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JP2020098910A - Light-emitting device and integrated light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device and integrated light-emitting device Download PDF

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JP2020098910A
JP2020098910A JP2019236806A JP2019236806A JP2020098910A JP 2020098910 A JP2020098910 A JP 2020098910A JP 2019236806 A JP2019236806 A JP 2019236806A JP 2019236806 A JP2019236806 A JP 2019236806A JP 2020098910 A JP2020098910 A JP 2020098910A
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有一 山田
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Abstract

【課題】広配光でかつ各種発光色の発光が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】導体配線102を有する基体101と、基体に実装され、第1の光を発光する発光素子105と、発光素子の上面に設けられ、第1の光の少なくとも一部を吸収して第1の光より長波長の光を発光する波長変換部材106と、波長変換部材の上面に設けられた光反射膜107と、発光素子、波長変換部材及び光反射膜を被覆する封止部材110と、を有し、封止部材の幅(W)に対する高さ(H)の比(H/W)が0.5より小さい。
【選択図】図1A
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device capable of wide light distribution and emitting light of various emission colors.
SOLUTION: A base 101 having a conductor wiring 102, a light emitting element 105 mounted on the base and emitting a first light, and provided on an upper surface of the light emitting element, absorbing at least a part of the first light. The wavelength conversion member 106 that emits light having a longer wavelength than the first light, the light reflection film 107 provided on the upper surface of the wavelength conversion member, and the sealing member 110 that covers the light emitting element, the wavelength conversion member, and the light reflection film. And the ratio (H/W) of the height (H) to the width (W) of the sealing member is smaller than 0.5.
[Selection diagram] Figure 1A

Description

本開示は、発光装置および集積型発光装置に関する。 The present disclosure relates to a light emitting device and an integrated light emitting device.

近年、様々な電子部品が提案され、また実用化されており、これらに求められる性能も高くなっている。特に、電子部品には、厳しい使用環境下でも長時間性能を維持することが求められている。このような要求は、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)をはじめとする半導体発光素子を利用した発光装置についても例外ではない。すなわち、一般照明分野や車載照明分野において、発光装置に要求される性能は日増しに高まっており、更なる高出力(高輝度)化や高信頼性が要求されている。さらに、これらの高い性能を維持しつつ、低価格で供給することも発光装置には要求されている。
液晶テレビに使用されるバックライトや一般照明器具等では、デザイン製が重要視され、薄型化の要望が高い。
In recent years, various electronic components have been proposed and put into practical use, and the performance required for them has been increasing. In particular, electronic components are required to maintain their performance for a long time even under severe operating environments. Such a requirement is not an exception for a light emitting device using a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode (LED). That is, in general lighting fields and in-vehicle lighting fields, the performance required of the light emitting device is increasing day by day, and further higher output (higher brightness) and higher reliability are required. Further, it is required for the light emitting device to supply at a low price while maintaining these high performances.
For backlights and general lighting equipment used in LCD TVs, design-made products are considered important, and there are strong demands for thinner products.

例えば特許文献1には、サブマウントにフリップチップ実装された発光素子の上面にリフレクタを設けることで、バックライトの薄型化を実現する発光装置が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a light emitting device that realizes a thin backlight by providing a reflector on the upper surface of a light emitting element flip-chip mounted on a submount.

特開2008−4948号公報JP, 2008-4948, A

しかしながら、従来のバックライト光源は、薄型化の要求に十分応えられていない。 However, the conventional backlight light source has not sufficiently met the demand for thinning.

本発明に係る実施形態は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、広配光でかつ各種発光色の発光が可能な発光装置を提供することを目的とする。 The embodiment according to the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a light emitting device that has a wide light distribution and can emit light of various emission colors.

本実施形態に係る発光装置は、導体配線を有する基体と、前記基体に実装され、第1の光を発光する発光素子と、前記発光素子の上面に設けられ、前記第1の光の少なくとも一部を吸収して前記第1の光より長波長の光を発光する波長変換部材と、前記波長変換部材の上面に設けられた光反射膜と、前記発光素子、前記波長変換部材及び光反射膜を被覆する封止部材と、を有し、
前記封止部材の幅(W)に対する高さ(H)の比(H/W)が0.5より小さい。
The light emitting device according to the present embodiment includes a base having conductor wiring, a light emitting element mounted on the base to emit a first light, and at least one of the first light provided on an upper surface of the light emitting element. Wavelength converting member that absorbs light having a wavelength longer than that of the first light, a light reflecting film provided on the upper surface of the wavelength converting member, the light emitting element, the wavelength converting member, and a light reflecting film. And a sealing member that covers
The ratio (H/W) of the height (H) to the width (W) of the sealing member is smaller than 0.5.

本発明に係る実施形態によれば、灯具全面に蛍光体シートを形成したり、二次レンズを使用したりすることなく、広配光の白色光源が可能となる。これにより、本実施形態に係る発光装置を、例えば、バックライト光源に適用すると、薄型のバックライト光源が実現できる。 According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a white light source with a wide light distribution without forming a phosphor sheet on the entire surface of the lamp or using a secondary lens. Accordingly, when the light emitting device according to the present embodiment is applied to a backlight light source, for example, a thin backlight light source can be realized.

第1実施形態の発光装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light-emitting device of 1st Embodiment. 第1実施形態の変形例の発光装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light-emitting device of the modification of 1st Embodiment. 第2実施形態の発光装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light-emitting device of 2nd Embodiment. 第3実施形態の発光装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light-emitting device of 3rd Embodiment. 誘電体多層膜の入射角に対する透過率を示すグラフである。7 is a graph showing the transmittance of a dielectric multilayer film with respect to the incident angle. 第4実施形態の発光モジュール400の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting module 400 of 4th Embodiment. (a)は、第4実施形態の発光モジュール400に使用することができる板状部材410’の上面図であり、(b)は、(a)のA−A断面図である。(A) is a top view of the plate-shaped member 410' which can be used for the light emitting module 400 of 4th Embodiment, (b) is an AA sectional view of (a).

以下、本発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置は、技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一つの実施の形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。
さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the light-emitting device described below is for embodying the technical idea, and the present invention is not limited to the following unless otherwise specified. In addition, the contents described in one embodiment and example can be applied to other embodiments and examples.
Further, in the following description, the same names and reference numerals indicate the same or similar members, and detailed description thereof will be appropriately omitted. Further, each element constituting the present invention may be configured such that a plurality of elements are configured by the same member and one member also serves as a plurality of elements, or conversely, the function of one member is performed by a plurality of members. It can be shared and realized.

[第1実施形態]
図1Aは、第1実施形態の発光装置(発光装置100)の構成を示す概略断面図である。
図1Aに示されるように、本実施形態は、表面に導体配線102が設けられた基体101と、基体101に載置される発光素子105を有する。発光素子105は、基体101の表面に設けられた少なくとも一対の導体配線102に跨がるように、接続部材103を介してフリップチップ実装されている。発光素子105の光取り出し面側(発光素子105の上面)には発光素子105より一回り大きい波長変換部材106が設けられており、その光取り出し面側に光反射膜107が形成されている。具体的には、波長変換部材106の発光素子105に対向する底面の面積は、発光素子105の上面の面積よりも大きくなっており、発光素子105の上面の外周端が波長変換部材106の底面の外周端の内側に位置するように、波長変換部材106が発光素子105上に設けられている。また、光反射膜107は、波長変換部材106の光取り出し面のほぼ全面に設けられている。
また、第1実施形態の発光装置100は、発光素子105および波長変換部材106を覆う透光性の封止部材110を備えている。導体配線102の上には、少なくとも発光素子105が電気的に接続される領域を除いて、絶縁部材104が設けられていてもよい。尚、図1Aにおいて、112の符号を付して示すものは、必要に応じて設けられる光反射部材であり、後述の第4実施形態で説明するように構成してもよいし、パッケージの側壁により構成されていてもよい。
[First Embodiment]
FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the light emitting device (light emitting device 100) of the first embodiment.
As shown in FIG. 1A, the present embodiment includes a base 101 having a conductor wiring 102 provided on the surface thereof, and a light emitting element 105 mounted on the base 101. The light emitting element 105 is flip-chip mounted via the connecting member 103 so as to straddle at least a pair of conductor wirings 102 provided on the surface of the base body 101. A wavelength conversion member 106, which is slightly larger than the light emitting element 105, is provided on the light extraction surface side of the light emitting element 105 (upper surface of the light emitting element 105), and a light reflection film 107 is formed on the light extraction surface side. Specifically, the area of the bottom surface of the wavelength converting member 106 facing the light emitting element 105 is larger than the area of the upper surface of the light emitting element 105, and the outer peripheral edge of the upper surface of the light emitting element 105 is the bottom surface of the wavelength converting member 106. The wavelength conversion member 106 is provided on the light emitting element 105 so as to be located inside the outer peripheral end of the light emitting element 105. The light reflecting film 107 is provided on almost the entire light extraction surface of the wavelength conversion member 106.
Further, the light emitting device 100 of the first embodiment includes a translucent sealing member 110 that covers the light emitting element 105 and the wavelength conversion member 106. An insulating member 104 may be provided on the conductor wiring 102 except at least a region to which the light emitting element 105 is electrically connected. In FIG. 1A, the reference numeral 112 is a light reflecting member provided as necessary, and may be configured as described in a fourth embodiment described later, or may be a side wall of the package. It may be constituted by.

