JP2019129083A - 点火プラグの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】貴金属チップと電極本体とを溶接する際に、貴金属チップが傾くことを抑制する。【解決手段】貴金属チップと電極本体とを有する電極を備える点火プラグの製造方法は、貴金属チップの面である第１面と、電極本体の面である第２面と、を互いに接触させた状態で、第１面と第２面との接触面に沿う方向であり、レーザ溶接のためのレーザが照射される方向を、第１レーザ照射方向とし、接触面を第１レーザ照射方向に沿って見た場合に接触面を示す線分を、接触線としたとき、第１レーザ照射方向に沿ってレーザを照射して、接触線のうちの両端部を除いた部分をレーザ溶接する第１溶接工程と、第１溶接工程の後に、接触面に沿う方向にレーザを照射して、接触線のうちの両端部の一端と他端とを少なくとも含む部分をレーザ溶接する第２溶接工程と、を備える。【選択図】 図５

Description

本明細書は、内燃機関等において燃料ガスに点火するための点火プラグの製造方法に関する。

点火プラグの電極において、火花が発生するギャップを形成する部分には、従来から耐火花消耗性に優れた貴金属チップが用いられている。該貴金属チップを電極本体に接合する方法には、例えば、レーザ溶接を用いる方法が知られている（例えば、特許文献１）。

特許文献１に開示される技術では、貴金属チップと電極本体との対向面の略全体がレーザ溶接によって接合されている。

特開２０１３−１４９６３１号公報

しかしながら、上記技術では、貴金属チップと電極本体とを溶接する際に、貴金属チップが傾く場合があった。このような傾きは、例えば、溶接によって形成された溶融部が貴金属チップと電極本体との間から押し出されて貴金属チップの放電面やその近傍に付着する不具合（ダレ登りとも呼ぶ）を引き起こし得る。

本明細書は、貴金属チップと電極本体とを溶接する際に、貴金属チップが傾くことを抑制する技術を開示する。

本明細書に開示される技術は、以下の適用例として実現することが可能である。

［適用例１］貴金属チップと電極本体とを有する電極を備える点火プラグの製造方法であって、
前記貴金属チップの面である第１面と、前記電極本体の面である第２面と、を互いに接触させた状態で、前記第１面と前記第２面との接触面に沿う方向であり、レーザ溶接のためのレーザが照射される方向を、第１レーザ照射方向とし、
前記接触面を前記第１レーザ照射方向に沿って見た場合に前記接触面を示す線分を、接触線としたとき、
前記第１レーザ照射方向に沿って前記レーザを照射して、前記接触線のうちの両端部を除いた部分をレーザ溶接する第１溶接工程と、
前記第１溶接工程の後に、前記接触面に沿う方向に前記レーザを照射して、前記接触線のうちの前記両端部の一端と他端とを少なくとも含む部分をレーザ溶接する第２溶接工程と、
を備える、製造方法。

上記構成によれば、接触線のうちの両端部を除いた部分を溶接する第１溶接工程と、接触線のうちの両端部のそれぞれの端を少なくとも含む部分を溶接する第２溶接工程と、に分けて、貴金属チップと電極本体との溶接を行うので、接触面の大部分が同時に溶融状態になることを抑制できる。この結果、貴金属チップと電極本体とを溶接する際に、貴金属チップが傾くことを抑制することができる。

［適用例２］適用例１に記載の製造方法であって、
前記第２溶接工程において前記一端を含む部分と前記他端を含む部分とのうちの少なくとも一方を溶接する際に照射されるレーザの走査長当たりのエネルギーは、前記第１溶接工程におけるレーザの走査長当たりのエネルギーよりも小さい、製造方法。

上記構成によれば、過度に溶融量が大きくなることを抑制できるので、ダレ登りを抑制できる。

［適用例３］適用例１または２に記載の製造方法であって、
前記第２溶接工程にて前記一端を含む部分に形成される第２の溶融部と前記他端を含む部分に形成される第３溶融部のうち、少なくとも一方の前記第１レーザ照射方向の長さは、前記第１溶接工程にて形成される第１溶融部の前記第１レーザ照射方向の長さよりも短い、製造方法。

上記構成によれば、過度に溶融量が大きくなることをさらに抑制できるので、ダレ登りを抑制できる。

［適用例４］適用例１〜３のいずれかに記載の製造方法であって、
前記接触線のうち、前記第１溶接工程にて溶接される部分の線長は、前記接触線のうち、前記第２溶接工程にて溶接される前記一端を含む部分の線長および前記他端を含む部分の線長よりも長い、製造方法。

上記構成によれば、第１溶接工程にて貴金属チップを電極本体に十分に固定できるので、第２溶接工程での溶接時に貴金属チップが傾くことを抑制できる。

［適用例５］適用例１〜４のいずれかに記載の製造方法であって、
前記第２溶接工程におけるレーザ照射方向は、前記第１レーザ照射方向に沿う方向である、製造方法。

上記構成によれば、同じ側からレーザを照射することで、容易に、貴金属チップと、電極本体と、を接合できる。

［適用例６］適用例１〜４のいずれかに記載の製造方法であって、
前記第２溶接工程におけるレーザ照射方向は、前記第１レーザ照射方向と交差する方向である、製造方法。

上記構成によれば、第２溶接工程におけるレーザ照射方向は、第１レーザ照射方向と交差するので、例えば、剥離が起きやすい部位（例えば、貴金属チップの縁）を溶接しつつ、他の部位を溶接しないことによって、溶融量を抑制できるので、ダレ登りをさらに抑制できる。

［適用例７］適用例１〜６のいずれかに記載の製造方法であって、
前記第２溶接工程にて前記一端を含む部分に形成される第２の溶融部と前記他端を含む部分に形成される第３の溶融部のうち、少なくとも一方は、前記第１溶接工程にて形成される第１溶融部と、離れている、製造方法。

上記構成によれば、過度に溶融量が大きくなることを抑制できるので、ダレ登りを抑制できる。

［適用例８］適用例１〜６のいずれかに記載の製造方法であって、
前記第１溶接工程と前記第２溶接工程とによって、前記接触線の全てが溶接される、製造方法。

上記構成によれば、特に強固に、貴金属チップと電極本体とを接合できる。

［適用例９］適用例１〜６、８のいずれかに記載の製造方法であって、
前記第１溶接工程と前記第２溶接工程とによって、前記接触面の全面が溶接されている、製造方法。

上記構成によれば、特に強固に、貴金属チップと電極本体とを接合できる。

［適用例１０］適用例１〜９のいずれかに記載の製造方法であって、
前記第２溶接工程にて前記一端を含む部分に形成される第２の溶融部と、前記他端を含む部分に形成される第３溶融部と、の少なくとも一方は、前記貴金属チップの前記第１レーザ照射方向の全長に亘って形成されている、製造方法。

上記構成によれば、十分な強度で、貴金属チップと電極本体とを接合できる。

［適用例１１］適用例１〜１０のいずれかに記載の製造方法であって、
前記第１溶融部は、前記貴金属チップの前記第１レーザ照射方向の全長に亘って形成されている、製造方法。

上記構成によれば、さらに強固に、貴金属チップと電極本体とを接合できる。

なお、本明細書に開示される技術は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、点火プラグの電極と貴金属チップの溶接方法、点火プラグの電極の製造方法等の態様で実現することができる。

