JP2019138797A - Temperature sensor - Google Patents
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Abstract
【課題】 陽極側電極の腐食を抑制することができる温度センサを提供すること。【解決手段】 絶縁性基板２と、絶縁性基板の上面にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部３と、薄膜サーミスタ部の上又は下に互いに対向して形成された陽極側電極４及び陰極側電極５と、薄膜サーミスタ部の上に陽極側電極及び陰極側電極を覆って形成された保護膜６と、絶縁性基板，薄膜サーミスタ部又は保護膜の上に形成され陽極側電極に接続された犠牲電極７とを備え、犠牲電極が、保護膜に接触した状態で形成されていると共に、陽極側電極と陰極側電極との間以外で陽極側電極と電気的に接続され、陽極側電極よりも標準電極電位が低い金属で形成されている。【選択図】図１PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a temperature sensor capable of suppressing corrosion of an anode side electrode. SOLUTION: An insulating substrate 2, a thin film thermistor portion 3 formed of a thermistor material on the upper surface of the insulating substrate, an anode side electrode 4 and a cathode side formed on or below the thin film thermistor portion to face each other The electrode 5, the protective film 6 formed on the thin film thermistor portion so as to cover the anode side electrode and the cathode side electrode, and formed on the insulating substrate, the thin film thermistor portion or the protective film and connected to the anode side electrode. A sacrificial electrode is formed in contact with the protective film, and is electrically connected to the anode side electrode except between the anode side electrode and the cathode side electrode. Is formed of a metal having a low standard electrode potential. [Selection] Figure 1
Description
本発明は、薄膜サーミスタを用いた温度センサに関する。 The present invention relates to a temperature sensor using a thin film thermistor.
近年、ポリイミド樹脂等で形成された絶縁性フィルム上に薄膜状のサーミスタ部を形成したフィルム型の温度センサが開発されている。例えば、特許文献１には、絶縁性フィルムと、絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、薄膜サーミスタ部の上に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、一対の櫛型電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極と、櫛型電極と薄膜サーミスタ部とを覆って絶縁性フィルム上に形成された保護膜とを備えている温度センサが開発されている。 In recent years, a film-type temperature sensor in which a thin film thermistor portion is formed on an insulating film made of polyimide resin or the like has been developed. For example, in Patent Document 1, an insulating film, a thin film thermistor portion patterned with a thermistor material on the surface of the insulating film, and a plurality of comb portions on the thin film thermistor portion are formed to face each other. A pair of comb-shaped electrodes, a pair of patterned electrodes connected to the pair of comb-shaped electrodes and patterned on the surface of the insulating film, and formed on the insulating film covering the comb-shaped electrode and the thin film thermistor portion A temperature sensor having a protective film has been developed.
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
上記従来の温度センサでは、高温高湿雰囲気で通電すると陽極側電極に腐食が発生する場合があった。すなわち、陰極側電極に対して陽極側電極に正電位が印加されるため、互いの電極が接触した保護膜を介して電子が移動して腐食電流が生じ、その部分の電極材料が腐食してしまう不都合があった。このような電極の腐食が生じると、素子が高抵抗化してしまう場合があった。
The following problems remain in the conventional technology.
In the conventional temperature sensor, corrosion may occur in the anode side electrode when energized in a high temperature and high humidity atmosphere. That is, since a positive potential is applied to the anode side electrode with respect to the cathode side electrode, electrons move through the protective film in contact with each other electrode to generate a corrosion current, which corrodes the electrode material in that portion. There was an inconvenience. When such corrosion of the electrode occurs, the element may increase in resistance.
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、高温高湿雰囲気で使用しても陽極側電極の腐食を抑制することができる温度センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a temperature sensor that can suppress corrosion of an anode-side electrode even when used in a high-temperature and high-humidity atmosphere.
