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JP2020060651A - Display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP2020060651A
JP2020060651A JP2018190997A JP2018190997A JP2020060651A JP 2020060651 A JP2020060651 A JP 2020060651A JP 2018190997 A JP2018190997 A JP 2018190997A JP 2018190997 A JP2018190997 A JP 2018190997A JP 2020060651 A JP2020060651 A JP 2020060651A
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JP
Japan
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layer
bank layer
film
inorganic
display device
Prior art date
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JP2018190997A
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Japanese (ja)
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究理 本川
Kyuri Motokawa
究理 本川
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Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
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Publication date
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Abstract

【課題】封止性能の低下を防止することを目的とする。【解決手段】表示装置は、表示回路層46を囲む内側土手層60と、内側土手層60を囲む外側土手層62と、を有する。封止層48は、第1無機膜52及び第2無機膜54と、第1無機膜52及び第2無機膜54の間に介在する有機膜50と、を含む。第1無機膜52及び第2無機膜54は、有機膜50の周囲で相互に接触して有機膜50を封止する。有機膜50は、内側土手層60を超えない位置に周縁を有する。第1無機膜52及び第2無機膜54は、内側土手層に載って、外側土手層62の上に周縁を有する。樹脂層56は、第1無機膜52及び第2無機膜54が内側土手層60の上に有する部分の全体を覆い、外側土手層62の上方に非接触で周縁を有する。外側土手層62は、内側土手層60と同等又はそれ以上の高さを有する。【選択図】図6An object of the present invention is to prevent deterioration of sealing performance. A display device has an inner bank layer (60) surrounding a display circuitry layer (46) and an outer bank layer (62) surrounding the inner bank layer (60). The sealing layer 48 includes a first inorganic film 52 and a second inorganic film 54 and an organic film 50 interposed between the first inorganic film 52 and the second inorganic film 54 . The first inorganic film 52 and the second inorganic film 54 contact each other around the organic film 50 to seal the organic film 50 . The organic film 50 has a peripheral edge that does not extend beyond the inner bank layer 60 . The first inorganic membrane 52 and the second inorganic membrane 54 rest on the inner bank layer and have a peripheral edge on the outer bank layer 62 . The resin layer 56 covers the entire portion of the first inorganic membrane 52 and the second inorganic membrane 54 on the inner bank layer 60 and has a non-contact peripheral edge above the outer bank layer 62 . The outer bank layer 62 has a height equal to or greater than that of the inner bank layer 60 . [Selection drawing] Fig. 6

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.

有機エレクトロルミネセンス層などの発光素子層は、吸湿によって劣化するため、大気から遮断するために封止層で覆うことが必要である(引用文献1〜5)。例えば、有機膜を一対の無機膜でサンドイッチした多層構造の封止層を、発光素子層の封止に使用した構造が知られている。封止層の上にはオーバーコート層が設けられる。   A light emitting element layer such as an organic electroluminescence layer is deteriorated by moisture absorption, and thus needs to be covered with a sealing layer to shield it from the atmosphere (References 1 to 5). For example, a structure is known in which a sealing layer having a multilayer structure in which an organic film is sandwiched by a pair of inorganic films is used for sealing a light emitting element layer. An overcoat layer is provided on the sealing layer.

封止層の有機膜は、液状樹脂から形成する。液状樹脂の流動は、第1の土手によって止められるようになっている。封止層の一対の無機膜は、第1の土手を超えるように形成される。オーバーコート層を形成するための液状樹脂は、第1の土手の外側にある第2の土手によってせき止められる。オーバーコート層は、第1の土手及び一対の無機膜を覆うように形成し、第1の土手の上方では厚みが薄くなっている。   The organic film of the sealing layer is formed of liquid resin. The flow of the liquid resin is stopped by the first bank. The pair of inorganic films of the sealing layer are formed so as to extend over the first bank. The liquid resin for forming the overcoat layer is dammed by the second bank on the outside of the first bank. The overcoat layer is formed so as to cover the first bank and the pair of inorganic films, and has a small thickness above the first bank.

米国特許出願公開第2015/228927号明細書US Patent Application Publication No. 2015/228927 米国特許出願公開第2016/315284号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2016/315284 米国特許出願公開第2016/307971号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2016/307971 米国特許出願公開第2017/53973号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2017/53973 特開2018−22322号公報JP, 2018-22322, A

一対の無機膜は、広い領域に形成した後、オーバーコート層をエッチングマスクとしてエッチングされる。エッチングプロセスでは、上述したように第1の土手の上方で薄くなったオーバーコート層が削れてしまうことがあり、その下の一対の無機膜も削れると、封止性能が低下する。   The pair of inorganic films are formed over a wide area and then etched using the overcoat layer as an etching mask. In the etching process, the overcoat layer thinned above the first bank may be scraped off as described above, and if the pair of inorganic films underneath is also scraped off, the sealing performance deteriorates.

本発明は、封止性能の低下を防止することを目的とする。   An object of the present invention is to prevent deterioration of sealing performance.

本発明に係る表示装置は、基板と、発光によって画像を表示するために前記基板に積層された表示回路層と、前記表示回路層を囲む内側土手層と、前記内側土手層を囲む外側土手層と、前記表示回路層を覆う封止層と、前記封止層に積層する樹脂層と、を有し、前記封止層は、一対の無機膜と、前記一対の無機膜の間に介在する有機膜と、を含み、前記一対の無機膜は前記有機膜の周囲で相互に接触して前記有機膜を封止し、前記有機膜は、前記内側土手層を超えない位置に周縁を有し、前記一対の無機膜は、前記内側土手層に載って、前記外側土手層の上に周縁を有し、前記樹脂層は、前記一対の無機膜が前記内側土手層の上に有する部分の全体を覆い、前記外側土手層の上方に非接触で周縁を有し、前記外側土手層は、前記内側土手層と同等又はそれ以上の高さを有することを特徴とする。   A display device according to the present invention is a substrate, a display circuit layer laminated on the substrate for displaying an image by light emission, an inner bank layer surrounding the display circuit layer, and an outer bank layer surrounding the inner bank layer. And a sealing layer covering the display circuit layer and a resin layer laminated on the sealing layer, the sealing layer being interposed between the pair of inorganic films and the pair of inorganic films. An organic film, wherein the pair of inorganic films contact each other around the organic film to seal the organic film, and the organic film has a peripheral edge at a position not exceeding the inner bank layer. , The pair of inorganic membranes are mounted on the inner bank layer and have a peripheral edge on the outer bank layer, and the resin layer is the entire portion of the pair of inorganic membranes on the inner bank layer. And having a peripheral edge above the outer bank layer in a non-contact manner, the outer bank layer is the inner bank layer and And having a like or more in height.

本発明によれば、外側土手層は、内側土手層と同等又はそれ以上の高さを有するので、樹脂層が内側土手層の上で薄くならずに封止層を保護する。これにより、封止性能の低下を防止することができる。   According to the present invention, the outer bank layer has a height equal to or higher than that of the inner bank layer, so that the resin layer protects the sealing layer without being thinned on the inner bank layer. As a result, it is possible to prevent the deterioration of the sealing performance.

