JP2019124794A - 光学素子、光照射装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回折光学素子10は、光の偏向作用を有する偏向層11と、偏向層11と少なくとも一部が重なって形成され、導電性を有する抵抗体13aを含む抵抗層13と、抵抗体13aと電気的に接続された電極部15とを備える。また、基材層12がガラスで構成されており、インデックスマッチング層14がさらに設けられている。
【選択図】図4
Description
光を整形する手段として、回折光学素子(Diffractive Optical Element :DOE)が挙げられる。これは異なる屈折率を持った材料が周期性を持って配列している場所を光が通過する際の回折現象を応用したものである。DOEは、基本的に単一波長の光に対して設計されるが、理論的には、ほぼ任意の形状に光を整形することが可能である。また、DOEでは、照射領域内の光分布の均一性を制御することが可能である。DOEのこのような特性は、不要な領域への照射を抑えることによる高効率化、光源数の削減等による装置の小型化等の点で有利となる。
また、DOEは、レーザーの様な平行光源、LEDの様な拡散光源のいずれにも対応可能であり、また、紫外光から可視光、赤外線までの広い範囲の波長に対して適用可能である。
図1は、本実施形態の光照射装置1の斜視図である。
図2は、光照射装置1の分解斜視図である。
図3は、光照射装置1を光の出射側から見た図である。図3では、インデックスマッチング層14を省略して示している。
図4は、光照射装置1を図3中の矢印A−Aの位置で切断した断面図である。
なお、図1から図3を含め、以下に示す各図は、模式的に示した図であり、各部の大きさ、形状は、理解を容易にするために、適宜誇張して示している。
また、以下の説明では、具体的な数値、形状、材料等を示して説明を行うが、これらは、適宜変更することができる。
本明細書において、板、シート、フィルム等の言葉を使用しているが、これらは、一般的な使い方として、厚さの厚い順に、板、シート、フィルムの順で使用されており、本明細書中でもそれに倣って使用している。しかし、このような使い分けには、技術的な意味は無いので、これらの文言は、適宜置き換えることができるものとする。
また、本発明において透明とは、少なくとも利用する波長の光を透過するものをいう。例えば、仮に可視光を透過しないものであっても、赤外線を透過するものであれば、赤外線用途に用いる場合においては、透明として取り扱うものとする。
本実施形態の光照射装置1は、例えば、バーコードを表す照射パターンを照射してもよいし、車両等から路面等へ各種情報を表す照射パターンを照射してもよい。また、光照射装置1は、距離測定、人体検出、立体物認識等における検出光の照射等に利用してもよい。また、光照射装置1は、カメラ等で物体からの反射光を取込む装置と一体化してもよく、その場合、距離測定、3D認識、人体測定、物体認識、バー認識が可能である。
なお、本発明において「光を整形する」とは、光の進行方向を制御することにより、対象物又は対象領域に投影された光の形状(照射パターン)が任意の形状となるようにしたり、照射パターン内の強度分布を平坦化したり、全体的に又は部分的に任意の強度分布になるようにしたりすることをいう。例えば、光源が平面形状の回折光学素子に直接投影した場合に照射スポットが円形となる光を発光する。この光を、回折光学素子を透過させることにより、照射パターンを、正方形の組み合わせや、長方形、円形等、目的の形状とすることを、「光を整形する」いう。
基材層12は、ガラスで構成する場合、例えば、0.3〜0.5mm程度の厚さとすることができる。
本実施形態の抵抗層13に用いられる抵抗体13aは、後述の発光素子21が発光する赤外光を透光する透明電極材料により構成されている。
抵抗体13aの透明電極材料としては、例えば、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム亜鉛(AZO)等の導電性酸化物、ニッケル等の金属、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子、カーボンナノチューブやグラフェン等の透明電極を形成することができる導電性材料を用いることもできる。
本実施形態の抵抗体13aは、酸化インジウム錫(ITO)をスパッタリング等により薄膜形成して構成されている。
また、本実施形態の抵抗体13aは、図3に示すように、2つの電極部15を接続して直線状に延在して構成されている。
また、本実施形態では、インデックスマッチング層14は、抵抗体13aを覆って構成されている。したがって、インデックスマッチング層14は、抵抗体13aを保護することもできる。
抵抗層13及びインデックスマッチング層14の層厚等については、後述する。
発光素子(光源)21は、赤外光、青色光等を発光し、その光を回折光学素子10に光を投影する。発光素子21としては、例えば、垂直共振器面発光レーザー(VCSEL)等のレーザー光源を用いてもよいし、LED(発光ダイオード)を用いてもよい。発光素子21は、基板22上に実装されている。なお、発光素子21の形態によっては、配線23を用いて基板と接続することもできる。本実施形態では、発光素子21は、波長が940nmの赤外領域の光を発光する垂直共振器面発光レーザーとした。
ホルダ24は、その中央が、貫通した開口部となっている。ホルダ24は、回折光学素子10の周縁部が載せられる頂部24aを備えている。そして、この頂部24aの上に、接着材60を介して回折光学素子10が載せられて固定されている。なお、本実施形態のホルダ24の頂部24aは、平面で構成されているが、溝をさらに設けてもよい。
ホルダ24は、その背面側(図4中の下側)に、不図示の接着材等を用いて、基板22に取り付けられている。