本実施形態の点火プラグ１００の断面図である。 第１実施形態の接地電極３０の接地電極チップ３９近傍の構成を示す図である。 接地電極３０の製造方法のフローチャートである。 接地電極３０の製造方法の説明図である。 Ｓ３０における接地電極チップ３９と接地電極本体３１との接触状態の説明図である。 第１溶接工程の説明図である。 第１実施形態の一端部ＴＰの溶接工程の説明図である。 第１実施形態の他端部ＯＰの溶接工程の説明図である。 第２実施形態の一端部ＴＰの溶接工程の説明図である。 第２実施形態の他端部ＯＰの溶接工程の説明図である。 変形例の接地電極３０Ｃの説明図である。

Ａ．第１実施形態：
Ａ−１．点火プラグの構成：
図１は本実施形態の点火プラグ１００の断面図である。図１の一点破線は、点火プラグ１００の軸線ＣＯ（軸線ＣＯとも呼ぶ）を示している。軸線ＣＯと平行な方向（図１の上下方向）を軸線方向とも呼ぶ。軸線ＣＯを中心とする円の径方向を、単に「径方向」とも呼び、軸線ＣＯを中心とする円の周方向を、単に「周方向」とも呼ぶ。図１における下方向を先端方向ＦＤと呼び、上方向を後端方向ＢＤとも呼ぶ。図１における下側を、点火プラグ１００の先端側と呼び、図１における上側を点火プラグ１００の後端側と呼ぶ。

点火プラグ１００は、詳細は後述する中心電極２０と接地電極３０との間に形成される間隙（火花ギャップ）に、火花放電を発生させる。点火プラグ１００は、内燃機関に取り付けられ、内燃機関の燃焼室内の燃料ガスに着火するために用いられる。点火プラグ１００は、絶縁体としての絶縁体１０と、中心電極２０と、接地電極３０と、端子金具４０と、主体金具５０と、を備える。

絶縁体１０は、アルミナ等を焼成して形成されている。絶縁体１０は、軸線方向に沿って延び、絶縁体１０を貫通する貫通孔である軸孔１２を有する略円筒形状の部材である。絶縁体１０は、鍔部１９と、後端側胴部１８と、先端側胴部１７と、段部１５と、脚長部１３と、を備えている。後端側胴部１８は、鍔部１９より後端側に位置し、鍔部１９の外径より小さな外径を有している。先端側胴部１７は、鍔部１９より先端側に位置し、鍔部１９の外径より小さな外径を有している。脚長部１３は、先端側胴部１７より先端側に位置し、先端側胴部１７の外径よりも小さな外径を有している。脚長部１３は、点火プラグ１００が内燃機関（図示せず）に取り付けられた際には、その燃焼室に曝される。段部１５は、脚長部１３と先端側胴部１７との間に形成されている。

主体金具５０は、導電性の金属材料（例えば、低炭素鋼材）で形成され、内燃機関のエンジンヘッド（図示省略）に点火プラグ１００を固定するための円筒状の金具である。主体金具５０は、軸線ＣＯに沿って貫通する貫通孔５９が形成されている。主体金具５０は、絶縁体１０の径方向の周囲（すなわち、外周）に配置される。すなわち、主体金具５０の貫通孔５９内に、絶縁体１０が挿入・保持されている。絶縁体１０の先端は、主体金具５０の先端より先端側に突出している。絶縁体１０の後端は、主体金具５０の後端より後端側に突出している。

主体金具５０は、点火プラグレンチが係合する六角柱形状の工具係合部５１と、内燃機関に取り付けるための取付ネジ部５２と、工具係合部５１と取付ネジ部５２との間に形成された鍔状の座部５４と、を備えている。取付ネジ部５２の呼び径は、例えば、Ｍ８（８ｍｍ（ミリメートル））、Ｍ１０、Ｍ１２、Ｍ１４、Ｍ１８のいずれかとされている。

主体金具５０の取付ネジ部５２と座部５４との間には、金属板を折り曲げて形成された環状のガスケット５が嵌挿されている。ガスケット５は、点火プラグ１００が内燃機関に取り付けられた際に、点火プラグ１００と内燃機関（エンジンヘッド）との隙間を封止する。

主体金具５０は、さらに、工具係合部５１の後端側に設けられた薄肉の加締部５３と、座部５４と工具係合部５１との間に設けられた薄肉の圧縮変形部５８と、を備えている。主体金具５０における工具係合部５１から加締部５３に至る部位の内周面と、絶縁体１０の後端側胴部１８の外周面との間に形成される環状の領域には、環状のリング部材６、７が配置されている。当該領域における２つのリング部材６、７の間には、タルク（滑石）９の粉末が充填されている。加締部５３の後端は、径方向内側に折り曲げられて、絶縁体１０の外周面に固定されている。主体金具５０の圧縮変形部５８は、製造時において、絶縁体１０の外周面に固定された加締部５３が先端側に押圧されることにより、圧縮変形する。圧縮変形部５８の圧縮変形によって、リング部材６、７およびタルク９を介し、絶縁体１０が主体金具５０内で先端側に向け押圧される。これにより、金属製の環状の板パッキン８を介して、主体金具５０の取付ネジ部５２の内周に形成された段部５６（金具側段部）によって、絶縁体１０の段部１５（絶縁体側段部）が押圧される。この結果、内燃機関の燃焼室内のガスが、主体金具５０と絶縁体１０との隙間から外部に漏れることが、板パッキン８によって防止される。

中心電極２０は、軸線方向に延びる棒状の中心電極本体２１と、中心電極チップ２９と、を備えている。中心電極本体２１は、絶縁体１０の軸孔１２の内部の先端側の部分に保持されている。中心電極本体２１は、電極母材２１Ａと、電極母材２１Ａの内部に埋設された芯部２１Ｂと、を含む構造を有する。電極母材２１Ａは、例えば、ニッケルまたはニッケルを主成分とする合金（例えば、ＮＣＦ６００、ＮＣＦ６０１）を用いて形成されている。芯部２１Ｂは、電極母材２１Ａを形成する合金よりも熱伝導性に優れる銅または銅を主成分とする合金、本実施形態では、銅で形成されている。

また、中心電極本体２１は、軸線方向の所定の位置に設けられた鍔部２４（フランジ部とも呼ぶ。）と、鍔部２４よりも後端側の部分である頭部２３（電極頭部）と、鍔部２４よりも先端側の部分である脚部２５（電極脚部）と、を備えている。鍔部２４は、絶縁体１０の段部１６に支持されている。脚部２５の先端部分、すなわち、中心電極本体２１の先端は、絶縁体１０の先端より先端側に突出している。

中心電極チップ２９は、略円柱形状を有する部材であり、中心電極本体２１の先端（脚部２５の先端）に、例えば、レーザ溶接を用いて、接合されている。中心電極チップ２９の先端面は、後述する接地電極チップ３９との間で火花ギャップを形成する第１放電面２９５である。中心電極チップ２９は、高融点の貴金属を主成分とする材料で形成されている。中心電極チップ２９は、例えば、イリジウム（Ｉｒ）やＩｒなどの貴金属、または、該貴金属を主成分とする合金を用いて形成された貴金属チップである。

