JP2020073948A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
ュファクチャ、及び組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特に、本発明の
一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、及びそれらの作製方
法に関する。特に、エレクトロルミネッセンス(Electroluminescenc
e、以下ELとも記す)現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、及び
それらの作製方法に関する。
いる。
又は破損しにくいこと等が求められている。
号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、発光装置や表示装置への応用が検討されている。
EL素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。
ことを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置、表示装置、電子機
器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、信
頼性が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一
とする。または、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もし
くは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い
発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、光取り出し効率の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしく
は照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、輝度の高い発
光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。また
は、本発明の一態様は、消費電力の低い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装
置を提供することを目的の一とする。
、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。
1の接着層と、第2の接着層と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素子層は、第1の
可撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の可撓性基板及び
素子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間に位置し、素子
層の端部よりも外側で、第1の接着層及び第2の接着層が接し、素子層の端部、第1の接
着層の端部、及び第2の接着層の端部よりも外側で、第1の可撓性基板及び第2の可撓性
基板が接する。
の接着層と、第2の接着層と、第3の接着層と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素
子層は、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の
可撓性基板及び素子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間
に位置し、素子層の端部、第1の接着層の端部、及び第2の接着層の端部よりも外側で第
3の接着層、第1の可撓性基板、及び第2の可撓性基板が重なる、発光装置である。
して貼り合わされていることが好ましい。つまり、第3の接着層は低融点ガラス又は熱可
塑性樹脂を有することが好ましい。
の接着層と、第2の接着層と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素子層は、第1の可
撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の可撓性基板及び素
子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間に位置し、素子層
の端部及び第1の接着層の端部よりも外側で、第2の接着層、第1の可撓性基板、及び第
2の可撓性基板が重なる、発光装置である。さらに、素子層の端部、第1の接着層の端部
、第2の接着層の端部よりも外側で、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板が接してい
てもよい。
板の熱膨張率の差の絶対値が第1の可撓性基板の熱膨張率又は第2の可撓性基板の熱膨張
率の10%以内であることが好ましい。
料を含むことが好ましい。
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはTCP(Tape Carri
er Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にCOG(Chip On Glass)方式により
IC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さらに
、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。
ることができる。または、本発明の一態様では、軽量な発光装置、表示装置、電子機器、
もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性が高い発
光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発
明の一態様では、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供
することができる。または、本発明の一態様では、厚さが薄い発光装置、表示装置、電子
機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、光取り
出し効率が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができ
る。または、本発明の一態様では、輝度の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは
照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、消費電力の低い発光装
置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。
置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図1〜図7、図13、及び図14
を用いて説明する。
発光装置の断面図を示す。該発光装置は、光取り出し部104と駆動回路部106を有す
る。
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101には発光素子が含まれて
いる。素子層101に含まれる導電層とFPC108とは接続体215によって電気的に
接続されている。
の別の態様の発光装置の断面図をそれぞれ示す。該発光装置は、光取り出し部104と駆
動回路部106を有する。
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101には発光素子が含まれて
いる。素子層101に含まれる導電層とFPC108とは接続体215によって電気的に
接続されている。
い。有機化合物又は金属材料と、該不純物とが反応することで、発光素子の寿命は大幅に
低下してしまう。本発明の一態様では、素子層101の端部よりも外側で、接着層105
及び接着層203が接している。このような構成とすることで、素子層101に大気の水
分等の不純物が侵入することを抑制できる。したがって、発光装置の信頼性の低下を抑制
でき、好ましい。
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101に含まれる導電層とFP
C108とは接続体215によって電気的に接続されている。素子層101の端部よりも
外側で、可撓性基板201及び可撓性基板103が接している。
01及び可撓性基板103に接して接着剤、ガラスフリット(低融点ガラス)、熱可塑性
樹脂等を配置し、硬化又は溶着させることが好ましい。例えば、図2(E)に、素子層の
端部よりも外側に位置する接着層206によって、可撓性基板201及び可撓性基板10
3が貼り合わされている例を示す。接着層206には、接着剤、ガラスフリット(低融点
