JP2020098285A - Determination method, exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing article - Google Patents
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Abstract
【課題】上下レイヤーの重ね合わせ精度および隣接ショットのつなぎ精度の両立に有利な、2つのショット領域の位置合わせに関する補正量を決定する方法を提供する。【解決手段】上下レイヤーの重ね合わせを行うための重ね合わせマーク間の位置ずれ量である第1位置ずれ量を求め、第1ショット領域と第2ショット領域との位置合わせを行うためのつなぎ位置計測マーク間の位置ずれ量である第2位置ずれ量を求め(S102)、前記第1位置ずれ量に前記第2位置ずれ量の所定の割合を加算して得られる位置ずれ量を前記第1ショット領域と前記第2ショット領域とが重複するつなぎ領域における前記第1の像の補正量として決定し、前記第1位置ずれ量から前記第2位置ずれ量の前記所定の割合に対する残りの割合を減算して得られる位置ずれ量を前記つなぎ領域における前記第2の像の補正量として決定する(S103)。【選択図】図3PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of determining a correction amount for alignment of two shot areas, which is advantageous in achieving both overlay accuracy of upper and lower layers and joint accuracy of adjacent shots. SOLUTION: A first position shift amount which is a position shift amount between overlay marks for overlaying upper and lower layers is obtained, and a connection position for aligning a first shot area and a second shot area. The second positional deviation amount, which is the positional deviation amount between the measurement marks, is obtained (S102), and the positional deviation amount obtained by adding a predetermined ratio of the second positional deviation amount to the first positional deviation amount is the first positional deviation amount. It is determined as the correction amount of the first image in the joint region where the shot region and the second shot region overlap, and the remaining ratio of the first position shift amount to the predetermined ratio of the second position shift amount is determined. The positional deviation amount obtained by the subtraction is determined as the correction amount of the second image in the joint area (S103). [Selection diagram] Fig. 3
Description
本発明は、決定方法、露光方法、露光装置、および物品製造方法に関する。 The present invention relates to a determination method, an exposure method, an exposure apparatus, and an article manufacturing method.
半導体や液晶パネルなどは、フォトリソグラフィ工程により製造される。フォトリソグラフィ工程では、原版(マスク)のパターンを、投影光学系を介して感光剤が塗布された基板(ガラス基板やウエハ)上に露光領域を走査しながら投影する走査型露光装置が使用されている。近年、液晶パネル等のディスプレイの大型化が進み、例えば2m角を超えるようなガラス基板に対して露光を行う必要がある。このような基板の大型に対応すべく、基板上の露光領域の全部を一度に露光するのではなく、基板上の露光領域をいくつかのショット領域に分割して露光することが行われる。このとき、隣接するショット領域の一部を重ね合わせて露光するつなぎ露光が行われる。 Semiconductors, liquid crystal panels, etc. are manufactured by a photolithography process. In the photolithography process, a scanning exposure apparatus is used which projects a pattern of an original plate (mask) onto a substrate (glass substrate or wafer) coated with a photosensitizer through a projection optical system while scanning the exposure area. There is. In recent years, a display such as a liquid crystal panel has been increased in size, and it is necessary to expose a glass substrate, for example, which exceeds 2 m square. In order to cope with such a large size of the substrate, the exposure region on the substrate is not exposed at once, but the exposure region on the substrate is divided into several shot regions for exposure. At this time, joint exposure is performed in which a part of the adjacent shot areas are overlapped and exposed.
つなぎ露光において、隣接するショット領域同士が重なり合う領域(つなぎ領域)でのオーバーレイ(重ね合わせ)誤差が大きくなると、つなぎ領域にムラが発生してしまう。特許文献1は、つなぎ領域における上下レイヤー間の位置ずれ量、または、隣接ショット間の位置ずれ量のいずれかに特化して、そのずれ量を小さくするための補正量を求め、その補正量を使用して露光する技術を開示している。また、特許文献2は、1つのデバイスを構成する複数のショットを1つの単位として、ショット位置の補正を行う技術を開示している。ショット位置の補正は、1つのデバイスを構成する複数のショットのつなぎ合わせ部での重ね合わせ精度差が最小となるように行われる。 In the joint exposure, if the overlay (overlay) error in the area where the adjacent shot areas overlap (joint area) becomes large, unevenness occurs in the joint area. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-242242 discloses a correction amount for reducing the amount of misalignment, which is specialized for either the amount of misalignment between upper and lower layers or the amount of misalignment between adjacent shots in the joint area, and the correction amount The technique of using and exposing is disclosed. In addition, Patent Document 2 discloses a technique of correcting a shot position with a plurality of shots forming one device as one unit. The shot position is corrected so that the difference in overlay accuracy at the joining portion of a plurality of shots forming one device is minimized.
つなぎ露光を行う場合、隣接ショット間の位置ずれは、製造されるデバイスの性能を決める最も重要な指標である。にもかかわらず、従来の補正では、上下レイヤー間の位置ずれ量のみを補正し、隣接ショット間の位置ずれは考慮されていないか、隣接ショット間の位置ずれ量のみを補正し、上下レイヤー間の位置ずれは考慮されていなかった。これに対して、隣接ショット間の位置ずれを優先して補正する手法(つなぎ優先補正)も提案されている。その手法によれば、上下レイヤー間の位置ずれの補正効果は薄れるものの、これまでのつなぎ露光の要求精度は満たすことができていた。 When performing joint exposure, the positional deviation between adjacent shots is the most important index that determines the performance of the manufactured device. Nevertheless, in the conventional correction, only the amount of misalignment between the upper and lower layers is corrected and the misalignment between adjacent shots is not taken into consideration. The position shift of was not taken into consideration. On the other hand, a method (joint priority correction) for preferentially correcting the positional deviation between adjacent shots has also been proposed. According to this method, although the effect of correcting the positional deviation between the upper and lower layers is weakened, the accuracy required for the joint exposure up to now has been satisfied.
しかし、基板の大型化およびパターンの微細化に伴い、上下レイヤーの重ね合わせ精度および隣接ショットのつなぎ精度の両方を同時に高精度に保証する要求が高まっている。すなわち、上下レイヤーのずれと隣接ショット間の位置ずれを共に高い精度で補正する手法が求められている。 However, with the increase in the size of the substrate and the miniaturization of the pattern, there is an increasing demand for simultaneously guaranteeing both the overlay accuracy of the upper and lower layers and the connection accuracy of adjacent shots with high accuracy. That is, there is a demand for a method of correcting the displacement of upper and lower layers and the displacement of adjacent shots with high accuracy.
本発明は、上下レイヤーの重ね合わせ精度および隣接ショットのつなぎ精度の両立に有利なつなぎ露光の技術を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a joint exposure technique that is advantageous in achieving both the overlay accuracy of upper and lower layers and the joint accuracy of adjacent shots.
本発明の一側面によれば、基板の第1ショット領域を露光して第1の像を形成し、前記第1ショット領域の一部と重複する第2ショット領域を露光して第2の像を形成し、前記第1の像と前記第2の像とをつなぎ合わせた像を得るつなぎ露光のための、前記第1ショット領域および前記第2ショット領域の位置合わせに関する補正量を決定する決定方法であって、上下レイヤーの重ね合わせを行うための重ね合わせマーク間の位置ずれ量である第1位置ずれ量を求め、前記第1ショット領域と前記第2ショット領域との位置合わせを行うためのつなぎ位置計測マーク間の位置ずれ量である第2位置ずれ量を求め、前記第1位置ずれ量に前記第2位置ずれ量の所定の割合を加算して得られる位置ずれ量を、前記第1ショット領域と前記第2ショット領域とが重複するつなぎ領域における前記第1の像の補正量として決定し、前記第1位置ずれ量から前記第2位置ずれ量の前記所定の割合に対する残りの割合を減算して得られる位置ずれ量を、前記つなぎ領域における前記第2の像の補正量として決定することを特徴とする決定方法が提供される。 According to an aspect of the present invention, a first shot area of a substrate is exposed to form a first image, and a second shot area overlapping a part of the first shot area is exposed to a second image. Determining a correction amount for alignment of the first shot area and the second shot area for joint exposure to obtain an image obtained by joining the first image and the second image. A method for obtaining a first positional deviation amount, which is an amount of positional deviation between overlay marks for superposing upper and lower layers, and performing the positional alignment between the first shot area and the second shot area. The second positional deviation amount, which is the positional deviation amount between the joint position measurement marks, is obtained, and the positional deviation amount obtained by adding a predetermined ratio of the second positional deviation amount to the first positional deviation amount is defined as the first positional deviation amount. It is determined as the correction amount of the first image in the joint region where the one-shot region and the second shot region overlap, and the remaining ratio from the first positional deviation amount to the predetermined ratio of the second positional deviation amount. There is provided a determination method, characterized in that the amount of positional deviation obtained by subtracting is determined as the correction amount of the second image in the joint region.
