JP2019121621A - スクライブ装置およびスクライブ方法 - Google Patents

Abstract

【課題】互いに平行な多数のスクライブラインを形成する際の、スクライブラインの形成位置ばらつきを低減する。【解決手段】基板Ｗをスクライブしてスクライブラインを形成する装置が、基板の水平な被スクライブ面に圧接された状態で水平方向に転動されることによって、基板にスクライブラインを形成するスクライビングホイールと、スクライビングホイールとの間に、所定のクリアランスを有した状態でスクライビングホイールを鉛直面内で回転自在に保持するホルダと、被スクライブ面に、スクライビングホイールによって互いに平行な複数のスクライブラインを形成する場合において、直前に形成したスクライブラインＬ１のスクライブ予定位置Ｌ０からのずれ量をオフセット量Δとして特定するオフセット処理手段と、を備え、次に形成するスクライブラインのスクライブ予定位置をオフセット量の分だけオフセットするようにした。【選択図】図６

Description

本発明は、基板に対して分断のためのスクライブラインを形成する装置に関し、特にその形成位置の設定に関する。

ガラス基板や半導体基板、セラミック基板などの脆性材料基板、あるいはそれらを複数枚貼り合わせた貼り合わせ基板（以下、それらを単に基板とも総称する）を分断する手法として、スクライブ装置に備わるスクライビングホイール（カッターホイール）を当該基板の表面に圧接しながら転動させることによってスクライブラインを形成したうえで、ブレーク装置において当該基板に対し該スクライブラインに沿ってブレークプレートを押し当てることによりスクライブラインから亀裂を伸展させ、これによって基板を分断するという手法が、すでに公知である（例えば特許文献１参照）。

特開２０１６−２１３２３５号公報

スクライビングホイールによるスクライブラインの形成とその後のブレークによる基板の分断とが実施される典型的なプロセス例として、表面に（あるいはさらに内部にも）マトリックス状に、デバイス等のパターンが所定ピッチで２次元的に繰り返し形成された基板（母基板）に対し、互いに直交する２つの方向のそれぞれにおいて、互いに平行な多数のスクライブラインを形成することにより、基板を個々の単位パターンごとに分断する（個々のデバイス単位に個片化する）というプロセス（個片化プロセス）がある。係る場合、スクライブラインは、ストリートと称される、各単位パターン（個々のデバイスとなる領域）を区画する格子状の領域に形成される。

近年、スマートフォンその他の電子機器や光学機器などに用いられる電子デバイスや光学デバイスのさらなる小型化および精密化の要請や、あるいはコストダウン等の観点から、基板に設けられるストリート幅を従来よりもさらに狭めて一の母基板からのデバイスの取り個数を増大させることや、デバイスを従来よりもさらに小型化しつつ寸法精度を確保することが、求められている。これらを実現するには、スクライビングホイールによるスクライブラインの形成精度を従来よりも向上させる必要がある。

一方で、現在実用化されているスクライブ装置は通常、スクライビングホイールの転動（回転）が良好に行われるよう、スクライビングホイールとこれを回転自在に保持しつつ水平移動するホルダとの間に、所定の間隙（クリアランス）が設けられている。それゆえ、スクライビングホイールは、その回転面に垂直な方向において、当該クリアランスの範囲内で変位し得るようになっている。同様に、ホルダやホルダが取付けられるスクライブヘッドに起因してスクライビングホイールの位置の微小な変位が生じることがある。

係る変位はデバイスの寸法精度の範囲内のものであれば問題とはならないが、上述したストリート幅の低減とデバイスの寸法精度確保の要請から、近年、係る変位に起因したスクライブラインの形成位置の変動が、無視できなくなってきている。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、互いに平行な多数のスクライブラインを形成する際の、スクライブラインの形成位置ばらつきを低減することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板をスクライブしてスクライブラインを形成する装置であって、前記基板の水平な被スクライブ面に圧接された状態で水平方向に転動されることによって、前記基板に前記スクライブラインを形成するスクライビングホイールと、前記スクライビングホイールとの間に、所定のクリアランスを有した状態で前記スクライビングホイールを鉛直面内で回転自在に保持するホルダと、前記被スクライブ面に、前記スクライビングホイールによって互いに平行な複数のスクライブラインを形成する場合において、直前に形成したスクライブラインのスクライブ予定位置からのずれ量をオフセット量として特定するオフセット処理手段と、を備え、次に形成するスクライブラインのスクライブ予定位置を前記オフセット量の分だけオフセットする、ことを特徴とする。

