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JP2019125688A - 被加工物のレーザー加工方法 - Google Patents

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JP2019125688A JP2018005053A JP2018005053A JP2019125688A JP 2019125688 A JP2019125688 A JP 2019125688A JP 2018005053 A JP2018005053 A JP 2018005053A JP 2018005053 A JP2018005053 A JP 2018005053A JP 2019125688 A JP2019125688 A JP 2019125688A
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Naotoshi Kirihara
直俊 桐原
昇 武田
Noboru Takeda
昇 武田
幸弘 桐林
Yukihiro Kiribayashi
幸弘 桐林
洋司 森數
Yoji Morikazu
洋司 森數
太朗 荒川
Taro Arakawa
太朗 荒川
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Abstract

【課題】厚い被加工物でも良好な分割性を保ちつつ効率的に分割することのできる被加工物のレーザー加工方法を提供する。【解決手段】板状の被加工物１１を分割予定ラインに沿って分割する被加工物のレーザー加工方法であって、被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームをその集光領域を被加工物の内部に位置付け照射することで、細孔と細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成する第１のシールドトンネル１５ａ形成ステップと、集光領域の位置を被加工物の厚み方向に変更するステップと、第１のシールドトンネルと並ぶように第２のシールドトンネル１５ｂを形成するステップとを備える。第１のシールドトンネルの長さと第２のシールドトンネルの長さを足し合わせた長さが、被加工物の厚さと略同等になるまで集光領域位置変更ステップ及び該第２のシールドトンネル形成ステップを繰り返す。【選択図】図６

Description

本発明はガラス板等の比較的厚みの厚い板状被加工物のレーザー加工方法に関する。
ウェーハを個々のデバイスチップに分割するには、従来はダイシングソーと呼ばれる切削装置が使用されてきたが、光デバイスウェーハ等の結晶成長用基板（エピタキシー基板）となるサファイア、ＳｉＣ等の硬質脆性材料の切削はダイシングソーでは困難であるため、近年になりレーザー加工装置によるレーザー加工によりウェーハを複数のデバイスチップに分割する技術が注目されている。
このレーザー加工装置を使用したレーザー加工方法の一つに、ウェーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームを使用してウェーハの内部に改質層を形成し、強度が低下した改質層に沿ってエキスパンド装置等でウェーハに外力を付与することにより、ウェーハを複数のデバイスチップへと分割する技術が例えば特開２００５−１２９６０７号公報に開示されている。
しかし、ウェーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームを照射してウェーハ内部に改質層を形成するＳＤ（Stealth Dicing）加工方法では、１本の分割ラインに対して複数回パルスレーザービームを照射しなければならず、更なる生産性の向上が要望されている。
そこで、特許第６１５１５５７号公報では、比較的開口数の小さい集光レンズを使用してサファイア基板、ＳｉＣ基板等の単結晶基板からなるウェーハに基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームを照射して、基板の内部に細孔とこの細孔をシールドする非晶質とからなる複数のシールドトンネルを直線的に間欠的に形成した後、ウェーハに外力を付与することにより、ウェーハを個々のデバイスチップに分割する加工方法が記載されている。
特開２００５−１２９６０７号公報 特許第６１５１５５７号公報