本発明によれば、上下レイヤーの重ね合わせ精度および隣接ショットのつなぎ精度の両立に有利なつなぎ露光の技術を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a joint exposure technique that is advantageous in achieving both the overlay accuracy of upper and lower layers and the joint accuracy of adjacent shots.
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<第1実施形態>
図1に、実施形態における露光装置の概略構成を示す。この露光装置は、例えば、投影光学系を用いたミラープロジェクション方式を採用した走査型露光装置である。なお、本明細書および図面においては、基板ステージによる基板保持面と平行な方向をXY平面とするXYZ座標系において方向を示す。XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な方向をX方向、Y方向、Z方向という。また、露光時の原版及び基板の走査方向をY方向する。
<First Embodiment>
FIG. 1 shows a schematic configuration of the exposure apparatus in the embodiment. This exposure apparatus is, for example, a scanning type exposure apparatus that adopts a mirror projection method using a projection optical system. In this specification and the drawings, the directions are shown in an XYZ coordinate system in which the direction parallel to the substrate holding surface of the substrate stage is the XY plane. The directions parallel to the X axis, the Y axis, and the Z axis in the XYZ coordinate system are called the X direction, the Y direction, and the Z direction, respectively. Further, the scanning direction of the original plate and the substrate during exposure is set to the Y direction.
露光装置は、原版30(マスク)を搭載する原版ステージ31と、基板60(例えばガラスプレート)を搭載する基板ステージ61と、原版30を照明する照明光学系10と、原版30のパターンを基板60に投影する投影光学系40とを含む。原版30と基板60とは、投影光学系40を介して光学的にほぼ共役な位置(投影光学系40の物体面および像面)に配置される。照明光学系10と原版ステージ31との間には、露光光の整形を行うスリット結像系20が配置されている。また、基板60を走査露光する際、基板60の表面の異なる領域に原版30のパターンの像を互いの一部を重ね合わせて順次露光するためのX遮光板50が、投影光学系40と基板ステージ61との間に配置されている。制御部70は、露光装置の各部の駆動を制御する。 The exposure apparatus includes an original stage 31 on which an original 30 (mask) is mounted, a substrate stage 61 on which a substrate 60 (for example, a glass plate) is mounted, an illumination optical system 10 for illuminating the original 30, and a pattern of the original 30 on the substrate 60. Projection optical system 40 for projecting onto The original plate 30 and the substrate 60 are arranged at positions that are substantially conjugate with each other via the projection optical system 40 (the object plane and the image plane of the projection optical system 40). Between the illumination optical system 10 and the original stage 31, a slit imaging system 20 that shapes the exposure light is arranged. Further, when the substrate 60 is subjected to scanning exposure, the X light shielding plate 50 for sequentially exposing the images of the pattern of the original plate 30 on different regions of the surface of the substrate 60 by superposing them partially on each other is provided with the projection optical system 40 and the substrate. It is arranged between the stage 61 and the stage 61. The control unit 70 controls driving of each unit of the exposure apparatus.
照明光学系10は、超高圧水銀ランプ等の光源部、波長選択フィルタ、レンズ群、シャッター等を含みうる。照明光学系10は、露光に適した波長の光をスリット結像系20に向けて照射する。スリット結像系20は、不図示のスリットを有し、照明光学系10からの入射光を一定のステージ走査速度(例えば、走査速度の上限値等)における必要露光量を満たす露光幅に整形する。 The illumination optical system 10 may include a light source unit such as an ultra-high pressure mercury lamp, a wavelength selection filter, a lens group, and a shutter. The illumination optical system 10 irradiates the slit imaging system 20 with light having a wavelength suitable for exposure. The slit imaging system 20 has a slit (not shown), and shapes the incident light from the illumination optical system 10 into an exposure width that satisfies a necessary exposure amount at a constant stage scanning speed (for example, an upper limit value of the scanning speed). ..
原版30を搭載した原版ステージ31は、制御部70による制御の下、不図示の駆動機構によってY方向へ走査される。原版ステージ31には複数の反射鏡32が配置されている。複数の反射鏡32はそれぞれ、原版ステージ31外に配置された干渉計33からの計測光を反射する。干渉計33は反射された計測光を受け、原版ステージ31の位置を常時監視、計測する。制御部70は、干渉計33による計測の結果に基づき原版ステージ31の位置および速度の制御を行う。 The original stage 31 carrying the original 30 is scanned in the Y direction by a drive mechanism (not shown) under the control of the control unit 70. A plurality of reflecting mirrors 32 are arranged on the original stage 31. Each of the plurality of reflecting mirrors 32 reflects the measurement light from the interferometer 33 arranged outside the original stage 31. The interferometer 33 receives the reflected measurement light and constantly monitors and measures the position of the original stage 31. The control unit 70 controls the position and speed of the original stage 31 based on the measurement result of the interferometer 33.
投影光学系40は、ミラー及びレンズを有し、露光光を反射、屈折させることで、原版30に形成されているパターンを基板60に投影する。また、ミラー及びレンズは、制御部70による制御の下、不図示の駆動機構によってX、Y、及び、Z方向に駆動されて、任意の倍率、シフトを発生させる。 The projection optical system 40 has a mirror and a lens, and reflects and refracts the exposure light to project the pattern formed on the original plate 30 onto the substrate 60. Further, the mirror and the lens are driven in the X, Y, and Z directions by a drive mechanism (not shown) under the control of the control unit 70 to generate an arbitrary magnification and shift.