請求項２の発明は、請求項１に記載のスクライブ装置であって、前記オフセット処理手段は、前記直前に形成したスクライブラインのスクライブ予定位置からの距離が等しい一対の基準部位をあらかじめ定めておき、前記オフセット量をΔとし、前記一対の基準部位のそれぞれと前記直前に形成したスクライブラインの形成位置との距離をＡ、Ｂ（ただしＢ≧Ａ）とするとき、Δ＝（Ｂ−Ａ）／２なる式により前記オフセット量を求める、ことを特徴とする。

請求項３の発明は、請求項２に記載のスクライブ装置であって、前記被スクライブ面を撮像可能な撮像手段、をさらに備え、前記オフセット処理手段は、前記撮像手段により同一視野において撮像された、前記直前に形成したスクライブラインの撮像画像と前記一対の基準部位の撮像画像とに基づいて、前記オフセット量を求める、ことを特徴とする。

請求項４の発明は、所定のクリアランスを有した状態で所定のホルダに鉛直面内で回転自在に保持されてなるスクライビングホイールを、基板の水平な被スクライブ面に圧接させた状態で水平方向に転動させることによって、互いに平行な複数のスクライブラインを前記被スクライブ面に形成する方法であって、直前に形成したスクライブラインのスクライブ予定位置からのずれ量をオフセット量として特定し、次に形成するスクライブラインのスクライブ予定位置を前記オフセット量の分だけオフセットする、ことを特徴とする。

請求項５の発明は、請求項４に記載のスクライブ方法であって、前記直前に形成したスクライブラインのスクライブ予定位置からの距離が等しい一対の基準部位をあらかじめ定めておき、前記オフセット量をΔとし、前記一対の基準部位のそれぞれと前記直前に形成したスクライブラインの形成位置との距離をＡ、Ｂ（ただしＢ≧Ａ）とするとき、Δ＝（Ｂ−Ａ）／２により前記オフセット量を求める、ことを特徴とする。

請求項６の発明は、請求項５に記載のスクライブ方法であって、前記被スクライブ面を撮像可能な所定の撮像手段により同一視野において撮像した、前記直前に形成したスクライブラインの撮像画像と前記一対の基準部位の撮像画像とに基づいて、前記オフセット量を求める、ことを特徴とする。

請求項１ないし請求項６の発明によれば、スクライビングホイールとホルダとの間のクリアランスを違えずとも、互いに平行な多数のストリートのそれぞれに形成されるスクライブラインの、ストリート中心からのずれを、統計的に低減することができる。

スクライブ装置１００の要部を示す図である。 スクライブ装置１００の動作制御に係る構成を示すブロック図である。 スクライビングホイール４がホルダ５に取り付けられた様子を模式的に示す図である。 分断の対象たる、スクライブ前の基板Ｗの一部分を示す図である。 ストリートＳＴ１に対しスクライブを行った後の基板Ｗを例示する図である。 オフセット処理部２０ｂによるスクライブ位置のオフセット量の算出について説明するための図である。 スクライブ位置をオフセットした後、ストリートＳＴ１αに対しスクライブを行う際の基板Ｗを例示する図である。

＜スクライブ装置の概要＞
図１は、本実施の形態に係るスクライブ装置１００の要部を示す図である。図２はスクライブ装置１００の動作制御に係る構成を示すブロック図である。スクライブ装置１００は、概略、基板Ｗの一方主面に、当該基板Ｗを分断する際の起点となるスクライブラインを形成する装置である。基板Ｗとしては、ガラス基板や半導体基板、セラミック基板などの脆性材料基板、あるいはそれらを複数枚貼り合わせた貼り合わせ基板などが例示される。