本発明に係る表示装置は、基板と、発光によって画像を表示するために前記基板に積層された表示回路層と、前記表示回路層を囲む内側土手層と、前記内側土手層を囲む外側土手層と、前記表示回路層を覆う封止層と、前記封止層に積層する樹脂層と、を有し、前記封止層は、一対の無機膜と、前記一対の無機膜の間に介在する有機膜と、を含み、前記一対の無機膜は前記有機膜の周囲で相互に接触して前記有機膜を封止し、前記有機膜は、前記内側土手層を超えない位置に周縁を有し、前記一対の無機膜は、前記内側土手層に載って、前記外側土手層の上に周縁を有し、前記樹脂層は、前記一対の無機膜が前記内側土手層の上に有する部分の全体を覆い、前記外側土手層の上方に非接触で周縁を有し、前記封止層が載る下地面は、前記内側土手層に内側で隣接する内側領域と、前記内側土手層と前記外側土手層の間にある中間領域と、を含み、前記中間領域の少なくとも一部は、前記内側領域と同等又はそれ以上の高さにあることを特徴とする。   A display device according to the present invention is a substrate, a display circuit layer laminated on the substrate for displaying an image by light emission, an inner bank layer surrounding the display circuit layer, and an outer bank layer surrounding the inner bank layer. And a sealing layer covering the display circuit layer and a resin layer laminated on the sealing layer, the sealing layer being interposed between the pair of inorganic films and the pair of inorganic films. An organic film, wherein the pair of inorganic films contact each other around the organic film to seal the organic film, and the organic film has a peripheral edge at a position not exceeding the inner bank layer. , The pair of inorganic membranes are mounted on the inner bank layer and have a peripheral edge on the outer bank layer, and the resin layer is the entire portion of the pair of inorganic membranes on the inner bank layer. And has a non-contacting peripheral edge above the outer bank layer, and the underlying surface on which the sealing layer rests is the inner side. An inner region adjacent to a hand layer on the inner side; and an intermediate region between the inner bank layer and the outer bank layer, at least a part of the intermediate region having a height equal to or higher than the inner region. It is characterized by being in

本発明によれば、中間領域の少なくとも一部は、内側領域と同等又はそれ以上の高さにあるので、樹脂層が内側土手層の上で薄くならずに封止層を保護する。これにより、封止性能の低下を防止することができる。   According to the present invention, at least a part of the intermediate region is at the same height as or higher than the inner region, so that the resin layer does not become thin on the inner bank layer and protects the sealing layer. As a result, it is possible to prevent the deterioration of the sealing performance.

本発明に係る表示装置の製造方法は、発光によって画像を表示するための表示回路層と、前記表示回路層を囲む内側土手層と、前記内側土手層を囲む外側土手層と、を有する基板を用意する工程と、前記表示回路層を覆って、前記内側土手層及び前記外側土手層に載り、前記外側土手層の外側に至るように、第1無機膜を形成する工程と、前記表示回路層を覆って、前記第1無機膜の上に、前記内側土手層でせき止められるように液状有機材料を設けて、有機膜を形成する工程と、前記表示回路層を覆って、前記有機膜に載り、前記内側土手層及び前記外側土手層を超えて前記外側土手層の外側で前記第1無機膜に接触して載るように、第2無機膜を形成する工程と、前記表示回路層を覆って、前記第2無機膜の上に、前記外側土手層でせき止められるように液状樹脂を設けて、樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層をマスクとして、前記第1無機膜及び前記第2無機膜をエッチングする工程と、を含み、前記樹脂層は、前記エッチングする工程で削られても前記内側土手層の上方で前記第2無機膜を露出させない程度の厚みを有し、前記樹脂層を形成する工程で、前記液状樹脂が前記内側土手層の上方で滞留する程度に、前記内側土手層と前記外側土手層との間での前記第2無機膜の高さ及び前記内側土手層の低さの少なく一方を満たすことを特徴とする。   A method of manufacturing a display device according to the present invention, a display circuit layer for displaying an image by light emission, an inner bank layer surrounding the display circuit layer, and an outer bank layer surrounding the inner bank layer, a substrate having a. A step of preparing, a step of covering the display circuit layer, forming a first inorganic film on the inner bank layer and the outer bank layer and reaching the outside of the outer bank layer; and the display circuit layer A step of forming a liquid organic material on the first inorganic film so as to be dammed by the inner bank layer to form an organic film, and covering the display circuit layer and mounting the organic film on the organic film. Forming a second inorganic film so as to contact the first inorganic film on the outer side of the outer bank layer beyond the inner bank layer and the outer bank layer, and covering the display circuit layer. A weir in the outer bank layer on the second inorganic film And a step of etching the first inorganic film and the second inorganic film using the resin layer as a mask, the resin layer comprising: In the step of forming the resin layer, the liquid resin has a thickness above the inner bank layer so as not to expose the second inorganic film above the inner bank layer even if it is scraped in the etching step. It is characterized in that at least one of the height of the second inorganic film and the height of the inner bank layer between the inner bank layer and the outer bank layer is satisfied to such an extent that the inner bank layer stays at.

本発明によれば、液状樹脂が内側土手層の上方で滞留する程度に、内側土手層と外側土手層との間での第2無機膜の高さ及び内側土手層の低さの少なく一方を満たすので、樹脂層が内側土手層の上で薄くならずに第2無機膜を保護する。これにより、封止性能の低下を防止することができる。   According to the present invention, the height of the second inorganic film between the inner bank layer and the outer bank layer and the height of the inner bank layer are reduced to the extent that the liquid resin stays above the inner bank layer. Since it is filled, the resin layer does not become thin on the inner bank layer and protects the second inorganic film. As a result, it is possible to prevent the deterioration of the sealing performance.

第1の実施形態に係る表示装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the display device according to the first embodiment. 表示装置の使用状態を示す概略図である。It is a schematic diagram showing a use state of a display. 図2に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a cross section taken along line III-III of the display device shown in FIG. 2. 図1に示す表示装置のIV−IV線断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of the display device shown in FIG. 1. 図1に示す表示装置の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of the display device shown in FIG. 1. 図1に示す表示装置のVI-VI線断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of the display device shown in FIG. 1. 図1に示す表示装置のVII-VII線断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII of the display device shown in FIG. 1. 第1の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the manufacturing method for the display device according to the first embodiment. 第1の実施形態の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of 1st Embodiment. 第2の実施形態に係る表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。It is another sectional view of the display concerning a 2nd embodiment. 第3の実施形態に係る表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。It is another sectional view of the display concerning a 3rd embodiment. 第4の実施形態に係る表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第4の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。It is another sectional view of the display concerning a 4th embodiment. 第5の実施形態に係る表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus which concerns on 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。It is another sectional view of the display concerning a 5th embodiment. 第6の実施形態に係る表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus which concerns on 6th Embodiment. 第6の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。It is another sectional view of the display concerning a 6th embodiment. 第7の実施形態に係る表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus which concerns on 7th Embodiment. 第7の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。It is another sectional view of the display concerning a 7th embodiment.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention can be carried out in various modes without departing from the scope of the invention, and is not construed as being limited to the description of the embodiments exemplified below.

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。   In order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual mode, but this is merely an example and limits the interpretation of the present invention. Not something to do. In this specification and the drawings, elements having the same functions as those described in regard to the drawings already shown are designated by the same reference numerals, and duplicate description may be omitted.

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。   Furthermore, in the detailed description of the present invention, when defining the positional relationship between a certain constituent and another constituent, the terms “above” and “below” refer only to the case where the constituent is directly above or below the certain constituent. Unless otherwise specified, the case where another component is further interposed is included.

[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、実際には、折り曲げて使用するので、図1は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。図2は、表示装置の使用状態を示す概略図である。図3は、図2に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a plan view of the display device according to the first embodiment. Since the display device is actually folded and used, FIG. 1 is a development view before the display device is folded. FIG. 2 is a schematic view showing a usage state of the display device. FIG. 3 is a schematic view of a cross section taken along line III-III of the display device shown in FIG.

表示装置は、ディスプレイDSPを含む。屈曲の内側にはスペーサSPが配置されて、ディスプレイDSPの曲がりすぎを防いでいる。ディスプレイDSPは、可撓性を有し、表示領域DAの外側で折り曲げられている。ディスプレイDSPには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップCPが搭載されている。ディスプレイDSPには、表示領域DAの外側で、フレキシブルプリント基板FPが接続されている。   The display device includes a display DSP. A spacer SP is arranged inside the bend to prevent the display DSP from being bent too much. The display DSP has flexibility and is bent outside the display area DA. The display DSP is equipped with an integrated circuit chip CP for driving an element for displaying an image. The flexible printed circuit board FP is connected to the display DSP outside the display area DA.

表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域DAを有する。表示領域DAでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。   The display device is, for example, an organic electroluminescence display device. The display device has a display area DA in which an image is displayed. In the display area DA, for example, unit pixels (subpixels) of a plurality of colors of red, green, and blue are combined to form a full-color pixel, and a full-color image is displayed.

