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JP2020080318A - 表示装置 - Google Patents

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JP2020080318A
JP2020080318A JP2020020815A JP2020020815A JP2020080318A JP 2020080318 A JP2020080318 A JP 2020080318A JP 2020020815 A JP2020020815 A JP 2020020815A JP 2020020815 A JP2020020815 A JP 2020020815A JP 2020080318 A JP2020080318 A JP 2020080318A
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electrode
substrate
light
film
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JP2020020815A
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山崎　舜平
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
貴章 永田
Takaaki Nagata
貴章 永田
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Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

【課題】有機ＥＬを用いた発光デバイスは水分によって劣化することが知られている。そのため、透湿を防ぐ封止の技術が重要となっている。【解決手段】放熱性が高くかつ可とう性を有する支持基板（ステンレス鋼、ジュラルミンなど）上に有機ＥＬを用いた発光デバイスを有する発光装置を作製し、該発光装置を透光性が高くかつ非透湿性である積層体、または透光性が高くかつ非透湿性である厚さが２０μｍ以上１００μｍ以下のガラスを用いて封止する。【選択図】図１

Description

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を用
いた発光デバイスに関する。該発光デバイスを用いた発光装置、照明装置、表示装置に関
する。
有機ＥＬを用いた発光デバイスの研究開発が盛んに行われている。有機ＥＬを用いた発光
デバイスの基本的な構成は、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだもの
である。この発光デバイスに電圧を印加することにより、発光性の有機化合物からの発光
を得ることができる。
有機ＥＬを用いた発光デバイスは膜状に作製することが可能であるため、大面積の発光装
置を容易に作製することができ、面光源としての利用価値も高い。
例えば、特許文献１には、有機ＥＬを用いた発光デバイスを適用した照明器具が開示され
ている。
特開２００９−１３０１３２号公報
有機ＥＬを用いた発光デバイスは水分によって劣化することが知られている。そのため、
透湿を防ぐ封止の技術が重要となっている。
発光デバイスを封止する場合、少なくとも光の照射側には透光性と非透湿性を兼ね備える
封止材料を用いる必要がある。透光性と非透湿性を兼ね備える封止材料として、例えばガ
ラスが用いられる。
しかしながら、通常のガラスは放熱性が低いため、有機ＥＬを用いた発光デバイスを高輝
度で長時間発光させると、発熱による劣化が起こってしまう。
また、ガラスは強度が弱いため割れやすい。ところが、十分な強度を有するために厚さを
増すと有機ＥＬを用いた発光デバイスを有する発光装置の重量が大きくなってしまうこと
が問題となる。
本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、劣化が少な
く、かつ重量の小さい有機ＥＬを用いた発光装置を提供することを目的の一とする。
または、本発明の一態様に係る発光装置を適用した照明装置を提供することを目的の一と
する。
または、本発明の一態様に係る発光装置を適用した表示装置を提供することを目的の一と
する。
本発明の一態様に係る発光装置は、放熱性が高くかつ可とう性を有する支持基板（ステン
レス鋼（ＳＵＳともいう。）、ジュラルミンなど）上に有機ＥＬを用いた発光デバイスを
作製し、該発光デバイスを透光性が高くかつ非透湿性である積層体、または透光性が高く
かつ非透湿性である厚さが２０μｍ以上１００μｍ以下のガラスを用いて封止する。
または、ガラス基板、石英基板またはシリコンウェハなどに作製したトランジスタを、剥
離技術によって放熱性が高くかつ可とう性を有する支持基板上に転置する発光装置である
。本明細書において、「非透湿性」または「透湿性が低い」とは、水蒸気透過率が１×１
０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０−７ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下で
あることをいう。
または、放熱性が高くかつ可とう性を有する支持基板上の下地絶縁膜と、下地絶縁膜上の
第１の電極と、第１の電極上の有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上の透光性を有する第２の電極
と、シール材によって接合された透光性が高くかつ非透湿性である積層体、または透光性
が高くかつ非透湿性である厚さが２０μｍ以上１００μｍ以下のガラスと、を有する発光
装置およびその作製方法である。
なお、第１の電極は可視光領域（波長が４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）の反射率が９０％
以上であると好ましい。また、第２の電極は可視光領域の透過率が８０％以上であると好
ましい。
また、本発明の一態様は、上記発光装置を用いた照明装置およびその作製方法である。
