JP2019212804A - 塗布膜形成装置及び塗布膜形成装置の調整方法 - Google Patents

Abstract

【課題】円形の基板の周縁部に沿って塗布液を供給して環状の塗布膜を形成するための装置の設定を行うにあたり、作業者の負担を軽減すること【解決手段】基板が搬入出される搬入出部と、塗布膜による被覆状態を制御するための処理パラメータに基づいて、当該基板の周縁部に沿って前記塗布液を供給して環状の前記塗布膜を形成する周縁塗布モジュールと、前記環状の塗布膜が形成された基板を撮像する撮像モジュールと、基板を搬送する搬送機構と、複数の前記基板に対して各々値が異なる前記処理パラメータに基づいて前記環状の塗布膜を形成した後に前記撮像モジュールによる撮像が行われるステップが行われるように制御信号を出力し、前記各基板の撮像結果に基づいて当該ステップの後に前記塗布モジュールで前記基板に前記環状の塗布膜を形成するための処理パラメータの値を決定する制御部と、を備えるように装置を構成する。【選択図】図１

Description

本開示は、塗布膜形成装置及び塗布膜形成装置の調整方法に関する。

半導体デバイスの製造工程においては、円形の基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）の周縁に沿ってレジストなどの塗布液を供給し、円環状の塗布膜を形成する場合が有る。特許文献１には、ウエハを保持するスピンチャックと、当該スピンチャックを回転させる回転機構と、静止した状態でレジストをウエハの周縁部に吐出するノズルと、を備えた円環状の塗布膜の形成装置について記載されている。特許文献２には、上記のスピンチャック、回転機構及びノズルに加えて、レジストの吐出中にノズルを水平移動させる移動機構を備えた円環状の塗布膜の形成装置について記載されている。

特開２００３−５９８２３号公報 特開２０１４−１１０３８６号公報

本開示は、円形の基板の周縁部に沿って塗布液を供給して環状の塗布膜を形成するための装置の調整を行うにあたり、作業者の負担を軽減することができる技術を提供する。

本開示の塗布膜形成装置は、塗布液が供給されることによって塗布膜が形成される円形の基板が搬入出される搬入出部と、
前記基板の周縁部の前記塗布膜による被覆状態を制御するための処理パラメータに基づいて、当該基板の周縁部に沿って前記塗布液を供給して環状の前記塗布膜を形成する周縁塗布モジュールと、
前記環状の塗布膜が形成された基板を撮像する撮像モジュールと、
前記搬入出部、前記塗布モジュール及び前記撮像モジュールの間で前記基板を搬送する搬送機構と、
装置の動作を調整するために前記塗布膜を形成する複数の調整用の前記基板に対して各々値が異なる前記処理パラメータに基づいて前記環状の塗布膜を形成した後に前記撮像モジュールによる撮像を行う第１のステップが行われるように制御信号を出力し、且つ前記各基板の撮像結果に基づいて、前記装置の動作の調整後に前記塗布モジュールで前記基板に前記環状の塗布膜を形成するための前記処理パラメータの値を決定する制御部と、
を備える。

本開示によれば、円形の基板の周縁部に沿って塗布液を供給して環状の塗布膜を形成するための装置の調整を行うにあたり、作業者の負担を軽減することができる。

本開示の一実施形態である塗布、現像装置の概略構成図である。 前記塗布、現像装置に設けられる周縁塗布モジュールを示す縦断側面図である。 前記周縁塗布モジュールの平面図である。 周縁塗布モジュールの作用を説明する工程図である。 周縁塗布モジュールの作用を説明する工程図である。 周縁塗布モジュールの作用を説明する工程図である。 周縁塗布モジュールの作用を説明する工程図である。 周縁塗布モジュールの作用を説明する工程図である。 前記塗布、現像装置に設けられる撮像モジュールの構成を示す斜視図である。 撮像モジュールの作用を模式的に示す構成図である。 撮像モジュールの作用を模式的に示す構成図である。 前記塗布、現像装置にて行われるパラメータ調整のフローを示すチャート図である。 レジスト膜の被覆性に関するパラメータの絞り込みの説明図である。 レジスト膜の被覆性に関するパラメータの絞り込みの説明図である。 レジスト膜の被覆性に関するパラメータの絞り込みの説明図である。 前記撮像モジュールにてされたレジスト膜を示す模式図である。 前記撮像モジュールにてされたレジスト膜を示す模式図である。 前記撮像モジュールにてされたレジスト膜を示す模式図である。 前記周縁塗布モジュールへの受け渡し位置の変更を示す説明図である。 前記受け渡し位置が変更されることで画像が変化する様子を示す説明図である。 レジスト膜の幅が変更される様子を示す説明図である。 レジスト膜の外周端の位置が調整される様子を示す説明図である。 ウエハの洗浄時間が調整される様子を示す説明図である。 ウエハのベベル部を示す部分縦断側面図である。 撮像結果を模式的に示す構成図である。 カット高さ及び回転数の関係を示す参考データと実データとを示す特性図である。 汚れ度合及び洗浄時間の関係を示す参考データと実データとを示す特性図である。 カット高さ及び洗浄時間を調整するためのフローを示すチャート図である。 カット高さを説明するためのウエハの周縁部の縦断側面図である。 カット高さを説明するためのウエハの周縁部の縦断側面図である。 カット高さを説明するためのウエハの周縁部の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられる制御部のブロック図である。 前記塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。

図１は、本開示の塗布膜形成装置の一実施形態である塗布、現像装置１の概略構成を示している。塗布、現像装置１は、複数枚のウエハＷを収納して搬送する搬送容器Ｃが搬入出される搬入出部をなす搬入出ブロックＢ１と、処理ブロックＢ２と、を備えている。処理ブロックＢ２には、ウエハＷに塗布液としてレジストを供給してレジスト膜を形成する周縁塗布モジュール２と、レジスト膜形成後のウエハＷを撮像する撮像モジュール３と、が設けられている。そして搬送機構１１により、搬送容器Ｃと、周縁塗布モジュール２と、撮像モジュール３との間でウエハの搬送が行われる。

上記の周縁塗布モジュール２は、円形の基板であるウエハＷの周縁部に沿ってレジストを供給し、円環状のレジスト膜を形成する。例えば、このレジスト膜は後段の処理でウエハＷに成膜を行うにあたり、ウエハＷの周縁部に不要な成膜が行われることを防ぐための保護膜をなす。塗布、現像装置１においては、半導体製品の製造用のウエハＷに対して環状のレジスト膜を形成する前に、このレジスト膜の形成が適正に行われるようにするための調整動作が行われる。この調整動作は、周縁塗布モジュール２にて処理されたウエハＷを撮像モジュール３にて撮像し、この撮像結果に基づいて、コンピュータによって構成される制御部１００が自動で実施する。このように調整動作に用いるウエハＷを調整用のウエハＷ、半導体製品を製造するためのウエハＷを製品用のウエハＷとして互いに区別して記載する場合が有る。

周縁塗布モジュール２について、図２の縦断側面図及び図３の上面図を参照しながら説明する。図中２１は基板保持部であるスピンチャックであり、ウエハＷの裏面中心部を吸着保持する。図中２２は回転機構であり、スピンチャック２１を回転させることでウエハＷを回転させる。スピンチャック２１に保持されたウエハＷの周囲には、ウエハＷからの各薬液の飛散を防止するカップ２０が設けられている。カップ２０には、図示しない排液口と、当該カップ２０内を排気する図示しない排気管とが設けられている。図中２４はスピンチャック２１の周囲に配置された垂直な３本の昇降ピンであり、昇降機構２４Ａにより垂直に昇降し、スピンチャック２１と図３に示す搬送機構１１との間でウエハＷを受け渡す。

周縁塗布モジュール２は、例えば垂直方向にレジストを吐出する塗布液供給ノズルであるレジスト供給ノズル２５を備えており、当該レジスト供給ノズル２５はレジスト供給機構２６に接続されている。レジスト供給機構２６はポンプやバルブなどを備えている。レジスト供給ノズル２５とレジスト供給機構２６とを接続する配管には、当該配管を流通するレジストの流量の検出値に対応する信号を制御部１００に送信する図示しない流量計が介設されている。制御部１００は、この流量の検出値に基づいてレジスト供給機構２６のポンプの動作のオフセットを設定することができる。つまり、制御部１００によってポンプの動作が制御され、レジスト供給ノズル２５からのレジストの吐出量が制御される。

図３中２５１は、その先端側においてレジスト供給ノズル２５を支持するアームであり、アーム２５１の基端側は移動機構２５２に接続されている。移動機構２５２により、アーム２５１を介してレジスト供給ノズル２５が水平方向に移動自在且つ昇降自在に構成されている。レジスト供給ノズル２５の水平移動により、回転するウエハＷにおけるレジストの供給位置（着地点）を、外縁から中心側に移動させることができる。つまり、当該供給位置がウエハＷの中心寄りの位置と、周端寄りの位置との間で変更される。

さらに周縁塗布モジュール２は、ウエハＷのべベル部における膜除去用のべベル洗浄ノズル２７と、裏面洗浄ノズル２８と、を備えている。ベベル洗浄ノズル２７、裏面洗浄ノズル２８は、スピンチャック２１に保持されたウエハＷの下方から斜め上方且つウエハＷの中心側から外側へと向かうように、レジスト膜の除去液、ウエハＷの裏面の洗浄液を夫々吐出する。ベベル洗浄ノズル２７から吐出される除去液のウエハＷにおける着地点は、当該ウエハＷの外縁から例えば０ｍｍ〜４．５ｍｍ内側である。裏面洗浄ノズル２８から吐出される洗浄液のウエハＷにおける着地点は、除去液の着地点よりも当該ウエハＷの中心寄りであり、ウエハＷの外縁から例えば７０ｍｍよりも内側である。ベベル洗浄ノズル２７及び裏面洗浄ノズル２８は、例えば２個ずつ設けられ、平面で見てスピンチャック２１を挟んで対向している。

