ｚ方向において主面２４ａおよび裏面２４ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２４ａおよび裏面２４ｂに繋がっている。第８面２４ｊは、ｚ方向において主面２４ａおよび裏面２４ｂの間に位置しており、図示された例においては、主面２４ａおよび裏面２４ｂに繋がっている。また、図示された例においては、第７面２４ｉは、ｚ方向視において第３面２４ｅと第７面２３ｉとの間に位置している。第８面２４ｊは、ｚ方向視において第４面２４ｆと第８面２３ｊとの間に位置している。

基材２は、収容部７を有する。本実施形態においては、収容部７は、主面２１ａ、第５面２２ｇ、第６面２２ｈ、第７面２２ｉ、第８面２２ｊ、第５面２３ｇ、第６面２３ｈ、第７面２３ｉおよび第８面２３ｊによって規定された空間である。

基材２は、開口部２７を有する。開口部２７は、収容部７が開口する部位である。図示された例においては、開口部２７は、第５面２３ｇ、第６面２３ｈ、第７面２３ｉおよび第８面２３ｊのｚ方向図中上端縁、すなわち、主面２３ａの内端縁によって構成されている。

基材２は、通気部６を有する。通気部６は、収容部７と半導体発光装置Ａ１の外部とに繋がっている。通気部６は、収容部７と半導体発光装置Ａ１の外部との間で、気体が流動することを許容する。通気部６の位置や構造は特に限定されず、図示された例においては、第８面２２ｊと第４面２２ｆとに繋がっている。通気部６は、ｘ方向において第３主面部３１ｃを挟んで半導体発光素子４とは反対側に配置されている。通気部６の具体的構造例は、後述する。

基材２は、凹部２８を有する。凹部２８は、主面２４ａおよび裏面２１ｂに繋がっており、ｚ方向に沿っている。また、凹部２８は、第１面２１ｃ、第３面２１ｅ、第１面２２ｃ、第３面２２ｅ、第１面２３ｃ、第３面２３ｅ、第１面２４ｃおよび第３面２４ｅに繋がる。

導電部３は、導電性材料からなり、たとえばＣｕ、Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｕ等が適宜選択される。また、導電部３には、Ｓｎからなる表層を設けておいてもよい。

本実施形態においては、導電部３は、主面部３１、裏面部３２および連絡部３３を含む

主面部３１は、基材２の主面２１ａ上に配置されている。図示された例においては、主面部３１は、第１主面部３１ａ、第２主面部３１ｂ、第３主面部３１ｃおよび第４主面部３１ｄを含む。

第１主面部３１ａは、ｚ方向視において、第５面２２ｇおよび第７面２２ｉに沿って設けられている。第２主面部３１ｂは、ｚ方向視において、第６面２２ｈおよび第８面２２ｊに沿って設けられている。図示された例においては、第１主面部３１ａは、第２主面部３１ｂよりも大きい。

第３主面部３１ｃは、ｚ方向視において、第５面２２ｇおよび第８面２２ｊに沿って配置されている。第３主面部３１ｃは、ｘ方向において第１主面部３１ａと第８面２２ｊとの間に位置し、ｙ方向において第２主面部３１ｂと第５面２２ｇとの間に位置する。第３主面部３１ｃは、第１主面部３１ａおよび第２主面部３１ｂよりも小さい。

第４主面部３１ｄは、ｚ方向視において、第６面２２ｈおよび第７面２２ｉに沿って配置されている。第４主面部３１ｄは、ｘ方向において第２主面部３１ｂと第７面２２ｉとの間に位置し、ｙ方向において第１主面部３１ａと第６面２２ｈとの間に位置する。第４主面部３１ｄは、第１主面部３１ａおよび第２主面部３１ｂよりも小さく、第３主面部３１ｃよりも大きい。

裏面部３２は、基材２の裏面２１ｂ上に配置されている。図示された例においては、裏面部３２は、第１裏面部３２ａ、第２裏面部３２ｂ、第３裏面部３２ｃ、第４裏面部３２ｄ、第５裏面部３２ｅ、第６裏面部３２ｆ、第７裏面部３２ｇおよび第８裏面部３２ｈを
含む。

第１裏面部３２ａは、ｚ方向視において第１面２１ｃおよび第３面２１ｅに沿って設けられており、ｚ方向視において第１主面部３１ａと重なる。第２裏面部３２ｂは、ｚ方向視において第２面２１ｄおよび第４面２１ｆに沿って設けられており、ｚ方向視において第２主面部３１ｂと重なる。

第３裏面部３２ｃは、ｚ方向視において第１面２１ｃおよび第４面２１ｆに沿って設けられており、ｚ方向視において第３主面部３１ｃと重なる。第４裏面部３２ｄは、ｚ方向視において第２面２１ｄおよび第３面２１ｅに沿って設けられており、ｚ方向視において第４主面部３１ｄと重なる。

第５裏面部３２ｅは、ｚ方向視において第１面２１ｃに沿って設けられており、ｘ方向において第１裏面部３２ａと第３裏面部３２ｃとの間に位置する。

第６裏面部３２ｆは、ｚ方向視において第２面２１ｄに沿って設けられており、ｘ方向において第２裏面部３２ｂと第４裏面部３２ｄとの間に位置する。

第７裏面部３２ｇは、ｚ方向視において第３面２１ｅに沿って設けられており、ｙ方向において第１裏面部３２ａと第４裏面部３２ｄとの間に位置する。

第８裏面部３２ｈは、ｚ方向視において第４面２１ｆに沿って設けられており、ｙ方向において第２裏面部３２ｂと第３裏面部３２ｃとの間に位置する。

連絡部３３は、ｚ方向の導通経路を構成するものである。本実施形態においては、連絡部３３は、基材２をｚ方向に貫通している。図示された例においては、連絡部３３は、第１連絡部３３ａ、第２連絡部３３ｂ、第３連絡部３３ｃ、第４連絡部３３ｄ、第５連絡部３３ｅ、第６連絡部３３ｆ、第７連絡部３３ｇおよび第８連絡部３３ｈを含む。なお、第１連絡部３３ａ、第２連絡部３３ｂ、第３連絡部３３ｃおよび第４連絡部３３ｄは、本開示の「素子連絡部」に相当する。第５連絡部３３ｅ、第６連絡部３３ｆ、第７連絡部３３ｇおよび第８連絡部３３ｈは、本開示の「カバー連絡部」に相当する。

第１連絡部３３ａは、基材２の第１層２１を主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達するように貫通している。第１連絡部３３ａは、第１主面部３１ａおよび第１裏面部３２ａに繋がっており、これらを導通させている。

第２連絡部３３ｂは、基材２の第１層２１を主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達するように貫通している。第２連絡部３３ｂは、第２主面部３１ｂおよび第２裏面部３２ｂに繋がっており、これらを導通させている。

第３連絡部３３ｃは、基材２の第１層２１を主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達するように貫通している。第３連絡部３３ｃは、第３主面部３１ｃおよび第３裏面部３２ｃに繋がっており、これらを導通させている。

第４連絡部３３ｄは、基材２の第１層２１を主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達するように貫通している。第４連絡部３３ｄは、第４主面部３１ｄおよび第４裏面部３２ｄに繋がっており、これらを導通させている。

第５連絡部３３ｅは、基材２の第１層２１、第２層２２および第３層２３を、主面２３ａおよび裏面２１ｂに到達するように貫通している。第５連絡部３３ｅは、第５裏面部３２ｅに繋がっている。

第６連絡部３３ｆは、基材２の第１層２１、第２層２２および第３層２３を、主面２３ａおよび裏面２１ｂに到達するように貫通している。第６連絡部３３ｆは、第６裏面部３２ｆに繋がっている。

第７連絡部３３ｇは、基材２の第１層２１、第２層２２および第３層２３を、主面２３ａおよび裏面２１ｂに到達するように貫通している。第７連絡部３３ｇは、第７裏面部３２ｇに繋がっている。

第８連絡部３３ｈは、基材２の第１層２１、第２層２２および第３層２３を、主面２３ａおよび裏面２１ｂに到達するように貫通している。第８連絡部３３ｈは、第８裏面部３２ｈに繋がっている。

半導体発光素子４は、半導体発光装置Ａ１における光源であり、所定の波長帯の光を発する。半導体発光素子４の具体的構成は特に限定されず、半導体レーザ素子やＬＥＤ素子等である。本実施形態においては、半導体発光素子４は、半導体レーザ素子であり、ＶＣＳＥＬ素子が採用されている。半導体発光素子４は、導電部３の第１主面部３１ａにダイボンディングされており、基材２の第１層２１の主面２１ａに支持されている。半導体発光素子４からの光は、基材２の開口部２７を通過して外部に出射される。

図３に示すように、半導体発光素子４は、平面視において第１電極４１と複数の発光領域４６０が設けられている。第１電極４１は、ｘ方向において第３主面部３１ｃ側に配置されている。複数の発光領域４６０は、半導体発光素子４の平面視において第１電極４１を除く領域に離散配置されている。

図９および図１０に示すように、本例の半導体発光素子４は、第１電極４１、第２電極４２、第２基板４５１、第４半導体層４５２、活性層４５３、第５半導体層４５４、電流狭窄層４５５、絶縁層４５６および導電層４５７を備え、複数の発光領域４６０が形成されている。なお、同図に示す構成例は、半導体発光素子４としてのＶＣＳＥＬ素子の一例であり、本構成に限定されるものではない。図１０は、１つの発光領域４６０を含む部分を拡大して示している。

第２基板４５１は、は半導体よりなる。第２基板４５１を構成する半導体は、たとえば、ＧａＡｓである。第２基板４５１を構成する半導体は、ＧａＡｓ以外であってもよい。

活性層４５３は、自然放出および誘導放出によって、たとえば、９８０ｎｍ帯（以下、「λａ」とする）の波長の光を放出する化合物半導体により構成されている。活性層４５３は、第４半導体層４５２と第５半導体層４５４との間に位置している。本実施形態においては、アンドープのＧａＡｓ井戸層とアンドープのＡｌＧａＡｓ障壁層（バリア層）とを交互に積層した多重量子井戸構造により構成されている。たとえば、アンドープＡｌ_0.35Ｇａ_0.65Ａｓ障壁層とアンドープＧａＡｓ井戸層とが交互に繰り返し２〜６周期形成されている。

第４半導体層４５２は、典型的にはＤＢＲ（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ）層であり、第２基板４５１に形成されている。第４半導体層４５２は第１導電型を有する半導体よりなる。本例では第１導電型はｎ型である。第４半導体層４５２は、活性層４５３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、活性層４５３は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。より具体的には、第４半導体層４５２は、たとえば６００Åの厚さを有する相対的にＡｌ組成が低いｎ型Ａｌ_0.16Ｇａ_0.84Ａｓ層（低Ａｌ組成層）と、たとえば７００Åの厚さを有する相対的にＡｌ組成が高いｎ型Ａｌ_0.92Ｇａ_0.16Ａｓ層（高Ａｌ組成層）とを交互に複数周期（たとえば、２０周期）繰り返し積層して構成されている。ｎ型Ａｌ_0.16Ｇａ_0.84Ａｓ層およびｎ型Ａｌ_0.92Ｇａ_0.16Ａｓ層には、それぞれ、たとえば２×１０¹⁷ｃｍ^-3〜３×１０¹⁸ｃｍ^-3および２×１０¹⁷ｃｍ^-3〜３×１０¹⁸ｃｍ^-3の濃度で、ｎ型不純物（たとえば、Ｓｉ）がドープされている。

第５半導体層４５４は、典型的にはＤＢＲ層であり、第２導電型を有する半導体よりなる。本例では第２導電型はｐ型である。本実施形態とは異なり、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型であってもよい。第５半導体層４５４および第２基板４５１の間に、第４半導体層４５２が位置している。第５半導体層４５４は、活性層４５３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、第５半導体層４５４は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。第５半導体層４５４は、たとえば、相対的にＡｌ組成が低いｐ型Ａｌ_0.16Ｇａ_0.84Ａｓ層（低Ａｌ組成層）と、相対的にＡｌ組成が高いｐ型Ａｌ_0.92Ｇａ_0.16Ａｓ層（高Ａｌ組成層）とが交互に複数周期（たとえば、２０周期）繰り返し積層して構成されている。

電流狭窄層４５５は、第５半導体層４５４内に位置している。電流狭窄層４５５はたとえばＡｌを多く含み、酸化しやすい層からなる。電流狭窄層４５５は、この酸化しやすい層を酸化することにより形成される。電流狭窄層４５５は、酸化によって形成される必要は必ずしもなく、その他の方法（たとえばイオン注入）によって形成されてもよい。電流狭窄層４５５には開口４５５１が形成されている。開口４５５１を電流が流れる。