スクライブ装置１００においては、それぞれが基台１００ａの上面に垂直に立設されてなり、水平方向に所定の距離離隔してなる一対の支柱１（１ａ、１ｂ）の間に、ガイド２が付設されたビーム（横梁）３が、水平に掛け渡されてなる。ガイド２は、スクライビングホイール４を支持するホルダ５が配設されてなるスクライブヘッド６が、スクライブヘッド移動機構６ｍによって水平方向に移動させられる際に、これを案内する役割を有する。なお、図１においては、スクライブヘッド６の移動方向をｘ軸方向とし、水平面内でこれと直交する方向をｙ軸方向とし、鉛直方向をｚ軸方向とする右手系のｘｙｚ座標系を付している（図３以降においても同様）。

ホルダ５は、後述する態様にてスクライビングホイール４を回転可能に支持するとともに、ホルダ昇降機構５ｍにより、ｚ軸方向に昇降自在とされてなる。より詳細には、本実施の形態においてホルダ昇降機構５ｍは、後述するカメラ１１を含めたスクライブヘッド６全体を昇降させる、スクライブヘッド昇降機構により実現されてなる。

また、スクライブヘッド６は、スクライブヘッド移動機構６ｍにより、ガイド２に案内されつつ水平方向（ｘ軸方向）に進退自在とされてなる。スクライブ装置１００においては、テーブル７に載置された基板Ｗの上面（被スクライブ面）にスクライビングホイール４を圧接させた状態で、スクライブヘッド６がｘ軸方向に移動することにより、スクライビングホイール４が鉛直面であるｚｘ面内で回転（転動）し、これによってｘ軸方向に沿ってスクライブラインが形成される。

さらに、スクライブヘッド６には、鉛直下方を撮像可能なカメラ１１も付設されている。カメラ１１の撮像画像は、スクライブ実行時の位置決めなどに用いられる。

テーブル７は、基板Ｗが載置される水平な上面を有してなり、その下部は水平回転部８となっている。さらに、水平回転部８は台盤９上に保持されており、台盤９には基台１００ａの上面に備わるスクリューネジ１０が付設されている。テーブル７は、水平回転部８がテーブル回転機構８ｍによって駆動されることで、水平面内で回転可能となっている。また、テーブル移動機構１０ｍによって台盤９が駆動されることにより、テーブル７がｙ軸方向に移動自在とされてなる。

なお、ホルダ昇降機構５ｍ、スクライブヘッド移動機構６ｍ、テーブル回転機構８ｍ、およびテーブル移動機構１０ｍとしては、それぞれの動作対象に応じた性能・構造等を有するモータが、適宜に配置され、用いられればよい。

また、スクライブ装置１００は、ホルダ昇降機構５ｍ、スクライブヘッド移動機構６ｍ、テーブル回転機構８ｍ、およびテーブル移動機構１０ｍを初めとする装置各部の動作を制御する制御部２０と、装置の操作者が種々の実行指示やデータ入力などを行うための入力操作部２１と、種々の処理メニューや動作状態、処理経過および処理結果などを表示するための表示部２２と、装置の動作プログラムやスクライブ処理の内容を記述してなるレシピデータＤｒその他のデータが格納される記憶部２３とを備える。

さらに、スクライブ装置１００においては、記憶部２３に格納されている所定のプログラムが制御部２０によって実行されることで、一連のスクライブ処理の動作を制御するスクライブ実行部２０ａが、制御部２０において仮想的構成要素として実現されるようになっている。スクライブ実行部２０ａは、スクライブ処理に係る装置各部の動作、具体的には、スクライブ対象位置を位置決めするテーブル７の移動および面内回転動作、スクライブヘッド６の移動動作、およびホルダ５の昇降動作を制御する。係るスクライブ実行部２０ａの制御により、スクライブ装置１００におけるスクライブ処理が可能とされてなる。

＜スクライビングホイールの詳細とスクライブ動作＞
図３は、スクライビングホイール４がホルダ５に取り付けられた様子を模式的に示す図である。

スクライビングホイール４は円板状をなしており、その外周全体が断面視三角形状の刃先４ａとなっている。また、その円心部に設けられた貫通孔にピン５ｃが挿通された状態で、当該ピン５ｃの両端がホルダ５に設けられた一対の支持部５ａ、５ｂにより支持されることにより、スクライビングホイール４はホルダ５に保持されるようになっている。なお、一対の支持部５ａ、５ｂは、ホルダ５がスクライブヘッド６に配設される際に当該ホルダ５の最下端部となる部位である。なお、刃先４ａは周方向に一様であってもよいし、周期的に溝部が設けられてなる態様であってもよい。

