JP2020011285A - Solder materials, solder paste, and solder joints - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、経時での粘度上昇が抑制され、濡れ性及び信頼性に優れるはんだ材料、ソルダペースト、及びはんだ継手を提供することを目的とする。
【解決手段】
Sn又はSn系合金、40〜250質量ppmのAs、0〜3000質量ppmのSb、0〜10000質量ppmのBi及び0〜5100質量ppmのPbを含み(ただし、Bi及びPbの含有量が同時に0質量ppmになることはない)、As濃化層を有する、はんだ材料。
【選択図】図1An object of the present invention is to provide a solder material, a solder paste, and a solder joint which suppress the increase in viscosity over time and have excellent wettability and reliability.
[Solution]
Sn or a Sn-based alloy, containing 40 to 250 ppm by mass of As, 0 to 3000 ppm by mass of Sb, 0 to 10000 ppm by mass of Bi, and 0 to 5100 ppm by mass of Pb (however, the content of Bi and Pb is 0 mass ppm), a solder material having an As-enriched layer.
[Selection diagram] Fig. 1
Description
本発明は、はんだ材料、ソルダペースト、及びはんだ継手に関する。 The present invention relates to a solder material, a solder paste, and a solder joint.
プリント基板への電子部品の実装といった、電子機器における電子部品の固定と電気的接続は、コスト面及び信頼性の面で最も有利なはんだ付けにより一般に行われている。 Fixing and electrical connection of electronic components in electronic devices, such as mounting of electronic components on a printed circuit board, are generally performed by soldering, which is the most advantageous in terms of cost and reliability.
はんだ材料は一般にSnを主成分とするところ、製造時や製造後にSnと空気中の酸素が反応し、表面にSn酸化物による膜が形成され、黄色の変色を引き起こすことがある。 Generally, when a solder material contains Sn as a main component, Sn reacts with oxygen in the air during or after production, and a film of Sn oxide is formed on the surface, which may cause yellow discoloration.
はんだ材料の変色を改善する方法としては、はんだ材料に、P、Ge、Gaなどの元素を添加することが知られている。これらの元素は、Snよりも酸化物の標準生成自由エネルギーが小さく、非常に酸化されやすい。したがって、溶融はんだからはんだ粉末やはんだボール等のはんだ材料を形成する際に、SnではなくP、Ge、Gaなどの元素が酸化されて表面に濃化し、はんだ表面の黄色変化を抑制することができる。しかし、一般的にはんだ材料には、溶融した際に電子部品の金属上を広がっていく性質(濡れ性)が求められるところ、P、Ge、Gaなどの元素を添加した場合には、はんだ材料の濡れ性が低下してしまう。はんだ材料の濡れ性が悪いとはんだ付け不良が発生する原因になる。 As a method for improving discoloration of a solder material, it is known to add an element such as P, Ge, or Ga to the solder material. These elements have a smaller standard free energy of formation of oxide than Sn and are very easily oxidized. Therefore, when forming a solder material such as a solder powder or a solder ball from a molten solder, elements such as P, Ge, and Ga, not Sn, are oxidized and concentrated on the surface, thereby suppressing the yellow change of the solder surface. it can. However, in general, a solder material is required to have a property of spreading on a metal of an electronic component when melted (wettability). However, when an element such as P, Ge, or Ga is added, the solder material The wettability of the material is reduced. Poor wettability of the solder material causes poor soldering.
また、はんだ付けの中でも、電子機器の基板への電子部品の接合・組立てにおいては、ソルダペーストを使用したはんだ付けがコスト面及び信頼性の面で有利であり、最も普通に行われている。ソルダペーストは、はんだ材料(はんだ粉末)と、ロジン、活性剤、チキソトロピック剤、溶剤などのはんだ材料以外の成分を含むフラックスとを混練してペースト状にした混合物である。
ソルダペーストの基板への塗布は、例えば、メタルマスクを用いたスクリーン印刷により行われる。そのため、ソルダペーストの印刷性を確保するために、ソルダペーストの粘度は適度である必要がある。しかし、一般に、ソルダペーストは、保存安定性に劣り、経時でソルダペーストの粘度が上昇してしまうことがある。
Among soldering, in joining and assembling an electronic component to a substrate of an electronic device, soldering using a solder paste is advantageous in terms of cost and reliability and is most commonly performed. The solder paste is a mixture obtained by kneading a solder material (solder powder) and a flux containing components other than the solder material such as a rosin, an activator, a thixotropic agent, and a solvent to form a paste.
The application of the solder paste to the substrate is performed, for example, by screen printing using a metal mask. Therefore, in order to secure the printability of the solder paste, the viscosity of the solder paste needs to be appropriate. However, in general, the solder paste has poor storage stability, and the viscosity of the solder paste may increase with time.
さらに、ソルダペーストを構成するはんだ材料においては、液相線温度(TL)と固相線温度(TS)との差(ΔT=TL−TS)が大きくなると、電子機器の基板に塗布後、凝固する際にはんだ材料の組織が不均一となりやすく、将来的な信頼性を低下させる原因になる。 Further, in the solder material forming the solder paste, the difference between the liquidus temperature (T L) and the solidus temperature (T S) (ΔT = T L -T S) increases, the substrate of the electronic device When solidified after the application, the structure of the solder material tends to be non-uniform, which causes a decrease in future reliability.
Sbを含有するはんだ材料としては、例えば、Ag:2.8〜4.2重量%、Cu:0.4〜0.6重量%、Sbを50〜3000ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有しているバンプ用はんだ合金粉末が提案されている(特許文献1)。
Biを含有するはんだ材料としては、例えば、Ag:2.8〜4.2重量%、Cu:0.4〜0.6重量%、Biを50〜1000ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有しているバンプ用はんだ合金粉末が提案されている(特許文献2)。
Pbを含有するはんだ材料としては、例えば、Ag:2.8〜4.2重量%、Cu:0.4〜0.6重量%、Pbを50〜5000ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有しているバンプ用はんだ合金粉末が提案されている(特許文献3)。
しかし、特許文献1〜3に記載されたはんだ材料は、バンプ形成時に生じる突起を抑制することを課題としていて、変色やソルダペーストとしたときの経時での粘度上昇の問題を改善するものではない。
Examples of the solder material containing Sb include 2.8 to 4.2% by weight of Ag, 0.4 to 0.6% by weight of Cu, and 50 to 3000 ppm of Sb, with the balance being Sn and unavoidable impurities. A solder alloy powder for bumps having the following composition has been proposed (Patent Document 1).
Examples of the Bi-containing solder material include Ag: 2.8 to 4.2% by weight, Cu: 0.4 to 0.6% by weight, and Bi to 50 to 1000 ppm, with the balance being Sn and inevitable impurities. A solder alloy powder for bumps having the following composition has been proposed (Patent Document 2).
Examples of the solder material containing Pb include 2.8 to 4.2% by weight of Ag, 0.4 to 0.6% by weight of Cu, and 50 to 5000 ppm of Pb, with the balance being Sn and inevitable impurities. A solder alloy powder for bumps having the following composition has been proposed (Patent Document 3).
However, the solder materials described in Patent Literatures 1 to 3 have a problem of suppressing projections generated at the time of bump formation, and do not improve the problem of discoloration or viscosity increase with time when used as a solder paste. .
以上のように、変色や、ペーストとしたときの経時での粘度上昇の問題が抑制され、しかも濡れ性及び信頼性にも優れるはんだ材料が望まれている。 As described above, there is a demand for a solder material which suppresses the problems of discoloration and viscosity increase with time when formed into a paste, and which is excellent in wettability and reliability.
本発明は、変色や、ペーストとしたときの経時での粘度上昇が小さく、濡れ性及び信頼性に優れるはんだ材料を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a solder material which has a small discoloration and a small increase in viscosity with time when formed into a paste, and is excellent in wettability and reliability.
本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意研究した結果、表面側にAs濃化層を有するはんだ材料は、変色や、ペーストとしたときの粘度の経時変化が少なく、しかも、Asを含有するはんだ材料は通常は濡れ性が低くなる傾向があるにもかかわらず、表面にAs濃化層が形成されていれば、そのような濡れ性の低下もないことを見出し、このような材料を用いれば上記課題を解決できることを知見し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の具体的態様は以下のとおりである。
なお、本明細書において、「〜」を用いて数値範囲を表す際は、その範囲は両端の数値を含むものとする。また、各元素の含有量は、例えば、JIS Z 3910 に準拠にしてICP−AESで分析することにより測定することができる。
The present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, the solder material having the As-enriched layer on the surface side has little discoloration and time-dependent change in viscosity when formed into a paste, and contains As. Although a solder material to be used usually has a tendency to have low wettability, it has been found that if the As-enriched layer is formed on the surface, such a decrease in wettability does not occur. The inventors have found that the above-mentioned problems can be solved if used, and have completed the present invention.
That is, specific embodiments of the present invention are as follows.
In the present specification, when "-" is used to represent a numerical range, the range includes the numerical values at both ends. The content of each element can be measured, for example, by analyzing with ICP-AES based on JIS Z3910.
