JP2020072110A - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電磁シールドが配置された撮像素子におけるショートを防止する。【解決手段】撮像素子は、電磁シールドと、接着剤とを具備する撮像素子である。電磁シールドは、内部に配線を備え、撮像チップを搭載するための凹部が設けられているパッケージにおいて、配線と撮像チップとの間に配置される電磁シールドである。また、接着剤は、撮像チップを搭載するために用いる接着剤である。また、接着剤は、電磁シールドを覆うように配置される。【選択図】図１

Description

本開示は、撮像素子および撮像装置に関する。詳しくは、パッケージ内に撮像チップが搭載される撮像素子およびこれを備える撮像装置に関する。

従来、被写体を撮像して画像データを生成するデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ（例えば、カメラ一体型レコーダ）、監視カメラ等の撮像装置が普及している。また、これらの撮像装置に備えられる撮像素子として、例えば、撮像チップが搭載されたパッケージの内部に配線が設けられている撮像素子が存在する。しかし、近年では、大電流を流す仕様が増えているため、パッケージの内部に設けられている配線からの磁力線の影響による撮像素子の特性劣化を防止することが重要となる。

そこで、例えば、パッケージの内部に備える配線とパッケージの凹部に収容される撮像チップとの間に、配線において生じる磁力線の撮像チップへの到達を防止するシールドを配置する撮像素子が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

国際公開第２０１７／０８１８４０号

上述の従来技術では、パッケージの内部に備える配線において生じる磁力線の撮像チップへの到達を防止することができる。ここで、パッケージの内部に備える配線と撮像チップとを電気的に接続するボンディングワイヤやインナーリード等がパッケージの凹部に設けられることもある。この場合には、上述のシールドが磁性体や導電体であるため、パッケージの凹部におけるシールドとインナーリード等とのショートを防止することが重要となる。

本開示は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、シールドが配置された撮像素子におけるショートを防止することを目的としている。

本開示の第１の態様は、内部に配線を備え、撮像チップを搭載するための凹部が設けられているパッケージにおいて、前記配線と前記撮像チップとの間に配置される電磁シールドと、前記撮像チップを搭載するために用いる接着剤であって前記電磁シールドを覆うように配置される接着剤とを具備する撮像素子である。

また、この第１の態様において、前記接着剤は、前記電磁シールドの全てを覆うように配置されてもよい。

また、この第１の態様において、前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面の全てを覆うように配置されてもよい。

また、この第１の態様において、前記電磁シールドは、金属膜の両面に接着フィルムをラミネートして形成されてもよい。

また、この第１の態様において、前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面に露出される前記金属膜の全てを覆うように配置されてもよい。

また、この第１の態様において、前記撮像チップは、上面視において略矩形状であり、前記電磁シールドは、上面視において略矩形状であり、前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面の全てを覆うように、上面視においてロの字形状に配置され、前記撮像チップは、前記ロの字形状に配置される前記接着剤の上側に搭載されてもよい。

また、この第１の態様において、前記電磁シールドは、上面視において略矩形状となる部分が金属膜の両面に接着フィルムをラミネートして形成され、前記略矩形状の一辺に相当する部分に、前記接着フィルムのみで形成される被覆端部を備え、前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面に露出される前記金属膜の全てを覆うように配置されてもよい。

また、この第１の態様において、前記撮像チップは、上面視において略矩形状であり、前記接着剤は、上面視において前記被覆端部に相当する部分が欠けている略ロの字形状に配置され、前記撮像チップは、前記略ロの字形状に配置される前記接着剤の上側に搭載されてもよい。

また、この第１の態様において、上面視において前記電磁シールドのサイズを、前記撮像チップのサイズよりも小さくしてもよい。

また、この第１の態様において、上面視において前記電磁シールドのサイズを、前記撮像チップの受光面のサイズと略同一としてもよい。

また、この第１の態様において、前記金属膜を、１００ｋＨｚの比透磁率が１０００以上である軟磁性体としてもよい。

また、この第１の態様において、前記金属膜を、１００ｋＨｚの比透磁率が５０００以上としてもよい。

また、この第１の態様において、前記金属膜を、銅またはアルミニウムとしてもよい。

また、この第１の態様において、前記電磁シールドを、磁気シールドまたは静電シールドとしてもよい。

また、本開示の第２の態様は、内部に配線を備え、撮像チップを搭載するための凹部が設けられているパッケージにおいて、前記配線と前記撮像チップとの間に配置される電磁シールドと、前記撮像チップを搭載するために用いる接着剤であって前記電磁シールドを覆うように配置される接着剤とを備える撮像素子と、前記撮像素子により生成された画像信号を処理する処理回路とを具備する撮像装置である。

このような態様を採ることにより、パッケージの凹部において、電磁シールを接着剤で覆うことにより電磁シールドと他の導電体との間でのショートの発生を防止するという作用をもたらす。

本開示の第１の実施の形態に係る撮像素子１００の構成例を示す断面図である。 本開示の第１の実施の形態に係る撮像素子１００の構成例を示す平面図である。 本開示の第１の実施の形態に係る電磁シールド１４０の製造方法の一例を示す図である。 本開示の第１の実施の形態に係る撮像素子１００の製造方法の一例を示す図である。 比較例に係る撮像素子５００の構成例を示す断面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る撮像素子２００の構成例を示す断面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る撮像素子２００の構成例を示す平面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る電磁シールド２４０の製造方法の一例を示す図である。 本開示の第２の実施の形態に係る電磁シールド２４０の構成例を示す平面図および断面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る撮像素子２００の製造方法の一例を示す図である。 本開示の第２の実施の形態の変形例に係る電磁シールドの構成例を示す平面図である。 本開示が適用され得る撮像装置の一例であるカメラの概略的な構成例を示すブロック図である。