図4は、図1に示す表示装置のIV−IV線断面図である。基板10は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。   FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of the display device shown in FIG. The substrate 10 is made of polyimide. However, another resin material may be used as long as it is a base material having sufficient flexibility to form a sheet display or a flexible display.

基板10上に、バリア無機膜12(アンダーコート層)が積層されている。バリア無機膜12は、シリコン酸化膜12a、シリコン窒化膜12b及びシリコン酸化膜12cの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜12aは、基板10との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜12bは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜12cは、シリコン窒化膜12b中に含有する水素原子が薄膜トランジスタTRの半導体層16側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。   A barrier inorganic film 12 (undercoat layer) is laminated on the substrate 10. The barrier inorganic film 12 has a three-layer laminated structure of a silicon oxide film 12a, a silicon nitride film 12b, and a silicon oxide film 12c. The lowermost silicon oxide film 12a is for improving adhesion to the substrate 10, the middle silicon nitride film 12b is a block film for moisture and impurities from the outside, and the uppermost silicon oxide film 12c is a silicon nitride film. The hydrogen atoms contained in 12b are provided as block films respectively for preventing diffusion of hydrogen atoms to the semiconductor layer 16 side of the thin film transistor TR, but the invention is not particularly limited to this structure, and further stacked layers may be provided. It may be a layer or a two-layer laminate.

薄膜トランジスタTRを形成する箇所に合わせて機能膜14を形成してもよい。機能膜14は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタTRの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタTRにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜12aを形成した後、薄膜トランジスタTRが形成される箇所に合わせて機能膜14を島状に形成し、その後シリコン窒化膜12b及びシリコン酸化膜12cを積層することで、バリア無機膜12に機能膜14を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板10上にまず機能膜14を形成し、その後にバリア無機膜12を形成してもよい。   The functional film 14 may be formed according to the location where the thin film transistor TR is formed. The functional film 14 suppresses a change in characteristics of the thin film transistor TR due to entry of light from the rear surface of the channel, or is formed of a conductive material to give a predetermined potential, thereby giving a back gate effect to the thin film transistor TR. You can Here, after the silicon oxide film 12a is formed, the functional film 14 is formed in an island shape in accordance with the position where the thin film transistor TR is formed, and then the silicon nitride film 12b and the silicon oxide film 12c are stacked to form a barrier inorganic material. Although the functional film 14 is formed so as to be enclosed in the film 12, the function film 14 may be first formed on the substrate 10 and then the barrier inorganic film 12 may be formed after that.

バリア無機膜12上に薄膜トランジスタTRが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではNchトランジスタのみを示しているが、Pchトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタTRの半導体層16は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜18としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極20は、MoWから形成された第1配線層W1の一部である。第1配線層W1は、ゲート電極20に加え、第1保持容量線CL1を有する。第1保持容量線CL1と半導体層16(ソース・ドレイン領域)との間で、ゲート絶縁膜18を介して、保持容量Csの一部が形成される。   A thin film transistor TR is formed on the barrier inorganic film 12. Although only the Nch transistor is shown here by taking a polysilicon thin film transistor as an example, a Pch transistor may be formed at the same time. The semiconductor layer 16 of the thin film transistor TR has a structure in which a low concentration impurity region is provided between the channel region and the source / drain region. A silicon oxide film is used here as the gate insulating film 18. The gate electrode 20 is a part of the first wiring layer W1 formed of MoW. The first wiring layer W1 has a first storage capacitor line CL1 in addition to the gate electrode 20. A part of the storage capacitor Cs is formed between the first storage capacitor line CL1 and the semiconductor layer 16 (source / drain region) via the gate insulating film 18.

ゲート電極20の上に、層間絶縁膜22(シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜)が積層されている。層間絶縁膜22の上に、ソース・ドレイン電極24となる部分を含む第2配線層W2が形成されている。ここでは、Ti、Al及びTiの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜22を介して、第1保持容量線CL1(第1配線層W1の一部)と第2保持容量線CL2(第2配線層W2の一部)とで、保持容量Csの他の一部が形成される。   An interlayer insulating film 22 (silicon oxide film and silicon nitride film) is stacked on the gate electrode 20. A second wiring layer W2 including a portion to be the source / drain electrode 24 is formed on the interlayer insulating film 22. Here, a three-layer laminated structure of Ti, Al and Ti is adopted. The first storage capacitor line CL1 (a part of the first wiring layer W1) and the second storage capacitor line CL2 (a part of the second wiring layer W2) of the other storage capacitor Cs are interposed via the interlayer insulating film 22. A part is formed.

第2配線層W2(ソース・ドレイン電極24)を覆って、層間絶縁膜22の上にパッシベーション膜26が形成されている。パッシベーション膜26の上には平坦化有機膜28が設けられている。平坦化有機膜28は、CVD(Chemical Vapor Deposition)等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。   A passivation film 26 is formed on the interlayer insulating film 22 so as to cover the second wiring layer W2 (source / drain electrodes 24). A planarizing organic film 28 is provided on the passivation film 26. A resin such as photosensitive acrylic is used for the flattening organic film 28 because it has excellent surface flatness as compared with an inorganic insulating material formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like.

平坦化有機膜28及びパッシベーション膜26は、画素コンタクト部30では除去されて、その上に酸化インジウムスズ(Indium Tin Oxide:ITO)膜32が形成されている。酸化インジウムスズ膜32は、相互に分離された第1透明導電膜32a及び第2透明導電膜32bを含む。平坦化有機膜28及びパッシベーション膜26の除去により表面が露出した第2配線層W2は、第1透明導電膜32aにて被覆される。第1透明導電膜32aを被覆するように、平坦化有機膜28の上にシリコン窒化膜34が設けられている。シリコン窒化膜34は、画素コンタクト部30に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極24に導通するように画素電極36が積層されている。画素電極36は、反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛膜、Ag膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。画素電極36は、画素コンタクト部30から側方に拡がり、薄膜トランジスタTRの上方に至る。   The planarizing organic film 28 and the passivation film 26 are removed at the pixel contact portion 30, and an indium tin oxide (ITO) film 32 is formed thereon. The indium tin oxide film 32 includes a first transparent conductive film 32a and a second transparent conductive film 32b which are separated from each other. The second wiring layer W2 whose surface is exposed by removing the planarizing organic film 28 and the passivation film 26 is covered with the first transparent conductive film 32a. A silicon nitride film 34 is provided on the planarizing organic film 28 so as to cover the first transparent conductive film 32a. The silicon nitride film 34 has an opening in the pixel contact portion 30, and the pixel electrode 36 is laminated so as to be electrically connected to the source / drain electrode 24 through this opening. The pixel electrode 36 is formed as a reflective electrode and has a three-layer laminated structure of an indium zinc oxide film, an Ag film, and an indium zinc oxide film. Here, an indium tin oxide film may be used instead of the indium zinc oxide film. The pixel electrode 36 extends laterally from the pixel contact portion 30 and reaches above the thin film transistor TR.

第2透明導電膜32bは、画素コンタクト部30に隣接して、画素電極36の下方(さらにシリコン窒化膜34の下方)に設けられている。第2透明導電膜32b、シリコン窒化膜34及び画素電極36は重なっており、これらによって付加容量Cadが形成される。   The second transparent conductive film 32b is provided adjacent to the pixel contact portion 30 and below the pixel electrode 36 (and further below the silicon nitride film 34). The second transparent conductive film 32b, the silicon nitride film 34, and the pixel electrode 36 overlap with each other, and an additional capacitance Cad is formed by these.

平坦化有機膜28の上であって例えば画素コンタクト部30の上方に、バンク(リブ)と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁有機膜38が形成されている。絶縁有機膜38としては平坦化有機膜28と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁有機膜38は、画素電極36の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成される有機エレクトロルミネセンス層40のカバレッジ不良を生ずる。   An insulating organic film 38, which is called a bank (rib) and serves as a partition between adjacent pixel regions, is formed on the flattening organic film 28 and above the pixel contact portion 30, for example. As the insulating organic film 38, photosensitive acrylic or the like is used as in the flattening organic film 28. It is preferable that the insulating organic film 38 is opened so that the surface of the pixel electrode 36 is exposed as a light emitting region, and the opening end has a gentle taper shape. If the opening end has a steep shape, poor coverage of the organic electroluminescent layer 40 formed thereon occurs.