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る温度センサは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上面にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上又は下に互いに対向して形成された陽極側電極及び陰極側電極と、前記薄膜サーミスタ部の上に前記陽極側電極及び前記陰極側電極を覆って形成された保護膜と、前記絶縁性基板，前記薄膜サーミスタ部又は前記保護膜の上に形成され前記陽極側電極に接続された犠牲電極とを備え、前記犠牲電極が、前記保護膜に接触した状態で形成されていると共に、前記陽極側電極と前記陰極側電極との間以外で前記陽極側電極と電気的に接続され、前記陽極側電極よりも標準電極電位が低い金属で形成されていることを特徴とする。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the temperature sensor according to the first aspect of the present invention is formed so as to face each other on an insulating substrate, a thin film thermistor portion formed of a thermistor material on the upper surface of the insulating substrate, and above or below the thin film thermistor portion. An anode side electrode and a cathode side electrode; a protective film formed on the thin film thermistor portion so as to cover the anode side electrode and the cathode side electrode; and the insulating substrate, the thin film thermistor portion, or the protective film. A sacrificial electrode formed on and connected to the anode side electrode, wherein the sacrificial electrode is formed in contact with the protective film, and other than between the anode side electrode and the cathode side electrode The electrode is electrically connected to the anode side electrode, and is formed of a metal having a standard electrode potential lower than that of the anode side electrode.
この温度センサでは、犠牲電極が、保護膜に接触した状態で形成されていると共に、陽極側電極と陰極側電極との間以外で陽極側電極と電気的に接続され、陽極側電極よりも標準電極電位が低い金属で形成されているので、いわゆるカソード防食法（流電アノード方式）に基づいて、犠牲電極に対して相対的に標準電極電位が高い陽極側電極の腐食を防止することができる。
本発明では、犠牲電極と陽極側電極とが保護膜を介して接続されているため、保護膜が水分を含んでいても、犠牲電極と陽極側電極とに同じ電圧が印加された状態で、標準電極電位がより低い金属の方（犠牲電極）から電子が引き抜かれ、腐食が進み易くなる。また、陽極側電極には電子が供給され、腐食が進み難くなる。このため、保護膜を介した電子の移動では犠牲電極が優先的に腐食されることで、陽極側電極は腐食し難くなる。
In this temperature sensor, the sacrificial electrode is formed in contact with the protective film, and is electrically connected to the anode side electrode except between the anode side electrode and the cathode side electrode, and is more standard than the anode side electrode. Since it is formed of a metal having a low electrode potential, corrosion of the anode side electrode having a high standard electrode potential relative to the sacrificial electrode can be prevented based on the so-called cathodic protection method (galvanic anode method). .
In the present invention, since the sacrificial electrode and the anode side electrode are connected via a protective film, even when the protective film contains moisture, the same voltage is applied to the sacrificial electrode and the anode side electrode. Electrons are extracted from the metal having a lower standard electrode potential (sacrificial electrode), and corrosion easily proceeds. Further, electrons are supplied to the anode side electrode, and corrosion is difficult to proceed. For this reason, in the movement of electrons through the protective film, the sacrificial electrode is preferentially corroded, and the anode side electrode is hardly corroded.
第２の発明に係る温度センサは、第１の発明において、前記陽極側電極が、少なくともＣｒで形成されたＣｒ層を有し、前記犠牲電極が、Ｍｇ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｕ，Ｚｎのうち１種又は２種以上からなることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、陽極側電極が、少なくともＣｒで形成されたＣｒ層を有し、犠牲電極が、Ｍｇ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｕ，Ｚｎのうち１種又は２種以上からなるので、陽極側電極のＣｒよりも標準電極電位が低いＭｇ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｕ，Ｚｎのうち１種又は２種以上からなる犠牲電極が優先的に腐食される。
A temperature sensor according to a second invention is the temperature sensor according to the first invention, wherein the anode side electrode has a Cr layer formed of at least Cr, and the sacrificial electrode is Mg, Al, Mn, Zr, Ti, U , Zn, and one or more of Zn.