次に、図面を参照して、本開示を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）を説明する。以下の図面において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。また、以下の順序で実施の形態の説明を行う。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
３．変形例
４．カメラへの応用例

＜１．第１の実施の形態＞
［撮像素子の構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る撮像素子１００の構成例を示す断面図である。図２は、本開示の第１の実施の形態に係る撮像素子１００の構成例を示す平面図である。なお、以下の各図において、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は相互に直交する３方向である。

撮像素子１００は、パッケージ１１０と、撮像チップ１２０と、シールガラス１３０と、電磁シールド１４０と、ダイボンド樹脂１５０と、ボンディングワイヤ１６０ａおよび１６０ｂと、インナーリード１６１ａおよび１６１ｂとを有する。

パッケージ１１０は、凹部１１１を有し、凹部１１１に撮像チップ１２０を収容するものである。凹部１１１は、撮像チップ１２０およびダイボンド樹脂１５０の厚み（Ｚ方向の距離）よりも深くなるようにパッケージ１１０に形成される。なお、パッケージ１１０の材料として、絶縁性を有する材料を用いることができる。例えば、合成樹脂やセラミック等の材料からなるものをパッケージ１１０の材料とすることができる。

また、パッケージ１１０は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）等の積層型のパッケージとすることができる。また、パッケージ１１０の内部には、パッケージ配線１１２ａ乃至ｃが設けられている。パッケージ配線１１２ａ乃至ｃは、パッケージ１１０を構成する各層の間に設けることができる。

パッケージ配線１１２ａ乃至ｃは、パッケージ１１０に設けられている外部端子（図示を省略）と、撮像チップ１２０とを電気的に接続する。また、パッケージ配線１１２ａ乃至ｃは、例えば、ボンディングワイヤ１６０ａおよび１６０ｂにより撮像チップ１２０と電気的に接続されている。また、パッケージ１１０の凹部１１１には、ボンディングワイヤ１６０ａが接続されるインナーリード１６１ａと、ボンディングワイヤ１６０ｂが接続されるインナーリード１６１ｂとが形成される。なお、パッケージ配線１１２ａ乃至ｃの材料として、例えば、タングステンおよび銅等を用いることができる。

撮像チップ１２０は、光学系（図示を省略）を介して画素領域１２１（受光面）に照射される光を受光して、各画素が光を受光した光量に応じた画像信号を出力する半導体チップである。撮像チップ１２０は、例えば、信号処理領域と、当該信号処理領域の周辺に配置された回路領域とを有する。信号処理領域は、光を電気信号に変換する複数のフォトダイオードが一次元または二次元的に配置されている画素領域１２１（受光面）と、画素領域１２１の周辺に配置されている増幅回路やメモリ等を有する。また、撮像チップ１２０は、パッケージ１１０の凹部１１１のダイアタッチ面に接着される電磁シールド１４０の上側（Ｚ方向の上側）に、ダイボンド樹脂１５０を用いて搭載される。なお、撮像素子として、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサ等を用いることができる。

シールガラス１３０は、撮像チップ１２０の画素領域１２１（受光面）を覆うように、パッケージ１１０に対して固定され、撮像チップ１２０が配置される空間１１３を気密封止するものである。例えば、シールガラス１３０は、接着剤等によりパッケージ１１０に接合され、パッケージ１１０の凹部１１１を閉塞する。また、シールガラス１３０は、光透過性を有し、撮像チップ１２０に傷や埃等が付着するのを防止する機能を有する。

シールガラス１３０の材料として、例えば、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、パイレックス（登録商標）等を用いることができる。なお、シールガラス１３０の代わりに、赤外光を遮断するＩＲ（infrared）カットフィルタや、水晶ローパスフィルタ等を用いるようにしてもよい。

電磁シールド１４０は、金属膜１４１の両面に接着フィルム１４２および１４３をラミネートして作製される電磁シールド（磁気シールドまたは静電シールド）であり、パッケージ１１０の凹部１１１のダイアタッチ面に接着される。また、電磁シールド１４０の上側（Ｚ方向の上側）には、ダイボンド樹脂１５０を用いて撮像チップ１２０が搭載される。ここで、パッケージ１１０の内部に設けられているパッケージ配線１１２ａ乃至ｃからの磁気によりノイズ（例えば、帯状のノイズ）が発生するおそれがある。そこで、本開示では、撮像チップ１２０とパッケージ配線１１２ａ乃至ｃ（パッケージ１１０）との間に電磁シールド１４０を配置する。これにより、パッケージ配線１１２ａ乃至ｃからの磁気により発生するノイズ（例えば、帯状のノイズ）を抑制し、撮像チップ１２０の特性劣化を防止することができる。

また、上面視（Ｚ方向の上側から見た場合）において、電磁シールド１４０のサイズは、撮像チップ１２０のサイズよりも小さくなるようにする。すなわち、上面視において、電磁シールド１４０の矩形の面積を、撮像チップ１２０の矩形の面積よりも小さくなるようにする。例えば、図２に示すように、上面視において、電磁シールド１４０のサイズを、画素領域１２１のサイズ（撮像チップ１２０のサイズよりも小さいサイズ）と略同一とすることができる。

