JP2020088179A - 配線基板および配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の接続信頼性の向上。【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１面１０ｆおよび第２面１０ｓを有し、第１面１０ｆに接続パッド１１１、１１２を備える第１基板１０と、第２面１０ｓと対向するように第１基板１０に接続されている第２基板２０と、第１基板１０と第２基板２０との間に介在する間隙層３を生成させる離隔部材４と、第１基板１０の第２面１０ｓに設けられている第１放射素子１２ｅと、間隙層３を介した第１放射素子１２ｅとの結合によってアンテナ素子Ａを構成すべく第１放射素子１２ｅと対向するように第２基板２０に設けられている第２放射素子２２ｅと、を有している。第１基板１２ｅと第２基板２２ｅは、離隔部材４を介して接続されており、離隔部材４は非導電性の材料を用いて形成されている。【選択図】図１

Description

本発明は配線基板および配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、アンテナが形成された第１基板と電子部品（半導体チップ）が実装された第２基板とを備える無線モジュールが開示されている。第１基板と第２基板とは、導電性部材で接続されている。この導電性部材を介して、第１基板に形成されたアンテナと第２基板に実装された電子部品との間で信号が伝送される。導電性部材には、はんだ、銅、またはアルミニウムなどが用いられる。

特開２０１４−１４６９８２号公報

特許文献１の無線モジュールでは、第１基板に形成されるアンテナは、信号の伝送または給電などのために、導電性部材を介して第２基板と電気的に接続される。しかし、導電性部材を用いると、伝送信号が導電性部材によって遮蔽されることでアンテナ特性の低下を招くことがある。

本発明の配線基板は、第１面および前記第１面の反対面である第２面を有し、前記第１面に実装部品または外部要素との接続パッドを備える第１基板と、前記第１基板の第２面と対向するように前記第１基板に接続されている第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在する間隙層を生成させる離隔部材と、前記第１基板の第２面に設けられている第１放射素子と、前記間隙層を介した前記第１放射素子との結合によってアンテナ素子を構成すべく前記第１放射素子と対向するように前記第２基板に設けられている第２放射素子と、を有している。そして、前記第１基板と前記第２基板は、前記離隔部材を介して接続されており、前記離隔部材は非導電性の材料を用いて形成されている。

本発明の配線基板の製造方法は、第１面に実装部品または外部要素との接続パッドを備え、前記第１面と反対側の第２面に第１放射素子を備える第１基板を用意することと、第２放射素子を備える第２基板を用意することと、前記第１基板と前記第２基板との間に間隙層を生成させる離隔部材を、非導電性の材料を用いて前記第１基板の表面または前記第２基板の表面に形成することと、前記間隙層を介して前記第１放射素子と前記第２放射素子とが対向するように前記第１基板と前記第２基板とを前記離隔部材を介して接続することによって、前記第１放射素子および前記第２放射素子により構成されるアンテナ素子を形成することと、を含んでいる。

本発明の実施形態によれば、アンテナ素子の特性の低下を抑制することができ、また、そのようなアンテナ素子を含む配線基板を効率良く製造することができる。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１の配線基板における第１基板の平面図。 一実施形態の配線基板における離隔部材の他の配置例を示す平面図。 一実施形態の配線基板における離隔部材の他の配置例を示す平面図。 一実施形態の配線基板における離隔部材の他の配置例を示す平面図。 一実施形態の配線基板における離隔部材の他の形状例を示す側面図。 一実施形態の配線基板における離隔部材の他の形状例を示す側面図。 一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法にて製造中の第１基板の一例を示す図。 一実施形態の配線基板の製造方法にて製造中の第１基板の一例を示す図。 一実施形態の配線基板の製造方法にて製造中の第１基板の一例を示す図。 一実施形態の配線基板の製造方法にて製造中の第２基板の一例を示す図。 一実施形態の配線基板の製造方法にて製造中の第２基板の一例を示す図。 一実施形態の配線基板の製造方法にて製造中の第２基板の一例を示す図。 一実施形態の配線基板の製造方法における離隔部材の形成後の第１基板の一例を示す図。 一実施形態の配線基板の製造方法における離隔部材の形成工程の一例を示す図。 一実施形態の配線基板の製造方法における第１基板と第２基板との接着工程の一例を示す図。 一実施形態の配線基板の製造方法にて製造中の第１基板の他の例を示す図。

つぎに、本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図１に示されるように、配線基板１は、第１面１０ｆおよび第１面１０ｆの反対面である第２面１０ｓを有し、第１面１０ｆに第１導体層１１を備える第１基板１０と、第１基板１０の第２面１０ｓと対向するように第１基板１０に接続されている第２基板２０とを有している。第１導体層１１は、接続パッド１１１、１１２を含んでいる。図１の例では、接続パッド１１１は、第１基板１０に実装される実装部品Ｐが搭載および接続されるべき実装パッドである。接続パッド１１２は、たとえば、はんだボールＳＢが搭載されて外部要素と接続される端子パッドである。第１基板１０と第２基板２０との間には、主に空気などの気体からなる間隙層３が介在している。間隙層３は、第１基板１０と第２基板２０との間に設けられる離隔部材４によって生じている。すなわち配線基板１は間隙層３を生成させる離隔部材４も有しており、第１基板１０と第２基板２０は、離隔部材４を介して接続されている。配線基板１は、さらに、第１基板１０の第２面１０ｓに設けられている第１放射素子１２ｅと、第２基板２０に設けられている第２放射素子２２ｅとを有している。第１放射素子１２ｅは、第１基板１０の第２面１０ｓに形成された導体パッドによって構成されている。

第２放射素子２２ｅは、アンテナ素子Ａを構成すべく第１放射素子１２ｅと対向するように設けられている。第２放射素子２２ｅは、第２基板２０の表面に形成された導体パッドによって構成されている。アンテナ素子Ａは、間隙層３を介した第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとの結合によって構成される。第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとの「結合」は、その結合の結果、第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとが、互いに、相手方の電位、および／または、その周囲の電界に影響を及ぼし得る状態を意味している。従って、この「結合」としては、主に、電気的結合もしくは磁気的結合、またはそれらの複合的な結合が例示される。アンテナ素子Ａは、受信もしくは送信アンテナ、または送受信アンテナとして機能し得る。

そして本実施形態の配線基板１では、離隔部材４は非導電性の材料を用いて形成されている。そのため、アンテナによって送信および／または受信される信号が、離隔部材４によって遮蔽され難く、従って、アンテナ特性の低下が抑制されると考えられる。離隔部材４を構成する非導電性の材料としては、たとえば、合成樹脂もしくは天然ゴムなどの各種樹脂などが例示される。合成樹脂などの有機系の材料は、ＳｉＯ２などの無機材料を含み得る。離隔部材４を構成し得る合成樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などが例示される。これらの樹脂のうち、エポキシ樹脂は、配線基板１を構成する樹脂絶縁層に多用されている。従って、配線基板１内の他の要素との特性の近似性および製造時の取り扱い方法の共通性などの観点から、離隔部材４の材料としてはエポキシ樹脂が好ましい。