しかし、特許文献２に開示されたレーザー加工方法では、板状被加工物の厚みがより厚くなるとシールドトンネルの長さが被加工物の厚みと比較して短くなってしまい、被加工物の分割性が悪い、或いは分割できないという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、厚い被加工物でも良好な分割性を保ちつつ効率的に分割することのできる被加工物のレーザー加工方法を提供することである。
本発明によると、板状の被加工物を分割予定ラインに沿って分割する被加工物のレーザー加工方法であって、被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームをその集光領域を被加工物の内部に位置付け該分割予定ラインに沿って照射することで、細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを該分割予定ラインに沿って形成する第１のシールドトンネル形成ステップと、該第１のシールドトンネル形成ステップを実施した後、該被加工物に照射するパルスレーザービームの集光領域の位置を該被加工物の厚み方向に変更する集光領域位置変更ステップと、該集光領域位置変更ステップを実施した後、被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームをその集光領域を被加工物の内部に位置付けて該分割予定ラインに沿って照射し、該パルスレーザービームの入射方向に沿って該第１のシールドトンネルと並ぶように第２のシールドトンネルを形成する第２のシールドトンネル形成ステップと、を備え、該第１のシールドトンネルの長さと該第２のシールドトンネルの長さを足し合わせた長さが、被加工物の厚さと略同等になるまで該集光領域位置変更ステップ及び該第２のシールドトンネル形成ステップを繰り返すことを特徴とする被加工物のレーザー加工方法が提供される。
好ましくは、第１のシールドトンネル形成ステップで形成される第１のシールドトンネルの一端は、被加工物の表面或いは裏面のどちらかに表出している。好ましくは、被加工物の厚さ方向に並んで形成される第１のシールドトンネルと第２のシールドトンネルのレーザービーム入射方向における重なりは±２０μｍ以下である。
本発明によると、従来の方法では分割できないか或いは分割性の悪かった比較的厚みの厚い板状被加工物を効率的に分割することができ、生産性の向上を図ることができる。
本発明第１実施形態のレーザービーム照射ユニットを模式的に示すブロック図である。 本発明第２実施形態のレーザービーム照射ユニットを模式的に示すブロック図である。 図３（Ａ）は第２実施形態のレーザービーム照射ユニットのレーザー発振器から発振されたパルスレーザービームを模式的に示す図、図３（Ｂ）は第１の間引き手段通過後のパルスレーザービームを模式的に示す図、図３（Ｃ）は増幅器で増幅された後のパルスレーザービームを模式的に示す図、図３（Ｄ）は第２の間引き手段により生成されたバーストパルスレーザービームを模式的に示す図である。 第１及び第２のシールドトンネル形成ステップを実施するのに適したレーザー加工装置の要部斜視図である。 図５（Ａ）は第１実施形態のシールドトンネル形成ステップを示す側面図、図５（Ｂ）は第１実施形態のシールドトンネル形成ステップ終了後の一部断面側面図である。 図６（Ａ）はシールドトンネルを被加工物の下面側から形成する第１実施形態の第１のシールドトンネル形成ステップ実施後の被加工物の模式的断面図、図６（Ｂ）は第２のシールドトンネル形成ステップ実施後の被加工物の模式的断面図、図６（Ｃ）は第３のシールドトンネル形成ステップ（第２のシールドトンネル形成ステップの繰り返し）実施後の被加工物の模式的断面図である。 図７（Ａ）は第２実施形態のシールドトンネル形成ステップを示す側面図、図７（Ｂ）は第２実施形態のシールドトンネル形成ステップ実施後の一部断面側面図である。 図８（Ａ）は被加工物の上面側からシールドトンネルを形成する第２実施形態の第１のシールドトンネル形成ステップ実施後の被加工物の模式的断面図、図８（Ｂ）は第２のシールドトンネル形成ステップ実施後の被加工物の模式的断面図、図８（Ｃ）は第３のシールドトンネル形成ステップ（第２のシールドトンネル形成ステップの繰り返し）実施後の被加工物の模式的断面図である。 