接地電極３０は、主体金具５０の先端に接合された接地電極本体３１と、四角柱形状の接地電極チップ３９と、を備えている。接地電極本体３１は、断面が四角形の湾曲した棒状体である。接地電極本体３１は、両端面として、自由端面３１１と、接合端面３１２と、を有している。接合端面３１２は、主体金具５０の先端面５０Ａに、例えば、抵抗溶接によって、接合されている。これによって、主体金具５０と接地電極本体３１とは、電気的に接続される。

接地電極本体３１は、例えば、ニッケルまたはニッケルを主成分とする合金（例えば、ＮＣＦ６００、ＮＣＦ６０１）を用いて形成されている。接地電極本体３１は、耐腐食性の高い金属（例えば、ニッケル合金）で形成された母材と、熱伝導性が高い金属（例えば、銅）を用いて形成され、母材に埋設された芯部と、を含む２層構造を有しても良い。接地電極チップ３９は、中心電極チップ２９と同様に、イリジウム（Ｉｒ）やＩｒなどの貴金属、または、該貴金属を主成分とする合金を用いて形成された貴金属チップである。

端子金具４０は、軸線方向に延びる棒状の部材である。端子金具４０は、導電性の金属材料（例えば、低炭素鋼）で形成され、端子金具４０の表面には、防食のための金属層（例えば、Ｎｉ層）がめっきなどによって形成されている。端子金具４０は、軸線方向の所定位置に形成された鍔部４２（端子顎部）と、鍔部４２より後端側に位置するキャップ装着部４１と、鍔部４２より先端側の脚部４３（端子脚部）と、を備えている。端子金具４０のキャップ装着部４１は、絶縁体１０より後端側に露出している。端子金具４０の脚部４３は、絶縁体１０の軸孔１２に挿入されている。キャップ装着部４１には、高圧ケーブル（図示外）が接続されたプラグキャップが装着され、火花放電を発生するための高電圧が印加される。

絶縁体１０の軸孔１２内において、端子金具４０の先端（脚部４３の先端）と中心電極２０の後端（頭部２３の後端）との間には、火花発生時の電波ノイズを低減するための抵抗体７０が配置されている。抵抗体７０は、例えば、主成分であるガラス粒子と、ガラス以外のセラミック粒子と、導電性材料と、を含む組成物で形成されている。軸孔１２内において、抵抗体７０と中心電極２０との隙間は、導電性シール６０によって埋められている。抵抗体７０と端子金具４０との隙間は、導電性シール８０によって埋められている。導電性シール６０、８０は、例えば、Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系等のガラス粒子と金属粒子（Ｃｕ、Ｆｅなど）とを含む組成物で形成されている。

Ａ−２． 接地電極３０の接地電極チップ３９近傍の構成：
接地電極３０の接地電極チップ３９近傍の構成について、さらに、詳細に説明する。図２は、第１実施形態の接地電極３０の接地電極チップ３９近傍の構成を示す図である。図２（Ａ）には、点火プラグ１００の先端近傍を特定面で切断した断面ＣＦが示されている。接地電極チップ３９の後端面は、中心電極チップ２９の第１放電面２９５（図１）と対向する第２放電面３９５である。図２（Ａ）の断面ＣＦは、第２放電面３９５の重心ＧＣを通り、かつ、第２放電面３９５と垂直で、かつ、棒状の接地電極本体３１の軸線と平行な断面である。本実施形態では、第２放電面３９５の重心ＧＣを通り、かつ、第２放電面３９５と垂直な線は、点火プラグ１００の軸線ＣＯと一致するので、図２（Ａ）の断面ＣＦは、点火プラグ１００の軸線ＣＯを通り、かつ、棒状の接地電極本体３１の軸線と平行な断面である、とも言うことができる。

図２（Ｂ）には、接地電極チップ３９の第２放電面３９５の近傍を、軸線方向に沿って後端方向ＢＤから先端方向ＦＤに向かって見た図が示されている。

図２（Ｂ）の一点破線は、図２（Ａ）の断面ＣＦを示している。第２放電面３９５の重心ＧＣから、第２放電面３９５に沿って自由端面３１１に向かう方向、すなわち、図２（Ａ）、（Ｂ）の左方向を、第１方向Ｄ１とする。第２放電面３９５の重心ＧＣから、第２放電面３９５に沿って自由端面３１１から離れる方向、すなわち、第１方向Ｄ１の反対方向を、第２方向Ｄ２とする。

接地電極本体３１の自由端面３１１と交差する４つの側面のうち、第１放電面２９５と対向する側面を、側面３１５とする。接地電極本体３１の４つの側面のうち、側面３１５と交差する２個の側面、すなわち、図２（Ｂ）の上下方向に位置する側面を、側面３１３、３１４とする。そして、第２放電面３９５の重心ＧＣから、側面３１３に向かう方向、すなわち、図２（Ｂ）の下方向を、第３方向Ｄ３とし、第３方向Ｄ３の反対方向を、第４方向Ｄ４とする。

接地電極チップ３９は、軸線方向に沿って見た形状が四角形（本実施形態では正方形）の板部材である。該四角形の一辺の長さＷ、すなわち、接地電極チップ３９の第１方向Ｄ１の長さ、および、第３方向Ｄ３の長さは、例えば、１．５ｍｍ〜２．０ｍｍである。接地電極チップ３９の軸線方向の平均の平均厚さ（軸線方向の長さの平均）は、例えば、０．２ｍｍ〜１．０ｍｍである。

接地電極チップ３９は、接地電極本体３１の自由端面３１１の近傍において、側面３１５に沿って配置されている。具体的には、接地電極本体３１の自由端面３１１の近傍には、側面３１５より先端方向ＦＤに凹んだ凹部３１６が形成されている。接地電極チップ３９の第２放電面３９５とは反対側の部分（先端方向ＦＤ側の部分）は、凹部３１６に配置されている。接地電極チップ３９の第２放電面３９５は、接地電極本体３１の側面３１５よりも、後端方向ＢＤに位置している。軸線方向に沿って見た凹部３１６の形状は、図２（Ｂ）に示すように、軸線方向に沿って見た接地電極チップ３９の形状（本実施形態では、四角形）より僅かに大きな略相似形（本実施形態では、四角形）である。

図２（Ａ）の断面ＣＦに示すように、接地電極チップ３９の第１方向Ｄ１の側面３９１は、接地電極本体３１の自由端面３１１より第２方向Ｄ２に位置している。

接地電極チップ３９は、接地電極本体３１に対して、レーザ溶接によって接合されている。このために、接地電極チップ３９と接地電極本体３１との間には、レーザ溶接によって形成された溶融部３５が配置されている。溶融部３５は、溶接前の接地電極チップ３９の一部分と、接地電極本体３１の一部分と、が溶融・凝固した部分である。このために、溶融部３５は、接地電極チップ３９の成分と、接地電極本体３１の成分と、を含んでいる。溶融部３５は、接地電極チップ３９と接地電極本体３１とを接合する接合部、とも言うことができ、接地電極チップ３９と接地電極本体３１とを接合するビード、とも言うことができる。