[1] Sn又はSn系合金、40〜250質量ppmのAs、0〜3000質量ppmのSb、0〜10000質量ppmのBi及び0〜5100質量ppmのPbを含み((ただし、Bi及びPbの含有量が同時に0質量ppmになることはない)、As濃化層を有する、はんだ材料。
[2] As、Sb、Bi及びPbの含有量が、下記式(1)及び式(2)を満たす、[1]に記載のはんだ材料。
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
ただし、式(1)及び式(2)中、As、Sb、Bi及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。
[3] 前記はんだ材料の形態が粉末である、[1]又は[2]に記載のはんだ材料。
[4] [3]に記載のはんだ材料、及びフラックスを含むソルダペースト。
[5] 酸化ジルコニウム粉末をさらに含む[4]に記載のソルダペースト。
[6] ソルダペースト全体の質量に対する酸化ジルコニウム粉末の含有量が0.05〜20.0質量%である、[5]に記載のソルダペースト。
[7] Sn又はSn系合金、40〜250質量ppmのAs、0〜3000質量ppmのSb、0〜10000質量ppmのBi及び0〜5100質量ppmのPbを含み(ただし、Bi及びPbの含有量が同時に0質量ppmになることはない)、As濃化層を有する、はんだ継手。
[1] Sn or Sn-based alloy, containing 40 to 250 ppm by mass of As, 0 to 3000 ppm by mass of Sb, 0 to 10000 ppm by mass of Bi, and 0 to 5100 ppm by mass of Pb ((however, Bi and Pb The content does not become 0 mass ppm at the same time), a solder material having an As-concentrated layer.
[2] The solder material according to [1], wherein the contents of As, Sb, Bi, and Pb satisfy the following formulas (1) and (2).
275 ≦ 2As + Sb + Bi + Pb (1)
0.01 ≦ (2As + Sb) / (Bi + Pb) ≦ 10.00 (2)
However, in the formulas (1) and (2), As, Sb, Bi and Pb represent the contents (mass ppm) in each solder material.
[3] The solder material according to [1] or [2], wherein the form of the solder material is a powder.
[4] A solder paste containing the solder material according to [3] and a flux.
[5] The solder paste according to [4], further comprising a zirconium oxide powder.
[6] The solder paste according to [5], wherein the content of the zirconium oxide powder is 0.05 to 20.0% by mass based on the total mass of the solder paste.
[7] Sn or Sn-based alloy, containing 40 to 250 ppm by mass of As, 0 to 3000 ppm by mass of Sb, 0 to 10000 ppm by mass of Bi, and 0 to 5100 ppm by mass of Pb (provided that Bi and Pb are contained) (The amount does not become 0 mass ppm at the same time), a solder joint having an As-concentrated layer.
本発明によれば、変色が少なく、濡れ性も良好で、サイクル特性等の信頼性が高く、ソルダペーストとしたときの経時での粘度上昇の小さいはんだ材料を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a solder material that has little discoloration, good wettability, high reliability such as cycle characteristics, and a small increase in viscosity over time when used as a solder paste.
以下、本発明を実施するための形態(以下、「本実施形態」という。)について説明する。
ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
Hereinafter, a mode for carrying out the present invention (hereinafter, referred to as “the present embodiment”) will be described.
However, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
本実施形態において、はんだ材料は、Sn又はSn系合金、0〜3000質量ppmのSb、0〜10000質量ppmのBi及び0〜5100質量ppmのPbを含む。ただし、Bi及びPbの含有量が同時に0質量ppmになることはなく、Sb、Bi及びPbのうちの2種類以上が含まれていること(2種以上の含有量が0質量ppm超)が好ましく、Sb、Bi及びPbのすべてが含まれていること(3種すべての含有量が0質量ppm超)も好ましい。 In the present embodiment, the solder material contains Sn or a Sn-based alloy, 0 to 3000 ppm by mass of Sb, 0 to 10000 ppm by mass of Bi, and 0 to 5100 ppm by mass of Pb. However, the content of Bi and Pb does not become 0 mass ppm at the same time, and the fact that two or more types of Sb, Bi and Pb are contained (the content of two or more types exceeds 0 mass ppm) is required. It is also preferable that all of Sb, Bi and Pb are contained (the content of all three is more than 0 mass ppm).
ここで、Snの純度は、特に限定されず、例えば、純度が3N(99.9%以上)、4N(99.99%以上)、5N(99.999%以上)であるもの等の当業界で一般的なものを用いることができる。
また、Sn系合金としては、Sn−Ag合金、Sn−Cu合金、Sn−Ag−Cu合金、Sn−Ag−Cu−Ni−Co合金、Sn−In合金や前記合金組成にAg、Cu、In、Ni、Co、Ge、P、Fe、Zn、Al、Ga等を更に添加した合金が挙げられる。Sn系合金中のSnの含有量に限定はないが、例えば、40質量%超とすることができる。
なお、Sn及びSn系合金は、不可避不純物を含んでいてもよい。
Here, the purity of Sn is not particularly limited. For example, the purity of Sn is 3N (99.9% or more), 4N (99.99% or more), and 5N (99.999% or more). And a general one can be used.
Examples of the Sn-based alloy include Sn-Ag alloy, Sn-Cu alloy, Sn-Ag-Cu alloy, Sn-Ag-Cu-Ni-Co alloy, Sn-In alloy, and Ag, Cu, In , Ni, Co, Ge, P, Fe, Zn, Al, Ga and the like. The Sn content in the Sn-based alloy is not limited, but can be, for example, more than 40% by mass.
Note that Sn and Sn-based alloys may contain unavoidable impurities.
本実施形態においてSn系合金は、はんだ濡れ性、融点、その他のはんだ材料としての物性の観点から、0.005〜40質量%のAg及び/又は0.001〜10質量%のCuを含み、残部がSnであるものが好ましい。
この場合、ΔTの観点からは、はんだ材料全体の質量に対するAgの含有量は、4質量%以下が好ましい。Agの含有量が3.8質量%を超えるとΔTが大幅に増大する傾向にある。はんだ材料全体の質量に対するAgの含有量は、0.1〜3.8質量%がより好ましく、0.5〜3.5質量%が最も好ましい。
また、ΔTの観点からは、はんだ材料全体の質量に対するCuの含有量は、1.0質量%以下が好ましい。Cuの含有量が0.9質量%を超えるとΔTが大幅に増大する傾向にある。はんだ材料全体の質量に対するCuの含有量は、0.05〜0.9質量%がより好ましく、0.1〜0.7質量%が最も好ましい。
なお、上記のAg及びCuの含有量の好ましい数値範囲は各々独立したものであって、Ag及びCuの含有量は各々独立して決定することができる。
In the present embodiment, the Sn-based alloy contains 0.005 to 40% by mass of Ag and / or 0.001 to 10% by mass of Cu from the viewpoint of solder wettability, melting point, and other physical properties as a solder material. It is preferable that the balance be Sn.
In this case, from the viewpoint of ΔT, the content of Ag based on the total mass of the solder material is preferably 4% by mass or less. If the Ag content exceeds 3.8% by mass, ΔT tends to increase significantly. The Ag content based on the total mass of the solder material is more preferably 0.1 to 3.8% by mass, and most preferably 0.5 to 3.5% by mass.
Further, from the viewpoint of ΔT, the content of Cu with respect to the total mass of the solder material is preferably 1.0% by mass or less. When the content of Cu exceeds 0.9% by mass, ΔT tends to greatly increase. The content of Cu based on the total mass of the solder material is more preferably 0.05 to 0.9% by mass, and most preferably 0.1 to 0.7% by mass.
The preferred numerical ranges for the Ag and Cu contents are independent of each other, and the Ag and Cu contents can be determined independently of each other.
本実施形態において、はんだ材料全体の質量に対するAsの含有量は、40〜250質量ppm(0.0040〜0.0250質量%)であり、40〜150質量ppmが好ましく、50〜100質量ppmがより好ましい。Asの含有量が40質量ppm未満であると、As濃化層を形成することが極めて難しい。
Asは、はんだ材料全体の質量に対する含有量が40〜250質量ppmであるという条件を満たし、はんだ材料中にAs濃化層が存在していれば、その一部又は全部がSnやSn系合金と共に合金(金属間化合物や固溶体等)を構成していてもよいし、Sn系合金とは別に、例えばAs単体や酸化物として、存在していてもよい。
In the present embodiment, the content of As with respect to the total mass of the solder material is 40 to 250 mass ppm (0.0040 to 0.0250 mass%), preferably 40 to 150 mass ppm, and 50 to 100 mass ppm. More preferred. If the As content is less than 40 ppm by mass, it is extremely difficult to form an As-enriched layer.
As satisfies the condition that the content based on the mass of the entire solder material is 40 to 250 ppm by mass, and if an As-enriched layer is present in the solder material, part or all of the alloy is Sn or a Sn-based alloy. Together with an alloy (such as an intermetallic compound or a solid solution), or may exist separately from the Sn-based alloy, for example, as a simple substance of As or an oxide.