That is, in this temperature sensor, the anode side electrode has a Cr layer formed of at least Cr, and the sacrificial electrode is made of one or more of Mg, Al, Mn, Zr, Ti, U, and Zn. Therefore, the sacrificial electrode composed of one or more of Mg, Al, Mn, Zr, Ti, U, and Zn, whose standard electrode potential is lower than that of Cr of the anode electrode, is preferentially corroded.
第３の発明に係る温度センサは、第１又は第２の発明において、前記陰極側電極が、複数の櫛部を有した櫛型電極であり、前記陽極側電極が、前記複数の櫛部に沿って延在した複数の平行部と、隣接する前記平行部に接続されている共に前記平行部と直交する方向に延在する複数の平行部連結部とを有したミアンダ状電極であり、前記犠牲電極が、平面視で前記陽極側電極を挟んで前記陰極側電極とは反対側に配され、隣接する前記平行部の間に突出した複数の突出部を有していることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、犠牲電極が、平面視で陽極側電極を挟んで陰極側電極とは反対側に配され、隣接する平行部の間に突出した複数の突出部を有しているので、突出部が隣接する平行部の間に入れ子状態で配されることで、突出部を効果的に犠牲電極として機能させることができる。
A temperature sensor according to a third invention is the temperature sensor according to the first or second invention, wherein the cathode side electrode is a comb-shaped electrode having a plurality of comb parts, and the anode side electrode is along the plurality of comb parts. The sacrificial electrode, wherein the sacrificial electrode has a plurality of extending parallel parts and a plurality of parallel part connecting parts connected to the adjacent parallel parts and extending in a direction perpendicular to the parallel parts. However, it has a plurality of projecting portions which are arranged on the opposite side of the cathode side electrode with the anode side electrode in plan view and project between adjacent parallel portions.
That is, in this temperature sensor, the sacrificial electrode is disposed on the opposite side of the cathode side electrode across the anode side electrode in plan view, and has a plurality of protruding portions protruding between adjacent parallel portions. By arranging the protruding portions in a nested state between the adjacent parallel portions, the protruding portions can effectively function as sacrificial electrodes.
第４の発明に係る温度センサは、第１又は第２の発明のいずれかにおいて、前記犠牲電極が、前記陽極側電極の直上に形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、犠牲電極が、陽極側電極の直上に形成されているので、電極全体の小面積化を図ることができ、全体として小型化することが可能になる。
A temperature sensor according to a fourth invention is characterized in that, in any one of the first and second inventions, the sacrificial electrode is formed directly on the anode side electrode.
That is, in this temperature sensor, since the sacrificial electrode is formed immediately above the anode side electrode, the entire area of the electrode can be reduced, and the overall size can be reduced.
第５の発明に係る温度センサは、第１から第４の発明のいずれかにおいて、前記犠牲電極が、前記保護膜の上に形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、犠牲電極が、保護膜の上に形成されているので、犠牲電極が腐食しても薄膜サーミスタ部に影響を与えないため、より高い信頼性を得ることができる。
A temperature sensor according to a fifth invention is characterized in that, in any one of the first to fourth inventions, the sacrificial electrode is formed on the protective film.
That is, in this temperature sensor, since the sacrificial electrode is formed on the protective film, even if the sacrificial electrode is corroded, the thin film thermistor portion is not affected, so that higher reliability can be obtained.
第６の発明に係る温度センサは、第１から第５の発明のいずれかにおいて、前記保護膜が、有機材料で形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、保護膜が、ポリイミド等の水分を含みやすい有機材料であっても、犠牲電極を設けているので、陽極側電極が腐食され難くなる。
A temperature sensor according to a sixth invention is characterized in that, in any one of the first to fifth inventions, the protective film is formed of an organic material.
That is, in this temperature sensor, even if the protective film is an organic material that easily contains moisture such as polyimide, the sacrificial electrode is provided, so that the anode side electrode is hardly corroded.