なお、電磁シールド１４０は、１００ｕｍ以下の総厚（厚み（Ｚ方向の距離））に構成することができる。これにより、シールド効果を保ちながらダイアタッチ面に配置された撮像チップ１２０を低背化することができる。また、金属膜１４１の材料として、磁性体膜、銅（例えば、銅箔）、アルミニウム等の導電体を用いることができる。銅等の高い導電率を有する材料により金属膜１４１を構成すると好適である。電磁シールド１４０における静電シールド効果を向上させることができるためである。また、例えば、金属膜１４１の材料として、鉄を主成分とする軟磁性体を用いる場合には、１００ｋＨｚの比透磁率が１０００以上とすることが好ましく、さらには、１００ｋＨｚの比透磁率が５０００以上とすることが好ましい。電磁シールド１４０における磁気シールド効果を向上させることができるためである。なお、電磁シールド１４０の製造方法については、図３を参照して詳細に説明する。

ダイボンド樹脂１５０は、パッケージ１１０の凹部１１１に撮像チップ１２０を搭載するために用いられるダイボンディング用の接着剤である。具体的には、ダイボンド樹脂１５０は、パッケージ１１０の凹部１１１のダイアタッチ面に接着される電磁シールド１４０の上側（Ｚ方向の上側）に、撮像チップ１２０を搭載するために用いられる。また、ダイボンド樹脂１５０は、電磁シールド１４０の側面を覆うように塗布される。すなわち、電磁シールド１４０の側面に位置する金属膜１４１をダイボンド樹脂１５０により覆うように（保護するように）、ダイボンド樹脂１５０が塗布される。このように、ダイボンド樹脂１５０は、電磁シールド１４０の外周部のみを覆うようにロの字形状に配置される。なお、ダイボンド樹脂１５０は、特許請求の範囲に記載の接着剤の一例である。

［電磁シールドの製造例］
図３は、本開示の第１の実施の形態に係る電磁シールド１４０の製造方法の一例を示す図である。図３Ａには、大面積の金属膜の両面に大面積の接着フィルムをラミネートして形成される大面積の電磁シールドの上面図を示す。図３Ｂには、図３Ａに示す大面積の電磁シールドを切断部材１７１乃至１７３で切断する場合の電磁シールドの側面図を示す。なお、図３では、説明を容易にするため、大面積の電磁シールドを６つの電磁シールドに切断する例を示すが、これに限定されるものではない。

図３Ａには、大面積の金属膜の両面に大面積の接着フィルムをラミネートして形成される大面積の電磁シールドを切断する部分を点線で示す。

図３Ｂには、図３Ａに示す矢印１７０の方向から見た場合の大面積の電磁シールドの側面を示す。図３Ｂに示すように、大面積の電磁シールドは、大面積の金属膜１８１の両面に、金属膜１８１のサイズと同一（または略同一）サイズの接着フィルム１８２および１８３をラミネートして形成される。そして、大面積の金属膜１８１、大面積の接着フィルム１８２および１８３により形成された大面積の電磁シールドを切断部材１７１乃至１７３で所望のサイズにカットすることにより電磁シールド１４０が作製される。

ここで、例えば、予め個片化された複数の金属膜の両面を大面積の接着フィルムでサンドイッチし、金属膜よりも大きく接着フィルムをカットして電磁シールドを製作することすることも考えられる。この場合には、大きくカットした接着フィルムにより電磁シールドの側面（金属膜の側面）を保護することができる。しかし、この場合には、予め個片化された複数の金属膜について、サンドイッチやカット等の処理をする必要があるため、生産性が低いと考えられる。

これに対して、第１の実施の形態では、大面積の金属膜１８１の両面に大面積の接着フィルム１８２および１８３をラミネートして形成される大面積の電磁シールドを裁断して、撮像素子１００に用いられる電磁シールド１４０を製作することができる。このため、電磁シールド１４０の生産性を高めることができ、撮像素子１００の製造コストを低減することができる。

しかし、大面積の電磁シールドを裁断して撮像素子に用いられる電磁シールドを製作するため、電磁シールドの側面には、金属膜が露出することになる。このように、電磁シールドの側面に金属膜が露出した状態で撮像素子に設置した場合の影響については、図５を参照して説明する。

［撮像素子の製造例］
図４は、本開示の第１の実施の形態に係る撮像素子１００の製造方法の一例を示す図である。

最初に、図４Ａに示すように、パッケージ１１０の凹部１１１のダイアタッチ面に、金属膜１４１の両面に接着フィルム１４２および１４３をラミネートして形成された電磁シールド１４０を接着する。

次に、図４Ｂに示すように、パッケージ１１０の凹部１１１のダイアタッチ面に接着された電磁シールド１４０の外周部の側面（金属膜１４１が露出している面）を覆うように、ダイボンド樹脂１５０を塗布する。すなわち、電磁シールド１４０の外周部の側面を覆うようにロの字形状にダイボンド樹脂１５０が塗布される。これにより、電磁シールド１４０の側面に位置する金属膜１４１がダイボンド樹脂１５０により保護される。