光反射膜107は、例えば、発光素子105から放射される光と、波長変換部材106で波長変換された光とを合わせた全光量の70%以上を反射する。
これにより、発光素子105や波長変換部材106から放射される光の内、基体101の垂直方向(発光素子105の上面)の成分の多くは光反射膜107により反射され、基体101の水平方向の成分が増加する。
この様な構成とすることで、バットウイング配光特性を実現することが出来る。
ここで、バットウイング配光特性とは、配光角が90°以下の第1領域に配光角が90°のときの強度より大きい強度の第1ピークを有し、配光角が90°以上の第2領域に配光角が90°のときの強度より大きい強度の第2ピークを有するような配光特性を言う。
The light reflection film 107 reflects, for example, 70% or more of the total light amount of the light emitted from the light emitting element 105 and the light wavelength-converted by the wavelength conversion member 106.
As a result, of the light emitted from the light emitting element 105 and the wavelength conversion member 106, most of the components in the vertical direction of the base body 101 (the upper surface of the light emitting element 105) are reflected by the light reflection film 107, and the components in the horizontal direction of the base body 101 are reflected. The ingredients increase.
With such a structure, the bat wing light distribution characteristic can be realized.
Here, the bat wing light distribution characteristic means that the first region having a light distribution angle of 90° or less has a first peak having an intensity higher than the intensity when the light distribution angle is 90°, and the light distribution angle is 90°. The above-mentioned light distribution characteristic has a second peak having an intensity larger than the intensity when the light distribution angle is 90° in the second region.

また、第1実施形態の発光装置100において、図1Aに示すように、発光素子105の側面は、白色樹脂等の白色部材108で覆われていることが好ましい。このようにすると、発光素子105から出射する光はほぼ全て波長変換部材106を通過する。
これにより、発光装置100から出射する光はほぼ全て波長変換部材106からの出射となり、配向角による色ムラを抑制することが出来る。発光素子105の側面が白樹脂で覆われていない場合は広配向角から発光装置100を観測すると発光素子105の発光色がダイレクトに見えてしまい、上段の波長変換部材106との色差が目立ってしまう。
発光素子105および波長変換部材106は、透光性の封止部材110により被覆される。封止部材110は、発光素子105等を外部環境から保護するとともに、波長変換部材106等から出力される光を光学的に制御するため、発光素子105および波長変換部材106を被覆するように基体上に配置される部材である。封止部材110は略ドーム状に形成されており、本実施形態においては、波長変換部材106は封止部材110で直接被覆されている。
Further, in the light emitting device 100 of the first embodiment, as shown in FIG. 1A, the side surface of the light emitting element 105 is preferably covered with a white member 108 such as white resin. By doing so, almost all the light emitted from the light emitting element 105 passes through the wavelength conversion member 106.
Accordingly, almost all the light emitted from the light emitting device 100 is emitted from the wavelength conversion member 106, and color unevenness due to the orientation angle can be suppressed. When the side surface of the light emitting element 105 is not covered with the white resin, when the light emitting device 100 is observed from a wide orientation angle, the emission color of the light emitting element 105 is directly visible, and the color difference with the wavelength conversion member 106 in the upper stage is conspicuous. I will end up.
The light emitting element 105 and the wavelength conversion member 106 are covered with a translucent sealing member 110. The sealing member 110 protects the light emitting element 105 and the like from the external environment, and at the same time, optically controls the light output from the wavelength conversion member 106 and the like, so that the base member covers the light emitting element 105 and the wavelength conversion member 106. It is a member arranged above. The sealing member 110 is formed in a substantially dome shape, and in this embodiment, the wavelength conversion member 106 is directly covered with the sealing member 110.

封止部材110は、上面視においてその外形が円形もしくは楕円形となるように形成されることが好ましく、光軸方向の封止部材の高さ(H)が、上面視における封止部材の径(幅:W)の0.5より小さい比率で形成されている。尚、楕円形の場合、幅の長さには長径と短径が存在するが、本明細書では短径を封止径(W)とする。封止部材110の表面は、例えば、凸状の曲面で形成されている。
この様な構成とすることで、波長変換部材106から出た光は、封止部材110と空気の界面で屈折し、より広配光化させることが可能となる。
ここで、封止部材の高さ(H)は、図1Aに示すように、発光素子105の実装面からの最大の高さを指すものとする。また、封止部材の幅(W)とは、封止部材の底面の形状が円形の場合は上述のように径を指すものとし、その他の形状の場合は、もっとも長さの短いところのことを指すものとする。
図1Aに示す第1実施形態の発光装置100では、封止部材110の表面を凸状の曲面としたが、より広配光とするためには、封止部材110の光軸方向の中央部を平坦又は凹状にするのが望ましい。特に、図1Bに示すように、封止部材110の光軸方向の中央部を凹形状にすることでレンズ効果により光軸方向への光量を少なくすることが出来、より広配光のバットウイング配向が実現できる。
The sealing member 110 is preferably formed so that its outer shape is circular or elliptical in a top view, and the height (H) of the sealing member in the optical axis direction is the diameter of the sealing member in a top view. It is formed with a ratio of (width: W) smaller than 0.5. In the case of an elliptical shape, the width has a major axis and a minor axis, but in this specification, the minor axis is the sealing diameter (W). The surface of the sealing member 110 is formed of, for example, a convex curved surface.
With such a configuration, the light emitted from the wavelength conversion member 106 is refracted at the interface between the sealing member 110 and the air, and the light distribution can be made wider.
Here, the height (H) of the sealing member refers to the maximum height from the mounting surface of the light emitting element 105, as shown in FIG. 1A. The width (W) of the sealing member refers to the diameter as described above when the shape of the bottom surface of the sealing member is circular, and is the shortest in the case of other shapes. Shall be pointed out.
In the light emitting device 100 of the first embodiment shown in FIG. 1A, the surface of the sealing member 110 has a convex curved surface, but in order to achieve a wider light distribution, the central portion of the sealing member 110 in the optical axis direction. Is preferably flat or concave. In particular, as shown in FIG. 1B, by making the central portion of the sealing member 110 in the optical axis direction a concave shape, it is possible to reduce the amount of light in the optical axis direction due to the lens effect, and to achieve a wider light distribution bat wing. Orientation can be realized.

以下、本実施の形態に係る発光装置100の好ましい形態について説明する。
(基体101)
基体101は、発光素子105を載置するための部材である。基体101はその表面に、発光素子105に電力を供給するための導体配線102を有している。
基体101の材料としては、例えば、セラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン、ポリフタルアミド(PPA)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の樹脂が挙げられる。なかでも、低コストと、成型容易性の点から、樹脂を材料として選択することが好ましい。基板の厚みは適宜選択することができ、ロール・ツー・ロール方式で製造可能なフレキシブル基板、あるいはリジット基板のいずれであってもよい。リジット基板は湾曲可能な薄型リジット基板であってもよい。
Hereinafter, a preferable mode of the light emitting device 100 according to the present embodiment will be described.
(Base 101)
The base body 101 is a member for mounting the light emitting element 105. The base 101 has a conductor wiring 102 on its surface for supplying electric power to the light emitting element 105.
Examples of the material of the base 101 include resins such as ceramics, phenol resin, epoxy resin, polyimide resin, BT resin, polyphthalamide (PPA), polyethylene terephthalate (PET), and polyethylene naphthalate (PEN). Above all, it is preferable to select a resin as a material from the viewpoints of low cost and ease of molding. The thickness of the substrate can be appropriately selected, and may be either a flexible substrate that can be manufactured by a roll-to-roll method or a rigid substrate. The rigid substrate may be a bendable thin rigid substrate.