本実施形態において、はんだ材料全体の質量に対するSbの含有量は0〜3000質量ppm、Biの含有量は0〜10000質量ppm、Pbの含有量は0〜5100質量ppmである。
Sb、Bi又はPbが十分に存在していると粘度上昇が抑制される傾向にあることが判明した。その理由は明らかではないが、これらの元素はSnに対して貴な金属であり、そのため、Sn−Sb/Bi/Pb合金はSnよりもイオン化しにくく、フラックスへのイオン状態(塩)としての溶出が起こりにくくなるためと考えられる。ただし、機序はこれによらない。また、Bi及びPbは、はんだ材料がAsを含む場合に起こる濡れ性の低下を抑制する傾向もある。
一方で、Sb、Bi及びPbの含有量が大きすぎると、固相線温度が低下し、液相線温度(TL)と固相線温度(TS)との差(ΔT=TL−TS)が大きくなり、溶融はんだの凝固過程において、BiやPbの含有量が少ない高融点の結晶相が先に析出し、その後、BiやPbの濃度が高い低融点の結晶相が偏析するため、はんだ材料の機械的強度等が劣化し、サイクル特性等の信頼性を低下させるおそれがある。特に、Bi濃度が高い結晶相は硬くて脆いため、はんだ材料中で偏析すると信頼性が著しく低下するおそれがある。
In the present embodiment, the content of Sb is 0 to 3000 mass ppm, the content of Bi is 0 to 10000 mass ppm, and the content of Pb is 0 to 5100 mass ppm with respect to the mass of the entire solder material.
It has been found that when Sb, Bi or Pb is sufficiently present, the increase in viscosity tends to be suppressed. Although the reason is not clear, these elements are noble metals with respect to Sn, and therefore, the Sn—Sb / Bi / Pb alloy is less ionizable than Sn, and as an ion state (salt) to the flux. It is considered that elution hardly occurs. However, the mechanism does not depend on this. Bi and Pb also tend to suppress a decrease in wettability that occurs when the solder material contains As.
On the other hand, if the contents of Sb, Bi, and Pb are too large, the solidus temperature decreases, and the difference between the liquidus temperature (T L ) and the solidus temperature (T S ) (ΔT = T L − T S ) increases, and in the solidification process of the molten solder, a high melting point crystal phase having a low Bi or Pb content is precipitated first, and then a low melting point crystal phase having a high Bi or Pb concentration is segregated. Therefore, the mechanical strength and the like of the solder material may be deteriorated, and the reliability such as cycle characteristics may be reduced. In particular, since the crystal phase having a high Bi concentration is hard and brittle, the segregation in the solder material may significantly reduce the reliability.
以上の観点から、Sb、Bi及びPbの含有量の好ましい範囲は以下の通りである。
Sb含有量の下限は、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは100質量ppm以上であり、特に好ましくは300質量ppm以上である。また、Sb含有量の上限は、好ましくは1150質量ppm以下であり、より好ましくは500質量ppm以下である。
Bi含有量の下限は、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは75質量ppm以上であり、特に好ましくは100質量ppm以上であり、最も好ましくは250質量ppm以上である。また、Bi含有量の上限は、好ましくは1000質量ppm以下であり、より好ましくは600質量ppm以下であり、さらに好ましくは500質量ppm以下である。
Pb含有量の下限は、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは75質量ppm以上であり、特に好ましくは100質量ppm以上であり、最も好ましくは250質量ppm以上である。また、Pb含有量の上限は、好ましくは5000質量ppm以下であり、より好ましくは1000質量ppm以下であり、さらに好ましくは850質量ppm以下であり、特に好ましくは500質量ppm以下である。
From the above viewpoints, preferred ranges of the contents of Sb, Bi and Pb are as follows.
The lower limit of the Sb content is preferably at least 25 ppm by mass, more preferably at least 50 ppm by mass, further preferably at least 100 ppm by mass, particularly preferably at least 300 ppm by mass. The upper limit of the Sb content is preferably 1150 ppm by mass or less, more preferably 500 ppm by mass or less.
The lower limit of the Bi content is preferably 25 mass ppm or more, more preferably 50 mass ppm or more, further preferably 75 mass ppm or more, particularly preferably 100 mass ppm or more, and most preferably 250 mass ppm or more. It is not less than ppm by mass. The upper limit of the Bi content is preferably 1000 ppm by mass or less, more preferably 600 ppm by mass or less, and further preferably 500 ppm by mass or less.
The lower limit of the Pb content is preferably 25 mass ppm or more, more preferably 50 mass ppm or more, further preferably 75 mass ppm or more, particularly preferably 100 mass ppm or more, and most preferably 250 mass ppm or more. It is not less than ppm by mass. The upper limit of the Pb content is preferably 5,000 ppm by mass or less, more preferably 1,000 ppm by mass or less, further preferably 850 ppm by mass or less, and particularly preferably 500 ppm by mass or less.
Sb、Bi、及び、Pbは、はんだ材料全体の質量に対する含有量が上述の条件を満たしていれば、全部がSnやSn系合金と共に合金(金属間化合物や固溶体等)を構成していてもよいし、その一部がSn系合金とは別に存在していてもよい。 As long as the content of Sb, Bi, and Pb with respect to the mass of the entire solder material satisfies the above-mentioned conditions, even if all of them constitute an alloy (intermetallic compound, solid solution, or the like) together with Sn or a Sn-based alloy. Alternatively, a part thereof may be present separately from the Sn-based alloy.
本実施形態において、As、Sb、Bi、及びPbの含有量は、下記(1)式を満たすことが好ましい。
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
上記(1)式中、As、Sb、Bi、及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。
As、Sb、Bi及びPbは、いずれもペーストとしたときの粘土上昇を抑制する効果(増粘抑制効果)を示す元素であるので、増粘抑制の観点からは、これらの合計が275ppm以上であることが好ましい。(1)式中、As含有量を2倍にしたのは、AsがSbやBiやPbと比較して増粘抑制効果が高いためである。
2As+Sb+Bi+Pbは、好ましくは350以上であり、より好ましくは1200以上である。一方、2As+Sb+Bi+Pbに上限はないが、ΔTを適した範囲にする観点から、18600以下であり、好ましくは10200以下であり、さらに好ましくは5300以下であり、特に好ましくは3800以下である。
上記好ましい態様の中から上限および下限を適宜選択したものが、下記(1a)式および(1b)式である。
275≦2As+Sb+Bi+Pb≦18600 (1a)
275≦2As+Sb+Bi+Pb≦5300 (1b)
上記(1a)及び(1b)式中、As、Sb、Bi、及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。
In the present embodiment, the contents of As, Sb, Bi, and Pb preferably satisfy the following expression (1).
275 ≦ 2As + Sb + Bi + Pb (1)
In the above formula (1), As, Sb, Bi, and Pb represent the contents (mass ppm) in each solder material.
As, Sb, Bi and Pb are elements each exhibiting the effect of suppressing the rise of clay (thickening suppression effect) when made into a paste, so that from the viewpoint of suppression of thickening, the total of these elements is 275 ppm or more. Preferably, there is. In the formula (1), the reason why the As content is doubled is that As has a higher effect of suppressing thickening than Sb, Bi, or Pb.
2As + Sb + Bi + Pb is preferably 350 or more, more preferably 1200 or more. On the other hand, there is no upper limit for 2As + Sb + Bi + Pb, but from the viewpoint of setting ΔT in a suitable range, it is 18600 or less, preferably 10200 or less, more preferably 5300 or less, and particularly preferably 3800 or less.
The following formulas (1a) and (1b) are those in which the upper and lower limits are appropriately selected from the above preferred embodiments.
275 ≦ 2As + Sb + Bi + Pb ≦ 18600 (1a)
275 ≦ 2As + Sb + Bi + Pb ≦ 5300 (1b)
In the formulas (1a) and (1b), As, Sb, Bi, and Pb represent the contents (mass ppm) in each solder material.