これら各種樹脂のような非導電性の材料は、はんだや銅などの導電性材料との比較において低い弾性率を有することが多く、従って比較的小さな力で変形し得る。すなわち、配線基板１が外部から受ける機械的衝撃や、配線基板１内で発生し得る熱応力は、非導電性の材料で形成された離隔部材４によって比較的多く吸収され得る。すなわち、本実施形態によれば、第１放射素子１２ｅを備える第１基板１０と第２放射素子２２ｅを備える第２基板２０との接続信頼性を向上させることができると考えられる。

離隔部材４の材料は、機械的衝撃や応力の吸収の観点からは、このように低い弾性率を有することが好ましい。一方、第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとの位置関係の維持の観点からは、離隔部材４が一定の剛性を有していることが好ましい。これら両観点から、離隔部材４を構成する材料の２５℃における引張弾性率は、１．５ＧＰａ以上、２．０ＧＰａ以下であることが好ましい。また、このような好ましい弾性率を得るために、離隔部材４は、たとえばＳｉＯ₂からなる充填剤（フィラー）を含まないことが好ましいことがある。

離隔部材４は、後に例示されるように、たとえば液状または低粘度の状態の材料を硬化することによって形成される。そのため、離隔部材４は、感光性の樹脂を用いて形成されていてもよい。その場合、離隔部材４の形成時における材料の硬化を他の要素への少ない負荷で素早く行うことができると考えられる。

図１の例において、第１基板１０は、コア部１０ｃと、コア部１０ｃの両面それぞれに形成されているビルドアップ部１０ｂとを有する両面ビルドアップ配線板である。コア部１０ｃは、たとえばガラス繊維からなる補強材（図示せず）およびエポキシ樹脂を含む樹脂絶縁板１３と、樹脂絶縁板１３の両面にたとえば銅箔および銅めっき膜で形成される導体層１４とを含んでいる。コア部１０ｃは、樹脂絶縁板１３を貫通し、導体層１４同士を接続するビア導体１５を含んでいる。ビア導体１５は、たとえば、銅めっき膜で形成される。

コア部１０ｃの両面それぞれに形成されている各ビルドアップ部１０ｂは、複数の樹脂絶縁層１６と複数の導体層１７とを含んでおり、各ビルドアップ部１０ｂにおいて、樹脂絶縁層１６と導体層１７とが交互に積層されている。第１基板１０の第１面１０ｆ側のビルドアップ部１０ｂにおける最外層の導体層が第１導体層１１である。また、第２面１０ｓ側の最外層の導体層は第２導体層１２である。各ビルドアップ部１０ｂは、さらに、各樹脂絶縁層１６の両側の導体層１７同士を接続するビア導体１８も含んでいる。樹脂絶縁層１６は、たとえばエポキシ樹脂によって形成されている。第１および第２の導体層１１、１２を含む導体層１７、ならびにビア導体１８は、たとえば銅からなる無電解めっき膜および電解めっき膜で構成されている。

前述したように、第１導体層１１は接続パッド１１１、１１２を含んでいる。一方、第２導体層１２は第１放射素子１２ｅを含んでいる。接続パッド１１１、１１２の表面には、図示されていないが、たとえば、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、もしくはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの単層もしくは多層のめっき膜、または、はんだ膜によって、表面保護膜が形成されていてもよい。第１放射素子１２ｅの表面にも、接続パッド１１１などの表面に形成され得る表面保護膜と同様の材料を用いて表面保護膜（図示せず）が形成されていてもよい。

図１の例では、接続パッド１１１は、配線基板１に搭載される実装部品Ｐ、たとえば半導体集積回路装置などが実装されるべき実装パッドである。たとえば無線による信号の送受信に必要な変調および復調を行う通信制御ＩＣや、電波の受信に応じて識別情報の処理を行うＩＣタグなどが、配線基板１に搭載される半導体集積回路装置として例示される。このような通信制御ＩＣなどを実装するだけで、アンテナ（アンテナ素子Ａ）を備えた小型の無線モジュールを形成することができる。なお、接続パッド１１１に実装される実装部品Ｐは、通信用の半導体集積回路装置に限定されない。任意の機能を有する集積回路装置、集積回路装置以外の任意の能動素子、または任意の受動素子の実装に適した実装パッドが第１面１０ｆに形成され得る。

接続パッド１１２には、図１に示されるように、たとえばはんだボールＳＢが搭載され得る。はんだボールＳＢを介して、たとえば任意の電子機器（図示せず）を構成するマザーボードなどに配線基板１を接続することができる。第１基板１０の第１面１０ｆには、このように外部要素との接続に用いられる配線基板１の端子パッドが形成されていてもよい。第１基板１０の第１面１０ｆには、接続パッド１１１、１１２の他に、任意の導体パッドおよび配線パターンが形成され得る。

第１基板１０の第２面１０ｓにも、第１放射素子１２ｅ以外に任意の導体パッドまたは配線パターンが形成されていてもよい。たとえば、アンテナ素子Ａの特性の調整に寄与し得るコンデンサまたはコイルなどの電子部品の実装に適した実装パッドが、第２面１０ｓに設けられてもよい。アンテナ素子Ａに関連する電子部品をアンテナ素子Ａの直近に実装することができる。

図１の例において、第１基板１０が有するビア導体１５および複数のビア導体１８は、第１基板１０の厚さ方向において重なっており、所謂スタックビア導体が形成されている。第１放射素子１２ｅは、好ましくは、アンテナ素子Ａにおける送受信信号が伝えられる。すなわち、第１放射素子１２ｅは、アンテナ素子Ａに電気信号が供給されるべき、または、外来電波に基づく電気信号を誘起させるべき給電素子であってもよい。図１には示されていないが、接続パッド１１１と第１放射素子１２ｅとは、電気的に接続されていてもよく、配線基板１は、接続パッド１１１と第１放射素子１２ｅとを接続するスタックビア導体を備えていてもよい。接続パッド１１１に実装される、たとえばＩＣタグなどとアンテナ素子Ａとを略最短の経路で電気的に接続することができる。

第１基板１０は、さらに、接続パッド１１１、１１２を露出させるソルダーレジスト層５ｆを第１面１０ｆに備えている。また、第１基板１０の第２面１０ｓには、第１放射素子１２ｅを露出させる開口を備えるソルダーレジスト層５ｓが形成されている。ソルダーレジスト層５ｆによって、接続パッド１１１、１１２におけるはんだショートの発生などが防止される。そしてソルダーレジスト層５ｓを形成することによって、ソルダーレジスト層５ｆを備える第１基板１０において、コア部１０ｃに関して上下の層構成を基本的に対称にすることができる。従って、第１基板１０の反りを抑制することができる。なお、アンテナ素子Ａに特に問題が生じない場合は、ソルダーレジスト層５ｓによって第１放射素子１２ｅが覆われていてもよい。ソルダーレジスト層５ｆ、５ｓは、たとえば、感光性を有するエポキシ系もしくはポリイミド系の樹脂を用いて形成され得る。