より詳細には、一対の支持部５ａ、５ｂの間隔ｄは、スクライビングホイール４の厚みｔよりもわずかに大きく設定されている。これは、スクライブ処理の際のスクライビングホイール４の回転がスムーズかつ確実になされるようにするためである。すなわち、スクライビングホイール４とホルダ５の間にはクリアランス（ｄ−ｔ）が存在する。ｄ−ｔの値は概ね３μｍ〜２０μｍとされる。

以上のような構成を有するスクライブ装置１００における基板Ｗのスクライブにあたっては、まず、基板Ｗがスクライブ対象面を上方とする姿勢にてテーブル７に載置固定される。係る載置固定がなされると、スクライブ実行部２０ａがテーブル移動機構１０ｍとテーブル回転機構８ｍの動作を制御することにより、テーブル７のｙ軸方向の移動と回転移動とが適宜に組み合わせられて、テーブル７に載置されている基板Ｗの位置決めが行われる。スクライブ実行部２０ａはまた、スクライビングホイール４を保持するホルダ５がスクライブ開始位置（初期位置）に配置されるよう、ホルダ昇降機構５ｍとスクライブヘッド移動機構６ｍの動作を制御する。

具体的には、記憶部２３に記憶されているレシピデータＤｒの記述に基づき、最初に形成するスクライブラインの形成予定位置がｘ軸方向と平行となり、かつ、当該形成予定位置のうち形成の起点となる位置がスクライビングホイール４の直下に位置するように、ホルダ５の初期位置への配置と基板Ｗの位置決めとがなされる。

係る位置決めがなされると、スクライブ実行部２０ａの制御に従いホルダ昇降機構５ｍが鉛直上方からホルダ５を所定距離下降させて、スクライビングホイール４の刃先４ａがスクライブラインの起点となる位置に圧接される。係る圧接がなされたタイミングで、スクライブ実行部２０ａの制御に従いスクライブヘッド移動機構６ｍがスクライブヘッド６をｘ軸方向に移動させる。すると、これに伴いスクライビングホイール４がｘ軸方向に沿って転動し、起点位置からｘ軸方向に沿ってスクライブラインが形成されていくことになる。

スクライビングホイール４がスクライブラインの終点となる位置に到達したタイミングで、スクライブヘッド６の移動が停止されるとともに、ホルダ５は上昇させられ、スクライビングホイール４が基板Ｗから離隔させられる。これで、１つのスクライブラインが形成されたことになる。

なお、図３に示すように、一対の支持部５ａ、５ｂから等距離の仮想面をホルダ中心Ｃとした場合、上述した態様によるスクライブラインの形成においては、刃先４ａが常に係るホルダ中心Ｃ上に位置した状態でスクライビングホイール４が転動することが理想である。以降においては、このように刃先４ａがホルダ中心Ｃ上に位置する状態を、スクライビングホイール４が理想状態にあると称する。ただし、実際には、スクライビングホイール４が理想状態にあることは必須ではなく、スクライビングホイール４が上述したクリアランスの範囲内でホルダ中心Ｃから変位することは、許容されている。

複数のスクライブラインを形成する場合は、同様の処理が繰り返される。なお、複数のスクライブラインが平行に形成される場合は通常、スクライビングホイール４の転動方向（スクライブヘッド６の移動方向）はｘ軸正方向の一方向にのみスクライブを行うが、スクライビングホイール４の転動方向がｘ軸正方向とｘ軸負方向との間で交互に入れ替えられる態様であってもよい。

＜スクライブ位置のオフセット＞
次に、デバイス等のパターンが、表面に（あるいはさらに内部にも）マトリックス状に所定ピッチで２次元的に繰り返し形成された基板（母基板）Ｗを、個々の単位パターンごとに分断する（個々のデバイス単位に個片化する）場合の、スクライブラインの形成について、説明する。図４は、係る分断の対象たる、スクライブ前の基板Ｗの一部分を示す図である。