図２（Ｂ）において、ハッチングされた領域は、溶融部３５を示している。図２（Ｂ）から解るように、軸線方向に沿って見た溶融部３５の形状は、軸線方向に沿って見た接地電極チップ３９の形状（本実施形態では、四角形）より大きく、かつ、軸線方向に沿って見た凹部３１６の形状より僅かに大きい略矩形である。そして、溶融部３５の４つの方向Ｄ１〜Ｄ４の端３５１〜３５４は、接地電極チップ３９の対応する側面３９１〜３９４より径方向の外側に位置している。溶融部３５の後端方向ＢＤ側は、接地電極チップ３９の第２放電面３９５の反対側の面（先端方向ＦＤの面）の全体と接触している。つまり、接地電極チップ３９の第２放電面３９５の反対側の面（先端方向ＦＤの面）の全てが、接地電極本体３１に溶接されている。

図２（Ａ）に示すように、溶融部３５の第１方向Ｄ１の端３５１（露出端３５１とも呼ぶ）は、接地電極本体３１の自由端面３１１に露出している。溶融部３５の第２方向Ｄ２、第３方向Ｄ３、第４方向Ｄ４の端３５２、３５３、３５４は、接地電極本体３１の表面（例えば、側面３１３、３１４）に露出していない。これは、後述するように、レーザ溶接が行われて、溶融部３５が形成される際に、レーザが、自由端面３１１より第１方向Ｄ１側から、第２方向Ｄ２に向かって、照射されるからである。図２（Ａ）に示すように、溶融部３５の厚さ（軸線方向の長さ）は、露出端３５１の近傍では他の部分より厚いが、他の部分では概ね一定となっている。

Ｂ：製造方法
点火プラグ１００の製造方法について、接地電極３０の製造方法を中心に説明する。図３は、接地電極３０の製造方法のフローチャートである。図４は、接地電極３０の製造方法の説明図である。先ず、曲げられる前の棒状の接地電極本体３１が準備される。そして、接地電極本体３１に溶接される前の接地電極チップ３９が準備される。

Ｓ１０では、接地電極本体３１の側面３１５に、接地電極チップ３９を溶接する凹部３１６が形成される。具体的には、図４（Ａ）に示すように、接地電極本体３１の側面３１５における自由端面３１１の近傍部分に、形成すべき凹部３１６に対応する形状を有する押圧部材２００が、例えば、所定のプレス機を用いて、押圧される。これによって、図４（Ｂ）に示すように、凹部３１６が形成される。

Ｓ２０では、図４（Ｃ）に示すように、接地電極本体３１に形成された凹部３１６内に、溶接前の四角柱状の接地電極チップ３９が配置される。この状態では、接地電極チップ３９の先端側の面３９Ｓと、凹部３１６の底面３１６Ｓと、が互いに接触する。

Ｓ３０では、押さえ部材５００によって、接地電極本体３１に対して、接地電極チップ３９が固定される。具体的には、図４（Ｃ）に示すように、押さえ部材５００によって、接地電極チップ３９が、第２放電面３９５側から後端方向ＢＤ（図４（Ｃ）の下方向）に押さえられる。これによって、接地電極チップ３９の先端側の面３９Ｓと、接地電極本体３１の凹部３１６の底面３１６Ｓと、を互いに接触させた状態で、接地電極チップ３９と、接地電極本体３１と、が固定される。

図５は、Ｓ３０における接地電極チップ３９と接地電極本体３１との接触状態の説明図である。図５（Ａ）には、Ｓ３０の時点における接地電極３０の接地電極チップ３９の第２放電面３９５の近傍を、軸線方向に沿って後端方向ＢＤから先端方向ＦＤに向かって見た図が示されている。図５（Ｂ）には、図５（Ａ）の接地電極チップ３９の近傍を、第２方向Ｄ２に沿って第１方向Ｄ１側から第２方向Ｄ２に向かって見た図が示されている。図５（Ａ）においてハッチングで示す領域は、Ｓ３０の時点での接地電極チップ３９の先端側の面３９Ｓと凹部３１６の底面３１６Ｓとの接触面、すなわち、接地電極チップ３９と接地電極本体３１との間の接合すべき面（チップ接触面ＢＳ）を示している。ここで、図５（Ｂ）において、チップ接触面ＢＳを示す線分をチップ接触線ＣＬとする。図５（Ｂ）におけるチップ接触線ＣＬの第４方向Ｄ４の端をチップ接触線ＣＬの一端Ｐｔとし、チップ接触線ＣＬの第３方向Ｄ３の端をチップ接触線ＣＬの他端Ｐｏとする。チップ接触線ＣＬの長さをＷとする。

Ｓ４０では、レーザ溶接のためのレーザを照射して、チップ接触線ＣＬのうちの中央部ＣＰが溶接される。図５（Ｂ）に示すように、中央部ＣＰは、チップ接触線ＣＬのうちの両端部、すなわち、一端Ｐｔを含む一端部ＴＰと他端Ｐｏを含む他端部ＯＰとを除いた部分である。中央部ＣＰの第３方向Ｄ３の長さをＷ１とし、一端部ＴＰの第３方向Ｄ３の長さをＷ２とし、他端部ＯＰの第３方向Ｄ３の長さをＷ３とする。

Ｓ４０での溶接工程を、第１溶接工程とも呼ぶ。なお、本実施形態では、レーザとしてファイバレーザが用いられる。ファイバレーザは、例えば、ＹＡＧレーザと比較して、集光性が高いために、形成できる溶融部３５の形状の自由度が高いので、図２に示すように、厚さが比較的薄く、かつ、軸線と垂直な方向（第１方向Ｄ１）の長さが比較的長い形状の溶融部３５を形成できる。

図６は、第１溶接工程の説明図である。図６（Ａ）には、第１溶接工程を終えた時点における接地電極３０の接地電極チップ３９の第２放電面３９５の近傍を、軸線方向に沿って後端方向ＢＤから先端方向ＦＤに向かって見た図が示されている。図６（Ｂ）には、図６（Ａ）の接地電極チップ３９の近傍を、第２方向Ｄ２に沿って第１方向Ｄ１側から第２方向Ｄ２に向かって見た図が示されている。ここで、第１溶接工程においてレーザ溶接のためのレーザが照射される方向（第１レーザ照射方向とも呼ぶ）は、第２方向Ｄ２であるので、図６（Ｂ）は、第１レーザ照射方向に沿ってチップ接触面ＢＳを含む部分を見た図である、とも言うことができる。第１レーザ照射方向は、チップ接触面ＢＳに沿う方向である。

図６（Ａ）のレーザＬＺ１は、第１溶接工程の開始時点におけるレーザを示し、レーザＬＺ２は、第１溶接工程の終了時点におけるレーザを示している。図６（Ｂ）の点Ｐ１は、第１溶接工程の開始時点におけるレーザの照射位置を示し、点Ｐ２は、第１溶接工程の終了時点におけるレーザの照射位置を示している。第１溶接工程では、チップ接触面ＢＳに沿って、位置Ｐ１から位置Ｐ２まで照射位置を移動しながら、レーザが連続して照射される。このように照射位置を移動しながら、レーザの連続照射を行うレーザ溶接を、連続照射溶接とも呼ぶ。位置Ｐ１から位置Ｐ２までの照射位置の移動を第１レーザ走査ＳＣ１とも呼ぶ。レーザは、図６（Ａ）に示すように、自由端面３１１より第１方向Ｄ１側から、第２方向Ｄ２に照射される。第１レーザ走査ＳＣ１の走査方向は、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第４方向Ｄ４である。