次に、図４Ｃに示すように、パッケージ１１０の凹部１１１のダイアタッチ面に接着された電磁シールド１４０の外周部の側面に塗布されたダイボンド樹脂１５０に撮像チップ１２０を載置する。この撮像チップ１２０の載置後に、ダイボンド樹脂１５０を硬化させる。その後、ワイヤボンディングを行い、パッケージ１１０のパッケージ配線１１２ａ乃至ｃと撮像チップ１２０とをボンディングワイヤ１６０ａおよび１６０ｂによって電気的に接続する。

次に、図４Ｄに示すように、パッケージ１１０にシールガラス１３０を固定することにより、撮像チップ１２０が配置される空間１１３を気密封止する。

［ダイボンド樹脂の効果］
図１および図２に示すダイボンド樹脂１５０の効果について、比較例を用いて説明する。
図５は、比較例に係る撮像素子５００の構成例を示す断面図である。

撮像素子５００は、パッケージ５１０と、撮像チップ５２０と、シールガラス５３０と、電磁シールド５４０と、ダイボンド樹脂５５０と、ボンディングワイヤ５６０ａおよび５６０ｂと、インナーリード５６１ａおよび５６１ｂとを有する。

なお、撮像素子５００における各部は、図１に示す撮像素子１００における同一名称の各部に対応する。ただし、撮像素子１００におけるダイボンド樹脂１５０は、電磁シールド１４０の側面を覆うように塗布されるのに対し、撮像素子５００におけるダイボンド樹脂５５０は、電磁シールド５４０の上側に塗布される。すなわち、電磁シールド５４０は、側面の金属膜５４１が露出した状態でパッケージ５１０の凹部５１１のダイアタッチ面に設置される。

ここで、撮像素子５００について高温高湿試験を行う場合を想定する。この場合に、電磁シールド５４０の側面に金属膜５４１が露出した状態でパッケージ５１０の凹部５１１に電磁シールド５４０が設置されているため、高温高湿試験により金属膜５４１が溶出するおそれがある。このように、金属膜５４１が溶出すると、矢印５７１に示すように、溶出した金属膜５４１と、パッケージ５１０のインナーリード５６１ａとの間でショートが発生するおそれがある。

これに対して、図１、図２に示す撮像素子１００は、電磁シールド１４０の側面がダイボンド樹脂１５０により覆われることにより金属膜１４１が保護されている。このように、電磁シールド１４０の側面の金属膜１４１が保護された状態でパッケージ１１０の凹部１１１に電磁シールド１４０が設置されているため、高温高湿試験により金属膜１４１が溶出することを防止することができる。これにより、金属膜１４１と、パッケージ１１０のインナーリード１６１ａおよび１６１ｂとの間でのショートの発生を防止することができる。

なお、第１の実施の形態では、電磁シールド１４０の外周部のみを覆うようにロの字形状にダイボンド樹脂１５０を配置する例を示した。ただし、電磁シールド１４０の上面および側面の全てを覆うようにダイボンド樹脂１５０を塗布して配置するようにしてもよい。

以上説明したように、本開示の第１の実施の形態の撮像素子１００は、撮像チップ１２０の底面に配置された電磁シールド１４０の側面をダイボンド樹脂１５０接着剤で覆うことにより、電磁シールド１４０と他の導電体との間のショートを防止することができる。

＜２．第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、パッケージ１１０の凹部１１１のダイアタッチ面に設置される電磁シールド１４０の側面を覆うようにダイボンド樹脂１５０を塗布する例を示した。このように、ロの字形状にダイボンド樹脂１５０を塗布する場合には、撮像チップ１２０とダイボンド樹脂１５０と電磁シールド１４０とで囲まれる空間が密閉されることになる。このため、その空間内の圧力が高くなることも考慮して、その空間に空気孔を設けることが考えられる。そこで、第２の実施の形態では、ロの字形状のダイボンド樹脂の一部をスリットとし、撮像チップとダイボンド樹脂と電磁シールドとで囲まれる空間に空気孔を設ける例を示す。

［撮像素子の構成］
図６は、本開示の第２の実施の形態に係る撮像素子２００の構成例を示す断面図である。図７は、本開示の第２の実施の形態に係る撮像素子２００の構成例を示す平面図である。

撮像素子２００は、図１および図２に示す撮像素子１００において、電磁シールド１４０の代わりに、被覆端部２４５を有する電磁シールド２４０を設け、被覆端部２４５に相当する部分にはダイボンド樹脂２５０を塗布しない点が、撮像素子１００とは異なる。なお、これらの点以外は、図１および図２に示す撮像素子１００と同様であるため、撮像素子１００と共通する部分については、同一の符号を付してこれらの説明を省略する。また、被覆端部２４５については、図８および図９を参照して詳細に説明する。

［電磁シールドの構成例］
図８は、本開示の第２の実施の形態に係る電磁シールド２４０の製造方法の一例を示す図である。図９は、本開示の第２の実施の形態に係る電磁シールド２４０の構成例を示す平面図および断面図である。

図８Ａには、大面積の電磁シールドを構成する大面積の接着フィルムの上面図を示す。図８Ｂには、大面積の電磁シールドを構成する大面積の金属膜の上面図を示す。図８Ａおよび図８Ｂでは、大面積の接着フィルムおよび大面積の金属膜を切断する部分を点線で示す。なお、図８では、説明を容易にするため、大面積の電磁シールドを６つの電磁シールドに切断する例を示すが、これに限定されるものではない。