図４に示す基板Ｗにおいては、ストリートＳＴと称される、所定幅を有する直線状の領域によって、各単位パターンが区画される。図４には、基板Ｗのうち、２つのストリートＳＴ（ＳＴ１、ＳＴ２）が互いに直交する箇所を、例示している。より具体的には、図４は、一方のストリートＳＴ１がｘ軸方向に延在し、他方のストリートＳＴ２がｙ軸方向に延在するように、基板Ｗの位置決めがなされた後、ストリートＳＴ１に対してスクライブラインが形成される前の状況を、想定している。なお、図示は省略するが、実際の基板Ｗには、ストリートＳＴ１とストリートＳＴ２のそれぞれに平行な多数のストリートが、つまりは、ｘ軸方向に平行な多数のストリートと、ｙ軸方向に平行な多数のストリートとが、存在している。

このような基板Ｗを分断して個片化する場合は通常、互いに平行なストリートに対して順次にスクライブラインが形成される。その際は、分断後に得られる個片の寸法精度の観点から、それぞれのストリートの中心位置（ストリート中心）に形成されるのが好ましい。図４に示すストリートＳＴ１の場合であれば、破線Ｌ０にて示すストリート中心にスクライブラインが形成されるのが好ましい。そのためには、スクライブを実行した際のスクライビングホイール４の軌跡が、破線Ｌ０と一致することが望まれる。図４においては、ホルダ中心Ｃがｙ＝ｙ０にあり、ストリートＳＴ１についてのストリート中心がｙ＝ｙ０に一致するように基板Ｗの位置決めがなされており、さらには、スクライビングホイール４が理想状態にあることからその刃先４ａもｙ＝ｙ０に一致しているものとする。

この場合、スクライブラインは破線Ｌ０に沿って形成されることが期待される。しかしながら、実際には、上述のようにスクライビングホイール４とホルダ５の間にクリアランスが存在する関係上、ホルダ５におけるスクライビングホイール４の位置は特定されない。すなわち、スクライブ動作に先立つ位置決めの際には便宜上、理想状態を前提として、図４に示すようにスクライブラインの形成予定位置をホルダ中心Ｃの位置と一致させるようにするものの、スクライブ実行時のスクライビングホイール４の（刃先４ａの）位置は、図４に示す場合とは異なり、ストリート中心（ｙ＝ｙ０）からずれている可能性もある。

図５は、スクライブ実行部２０ａの制御のもと、実際にストリートＳＴ１に対しスクライブを行った後の基板Ｗを例示する図である。図５においては、ｘ軸正方向にスクライビングホイール４を転動させることにより、実線Ｌ１にて示す、ストリート中心からｙ軸方向に距離Δだけずれた位置に、スクライブラインが形成された場合を想定している。このような態様でのスクライブラインの形成は、スクライブの際の実際のスクライビングホイール４（の刃先４ａ）の位置が、図５の右端に示すようにホルダ中心ＣからΔだけずれていたことによる起因するものである。

スクライビングホイール４のクリアランスの範囲内での変位は、ランダムに生じ得る現象のため、こうしたスクライブラインの形成位置のストリート中心からのずれも、本来的にはランダムに生じる。一方で、仮にそのような変位が生じたとしても、スクライブラインのストリート中心からのずれが寸法公差の範囲に収まるのであれば、換言すれば、スクライブラインの形成位置が寸法公差の範囲内に収まるように、クリアランスが規定されていさえすれば、実用上は問題ないという考え方も成り立つ。それゆえ、分断後により得られる個片の寸法精度を高めたいのであれば、スクライビングホイール４とホルダ５の間のクリアランスを小さくすることで対応することができる、とも考えられる。