図６（Ａ）、（Ｂ）においてハッチングされた領域は、第１溶接工程において形成される第１溶融部３５ａを示している。以下、図７〜１１においてもハッチングされた領域は、溶融部を示す。第１溶融部３５ａによって、チップ接触線ＣＬのうちの中央部ＣＰが溶接されていることが解る。この時点では、チップ接触線ＣＬのうちの一端部ＴＰと他端部ＯＰとが溶接されていないので、チップ接触面ＢＳの全体が溶融部になっていない。したがって、この時点で、接地電極チップ３９が先端方向ＦＤに沈み込むことが抑制される。

第１溶融部３５ａは、図６に示すように、接地電極チップ３９の第１レーザ照射方向（第２方向Ｄ２）の全長に亘って形成されている。

第１溶接工程後のＳ５０では、レーザの照射を所定時間が所定時間だけ停止される。本実施形態では、レーザの走査とレーザの出力との両方が停止される。停止時間は、例えば、０．０１〜５秒である。この停止時間に、第１溶接工程によって形成された第１溶融部３５ａの凝固が進み、接地電極チップ３９の第３方向Ｄ３の中央部分が第１溶融部３５ａによって接地電極本体３１に対して固定される。

Ｓ６０では、レーザを照射して、チップ接触線ＣＬのうちの一端部ＴＰが溶接される。

図７は、第１実施形態の一端部ＴＰの溶接工程の説明図である。図７（Ａ）には、一端部ＴＰの溶接工程を終えた時点における接地電極３０の接地電極チップ３９の第２放電面３９５の近傍を、軸線方向に沿って後端方向ＢＤから先端方向ＦＤに向かって見た図が示されている。図７（Ｂ）には、図７（Ａ）の接地電極チップ３９の近傍を、第１方向Ｄ１に沿って第１方向Ｄ１側から第２方向Ｄ２に向かって見た図が示されている。

図７（Ａ）のレーザＬＺ２は、一端部ＴＰの溶接工程の開始時点におけるレーザを示し、レーザＬＺ３は、一端部ＴＰの溶接工程の終了時点におけるレーザを示している。一端部ＴＰの溶接工程では、第１溶接工程の終了時点におけるレーザの照射位置Ｐ２から、チップ接触線ＣＬの一端Ｐｔまで、レーザが照射される。

一端部ＴＰの溶接工程では、第１溶接工程と同様に、チップ接触面ＢＳに沿って、位置Ｐ２から位置Ｐｔまで照射位置を移動しながら、レーザが連続して照射される。すなわち、位置Ｐ２から位置Ｐｔまで連続照射溶接が行われる。位置Ｐ２から位置Ｐｔまでの照射位置の移動を第２のレーザ走査ＳＣ２とも呼ぶ。レーザの照射方向は、第１溶接工程と同じ方向（第２方向Ｄ２）であり、第２のレーザ走査ＳＣ２の走査方向は、第１溶接工程と同じ方向（第４方向Ｄ４）である（図７）。

図７（Ａ）、（Ｂ）には、一端部ＴＰの溶接工程によって形成される第２溶融部３５ｂが図示されている。第２溶融部３５ｂの第３方向Ｄ３の端は、第１溶融部３５ａと重なっている。また、第２溶融部３５ｂの第４方向Ｄ４の端は、最終的に形成すべき溶融部３５（図２）のうちの第４方向Ｄ４の端３５４である。

第２溶融部３５ｂは、接地電極チップ３９の第１レーザ照射方向（第２方向Ｄ２）の全長に亘って形成されている。第２溶融部３５ｂの第１レーザ照射方向の長さＬ２は、第１溶融部３５ａの第１レーザ照射方向の長さＬ１よりも短い。これは、一端部ＴＰの溶接工程において照射されるレーザの走査長当たりのエネルギーを、第１溶接工程におけるレーザの走査長当たりのエネルギーよりも十分に小さくすることによって実現される。

Ｓ７０では、レーザを照射して、チップ接触線ＣＬのうちの他端部ＯＰが溶接される。

図８は、第１実施形態の他端部ＯＰの溶接工程の説明図である。図８（Ａ）には、他端部ＯＰの溶接工程を終えた時点における接地電極３０の接地電極チップ３９の第２放電面３９５の近傍を、軸線方向に沿って後端方向ＢＤから先端方向ＦＤに向かって見た図が示されている。図８（Ｂ）には、図８（Ａ）の接地電極チップ３９の近傍を、第１方向Ｄ１に沿って第１方向Ｄ１側から第２方向Ｄ２に向かって見た図が示されている。

図８（Ａ）のレーザＬＺ１は、他端部ＯＰの溶接工程の開始時点におけるレーザを示し、レーザＬＺ４は、他端部ＯＰの溶接工程の終了時点におけるレーザを示している。他端部ＯＰの溶接工程では、第１溶接工程の開始時点におけるレーザの照射位置Ｐ１から、チップ接触線ＣＬの他端Ｐｏまで、レーザが照射される。

他端部ＯＰの溶接工程では、チップ接触面ＢＳに沿って、位置Ｐ１から位置Ｐｏまで照射位置を移動しながら、レーザが連続して照射される。すなわち、位置Ｐ１から位置Ｐｏまで連続照射溶接が行われる。位置Ｐ１から位置Ｐｏまでの照射位置の移動を第３レーザ走査ＳＣ３とも呼ぶ。レーザの照射方向は、第１溶接工程と同じ方向（第２方向Ｄ２）であり、第３レーザ走査ＳＣ３の走査方向は、第１溶接工程の反対方向（第３方向Ｄ３）である（図８）。

図８（Ａ）、（Ｂ）には、他端部ＯＰの溶接工程によって形成される第３溶融部３５ｃが図示されている。第３溶融部３５ｃの第４方向Ｄ４の端は、第１溶融部３５ａと重なっている。また、第３溶融部３５ｃの第３方向Ｄ３端は、最終的に形成すべき溶融部３５（図２）のうちの第３方向Ｄ３の端３５３である。

第３溶融部３５ｃは、接地電極チップ３９の第１レーザ照射方向（第２方向Ｄ２）の全長に亘って形成されている。第３溶融部３５ｃの第１レーザ照射方向の長さＬ３は、第１溶融部３５ａの第１レーザ照射方向の長さＬ１よりも短く、第２溶融部３５ｂの第１レーザ照射方向の長さＬ２と同等である。これは、他端部ＯＰの溶接工程において照射されるレーザの走査長当たりのエネルギーを、第１溶接工程におけるレーザの走査長当たりのエネルギーよりも十分に小さくすることによって実現される。

他端部ＯＰの溶接工程が終了すると、接地電極本体３１と接地電極チップ３９との溶接が完了する。ここで、Ｓ６０の一端部ＴＰの溶接工程とＳ７０の他端部ＯＰの溶接工程との全体を、第２溶接工程とも呼ぶ。

以上説明した接地電極本体３１と接地電極チップ３９との溶接は、例えば、主体金具５０に棒状の接地電極本体３１が溶接された後に、行われる。これに代えて、接地電極本体３１と接地電極チップ３９とが溶接された後に、主体金具５０に接地電極本体３１が溶接されても良い。