上記の除去液及び洗浄液は、この例ではレジスト膜の溶剤である。つまり、裏面洗浄ノズル２８から吐出される薬液もレジスト膜の除去液である。ベベル洗浄ノズル２７は、バルブＶ１が介設された流路２７１を介して溶剤供給機構２９に接続されている。裏面洗浄ノズル２８は、バルブＶ２が介設された流路２７２を介して溶剤供給機構２９に接続されている。バルブＶ１の開閉によりベベル洗浄ノズル２７からの溶剤（除去液）の給断が、バルブＶ２の開閉により裏面洗浄ノズル２８からの溶剤（洗浄液）の給断が各々切り替えられる。

次に、図３に示す搬送機構１１について説明する。この搬送機構１１は、ウエハＷの側周を囲む搬送アーム１１１と、ウエハＷの裏面の周縁部を支持するように搬送アーム１１１に設けられた爪部１１２と、を備えている。搬送アーム１１１は図３に示すＸ方向、Ｙ方向に夫々移動自在に構成されている。これらＸ方向、Ｙ方向は各々水平な方向であり、互いに直交する。

ウエハＷをスピンチャック２１に受け渡す際には、ウエハＷを支持する搬送アーム１１１が、予め設定されたスピンチャック２１上のウエハＷを受け渡すための位置にて静止する。そして上昇した昇降ピン２３によるウエハＷの突き上げによる支持、スピンチャック２１上からの搬送アーム１１１の退避、昇降ピン２３の下降が順に行われて、ウエハＷがスピンチャック２１に載置される。図中の点Ｐ１は搬送アーム１１１に囲まれる領域内の点である。上記のウエハＷを受け渡すための位置を言い換えると、搬送アーム１１１が上記のようにスピンチャック２１にウエハＷを受け渡すために静止したときの点Ｐ１のＸ座標及びＹ座標である。後述のように調整動作においては、この受け渡し位置の調整が行われるが、この受け渡し位置の調整とは、当該点Ｐ１のＸ座標及びＹ座標を調整することである。

続いて、上記の周縁塗布モジュール２において実施される成膜処理について、図４〜図８を参照して説明する。先ず、既述した搬送機構１１と昇降ピン２３との協働により、ように搬送機構１１からスピンチャック２１にウエハＷが受け渡され、ウエハＷの裏面中心部が当該スピンチャック２１に保持される。その後、ウエハＷが所定の回転数（吐出時回転数とする）で回転すると共に、レジスト供給ノズル２５が、カップ２０の外側の図示しない待機領域からカップ２０内の所定の位置に移動する。この所定の位置を吐出開始位置とすると、当該吐出開始位置でレジストの吐出が開始され、吐出されたレジストはウエハＷの側方を通過する（図４）。その後、レジスト供給ノズル２５がウエハＷの中心部側に向けて水平方向に移動し、ウエハＷの周縁部にレジストが供給される。吐出開始位置から所定の距離（吐出時移動距離とする）を水平移動すると、レジスト供給ノズル２５が停止する（図５）。なお、吐出移動距離は、ユーザーが予め設定するレジスト膜Ｒの幅に対応したものとなる。

そして吐出の開始から所定の量のレジストが吐出されると、レジスト供給ノズル２５からのレジストの吐出が停止する。ウエハＷに供給されたレジストは遠心力によりウエハＷの外側へと向かって流れ、ウエハＷの周縁部がレジストに被覆される。ウエハＷの回転が続けられて、ウエハＷに供給されたレジストが乾燥し、ウエハＷの周縁部に沿った円環状のレジスト膜Ｒが成膜される（図６）。

レジスト膜Ｒの成膜後、以上に述べたレジストの塗布処理に続いて、洗浄処理が実行される。ウエハＷの回転数が予め設定された回転数（洗浄時回転数とする）に変更され、ベベル洗浄ノズル２７及び裏面洗浄ノズル２８から、例えば同時に除去液及び洗浄液が吐出される。ベベル洗浄ノズル２７から吐出された除去液（溶剤）は、ウエハＷの遠心力によりウエハＷの外方側に向かい、ベベル部Ｗ０を通ってウエハ表面側に回り込む。除去液が供給された領域ではレジスト膜Ｒが除去液により溶解し、当該レジスト膜の溶解物は遠心力によりウエハＷの外方に向けて飛散して除去される（図７）。つまり、レジスト膜Ｒの外縁部が除去される。

裏面洗浄ノズル２８から吐出された洗浄液（溶剤）により、ウエハＷの裏面側に付着した塗布液による汚れが除去されると共に、溶解したレジスト膜が裏面側に回り込んで付着することが抑制される。その後、除去液及び洗浄液の吐出が開始されてから所定の洗浄時間が経過すると、これら除去液及び洗浄液の吐出が停止する（図８）。そして、ウエハＷの回転が続けられ、除去液及び洗浄液が振り切られてウエハＷが乾燥し、周縁塗布モジュール２における処理が終了する。

続いて、撮像モジュール３について図９〜図１１を参照して説明する。図９は撮像モジュール３の主要部の構成を示す概略斜視図であり、図９及び図１０は、撮像モジュール３の作用を説明するための主要部を示す模式図である。撮像モジュール３は、ウエハＷの表面の周縁領域、外端面及び裏面を撮像するものであり、ウエハＷを水平に保持すると共に、回転機構３１１により鉛直軸まわりに回転自在に設けられた保持台３１を備えている（図１０参照）。回転機構３１１は、例えば保持台３１の回転位置を検出するためのエンコーダを備えており、後述する周縁撮像部４と、裏面撮像部５によるウエハＷの各面の撮像位置と、回転位置との対応付けを行うことができるように構成されている。

周縁撮像部４は、ウエハ表面の周縁領域Ｗａ及びウエハＷの外端面Ｗｂを同時に撮像するものである。なお、外端面Ｗｂは、傾斜面であるべベル部Ｗ０を含む。周縁撮像部４は、図９及び図１０に示すようにカメラ４１と、照明部４２と、ミラー部材４３と、を備え、カメラ４１と、照明部４２とは横方向に離れて配置されている。カメラ４１は、レンズ４１１と、例えばＣＣＤイメージセンサよりなる撮像素子４１２と、を備えている。照明部４２は、保持台３１に保持されたウエハＷの上方に配置された光源４２１と、ハーフミラー４２２と、焦点調節レンズ４２３と、を備えている。ハーフミラー４２２は例えば矩形状に構成され、水平面に対して略４５度傾いて配置されている。焦点調節レンズ４２３は、レンズ４１１との合成焦点距離を変化させる機能を備える。

周縁撮像部４はミラー部材４３を備えている。このミラー部材４３は、ハーフミラー４２２の下方に配置され、保持台３１に保持されたウエハＷの外端面ｗｂとウエハ裏面の周縁領域とに対向する。ミラー部材４３におけるウエハＷの外端面ｗｂ等と対向する部位は、保持台３１に保持されたウエハＷの外端面Ｗｂから離れる側に向けて窪んだ湾曲面として構成され、当該湾曲面は例えば鏡面加工が施された反射面４３１として構成されている。

照明部４２においては、光源４２１から出射された光は、ハーフミラー４２２を通過して下方に向けて照射され、このハーフミラー４２２を通過した拡散光は、ミラー部材４３の反射面４３１で反射する。拡散光が反射面４３１で反射した反射光は、主としてウエハＷの外端面Ｗｂとウエハ表面の周縁領域Ｗａとに照射される。ウエハ表面の周縁領域Ｗａから反射した反射光は、図１０中一点鎖線にて示すようにハーフミラー４２２で再び反射し、焦点調節レンズ４２３は通過せずに、カメラ４１のレンズ４１１を通過して、撮像素子４１２に入射する。一方、ウエハＷの外端面Ｗｂから反射した反射光は図１０中点線にて示すように、ミラー部材４３の反射面４３１とハーフミラー４２２とで順次反射して、焦点調節レンズ４２３とレンズ４１１とを順次通過し、撮像素子４１２に入射する。

このようにカメラ４１の撮像素子４１２には、ウエハ表面の周縁領域Ｗａからの光と、ウエハＷの外端面Ｗｂからの光との双方が入力されるので、カメラ４１は、ウエハ表面の周縁領域ＷａとウエハＷの外端面Ｗｂとの双方を撮像できる。カメラ４１によって撮像された画像データは、制御部１００に送信される。

裏面撮像部５は、図９及び図１１に示すように、レンズ５１１と、例えばＣＣＤイメージセンサよりなる撮像素子５１２と、を備えた撮像手段をなすカメラ５１と、照明部５２と、を備え、カメラ５１と照明部５２とは、互に対向するように設けられている。照明部５２は保持台３１に保持されたウエハＷの下方に配置され、光源５２１とハーフミラー５２２と、を備えている。ハーフミラー５２２は例えば矩形状に構成され、水平面に対して略４５度傾いた状態で配置されている。ハーフミラー５２２の下方に位置する光源５２１から出射された光は、ハーフミラー５２２を全体的に通過して上方に向けて照射される。そのようにハーフミラー５２２を通過した光は、ウエハＷの裏面にて反射した後、ハーフミラー５２２で再び反射して、カメラ５１のレンズ５１１を通過し、撮像素子５１２に入射する。こうして撮像されたウエハＷの裏面の画像データは、制御部１００に送信される。