本実施形態において、As、Sb、Bi、及びPbの含有量は、下記(2)式を満たすことが好ましい。
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
上記(2)式中、As、Sb、Bi、及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。
一般に、As及びSbの含有量が多いとはんだ材料の濡れ性が劣化する傾向にある。一方、Bi及びPbは、Asを含有することによる濡れ性の劣化を抑制するが、含有量が多すぎるとΔTが上昇してしまうため、厳密な管理が必要である。特に、Bi及びPbを同時に含有する合金組成では、ΔTが広がりやすく、BiおよびPbの含有量を増加させて過度に濡れ性を向上させようとするとΔTが広がってしまう。一方、AsやSbの含有量を増加させて増粘抑制効果を向上させようとすると濡れ性が劣化してしまう。しかし、As及びSbのグループと、Bi及びPbのグループに分け、両グループの合計含有量が式(2)の関係を満足するようにすれば、As及びSbのグループとBi及びPbグループの含有量の間のバランスが適正になり、増粘抑制効果、ΔTの狭窄化、および濡れ性のすべてを同時に満たすことができる。
(2As+Sb)/(Bi+Pb)が0.01未満であると、Bi及びPbの含有量の合計がAs及びPbの含有量の合計と比較して相対的に多くなるため、ΔTが広がってしまう。(2As+Sb)/(Bi+Pb)は0.01以上であることが好ましく、より好ましくは0.02以上であり、さらに好ましくは0.41以上であり、なお好ましくは0.90以上であり、特に好ましくは1.00以上であり、最も好ましくは1.40以上である。一方、(2As+Sb)/(Bi+Pb)が10.00を超えると、As及びSbの含有量の合計がBi及びPbの含有量の合計より相対的に多くなるため、濡れ性が劣化してしまう。(2As+Sb)/(Bi+Pb)は10.00以下であることが好ましく、より好ましくは5.33以下であり、さらに好ましくは4.50以下であり、なお好ましくは2.67以下であり、特に好ましくは4.18以下であり、最も好ましくは2.30以下である。
なお、(2)式の分母は「Bi+Pb」であるので、式(2)が満たされる場合には、BiおよびPbのうちの少なくとも1種が必ず含有されることになる。Bi及びPbのいずれも含有しないはんだ材料は、前述のように、濡れ性が劣る傾向にある。
上記好ましい態様の中から上限および下限を適宜選択したものが、下記(2a)式である。
0.31≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2a)
上記(2a)式中、As、Sb、Bi、及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。
In the present embodiment, the contents of As, Sb, Bi, and Pb preferably satisfy the following expression (2).
0.01 ≦ (2As + Sb) / (Bi + Pb) ≦ 10.00 (2)
In the above formula (2), As, Sb, Bi, and Pb represent the contents (mass ppm) in each solder material.
Generally, when the content of As and Sb is large, the wettability of the solder material tends to deteriorate. On the other hand, Bi and Pb suppress the deterioration of wettability due to the inclusion of As. However, if the content is too large, ΔT increases, so strict management is required. In particular, in an alloy composition containing both Bi and Pb, ΔT easily spreads, and if the content of Bi and Pb is increased to improve the wettability excessively, ΔT will increase. On the other hand, when the content of As or Sb is increased to improve the effect of suppressing thickening, wettability deteriorates. However, if the group is divided into the group of As and Sb and the group of Bi and Pb, and the total content of both groups satisfies the relationship of equation (2), the content of the group of As and Sb and the group of Bi and Pb The balance between the amounts becomes appropriate, and the effect of suppressing thickening, narrowing of ΔT, and wettability can all be satisfied at the same time.
If (2As + Sb) / (Bi + Pb) is less than 0.01, the total content of Bi and Pb is relatively larger than the total content of As and Pb, and thus ΔT is widened. (2As + Sb) / (Bi + Pb) is preferably 0.01 or more, more preferably 0.02 or more, further preferably 0.41 or more, still more preferably 0.90 or more, and particularly preferably. Is 1.00 or more, and most preferably 1.40 or more. On the other hand, when (2As + Sb) / (Bi + Pb) exceeds 10.00, the total content of As and Sb becomes relatively larger than the total content of Bi and Pb, and the wettability deteriorates. (2As + Sb) / (Bi + Pb) is preferably at most 10.00, more preferably at most 5.33, further preferably at most 4.50, still more preferably at most 2.67, particularly preferably Is 4.18 or less, most preferably 2.30 or less.
Since the denominator of the expression (2) is “Bi + Pb”, when the expression (2) is satisfied, at least one of Bi and Pb is necessarily contained. As described above, a solder material containing neither Bi nor Pb tends to have poor wettability.
The following formula (2a) is one in which the upper and lower limits are appropriately selected from the above preferred embodiments.
0.31 ≦ (2As + Sb) / (Bi + Pb) ≦ 10.00 (2a)
In the above formula (2a), As, Sb, Bi, and Pb represent the contents (mass ppm) in each solder material.
なお、本実施形態において、As、Sb、Bi及びPbの含有量は、上述の式(1)及び式(2)の少なくとも一方を満たしていることが好ましく、両方満たしていることがより好ましい。 In the present embodiment, the content of As, Sb, Bi and Pb preferably satisfies at least one of the above formulas (1) and (2), and more preferably satisfies both.
本実施形態においては、はんだ材料は、その少なくとも一部にAs濃化層を有する。ここで、As濃化層とは、As濃度が、はんだ材料中の平均As濃度(はんだ材料全体の質量に対するAsの含有量)より高くなっている領域をいい、具体的には後述の判定基準により存在を確認することができる。
As濃化層は、はんだ材料の表面側の少なくとも一部に存在していることが好ましく、表面全体を覆っていることが好ましい。
In the present embodiment, the solder material has an As-enriched layer on at least a part thereof. Here, the “As-enriched layer” refers to a region where the As concentration is higher than the average As concentration in the solder material (the content of As relative to the mass of the entire solder material). Can confirm the presence.
The As-enriched layer is preferably present on at least a part of the surface side of the solder material, and preferably covers the entire surface.
(判定基準)
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプル(はんだ材料が板状でない場合には、5.0mm×5.0mmの範囲にはんだ材料(はんだ粉末、はんだボール等)を隙間なく敷き詰めたもの)を用意し、その中から任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを併用したXPS分析を行う。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行う。全3回の分析の全てにおいて後述のS1とS2の大小関係が一致する場合(As濃化層が表面側に存在している場合は、全3回の分析全てにおいてS1>S2となる場合)、As濃化層が形成されていると判断する。
ここで、S1、S2及びD1の定義は以下の通りである。
S1:上述のサンプルについて行ったXPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが0〜2×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
S2:上述のサンプルについて行ったXPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが2×D1〜4×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
D1:上述のサンプルについて行ったXPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となるSiO2換算の深さ(Do・max(nm))より深い部分において、O原子の検出強度が最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO2換算の深さ(nm)(図3参照)。
ただし、本判定基準におけるXPS分析の詳細な条件は、後述の「(1)As濃化層の有無の評価」の記載に従う。
なお、本判定基準においては、D1が定義できる、すなわち、XPS分析チャートにおいて、O原子の検出強度が最大値を取るということを前提としており、D1が定義できない場合(O原子の検出強度が常に一定等の場合)には、As濃化層は存在していないと判断するものとする。
(Judgment criteria)
Sample of 5.0 mm x 5.0 mm size (If the solder material is not plate-like, solder material (solder powder, solder balls, etc.) spread over the area of 5.0 mm x 5.0 mm without gaps) Is prepared, an arbitrary area of 700 μm × 300 μm is selected therefrom, and XPS analysis using ion sputtering is performed. One area is selected for each sample, and analysis is performed three times, once for each of the three samples. When the magnitude relationship between S1 and S2 described later coincides in all three analyzes (when the As-enriched layer exists on the surface side, S1> S2 in all three analyses) , As concentrated layers are formed.
Here, the definitions of S1, S2 and D1 are as follows.
S1: In the chart of the XPS analysis performed on the sample described above, the integrated value of the detected intensity of As in the region where the depth in terms of SiO 2 is 0 to 2 × D1 (nm) S2: The XPS analysis performed on the sample described above In the chart, the integrated value of the detected intensity of As in the region where the depth in terms of SiO 2 is 2 × D1 to 4 × D1 (nm) D1: In the chart of the XPS analysis performed on the above sample, the detected intensity of the O atom is In the portion deeper than the maximum SiO 2 -converted depth (Do · max (nm)), the first SiO 2 at which the detection intensity of O atoms becomes 検 出 of the maximum detection intensity (intensity at Do · max). Conversion depth (nm) (see FIG. 3).
However, the detailed conditions of the XPS analysis in this determination criterion follow the description of “(1) Evaluation of presence or absence of As-enriched layer” described later.
Note that, in this determination criterion, it is assumed that D1 can be defined, that is, the detection intensity of O atoms takes the maximum value in the XPS analysis chart. If D1 cannot be defined (the detection intensity of O atoms is always In such a case, it is determined that the As-enriched layer does not exist.
As濃化層が存在すると、変色、濡れ性、ソルダペーストとしたときの粘度上昇の問題が解決できる理由は明らかでないが、粘度上昇はSnやSn酸化物とソルダペースト(フラックス)に含まれる活性剤等の各種添加剤との間で生じる反応により、塩が形成されたり、はんだ材料が凝集すること等によって引き起こされると考えられるところ、はんだ材料の表面にAs濃化層が存在すると、はんだ合金とフラックスの間にAs濃化層が介在することになり、上述のような反応が起こりにくくなるためと考えられる。ただし、機序はこれによらない。 It is not clear why the presence of the As-concentrated layer can solve the problems of discoloration, wettability, and increase in viscosity when used as a solder paste. However, the increase in viscosity is due to the activity contained in Sn or Sn oxide and the solder paste (flux). Is considered to be caused by the reaction between various additives such as an agent and the formation of a salt or agglomeration of the solder material. However, if an As-enriched layer is present on the surface of the solder material, the solder alloy It is considered that an As-enriched layer is interposed between the flux and the flux, and the above-described reaction hardly occurs. However, the mechanism does not depend on this.