この後、絶縁体１０と中心電極２０と導電性シール６０と抵抗体７０と導電性シール８０と端子金具４０とを有する組立体が、公知の方法で作成される。例えば、中心電極２０、導電性シール６０の材料、抵抗体７０の材料、導電性シール８０の材料を、絶縁体１０の軸孔１２に、後端方向ＢＤ側から、この順番に挿入する。そして、絶縁体１０を加熱した状態で端子金具４０を軸孔１２に後端方向ＢＤ側から挿入することによって、組立体が製造される。

さらに、主体金具５０に組立体が固定される。具体的には、主体金具５０の貫通孔５９内に、組立体と、タルク９と、リング部材６、７とが配置される。絶縁体１０の段部１５と主体金具５０の段部５６との間には、板パッキン８が介在される。そして、主体金具５０の加締部５３を内側に折り曲げるように加締めることによって、主体金具５０と絶縁体１０とが組み付けられる。そして、棒状の接地電極３０が曲げられて、中心電極チップ２９と接地電極チップ３９との間のギャップが形成される。以上により、点火プラグ１００が完成する。

以上説明した本実施形態の点火プラグ１００の製造方法は、第１レーザ照射方向に沿ってレーザを照射して、チップ接触線ＣＬのうちの両端部（一端部ＴＰおよび他端部ＯＰ）を除いた中央部ＣＰをレーザ溶接する第１溶接工程（図３のＳ３０）と、第１溶接工程の後に、チップ接触面ＢＳに沿う方向にレーザを照射して、チップ接触線ＣＬのうちの一端部ＴＰと他端部ＯＰとをレーザ溶接する第２溶接工程（図３のＳ６０、Ｓ７０）と、を備える。このように、第１溶接工程と、第２溶接工程と、に分けて、接地電極チップ３９と接地電極本体３１との溶接を行うので、チップ接触面ＢＳの大部分が同時に溶融状態になることを抑制できる。この結果、接地電極チップ３９と接地電極本体３１とを溶接する際に、接地電極チップ３９が傾くことを抑制することができる。具体的には、第１溶接工程の際には、チップ接触面ＢＳのうち、第３方向Ｄ３の両端部分が溶融していないので、接地電極チップ３９が傾くことを抑制できる。そして、第２溶接工程の際には、第１溶接工程において形成された第１溶融部３５ａが、ある程度、凝固しているので、接地電極チップ３９が傾くことを抑制できる。

さらに、本実施形態では、第２溶接工程において一端部ＴＰと他端部ＯＰとを溶接する際に照射されるレーザの走査長当たりのエネルギーは、第１溶接工程におけるレーザの走査長当たりのエネルギーよりも小さい。この結果、過度に溶融量が大きくなることを抑制できるので、ダレ登りを抑制できる。例えば、第１溶接工程を実行して第１溶融部３５ａが形成されると、レーザのエネルギーによってチップ接触面ＢＳの近傍の温度が上昇するので、第２溶接工程におけるレーザの走査長当たりのエネルギーが、第１溶接工程における走査長当たりのエネルギーよりも小さくても、十分に第２溶融部３５ｂおよび第３溶融部３５ｃを形成することができる。仮に、第２溶接工程におおけるレーザの走査長当たりのエネルギーが、第１溶接工程における走査長当たりのエネルギー以上であると、第２溶融部３５ｂおよび第３溶融部３５ｃの溶融量が大きくなり、ダレ登りが発生し得る。

さらに、本実施形態によれば、第２溶接工程にて形成される第２溶融部３５ｂと第３溶融部３５ｃの第１レーザ照射方向の長さＬ２、Ｌ３は、第１溶接工程にて形成される第１溶融部３５ａの第１レーザ照射方向の長さＬ１よりも短い（図７、図８）。この結果、溶融部３５において、過度に溶融量が大きくなることをさらに抑制できるので、ダレ登りを抑制できる。

さらに、上記実施形態では、チップ接触線ＣＬのうち、第１溶接工程にて溶接される中央部ＣＰの線長Ｗ１は、チップ接触線ＣＬのうち、第２溶接工程にて溶接される一端部ＴＰの線長Ｗ２および他端部ＯＰの線長Ｗ３よりも長い。この構成によれば、第１溶接工程にて接地電極チップ３９を接地電極本体３１に十分に強固に固定できるので、第２溶接工程での溶接時に接地電極チップ３９が傾くことを抑制できる。

さらに、本実施形態では、第２溶接工程におけるレーザ照射方向（第２方向Ｄ２）は、第１レーザ照射方向（第２方向Ｄ２）に沿う方向である。この結果、同じ側から（具体的には、自由端面３１１よりも第１方向Ｄ１側から）レーザを照射することで、容易に、接地電極チップ３９と接地電極本体３１とを接合できる。

さらに、上記実施形態では、第１溶接工程と第２溶接工程とによって、チップ接触線ＣＬの全てが溶接される（図８）。この結果、特に、強固に、接地電極チップ３９と接地電極本体３１とを接合できる。

さらに、上記実施形態では、第２溶接工程にて形成される第２溶融部３５ｂと第３溶融部３５ｃとは、接地電極チップ３９の第１レーザ照射方向の全長に亘って形成されている。この結果、十分な強度で、接地電極チップ３９と接地電極本体３１とを接合できる。仮に、チップ接触線ＣＬの一端部ＴＰや他端部ＯＰの一部分において、接地電極チップ３９が溶融部を介して接地電極本体３１に接合されていない場合には、当該部分を起点にして接地電極チップ３９の剥離が生じやすいが、本実施形態では、このような不具合を抑制できる。

さらに、上記実施形態では、第１溶接工程にて形成される第１溶融部３５ａは、接地電極チップ３９の第１レーザ照射方向の全長に亘って形成されている。この結果、さらに強固に、貴金属チップと電極本体とを接合できる。チップ接触線ＣＬの中央部ＣＰであっても、仮に、その一部分において、接地電極チップ３９が溶融部を介して接地電極本体３１に接合されていない場合には、当該部分を起点にして接地電極チップ３９の剥離が生じ得うるが、本実施形態では、このような不具合を抑制できる。

さらに、上記実施形態では、第１溶接工程と第２溶接工程とによって、チップ接触面ＢＳの全面が溶接されている（図２、図８）。この結果、特に強固に、接地電極チップ３９と接地電極本体３１とを接合できる。仮に、チップ接触面ＢＳのうちの一部分において、接地電極チップ３９が溶融部を介して接地電極本体３１に接合されていない場合には、当該部分を起点にして接地電極チップ３９の剥離が生じ得うるが、本実施形態では、このような不具合を抑制できる。

Ｂ．第２実施形態
第２実施形態の製造方法では、第２溶接工程（図３のＳ６０の一端部ＴＰの溶接工程、Ｓ７０の他端部ＯＰの溶接工程）において、レーザ溶接のためのレーザが照射される方向が、第１実施形態とは異なる。具体的には、第１実施形態では、第２溶接工程におけるレーザ照射方向は、第１溶接工程における第１レーザ照射方向に沿う方向であったが、第２実施形態では、第２溶接工程におけるレーザ照射方向は、第１溶接工程における第１レーザ照射方向と交差する方向である。

図９は、第２実施形態の一端部ＴＰの溶接工程の説明図である。図９には、一端部ＴＰの溶接工程を終えた時点における接地電極３０Ｂの接地電極チップ３９の第２放電面３９５の近傍を、軸線方向に沿って後端方向ＢＤから先端方向ＦＤに向かって見た図が示されている。