また、本発明の一態様は、上記発光装置を用いた表示装置およびその作製方法である。
本発明の一態様により、劣化が少なく、かつ重量の小さい有機ＥＬを用いた発光装置を提
供することができる。
または、本発明の一態様に係る発光装置を適用した照明装置を提供することができる。
または、本発明の一態様に係る発光装置を適用した表示装置を提供することができる。
本発明の一態様に係る発光装置の例を示す図。 本発明の一態様に係る発光装置の作製方法の例を示す図。 本発明の一態様に係る発光装置の作製方法の例を示す図。 本発明の一態様に係る発光装置における有機ＥＬ層周辺の構造および隔壁の形状を説明する図。 本発明の一態様に係る表示装置の例を示す図。 本発明の一態様に係る表示装置に用いるトランジスタの例を示す図。 本発明の一態様に係る表示装置の例を示す図。 本発明の一態様に係る表示装置の作製方法の例を示す図。 本発明の一態様に係る表示装置の作製方法の例を示す図。 本発明の一態様に係る表示装置の作製方法の例を示す図。 本発明の一態様に係る表示装置の作製方法の例を示す図。 本発明の一態様に係る表示装置の作製方法の例を示す図。 本発明の一態様に係る発光装置を適用した電子機器の例を示す図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に
変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実
施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構
成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共
通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
「成膜する」とは、例えば、蒸着法、スパッタリング法、ＰＬＤ法（Ｐｕｌｓｅ Ｌａｓ
ｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）、ＭＢＥ法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔ
ａｘｙ法）、プラズマＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
法）、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）、ＡＬＤ法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ法）、インクジェット法などを用いて膜を作ることをいう。
「加工する」とは、例えば、成膜した膜をエッチングして所望の形状を得ることをいう。
例えば、フォトリソグラフィ法によってレジストマスクを形成し、該レジストマスクで覆
われていない領域に対しエッチング処理を行えばよい。または、感光性の材料をフォトリ
ソグラフィ法によって所望の形状にしてもよい。または、フォトリソグラフィ法に代えて
レーザー直描法を用いてもよい。
また、単に「形成する」という場合、例えば、膜が成膜および加工の工程を経ることを示
す。ただし、インクジェット法では、成膜と同時に所望の形状を得られるため、この場合
も単に「形成する」と表記する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る発光デバイスを有する発光装置について図１乃
至図４を用いて説明する。図１（Ａ）は、図１（Ｂ）に示す上面図において一点鎖線Ａ−
Ｂに対応する断面図である。
図１（Ａ）は、第１の基板１００と、第１の基板１００上の下地絶縁膜１０２と、下地絶
縁膜１０２上に設けられた隣接する複数の第１の電極１０４と、隣接する第１の電極１０
４の端部を覆う隔壁１０６、および第１の電極１０４上の隔壁１０８と、第１の電極１０
４および隔壁１０８上に設けられた隔壁１１０と、第１の電極１０４、隔壁１０６、隔壁
１０８および隔壁１１０上の有機ＥＬ層１１２と、有機ＥＬ層１１２を覆い、一部が第１
の電極１０４と接する第２の電極１１４と、第２の電極１１４を覆う保護絶縁膜１１６と
、を有し、隔壁１１０は、上面から見た場合、第１の電極１０４と接する側の形状よりも
有機ＥＬ層１１２と接する側の形状が大きい発光装置である。該発光装置は、シール材１
１８を介して第２の基板１５０と接合され、第２の基板１５０上にはレンズ形状の構造物
を有する樹脂１５１と、樹脂１５１上のレンズ形状の構造物を有する樹脂１５４と、が設
けられている。なお、樹脂１５１および樹脂１５４は、レンズ形状に代えて、ハニカム構
造などの立体構造を有する樹脂としても構わない。
なお、保護絶縁膜１１６は、有機ＥＬ層１１２に水分などが入り込まないように設けてい
るが、封止の性能が十分な場合、特に保護絶縁膜１１６を設けない構造としても構わない
。
なお、本実施の形態で示す発光装置は、必ずしも第２の基板１５０上に、樹脂１５１およ
び樹脂１５４の一方または両方を有する構造に限定されるものではない。樹脂１５１およ
び樹脂１５４は、レンズ形状の構造物を有するため、第１の電極１０４、有機ＥＬ層１１
２および第２の電極１１４で構成される発光領域１４０から射出される光が光放出面（大
気との界面）で全反射する割合を低減することができる効果を奏する。ただし、各層およ
び基板の屈折率を適切に制御することでも、第２の基板１５０と大気との界面で全反射す
る光の割合を低減することができるため、樹脂１５１および樹脂１５４が不要となる場合
がある。ここで、発光装置と第２の基板１５０の間には、空間１２０が生じる。空間１２
０内には、有機ＥＬ層１１２の劣化を防止するために乾燥剤を封入してもよい。または乾
燥剤は、シール材１１８などに含ませてもよい。なお、空間１２０に代えてエポキシ樹脂
などの可視光領域で透光性を有する有機化合物または無機化合物を設けても構わない。
第１の基板１００は、可とう性を有し、かつ放熱性の高い材料を用いる。例えば、アルミ
ニウム、チタン、ニッケル、銅、銀、ＳＵＳおよびジュラルミンなどの金属材料または金
属合金材料を、厚さを２０μｍ以上７００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以上３００μｍ