平坦化有機膜28と絶縁有機膜38は、両者間にあるシリコン窒化膜34に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁有機膜38の形成後の熱処理等を通じて、平坦化有機膜28から脱離する水分や脱ガスを、絶縁有機膜38を通じて引き抜くことができる。   The planarizing organic film 28 and the insulating organic film 38 are in contact with each other through an opening provided in the silicon nitride film 34 located between them. As a result, moisture or degas that is desorbed from the planarizing organic film 28 can be extracted through the insulating organic film 38 by heat treatment or the like after the formation of the insulating organic film 38.

画素電極36の上に、有機材料からなる有機エレクトロルミネセンス層40が積層されている。有機エレクトロルミネセンス層40は、単層であってもよいが、画素電極36側から順に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された構造であってもよい。これらの層は、蒸着によって形成してもよいし、溶媒分散の上での塗布によって形成してもよく、画素電極36(各サブ画素)に対して選択的に形成してもよいし、表示領域DAを覆う全面にベタ形成されてもよい。ベタ形成の場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ(図示せず)によって所望の色波長部分を取り出す構成になる。   An organic electroluminescent layer 40 made of an organic material is laminated on the pixel electrode 36. The organic electroluminescent layer 40 may be a single layer, or may have a structure in which a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are laminated in this order from the pixel electrode 36 side. These layers may be formed by vapor deposition, may be formed by coating on a solvent dispersion, may be formed selectively with respect to the pixel electrode 36 (each sub pixel), or may be displayed. It may be solidly formed on the entire surface covering the area DA. In the case of solid formation, white light is obtained from all the sub-pixels and a desired color wavelength portion is extracted by a color filter (not shown).

有機エレクトロルミネセンス層40の上に、対向電極42が設けられている。ここでは、トップエミッション構造としているため、対向電極42は透明である。例えば、Mg層及びAg層を、有機エレクトロルミネセンス層40からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述の有機エレクトロルミネセンス層40の形成順序に従うと、画素電極36が陽極となり、対向電極42が陰極となる。複数の画素電極36と、対向電極42と、複数の画素電極36のそれぞれの中央部と対向電極42の間に介在する有機エレクトロルミネセンス層40と、で発光素子44が構成される。発光によって画像を表示するため表示回路層46は、発光素子44及び薄膜トランジスタTRなどの回路素子を含む。   A counter electrode 42 is provided on the organic electroluminescence layer 40. Since the top emission structure is adopted here, the counter electrode 42 is transparent. For example, the Mg layer and the Ag layer are formed as thin films that allow the light emitted from the organic electroluminescence layer 40 to pass therethrough. According to the formation order of the organic electroluminescence layer 40 described above, the pixel electrode 36 serves as an anode and the counter electrode 42 serves as a cathode. The plurality of pixel electrodes 36, the counter electrode 42, and the organic electroluminescent layer 40 interposed between the center portion of each of the plurality of pixel electrodes 36 and the counter electrode 42 constitute a light emitting element 44. The display circuit layer 46 for displaying an image by light emission includes a light emitting element 44 and a circuit element such as a thin film transistor TR.

対向電極42の上に、発光素子44を覆う封止層48が形成されている。封止層48は、先に形成した有機エレクトロルミネセンス層40を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。封止層48は、有機膜50及びこれを挟む第1無機膜52及び第2無機膜54(例えばシリコン窒化膜)の積層構造になっている。封止層48には、樹脂層56及び偏光板(例えば円偏光板)が積層されている。   A sealing layer 48 that covers the light emitting element 44 is formed on the counter electrode 42. The sealing layer 48 has a function of preventing the intrusion of moisture from the outside of the organic electroluminescence layer 40 formed previously, and is required to have a high gas barrier property. The sealing layer 48 has a laminated structure of an organic film 50 and a first inorganic film 52 and a second inorganic film 54 (for example, a silicon nitride film) sandwiching the organic film 50. A resin layer 56 and a polarizing plate (for example, a circularly polarizing plate) are laminated on the sealing layer 48.

図5は、図1に示す表示装置の回路図である。回路は、走査回路GDに接続される複数の走査線GLと、信号駆動回路SDに接続される複数の信号線DLを有する。図1に示す集積回路チップCP内に信号駆動回路SDが配置されている。隣接する2つの走査線GLと隣接する2つの信号線DLとで囲まれる領域が1つの画素PXである。画素PXは、駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタTR及びスイッチとしての薄膜トランジスタTR2と保持容量Csを含む。走査線GLにゲート電圧が印加されることにより、薄膜トランジスタTR2がON状態となり、信号線DLから映像信号が供給され、保持容量Csに電荷が蓄積される。保持容量Csに電荷が蓄積されることにより、薄膜トランジスタTRがON状態となり、電源線PWLから発光素子ODに電流が流れる。この電流により発光素子ODが発光する。   FIG. 5 is a circuit diagram of the display device shown in FIG. The circuit has a plurality of scanning lines GL connected to the scanning circuit GD and a plurality of signal lines DL connected to the signal drive circuit SD. The signal drive circuit SD is arranged in the integrated circuit chip CP shown in FIG. A region surrounded by two adjacent scanning lines GL and two adjacent signal lines DL is one pixel PX. The pixel PX includes a thin film transistor TR as a drive transistor, a thin film transistor TR2 as a switch, and a storage capacitor Cs. By applying the gate voltage to the scanning line GL, the thin film transistor TR2 is turned on, the video signal is supplied from the signal line DL, and the charge is accumulated in the storage capacitor Cs. By accumulating charges in the storage capacitor Cs, the thin film transistor TR is turned on, and current flows from the power supply line PWL to the light emitting element OD. This current causes the light emitting element OD to emit light.

図6は、図1に示す表示装置のVI-VI線断面図である。表示装置は、発光によって画像を表示するために基板10に積層された表示回路層46(図4)を有する。内側土手層60が表示回路層46を囲んでいる。また、外側土手層62が内側土手層60を囲む。外側土手層62は、内側土手層60と同等又はそれ以上の高さを有する。   6 is a sectional view taken along line VI-VI of the display device shown in FIG. The display device has a display circuit layer 46 (FIG. 4) laminated on the substrate 10 for displaying an image by light emission. An inner bank layer 60 surrounds the display circuit layer 46. The outer bank layer 62 surrounds the inner bank layer 60. The outer bank layer 62 has a height equal to or higher than that of the inner bank layer 60.

外側土手層62は複数層からなる。複数層は、有機層64a,64bを含む。複数層の最上層は、有機層64aであり、図4に示す絶縁有機膜38と同時に形成される(同層にある)。有機層64bは、図4に示す平坦化有機膜28と同時に形成される(同層にある)。複数層は、導電層66a〜66d(金属又は酸化物半導体からなる層)を含む。導電層66a〜66dが積層されることで、外側土手層62の高さがかさ上げされる。なお、最上層の導電層66aは、図4に示す画素電極36と同時に形成され(同層にあり)、2つの有機層64a,64bの間に介在する。導電層66a〜66dは、複数の無機絶縁膜(例えばゲート絶縁膜18、層間絶縁膜22、パッシベーション膜26)と交互に積層している。   The outer bank layer 62 is composed of a plurality of layers. The multiple layers include organic layers 64a and 64b. The uppermost layer of the plurality of layers is the organic layer 64a, which is formed simultaneously with the insulating organic film 38 shown in FIG. 4 (in the same layer). The organic layer 64b is formed simultaneously with the planarization organic film 28 shown in FIG. 4 (in the same layer). The multiple layers include conductive layers 66a to 66d (layers made of metal or oxide semiconductor). By stacking the conductive layers 66a to 66d, the height of the outer bank layer 62 is increased. The uppermost conductive layer 66a is formed simultaneously with the pixel electrode 36 shown in FIG. 4 (in the same layer), and is interposed between the two organic layers 64a and 64b. The conductive layers 66a to 66d are alternately laminated with a plurality of inorganic insulating films (for example, the gate insulating film 18, the interlayer insulating film 22, the passivation film 26).