絶縁層４５６は第５半導体層４５４に形成されている。絶縁層４５６は、たとえば、ＳｉＯ₂よりなる。絶縁層４５６には、開口４５６１が形成されている。

導電層４５７は、絶縁層４５６に形成されている。導電層４５７は導電材料（たとえば金属）よりなる。導電層４５７は、絶縁層４５６の開口４５６１を通じて第５導電層
３５４に導通している。導電層４５７は、開口４５７１を有する。

発光領域４６０は、活性層４５３からの光が直接または反射の後に出射される領域である。本例においては、発光領域４６０は、平面視円環形状であるが、その形状は特に限定されない。発光領域４６０は、上述した第５半導体層４５４、電流狭窄層４５５、絶縁層４５６および導電層４５７が積層され、電流狭窄層４５５の開口４５５１、絶縁層４５６の開口４５６１および導電層４５７の開口４５７１等が形成されることにより設けられている。発光領域４６０においては、活性層４５３からの光が、導電層４５７の開口４５７１を通じて出射される。

第１電極４１は、たとえば金属からなり、第５半導体層４５４に導通している。第２電極４２は、第２基板４５１の裏面に形成されており、たとえば金属からなる。第２電極４２は、たとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等の導電性接合材４８によって第１主面部３１ａにダイボンディングされている。これにより、第２電極４２は、導電部３の第１主面部３１ａと導通している。

本実施形態においては、第１電極４１は、ワイヤ４９によって第３主面部３１ｃに接続されている。ワイヤ４９は、たとえばＡｕ等の金属からなり、第１電極４１と第３主面部３１ｃとにそれぞれボンディングされている。ワイヤ４９の本数は特に限定されず、図示された例においては、複数のワイヤ４９（４本のワイヤ４９）が設けられている。また、図示された例においては、ワイヤ４９のファーストボンディング部が第１電極４１に設けられており、セカンドボンディング部が第３主面部３１ｃに設けられている。

受光素子８は、半導体発光素子４から発せられる光を受光することによって起電力を生じる光電変換機能を有する素子である。受光素子８は、たとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等によって第２主面部３１ｂにダイボンディングされている。また、受光素子８は、ワイヤ８９によって第４主面部３１ｄに接続されている。ワイヤ８９は、たとえばＡｕ等の金属からなり、受光素子８と第４主面部３１ｄとにそれぞれボンディングされている。

カバー５は、基材２の開口部２７をｚ方向視において塞ぐものである。カバー５は、半導体発光素子４からの光を透過させる。本実施形態においては、カバー５は、第１層５１、第２層５２および第３層５３を含む。

第１層５１は、ガラス等の半導体発光素子４からの光を透過させる材料からなる。本実施形態においては、第１層５１は、透明なガラスからなる。図示された例においては、第１層５１は、主面５１ａ、裏面５１ｂ、第１面５１ｃ、第２面５１ｄ、第３面５１ｅおよび第４面５１ｆを有しており、ｚ方向視において矩形状である。主面５１ａは、本開示の「カバー主面」に相当し、裏面５１ｂは、本開示の「カバー裏面」に相当する。主面５１ａは、主面２１ａおよび主面２４ａと同じ側を向く。裏面５１ｂは、主面２３ａの一部と対向している。主面５１ａは、ｚ方向において主面２４ａと略同じ高さにある。

第１面５１ｃおよび第２面５１ｄは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第１面５１ｃは、第５面２４ｇと対向している。第２面５１ｄは、第６面２４ｈと対向している。

第３面５１ｅおよび第４面５１ｆは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第３面５１ｅは、第７面２４ｉと対向している。第４面５１ｆは、第８面２４ｊと対向している。このように、本実施形態の第１層５１（カバー５）は、ｚ方向と直角であるｘ方向およびｙ方向において基材２によって囲まれている。基材２の第５面２４ｇ、第６面２４ｈ、第７面２４ｉおよび２４jは、本開示の「内側面」に相当する。

第２層５２は、第１層５１上に配置されており、半導体発光素子４からの光を拡散させつつ透過させる層である。第２層５２としては、拡散機能を実現する光学処理が施された樹脂層が挙げられる。なお、第２層５２は、第１層５１の表層に表面処理が施された層であってもよい。図示された例においては、第２層５２は、主面５１ａ上に配置されている。

第３層５３は、導電性材料からなり、第１層５１の変形状態に応じて導通状態が変化する層である。第１層５１の変形状態とは、弾性変形に限定されず、第１層５１の表面に傷等が生じた状態や、第１層５１が割れた状態を含む概念である。第３層５３の材質は特に限定されず、本実施形態においては、ＩＴＯが用いられている。このため、第３層５３は、半導体発光素子４からの光を透過させる。第３層５３の形状や大きさは特に限定されず、図示された例においては、図１１に示すように、第１層５１の裏面５１ｂの全面に第３層５３が設けられている。この場合、ｚ方向視において、第３層５３は、半導体発光素子４および受光素子８それぞれの全体と重なっている。なお、第３層５３は、透明な導電性材料からなることが好ましいが、不透明な導電性材料からなるものであってもよい。この場合、第３層５３は、第１層５１の表面にたとえば細線形状で設けられることが光量確保の観点から好ましい。

本実施形態においては、カバー５の第３層５３は、導電性接合材５８を介して導電部３に導通している。導電性接合材５８は、導電性を有するものであり、たとえば導電性粒子や導電性フィラーを含む樹脂材料、または異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）等である。図示された異例においては、カバー５と主面２３ａとが重なる領域のほぼ全域に、導電性接合材５８が設けられている。これにより、カバー５と主面２３ａとの間は、略密されている。図示された例においては、第２層５２は、第５連絡部３３ｅ、第６連絡部３３ｆ、第７連絡部３３ｇおよび第８連絡部３３ｈに複数の導電性接合材５８を介して導通接合されている。

図１２は、半導体発光装置Ａ１が用いられた電子機器の一例を示すシステム構成図である。同図に示された電子機器Ｃ１は、半導体発光装置Ａ１およびコントローラＣｔを有する。半導体発光装置Ａ１およびコントローラＣｔは、たとえば図示しない回路基板に搭載されている。半導体発光装置Ａ１では、第３裏面部３２ｃが半導体発光素子４のアノード電極に導通しており、第１裏面部３２ａが半導体発光素子４のカソード電極に導通している。また、第４裏面部３２ｄが受光素子８のアノード電極に導通しており、第２裏面部３２ｂが受光素子８のカソード電極に導通している。第７裏面部３２ｇおよび第８裏面部３２ｈは、第３層５３のｘ方向両端部分に導通しており、第５裏面部３２ｅおよび第６裏面部３２ｆは、第３層５３のｙ方向両端部分に導通している。

第１裏面部３２ａ、第２裏面部３２ｂ、第３裏面部３２ｃ、第４裏面部３２ｄ、第５裏面部３２ｅ、第６裏面部３２ｆ、第７裏面部３２ｇおよび第８裏面部３２ｈは、配線を介してコントローラＣｔに接続されている。コントローラＣｔは、半導体発光素子４の発光制御や受光素子８による受光状態の検知制御、および第３層５３の導通状態の検知制御を行う。

次に、半導体発光装置Ａ１の製造方法の一例について、図１３〜図１９を参照しつつ、以下に説明する。

まず、図１３および図１４に示すように、支持体１０を用意する。支持体１０は、基材２０および導電部３０を含んでおり、複数の支持体１を形成可能な中間材料である。なお、１つの支持体１を用いて、以降の製造方法と類似の方法によって半導体発光装置Ａ１を製造してもよい。

基材２０は、基材２を形成するためのものであり、第１層２１０、第２層２２０、第３層２３０および第４層２４０を含む。第１層２１０、第２層２２０、第３層２３０および第４層２４０は、第１層２１、第２層２２、第３層２３および第４層２４と同様の材料からなる。第１層２１０、第２層２２０、第３層２３０および第４層２４０には、複数の収容部７を構成するための各面等が形成されている。また、基材２０には、複数の貫通孔２８０が形成されている。貫通孔２８０は、ｚ方向視において円形状の貫通孔である。

次いで、図１５および図１６に示すように、半導体発光素子４および受光素子８を搭載する。半導体発光素子４を、第１主面部３１ａ上に配置し、たとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等によって第１主面部３１ａに接合する。また、受光素子８を、第２主面部３１ｂ上に配置し、たとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等によって第２主面部３１ｂに接合する。次に、半導体発光素子４の第１電極４１と第３主面部３１ｃとに、複数のワイヤ４９をボンディングする。また、受光素子８と第４主面部３１ｄとに、ワイヤ８９をボンディングする。

次いで、図１７〜図１９に示すように、カバー５を支持体１０に取り付ける。カバー５の取付は、たとえば導電性接合材５８を用いて行う。具体的には、カバー５の第３層５３のうちｚ方向視において、第５連絡部３３ｅ、第６連絡部３３ｆ、第７連絡部３３ｇおよび第８連絡部３３ｈと重なる部分と第５連絡部３３ｅ、第６連絡部３３ｆ、第７連絡部３３ｇおよび第８連絡部３３ｈとを、導電性接合材５８によってそれぞれ導通接合する。

次いで、図中の分割線ＤＬに沿って、支持体１０を分割する。この分割は、支持体１０に予め設けられた溝等に沿って支持体１０の基材２０を割る手法であってもよいし、ブレード等を用いて切断する手法であってもよい。この分割により、複数の半導体発光装置Ａ１が得られる。なお、貫通孔２８０は、分割により基材２の凹部２８となる。

次に、半導体発光装置Ａ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、カバー５の第１層５１に亀裂等の損傷が生じると、第３層５３に亀裂を生じうる。これにより、第３層５３の導通状態が変化する。この変化を、たとえばコントローラＣｔによって検知することにより、カバー５になんらかの不具合が生じたと判断することが可能であり、たとえば半導体発光素子４の発光を停止することができる。カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。

図２に示すように、カバー５の第３層５３は、ｘ方向に離間する第７連絡部３３ｇおよび第８連絡部３３ｈに導通し、また、ｙ方向に離間する第５連絡部３３ｅおよび第６連絡部３３ｆに導通する。このため、第３層５３（第１層５１）にｘ方向に沿った亀裂等が生じると、ｙ方向に離間する第５連絡部３３ｅおよび第６連絡部３３ｆ間における第３層５３の導通状態が変化する。また、第３層５３（第１層５１）にｙ方向に沿った亀裂等が生じると、ｘ方向に離間する第７連絡部３３ｇおよび第８連絡部３３ｈ間における第３層５３の導通状態が変化する。これにより、複数の方向に沿った亀裂等が第１層５１に生じたことを検知することができる。

カバー連結部としての第５連絡部３３ｅ、第６連絡部３３ｆ、第７連絡部３３ｇ、第８連絡部３３ｈと、裏面５１ｂとは、互いに対向している。この裏面５１ｂ上に第３層５３を配置することにより、導電性接合材５８によって、第５連絡部３３ｅ、第６連絡部３３ｆ、第７連絡部３３ｇ、第８連絡部３３ｈと第３層５３とを確実に導通させることができる。

収容部７は、通気部６を介して外部に通じている。半導体発光装置Ａ１がたとえば回路基板に実装される際に、リフロー炉等において加熱されると、収容部７内の気体が膨張する。この膨張した気体を、通気部６を通じて外部へと導くことが可能である。これにより、収容部７の内圧が不当に高くなることを回避し、たとえばカバー５が支持体１から外れてしまうことを抑制することが可能である。したがって、半導体発光装置Ａ１の信頼性を高めることができる。

図２０〜図６１、本開示の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

＜カバー５第１変形例＞
図２０は、カバー５の第１変形例を示している。本変形例のカバー５は、第１層５１Ａ、第１層５１Ｂ、第２層５２および第３層５３を含む。第１層５１Ａおよび第１層５１Ｂは、上述した例の第１層５１と同様の材質からなる。第２層５２は、第１層５１Ａおよび第１層５１Ｂの間に介在している。

このような変形例によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、本変形例から理解されるように、第２層５２は、半導体発光素子４からの光を拡散させつつ透過させる構成であれば、その具体的構成は何ら限定されない。