以下として用いればよい。なお、ジュラルミンは耐食性の低い材料であるため、表面を耐
食性の高い材料で被覆して用いると好ましい。
下地絶縁膜１０２は、絶縁性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、有機化合
物を用いてもよいし、無機化合物を用いてもよい。例えば、有機化合物としては、アクリ
ル、ポリイミド、エポキシおよびシロキサンなどがあげられる。無機化合物としては、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、
酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムなどがあげられる
。
酸化窒化シリコンとは、その組成において、窒素よりも酸素の含有量が多いものを示し、
例えば、酸素が５０原子％以上７０原子％以下、窒素が０．５原子％以上１５原子％以下
、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が０原子％以上１０原子％以下の範囲
で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成において、酸素よりも窒
素の含有量が多いものを示し、例えば、酸素が５原子％以上３０原子％以下、窒素が２０
原子％以上５５原子％以下、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が１０原子
％以上２５原子％以下の範囲で含まれるものをいう。但し、上記範囲は、ラザフォード後
方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔ
ｒｏｍｅｔｒｙ）や、水素前方散乱法（ＨＦＳ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄ ｓ
ｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて測定した場合のものである。
また、構成元素の組成は、その合計が１００原子％を超えない値をとる。
酸化窒化アルミニウムとは、その組成において、窒素よりも酸素の含有量が多いものを示
す。また、窒化酸化アルミニウムとは、その組成において、酸素よりも窒素の含有量が多
いものを示す。
第１の電極１０４は、有機ＥＬ層１１２が発する光を効率よく反射する材料が好ましい。
また、第１の電極１０４は積層構造としてもよい。例えば、リチウム、アルミニウム、チ
タン、マグネシウム、ランタン、銀、シリコンまたはニッケルを含む材料を用いると好ま
しい。
第２の電極１１４は可視光領域で透光性を有する導電膜を用いる。可視光領域で透光性を
有する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングス
テンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含
むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯともいう。）、インジウム亜鉛酸化
物、酸化ケイ素を添加したＩＴＯなどを挙げることができる。また、光を透過する程度の
金属薄膜（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）を用いることもできる。例えば５ｎｍの
膜厚を有する銀膜、マグネシウム膜または銀−マグネシウム（Ａｇ−Ｍｇ）合金膜を第２
の電極１１４として用いることができる。
「可視光領域で透光性を有する」とは、可視光領域の透過率が８０％以上であることをい
う。
なお、第１の電極１０４または第２の電極１１４のいずれか一方は陽極として機能し、他
方は陰極として機能する。陽極として機能する電極には、仕事関数の大きい材料を用いる
ことが好ましく、陰極として機能する電極には仕事関数の小さい材料を用いることが好ま
しい。ただし、陽極と接してキャリア発生層を設ける場合には、仕事関数を考慮せずに様
々な導電性材料を陽極に用いることができる。
隔壁１０６および隔壁１０８は、有機化合物を用いればよい。例えば、有機化合物として
は、アクリル、エポキシ、ポリイミドおよびシロキサンなどがあげられる。
隔壁１１０は、隔壁１０６および隔壁１０８と同様の材料または感光性樹脂などを用いれ
ばよい。
隔壁１１０は、上面から見た場合、第１の電極１０４と接する側の下面形状よりも有機Ｅ
Ｌ層１１２と接する側の上面形状が大きい、即ち、オーバーハング形状または逆テーパー
形状を有する。隔壁１１０は、上面から見た場合、第１の電極１０４と接する側の下面形
状よりも有機ＥＬ層１１２と接する側の上面形状が大きければよいため、図４（Ｃ）に示
すような曲面を有する隔壁１２２からなる構造、または図４（Ｄ）に示すような断面が長
方形の形状である隔壁１２４および隔壁１２６を重畳した形状としても構わない。
ブロードなスペクトルを有する発光装置を作製する場合、有機ＥＬ層１１２は、複数種の
発光材料などを積層して設けてもよい。例えば、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すよう
な構造とすればよい。ここで、図４（Ａ）は、図１（Ａ）における発光領域１４０を拡大
した図であり、図４（Ｂ）は有機ＥＬ層１１２の積層構造の例を詳細に説明する図である
。図４（Ｂ）は、第１の中間層１３０、第１の発光層１３１、第２の中間層１３２、第２
の発光層１３３、第３の中間層１３４、第３の発光層１３５および第４の中間層１３６の
順番で積層した構造である。このとき、第１の発光層１３１、第２の発光層１３３および
第３の発光層１３５に適切な発光色の材料を用いると演色性の高い、または発光効率の高
い、発光装置を作製することができて好ましい。
ここでは発光層を三層および中間層を四層設けた構造を示しているが、これに限定される
ものではなく、適宜発光層の数および中間層の数を変更することができる。例えば、第１
の中間層１３０、第１の発光層１３１、第２の中間層１３２、第２の発光層１３３および
第３の中間層１３４のみで構成することもできる。また、第１の中間層１３０、第１の発