本実施形態における露光装置では、基板の第1ショット領域を露光して第1の像を形成し、第1ショット領域の一部と重複する第2ショット領域を露光して第2の像を形成し、第1の像と第2の像とをつなぎ合わせた像を得る、つなぎ露光を行う。露光装置は、このつなぎ露光を行うために、X遮光板50を備える。なお、以下の説明においては、「ショット領域」を単に「ショット」ともいう。X遮光板50は、制御部70による制御の下、不図示の駆動機構によってY方向に駆動されうる。X遮光板50を露光光路内を水平に移動して露光光を遮光する位置を変更することで、スリット結像系20によって整形された露光光が走査方向に対して斜めに遮光され、これにより基板上に積算される露光量が制御される。これにより、図2(a)に示すようなつなぎショットレイアウトに対するつなぎ露光の制御が可能になる。すなわち、図2(b)に示すように、ショットS1(第1ショット領域)におけるつなぎ領域外の領域である非つなぎ領域の照度分布を100%とし、つなぎ領域の各X位置の照度分布を負の傾きとする。例えば、つなぎ領域のX方向の一端から他端までにわたり、露光量(照度)を100%から0%まで直線的に減衰させる。また、図2(c)に示すように、ショットS2(第2ショット領域)の非つなぎ領域の照度分布を100%とし、つなぎ領域の各X位置の照度分布を正の傾きとする。例えば、つなぎ領域のX方向の一端から他端までにわたり、露光量を0%から100%まで直線的に増加させる。このように、ショットS1を露光するときと、ショットS2を露光するときとで、つなぎ領域における露光量をクロスフェードさせる。これにより、図2(d)に示すように、つなぎ領域および非つなぎ領域に対する積算の照度分布が100%で平準化される。 In the exposure apparatus according to the present embodiment, the first shot area of the substrate is exposed to form a first image, and the second shot area overlapping a part of the first shot area is exposed to form a second image. Then, joint exposure is performed to obtain an image obtained by joining the first image and the second image. The exposure apparatus is provided with an X light shielding plate 50 for performing the joint exposure. In the following description, the “shot area” is also simply referred to as “shot”. The X light blocking plate 50 can be driven in the Y direction by a drive mechanism (not shown) under the control of the control unit 70. By moving the X light blocking plate 50 horizontally in the exposure light path to change the position at which the exposure light is blocked, the exposure light shaped by the slit imaging system 20 is blocked obliquely with respect to the scanning direction. The exposure amount integrated on the substrate is controlled. This makes it possible to control the joint exposure for the joint shot layout as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 2B, the illuminance distribution in the non-joint area, which is an area outside the joint area in the shot S1 (first shot area), is set to 100%, and the illuminance distribution at each X position in the joint area is negative. And the inclination of. For example, the exposure amount (illuminance) is linearly attenuated from 100% to 0% from one end to the other end in the X direction of the joint region. Further, as shown in FIG. 2C, the illuminance distribution in the non-joint area of the shot S2 (second shot area) is 100%, and the illuminance distribution at each X position in the join area has a positive slope. For example, the exposure amount is linearly increased from 0% to 100% from one end to the other end in the X direction of the joint region. In this way, the exposure amount in the joint region is cross-faded between when the shot S1 is exposed and when the shot S2 is exposed. As a result, as shown in FIG. 2D, the integrated illuminance distribution for the joint region and the non-joint region is leveled at 100%.
基板60を搭載した基板ステージ61は、制御部70による制御の下、不図示の駆動機構によってX、Y、及び、Z方向へ走査される。基板ステージ61には複数の反射鏡62が配置されている。複数の反射鏡62はそれぞれ、基板ステージ61外に配置された干渉計63からの計測光を反射する。干渉計63は反射された計測光を受け、基板ステージ61の位置を常時監視、計測する。制御部70は、干渉計63による計測の結果に基づき基板ステージ61の位置および速度の制御を行う。 The substrate stage 61 on which the substrate 60 is mounted is scanned in the X, Y, and Z directions by a drive mechanism (not shown) under the control of the control unit 70. A plurality of reflecting mirrors 62 are arranged on the substrate stage 61. Each of the plurality of reflecting mirrors 62 reflects the measurement light from the interferometer 63 arranged outside the substrate stage 61. The interferometer 63 receives the reflected measurement light and constantly monitors and measures the position of the substrate stage 61. The control unit 70 controls the position and speed of the substrate stage 61 based on the measurement result of the interferometer 63.
アライメントスコープ80は、基板60のアライメントマークを、原版30および投影光学系40を介して検出する。一方、オフアクシススコープ81は、投影光学系40の下部に配置され、原版30および投影光学系40を介さずに、基板60のアライメントマークを検出する。 The alignment scope 80 detects the alignment mark on the substrate 60 via the original plate 30 and the projection optical system 40. On the other hand, the off-axis scope 81 is arranged below the projection optical system 40, and detects the alignment mark on the substrate 60 without going through the original plate 30 and the projection optical system 40.
制御部70は、ショットS1およびショットS2の位置合わせに関する補正量を決定する処理を行う処理部として機能するとともに、つなぎ露光の制御を行う制御部として機能する。制御部70は、その機能構成として、データ保持部71、駆動量演算部72、駆動指示部73を含みうる。データ保持部71は、露光装置により基板上に露光されたマークより計測されるショット内の1つ以上の点のX、Y方向のずれ量、各駆動軸の駆動オフセット、敏感度等の駆動パラメータ、露光装置で取得した各種計測データを保持する。駆動量演算部72は、データ保持部71に保持されているデータから一般的統計手法を用いてX、Y、Z方向の位置オフセット、回転、倍率等の各種補正成分を計算する。また、駆動量演算部72は、駆動パラメータおよび計算された補正成分に基づいて各軸の駆動指示量を決定する。駆動指示部73は、駆動量演算部72で決定された各駆動機構に対する駆動指示量を用いて、各駆動機構に対しての駆動指示を出力する。なお、制御部70は、そのハードウェア構成として、例えば、CPU(中央処理装置)およびメモリを含むコンピュータ装置によって構成されうる。この場合、データ保持部71はメモリによって実現され、駆動量演算部72および駆動指示部73は、CPUによって実現されうる。 The control unit 70 functions as a processing unit that performs a process of determining a correction amount related to the alignment of the shots S1 and S2, and also functions as a control unit that controls the joint exposure. The control unit 70 may include a data holding unit 71, a drive amount calculation unit 72, and a drive instruction unit 73 as its functional configuration. The data holding unit 71 is a drive parameter such as a shift amount in the X and Y directions of one or more points in a shot measured from a mark exposed on a substrate by an exposure device, a drive offset of each drive axis, and a sensitivity. , Holds various measurement data acquired by the exposure apparatus. The drive amount calculation unit 72 calculates various correction components such as position offsets, rotations, and magnifications in the X, Y, and Z directions from the data stored in the data storage unit 71 using a general statistical method. Further, the drive amount calculation unit 72 determines the drive instruction amount of each axis based on the drive parameter and the calculated correction component. The drive instruction unit 73 outputs a drive instruction to each drive mechanism using the drive instruction amount to each drive mechanism determined by the drive amount calculation unit 72. The control unit 70 can be configured as a hardware device thereof, for example, by a computer device including a CPU (central processing unit) and a memory. In this case, the data holding unit 71 can be realized by a memory, and the drive amount calculation unit 72 and the drive instruction unit 73 can be realized by a CPU.
(実施例1)
図3のフローチャートを参照して、本実施形態における、つなぎ露光のためのショットS1およびショットS2の位置合わせに関する補正量を決定する処理および決定された補正量に基づいて行う露光処理の概略を説明する。まず、ショットS1およびショットS2に対して1回目のつなぎ露光を行う(S101)。この1回目のつなぎ露光は、補正量を決定するための露光である。このとき使用する基板は生産用の基板でもよいし、テスト用の基板でもよい。次に、つなぎ領域における、上下レイヤーの重ね合わせ(オーバーレイ)誤差と、ショットS1およびショットS2の位置ずれ(左右ショットの配列ずれ)を計測する(S102)。この計測は、露光装置外部の計測装置を用いて行ってもよいし、アライメントスコープ80またはオフアクシススコープ81を用いて行ってもよい。
(Example 1)
With reference to the flowchart of FIG. 3, an outline of a process of determining a correction amount regarding the alignment of the shots S1 and S2 for joint exposure and an exposure process performed based on the determined correction amount in the present embodiment will be described. To do. First, the first joint exposure is performed on the shots S1 and S2 (S101). The first joint exposure is an exposure for determining the correction amount. The substrate used at this time may be a production substrate or a test substrate. Next, the overlay error between the upper and lower layers and the positional deviation between the shots S1 and S2 (the positional deviation between the left and right shots) in the joint region are measured (S102). This measurement may be performed using a measuring device outside the exposure apparatus, or may be performed using the alignment scope 80 or the off-axis scope 81.
制御部70は、この計測結果に基づいて、補正量の算出(決定)を行う(S103)。算出された補正量は、露光時の補正パラメータとして例えばデータ保持部71に記憶される。補正パラメータとしてはショット領域のシフト、回転、倍率等があり、露光装置の制御対象としてはステージや光学系等の制御データがあり、算出された補正量はこれらのパラメータに適合する補正値に変換されうる。 The control unit 70 calculates (determines) the correction amount based on the measurement result (S103). The calculated correction amount is stored in, for example, the data holding unit 71 as a correction parameter for exposure. The correction parameters include shot area shift, rotation, and magnification, and the exposure device control target includes control data such as the stage and optical system.The calculated correction amount is converted into a correction value that matches these parameters. Can be done.