図９のレーザＬＺ３Ｂは、一端部ＴＰの溶接工程の開始時点におけるレーザを示し、レーザＬＺ４Ｂは、一端部ＴＰの溶接工程の終了時点におけるレーザを示している。第２実施形態の一端部ＴＰの溶接工程では、チップ接触面ＢＳに沿って、接地電極チップ３９の第１方向Ｄ１の端よりも第１方向Ｄ１側から、接地電極チップ３９の第２方向Ｄ２の端よりも第２方向Ｄ２側まで、照射位置を第２方向Ｄ２に移動しながら、レーザが連続して照射される。この照射位置の移動が、図９に矢印ＳＣ２Ｂで示されている。

第２実施形態の一端部ＴＰの溶接工程では、レーザ照射方向は、第３方向Ｄ３であり、レーザは、接地電極本体３１の第４方向Ｄ４の端３１４よりも第４方向Ｄ４から照射される。

図１０は、第２実施形態の他端部ＯＰの溶接工程の説明図である。図１０には、他端部ＯＰの溶接工程を終えた時点における接地電極３０Ｂの接地電極チップ３９の第２放電面３９５の近傍を、軸線方向に沿って後端方向ＢＤから先端方向ＦＤに向かって見た図が示されている。

図１０のレーザＬＺ５Ｂは、他端部ＯＰの溶接工程の開始時点におけるレーザを示し、レーザＬＺ６Ｂは、他端部ＯＰの溶接工程の終了時点におけるレーザを示している。第２実施形態の他端部ＯＰの溶接工程では、チップ接触面ＢＳに沿って、接地電極チップ３９の第１方向Ｄ１の端よりも第１方向Ｄ１側から、接地電極チップ３９の第２方向Ｄ２の端よりも第２方向Ｄ２側まで、照射位置を第２方向Ｄ２に移動しながら、レーザが連続して照射される。この照射位置の移動が、図１０に矢印ＳＣ３Ｂで示されている。

第２実施形態の他端部ＯＰの溶接工程では、レーザ照射方向は、第４方向Ｄ４であり、レーザは、接地電極本体３１の第３方向Ｄ３の端３１３よりも第３方向Ｄ３から照射される。

第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、第１溶接工程と、第２溶接工程と、に分けて、接地電極チップ３９と接地電極本体３１との溶接を行うので、チップ接触面ＢＳの全体が同時に溶融状態になることを抑制できる。この結果、接地電極チップ３９と接地電極本体３１とを溶接する際に、接地電極チップ３９が傾くことを抑制することができる。

さらに、第２実施形態によれば、第２溶接工程におけるレーザ照射方向は、第１レーザ照射方向と交差するので、溶融量を抑制できるので、ダレ登りをさらに抑制できる。例えば、剥離が起きやすい部位（例えば、貴金属チップの縁）だけ溶接しつつ、他の部位を溶接しないなどの溶融部の形成の自由度が高くなるので、溶融量を抑制することができる。

また、第１溶接工程によって形成される溶融部３５ａの第４方向Ｄ４の幅が十分に長くなるように、第１溶接工程にて溶接される中央部の線長Ｗ１を十分に長くすれば、第２溶接工程によって形成すべき溶融部３５ｃＢ、３５ｂＢの第４方向Ｄ４方向の長さを十分に短くすることができる。これによって、第１溶接工程における溶接深さ（形成すべき溶融部のレーザ照射方向に沿った長さ）よりも第２溶接工程における溶接深さを短くすれば、第２溶接工程におけるレーザの出力を小さくすることができる。この結果、溶融量を抑制できるので、ダレ登りをさらに抑制できる。

Ｃ．変形例：
（１）上記各実施形態では、チップ接触面ＢＳの全面が溶接されているが、これに限られない。チップ接触面ＢＳの一部は、溶接されなくても良い。

図１１は、変形例の接地電極３０Ｃの説明図である。図１１（Ａ）には、変形例の接地電極３０Ｃの接地電極チップ３９の第２放電面３９５の近傍を、軸線方向に沿って後端方向ＢＤから先端方向ＦＤに向かって見た図が示されている。図１１（Ｂ）には、図１１（Ａ）の接地電極チップ３９の近傍を、第１方向Ｄ１に沿って第１方向Ｄ１側から第２方向Ｄ２に向かって見た図が示されている。

図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、変形例では、第１溶接工程にて形成される第１溶融部３５ａＣと、一端部ＴＰの溶接工程にて形成される第２溶融部３５ｂＣとは、離れている。このために、チップ接触面ＢＳのうち、第１溶融部３５ａＣと第２溶融部３５ｂＣとの間に位置する部分は、溶接されていない。例えば、チップ接触面ＢＳのうち、第１溶融部３５ａＣと第２溶融部３５ｂＣとの間に位置する部分では、接地電極チップ３９と接地電極本体３１とは、直接に接触している。

同様に、第１溶接工程にて形成される第１溶融部３５ａＣと、他端部ＯＰの溶接工程にて形成される第３溶融部３５ｃＣとは、離れている。このために、チップ接触面ＢＳのうち、第１溶融部３５ａＣと第３溶融部３５ｃＣとの間に位置する部分は、溶接されていない。例えば、チップ接触面ＢＳのうち、第１溶融部３５ａＣと第３溶融部３５ｃＣとの間に位置する部分では、接地電極チップ３９と接地電極本体３１とは、直接に接触している。

図１１（Ｂ）に示すように、この変形例では、チップ接触線ＣＬ（図５（Ｂ））の全てが溶接されておらず、その一部が残っていることが解る。すなわち、チップ接触線ＣＬの一部が、第１溶融部３５ａＣと第３溶融部３５ｃＣとの間と、第１溶融部３５ａＣと第２溶融部３５ｂＣとの間と、に残っている。

変形例によれば、溶融部の体積が、上記各実施形態よりも低減されるので、過度に溶融量が大きくなることを抑制できるので、ダレ登りを抑制できる。

（２）第１実施形態では、第２溶融部３５ｂの第１レーザ照射方向の長さＬ２および第３溶融部３５ｃの第１レーザ照射方向の長さＬ３は、第１溶融部３５ａの第１レーザ照射方向の長さＬ１よりも短い。これに代えて、例えば、第２溶融部３５ｂの第１レーザ照射方向の長さＬ２および第３溶融部３５ｃの第１レーザ照射方向の長さＬ３のうちの一方だけが、第１溶融部３５ａの第１レーザ照射方向の長さＬ１よりも短くても良い。こうすれば、溶融量を抑制できるので、ダレ登りを抑制できる。

また、変形例の図１１（Ａ）のように、３個の溶融部３５ａＣ、３５ｂＣ、３５ｃＣの第１レーザ照射方向の長さは、等しくても良い。あるいは、第１溶融部３５ａの第１レーザ照射方向の長さＬ１は、第２溶融部３５ｂおよび第３溶融部３５ｃの第１レーザ照射方向の長さよりも長くても良い。

（３）また、第１実施形態では、第２溶接工程において一端部ＴＰと他端部ＯＰを溶接する際に照射されるレーザの走査長当たりのエネルギーは、第１溶接工程におけるレーザの走査長当たりのエネルギーよりも小さい。これに代えて、一端部ＴＰを溶接する際に照射されるレーザの走査長当たりのエネルギー、および、他端部ＯＰを溶接する際に照射されるレーザの走査長当たりのエネルギーのうちの一方だけが、第１溶接工程におけるレーザの走査長当たりのエネルギーよりも小さくても良い。こうすれば、溶融量を抑制できるので、ダレ登りを抑制できる。

