JP2020088197A - 樹脂多層基板および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】樹脂基材と、樹脂基材に形成される導体パターンと、樹脂基材の表面に形成される保護層と、を備える構成において、外力が加わった際の上記導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制した、樹脂多層基板を実現する。【解決手段】樹脂多層基板101は、互いに対向する第1主面VS1および第2主面VS2を有する樹脂基材30と、第1主面VS1のみに形成される実装電極P1,P2と、第2主面VS2に形成される保護層2と、樹脂基材30に形成される導体パターン41,42,43と、を備える。樹脂基材30は複数の第1樹脂層11,12,13,14を含んで形成され、保護層2は、第2主面VS2を有する第1樹脂層14の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる。導体パターン41,42,43は、第2主面VS2と保護層2との界面以外、および保護層2以外に形成される。【選択図】図1
Description
本発明は、樹脂多層基板に関し、特に、複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、樹脂基材の表面に形成される保護層とを備えた樹脂多層基板、およびその樹脂多層基板を備える電子機器に関する。
従来、複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材の表面に、保護層が形成された樹脂多層基板が知られている。
例えば、特許文献1には、複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、樹脂基材の表面に形成される導体パターンと、上記導体パターンを覆うように樹脂基板の表面に積層される保護層と、を備えた樹脂多層基板が開示されている。この構成により、樹脂基材の表面の導体パターンの酸化や、上記導体パターンと外部に存在する導体との接触等が抑制される。
しかし、特許文献1に記載の樹脂多層基板では、表面に外部からの衝撃を受けたときに、その衝撃(外力)が導体パターンに直接加わることを防ぐことができるが、保護層に加わった外力は直下の導体パターンに伝わりやすい。そのため、上記導体パターンが損傷(例えば、変形、剥離および破損等)しやすく、上記樹脂多層基板の電気的特性が変化してしまう虞がある。
本発明の目的は、樹脂基材と、樹脂基材に形成される導体パターンと、樹脂基材の表面に形成される保護層と、を備える構成において、外力が加わった際の上記導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制した、樹脂多層基板およびそれを備える電子機器を提供することにある。
本発明の樹脂多層基板は、
互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成されることを特徴とする。
互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成されることを特徴とする。
また、本発明の樹脂多層基板は、
互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を含んで形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂基材のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成されることを特徴とする。
互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を含んで形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂基材のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成されることを特徴とする。
導体パターンが第2主面と保護層との界面に形成される場合には、第2主面側から受けた衝撃が直接導体パターンに加わって、上記導体パターンが損傷(例えば、変形、剥離および破損等)しやすい。また、第2主面に硬質な保護層が形成されていない場合にも、第2主面側から受けた衝撃によって、上記導体パターンが損傷しやすい。
一方、この構成によれば、硬質な保護層が上記導体パターンに直接接しておらず、導体パターンと保護層との間に保護層よりも変形しやすい樹脂層が介在している。そのため、第2主面側から受けた衝撃が導体パターンに伝わることを抑制でき、外部からの衝撃に起因する導体パターンの損傷を抑制できる。したがって、外部からの衝撃による導体パターンの変形に起因した、樹脂多層基板の電気的特性の変化が抑制される。
本発明における電子機器は、
樹脂多層基板と、前記樹脂多層基板が接続される他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成され、
前記樹脂多層基板の前記実装電極は、前記他の部材に接続されることを特徴とする。
樹脂多層基板と、前記樹脂多層基板が接続される他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成され、