その後、2回目の露光(次のつなぎ露光)が行われる。ここでいう2回目の露光は、生産用の基板を用いた本露光でありうる(S104)。ここで制御部70は、補正値を反映させてつなぎ露光を実施する。 After that, the second exposure (the next joint exposure) is performed. The second exposure here may be main exposure using a production substrate (S104). Here, the control unit 70 performs the joint exposure by reflecting the correction value.
以下、上記したS101〜S103に係る、ショットS1およびショットS2の位置合わせに関する補正量を決定する決定方法について詳しく説明する。図4は、S101で露光されるショットS1の模式図である。本実施形態において、上下レイヤーの重ね合わせのための計測と、ショットS1とショットS2との位置合わせのための計測は、例えばボックス・イン・ボックスのマークを使用して行われる。図4において、つなぎ領域の下レイヤーには、既に、重ね合わせマークを構成するアウトボックスマーク91(下地マーク)が形成されている。ショットS1の露光の際には、このアウトボックスマーク91との位置合わせのためのインボックスマーク90(第1マーク)が形成される。また、ショットS1の露光の際には、ショットS1とショットS2との位置合わせのためのつなぎ位置計測マークであるアウトボックスマーク92(第2マーク)も、つなぎ領域内に形成される。 Hereinafter, the determination method for determining the correction amount related to the alignment of the shot S1 and the shot S2 according to S101 to S103 described above will be described in detail. FIG. 4 is a schematic diagram of the shot S1 exposed in S101. In the present embodiment, the measurement for overlaying the upper and lower layers and the measurement for aligning the shots S1 and S2 are performed using, for example, a box-in-box mark. In FIG. 4, an outbox mark 91 (base mark) that constitutes an overlay mark has already been formed in the lower layer of the connecting region. When the shot S1 is exposed, an in-box mark 90 (first mark) for alignment with the out-box mark 91 is formed. Further, when the shot S1 is exposed, an out-box mark 92 (second mark) which is a joint position measurement mark for aligning the shot S1 and the shot S2 is also formed in the joint area.
前述したとおり、ショットS1では、つなぎ領域のX方向の一端から他端までにわたり、露光量(照度)が100%から0%まで直線的に減衰される。図4に示されるように、つなぎ領域内に形成される各マークは、ショットS1とショットS2との重複幅の方向(X方向)における所定の位置x1に配置されるものとし、位置x1における露光量の減衰率をa%とする。下レイヤーで形成されたアウトボックスマーク91と上レイヤーで形成されたインボックスマーク90との位置の差から重ね合わせ誤差(オーバーレイ誤差)が検出されることになる。ただし、ショットS1が露光された時点では、位置x1の照度は(100−a)%でしかないため、インボックスマーク90およびアウトボックスマーク92は完全には形成されていない。 As described above, in the shot S1, the exposure amount (illuminance) is linearly attenuated from 100% to 0% from one end to the other end in the X direction of the joint region. As shown in FIG. 4, it is assumed that the marks formed in the joint region are arranged at a predetermined position x1 in the direction of the overlapping width of the shots S1 and S2 (X direction), and the exposure at the position x1 is performed. The attenuation rate of the quantity is a%. An overlay error is detected from the difference in position between the outbox mark 91 formed on the lower layer and the inbox mark 90 formed on the upper layer. However, when the shot S1 is exposed, the illuminance at the position x1 is only (100-a)%, so the in-box mark 90 and the out-box mark 92 are not completely formed.
図5は、S101で露光されるショットS2の模式図である。ショットS2の露光時には、下地マークであるアウトボックスマーク91との位置合わせのためにインボックスマーク90と重複するようにインボックスマーク93(第3マーク)が形成される。また、ショットS2の露光時には、アウトボックスマーク92と重複する位置に、ショットS1とショットS2との位置合わせのためのつなぎ位置計測マークであるインボックスマーク94(第4マーク)も形成される。下レイヤーで形成されたアウトボックスマーク91と上レイヤーで形成されたインボックスマーク93との位置の差から重ね合わせ誤差が検出されうる。しかし、ショットS2が露光された時の位置x1における照度はa%であるため、理想位置座標が同一である図4のインボックスマーク90との合計照度が(100−a)+a=100%になってここで完全に形成される。こうしてインボックスマーク90とインボックスマーク93とが重ね合わされることで、図6に示されるように、合成インボックスマーク95(合成マーク)が形成される。よって、計測された合成インボックスマーク95のアウトボックスマーク91に対する位置ずれ量が、上下レイヤーの重ね合わせを行うための重ね合わせマーク(91,95)間の位置ずれ量である第1位置ずれ量として求められる。 FIG. 5 is a schematic diagram of the shot S2 exposed in S101. At the time of exposure of the shot S2, an in-box mark 93 (third mark) is formed so as to overlap with the in-box mark 90 for alignment with the out-box mark 91 which is the base mark. Further, when the shot S2 is exposed, an in-box mark 94 (fourth mark) that is a joint position measurement mark for aligning the shot S1 and the shot S2 is also formed at a position overlapping the out-box mark 92. The overlay error can be detected from the difference in position between the outbox mark 91 formed on the lower layer and the inbox mark 93 formed on the upper layer. However, since the illuminance at the position x1 when the shot S2 is exposed is a%, the total illuminance with the in-box mark 90 in FIG. 4 having the same ideal position coordinates is (100−a)+a=100%. It is completely formed here. In this way, the in-box mark 90 and the in-box mark 93 are overlapped with each other to form a combined in-box mark 95 (combined mark) as shown in FIG. Therefore, the measured positional deviation amount of the composite inbox mark 95 with respect to the outbox mark 91 is the first positional deviation amount which is the positional deviation amount between the superposition marks (91, 95) for superposing upper and lower layers. Is required as.
同様に、ショットS2で形成されるインボックスマーク94も、照度は100%ではない。図4のアウトボックスマーク92と図5のインボックスマーク94も理想位置座標が同一であるため、これらのマークは挟み込みの位置関係に形成されるので、図6に示されるマーク96によりショットS1とショットS2との位置ずれ量である第2位置ずれ量が計測される。アウトボックスマーク92とインボックスマーク94は、図7に示すような、グレイトーン・ボックス・イン・ボックスマークを採用することができる。マスク上のそれぞれのマークの露光光透過率を工夫することで、ショットS1とショットS2との位置ずれ量を精度よく計測することができる。なお、グレイトーン・ボックス・イン・ボックスマークの詳細は、例えば、特開2018−10211号公報に開示されている。 Similarly, the illuminance of the in-box mark 94 formed by the shot S2 is not 100%. Since the out-box mark 92 in FIG. 4 and the in-box mark 94 in FIG. 5 have the same ideal position coordinates, these marks are formed in a sandwiched positional relationship. Therefore, the mark 96 shown in FIG. The second positional deviation amount, which is the positional deviation amount with respect to the shot S2, is measured. As the out-box mark 92 and the in-box mark 94, a graytone box-in-box mark as shown in FIG. 7 can be adopted. By devising the exposure light transmittance of each mark on the mask, the positional deviation amount between the shot S1 and the shot S2 can be accurately measured. The details of the graytone box-in-box mark are disclosed in, for example, JP-A-2018-10211.