また、第２溶接工程において一端部ＴＰと他端部ＯＰを溶接する際に照射されるレーザの走査長当たりのエネルギーは、第１溶接工程におけるレーザの走査長当たりのエネルギー以上であっても良い。

（４）上記第１実施形態では、チップ接触線ＣＬのうちの中央部ＣＰの線長Ｗ１は、一端部ＴＰの線長Ｗ２および他端部ＯＰの線長Ｗ３よりも長い。これに代えて、チップ接触線ＣＬのうちの中央部ＣＰの線長Ｗ１は、一端部ＴＰの線長Ｗ２より短くても良いし、他端部ＯＰの線長Ｗ３よりも短くても良い。

（５）上記第１実施形態では、３個の溶融部３５ａ、３５ｂ、３５ｃは、接地電極チップ３９の第１レーザ照射方向の全長に亘って形成されている。これに代えて、３個の溶融部３５ａ、３５ｂ、３５ｃの全部または一部は、例えば、接地電極チップ３９の第１レーザ照射方向の全長のうち、レーザが照射される側（第１方向Ｄ１側）の一部にのみ形成されていても良い。

（６）上記各実施形態では、接地電極チップ３９を軸線方向に沿って見た形状は、矩形であるが、当該形状は、他の形状、例えば、円形や五角形であっても良い。この場合であっても、例えば、軸線方向に沿って見た形状が円形や五角形の接地電極チップと接地電極本体とのチップ接触面を、当該チップ接触面に沿って見た場合に、接触線を定義できる。そして、例えば、当該接触線のうちの両端を除いた中央部が第１溶接工程にて溶接され、両端部が第２溶接工程にて溶接されれば良い。

（７）中心電極２０において、円柱状の中心電極本体２１の脚部２５の先端に、円柱状の中心電極チップ２９を、レーザ溶接によって溶接する際に、本発明が適用されてもよい。ている。例えば、中心電極チップ２９と脚部２５とのチップ接触面を、当該チップ接触面に沿って見た場合に、接触線を定義できる。そして、例えば、当該接触線のうちの両端を除いた中央部が第１溶接工程にて溶接され、両端部が第２溶接工程にて溶接されれば良い。

以上、実施形態、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれる。

５…ガスケット、６…リング部材、８…板パッキン、９…タルク、１０…絶縁体、１２…軸孔、１３…脚長部、１５…段部、１６…段部、１７…先端側胴部、１８…後端側胴部、１９…鍔部、２０…中心電極、２１…中心電極本体、２１Ａ…電極母材、２１Ｂ…芯部、２３…頭部、２４…鍔部、２５…脚部、２９…中心電極チップ、３０…接地電極、３０Ｂ…接地電極、３０Ｃ…接地電極、３１…接地電極本体、３５…溶融部、３５ａ…第１溶融部、３５ａ、３５ａＢ、３５ａＣ…第１溶融部、３５ｂ、３５ｂＢ、３５ｂＣ…第２溶融部、３５ｃ、３５ｃＢ、３５ｃＣ…第３溶融部、４０…端子金具、４１…キャップ装着部、４２…鍔部、４３…脚部、５０…主体金具、５０Ａ…先端面、５１…工具係合部、５２…取付ネジ部、５３…加締部、５４…座部、５６…段部、５８…圧縮変形部、５９…貫通孔、６０…導電性シール、７０…抵抗体、８０…導電性シール、１００…点火プラグ、２００…押圧部材、２９５…第１放電面、３１１…自由端面、３１２…接合端面、３１３…端、３９５…第２放電面、５００…押さえ部材、ＬＺ１〜ＬＺ４、ＬＺ３Ｂ、ＬＺ４Ｂ、ＬＺ５Ｂ、ＬＺ６Ｂ…レーザ、ＣＬ…チップ接触線、ＣＯ…軸線、ＣＰ…中央部、ＴＰ…一端部、ＯＰ…他端部、ＢＳ…チップ接触面

Claims (11)

1. 貴金属チップと電極本体とを有する電極を備える点火プラグの製造方法であって、
   前記貴金属チップの面である第１面と、前記電極本体の面である第２面と、を互いに接触させた状態で、前記第１面と前記第２面との接触面に沿う方向であり、レーザ溶接のためのレーザが照射される方向を、第１レーザ照射方向とし、
   前記接触面を前記第１レーザ照射方向に沿って見た場合に前記接触面を示す線分を、接触線としたとき、
   前記第１レーザ照射方向に沿って前記レーザを照射して、前記接触線のうちの両端部を除いた部分をレーザ溶接する第１溶接工程と、
   前記第１溶接工程の後に、前記接触面に沿う方向に前記レーザを照射して、前記接触線のうちの前記両端部の一端と他端とを少なくとも含む部分をレーザ溶接する第２溶接工程と、
   を備える、製造方法。
2. 請求項１に記載の製造方法であって、
   前記第２溶接工程において前記一端を含む部分と前記他端を含む部分とのうちの少なくとも一方を溶接する際に照射されるレーザの走査長当たりのエネルギーは、前記第１溶接工程におけるレーザの走査長当たりのエネルギーよりも小さい、製造方法。
3. 請求項１または２に記載の製造方法であって、
   前記第２溶接工程にて前記一端を含む部分に形成される第２の溶融部と前記他端を含む部分に形成される第３の溶融部のうち、少なくとも一方の前記第１レーザ照射方向の長さは、前記第１溶接工程にて形成される第１溶融部の前記第１レーザ照射方向の長さよりも短い、製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法であって、
   前記接触線のうち、前記第１溶接工程にて溶接される部分の線長は、前記接触線のうち、前記第２溶接工程にて溶接される前記一端を含む部分の線長および前記他端を含む部分の線長よりも長い、製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法であって、
   前記第２溶接工程におけるレーザ照射方向は、前記第１レーザ照射方向に沿う方向である、製造方法。
6. 請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法であって、
   前記第２溶接工程におけるレーザ照射方向は、前記第１レーザ照射方向と交差する方向である、製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法であって、
   前記第２溶接工程にて前記一端を含む部分に形成される第２の溶融部と前記他端を含む部分に形成される第３の溶融部のうち、少なくとも一方は、前記第１溶接工程にて形成される第１溶融部と、離れている、製造方法。
8. 請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法であって、
   前記第１溶接工程と前記第２溶接工程とによって、前記接触線の全てが溶接される、製造方法。
9. 請求項１〜６、８のいずれかに記載の製造方法であって、
   前記第１溶接工程と前記第２溶接工程とによって、前記接触面の全面が溶接されている、製造方法。
10. 請求項１〜９のいずれかに記載の製造方法であって、
    前記第２溶接工程にて前記一端を含む部分に形成される第２の溶融部と、前記他端を含む部分に形成される第３の溶融部と、の少なくとも一方は、前記貴金属チップの前記第１レーザ照射方向の全長に亘って形成されている、製造方法。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載の製造方法であって、
    前記第１溶融部は、前記貴金属チップの前記第１レーザ照射方向の全長に亘って形成されている、製造方法。

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