ガラス)、又は熱可塑性樹脂等を用いることができる。または、可撓性基板201及び可
撓性基板103を直接溶着させてもよい。本発明の一態様で用いる可撓性基板は、熱膨張
率が小さく耐熱性が高いため、熱圧着などの局所的な加熱を用いても発光装置にダメージ
を与えにくい。このような構成とすることで、素子層101に大気の水分等の不純物が侵
入しにくく、発光装置の信頼性の低下を抑制できるため、好ましい。
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101に含まれる導電層とFP
C108とは接続体215によって電気的に接続されている。素子層101の端部よりも
外側で、接着層105及び接着層203が接している。素子層101、接着層203、及
び接着層105それぞれの端部よりも外側で、可撓性基板201及び可撓性基板103が
接している。図2(E)に示す発光装置と同様に、可撓性基板201及び可撓性基板10
3の密着性を高めるために、可撓性基板201及び可撓性基板103に接して接着剤、ガ
ラスフリット(低融点ガラス)、熱可塑性樹脂等を配置し、硬化又は溶着させることが好
ましい。つまり、図2(D)の構成に加え、素子層の端部よりも外側に位置する接着層2
06を有していてもよい。または、可撓性基板201及び可撓性基板103を直接溶着さ
せてもよい。
よりも外側で接着層105、可撓性基板201及び可撓性基板103が重なっていてもよ
い。接している。接着層105は、素子層101の端部及び接着層203の端部を覆って
いる。可撓性基板201及び可撓性基板103は、接着層105により貼り合わされてい
る。さらに、図2(G)に示すように、素子層101の端部、接着層203の端部、及び
接着層105の端部よりも外側で、可撓性基板201及び可撓性基板103が接していて
もよい。
板201及び可撓性基板103が接している構成とする場合、同様の性質をもつ材料を用
いることで、密着性を高めることができる。したがって、一対の可撓性基板に同じ材料を
用いることが好ましい。
いることができる。
ケイ酸ガラス等を用いることができる。
厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(
PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES
)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが
好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いるこ
とができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に
混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
金属基板などの透光性の低い基板を用いてもよい。金属基板を構成する材料としては、特
に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしく
はステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。
可撓性基板の少なくとも一方の熱膨張率の10%以内であることが好ましい。一対の可撓
性基板の熱膨張率の差を小さくすることで、発光装置が一方の方向に反ることを抑制でき
る。また、熱によって一対の可撓性基板の伸縮の度合いが異なることは、発光装置におけ
るクラックの発生の原因の一つである。このことからも、一対の可撓性基板に同じ材料を
用いることが好ましい。これにより、一対の可撓性基板の熱膨張率の差を小さくすること
ができる。
図1(A)に本発明の一態様の発光装置の平面図を示し、図1(A)における一点鎖線A
1−A2間の断面図の一例を図1(C)に示す。
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、接着
層213、オーバーコート261、着色層259、遮光層257、及び絶縁層255を有
する。
C)ではFPC108が可撓性基板103と重なる例を示したが、これに限られない。例
えば、図13(A)に示すように、可撓性基板201よりも面積の小さい可撓性基板10
3を用いる場合、可撓性基板201と可撓性基板103が重ならない領域に、FPC10
8を設けてもよい(つまり、可撓性基板103とFPC108は重ならなくてもよい)。
電極231は、トランジスタ240のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。
下部電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子230はトップエミッ
ション構造である。上部電極235は透光性を有し、EL層233が発する光を透過する
。
遮光層257が設けられている。着色層259及び遮光層257はオーバーコート261
で覆われている。発光素子230とオーバーコート261の間は接着層213で充填され
ている。
ない発光素子230を有していてもよい。例えば、赤色、青色、緑色、及び白色の4つの
副画素で1つの画素を構成する場合、白色の副画素では、着色層259を設けなくてもよ
い。これにより、着色層による光の吸収量が低減されるため、発光装置の消費電力を低減
することができる。また、EL層233aとEL層233bに異なる材料を用いることで
、画素ごとに異なる色を呈する発光素子を作製してもよい。
のトランジスタを有する。トランジスタ240は、絶縁層205上に設けられている。絶
縁層205と可撓性基板201は接着層203によって貼り合わされている。また、絶縁
層255と可撓性基板103は接着層105によって貼り合わされている。絶縁層205
や絶縁層255に透水性の低い膜を用いると、発光素子230やトランジスタ240に水
等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
230を作製し、該作製基板を剥離し、接着層203を用いて可撓性基板201上に絶縁
層205やトランジスタ240、発光素子230を転置することで作製できる発光装置を
示している。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層255、着色層25
9及び遮光層257を作製し、該作製基板を剥離し、接着層105を用いて可撓性基板1
03上に絶縁層255、着色層259及び遮光層257を転置することで作製できる発光
装置を示している。
とが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限がある。また、
発光装置の基板に透水性が高い材料(樹脂など)を用いる場合、基板と発光素子の間に、
高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では
、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性
の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することができる。そして、それ
らを耐熱性の低い基板へと転置することで、信頼性の高い発光装置を作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光装置を実現でき
る。作製方法の詳細は後述する。
て、可撓性基板103には、可視光を透過する材料を用いる。また、可撓性基板103は
、接着層105よりも可視光の透過率が高いことが好ましい。これにより、発光装置の光
取り出し効率の低下を抑制できる。
3又は可撓性基板201の熱膨張率の10%以内であることが好ましい。これにより、発
光装置の反り、及び発光装置におけるクラックの発生等を抑制することができる。
撓性基板201及び可撓性基板103が接している構成とする場合、同様の性質をもつ材
料を用いることで、密着性を高めることができる。これにより、素子層101に大気の水
分等の不純物が侵入しにくく、発光装置の信頼性の低下を抑制できるため、好ましい。さ
らに、図2(B)、(E)、(F)に示すように、接着層206又は接着層105等によ
って、可撓性基板201及び可撓性基板103を貼り合わせてもよい。
図3(A)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。図3(A)の発光装
置は、タッチ操作が可能な発光装置である。なお、以下の各具体例では、具体例1と同様
の構成については説明を省略する。
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、絶縁層217、接着
層213、オーバーコート261、着色層259、遮光層257、複数の受光素子、導電
層281、導電層283、絶縁層291、絶縁層293、絶縁層295、及び絶縁層25
5を有する。
可撓性基板103と可撓性基板201の間隔を調整することができる。
ンジスタや配線に重ねて受光素子を配置することができるため、画素(発光素子)の開口