図９（Ａ）は第１及び第２のシールドトンネルの重なりを説明する被加工物の模式的断面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＰ部分の拡大断面図であり、重なりが生じていない（重なりがマイナス）の場合を示しており、図９（Ｃ）は図９（Ａ）のＰ部分の拡大断面図であり、重なりが生じている場合を示している。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明第１実施形態のレーザービーム照射ユニット３のブロック図が示されている。レーザービーム照射ユニット３は、パルスレーザービーム発生ユニット５とパルスレーザービーム発生ユニット５から出射したパルスレーザービームを集光してチャックテーブル１４に保持された板状の被加工物１１に照射する集光器８とを含んでいる。
パルスレーザービーム発生ユニット５は、ＹＡＧ又はＹＶＯ４等のパルスレーザー発振器２を含んでおり、パルスレーザー発振器２からは例えば１０３０ｎｍ又は１０６４ｎｍ等の波長を有するパルスレーザーが発振される。
このパルスレーザーの繰り返し周波数は、例えば数十メガヘルツ（ＭＨｚ）等の非常に高周波であり、レーザー発振器２から出射されるパルスレーザービームＬＢ１は、非常に高い繰り返し周波数を有している。
パルスレーザービームＬＢ１は間引き手段４に入射され、間引き手段４により所定間隔で間引かれて、１０ｋＨｚ〜５０ｋＨｚの繰り返し周波数に変換される。間引き手段４は、例えば音響光学変調器（ＡＯＭ）によるシャッタリングにより構成される。
間引き手段４から出射されたパルスレーザービームＬＢ２は増幅器６に入射されて増幅され、増幅されたパルスレーザービームＬＢ２´は集光器８に入射される。集光器８は、ミラー１０と集光レンズ１２を含んでいる。
増幅器６により増幅されたパルスレーザービームＬＢ２´は集光器８のミラー１０により鉛直方向に反射されて集光レンズ１２に入射する。好ましくは、集光レンズ１２としては比較的開口数（ＮＡ）が小さく且つ球面収差を有するレンズを使用するのが好ましい。
板状の被加工物１１は比較的厚みの厚い（１ｍｍ以上の厚み）被加工物であり、本実施形態では厚みが３ｍｍのガラス板を採用した。しかし、被加工物１１はガラスに限定されるものではなく、集光器８から照射されるパルスレーザービームが透過性を有する比較的厚い被加工物であればどのようなタイプの被加工物でも採用可能である。
図２を参照すると、本発明第２実施形態のレーザービーム照射ユニット７のブロック図が示されている。レーザービーム照射ユニット７は、バーストパルスレーザービーム発生ユニット１６と、集光器８とを含んでいる。
バーストパルスレーザービーム発生ユニット１６は、ＹＡＧ又はＹＶＯ４等のパルスレーザー発振器２を含んでおり、パルスレーザー発振器２からは例えば１０３０ｎｍ又は１０６４ｎｍ等の波長を有するパルスレーザーが発振される。
このパルスレーザーの繰り返し周波数は、例えば数十メガヘルツ（ＭＨｚ）等の非常に高周波であり、レーザー発振器２から出射されるパルスレーザービームＬＢ１は、図３（Ａ）に示されるように、非常に高い繰り返し周波数を有している。
パルスレーザービームＬＢ１は第１の間引き手段１８に入射され、第１の間引き手段１８により所定間隔で間引かれて、図３（Ｂ）に示すような、数ＭＨｚ〜数１０ＭＨｚの繰り返し周波数に変換される。第１の間引き手段１８は、例えば音響光学変調器（ＡＯＭ）によるシャッタリングにより構成される。
第１の間引き手段１８から出射されたパルスレーザービームＬＢ３は増幅器６に入射され、増幅器６により増幅されて、図３（Ｃ）に示すような、増幅されたパルスレーザービームＬＢ３´が増幅器６から出射され第２の間引き手段２０に入射される。この第２の間引き手段２０も、例えば音響光学変調器（ＡＯＭ）のシャッタリングにより構成される。
第２の間引き手段２０では、所定間隔で連続して且つ間欠的にパルスレーザービームＬＢ３´を間引いて、図３（Ｄ）に示すような、バーストパルス２２を有するバーストパルスレーザービームＬＢ４が第２の間引き手段２０から出射される。
図３（Ｄ）に示す互いに隣接するバーストパルス２２の間の間隔ｔは例えば５０〜１００μｓである。第２の間引き手段２０により生成されたバーストパルスレーザービームＬＢ４は集光器８のミラー１０により反射され、集光レンズ１２を介してチャックテーブル１４に保持された被加工物１１に照射される。
上述した図１に示した第１実施形態のレーザービーム照射ユニット３と同様に、本実施形態のレーザービーム照射ユニット７でも、板状の被加工物１１は厚みが比較的厚い被加工物であり、本実施形態でも厚みが３ｍｍのガラス板を採用した。