前記樹脂多層基板の前記実装電極は、前記他の部材に接続されることを特徴とする。
本発明における電子機器は、
樹脂多層基板と、前記樹脂多層基板が接続される他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、前記保護層以外に形成され、
前記樹脂多層基板の前記実装電極は、前記他の部材に接続されることを特徴とする。
樹脂多層基板と、前記樹脂多層基板が接続される他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、前記保護層以外に形成され、
前記樹脂多層基板の前記実装電極は、前記他の部材に接続されることを特徴とする。
この構成によれば、樹脂基材と、樹脂基材に形成される導体パターンと、樹脂基材の表面に形成される保護層と、を備える樹脂多層基板を他の部材に接続した場合において、外力が加わった際の上記導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制できる。
本発明によれば、樹脂基材と、樹脂基材に形成される導体パターンと、樹脂基材の表面に形成される保護層と、を備える構成において、外力が加わった際の上記導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制した、樹脂多層基板およびそれを備える電子機器を実現できる。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第1の実施形態》
図1は、第1の実施形態に係る樹脂多層基板101の断面図である。
図1は、第1の実施形態に係る樹脂多層基板101の断面図である。
樹脂多層基板101は、樹脂基材30、導体パターン41,42,43、実装電極P1,P2、層間接続導体V1、保護層1,2等を備える。
樹脂基材30は、長手方向がX軸方向に一致する矩形の平板であり、互いに対向する第1主面VS1および第2主面VS2を有する。樹脂基材30は、熱可塑性樹脂を主成分とする素体である。
図1に示すように、樹脂基材30の第1主面VS1には、実装電極P1,P2および保護層1が形成されている。樹脂基材30の第2主面VS2には、保護層2が形成されている。樹脂基材30の内部には、導体パターン41,42,43および層間接続導体V1が形成されている。なお、樹脂基材30には、これ以外の導体パターンや層間接続導体が形成されているが、図示省略している。
樹脂基材30は、複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13,14)を積層して形成される積層体である。具体的には、樹脂基材30は、第1樹脂層11,12,13,14をこの順に積層して形成される。複数の第1樹脂層11,12,13,14は、それぞれ長手方向がX軸方向に一致する矩形の樹脂(熱可塑性樹脂)平板である。第1樹脂層11,12,13,14は、例えば液晶ポリマー(LCP)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等を主成分とする樹脂シートである。
第1樹脂層11の下面(第1主面VS1側の面)には、実装電極P1,P2が形成されている。実装電極P1は、第1樹脂層11の第1端(図1における第1樹脂層11の左端)付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極P2は、第1樹脂層11の第2端(図1における第1樹脂層11の右端)付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極P1,P2は、例えばCu箔等の導体パターンである。
第1樹脂層12の下面(第1主面VS1側の面)には、導体パターン41が形成されている。第1樹脂層13の下面(第1主面VS1側の面)には、導体パターン42が形成されている。導体パターン41は、第1樹脂層12の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン41は、例えばCu箔等の導体パターンである。また、第1樹脂層12には層間接続導体V1が形成されている。
第1樹脂層13の下面(第1主面VS1側の面)には、導体パターン42が形成されている。導体パターン42は、第1樹脂層13の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン42は、例えばCu箔等の導体パターンである。
第1樹脂層14の下面(第1主面VS1側の面)には、導体パターン43が形成されている。導体パターン43は、第1樹脂層14の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン43は、例えばCu箔等の導体パターンである。
保護層1は、第1樹脂層11の下面(樹脂基材30の第1主面VS1)に積層される保護膜であり、平面形状が第1樹脂層11と略同じである。保護層1には、実装電極P1,P2の位置に応じた位置にそれぞれ形成された複数の開口を有する。そのため、第1樹脂層11の下面に保護層1が形成された場合でも、上記複数の開口から実装電極P1,P2がそれぞれ外部に露出する。保護層1は、例えばポリイミド(PI)やポリエチレンテレフタレート(PET)等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジスト膜である。