光層１３１、第２の中間層１３２、第２の発光層１３３、第３の発光層１３５および第４
の中間層１３６で構成し、第３の中間層１３４を省いた構造としても構わない。
また、中間層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層などを積層構造
で用いることができる。なお、中間層は、これらの層を全て備える必要はない。これらの
層は必要に応じて適宜選択、または重複して設けることもできる。また、中間層としてキ
ャリア発生層のほか、電子リレー層などを適宜加えることができる。
第２の基板１５０は、厚さが２０μｍ以上１００μｍ以下、例えば５０μｍ程度の極薄ガ
ラスを用いればよい。第２の基板１５０として極薄ガラスを用いると、透湿性が低いだけ
でなく、ある程度の柔軟性を有するために割れが生じにくいなど曲げや衝撃に強くするこ
とができる。
または、第２の基板１５０は、樹脂またはガスバリア性シート上に設けられた酸化シリコ
ン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化
アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化シリコン、ダイアモンド
ライクカーボンまたは高分子材料から選ばれる二種以上を含む可とう性および非透湿性を
有する積層体としてもよい。
第２の電極１１４、保護絶縁膜１１６、第２の基板１５０、樹脂１５１および樹脂１５４
は可視光領域で透光性を有するため、本実施の形態に示す発光装置は、第２の基板１５０
側が発光面となる、いわゆるトップエミッション構造の発光装置である。
また、第１の基板１００に放熱性の高い基板を用いていることによって、発光装置が放熱
しやすい構造となっている。そのため、熱による信頼性の低下を抑制することができる。
次に、図１（Ａ）に示す発光装置の作製方法を説明する。
まず、第１の基板１００上に下地絶縁膜１０２を成膜する（図２（Ａ）参照。）。
次に、下地絶縁膜１０２上に導電膜を成膜し、加工して第１の電極１０４を形成する（図
２（Ｂ）参照。）。
次に、隣接する第１の電極１０４の端部を覆う隔壁１０６、および第１の電極１０４上の
隔壁１０８を形成する。次に、隔壁１０８と一部が重畳する隔壁１１０を形成する（図２
（Ｃ）参照。）。なお、隔壁１０８は、第１の電極１０４と第２の電極１１４とが、隔壁
１０８の形成箇所にて接することを防ぐために設けている。
隔壁１１０は、ネガ型の感光性材料を用いてフォトリソグラフィ法により形成することが
できる。図４（Ｃ）に示す構造の隔壁１１０も同様の方法で形成することができる。また
図４（Ｄ）に示す構造の隔壁１１０は、隔壁１２４をポジ型の感光性材料で形成し、その
後、隔壁１２６をネガ型の感光性材料で形成することで得ることができる。
次に、第１の電極１０４、隔壁１０６、隔壁１０８および隔壁１１０上に、有機ＥＬ層１
１２、第２の電極１１４および保護絶縁膜１１６の順番で成膜する（図２（Ｄ）参照。）
。以上の工程によって発光領域１４０を有する発光装置を作製することができる。
隔壁１１０が逆テーパー形状で設けられていることにより、有機ＥＬ層１１２、第２の電
極１１４および保護絶縁膜１１６をメタルマスクを用いずに所望の形状に加工することが
できる。メタルマスクを用いると、高精細なパターンになるほど目詰まりやゴミが生じや
すく、また、メタルマスクが発光領域１４０に重なることで傷が生じてしまう。その結果
、発光装置の品質および信頼性が低下してしまう。
このとき、第１の基板１００の外周部のみをマスクで覆って、外周部に膜が付着しないよ
うに有機ＥＬ層１１２、第２の電極１１４および保護絶縁膜１１６を成膜してもよい。な
お、保護絶縁膜１１６を成膜しなくても構わない。
例えば、有機ＥＬ層１１２は膜の回り込みの少ない成膜方法（例えば蒸着法、ロングスロ
ースパッタリング法、コリメートスパッタリング法など）で成膜する。次に、有機ＥＬ層
１１２よりも膜の回り込みの多い成膜方法（例えばＭＯＣＶＤ法、またはスパッタリング
法）で第２の電極１１４を成膜する。次に、第２の電極１１４の場合よりも回り込みが多
いか同じ程度の成膜方法で保護絶縁膜１１６を成膜する。このような方法を採ることで、
発光領域の異なる第１の電極１０４と第２の電極１１４とを一カ所で接することができる
。即ち、隣り合う発光領域１４０同士が直列に接続されていることになる。そのため、駆
動電圧の高い発光装置を得ることができる。
作製した発光装置は、湿気に弱いため、適切な封止を行う。具体的には、発光装置を乾燥
処理した後、シール材１１８を用いて第１の基板１００と第２の基板１５０を接合する（
図３（Ａ）参照。）。乾燥処理は、例えば乾燥雰囲気での熱処理によって行う。このとき
、第２の基板１５０と発光装置の間には空間１２０が生じることになる。空間１２０に代
えてエポキシ樹脂などの可視光領域で透光性を有する有機化合物または無機化合物を設け
ても構わない。また、空間１２０には、乾燥剤を封入すると好ましい。
次に、第２の基板１５０上にレンズ形状の構造物を有する樹脂１５１およびレンズ形状の
構造物を有する樹脂１５４を形成する（図３（Ｂ）参照。）。
以上の工程により、封止され、レンズ形状の構造物を有する樹脂の設けられた発光装置を
作製することができる。
なお、第１の基板１００の代わりに非可とう性の基板を用いて上記作製方法を適用する場
合、剥離法によって該非可とう性の基板から発光装置を分離し、該発光装置を第１の基板
１００に接合しても構わない。
本実施の形態に示す発光装置は、第１の基板１００に放熱性が高く、可とう性を有する材
料を用い、第２の基板１５０に可とう性および非透湿性を有する基板を用いているため、
湿気、熱による劣化が少なく、また重量を軽くすることが可能であり、曲げや衝撃に強い
。
また、本実施の形態で示した発光装置を備えた、劣化が少なく、曲げや衝撃に強い照明装
置を提供することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置およびその作製方法について図５乃至
図１２を用いて説明する。
図５（Ａ）は、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）に示す上面図において一点鎖線Ａ−Ｂに対応