この撮像モジュール３では制御部１００から出力される制御信号に基づいて、ウエハＷが載置された保持台３１が回転機構３１１によって１回転する。この回転中に周縁撮像部４及び裏面撮像部５において、夫々光源４２１、５２１をＯＮにさせつつ、カメラ４１、５１による撮像が行われる。こうしてウエハＷの全周に亘って、ウエハ表面の周縁領域Ｗａと、ウエハＷの外端面Ｗｂと、ウエハＷの裏面Ｗｃと、が撮像されて、画像データが制御部１００に送信される。

続いて、塗布、現像装置１において行われる調整動作について説明する。図１２はこの調整動作の進行を示すフローチャートであり、塗布、現像装置１のユーザーの開始の指示後、制御部１００によって自動で実施される。以下、このフローの概要を説明する。当該フローを構成する各ステップでは、搬送容器Ｃから調整用のウエハＷが周縁塗布モジュール２に搬送され、この調整用のウエハＷに図４〜図６で説明した塗布処理と、図７及び図８で説明した洗浄処理と、からなる成膜処理が行われる。そして、レジスト膜が形成された調整用のウエハＷを撮像モジュール３にて撮像し、取得された画像データに基づいて適否の判定が行われる。撮像された調整用のウエハＷは、搬送容器Ｃに戻される。

この図１２のフローにおいては、先ずウエハＷの全周に亘って当該ウエハＷの周縁部がレジスト膜Ｒに被覆されるようにするための処理パラメータを決定する第１のステップであるステップＳ１が行われる。この処理パラメータは、ウエハＷの周縁部のレジスト膜Ｒによる被覆状態を制御するためのパラメータであり、具体的には、図４〜図６で説明した塗布処理で用いる吐出時回転数及びレジスト吐出量である。このステップＳ１では上記の塗布処理が行われるにあたり、複数のレジスト吐出時回転数の候補値及び複数のレジスト吐出量の候補値から、ウエハＷの周縁部がレジストによって適正に被覆されるようにするためのパラメータの組み合わせを決定する。具体的に、複数のウエハＷに吐出時回転数及びレジスト吐出量の組み合わせが異なるように成膜処理を各々行い、成膜処理後の各ウエハＷの撮像結果に基づいて、上記の組み合わせについて適正なものを決定する。そして、このステップＳ１より後のステップは、当該ステップＳ１で決定された吐出時回転数及びレジスト吐出量の組み合わせを用いて塗布処理が行われる。

ステップＳ１の次に、図３で周縁塗布モジュール２及び搬送機構１１と共に説明した、周縁塗布モジュール２に対してウエハＷの受け渡しを行うときの搬送機構１１の位置データである、ウエハＷの受け渡し位置を調整するステップＳ２が行われる。第２のステップであるこのステップＳ２より後のステップでは、調整された受け渡し位置で、ウエハＷの受け渡しが行われる。続いて、図５で説明したレジスト供給ノズル２５の吐出時移動距離、即ちレジスト膜Ｒの幅について調整する第３のステップであるステップＳ３が行われる。このステップＳ３より後のステップは、調整された吐出時移動距離で処理される。その後、図７で説明した洗浄時回転数の調整及び洗浄時間について調整される第４のステップであるステップＳ４が行われる。後述するようにこの洗浄時回転数を調整することは、レジスト膜Ｒの外周端の位置を調整することでもある。そして、図１２のフローの終了後は、搬送容器Ｃから製品用のウエハＷが、調整用のウエハＷと同様に周縁塗布モジュール２に搬送されて処理が行われる。この製品用のウエハＷの搬送及び処理は、各ステップＳ１〜Ｓ４で決定された各パラメータを用いて行われる。

なお、フローの開始前には受け渡し位置、洗浄時回転数及び洗浄時間については、例えば調整を行う周縁塗布モジュール２と同様の処理を行うモジュールの調整結果を基にして各々初期値が設定される。そして、各ステップにおける調整が行われる前には、この初期値に基づいて処理が行われる。また、レジスト膜Ｒの幅については、フローの開始前にユーザーによって所望の幅に設定され、設定された幅に応じて吐出移動距離の初期値が設定される。そして、後述のようにステップＳ１で決定されるパラメータについては、候補値が予め設定されている。つまり、各ステップＳ１〜Ｓ４で各パラメータの調整を行う前でも、図４〜図８で説明した成膜処理が行えるようになっている。

以下、各ステップについて詳しく説明する。先ずステップＳ１と、このステップＳ１が行われる前にユーザーが行う動作とについて、図１３を参照しながら説明する。上記のようにステップＳ１は、吐出時回転数及びレジスト吐出量を決定するステップであり、これらのパラメータについて、予め設定された候補となる範囲から決定される。具体的にこの例では、吐出時回転数については１００ｒｐｍ〜５００ｒｐｍが候補となる範囲、吐出量については０．３ｇ〜１．１ｇが候補となる範囲として、制御部１００に夫々記憶されている。

ステップＳ１では、これらの候補となる範囲内における各候補値にパラメータが設定されることで、調整用のウエハＷに成膜処理が行われる。例えば吐出時回転数の候補値は、上記の候補となる範囲内での所定の刻み、例えば１００ｒｐｍ刻みの値である。つまり、この例では１００ｒｐｍ、２００ｒｐｍ、３００ｒｐｍ、４００ｒｐｍ、５００ｒｐｍが吐出時回転数の候補値である。例えばレジスト吐出量の候補値は、上記の候補となる範囲内での所定の刻み、例えば０．２ｇ刻みの値である。つまり、この例では０．３ｇ、０．５ｇ、０．７ｇ、０．９ｇ、１．１ｇがレジスト吐出量の候補値である。

従って、上記の吐出時回転数の候補値及びレジスト吐出量の候補値の組み合わせで、調整用のウエハＷに成膜処理が行われるように予め設定されていることになる。ただし、この組み合わせについてはステップＳ１の開始前に絞り込みが行われ、ステップＳ１の成膜処理では絞り込まれた組み合わせのみが用いられる。この絞り込みは、使用するレジストの粘度及び１回の処理で成膜使用するレジスト吐出量の範囲である目標吐出量を入力することで、自動で行われる。

図１３は、その絞り込みの様子を示したものである。図中の表は上記のレジスト吐出量の候補値を横方向に、上記の吐出時回転数の候補値を縦方向に各々大きさの順に並べたものであり、表中の各マスがレジスト吐出量及び吐出時回転数の組み合わせを表している。そして、このステップＳ１で用いられるように設定されている組み合わせのマスには模様を付さないものとする。図１３の上段の表は、レジストの粘度及び目標吐出量の入力による絞り込み前の状態を示しており、図１３の下段の２つの表は絞り込み後の状態を示している。

図１３の下段の左側の表は、レジストの粘度として所定の基準値以下となる比較的低い粘度が入力され、且つ目標吐出量が１ｇ未満として入力された場合の絞り込みの様子を示している。また図１３の下段の右側の表は、レジストの粘度として所定の基準値より高い値である比較的高い粘度が入力され、且つ目標吐出量が１．１ｇより大きい値以下として入力された場合の絞り込みの様子を示している。これら下段の各表においては、目標吐出量の入力によってステップＳ１で使用される候補値の組み合わせから除外されたマスにドットを、粘度の入力によってステップＳ１で使用される候補値の組み合わせから除外されたマスにハッチングを、夫々付して示している。上記の値の目標吐出量が入力されたことで、左側の表では吐出量が１．１ｇである候補値の組み合わせが除外されている。右側の表では、レジスト吐出量の各候補値は入力された目標吐出量の上限以下であるため、この目標吐出量による組み合わせの除外が行われていない。

ところでレジスト吐出量が比較的大きい場合は、レジストによるウエハＷの周縁部の被覆性に対する吐出時回転数の影響は小さい。しかしレジスト吐出量が小さくなるにつれ、適正な被覆性を得るための吐出時回転数の範囲は小さくなる。そして、レジストの粘度が比較的低い場合は、ウエハＷに供給されたレジストの流動性は高く、当該レジストがウエハＷに対して高い被覆性を持っている。
ただし、吐出時回転数が高過ぎると、遠心力によってウエハＷから飛散するレジストの量が多くなるため、レジスト吐出量が少な過ぎる場合にはウエハＷの周縁部が十分にレジストによって被覆されなくなってしまう。そのため粘度が比較的低い場合には、吐出時回転数が比較的高く且つレジスト吐出量が比較的少ない組み合わせのみが、ステップＳ１で使用される候補値の組み合わせから除外されるようにしている。具体的に図１３の例では、吐出量が０．３ｇで吐出時回転数が３００ｒｐｍ、４００ｒｐｍ及び５００ｒｐｍ、吐出量が０．５ｇで吐出時回転数が４００ｒｐｍ及び５００ｒｐｍ、吐出量が０．７ｇで吐出時回転数が５００ｒｐｍの組み合わせのみが除外される。

粘度が比較的高い場合はウエハＷに供給されたレジストの流動性は低く、当該レジストによるウエハＷに対する被覆性が低い。従って、吐出時回転数及びレジスト吐出量のうちの一方が少なすぎる場合には、適正なレジスト膜Ｒを形成することができないと考えられる。そのために図１３に示す例では、吐出時回転数が１００ｒｐｍである候補値の組み合わせと、吐出量が０．３ｇとなる候補値の組み合わせとが、使用する候補値の組み合わせから除外されるようにしている。また、粘度が比較的高いレジスト、粘度が比較的低いレジストを同量ずつウエハＷに供給して成膜するとした場合、レジストの流動性に起因して、粘度が比較的高いレジストは、粘度が比較的低いレジストに比べて成膜可能な吐出時回転数の範囲が狭い。より具体的には粘度が比較的高いレジストの方が、成膜可能な最低の吐出時回転数が高い。そこでこの例では吐出量が０．５ｇで吐出時回転数が３００ｒｐｍ、４００ｒｐｍ及び５００ｒｐｍ、吐出量が０．７ｇで吐出時回転数が４００ｒｐｍ及び５００ｒｐｍ、吐出量が０．７ｇで吐出時回転数が５００ｒｐｍの各組み合わせが除外されるようにしている。