率を低下させることなく発光装置にタッチセンサを設けることができる。
ることができる。本実施の形態では、受光素子として、p型半導体層271、i型半導体
層273、及びn型半導体層275を有するpin型のフォトダイオードを用いる。
がそれぞれ1×1020cm−3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100
倍以上である。i型半導体層273には、周期表第13族もしくは第15族の不純物元素
を有するものもその範疇に含む。すなわち、i型の半導体は、価電子制御を目的とした不
純物元素を意図的に添加しないときに弱いn型の電気伝導性を示すので、i型半導体層2
73は、p型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図的
に添加されたものをその範疇に含む。
。受光素子と接着層213との間に位置する遮光層257によって、発光素子230の発
する光が受光素子に照射されることを抑制できる。
は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層283は、
受光素子に入射する光を遮る導電層を用いることが好ましい。
の発光の影響を受けにくく、S/N比を向上させることができるため、好ましい。
図3(B)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。図3(B)の発光装
置は、タッチ操作が可能な発光装置である。
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、絶縁層207、絶縁層209a、絶縁層209b、複数の発光素子、絶縁層211、
絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、複数の受光素子、導電層2
80、導電層281、及び絶縁層255を有する。
素子を絶縁層205及び接着層213の間に設けることで、トランジスタ240を構成す
る導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電層や
受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加させる
ことなく、タッチ操作が可能な発光装置を作製できる。
図4(A)に発光装置の別の例を示す。図4(A)の発光装置は、タッチ操作が可能な発
光装置である。
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、導電層156、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁
層211、絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、絶縁層255、
導電層272、導電層274、絶縁層276、絶縁層278、導電層294、及び導電層
296を有する。
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層272及び導電層274を有する。
る。導電層294及び導電層296は、導電性粒子292を介して導電層274と電気的
に接続する。したがって、FPC108を介して静電容量式のタッチセンサを駆動するこ
とができる。
図4(B)に発光装置の別の例を示す。図4(B)の発光装置は、タッチ操作が可能な発
光装置である。
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、導電層156、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁
層211、絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、絶縁層255、
導電層270、導電層272、導電層274、絶縁層276、及び絶縁層278を有する
。
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層272及び導電層274を有する。
。また、図14(B)に示すように、可撓性基板103上に可撓性基板102を設け、該
可撓性基板102上にタッチセンサを設けてもよい。可撓性基板103と可撓性基板10
2とは、接着層204で接着されている。接着層204には、接着層203と同様の材料
を用いることが好ましい。これにより、光の反射を抑制できる。また、発光装置を曲げた
際に、位置ずれが生じることを抑制できる。なお、図4(B)に示す構成と同様に、可撓
性基板103と導電層272の間に、絶縁層255及び接着層105を有していてもよい
。
続する。導電層270は、接続体215bを介してFPC108bと電気的に接続する。
したがって、FPC108aを介して発光素子230やトランジスタ240を駆動し、F
PC108bを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
可撓性基板102にも同様の構成が適用できる。なお、具体例5では、可撓性基板103
(及び可撓性基板102)から発光素子230の光が取り出される。したがって、可撓性
基板103や可撓性基板102には、可視光を透過する材料を用いる。
により、可撓性基板102及び可撓性基板103の熱膨張率の差を小さくできる。さらに
、可撓性基板201にも同じ材料を用いることが好ましい。これにより、可撓性基板10
2、可撓性基板103、及び可撓性基板201の熱膨張率の差を小さくできる。
図5(A)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。
213、可撓性基板202を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、絶縁層207、導電層208、絶縁層209a、絶縁層209b、複数の発光素子、
絶縁層211、及び着色層259を有する。
電極231は、導電層208を介してトランジスタ240のソース電極又はドレイン電極
と電気的に接続する。下部電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子
230はボトムエミッション構造である。下部電極231は透光性を有し、EL層233
が発する光を透過する。
、着色層259を介して可撓性基板103側に取り出される。発光素子230と可撓性基
板202の間は接着層213で充填されている。
い発光素子230を有していてもよい。例えば、赤色、青色、緑色、及び白色の4つの副
画素で1つの画素を構成する場合、白色の副画素では、着色層259を設けなくてもよい
。これにより、着色層による光の吸収量が低減されるため、発光装置の消費電力を低減す
ることができる。また、EL層233aとEL層233bに異なる材料を用いることで、
画素ごとに異なる色を呈する発光素子を作製してもよい。
て、可撓性基板103には、可視光を透過する材料を用いる。
3又は可撓性基板202の熱膨張率の10%以内であることが好ましい。
撓性基板202及び可撓性基板103が接している構成とする場合、同様の性質をもつ材
料を用いることで、密着性を高めることができる。これにより、素子層101に大気の水
分等の不純物が侵入しにくく、発光装置の信頼性の低下を抑制できるため、好ましい。さ
らに、図2(B)、(E)、(F)に示すように、接着層206又は接着層105等によ
って、可撓性基板202及び可撓性基板103を貼り合わせてもよい。
図5(B)に発光装置の別の例を示す。
213、可撓性基板202を有する。素子層101は、絶縁層205、導電層310a、
導電層310b、複数の発光素子、絶縁層211、及び導電層212を有する。
的に接続させることができる。
電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子230はボトムエミッショ
ン構造である。下部電極231は透光性を有し、EL層233が発する光を透過する。導
電層212は、下部電極231と電気的に接続する。
構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に
上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有す
る接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する可撓性基板103を形成す
ることができる。
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極235と電気
的に接続する導電層を絶縁層211上、EL層233上、又は上部電極235上などに設
けてもよい。
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層212の膜厚は、
例えば、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0.