する断面図である。ここで、図５（Ｂ）は第１の基板２００を第２の電極２２４側から観
察した上面図である。ただし、煩雑さを避けるため、第２の電極２２４、有機ＥＬ層２２
２などを省略して示している。図５（Ｃ）は第２の基板２５０を着色層２５６、着色層２
５８、着色層２６０および着色層２６２側から観察した上面図である。
図５（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板２００と、第１の基板２００上の下地絶縁膜２
０２と、下地絶縁膜２０２上のドレイン電極２１２を有するトランジスタ２４０と、平坦
化膜２１６に設けられた開口部を介してドレイン電極２１２と接する複数の第１の電極２
１８と、第１の電極２１８の端部を覆う隔壁２２０と、第１の電極２１８および隔壁２２
０上に設けられた有機ＥＬ層２２２と、有機ＥＬ層２２２上に設けられた第２の電極２２
４と、第２の電極２２４上に空間２６４を介して設けられた着色層２５６、着色層２５８
、着色層２６０および着色層２６２の間のＢＭ（ブラックマトリクス）２５４と、ＢＭ２
５４、ならびに着色層２５６、着色層２５８、着色層２６０および着色層２６２上の絶縁
膜２５２と、絶縁膜２５２上の第２の基板２５０と、を有する表示装置である。なお、絶
縁膜２５２を設けない構造としても構わない。また、着色層２５６、着色層２５８、着色
層２６０および着色層２６２上に保護膜を形成しても構わない。
ここで、第２の電極２２４上に有機ＥＬ層２２２のバリア膜として機能する保護絶縁膜を
設けても構わない。
なお、図７に示すように、第２の電極２２４上に平坦化膜２２６を設け、平坦化膜２２６
上にＢＭ２５４、ならびに着色層２５６、着色層２５８、着色層２６０および着色層２６
２を設け、着色層２５６、着色層２５８、着色層２６０および着色層２６２上に空間２６
４を介して絶縁膜２５２および絶縁膜２５２上の第２の基板２５０を設ける構造としても
構わない。
ここで、空間２６４に代えてエポキシ樹脂などの可視光領域で透光性を有する有機化合物
または無機化合物が充填されていても構わない。また、図示しないが、空間２６４内には
乾燥剤、スペーサ、シール材を設けても構わない。
ここで、第１の電極２１８、有機ＥＬ層２２２および第２の電極２２４によって発光領域
が構成される。
トランジスタ２４０は、ゲート電極２０４と、ゲート電極２０４を覆うゲート絶縁膜２０
６と、ゲート電極２０４上にゲート絶縁膜２０６を介して設けられた半導体膜２０８と、
半導体膜２０８と一部が接するソース電極２１０およびドレイン電極２１２と、少なくと
もソース電極２１０、ドレイン電極２１２および半導体膜２０８を覆う保護絶縁膜２１４
と、を有する。
トランジスタ２４０は、上記の構造に限定されるものではなく、様々な構造を採りうる。
一例を図６（Ａ）乃至図６（Ｆ）に示す。
図６（Ａ）に示すトランジスタは、図５（Ａ）に示すトランジスタ２４０と同様の構造で
ある。
図６（Ｂ）に示すトランジスタは、下地絶縁膜２０２が設けられた第１の基板２００上の
ゲート電極２０４ｂと、ゲート電極２０４ｂ上のゲート絶縁膜２０６ｂと、ゲート絶縁膜
２０６ｂ上のソース電極２１０ｂおよびドレイン電極２１２ｂと、ソース電極２１０ｂお
よびドレイン電極２１２ｂと一部が接する半導体膜２０８ｂと、少なくともソース電極２
１０ｂ、ドレイン電極２１２ｂおよび半導体膜２０８ｂを覆う保護絶縁膜２１４ｂと、を
有するトランジスタである。
図６（Ｃ）に示すトランジスタは、下地絶縁膜２０２が設けられた第１の基板２００上の
半導体膜２０８ｃと、半導体膜２０８ｃと一部が接するソース電極２１０ｃおよびドレイ
ン電極２１２ｃと、少なくともソース電極２１０ｃ、ドレイン電極２１２ｃおよび半導体
膜２０８ｃを覆うゲート絶縁膜２０６ｃと、半導体膜２０８ｃ上にゲート絶縁膜２０６ｃ
を介して設けられたゲート電極２０４ｃと、を有するトランジスタである。
図６（Ｄ）に示すトランジスタは、下地絶縁膜２０２が設けられた第１の基板２００上の
ソース電極２１０ｄおよびドレイン電極２１２ｄと、ソース電極２１０ｄおよびドレイン
電極２１２ｄと一部が接する半導体膜２０８ｄと、少なくともソース電極２１０ｄ、ドレ
イン電極２１２ｄおよび半導体膜２０８ｄを覆うゲート絶縁膜２０６ｄと、半導体膜２０
８ｄ上にゲート絶縁膜２０６ｄを介して設けられたゲート電極２０４ｄと、を有するトラ
ンジスタである。
図６（Ｅ）に示すトランジスタは、下地絶縁膜２０２が設けられた第１の基板２００上の
ゲート電極２０４ｅと、ゲート電極２０４ｅ上のゲート絶縁膜２０６ｅと、ゲート絶縁膜
２０６ｅ上の半導体膜２０８ｅと、半導体膜２０８ｅを覆う保護絶縁膜２１４ｅと、保護
絶縁膜２１４ｅに設けられた開口部を介して半導体膜２０８ｅと一部が接するソース電極
２１０ｅおよびドレイン電極２１２ｅと、を有するトランジスタである。半導体膜２０８
ｅは、一部にソース領域およびドレイン領域を有してもよい。
図６（Ｆ）に示すトランジスタは、下地絶縁膜２０２が設けられた第１の基板２００上の
半導体膜２０８ｆと、半導体膜２０８ｆ上のゲート絶縁膜２０６ｆと、ゲート絶縁膜２０
６ｆ上のゲート電極２０４ｆと、ゲート電極２０４ｆを覆う保護絶縁膜２１４ｆと、保護
絶縁膜２１４ｆおよびゲート絶縁膜２０６ｆに設けられた開口部を介して半導体膜２０８
ｆと一部が接するソース電極２１０ｆおよびドレイン電極２１２ｆと、を有するトランジ
スタである。半導体膜２０８ｆは、一部にソース領域およびドレイン領域を有してもよい
。
ここで、半導体膜２０８および半導体膜２０８ｂ乃至半導体膜２０８ｆは、非晶質シリコ
ン膜、微結晶シリコン膜、多結晶シリコン膜、単結晶シリコン膜および酸化物半導体膜の
いずれか一種を用いればよい。
酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム、亜鉛、錫、チタンおよびアルミニウムから選
ばれた二種以上の元素を含む材料からなる。
酸化物半導体膜は、バンドギャップが２．５ｅＶ以上、好ましくは３．０ｅＶ以上である
。
酸化物半導体膜は、水素、アルカリ金属およびアルカリ土類金属などが低減され、極めて
不純物濃度の低い酸化物半導体膜である。そのため、前述の酸化物半導体膜をチャネル領