保護層2は、第1樹脂層14の上面(樹脂基材30の第2主面VS2)に積層される保護膜であり、平面形状が第1樹脂層14と略同じである。保護層2は、第2主面を有する第1樹脂層14の樹脂材料(例えば、液晶ポリマー)よりも硬質な絶縁樹脂からなる。保護層2は、例えばポリイミド(PI)等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジスト膜である。
実装電極P1,P2は樹脂基材30の第1主面VS1のみに形成される。また、図1に示すように、樹脂多層基板101が有する導体パターン41,42,43は、第2主面VS2と保護層2との界面以外、および保護層2以外に形成されている。
なお、本実施形態では、保護層2が第2主面VS2の全面に形成されている。また、2つの導体パターン41,42は、1つの層間接続導体V1を介して互いに接続されている。
次に、樹脂多層基板101の実装例について、図を参照して説明する。図2は、第1の実施形態に係る電子機器301の主要部を示す断面図である。本実施形態に係る樹脂多層基板101は表面実装部品である。
電子機器301は、樹脂多層基板101および回路基板201等を備える。回路基板201の第1面S1には、外部電極EP1,EP2および保護層3が形成されている。回路基板201は、例えばガラス・エポキシ基板である。
本実施形態では、回路基板201が本発明における「他の部材」の一例である。
樹脂多層基板101は回路基板201に実装されている。具体的には、樹脂多層基板101の実装電極P1は、はんだ等の導電性接合材5を介して、回路基板201の外部電極EP1に接続されている。樹脂多層基板101の実装電極P2は、導電性接合材5を介して、回路基板201の外部電極EP2に接続されている。なお、図示省略するが、回路基板201の第1面S1には他のチップ部品等も実装される。
図2に示すように、樹脂多層基板101は、樹脂基材30の第1主面VS1と回路基板201の第1面S1とが対向するように、回路基板201に実装される。そのため、樹脂基材30の第2主面VS2側は外部に露出している。そして、樹脂基材30の第2主面VS2側は、樹脂多層基板101の実装後、例えば、第1面S1に他の電子部品を実装する際のマウントヘッドの接触や、第1面S1にシールドケースを配置する際のシールドケースの接触などにより、第2主面VS2側に外部から衝撃が加わる虞がある(図2における白抜き矢印を参照)。
導体パターンが第2主面VS2と保護層2との界面に形成される場合には、第2主面VS2側から受けた衝撃が導体パターンに直接加わって、上記導体パターンが損傷(例えば、変形、剥離および破損等)しやすい。また、第2主面VS2に硬質な保護層2が形成されていない場合にも、第2主面VS2側から受けた衝撃によって、上記導体パターンが損傷しやすい。
一方、本実施形態では、第2主面VS2(実装面とは反対側の面)を有する第1樹脂層14(図1を参照)よりも硬質な保護層2が、第2主面VS2に形成されている。また、樹脂基材30に形成される導体パターン43は、第2主面VS2と保護層2との界面以外、および保護層2以外に形成されている。この構成によれば、硬質な保護層2が導体パターン43に直接接しておらず、導体パターン43と保護層2との間に、保護層2よりも変形しやすい第1樹脂層14(図1を参照)が介在している。そのため、第2主面VS2側から受けた衝撃が導体パターン43に伝わることを抑制でき、外部からの衝撃に起因する導体パターン43の損傷を抑制できる。したがって、外部からの衝撃による導体パターン43の変形に起因した、樹脂多層基板101の電気的特性の変化が抑制される。
また、保護層2は導体ではないため、樹脂基材30に形成される導体パターン41,42,43と保護層2とは容量結合しない。そのため、第2主面VS2側から衝撃が加わった際に保護層2が変形したとしても、保護層2が導体である場合(第2主面VS2に導体パターンを形成した場合)に比べて、樹脂多層基板の電気的特性は変化し難い。
また、本実施形態では、保護層2が第2主面VS2の全面に形成されている。この構成によれば、硬質な保護層2が第2主面VS2の一部に形成されている場合に比べて、第2主面VS2側から衝撃が加わった際の導体パターンの損傷がさらに抑制される。
さらに、本実施形態では、2つの導体パターン41,42が、1つの層間接続導体V1を介して互いに接続されている。異なる樹脂層に形成される2以上の層間接続導体を積層方向(Z軸方向)に連続して直接接続する場合(第2の実施形態に係る層間接続導体V11,V12を参照)には、複数の樹脂層の積層時の積みずれにより接続不良が生じやすい。一方、上記構成によれば、異なる樹脂層に形成される層間接続導体同士を接続することがないため、積層時の積みずれに起因した接続不良は生じ難くできる。
本実施形態では、導体パターン41,42,43が、複数の樹脂層のうち第1主面VS1側の面(図1における第1樹脂層11,12,13,14の下面)にそれぞれ配置されている。この構成によれば、第1主面VS1側の面に導体パターンが配置された樹脂層と、第2主面VS2側の面に導体パターンが配置された樹脂層と、を積層して形成される樹脂基材に比べて(第2の実施形態に係る樹脂多層基板102を参照)、樹脂層の層数を少なくでき、樹脂多層基板の製造工程を削減できる。