内側土手層60は複数層からなる。複数層は、有機層64a,64bを含む。複数層の最上層は、有機層64aであり、図4に示す絶縁有機膜38と同時に形成される(同層にある)。有機層64bは、図4に示す平坦化有機膜28と同時に形成される(同層にある)。複数層は、導電層66a〜66d(金属又は酸化物半導体からなる層)を含む。導電層66a〜66dが積層されることで、内側土手層60の高さがかさ上げされる。最上層の導電層66aは、図4に示す画素電極36と同時に形成される(同層にある)が、上から2番目の有機層64bの上に載らないので、内側土手層60は、外側土手層62よりも低くなっている。更に有機層64aと有機層64bがずれているから内側土手層60は、外側土手層62よりも低くなっている。   The inner bank layer 60 is composed of a plurality of layers. The multiple layers include organic layers 64a and 64b. The uppermost layer of the plurality of layers is the organic layer 64a, which is formed simultaneously with the insulating organic film 38 shown in FIG. 4 (in the same layer). The organic layer 64b is formed simultaneously with the planarization organic film 28 shown in FIG. 4 (in the same layer). The multiple layers include conductive layers 66a to 66d (layers made of metal or oxide semiconductor). By stacking the conductive layers 66a to 66d, the height of the inner bank layer 60 is increased. The uppermost conductive layer 66a is formed at the same time as the pixel electrode 36 shown in FIG. 4 (in the same layer), but since it is not placed on the second organic layer 64b from the top, the inner bank layer 60 is outside. It is lower than the bank layer 62. Further, the inner bank layer 60 is lower than the outer bank layer 62 because the organic layer 64a and the organic layer 64b are displaced.

表示装置は、表示回路層46を覆う封止層48を有する。封止層48は、第1無機膜52及び第2無機膜54を含む。第1無機膜52及び第2無機膜54の間に有機膜50が介在する。第1無機膜52及び第2無機膜54は有機膜50の周囲で相互に接触して有機膜50を封止する。有機膜50は、内側土手層60を超えない位置に周縁を有する。第1無機膜52及び第2無機膜54は、内側土手層に載って、外側土手層62の上に周縁を有する。   The display device has a sealing layer 48 that covers the display circuit layer 46. The sealing layer 48 includes a first inorganic film 52 and a second inorganic film 54. The organic film 50 is interposed between the first inorganic film 52 and the second inorganic film 54. The first inorganic film 52 and the second inorganic film 54 contact each other around the organic film 50 to seal the organic film 50. The organic film 50 has a peripheral edge at a position not exceeding the inner bank layer 60. The first inorganic film 52 and the second inorganic film 54 are placed on the inner bank layer and have a peripheral edge on the outer bank layer 62.

封止層48が載る下地面は、内側土手層60に内側で隣接する内側領域R1を含む。内側領域R1の表面は、図4に示す画素電極36と同層の導電層66aからなる。内側領域R1では、外側土手層62に含まれる全ての導電層66a〜66dが積層されている。   The underlying surface on which the sealing layer 48 is placed includes the inner region R1 that is adjacent to the inner bank layer 60 inside. The surface of the inner region R1 is composed of the conductive layer 66a in the same layer as the pixel electrode 36 shown in FIG. In the inner region R1, all the conductive layers 66a to 66d included in the outer bank layer 62 are stacked.

封止層48が載る下地面は、内側土手層60と外側土手層62の間にある中間領域R2を含む。中間領域R2では、内側領域R1に積層される導電層66a〜66dが積層されない。そのため、中間領域R2は、内側領域R1よりも低くなっている。   The underlying surface on which the sealing layer 48 rests includes an intermediate region R2 between the inner bank layer 60 and the outer bank layer 62. In the intermediate region R2, the conductive layers 66a to 66d stacked in the inner region R1 are not stacked. Therefore, the intermediate region R2 is lower than the inner region R1.

封止層48には樹脂層56が積層している。樹脂層56は、第1無機膜52及び第2無機膜54が内側土手層60の上に有する部分の全体を覆う。樹脂層56は、外側土手層62の上方に非接触で周縁を有する。本実施形態によれば、外側土手層62は、内側土手層60と同等又はそれ以上の高さを有するので、樹脂層56が内側土手層60の上で薄くならずに封止層48を保護する。これらにより、封止性能の低下を防止することができる。   A resin layer 56 is laminated on the sealing layer 48. The resin layer 56 covers the entire portion of the first inorganic film 52 and the second inorganic film 54 on the inner bank layer 60. The resin layer 56 has a peripheral edge above the outer bank layer 62 in a non-contact manner. According to the present embodiment, the outer bank layer 62 has a height equal to or higher than that of the inner bank layer 60, so that the resin layer 56 protects the sealing layer 48 without thinning on the inner bank layer 60. To do. These can prevent the deterioration of the sealing performance.

図7は、図1に示す表示装置のVII-VII線断面図である。表示領域DAと集積回路チップCP又はフレキシブルプリント基板10FPとの間の領域でも、外側土手層62は、導電層66a〜66dを含むことで、内側土手層60と同等又はそれ以上の高さを有する。その他の詳細は、図6を参照して説明した内容を適用可能である。   FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII of the display device shown in FIG. Even in the area between the display area DA and the integrated circuit chip CP or the flexible printed circuit board 10FP, the outer bank layer 62 includes the conductive layers 66a to 66d, so that the outer bank layer 62 has a height equal to or higher than that of the inner bank layer 60. . The details described with reference to FIG. 6 can be applied to other details.

[製造方法]
図8は、第1の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。本実施形態では、基板10に、発光によって画像を表示するための表示回路層46(図4)と、表示回路層46を囲む内側土手層60と、内側土手層60を囲む外側土手層62と、を形成する。内側土手層60は、外側土手層62を超えない高さを有するように形成する。
[Production method]
FIG. 8 is a diagram for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment. In the present embodiment, a display circuit layer 46 (FIG. 4) for displaying an image by light emission, an inner bank layer 60 surrounding the display circuit layer 46, and an outer bank layer 62 surrounding the inner bank layer 60 are provided on the substrate 10. , Are formed. The inner bank layer 60 is formed to have a height not exceeding the outer bank layer 62.

表示回路層46を覆って、内側土手層60及び外側土手層62に載り、外側土手層62の外側に至るように、第1無機膜52を形成する。表示回路層46を覆って、第1無機膜52の上に、内側土手層60でせき止められるように液状有機材料を設けて、有機膜50を形成する。表示回路層46を覆って、有機膜50に載り、内側土手層60及び外側土手層62を超えて外側土手層62の外側で第1無機膜52に接触して載るように、第2無機膜54を形成する。   The first inorganic film 52 is formed so as to cover the display circuit layer 46, be placed on the inner bank layer 60 and the outer bank layer 62, and reach the outside of the outer bank layer 62. The organic film 50 is formed by covering the display circuit layer 46 and providing a liquid organic material on the first inorganic film 52 so as to be blocked by the inner bank layer 60. The second inorganic film so as to cover the display circuit layer 46 and to be mounted on the organic film 50 so as to be over the inner bank layer 60 and the outer bank layer 62 and contact the first inorganic film 52 outside the outer bank layer 62. 54 is formed.

表示回路層46を覆って、第2無機膜54の上に、外側土手層62でせき止められるように液状樹脂を設けて、樹脂層56を形成する。樹脂層56をマスクとして、第1無機膜52及び第2無機膜54をエッチングする。エッチング後の形状は図6に示す通りである。   A liquid resin is provided on the second inorganic film 54 so as to cover the display circuit layer 46 and be blocked by the outer bank layer 62 to form a resin layer 56. The first inorganic film 52 and the second inorganic film 54 are etched using the resin layer 56 as a mask. The shape after etching is as shown in FIG.