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、犠牲電極が、保護膜に接触した状態で形成されていると共に、陽極側電極と陰極側電極との間以外で陽極側電極と電気的に接続され、陽極側電極よりも標準電極電位が低い金属で形成されているので、いわゆるカソード防食法（流電アノード方式）に基づいて、犠牲電極に対して相対的に標準電極電位が高い陽極側電極の腐食を防止することができる。
したがって、本実施形態の温度センサでは、陽極側電極の腐食発生に伴う高抵抗化を抑制し、良好なサーミスタ特性を安定して維持することができ、高い信頼性を得ることができる。
The present invention has the following effects.
That is, according to the temperature sensor of the present invention, the sacrificial electrode is formed in contact with the protective film, and is electrically connected to the anode side electrode except between the anode side electrode and the cathode side electrode. Since the standard electrode potential is lower than that of the anode side electrode, the anode side electrode has a higher standard electrode potential relative to the sacrificial electrode based on the so-called cathodic protection method (galvanic anode method). Corrosion can be prevented.
Therefore, in the temperature sensor of the present embodiment, it is possible to suppress an increase in resistance accompanying the occurrence of corrosion of the anode side electrode, stably maintain good thermistor characteristics, and obtain high reliability.
以下、本発明に係る温度センサにおける第１実施形態を、図１を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, a first embodiment of a temperature sensor according to the present invention will be described with reference to FIG. Note that in some of the drawings used for the following description, the scale is appropriately changed as necessary to make each part recognizable or easily recognizable.
本実施形態の温度センサ１は、図１に示すように、絶縁性基板２と、絶縁性基板２の上面にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部３と、薄膜サーミスタ部３の上又は下に互いに対向して形成された陽極側電極４及び陰極側電極５と、薄膜サーミスタ部３の上に陽極側電極４及び陰極側電極５を覆って形成された保護膜６と、絶縁性基板２，薄膜サーミスタ部３又は保護膜６の上に形成され陽極側電極４に接続された犠牲電極７とを備えている。
なお、本実施形態では、陽極側電極４，陰極側電極５及び犠牲電極７が、薄膜サーミスタ部３の上に形成されている。
As shown in FIG. 1, the temperature sensor 1 of the present embodiment includes an
In the present embodiment, the anode side electrode 4, the
上記犠牲電極７は、保護膜６に接触した状態で形成されていると共に、陽極側電極４と陰極側電極５との間以外で陽極側電極４と電気的に接続され、陽極側電極４よりも標準電極電位が低い金属で形成されている。
上記陽極側電極４は、少なくともＣｒで形成されたＣｒ層を有している。本実施形態では、陽極側電極４及び陰極側電極５は、例えば膜厚５〜１００ｎｍのＣｒ又はＮｉＣｒの接合層と、該接合層上にＡｕ等の貴金属で膜厚５０〜１０００ｎｍ形成された電極層とを有している。なお、Ｃｒの標準電極電位は、−０．７４Ｖである。
上記犠牲電極７は、Ｃｒよりも標準電極電位が低いＭｇ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｕ，Ｚｎのうち１種又は２種以上からなる。
The
The anode side electrode 4 has a Cr layer made of at least Cr. In this embodiment, the anode side electrode 4 and the
The