5μm以下である。
と、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く
隙間の多い構成となり、例えば、絶縁層211上に該導電層を形成しても、EL層233
が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとること
が容易になり好ましい。
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態中で先に説
明した構成については説明を省略する。
素子層101は、少なくとも発光素子を有する。発光素子としては、自発光が可能な素子
を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでい
る。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることが
できる。
していてもよい。
スタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又
はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導
体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、I
n−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つ
を含む酸化物半導体を用いてもよい。
晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
一対の電極間に設けられたEL層233とを有する。該一対の電極の一方は陽極として機
能し、他方は陰極として機能する。
構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用
いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好
ましい。
ndium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例え
ば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITOの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
と、EL層233に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はEL層233において再結合し、EL層233に含まれる発光物質が発光
する。
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質)等を含む層をさらに有していてもよい。
化合物を含んでいてもよい。EL層233を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着
法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。
とが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装
置の信頼性の低下を抑制できる。
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
、好ましくは1×10−6[g/m2・day]以下、より好ましくは1×10−7[g
/m2・day]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/m2・day]以下とする
。
接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂
、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(
エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い
材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いて
もよい。
カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
透過する。また、接着層105の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。
の光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。そのため、同じ消費電力の場合で
比較すると、輝度を高くすることができる。また、同じ輝度の場合で比較すると、消費電
力を低くすることができる。
105には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもできる
。該粒子は光の散乱部材として機能する。
0.3以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタン
、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。
ライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上さ
せることができる。
様の構成を適用できる。
絶縁層205、絶縁層255には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透
水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光装置を実現できるため好ましい。
る。絶縁層207としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒
化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である
。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いること
ができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)等を用いること
ができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を用いた積層構造として
もよい。
形成されるEL層233や上部電極235の被覆性を良好なものとするため、絶縁層21
1の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層211の作製が容易
となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい
。
蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷
等)等を用いればよい。
ば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いるこ
とができる。また、絶縁層217にかえて、導電層を形成してもよい。例えば、金属材料
を用いて形成することができる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いる
ことができる。絶縁層217の代わりに導電層を用い、該導電層と上部電極235とを電
気的に接続させる構成とすることで、上部電極235の抵抗に起因した電位降下を抑制で
きる。また、絶縁層217は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層278や絶縁層295
は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いること
が好ましい。
導電層156、導電層157、導電層294、及び導電層296は、それぞれ、トランジ
スタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導電
層280は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。
ン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合
金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、それ
ぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化イ
ンジウム(In2O3等)、酸化スズ(SnO2等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、イ
ンジウム亜鉛酸化物(In2O3−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコ
ンを含ませたものを用いることができる。
上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。
する導電層である。例えば、酸化インジウム、ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛
、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層270は導電層2
72と同一の材料、同一の工程で形成できる。
を用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。
またニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子
を用いることが好ましい。
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。
着色層259は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の
光を透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)の
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用い
ることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォト
リソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、
着色層259の端部を、遮光層257と重なるように設けることにより、光漏れを抑制す
ることができる。遮光層257は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、
金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図1(
C)に示すように、遮光層257を駆動回路部106などの光取り出し部104以外の領
域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
ーコートを設けることで、着色層に含有された不純物等の有機EL素子への拡散を防止す
ることができる。オーバーコートは、有機EL素子からの発光を透過する材料から構成さ
れ、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド
膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよ
い。オーバーコート261に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。
コート261の材料として接着層213の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが
好ましい。例えば、ITO膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等
の金属膜を用いることが好ましい。
次に、発光装置の作製方法を図6及び図7を用いて例示する。ここでは、具体例1(図1
(C))の構成の発光装置を例に挙げて説明する。
する。次に、絶縁層205上に複数のトランジスタ、導電層157、絶縁層207、絶縁
層209、複数の発光素子、及び絶縁層211を形成する。なお、導電層157が露出す
るように、絶縁層211、絶縁層209、及び絶縁層207は開口する(図6(A))。
する。次に、絶縁層255上に遮光層257、着色層259、及びオーバーコート261
を形成する(図6(B))。
イア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度
が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム(B
aO)を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラ
スなどを用いることができる。
窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス
基板からの汚染を防止でき、好ましい。
タル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料
、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む
層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
ンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸
化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステン
とモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タ
ングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当
する。
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜
を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理
、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処
理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合
気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を
変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁層との密着性を制御することが可能であ
る。
ことが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
230等が設けられた面に接着層213となる材料を塗布し、接着層213を介して該面
同士が対向するように、作製基板301及び作製基板305を貼り合わせる(図6(C)
)。
203を用いて貼り合わせる。また、作製基板305を剥離し、露出した絶縁層255と
可撓性基板103を、接着層105を用いて貼り合わせる。図7(A)では、可撓性基板
103が導電層157と重ならない構成としたが、導電層157と可撓性基板103が重
なっていてもよい。
離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により
脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基
板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の
照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から
剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層
を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF3
、BrF3、ClF3等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金
属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を
含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を用
い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出
させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成され
た作製基板を機械的に除去又は溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスによる
エッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよ
い。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。
よい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹脂
上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作
製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属
層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥
離を行ってもよい。このとき、有機樹脂を発光装置の基板として用いることができる。ま
た、有機樹脂と他の基板を接着剤により貼り合わせてもよい。
図7(B))。なお、可撓性基板103が導電層157と重なる構成の場合は、導電層1
57を露出させるために、可撓性基板103及び接着層105も開口する(図7(C))
。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオン
ビームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層157上の膜に鋭利な刃物等
を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。
1又は可撓性基板202と、の2枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成
であっても、2枚の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の
取り出し効率の向上や表示の鮮明さの向上が容易となる。そのため、同じ消費電力の場合
で比較すると、輝度を高くすることができる。また、同じ輝度の場合で比較すると、消費
電力を低くすることができる。
れない。本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる装置としては、各種半導体
装置や各種表示装置が挙げられる。例えば、以下に示す素子もしくは装置の基板として、
本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる。例えば、EL素子(有機物及び無
機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED
、緑色LED、青色LEDなど)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)
、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(
GLV)、プラズマディスプレイ(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニ
カル・システム)、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マ
イクロ・シャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス
・モジュレーション)素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレ
イ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率
、透過率などが変化する表示媒体が挙げられる。また、電子放出素子を用いた表示装置の
一例である、フィールドエミッションディスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディ
スプレイ(SED:Surface−conduction Electron−emi
tter Display)などが挙げられる。また、液晶素子を用いた表示装置の一例
である、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射
型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などが挙げら
れる。また、電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例である、電子ペーパー
などが挙げられる。
分子配向など)、粒子により表示されるもの(電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化な
ど)、フィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色/相変化により
表示されるもの、分子の光吸収により表示されるもの、又は電子とホールが結合して自発
光により表示されるものなどを用いることができる。具体的には、電子ペーパーの表示方
法の一例としては、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気
泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナー
、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッティング、光散乱(透明/白
濁変化)、コレステリック液晶/光導電層、コレステリック液晶、双安定性ネマチック液
晶、強誘電性液晶、2色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料による発消色、
フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブル有機
ELなどがある。ただし、これに限定されず、電子ペーパー及びその表示方法として様々
なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用いることによっ
て、泳動粒子の凝集、沈殿を解決することができる。電子粉流体は、高速応答性、高反射
率、広視野角、低消費電力、メモリ性などのメリットを有する。
本実施の形態では、本発明の一態様が適用された電子機器について図8〜図11を用いて
説明する。
に有する。該電子機器は、可撓性の高い領域で曲げることで、折りたたむことができる。
本実施の形態の電子機器は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継
ぎ目のない広い発光領域により一覧性に優れる。
たむこともできる。
発光装置の発光面が外側になるように曲げる場合を「外曲げ」と記す。また、電子機器や
発光装置における発光面とは、発光素子からの光が取り出される面を指す。
ことで、発光面にキズや汚れがつくことを抑制できる。
全体を用いてもよいし、発光装置の発光面が外側になるように曲げることで、発光領域の
一部を用いてもよい。折りたたまれ、使用者にとって見えない発光領域を非発光状態とす
ることで、電子機器の消費電力を抑制できる。
3つ折りが可能な電子機器を例に挙げて説明する。
だ状態の一方から他方に変化する途中の状態の電子機器を示す。図8(C)に折りたたん
だ状態の電子機器を示す。図9は、電子機器の各構成を示す斜視図である。図10(A)
は電子機器の発光面側の平面図であり、図10(B)は電子機器の発光面と対向する面側
の平面図である。図10(C)、(D)は、それぞれ図10(A)の電子機器を矢印の方
向から見た側面図の一例である。図10(E)は、図10(A)における一点鎖線A−B
間の断面図である。
11には、実施の形態1で説明した本発明の一態様の発光装置を適用することができる。
本発明の一態様の発光装置は、例えば、曲率半径1mm以上100mm以下で折り曲げる
ことができるため、内曲げや外曲げにより、1回以上折りたたむ電子機器に好適に用いる
ことができる。
ル15bを有する。各支持パネル15a、15bは、発光装置11に比べて可撓性が低い
。複数の支持パネル15aは互いに離間している。複数の支持パネル15bは互いに離間
している。
2を交互に有する。可撓性の高い領域と可撓性の低い領域はそれぞれ帯状(縞状)に形成
される。本実施の形態では、複数の可撓性の高い領域や複数の可撓性の低い領域が互いに
平行である例を示すが、各領域は平行に配置されていなくてもよい。
いればよい。有機EL素子を用いた発光装置は、高い可撓性及び耐衝撃性に加え、薄型軽
量化が図れるため、好ましい。
光装置よりも可撓性の低い支持パネルとを重ねて有していればよい。
れていればよい。
と対向する面側の双方に支持パネルを有すると、一対の支持パネルによって発光装置を挟
持できるため、可撓性の低い領域の機械的強度を高め、電子機器がより破損しにくくなり
好ましい。
、支持パネル15で発光装置11を挟持してもよい。
より薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、複数の支持パネル15aを用
いず、複数の支持パネル15bのみを有する電子機器としてもよい。