本実施形態では、内側土手層60は、外側土手層62を超えない高さになっている。そのため、樹脂層56を形成する工程で、液状樹脂が内側土手層60の上方で滞留する。樹脂層56は、エッチングする工程で削られても内側土手層60の上方で第2無機膜54を露出させない程度の厚みを有し、樹脂層56が内側土手層60の上で薄くならずに第2無機膜54を保護する。これにより、封止性能の低下を防止することができる。   In this embodiment, the inner bank layer 60 has a height that does not exceed the outer bank layer 62. Therefore, in the step of forming the resin layer 56, the liquid resin stays above the inner bank layer 60. The resin layer 56 has a thickness that does not expose the second inorganic film 54 above the inner bank layer 60 even if it is shaved in the etching process, and the resin layer 56 does not become thin on the inner bank layer 60. The second inorganic film 54 is protected. As a result, it is possible to prevent the deterioration of the sealing performance.

[変形例]
図9は、第1の実施形態の変形例を示す図である。本変形例では、樹脂層156の周縁は、第1無機膜152及び第2無機膜154の周縁から突出している。言い換えると、樹脂層156の下で、第1無機膜152及び第2無機膜154が引っ込んでいる。これは、図8を参照して上述した製造プロセスで、第1無機膜152及び第2無機膜154をエッチングしたときに生じる。
[Modification]
FIG. 9 is a diagram showing a modification of the first embodiment. In this modification, the peripheral edge of the resin layer 156 projects from the peripheral edges of the first inorganic film 152 and the second inorganic film 154. In other words, the first inorganic film 152 and the second inorganic film 154 are recessed under the resin layer 156. This occurs when the first inorganic film 152 and the second inorganic film 154 are etched in the manufacturing process described above with reference to FIG.

[第2の実施形態]
図10は、第2の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、図6に示す内側土手層60の一部を構成する最上層である有機層64aを無くすことで、内側土手層260を低くしている。
[Second Embodiment]
FIG. 10 is a cross-sectional view of the display device according to the second embodiment. In the present embodiment, the inner bank layer 260 is lowered by eliminating the uppermost organic layer 64a forming a part of the inner bank layer 60 shown in FIG.

図11は、第2の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。本実施形態では、図7に示す内側土手層60の一部を構成する最上層である有機層64aを無くすことで、内側土手層260を低くしている。本実施形態のそれ以外の内容は、第1の実施形態で説明した内容が適用可能である。   FIG. 11 is another cross-sectional view of the display device according to the second embodiment. In the present embodiment, the inner bank layer 260 is lowered by eliminating the uppermost organic layer 64a forming a part of the inner bank layer 60 shown in FIG. The contents described in the first embodiment can be applied to the other contents of the present embodiment.

[第3の実施形態]
図12は、第3の実施形態に係る表示装置の断面図である。図13は、第3の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。本実施形態では、図6及び図7に示す外側土手層62にさらに追加層368を設けることで、外側土手層362を高くしている。外側土手層362の最上層(追加層368)は、内側土手層360の最上層よりも高い。外側土手層362の最上層(追加層368)から二番目の層は、内側土手層360の最上層よりも低い。
[Third Embodiment]
FIG. 12 is a cross-sectional view of the display device according to the third embodiment. FIG. 13 is another cross-sectional view of the display device according to the third embodiment. In the present embodiment, the outer bank layer 362 is raised by providing the outer bank layer 62 shown in FIGS. 6 and 7 with an additional layer 368. The uppermost layer of the outer bank layer 362 (additional layer 368) is higher than the uppermost layer of the inner bank layer 360. The second layer from the uppermost layer (the additional layer 368) of the outer bank layer 362 is lower than the uppermost layer of the inner bank layer 360.

本実施形態では、図6及び図7に示す外側土手層62を高くするための複数の導電層66a〜66dが設けられていないが、それ以外の内容は、第1の実施形態で説明した内容が適用可能である。   In the present embodiment, the plurality of conductive layers 66a to 66d for raising the outer bank layer 62 shown in FIGS. 6 and 7 are not provided, but the other contents are the same as those described in the first embodiment. Is applicable.

[第4の実施形態]
図14は、第4の実施形態に係る表示装置の断面図である。図15は、第4の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。本実施形態では、図6及び図7(第1の実施形態)に示す構造に、それぞれ、図12及び図13(第3の実施形態)に示す構造と同様に、追加層468を設けてある。これにより、外側土手層462がさらに高くなっている。それ以外の内容は、第1及び第3の実施形態で説明した内容が該当する。
[Fourth Embodiment]
FIG. 14 is a cross-sectional view of the display device according to the fourth embodiment. FIG. 15 is another cross-sectional view of the display device according to the fourth embodiment. In the present embodiment, the structure shown in FIGS. 6 and 7 (first embodiment) is provided with an additional layer 468 similarly to the structure shown in FIGS. 12 and 13 (third embodiment), respectively. . This further raises the outer bank layer 462. The other contents correspond to the contents described in the first and third embodiments.

[第5の実施形態]
図16は、第5の実施形態に係る表示装置の断面図である。図17は、第5の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。図16及び図17に示す構造は、図6及び図7(第1の実施形態)に示す構造とそれぞれ比較して、中間領域R2の高さに違いがある。
[Fifth Embodiment]
FIG. 16 is a cross-sectional view of the display device according to the fifth embodiment. FIG. 17 is another cross-sectional view of the display device according to the fifth embodiment. The structures shown in FIGS. 16 and 17 differ from the structures shown in FIGS. 6 and 7 (first embodiment) in the height of the intermediate region R2.

封止層548が載る下地面は、内側土手層560に内側で隣接する内側領域R1を含む。封止層548が載る下地面は、内側土手層560と外側土手層562の間にある中間領域R2を含む。   The underlying surface on which the sealing layer 548 is placed includes the inner region R1 that is adjacent to the inner bank layer 560 inside. The underlying surface on which the sealing layer 548 rests includes an intermediate region R2 between the inner bank layer 560 and the outer bank layer 562.

中間領域R2の少なくとも一部(本実施形態では全体)は、内側領域R1と同等又はそれ以上の高さにある。したがって、樹脂層556が内側土手層560の上で薄くならずに封止層548を保護する。なお、中間領域R2は、高さの異なる部分を含む。   At least a part of the intermediate region R2 (the entire region in the present embodiment) is at the same height as or higher than the inner region R1. Therefore, the resin layer 556 does not become thin on the inner bank layer 560 and protects the sealing layer 548. The intermediate region R2 includes portions having different heights.

中間領域R2は、有機層564bの一部の表面である。有機層564bは、図4に示す平坦化有機膜28と同時に形成される(同層にある)。有機層564bは、外側土手層562を構成する部分を有する。有機膜550は、中間領域R2を構成する部分の少なくとも一部が、外側土手層562を構成する部分よりも薄くなっている。   The intermediate region R2 is a part of the surface of the organic layer 564b. The organic layer 564b is formed (in the same layer) at the same time as the planarization organic film 28 shown in FIG. The organic layer 564b has a portion forming the outer bank layer 562. In the organic film 550, at least a part of the part forming the intermediate region R2 is thinner than the part forming the outer bank layer 562.

製造プロセスにおいては、第1無機膜552が載る下地面は、内側土手層560に内側で隣接する内側領域R1を含む。第1無機膜552が載る下地面は、内側土手層560と外側土手層562の間にある中間領域R2を含む。中間領域R2の少なくとも一部は、内側領域R1と同等又はそれ以上の高さにある。   In the manufacturing process, the underlying surface on which the first inorganic film 552 is placed includes the inner region R1 that is adjacent to the inner bank layer 560 inside. The underlying surface on which the first inorganic film 552 is placed includes an intermediate region R2 between the inner bank layer 560 and the outer bank layer 562. At least a part of the intermediate region R2 has a height equal to or higher than that of the inner region R1.

本実施形態では、中間領域R2の少なくとも一部は、内側領域R1と同等又はそれ以上の高さにあるので、内側領域R1よりも中間領域R2(内側土手層560と外側土手層562との間)において、第2無機膜554が高くなる。   In the present embodiment, at least a part of the intermediate region R2 is at a height equal to or higher than that of the inner region R1, so that the intermediate region R2 (between the inner bank layer 560 and the outer bank layer 562 is more than the inner region R1). ), The second inorganic film 554 becomes high.