上記陰極側電極５は、複数の櫛部５ａを有した櫛型電極である。この陰極側電極５は、複数の櫛部５ａの基端が接続された櫛部連結部５ｂを有している。複数の櫛部５ａは、互いに平行に延在しており、櫛部連結部５ｂは、櫛部５ａに直交する方向に延在している。
上記陽極側電極４は、複数の櫛部５ａに沿って延在した複数の平行部４ａと、隣接する平行部４ａに接続されている共に平行部４ａと直交する方向に延在する複数の平行部連結部４ｂとを有したミアンダ状電極である。すなわち、陽極側電極４は、平行部４ａと平行部連結部４ｂとが交互に接続されて薄膜サーミスタ部３上でジグザグ状に延在している。
なお、上記平行部連結部４ｂは、櫛部連結部５ｂに沿って延在している。
The
The anode-side electrode 4 includes a plurality of
In addition, the said parallel
上記犠牲電極７は、平面視で陽極側電極４を挟んで陰極側電極５とは反対側に配され、隣接する平行部４ａの間に突出した複数の突出部７ａを有している。
また、犠牲電極７は、複数の突出部７ａの基端が接続され平行部連結部４ｂに沿って延在した突出部接続部７ｂを有している。すなわち、犠牲電極７は、櫛型に形成されている。
犠牲電極７は、陽極側電極４に形成された接続部４ｄを介して陽極側電極４と接続されている。
The
The
The
陽極側電極４の基端は、絶縁性基板２上に形成された陽極側パッド部４ｃとされ、陰極側電極５の基端は、絶縁性基板２上に形成された陰極側パッド部５ｃとされている。
なお、図中、各電極及び薄膜サーミスタ部３には、ハッチングを施している。
The base end of the anode side electrode 4 is an anode
In the drawing, each electrode and the thin
上記保護膜６は、有機材料で形成されている。
例えば、保護膜６は、スクリーン印刷等によりポリイミド樹脂で矩形状にパターン形成されている。
上記絶縁性基板２は、長方形とされた絶縁性フィルムであり、例えば厚さ７．５〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートで形成されている。なお、絶縁性基板２の絶縁性フィルムは、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート，ＬＣＰ：液晶ポリマー等でも作製できる。
The
For example, the
The insulating
上記薄膜サーミスタ部３は、フレキシブル性を有したサーミスタ膜であって、例えばスパッタリングで成膜されたＭ−Ａｌ−Ｎ膜（但し、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及びＣｕの少なくとも１種を示す）である。
すなわち、薄膜サーミスタ部３は、一般式：ＭｘＡｌｙＮｚ（但し、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及びＣｕの少なくとも１種を示す。０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９８、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。なお、これらの膜については、フレキシブル性と良好なサーミスタ特性とが確認されている。
The thin
That is, the thin
なお、本実施形態では、特にＴｉ−Ａｌ−Ｎのサーミスタ材料で矩形状に形成された薄膜サーミスタ部３を採用している。すなわち、薄膜サーミスタ部３は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
In the present embodiment, the thin
本実施形態では、図１に示すように、例えば陰極側電極５はＧＮＤ（０Ｖ）に接続されると共に陽極側電極４には＋５Ｖが印加される。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, for example, the
このように本実施形態の温度センサ１では、犠牲電極７が、保護膜６に接触した状態で形成されていると共に、陽極側電極４と陰極側電極５との間以外で陽極側電極４と電気的に接続され、陽極側電極４よりも標準電極電位が低い金属で形成されているので、いわゆるカソード防食法（流電アノード方式）に基づいて、犠牲電極７に対して相対的に標準電極電位が高い陽極側電極４の腐食を防止することができる。
Thus, in the temperature sensor 1 of the present embodiment, the
すなわち、犠牲電極７と陽極側電極４とが保護膜６を介して接続されているため、保護膜６が水分を含んでいても、犠牲電極７と陽極側電極４とに同じ電圧が印加された状態で、標準電極電位がより低い金属の方（犠牲電極７）から電子が引き抜かれ、腐食が進み易くなる。また、陽極側電極４には電子が供給され、腐食が進み難くなる。このため、保護膜６を介した電子の移動では犠牲電極７が優先的に腐食されることで、陽極側電極４は腐食し難くなる。
特に、保護膜６が、ポリイミド等の水分を含みやすい有機材料であっても、犠牲電極７を設けているので、陽極側電極４が腐食され難くなる。
That is, since the
In particular, even if the
また、陽極側電極４が、少なくともＣｒで形成されたＣｒ層を有し、犠牲電極７が、Ｍｇ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｕ，Ｚｎのうち１種又は２種以上からなるので、陽極側電極４のＣｒよりも標準電極電位が低いＭｇ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｕ，Ｚｎのうち１種又は２種以上からなる犠牲電極７が優先的に腐食される。