本実施形態では、樹脂基材30が、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13,14)を積層して形成される。この構成によれば、後に詳述するように、複数の樹脂層を一括プレスすることにより、樹脂基材30を容易に形成できる。そのため、樹脂多層基板101の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、本実施形態では、樹脂基材30が熱可塑性樹脂の素体である。この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持(保持)できる樹脂多層基板を実現できる。
なお、本実施形態では、保護層2が、第2主面VS2を有する第1樹脂層14の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる例を示したが、第2主面VS2に形成される保護層2はこの構成に限定されるものではない。保護層2は、例えば第2主面VS2を有する第1樹脂層14の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する硬質な材料であってもよい。
本実施形態に係る樹脂多層基板101は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図3は、樹脂多層基板101の製造工程を順に示す断面図である。なお、図3では、説明の都合上、ワンチップ(個片)の図で説明するが、実際の樹脂多層基板101の製造工程は集合基板状態で行われる。「集合基板」とは、複数の樹脂多層基板101が含まれる基板を言う。このことは、以降に示す製造工程を示した断面図でも同様である。
まず、図3中の(1)に示すように、複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13,14)を準備する。第1樹脂層11,12,13,14は、例えば液晶ポリマー(LCP)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等を主成分とする樹脂シートである。
その後、第1樹脂層11,12,13,14にそれぞれ導体パターンを形成する。具体的には、第1樹脂層の下面に金属箔(例えばCu箔)をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、第1樹脂層11の下面に実装電極P1,P2を形成し、第1樹脂層12の下面に導体パターン41を形成し、第1樹脂層13の下面に導体パターン42を形成し、第1樹脂層14の下面に導体パターン43を形成する。
また、第1樹脂層12には層間接続導体V1が形成される。層間接続導体V1は、例えば第1樹脂層12にレーザー等で貫通孔を設けた後、Cu,Sn等のうち1以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレスで硬化させることによって設けられる。
次に、第1樹脂層11,12,13,14の順に積層(載置)する。その後、積層方向(Z軸方向)に、複数の第1樹脂層11,12,13,14を加熱プレス(一括プレス)することにより、図3中の(2)に示す樹脂基材30を形成する。
その後、図3中の(3)に示すように、樹脂基材30の第1主面VS1に保護層1を形成し、樹脂基材30の第2主面VS2に保護層2を形成する。保護層2は、第2主面VS2を有する第1樹脂層14の樹脂材料(例えば、液晶ポリマー)よりも硬質の絶縁樹脂からなる。保護層1,2は、樹脂基材30の表面に接着材で貼り付けてもよく、樹脂基材30の表面に塗布した後に硬化させてもよい。
保護層1は、例えばポリイミド(PI)やポリエチレンテレフタレート(PET)等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジスト膜である。保護層2は、例えばポリイミド(PI)等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジスト膜である。
最後に、集合基板から個々の個片に分離して、図3中の(3)に示す樹脂多層基板101を得る。
この製造方法により、外力が加わった際の導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制した、樹脂多層基板を容易に製造できる。
また、この製造方法によれば、複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13,14)を一括プレスすることにより、樹脂基材30を容易に形成できる。そのため、樹脂多層基板101の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。
《第2の実施形態》
第2の実施形態では、複数の層間接続導体が接続された樹脂多層基板の例を示す。
第2の実施形態では、複数の層間接続導体が接続された樹脂多層基板の例を示す。
図4は、第2の実施形態に係る樹脂多層基板102の断面図である。
樹脂多層基板102は、樹脂基材30A、および樹脂基材30Aの内部に形成される層間接続導体V11,V12を備える点で、第1の実施形態に係る樹脂多層基板101と異なる。樹脂多層基板102の他の構成については、樹脂多層基板101と実質的に同じである。
以下、第1の実施形態に係る樹脂多層基板101と異なる部分について説明する。