そのため、樹脂層556を形成する工程で、液状樹脂が内側土手層560の上方で滞留する。樹脂層556は、エッチングする工程で削られても内側土手層560の上方で第2無機膜554を露出させない程度の厚みを有し、樹脂層556が内側土手層560の上で薄くならずに第2無機膜554を保護する。これにより、封止性能の低下を防止することができる。それ以外の内容は、第1の実施形態で説明した内容が該当する。   Therefore, in the step of forming the resin layer 556, the liquid resin stays above the inner bank layer 560. The resin layer 556 has such a thickness that the second inorganic film 554 is not exposed above the inner bank layer 560 even if the resin layer 556 is thinned on the inner bank layer 560 even if the resin layer 556 is shaved in the etching step. The second inorganic film 554 is protected. As a result, it is possible to prevent the deterioration of the sealing performance. The other contents correspond to those described in the first embodiment.

[第6の実施形態]
図18は、第6の実施形態に係る表示装置の断面図である。図19は、第6の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。図18及び図19に示す構造は、図16及び図17(第5の実施形態)に示す構造とそれぞれ比較して、中間領域R2の高さに違いがある。
[Sixth Embodiment]
FIG. 18 is a sectional view of the display device according to the sixth embodiment. FIG. 19 is another cross-sectional view of the display device according to the sixth embodiment. The structures shown in FIGS. 18 and 19 are different from the structures shown in FIGS. 16 and 17 (fifth embodiment) in the height of the intermediate region R2.

本実施形態では、中間領域R2は、内側領域R1よりも高い部分及び低い部分を含む。内側領域R1よりも高い部分には、複数の導電層666a〜666d及び複数の無機絶縁膜(例えばゲート絶縁膜18、層間絶縁膜22、パッシベーション膜26)が積層されており、図19に示すように有機層664bが積層される部分も含まれる。内側領域R1よりも低い部分では、複数の導電層666a〜666d及び有機層664bが完全に除去されている。それ以外の内容は、第1及び第5の実施形態で説明した内容が該当する。   In the present embodiment, the intermediate region R2 includes a higher portion and a lower portion than the inner region R1. A plurality of conductive layers 666a to 666d and a plurality of inorganic insulating films (for example, the gate insulating film 18, the interlayer insulating film 22 and the passivation film 26) are stacked in a portion higher than the inner region R1 and as shown in FIG. Also includes a portion where the organic layer 664b is laminated. In the portion lower than the inner region R1, the plurality of conductive layers 666a to 666d and the organic layer 664b are completely removed. The other contents correspond to the contents described in the first and fifth embodiments.

[第7の実施形態]
図20は、第7の実施形態に係る表示装置の断面図である。図21は、第7の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。図20及び図21に示す構造は、図18及び図19(第6の実施形態)に示す構造とそれぞれ比較して、中間領域R2の高さに違いがある。
[Seventh Embodiment]
FIG. 20 is a sectional view of the display device according to the seventh embodiment. FIG. 21 is another cross-sectional view of the display device according to the seventh embodiment. The structures shown in FIGS. 20 and 21 are different from the structures shown in FIGS. 18 and 19 (sixth embodiment) in the height of the intermediate region R2.

本実施形態では、中間領域R2は、全体的に、内側領域R1よりも高くなっている。中間領域R2には有機層764bが積層されている。それ以外の内容は、第1及び第6の実施形態で説明した内容が該当する。   In the present embodiment, the intermediate region R2 is generally higher than the inner region R1. The organic layer 764b is stacked in the intermediate region R2. The other contents correspond to the contents described in the first and sixth embodiments.

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, the configurations described in the embodiments can be replaced with substantially the same configurations, configurations having the same effects, or configurations capable of achieving the same object.

10 基板、12 バリア無機膜、12a シリコン酸化膜、12b シリコン窒化膜、12c シリコン酸化膜、14 機能膜、16 半導体層、18 ゲート絶縁膜、20 ゲート電極、22 層間絶縁膜、24 ソース・ドレイン電極、26 パッシベーション膜、28 平坦化有機膜、30 画素コンタクト部、32 酸化インジウムスズ膜、32a 第1透明導電膜、32b 第2透明導電膜、34 シリコン窒化膜、36 画素電極、38 絶縁有機膜、40 有機エレクトロルミネセンス層、42 対向電極、44 発光素子、46 表示回路層、48 封止層、50 有機膜、52 第1無機膜、54 第2無機膜、56 樹脂層、60 内側土手層、62 外側土手層、64a 有機層、64b 有機層、66a 導電層、66b 導電層、66c 導電層、66d 導電層、152 第1無機膜、154 第2無機膜、156 樹脂層、260 内側土手層、360 内側土手層、362 外側土手層、368 追加層、462 外側土手層、468 追加層、548 封止層、550 有機膜、552 第1無機膜、554 第2無機膜、556 樹脂層、560 内側土手層、562 外側土手層、564b 有機層、664b 有機層、666a 導電層、666b 導電層、666c 導電層、666d 導電層、764b 有機層、Cad 付加容量、CL1 第1保持容量線、CL2 第2保持容量線、CP 集積回路チップ、Cs 保持容量、DA 表示領域、DL 信号線、DSP ディスプレイ、FP フレキシブルプリント基板、GD 走査回路、GL 走査線、OD 発光素子、PWL 電源線、PX 画素、R1 内側領域、R2 中間領域、SD 信号駆動回路、SP スペーサ、TR 薄膜トランジスタ、TR2 薄膜トランジスタ、W1 第1配線層、W2 第2配線層。   10 substrate, 12 barrier inorganic film, 12a silicon oxide film, 12b silicon nitride film, 12c silicon oxide film, 14 functional film, 16 semiconductor layer, 18 gate insulating film, 20 gate electrode, 22 interlayer insulating film, 24 source / drain electrode , 26 passivation film, 28 flattening organic film, 30 pixel contact part, 32 indium tin oxide film, 32a first transparent conductive film, 32b second transparent conductive film, 34 silicon nitride film, 36 pixel electrode, 38 insulating organic film, 40 organic electroluminescence layer, 42 counter electrode, 44 light emitting element, 46 display circuit layer, 48 sealing layer, 50 organic film, 52 first inorganic film, 54 second inorganic film, 56 resin layer, 60 inner bank layer, 62 outer bank layer, 64a organic layer, 64b organic layer, 66a conductive layer, 66b conductive layer, 66c Conductive layer, 66d Conductive layer, 152 1st inorganic film, 154 2nd inorganic film, 156 resin layer, 260 inner bank layer, 360 inner bank layer, 362 outer bank layer, 368 additional layer, 462 outer bank layer, 468 additional layer 548 sealing layer, 550 organic film, 552 first inorganic film, 554 second inorganic film, 556 resin layer, 560 inner bank layer, 562 outer bank layer, 564b organic layer, 664b organic layer, 666a conductive layer, 666b conductive Layer, 666c conductive layer, 666d conductive layer, 764b organic layer, Cad additional capacitance, CL1 first holding capacitance line, CL2 second holding capacitance line, CP integrated circuit chip, Cs holding capacitance, DA display area, DL signal line, DSP Display, FP flexible printed circuit board, GD scanning circuit, GL scanning line, OD light emitting element, PWL power Source line, PX pixel, R1 inner region, R2 intermediate region, SD signal drive circuit, SP spacer, TR thin film transistor, TR2 thin film transistor, W1 first wiring layer, W2 second wiring layer.