このように使用されるパラメータの組み合わせが絞り込まれた後、ステップＳ１が開始される。既述したように搬送容器ＣからウエハＷが順次周縁塗布モジュール２に搬送され、絞り込まれた吐出時回転数及びレジスト吐出量の各候補値の組み合わせで、図４〜図８で説明したように調整用のウエハＷに成膜処理が行われる。そして成膜処理された各ウエハＷは、撮像モジュール３に搬送されてカメラ４１、５１で撮像が行われ、制御部１００により各ウエハＷの画像データが取得される。そして、得られた画像データのうち、ウエハＷ表面の周縁領域Ｗａが含まれるカメラ４１からの画像データに基づいて、処理の正常または異常の判定が行われる。

図１４の表は、図１３の左側で示したように粘度が比較的低いレジストが塗布されるものとして絞り込みが行われた後に、処理が行われて得られた判定結果の例を示している。図１５の表は、図１３の右側で示したように粘度が比較的高いレジストが塗布されるものとして絞り込みが行われた後に、処理が行われて得られた判定結果の例を示している。これらの図１４、１５の表は、図１３の表と同様に吐出時回転数及び吐出量の組み合わせを表しており、表の各マスの中に判定結果を○△×を付して示している。○は正常、△は異常であるがその度合が低いこと、×は異常の度合が高い異常を夫々示している。そして○、△、×と判定された画像の一例を、図１６Ａ、図１６Ｂ、図１６Ｃとして夫々示している。図１６Ａ〜図１６Ｃではレジスト膜Ｒにドットを付して示しており、ウエハＷの外側は黒く塗りつぶして示している。なお、上記のように撮像モジュール３によってウエハＷの全周が撮像されるが、図示の便宜上、図１６Ａ〜図１６Ｃでは取得された画像からウエハＷの周の一部のみの画像を切り取って例示している。

ウエハＷの周縁部全体がレジスト膜Ｒに被覆されており、且つレジスト膜Ｒの周に沿って見たときに当該レジスト膜Ｒの内周縁の位置の変移が抑えられている、即ちレジスト膜Ｒの内周縁がギザギザの形状となっていないものを正常とする。ギザギザの形状が検出されるか、ウエハＷの周縁部においてレジスト膜Ｒが形成されていない箇所が有る場合には判定が異常とされる。なお制御部１００は、例えば画像中の色に基づいてウエハＷにおけるレジスト膜Ｒに被覆された箇所と、被覆されていない箇所とを互いに識別できるように構成される。

このように正常か否かの判定後、正常と判定された（○と判定された）組み合わせの中から適正な組み合わせが決定される。この決定には、例えば予め設定された推奨の吐出時回転数の範囲が用いられる。この推奨の吐出時回転数の範囲内の吐出時回転数を含む組み合わせで、正常とされた組み合わせのうち、レジスト吐出量について見たときに異常とされた組み合わせに最も近いレジスト吐出量を持つ組み合わせについては、適正な組み合わせの候補から除外される。そして、除外されなかった組み合わせのうち、例えばレジスト吐出量がより少ないものが、適正な組み合わせとして決定される。

上記の推奨の吐出時回転数の範囲が２００ｒｐｍ〜３００ｒｐｍであり、図１４の表に示すように各判定が行われた場合の適正な組み合わせの決定手順について、具体的に説明する。図１４の表においては吐出時回転数が２００ｒｐｍの場合、レジスト吐出量が０．３ｇ及び０．５ｇのときは×、０．７ｇ及び０．９ｇのときは○である。つまり、レジスト吐出量が０．７ｇのとき○であるが、この０．７ｇに最も近いレジスト吐出量である０．５ｇのとき×である。従って、吐出時回転数２００ｒｐｍ、レジスト吐出量０．７ｇの組み合わせは、適正な組み合わせの候補から除外される。また、吐出時回転数が３００ｒｐｍの場合、レジスト吐出量が０．５ｇのとき×、０．７ｇ及び０．９ｇのとき○である。つまり、レジスト吐出量が０．７ｇのとき○であるが、この０．７ｇに最も近いレジスト吐出量であるレジスト吐出量０．５ｇ、吐出時回転数３００ｒｐｍの組み合わせが×である。従って、吐出時回転数３００ｒｐｍ、レジスト吐出量０．７ｇの組み合わせは、適正な組み合わせの候補から除外される。このように除外された結果、候補として残るのは、吐出時回転数が２００ｒｐｍ、レジスト吐出量が０．９ｇの組み合わせ、及び吐出時回転数が３００ｒｐｍ、レジスト吐出量が０．９ｇの組み合わせである。上記のようにレジスト吐出量がより少ない方が適正な組み合わせとして決定されるが、これらの組み合わせは、レジスト吐出量が０．９ｇと同じため、これらの組み合わせが共に適正な組み合わせとして決定される。

図１５に示すように判定が行われた場合の決定手順についても説明しておく。回転数が２００ｒｐｍの場合、レジスト吐出量が０．５ｇのとき△、０．７ｇ、０．９ｇ及び１．１ｇのとき○である。このようにレジスト吐出量０．７ｇ、吐出時回転数２００ｒｐｍの組み合わせは○であるが、この０．７ｇに最も近いレジスト吐出量である０．５ｇ、吐出時回転数２００ｒｐｍの組み合わせが△とされているため、適正な組み合わせの候補から除外される。また、吐出時回転数が３００ｒｐｍの場合、レジスト吐出量が０．５ｇ、０．７ｇ及び０．９ｇのとき△、１．１ｇのとき○である。つまり、レジスト吐出量が１．１ｇのとき○であるが、この１．１ｇに最も近いレジスト吐出量であるレジスト吐出量０．９ｇ、吐出時回転数３００ｒｐｍの組み合わせが△である。従って、吐出時回転数が３００ｒｐｍ、レジスト吐出量が１．１ｇの組み合わせは、適正な組み合わせから除外される。このように除外された結果、候補として残るのは、吐出時回転数が２００ｒｐｍでレジスト吐出量が０．９ｇの組み合わせ、及び吐出時回転数が２００ｒｐｍでレジスト吐出量が１．１ｇの組み合わせである。このように残った組み合わせのうち、レジスト吐出量がより小さい、吐出時回転数が２００ｒｐｍでレジスト吐出量が０．９ｇの組み合わせが適正な組み合わせとして決定される。図１４、図１５の表中においては、以上のように決定された適正な組み合わせを表すマスを点線で囲って示している。

推奨の吐出時回転数の範囲において適正な組み合わせを決定できない場合は、例えばこの推奨の吐出時回転数の範囲外から上記のルールに従って適正な組み合わせを決定する。つまり、吐出時回転数が１００ｒｐｍ、４００ｒｐｍ、５００ｒｐｍである組み合わせの中から、吐出時回転数が２００ｒｐｍ、３００ｒｐｍから適正な組み合わせを決定するときと同じルールで適正な組み合わせを決定する。推奨の吐出時回転数の範囲外からも適正な組み合わせを決定できない場合には、例えば自動調整のフローが中止されると共にアラームが出力される。

続いて、ウエハＷの受け渡し位置を調整するステップＳ２について、その調整の概要を示す図１７、図１８を用いて説明する。図１７の上段側、下段側は受け渡し位置の調整前、調整後にレジスト膜Ｒが形成された調整用のウエハＷの各表面を示す。図１８の上段側、下段側は受け渡し位置の調整前、調整後に撮像モジュール３のカメラ４１から夫々取得される調整用のウエハＷの画像の概略である。この図１８の矩形の画像における横方向の各位置は、ウエハＷの周方向における各位置に対応し、０°〜３６０°の角度で示している。また、図１８の画像の縦方向の各位置はウエハＷの周端から中心側に向かう各位置に対応し、上側がウエハＷの中心側である。従って、画像中のレジスト膜Ｒの上端、下端のうちの上端が、当該レジスト膜Ｒの内周端を表す。なお、図１６Ａ〜図１６Ｃに示したように、取得される画像にはウエハＷの外側領域も含まれるが、図１８ではこの外側領域の表示を省略している。この図１７、図１８に示すように、このステップＳ２では受け渡し位置を調整することで、ウエハＷの全周においてレジスト膜Ｒの幅Ｌ１を均一化する。

以下、具体的にステップＳ２の動作について、順を追って説明する。上記のようにステップＳ２においても、調整用のウエハＷに対する周縁塗布モジュール２におけるレジスト膜Ｒの形成と、撮像モジュール３における当該調整用のウエハＷの撮像とが行われる。そして撮像モジュール３から取得される画像より、ウエハＷの周に沿って互いに等間隔を空けた複数箇所、例えば３６０箇所の幅Ｌ１が検出される。各幅Ｌ１より、レジスト膜Ｒの内周縁の中心Ｐ２とウエハＷの中心Ｐ３との偏心量Ｌ２が算出され、この偏心量Ｌ２が例えばフローの開始前に予め設定された目標偏心量よりも小さいか否かが判定される。