＜カバー５第２変形例＞
図２１は、カバー５の第２変形例を示している。本変形例のカバー５は、第３層５３がｚ方向視においてパターン形成されている。具体的には、第３層５３は、複数の第１部５３１と複数の第２部５３２とを有する。第１部５３１と第２部５３２とは、互いに異なる方向に沿って延びている。図示された例においては、第１部５３１は、ｘ方向に沿って延びており、第２部５３２は、ｙ方向に沿って延びている。第１部５３１と第２部５３２とは、端部同士が繋がっている。複数の第１部５３１と複数の第２部５３２とが交互に繋がっていることにより、第３層５３は、第１渦状部５３ａ、第２渦状部５３ｂおよび折り返し部５３ｃを有しており、ｚ方向視において一繋がりの屈曲線状となっている。第１渦状部５３ａおよび第２渦状部５３ｂは、外方から内方に向けて渦状をなす形状であり、互いに略平行に配置されている。折り返し部５３ｃは、第１渦状部５２ａおよび第２渦状部５３ｂの内方の端部同士を接続している。本例においては、たとえば第３層５３のｙ方向両端部が、上述した第５連絡部３３ｅおよび第６連絡部３３ｆに導通する。

このような変形例によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、本変形例によれば、第１層５１のいずれかの箇所に、ｘ方向に沿った亀裂が生じると、ｙ方向に沿って延びる複数の第２部５３２のいずれかが断線する。また、第１層５１のいずれかの箇所にｙ方向に沿った亀裂が生じると、ｘ方向に沿って延びる複数の第１部５３１のいずれかが断線する。このため、本変形例によれば、第３層５３が、第５連絡部３３ｅおよび第６連絡部３３ｆを繋ぐ１つのみの導通経路を構成しているものの、第１層５１のいずれかの箇所に不特定の方向に沿った亀裂が生じたこと等を検知することができる。

＜半導体発光装置第１実施形態第１変形例＞
図２２は、半導体発光装置Ａ１の第１変形例を示している。本変形例の半導体発光装置Ａ１１は、カバー５の第３層５３が設けられている領域が、上述した例と異なる。本変形例の第３層５３は、カバー５の第１層５１の周端部付近に設けられており、ｚ方向視において矩形環状とされている。また、第３層５３は、ｚ方向視において半導体発光素子４および受光素子８を囲んでおり、半導体発光素子４および受光素子８とは重なっていない。さらに、図示された例においては、第３層５３は、ｚ方向視において第３層２３の主面２３ａに内包されている。

本変形例によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、第３層５３が、半導体発光素子４および受光素子８と重ならないことにより、半導体発光素子４からの光や受光素子８に向かってくる光が第３層５３によって減衰されることを抑制することができる。

＜半導体発光装置第１実施形態第２変形例＞
図２３は、半導体発光装置Ａ１の第２変形例を示している。本変形例の半導体発光装置Ａ１２は、ワイヤ４９のファーストボンディング部が第３主面部３１ｃに設けられており、セカンドボンディング部が半導体発光素子４の第１電極４１に設けられている。なお、ワイヤ４９のセカンドボンディング部と第１電極４１との間には、溶融したワイヤボールを付着させたいわゆるバンプ部を設けておくことが好ましい。

本変形例によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、ワイヤ４９のｚ方向寸法を縮小することが可能であり、半導体発光装置Ａ１２の小型化に有利である。

＜半導体発光装置第１実施形態第３変形例＞
図２４〜図２６は、半導体発光装置Ａ１の第３変形例を示している。本変形例の半導体発光装置Ａ１３は、主に導電部３の構成が上述した実施形態と異なる。

図２４は、半導体発光装置Ａ１３を示す要部平面図である。図２５は、半導体発光装置Ａ１１を示す底面図である。図２６は、図２４のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。

本変形例の主面部３１は、第１主面部３１ａ、第２主面部３１ｂおよび第３主面部３１ｃを含む。第１主面部３１ａは、第８面２２ｊの略全長に沿って形成されている。

本変形例の連絡部３３は、第１連絡部３３ａおよび第４連絡部３３ｄが、ｚ方向視において第１主面部３１ａと重なっており、第１主面部３１ａに繋がっている。また、第２主面部３１ｂおよび第３主面部３１ｃと第２連絡部３３ｂおよび第３連絡部３３ｃとが、ｚ方向視において第２層２２、第３層２３および第４層２４と重なっている。

本変形例の裏面部３２は、第９裏面部３２ｉを含む。第９裏面部３２ｉは、ｚ方向視において、第１裏面部３２ａ、第２裏面部３２ｂ、第３裏面部３２ｃ、第４裏面部３２ｄ、第５裏面部３２ｅ、第６裏面部３２ｆ、第７裏面部３２ｇおよび第８裏面部３２ｈに囲まれている。第９裏面部３２ｉは、第１連絡部３３ａおよび第４連絡部３３ｄと繋がっている。

受光素子８は、ワイヤ８９によって、第１主面部３１ａと接続されている。

本変形例によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、本変形例においては、半導体発光素子４が搭載された第１主面部３１ａが、第１連絡部３３ａおよび第４連絡部３３ｄを介して第９連絡部３３ｉに繋がっている。これにより、半導体発光素子４からの熱をより効率よく放熱することができる。

＜半導体発光装置第２実施形態＞
図２７〜図３１は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ２は、主に、連絡部３３の構成と、連絡部３３およびカバー５の導通形態が、上述した実施形態と異なっている。

図２７は、半導体発光装置Ａ２を示す平面図である。図２８は、図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図２９は、図２７のＸＸＩＸーＸＸＩＸ線に沿う断面図である。図３０は、図２７のＸＸＸーＸＸＸ線に沿う要部断面図である。図３１は、半導体発光装置Ａ２の製造方法の一工程を示す要部断面図である。

本実施形態においては、基材２は、凹部２６ｉ〜２６ｌを有する。凹部２６ｉ〜２６ｌは、ｚ方向視において基材２の内方に凹んでいる。凹部２６ｉ〜２６ｌは、ｚ方向に沿って延びており、主面２４ａと裏面２１ｂとに到達している。凹部２６ｉと凹部２６ｊとは、収容部７を挟んでｙ方向両側に分かれて配置されている。凹部２６ｋと２６ｌとは、収容部７を挟んで、ｘ方向両側に分かれて配置されている。このような基材２は、たとえばガラスエポキシ樹脂によって形成されていてもよい。本実施形態の主面２４ａは、本開示の「第２主面」の一例に相当する。

本実施形態の導電部３は、パッド部３１ｉ，３１ｊ，３１ｋ，３１ｌを有する。パッド部３１ｉ，３１ｊ，３１ｋ，３１ｌは、第４層２４の主面２４ａに形成されている。パッド部３１ｉは、第１面２４ｃおよび凹部２６ｉに沿って形成されており、ｚ方向視において略半円環状である。パッド部３１ｊは、第２面２４ｄおよび凹部２６ｊに沿って形成されており、ｚ方向視において略半円環状である。パッド部３１ｋは、第３面２４ｅおよび凹部２６ｋに沿って形成されており、ｚ方向視において略半円環状である。パッド部３１ｌは、第４面２４ｆおよび凹部２６ｌに沿って形成されており、ｚ方向視において略半円環状である。図３０に示すように、パッド部３１ｋは、突起３１１ｋを有する。突起３１１ｋは、パッド部３１ｋのｘ方向図中左方端部が、第３面２４ｅに沿ってｚ方向図中上方に突出した部位である。パッド部３１ｉ，３１ｊ，３１ｌも同様である。

本実施形態の連絡部３３は、第１連絡部３３ａ、第２連絡部３３ｂ、第３連絡部３３ｃおよび第４連絡部３３ｄと、第９連絡部３３ｉ、第１０連絡部３３ｊ、第１１連絡部３３ｋおよび第１２連絡部３３ｌとを含む。第９連絡部３３ｉ、第１０連絡部３３ｊ、第１１連絡部３３ｋおよび第１２連絡部３３ｌは、本開示の「カバー連絡部」に相当する。

第９連絡部３３ｉは、図２９に示すように、凹部２６ｉ上に配置されている。第９連絡部３３ｉは、主面２３ａに到達している。また、第９連絡部３３ｉは、上述したパッド部３１ｉおよび第５裏面部３２ｅに繋がっている。なお、凹部２８には、導電部３は設けられていない。

第１０連絡部３３ｊは、凹部２６ｊ上に配置されている。第１０連絡部３３ｊは、主面２３ａに到達している。また、第１０連絡部３３ｊは、上述したパッド部３１ｊおよび第６裏面部３２ｆに繋がっている。

第１１連絡部３３ｋは、凹部２６ｋ上に配置されている。第１１連絡部３３ｋは、主面２３ａに到達している。また、第１１連絡部３３ｋは、上述したパッド部３１ｋおよび第７裏面部３２ｇに繋がっている。

第１２連絡部３３ｌは、凹部２６ｌ上に配置されている。第１２連絡部３３ｌは、主面２３ａに到達している。また、第１２連絡部３３ｌは、上述したパッド部３１ｌおよび第８裏面部３２ｈに繋がっている。

本実施形態のカバー５は、主面５１ａ上に第３層５３が配置されており、裏面５１ｂ上に第２層５２が配置されている。第３層５３のｙ方向両端部分が、導電性接合材５９によってパッド部３１ｉおよびパッド部３１ｊにそれぞれ導通接合されている。また、第３層５３のｘ方向両端部分が、導電性接合材５９によってパッド部３１ｋおよびパッド部３１ｌにそれぞれ導通接合されている。

図３１は、半導体発光装置Ａ２の製造方法の一例を示している。本例においては、支持体１０の基材２０に、貫通孔２６０ｋ、貫通孔２６０ｌが形成されている。貫通孔２６０ｋの内面には、第１１連絡部３３０ｋが形成されている。貫通孔２６０ｌの内面には、第１２連絡部３３０ｌが形成されている。主面２４ａには、貫通孔２６０ｋを囲む環状部３１０ｋと、貫通孔２６０ｌを囲む環状部３１０ｌとが形成されている。図示された分割線ＤＬにおいて支持体１０を分割すると、貫通孔２６０ｋおよび第１１連絡部３３０ｋが、凹部２６ｋおよび第１１連絡部３３ｋとなり、貫通孔２６０ｌおよび第１２連絡部３３０ｌが、凹部２６ｌおよび第１２連絡部３３ｌとなる。また、環状部３１０ｋがパッド部３１ｋとなり、環状部３１０ｌがパッド部３１ｌとなる。この製造手法は、凹部２６ｉ，２６ｊ、第９連絡部３３ｉ、第１０連絡部３３ｊ、パッド部３１ｉおよびパッド部３１ｊも同様である。また、分割線ＤＬに沿って、図中下方から右方へと切断することにより、上述した突起３１１ｋが形成される。

また、環状部３１０ｋとカバー５の第３層５３とに跨るように導電性接合材５９を設けておく。また、環状部３１０ｌと第３層５３とに跨るように導電性接合材５９を設けておく。なお、カバー５は、たとえば樹脂等からなる接合材５７を用いて主面２３ａに接合してもよい。

本実施形態によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、本実施形態から理解されるように、第３層５３は、カバー５の主面５１ａに設けられていてもよい。この場合、第２層５２が裏面５１ｂに設けられており、第２層５２は、外部に露出しない。これは、第２層５２の損傷等を抑制するのに適しており、拡散機能をより長期間発揮させることができる。

図３２〜図３４は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ３は、支持体１とカバー５との構成が、上述した実施形態と異なっている。

図３２は、半導体発光装置Ａ３を示す平面図である。図３３は、図３２のＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。図３４は、半導体発光装置Ａ３の製造方法の一工程を示す要部断面図である。

本実施形態の基材２は、第１層２１、第２層２２および第３層２３を含む。第３層２３の主面２３ａは、基材２の他の部分によっては覆われていない。本実施形態の主面２３ａは、本開示の「第２主面」の一例に相当する。

カバー５の第１層５１の裏面５１ｂは、主面２３ａの略すべてと対面している。また、基材２の第１面２３ｃ、第２面２３ｄ、第３面２３ｅおよび第４面２３ｆは、ｚ方向視においてカバー５の外縁と一致する。このような第１面２３ｃ、第２面２３ｄ、第３面２３ｅおよび第４面２３ｆは、本開示の「外側面」に相当する。

本実施形態においては、第３層５３は、裏面５１ｂ上に配置されている。第３層５３は、複数の導電性接合材５８を介して、第５連絡部３３ｅ、第６連絡部３３ｆ、第７連絡部３３ｇおよび第８連絡部３３ｈと導通している。

図３４に示すように半導体発光装置Ａ３の製造方法の一例においては、第１層２１０、第２層２２０および第３層２３０からなる基材２０を有する支持体１０が用いられる。第３層２３０の主面２３ａには、カバー材料５０が取り付けられている。カバー材料５０は、複数のカバー５を形成可能な中間材料であり、第１層５１０、第２層５２０および第３層５３０からなる。第１層５１０、第２層５２０および第３層５３０は、分割線ＤＬに沿って分割されることにより、第１層５１０が第１層５１となり、第２層５２０が第２層５２となり、第３層５３０が第３層５３となる。