域に用いたトランジスタはオフ電流を小さくできる。
酸化物半導体膜中の水素濃度は、５×１０１８／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１８／
ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１６
／ｃｍ３以下とする。
酸化物半導体膜としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料
や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の
材料、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｇａ−Ｚ
ｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ
−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系の
材料、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の材料や、
Ｉｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｏ系の材料、Ｚｎ−Ｏ系の材料などを用いてもよい。また、上
記の材料に酸化シリコンを含ませてもよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の
材料とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物、とい
う意味であり、その組成比は特に問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んで
いてもよい。このとき、酸化物半導体膜の化学量論比に対し、Ｏを過剰にすると好ましい
。Ｏを過剰にすることで酸化物半導体膜の酸素欠損に起因するキャリアの生成を抑制する
ことができる。
なお、一例として、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系材料を用いる場合、原子数比
で、Ｉｎ／Ｚｎが０．５〜５０、好ましくはＩｎ／Ｚｎが１〜２０、さらに好ましくはＩ
ｎ／Ｚｎが３〜１５とする。Ｚｎの原子数比を前述の範囲とすることで、トランジスタの
電界効果移動度を向上させることができる。ここで、化合物の原子数比がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ
＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
酸化物半導体膜として、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用
いてもよい。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金
属元素を示す。例えば、Ｍとして、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ、ＧａおよびＭｎまたはＧａお
よびＣｏなどを用いてもよい。
酸化物半導体膜は、単結晶、多結晶（ポリクリスタルともいう。）または非晶質などの状
態をとりうる。
好ましくは、酸化物半導体膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜とする。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、完全な単結晶ではなく、完全な非晶質でもない。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜
は、非晶質相に結晶部を有する結晶−非晶質混相構造の酸化物半導体膜である。なお、当
該結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさであることが多い。また、
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ）による観察像では、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる非晶質部と結晶部との境界
は明確ではない。また、ＴＥＭによってＣＡＡＣ−ＯＳ膜には粒界（グレインバウンダリ
ーともいう。）は確認できない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、粒界に起因する電子移
動度の低下が抑制される。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、ｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、かつａｂ面に垂直な方向から見て三角
形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子が層状または
金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれａ軸お
よびｂ軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、８
５°以上９５°以下の範囲も含まれることとする。また、単に平行と記載する場合、−５
°以上５°以下の範囲も含まれることとする。
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜において、結晶部の分布が一様でなくてもよい。例えば、ＣＡＡ
Ｃ−ＯＳ膜の形成過程において、酸化物半導体膜の表面側から結晶成長させる場合、被形
成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部が非晶
質化することもある。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃うため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形状（被形成