偏心量Ｌ２が目標偏心量より小さいと判定された場合には、ステップＳ２が終了する。偏心量Ｌ２が目標偏心量以上と判定された場合には、受け渡し位置について、この偏心量に対応するようにＸ方向、Ｙ方向の位置が夫々補正される。具体的に図１７に示すように、レジスト膜Ｒの中心Ｐ２とウエハＷの中心Ｐ３とが一致するように、スピンチャック２１にウエハＷを受け渡す際における、図３で示した点Ｐ１のＸ座標、Ｙ座標が調整される。なお、このＸ方向、Ｙ方向の調整量を制御部１００が把握できるように、例えば搬送容器Ｃに所定の向きでウエハＷを格納しておくことで、受け渡し位置におけるウエハＷのノッチＮの向きは、予め決まった方向となるようにしておく。そして、制御部１００は画像よりノッチＮの検出を行うことができるので、上記の偏心量Ｌ２が検出されることで、Ｘ座標、Ｙ座標についての各調整量を把握することができる。

上記の受け渡し位置の調整後は、後続の周縁塗布モジュール２に搬送される調整用のウエハＷについて、調整された受け渡し位置でスピンチャック２１への受け渡しが行われる。そしてレジスト膜Ｒが形成された後、当該調整用のウエハＷは撮像モジュール３に搬送されて画像データが取得される。以降は、上記の画像データからの偏心量Ｌ２の取得、偏心量Ｌ２が目標偏心量より小さいか否かの判定が順に行われ、この判定結果によって再度の受け渡し位置の調整が行われるか、あるいはステップＳ２が終了する。

続いて、ステップＳ３について説明する。図１９はこのステップＳ３で行われる調整の概要を示しており、図１９の上段側、下段側は調整前、調整後に夫々レジスト膜Ｒが形成された調整用のウエハＷの縦断側面を示す。上記のようにステップＳ３においても、調整用のウエハＷに対する周縁塗布モジュール２におけるレジスト膜Ｒの形成と、撮像モジュール３における撮像とが行われる。そしてカメラ４１から取得された画像から、例えばステップＳ２と同様に３６０箇所のレジスト膜Ｒの幅Ｌ１が検出され、例えばこの幅Ｌ１の平均値が算出される。さらに、この幅Ｌ１の平均値が、幅Ｌ１の設定値に対応して決められる許容範囲に含まれるか否か判定される。許容範囲に含まれると判定された場合、ステップＳ３が終了する。許容範囲に含まれないと判定された場合、幅Ｌ１が設定値となるように吐出移動距離の変更が行われる。例えば幅Ｌ１の設定値が２．０ｍｍで、検出された幅Ｌ１の平均値が２．３ｍｍとすると、これらの値の差分である０．３ｍｍが補償されるように、レジスト供給ノズル２５の吐出移動距離が０．３ｍｍ短くなるように調整される。即ち、レシピ上でレジスト膜Ｒの幅Ｌ１＝２．０ｍｍとされる設定が、レジスト膜Ｒの幅Ｌ１＝１．７ｍｍとなるように変更される。

図１９はこのようにレジスト膜Ｒの幅Ｌ１が２．３ｍｍから２．０ｍｍとなるように調整が行われる様子を示したものである。なお、上記のように洗浄処理によってウエハＷの外縁部のレジスト膜Ｒは除去されるので、このレジスト膜Ｒの幅Ｌ１は塗布処理後、洗浄処理前のレジスト膜Ｒの幅である。また、言い換えればこのステップＳ３におけるレジスト膜Ｒの幅Ｌ１の調整は、レジスト膜Ｒの内周端の位置の調整である。

吐出移動距離の調整後は、後続の周縁塗布モジュール２に搬送される調整用のウエハＷについて、調整された吐出移動距離で処理が行われ、処理済みの当該調整用のウエハＷは撮像モジュール３に搬送される。以降は上記の画像データからの幅Ｌ１の平均値の取得、当該平均値が許容範囲に含まれるか否の判定が順に行われ、この判定結果によって再度の受け渡し位置の調整が行われるか、あるいはステップＳ３が終了する。

続いてステップＳ４について説明する。このステップＳ４は、上記のように洗浄時回転数及び洗浄時間の調整を行うステップである。図２０は洗浄時回転数の調整の概要、図２１は洗浄時間の調整の概要を夫々示している。図２０、図２１の上段側、下段側は夫々このようなパラメータの調整前、調整後における処理後のウエハＷの縦断側面を示す。図７に示すベベル洗浄ノズル２７からの除去液の吐出時における洗浄時回転数が大きい程、除去液がウエハ表面側に回り込みにくくなる。除去液が表面側に回り込み過ぎると、所望の領域よりも内側までレジスト膜Ｒが除去されてしまい、除去液の回り込み量が少な過ぎると、べベル部Ｗ０にレジスト膜Ｒが残存してしまう。このステップＳ４においては、洗浄時回転数を調整することで、レジスト膜Ｒの外縁の位置を調整する。

また図２１中のＲ２は、上記の撮像モジュール３によって撮像されるウエハＷ表面の周縁領域Ｗａ、外端面Ｗｂ及び裏面Ｗｃからなる撮像領域である。洗浄ノズルであるベベル洗浄ノズル２７及び裏面洗浄ノズル２８からの溶剤の吐出時間である洗浄時間が長い程、ウエハＷの周端部をなす撮像領域Ｒ２における汚れ度合（欠陥数）が少なくなる。なお図２１の上段のＲ３は、洗浄後にウエハＷに残ったレジスト膜の残渣である。

上記の洗浄時回転数の調整について、図２２を参照してさらに詳しく説明する。この洗浄時回転数の調整は、図２２に示すカット高さＨを求めることにより行う。このカット高さＨとは、具体的にはウエハＷのべベル部Ｗ０の内縁に対するレジスト膜の外縁の高さ寸法である。ウエハＷの外縁（ベベル部Ｗ０の外縁）とレジスト膜の外縁との横方向の距離をカット幅Ｗ４とすると、洗浄時回転数が大きい程、除去液がウエハ表面側に回り込みにくくなるため、ウエハＷの端部のレジスト膜のカット幅Ｗ４が小さくなり、カット高さＨが大きくなる。このように、カット高さＨとカット幅Ｗ４には相関関係がある。

撮像結果からカット高さＨを求める手法の一例について、図２２及び図２３を例にして説明する。図２２は、ウエハＷのべベル部Ｗ０の縦断側面図、図２３は撮像モジュール３にて撮像された、ウエハ表面の周縁領域Ｗａの画像データを模式的に示すものである。図２２中、Ｈ１はベベル部Ｗ０の内縁の高さ位置、Ｈ２はべベル部Ｗ０の外縁の高さ位置である。また、Ｈ３はレジスト膜Ｒの外縁の高さ位置（レジスト膜Ｒが形成された領域とべベル部Ｗ０との境界の高さ位置）である。

図２３では、例えば領域Ｒ３は塗布膜が形成された領域、領域Ｒ４は塗布膜が形成されていない領域（ウエハの表面）、領域Ｒ５はウエハのノッチ部など検査対象が存在しない領域を夫々示し、これら領域Ｒ３〜Ｒ５は互にコントラストが異なる領域として示している。図２２及び図２３中、Ｗ１はべベル部とウエハ表面との境界位置、Ｗ２はカット位置、Ｗ３はウエハ外端位置である。コントラストの違いにより、画像データから前記位置Ｗ１、Ｗ２が検出される。カット高さＨは、既述のように、べベル部Ｗ０の内縁に対するレジスト膜Ｒの外縁の高さ寸法であり、（Ｗ１−Ｗ２）の絶対値と相関があるため、この（Ｗ１−Ｗ２）より算出される。なお、このカット高さＨとは、厳密には例えばウエハＷの周方向の複数の各箇所から取得されたベベル部Ｗ０の内縁に対するレジスト膜Ｒの外縁に対する高さ寸法の平均値であるが、便宜上、単にカット高さＨとして記載する。

上記の洗浄時回転数を調整するにあたり、例えば図２４に示すカット高さと洗浄時回転数との対応関係を示す参考データＪ１が用いられる。また、洗浄時間を調整するにあたり、例えば図２５に示すウエハ裏面の塗布液による汚れ度合及び裏面の洗浄時間の関係を示す参考データＪ２が用いられる。これら参考データＪ１、Ｊ２は、例えば周縁塗布モジュール２と同様の処理を行う、各パラメータが調整済みのモジュールによって処理を行った結果、取得されるデータである。

以下、このステップＳ４のフローである図２６、及びカットされたレジスト膜Ｒの縦断側面を示す図２７Ａ〜図２７Ｃも参照しながら、当該ステップＳ４の各工程を説明する。搬送容器Ｃから調整用のウエハＷが周縁塗布モジュール２に搬送され、レジスト膜Ｒが形成される。続いてこの調整用のウエハＷは、撮像モジュール３に搬送されて撮像され、画像データが取得される（ステップＴ１）。画像データに基づいてカット高さＨ及び汚れ度合が夫々求められ（ステップＴ２）、カット高さＨが許容値であるか否かが判定される（ステップＴ３）。この許容値は、例えば目標値とするカット高さＨに対して許容誤差を１０％とする範囲内の値である。また、ここではカット高さの目標値は、１２０μｍであるものとする。

ステップＴ３でカット高さＨが許容値ではないと判定されると、参考データＪ１に基づいて洗浄時回転数が調整される（ステップＴ４）。例えば洗浄時回転数が８００ｒｐｍで処理され、画像データから得られたカット高さＨが、図２７Ａに示すように目標値より低い６０μｍであるとする。その場合、カット高さＨを上昇させるために洗浄時回転数が上昇するように調整される。図２４のグラフで示すように参考データＪ１が設定されている場合は、洗浄時回転数はカット高さ１２０μｍに対応する値である８５０μｍに調整される。

一方、カット高さＨが許容値であると判定されると、ステップＴ５、ステップＴ１３に進む。ステップＴ１３では、判定を行った調整用のウエハＷを処理したときの洗浄時回転数が、製品用のウエハＷの処理時のパラメータとして使用されるように制御部１００の記憶部に記憶されて、洗浄時回転数についてのパラメータ調整作業が終了する。