耐熱性及び耐光性に優れた発光装置とするためには、セラミックスを基体101の材料として選択することが好ましい。セラミックスとしては、例えば、アルミナ、ムライト、フォルステライト、ガラスセラミックス、窒化物系(例えば、AlN)、炭化物系(例えば、SiC)等が挙げられる。なかでも、アルミナからなる又はアルミナを主成分とするセラミックスが好ましい。 In order to obtain a light emitting device having excellent heat resistance and light resistance, it is preferable to select ceramics as the material of the base body 101. Examples of ceramics include alumina, mullite, forsterite, glass ceramics, nitride-based (for example, AlN), and carbide-based (for example, SiC). Among them, ceramics made of alumina or containing alumina as a main component is preferable.

また、基体101を構成する材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、SiO、TiO、Al等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。また、基体101としては、一対の導体配線102を絶縁分離できるものであればよく、金属部材に絶縁層を形成している、いわゆる金属基板を用いてもよい。 When a resin is used as the material forming the base 101, glass fibers or an inorganic filler such as SiO 2 , TiO 2 , or Al 2 O 3 is mixed with the resin to improve the mechanical strength and reduce the coefficient of thermal expansion. It is also possible to improve the light reflectance and the like. The base 101 may be any one that can insulate and separate a pair of conductor wirings 102, and a so-called metal substrate in which an insulating layer is formed on a metal member may be used.

(導体配線102)
導体配線102は、発光素子105の電極と電気的に接続され、外部からの電流(電力)を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。通常、正と負の少なくとも2つに離間して形成される。
(Conductor wiring 102)
The conductor wiring 102 is a member that is electrically connected to the electrode of the light emitting element 105 and supplies a current (electric power) from the outside. That is, it plays a role as an electrode for energizing from the outside or a part thereof. Usually, it is formed so as to be separated into at least two of positive and negative.

導体配線102は、発光素子105の載置面となる基体の、少なくとも上面に形成される。導体配線102の材料は、基体101として用いられる材料や製造方法等によって適宜選択することができる。例えば、基体101の材料としてセラミックスを用いる場合は、導体配線102の材料は、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料が好ましく、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を用いるのが好ましい。さらに、その上に鍍金やスパッタリング、蒸着などにより、ニッケル、金、銀など他の金属材料にて被覆してもよい。 The conductor wiring 102 is formed on at least the upper surface of the base body on which the light emitting element 105 is placed. The material of the conductor wiring 102 can be appropriately selected depending on the material used for the base body 101, the manufacturing method, and the like. For example, when ceramics is used as the material of the base 101, the material of the conductor wiring 102 is preferably a material having a high melting point that can withstand the firing temperature of the ceramic sheet, and for example, a metal having a high melting point such as tungsten or molybdenum. It is preferably used. Further, it may be coated with another metal material such as nickel, gold or silver by plating, sputtering, vapor deposition or the like.

また、基体101の材料としてガラスエポキシ樹脂を用いる場合は、導体配線102の材料は、加工し易い材料が好ましい。また、射出成型されたエポキシ樹脂を用いる場合には、導体配線102の材料は、打ち抜き加工、エッチング加工、屈曲加工などの加工がし易く、かつ、比較的大きい機械的強度を有する部材が好ましい。具体例としては、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属、または、鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅、モリブデン等の金属層やリードフレーム等が挙げられる。また、リードフレームの表面を、リードフレーム本体とは異なる他の金属材料で被覆してもよい。この材料は特に限定されないが、例えば、銀のみ、あるいは、銀と、銅、金、アルミニウム、ロジウム等との合金、または、これら、銀や各合金を用いた多層膜とすることができる。また、金属材料の被覆方法は、鍍金法の他にスパッタ法や蒸着法などを用いることができる。 When a glass epoxy resin is used as the material of the base 101, the material of the conductor wiring 102 is preferably a material that can be easily processed. When an injection-molded epoxy resin is used, the material of the conductor wiring 102 is preferably a member that can be easily processed by punching, etching, bending, etc. and has a relatively large mechanical strength. Specific examples thereof include metals such as copper, aluminum, gold, silver, tungsten, iron and nickel, metal layers such as iron-nickel alloy, phosphor bronze, copper containing iron and molybdenum, and lead frames. Further, the surface of the lead frame may be covered with another metal material different from that of the lead frame body. The material is not particularly limited, but may be, for example, only silver, an alloy of silver and copper, gold, aluminum, rhodium, or the like, or a multilayer film using these silver or each alloy. Further, as a method of coating the metal material, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like can be used in addition to the plating method.

(接続部材103)
接続部材103は、発光素子105を基体101または導体配線102に固定するための部材である。本実施形態のようにフリップチップ実装の場合は導電性の部材が用いられる。具体的にはAu含有合金、Ag含有合金、Pd含有合金、In含有合金、Pb−Pd含有合金、Au−Ga含有合金、Au−Sn含有合金、Sn含有合金、Sn−Cu含有合金、Sn−Cu−Ag含有合金、Au−Ge含有合金、Au−Si含有合金、Al含有合金、Cu−In含有合金、金属とフラックスの混合物等を挙げることができる。
(Connecting member 103)
The connection member 103 is a member for fixing the light emitting element 105 to the base 101 or the conductor wiring 102. In the case of flip-chip mounting as in this embodiment, a conductive member is used. Specifically, Au-containing alloy, Ag-containing alloy, Pd-containing alloy, In-containing alloy, Pb-Pd-containing alloy, Au-Ga-containing alloy, Au-Sn-containing alloy, Sn-containing alloy, Sn-Cu-containing alloy, Sn- Examples include Cu-Ag-containing alloys, Au-Ge-containing alloys, Au-Si-containing alloys, Al-containing alloys, Cu-In-containing alloys, and mixtures of metals and fluxes.

接続部材103としては、液状、ペースト状、固体状(シート状、ブロック状、粉末状、ワイヤー状)のものを用いることができ、組成や基体の形状等に応じて、適宜選択することができる。また、これらの接続部材103は、単一部材で形成してもよく、あるいは、数種のものを組み合わせて用いてもよい。 As the connecting member 103, a liquid, paste, or solid (sheet, block, powder, or wire) material can be used, and can be appropriately selected depending on the composition, the shape of the substrate, and the like. .. Further, these connecting members 103 may be formed of a single member, or may be used in combination of several kinds.

(絶縁部材104)
導体配線102は、発光素子105や他材料と電気的に接続する部分以外は絶縁部材104で被覆されている事が好ましい。すなわち、各図に示されるように、基体上には、導体配線102を絶縁被覆するためのレジストが配置されていても良く、絶縁部材104はレジストとして機能させることができる。
(Insulating member 104)
It is preferable that the conductor wiring 102 is covered with an insulating member 104 except for a portion electrically connected to the light emitting element 105 or another material. That is, as shown in each drawing, a resist for insulatingly covering the conductor wiring 102 may be arranged on the substrate, and the insulating member 104 can function as a resist.

絶縁部材104を配置させる場合には、導体配線102の絶縁を行う目的だけでなく、白色系のフィラーを含有させることにより、光の漏れや吸収を防いで、発光装置100の光取り出し効率を上げることもできる。
絶縁部材104の材料は、発光素子からの光の吸収が少ない材料であり、絶縁性であれば特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネート、ポリイミド等を用いることができる。
When the insulating member 104 is arranged, not only for the purpose of insulating the conductor wiring 102, but also by containing a white filler, light leakage and absorption are prevented, and the light extraction efficiency of the light emitting device 100 is improved. You can also
The material of the insulating member 104 is a material that absorbs less light from the light emitting element, and is not particularly limited as long as it is insulating. For example, epoxy, silicone, modified silicone, urethane resin, oxetane resin, acrylic, polycarbonate, polyimide or the like can be used.

(発光素子105)
基体に搭載される発光素子105は、公知のものを利用できる。本実施形態においては、発光素子105として発光ダイオードを用いるのが好ましい。
発光素子105は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSeや窒化物系半導体(InAlGa1−x−yN、0≦X
、0≦Y、X+Y≦1)、GaPを用いたものを用いることができる。成長基板として透光性のサファイア基板等を用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
(Light emitting element 105)
As the light emitting element 105 mounted on the base, a known element can be used. In this embodiment, it is preferable to use a light emitting diode as the light emitting element 105.
The light emitting element 105 can be selected to have an arbitrary wavelength. For example, the blue, the green light emitting element, ZnSe and nitride semiconductor (In x Al y Ga 1- x-y N, 0 ≦ X
, 0≦Y, X+Y≦1), GaP can be used. A transparent sapphire substrate or the like can be used as the growth substrate. Further, GaAlAs, AlInGaP, or the like can be used as the red light emitting element. Furthermore, a semiconductor light emitting element made of a material other than this can also be used. The composition, emission color, size, number and the like of the light emitting element used can be appropriately selected according to the purpose.