図８Ｂに示すように、大面積の金属膜は、その幅Ｌ１を大面積の接着フィルムの幅Ｌ３よりも狭くしてロール状（帯状）に製作される。なお、大面積の金属膜の長さＬ２は、大面積の接着フィルムの長さＬ２と同じ（または略同じ）とすることができる。

また、図８Ａに示すように、大面積の接着フィルムは、ロール（帯）の両端（幅方向の両端）に被覆端部（金属膜無し部、突起部）２４５を設けるようにカットされる。

このように、被覆端部２４５を有する電磁シールド２４０を作製する場合には、図８Ｂに示す大面積の金属膜の両面に、図８Ａに示す大面積の接着フィルムをラミネートして形成される大面積の電磁シールドを用いる。言い換えると、左右方向（図８に示す左右方向）が上下方向（図８に示す上下方向）よりも大幅に長く、かつ、上下方向の両端には金属膜が存在せず、接着フィルムのみが存在する周辺部（被覆端部を含む部分）を有するロール形状のものを用いる。そして、その周辺部が電磁シールド２４０の一辺に相当するとともに、その周辺部が被覆端部２４５の形状となるように切り出されて作製される。

このように、被覆端部２４５を設けるようにカットされる接着フィルムと、被覆端部を設けずにカットされる金属膜とにより形成される電磁シールド２４０を図９に示す。

図９Ａには、被覆端部が設けられていない金属膜の両面に、被覆端部２４５が設けられている接着フィルムをラミネートして形成される電磁シールド２４０の平面図を示す。図９Ｂには、図９Ａの矢印Ａ１、Ａ２方向から見た場合の電磁シールド２４０の断面図を示す。

図８に示すように、接着フィルムには被覆端部２４５が設けられるが、金属膜には被覆端部が設けられない。このため、図９Ｂに示すように、被覆端部２４５には、金属膜２４１の層が形成されず、電磁シールド２４０の被覆端部２４５の側面には、金属膜２４１が露出しない。このように、電磁シールド２４０における金属膜２４１の側面のうち、電磁シールド２４０の被覆端部２４５に相当する部分は、金属膜２４１の両面に形成される接着フィルム２４２により保護されている。特に、電磁シールド２４０の被覆端部２４５の先端部の側面（矢印Ａ３で示す側面）には、被覆端部２４５を形成する接着フィルム２４２により金属膜２４１の側面が保護され、金属膜２４１が露出しない。

このように、電磁シールド２４０の被覆端部２４５については、被覆端部２４５を形成する接着フィルム２４２により金属膜２４１の側面が保護され、金属膜２４１が露出しないため、ダイボンド樹脂２５０により保護する必要がない。そこで、電磁シールド２４０の側面にダイボンド樹脂２５０を塗布する場合に、図６および図７に示すように、被覆端部２４５に相当する部分には、ダイボンド樹脂２５０を塗布しないようにする。すなわち、被覆端部２４５がダイボンド樹脂２５０のスリットになるようにダイボンド樹脂２５０を塗布することができる。

このように、ダイボンド樹脂２５０は、電磁シールド２４０の外周部（外側面）のみを覆うようにロの字形状に配置され、かつ、ロの字の少なくとも１箇所にスリットが形成される。また、そのスリットには、電磁シールド２４０の被覆端部２４５が配置される。また、図６および図７に示すように、そのスリットにおいて、被覆端部２４５の上側（Ｚ方向の上側）に、孔２４３を形成することができる。

［撮像素子の製造例］
図１０は、本開示の第２の実施の形態に係る撮像素子２００の製造方法の一例を示す図である。

最初に、図１０Ａに示すように、パッケージ１１０の凹部１１１のダイアタッチ面に、金属膜２４１の両面に接着フィルム２４２をラミネートして形成された電磁シールド２４０を接着する。なお、電磁シールド２４０の被覆端部２４５については、被覆端部２４５を形成する接着フィルム２４２により金属膜２４１の側面が保護されている。

次に、図１０Ｂに示すように、パッケージ１１０の凹部１１１のダイアタッチ面に接着された電磁シールド２４０の外周部の側面（電磁シールド２４０の被覆端部２４５の先端の側面以外の側面）を覆うように、ダイボンド樹脂２５０を塗布する。すなわち、電磁シールド２４０の外周部の側面を覆うように、ロの字形状にダイボンド樹脂２５０が塗布されるが、電磁シールド２４０の被覆端部２４５の部分だけダイボンド樹脂２５０が欠けることになる。すなわち、電磁シールド２４０の外周部の側面を覆うように、ロの字形状にダイボンド樹脂２５０が塗布され、ロの字の少なくとも１箇所（電磁シールド２４０の被覆端部２４５の位置）にスリットが形成される。このように、ロの字形状に塗布されるダイボンド樹脂２５０の少なくとも１箇所にスリットを形成することにより、被覆端部２４５の上側（Ｚ方向の上側）には、孔２４３が形成される。これにより、撮像チップ１２０とダイボンド樹脂２５０と電磁シールド２４０とで囲まれる空間が密閉されることを防止することができる。接着剤の硬化等のために加熱処理が行われる場合、その空間内の圧力の上昇による撮像チップ１２０の浮きの発生や破損を防止することができる。