Further, since the anode side electrode 4 has a Cr layer formed of at least Cr, and the
次に、本発明に係る温度センサの第２及び第３実施形態について、図２及び図３を参照して以下に説明する。なお、以下の各実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。 Next, 2nd and 3rd embodiment of the temperature sensor which concerns on this invention is described below with reference to FIG.2 and FIG.3. In the following description of each embodiment, the same constituent elements described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、犠牲電極７が薄膜サーミスタ部３の上（保護膜６の下）に形成されているのに対し、第２実施形態の温度センサ２１では、図２に示すように、犠牲電極２７が保護膜６の上に形成されている点である。
すなわち、第２実施形態では、陽極側電極４及び陰極側電極５が、薄膜サーミスタ部３上であって保護膜６の下に形成されているが、犠牲電極２７だけは、保護膜６上にパターン形成されている。
The difference between the second embodiment and the first embodiment is that, in the first embodiment, the
That is, in the second embodiment, the anode side electrode 4 and the
なお、犠牲電極２７は、スルーホール２７ｃを介して直下の陽極側電極４の接続部４ｄと接続されている。
このように第２実施形態の温度センサ２１では、犠牲電極２７が、保護膜６の上に形成されているので、犠牲電極２７が腐食しても薄膜サーミスタ部３に影響を与えないため、より高い信頼性を得ることができる。
なお、犠牲電極２７は、スルーホールを介さずに保護膜６上を延長してパターン形成し、陽極側パッド部４ｃで陽極側電極４と接続してもよい。
The
As described above, in the
The
次に、第３実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、犠牲電極７が陽極側電極４に隣接して形成されているのに対し、第３実施形態の温度センサ３１では、図３に示すように、犠牲電極３７が、陽極側電極４の直上に形成されている点である。
すなわち、第３実施形態では、ミアンダ状の陽極側電極４上に直接、同形状（ミアンダ状）で犠牲電極３７がパターン形成されて積層されている。
なお、陽極側電極４および犠牲電極３７を、複数の櫛部を有した同形状の櫛型とし、その櫛部を陰極型電極５の櫛部５ａと交互に配して陰極型電極５と互いに組み合うようにしてもよい。
Next, the difference between the third embodiment and the first embodiment is that the
That is, in the third embodiment, the
The anode-side electrode 4 and the
このように第３実施形態の温度センサ３１では、犠牲電極３７が、陽極側電極４の直上に形成されているので、電極全体の小面積化を図ることができ、全体として小型化することが可能になる。
Thus, in the
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
例えば、上記各実施形態では、薄膜サーミスタ部の上に陽極側電極及び陰極側電極が形成されているが、薄膜サーミスタ部の下に陽極側電極及び陰極側電極を形成しても構わない。
また、犠牲電極を薄膜サーミスタ部又は保護膜の上に形成したが、保護膜に接触していると共に陽極側電極に接続されていれば、絶縁性基板上に形成しても構わない。
For example, in each of the above embodiments, the anode side electrode and the cathode side electrode are formed on the thin film thermistor portion, but the anode side electrode and the cathode side electrode may be formed below the thin film thermistor portion.
Further, the sacrificial electrode is formed on the thin film thermistor portion or the protective film, but it may be formed on the insulating substrate as long as it is in contact with the protective film and connected to the anode side electrode.