上レイヤーの重ね合わせマークであるインボックスマーク90(図4)の下レイヤーの重ね合わせマークであるアウトボックスマーク91に対するX方向の位置ずれ量をΔ1とする。すなわち、Δ2は、下レイヤーに対するショットS1の位置ずれ量を表す。また、上レイヤーの重ね合わせマークであるインボックスマーク93(図5)の下レイヤーの重ね合わせマークであるアウトボックスマーク91に対するX方向の位置ずれ量をΔ2とする。すなわち、Δ2は、下レイヤーに対するショットS2の位置ずれ量を表す。そうすると、S102において、左右ショットのつなぎ合わせにより合計照度100%になった上レイヤーの合成インボックスマーク95の下レイヤーのアウトボックスマーク91に対するX方向へのずれ量である第1位置ずれ量M1は、次式により求められる。 The amount of positional deviation in the X direction with respect to the out-box mark 91, which is the overlay mark of the lower layer, which is the overlay mark of the in-box mark 90 (FIG. 4), is Δ1. That is, Δ2 represents the amount of positional deviation of the shot S1 with respect to the lower layer. Further, the positional shift amount in the X direction with respect to the outbox mark 91, which is the overlay mark of the lower layer and the inbox mark 93 (FIG. 5), which is the overlay mark of the upper layer, is Δ2. That is, Δ2 represents the amount of positional deviation of the shot S2 with respect to the lower layer. Then, in S102, the first positional shift amount M1 which is the shift amount in the X direction with respect to the outbox mark 91 of the lower layer of the composite inbox mark 95 of the upper layer whose total illuminance is 100% due to the joining of the left and right shots is , Is calculated by the following formula.
M1=((100-a)/100)・Δ1+(a/100)・Δ2 (1) M1=((100-a)/100)・Δ1+(a/100)・Δ2 (1)
また、マーク96から、ショットS1で露光されたアウトボックスマーク92に対する、ショットS2で露光されたインボックスマーク94の位置ずれ量(左右ショット配列ずれ量)である第2位置ずれ量M2は、次式により求められる(S102)。 Further, the second positional deviation amount M2, which is the positional deviation amount (horizontal shot arrangement deviation amount) of the inbox mark 94 exposed in the shot S2 from the mark 96 with respect to the outbox mark 92 exposed in the shot S1, is It is calculated by the formula (S102).
M2=Δ1-Δ2 (2) M2=Δ1-Δ2 (2)
ここで、説明を簡単にするため、つなぎ領域における各マークが形成されるX位置x1を、つなぎ領域の中央(ショットS1とショットS2の重複幅の方向の中央)とした場合を考える。この場合、a=50%であるから、(1)式は次のようになる。 Here, in order to simplify the description, consider a case where the X position x1 where each mark is formed in the joint region is the center of the joint region (the center in the overlapping width direction of the shots S1 and S2). In this case, since a=50%, the equation (1) is as follows.
M1=(Δ1+Δ2)/2 (3) M1=(Δ1+Δ2)/2 (3)
(2)式と(3)式より、Δ1およびΔ2は次のようになる。 From equations (2) and (3), Δ1 and Δ2 are as follows.
Δ1=M1+(M2/2) (4)
Δ2=M1-(M2/2) (5)
Δ1=M1+(M2/2) (4)
Δ2=M1-(M2/2) (5)
これにより、第1位置ずれ量M1に第2位置ずれ量M2の所定の割合(例えば50%)を加算して得られる位置ずれ量を、つなぎ領域におけるショットS1の第1の像の補正量として決定することができる。また、第1位置ずれ量M1から第2位置ずれ量M2の上記所定の割合に対する残りの割合(例えば100%-50%=50%)を減算して得られる位置ずれ量を、つなぎ領域におけるショットS2の第2の像の補正量として決定することができる。以上の説明は、つなぎ領域における各マークが形成されるX位置x1を任意とした場合に一般化することができる。 As a result, the positional deviation amount obtained by adding a predetermined ratio (for example, 50%) of the second positional deviation amount M2 to the first positional deviation amount M1 is used as the correction amount of the first image of the shot S1 in the joint region. You can decide. Further, the positional deviation amount obtained by subtracting the remaining ratio (for example, 100%-50%=50%) of the second positional deviation amount M2 from the above-mentioned predetermined ratio from the first positional deviation amount M1 is shot in the joint area. It can be determined as the correction amount of the second image in S2. The above description can be generalized when the X position x1 where each mark is formed in the connecting area is arbitrary.
ここで、1回目の露光(S101)の結果から得られる位置ずれ量を用いて、ショットS1の露光によるX位置x1の補正量を、
M1+(a/100)・M2 (6)
とする。また、1回目の露光結果から得られる位置ずれ量を用いて、ショットS2の露光によるX位置x1の補正量を、
M1-((100-a)/100)・M2 (7)
とする。
Here, using the positional shift amount obtained from the result of the first exposure (S101), the correction amount of the X position x1 by the exposure of the shot S1 is
M1+(a/100)/M2 (6)
And Further, by using the positional deviation amount obtained from the first exposure result, the correction amount of the X position x1 by the exposure of the shot S2 is
M1-((100-a)/100)・M2 (7)
And
そうすると、X位置x1における上下レイヤーのX方向への補正量は、(6),(7)式を用いて、次式のようになる。 Then, the correction amount in the X direction of the upper and lower layers at the X position x1 is given by the following equation using the equations (6) and (7).
((100-a)/100)×(M1+(a/100)・M2)+(a/100)×(M1+((100-a)/100)・M2} (8) ((100-a)/100)×(M1+(a/100)・M2)+(a/100)×(M1+((100-a)/100)・M2} (8)
この(8)式に、(1),(2)式を代入すると、次のようになる。 Substituting equations (1) and (2) into equation (8) yields the following.
((100-a)/100)・{((100-a)/100)×Δ1+(a/100)×Δ2+a(Δ1-Δ2)/100}+(a/100)・{((100-a)/100)×Δ1+(a/100)×Δ2-(100-a)(Δ1-Δ2)/100}
=(100-a)/100×Δ1+a/100×Δ2 (9)
((100-a)/100)・{((100-a)/100)×Δ1+(a/100)×Δ2+a(Δ1-Δ2)/100}+(a/100)・{((100 -a)/100)×Δ1+(a/100)×Δ2-(100-a)(Δ1-Δ2)/100}
=(100-a)/100×Δ1+a/100×Δ2 (9)
また、つなぎ合わせた左右ショット配列ずれ計測マークであるマーク96のX方向への補正量は、次式のようになる。 Further, the correction amount in the X direction of the mark 96, which is the combined left and right shot array displacement measurement mark, is given by the following equation.
(M1+(a/100)・M2)-(M1-((100-a)/100)・M2)
=(((100-a)/100)・Δ1+(a/100)・Δ2+a(Δ1-Δ2)/100)
-(((100-a)/100)・Δ1+(a/100)・Δ2-(100-a)(Δ1-Δ2)/100)
=Δ1-Δ2 (10)
(M1+(a/100)/M2)-(M1-((100-a)/100)/M2)
=(((100-a)/100)・Δ1+(a/100)・Δ2+a(Δ1-Δ2)/100)
-(((100-a)/100)・Δ1+(a/100)・Δ2-(100-a)(Δ1-Δ2)/100)
=Δ1-Δ2 (10)
上記の補正後の効果として、2回目の露光(S104)にて、以下のように、補正残差のない補正を行うことができる。
・上下レイヤーのオーバーレイ
1回目の露光のずれ量:(100-a)/100)・Δ1+(a/100)・Δ2
2回目の露光時の補正量:(100-a)/100・Δ1+(a/100)・Δ2
⇒補正残差:0
・左右ショットの配列ずれ
1回目の露光のずれ量:Δ1-Δ2
2回目の露光の補正量:Δ1-Δ2
⇒補正残差:0
As an effect after the above correction, in the second exposure (S104), correction without a correction residual can be performed as follows.