図１の例において、離隔部材４はソルダーレジスト層５ｓの上に形成されている。前述のように離隔部材４もエポキシ樹脂などを用いて形成され得る。ソルダーレジスト層５ｓの上に、ソルダーレジスト層５ｓの材料と同様の材料を用いて離隔部材４を形成することによって、離隔部材４を第１基板１０に強固に密着させることができる。また、離隔部材４の形成の前に、樹脂絶縁層１６と第２導体層１２との段差を覆うようにソルダーレジスト層５ｓを形成することによって、離隔部材４を安定して形成することができる。

第１基板１０は、図１の例では８層の導体層および７層の樹脂絶縁層を含んでいるが、第１基板１０の層数は図１の例に限定されない。第１基板１０は任意の層数を有し得る。また、第１基板１０は、後に参照する図５Ｅに示されるように、コア部１０ｃを有さないビルドアップ配線板であってもよい。

第２基板２０は、図１の例では主に樹脂絶縁層２１によって構成されている。樹脂絶縁層２１の一面に第２放射素子２２ｅが形成されている。第２放射素子２２ｅが形成されている樹脂絶縁層２１の一面には、第２放射素子２２ｅの周縁部分を覆うソルダーレジスト層５ｔが形成されている。ソルダーレジスト層５ｔは開口５ｔ１を有しており、開口５ｔ１内に第２放射素子２２ｅが露出している。図１の例では第２基板２０における第１基板１０と対向する面と反対側の表面に第２放射素子２２ｅが形成されている。従って、第２放射素子２２ｅは、少なくとも間隙層３および樹脂絶縁層２１を介して第１放射素子１２ｅと対向している。アンテナ素子Ａの特性に関与し得る第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅ間の特性を、樹脂絶縁層２１の材料および／または厚さの選択によって調整し得ることがある。第２放射素子２２ｅは、第２基板２０における第１基板１０と反対側の表面に露出している。アンテナ素子Ａの利得の面で有利であると考えられる。

樹脂絶縁層２１は、たとえばガラス繊維などの芯材を含み得るエポキシ樹脂によって形成され得る。第２放射素子２２ｅは、第２導体層１２と同様に、たとえば銅の無電解めっき膜および電解めっき膜によって形成され得る。ソルダーレジスト層５ｔは、ソルダーレジスト層５ｆ、５ｓと同様にエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを用いて形成され得る。

図１の例では、第２放射素子２２ｅに表面保護膜２３が形成されている。表面保護膜２３を形成することによって、第２放射素子２２ｅの表面の酸化や腐食を防ぐことができる。第２放射素子表面保護膜２３としては、たとえばＡｕ、Ｎｉ／Ａｕ、もしくはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの単層もしくは多層のめっき膜、または、はんだ膜などが例示されるが、表面保護膜２３はこれらに限定されない。

図１の例では、第２放射素子２２ｅは、第１基板１０と絶縁されている。具体的には、第２放射素子２２ｅは、第１基板１０が備える各導体層１１、１２、１４、１７に、導電体を用いて接続されていない。図１の例において第２放射素子２２ｅは、第２放射素子２２ｅ以外の導電体から絶縁されている。すなわち、第２放射素子２２ｅは、アンテナ素子Ａの使用時に通電されない無給電素子であってもよい。この場合、非導電性の離隔部材４を介して第１基板１０と第２基板２０とを接合するだけでアンテナ素子Ａが形成され得る。

なお、第２基板２０における第２放射素子２２ｅを含む導体層に、たとえば第２放射素子２２ｅと接続される電子部品（図示せず）が実装されてもよい。その場合、図示されない電子部品は、離隔部材４のような第１基板１０と第２基板２０の連結手段とは別の導電性の接続部材を用いて、第１基板１０と電気的に接続されてもよい。たとえば金または銅などからなるボンディングワイヤがその接続部材として用いられ得る。

第１放射素子１２ｅおよび第２放射素子２２ｅは、対向して配置されることによって、アンテナ素子Ａを構成する。第１放射素子１２ｅおよび第２放射素子２２ｅそれぞれの互いを向き合う面の面積は、たとえば１ｍｍ²以上、９ｍｍ²以下である。第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとの間隔Ｇ１は、たとえば、３００μｍ以上、４５０μｍ以下である。また、第２基板２０の樹脂絶縁層２１の比誘電率は、１ＧＨｚにおいて３．５以下であり、その厚さは５０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。このような両放射素子および樹脂絶縁層を備えることによって、２８ＧＨｚ〜４０ＧＨｚ程度の中心周波数を有するアンテナ（アンテナ素子Ａ）を得ることができる。これら両放射素子それぞれの面積およびその間隔を適宜選択することによって、アンテナの特性を調整することができる。なお、第１放射素子１２ｅおよび第２放射素子２２ｅの面積は略同じであることが好ましい。アンテナ素子Ａの特性を容易に推定することができる。しかし、第１放射素子１２ｅの面積と第２放射素子２２ｅの面積は互いに異なっていてもよい。

離隔部材４は、好ましくは、第１基板１０および第２基板２０の一方の表面上に形成され、その後、他方の基板に接着される。図１の例では、離隔部材４は、第１基板１０における第２基板２０を向く表面に形成されている。離隔部材４は、第２基板２０に向って先細りするテーパー形状を有している。そして、離隔部材４は、第２基板２０側の端面において、第２基板２０に接着されている。図１の例の第１基板１０は第２基板２０よりも多くの層を含んでいるため、より高い剛性を有していると考えられる。従って、離隔部材４が第１基板１０の表面に形成されると、安定した状態で適切に形成されると考えられる。

間隙層３は、空気などの気体で略満たされており、第１基板１０と第２基板２０とを離間している。間隙層３の厚さ（図１の例では、樹脂絶縁層２１および第２導体層１２の対向面同士の間隔）Ｇ２は、たとえば２５０μｍ以上、３５０μｍ以下である。この程度の厚さの間隙層３を設けることによって、第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとの間に、先に例示された間隔Ｇ１を空けることができる。

図１の例において、離隔部材４は接合部材６によって第２基板２０に接合されている。接合部材６としては、たとえば、エポキシ樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、または、ウレタン樹脂系接着剤などが例示される。接合部材６は、第２基板２０と離隔部材４とを容易に剥離しない強度で接着できるものであればよく、これらに限定されない。また、接合部材６は、図１の例では、第２基板２０における第１基板１０を向く表面の全面に設けられているが、離隔部材４と対向する部分だけに接合部材６が設けられていてもよい。特に、第１放射素子１２ｅおよび／または第２放射素子２２ｅと対向する部分には、接合部材６が設けられなくてもよい。接合部材６の特性の変動によるアンテナ素子Ａへの影響を抑制することができる。