半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。発光素子はフリップチップ実装が可能なように、同一面側に正負の電極を有するものであってもよいし、異なる面に正負の電極を有するものであってもよい。 Various emission wavelengths can be selected depending on the material of the semiconductor layer and the degree of mixed crystal thereof. The light emitting element may have positive and negative electrodes on the same surface side or may have positive and negative electrodes on different surfaces so that flip chip mounting is possible.

本実施形態の発光素子105は、透光性の基板と、その基板の上に積層された半導体層を有する。この半導体層には、順にn型半導体層、活性層、p型半導体層が形成されており、n型半導体層にn型電極が形成されており、p型半導体層にp型電極が形成されている。 The light-emitting element 105 of this embodiment has a light-transmitting substrate and a semiconductor layer stacked over the substrate. In this semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer are sequentially formed, an n-type electrode is formed in the n-type semiconductor layer, and a p-type electrode is formed in the p-type semiconductor layer. ing.

発光素子105は、図1A等に示すように、接続部材103を介して基体101の表面の導体配線102にフリップチップ実装されており、電極の形成された面と対向する面、すなわち透光性基板の主面が光取り出し面となる。しかしながら、本実施形態においてはこの光取り出し面に光反射膜107を形成するため、発光素子105の側面が実質的な光取り出し面となる。つまり、発光素子105から出射して、発光素子105の主面側に向かった光の一部は光反射膜107で発光素子105内に戻されて、発光素子105内部で反射を繰り返して、発光素子105の側面側から出射される。従って、発光装置100としての配光特性(図4の点線参照)は光反射膜107を透過した光と、発光素子105の側面から出射した光の合成となる。 As shown in FIG. 1A and the like, the light emitting element 105 is flip-chip mounted on the conductor wiring 102 on the surface of the base body 101 via the connecting member 103, and the surface facing the surface on which the electrode is formed, that is, the light-transmitting property. The main surface of the substrate serves as the light extraction surface. However, in the present embodiment, since the light reflecting film 107 is formed on this light extraction surface, the side surface of the light emitting element 105 becomes a substantial light extraction surface. That is, a part of the light emitted from the light emitting element 105 and directed to the main surface side of the light emitting element 105 is returned to the inside of the light emitting element 105 by the light reflection film 107, and is repeatedly reflected inside the light emitting element 105 to emit light. The light is emitted from the side surface side of the element 105. Therefore, the light distribution characteristic of the light emitting device 100 (see the dotted line in FIG. 4) is a combination of the light transmitted through the light reflection film 107 and the light emitted from the side surface of the light emitting element 105.

発光素子105は、正と負に絶縁分離された2つの導体配線102に跨るように配置されており、導電性の接続部材103によって電気的に接続され、機械的に固定されている。この発光素子105の実装方法は、半田ペーストを用いた実装方法の他、例えばバンプを用いた実装方法とすることができる。また、発光素子105としては発光素子が樹脂等で封止された小型のパッケージ品を用いることも可能であり、特に形状や構造を限定する物では無い。 The light emitting element 105 is arranged so as to straddle the two conductor wirings 102 that are positively and negatively insulated and separated, is electrically connected by a conductive connecting member 103, and is mechanically fixed. The mounting method of the light emitting element 105 may be a mounting method using a solder paste or a mounting method using bumps, for example. Further, as the light emitting element 105, a small packaged product in which the light emitting element is sealed with resin or the like can be used, and the shape and structure are not particularly limited.

後述するように、波長変換部材を備えた発光装置とする場合には、その波長変換部材106を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InAlGa1−x−yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。 As described later, when a light emitting device having a wavelength conversion member, its efficiency wavelength conversion member 106 may excitation can short wavelength capable of emitting nitride semiconductor (In x Al y Ga 1- x-y N , 0≦X, 0≦Y, and X+Y≦1) are preferable.

なお、フリップチップ実装の例で説明したが、発光素子の絶縁性基板側を実装面とし、発光素子の上面に形成された電極とワイヤとを接続する実装形態としてもよい。この場合は発光素子の上面は電極形成面側となり、反射膜は電極形成面側に設けられる。 Although an example of flip-chip mounting has been described, a mounting mode may be used in which the insulating substrate side of the light emitting element is used as the mounting surface and the electrodes and wires formed on the upper surface of the light emitting element are connected. In this case, the upper surface of the light emitting element is on the electrode formation surface side, and the reflection film is provided on the electrode formation surface side.

(光反射膜107)
光反射膜107は波長変換部材106の主面である光取り出し面側に成膜される。
材料としては、金属や白色フィラー含有樹脂でも良く、少なくとも発光素子105が発光する光(第1の光)と波長変換部材106が発光する光(第2の光)を反射する材料であれば特に材料は規定されない。
また、誘電体多層膜を用いることで、吸収の少ない反射膜を得ることが出来る。
誘電体多層膜の材料としては金属酸化膜材料や金属窒化膜または酸窒化膜等を用いることが出来る。また、シリコーン樹脂やフッ素樹脂等の有機材を使用する事もでき、特に材料を規定する物では無い。
(Light reflection film 107)
The light reflection film 107 is formed on the light extraction surface side which is the main surface of the wavelength conversion member 106.
The material may be a metal or a resin containing a white filler, and is particularly a material that reflects at least the light emitted from the light emitting element 105 (first light) and the light emitted from the wavelength conversion member 106 (second light). Material is not specified.
Further, by using the dielectric multilayer film, it is possible to obtain a reflective film with little absorption.
As the material of the dielectric multilayer film, a metal oxide film material, a metal nitride film, an oxynitride film, or the like can be used. Further, an organic material such as silicone resin or fluororesin can be used, and the material is not particularly specified.

また、誘電体多層膜は、反射帯域の光に対して、図4に示すように、誘電体多層膜に垂直に入射する光に対する反射率が高く、入射角が大きくなると透過率が高くなるような入射角に依存する反射特性を有している。したがって、第1実施形態の発光装置において、光反射膜107として誘電体多層膜を用いると、波長変換部材106の側面から出射される光にさらに光反射膜107の上面から光軸に対して大きな角度で出射される光が加わるので、発光装置100から横方向により強い光を出射することが可能になる。これにより、発光装置100から横方向に出射される光の割合が、垂直方向に出射される光に比べてより高い(より強調された)バットウイング配光特性を実現することが可能になる。ここで、本明細書において、光軸とは、発光素子105の発光面に垂直な軸をいう。また、誘電体多層膜は、反射特性(垂直に入射された光に対する反射率及び反射率の入射角依存性等)を、交互に積層する誘電体膜の材料及び積層数等を変更することにより調整することが可能である。したがって、第1実施形態の発光装置において、光反射膜107として誘電体多層膜を用いると、誘電体多層膜の反射特性を発光装置に求められる配光特性に合わせて設計することが可能になり、容易に所望の配光特性を実現することができる。 Further, the dielectric multilayer film has a high reflectance with respect to the light in the reflection band with respect to the light vertically incident on the dielectric multilayer film as shown in FIG. 4, and the transmittance becomes high as the incident angle becomes large. It has a reflection characteristic that depends on various incident angles. Therefore, in the light emitting device of the first embodiment, when the dielectric multilayer film is used as the light reflection film 107, the light emitted from the side surface of the wavelength conversion member 106 is larger than the upper surface of the light reflection film 107 with respect to the optical axis. Since the light emitted at an angle is added, it becomes possible to emit stronger light laterally from the light emitting device 100. This makes it possible to realize a bat wing light distribution characteristic in which the proportion of light emitted in the lateral direction from the light emitting device 100 is higher (more emphasized) than that of light emitted in the vertical direction. Here, in the present specification, the optical axis means an axis perpendicular to the light emitting surface of the light emitting element 105. In addition, the dielectric multi-layered film can be formed by changing the reflection characteristics (reflectance for vertically incident light and incident angle dependence of the reflectivity, etc.) of the material and the number of laminated dielectric films. It is possible to adjust. Therefore, in the light emitting device of the first embodiment, when the dielectric multilayer film is used as the light reflection film 107, the reflection characteristics of the dielectric multilayer film can be designed according to the light distribution characteristics required for the light emitting device. Therefore, it is possible to easily realize a desired light distribution characteristic.