・Overlay of upper and lower layers 1st exposure deviation: (100-a)/100) ・Δ1+(a/100) ・Δ2
Correction amount at the second exposure: (100-a)/100・Δ1+(a/100)・Δ2
⇒ Correction residual: 0
・Displacement of left and right shots Displacement amount of first exposure: Δ1-Δ2
Second exposure correction amount: Δ1-Δ2
⇒ Correction residual: 0
しかし、プロセス特性やマスク製造コストなどの生産条件によっては、上述の実施例1のように、つなぎ領域内にマークを配置できない場合もある。その際、つなぎ領域における上下レイヤーのずれ及び左右ショット配列ずれを、マークの計測結果から直接検出することはできない。次の実施例2および実施例3では、つなぎ領域外のマークから検出された位置ずれ情報に基づいて、つなぎ領域内の上下レイヤーのずれ及び左右ショット配列ずれを推定し、実施例1の補正手法を使用可能にする例を説明する。 However, depending on the production characteristics such as the process characteristics and the mask manufacturing cost, it may not be possible to arrange the marks in the connecting region as in the first embodiment. At that time, the displacement of the upper and lower layers and the displacement of the left and right shots in the joint region cannot be directly detected from the mark measurement result. In the following second and third embodiments, the shift of the upper and lower layers and the left and right shot arrangement shift in the joint area are estimated based on the positional shift information detected from the marks outside the joint area, and the correction method of the first embodiment is used. An example of enabling the will be described.
(実施例2)
図8に示すように、露光ショットのレイアウトは実施例1と同様とする。ショットS1におけるつなぎ領域外の位置に、ショットの特定箇所の絶対位置のずれが検出できるマークC1(第1ショット領域側のつなぎ位置計測マーク)が形成されている。また、ショットS1におけるつなぎ領域外の位置には、特定箇所の上下レイヤーの相対位置ずれが検出できるマークB1(第1ショット領域側の重ね合わせマーク)も形成されている。同様に、ショットS2におけるつなぎ領域外の位置に、ショットの特定箇所の絶対位置のずれが検出できるマークC2(第2ショット領域側のつなぎ位置計測マーク)が形成されている。また、ショットS2におけるつなぎ領域外の位置には、特定箇所の上下レイヤーの相対位置ずれが検出できるマークB2(第2ショット領域側の重ね合わせマーク)も形成されている。
(Example 2)
As shown in FIG. 8, the layout of the exposure shot is the same as that in the first embodiment. A mark C1 (joint position measurement mark on the first shot region side) capable of detecting a deviation of the absolute position of a specific location of the shot is formed at a position outside the joint region in the shot S1. Further, a mark B1 (overlay mark on the first shot area side) capable of detecting a relative positional deviation between upper and lower layers at a specific location is also formed at a position outside the connecting area in the shot S1. Similarly, a mark C2 (joint position measurement mark on the second shot area side) capable of detecting the deviation of the absolute position of the specific location of the shot is formed at a position outside the joint region in the shot S2. Further, a mark B2 (overlaying mark on the second shot area side) capable of detecting the relative positional deviation of the upper and lower layers at a specific location is also formed at a position outside the connecting area in the shot S2.
マークC1、C2のショット内配置位置は、つなぎ露光後に形成されたマークC1、C2の理想位置の中心位置がつなぎ領域内になるように調整される。この中心位置に、該中心位置におけるショットS1とショットS2の露光結果の相対位置ずれの検出を目的とする仮想マークC3(第2仮想マーク)を設定する。 The positions of the marks C1 and C2 in the shot are adjusted so that the center positions of the ideal positions of the marks C1 and C2 formed after the joint exposure are within the joint region. At this center position, a virtual mark C3 (second virtual mark) is set for the purpose of detecting the relative positional deviation between the exposure results of the shots S1 and S2 at the center position.
同様に、マークB1、B2のショット内配置位置は、つなぎ露光後に形成されたマークB1、B2の理想位置の中心位置がつなぎ領域内になるように調整される。この中心位置に、該中心位置におけるショットS1とショットS2のつなぎ合成露光結果と下レイヤーの相対位置ずれの検出を目的とする仮想マークB3(第1仮想マーク)が設定される。 Similarly, the positions of the marks B1 and B2 in the shot are adjusted so that the center position of the ideal position of the marks B1 and B2 formed after the joint exposure is within the joint region. At this center position, a virtual mark B3 (first virtual mark) is set for the purpose of detecting the joint composite exposure result of the shots S1 and S2 at the center position and the relative positional deviation of the lower layer.
仮想マークC3及び仮想マークB3の検出量がそれぞれ得られれば、実施例1と同様な補正手法が使用できるようになる。仮想マークC3の検出量QC3は、マークC1の検出量QC1とマークC2の検出量QC2から次式により推定される。 If the detection amounts of the virtual mark C3 and the virtual mark B3 are obtained, the same correction method as in the first embodiment can be used. Detected amount Q C3 virtual mark C3 is estimated from the detected amount Q C2 detection quantity Q C1 and mark C2 mark C1 by the following equation.
QC3=QC1−QC2 Q C3 =Q C1 −Q C2
同様に、仮想マークB3の検出量QB3は、マークB1の検出量QB1とマークB2の検出量QB2から次式により推定される。 Similarly, the detection amount Q B3 of the virtual mark B3 is estimated by the following equation from the detection amount Q B1 of the mark B1 and the detection amount Q B2 of the mark B2.
QB3=(QB1+QB2)/2 Q B3 = (Q B1 + Q B2 )/2
以上のように、この実施例によれば、第1ショット領域側の重ね合わせマークと第2ショット領域側の重ね合わせマークとの間のつなぎ領域内の位置に、第1仮想マークが設定される。そして、第1ショット領域側の重ね合わせマーク間の位置ずれ量と第2ショット領域側の重ね合わせマーク間の位置ずれ量とに基づいて第1仮想マークの位置ずれ量が推定され、この推定された位置ずれ量が第1位置ずれ量として求められる。また、第1ショット領域側のつなぎ位置計測マークと第2ショット領域側のつなぎ位置計測マークとの間のつなぎ領域内の位置に、第2仮想マークが設定される。そして、第1ショット領域側のつなぎ位置計測マーク間の位置ずれ量と第2ショット領域側のつなぎ位置計測マーク間の位置ずれ量とに基づいて第2仮想マークの位置ずれ量が推定され、この推定された位置ずれ量が第2位置ずれ量として求められる。 As described above, according to this embodiment, the first virtual mark is set at the position in the joint area between the overlay mark on the first shot area side and the overlay mark on the second shot area side. .. Then, the positional deviation amount of the first virtual mark is estimated based on the positional deviation amount between the overlay marks on the first shot area side and the positional deviation amount between the overlay marks on the second shot area side. The misaligned amount is obtained as the first misaligned amount. Further, the second virtual mark is set at a position in the joint area between the joint position measurement mark on the first shot area side and the joint position measurement mark on the second shot area side. Then, the positional deviation amount of the second virtual mark is estimated based on the positional deviation amount between the joint position measurement marks on the first shot area side and the positional deviation amount between the joint position measurement marks on the second shot area side. The estimated positional deviation amount is obtained as the second positional deviation amount.
なお、図8では、ショットの特定箇所の絶対位置のずれを検出するマーク及び特定箇所の上下レイヤーの相対位置ずれを検出するマークがつなぎ領域の近辺に配置され、異なるショットの同種類のマークがつなぎ領域の中心線で対称になるように配置される。しかし、本発明はこの配置に限定されるものではない。 In FIG. 8, a mark for detecting the absolute position shift of a specific portion of a shot and a mark for detecting the relative positional shift of the upper and lower layers of the specific portion are arranged in the vicinity of the joint area, and the same type of marks of different shots are arranged. They are arranged so as to be symmetrical with respect to the center line of the connecting area. However, the invention is not limited to this arrangement.
(実施例3)
さらに、図9のように、ショットS1とショットS2の各ショット内に、任意の直線上にショットの特定箇所の絶対位置のずれを検出するマークを複数配置している場合、仮想マークは、つなぎ領域内における直線上の箇所に配置することが可能である。マークC10、C11、C20、C21から仮想マークC30までの距離をそれぞれ、D10、D11、D20、D21とする。また、マークC10、C11、C20、C21の検出量をそれぞれ、QC10、QC11、QC20、QC21とする。この場合、仮想マークC30の検出量QC30は、次式により推定される。
(Example 3)
Further, as shown in FIG. 9, when a plurality of marks for detecting the deviation of the absolute position of a specific portion of the shot are arranged on an arbitrary straight line in each shot of the shot S1 and the shot S2, the virtual marks are connected. It can be arranged at a straight line in the area. The distances from the marks C10, C11, C20, C21 to the virtual mark C30 are D10, D11, D20, D21, respectively. Further, the detected amounts of the marks C10, C11, C20, C21 are designated as Q C10 , Q C11 , Q C20 , and Q C21 , respectively. In this case, the detection amount Q C30 of the virtual mark C30 is estimated by the following equation.