本実施形態において、As濃化層の厚み(SiO2換算)に限定はないが、0.5〜8.0nmが好ましく、0.5〜4.0nmがより好ましく、0.5〜2.0nmが最も好ましい。ここで、As濃化層の厚みとは、2×D1をいう。
As濃化層の厚みが上記の範囲であると、濡れ性に悪影響を及ぼすことなく、変色とソルダペーストとしたときの経時での粘度上昇を十分に抑えることができる。
In the present embodiment, the thickness (in terms of SiO 2 ) of the As-concentrated layer is not limited, but is preferably 0.5 to 8.0 nm, more preferably 0.5 to 4.0 nm, and 0.5 to 2.0 nm. Is most preferred. Here, the thickness of the As concentrated layer means 2 × D1.
When the thickness of the As-concentrated layer is within the above range, discoloration and an increase in viscosity over time when the solder paste is formed can be sufficiently suppressed without adversely affecting wettability.
本実施形態のはんだ材料は、はんだ材料全体の質量に対するAsの含有量及びSb、Bi及びPbの含有量が上記範囲内であり、はんだ材料にAs濃化層が含まれることにより、変色やソルダペーストとしたときの経時での粘度上昇が抑制され、しかも、濡れ性や信頼性にも優れる。 In the solder material of the present embodiment, the content of As and the content of Sb, Bi, and Pb with respect to the mass of the entire solder material are within the above-described ranges. The increase in viscosity over time when the paste is formed is suppressed, and the wettability and reliability are excellent.
本実施形態のはんだ材料の製造方法に限定はなく、原料金属を溶融混合することにより製造することができる。
はんだ材料中にAs濃化層を形成する方法にも限定はない。As濃化層の形成方法の一例としては、はんだ材料を酸化雰囲気(空気や酸素雰囲気)中で加熱することが挙げられる。加熱温度に限定はないが、例えば、40〜200℃とすることができ、50〜80℃であってもよい。加熱時間にも限定はなく、例えば、数分〜数日間、好ましくは数分〜数時間とすることができる。十分な量のAs濃化層を形成するためには、加熱時間は10分以上、さらには20分以上とすることが好ましい。
There is no limitation on the method of manufacturing the solder material according to the present embodiment, and the solder material can be manufactured by melting and mixing the raw material metals.
There is no limitation on the method of forming the As-enriched layer in the solder material. As an example of a method for forming the As-enriched layer, heating a solder material in an oxidizing atmosphere (air or oxygen atmosphere) can be mentioned. The heating temperature is not limited, but may be, for example, 40 to 200 ° C, or may be 50 to 80 ° C. The heating time is not limited, and may be, for example, several minutes to several days, preferably several minutes to several hours. In order to form a sufficient amount of the As-concentrated layer, the heating time is preferably at least 10 minutes, more preferably at least 20 minutes.
本実施形態において、はんだ材料の形態に特に限定されなく、棒はんだのような棒状であってもよいし、ワイヤ状であってもよいし、はんだボールやはんだ粉末等の粒子状であってもよい。
はんだ材料が粒子状であるとはんだ材料の流動性が向上する。
In the present embodiment, the shape of the solder material is not particularly limited, and may be a bar shape such as a bar solder, a wire shape, or a particle shape such as a solder ball or a solder powder. Good.
When the solder material is in the form of particles, the fluidity of the solder material is improved.
粒子状のはんだ材料の製造方法に限定はなく、溶融させたはんだ材料を滴下して粒子を得る滴下法や遠心噴霧する噴霧法、バルクのはんだ材料を粉砕する方法等、公知の方法を採用することができる。滴下法や噴霧法において、滴下や噴霧は、粒子状とするために不活性雰囲気や溶媒中で行うことが好ましい。 There is no limitation on the manufacturing method of the particulate solder material, and a known method such as a dripping method of dropping a molten solder material to obtain particles, a spraying method of centrifugal spraying, and a method of pulverizing a bulk solder material is used. be able to. In the dropping method or the spraying method, the dropping or spraying is preferably performed in an inert atmosphere or a solvent in order to form particles.
また、はんだ材料が粒子状である場合、JIS Z 3284−1:2004における粉末サイズの分類(表2)において記号1〜8に該当するサイズ(粒度分布)を有していると、微細な部品へのはんだ付けが可能となる。粒子状はんだ材料のサイズは、記号4〜8に該当するサイズであることがより好ましく、記号5〜8に該当するサイズであることがより好ましい。
はんだ材料が粒子状である場合、真球度は0.90以上が好ましく、0.95以上がより好ましく、0.99以上が最も好ましい。
In addition, when the solder material is in the form of particles, if the solder material has a size (particle size distribution) corresponding to the symbols 1 to 8 in the powder size classification (Table 2) in JIS Z 3284-1: 2004, a fine component Soldering is possible. The size of the particulate solder material is more preferably a size corresponding to the symbols 4 to 8, and more preferably a size corresponding to the symbols 5 to 8.
When the solder material is particulate, the sphericity is preferably 0.90 or more, more preferably 0.95 or more, and most preferably 0.99 or more.
本実施形態において、はんだ材料の使用形態は特に限定されない。例えば、油脂等と混合してやに入りはんだとしてもよいし、はんだ材料が粉末状である場合には、ロジン系樹脂、活性剤、溶剤等を含むフラックスと混合してソルダペーストとして使用したり、はんだボールとして使用することができるが、本実施形態のはんだ材料は、ソルダペーストとした場合の経時的な粘度上昇が小さいので、とりわけソルダペーストとして使用するのに適している。 In the present embodiment, the usage form of the solder material is not particularly limited. For example, it may be mixed with an oil or the like to form a cored solder, or when the solder material is in a powder form, mixed with a flux containing a rosin-based resin, an activator, a solvent, etc., and used as a solder paste, Although the solder material can be used as a ball, the solder material of the present embodiment is particularly suitable for use as a solder paste, since the increase in viscosity over time when the solder paste is used is small.
本実施形態において、ソルダペーストは、本実施形態のはんだ粉末とフラックスとを含む。
ここで、「フラックス」とは、ソルダペーストにおけるはんだ粉末以外の成分全体のことをいい、はんだ粉末とフラックスとの質量比(はんだ粉末:フラックス)に限定はなく、用途に応じて適宜設定することができる。
In the present embodiment, the solder paste contains the solder powder and the flux of the present embodiment.
Here, the “flux” refers to the entire components other than the solder powder in the solder paste, and there is no limitation on the mass ratio between the solder powder and the flux (solder powder: flux), which may be appropriately set according to the application. Can be.
本実施形態において、フラックスの組成に限定はなく、例えば、樹脂成分;溶剤;活性剤、チクソ剤、pH調整剤、酸化防止剤、着色剤、消泡剤等の各種添加剤等を任意の割合で含むことができる。樹脂、溶剤、各種添加剤についても限定はなく、ソルダペーストにおいて一般に使用されているものが使用できる。活性剤については、好ましい具体例としては有機酸、アミン、ハロゲン(有機ハロゲン化合物、アミンハロゲン化水素酸塩)等が挙げられる。 In the present embodiment, the composition of the flux is not limited. For example, a resin component; a solvent; various additives such as an activator, a thixotropic agent, a pH adjuster, an antioxidant, a coloring agent, and an antifoaming agent in an arbitrary ratio. Can be included. There is no limitation on the resin, solvent and various additives, and those generally used in solder paste can be used. Preferred specific examples of the activator include organic acids, amines, and halogens (organic halogen compounds, amine hydrohalides).
本実施形態において、ソルダペーストは、酸化ジルコニウム粉末をさらに含むことができる。ソルダペースト全体の質量に対する酸化ジルコニウム粉末の含有量は、0.05〜20.0質量%が好ましく、0.05〜10.0質量%がより好ましく、0.1〜3質量%が最も好ましい。
酸化ジルコニウム粉末の含有量が上記範囲内であれば、フラックスに含まれる活性剤が酸化ジルコニウム粉末と優先的に反応し、はんだ粉末表面のSnやSn酸化物との反応が起こりにくくなることで経時変化による粘度上昇を更に抑制する効果が発揮される。
In this embodiment, the solder paste may further include a zirconium oxide powder. The content of the zirconium oxide powder based on the total mass of the solder paste is preferably 0.05 to 20.0% by mass, more preferably 0.05 to 10.0% by mass, and most preferably 0.1 to 3% by mass.
When the content of the zirconium oxide powder is within the above range, the activator contained in the flux reacts preferentially with the zirconium oxide powder, and the reaction with Sn or Sn oxide on the surface of the solder powder becomes less likely to occur. The effect of further suppressing the increase in viscosity due to the change is exhibited.