図４を参照すると、本発明のレーザー加工方法を実施するのに適したレーザー加工装置の要部斜視図が示されている。３又は７はレーザービーム照射ユニットであり、ハウジング２６中に図１に示したレーザービーム発生ユニット５又は図２に示したレーザービーム発生ユニット１６が収容されている。
レーザービーム発生ユニット５又は１６から出射されたパルスレーザービームは、集光器８により被加工物１１の内部に集光されて後で詳細に説明するシールドトンネル１５を形成する。
２８は集光器８でパルスレーザービームを集光するためのアライメントを実施する顕微鏡及びカメラを有する撮像ユニットであり、集光器８とＸ軸方向に整列するようにレーザービーム照射ユニット３（７）のハウジング２６に取り付けられている。
被加工物１１の内部にシールドトンネル１５を形成する際には、被加工物１１をレーザー加工装置のチャックテーブル１４で吸引保持し、集光器８からパルスレーザービーム又はバーストパルスレーザービームを照射して被加工物１の内部にシールドトンネル１５を形成する。チャックテーブル１４は回転可能であると共に、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。
次に、図５乃至図９を参照して、本発明実施形態のレーザー加工方法について詳細に説明する。まず、図５及び図６を参照して、本発明第１実施形態のレーザー加工方法について説明する。
第１実施形態のレーザー加工方法では、図５（Ａ）に示すように、集光器８で集光するパルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４の集光領域を被加工物１１の下面１１ｂ近辺に設定する。
ここで、パルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４の集光領域という用語を使用しているのは、集光レンズ１２が球面収差を有するため、集光レンズ１２を通過するパルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４の集光される位置が集光レンズ１２の光軸方向に異なるためであり、集光領域は被加工物１１の厚み方向に延在する。
図５（Ａ）に示すように、集光器８から照射するパルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４の集光領域を被加工物１１の下面１１ｂ付近に合わせてパルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４を照射しつつ、チャックテーブル１４を矢印Ｘ１方向に加工送りすると、図５（Ｂ）に示すように、被加工物１１の下面１１ｂから上面１１ａに向けて伸長する複数の第１のシールドトンネル１５ａが形成される。各第１のシールドトンネル１５ａは特許第６１５１５５７号公報に記載されているように、細孔とこの細孔を囲繞する非晶質とから構成される。
第１実施形態のレーザー加工方法を、図６を参照して更に詳細に説明する。被加工物１１の厚みが薄い場合、例えば４００μｍ以下の被加工物では、１回のレーザービーム走査により、被加工物１１の下面１１ｂから上面１１ａまで伸長するシールドトンネル１５を形成可能である。
しかし、被加工物１１の厚みが厚い場合には、１回のレーザービーム走査で形成可能な第１のシールドトンネル１５ａは被加工物１１の下面１１ｂから被加工物１１の厚み方向の途中までしか伸長しない。
そこで、第１実施形態のレーザー加工方法では、パルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４の集光領域を被加工物１１の厚み方向に変更しながら、シールドトンネル形成ステップを複数回繰り返す。第１実施形態のレーザー加工方法を、図６を参照して更に詳細に説明する。
図６（Ａ）は第１のシールドトンネ形成ステップを示す模式的断面図である。第１のシールドトンネル形成ステップでは、被加工物１１に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４の集光領域を被加工物１１の下面１１ｂ側に位置付けてパルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４を照射して、それぞれ細孔とこの細孔を囲繞する非晶質とからなる第１のシールドトンネル１５ａを分割予定ラインに沿って複数形成する。