本実施形態によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、本実施形態から理解されるように、カバー５は、基材２の一部に囲まれたものに限定されない。本実施形態の基材２は、カバー５を囲む部分を有さないため、小型化を図るのに有利である。

＜第４実施形態＞
図３５〜図４２は、本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ４は、主に支持体１の構成が、上述した実施形態と異なっている。

図３５は、半導体発光装置Ａ４を示す要部平面図である。図３６は、半導体発光装置Ａ４を示す底面図である。図３７は、図３５のＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。図３８は、図３５のＸＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図３９は、半導体発光装置Ａ４の基材を示す平面図である。図４０は、半導体発光装置Ａ４の基材を示す平面図である。図４１は、半導体発光装置Ａ４の基材を示す平面図である。図４２は、半導体発光装置Ａ４の基材を示す平面図である。図４３は、図４２のＸＬＩＩＩ−ＸＬＩＩＩ線に沿う要部断面図である。

図３７に示すように、支持体１の基材２は、第１層２１、第２層２２、第３層２３および第４層２４を含む。

図４２に示すように、本実施形態の第１層２１は、凹部２１６ａ、凹部２１６ｂ、凹部２１６ｃおよび凹部２１６ｄを有する。凹部２１６ａは、第１面２１ｃと第３面２１ｅとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２１６ｂは、第２面２１ｄと第４面２１ｆとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２１６ｃは、第１面２１ｃと第４面２１ｆとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２１６ｄは、第４面２１ｆと第３面２１ｅとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。

図４１に示すように、本実施形態の第２層２２は、凹部２２６ａ、凹部２２６ｂ、凹部２２６ｃおよび凹部２２６ｄを有する。凹部２２６ａは、第１面２２ｃと第３面２２ｅとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２２６ｂは、第２面２２ｄと第４面２２ｆとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２２６ｃは、第１面２２ｃと第４面２２ｆとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２２６ｄは、第４面２２ｆと第３面２２ｅとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。

図４０に示すように、本実施形態の第３層２３は、凹部２３６ａ、凹部２３６ｂ、凹部２３６ｃおよび凹部２３６ｄを有する。凹部２３６ａは、第１面２３ｃと第３面２３ｅとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２３６ｂは、第２面２３ｄと第４面２３ｆとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２３６ｃは、第１面２３ｃと第４面２３ｆとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２３６ｄは、第４面２３ｆと第３面２３ｅとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。

図３９に示すように、本実施形態の第４層２４は、凹部２４６ａ、凹部２４６ｂ、凹部２４６ｃおよび凹部２４６ｄを有する。凹部２４６ａは、第１面２４ｃと第３面２４ｅとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２４６ｂは、第２面２４ｄと第４面２４ｆとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２４６ｃは、第１面２４ｃと第４面２４ｆとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。凹部２４６ｄは、第４面２４ｆと第３面２４ｅとの間に介在しており、たとえばｚ方向に沿った凹曲面である。

図３８および図４２に示すように、導電部３は、第１主面部３５ａ、第２主面部３５ｂ、第３主面部３５ｃ、第４主面部３５ｄ、パッド部３１ｅ、パッド部３１ｆ、パッド部３１ｇおよびパッド部３１ｈを含む。第１主面部３５ａ、第２主面部３５ｂ、第３主面部３５ｃ、第４主面部３５ｄ、パッド部３１ｅ、パッド部３１ｆ、３１ｇおよびパッド部３１ｈは、主面２４ａ上に配置されている。

本実施形態の第１主面部３５ａは、第１辺３５０１ａ、第２辺３５０２ａ、第３辺３５０３ａ、第４辺３５０４ａ、第５辺３５０５ａ、第６辺３５０６ａおよび第７辺３５０７ａを有する。第１辺３５０１ａは、ｘ方向に延びる辺である。第２辺３５０２ａは、ｘ方向に延びる辺であり、第１辺３５０１ａよりもｙ方向において第２面２１ｄ側に位置している。第３辺３５０３ａは、ｙ方向に延びており、第１辺３５０１ａと第２辺３５０２ａとの間に位置する。第４辺３５０４ａは、ｙ方向に延びており、第１辺３５０１ａと第２辺３５０２ａとの間に位置する。また、第４辺３５０４ａは、第３辺３５０３ａよりもｘ方向において第４面２１ｆ側に位置している。第５辺３５０５ａは、第１辺３５０１ａからｙ方向において第２辺３５０２ａ側に凹んでおり、曲線形状である。第７辺３５０７ａは、第２辺３５０２ａと第３辺３５０３ａとの間に介在しており、ｘ方向における第４辺３５０４ａ側、ｙ方向における第１辺３５０１ａ側に凹む曲線形状である。

本実施形態の第２主面部３５ｂは、第１辺３５０１ｂ、第２辺３５０２ｂ、第３辺３５０３ｂ、第４辺３５０４ｂ、第５辺３５０５ｂおよび第６辺３５０６ｂを有する。第１辺３５０１ｂは、ｘ方向に延びる辺である。第２辺３５０２ｂは、ｘ方向に延びる辺であり、第１辺３５０１ｂよりもｙ方向において第２面２１ｄ側に位置している。第３辺３５０３ｂは、ｙ方向に延びており、第１辺３５０１ｂと第２辺３５０２ｂとの間に位置する。第４辺３５０４ｂは、ｙ方向に延びており、第１辺３５０１ｂと第２辺３５０２ｂとの間に位置する。また、第４辺３５０４ｂは、第３辺３５０３ｂよりもｘ方向において第４面２１ｆ側に位置している。第５辺３５０５ｂは、第２辺３５０２ｂと第３辺３５０３ｂとの間に介在しており、ｘ方向およびｙ方向に対して傾いている。第６辺３５０６ｂは、第１辺３５０１ｂと第４辺３５０４ｂとの間に介在しており、ｘ方向およびｙ方向に対して傾いている。

本実施形態の第３主面部３５ｃは、第１辺３５０１ｃ、第２辺３５０２ｃ、第３辺３５０３ｃ、第４辺３５０４ｃおよび第５辺３５０５ｃを有する。第１辺３５０１ｃは、ｘ方向に延びる辺である。第２辺３５０２ｃは、ｘ方向に延びる辺であり、第１辺３５０１ｃよりもｙ方向において第２面２１ｄ側に位置している。第３辺３５０３ｃは、ｙ方向に延びており、第１辺３５０１ｃと第２辺３５０２ｃとの間に位置する。第４辺３５０４ｃは、ｙ方向に延びており、第１辺３５０１ｃと第２辺３５０２ｃとの間に位置する。また、第４辺３５０４ｃは、第３辺３５０３ｃよりもｘ方向において第４面２１ｆ側に位置している。第５辺３５０５ｃは、第２辺３５０２ｃと第４辺３５０４ｃとの間に介在しており、ｘ方向およびｙ方向に対して傾いている。

本実施形態の第４主面部３５ｄは、第１辺３５０１ｄ、第２辺３５０２ｄ、第３辺３５０３ｄ、第４辺３５０４ｄおよび第５辺３５０５ｄを有する。第１辺３５０１ｄは、ｘ方向に延びる辺である。第２辺３５０２ｄは、ｘ方向に延びる辺であり、第１辺３５０１ｄよりもｙ方向において第２面２１ｄ側に位置している。第３辺３５０３ｄは、ｙ方向に延びており、第１辺３５０１ｄと第２辺３５０２ｄとの間に位置する。第４辺３５０４ｄは、ｙ方向に延びており、第１辺３５０１ｄと第２辺３５０２ｄとの間に位置する。また、第４辺３５０４ｄは、第３辺３５０３ｄよりもｘ方向において第４面２１ｆ側に位置している。第５辺３５０５ｄは、第２辺３５０２ｄと第４辺３５０４ｄとの間に介在しており、ｘ方向およびｙ方向に対して傾いている。

パッド部３１ｅは、ｙ方向において第１主面部３５ａと第１面２１ｃとの間に配置されている。パッド部３１ｅは、ｙ方向視において第１主面部３５ａと重なる。パッド部３１ｅは、たとえば円形状である。パッド部３１ｅは、ｙ方向視において第５辺３５０５ａと重なる。

パッド部３１ｆは、ｙ方向において第２主面部３５ｂおよび第４主面部３５ｄと第２面２１ｄとの間に配置されている。パッド部３１ｆは、ｙ方向視において第２主面部３５ｂおよび第４主面部３５ｄの一部ずつと重なる。パッド部３１ｅは、たとえば円形状である。パッド部３１ｆは、第５辺３５０５ｂおよび第５辺３５０５ｄと対向している

パッド部３１ｇは、ｘ方向において第１主面部３５ａと第３面２１ｅとの間に配置されチエル。パッド部３１ｇは、ｘ方向視において第１主面部３５ａの一部と重なる。パッド部３１ｇは、ｘ方向視において第７辺３５０７ａと重なる。

パッド部３１ｈは、ｘ方向において第２主面部３５ｂおよび第３主面部３５ｃと第４面２１ｆとの間に配置されている。パッド部３１ｈは、ｘ方向視において第２主面部３５ｂおよび第３主面部３５ｃの一部ずつと重なる。パッド部３１ｈは、第６辺３５０６ｂおよび第５辺３５０５ｃと対向している。

導電部３は、さらに、主面２１ａ上に配置された延出部３５１ａ，３５２ａ，３５１ｂ，３５２ｂ，３５１ｃ，３５１ｄ，３５２ｄ，３１１ｅ，３１２ｅ，３１３ｅ，３１１ｆ，３１１ｇ，３１１ｈ，３１２ｈを含む。

延出部３５１ａは、第１主面部３５ａから凹部２１６ａに向けてｘ方向およびｙ方向に対して傾いた方向に延出している。延出部３５１ａは、第１主面部３５ａに繋がっており、凹部２１６ａに到達している。延出部３５２ａは、第１主面部３５ａから第３面２１ｅに向けてｘ方向に延出している。延出部３５２ａは、第１主面部３５ａに繋がっており、第３面２１ｅに到達している。

延出部３５１ｂは、第２主面部３５ｂから凹部２１６ｂに向けてｘ方向およびｙ方向に対して傾いた方向に延出している。延出部３５１ｂは、第２主面部３５ｂに繋がっており、凹部２１６ｂに到達している。延出部３５２ｂは、第２主面部３５ｂから第２面２１ｄに向けてｙ方向に延出している。延出部３５２ｂは、第２主面部３５ｂに繋がっており、第２面２１ｄに到達している。

延出部３５１ｃは、第３主面部３５ｃから凹部２１６ｃに向けてｘ方向およびｙ方向に対して傾いた方向に延出している。延出部３５１ｃは、第３主面部３５ｃに繋がっており、凹部２１６ｃに到達している。

延出部３５１ｄは、第４主面部３５ｄから凹部２１６ｄに向けてｘ方向およびｙ方向に対して傾いた方向に延出している。延出部３５１ｄは、第４主面部３５ｄに繋がっており、凹部２１６ｄに到達している。延出部３５２ｄは、第４主面部３５ｄから第２面２１ｄに向けてｙ方向に延出している。延出部３５２ｄは、第４主面部３５ｄに繋がっており、第２面２１ｄに到達している。

延出部３１１ｅは、パッド部３１ｅから第１面２１ｃに向けてｙ方向に延出している。延出部３１１ｅは、パッド部３１ｅに繋がっており、第１面２１ｃに到達している。延出部３１２ｅは、パッド部３１ｅから第１面２１ｃに向けて延出している。延出部３１２ｅは、パッド部３１ｅに繋がっており、第１面２１ｃに到達している。延出部３１２ｅは、パッド部３１ｅからｘ方向に沿って第３面２１ｅ側に延びる部分と、当該部分から斜めに延びる部分と、当該部分からｙ方向に沿って第１面２１ｃに向けて延びる部分とを有する。延出部３１３ｅは、パッド部３１ｅから第１面２１ｃに向けて延出している。延出部３１３ｅは、パッド部３１ｅに繋がっており、第１面２１ｃに到達している。延出部３１３ｅは、パッド部３１ｅからｘ方向に沿って第４面２１ｆ側に延びる部分と、当該部分から斜めに延びる部分と、当該部分からｙ方向に沿って第１面２１ｃに向けて延びる部分とを有する。