ソルダペーストに添加する酸化ジルコニウム粉末の粒径の上限に限定はないが、5μm以下であることが好ましい。粒径が5μm以下であるとペーストの印刷性を維持することができる。また、下限も特に限定されることはないが、0.5μm以上であることが好ましい。上記粒径は、酸化ジルコニウム粉末のSEM写真を撮影し、視野内に存在する各粒子について画像解析により投影円相当径を求めたときの、投影円相当径が0.1μm以上であるものの投影円相当径の平均値とする。
酸化ジルコニウム粒子の形状は特に限定されないが、異形状であればフラックスとの接触面積が大きく増粘抑制効果がある。球形であると良好な流動性が得られるためにペーストとしての優れた印刷性が得られる。所望の特性に応じて適宜形状を選択すればよい。
The upper limit of the particle size of the zirconium oxide powder added to the solder paste is not limited, but is preferably 5 μm or less. When the particle size is 5 μm or less, the printability of the paste can be maintained. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 0.5 μm or more. The above-mentioned particle diameter is obtained by taking an SEM photograph of the zirconium oxide powder and obtaining the equivalent diameter of the projected circle by image analysis for each particle present in the visual field. The average value of the equivalent diameter is used.
The shape of the zirconium oxide particles is not particularly limited, but a different shape has a large contact area with the flux and has an effect of suppressing thickening. Spherical shape provides good fluidity, and therefore excellent printability as a paste. What is necessary is just to select a shape suitably according to a desired characteristic.
本実施形態において、ソルダペーストは、本実施形態のはんだ材料(はんだ粉末)とフラックスとを公知の方法により混練することにより製造することができる。
本実施形態におけるソルダペーストは、例えば、電子機器における微細構造の回路基板に使用することができ、具体的には、メタルマスクを用いた印刷法、ディスペンサを用いた吐出法、又は転写ピンによる転写法等により、はんだ付け部に塗布し、リフローを行うことができる。
In the present embodiment, the solder paste can be manufactured by kneading the solder material (solder powder) of the present embodiment and a flux by a known method.
The solder paste in the present embodiment can be used, for example, for a circuit board having a fine structure in an electronic device. Specifically, a printing method using a metal mask, an ejection method using a dispenser, or transfer using a transfer pin is used. It can be applied to a soldered portion by a method or the like and reflowed.
本実施形態において、はんだ材料は、2つ又はそれ以上の各種部材を接合する継手(接合部分)として使用することができる。接合部材に限定はなく、例えば、電子機器部材の継手としても有用である。
本実施形態において、はんだ継手は、Sn又はSn系合金、40〜250質量ppmのAs、0〜3000質量ppmのSb、0〜10000質量ppmのBi及び0〜5100質量ppmのPbを含み(ただし、Sb、Bi及びPbの含有量がすべて同時に0質量ppmになることはない)、少なくともその一部にAs濃化層を含む。本実施形態のはんだ継手は、上述の本実施形態のはんだ材料と同様の組成及び物性を有することができ、上述の本実施形態のはんだ材料を用いて形成することができる。
はんだ継手全体の質量に対するAsの含有量及びSb、Bi及びSbの含有量が上記範囲内であり、はんだ継手にAs濃化層が含まれる場合には、変色がなく信頼性に優れたはんだ継手となる。
In this embodiment, the solder material can be used as a joint (joining portion) for joining two or more various members. The joining member is not limited, and is useful, for example, as a joint for electronic device members.
In the present embodiment, the solder joint includes Sn or a Sn-based alloy, 40 to 250 ppm by mass of As, 0 to 3000 ppm by mass of Sb, 0 to 10000 ppm by mass of Bi, and 0 to 5100 ppm by mass of Pb (provided that , Sb, Bi and Pb do not all become 0 mass ppm at the same time), at least a part of which contains an As-enriched layer. The solder joint of the present embodiment can have the same composition and physical properties as the above-described solder material of the present embodiment, and can be formed using the above-described solder material of the present embodiment.
When the content of As and the content of Sb, Bi and Sb with respect to the mass of the entire solder joint are within the above range, and the solder joint includes an As-enriched layer, the solder joint has no discoloration and excellent reliability. Becomes
本実施形態において、はんだ継手は、例えば、本実施形態のはんだ材料からなるはんだボールや本実施形態のソルダペーストを、接合予定部分に配置又は塗布し、加熱するなどの、当業界で一般的な方法で製造することができる。 In the present embodiment, the solder joint is, for example, a solder ball made of the solder material of the present embodiment or the solder paste of the present embodiment, placed or applied to the portion to be joined, and heated, such as common in the industry. It can be manufactured by a method.
以下、本発明について実施例により具体的に説明するが、本発明は実施例に記載の内容に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to the contents described in the examples.
(評価)
実施例、比較例それぞれのはんだ粉末について、以下のとおり、(1)As濃化層の有無の評価、(2)増粘抑制の評価、(3)はんだ濡れ性の評価、(4)信頼性の評価を行った。
(Evaluation)
For each of the solder powders of Examples and Comparative Examples, (1) evaluation of the presence or absence of an As-concentrated layer, (2) evaluation of suppression of thickening, (3) evaluation of solder wettability, (4) reliability Was evaluated.
(1)As濃化層の有無の評価
As濃化層の有無は、XPS(X線光電分光法:X-ray Photoelectron Spectroscopy)による深さ方向分析を用いて以下の様に評価した。
(分析条件)
・分析装置:微小領域X線光電子分光分析装置(クレイトス・アナリティカル社製AXIS Nova)
・分析条件:X線源 AlKα線、X線銃電圧 15kV、X線銃電流値 10mA、分析エリア 700μm×300μm
・スパッタ条件:イオン種 Ar+、加速電圧 2kV、スパッタリングレート 0.5nm/min(SiO2換算)
・サンプル:カーボンテープを貼ったステージ上にはんだ材料(実施例及び比較例におけるはんだ粉末)を隙間なく平坦に敷き詰めたものを3つ用意し、サンプルとした。ただし、サンプルの大きさは5.0mm×5.0mmとした。
(評価手順)
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプルの中から、任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを行いながらSn、O及びAsの各原子についてXPS分析を行い、XPS分析のチャートを得た。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行った。
XPS分析により得られたチャートの一例を図1〜3に示す。図1〜3は、同一のサンプルについて縦軸の検出強度(cps)のスケールを変更したものであり、横軸はスパッタ時間から算出したSiO2換算の深さ(nm)である。XPS分析のチャートにおいては、縦軸は、検出強度(cps)であり、横軸は、スパッタ時間(min)又はスパッタ時間からSiO2標準試料のスパッタエッチングレートを用いて算出したSiO2換算の深さ(nm)のいずれかから選択できるが、図1〜3においては、XPS分析のチャートにおける横軸を、スパッタ時間からSiO2標準試料のスパッタエッチングレートを用いて算出したSiO2換算の深さ(nm)とした。
そして、各サンプルのXPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となったSiO2換算の深さをDo・max(nm)とした(図2参照)。そして、Do・maxより深い部分において、O原子の検出強度が、最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO2換算の深さをD1(nm)とした。
次いで、各サンプルのXPS分析のチャートにおいて、最表面から深さ2×D1までの領域(SiO2換算の深さが0〜2×D1(nm)の領域)におけるAsの検出強度の積分値(S1)と、深さ2×D1からさらに2×D1だけ深い部分までの領域(SiO2換算の深さが2×D1〜4×D1(nm)の領域)におけるAsの検出強度の積分値(S2)(図3参照)とを求め、その比較を行った。
そして、以下の基準に基づいて評価を行った。
・全3回の測定の全てにおいてS1>S2となる
:As濃化層が形成されている(○)
・全3回の測定のうちの2回以下の回数でS1>S2となる
:As濃化層が形成されていない(×)
(1) Evaluation of presence / absence of As-enriched layer The presence / absence of As-enriched layer was evaluated as follows using depth direction analysis by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy).
(Analysis conditions)
・ Analyzer: Micro-area X-ray photoelectron spectrometer (AXIS Nova manufactured by Kratos Analytical)
・ Analysis conditions: X-ray source AlKα ray, X-ray gun voltage 15 kV, X-ray gun current value 10 mA, analysis area 700 μm × 300 μm
-Sputtering conditions: ion species Ar + , acceleration voltage 2 kV, sputtering rate 0.5 nm / min (SiO 2 conversion)
-Samples: Three samples were prepared by spreading a solder material (solder powder in Examples and Comparative Examples) flatly on a stage on which a carbon tape was stuck without gaps. However, the size of the sample was 5.0 mm × 5.0 mm.
(Evaluation procedure)
An arbitrary area of 700 μm × 300 μm is selected from a sample having a size of 5.0 mm × 5.0 mm, and XPS analysis is performed for each atom of Sn, O, and As while performing ion sputtering, and a chart of XPS analysis is performed. I got One area was selected for each sample, and the analysis was performed three times, once for each of the three samples.
An example of a chart obtained by the XPS analysis is shown in FIGS. 1 to 3 show the same sample with the scale of the detection intensity (cps) on the vertical axis changed, and the horizontal axis shows the depth (nm) in terms of SiO 2 calculated from the sputtering time. In the chart of the XPS analysis, the vertical axis represents the detection intensity (cps), and the horizontal axis represents the sputtering time (min) or the depth in terms of SiO 2 calculated from the sputtering time using the sputter etching rate of the SiO 2 standard sample. In FIGS. 1 to 3, the horizontal axis in the chart of the XPS analysis is the depth in terms of SiO 2 calculated from the sputtering time using the sputter etching rate of the SiO 2 standard sample. (Nm).