面の断面形状または表面の断面形状）によっては互いに異なる方向を向くことがある。な
お、結晶部のｃ軸の方向は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成されたときの被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向となる。結晶部は、成膜することにより、また
は成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行うことにより形成される。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動
を低減することが可能である。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
平坦化膜２１６は有機化合物または無機化合物を用いればよい。有機化合物を用いる場合
、例えば、アクリル、ポリイミド、シロキサンなどを用いればよい。
第１の電極２１８、隔壁２２０、有機ＥＬ層２２２および第２の電極２２４は、それぞれ
実施の形態１で示した第１の電極１０４、隔壁１０６、有機ＥＬ層１１２および第２の電
極１１４と同様の材料を用いて形成すればよい。
着色層２５６、着色層２５８、着色層２６０および着色層２６２として、適切な有色層を
設ける。例えば、レッド、グリーン、ブルー、イエローまたはレッド、グリーン、ブルー
、ホワイトを選択する。本実施の形態では着色層を四種としているが、これに限定されな
い。例えば、着色層が三種以下でもよいし、五種以上でも構わない。
本実施の形態に示す表示装置では、発光領域２４２から射出される白色光が、着色層２５
６、着色層２５８、着色層２６０または着色層２６２を通って外部に放出されることによ
り、カラー表示を行うことができる。このとき、各着色層の厚みを適切に制御することで
、より演色性の高いカラー表示を行っても構わない。
このように、白色光と着色層によってカラー表示を行う方式とすることによって、例えば
、各色の発光領域を並べて画素を作製した場合と比べ、色の異なる発光層を塗り分ける工
程が省略されるため、より精細かつ信頼性の高い表示装置を作製することができる。
着色層間の混色を防ぐために、各着色層の間にはＢＭ２５４を設ける。ＢＭ２５４は、例
えばチタン、タンタル、モリブデン、タングステンなどの金属材料および黒色樹脂などか
ら一種以上選択して用いればよい。
絶縁膜２５２は、下地絶縁膜２０２と同様の材料を用いればよい。
第２の基板２５０は、実施の形態１で示した第２の基板１５０と同様の材料を用いればよ
い。即ち、透湿性が低く、可視光領域で透光性を有し、かつ割れが生じにくい材料を用い
ればよい。
第２の電極２２４、絶縁膜２５２および第２の基板２５０は可視光領域で透光性を有する
ため、本実施の形態に示す表示装置は、第２の基板２５０側が発光面となる、いわゆるト
ップエミッション構造の表示装置である。
また、第１の基板２００に放熱性の高い基板を用いることによって、表示装置が放熱しや
すい構造となっている。そのため、熱による信頼性の低下を抑制することができる。
次に、図５（Ａ）に示した構造の表示装置を作製する方法の一例を説明する。
まずは、トランジスタ２４０を作製する（図８（Ａ）参照。）。
次に、トランジスタ２４０上に平坦化膜２１６を形成し、トランジスタ２４０のドレイン
電極２１２を露出する開口部を形成する。その後、該開口部を介してドレイン電極２１２
と接する複数の第１の電極２１８を形成する（図８（Ｂ）参照。）。
次に、第１の電極２１８の端部を覆う隔壁２２０を形成する（図８（Ｃ）参照。）。
次に、第１の電極２１８および隔壁２２０上に有機ＥＬ層２２２を形成する。その後、有
機ＥＬ層２２２上に第２の電極２２４を形成し、第１の電極２１８、有機ＥＬ層２２２お
よび第２の電極２２４で構成される発光領域２４２とする（図８（Ｄ）参照。）。
以上の工程によって第１の基板２００上にトランジスタ２４０および発光領域２４２を作
製することができる。
次に、第２の基板２５０を用意し、絶縁膜２５２を形成する。その後、ＢＭ２５４を形成
する（図９（Ａ）参照。）。なお、絶縁膜２５２を設けない構造としても構わない。
次に、絶縁膜２５２およびＢＭ２５４上に、着色層２５６、着色層２５８、着色層２６０
および着色層２６２を形成する（図９（Ｂ）参照。）。
次に、第１の基板２００または第２の基板２５０の外枠にシール材を塗布し、シール材を
介して第１の基板２００と第２の基板２５０を接合することで、図５（Ａ）に示す表示装
置を作製する。
さらに、第２の基板２５０として、ガラス基板を用い、かつ厚さが１００μｍよりも厚い
場合、第２の基板２５０の絶縁膜２５２とＢＭ２５４が設けられていない側を研磨するこ
とで厚さが２０μｍ以上１００μｍ以下の極薄ガラスとしても構わない。
以下に、前述の作製方法と異なる作製方法で図５（Ａ）に示す表示装置を作製する方法を
示す。
まず、基板３００上に剥離層３０２を成膜し、剥離層３０２上に下地絶縁膜２０２を成膜
する。基板３００は、シリコンウェハ、ガラス基板、石英基板などを用いればよい。剥離
層３０２は、タングステン、モリブデン、クロム、銅およびタンタルなどの金属材料を用
いればよい。
剥離層３０２は、剥離層３０２と下地絶縁膜２０２との界面において分断可能とする層で
ある。剥離層３０２と下地絶縁膜２０２とは、表示装置の作製工程中には分断されず、表
示装置を作製工程後にきっかけを作って分断可能な程度の密着性を有する必要がある。
次に、下地絶縁膜２０２上にトランジスタ２４０を作製する（図１０（Ａ）参照。）。
次に、トランジスタ２４０のドレイン電極２１２を露出する開口部を有する平坦化膜２１
６を形成し、該開口部を介してドレイン電極２１２と接する複数の第１の電極２１８を形
成する。次に、隣接する第１の電極２１８の端部を覆う隔壁２２０を形成する。次に、隔
壁２２０および第１の電極２１８上に有機ＥＬ層２２２および第２の電極２２４を積層し
て形成する（図１０（Ｂ）参照。）。
次に、レーザー処理などで端部にきっかけを作り、剥離層３０２と下地絶縁膜２０２とを
分断する（図１０（Ｃ）参照。）。
次に、接着剤３０４を介して下地絶縁膜２０２に第１の基板２００を接合する（図１０（