このように、電磁シールド２４０の側面に露出している金属膜２４１については、ダイボンド樹脂２５０により保護される。また、ダイボンド樹脂２５０が欠けているスリット部分には、電磁シールド２４０の被覆端部２４５が配置されるが、被覆端部２４５の側面には金属膜２４１は露出していない。また、電磁シールド２４０の被覆端部２４５付近の金属膜２４１については、被覆端部２４５を形成する接着フィルム２４２により保護される。

次に、図１０Ｃに示すように、パッケージ１１０の凹部１１１のダイアタッチ面に接着された電磁シールド２４０の外周部の側面に塗布されたダイボンド樹脂２５０に撮像チップ１２０を載置する。この撮像チップ１２０の載置後にダイボンド樹脂２５０を硬化させ、パッケージ１１０のパッケージ配線１１２ａ乃至ｃと撮像チップ１２０とをボンディングワイヤ１６０ａ、１６０ｂによって電気的に接続する。

次に、図１０Ｄに示すように、パッケージ１１０にシールガラス１３０を固定することにより、撮像チップ１２０が配置される空間１１３を気密封止する。

以上説明したように、本開示の第２の実施の形態の撮像素子２００は、被服端部２４５を備える電磁シールド２４０を使用することにより、電磁シールド２４０の製造工程を簡略化することができる。また、被服端部２４５の上のダイボンド樹脂２５０を省略することにより、撮像素子２００の製造工程における撮像チップ１２０の破損等を防止することができる。

＜３．変形例＞
上述の電磁シールド２４０は、被覆端部２４５の形状が矩形状（各辺が電磁シールド２４０の一辺よりも小さい）である例を示したが、被覆端部は他の形状を採用することもできる。そこで、以下では、電磁シールドに設ける被覆端部の変形例を示す。

図１１は、本開示の第２の実施の形態の変形例に係る電磁シールドの構成例を示す平面図である。

電磁シールド３１０、３２０、３３０、３４０、３５０および３６０は、電磁シールド２４０の変形例であり、被覆端部の形状が電磁シールド２４０とは異なる。そこで、ここでは、主に、被覆端部の形状について説明する。なお、図１１では、金属膜の両面に接着フィルムがラミネートされて形成される矩形状の電磁シールドと、接着フィルムのみで形成される被覆端部３１１、３２１、３３１、３４１、３５１および３６１との境界を点線で示す。

電磁シールド３１０は、電磁シールド３１０の矩形（金属膜の両面に接着フィルムがラミネートされて形成される矩形）の一辺に、矩形状の被覆端部３１１を設けたものである。すなわち、電磁シールド３１０は、電磁シールド３１０の矩形の一辺の全てが１つの矩形状の被覆端部３１１となるものである。

電磁シールド３２０は、電磁シールド３２０の矩形（金属膜の両面に接着フィルムがラミネートされて形成される矩形）の一辺に、三角形状の被覆端部３２１を設けたものである。すなわち、電磁シールド３２０は、電磁シールド３２０の矩形の一辺の全てが１つの三角形状の被覆端部３２１となるものである。

電磁シールド３３０は、電磁シールド３３０の矩形（金属膜の両面に接着フィルムがラミネートされて形成される矩形）の一辺に、円弧形状の被覆端部３３１を設けたものである。すなわち、電磁シールド３３０は、電磁シールド３３０の矩形の一辺の全てが１つの円弧形状の被覆端部３３１となるものである。

電磁シールド３４０は、電磁シールド３４０の矩形（金属膜の両面に接着フィルムがラミネートされて形成される矩形）の一辺に、矩形状の被覆端部３４１を設けたものである。すなわち、電磁シールド３４０は、電磁シールド３４０の矩形の一辺の一部のみに矩形状の被覆端部３４１を備えるものである。なお、電磁シールド３４０は、図９に示す電磁シールド２４０の左右方向（図１１の左右方向）の長さのみを変更したものである。

電磁シールド３５０は、電磁シールド３５０の矩形（金属膜の両面に接着フィルムがラミネートされて形成される矩形）の一辺に、三角形状の被覆端部３５１を設けたものである。すなわち、電磁シールド３５０は、電磁シールド３５０の矩形の一辺の一部のみに三角形状の被覆端部３５１を備えるものである。

電磁シールド３６０は、電磁シールド３６０の矩形（金属膜の両面に接着フィルムがラミネートされて形成される矩形）の一辺に、円弧形状の被覆端部３６１を設けたものである。すなわち、電磁シールド３６０は、電磁シールド３６０の矩形の一辺の一部のみに円弧形状の被覆端部３６１を備えるものである。

＜４．カメラへの応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品に応用することができる。例えば、本技術は、カメラ等の撮像装置に搭載される撮像素子として実現されてもよい。

図１２は、本技術が適用され得る撮像装置の一例であるカメラの概略的な構成例を示すブロック図である。同図のカメラ１０００は、レンズ１００１と、撮像素子１００２と、撮像制御部１００３と、レンズ駆動部１００４と、画像処理部１００５と、操作入力部１００６と、フレームメモリ１００７と、表示部１００８と、記録部１００９とを備える。

レンズ１００１は、カメラ１０００の撮影レンズである。このレンズ１００１は、被写体からの光を集光し、後述する撮像素子１００２に入射させて被写体を結像させる。

撮像素子１００２は、レンズ１００１により集光された被写体からの光を撮像する半導体素子である。この撮像素子１００２は、照射された光に応じたアナログの画像信号を生成し、デジタルの画像信号に変換して出力する。