延出部３１１ｆは、パッド部３１ｆから第２面２１ｄに向けてｙ方向に延出している。延出部３１１ｆは、パッド部３１ｆに繋がっており、第２面２１ｄに到達している。

延出部３１１ｇは、パッド部３１ｇから第３面２１ｅに向けてｘ方向に延出している。延出部３１１ｇは、パッド部３１ｇに繋がっており、第３面２１ｅに到達している。

延出部３１１ｈは、パッド部３１ｈから第４面２１ｆに向けてｘ方向に延出している。延出部３１１ｈは、パッド部３１ｈに繋がっており、第４面２１ｆに到達している。延出部３１２ｈは、パッド部３１ｈから第４面２１ｆに向けて延出している。延出部３１２ｈは、パッド部３１ｈに繋がっており、第４面２１ｆに到達している。延出部３１２ｈは、パッド部３１ｈからｙ方向に沿って第１面２１ｃ側に延びる部分と、当該部分から斜めに延びる部分と、当該部分からｘ方向に沿って第４面２１ｆに向けて延びる部分とを有する。

図３６に示すように、導電部３は、第１裏面部３２ａ、第２裏面部３２ｂ、第３裏面部３２ｃ、第４裏面部３２ｄ、第５裏面部３２ｅ、第６裏面部３２ｆ、第７裏面部３２ｇおよび第８裏面部３２ｈを含む。第１裏面部３２ａ、第２裏面部３２ｂ、第３裏面部３２ｃ、第４裏面部３２ｄ、第５裏面部３２ｅ、第６裏面部３２ｆ、第７裏面部３２ｇおよび第８裏面部３２ｈは、裏面２１ｂ上に配置されている。

第１裏面部３２ａは、ｚ方向視において第１面２１ｃおよび第３面２１ｅに沿って設けられており、ｚ方向視において第１主面部３５ａおよび延出部３５１ａと重なる。第２裏面部３２ｂは、ｚ方向視において第２面２１ｄおよび第４面２１ｆに沿って設けられており、ｚ方向視において延出部３５１ｂと重なる。第２裏面部３２ｂは、斜辺３２０１ｂを有する。斜辺３２０１ｂは、ｘ方向およびｙ方向に対して傾いており、凹部２１６ｂとは反対側に位置している。

第３裏面部３２ｃは、ｚ方向視において第１面２１ｃおよび第４面２１ｆに沿って設けられており、ｚ方向視において第３主面部３５ｃおよび３５１ｃと重なる。第４裏面部３２ｄは、ｚ方向視において第２面２１ｄおよび第３面２１ｅに沿って設けられており、ｚ方向視において第４主面部３５ｄおよび延出部３５１ｄと重なる。

第５裏面部３２ｅは、ｚ方向視において第１面２１ｃに沿って設けられており、ｘ方向において第１裏面部３２ａと第３裏面部３２ｃとの間に位置する。第５裏面部３２ｅは、ｚ方向視においてパッド部３１ｅと重なる。

第６裏面部３２ｆは、ｚ方向視において第２面２１ｄに沿って設けられており、ｘ方向において第２裏面部３２ｂと第４裏面部３２ｄとの間に位置する。第６裏面部３２ｆは、ｚ方向視においてパッド部３１ｆと重なる。

第７裏面部３２ｇは、ｚ方向視において第３面２１ｅに沿って設けられており、ｙ方向において第１裏面部３２ａと第４裏面部３２ｄとの間に位置する。第７裏面部３２ｇは、ｚ方向視においてパッド部３１ｇと重なる。

導電部３は、さらに、延出部３２１ａ、延出部３２１ｂ、延出部３２１ｃおよび延出部３２１ｄを含む。延出部３２１ａ、延出部３２１ｂ、延出部３２１ｃおよび延出部３２１ｄは、裏面２１ｂ上に配置されている。

延出部３２１ａは、第１裏面部３２ａから凹部２１６ａに向かって延びている。延出部３２１ａは、第１裏面部３２ａに繋がっており、凹部２１６ａに到達している。延出部３２１ｂは、第２裏面部３２ｂから凹部２１６ｂに向かって延びている。延出部３２１ｂは、第２裏面部３２ｂに繋がっており、凹部２１６ｂに到達している。延出部３２１ｃは、第３裏面部３２ｃから凹部２１６ｃに向かって延びている。延出部３２１ｃは、第３裏面部３２ｃに繋がっており、凹部２１６ｃに到達している。延出部３２１ｄは、第４裏面部３２ｄから凹部２１６ｄに向かって延びている。延出部３２１ｄは、第４裏面部３２ｄに繋がっており、凹部２１６ｄに到達している。

図３６および図４２に示す用意、導電部３は、さらに、連絡部３３１ａ、連絡部３３１ｂ、連絡部３３１ｃ、連絡部３３１ｄ、連絡部３３１ｅ、連絡部３３１ｆ、連絡部３３１ｇおよび連絡部３３１ｈを含む。

連絡部３３１ａは、図４３に示すように、凹部２１６ａ上に配置されており、ｚ方向において主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達している。連絡部３３１ａは、延出部３５１ａおよび延出部３２１ａに繋がっている。連絡部３３１ｂは、凹部２１６ｂ上に配置されており、ｚ方向において主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達している。連絡部３３１ｂは、延出部３５１ｂおよび延出部３２１ｂに繋がっている。連絡部３３１ｃは、凹部２１６ｃ上に配置されており、ｚ方向において主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達している。連絡部３３１ｃは、延出部３５１ｃおよび延出部３２１ｃに繋がっている。連絡部３３１ｄは、凹部２１６ｄ上に配置されており、ｚ方向において主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達している。連絡部３３１ｄは、延出部３５１ｄおよび延出部３２１ｄに繋がっている。

連絡部３３１ｅは、第１層２１をｚ方向に貫通しており、主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達している。連絡部３３１ｅは、ｚ方向視においてパッド部３１ｅおよび第５裏面部３２ｅと重なっている。連絡部３３１ｅは、パッド部３１ｅおよび第５裏面部３２ｅに繋がっている。

連絡部３３１ｆは、第１層２１をｚ方向に貫通しており、主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達している。連絡部３３１ｆは、ｚ方向視においてパッド部３１ｆおよび第６裏面部３２ｆと重なっている。連絡部３３１ｆは、パッド部３１ｆおよび第６裏面部３２ｆに繋がっている。

連絡部３３１ｇは、第１層２１をｚ方向に貫通しており、主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達している。連絡部３３１ｇは、ｚ方向視においてパッド部３１ｇおよび第７裏面部３２ｇと重なっている。連絡部３３１ｇは、パッド部３１ｇおよび第７裏面部３２ｇに繋がっている。

連絡部３３１ｈは、第１層２１をｚ方向に貫通しており、主面２１ａおよび裏面２１ｂに到達している。連絡部３３１ｈは、ｚ方向視においてパッド部３１ｈおよび第８裏面部３２ｈと重なっている。連絡部３３１ｈは、パッド部３１ｈおよび第８裏面部３２ｈに繋がっている。

図４１に示すように、導電部３は、パッド部３６ｅ、パッド部３６ｆ、パッド部３６ｇおよびパッド部３６ｈを含む。パッド部３６ｅ、パッド部３６ｆ、パッド部３６ｇおよびパッド部３６ｈは、主面２２ａ上に配置されている。パッド部３６ｅ、パッド部３６ｆ、パッド部３６ｇおよびパッド部３６ｈは、たとえば円形状である。

パッド部３６ｅは、第１面２２ｃと第５面２２ｇとの間に配置されている。パッド部３６ｅは、ｘ方向において第２層２２の略中央に位置する。パッド部３６ｆは、第２面２２ｄと第６面２２ｈとの間に配置されている。パッド部３６ｆは、ｘ方向において第２層２２の略中央に位置する。パッド部３６ｇは、第３面２２ｅと第７面２２ｉとの間に配置されている。パッド部３６ｇは、ｘ方向において第２層２２の略中央に位置する。パッド部３６ｈは、第４面２２ｆと第８面２２ｊとの間に配置されている。パッド部３６ｈは、ｘ方向において第２層２２の略中央に位置する。

導電部３は、さらに、連絡部３３２ｅ、連絡部３３２ｆ、連絡部３３２ｇおよび連絡部３３２ｈを含む。

連絡部３３２ｅは、第２層２２をｚ方向に貫通しており、パッド部３６ｅに繋がっている。連絡部３３２ｆは、第２層２２をｚ方向に貫通しており、パッド部３６ｆに繋がっている。連絡部３３２ｇは、第２層２２をｚ方向に貫通しており、パッド部３６ｇに繋がっている。連絡部３３２ｈは、第２層２２をｚ方向に貫通しており、パッド部３６ｈに繋がっている。また、連絡部３３２ｅは、パッド部３１ｅに接している。連絡部３３２ｆは、パッド部３１ｆに接している。連絡部３３２ｇは、パッド部３１ｇに繋がっている。連絡部３３２ｈは、パッド部３１ｈに繋がっている。

図４０に示すように、導電部３は、パッド部３７ｅ、パッド部３７ｆ、パッド部３７ｇ、パッド部３７ｈ、パッド部３７２ｅ、パッド部３７２ｆ、パッド部３７２ｇ、パッド部３７２ｈ、延出部３７１ｅ、延出部３７１ｆ、延出部３７１ｇおよび延出部３７１ｈを含む。パッド部３７ｅ、パッド部３７ｆ、パッド部３７ｇ、パッド部３７ｈ、パッド部３７２ｅ、パッド部３７２ｆ、パッド部３７２ｇ、パッド部３７２ｈ、延出部３７１ｅ、延出部３７１ｆ、延出部３７１ｇおよび延出部３７１ｈは、主面２３ａ上に配置されている。

パッド部３７ｅは、第１面２３ｃおよび第４面２３ｆに沿って配置されている。パッド部３７ｅは、第１辺３７０１ｅおよび第２辺３７０２ｅを有する。第１辺３７０１ｅは、第５面２３ｇおよび第８面２３ｊ側に位置しており、たとえば凹曲線である。第２辺３７０２ｅは、第１面２３ｃおよび第４面２３ｆ側に位置しており、例えば凹曲線である。第２辺３７０２ｅは、ｚ方向視において凹部２３６ｃと対向している。

パッド部３７ｆは、第２面２３ｄおよび第３面２３ｅに沿って配置されている。パッド部３７ｆは、第１辺３７０１ｆおよび第２辺３７０２ｆを有する。第１辺３７０１ｆは、第７面２３ｉおよび第６面２３ｈ側に位置しており、たとえば凹曲線である。第２辺３７０２ｆは、第２面２３ｄおよび第３面２３ｅ側に位置しており、例えば凹曲線である。第２辺３７０２ｆは、ｚ方向視において凹部２３６ｄと対向している。

パッド部３７ｇは、第１面２３ｃおよび第３面２３ｅに沿って配置されている。パッド部３７ｇは、第１辺３７０１ｇおよび第２辺３７０２ｇを有する。第１辺３７０１ｇは、第５面２３ｇおよび第７面２３ｉ側に位置しており、たとえば凹曲線である。第２辺３７０２ｇは、第１面２３ｃおよび第３面２３ｅ側に位置しており、例えば凹曲線である。第２辺３７０２ｇは、ｚ方向視において凹部２３６ａと対向している。

パッド部３７ｈは、第２面２３ｄおよび第４面２３ｆに沿って配置されている。パッド部３７ｈは、第１辺３７０１ｈおよび第２辺３７０２ｈを有する。第１辺３７０１ｈは、第６面２３ｈおよび第８面２３ｊ側に位置しており、たとえば凹曲線である。第２辺３７０２ｈは、第２面２３ｄおよび第４面２３ｆ側に位置しており、例えば凹曲線である。第２辺３７０２ｈは、ｚ方向視において凹部２３６ｂと対向している。

パッド部３７２ｅは、第５面２３ｇに接しており、ｙ方向において第１面２３ｃに向かって延びている。パッド部３７２ｅは、たとえば矩形状である。パッド部３７２ｅは、ｘ方向において第３層２３の略中央に位置する。

パッド部３７２ｆは、第４面２３ｆに接しており、ｙ方向において第２面２３ｄに向かって延びている。パッド部３７２ｆは、たとえば矩形状である。パッド部３７２ｆは、ｘ方向において第３層２３の略中央に位置する。

パッド部３７２ｇは、第７面２３ｉに接しており、ｘ方向において第３面２３ｅに向かって延びている。パッド部３７２ｇは、たとえば矩形状である。パッド部３７２ｇは、ｙ方向において第３層２３の略中央に位置する。

パッド部３７２ｈは、第８面２３ｊに接しており、ｘ方向において第４面２３ｆに向かって延びている。パッド部３７２ｈは、たとえば矩形状である。パッド部３７２ｈは、ｙ方向において第３層２３の略中央に位置する。