Ｄ）参照。）。
以上の工程によって第１の基板２００上にトランジスタ２４０および発光領域２４２を作
製することができる。
また、第２の基板２５０側も同様の方法で作製することができる。
同様に基板３５０上に剥離層３５２を成膜し、剥離層３５２上に絶縁膜２５２を成膜する
。基板３５０および剥離層３５２は、基板３００および剥離層３０２と同様の構成とすれ
ばよい。
次に、絶縁膜２５２上にＢＭ２５４を形成する（図１１（Ａ）参照。）。
次に、絶縁膜２５２およびＢＭ２５４上に、着色層２５６、着色層２５８、着色層２６０
および着色層２６２を形成する（図１１（Ｂ）参照。）。なお、着色層２５６、着色層２
５８、着色層２６０および着色層２６２は、お互いが重畳する必要はなく、ＢＭ２５４の
形成されない領域を埋めるように設けていればよい。
次に、レーザー処理などで端部にきっかけを作り、剥離層３５２と絶縁膜２５２とを分断
する（図１１（Ｃ）参照。）。
次に、接着剤３０８を介して絶縁膜２５２に第２の基板２５０を接合する（図１１（Ｄ）
参照。）。
以上の工程によって、ＢＭ２５４、ならびに着色層２５６、着色層２５８、着色層２６０
および着色層２６２を有する第２の基板２５０を作製することができる。
第１の基板２００と第２の基板２５０をシール材を介して接合することで、図５（Ａ）と
同様の表示装置を作製することができる。
または、図１０（Ｂ）に示す構造と図１１（Ｂ）に示す構造をシール材を介して接合し（
図１２（Ａ）参照。）、基板３００と剥離層３０２との界面および基板３５０と剥離層３
５２との界面において発光装置と基板を分断し（図１２（Ｂ）参照。）、発光装置の両面
を第１の基板２００および第２の基板２５０で封止することで図５（Ａ）に示す表示装置
を作製しても構わない（図１２（Ｃ）参照。）。
本実施の形態では、第１の基板２００側および第２の基板２５０側の両方に対し剥離層を
用いる工程を示しているが、これに限定されるものではなく、第１の基板２００側のみに
対し剥離層を用いても構わないし、第２の基板２５０側のみに対し剥離層を用いても構わ
ない。
以上の工程により、有機ＥＬを用いた発光装置を適用したカラー表示が可能な表示装置を
作製することができる。
本実施の形態に示した表示装置は、第１の基板２００に可とう性を有し、放熱性の高い材
料を用い、第２の基板２５０に可とう性および非透湿性を有する基板を用いているため、
湿気、熱による劣化が少なく、曲げや衝撃に強い。
また、発光層の塗り分けなどを行っていないため、信頼性が高く高精細な表示装置を得る
ことができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１または実施の形態２を適用した照明装置および表示装置
の例について説明する。
図１３（Ａ）は携帯型情報端末である。筐体９３００と、ボタン９３０１と、マイクロフ
ォン９３０２と、表示部９３０３と、スピーカ９３０４と、カメラ９３０５と、を具備し
、携帯型電話機としての機能を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部９３０
３に適用することができる。本発明の一態様に係る表示装置を適用することで、高精細で
信頼性の高い携帯型情報端末を得ることができる。
図１３（Ｂ）は、パネル型照明装置である。筐体９３１０と、発光部９３１１と、を具備
する。本発明の一態様に係る表示装置は、発光部９３１１に適用することができる。本発
明の一態様に係る表示装置を適用することで、曲げや衝撃に強く、面発光の照明装置を得
ることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
１００ 第１の基板
１０２ 下地絶縁膜
１０４ 第１の電極
１０６ 隔壁
１０８ 隔壁
１１０ 隔壁
１１２ 有機ＥＬ層
１１４ 第２の電極
１１６ 保護絶縁膜
１１８ シール材
１２０ 空間
１２２ 隔壁
１２４ 隔壁
１２６ 隔壁
１３０ 第１の中間層
１３１ 第１の発光層
１３２ 第２の中間層
１３３ 第２の発光層
１３４ 第３の中間層
１３５ 第３の発光層
１３６ 第４の中間層
１４０ 発光領域
１５０ 第２の基板
１５１ 樹脂
１５４ 樹脂
２００ 第１の基板
２０２ 下地絶縁膜
２０４ ゲート電極
２０４ｂ ゲート電極
２０４ｃ ゲート電極
２０４ｄ ゲート電極
２０４ｅ ゲート電極
２０４ｆ ゲート電極
２０６ ゲート絶縁膜
２０６ｂ ゲート絶縁膜
２０６ｃ ゲート絶縁膜
２０６ｄ ゲート絶縁膜
２０６ｅ ゲート絶縁膜
２０６ｆ ゲート絶縁膜
２０８ 半導体膜
２０８ｂ 半導体膜
２０８ｃ 半導体膜
２０８ｄ 半導体膜
２０８ｅ 半導体膜
２０８ｆ 半導体膜
２１０ ソース電極
２１０ｂ ソース電極
２１０ｃ ソース電極
２１０ｄ ソース電極
２１０ｅ ソース電極
２１０ｆ ソース電極
２１２ ドレイン電極
２１２ｂ ドレイン電極
２１２ｃ ドレイン電極
２１２ｄ ドレイン電極
２１２ｅ ドレイン電極
２１２ｆ ドレイン電極
２１４ 保護絶縁膜
２１４ｂ 保護絶縁膜
２１４ｅ 保護絶縁膜
２１４ｆ 保護絶縁膜
２１６ 平坦化膜
２１８ 第１の電極
２２０ 隔壁
２２２ 有機ＥＬ層
２２４ 第２の電極
２２６ 平坦化膜
２４０ トランジスタ
２４２ 発光領域
２５０ 第２の基板
２５２ 絶縁膜
２５４ ＢＭ
２５６ 着色層
２５８ 着色層
２６０ 着色層
２６２ 着色層
２６４ 空間
３００ 基板
３０２ 剥離層
３０４ 接着剤
３０８ 接着剤
３５０ 基板
３５２ 剥離層
９３００ 筐体
９３０１ ボタン
９３０２ マイクロフォン
９３０３ 表示部
９３０４ スピーカ
９３０５ カメラ
９３１０ 筐体
９３１１ 発光部

Claims (1)

  1. トランジスタと、
    前記トランジスタの上方に位置し、前記トランジスタと電気的に接続される第１の電極と、
    前記第１の電極上の有機ＥＬ層と、
    前記有機ＥＬ層上の第２の電極と、
    前記第２の電極上の平坦化膜と、
    前記平坦化膜上のブラックマトリクスと、
    前記ブラックマトリクス上の着色層と、と有する表示装置。
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