(波長変換部材106)
波長変換部材106は、発光素子105が発光する第1の光の少なくとも一部を吸収して第1の光より長波長の光を発光する部材であり、例えば、蛍光体と透光性材料とを含む板状又はシート状部材である。
透光性材料としては、透光性樹脂、ガラス等の無機材料が使用できる。透光性樹脂としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。透光性樹脂としては、特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。無機材料としては、例えば、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、フッ化カルシウムガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、オキシナイトライドガラス、カルコゲナイドガラス等が挙げられる。
(Wavelength conversion member 106)
The wavelength conversion member 106 is a member that absorbs at least a part of the first light emitted by the light emitting element 105 and emits light having a wavelength longer than that of the first light. For example, a phosphor and a translucent material are used. It is a plate-like or sheet-like member including.
As the translucent material, an inorganic material such as translucent resin or glass can be used. As the translucent resin, a thermosetting resin such as a silicone resin, a silicone-modified resin, an epoxy resin or a phenol resin, a thermoplastic resin such as a polycarbonate resin, an acrylic resin, a methylpentene resin or a polynorbornene resin can be used. As the translucent resin, a silicone resin having excellent light resistance and heat resistance is particularly preferable. Examples of the inorganic material include borosilicate glass, quartz glass, sapphire glass, calcium fluoride glass, aluminoborosilicate glass, oxynitride glass, chalcogenide glass and the like.

蛍光体は、発光素子105からの発光で励起可能なものが使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(Ce:YAG);セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(Ce:LAG);ユウロピウムおよび/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(CaO−Al−SiO);ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体((Sr,Ba)SiO);βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体;KSF系蛍光体(KSiF:Mn);硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置(例えば白色系の発光装置)を製造することができる。 The phosphor that can be excited by the light emitted from the light emitting element 105 is used. For example, as a phosphor that can be excited by a blue light emitting element or an ultraviolet light emitting element, a cerium-activated yttrium-aluminum-garnet-based phosphor (Ce:YAG); a cerium-activated lutetium-aluminum-garnet-based phosphor (Ce: LAG); europium and / or activated nitrogen containing calcium aluminosilicate phosphor chromium (CaO-Al 2 O 3 -SiO 2); europium-activated silicates based phosphor ((Sr, Ba) 2 SiO 4 ); β-sialon phosphor, nitride phosphor such as CASN phosphor, SCASN phosphor; KSF phosphor (K 2 SiF 6 :Mn); sulfide phosphor, quantum dot phosphor And so on. By combining these phosphors with a blue light emitting element or an ultraviolet light emitting element, a light emitting device of various colors (for example, a white light emitting device) can be manufactured.

波長変換部材106において、上記蛍光体に代えて、量子ドット,有機蛍光材料,有機燐光材料などを用いても良い。
また、その蛍光体材料等は、単独で使用しても良く、組み合わせて使用しても良い。
In the wavelength conversion member 106, a quantum dot, an organic fluorescent material, an organic phosphorescent material, or the like may be used instead of the above phosphor.
Further, the phosphor materials and the like may be used alone or in combination.

(封止部材110)
封止部材110の材料としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂あるいはそれらを混合させた樹脂や、ガラスなどの透光性材料を用いることができる。これらのうち、耐光性および成形のしやすさを考慮して、シリコーン樹脂を選択することが好ましい。
(Sealing member 110)
As a material of the sealing member 110, an epoxy resin, a silicone resin, a resin obtained by mixing them, or a translucent material such as glass can be used. Of these, it is preferable to select a silicone resin in consideration of light resistance and ease of molding.

なお封止部材110には、光拡散材に加え、着色剤を含有させることもできる。
封止部材110にこれらの部材を含有させる場合、配光特性になるべく影響の与えないものを用いることが好ましい。たとえば、含有させる部材の粒径が0.2μm以下のものであれば、配光特性に与える影響が少ないため好ましい。なお、本明細書中において粒径とは平均粒径のことをいうものとし、平均粒径の値は、空気透過法を利用したF.S.S.S.No(Fisher−SubSieve−Sizers−No.)によるものとする。
The sealing member 110 may contain a colorant in addition to the light diffusing material.
When the sealing member 110 contains these members, it is preferable to use a material that does not affect the light distribution characteristics as much as possible. For example, if the particle diameter of the contained member is 0.2 μm or less, the influence on the light distribution characteristics is small, which is preferable. In the present specification, the particle size refers to the average particle size, and the value of the average particle size is F.S. S. S. S. No (Fisher-SubSieve-Sizers-No.).

封止部材110は、発光素子105や波長変換部材106を被覆するように圧縮成型や射出成型によって形成することができる。その他、封止部材110の材料の粘度を最適化して、波長変換部材106の上に滴下もしくは描画して、材料自体の表面張力によって、形状を制御することも可能である。 The sealing member 110 can be formed by compression molding or injection molding so as to cover the light emitting element 105 and the wavelength conversion member 106. In addition, it is also possible to optimize the viscosity of the material of the sealing member 110 and drop or draw on the wavelength conversion member 106 to control the shape by the surface tension of the material itself.

後者の形成方法による場合には、金型を必要とすることなく、より簡便な方法で封止部材を形成することができる。また、このような形成方法による封止部材の材料の粘度を調整する手段として、その材料本来の粘度の他、上述したような光拡散材、波長変換部材、着色剤を利用して所望の粘度に調整することもできる。 In the case of the latter forming method, the sealing member can be formed by a simpler method without using a mold. Further, as a means for adjusting the viscosity of the material of the sealing member by such a forming method, in addition to the original viscosity of the material, a desired viscosity using the light diffusing material, the wavelength converting member, and the colorant as described above. It can also be adjusted to.

[第2実施形態]
図2は、第2実施形態の発光装置200の断面図である。
第2実施形態の発光装置200は、発光素子105側面に透光性部材109が逆テーパー状に形成されているおり、その外側に白色部材108が形成されている点で第1実施形態とは異なり、その他の構成は第1実施形態と同様である。
以下、第1実施形態と異なる点について説明する。
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device 200 of the second embodiment.
The light emitting device 200 of the second embodiment is different from that of the first embodiment in that the translucent member 109 is formed in a reverse taper shape on the side surface of the light emitting element 105 and the white member 108 is formed on the outer side thereof. Except for this, other configurations are the same as those in the first embodiment.
The points different from the first embodiment will be described below.

第1実施形態の発光装置に関して記載したように、波長変換部材106の発光素子105に対向する底面の面積は、発光素子105の上面の面積よりも大きくなっており、発光素子105の上面の外周端が波長変換部材106の底面の外周端の内側に位置するように、波長変換部材106が発光素子105上に設けられている。本明細書及び以下の説明において、波長変換部材106の底面において、発光素子105の上面の直上に対向する部分を内側底面といい。内側底面の外側に位置する部分を外周底面という。 As described with respect to the light emitting device of the first embodiment, the area of the bottom surface of the wavelength conversion member 106 facing the light emitting element 105 is larger than the area of the upper surface of the light emitting element 105, and the outer circumference of the upper surface of the light emitting element 105. The wavelength converting member 106 is provided on the light emitting element 105 so that the end is located inside the outer peripheral edge of the bottom surface of the wavelength converting member 106. In the present specification and the following description, a portion of the bottom surface of the wavelength conversion member 106 that faces directly above the top surface of the light emitting element 105 is referred to as an inner bottom surface. The portion located outside the inner bottom surface is called the outer peripheral bottom surface.

第2実施形態の発光装置200は、この外周底面の下に前記発光素子の側面を覆う透光性部材109を有している。そして、透光性部材109の表面は、波長変換部材106から離れるにしたがって発光素子105の側面に近づくように傾斜した傾斜面となっている。 The light emitting device 200 of the second embodiment has a translucent member 109 that covers the side surface of the light emitting element under the outer peripheral bottom surface. The surface of the translucent member 109 is an inclined surface that is inclined so as to approach the side surface of the light emitting element 105 as the distance from the wavelength conversion member 106 increases.

以上のように構成された透光性部材109を有する第2実施形態の発光装置200は、発光素子105側面より出射した光が、透光性部材109の傾斜面で反射され、効率よく波長変換部材106に入射することが出来、発光効率が向上する。
透光性部材109は発光素子105と波長変換部材106の界面にも形成して接着剤としての機能を果たすようにしても良い。
In the light emitting device 200 of the second embodiment having the translucent member 109 configured as described above, the light emitted from the side surface of the light emitting element 105 is reflected by the inclined surface of the translucent member 109, and the wavelength is efficiently converted. The light can be incident on the member 106, and the luminous efficiency is improved.
The translucent member 109 may be formed also at the interface between the light emitting element 105 and the wavelength conversion member 106 so as to function as an adhesive.