第１のシールドトンネル形成ステップを実施した後、集光器８から照射するパルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４の集光領域を被加工物１１の厚み方向に変更して第１のシールドトンネル１５ａ形成時よりも集光領域を被加工物の１１の上方に位置付ける（集光領域位置変更ステップ）。
集光領域位置変更ステップを実施した後、図６（Ｂ）に示すように、被加工物に対して透過性を有するパルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４を被加工物１１に照射し、被加工物１１の内部にレーザービームの入射方向に沿って即ち被加工物１１の厚み方向に第１のシールドトンネル１５ａと並ぶように複数の第２のシールドトンネル１５ｂを形成する（第２のシールドトンネル形成ステップ）。ここで、第１のシールドトンネル１５ａと第２のシールドトンネル１５ｂは加工送り方向Ｘ１に沿って整列させる必要は必ずしもない。
第１のシールドトンネル形成ステップ及び第２のシールドトンネル形成ステップで被加工物１１の厚さ方向に積層して形成した複数のシールドトンネルの長さを足し合わせた長さが被加工物１１の厚み未満の場合、即ち、第２のシールドトンネル１５ｂの上端が被加工物１１の上面１１ａに届かない場合には、集光領域位置変更ステップ及び第２のシールドトンネル形成ステップを繰り返す。
即ち、第１のシールドトンネル形成ステップ及び第２のシールドトンネル形成ステップで被加工物１１の厚さ方向に複数形成されたシールドトンネルの長さを足し合わせた長さが被加工物１１の厚さと略同等になるまで集光領域位置変更ステップと第２のシールドトンネル形成ステップを繰り返す。
本実施形態では、図６（Ｃ）に示すように、集光領域を被加工物１１内で上方に変更した後、第２のシールドトンネル形成ステップを再度実施して、第３のシールドトンネル１５ｃを形成する。
第１及び第２のシールドトンネル形成ステップのレーザー加工条件は、例えば次のように設定されている。
被加工物 ：厚さ３ｍｍのガラス板
レーザー発振器 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザー
波長 ：１０３０ｎｍ
繰り返し周波数 ：１０ｋＨｚ
パルスエネルギー ：６０μＪ
パルス幅 ：６００ｆｓ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／ｓ
尚、繰り返し周波数１０ｋＨｚは、照射するパルスレーザービームがバーストパルスレーザービームＬＢ４の場合には、隣接するバーストパルス２２間の周波数が１０ｋＨｚであり、各バーストパルス２２の繰り返し周波数は図２に示す第１の間引き手段１８通過後の周波数であり、数ＭＨｚ〜数１０ＭＨｚの周波数である。
次に、図７及び図８を参照して、本発明第２実施形態のレーザー加工方法について説明する。この第２実施形態のレーザー加工方法では、図７（Ａ）に示すように、集光器８から照射される被加工物１１に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４の集光領域を被加工物１１の上面１１ａ付近に位置付けて、パルスレーザービームＬＢ２´又はバーストパルスレーザービームＬＢ４を被加工物１１に照射しながら、チャックテーブル１４を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、図７（Ｂ）に示すように、被加工物１１の上面１１ａから下面１１ｂ方向に伸長する第１のシールドトンネル１５ａを分割予定ラインに沿って複数形成する。
この第２のレーザー加工ステップの詳細は図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示されているが、基本的には図６に示された第１のレーザー加工ステップを被加工物１１の上面１１ａから実施するものであり、集光領域位置変更ステップ及び第２のシールドトンネル形成ステップを複数回繰り返す点は第１のレーザー加工方法と略同一であるため、その詳細な説明は省略する。
次いで、図９を参照して、シールドトンネルのレーザービーム入射方向における、即ち被加工物１１の厚み方向における重なりについて考察する。図９（Ａ）でＸは加工送り方向を示し、Ｔは被加工物１１の厚み方向を示している。