性の高い保護層と、を重ねて有することが好ましい。これにより、電子機器の可撓性の高
い領域E1が、可撓性を有し、かつ機械的強度の高い領域となり、電子機器をより破損し
にくくすることができる。つまり、可撓性の高い領域においても、電子機器が外力等によ
る変形で壊れにくい構成にすることができる。
光装置が最も薄い構成が好ましい。または、例えば、発光装置、支持パネル、保護層のそ
れぞれの可撓性は、支持パネルの可撓性が最も低く、発光装置の可撓性が最も高い構成が
好ましい。このような構成とすることで、可撓性の高い領域と可撓性の低い領域の可撓性
の差が大きくなる。確実に可撓性の高い領域で折り曲げができる構成とすることで、可撓
性の低い領域で曲げが生じることを抑制でき、電子機器の信頼性を高めることができる。
また、意図しないところで電子機器が曲がることを抑制できる。
によって発光装置を挟持できるため、電子機器の機械的強度を高め、電子機器がより破損
しにくくなり好ましい。
13bが一対の支持パネル15a、15bの間に位置し、発光装置(図示しない)が一対
の保護層13a、13bの間に位置することが好ましい。
13bが支持パネル15の間に位置し、発光装置(図示しない)が一対の保護層13a、
13bの間に位置することが好ましい。
薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、保護層13aを用いず、保護層1
3bのみを有する電子機器としてもよい。
光が照射されることを抑制できる。これにより、非発光領域に含まれる駆動回路が有する
トランジスタ等の光劣化を抑制できるため好ましい。
は発光装置の発光領域11aと重なる。発光領域11aを枠状に囲う非発光領域11bと
保護層13aとが重なるように設けられている。発光装置11の発光面と対向する面側に
設けられた保護層13bは、発光領域11a及び非発光領域11bと重なっている。保護
層13bは、発光面と対向する面側により広い範囲で、特に好ましくは該面全体に設けら
れることで、発光装置をより保護することができ、電子機器の信頼性を高めることができ
る。
チックやゴム等を用いることで、軽量であり、破損しにくい保護層や支持パネルを得られ
るため、好ましい。例えば、保護層としてシリコーンゴム、支持パネルとしてステンレス
やアルミニウムを用いればよい。
衝撃性に優れ、破損しにくい電子機器を実現できる。例えば、有機樹脂や、厚さの薄い金
属材料や合金材料を用いることで、軽量であり、破損しにくい電子機器を実現できる。な
お、同様の理由により、発光装置を構成する基板にも靱性が高い材料を用いることが好ま
しい。
透光性を問わない。発光面側に位置する保護層や支持パネルが、少なくとも一部の発光領
域と重なる場合は、発光装置からの発光を透過する材料を用いることが好ましい。発光面
と対向する面側に位置する保護層や支持パネルの透光性は問わない。
ことができ、例えば、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱
硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。また、シート状の接着剤を用いてもよい
。また、保護層、支持パネル、発光装置のいずれか2つ以上を貫通するネジや、挟持する
ピン、クリップ等を用いて、電子機器の各構成を固定してもよい。
を境に2つ以上に分けて利用できる。例えば、折りたたむことで隠れた領域を非発光とし
、露出する領域のみが発光してもよい。これにより使用者が使用しない領域が消費する電
力を削減することができる。
ためのセンサを有していてもよい。例えばスイッチ、MEMS圧力センサまたは圧力セン
サ等を用いて構成することができる。
られない。例えば、図11(A)に示すように、少なくとも可撓性の高い領域E1を1つ
有していればよく、可撓性の高い領域E1を3つ有する4つ折りが可能な電子機器(図1
1(B))や、可撓性の高い領域E1を4つ有する5つ折りが可能な電子機器(図11(
C))も本発明の一態様である。
本実施の形態では、本発明の一態様が適用された電子機器及び照明装置について、図12
を用いて説明する。
高めることができる。また、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性の高い
フレキシブルな電子機器や照明装置を作製できる。
う)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
に組み込まれた表示部7402のほか、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、
スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、本
発明の一態様の発光装置を表示部7402に用いることにより作製される。本発明の一態
様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を歩留まりよく提供でき
る。
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、指などで表示部7402に触れることにより行うことができる。
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
00は、筐体7101、表示部7102、操作ボタン7103、及び送受信装置7104
を備える。
映像を表示部7102に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
、又は音声のボリュームの調整などを行うことができる。
一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置を歩留まりよく提
供できる。
210、及び照明装置7220は、それぞれ、操作スイッチ7203を備える台部720
1と、台部7201に支持される発光部を有する。
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置7210を中心に全
方位を照らすことができる。
がって、発光部7222からの発光を、照明装置7220の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を歩留まりよく提供できる。
301、表示部7302、操作ボタン7303、引き出し部材7304、制御部7305
を備える。
7302を備える。
を表示部7302に表示することができる。また、制御部7305にはバッテリをそなえ
る。また、制御部7305にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線
により外部から直接供給する構成としてもよい。
等を行うことができる。
装置7300を示す。この状態で表示部7302に映像を表示することができる。また、
筐体7301の表面に配置された操作ボタン7303によって、片手で容易に操作するこ
とができる。また、図12(F)のように操作ボタン7303を筐体7301の中央でな
く片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。
定するため、表示部7302の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
て音声を出力する構成としてもよい。
より、軽量で、且つ信頼性の高い発光装置を歩留まりよく提供できる。
11a 発光領域
11b 非発光領域
13a 保護層
13b 保護層
15 支持パネル
15a 支持パネル
15b 支持パネル
101 素子層
102 可撓性基板
103 可撓性基板
104 光取り出し部
105 接着層
106 駆動回路部
108 FPC
108a FPC
108b FPC
156 導電層
157 導電層
201 可撓性基板
202 可撓性基板
203 接着層
204 接着層
205 絶縁層
206 接着層
207 絶縁層
208 導電層
209 絶縁層
209a 絶縁層
209b 絶縁層
211 絶縁層
212 導電層
213 接着層
215 接続体
215a 接続体
215b 接続体
217 絶縁層
230 発光素子
231 下部電極
233 EL層
233a EL層
233b EL層
235 上部電極
240 トランジスタ
255 絶縁層
257 遮光層
259 着色層
261 オーバーコート
270 導電層
271 p型半導体層
272 導電層
273 i型半導体層
274 導電層
275 n型半導体層
276 絶縁層
278 絶縁層
280 導電層
281 導電層
283 導電層
291 絶縁層
292 導電性粒子
293 絶縁層
294 導電層
295 絶縁層
296 導電層
301 作製基板
303 剥離層
305 作製基板
307 剥離層
310a 導電層
310b 導電層
7100 携帯表示装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7200 照明装置
7201 台部
7202 発光部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
Claims (5)
- 第1のフレキシブル基板と、
前記第1のフレキシブル基板上の第1の接着層と、
前記第1の接着層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上の前記トランジスタと電気的に接続された発光素子と、
前記第1の絶縁層上の第1の導電層と、
前記第1の導電層上の第1のコネクタと、
前記第1のコネクタを介して前記第1の導電層に電気的に接続された第1のFPCと、
前記発光素子上の第2のフレキシブル基板と、
前記第2のフレキシブル基板上のタッチセンサーと、
前記第2のフレキシブル基板上の第4の導電層と、
前記第4の導電層上の第2のコネクタと、
前記第2のコネクタを介して前記第4の導電層に電気的に接続された第2のFPCと、を有し、
前記発光素子は、
前記第2の絶縁層上の第1の電極と、
前記第1の電極上の第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上の第4の絶縁層と、
前記第3の絶縁層および前記第4の絶縁層上の発光層と、
前記発光層上の第2の電極と、を有し、
前記タッチセンサーは、
前記第2のフレキシブル基板上の第2の導電層と、
前記第2の導電層上の第3の導電層と、
前記第2の導電層と前記第3の導電層の間の絶縁層と、を有し、
前記第3の絶縁層と前記第4の絶縁層のそれぞれは、前記第1の電極と重なり、
前記第2の電極は、可視光を透過することができる発光装置。 - 第1のフレキシブル基板と、
前記第1のフレキシブル基板上の第1の接着層と、
前記第1の接着層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上の前記トランジスタと電気的に接続された発光素子と、
前記第1の絶縁層上の第1の導電層と、
前記第1の導電層上の第1のコネクタと、
前記第1のコネクタを介して前記第1の導電層に電気的に接続された第1のFPCと、
前記発光素子上の第2のフレキシブル基板と、
前記第2のフレキシブル基板上の第3のフレキシブル基板と、
前記第3のフレキシブル基板上のタッチセンサーと、
前記第3のフレキシブル基板上の第4の導電層と、
前記第4の導電層上の第2のコネクタと、
前記第2のコネクタを介して前記第4の導電層に電気的に接続された第2のFPCと、を有し、
前記発光素子は、
前記第2の絶縁層上の第1の電極と、
前記第1の電極上の第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上の第4の絶縁層と、
前記第3の絶縁層および前記第4の絶縁層上の発光層と、
前記発光層上の第2の電極と、を有し、
前記タッチセンサーは、
前記第3のフレキシブル基板上の第2の導電層と、
前記第2の導電層上の第3の導電層と、
前記第2の導電層と前記第3の導電層の間の絶縁層と、を有し、
前記第3の絶縁層と前記第4の絶縁層のそれぞれは、前記第1の電極と重なり、
前記第2の電極は、可視光を透過することができる発光装置。 - 第1のフレキシブル基板と、
前記第1のフレキシブル基板上のポリイミド樹脂と、
前記ポリイミド樹脂上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上の前記トランジスタと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子用の第1のFPCと、
前記発光素子上の第2のフレキシブル基板と、
前記第2のフレキシブル基板上のタッチセンサーと、
前記タッチセンサー用の第2のFPCと、を有し、
前記発光素子は、前記第2の絶縁層上の第1の電極と、
前記第1の電極上の第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上の第4の絶縁層と、
前記第3の絶縁層および前記第4の絶縁層上の発光層と、
前記発光層上の第2の電極と、を有し、
前記第3の絶縁層および前記第4の絶縁層のそれぞれは、第1の電極と重なる
発光装置。 - 第1のフレキシブル基板と、
前記第1のフレキシブル基板上のポリイミド樹脂と、