ステップＴ５では汚れ度合が、許容値であるか否かが判定される。汚れ度合が許容値であると判定されると、ステップＴ１３に進む。そして、判定を行った調整用のウエハＷを処理したときの洗浄時間が、製品用のウエハＷの処理時のパラメータとして使用されるように制御部１００の記憶部に記憶されて、洗浄時間についてのパラメータ調整作業が終了する。一方、汚れ度合が許容値を越えていると判定されると、洗浄時間が調整（再設定）され（ステップＴ６）、ステップＴ７に進む。このステップＴ６の調整は図２５に示す参考データＪ２に基づいて行われ、汚れ度合が許容値となるように洗浄時間が延長される。ここでは汚れ度合が許容値を越えており、洗浄時間が調整されるものとして説明する。例えば汚れ度合がＭ１で、参考データＪ２に基づいて洗浄時間がＮ１とされる。

ステップＴ７では、調整用の他のウエハＷを周縁塗布モジュール２に搬送して、成膜処理が行われる。この成膜処理中の洗浄処理においては、調整された洗浄時回転数及び／または洗浄時間で行われる。次いで、撮像モジュール３にて画像データを取得し、カット高さＨ及び汚れ度合が算出される。

然る後、算出されたカット高さＨが許容値か否かが判定される（ステップＴ８）。この例では図２７Ｂに示すように算出されたカット高さＨが９０μｍであり、許容値ではないものとする。その場合、ステップＴ９に進む。ステップＴ９では、ステップＳ４の開始後にべベル洗浄回数が設定回数を越えたか否か、つまりレジスト膜Ｒの成膜処理から求めたカット高さＨが許容値か否かを判定するまでの動作を一連の動作とすると、この一連の動作が設定回数を越えたか否かが判定される。このステップＴ９において設定回数を越えていると判定された場合は、ステップＴ１４に進み、調整不可としてアラームが出力され、調整動作を終了する。

ステップＴ９において設定回数を越えていないと判定された場合、洗浄時回転数が再設定される（ステップＴ１０）。この再設定は、図２４に示す実データＡ１に基づいて行われる。図２４中Ｄ１は、ステップＳ３が終了してから第１回目の一連の動作で取得されたカット高さＨ（６０μｍ）及び洗浄時回転数（８００ｒｐｍ）のデータである。Ｄ２は第２回目の一連の動作で取得されたカット高さ（９０μｍ）及び洗浄時回転数（９００ｒｐｍ）のデータである。これらＤ１、Ｄ２から、カット高さＨ及び洗浄時回転数の関係を示す実データＫ１が求められる。そして、この実データＫ１に基づいて、カット高さＨを１２０μｍとするための第３回目の一連の動作を行うときの洗浄時回転数が求められ、再設定されてステップＴ１１に進む。この例では当該洗浄時回転数は１０００ｒｐｍとして再設定される。

一方、仮にステップＴ８にて第２回目の一連の動作で得られたカット高さＨが許容値であると判定されると、ステップＴ１１、ステップＴ１３に進む。ステップＴ１３では、判定を行った調整用のウエハＷを処理したときの洗浄時回転数が、製品用のウエハＷの処理時のパラメータとして使用されるように、制御部１００の記憶部に記憶され、洗浄時回転数についてのパラメータ調整作業を終了する。

ステップＴ１１では、汚れ度合が許容値か否かが判定される。許容値と判定された場合はステップＴ１３に進み、このときの洗浄時間が処理用パラメータとして記憶され、洗浄時間のパラメータ調整作業を終了する。一方、ステップＴ１１で汚れ度合が許容値を越えると判定された場合、洗浄時間が再設定される（ステップＴ１２）。この再設定は、第１回目の一連の動作時の汚れ度合及び洗浄時間と、第２回目の一連の動作時の汚れ度合及び洗浄時間と、から求めた、汚れ度合及び洗浄時間の関係を示す実データＫ２（図２５参照）に基づいて行われる。

この再設定後、再度、調整用の他のウエハＷを周縁塗布モジュール２に搬送し、レジスト膜の形成を行い、洗浄時回転数及び洗浄時間を再設定したレシピにて、洗浄処理を実行する。次いで、ウエハＷの撮像結果からカット高さ及び汚れ度合を求める（ステップＴ７）。こうして撮像結果に基づいて求めた値は、第３回目の一連の動作時のカット高さ及び汚れ度合のデータとなる。

そして、ステップＴ８に進み、カット高さが許容値か否かを判定する。この例では、図２７Ｃに示すように、求めたカット高さＨが１２０μｍであるとする。従って、許容値であるのでステップＴ１１及びステップＴ１３に進み、ステップＴ１３にて、再設定した洗浄時回転数を処理用パラメータとして記憶し、洗浄時回転数のパラメータ調整作業を終了する。仮にカット高さが許容値から外れていれば、ステップＴ９に進み、洗浄時回転数の変更回数が設定回数を越えたか否かが判定される。設定回数を越えていないと判定された場合は、洗浄時回転数を再設定する（ステップＴ１０）。この再設定は、第１回目、第２回目、第３回目の各一連の動作時のデータ（カット高さ及び洗浄時回転数）より、カット高さ及び洗浄時回転数の関係を示す実データを求め、この実データに基づいて行う。

洗浄時回転数の再設定後、汚れ度合が許容値か否かが判定され（ステップＴ１１）、許容値であれば、ステップＴ１３に進み、汚れ度合に関するパラメータである洗浄時間のパラメータ調整を終了する。一方、汚れ度合が許容値を越えていれば、ステップＴ１２において、洗浄時間が再設定される。この再設定は、第１回目、第２回目、第３回目の各一連の動作時のデータ（汚れ度合及び洗浄時間）より、汚れ度合及び洗浄時間の関係を示す実データを求め、この実データに基づいて行う。以上において、実データは図２４、図２５に示す近似曲線でもよいし、近似関係式であってもよい。

こうして、ステップＴ９において洗浄時回転数の変更回数が設定回数を越えたと判定されない間は、カット高さＨが許容値を越えていれば、洗浄時回転数を再設定し、再度、一連の動作を行い、カット高さを求めて許容値か否かを判定する作業を繰り返す。また、汚れ度合が許容値を越えていれば、洗浄時間を再設定し、再度塗布膜の形成、洗浄処理を行った後、汚れ度合を求めて許容値か否かを判定する作業を繰り返す。そして、ステップＴ１３が行われて、洗浄時回転数及び洗浄時間について決定されると、調整動作が終了する。つまり、図１２に示したフローが終了する。

つまり、図１２に示すフローの開始前に、ユーザーは使用するレジストを周縁塗布モジュール２にセットし、キャリアブロックＢ１に搬送容器Ｃをセットして、レジスト膜Ｒの幅と、ステップＳ１の実行に必要な目標吐出量と、レジストの粘度とを入力する。その後、調整動作を開始するための所定の指示を行う。それによって図１２のフローが実行され、調整動作が自動で行われる。フローの終了後は、調整用のウエハＷと同様に製品用のウエハＷが搬送容器Ｃから周縁塗布モジュール２に搬送されて処理が行われる。この搬送及び処理は、フローで決定された各パラメータを用いて行われる。然る後、製品用のウエハＷは搬送容器Ｃに戻される。

なお、上記のようにステップＳ１については、吐出時回転数及びレジスト吐出量の組み合わせが複数決定される場合が有るが、後のステップＳ２〜Ｓ４を行ったときにこれらステップＳ２〜Ｓ４で調整不可となる組み合わせについては除外すればよい。ステップＳ４の終了時に、当該組み合わせについて複数残っていれば任意の一つに決定すればよい。

以上に述べた調整動作を行う制御部１００の構成について、図２８を参照しながら説明する。図中１０１はバスである。制御部１００は、このバス１０１に各々接続されるプログラム格納部１０２、データ記憶部１０３、パラメータ記憶部１０４、設定部１０５、表示部１０６及び図示しないＣＰＵを備えている。プログラム格納部１０２には、プログラム１０７が記憶されている。このプログラム１０７は、上記した図１２のフローを進行させて自動調整を実行する。つまり、画像に基づいた各判定、各パラメータの調整（再設定）を行う。また、プログラム１０７によって、塗布、現像装置１の各部に制御信号が出力されて、各部の動作が制御される。それにより、製品用のウエハＷ及び調整用のウエハＷに対して処理が行われる。プログラム１０７は、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカード、ＤＶＤなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部１０２に格納される。

データ記憶部１０３には、既述のステップＳ４を実行するための参考データＪ１、Ｊ２が記憶される。パラメータ記憶部１０４は、既述した吐出時回転数の候補となる範囲、レジスト吐出量の候補となる範囲、受け渡し位置、吐出移動距離、洗浄時回転数及び洗浄時間について記憶される。吐出時回転数の候補となる範囲、レジスト吐出量の候補となる範囲から夫々既述のように決定される吐出時回転数、レジスト吐出量についてもこのパラメータ記憶部１０４に記憶される。このパラメータ記憶部１０４に記憶される各パラメータに基づいて、プログラム１０７が制御信号を出力して装置の各部の動作が制御される。そして、図１２のフローの説明における各パラメータの調整は、このパラメータ記憶部１０４に記憶されるパラメータを再設定することで行われる。

設定部１０５は、ユーザーがレジストの粘度及び目標吐出量を入力し、図１３で説明したステップＳ１のパラメータの絞り込みが行えるように、例えばキーボードやタッチパネルなどにより構成される。また、ユーザーによる自動調整の開始の指示や、レジスト膜Ｒの幅Ｌ１の設定も、例えばこの設定部１０５から行う。表示部１０６は例えばモニターにより構成されており、例えば既述した調整動作のフローが実行不可となったことを示すアラームが、この表示部１０６に表示される。なおアラームは、スピーカーなどの音声によって出力されるものであってもよい。