撮像制御部１００３は、撮像素子１００２における撮像を制御するものである。この撮像制御部１００３は、制御信号を生成して撮像素子１００２に対して出力することにより、撮像素子１００２の制御を行う。また、撮像制御部１００３は、撮像素子１００２から出力された画像信号に基づいてカメラ１０００におけるオートフォーカスを行うことができる。ここでオートフォーカスとは、レンズ１００１の焦点位置を検出して、自動的に調整するシステムである。このオートフォーカスとして、撮像素子１００２に配置された位相差画素により像面位相差を検出して焦点位置を検出する方式（像面位相差オートフォーカス）を使用することができる。また、画像のコントラストが最も高くなる位置を焦点位置として検出する方式（コントラストオートフォーカス）を適用することもできる。撮像制御部１００３は、検出した焦点位置に基づいてレンズ駆動部１００４を介してレンズ１００１の位置を調整し、オートフォーカスを行う。なお、撮像制御部１００３は、例えば、ファームウェアを搭載したＤＳＰ（Digital Signal Processor）により構成することができる。

レンズ駆動部１００４は、撮像制御部１００３の制御に基づいて、レンズ１００１を駆動するものである。このレンズ駆動部１００４は、内蔵するモータを使用してレンズ１００１の位置を変更することによりレンズ１００１を駆動することができる。

画像処理部１００５は、撮像素子１００２により生成された画像信号を処理するものである。この処理には、例えば、画素毎の赤色、緑色および青色に対応する画像信号のうち不足する色の画像信号を生成するデモザイク、画像信号のノイズを除去するノイズリダクションおよび画像信号の符号化等が該当する。画像処理部１００５は、例えば、ファームウェアを搭載したマイコンにより構成することができる。

操作入力部１００６は、カメラ１０００の使用者からの操作入力を受け付けるものである。この操作入力部１００６には、例えば、押しボタンやタッチパネルを使用することができる。操作入力部１００６により受け付けられた操作入力は、撮像制御部１００３や画像処理部１００５に伝達される。その後、操作入力に応じた処理、例えば、被写体の撮像等の処理が起動される。

フレームメモリ１００７は、１画面分の画像信号であるフレームを記憶するメモリである。このフレームメモリ１００７は、画像処理部１００５により制御され、画像処理の過程におけるフレームの保持を行う。

表示部１００８は、画像処理部１００５により処理された画像を表示するものである。この表示部１００８には、例えば、液晶パネルを使用することができる。

記録部１００９は、画像処理部１００５により処理された画像を記録するものである。この記録部１００９には、例えば、メモリカードやハードディスクを使用することができる。

以上、本発明が適用され得るカメラについて説明した。本技術は以上において説明した構成のうち、撮像素子１００２に適用され得る。具体的には、図１、図２、図６および図７等において説明した撮像素子１００および２００は、撮像素子１００２に適用することができる。撮像素子１００２に撮像素子１００および２００を適用することにより、撮像素子１００２が備える電磁シールドの生産性を高めることができ、カメラ１０００の製造コストを低減することができる。また、撮像素子１００２に撮像素子１００および２００を適用することにより、撮像素子１００２のパッケージの凹部におけるショートの発生を防止することができる。なお、画像処理部１００５は、特許請求の範囲に記載の処理回路の一例である。カメラ１０００は、特許請求の範囲に記載の撮像装置の一例である。

なお、ここでは、一例としてカメラについて説明したが、本発明に係る技術は、その他、例えば監視装置等に適用されてもよい。

最後に、上述した各実施の形態の説明は本開示の一例であり、本開示は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。

また、上述の実施の形態における図面は、模式的なものであり、各部の寸法の比率等は現実のものとは必ずしも一致しない。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることは勿論である。

なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）内部に配線を備え、撮像チップを搭載するための凹部が設けられているパッケージにおいて、前記配線と前記撮像チップとの間に配置される電磁シールドと、
前記撮像チップを搭載するために用いる接着剤であって前記電磁シールドを覆うように配置される接着剤と
を具備する撮像素子。
（２）前記接着剤は、前記電磁シールドの全てを覆うように配置される前記（１）に記載の撮像素子。
（３）前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面の全てを覆うように配置される前記（１）または（２）に記載の撮像素子。
（４）前記電磁シールドは、金属膜の両面に接着フィルムをラミネートして形成される前記（１）から（３）のいずれかに記載の撮像素子。
（５）前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面に露出される前記金属膜の全てを覆うように配置される前記（４）に記載の撮像素子。
（６）前記撮像チップは、上面視において略矩形状であり、
前記電磁シールドは、上面視において略矩形状であり、
前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面の全てを覆うように、上面視においてロの字形状に配置され、
前記撮像チップは、前記ロの字形状に配置される前記接着剤の上側に搭載される
前記（１）から（５）のいずれかに記載の撮像素子。
（７）前記電磁シールドは、上面視において略矩形状となる部分が金属膜の両面に接着フィルムをラミネートして形成され、前記略矩形状の一辺に相当する部分に、前記接着フィルムのみで形成される被覆端部を備え、
前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面に露出される前記金属膜の全てを覆うように配置される
前記（１）から（５）のいずれかに記載の撮像素子。
（８）前記撮像チップは、上面視において略矩形状であり、
前記接着剤は、上面視において前記被覆端部に相当する部分が欠けている略ロの字形状に配置され、
前記撮像チップは、前記略ロの字形状に配置される前記接着剤の上側に搭載される
前記（７）に記載の撮像素子。
（９）上面視において前記電磁シールドのサイズは、前記撮像チップのサイズよりも小さい前記（１）から（８）のいずれかに記載の撮像素子。
（１０）上面視において前記電磁シールドのサイズは、前記撮像チップの受光面のサイズと略同一である前記（１）から（９）のいずれかに記載の撮像素子。
（１１）前記金属膜は、１００ｋＨｚの比透磁率が１０００以上である軟磁性体である前記（４）または（５）に記載の撮像素子。
（１２）前記金属膜は、１００ｋＨｚの比透磁率が５０００以上である前記（１１）に記載の撮像素子。
（１３）前記金属膜は、銅またはアルミニウムである前記（４）、（５）、（１１）、（１２）のいずれかに記載の撮像素子。
（１４）前記電磁シールドは、磁気シールドまたは静電シールドである前記（１）から（１３）のいずれかに記載の撮像素子。
（１５）内部に配線を備え、撮像チップを搭載するための凹部が設けられているパッケージにおいて、前記配線と前記撮像チップとの間に配置される電磁シールドと、前記撮像チップを搭載するために用いる接着剤であって前記電磁シールドを覆うように配置される接着剤とを備える撮像素子と、
前記撮像素子により生成された画像信号を処理する処理回路と
を具備する撮像装置。