Claims (9)

基板と、
発光によって画像を表示するために前記基板に積層された表示回路層と、
前記表示回路層を囲む内側土手層と、
前記内側土手層を囲む外側土手層と、
前記表示回路層を覆う封止層と、
前記封止層に積層する樹脂層と、
を有し、
前記封止層は、一対の無機膜と、前記一対の無機膜の間に介在する有機膜と、を含み、前記一対の無機膜は前記有機膜の周囲で相互に接触して前記有機膜を封止し、
前記有機膜は、前記内側土手層を超えない位置に周縁を有し、
前記一対の無機膜は、前記内側土手層に載って、前記外側土手層の上に周縁を有し、
前記樹脂層は、前記一対の無機膜が前記内側土手層の上に有する部分の全体を覆い、前記外側土手層の上方に非接触で周縁を有し、
前記外側土手層は、前記内側土手層と同等又はそれ以上の高さを有することを特徴とする表示装置。
Board,
A display circuit layer laminated on the substrate for displaying an image by light emission;
An inner bank layer surrounding the display circuit layer,
An outer bank layer surrounding the inner bank layer,
A sealing layer covering the display circuit layer,
A resin layer laminated on the sealing layer,
Have
The sealing layer includes a pair of inorganic films and an organic film interposed between the pair of inorganic films, and the pair of inorganic films contact each other around the organic film to form the organic film. Sealed,
The organic film has a peripheral edge at a position not exceeding the inner bank layer,
The pair of inorganic films are mounted on the inner bank layer and have a peripheral edge on the outer bank layer,
The resin layer covers the entire portion of the pair of inorganic films on the inner bank layer, and has a non-contact peripheral edge above the outer bank layer,
The display device, wherein the outer bank layer has a height equal to or higher than that of the inner bank layer.
請求項1に記載された表示装置において、
前記封止層が載る下地面は、前記内側土手層に内側で隣接する内側領域と、前記内側土手層と前記外側土手層の間にある中間領域と、を含み、
前記中間領域の少なくとも一部は、前記内側領域と同等又はそれ以上の高さにあることを特徴とする表示装置。
The display device according to claim 1,
The underlying surface on which the sealing layer rests includes an inner region adjacent to the inner bank layer on the inner side, and an intermediate region between the inner bank layer and the outer bank layer,
At least a part of the intermediate region has a height equal to or higher than that of the inner region.
基板と、
発光によって画像を表示するために前記基板に積層された表示回路層と、
前記表示回路層を囲む内側土手層と、
前記内側土手層を囲む外側土手層と、
前記表示回路層を覆う封止層と、
前記封止層に積層する樹脂層と、
を有し、
前記封止層は、一対の無機膜と、前記一対の無機膜の間に介在する有機膜と、を含み、前記一対の無機膜は前記有機膜の周囲で相互に接触して前記有機膜を封止し、
前記有機膜は、前記内側土手層を超えない位置に周縁を有し、
前記一対の無機膜は、前記内側土手層に載って、前記外側土手層の上に周縁を有し、
前記樹脂層は、前記一対の無機膜が前記内側土手層の上に有する部分の全体を覆い、前記外側土手層の上方に非接触で周縁を有し、
前記封止層が載る下地面は、前記内側土手層に内側で隣接する内側領域と、前記内側土手層と前記外側土手層の間にある中間領域と、を含み、
前記中間領域の少なくとも一部は、前記内側領域と同等又はそれ以上の高さにあることを特徴とする表示装置。
Board,
A display circuit layer laminated on the substrate for displaying an image by light emission;
An inner bank layer surrounding the display circuit layer,
An outer bank layer surrounding the inner bank layer,
A sealing layer covering the display circuit layer,
A resin layer laminated on the sealing layer,
Have
The sealing layer includes a pair of inorganic films and an organic film interposed between the pair of inorganic films, and the pair of inorganic films contact each other around the organic film to form the organic film. Sealed,
The organic film has a peripheral edge at a position not exceeding the inner bank layer,
The pair of inorganic films are mounted on the inner bank layer and have a peripheral edge on the outer bank layer,
The resin layer covers the entire portion of the pair of inorganic films on the inner bank layer, and has a non-contact peripheral edge above the outer bank layer,
The underlying surface on which the sealing layer rests includes an inner region adjacent to the inner bank layer on the inner side, and an intermediate region between the inner bank layer and the outer bank layer,
At least a part of the intermediate region has a height equal to or higher than that of the inner region.
請求項2又は3に記載された表示装置において、
前記中間領域は、高さの異なる部分を含むことを特徴とする表示装置。
The display device according to claim 2 or 3,
The display device, wherein the intermediate region includes portions having different heights.
請求項1から4のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記樹脂層の前記周縁は、前記一対の無機膜の前記周縁から突出していることを特徴とする表示装置。
The display device according to any one of claims 1 to 4,
The display device, wherein the peripheral edge of the resin layer projects from the peripheral edge of the pair of inorganic films.
請求項1から5のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記外側土手層の最上層は、前記内側土手層の最上層よりも高く、
前記外側土手層の最上層から二番目の層は、前記内側土手層の最上層よりも低いことを特徴とする表示装置。
The display device according to any one of claims 1 to 5,
The uppermost layer of the outer bank layer is higher than the uppermost layer of the inner bank layer,
The display device, wherein the second layer from the uppermost layer of the outer bank layer is lower than the uppermost layer of the inner bank layer.
発光によって画像を表示するための表示回路層と、前記表示回路層を囲む内側土手層と、前記内側土手層を囲む外側土手層と、を有する基板を用意する工程と、
前記表示回路層を覆って、前記内側土手層及び前記外側土手層に載り、前記外側土手層の外側に至るように、第1無機膜を形成する工程と、
前記表示回路層を覆って、前記第1無機膜の上に、前記内側土手層でせき止められるように液状有機材料を設けて、有機膜を形成する工程と、
前記表示回路層を覆って、前記有機膜に載り、前記内側土手層及び前記外側土手層を超えて前記外側土手層の外側で前記第1無機膜に接触して載るように、第2無機膜を形成する工程と、
前記表示回路層を覆って、前記第2無機膜の上に、前記外側土手層でせき止められるように液状樹脂を設けて、樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層をマスクとして、前記第1無機膜及び前記第2無機膜をエッチングする工程と、
を含み、
前記樹脂層は、前記エッチングする工程で削られても前記内側土手層の上方で前記第2無機膜を露出させない程度の厚みを有し、
前記樹脂層を形成する工程で、前記液状樹脂が前記内側土手層の上方で滞留する程度に、前記内側土手層と前記外側土手層との間での前記第2無機膜の高さ及び前記内側土手層の低さの少なく一方を満たすことを特徴とする表示装置の製造方法。
A step of preparing a substrate having a display circuit layer for displaying an image by light emission, an inner bank layer surrounding the display circuit layer, and an outer bank layer surrounding the inner bank layer;
Forming a first inorganic film on the inner bank layer and the outer bank layer so as to cover the display circuit layer and reach the outside of the outer bank layer;
Covering the display circuit layer, providing a liquid organic material on the first inorganic film so as to be dammed by the inner bank layer, and forming an organic film;
A second inorganic film so as to cover the display circuit layer and to be mounted on the organic film, and to be placed in contact with the first inorganic film outside the outer bank layer beyond the inner bank layer and the outer bank layer. A step of forming
Forming a resin layer by covering the display circuit layer and providing a liquid resin on the second inorganic film so as to be dammed by the outer bank layer;
Etching the first inorganic film and the second inorganic film using the resin layer as a mask;
Including,
The resin layer has a thickness that does not expose the second inorganic film above the inner bank layer even if the resin layer is scraped in the etching step,
In the step of forming the resin layer, the height of the second inorganic film between the inner bank layer and the outer bank layer and the inner side such that the liquid resin stays above the inner bank layer. A method of manufacturing a display device, characterized in that the bank layer has a low height and one of the heights is low.
請求項7に記載された表示装置の製造方法において、
前記内側土手層は、前記外側土手層を超えない高さを有するように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
The method for manufacturing a display device according to claim 7,
The method for manufacturing a display device, wherein the inner bank layer is formed to have a height not exceeding the outer bank layer.
請求項7又は8に記載された表示装置の製造方法において、
前記第1無機膜が載る下地面は、前記内側土手層に内側で隣接する内側領域と、前記内側土手層と前記外側土手層の間にある中間領域と、を含み、
前記中間領域の少なくとも一部は、前記内側領域と同等又はそれ以上の高さにあることを特徴とする表示装置の製造方法。
The method for manufacturing a display device according to claim 7,
The underlying surface on which the first inorganic film is placed includes an inner region adjacent to the inner bank layer on the inner side, and an intermediate region between the inner bank layer and the outer bank layer,
At least a part of the intermediate region has a height equal to or higher than that of the inner region.
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