第2実施形態の発光装置200において、透光性部材109の外側には、白色部材108に代えて透光性部材109よりも屈折率の低い部材が形成されていても良いし、白色部材108と透光性部材109の間に、透光性部材109より屈折率の低い部材が形成されていても良い。透光性部材109より屈折率の低い部材には、例えば、透光性部材109より屈折率の低い透光性部材及び透光性部材109よりも屈折率の低い白樹脂等が含まれる。
ここで、透光性部材109は、透光性樹脂、ガラス等の透光性材料から形成することができる。透光性樹脂としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。透光性部材109は発光素子105の側面と接触しているので、点灯時に発光素子105で発生する熱の影響を受けやすい。熱硬化性樹脂は、耐熱性に優れているので、透光性部材109に適している。なお、透光性部材109は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、通常は、透光性部材109に、光を反射、吸収又は散乱する添加物は添加されないことが好ましい。しかし、望ましい特性を付与するために、透光性部材109に添加物を添加するのが好ましい場合もある。例えば、透光性部材109の屈折率を調整するため、または硬化前の透光性部材の粘度を調整するために、各種フィラーを添加してもよい。
In the light emitting device 200 of the second embodiment, a member having a lower refractive index than the translucent member 109 may be formed outside the translucent member 109 instead of the white member 108, or the white member 108. A member having a lower refractive index than the transparent member 109 may be formed between the transparent member 109 and the transparent member 109. The member having a lower refractive index than the translucent member 109 includes, for example, a translucent member having a lower refractive index than the translucent member 109 and a white resin having a lower refractive index than the translucent member 109.
Here, the translucent member 109 can be formed of a translucent material such as translucent resin or glass. The light-transmitting resin is preferably a thermosetting light-transmitting resin such as a silicone resin, a silicone-modified resin, an epoxy resin, or a phenol resin. Since the translucent member 109 is in contact with the side surface of the light emitting element 105, it is easily affected by the heat generated in the light emitting element 105 during lighting. Since the thermosetting resin has excellent heat resistance, it is suitable for the translucent member 109. It is preferable that the translucent member 109 has a high light transmittance. Therefore, normally, it is preferable that no additive that reflects, absorbs, or scatters light is added to the translucent member 109. However, it may be preferable to add an additive to the translucent member 109 in order to impart desired characteristics. For example, various fillers may be added to adjust the refractive index of the transparent member 109 or to adjust the viscosity of the transparent member before curing.

[第3実施形態]
図3は、第3実施形態の発光装置300の断面図である。
第3実施形態の発光装置300は、波長変換部材106の下面の外周底面に撥油材111を形成した点で第2実施形態とは異なり、その他の構成は第2実施形態と同様である。
以下、第2実施形態と異なる点について説明する。
[Third Embodiment]
FIG. 3 is a sectional view of a light emitting device 300 according to the third embodiment.
The light emitting device 300 of the third embodiment is different from that of the second embodiment in that an oil repellent material 111 is formed on the outer peripheral bottom surface of the lower surface of the wavelength conversion member 106, and other configurations are similar to those of the second embodiment.
The points different from the second embodiment will be described below.

第3実施形態の発光装置300において、撥油材111は、波長変換部材106の内側底面から所定の間隔xをおいて外周底面の外周に沿って形成され、外周底面において撥油材111が形成された部分を除く外周底面の下に発光素子105の側面を覆う透光性部材109を有している。そして、透光性部材109の表面は、波長変換部材106から離れるにしたがって発光素子105の側面に近づくように傾斜した傾斜面となっている。以上説明したことから理解されるように、撥油材111の内周端と波長変換部材106の内側底面との間隔xは、所望の断面形状を有する透光性部材109が形成されるように設定される。 In the light emitting device 300 of the third embodiment, the oil repellent material 111 is formed along the outer periphery of the outer peripheral bottom surface at a predetermined distance x from the inner bottom surface of the wavelength conversion member 106, and the oil repellent material 111 is formed on the outer peripheral bottom surface. A translucent member 109 that covers the side surface of the light emitting element 105 is provided below the outer peripheral bottom surface excluding the exposed portion. The surface of the translucent member 109 is an inclined surface that is inclined so as to approach the side surface of the light emitting element 105 as the distance from the wavelength conversion member 106 increases. As can be understood from the above description, the interval x between the inner peripheral edge of the oil repellent material 111 and the inner bottom surface of the wavelength conversion member 106 is such that the translucent member 109 having a desired cross-sectional shape is formed. Is set.

第3実施形態の発光装置300において、以上のように構成された撥油材111を設けることで、白色部材108の、波長変換部材106側面への這い上がりを防ぐことが出来、配向特性のバラツキを低減することが出来る。
加えて、透光性部材109を発光素子105と波長変換部材106の接着剤として使用するときに、透光性部材109の広がりを抑制し発光素子105を波長変換部材106の中心に位置合わせしやすくなり、さらには透光性部材109の逆テーパー形状の形成時の形状バラツキを抑えることができる。
尚、撥油材としては特に限定する物では無いが、フッ素系材料等が利用可能である。
By providing the oil repellent material 111 configured as described above in the light emitting device 300 of the third embodiment, it is possible to prevent the white member 108 from climbing up to the side surface of the wavelength conversion member 106, and the alignment characteristics vary. Can be reduced.
In addition, when the translucent member 109 is used as an adhesive between the light emitting element 105 and the wavelength conversion member 106, the spread of the translucent member 109 is suppressed and the light emitting element 105 is aligned with the center of the wavelength conversion member 106. In addition, it is possible to reduce the variation in shape when the translucent member 109 is formed in the reverse taper shape.
The oil repellent material is not particularly limited, but a fluorine-based material or the like can be used.

以上の第1〜第3実施形態の発光装置によれば、広配光の発光装置を提供できる。
また、第1〜第3実施形態の発光装置において、発光素子105及び波長変換部材106に含有させる蛍光体を種々組み合わせることにより、各種発光色を発光させることができる発光装置を提供することができる。
したがって、第1〜第3実施形態の発光装置によれば、広配光でかつ各種発光色の発光が可能な発光装置を提供することができる。
According to the light emitting devices of the above first to third embodiments, it is possible to provide a light emitting device having a wide light distribution.
Further, in the light emitting device of the first to third embodiments, various combinations of phosphors contained in the light emitting element 105 and the wavelength conversion member 106 can provide a light emitting device capable of emitting various emission colors. ..
Therefore, according to the light emitting devices of the first to third embodiments, it is possible to provide a light emitting device that can emit light of various emission colors with a wide light distribution.

[第4実施形態]
図5は、第4実施形態の発光モジュール400の断面図である。
第4実施形態の発光モジュール400は、基体401上に第1実施形態と同様に構成された発光装置100が複数設けられ、各発光装置100の間に光反射部材410が配置された集積型発光装置である。また、発光装置100及び光反射部材410の上方には、発光素子105の上面と略平行になるように発光素子105からの光を拡散するための光拡散板411が配置されている。
[Fourth Embodiment]
FIG. 5: is sectional drawing of the light emitting module 400 of 4th Embodiment.
In the light emitting module 400 of the fourth embodiment, a plurality of light emitting devices 100 configured as in the first embodiment are provided on a base 401, and a light reflecting member 410 is arranged between the light emitting devices 100 to form an integrated light emitting device. It is a device. A light diffusion plate 411 for diffusing light from the light emitting element 105 is arranged above the light emitting device 100 and the light reflecting member 410 so as to be substantially parallel to the upper surface of the light emitting element 105.