また、レーザーを使用し、チップ状態(DOE付き)を測定する場合、レーザー光を100%と仮定するか基材単体で透過率を測定した値を用い、チップを透過する光の変化にから透過率を算出する。
また、必要に応じて、抵抗体成膜部分やDOEを除去もしくは埋めるといった処理をすることで、処理前後の出光量変化から、透過率を算出することも可能である。これらは、積分球で測定し、透過率を算出する。
図5のデータは、抵抗体13aをITOで構成した場合を示している。図5を見ると、透過率80%を満たすためには、抵抗体13aの厚さは、250nmを越えないことが望ましいと判断できる。一方、抵抗体13aの下限値としては、10nmであっても、シート抵抗値は、180Ω/□を超えていないことから、10nmより厚ければよいと判断できる。また、10nm以下としてしまうと、製造が困難であり、また、信頼性の観点でも導通を保証できない。よって、抵抗層13(抵抗体13a)の厚さは、10nmより厚く、かつ、250nmを超えないことが望ましい。
また、光照射装置1は、インデックスマッチング層14を備えたので、抵抗層13を部分的に設けたことによる悪影響を抑制することができる。
さらに、光照射装置1は、抵抗層13を覆うようにインデックスマッチング層14が設けられているので、抵抗層13をインデックスマッチング層14で保護することができる。
図6は、第2実施形態の回折光学素子10を示す断面図である。図6では、第1実施形態の図4の断面図と同様な断面を回折光学素子10のみについて示している。
第2実施形態の回折光学素子10は、インデックスマッチング層14が基材層12と抵抗層13との間にも形成されている点で、第1実施形態と異なっている。
第2実施形態のインデックスマッチング層14は、基材層12と抵抗層13との間に先ず形成し、その上に抵抗層を形成し、さらに残りの部分にインデックスマッチング層14を追加形成すれば、図6に示すような形態とすることができる。
第2実施形態のように、インデックスマッチング層14を基材層12と抵抗層13との間にも形成することにより、基材層12の屈折率と抵抗層13の屈折率とが大きく異なる場合に、インデックスマッチング層14の効果をより有効に発揮することが可能となる。
図7は、第3実施形態の回折光学素子10を示す断面図である。図7では、第1実施形態の図4の断面図と同様な断面を回折光学素子10のみについて示している。
第3実施形態の回折光学素子10は、インデックスマッチング層14が基材層12と抵抗層13との間にのみ形成されている点で、第1実施形態と異なっている。
第3実施形態のようにインデックスマッチング層14を基材層12と抵抗層13との間にのみ形成することにより、基材層12の屈折率と抵抗層13の屈折率とが大きく異なる場合に、インデックスマッチング層14の効果をより有効に発揮することが可能とし、かつ、第2実施形態より簡単な構成とすることができる。抵抗層13の保護が不要、又は、別の保護部材等が別途設けられる場合には、この第3実施形態の形態とすることもできる。
図8は、第4実施形態の光照射装置1を光の出射側から見た図である。図8では、インデックスマッチング層14を省略して示している。
第4実施形態の光照射装置1は、抵抗体13aが回折光学素子10の略全面に形成されている点で、第1実施形態と異なっている。
第4実施形態のように、抵抗体13aをより広い面に形成することにより、光学部材としてみたときに均一性が高くなり、良好な光学特性を期待できる。また、抵抗体13aをより薄く構成することが可能である。
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の範囲内である。
10 回折光学素子(光学素子)
11 偏向層
12 基材層
13 抵抗層
13a 抵抗体
14 インデックスマッチング層
15 電極部
20 光源部
21 発光素子(光源)
22 基板
23 配線
24 ホルダ
24a 頂部
60 接着材
Claims (11)
- 光の偏向作用を有する偏向層と、
前記偏向層と少なくとも一部が重なって形成され、導電性を有する抵抗体を含む抵抗層と、
前記抵抗体と電気的に接続された電極部と、
を備える光学素子。 - 請求項1に記載の光学素子において、
前記偏向層は、複数の回折格子が形成され、光を回折して整形する回折光学素子として構成されていること、
を備える光学素子。 - 請求項2に記載の光学素子において、
前記偏向層が一方の面に形成された基材層をさらに備え、
前記抵抗層及び前記電極部は、前記基材層の他方の面に形成されていること、
を特徴とする光学素子。 - 請求項3に記載の光学素子において、
前記基材層は、ガラスにより構成されていること、
を特徴とする光学素子。 - 請求項3又は請求項4に記載の光学素子において、
少なくとも一部が前記抵抗体に接触して形成されたインデックスマッチング層を備えること、
を特徴とする光学素子。 - 請求項5に記載の光学素子において、
前記インデックスマッチング層は、前記抵抗層を覆っていること、
を特徴とする光学素子。 - 請求項5又は請求項6に記載の光学素子において、
前記抵抗層及び前記インデックスマッチング層の2層を合せた透過率は、使用する特定波長について80%以上あること、
を特徴とする光学素子。 - 請求項7に記載の光学素子において、
前記抵抗層及び前記インデックスマッチング層の2層を合せた厚さは、250nmを超えないこと、
を特徴とする光学素子。 - 請求項1から請求項8までのいずれかに記載の光学素子において、
前記抵抗層は、厚さが10nmより厚く、かつ、250nmを超えないこと、
を特徴とする光学素子。 - 光源と、
請求項1から請求項9までのいずれかに記載の光学素子と、
を備える光照射装置。 - 請求項10に記載の光照射装置において、
前記光源は、赤外領域のレーザー光を発光するレーザー光源であること、
を特徴とする光照射装置。
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