図９（Ｂ）は図９（Ａ）でＰで示す部分の拡大断面図であり、第１のシールドトンネル１５ａと第２のシールドトンネル１５ｂの間は２０μｍ開いている。これを重なり−２０μｍと表現する。図９（Ｃ）は図９（Ｂ）と同様に、図９（Ａ）のＰで示す部分の拡大断面図であり、第１のシールドトンネル１５ａと第２のシールドトンネル１５ｂとは２０μｍの重なりを有している。
このように第１のシールドトンネル１５ａと第２のシールドトンネル１５ｂとの重なり具合を種々変更しながら被加工物１１に外力を加えて被加工物１１を分割予定ラインに沿って割断する実験をした所、被加工物１１の厚さ方向に複数形成されるシールドトンネルのレーザービーム入射方向、即ち被加工物１１の厚み方向における重なりが±２０μｍの範囲内の場合に、良好な割断性を得ることができた。
被加工物１１の各分割予定ラインに沿って上面１１ａから下面１１ｂにわたりシールドトンネルを形成した後、被加工物１１を分割予定ラインに沿って分割する分割ステップを実施するが、分割ステップには従来公知のエッチング、被加工物１１をエキスパンドテープに貼着した後、エキスパンドテープを拡張して被加工物１１を分割するエキスパンド、楔によるブレーキング、ローラを転動することにより分割するローラブレーキング等の各種方法を採用可能である。
尚、シールドトンネルの形成には、パルスレーザービームの集光領域を被加工物の厚み方向に延在するように形成するのが好ましいが、照射するレーザービームは、図１に示したパルスレーザービームＬＢ２´又は図２に示したバーストパルスレーザービームＬＢ４の何れの場合にも、被加工物の内部にシールドトンネルを形成可能である。
しかし、被加工物の割断性を考慮すると、レーザービームとしてバーストパルスレーザービームを被加工物に照射すると、割断性が優れていることが実験により判明した。
上述した実施形態では被加工物１１としてガラス板を採用した例について説明したが、被加工物はガラス板に限定されるものではなく、照射するパルスレーザービームの波長に対して透過性を有する所定以上の厚みのある被加工物を採用可能である。
２ レーザー発振器
３，７ レーザービーム照射ユニット
４ 間引き手段
５，１６ レーザービーム発生ユニット
６ 増幅器
８ 集光器
１１ 被加工物
１２ 集光レンズ
１４ チャックテーブル
１５ａ 第１のシールドトンネル
１５ｂ 第２のシールドトンネル
１５ｃ 第３のシールドトンネル
１８ 第１の間引き手段
２０ 第２の間引き手段
２２ バーストパルス

Claims (3)

  1. 板状の被加工物を分割予定ラインに沿って分割する被加工物のレーザー加工方法であって、
    被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームをその集光領域を被加工物の内部に位置付け該分割予定ラインに沿って照射することで、細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを該分割予定ラインに沿って形成する第１のシールドトンネル形成ステップと、
    該第１のシールドトンネル形成ステップを実施した後、該被加工物に照射するパルスレーザービームの集光領域の位置を該被加工物の厚み方向に変更する集光領域位置変更ステップと、
    該集光領域位置変更ステップを実施した後、被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームをその集光領域を被加工物の内部に位置付けて該分割予定ラインに沿って照射し、該パルスレーザービームの入射方向に沿って該第１のシールドトンネルと並ぶように第２のシールドトンネルを形成する第２のシールドトンネル形成ステップと、を備え、
    該第１のシールドトンネルの長さと該第２のシールドトンネルの長さを足し合わせた長さが、被加工物の厚さと略同等になるまで該集光領域位置変更ステップ及び該第２のシールドトンネル形成ステップを繰り返すことを特徴とする被加工物のレーザー加工方法。
  2. 該第１のシールドトンネル形成ステップで形成される該第１のシールドトンネルの一端が、該被加工物の表面或いは裏面のどちらかに表出していることを特徴とする請求項１記載の被加工物のレーザー加工方法。
  3. 被加工物の厚さ方向に並んで形成される該第１のシールドトンネルと該第２のシールドトンネルのパルスレーザービームの入射方向における重なりは±２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の被加工物のレーザー加工方法。
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