図２には、図１の配線基板１における第１基板１０の平面図が示されている。なお、図２に示されるＩ−Ｉ線に相当する切断線に沿って配線基板１全体を切断したときの断面図が図１である。

図２に示されるように、第１放射素子１２ｅは、略正方形の平面形状を有している。図２には示されていないが、第２放射素子２２ｅも、第１放射素子１２ｅと同様の平面形状を有している。第１および第２の放射素子１２ｅ、２２ｅの平面形状は正方形に限定されず、正方形以外の多角形、または円形もしくは楕円形であってもよい。

図２に示されるように、第１放射素子１２ｅは、複数の離隔部材４によって囲まれている。図示されていないが、第２放射素子２２ｅも、第１放射素子１２ｅと同様に複数の離隔部材４によって囲まれている。図２の例では、第１放射素子１２ｅの各辺の中央部分それぞれの外側に離隔部材４が設けられている。すなわち、全部で四つの離隔部材４が、第１および第２の放射素子１２ｅ、２２ｅの周囲に分散して設けられている。第１基板１０と第２基板２０は、これら分散して設けられた複数の離隔部材４それぞれを介して接続されているため、安定して、たとえば平行な状態で接続され得る。第１基板１０および第２基板２０の互いに対する傾きは、アンテナ素子Ａの特性に影響すると考えられる。複数の離隔部材４が両放射素子の周囲に分散して設けられると、所望の特性を有するアンテナ素子Ａが安定して得られると考えられる。

第１基板１０と第２基板２０との間の離隔部材４の配置パターンは、図２に示される例に限定されない。たとえば四つの離隔部材４のそれぞれが、平面視における第１および第２の放射素子１２ｅ、２２ｅのコーナー部の外側に設けられてもよい。図３Ａ〜図３Ｃには、離隔部材４のさらに他の配置例が示されている。

図３Ａの例では、複数の離隔部材４が、第１放射素子１２ｅの周囲に、所定のピッチで２列に配列されている。すなわち、第１放射素子１２ｅおよび第２放射素子２２ｅ（図１参照）が、複数の離隔部材４によって二重に取り囲まれている。第１基板１０と第２基板２０（図１参照）は、このように配置された離隔部材４それぞれを介して接続される。第１基板１０と第２基板２０の位置関係がより安定すると考えられる。

図３Ｂの例においても、図３Ａの例と同様に、複数の離隔部材４は、第１放射素子１２ｅの周囲に二列に配列されている。しかし、図３Ｂの例では、各列の離隔部材４は、他の列の離隔部材４に対して列方向において略ハーフピッチずつずらして設けられている。その結果、第１放射素子１２ｅは、所謂千鳥状の配列で形成された複数の離隔部材４によって取り囲まれている。図３Ｂの例の配列によれば、隣接する離隔部材４同士の間に一定以上の間隔を確保しながら効率良く離隔部材４を設け得ることがある。

図２、図３Ａおよび図３Ｂに示される例では、複数の離隔部材４は互いに離間して配置されている。アンテナ素子Ａ（図１参照）としてアンテナが構成される場合、このように互いの間に間隔を空けて形成される離隔部材４は、アンテナの良好な特性を得るうえで好ましいことがある。しかし、複数の離隔部材４は必ずしも間隔を空けて設けられなくてもよく、さらに、必ずしも複数の離隔部材４が設けられなくてもよい。

たとえば、図３Ｃの例のように、平面視において枠状の形状を有する単一の離隔部材４が設けられてもよい。第１放射素子１２ｅ（および図示されない第２放射素子２２ｅ）は枠状の離隔部材４に囲まれ、枠状の離隔部材４を介して第１基板１０と第２基板２０（図１参照）とが接続されている。枠状の離隔部材４は、たとえば、第２基板２０を向く表面の全面で第２基板２０と接着され得る。枠状の離隔部材４を設けることによって、第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとの間への異物の侵入などを防ぐことができる。なお、離隔部材４の配置パターンは、図２および図３Ａ〜図３Ｃの例に限定されず、離隔部材４は任意の配置パターンで設けられ得る。

先に参照した各図面に示される例では、個々の離隔部材４は、第１基板１０および第２基板２０それぞれに向かう平面状の対向する二つの端面を有している。離隔部材４が、このように第１および第２の基板１０、２０それぞれに向かう端面を有していると、第１基板１０と第２基板２０が、良好な平行性を有する状態で接続され易いと考えられる。図１などに示される離隔部材４は、具体的には、第１基板１０と第２基板２０との対向方向を高さ方向とする截頭錐体状の形状を有している。より具体的には、図２などに示されるように、離隔部材４は円錐台状の形状を有している。しかし、離隔部材４は、任意の多角形を底面をとする角錐台状の形状を有していてもよい。また、離隔部材４の各端面は、必ずしも平面状でなくてもよく、曲面状であってもよい。たとえば、離隔部材４の各端面は、第１基板１０または第２基板２０に向って凸となるように湾曲していてもよい。複数の離隔部材４が分散して設けられる場合、個々の離隔部材４の端面が曲面状であっても大きな問題は生じ難いと考えられるからである。

図４Ａおよび図４Ｂには、離隔部材４の他の形状例が示されている。図４Ａに示されるように、離隔部材４は、一方の端部４ａにおいて端面状の部分を略有さず、従って略錐状体の形状を有していてもよい。前述したように複数の離隔部材４が適度なバランスで分散して設けられる場合、離隔部材４が略錐状体の形状であっても大きな問題は生じ難いと考えられる。特に前述した接合部材６が用いられる場合、各基板との接着強度の面でも問題は生じ難いと考えられる。略錐状体の形状の離隔部材４は、その形成時に端部４ａの平坦化加工などを必要としないと考えられ、従って容易に形成され得ると考えられる。

離隔部材４は、図４Ｂに示されるように、円柱または角柱などの柱状体の形状を有していてもよい。截頭錐体の形状の場合と比べて両端部に広い端面が得られるため、その端面４ｂが僅かに湾曲していても、第１基板１０の第２面１０ｓ（図１参照）に略平行な領域４ｃがより広く確保されると考えられる。従って、第１基板１０と第２基板２０との間の平行性が得られ易いと考えられる。離隔部材４は、各図面に示される例に限定されず、任意の形状を有し得る。

図５Ａ〜図５Ｅには、本実施形態の配線基板の他の例である配線基板１ａ〜１ｅが示されている。なお、図５Ａ〜図５Ｅにおいて、図１に示される構成要素と同様の構成要素には、図１に示される符号と同じ符号が付され、以下の説明において重複となる説明は適宜省略される。