QC30=
[((QC11−QC10)/(D11−D10))×D11+QC11]−
[((QC21−QC20)/(D21−D20))×D21+QC21]
Q C30 =
[((Q C11 −Q C10 )/(D11 −D10))×D11+Q C11 ]−
[((Q C21- Q C20 )/(D21-D20))×D21+Q C21 ]
同様に、ショットS1とショットS2の各ショット内に、任意の直線上に特定箇所の上下レイヤーの相対位置ずれを検出するマークを複数配置している場合、仮想マークは、つなぎ領域内における直線上の箇所に配置することが可能である。マークB10、B11、B20、B21から仮想マークB30までの距離をそれぞれ、E10、E11、E20、E21とする。また、マークB10、B11、B20、B21の検出量をそれぞれ、QB10、QB11、QB20、QB21とする。この場合、仮想マークB30の検出量QB30は、次式により推定される。 Similarly, when a plurality of marks for detecting the relative positional deviation of the upper and lower layers at a specific position are arranged on an arbitrary straight line in each of the shots S1 and S2, the virtual mark is a straight line in the connecting area. It is possible to place it at the location. The distances from the marks B10, B11, B20, B21 to the virtual mark B30 are E10, E11, E20, E21, respectively. Further, the detected amounts of the marks B10, B11, B20, B21 are respectively set to QB10 , QB11 , QB20 , QB21 . In this case, the detection amount Q B30 virtual marks B30 is estimated by the following equation.
QB30=
{[(QB11−QB10)/(E11−E10)×E11+QB11]+
[(QB21−QB20)/(E21−E20)×E21+QB21]}/2
Q B30 =
{[(Q B11 −Q B10 )/(E11 −E10)×E11+Q B11 ]+
[(Q B21 −Q B20 )/(E21 −E20)×E21+Q B21 ]}/2
図9に示す方法では、仮想マークの検出量を、配置されているマークの検出量から線形補間で求めているが、これに限定されない。その他一般的な統計手法によって求めてもよい。 In the method shown in FIG. 9, the detection amount of the virtual mark is obtained by linear interpolation from the detection amount of the arranged marks, but the invention is not limited to this. It may be obtained by other general statistical methods.
上述の各実施例では、つなぎ領域内の上下レイヤー検出用マークまたはその仮想マーク及び左右ショット配列ずれ検出マークまたはその仮想マークをそれぞれ一つ配置しているが、それに限定されない。つなぎ領域内の上下レイヤー検出用マークまたはその仮想マーク及び左右ショット配列ずれ検出マークまたはその仮想マークをそれぞれ複数配置してもよい。 In each of the above-described embodiments, one upper and lower layer detection mark or its virtual mark and one left and right shot arrangement shift detection mark or its virtual mark are arranged in the joint area, but the present invention is not limited to this. A plurality of upper and lower layer detection marks or virtual marks thereof and left and right shot arrangement shift detection marks or virtual marks thereof may be respectively arranged in the connecting region.
<第2実施形態>
図1で示したように、実施形態における露光装置は、アライメントスコープ80およびオフアクシススコープ81を備えている。本実施形態では、アライメントスコープ80およびオフアクシススコープ81の双方により、基板上に露光されたマークを計測し、計測データをデータ保持部71に保存する。アライメントスコープ80およびオフアクシススコープ81は、制御部70によりキャリブレーション処理が実施され、同一マークを計測する場合にどちらのスコープで計測しても計測値が同じになるように調整される。ここで、露光前に原版30と基板60の上に形成されたマークを計測することにより、実施例1で説明したΔ1、Δ2の計測が可能になる。この方法を使用することによっても、第1実施形態における実施例は実現可能である。
<Second Embodiment>
As shown in FIG. 1, the exposure apparatus in the embodiment includes an alignment scope 80 and an off-axis scope 81. In the present embodiment, both the alignment scope 80 and the off-axis scope 81 measure the marks exposed on the substrate and store the measurement data in the data holding unit 71. The alignment scope 80 and the off-axis scope 81 are calibrated by the control unit 70, and when measuring the same mark, the alignment scope 80 and the off-axis scope 81 are adjusted so that the measurement values are the same regardless of which scope is used for measurement. Here, by measuring the marks formed on the original plate 30 and the substrate 60 before exposure, it is possible to measure Δ1 and Δ2 described in the first embodiment. The example in the first embodiment can also be realized by using this method.
<物品製造方法の実施形態>
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のパターン形成方法あるいはリソグラフィ装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を加工(現像)する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
<Embodiment of article manufacturing method>
The article manufacturing method according to the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing articles such as microdevices such as semiconductor devices and elements having a fine structure. The method for manufacturing an article according to the present embodiment includes a step of forming a latent image pattern on a photosensitive agent applied to a substrate using the above pattern forming method or a lithographic apparatus (a step of exposing the substrate), and a latent image pattern in the step. And processing (developing) the substrate on which is formed. Furthermore, the manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.
(他の実施形態)
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
(Other embodiments)
The present invention supplies a program that implements one or more functions of the above-described embodiments to a system or apparatus via a network or a storage medium, and one or more processors in a computer of the system or apparatus read and execute the program. It can also be realized by the processing. It can also be realized by a circuit (for example, ASIC) that realizes one or more functions.
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist thereof.
10:照明光学系、20:スリット結像系、30:原版、40:投影光学系、60:基板、70:制御部 10: illumination optical system, 20: slit imaging system, 30: original plate, 40: projection optical system, 60: substrate, 70: control unit
Claims (8)
上下レイヤーの重ね合わせを行うための重ね合わせマーク間の位置ずれ量である第1位置ずれ量を求め、
前記第1ショット領域と前記第2ショット領域との位置合わせを行うためのつなぎ位置計測マーク間の位置ずれ量である第2位置ずれ量を求め、
前記第1位置ずれ量に前記第2位置ずれ量の所定の割合を加算して得られる位置ずれ量を、前記第1ショット領域と前記第2ショット領域とが重複するつなぎ領域における前記第1の像の補正量として決定し、
前記第1位置ずれ量から前記第2位置ずれ量の前記所定の割合に対する残りの割合を減算して得られる位置ずれ量を、前記つなぎ領域における前記第2の像の補正量として決定する
ことを特徴とする決定方法。 Exposing a first shot area of the substrate to form a first image; exposing a second shot area overlapping a portion of the first shot area to form a second image; A determination method for determining a correction amount for alignment of the first shot area and the second shot area for joint exposure to obtain an image obtained by joining the first shot area and the second image,
The first displacement amount, which is the displacement amount between the overlay marks for overlaying the upper and lower layers, is calculated,
A second positional deviation amount, which is an amount of positional deviation between the joint position measurement marks for performing the alignment between the first shot area and the second shot area,
A positional deviation amount obtained by adding a predetermined ratio of the second positional deviation amount to the first positional deviation amount is used as the first positional deviation in the joint area where the first shot area and the second shot area overlap each other. Determined as the amount of image correction,
A position deviation amount obtained by subtracting the remaining ratio of the second position deviation amount with respect to the predetermined ratio from the first position deviation amount is determined as a correction amount of the second image in the joint region. Characterizing decision method.