延出部３７１ｅは、パッド部３７ｅとパッド部３７２ｅとを繋いでいる。延出部３７１ｅは、ｘ方向に延びる帯状である。

延出部３７１ｆは、パッド部３７ｆとパッド部３７２ｆとを繋いでいる。延出部３７１ｆは、ｘ方向に延びる帯状である。

延出部３７１ｇは、パッド部３７ｇとパッド部３７２ｇとを繋いでいる。延出部３７１ｇは、ｙ方向に延びる帯状である。

延出部３７１ｈは、パッド部３７ｈとパッド部３７２ｈとを繋いでいる。延出部３７１ｈは、ｙ方向に延びる帯状である。

導電部３は、さらに、連絡部３３３ｅ、連絡部３３３ｆ、連絡部３３３ｇおよび連絡部３３３ｈを含む。

連絡部３３３ｅは、第３層２３をｚ方向に貫通している。連絡部３３３ｅは、ｚ方向視においてパッド部３７２ｅと重なっており、パッド部３７２ｅと繋がっている。連絡部３３３ｅは、パッド部３６ｅと接している。

連絡部３３３ｆは、第３層２３をｚ方向に貫通している。連絡部３３３ｆは、ｚ方向視においてパッド部３７２ｆと重なっており、パッド部３７２ｆと繋がっている。連絡部３３３ｆは、パッド部３６ｆと接している。

連絡部３３３ｇは、第３層２３をｚ方向に貫通している。連絡部３３３ｇは、ｚ方向視においてパッド部３７２ｇと重なっており、パッド部３７２ｇと繋がっている。連絡部３３３ｇは、パッド部３６ｇと接している。

連絡部３３３ｈは、第３層２３をｚ方向に貫通している。連絡部３３３ｈは、ｚ方向視においてパッド部３７２ｈと重なっており、パッド部３７２ｈと繋がっている。連絡部３３３ｈは、パッド部３６ｈと接している。

図３９に示すように、導電部３は、パッド部３８ｅ、パッド部３８ｆ、パッド部３８ｇ、パッド部３８ｈ、パッド部３８２ｅ、パッド部３８２ｆ、パッド部３８２ｇ、パッド部３８２ｈ、延出部３８１ｅ、延出部３８１ｆ、延出部３８１ｇおよび延出部３８１ｈを含む。パッド部３８ｅ、パッド部３８ｆ、パッド部３８ｇ、パッド部３８ｈ、パッド部３８２ｅ、パッド部３８２ｆ、パッド部３８２ｇ、パッド部３８２ｈ、延出部３８１ｅ、延出部３８１ｆ、延出部３８１ｇおよび延出部３８１ｈは、主面２４ａ上に配置されている。

パッド部３８ｅは、第１面２４ｃおよび第４面２４ｆに沿って配置されている。パッド部３８ｅは、第１辺３８０１ｅおよび第２辺３８０２ｅを有する。第１辺３８０１ｅは、第５面２４ｇおよび第８面２４ｊ側に位置しており、たとえば凹曲線である。第２辺３８０２ｅは、第１面２４ｃおよび第４面２４ｆ側に位置しており、例えば凹曲線である。第２辺３８０２ｅは、ｚ方向視において凹部２４６ｃと対向している。

パッド部３８ｆは、第２面２４ｄおよび第３面２４ｅに沿って配置されている。パッド部３８ｆは、第１辺３８０１ｆおよび第２辺３８０２ｆを有する。第１辺３８０１ｆは、第７面２４ｉおよび第６面２４ｈ側に位置しており、たとえば凹曲線である。第２辺３８０２ｆは、第２面２４ｄおよび第３面２４ｅ側に位置しており、例えば凹曲線である。第２辺３８０２ｆは、ｚ方向視において凹部２４６ｄと対向している。

パッド部３８ｇは、第１面２４ｃおよび第３面２４ｅに沿って配置されている。パッド部３８ｇは、第１辺３８０１ｇおよび第２辺３８０２ｇを有する。第１辺３８０１ｇは、第５面２４ｇおよび第７面２４ｉ側に位置しており、たとえば凹曲線である。第２辺３８０２ｇは、第１面２４ｃおよび第３面２４ｅ側に位置しており、例えば凹曲線である。第２辺３８０２ｇは、ｚ方向視において凹部２４６ａと対向している。

パッド部３８ｈは、第２面２４ｄおよび第４面２４ｆに沿って配置されている。パッド部３８ｈは、第１辺３８０１ｈおよび第２辺３８０２ｈを有する。第１辺３８０１ｈは、第６面２４ｈおよび第８面２４ｊ側に位置しており、たとえば凹曲線である。第２辺３８０２ｈは、第２面２４ｄおよび第４面２４ｆ側に位置しており、例えば凹曲線である。第２辺３８０２ｈは、ｚ方向視において凹部２４６ｂと対向している。

パッド部３８２ｅは、第５面２４ｇおよび第１面２４ｃに接している。パッド部３８２ｅは、たとえば一部が切り欠かれた矩形状である。パッド部３８２ｅは、ｘ方向において第４層２４の略中央に位置する。

パッド部３８２ｆは、第４面２４ｆおよび第８面２４ｊに接している。パッド部３８２ｆは、たとえば矩形状である。パッド部３８２ｆは、ｘ方向において第４層２４の略中央に位置する。

パッド部３８２ｇは、第７面２４ｉおよび第３面２４ｅに接している。パッド部３８２ｇは、たとえば矩形状である。パッド部３８２ｇは、ｙ方向において第４層２４の略中央に位置する。

パッド部３８２ｈは、第８面２４ｊおよび第４面２４ｆに接している。パッド部３８２ｈは、たとえば矩形状である。パッド部３８２ｈは、ｙ方向において第４層２４の略中央に位置する。

延出部３８１ｅは、パッド部３８ｅとパッド部３８２ｅとを繋いでいる。延出部３８１ｅは、ｘ方向に延びる帯状である。

延出部３８１ｆは、パッド部３８ｆとパッド部３８２ｆとを繋いでいる。延出部３８１ｆは、ｘ方向に延びる帯状である。

延出部３８１ｇは、パッド部３８ｇとパッド部３８２ｇとを繋いでいる。延出部３８１ｇは、ｙ方向に延びる帯状である。

延出部３８１ｈは、パッド部３８ｈとパッド部３８２ｈとを繋いでいる。延出部３８１ｈは、ｙ方向に延びる帯状である。

連絡部３３４ｅは、第３層２３をｚ方向に貫通している。連絡部３３４ｅは、ｚ方向視においてパッド部３８ｅと重なっており、パッド部３８ｅと繋がっている。連絡部３３４ｅは、パッド部３７ｅと接している。

連絡部３３４ｆは、第３層２３をｚ方向に貫通している。連絡部３３４ｆは、ｚ方向視においてパッド部３８ｆと重なっており、パッド部３８ｆと繋がっている。連絡部３３４ｆは、パッド部３７ｆと接している。

連絡部３３４ｇは、第３層２３をｚ方向に貫通している。連絡部３３４ｇは、ｚ方向視においてパッド部３８ｇと重なっており、パッド部３８ｇと繋がっている。連絡部３３４ｇは、パッド部３７ｇと接している。

連絡部３３４ｈは、第３層２３をｚ方向に貫通している。連絡部３３４ｈは、ｚ方向視においてパッド部３８ｈと重なっており、パッド部３８ｈと繋がっている。連絡部３３４ｈは、パッド部３７ｈと接している。

本実施形態の支持体１においては、第１主面部３５ａと第１裏面部３２ａとが、延出部３５１ａ、連絡部３３１ａおよび延出部３２１ａを介して導通している。第２主面部３５ｂと第２裏面部３２ｂとが、延出部３５１ｂ、連絡部３３１ｂおよび延出部３２１ｂを介して導通している。第３主面部３５ｃと第３裏面部３２ｃとが、延出部３５１ｃ、連絡部３３１ｃおよび延出部３２１ｃを介して導通している。第４主面部３５ｄと第４裏面部３２ｄとが、延出部３５１ｄ、連絡部３３１ｄおよび延出部３２１ｄを介して導通している。

また、本実施形態の支持体１においては、パッド部３８２ｅと第５裏面部３２ｅとが、主面部３１８ｅ、パッド部３８ｅ、連絡部３３４ｅ、パッド部３７ｅ、延出部３７１ｅ、パッド部３７２ｅ、連絡部３３３ｅ、パッド部３６ｅ、連絡部３３２ｅ、パッド部３１ｅおよび連絡部３３１ｅを介して導通している。パッド部３８２ｆと第６裏面部３２ｆとが、主面部３１８ｆ、パッド部３８ｆ、連絡部３３４ｆ、パッド部３７ｆ、延出部３７１ｆ、パッド部３７２ｆ、連絡部３３３ｆ、パッド部３６ｆ、連絡部３３２ｆ、パッド部３１ｆおよび連絡部３３１ｆを介して導通している。パッド部３８２ｇと第７裏面部３２ｇとが、主面部３１８ｇ、パッド部３８ｇ、連絡部３３４ｇ、パッド部３７ｇ、延出部３７１ｇ、パッド部３７２ｇ、連絡部３３３ｇ、パッド部３６ｇ、連絡部３３２ｇ、パッド部３１ｇおよび連絡部３３１ｇを介して導通している。パッド部３８２ｈと第８裏面部３２ｈとが、主面部３１８ｈ、パッド部３８ｈ、連絡部３３４ｈ、パッド部３７ｈ、延出部３７１ｈ、パッド部３７２ｈ、連絡部３３３ｈ、パッド部３６ｈ、連絡部３３２ｈ、パッド部３１ｈおよび連絡部３３１ｈを介して導通している。

カバー５は、図３５および図３７に示すように、第３層２３の主面２３ａに支持されており、ｚ方向視において第５面２４ｇ、第６面２４ｈ、第７面２４ｉおよび第８面２４ｊに囲まれている。本実施形態のカバー５は、カバー５の第１層５１の主面５１ａに第３層５３が形成されており、裏面５１ｂに第２層５２が形成されている。図示された例においては、裏面５１ｂ（第２層５２）が、たとえば接合材５７によって主面２３ａに接合されている。接合材５７を複数の点状に配置することにより、接合材５７が設けられていない箇所において、カバー５と第３層２３との間に隙間が生じる。この隙間は、上述した通気部６と同等の機能を果たしうる。このため、本例においては、支持体１には、通気部６は設けられていなくてもよい。

カバー５の第３層５３とパッド部３８２ｅとは、導電性接合材５９を介して導通している。第３層５３とパッド部３８２ｆとは、導電性接合材５９を介して導通している。第３層５３とパッド部３８２ｇとは、導電性接合材５９を介して導通している。第３層５３とパッド部３８２ｈとは、導電性接合材５９を介して導通している。

本実施形態によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。

＜第４実施形態第１変形例＞
図４４〜図４６は、半導体発光装置Ａ４の第１変形例を示している。本変形例の半導体発光装置Ａ４１は、主に、支持体１の構成と、カバー５および導電部３の導通形態とが、上述した半導体発光装置Ａ４と異なっている。

図４４は、半導体発光装置Ａ４１を示す要部平面図である。図４５は、図４４のＸＬＶ−ＸＬＶ線に沿う断面図である。図４６は、半導体発光装置Ａ４１の基材２を示す平面図である。

図４４に示すように、半導体発光装置Ａ４１においては、第４層２４には、導電部３が設けられていない。また、図４５に示すように、第１層５１の主面５１ａに第２層５２が設けられており、裏面５１ｂに第３層５３が設けられている。第３層５３は、導電性接合材５９を介して、パッド部３７２ｅ、パッド部３７２ｆ、パッド部３７２ｇおよびパッド部３７２ｈと導通している。なお、導電性接合材５９としてたとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等の等方性導電材料を用いる場合、パッド部３７２ｅ、パッド部３７２ｆ、パッド部３７２ｇおよびパッド部３７２ｈに接合された５９をそれぞれ離間させる。これらの導電性接合材５９の間においては、カバー５と主面２３ａとの間に隙間が生じうる。この隙間は、上述した通気部６と同等の機能を果たしうる。このため、本例においては、支持体１には、通気部６は設けられていなくてもよい。パッド部３７２ｅ、パッド部３７２ｆ、パッド部３７２ｇおよびパッド部３７２ｈと、第５裏面部３２ｅ、第６裏面部３２ｆ、第７裏面部３２ｇおよび第８裏面部３２ｈとのそれぞれの導通経路は、たとえば半導体発光装置Ａ４と同様である。

本変形例によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。

＜第４実施形態第２変形例＞
図４７は、半導体発光装置Ａ４の第２変形例の第１層２１を示している。本例においては、導電部３が複数の連絡部３３０ａを含んでいる。複数の連絡部３３０ａは、各々が第１層２１をｚ方向に貫通している。複数の連絡部３３０ａは、ｚ方向視において第１主面部３５ａおよび第１裏面部３２ａの双方に重なっており、双方に繋がっている。