図５Ａに示される配線基板１ａでは、離隔部材４は、第１基板１０に向かって先細りするテーパー形状を有している。配線基板１ａの離隔部材４は、たとえば第２基板２０において第１基板１０に向けられる表面２０ｆに形成される。そして離隔部材４は、第１基板１０に面する端面において第１基板１０に接着されている。第１基板１０には、ソルダーレジスト層５ｓの上に接合部材６が設けられており、接合部材６によって離隔部材４と第１基板１０とが接着されている。第２基板２０の表面２０ｆには、たとえばソルダーレジスト層５ｔと同様の材料を用いてソルダーレジスト層５ｕが形成されている。樹脂絶縁層２１に関して上下の構造の対称性が高まるため、第２基板２０の反りが抑制されると考えられる。また、離隔部材４は、ソルダーレジスト層５ｕの表面に形成されている。第２基板２０と離隔部材４とが強固に密着し得ることがある。

図５Ｂに示される配線基板１ｂでは、第２基板２０が、樹脂絶縁層２１側では無く第２放射素子２２ｅ側を第１基板１０に向けて、離隔部材４と接着されている。接合部材６はソルダーレジスト層５ｔの上だけに設けられている。従って、第２放射素子２２ｅは、配線基板１の内側（間隙層３）に向けられており、樹脂絶縁層２１、および接合部材６を介さずに第１放射素子１２ｅと対向している。図５Ｂに例示される構造によれば、外物の接触などによる第２放射素子２２ｅの損傷を防ぎ得ることがある。

図５Ｃに示される配線基板１ｃでは、第１基板１０に、第１基板１０を構成する樹脂絶縁板１３および全ての樹脂絶縁層１６を貫通するスルーホール導体１５ｃが形成されている。スルーホール導体１５ｃは、樹脂絶縁板１３および各樹脂絶縁層１６を貫通する貫通孔の内壁に形成されためっき膜１５ｃ１および充填樹脂１５ｃ２を含んでいる。めっき膜１５ｃ１は、たとえば銅めっき膜であり、好ましくは、第１導体層１１および第２導体層１２と一体的に形成される。充填樹脂１５ｃ２としては、たとえばＡｇ粒子などの導電性粒子を含む、または含まない、エポキシ樹脂が例示される。スルーホール導体１５ｃによって、第１放射素子１２ｅと複数の接続パッド１１１の一つとが、略最短の経路で電気的に接続されている。また、スルーホール導体１５ｃは、略直線状に延びる側面を有しており、しかも、図５Ｃに例示されるスルーホール導体１５ｃは、各導体層１４、１７との交差部においてビアランドを有していない。従って、第１放射素子１２ｅと接続パッド１１１とを、インピーダンスの変動が少ない経路で接続することができる。たとえば、反射や損失を抑えて、第１放射素子１２ｅと接続パッド１１１との間で高周波信号を適正に伝送することができる。

図５Ｄに示される配線基板１ｄでは、第１基板１０が凹部１０ｄを備えている。第１基板１０は第２放射素子２２ｅと対向する領域において第２基板２０側のビルドアップ部１０ｂを有しておらず、このビルドアップ部１０ｂの無い空間が凹部１０ｄを構成している。凹部１０ｄの底面にはコア部１０ｃにおける第２基板２０側の導体層１４が露出している。そして、この導体層１４における凹部１０ｄへの露出部分によって第１放射素子１２ｅが構成されている。なお、配線基板１ｄの第１基板１０において、凹部１０ｄが形成されている部分では、第１面１０ｆの反対面である第２面１０ｓは凹部１０ｄの底面である。この第２面１０ｓに第１放射素子１２ｅが設けられている。凹部１０ｄを設けることによって、必要に応じて間隙層３の厚さよりも大きな間隔を空けて、第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとを配置することができる。

図５Ｅに示される配線基板１ｅでは、第１基板１０は、一方向だけに導体層と樹脂絶縁層とが交互に積層された、コア基板を持たないコアレス基板である。第１基板１０の第２面１０ｓには、第２導体層１２に設けられた第１放射素子１２ｅが露出している。第１基板１０の第２面１０ｓにはソルダーレジスト層５ｓが形成されており、ソルダーレジスト５ｓの上に離隔部材４が形成されている。第１放射素子１２ｅを含む第２導体層１２は、第２面１０ｓ側の最外層の樹脂絶縁層１６に埋め込まれており、一面だけを第２面１０ｓに露出している。第１放射素子１２ｅの周囲にファインピッチで導体パターンを設けることができる。

図１および図５Ａ〜図５Ｅを含む先に参照された図面は、本実施形態に係る配線基板が取り得る構造の例示に過ぎず、本実施形態に係る配線基板の構造、各構成要素の形状およびそれらの相対的な位置関係などは、各図面に示される例に限定されない。

つぎに、図１に示される配線基板１を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図６Ａ〜図６Ｃ、図７Ａ〜図７Ｃ、および、図８Ａ〜図８Ｃを参照して以下に説明される。

本実施形態の配線基板の製造方法は、第１面１０ｆに実装部品または外部要素との接続パッド１１１、１１２を備え、第１面１０ｆと反対側の第２面１０ｓに第１放射素子１２ｅを備える第１基板１０を用意することと（図６Ｂ参照）、第２放射素子２２ｅを備える第２基板２０を用意することと（図７Ｃ参照）を含んでいる。さらに、本実施形態の配線基板の製造方法は、第１基板１０と第２基板２０との間に間隙層を生成させる離隔部材４を、非導電性の材料を用いて第１基板１０の表面（図８Ａ参照）または第２基板２０の表面に形成することを含んでいる。さらに、本実施形態の配線基板の製造方法は、間隙層３を介して第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとが対向するように第１基板１０と第２基板２０とを離隔部材４を介して接続することを含み、その結果、第１放射素子１２ｅおよび第２放射素子２２ｅにより構成されるアンテナ素子Ａを形成することを含んでいる（図８Ｃ参照）。まず、第１基板１０を用意する方法が、図６Ａ〜図６Ｃを参照しながら説明される。

図６Ａに示されるように、第１基板１０のコア部１０ｃが形成される。たとえば樹脂絶縁板１３の両面に銅箔が積層された両面銅張積層板が用意され、ビア導体１５の形成のために貫通孔１５１が形成される。そして、たとえばセミアディティブ法を用いて、銅箔、銅の無電解めっき膜、および電解めっき膜を含んでいて所望の導体パターンを有する導体層１４、ならびにビア導体１５が形成される。

図６Ｂに示されるように、コア部１０ｃの両面にビルドアップ部１０ｂが形成される。一般的なビルドアップ配線板の製造方法が用いられ得る。たとえば、樹脂絶縁層１６となるべきフィルム状のエポキシ樹脂がコア部１０ｃの両面に積層され、ビア導体１８用の開口が形成され、セミアディティブ法を用いて、所望の導体パターンを有する導体層１７、ならびにビア導体１８が形成される。図１の例の配線基板１が形成される場合は、同様の工程がコア部１０ｃの両面において３回ずつ行われ、その結果、全部で８層の導体層１１、１２、１４、１７を有する第１基板１０が形成される。