前記第2ショット領域を露光して、前記下地マークとの位置合わせのために前記第1マークと重複するように第3マークを形成するとともに、前記つなぎ領域における前記第2マークと重複する位置に第4マークを形成し、
前記第1マークと前記第3マークとが重ね合わされることで形成された合成マークの前記下地マークに対する位置ずれ量を前記第1位置ずれ量として求め、
前記第2マークに対する前記第4マークの位置ずれ量を前記第2位置ずれ量として求める
ことを特徴とする請求項1に記載の決定方法。 The first shot region is exposed to light, and the first shot region and the second shot are aligned in the joint region with a first mark for alignment with a base mark formed in a lower layer of the joint region. Forming a second mark for alignment with the region,
The second shot area is exposed to form a third mark so as to overlap with the first mark for alignment with the base mark, and at a position overlapping with the second mark in the joint area. Forming the fourth mark,
The positional deviation amount of the composite mark formed by superimposing the first mark and the third mark with respect to the base mark is obtained as the first positional deviation amount,
The determination method according to claim 1, wherein a positional deviation amount of the fourth mark with respect to the second mark is obtained as the second positional deviation amount.
前記第1ショット領域側の重ね合わせマークと前記第2ショット領域側の重ね合わせマークとの間の前記つなぎ領域内の位置に第1仮想マークを設定し、前記第1ショット領域側の重ね合わせマーク間の位置ずれ量と前記第2ショット領域側の重ね合わせマーク間の位置ずれ量とに基づいて前記第1仮想マークの位置ずれ量を推定し、該推定された位置ずれ量を前記第1位置ずれ量として求め、
前記第1ショット領域側のつなぎ位置計測マークと前記第2ショット領域側のつなぎ位置計測マークとの間の前記つなぎ領域内の位置に第2仮想マークを設定し、前記第1ショット領域側のつなぎ位置計測マーク間の位置ずれ量と前記第2ショット領域側のつなぎ位置計測マーク間の位置ずれ量とに基づいて前記第2仮想マークの位置ずれ量を推定し、該推定された位置ずれ量を前記第2位置ずれ量として求める
ことを特徴とする請求項1に記載の決定方法。 The overlay mark and the joint position measurement mark are respectively formed at a position outside the joint area in the first shot area and a position outside the joint area in the second shot area,
A first virtual mark is set at a position in the joint area between the overlay mark on the side of the first shot area and the overlay mark on the side of the second shot area, and the overlay mark on the side of the first shot area is set. The positional deviation amount of the first virtual mark based on the positional deviation amount and the positional deviation amount between the overlay marks on the second shot area side, and the estimated positional deviation amount is used as the first position. Calculated as the amount of deviation,
A second virtual mark is set at a position in the joint area between the joint position measurement mark on the first shot area side and the joint position measurement mark on the second shot area side, and the joint on the first shot area side is set. The position shift amount of the second virtual mark is estimated based on the position shift amount between the position measurement marks and the position shift amount between the joint position measurement marks on the second shot area side, and the estimated position shift amount is calculated. The determination method according to claim 1, wherein the determination is performed as the second positional deviation amount.
前記第1ショット領域の一部と重複する第2ショット領域を露光して第2の像を形成する第2工程とを有し、
前記第1の像と前記第2の像とをつなぎ合わせた像を得る露光方法であって、
前記第1工程において、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の決定方法により決定された前記第1の像の補正量で、前記第1ショット領域の前記第2ショット領域と重複するつなぎ領域における前記第1の像を補正し、
前記第2工程において、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の決定方法により決定された前記第2の像の補正量で、前記つなぎ領域における前記第2の像を補正する
ことを特徴とする露光方法。 A first step of exposing a first shot area of the substrate to form a first image;
A second step of exposing a second shot area overlapping a part of the first shot area to form a second image,
An exposure method for obtaining an image in which the first image and the second image are joined together,
In the first step, a joint that overlaps the second shot area of the first shot area with the correction amount of the first image determined by the determination method according to claim 1. Correcting the first image in the area,
In the second step, the second image in the joint region is corrected with the correction amount of the second image determined by the determination method according to any one of claims 1 to 5. Exposure method.
前記第1ショット領域および前記第2ショット領域の位置合わせに関する補正量を決定する処理を行う処理部と、
前記つなぎ露光の制御を行う制御部と、を有し、
前記処理部は、
上下レイヤーの重ね合わせを行うための重ね合わせマーク間の位置ずれ量である第1位置ずれ量を求め、
前記第1ショット領域と前記第2ショット領域との位置合わせを行うためのつなぎ位置計測マーク間の位置ずれ量である第2位置ずれ量を求め、
前記第1位置ずれ量に前記第2位置ずれ量の所定の割合を加算して得られる位置ずれ量を、前記第1ショット領域と前記第2ショット領域とが重複するつなぎ領域における前記第1の像の補正量として決定し、
前記第1位置ずれ量から前記第2位置ずれ量の前記所定の割合に対する残りの割合を減算して得られる位置ずれ量を、前記つなぎ領域における前記第2の像の補正量として決定し、
前記制御部は、
前記決定された前記第1の像の補正量で、前記つなぎ領域における前記第1の像を補正するとともに、前記決定された前記第2の像の補正量で、前記つなぎ領域における前記第2の像を補正して、前記つなぎ露光を実行する
ことを特徴とする露光装置。 Exposing a first shot area of the substrate to form a first image; exposing a second shot area overlapping a portion of the first shot area to form a second image; And an exposure device that performs joint exposure to obtain an image obtained by joining the second image and the second image,
A processing unit that performs a process of determining a correction amount related to alignment of the first shot area and the second shot area;
A control unit for controlling the joint exposure,
The processing unit is
The first displacement amount, which is the displacement amount between the overlay marks for overlaying the upper and lower layers, is calculated,
A second positional deviation amount, which is an amount of positional deviation between the joint position measurement marks for performing the alignment between the first shot area and the second shot area,
A positional deviation amount obtained by adding a predetermined ratio of the second positional deviation amount to the first positional deviation amount is used as the first positional deviation in the joint area where the first shot area and the second shot area overlap each other. Determined as the amount of image correction,
A positional deviation amount obtained by subtracting the remaining ratio of the second positional deviation amount with respect to the predetermined ratio from the first positional deviation amount is determined as a correction amount of the second image in the joint region,
The control unit is
The first image in the joint region is corrected with the determined correction amount of the first image, and the second image in the joint region is corrected with the determined correction amount of the second image. An exposure apparatus that corrects an image and executes the joint exposure.
前記工程で前記露光された基板を現像する工程と、
を含み、
前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。 Exposing a substrate using the exposure method according to claim 6;
Developing the exposed substrate in the step,
Including,
An article manufacturing method comprising manufacturing an article from the developed substrate.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018236721A JP7240166B2 (en) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | Determination method, exposure method, exposure apparatus, and article manufacturing method |
| TW108140193A TWI803710B (en) | 2018-12-18 | 2019-11-06 | Determination method, exposure method, exposure device and article manufacturing method |
| KR1020190158678A KR102649936B1 (en) | 2018-12-18 | 2019-12-03 | Determination method, exposure method, exposure apparatus and method of manufacturing article |
| CN201911278438.5A CN111338186B (en) | 2018-12-18 | 2019-12-13 | Determination method, exposure apparatus, and article manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018236721A JP7240166B2 (en) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | Determination method, exposure method, exposure apparatus, and article manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020098285A true JP2020098285A (en) | 2020-06-25 |
| JP7240166B2 JP7240166B2 (en) | 2023-03-15 |
Family
ID=71106543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018236721A Active JP7240166B2 (en) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | Determination method, exposure method, exposure apparatus, and article manufacturing method |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7240166B2 (en) |
| KR (1) | KR102649936B1 (en) |
| CN (1) | CN111338186B (en) |
| TW (1) | TWI803710B (en) |
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- 2019-12-13 CN CN201911278438.5A patent/CN111338186B/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111338186A (en) | 2020-06-26 |
| JP7240166B2 (en) | 2023-03-15 |
| TW202024785A (en) | 2020-07-01 |
| TWI803710B (en) | 2023-06-01 |
| CN111338186B (en) | 2023-05-12 |
| KR20200075742A (en) | 2020-06-26 |
| KR102649936B1 (en) | 2024-03-22 |
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|
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|
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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