Then, in the chart of the XPS analysis of each sample, the depth in terms of SiO 2 at which the detection intensity of O atoms became the maximum was defined as Do · max (nm) (see FIG. 2). Then, in a portion deeper than Do · max, the first depth in terms of SiO 2 at which the detection intensity of O atoms becomes 1 / of the maximum detection intensity (intensity at Do · max) is defined as D1 (nm). .
Next, in the chart of the XPS analysis of each sample, the integrated value of the detected intensity of As in the region from the outermost surface to a depth of 2 × D1 (region where the depth in terms of SiO 2 is 0 to 2 × D1 (nm)) ( S1) and the integrated value of the detected intensity of As in a region from the depth 2 × D1 to a portion further deeper by 2 × D1 (a region where the depth in terms of SiO 2 is 2 × D1 to 4 × D1 (nm)) ( S2) (see FIG. 3) was obtained and compared.
The evaluation was performed based on the following criteria.
S1> S2 in all three measurements
: As-enriched layer is formed (○)
S1> S2 when the number of measurements is two or less out of all three measurements
: No As-concentrated layer was formed (x)
(2)増粘抑制の評価
以下の表1に示す組成の各材料を加熱撹拌した後、冷却することによりフラックスを調製した。調製したフラックス、並びに実施例、比較例それぞれのはんだ粉末を、フラックスとはんだ粉末との質量比(フラックス:はんだ粉末)が11:89となるように混練してソルダペーストを製造した。
(2) Evaluation of suppression of thickening Each material having the composition shown in Table 1 below was heated and stirred, and then cooled to prepare a flux. The prepared flux, and the solder powder of each of Examples and Comparative Examples were kneaded so that the mass ratio of the flux to the solder powder (flux: solder powder) was 11:89 to produce a solder paste.
得られたソルダペーストについて、JIS Z 3284−3の「4.2 粘度特性試験」に記載された方法に従って、回転粘度計(PCU−205、株式会社マルコム製)を用い、回転数:10rpm、測定温度:25℃にて、粘度を12時間測定し続けた。そして、初期粘度(撹拌30分後の粘度)と12時間後の粘度とを比較し、以下の基準に基づいて増粘抑制効果の評価を行った。
12時間後の粘度 ≦ 初期粘度×1.2 :経時での粘度上昇が小さく良好(○)
12時間後の粘度 > 初期粘度×1.2 :経時での粘度上昇が大きく不良(×)
The obtained solder paste was measured using a rotational viscometer (PCU-205, manufactured by Malcom Co., Ltd.) at a rotation speed of 10 rpm according to the method described in “4.2 Viscosity characteristic test” of JIS Z 3284-3. At a temperature of 25 ° C., the viscosity was continuously measured for 12 hours. Then, the initial viscosity (viscosity after 30 minutes of stirring) and the viscosity after 12 hours were compared, and the thickening suppressing effect was evaluated based on the following criteria.
Viscosity after 12 hours ≦ initial viscosity × 1.2: little increase in viscosity over time and good (○)
Viscosity after 12 hours> Initial viscosity × 1.2: Viscosity increase with time is large and poor (×)
(3)はんだ濡れ性の評価
上記の「(2)増粘抑制の評価」と同様にして、実施例及び比較例それぞれのはんだ粉末を用いてソルダペーストを製造した。
得られたソルダペーストを、Cu板上に開口径6.5mm、開口数4個、マスク厚0.2mmのメタルマスクを用いて印刷し、リフロー炉において、N2雰囲気下、昇温速度1℃/secで25℃から260℃まで加熱した後、室温(25℃)まで空冷し、4個のはんだバンプを形成した。光学顕微鏡(倍率:100倍)を用いて、得られたはんだバンプの外観を観察し、以下の基準に基づいて評価を行った。
4個のはんだバンプの全てにおいて溶融しきれないはんだ粒子が観察されなかった。
:はんだ濡れ性が良好(○)
4個のはんだバンプのうちの1個以上において溶融しきれないはんだ粒子が観察された。 :はんだ濡れ性が不良(×)
(3) Evaluation of solder wettability In the same manner as in “(2) Evaluation of suppression of thickening”, a solder paste was produced using the solder powder of each of the examples and the comparative examples.
The obtained solder paste was printed on a Cu plate using a metal mask having an opening diameter of 6.5 mm, a number of openings of 4 and a mask thickness of 0.2 mm, and in a reflow furnace under a N 2 atmosphere at a heating rate of 1 ° C. After heating from 25 ° C. to 260 ° C./sec, air cooling was performed to room temperature (25 ° C.) to form four solder bumps. The appearance of the obtained solder bumps was observed using an optical microscope (magnification: 100 times), and evaluated based on the following criteria.
No solder particles that could not be melted were observed in all four solder bumps.
: Good solder wettability (O)
Solder particles that could not be completely melted were observed in one or more of the four solder bumps. : Poor solder wettability (×)
(4)信頼性の評価
実施例、比較例それぞれのはんだ粉末について、示差走査熱量計(EXSTAR DSC7020、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製)を用いて、昇温速度:5℃/分(180℃〜250℃)、降温速度:−3℃/分(250℃〜150℃)、キャリアガス:N2の測定条件でDSC測定を行い、液相線温度(TL)及び固相線温度(TS)を測定した。そして、液相線温度(TL)と固相線温度(TS)との差(ΔT=TL−TS)を算出し、以下の基準に基づいて評価を行った。
ΔTが10℃以内:信頼性に優れる(○)
ΔTが10℃超 :信頼性に劣る(×)
はんだ粉末の液相線温度(TL)と固相線温度(TS)との差(ΔT=TL−TS)が大きい場合、当該はんだ粉末を含むソルダペーストを電子機器の基板に塗布後、凝固する際に、はんだ粉末の表面に融点の高い組織が析出しやすい。はんだ粉末の表面に融点の高い組織が析出すると、その後、はんだ粉末の内側に向かって融点の低い組織が逐次析出し、はんだ粉末の組織が不均一となりやすく、サイクル性等の信頼性を低下させる原因になる。
(4) Evaluation of reliability For each of the solder powders of the examples and the comparative examples, using a differential scanning calorimeter (EXSTAR DSC7020, manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.), the rate of temperature rise: 5 ° C./min (180 ° C.) DSC measurement under the measurement conditions of temperature drop rate: −3 ° C./min (250 ° C. to 150 ° C.), carrier gas: N 2 , liquidus temperature (T L ) and solidus temperature (T S ) was measured. Then, calculate the difference between the liquidus temperature (T L) and the solidus temperature (T S) and (ΔT = T L -T S) , were evaluated based on the following criteria.
ΔT within 10 ° C: Excellent reliability (○)
ΔT exceeds 10 ° C .: Poor reliability (×)
If the difference between the liquidus temperature (T L ) and the solidus temperature (T S ) of the solder powder is large (ΔT = T L −T S ), the solder paste containing the solder powder is applied to the substrate of the electronic device. Later, when solidifying, a structure having a high melting point tends to precipitate on the surface of the solder powder. When a structure having a high melting point is deposited on the surface of the solder powder, a structure having a low melting point is sequentially deposited toward the inside of the solder powder, and the structure of the solder powder is likely to be non-uniform, which lowers reliability such as cycleability. Cause.
(実施例A1〜A18、比較例A1〜A24)
Sn、As、Sb、Bi及びPbを、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表2に示すようになり、Snがその残部(Sn、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、JIS Z3284−1:2004の粉末サイズ分類(表2)の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例A3〜A14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
(Examples A1 to A18, Comparative Examples A1 to A24)
The contents of Sn, As, Sb, Bi, and Pb are as shown in Table 2 below, and the content of Sn is 100% (Sn, As, Sb, Bi, and Pb is 100%). The powder (average particle diameter: 21 μm, powder size classification of JIS Z3284-1: 2004, Table 4) was obtained by weighing, melting and mixing in an Ar atmosphere. Corresponding to). The obtained powder was heated at 60 ° C. for 30 minutes in the air using a drying device to obtain solder powders of Examples and Comparative Examples. In Comparative Examples A3 to A14, the heat treatment was not performed, and the powder obtained by centrifugal spraying was directly used as a solder powder.
As Sn, a 3N material containing unavoidable impurities was used.
(実施例B1〜B18、比較例B1〜B24)
Sn、Cu、As、Sb、Bi及びPbを、Cuの含有量が0.7質量%、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表3に示すようになり、Snがその残部(Sn、Cu、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるようになるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、粉末サイズ分類の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例B3〜B14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
(Examples B1 to B18, Comparative Examples B1 to B24)
The contents of Sn, Cu, As, Sb, Bi and Pb were as shown in Table 3 below, with the content of Cu being 0.7% by mass, and the contents of As, Sb, Bi and Pb as shown in Table 3 below. The powder (average particle size) is weighed, melt-mixed, and centrifugally sprayed in an Ar atmosphere to obtain a powder (average particle diameter) of Sn, Cu, As, Sb, Bi, and Pb so that the total is 100% by mass. 21 μm, corresponding to powder size classification 4). The obtained powder was heated at 60 ° C. for 30 minutes in the air using a drying device to obtain solder powders of Examples and Comparative Examples. In Comparative Examples B3 to B14, the heat treatment was not performed, and the powder obtained by centrifugal spraying was directly used as the solder powder.