第１基板１０の第１面１０ｆ側の最外層の導体層である第１導体層１１が形成される際には、接続パッド１１１、１１２の形成に適した開口を備えるめっきレジスト（図示せず）が第１面１０ｆ側の最外層の樹脂絶縁層１６上に形成される。同様に、第２面１０ｓ側の最外層の導体層である第２導体層１２が形成される際には、第１放射素子１２ｅを構成する導体パッドの形成に適した開口を備えるめっきレジスト（図示せず）が形成される。そして各めっきレジストの開口内に電解めっき膜が形成され、その結果、接続パッド１１１、１１２を含む第１導体層１１、ならびに、第１放射素子１２ｅを含む第２導体層１２が形成される。

図６Ｃに示されるように第１基板１０の第１面１０ｆにソルダーレジスト層５ｆが形成され、第２面１０ｓにソルダーレジスト層５ｓが形成される。ソルダーレジスト層５ｆ、５ｓは、たとえば、感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などからなる樹脂膜をスプレーコーティングやカーテンコーティングなどによって成膜することによって形成される。ソルダーレジスト層５ｆ、５ｓには、適切な開口を備える露光マスクを用いた露光、および現像によって、接続パッド１１１、１１２、または第１放射素子１２ｅを露出させる開口が形成される。たとえば、これらの工程を経ることによって第１基板１０が用意される。

つぎに、図７Ａ〜図７Ｃを参照しながら、第２基板２０を用意する方法が説明される。図７Ａに示されるように、ガラスエポキシ基板などからなるコア材Ｂ３およびその表面に金属箔Ｂ１を有するベース板Ｂが用意される。金属箔Ｂ１は一面に接着されたキャリア金属箔Ｂ２を備えており、キャリア金属箔Ｂ２とコア材Ｂ３とが熱圧着などにより接合されている。金属箔Ｂ１とキャリア金属箔Ｂ２とは、たとえば、熱可塑性接着剤などの分離可能な接着剤で接着されるか、縁部だけで固着されている。金属箔Ｂ１およびキャリア金属箔Ｂ２は好ましくは銅箔である。

図７Ｂに示されるように、金属箔Ｂ１上にフィルム状のエポキシ樹脂などが積層され、熱圧着などによって樹脂絶縁層２１が形成される。なお、樹脂絶縁層２１はベース板Ｂの両面に形成され得るが、図７Ｂおよび図７Ｃにおいて、各図面上、ベース板Ｂの下面側の状態の図示は省略されている。

樹脂絶縁層２１の形成後、たとえば、セミアディティブ法またはフルアディティブ法を用いて、たとえば銅の無電解めっき膜および電解めっき膜、または、銅の無電解めっき膜からなり、所望の平面形状を有する第２放射素子２２ｅが形成される。

図１の例の配線基板１が製造される場合は、さらに、図７Ｃに示されるように、ソルダーレジスト層５ｔが、主に樹脂絶縁層２１の露出面上に形成される。ソルダーレジスト層５ｔは、たとえば、図６Ｃに示されるソルダーレジスト層５ｆ、５ｓと同様の方法で形成され得る。ソルダーレジスト層５ｔには、第２放射素子２２ｅを露出させる開口が、たとえば、適切な開口を備える露光マスクを用いた露光、および現像によって形成される。さらに、無電解めっき、半田レベラ、またはスプレーコーティングなどによって、第２放射素子２２ｅの表面に、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、または耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜２３が形成される。

その後、図示されていないが、キャリア金属箔Ｂ２と金属箔Ｂ１とが分離され、キャリア金属箔Ｂ２とコア材Ｂ３が除去される。金属箔Ｂ１とキャリア金属箔Ｂ２は、たとえば、加熱による熱可塑性接着剤の軟化、または、両者を縁部において固着している接合部の切除などによって分離され得る。キャリア金属箔Ｂ２の除去後、さらに金属箔Ｂ１がエッチングなどによって除去される。キャリア金属箔Ｂ２と金属箔Ｂ１との分離工程、およびその後の工程では、ＰＥＴフィルムなどの貼付によって第２放射素子２２ｅが保護されてもよい。また、第２放射素子２２ｅおよびソルダーレジスト層５ｔ側の表面が、分離可能な接着剤などを用いてベース板Ｂとは異なる支持板（図示せず）に接着されてもよい。第２放射素子２２ｅにダメージを与えることなく、安定した状態で各工程を実施することができる。図示されない支持板は適宜除去される。たとえば、これらの工程を経ることによって第２基板２０が用意される。

図８Ａに示されるように、第１基板１０の表面に離隔部材４が形成される。非導電性の材料が、離隔部材４の形成に用いられる。この非導電性の材料としては、前述したように、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などの各種樹脂などが例示される。なお、後述するように、離隔部材４は、第２基板２０（図５Ａ参照）における第１基板１０に向けられるべき表面に形成されてもよい。図１の例の配線基板１が製造される場合は、図８Ａに示されるように、離隔部材４はソルダーレジスト層５ｓ上に形成される。ソルダーレジスト層５ｓの材料と同系の材料を選択することによって、離隔部材４を第１基板１０に強固に密着させ得ると考えられる。

図８Ｂには、離隔部材４の具体的な形成方法の一例が、図８ＡのVIII部の拡大図として示されている。図８Ｂの例では、エポキシ樹脂などの液状もしくは低粘度の樹脂が、微小な液滴の状態で位置を変えながら順次吐出される、所謂インクジェット法を用いて離隔部材４が形成される。図８Ｂに示されるように、離隔部材４が形成されるべき領域において、インクジェットヘッドＪ１が第１基板１０の第２面１０ｓの上方を移動すると共に、インクジェットヘッドＪ１から樹脂４１が滴下される。図８Ｂの例では、樹脂４１の滴下に引き続いて、滴下された樹脂４１の硬化が行われる。図８Ｂは、紫外線硬化性の樹脂４１が用いられる例を示しており、インクジェットヘッドＪ１に続いて、紫外線光源Ｊ２が、滴下された樹脂４１に向かって紫外線を照射しながら、その上方を通過する。その結果、第１基板１０の第２面１０ｓに滴下された樹脂４１が硬化する。