樹脂基材30Aは、複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13,14,15)を積層して形成される積層体である。具体的には、樹脂基材30Aは、第1樹脂層11,12,13,14,15をこの順に積層して形成される。複数の第1樹脂層11,12,13,14,15は、第1の実施形態で説明した第1樹脂層11,12,13,14と同じものである。
第1樹脂層11の下面(第1主面VS1側の面)には、実装電極P1,P2が形成されている。実装電極P1,P2は、第1の実施形態で説明したものと同じである。
第1樹脂層12の下面(第1主面VS1側の面)には導体パターン41が形成されている。導体パターン41は、第1の実施形態で説明したものと同じである。また、第1樹脂層12には層間接続導体V11が形成されている。
第1樹脂層13の上面(第2主面VS2側の面)には、導体パターン42が形成されている。導体パターン42は第1樹脂層13の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。また、第1樹脂層13には層間接続導体V12が形成されている。
第1樹脂層14の上面(第2主面VS2側の面)には、導体パターン43が形成されている。導体パターン43は、第1樹脂層14の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。
また、第1樹脂層11の下面(樹脂基材30Aの第1主面VS1)には保護層1が形成され、第1樹脂層15の上面(樹脂基材30Aの第2主面VS2)には保護層1が形成されている。保護層1,2は、第1の実施形態で説明したものと実質的に同じである。
本実施形態では、2つの導体パターン41,42が、2つの層間接続導体V11,V12を介して互いに接続されている。
本実施形態に係る樹脂多層基板102でも、外力が加わった際の導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制できるという樹脂多層基板101と同様の作用・効果を奏する。但し、複数の樹脂層の積みずれに起因する接続不良を抑制するという点で、第1の実施形態のように2つの導体パターンが、1つの層間接続導体を介して接続されている構成が好ましい。
なお、本実施形態では、第1主面VS1側の面に導体パターンが配置された樹脂層(第1樹脂層11)と、第2主面VS2側の面に導体パターンが配置された樹脂層(第1樹脂層14,15)と、を積層して形成される樹脂基材30Aを備える例を示したが、樹脂基材を形成する樹脂層の層数を少なくする点および製造工程の削減の点では、第1の実施形態で示した構成が好ましい。すなわち、樹脂層の層数を少なくする点および製造工程の削減の点では、複数の導体パターンは、複数の樹脂層のうち第1主面VS1側の面にそれぞれ配置される構成が好ましい。複数の導体パターンを、複数の樹脂層の第1主面VS1側の面にそれぞれ配置すれば、図4に示すような保護層2と導体パターン43との間に、導体パターンが形成されていない第1樹脂層15を配置する必要はない。また、第1樹脂層13の第2主面VS2側の面に配置された導体パターン42と、第1樹脂層12の第1主面VS1側の面に配置された導体パターン41とを接続するために、2つの層間接続導体を積層方向に接続する必要もない。
《第3の実施形態》
第3の実施形態では、樹脂基材が、異なる樹脂材料からなる複数の樹脂層を含んだ例を示す。
第3の実施形態では、樹脂基材が、異なる樹脂材料からなる複数の樹脂層を含んだ例を示す。
図5は、第3の実施形態に係る樹脂多層基板103の断面図である。
樹脂多層基板103は、樹脂基材30Bを備える点で、第1の実施形態に係る樹脂多層基板101と異なる。樹脂多層基板103の他の構成については、樹脂多層基板101と実質的に同じである。
以下、第1の実施形態に係る樹脂多層基板101と異なる部分について説明する。
樹脂基材30Bは、複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13,14および第2樹脂層21,22,23)を積層して形成される積層体である。具体的には、樹脂基材30Bは、第1樹脂層11、第2樹脂層21、第1樹脂層12、第2樹脂層22、第1樹脂層13、第2樹脂層23および第1樹脂層14をこの順に積層して形成される。第2樹脂層21,22,23は、第1樹脂層11,12,13,14とは異なる樹脂材料からなる層である。
第1樹脂層11,12,13,14は、例えば液晶ポリマー(LCP)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等を主成分とする樹脂シートである。第2樹脂層21,22,23は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン(PFA)やポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等のようなフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートである。
第1樹脂層11の下面(第1主面VS1側の面)には、実装電極P1,P2が形成されている。第1樹脂層12の下面(第1主面VS1側の面)には、導体パターン41が形成されている。第1樹脂層13の下面(第1主面VS1側の面)には、導体パターン42が形成されている。第1樹脂層14の下面(第1主面VS1側の面)には、導体パターン43が形成されている。実装電極P1,P2および導体パターン41,42,43は、第1の実施形態で説明したものと同じである。