しかしながら、クリアランスの低減は、スクライビングホイール４およびホルダ５の加工精度の観点から一定の限界があり、また加工コスト的にもデメリットとなり得る。

そこで、クリアランスを従前と同様に維持するという前提のもと、本発明の発明者が鋭意検討した結果として、本実施の形態に係るスクライブ装置１００においては、互いに平行な多数のストリートのそれぞれにスクライブラインを形成するに際して、個々のスクライブラインが形成された都度、その形成位置に基づいて次のスクライブラインを形成する際のスクライブ位置を刃先位置に応じてオフセットする、という処理を行うことにより、スクライビングホイール４のクリアランスの範囲内での変位が個片の寸法精度に与える影響を、低減するようにしている。

具体的には、スクライブ装置１００においては、記憶部２３に格納されている所定のプログラムが制御部２０によって実行されることで、直前のスクライブにおけるスクライブラインの形成位置に基づいてスクライブ位置のオフセット量を求めるオフセット処理部２０ｂが、制御部２０において仮想的構成要素として実現されるようになっている。そして、オフセット処理部２０ｂによって算出されたオフセット量に基づいて、スクライブ位置のオフセットがされたうえで、次のスクライブラインの形成が行われるようになっている。

図６は、オフセット処理部２０ｂによるスクライブ位置のオフセット量の算出について説明するための図である。また、図７は、スクライブ位置をオフセットした後、ストリートＳＴ１αに対しスクライブを行う際の基板Ｗを例示する図である。

いま、図５および図６に実線Ｌ１にて示すように、スクライブラインが、破線Ｌ０にて示されるストリート中心（ｙ＝ｙ０）からｙ軸正方向に距離Δずれて形成された場合を想定する。オフセット処理部２０ｂはまず、当該実線Ｌ１として示される、スクライブラインの形成位置（ｙ座標）を特定する。係るスクライブラインのｙ座標は、オフセット処理部２０ｂによる動作制御のもと、カメラ１１が当該スクライブラインにフォーカスした状態で撮像することで得られた撮像画像に基づき、オフセット処理部２０ｂにより公知の画像処理（フィルタ処理、二値化処理その他）がなされることで、特定される。

続いて、破線Ｌ０にて示すストリート中心に対しｙ軸方向において対称な、換言すれば、ｙ軸方向においてストリート中心からの距離が等しい、一対の基準部位の位置（ｙ座標）を特定する。図６においては、ストリートＳＴ１を挟んで対向する一対の電極パターンＰＴを当該一対の基準部位として用いる場合を例示している。係る場合、基準部位の位置は、電極パターンＰＴのストリートＳＴ１に最も近い端部を通る仮想線である、細破線Ｌ２またはＬ３のｙ座標として、表される。電極パターンＰＴのストリートＳＴ１に最も近い端部のｙ座標についても、スクライブラインと同様、オフセット処理部２０ｂによる動作制御のもと、カメラ１１が当該電極パターンＰＴにフォーカスした状態で撮像することで得られた撮像画像に基づき、オフセット処理部２０ｂにより公知の画像処理（フィルタ処理、二値化処理その他）がなされることで、特定される。

好ましくは、スクライブラインのｙ座標を特定するための撮像画像と、電極パターンＰＴの端部のｙ座標を特定するための撮像画像は同一視野にて取得される。これは、カメラ１１の位置を同じとし、撮像対象に応じてフォーカスを違えることで実現可能である。また、スクライブラインのどの部分を撮像してもよいが、代表的な状態に基づきずれ量Δを特定するということであれば、例えばｘ軸方向中央位置で撮像を行うことが考えられる。

このとき、破線Ｌ０にて示すストリート中心から基準部位たる電極パターンＰＴまでの距離（破線Ｌ０から細破線Ｌ２およびＬ３までの距離）をＤとし、実線Ｌ１にて示すスクライブラインの位置からそれら一対の基準部位のうち近い方までの距離をＡ、遠い方までの距離をＢとすると（より詳細にはＢ≧Ａとすると）、
Δ＝Ｂ−Ｄ（＝Ｄ−Ａ）
かつ
２Ｄ＝Ａ＋Ｂ
であることから、
Δ＝（Ｂ−Ａ）／２ ・・・・（式１）
となる。

オフセット処理部２０ｂは、上述のように撮像画像に基づいて特定したスクライブラインと、電極パターンＰＴの端部のｙ座標値からＡおよびＢの値を算出し、さらに、式１に基づいてずれ量Δの値を算出する。