図８Ｂの例では、このように、離隔部材４が形成されるべき領域におけるインクジェットヘッドＪ１の１回の走査毎に、その走査において滴下された樹脂４１が硬化される。ここで、インクジェットヘッドＪ１から吐出される一滴の樹脂４１の直径は、形成されるべき離隔部材４の高さに対して遥かに小さいと考えられる。従って、所望の高さの離隔部材４が得られるまで、図８Ｂに示されるように、液滴状の樹脂４１が階層状に繰り返し吐出される。すなわち、離隔部材４の形成は、非導電性の材料の供給および硬化の繰り返しによって非導電性の材料を積層することを含み得る。また、階層状に樹脂４１を滴下する際に、下層側よりも上層側ほど、一層における滴下回数（滴下範囲）を少なくすることによって、錐状体や截頭錐体の形状の離隔部材４を形成することができる。

離隔部材４は、好ましくは、２５０μｍ以上、３５０μｍ以下の高さを有するように形成される。離隔部材４がこの範囲の高さに形成されると、第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅ（図１参照）とを、前述された好ましい間隔Ｇ１だけ離間させることができる。

後述される工程で第１基板１０と第２基板２０とを離隔部材４を介して接続する際には、離隔部材４の第２基板２０側の端面が平坦であることが好ましい。第２基板２０を安定して離隔部材４の上に載置することができる。従って、離隔部材４の形成は、離隔部材４における第２基板２０との接合面となる端面を平坦化することを含んでいてもよい。たとえば図８Ａに二点鎖線で示されるように、離隔部材４における第２基板２０側となるべき端面が顕著に湾曲している場合は、その端面の平坦化を行うことが好ましい。

離隔部材４の端面の平坦化には任意の方法が用いられ得る。たとえば、前述されたインクジェット法が離隔部材４の形成に用いられる場合、最上層に吐出された樹脂４１の硬化前に、好ましくは指触乾燥状態で、硬化前の樹脂４１に平板を押し当てることによって平坦化が行われてもよい。また、樹脂４１の硬化後の離隔部材４に対して研磨などが行われてもよい。

離隔部材４の形成は、図８Ｂに例示されるインクジェット方式に限定されない。たとえば、第１基板１０および第２基板２０とは別個に、各種樹脂などを用いて金型成型または切削加工などによって所望の形状の離隔部材４が形成されてもよい。そして任意の接着剤などを用いて、第１基板１０または第２基板２０に接合されてもよい。また、印刷による方法が用いられてもよい。その場合、離隔部材４の形成領域に開口を有する印刷マスクを用いて、第１基板１０または第２基板２０の表面への樹脂の印刷と硬化とが複数回繰り返されてもよい。図８Ｂの例のようにインクジェット法が用いられる場合も、必ずしも樹脂４１の滴下直後に樹脂４１が硬化されなくてもよい。すなわち、離隔部材４全体の形状が得られるまで樹脂４１が吐出されてから硬化されてもよい。樹脂４１の硬化方法も紫外線照射に限定されず、加熱または自然乾燥などによって樹脂４１が硬化されてもよい。

離隔部材４の形成後、図８Ｃに示されるように、第１基板１０と第２基板２０とが、離隔部材４を介して接続される。第１基板１０と第２基板２０との間には、離隔部材４によって間隙層３が生成される。第１基板１０と第２基板２０は、第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとが対向するように接続される。その結果、第１放射素子１２ｅおよび第２放射素子２２ｅによりアンテナ素子Ａが構成される。図１に例示される配線基板１が製造される場合は、間隙層３、および、第２基板２０の樹脂絶縁層２１を介して第１放射素子１２ｅと第２放射素子２２ｅとが対向するように、第１基板１０と第２基板２０とが接続される。すなわち、第２放射素子２２ｅにおける樹脂絶縁層２１と反対側の面を、第１基板１０と反対側に向けて、第１基板１０と第２基板２０とが離隔部材４を介して接続される。

第２基板２０における第１基板１０に向けられる表面には、接合部材６が設けられ、接合部材６によって第２基板２０と離隔部材４が接着される。接合部材６は、たとえば、液状の状態で第２基板２０に塗布されてもよく、シート状の状態で第２基板２０に積層されてもよい。接合部材６は、加熱、紫外線照射、または自然乾燥などの任意の方法で硬化され得る。接合部材６は、たとえば任意の有機系接着剤または無機系接着剤などであり、たとえば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、またはウレタン樹脂などの各種樹脂系接着剤であってもよい。

接合部材６は、好ましくは、５μｍ以上、２５μｍ以下の厚さで設けられる。接合部材６がこの範囲の厚さを有すると、短時間で接合部材６の硬化が可能で、しかも、複数の離隔部材４の間の高さのばらつきを適度に吸収することができると考えられる。第１基板１０と第２基板２０との平行性が確保され易いと考えられる。また、第１基板１０と第２基板２０は、好ましくは、互いに対する傾斜が１０度以下になるように接続される。良好な特性のアンテナ素子Ａが得られると考えられる。

以上の工程を経ることによって、図１に例示される配線基板１が完成する。

先に参照された図５Ａに例示される配線基板１ａが製造される場合は、図７Ｃに示される状態から、ベース板Ｂの除去後、樹脂絶縁層２１の露出面にソルダーレジスト層５ｕが形成される。そして、ソルダーレジスト層５ｕの表面上に、たとえば図８Ｂに示される方法と同様の方法で離隔部材４が形成される。好ましくは、第２放射素子２２ｅおよびソルダーレジスト層５ｔ側の表面が、分離可能な接着剤などを用いて支持板（図示せず）に接着され、その状態で離隔部材４が形成される。安定した状態で離隔部材４を形成することができる。一方、第１基板１０のソルダーレジスト層５ｓの表面には接合部材６が設けられ、接合部材６によって第１基板１０と離隔部材４とが接着される。

図５Ｂに例示される配線基板１ｂが製造される場合は、図７Ｃに示される工程の後、ソルダーレジスト層５ｔ上に接合部材６が設けられる。そして、図８Ｃに示される工程において、第２放射素子２２ｅを第１基板１０に向けて、第２基板２０が離隔部材４の上に載置され、接合部材６によって離隔部材４と接着される。

図５Ｃに例示される配線基板１ｃが製造される場合は、図６Ａおよび図６Ｂに示される工程において、各図面における中央部のビア導体１５、１８は形成されない。第１導体層１１および第２導体層１２の形成の前に、スルーホール導体１５ｃの形成位置に、コア部１０ａおよびビルドアップ部１０ｂを貫通する貫通孔が形成される。そして、第１および第２の導体層１１、１２の形成と共にこの貫通孔の内壁にめっき膜１５ｃ１が形成される。さらに充填樹脂１５ｃ２を貫通孔内に充填することによってスルーホール導体１５ｃが形成される。