このように、樹脂基材は、異なる樹脂材料からなる複合積層体であってもよい。
本実施形態では、第2樹脂層が、複数の第1樹脂層のうち2つの第1樹脂層に挟まれている。具体的には、図5に示すように、第2樹脂層21が2つの第1樹脂層11,12に挟まれ、第2樹脂層22が2つの第1樹脂層12,13に挟まれ、第2樹脂層23が2つの第1樹脂層13,14に挟まれている。この構成によれば、第1樹脂層と第2樹脂層との接合面が複数存在するため、第1樹脂層と第2樹脂層との線膨張係数の違いや外力が掛かることによって生じる応力が、上記接合面の一つに集中することなく分散される。そのため、樹脂層間の線膨張係数の相違や、外部から衝撃が加わった場合でも、第1樹脂層と第2樹脂層との接合面が一つである樹脂基材に比べて、層間剥離の発生を抑制できる。
なお、本実施形態では、複数の第2樹脂層21,22,23全てが、2つの第1樹脂層に挟まれる例を示したが、この構成に限定されるものではない。また、複数の第2樹脂層の少なくとも一つが、2つの第1樹脂層に挟まれていれば、上記作用・効果を奏する。但し、層間剥離の発生を抑制する点では、複数の第2樹脂層全てが、それぞれ2つの第1樹脂層に挟まれていることが好ましい。なお、第2樹脂層は複数に限定されず、一層でもよい。
本実施形態では、樹脂基材30Bが、第1樹脂層11,12,13,14よりも高周波特性に優れる第2樹脂層21,22,23を含んで形成されている。そのため、樹脂基材が第1樹脂層11,12,13,14のみで形成される場合に比べて、高周波特性に優れる樹脂多層基板を実現できる。具体的に説明すると、第2樹脂層21,22,23の比誘電率(ε2)は、第1樹脂層11,12,13,14の比誘電率(ε1)よりも低い(ε2<ε1)。そのため、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に構成する場合に、樹脂基材30Bに形成される信号線(導体パターン)の線幅を広くでき、上記回路の導体損失を低減できる。また、本実施形態では、第2樹脂層21,22,23の誘電正接(tanδ2)が、第1樹脂層11,12,13,14の誘電正接(tanδ1)よりも小さい(tanδ2<tanδ1)。そのため、樹脂基材が複数の第1樹脂層11,12,13,14のみを積層して形成される場合に比べて、誘電損失を低減できる。
本実施形態に係る樹脂多層基板103は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図6は、樹脂多層基板103の製造工程を順に示す断面図である。
まず、図6中の(1)に示すように、複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13,14および第2樹脂層21,22,23)を準備する。第1樹脂層11,12,13,14は、例えば液晶ポリマー(LCP)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等を主成分とする樹脂シートである。第2樹脂層21,22,23は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン(PFA)やポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等のようなフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートである。
その後、第1樹脂層11,12,13,14にそれぞれ導体パターンを形成する。具体的には、第1樹脂層11,12,13,14の下面に金属箔(例えばCu箔)をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、第1樹脂層11の下面に実装電極P1,P2を形成し、第1樹脂層12の下面に導体パターン41を形成し、第1樹脂層13の下面に導体パターン42を形成し、第1樹脂層14の下面に導体パターン43を形成する。
また、図示省略するが、第1樹脂層11,12,13,14および第2樹脂層21,22,23には、層間接続導体が形成される。層間接続導体は、例えば、樹脂層にレーザー等で貫通孔を設けた後、Cu,Sn等のうち1以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレスで硬化させることによって設けられる。
次に、第1樹脂層11、第2樹脂層21、第1樹脂層12、第2樹脂層22、第1樹脂層13、第2樹脂層23および第1樹脂層14の順に積層(載置)する。その後、積層方向(Z軸方向)に、複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13,14および第2樹脂層21,22,23)を加熱プレス(一括プレス)することにより、図6中の(2)に示す樹脂基材30Bを形成する。
その後、樹脂基材30Bの第1主面VS1に保護層1を形成し、樹脂基材30Bの第2主面VS2に保護層2を形成する。保護層2は、第2主面VS2を有する第1樹脂層14の樹脂材料(例えば、液晶ポリマー)よりも硬質の樹脂材料からなる。
最後に、集合基板から個々の個片に分離して、図6中の(3)に示す樹脂多層基板103を得る。