ところで上記のような撮像モジュール３及び制御部１００を用いずに上記の調整を行う場合、レジスト膜Ｒが形成されたウエハＷを塗布、現像装置１の外部に搬送し、その外部の検査装置を用いてレジスト膜の成膜状態を確認することが考えられる。そして、その確認された結果によって、各パラメータの調整を行うことが考えられる。しかし、ウエハＷを検査装置に搬送するまでの搬送時間や待機時間が必要になることでパラメータの調整に時間がかかることが懸念されるし、そのように外部の検査装置と塗布、現像装置１との間でウエハＷを搬送することは作業者の手間である。

また、上記の塗布、現像装置１の外部の検査装置を用いる代わりに、作業者が塗布、現像装置１の外部で例えば顕微鏡を用いてレジスト膜Ｒの成膜状態を確認することが考えられるが、その場合であってもレジスト膜Ｒを観察する手間がかかってしまう。さらにこのように作業者が観察をする場合、作業者毎に判断基準が異なることで調整の精度にばらつきが生じるおそれがある。つまり、同じ塗布、現像装置１内の複数の周縁塗布モジュール２間、あるいは互いに異なる塗布、現像装置１の周縁塗布モジュール２間で、調整の精度にばらつきが生じるおそれがある。なお、上記の塗布、現像装置１の外部の検査装置に搬送して検査を行う場合にも、検査装置毎の特性により判断基準が異なり、調整の精度にばらつきが生じるおそれがある。

しかし、上記の塗布、現像装置１によれば、撮像モジュール３によって取得された画像に基づいて、自動で製品用のウエハＷに処理を行うための各種のパラメータが決定される。従って、製品用のウエハＷに対して処理を行う前に行う調整作業について、作業者が立ち会うべき機会や作業者が行う処理が削減され、作業者の負担を軽減させることができる。また、塗布、現像装置１によればそのようにパラメータの調整を行うにあたり、成膜されたウエハＷを塗布、現像装置１の外部の装置へ搬送する必要が無いので、この搬送に要する時間が不要であり、各パラメータの調整の効率化を図ることができる。

ここで塗布、現像装置１内に複数の周縁塗布モジュール２が設けられるとする。そして、各周縁塗布モジュール２の調整を行うとする場合、取得された画像に基づいて制御部１００がパラメータの調整を行うため、作業者が当該調整を行う場合に比べると、作業者毎の判断基準のばらつきが無い。そして、各周縁塗布モジュール２の調整に共通の撮像モジュール３が用いられるとすれば、上記の検査装置間の特性の違いによって調整に差が生じるようなことも抑制することができる。つまり、上記の塗布、現像装置１の構成によれば、当該塗布、現像装置１の各周縁塗布モジュール２間で、調整の精度がばらつくことを抑制することができる。また、異なる塗布、現像装置１の周縁塗布モジュール２の調整を行う場合についても、制御部１００が画像データに基づいて各々同様の基準でパラメータを設定することで、作業者が調整を行う場合よりも調整の精度のばらつきを抑えることができる。

ところで上記のステップＳ１においては、上記のようにレジストの粘度によって用いられるパラメータの組み合わせが絞り込まれる。つまり、正常な成膜が不可能なパラメータの組み合わせによる処理が行われることを防ぎ、自動調整の進行の高速化を図ることができる。また、正常、異常の判定が行われた後、異常とされたパラメータの組み合わせに最も近いレジスト吐出量を持つパラメータの組み合わせを除いて、適正なパラメータの組み合わせが決定される。従って、決定されるパラメータの組み合わせの精度は、より高いものとなる。

またステップＳ４において、第３回目以降の一連の動作が行われるとき、洗浄時回転数及び洗浄時間の再設定には、参考データの代わりに実データが用いられる。従って再設定されるパラメータの精度がより高いものとなるし、パラメータ調整に要する時間がより短縮される。また、このステップＳ４を行うにあたり、撮像モジュール３はウエハＷの周縁部において裏面から表面に亘る撮像領域Ｒ２を一括して撮像し、それによって当該撮像領域Ｒ２の汚れ度合が検出される。即ち、そのように撮像モジュール３が当該撮像領域Ｒ２を一括で撮像を行うように構成されていることで、このステップＳ４の進行の高速化を図ることができる。

なお、上記の特許文献１、２においては、ウエハＷの周縁部に沿った環状のレジスト膜Ｒを形成する装置について記載されている。しかし、塗布、現像装置１のように、画像に基づいて処理に必要なパラメータを設定する技術については記載されていない。

ステップＳ１〜Ｓ４の一連の動作が全て自動で行われるものとしたが、これらステップＳ１〜Ｓ４の一部のステップのみが自動で行われ、自動で行われないステップの調整は装置のユーザーが手動で行うようにしてもよい。例えば、ステップＳ１が終了した後、ユーザーが設定部１０５から装置を操作し、調整が行われてもよいし、ステップＳ１〜Ｓ３をユーザーが装置を操作して行い、その調整終了後にステップＳ４が自動で行われてもよい。

また、ステップＳ１においては吐出時回転数及びレジストの吐出量のうちの一方を固定値とし、他方のみが複数の候補値の中から決定されてもよい。さらに、上記のステップＳ１の説明では、吐出時回転数の候補値、レジストの吐出量の候補値を夫々１００ｒｐｍ間隔、０．２ｇ間隔としているが、これらの各間隔に設定されることには限られず、これらの各間隔よりも大きくしてもよいし、小さくしてもよい。また、図１４、図１５で説明したように、異常となったレジスト吐出量に最も近いレジスト吐出量を持ったレジスト吐出量及び吐出時回転数の組み合わせのみを適正な組み合わせから除外しているが、このように除外を行うことには限られない。例えばそのように最も近いレジスト吐出量を持った組み合わせの他、２番目に近いレジスト吐出量を持った組み合わせについても適正な組み合わせから除外して、各パラメータを決定してもよい。さらに、正常な異常となった組み合わせのうち、異常となった組み合わせに対して最も近い吐出時回転数を持つものについても適正な組み合わせから除外して、パラメータを決定してもよい。このように、ステップＳ１において正常と判定されたパラメータの組み合わせから適正な組み合わせを決定するにあたっては、上記の例には限られない。

続いて、図１に示した塗布、現像装置１のより詳しい構成の一例について、図２９の平面図及び図３０の縦断側面図を参照しながら説明する。塗布、現像装置１は、搬入出ブロックをなすキャリアブロックＢ１と、処理ブロックＢ２と、インターフェイスブロックＢ３と、を横方向に直線状に接続して構成されている。図中Ｂ４は露光装置である。キャリアブロックＢ１の載置台７１に載置された搬送容器Ｃ内のウエハＷは、搬送機構７３により、開閉部７２を介して処理ブロックＢ２との間で受け渡される。

処理ブロックＢ２は、ウエハＷに液処理を行う単位ブロックＥ１〜Ｅ６を下方から順番に積層して構成されており、これらの単位ブロックＥ１〜Ｅ６では互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。単位ブロックＥ１、Ｅ２が互いに同様に構成され、単位ブロックＥ３、Ｅ４が互いに同様に構成され、単位ブロックＥ５、Ｅ６が互いに同様に構成されている。

上述の周縁塗布モジュール２及び撮像モジュール３は、単位ブロックＥ５、Ｅ６に設けられている。図２９は、単位ブロックＥ５の平面図である。周縁塗布モジュール２は、搬送機構Ｆ５の搬送路７４の一方側に現像モジュール７５と並んで設けられている。現像モジュール７５は、ウエハＷに薬液として現像液を供給して現像を行う。搬送路７４の他方側には、撮像モジュール３及び加熱モジュール７６が設けられている。

単位ブロックＥ１〜Ｅ４は、ウエハＷに供給する薬液が異なることを除き、単位ブロックＥ５、Ｅ６と同様に構成されている。単位ブロックＥ５、Ｅ６は、周縁塗布モジュール２及び現像モジュール７５の代わりに、ウエハＷに反射防止膜形成用の薬液を供給する反射防止膜形成モジュールを備えている。単位ブロックＥ５，Ｅ６は、周縁塗布モジュール２及び現像モジュール７５の代わりに、ウエハＷにレジストを供給してレジスト膜を現像するレジスト塗布モジュールを備える。このレジスト塗布モジュールは、周縁塗布モジュール２と異なり、ウエハＷの表面全体にレジストを供給する。図３０では、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６の搬送機構をＦ１〜Ｆ６として示している。

処理ブロックＢ２におけるキャリアブロックＢ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワー７７と、タワー７７に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構７８とが設けられている。タワー７７は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、ウエハＷが載置される受け渡しモジュールＴＲＳを備えている。

インターフェイスブロックＢ３は、単位ブロックＥ１〜Ｂ６に跨って上下に伸びるタワー８１、８２、８３を備えており、タワー８１とタワー８２に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構８４と、タワー８１とタワー８３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構８５と、タワー８１と露光装置Ｂ４の間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送機構８６と、が設けられている。タワー８１は、受け渡しモジュールＴＲＳを備えている。タワー８２、８３に設けられるモジュールについては記載を省略する。なお、図１の搬送機構１１は、搬送機構Ｆ１〜Ｆ６、７３、７８、８４〜８６に相当する。そして、図３の搬送機構１１は、具体的には搬送機構Ｆ５を示したものである。

この塗布、現像装置１において、調整用のウエハＷ及び製品用のウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷは、搬送容器Ｃから搬送機構８３により、処理ブロックＢ２におけるタワー７２の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送され、ここからウエハＷは、単位ブロックＥ１、Ｅ２に振り分けられて搬送される。