図５Ｄに例示される配線基板１ｄが製造される場合は、第１基板１０の形成において、コア部１０ｃの第２基板２０側の導体層１４に、適切な開口を備えるめっきレジストを用いて第１放射素子１２ｅが形成される。そして、図６Ｂに示されるビルドアップ部１０ｂの形成において、第１放射素子１２ｅの上に、粘着性を有しながらも第１放射素子１２ｅと強固に接着しない剥離膜７（図９参照）が配置され、その上にビルドアップ部１０ｂが形成される。剥離膜７は、たとえばアクリル樹脂からなり、図５Ｄに示される凹部１０ｄの開口形状に対応する平面形状を有する樹脂膜である。ソルダーレジスト層５ｆ、５ｓの形成後、図９に示されるように、剥離膜７の外周に略沿って、第１放射素子１２ｅ上のビルドアップ部１０ｂを貫通する溝Ｄが、レーザー光の照射などによって形成される。そして、溝Ｄに囲まれた剥離膜７上のビルドアップ部１０ｂが除去される。その後、図８Ｃに示される工程と同様に第１基板１０と第２基板２０とが接続され、その結果、配線基板１ｄが完成する。

図５Ｅに例示される配線基板１ｅが製造される場合は、第１基板１０は、たとえば図７Ａに示されるベース板Ｂを用いて形成される。たとえば、金属箔Ｂ１を給電層として用いてセミアディティブ法によって、第１放射素子１２ｅを含む、第２導体層１２が形成される。その後、樹脂絶縁層１６および導体層１７が順次形成され、ソルダーレジスト層５ｆの形成後、ベース板Ｂが除去される。ベース板Ｂの除去後、第２面１０ｓに、ソルダーレジスト層５ｓが形成され、さらに、離隔部材４が形成され、そして、第１基板１０と第２基板２０とが接続される。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造や、本明細書において例示された構造および材料を備えるものに限定されない。たとえば、第１基板１０の各導体層１４、１７は任意の導体パターンを含み得る。各ビア導体および各ソルダーレジスト層は、必ずしも設けられていなくてもよい。さらに、第１基板１０はビルドアップ配線板ではなく、一括積層タイプの多層基板または両面基板であってもよい。第２基板２０は複数の導体層および樹脂絶縁層を備えていてもよい。また、接合部材６は必ずしも設けられなくてもよい。たとえば、離隔部材４を構成する樹脂４１の硬化前に第２基板２０が離隔部材４の上に載置され、その状態で樹脂４１が硬化されると共に第２基板２０と離隔部材４とが接着されてもよい。

また、実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して先に説明された方法に限定されない。たとえば、第１基板１０および第２基板２０は、サブトラクティブ法を用いて形成されてもよい。また、両面銅張積層板の一面に第２放射素子２２ｅを形成し、他面の銅箔を全て除去することによって第２基板２０が形成されてもよい。先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。

１、１ａ〜１ｅ 配線基板
１０ 第１基板
１０ｂ ビルドアップ部
１０ｃ コア部
１０ｆ 第１面
１０ｓ 第２面
１１ 第１導体層
１２ 第２導体層
１１１ 接続パッド（実装パッド）
１１２ 接続パッド（端子パッド）
１２ｅ 第１放射素子
１３ 樹脂絶縁板
１４ 導体層
１５ ビア導体
１６ 樹脂絶縁層
１７ 導体層
１８ ビア導体
２０ 第２基板
２１ 樹脂絶縁層
２２ｅ 第２放射素子
３ 間隙層
４ 離隔部材
５ｆ、５ｓ、５ｔ、５ｕ ソルダーレジスト層
６ 接合部材
Ａ アンテナ素子

Claims (17)

1. 第１面および前記第１面の反対面である第２面を有し、前記第１面に実装部品または外部要素との接続パッドを備える第１基板と、
   前記第１基板の第２面と対向するように前記第１基板に接続されている第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に介在する間隙層を生成させる離隔部材と、
   前記第１基板の第２面に設けられている第１放射素子と、
   前記間隙層を介した前記第１放射素子との結合によってアンテナ素子を構成すべく前記第１放射素子と対向するように前記第２基板に設けられている第２放射素子と、
   を有する配線基板であって、
   前記第１基板と前記第２基板は、前記離隔部材を介して接続されており、
   前記離隔部材は非導電性の材料を用いて形成されている。
2. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１放射素子は、前記アンテナ素子における送受信信号が伝えられるべき給電素子であり、前記第２放射素子は、前記第２放射素子以外の導電体から絶縁されている無給電素子である。
3. 請求項１記載の配線基板であって、前記離隔部材は、前記第１基板および前記第２基板それぞれに向かう平面状または曲面状の対向する二つの端面を有している。
4. 請求項１記載の配線基板であって、前記離隔部材は、前記第１基板と前記第２基板との対向方向を高さ方向とする截頭錐体状の形状を有している。
5. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１放射素子および前記第２放射素子が複数の前記離隔部材によって囲まれている。
6. 請求項１記載の配線基板であって、前記離隔部材は感光性樹脂を用いて形成されている。
7. 請求項１記載の配線基板であって、前記離隔部材は、前記第１基板における前記第２基板を向く表面に形成され、前記第２基板に接着されている。
8. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１基板の第２面には前記第１放射素子を露出させる開口を備えるソルダーレジスト層が形成されており、
   前記離隔部材は前記ソルダーレジスト層の上に形成されている。
9. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１基板の第１面に半導体集積回路装置が実装されるべき実装パッドが形成されている。
10. 請求項１記載の配線基板であって、前記第２放射素子は、前記間隙層、および、前記第２基板を構成する樹脂絶縁層を介して前記第１放射素子と対向している。
11. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１放射素子と前記第２放射素子との間隔は、３００μｍ以上、４５０μｍ以下である。
12. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記接続パッドと前記第１放射素子とを接続する、スタックビア導体を備えている。
13. 第１面に実装部品または外部要素との接続パッドを備え、前記第１面と反対側の第２面に第１放射素子を備える第１基板を用意することと、
    第２放射素子を備える第２基板を用意することと、
    前記第１基板と前記第２基板との間に間隙層を生成させる離隔部材を、非導電性の材料を用いて前記第１基板の表面または前記第２基板の表面に形成することと、
    前記間隙層を介して前記第１放射素子と前記第２放射素子とが対向するように前記第１基板と前記第２基板とを前記離隔部材を介して接続することによって、前記第１放射素子および前記第２放射素子により構成されるアンテナ素子を形成することと、
    を含んでいる、配線基板の製造方法。
14. 請求項１３記載の配線基板の製造方法であって、前記離隔部材を形成することは、非導電性の材料を、供給および硬化の繰り返しによって積層することを含んでいる。
15. 請求項１３記載の配線基板の製造方法であって、前記離隔部材を形成することは、前記離隔部材の端面を平坦化することを含んでいる。
16. 請求項１３記載の配線基板の製造方法であって、前記離隔部材は、２５０μｍ以上、３５０μｍ以下の高さを有するように形成される。
17. 請求項１３記載の配線基板の製造方法であって、前記間隙層、および、前記第２基板を構成する樹脂絶縁層を介して前記第１放射素子と前記第２放射素子とが対向するように、前記第１基板と前記第２基板とが接続される。

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