前記ポリイミド樹脂上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上の前記トランジスタと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子用の第1のFPCと、
前記発光素子上の第2のフレキシブル基板;と、
前記第2のフレキシブル基板上のタッチセンサーと、
前記タッチセンサー用の2番目のFPCと、を有し、
前記発光素子は、第2の絶縁層上の第1の電極と、
前記第1の電極上の絶縁体と、
前記絶縁体上の発光層と、
前記発光層上の第2の電極と、を有し、
前記絶縁体は、前記絶縁体の開口部に隣接する第1の領域と、前記絶縁体の開口部から離れた第2の領域とを含み、
前記第1の領域および前記第2の領域のそれぞれは、前記第1の電極と重なり、
前記絶縁体は、前記第2の領域の厚さが前記第1の領域の厚さよりも大きくなるように部分的に隆起している
発光装置。 - 第1のフレキシブル基板と、
前記第1のフレキシブル基板上のポリイミド樹脂と、
前記ポリイミド樹脂上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上の前記トランジスタと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子用の第1のFPCと、
前記発光素子上の第2のフレキシブル基板;と、
前記第2のフレキシブル基板上のタッチセンサーと、
前記タッチセンサー用の2番目のFPCと、を有し、
前記発光素子は、第2の絶縁層上の第1の電極と、
前記第1の電極上の絶縁体と、
前記絶縁体上の発光層と、
前記発光層上の第2の電極と、を有し、
前記絶縁体は、前記絶縁体の開口部に隣接する第1の領域と、前記絶縁体の開口部から離れた第2の領域とを含み、
前記第1の領域および前記第2の領域のそれぞれは、前記第1の電極と重なり、
前記第2の領域の上面の前記第1のフレキシブル基板からの高さは、前記第1の領域の上面の前記第1のフレキシブル基板からの高さよりも高い発光装置。
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|---|---|---|---|---|
| US9269914B2 (en) * | 2013-08-01 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9215361B2 (en) * | 2013-08-23 | 2015-12-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Array cameras with light barriers |
| US9229481B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102664996B1 (ko) | 2014-02-28 | 2024-05-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
| TWI755773B (zh) | 2014-06-30 | 2022-02-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置,模組,及電子裝置 |
| KR102603895B1 (ko) | 2014-10-17 | 2023-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법 |
| KR102321611B1 (ko) * | 2015-03-10 | 2021-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 휴대용 단말기 |
| CN106153178A (zh) * | 2015-03-17 | 2016-11-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 柔性导电振膜、柔性振动传感器及其制备方法和应用 |
| KR102458686B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| CN108738377B (zh) | 2015-07-30 | 2020-11-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置的制造方法、发光装置、模块及电子设备 |
| US12338159B2 (en) | 2015-07-30 | 2025-06-24 | Corning Incorporated | Thermally strengthened consumer electronic glass and related systems and methods |
| WO2017073680A1 (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
| KR102496918B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2023-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102511413B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2023-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| WO2017141359A1 (ja) | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 日本たばこ産業株式会社 | 非燃焼型香味吸引器 |
| JP6918560B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2021-08-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 情報処理装置 |
| JP6827332B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2021-02-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102292302B1 (ko) * | 2017-04-10 | 2021-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN114975569B (zh) | 2017-07-13 | 2025-10-21 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el设备及其制造方法 |
| TWI785156B (zh) | 2017-11-30 | 2022-12-01 | 美商康寧公司 | 具有高熱膨脹係數及對於熱回火之優先破裂行為的非離子交換玻璃 |
| CN108878486A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110047995A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-07-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
| TWI856103B (zh) * | 2019-05-24 | 2024-09-21 | 加拿大商弗瑞爾公司 | 選擇性釋離及傳遞微裝置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001290439A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-10-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2003100450A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2008288033A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | El表示装置 |
| JP2011022302A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2012033497A (ja) * | 2004-09-29 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US20120256973A1 (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Hee-Dong Choi | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| JP2013069480A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、電子機器、及び照明装置 |
Family Cites Families (67)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5852896U (ja) * | 1981-09-25 | 1983-04-09 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 電界発光灯の封止構体 |
| US5189405A (en) * | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
| JPH0433297U (ja) * | 1990-07-14 | 1992-03-18 | ||
| JP3181737B2 (ja) * | 1992-12-28 | 2001-07-03 | 東北パイオニア株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR100580351B1 (ko) | 1997-04-17 | 2006-05-16 | 가부시끼가이샤 구레하 | 방습 필름 및 전기 발광 소자 |
| JP3904523B2 (ja) * | 1997-04-17 | 2007-04-11 | 株式会社クレハ | エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP3817081B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
| JP2002543563A (ja) | 1999-04-28 | 2002-12-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 酸素および水分による劣化に対する改善された耐性を有する可撓性有機電子デバイス |
| JP2001185346A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 自発光式デバイス |
| TW548860B (en) * | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| TW546857B (en) * | 2001-07-03 | 2003-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
| US8415208B2 (en) | 2001-07-16 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
| JP4027740B2 (ja) | 2001-07-16 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2003089165A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 超高ガスバリア性を有する複合フィルムおよびこれを用いたディスプレイ |
| JP4104489B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2008-06-18 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| US7649674B2 (en) * | 2002-06-10 | 2010-01-19 | E Ink Corporation | Electro-optic display with edge seal |
| US7015640B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
| US20040099926A1 (en) | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same |
| JP3816457B2 (ja) | 2003-03-18 | 2006-08-30 | 株式会社東芝 | 表示装置 |