As Sn, a 3N material containing unavoidable impurities was used.
(実施例C1〜C18、比較例C1〜C24)
Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbを、Cuの含有量が0.5質量%、Agの含有量が1.0質量%、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表4に示すようになり、Snがその残部(Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるようになるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、粉末サイズ分類の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例C3〜C14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
実施例C1で得られたはんだ粉末について、Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbの含有量をJIS Z 3910に準拠してICP−AESで分析したところ、仕込み量と一致していることが確認できた。
(Examples C1 to C18, Comparative Examples C1 to C24)
Sn, Ag, Cu, As, Sb, Bi, and Pb, the content of Cu is 0.5% by mass, the content of Ag is 1.0% by mass, the content of As, Sb, Bi, and Pb is as follows. As shown in Table 4, the sample was weighed and melt-mixed so that Sn became the balance (the balance where the total of Sn, Ag, Cu, As, Sb, Bi and Pb was 100% by mass). A powder (average particle size 21 μm, corresponding to powder size classification 4) was prepared by centrifugal spraying in an Ar atmosphere. The obtained powder was heated at 60 ° C. for 30 minutes in the air using a drying device to obtain solder powders of Examples and Comparative Examples. In Comparative Examples C3 to C14, the heat treatment was not performed, and the powder obtained by centrifugal spraying was directly used as a solder powder.
As Sn, a 3N material containing unavoidable impurities was used.
When the contents of Sn, Ag, Cu, As, Sb, Bi and Pb of the solder powder obtained in Example C1 were analyzed by ICP-AES based on JIS Z 3910, they were consistent with the charged amount. That was confirmed.
(実施例D1〜D18、比較例D1〜D24)
Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbを、Cuの含有量が0.5質量%、Agの含有量が2.0質量%、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表5に示すようになり、Snがその残部(Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるようになるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、粉末サイズ分類の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例D3〜D14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なおSnとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
(Examples D1 to D18, Comparative Examples D1 to D24)
Sn, Ag, Cu, As, Sb, Bi, and Pb, the content of Cu is 0.5% by mass, the content of Ag is 2.0% by mass, and the content of As, Sb, Bi, and Pb is as follows. As shown in Table 5, the sample was weighed and melt-mixed so that Sn became the balance (the balance where the total of Sn, Ag, Cu, As, Sb, Bi and Pb was 100% by mass). A powder (average particle size 21 μm, corresponding to powder size classification 4) was prepared by centrifugal spraying in an Ar atmosphere. The obtained powder was heated at 60 ° C. for 30 minutes in the air using a drying device to obtain solder powders of Examples and Comparative Examples. In Comparative Examples D3 to D14, the heat treatment was not performed, and the powder obtained by centrifugal spraying was directly used as a solder powder.
As Sn, a 3N material containing unavoidable impurities was used.
(実施例E1〜E18、比較例E1〜E24)
Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbを、Cuの含有量が0.5質量%、Agの含有量が3.0質量%、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表6に示すようになり、Snがその残部(Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるようになるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、粉末サイズ分類の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例E3〜E14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
(Examples E1 to E18, Comparative Examples E1 to E24)
Sn, Ag, Cu, As, Sb, Bi, and Pb, the Cu content is 0.5% by mass, the Ag content is 3.0% by mass, and the As, Sb, Bi, and Pb contents are as follows. As shown in Table 6, the sample was weighed and melt-mixed so that Sn became the balance (the balance where the total of Sn, Ag, Cu, As, Sb, Bi and Pb was 100% by mass). A powder (average particle size 21 μm, corresponding to powder size classification 4) was prepared by centrifugal spraying in an Ar atmosphere. The obtained powder was heated at 60 ° C. for 30 minutes in the air using a drying device to obtain solder powders of Examples and Comparative Examples. In Comparative Examples E3 to E14, the heat treatment was not performed, and the powder obtained by centrifugal spraying was directly used as a solder powder.
As Sn, a 3N material containing unavoidable impurities was used.
(実施例F1〜F18、比較例F1〜F24)
Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbを、Cuの含有量が0.5質量%、Agの含有量が3.5質量%、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表7に示すようになり、Snがその残部(Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるようになるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、粉末サイズ分類の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例F3〜F14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
(Examples F1 to F18, Comparative Examples F1 to F24)
Sn, Ag, Cu, As, Sb, Bi, and Pb, the content of Cu is 0.5% by mass, the content of Ag is 3.5% by mass, and the content of As, Sb, Bi, and Pb is as follows. As shown in Table 7, the sample was weighed and melt-mixed so that Sn became the balance (the balance where the total of Sn, Ag, Cu, As, Sb, Bi and Pb was 100% by mass). A powder (average particle size 21 μm, corresponding to powder size classification 4) was prepared by centrifugal spraying in an Ar atmosphere. The obtained powder was heated at 60 ° C. for 30 minutes in the air using a drying device to obtain solder powders of Examples and Comparative Examples. In Comparative Examples F3 to F14, the heat treatment was not performed, and the powder obtained by centrifugal spraying was directly used as the solder powder.
As Sn, a 3N material containing unavoidable impurities was used.
実施例及び比較例それぞれのはんだ粉末についての、(1)As濃化層の有無の評価、(2)増粘抑制の評価、(3)はんだ濡れ性の評価、(4)信頼性の評価の評価結果を以下の表2〜7に示す。 (1) Evaluation of presence / absence of an As-concentrated layer, (2) Evaluation of suppression of thickening, (3) Evaluation of solder wettability, (4) Evaluation of reliability for each of the solder powders of Examples and Comparative Examples The evaluation results are shown in Tables 2 to 7 below.
本発明のはんだ材料は、変色がなく、はんだ濡れ性やサイクル特性等の信頼性にも優れているため各種用途に利用でき、とりわけ、ペーストとしたときの経時での粘度上昇が小さいので、ソルダペースト用はんだ材料として好適に利用することができる。 The solder material of the present invention has no discoloration and is excellent in reliability such as solder wettability and cycle characteristics, and can be used for various applications. It can be suitably used as a paste solder material.
また、はんだ材料が粒子状である場合、JIS Z 3284−1:2014における粉末サイズの分類(表2)において記号1〜8に該当するサイズ(粒度分布)を有していると、微細な部品へのはんだ付けが可能となる。粒子状はんだ材料のサイズは、記号4〜8に該当するサイズであることがより好ましく、記号5〜8に該当するサイズであることがより好ましい。
はんだ材料が粒子状である場合、真球度は0.90以上が好ましく、0.95以上がより好ましく、0.99以上が最も好ましい。
In addition, when the solder material is in the form of particles, if the solder material has a size (particle size distribution) corresponding to the symbols 1 to 8 in the powder size classification (Table 2) in JIS Z 3284-1: 2014 , the fine component Soldering is possible. The size of the particulate solder material is more preferably a size corresponding to the symbols 4 to 8, and more preferably a size corresponding to the symbols 5 to 8.
When the solder material is particulate, the sphericity is preferably 0.90 or more, more preferably 0.95 or more, and most preferably 0.99 or more.
(実施例A1〜A18、比較例A1〜A24)
Sn、As、Sb、Bi及びPbを、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表2に示すようになり、Snがその残部(Sn、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、JIS Z3284−1:2014の粉末サイズ分類(表2)の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例A3〜A14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
(Examples A1 to A18, Comparative Examples A1 to A24)
The contents of Sn, As, Sb, Bi, and Pb are as shown in Table 2 below, and the content of Sn is 100% (Sn, As, Sb, Bi, and Pb is 100%). The powder is weighed so as to obtain a balance of 2% by mass, melt-mixed, and centrifugally sprayed in an Ar atmosphere to obtain a powder (average particle diameter: 21 μm, JIS Z3284-1: powder size classification of 2014 (Table 2) 4). Corresponding to). The obtained powder was heated at 60 ° C. for 30 minutes in the air using a drying device to obtain solder powders of Examples and Comparative Examples. In Comparative Examples A3 to A14, the heat treatment was not performed, and the powder obtained by centrifugal spraying was directly used as a solder powder.
As Sn, a 3N material containing unavoidable impurities was used.
本発明は、ペーストとしたときの経時での粘度上昇が小さく、濡れ性及び信頼性に優れるはんだ材料を提供することを目的とする。 The present invention, viscosity increase over time when the paste is small, and an object thereof is to provide a solder material excellent in wettability and reliability.
Claims (8)
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
ただし、式(1)及び式(2)中、As、Sb、Bi及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。 The solder material according to claim 1, wherein the contents of As, Sb, Bi, and Pb satisfy the following formulas (1) and (2).
275 ≦ 2As + Sb + Bi + Pb (1)
0.01 ≦ (2As + Sb) / (Bi + Pb) ≦ 10.00 (2)
However, in the formulas (1) and (2), As, Sb, Bi and Pb represent the contents (mass ppm) in each solder material.
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