１，２１，３１…温度センサ、２…絶縁性基板、３…薄膜サーミスタ部、４…陽極側電極、４ａ…平行部、４ｂ…平行部連結部、５…陰極側電極、５ａ…櫛部、６…保護膜、７，２７，３７…犠牲電極、７ａ…突出部 1, 21, 31 ... temperature sensor, 2 ... insulating substrate, 3 ... thin film thermistor part, 4 ... anode side electrode, 4 a ... parallel part, 4 b ... parallel part connection part, 5 ... cathode side electrode, 5 a ... comb part, 6 ... Protective film, 7, 27, 37 ... Sacrificial electrode, 7a ... Protrusion
Claims (6)
前記絶縁性基板の上面にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部の上又は下に互いに対向して形成された陽極側電極及び陰極側電極と、
前記薄膜サーミスタ部の上に前記陽極側電極及び前記陰極側電極を覆って形成された保護膜と、
前記絶縁性基板，前記薄膜サーミスタ部又は前記保護膜の上に形成され前記陽極側電極に接続された犠牲電極とを備え、
前記犠牲電極が、前記保護膜に接触した状態で形成されていると共に、前記陽極側電極と前記陰極側電極との間以外で前記陽極側電極と電気的に接続され、前記陽極側電極よりも標準電極電位が低い金属で形成されていることを特徴とする温度センサ。 An insulating substrate;
A thin film thermistor portion formed of a thermistor material on the upper surface of the insulating substrate;
An anode side electrode and a cathode side electrode formed opposite to each other above or below the thin film thermistor part;
A protective film formed on the thin film thermistor portion so as to cover the anode side electrode and the cathode side electrode;
A sacrificial electrode formed on the insulating substrate, the thin film thermistor portion or the protective film and connected to the anode side electrode;
The sacrificial electrode is formed in contact with the protective film, and is electrically connected to the anode side electrode except between the anode side electrode and the cathode side electrode, than the anode side electrode. A temperature sensor characterized by being formed of a metal having a low standard electrode potential.
前記陽極側電極が、少なくともＣｒで形成されたＣｒ層を有し、
前記犠牲電極が、Ｍｇ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｕ，Ｚｎのうち１種又は２種以上からなることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1,
The anode side electrode has a Cr layer formed of at least Cr,
The temperature sensor, wherein the sacrificial electrode is made of one or more of Mg, Al, Mn, Zr, Ti, U and Zn.
前記陰極側電極が、複数の櫛部を有した櫛型電極であり、
前記陽極側電極が、前記複数の櫛部に沿って延在した複数の平行部と、隣接する前記平行部に接続されている共に前記平行部と直交する方向に延在する複数の平行部連結部とを有したミアンダ状電極であり、
前記犠牲電極が、平面視で前記陽極側電極を挟んで前記陰極側電極とは反対側に配され、隣接する前記平行部の間に突出した複数の突出部を有していることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1 or 2,
The cathode side electrode is a comb-shaped electrode having a plurality of comb portions,
The anode-side electrode has a plurality of parallel portions extending along the plurality of comb portions, and a plurality of parallel portion connecting portions connected to the adjacent parallel portions and extending in a direction perpendicular to the parallel portions. A meandering electrode having
The sacrificial electrode is disposed on the opposite side to the cathode side electrode across the anode side electrode in plan view, and has a plurality of protruding portions protruding between the adjacent parallel portions. Temperature sensor.
前記犠牲電極が、前記陽極側電極の直上に形成されていることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1 or 2,
The temperature sensor, wherein the sacrificial electrode is formed immediately above the anode side electrode.
前記犠牲電極が、前記保護膜の上に形成されていることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to any one of claims 1 to 4,
The temperature sensor, wherein the sacrificial electrode is formed on the protective film.
前記保護膜が、有機材料で形成されていることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to any one of claims 1 to 5,
The temperature sensor, wherein the protective film is made of an organic material.
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| JP2018023247A JP2019138797A (en) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | Temperature sensor |
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|---|---|---|---|---|
| JP2022162300A (en) * | 2021-04-12 | 2022-10-24 | 住友電気工業株式会社 | Temperature measuring device and power transmission facility physical quantity measuring device |
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