| JP3594030B1 (ja) | 2003-06-12 | 2004-11-24 | タチバナジェネラルマネジメント株式会社 | 多重折り畳み式電子機器 |
| JP4373161B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光表示装置 |
| US7271076B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device |
| US7736964B2 (en) | 2004-11-22 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US7566633B2 (en) | 2005-02-25 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2006243621A (ja) | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Canon Inc | 表示装置 |
| DE602007013478D1 (de) | 2006-02-08 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Lab | RFID-Vorrichtung |
| KR20070087310A (ko) * | 2006-02-23 | 2007-08-28 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
| KR101478810B1 (ko) | 2006-07-28 | 2015-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전 장치 |
| US8232621B2 (en) | 2006-07-28 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7667549B2 (en) | 2007-04-26 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| JP2009037813A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el装置の製造方法 |
| JP5074129B2 (ja) * | 2007-08-21 | 2012-11-14 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
| JP2009205669A (ja) | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US7534635B1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-05-19 | General Electric Company | Getter precursors for hermetically sealed packaging |
| KR101549530B1 (ko) | 2008-05-23 | 2015-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| KR101811782B1 (ko) | 2008-07-10 | 2018-01-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
| KR101753574B1 (ko) | 2008-07-10 | 2017-07-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
| US7758200B2 (en) * | 2008-08-18 | 2010-07-20 | Wei-Jei Tuan | Responsive led module unit |
| JP5216716B2 (ja) | 2008-08-20 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| JP5106341B2 (ja) * | 2008-10-02 | 2012-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
| KR101348408B1 (ko) * | 2008-12-02 | 2014-01-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
| KR101702329B1 (ko) | 2008-12-17 | 2017-02-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
| TWI607670B (zh) * | 2009-01-08 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置及電子裝置 |
| JP5396335B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2014-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | タッチパネル |
| US8766269B2 (en) | 2009-07-02 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and electronic device |
| US9030427B2 (en) * | 2009-11-20 | 2015-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible display panel with touch sensor function |
| JP5334888B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2013-11-06 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
| JP5763321B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2015-08-12 | ローム株式会社 | 有機el装置 |
| JP2011192567A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Rohm Co Ltd | 有機el装置 |
| TWI383343B (zh) | 2010-05-21 | 2013-01-21 | Wistron Corp | 可提供顯示面板平面支撐之電子裝置 |
| KR101292974B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2013-08-02 | 주식회사 팬택 | 플렉서블 디스플레이를 구비한 이동통신단말기 |
| TWM395341U (en) | 2010-08-04 | 2010-12-21 | Micro Star Int Co Ltd | Foldable electronic apparatus |
| WO2012021525A1 (en) | 2010-08-10 | 2012-02-16 | Aniteal Laboratories | Reconfigurable touch screen computing device |
| KR20120082736A (ko) * | 2011-01-14 | 2012-07-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계발광 표시 장치 |
| KR101799520B1 (ko) * | 2011-02-01 | 2017-11-21 | 삼성전자 주식회사 | 접이식 디스플레이 장치 |
| KR102010429B1 (ko) * | 2011-02-25 | 2019-08-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기 |
| JP5778961B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-09-16 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
| KR102040242B1 (ko) * | 2011-05-12 | 2019-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기 |
| US9176535B2 (en) * | 2011-06-03 | 2015-11-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Flexible display flexure assembly |
| WO2013009208A1 (ru) | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Nizienko Yuri Konstantinovich | Складной дисплей |
| KR102161078B1 (ko) | 2012-08-28 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
| KR101453880B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2014-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US9269914B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| KR102239367B1 (ko) * | 2013-11-27 | 2021-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 터치 패널 |
| KR20180132181A (ko) * | 2013-12-02 | 2018-12-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
| WO2016083934A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display module and method for manufacturing display module |
| JP6293686B2 (ja) * | 2015-02-16 | 2018-03-14 | プライムアースEvエナジー株式会社 | アルカリ蓄電池の製造方法及びアルカリ蓄電池 |
-
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- 2014-07-24 US US14/339,911 patent/US9269914B2/en active Active
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-
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001290439A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-10-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2003100450A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2012033497A (ja) * | 2004-09-29 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2008288033A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | El表示装置 |
| JP2011022302A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| US20120256973A1 (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Hee-Dong Choi | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| JP2013069480A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、電子機器、及び照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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