本変形例によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、複数の連絡部３３０ａを設けることにより、第１主面部３５ａに搭載される半導体発光素子４への導通経路の低抵抗化を図ることができる。また、半導体発光素子４から発生した熱を連絡部３３０ａを介して第１裏面部３２ａへとよりスムーズに伝達することが可能であり、放熱を促進することができる。

＜第５実施形態＞
図４８〜図５０は、本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ５は、主に、基材２および半導体発光素子４の構成が上述した実施形態と異なっている。

図４８は、半導体発光装置Ａ５を示す要部平面図である。図４９は、図４８のＸＬＩＸ−ＸＬＩＸ線に沿う断面図である。図５０は、図４８のＬ−Ｌ線に沿う断面図である。

本実施形態の半導体発光素子４は、ｘ方向に光を出射する。このような半導体発光素子４は、たとえば半導体レーザ素子である。また、半導体発光素子４は、サブマウント基板４５に搭載されている。サブマウント基板４５は、たとえば、たとえばＡｌ₂Ｏ₃やＡｌＮ等のセラミックスからなるものが代表例として挙げられる。

支持体１は、たとえばＭＩＤ（Molded Interconnect Device）によって構成されている。この場合、基材２は、絶縁性の樹脂からなる。導電部３は、基材２上に形成された金属膜からなる。

本実施形態の基材２は、主面２ａ、裏面２ｂ、第１面２ｃ、第２面２ｄ、第３面２ｅ、第４面２ｆ、第５面２ｇ、第６面２ｈ、第７面２ｉ、第８面２ｊおよび第９面２ｋを有する。

主面２ａおよび裏面２ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向く。本実施形態の主面２ａは、本開示の「第１主面」の一例に相当する。第９面２ｋは、ｚ方向において主面２ａと同じ側を向いている。第９面２ｋは、ｚ方向において主面２ａよりも裏面２ｂから離間している。本実施形態の第９面２ｋは、本開示の「第２主面」の一例に相当する。

第１面２ｃおよび第２面２ｄは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第１面２ｃは、ｚ方向において第９面２ｋおよび裏面２ｂの間に位置しており、図示された例においては、第９面２ｋおよび裏面２ｂに繋がっている。第２面２ｄは、ｚ方向において第９面２ｋおよび裏面２ｂの間に位置しており、図示された例においては、第９面２ｋおよび裏面２ｂに繋がっている。

第３面２ｅおよび第４面２ｆは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第３面２ｅは、ｚ方向において第９面２ｋおよび裏面２ｂの間に位置しており、図示された例においては、第９面２ｋおよび裏面２ｂに繋がっている。第４面２ｆは、ｚ方向において第９面２ｋおよび裏面２ｂの間に位置しており、図示された例においては、第９面２ｋおよび裏面２ｂに繋がっている。

第５面２ｇおよび第６面２ｈは、ｙ方向において第１面２ｃおよび第２面２ｄの間に位置する。第５面２ｇおよび第６面２ｈは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第５面２ｇは、第２面２ｄと同じ側を向いている。第６面２ｈは、第１面２ｃと同じ側を向いている。第５面２ｇは、ｚ方向において第９面２ｋおよび主面２ａの間に位置しており、図示された例においては、第９面２ｋおよび主面２ａに繋がっている。第６面２ｈは、ｚ方向において第９面２ｋおよび主面２ａの間に位置しており、図示された例においては、第９面２ｋおよび主面２ａに繋がっている。

第７面２ｉおよび第８面２ｊは、ｘ方向において第３面２ｅおよび第４面２ｆの間に位置する。第７面２ｉおよび第８面２ｊは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第７面２ｉは、第４面２ｆと同じ側を向いている。第８面２ｊは、第３面２ｅと同じ側を向いている。第７面２ｉは、ｚ方向において第９面２ｋおよび主面２ａの間に位置しており、図示された例においては、第９面２ｋおよび主面２ａに繋がっている。第８面２ｊは、ｚ方向において第９面２ｋおよび主面２ａの間に位置しており、図示された例においては、第９面２ｋおよび主面２ａに繋がっている。第７面２ｉは、ｚ方向に対して傾いている。第７面２ｉがｚ方向となす角度は、たとえば３０°〜６０°であり、より具体的には４５°程度である。

導電部３は、基材２の表面に形成されており、たとえばＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ等の無電解めっき層からなる。本実施形態の導電部３は、主面部３１、裏面部３２、連絡部３３、第７面部３４ｉおよび第８面部３４ｊを含む。

主面部３１は、第１主面部３１ａおよび第２主面部３１ｂを含む第１主面部３１ａおよび第２主面部３１ｂは、主面２ａ上に配置されている。第１主面部３１ａは、第７面２ｉに接している。第２主面部３１ｂは、第８面２ｊに接している。

裏面部３２は、第１裏面部３２ａ、第２裏面部３２ｂ、第３裏面部３２ｃおよび第４裏面部３２ｄを含み、裏面２ｂ上に配置されている。第１裏面部３２ａは、第３面２ｅに接している。第２裏面部３２ｂは、第４面２ｆに接している。第３裏面部３２ｃは、第１面２ｃに接している。第４裏面部３２ｄは、第２面２ｄに接している。

連絡部３３は、第１３連絡部３３ｍ、第１４連絡部３３ｎ、第１５連絡部３３ｏ、第１６連絡部３３ｐ、第１７連絡部３３ｑ、第１８連絡部３３ｒ、第１９連絡部３３ｓおよび第２０連絡部３３ｔを含む。

第１３連絡部３３ｍ、第１４連絡部３３ｎ、第１５連絡部３３ｏおよび第１６連絡部３３ｐは、第９面２ｋ上に配置されている。第１３連絡部３３ｍは、第１面２ｃおよび第５面２ｇに接している。第１４連絡部３３ｎは、第２面２ｄおよび第６面２ｈに接している。第１５連絡部３３ｏは、第７面２ｉと第３面２ｅとに接している。第１６連絡部３３ｐは、第４面２ｆおよび第８面２ｊに接している。

第１７連絡部３３ｑは、第１面２ｃ上に配置されており、第１３連絡部３３ｍと第３裏面部３２ｃとに繋がっている。第１８連絡部３３ｒは、第２面２ｄ上に配置されており、第１４連絡部３３ｎと第４裏面部３２ｄとに繋がっている。

第１９連絡部３３ｓは、第３面２ｅ上に配置されており、第１５連絡部３３ｏと第１裏面部３２ａとに繋がっている。第２０連絡部３３ｔは、第４面２ｆ上に配置されており、第１６連絡部３３ｐと第２裏面部３２ｂとに繋がっている。

カバー５は、第１層５１、第２層５２および第３層５３を含む。第２層５２は、主面５１ａ上に配置されている。第３層５３は、裏面５１ｂ上に配置されている。

第３層５３のｙ方向両端部分は、導電性接合材５８を介して第１３連絡部３３ｍおよび第１４連絡部３３ｎに導通接合されている。第１５連絡部３３ｏおよび第１６連絡部３３ｐと第３層５３とは、互いに離間しているか、互いの間に絶縁性材料（図示略）が設けられていることにより、絶縁されていることが好ましい。

半導体発光素子４は、ワイヤ４９によって第２主面部３１ｂに接続されている。

半導体発光装置Ａ５においては、半導体発光素子４から発せられた光は、ｘ方向に進行した後に第７面部３４ｉ（第７面２ｉ）によって反射される。この光は、カバー５によって拡散されてカバー５から出射される。

本実施形態によっても、カバー５の損傷に起因した半導体発光素子４からの光を直接視認することを抑制することができる。また、第７面２ｉのｚ方向に対する角度を適宜設定することにより、半導体発光装置Ａ５から出射される光が進行する方向を変更することができる。

＜第５実施形態第１変形例＞
図５１は、半導体発光装置Ａ５の第１変形例を示している。本変形例の半導体発光装置Ａ５１は、主に、支持体１の構成が上述した実施形態と異なっている。

第１層２１は、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。第２層２２は、たとえばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなり、たとえば金型成形によって形成されている。

導電部３は、第１連絡部３３ａおよび第２連絡部３３ｂを含む。第１連絡部３３ａおよび第２連絡部３３ｂは、第１層２１をｚ方向に貫通している。第１連絡部３３ａは、３１ａと第１裏面部３２ａとを導通させている。第２連絡部３３ｂは第２主面部３１ｂと第２裏面部３２ｂとを導通させている。

第２層２２の第７面２２ｉには、金属膜２９が設けられている。金属膜２９は、たとえばアルミ等の金属が蒸着された膜である。

カバー５は、主面２２ａに接合されている。図示された例においては、第１層５１の１５ｂに第３層５３が形成されている。第３層５３と第３裏面部３２ｃおよび第４裏面部３２ｄとの導通経路は、たとえば第２層２２および第３層２３に適宜形成される導電部３の一部である表面金属層や貫通金属部によって構成される。

＜通気部６構造例＞
図５２〜図６１は、通気部６の具体的な構造例を示している。

図５２は、収容部７の第１構造例を示す要部拡大平面図であり、図５３は、断面図である。本例の収容部７は、第２層２２に形成された溝部２１１と第３層２３の裏面２３ｂとによって構成されている。本例の溝部２１１は、ｘ方向に沿った形状であり、ｘ方向に平行である。溝部２１１は、主面２２ａから凹んでおり、第８面２２ｊと第４面２２ｆとに到達している。

図示された例においては、溝部２１１は、第１面２１１１および２つの第２面２１１２を有する。

第１面２１１１は、溝部２１１のうちｚ方向最深部に位置する面である。図示された例においては、第１面２１１１は、ｚ方向に対して直角である平坦な面である。２つの第２面２１１２は、第１面２１１１と主面２２ａとをそれぞれ繋いでいる。図示された例においては、２つの第２面２１１２は、ｚ方向に対して若干傾いているが、これに限定されるものではない。

図５４は、収容部７の第２構造例を示す要部拡大平面図である。図示された例においては、通気部６を構成する溝部２１１は、第１面２１１１、２つの第２面２１１２、第３面２１１３および第４面２１１４を有する。

第３面２１１３は、第４面２２ｆと一方の第２面２１１２との間に介在している。第３面２１１３は、ｚ方向視において凸形状の曲面である。なお、第４面２２ｆと他方の第２面２１１２との間に、第３面２１１３と類似の曲面が介在してもよい。

第４面２１１４は、第８面２２ｊと他方の第２面２１１２との間に介在している。第４面２１１４は、ｚ方向視において凸形状の曲面である。なお、内側面第２部２７２と一方の第２面２１１２との間に、第４面２１１４と類似の曲面が介在してもよい。図示された例においては、第８面２２ｊ側の第１開口領域Ｓ１と第４面２２ｆ側の第２開口領域Ｓ２とのｙ方向寸法は略同じである。

通気部６（溝部２１１）がｘ方向に対して傾いて設けられていることにより、意図しない物体が通気部６に浸入する経路を延長することが可能である。これは、半導体発光素子４の保護に好ましい。

図５５は、通気部６の第３構造例を示す要部拡大平面図である。本例の通気部６は、溝部２１１のｚ方向視における形状が上述した例と異なる。本例の溝部２１１は、第１開口領域Ｓ１のｙ方向寸法が、第２開口領域Ｓ２のｙ方向寸法よりも大きい。また、溝部２１１のｙ方向寸法は、第８面２２ｊから第４面２２ｆに向かうほど小さくなっている。すなわち、溝部２１１は、ｚ方向視において第４面２２ｆ側（外部側）に小であるテーパ形状である。

本例によっても、半導体発光装置の信頼性を高めることができる。また、第２開口領域Ｓ２のｙ方向寸法を縮小することにより、意図しない物体の浸入をより抑制することができる。

図５６は、通気部６の第４構造例を示す要部拡大平面図である。本例の通気部６は、溝部２１１のｚ方向視における形状が上述した例と異なる。本例の溝部２１１は、第１開口領域Ｓ１のｙ方向寸法が、第２開口領域Ｓ２のｙ方向寸法よりも小さい。また、溝部２１１のｙ方向寸法は、第８面２２ｊから第４面２２ｆに向かうほど大きくなっている。すなわち、溝部２１１は、ｚ方向視において第４面２２ｆ側（外部側）に大であるテーパ形状である。

本例によっても、半導体発光装置の信頼性を高めることができる。また、第１開口領域Ｓ１のｙ方向寸法を縮小することにより、仮に意図しない物体が第４面２２ｆ側（外部側）から溝部２１１（通気部６）に浸入しても、第１開口領域Ｓ１において通気部６に浸入することを抑制することができる。

図５７は、通気部６の第５構造例を示す要部拡大平面図である。本例の通気部６は、溝部２１１が、第５面２２ｇに隣接して設けられている。本例によっても、半導体発光装置の信頼性を高めることができる。