従来の集積型発光装置は、一般的に、基体と光拡散板の距離(以後、光学距離:ODともいう)/発光素子間隔(以後Pitchともいう)が小さくなるに従い、光拡散板411の面上で発光素子105間の光量が少なくなり暗部が発生する。
しかしながら、第4実施形態の発光モジュール400は、バットウイング配光特性を有する複数の発光装置100と、隣接する発光装置100間に配置された光反射部材410を備えることにより、発光素子間の光量を光反射部材410による反射光で補うことができるので、より小さなOD/Pitchであっても光拡散板411の面上での輝度ムラを小さくできる。
In the conventional integrated light emitting device, in general, the surface of the light diffusion plate 411 becomes smaller as the distance between the substrate and the light diffusion plate (hereinafter also referred to as optical distance: OD)/light emitting element interval (hereinafter also referred to as Pitch) becomes smaller. Above this, the amount of light between the light emitting elements 105 decreases and a dark portion is generated.
However, the light emitting module 400 of the fourth embodiment includes the plurality of light emitting devices 100 having the bat wing light distribution characteristics and the light reflecting member 410 arranged between the adjacent light emitting devices 100, and thus the light amount between the light emitting elements is increased. Since the light can be compensated by the reflected light from the light reflecting member 410, the uneven brightness on the surface of the light diffusion plate 411 can be reduced even with a smaller OD/Pitch.

第4実施形態の発光モジュール400において、光反射部材410の光反射面は、基体401に対して傾斜しており、その傾斜角度θは、各発光装置100の配光特性を考慮して光拡散板411の面上での輝度ムラが小さくなるように設定する。また、複数配置される発光装置100の配光特性は、光拡散板411の面上における輝度むらを抑えかつ薄型の発光モジュール400を実現するために、発光素子の発光面に垂直な方向により規定される光軸とのなす角度が大きい領域での光量が大きくなるような配光特性を有していることが好ましい。 In the light-emitting module 400 of the fourth embodiment, the light-reflecting surface of the light-reflecting member 410 is inclined with respect to the base 401, and the inclination angle? It is set so that the uneven brightness on the surface of the plate 411 is reduced. Further, the light distribution characteristics of the plurality of light emitting devices 100 arranged are defined by the direction perpendicular to the light emitting surface of the light emitting element in order to suppress the uneven brightness on the surface of the light diffusion plate 411 and realize the thin light emitting module 400. It is preferable to have a light distribution characteristic such that the amount of light becomes large in a region where the angle formed with the optical axis is large.

例えば、OD/Pitchが0.2以下と小さくなると、発光素子105の発光面を基準にしたときの、光反射部材410へ入射する光は仰角で22゜未満となる。従って低OD/Pitchが0.2以下の場合、光反射部材410による光の反射効率を上げるために、発光装置100の配光特性は、たとえば、基体の上面に対して仰角20゜未満の光量が多くなっていることが好ましい。具体的には、発光強度の第1及び第2ピークが仰角20゜未満の範囲に位置することが好ましい。言い換えると、発光装置100の配光特性は、基体401の垂直方向の配光角を90°としたとき、配光角が90°〜0°の範囲における第1ピークが配光角20゜未満の領域にあり、配光角が90°〜180°の範囲における第2ピークが配光角160°より大きい領域にあることが好ましい。また、配光角20゜未満の光量が全体の光量の30%以上であることが好ましく、より好ましくは40%以上である。 For example, when OD/Pitch is reduced to 0.2 or less, the light incident on the light reflecting member 410 is less than 22° in elevation angle with respect to the light emitting surface of the light emitting element 105. Therefore, when the low OD/Pitch is 0.2 or less, the light distribution characteristic of the light emitting device 100 is, for example, a light amount of an elevation angle of less than 20° with respect to the upper surface of the base in order to improve the reflection efficiency of light by the light reflection member 410. Is preferably increased. Specifically, it is preferable that the first and second peaks of the emission intensity are located within the range where the elevation angle is less than 20°. In other words, the light distribution characteristics of the light emitting device 100 are such that, when the light distribution angle of the base body 401 in the vertical direction is 90°, the first peak in the range of 90° to 0° is less than 20°. It is preferable that the second peak in the range of 90° to 180° is larger than the range of 160°. Further, the amount of light having a light distribution angle of less than 20° is preferably 30% or more, and more preferably 40% or more of the total amount of light.

(光反射部材410)
光反射部材410は、上述したように、隣接する発光装置100の間に設置される。
材料としては、少なくとも発光装置100からの光を反射する材料であれば特に材料は限定されない。たとえば金属板や白色フィラー含有樹脂を好適に用いることができる。
また、光反射部材の反射面として誘電体多層膜を用いることで、吸収の少ない反射面を得ることも出来る。加えて、膜の設計で反射率を任意に調整出来、また、角度により反射率を制御することも可能となる。
(Light reflection member 410)
The light reflecting member 410 is installed between the adjacent light emitting devices 100 as described above.
The material is not particularly limited as long as it is a material that reflects at least light from the light emitting device 100. For example, a metal plate or a resin containing white filler can be preferably used.
Further, by using a dielectric multilayer film as the reflecting surface of the light reflecting member, it is possible to obtain a reflecting surface with little absorption. In addition, the reflectance can be arbitrarily adjusted by designing the film, and the reflectance can be controlled by the angle.

光反射部材410の高さおよび基体401の表面に対する光反射面の傾斜角度θについては、任意の値を取ることが可能であり、またその反射面は平面であっても曲面であってもよく、光拡散板411の面上で輝度ムラが小さくなるように最適な傾斜角度θ及び反射面の形状とすることが可能である。光反射部材410の高さは、発光素子間の距離(Pitch)の0.3倍以下、より好ましくは0.2倍以下である事が好ましく、これにより薄型でかつ輝度むらが低減された発光モジュール400を提供することができる。 The height of the light reflecting member 410 and the inclination angle θ of the light reflecting surface with respect to the surface of the substrate 401 can take arbitrary values, and the reflecting surface may be a flat surface or a curved surface. It is possible to set the optimum inclination angle θ and the shape of the reflection surface so that the uneven brightness is reduced on the surface of the light diffusion plate 411. The height of the light reflecting member 410 is preferably 0.3 times or less, more preferably 0.2 times or less, the distance (Pitch) between the light emitting elements, which makes the light emission thin and reducing uneven brightness. A module 400 can be provided.

また、使用温度が大きく変わるような環境で使用される発光モジュール400では、光反射部材410と基体401との線膨張係数を近づけることが好ましい。この光反射部材410と基体401間の線膨張係数が大きく違うと、温度変化により発光モジュール400に反りが発生したり、構成部材間、特に発光装置100と光反射部材410間の位置関係がずれたりして所望の光学特性が得られなくなるためである。また、線膨張係数が異なっていても発光モジュール400全体が反らない様に、弾性変形が可能なフィルムを折り曲げたフィルム成形品で光反射部材410を形成してもよい。フィルム成形品で光反射部材410を形成すると、熱膨張係数の違いによる変形を各部分で分散して吸収することができ、発光モジュール400全体が反らないようにできる。 In addition, in the light emitting module 400 used in an environment where the operating temperature changes greatly, it is preferable that the light reflecting member 410 and the base 401 have similar linear expansion coefficients. If the linear expansion coefficient between the light reflecting member 410 and the base 401 is significantly different, the light emitting module 400 may be warped due to a temperature change, or the positional relationship between the constituent members, particularly the light emitting device 100 and the light reflecting member 410 may be displaced. This is because desired optical characteristics cannot be obtained. Further, the light reflection member 410 may be formed of a film molded product obtained by bending an elastically deformable film so that the entire light emitting module 400 does not warp even if the linear expansion coefficient is different. When the light reflection member 410 is formed of a film molded product, the deformation due to the difference in thermal expansion coefficient can be dispersed and absorbed in each portion, and the light emitting module 400 as a whole can be prevented from warping.

また、光反射部材410はそれぞれ個別に成形又は作製するのではなく、図6(a)及び図6(b)に示すように、複数の光反射部材410を一体で成形することにより1つの板状部材410’として構成するようにしてもよい。図6(a)は、板状部材410’の上面図であり、図6(b)は、図6(a)のA−A断面図である。この板状部材410’は、例えば、それぞれ発光装置100が設けられる位置に対応した複数の貫通孔413を有し、各貫通孔413の周りには、光反射部材410が配置される。これにより、板状部材410’が基体401上に載置されたときにその貫通孔413の周りに、基体401の表面に対する傾斜角度がθである光反射面が形成される。発光装置100は、板状部材410’を基体401上に接合した後に、貫通孔413内に実装してもよいし、発光装置100を、基体401上の所定の位置に実装した後に、各発光装置100がそれぞれ対応する貫通孔413内に位置するように、板状部材410’を基体401上に接合するようにしてもよい。 Further, the light reflecting members 410 are not individually molded or produced, but as shown in FIGS. 6A and 6B, a plurality of light reflecting members 410 are integrally molded to form one plate. It may be configured as a strip-shaped member 410'. 6A is a top view of the plate-shaped member 410', and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 6A. The plate-shaped member 410 ′ has, for example, a plurality of through holes 413 corresponding to the positions where the light emitting device 100 is provided, and the light reflection member 410 is arranged around each of the through holes 413. As a result, when the plate member 410 ′ is placed on the base 401, a light reflecting surface having an inclination angle θ with respect to the surface of the base 401 is formed around the through hole 413. The light emitting device 100 may be mounted in the through hole 413 after the plate-shaped member 410 ′ is bonded on the base 401, or after the light emitting device 100 is mounted at a predetermined position on the base 401, each light emission is performed. The plate-shaped members 410 ′ may be bonded onto the base 401 so that the devices 100 are located in the corresponding through holes 413.