１００、２００、５００ 撮像素子
１１０、５１０ パッケージ
１１１、５１１ 凹部
１１２ａ乃至１１２ｃ、５１２ａ乃至５１２ｃ パッケージ配線
１１３、５１３ 空間
１２０、５２０ 撮像チップ
１２１、５２１ 画素領域
１３０、５３０ シールガラス
１４０、２４０、３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０、５４０ 電磁シールド
１４１、２４１、１８１、５４１ 金属膜
１４２、１４３、１８２、１８３、２４２、５４２、５４３ 接着フィルム
１５０、２５０、５５０ ダイボンド樹脂
１６０ａ、１６０ｂ、５６０ａ、５６０ｂ ボンディングワイヤ
１６１ａ、１６１ｂ、５６１ａ、５６１ｂ インナーリード
２４３ 孔
２４５、３１１、３２１、３３１、３４１、３５１、３６１ 被覆端部
１０００ カメラ
１００２ 撮像素子
１００５ 画像処理部

Claims (15)

1. 内部に配線を備え、撮像チップを搭載するための凹部が設けられているパッケージにおいて、前記配線と前記撮像チップとの間に配置される電磁シールドと、
   前記撮像チップを搭載するために用いる接着剤であって前記電磁シールドを覆うように配置される接着剤と
   を具備する撮像素子。
2. 前記接着剤は、前記電磁シールドの全てを覆うように配置される請求項１に記載の撮像素子。
3. 前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面の全てを覆うように配置される請求項１に記載の撮像素子。
4. 前記電磁シールドは、金属膜の両面に接着フィルムをラミネートして形成される請求項１に記載の撮像素子。
5. 前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面に露出される前記金属膜の全てを覆うように配置される請求項４に記載の撮像素子。
6. 前記撮像チップは、上面視において略矩形状であり、
   前記電磁シールドは、上面視において略矩形状であり、
   前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面の全てを覆うように、上面視においてロの字形状に配置され、
   前記撮像チップは、前記ロの字形状に配置される前記接着剤の上側に搭載される
   請求項１に記載の撮像素子。
7. 前記電磁シールドは、上面視において略矩形状となる部分が金属膜の両面に接着フィルムをラミネートして形成され、前記略矩形状の一辺に相当する部分に、前記接着フィルムのみで形成される被覆端部を備え、
   前記接着剤は、前記電磁シールドの外側面に露出される前記金属膜の全てを覆うように配置される
   請求項１に記載の撮像素子。
8. 前記撮像チップは、上面視において略矩形状であり、
   前記接着剤は、上面視において前記被覆端部に相当する部分が欠けている略ロの字形状に配置され、
   前記撮像チップは、前記略ロの字形状に配置される前記接着剤の上側に搭載される
   請求項７に記載の撮像素子。
9. 上面視において前記電磁シールドのサイズは、前記撮像チップのサイズよりも小さい請求項１に記載の撮像素子。
10. 上面視において前記電磁シールドのサイズは、前記撮像チップの受光面のサイズと略同一である請求項１に記載の撮像素子。
11. 前記金属膜は、１００ｋＨｚの比透磁率が１０００以上である軟磁性体である請求項４に記載の撮像素子。
12. 前記金属膜は、１００ｋＨｚの比透磁率が５０００以上である請求項１１に記載の撮像素子。
13. 前記金属膜は、銅またはアルミニウムである請求項４に記載の撮像素子。
14. 前記電磁シールドは、磁気シールドまたは静電シールドである請求項１に記載の撮像素子。
15. 内部に配線を備え、撮像チップを搭載するための凹部が設けられているパッケージにおいて、前記配線と前記撮像チップとの間に配置される電磁シールドと、前記撮像チップを搭載するために用いる接着剤であって前記電磁シールドを覆うように配置される接着剤とを備える撮像素子と、
    前記撮像素子により生成された画像信号を処理する処理回路と
    を具備する撮像装置。

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