《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、樹脂多層基板が、回路基板に実装される表面実装部品である例を示したが、本発明の樹脂多層基板の用途はこれに限定されるものではない。本発明の樹脂多層基板は、例えば、二つの回路基板同士を接続するケーブルであってもよく、回路基板と他の部品との間を接続するケーブルでもよい。また、樹脂多層基板には必要に応じてコネクタ(他の部材)が設けられていてもよい。
以上に示した各実施形態では、樹脂多層基板が、回路基板に実装される表面実装部品である例を示したが、本発明の樹脂多層基板の用途はこれに限定されるものではない。本発明の樹脂多層基板は、例えば、二つの回路基板同士を接続するケーブルであってもよく、回路基板と他の部品との間を接続するケーブルでもよい。また、樹脂多層基板には必要に応じてコネクタ(他の部材)が設けられていてもよい。
以上に示した各実施形態では、樹脂基材が矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂基材の平面形状は、例えばL字形、クランク形、T字形、Y字形等であってもよい。また、樹脂多層基板は、一部が曲げられた曲げ部を有していてもよい。
また、以上に示した各実施形態では、4,5または7の樹脂層を積層して形成される樹脂基材について示したが、本発明の樹脂基材はこの構成に限定されるものではない。樹脂基材を形成する樹脂層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。なお、以上に示した各実施形態では、保護層2が第2主面VS2の全面に形成された樹脂多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。保護層2は第2主面VS2の一部に形成されていてもよい。また、本発明の樹脂多層基板において、第1主面VS1に形成される保護層1は必須ではない。
以上に示した各実施形態では、樹脂基材が、熱可塑性樹脂からなる素体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材は熱硬化性樹脂からなる素体でもよい。なお、以上に示した各実施形態では、樹脂基材が、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層を積層して形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材は、熱可塑性樹脂からなる樹脂層と、熱硬化性樹脂からなる樹脂層との積層体であってもよい。また、樹脂基材は、複数の樹脂層を加熱プレス(一括プレス)してその表面同士を融着するものに限らず、各樹脂間に接着層を有する構成でもよい。例えば、樹脂層同士が接着層を介して貼り付けられていてもよく、複数の樹脂層のいずれかが接着性を有する層であってもよい。
なお、以上に示した各実施形態では、樹脂基材に矩形の導体パターン41,42,43が形成された樹脂多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材に形成される導体パターンの形状・個数・配置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、樹脂多層基板に形成される回路は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで形成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ(ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ)等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂多層基板には、例えば各種伝送線路(ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナ線路等)が形成されていてもよい。さらに、樹脂多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。
以上に示した各実施形態では、矩形の実装電極P1,P2が、樹脂基材の第1主面VS1に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。実装電極の形状・個数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。実装電極の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、円弧形、リング状、L字形、U字形、T字形、Y字形、クランク形等であってもよい。また、実装電極の配置は、第1主面VS1に形成されるのであれば、適宜変更可能である。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
EP1,EP2…外部電極
P1,P2…実装電極
S1…回路基板の第1面
V1,V11,V12…層間接続導体
VS1…樹脂基材の第1主面
VS2…樹脂基材の第2主面
1,2…保護層
3…保護層
5…導電性接合材
11,12,13,14,15…第1樹脂層(樹脂層)
21,22,23…第2樹脂層(樹脂層)
30,30A,30B…樹脂基材
41,42,43…導体パターン
101,102,103…樹脂多層基板
201…回路基板(他の部材)
301…電子機器