この板状部材410’は、金型成形、真空成形、圧空成形、プレス成形等で形成することができる。また、光反射部材410は、板状部材410’に代えて、基体401上に直接光反射性樹脂を描画する等の方法で形成してもよい。光反射部材410の高さは、発光素子間の距離の0.3倍以下であることが好ましく、たとえば、発光素子間の距離の0.2倍以下であることがより好ましい。 The plate member 410' can be formed by die molding, vacuum molding, pressure molding, press molding, or the like. Further, the light reflecting member 410 may be formed by a method of directly drawing a light reflecting resin on the base 401 instead of the plate member 410 ′. The height of the light reflecting member 410 is preferably 0.3 times or less the distance between the light emitting elements, and more preferably 0.2 times or less the distance between the light emitting elements.

以上のように構成された第4実施形態の発光モジュール400は、広配光のバットウィング配光特性を有する複数の発光装置100と隣接する発光装置100間にそれぞれ設けられた光反射部材410を備えているので、薄型のバックライト用の光モジュールを提供できる。 The light emitting module 400 of the fourth embodiment configured as described above includes a plurality of light emitting devices 100 having a wide light distribution batwing light distribution characteristic and a light reflecting member 410 provided between adjacent light emitting devices 100. Since it is provided, a thin optical module for a backlight can be provided.

以上のように構成された第4実施形態の発光モジュール400は、個々の発光装置100がそれぞれ波長変換部材106を備えているので、従来の発光モジュールにおいて光拡散板411の上面又は下面に設けられた蛍光体シートを設けることなく、白色のバックライト用の光モジュールを実現できる。これにより、高価な蛍光体の使用量を少なくできるので、バックライト用の発光モジュールを安価に提供できる。 The light emitting module 400 of the fourth embodiment configured as described above is provided on the upper surface or the lower surface of the light diffusing plate 411 in the conventional light emitting module because each light emitting device 100 includes the wavelength conversion member 106. An optical module for a white backlight can be realized without providing a phosphor sheet. As a result, the amount of expensive phosphor used can be reduced, and a light emitting module for a backlight can be provided at low cost.

以上の第4実施形態の発光モジュール400の説明では、第1実施形態の発光装置100を用いた例により説明したが、第2実施形態の発光装置200、第3実施形態の発光装置300を含む他の広配光の発光装置を用いて構成してもよい。 In the above description of the light emitting module 400 of the fourth embodiment, an example using the light emitting device 100 of the first embodiment has been described, but the light emitting device 200 of the second embodiment and the light emitting device 300 of the third embodiment are included. You may comprise using the light-emitting device of other wide light distribution.

本発明の発光装置および発光モジュールは、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具などに利用することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The light emitting device and the light emitting module of the present invention can be used for a backlight light source of a liquid crystal display, various lighting fixtures, and the like.

100、200、300 発光装置
101 基体
102 導体配線
103 接続部材
104 絶縁部材
105 発光素子
106 波長変換部材
107 光反射膜
108 白色部材
109 透光性部材
110 封止部材
111 撥油材
100, 200, 300 Light emitting device 101 Base body 102 Conductor wiring 103 Connection member 104 Insulation member 105 Light emitting element 106 Wavelength conversion member 107 Light reflection film 108 White member 109 Light transmissive member 110 Sealing member 111 Oil repellent material

Claims (15)

導体配線を有する基体と、
前記基体に実装され、第1の光を発光する発光素子と、
前記発光素子の上面に設けられ、前記第1の光の少なくとも一部を吸収して前記第1の光より長波長の光を発光する波長変換部材と、
前記波長変換部材の上面に設けられた光反射膜と、
前記発光素子、前記波長変換部材及び光反射膜を被覆する封止部材と、を有し、
前記封止部材の幅(W)に対する高さ(H)の比(H/W)が0.5より小さい発光装置。
A base body having conductor wiring,
A light-emitting element mounted on the base and emitting a first light;
A wavelength conversion member which is provided on the upper surface of the light emitting element and absorbs at least a part of the first light to emit light having a longer wavelength than the first light;
A light reflection film provided on the upper surface of the wavelength conversion member,
A sealing member that covers the light emitting element, the wavelength conversion member, and a light reflection film,
A light emitting device in which the ratio (H/W) of the height (H) to the width (W) of the sealing member is smaller than 0.5.
前記封止部材の表面は凸状の曲面で形成されている、請求項1に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the surface of the sealing member is formed by a convex curved surface. 前記光反射膜が、誘電体多層膜で形成されている請求項1〜2のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the light reflecting film is formed of a dielectric multilayer film. 前記発光素子の側面を覆う白色部材を含む請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, further comprising a white member that covers a side surface of the light emitting element. 前記波長変換部材の前記発光素子側の底面の面積は、前記発光素子の上面の面積よりも大きく、前記波長変換部材の前記発光素子側の底面は、前記発光素子の上面に対向する内側底面と該内側底面の周りを囲む外周底面とを有しており、
前記発光装置は、前記外周底面の下に前記発光素子の側面を覆う透光性部材を有し、前記透光性部材の表面は、前記波長変換部材から離れるにしたがって前記発光素子の側面に近づくように傾斜した傾斜面である請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。
The area of the bottom surface of the wavelength conversion member on the light emitting element side is larger than the area of the top surface of the light emitting element, and the bottom surface of the wavelength conversion member on the light emitting element side is an inner bottom surface facing the top surface of the light emitting element. Has an outer peripheral bottom surface surrounding the inner bottom surface,
The light emitting device has a translucent member that covers a side surface of the light emitting element under the outer peripheral bottom surface, and a surface of the translucent member approaches a side surface of the light emitting element as the distance from the wavelength conversion member increases. The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the light emitting device has an inclined surface.
前記傾斜面を覆う白色部材を含む請求項5に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 5, further comprising a white member that covers the inclined surface. 前記傾斜面を覆いかつ前記透光性部材より低い屈折率を有する部材を有する請求項5に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 5, further comprising a member that covers the inclined surface and has a lower refractive index than the translucent member. 前記波長変換部材の底面の外周に沿って撥油材が形成されている請求項4〜7のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 4 to 7, wherein an oil repellent material is formed along the outer periphery of the bottom surface of the wavelength conversion member. 前記発光装置が出射する光の全光量の30%以上が、前記基体の上面に対して仰角20゜未満の方向に出射される請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein 30% or more of the total amount of light emitted by the light emitting device is emitted in a direction of an elevation angle of less than 20° with respect to the upper surface of the base. 前記発光装置が出射する光の全光量の40%以上が、前記基体の上面に対して仰角20゜未満の方向に出射される請求項1〜9のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein 40% or more of the total amount of light emitted by the light emitting device is emitted in a direction with an elevation angle of less than 20° with respect to the upper surface of the base. 前記封止部材の幅(W)に対する高さ(H)の比(H/W)が0.3以下である請求項1〜10のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein a ratio (H/W) of the height (H) to the width (W) of the sealing member is 0.3 or less. 前記発光素子はフリップチップ実装されている、請求項1〜11のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element is flip-chip mounted. 請求項1〜12のいずれか1項に記載の発光装置を複数備え、前記発光装置間にそれぞれ光反射部材が配置されている集積型発光装置。 An integrated light emitting device comprising a plurality of the light emitting devices according to claim 1, wherein light reflecting members are arranged between the light emitting devices. 前記光反射部材の高さが、前記発光装置間の距離の0.3倍以下である請求項13に記載の集積型発光装置。 14. The integrated light emitting device according to claim 13, wherein the height of the light reflecting member is 0.3 times or less the distance between the light emitting devices. 前記光反射部材の高さが、前記発光装置間の距離の0.2倍以下である請求項13に記載の集積型発光装置。 The integrated light emitting device according to claim 13, wherein the height of the light reflecting member is 0.2 times or less the distance between the light emitting devices.
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