図５８は、通気部６の第６構造例を示す要部拡大平面図である。本例の通気部６は、溝部２１１のｚ方向視形状が上述した例と異なる。本例の溝部２１１は、第１部２１１ａ、第２部２１１ｂおよび第３部２１１ｃを有する。第１部２１１ａは、第８面２２ｊに繋がっており、ｘ方向に延びる形状である。第３部２１１ｃは、第４面２２ｆに繋がっており、ｘ方向に延びる形状である。第２部２１１ｂは、第１部２１１ａおよび第３部２１１ｃに繋がっており、ｘ方向に対して交差する方向に延びており、たとえばｙ方向に沿って延びている。このような溝部２１１は、ｚ方向においていわゆるクランク形状とされている。

本例によっても半導体発光装置の信頼性を高めることができる。また、溝部２１１をクランク形状とすることにより、意図しないと物体の浸入を、たとえば第２部２１１ｂにおいてより確実に抑制することができる。

図５９は、通気部６の第７構造例を示す要部拡大断面図である。本例の通気部６は、溝部２１１が、第１面２１１１、一対の第２面２１１２および一対の第５面２１１５を有する。

第１面２１１１は、溝部２１１のうちｚ方向最深部に位置する面である。図示された例においては、第１面２１１１は、ｚ方向に対して直角である平坦な面である。一対の第２面２１１２は、第１面２１１１に繋がっている。第２面２１１２は、たとえばｚ方向に対して傾いている。一対の第５面２１１５は、第１面２１１１と一対の第２面２１１２との間に介在している。第５面２１１５は、凹形状の曲面である。本例によっても、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。

図６０は、通気部６の第８構造例を示す要部拡大断面図である。本例の通気部６は、溝部２１１が、第６面２１１６を有する。第６面２１１６は、ｙ方向両端が主面２２ａに繋がっており、主面２２ａからｚ方向他方側（図中下側）に凹む曲面である。本例によっても、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。

図６１は、通気部６の第９構造例を示す要部拡大断面図である。本例の通気部６は、溝部２１１が、２つの第２面２１１２を有する。２つの第２面２１１２は、各々が主面２２ａに繋がり、且つ互いに繋がっている。２つの第２面２１１２は、ｚ方向に対して傾いている。本例によっても、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。

本開示に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
半導体発光素子と、
基材および当該基材上に配置された導電部を含み、前記半導体発光素子からの光を通過させる開口部を有する支持体と、
第１方向視において前記開口部を塞ぐカバーと、を備える半導体発光装置であって、
前記カバーは、前記半導体発光素子からの光を透過させる第１層、前記半導体発光素子からの光を拡散させる第２層、および導電性材料からなり且つ前記第１層の変形状態に応じて導通状態が変化する第３層を含む、半導体発光装置。
〔付記２〕
前記カバーの前記第３層は、前記半導体発光素子からの光を透過させる、付記１に記載の半導体発光装置。
〔付記３〕
前記基材は、前記第１方向において互いに反対側を向く第１主面および裏面と、前記第１主面と同じ側を向き且つ前記第１主面よりも前記裏面から離間した第２主面と、を有する、付記１または２に記載の半導体発光装置。
〔付記４〕
前記導電部は、前記第１主面上に配置された主面部と、前記裏面上に配置された裏面部と、を含む、付記３に記載の半導体発光装置。
〔付記５〕
前記導電部は、前記第２主面および裏面に到達し且つ前記裏面部に導通するカバー連絡部を含む、付記４に記載の半導体発光装置。
〔付記６〕
前記カバーの前記第１層は、前記第１方向において前記半導体発光素子とは反対側に位置する主面および前記半導体発光素子と正対する裏面を有し、
前記カバーの前記第３層は、前記第１層の前記裏面上に配置されている、付記５に記載の半導体発光装置。
〔付記７〕
前記カバー連絡部と前記第３層とを導通させる導電性接合材を備える、付記６に記載の半導体発光装置。
〔付記８〕
前記カバー連絡部は、前記基材を前記第２主面および前記裏面に到達するように貫通する、付記７に記載の半導体発光装置。
〔付記９〕
前記カバーの前記第１層は、前記第１方向において前記半導体発光素子とは反対側に位置するカバー主面および前記半導体発光素子と正対するカバー裏面を有し、
前記カバーの前記第３層は、前記第１層の前記カバー裏面上に配置されている、付記８に記載の半導体発光装置。
〔付記１０〕
前記カバー連絡部と前記第３層とを導通させる導電性接合材を備える、付記９に記載の半導体発光装置。
〔付記１１〕
前記基材は、前記第２主面および前記裏面に到達する凹部を有し、
前記カバー連絡部が、前記凹部上に配置されている、付記１０に記載の半導体発光装置。
〔付記１２〕
前記基材は、前記第１方向と直角である方向において前記カバーを囲む内側面を有する、付記６ないし１１のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１３〕
前記基材は、前記第１方向視において前記カバーの外縁と一致する外側面を有する、付記６ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記導電部は、前記主面部と前記裏面部とを繋ぎ且つ前記第１主面および前記裏面に到達するように前記基材を貫通する素子連絡部を含む、付記４ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記基材は、前記半導体発光素子を収容する収容部および当該収容部と外部とを繋ぐ通気部を有する、付記１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１６〕
前記半導体発光素子は、半導体レーザ素子である、付記１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１７〕
前記半導体発光素子は、ＶＣＳＥＬ素子である、付記１６に記載の半導体装置。

Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ４１，Ａ５：半導体発光装置
１：支持体
２：基材
２ａ：主面
２ｂ：裏面
２ｃ：第１面
２ｄ：第２面
２ｅ：第３面
２ｆ：第４面
２ｇ：第５面
２ｈ：第６面
２ｉ：第７面
２ｊ：第８面
２ｋ：第９面
３：導電部
４：半導体発光素子
５：カバー
６：通気部
７：収容部
８：受光素子
１０：支持体
２０：基材
２１：第１層
２１ａ：主面
２１ｂ：裏面
２１ｃ：第１面
２１ｄ：第２面
２１ｅ：第３面
２１ｆ：第４面
２２：第２層
２２ａ：主面
２２ｂ：裏面
２２ｃ：第１面
２２ｄ：第２面
２２ｅ：第３面
２２ｆ：第４面
２２ｇ：第５面
２２ｈ：第６面
２２ｉ：第７面
２２ｊ：第８面
２３：第３層
２３ａ：主面
２３ｂ：裏面
２３ｃ：第１面
２３ｄ：第２面
２３ｅ：第３面
２３ｆ：第４面
２３ｇ：第５面
２３ｈ：第６面
２３ｉ：第７面
２３ｊ：第８面
２４：第４層
２４ａ：主面
２４ｂ：裏面
２４ｃ：第１面
２４ｄ：第２面
２４ｅ：第３面
２４ｆ：第４面
２４ｇ：第５面
２４ｈ：第６面
２４ｉ：第７面
２４ｊ：第８面
２６ｉ：凹部
２６ｊ：凹部
２６ｋ：凹部
２６ｌ：凹部
２７：開口部
２８：凹部
３０：導電部
３１：主面部
３１ａ：第１主面部
３１ｂ：第２主面部
３１ｃ：第３主面部
３１ｄ：第４主面部
３２：裏面部
３２ａ：第１裏面部
３２ｂ：第２裏面部
３２ｃ：第３裏面部
３２ｄ：第４裏面部
３２ｅ：第５裏面部
３２ｆ：第６裏面部
３２ｇ：第７裏面部
３２ｈ：第８裏面部
３２ｉ：第９裏面部
３３：連絡部
３３ａ：第１連絡部
３３ｂ：第２連絡部
３３ｃ：第３連絡部
３３ｄ：第４連絡部
３３ｅ：第５連絡部
３３ｆ：第６連絡部
３３ｇ：第７連絡部
３３ｈ：第８連絡部
３３ｉ：第９連絡部
３３ｊ：第１０連絡部
３３ｋ：第１１連絡部
３３ｌ：第１２連絡部
３３ｍ：第１３連絡部
３３ｎ：第１４連絡部
３３ｏ：第１５連絡部
３３ｐ：第１６連絡部
３３ｑ：第１７連絡部
３３ｒ：第１８連絡部
３３ｓ：第１９連絡部
３３ｔ：第２０連絡部
３４ｉ：第７面部
３４ｊ：第８面部
４１：第１電極
４２：第２電極
４８：サブマウント基板
４９：ワイヤ
５０：カバー材料
５１：第１層
５１Ａ：第１層
５１Ｂ：第１層
５１ａ：主面
５１ｂ：裏面
５１ｃ：第１面
５１ｄ：第２面
５１ｅ：第３面
５１ｆ：第４面
５２：第２層
５３：第３層
５７：接合材
５８：導電性接合材
５９：導電性接合材
８９：ワイヤ
２１０：第１層
２１１：溝部
２１１ａ：第１部
２１１ｂ：第２部
２１１ｃ：第３部
２２０：第２層
２３０：第３層
２４０：第４層
２６０ｋ：貫通孔
２６０ｌ：貫通孔
２７２：内側面第２部
２８０：貫通孔
３３０ｋ：第１１連絡部
３３０ｌ：第１２連絡部
４５１：第２基板
４５２：第４半導体層
４５３：活性層
４５４：第５半導体層
４５５：電流狭窄層
４５６：絶縁層
４５７：導電層
４６０：発光領域
５１０：第１層
５２０：第２層
５３０：第３層
５３１：第１部
５３２：第２部
２１１１：第１面
２１１２：第２面
２１１３：第３面
２１１４：第４面
２１１５：第５面
２１１６：第６面
４５５１：開口
４５６１：開口
４５７１：開口
Ｃ１：電子機器
Ｃｔ：コントローラ
ＤＬ：分割線
Ｓ１：第１開口領域
Ｓ２：第２開口領域

Claims

半導体発光素子と、
基材および当該基材上に配置された導電部を含み、前記半導体発光素子からの光を通過させる開口部を有する支持体と、
第１方向視において前記開口部を塞ぐカバーと、を備える半導体発光装置であって、
前記カバーは、前記半導体発光素子からの光を透過させる第１層、前記半導体発光素子からの光を拡散させる第２層、および導電性材料からなり且つ前記第１層の変形状態に応じて導通状態が変化する第３層を含む、半導体発光装置。
前記カバーの前記第３層は、前記半導体発光素子からの光を透過させる、請求項１に記載の半導体発光装置。
前記基材は、前記第１方向において互いに反対側を向く第１主面および裏面と、前記第１主面と同じ側を向き且つ前記第１主面よりも前記裏面から離間した第２主面と、を有する、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
前記導電部は、前記第１主面上に配置された主面部と、前記裏面上に配置された裏面部と、を含む、請求項３に記載の半導体発光装置。
前記導電部は、前記第２主面および裏面に到達し且つ前記裏面部に導通するカバー連絡部を含む、請求項４に記載の半導体発光装置。
前記カバーの前記第１層は、前記第１方向において前記半導体発光素子とは反対側に位置する主面および前記半導体発光素子と正対する裏面を有し、
前記カバーの前記第３層は、前記第１層の前記裏面上に配置されている、請求項５に記載の半導体発光装置。
前記カバー連絡部と前記第３層とを導通させる導電性接合材を備える、請求項６に記載の半導体発光装置。
前記カバー連絡部は、前記基材を前記第２主面および前記裏面に到達するように貫通する、請求項７に記載の半導体発光装置。
前記カバーの前記第１層は、前記第１方向において前記半導体発光素子とは反対側に位置するカバー主面および前記半導体発光素子と正対するカバー裏面を有し、
前記カバーの前記第３層は、前記第１層の前記カバー裏面上に配置されている、請求項８に記載の半導体発光装置。
前記カバー連絡部と前記第３層とを導通させる導電性接合材を備える、請求項９に記載の半導体発光装置。
前記基材は、前記第２主面および前記裏面に到達する凹部を有し、
前記カバー連絡部が、前記凹部上に配置されている、請求項１０に記載の半導体発光装置。
前記基材は、前記第１方向と直角である方向において前記カバーを囲む内側面を有する、請求項６ないし１１のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記基材は、前記第１方向視において前記カバーの外縁と一致する外側面を有する、請求項６ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
前記導電部は、前記主面部と前記裏面部とを繋ぎ且つ前記第１主面および前記裏面に到達するように前記基材を貫通する素子連絡部を含む、請求項４ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
前記基材は、前記半導体発光素子を収容する収容部および当該収容部と外部とを繋ぐ通気部を有する、請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
前記半導体発光素子は、半導体レーザ素子である、請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
前記半導体発光素子は、ＶＣＳＥＬ素子である、請求項１６に記載の半導体装置。