P1,P2…実装電極
S1…回路基板の第1面
V1,V11,V12…層間接続導体
VS1…樹脂基材の第1主面
VS2…樹脂基材の第2主面
1,2…保護層
3…保護層
5…導電性接合材
11,12,13,14,15…第1樹脂層(樹脂層)
21,22,23…第2樹脂層(樹脂層)
30,30A,30B…樹脂基材
41,42,43…導体パターン
101,102,103…樹脂多層基板
201…回路基板(他の部材)
301…電子機器
Claims (10)
- 互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成される、樹脂多層基板。 - 互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成される、樹脂多層基板。 - 前記複数の樹脂層は、前記複数の第1樹脂層とは異なる樹脂材料からなる、第2樹脂層を含む、請求項1または2に記載の樹脂多層基板。
- 前記第2樹脂層の少なくとも一つは、前記複数の第1樹脂層のうち2つの第1樹脂層に挟まれる請求項3に記載の樹脂多層基板。
- 前記保護層は、前記第2主面の全面に形成される、請求項1から4のいずれかに記載の樹脂多層基板。
- 前記複数の樹脂層は、熱可塑性樹脂からなる、請求項1から5のいずれかに記載の樹脂多層基板。
- 前記樹脂基材に形成される層間接続導体をさらに備え、
前記導体パターンの数は複数であり、
複数の前記導体パターンの2つは、1つの前記層間接続導体を介して互いに接続される、請求項1から6のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 前記導体パターンの数は複数であり、
複数の前記導体パターンは、前記複数の樹脂層の表面のうち、前記第1主面側の面にそれぞれ配置される、請求項1から7のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 樹脂多層基板と、前記樹脂多層基板が接続される他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成され、
前記樹脂多層基板の前記実装電極は、前記他の部材に接続される、電子機器。 - 樹脂多層基板と、前記樹脂多層基板が接続される他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
互いに対向する第1主面および第2主面を有し、複数の第1樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第1主面のみに形成される実装電極と、
前記第2主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第2主面を有する第1樹脂層の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンは、前記第2主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成され、
前記樹脂多層基板の前記実装電極は、前記他の部材に接続される、電子機器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018221370A JP2020088197A (ja) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 樹脂多層基板および電子機器 |
| CN201922028979.4U CN211828497U (zh) | 2018-11-27 | 2019-11-20 | 树脂多层基板以及电子设备 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018221370A JP2020088197A (ja) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 樹脂多層基板および電子機器 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=70908891
Family Applications (1)
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| JP2018221370A Withdrawn JP2020088197A (ja) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 樹脂多層基板および電子機器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024080221A1 (ja) * | 2022-10-13 | 2024-04-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 回路基板の製造方法 |
-
2018
- 2018-11-27 JP JP2018221370A patent/JP2020088197A/ja not_active Withdrawn
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2019
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