振り分けられたウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール→受け渡しモジュールＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順に搬送される。続いてウエハＷは、搬送機構７８により単位ブロックＥ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と、単位ブロックＥ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４とに振り分けられる。

このように受け渡しモジュールＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けられたウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ３（ＴＲＳ４）から単位ブロックＥ３（Ｅ４）内を、塗布モジュール、加熱モジュールに順次搬送されて処理される。その後、ウエハＷは、タワー７３の受け渡しモジュールＴＲＳ３１（ＴＲＳ４１）に搬送され、搬送機構８４、８６により、タワー８１を介して露光装置Ｂ４へ搬入されて、レジスト膜が露光される。

露光後のウエハＷは、搬送機構８５、８６によりタワー８１、８３間を搬送されて、単位ブロックＥ５、Ｅ６に対応するタワー８１の受け渡しモジュールＴＲＳ５１，ＴＲＳ６１に夫々搬送される。然る後、ウエハＷは加熱モジュール７６に搬送されて露光後の加熱処理（ポストエクスポージャーべーク）が行われる。続いて、ウエハＷは、現像モジュール７５に搬送されて現像液が供給され、レジストパターンが形成される。その後、ウエハＷは周縁塗布モジュール２に搬送されてレジスト膜Ｒが形成された後、加熱モジュール７６に搬送されて加熱処理される。然る後、ウエハＷは撮像モジュール３に搬送されて撮像された後、タワー７７の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６に搬送され、搬送機構７３を介して搬送容器Ｃに戻される。

ところで、ウエハＷの周縁部に形成される膜としては上記の不要な膜が形成されることを防ぐ保護膜であることには限られず、例えばウエハＷの周縁部から異物が飛散することを抑制するための膜であってもよい。そして、上記の例では塗布液としてレジストをウエハＷに供給しているが、塗布液についてはレジストに限られず、反射防止膜形成用の塗布液や、絶縁膜形成用の塗布液を用いてもよい。なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｗ ウエハ
Ｂ１ キャリアブロック
２ 周縁塗布モジュール
３ 撮像モジュール
１１ 搬送機構
１００ 制御部

Claims (11)

1. 塗布液が供給されることによって塗布膜が形成される円形の基板が搬入出される搬入出部と、
   前記基板の周縁部の前記塗布膜による被覆状態を制御するための処理パラメータに基づいて、当該基板の周縁部に沿って前記塗布液を供給して環状の前記塗布膜を形成する周縁塗布モジュールと、
   前記環状の塗布膜が形成された基板を撮像する撮像モジュールと、
   前記搬入出部、前記塗布モジュール及び前記撮像モジュールの間で前記基板を搬送する搬送機構と、
   装置の動作を調整するために前記塗布膜を形成する複数の調整用の前記基板に対して各々値が異なる前記処理パラメータに基づいて前記環状の塗布膜を形成した後に前記撮像モジュールによる撮像を行う第１のステップが行われるように制御信号を出力し、且つ前記各基板の撮像結果に基づいて、前記装置の動作の調整後に前記塗布モジュールで前記基板に前記環状の塗布膜を形成するための前記処理パラメータの値を決定する制御部と、
   を備えた塗布膜形成装置。
2. 前記周縁塗布モジュールは、
   前記基板を保持して回転する基板保持部と、
   回転する前記基板の周縁部に前記塗布液を吐出する塗布液供給ノズルと、を備え、
   前記処理パラメータは、
   前記塗布液を供給するときの前記基板の回転数または前記塗布液供給ノズルから吐出する前記塗布液の量を含む請求項１記載の塗布膜形成装置。
3. 前記制御部は、
   前記撮像結果において前記塗布膜による基板の被覆状態が正常である基板の処理に用いた処理パラメータの値のうち、前記塗布膜による基板の被覆状態が異常である基板の処理に用いた処理パラメータの値に最も近いものを除外して当該処理パラメータの値を決定する請求項１または２記載の塗布膜形成装置。
4. 前記第１のステップを行う前に前記塗布液の粘度を設定する設定部が設けられ、
   前記第１のステップでは、設定された粘度に応じた値の前記処理パラメータが用いられる請求項１ないし３のいずれか一つに記載の塗布膜形成装置。
5. 前記制御部は、
   前記周縁塗布モジュールに対して前記基板の受け渡しを行うために予め設定された前記搬送機構の位置データに基づいて、当該周縁塗布モジュールへの当該基板の受け渡しが行われるように制御信号を出力し、且つ
   前記第１のステップにより決定された処理パラメータを用いて前記塗布膜が形成された調整用の前記基板についての前記撮像モジュールによる撮像結果に基づき、前記搬送機構の位置データの再設定を行う第２のステップを実行する請求項１ないし４のいずれか一つに記載の塗布膜形成装置。
6. 前記周縁塗布モジュールは、
   前記基板保持部と、前記塗布液供給ノズルと、回転する前記基板における中心寄りの供給位置と周縁寄りの供給位置との間で塗布液の供給位置が変更されるように前記塗布液供給ノズルを移動させる移動機構と、を備え、
   前記制御部は、
   予め設定された塗布液の供給位置に関するデータに基づいて前記塗布液が供給されるように制御信号を出力し、且つ
   前記第２のステップの実行後に前記環状の塗布膜が形成された調整用の前記基板についての前記撮像モジュールによる撮像結果に基づき、前記塗布液の供給位置に関するデータの再設定を行う第３のステップを実行する請求項５記載の塗布膜形成装置。
7. 前記基板は周縁部にベベル部を備える半導体ウエハであり、
   前記周縁塗布モジュールは、前記塗布膜形成後の回転する前記基板の前記ベベル部に前記塗布膜を除去する除去液を吐出して、前記環状の塗布膜の外縁部を除去する塗布膜除去用ノズルを備え、
   前記撮像モジュールでは前記塗布膜の外縁部が除去された基板が撮像され、
   前記制御部は、
   予め記憶された前記除去液が吐出されるときの基板の回転数に基づいて当該基板が回転するように制御信号を出力し、且つ
   前記第３のステップの実行後に、前記環状の塗布膜が形成された調整用の前記基板の前記撮像モジュールによる撮像結果に基づいて、前記ベベル部の内縁に対する塗布膜の外縁の高さ寸法を求め、求めた高さ寸法が許容値か否かを判定して許容値でなければ、求めた高さ寸法と、予め作成した前記高さ寸法及び基板の回転数の関係を示す参考データと、に基づいて前記除去液が供給されるときの基板の回転数を再設定する第４のステップを実行する請求項６記載の塗布膜形成装置。
8. 調整用の前記基板に対して塗布液の塗布及びベベル部の塗布膜の除去から、前記高さ寸法が許容値か否かを判定する動作を一連の動作とすると、前記第３のステップの実行後に行われる第１回目の一連の動作、第２回目の一連の動作が終了して更に第３回目の一連の動作を行うときには、前記基板の回転数の再設定は、前記参考データを用いる代わりに、実データを用い、
   前記実データは、第１回目の一連の動作時における基板の回転数及び前記高さ寸法と、第２回目の一連の動作時における基板の回転数及び前記高さ寸法と、から求めた、前記高さ寸法及び基板の回転数の関係を示すデータである請求項７記載の塗布膜形成装置。
9. 前記周縁塗布モジュールは、前記塗布膜形成後の回転する基板の周端部に前記除去液を吐出して洗浄する洗浄ノズルを備え、
   前記制御部は、
   前記第３のステップの実行後に、前記環状の塗布膜が形成された調整用の前記基板の前記撮像モジュールによる撮像結果に基づいて、前記高さ寸法の判定動作に加えて、基板の周端部の塗布液による汚れ度合を求め、求めた汚れ度合が許容値か否かを判定して許容値でなければ、求めた汚れ度合と、予め作成した前記汚れ度合及び基板の周端部の洗浄時間の関係を示す参考データと、に基づいて前記基板の周端部の洗浄時間を再設定する請求項７または８記載の塗布膜形成装置。
10. 調整用の基板に対しての塗布液の塗布から、前記汚れ度合が許容値か否かを判定する動作を一連の動作と呼ぶとすると、前記第３のステップの実行後に行われる第１回目の一連の動作、第２回目の一連の動作が終了して更に第３回目の一連の動作を行うときには、前記洗浄時間の再設定は、前記参考データを用いる代わりに、実データを用い、
    前記実データは、第１回目の一連の動作時における前記洗浄時間及び前記汚れ度合と、第２回目の一連の動作時における前記洗浄時間及び前記汚れ度合と、から求めた、前記洗浄時間及び前記汚れ度合の関係を示すデータである請求項９記載の塗布膜形成装置。
11. 円形の基板を搬入出部に搬入出する工程と、
    周縁塗布モジュールにおいて、前記基板の周縁部の前記塗布膜による被覆状態を制御するための処理パラメータに基づいて、当該基板の周縁部に沿って塗布液を供給して環状の塗布膜を形成する工程と、
    撮像モジュールによって前記環状の塗布膜が形成された基板を撮像する工程と、
    搬送機構によって前記搬入出部、前記塗布モジュール及び前記撮像モジュールの間で前記基板を搬送する工程と、
    装置の動作を調整するために前記塗布膜を形成する複数の調整用の前記基板に対して各々値が異なる前記処理パラメータに基づいて前記環状の塗布膜を形成した後に前記撮像モジュールによる撮像を行う工程と、
    前記各基板の撮像結果に基づいて装置の動作の調整後に前記塗布モジュールで前記基板に前記環状の塗布膜を形成するための前記処理パラメータの値を決定する工程と、
    を備えた塗布膜形成装置の調整方法。

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