オフセット処理部２０ｂによりずれ量Δの値が得られると、スクライブ実行部２０ａは、図７に矢印ＡＲにて示すように、基板Ｗをｙ軸方向へと移動させることにより、レシピデータＤｒに記述されてなる、次にスクライブラインの形成が予定されているストリートＳＴ（ＳＴ１α）について、位置決めを行う。ただしその際には、ホルダ中心が存在するｙ＝ｙ０ではなく、オフセット量を加算した、
ｙ＝ｙ０＋Δ ・・・・（式２）
に、次にスクライブラインを形成するストリートＳＴ１αのストリート中心を配置する。すなわち、スクライブ位置をオフセットする。このとき、ストリートＳＴ１αに対するスクライブ開始時まではスクライビングホイール４に変位は生じていないことが期待される。それゆえ、少なくともストリートＳＴ１αに対しスクライブを開始する時点においては、ストリートＳＴ１αのストリート中心のｙ座標が刃先４ａのｙ座標と一致していることが期待される。

以降、スクライブの実行と、オフセット量の特定、およびオフセットを含む次のスクライブ位置の位置決めとが、互いに平行なスクライブラインの形成が全て行われるまで繰り返されることになる。このように、スクライブを実行する都度、直前のスクライブの結果に基づき次のスクライブの際のストリート中心の位置をオフセットすることで、最初のスクライブを除く全てのスクライブ実行時に、少なくとも当該スクライブの開始時点においてはストリート中心と刃先位置とが一致していることが、期待されるようになる。換言すれば、スクライビングホイール４の刃先位置とストリート中心とが著しくずれた状態でスクライブラインが形成されることが、起こりにくくなる。その結果、スクライブラインを多数形成した場合であっても、スクライブラインの、ストリート中心からのずれが増大していくことがなく、互いに平行な多数のストリートのそれぞれに形成されるスクライブラインの、ストリート中心からのずれが、統計的に低減されるようになる。

すなわち、本実施の形態によれば、クリアランスを違えずとも、互いに平行な多数のストリートのそれぞれに形成されるスクライブラインの、ストリート中心からのずれを、統計的に低減することができる。

本実施例では、実際の基板を用いてオフセットの効果を確認した。基板Ｗとしては、直径が３００ｍｍで、総厚が０．５５ｍｍである、Ｓｉとガラスとの貼り合わせ基板を用意した。基板Ｗには、分断後に得られる個片の平面サイズ（チップサイズ）が５．２ｍｍ×３．７ｍｍとなるよう、互いに直交する２つの方向である０°方向と９０°方向とについて、前者には９３本、後者には６０本のストリートを設けた。

まず、０°方向のストリートを対象にスクライブを行った。その際には、各ストリートに対してスクライブラインを形成した都度、当該スクライブラインのｘ軸方向中央部においてオフセット量を求め、式２に基づいて、次のスクライブラインの形成の際の位置決めを行った。

スクライビングホイール４としては、外径が２ｍｍ、厚みｔが０．６５ｍｍ、内径が０．８ｍｍで、刃先角度が１２５°であり、刃先４ａの周方向に等間隔に、深さ２．０μｍの溝を４００個有するものを用いた。なお、スクライビングホイール４とホルダ５とのクリアランス（ｄ−ｔ）は、９．３μｍであった。

続いて、基板Ｗを９０°回転させたうえで、９０°方向のストリートについても同様に、オフセットを行いつつスクライブを行った。

全てのスクライブラインの形成が完了した後、改めて、０°方向に形成したスクライブラインについては相異なる２０箇所において、９０°方向に形成したスクライブラインについては相異なる１３箇所において、ストリート中心とスクライブラインとのずれ量を求めた。

また、比較例として、オフセットを行わないほかは実施例と同様の条件でスクライブを行った。

実施例および比較例のそれぞれについての、ストリート中心とスクライブラインとのずれ量の平均値（Ave.）と標準偏差（σ）とを表１に示す。表中、「オフセット有り」が実施例を示し、「オフセット無し」が比較例を示す。

表１からは、「オフセット有り」の場合の方が「オフセット無し」の場合よりも、平均値（Ave.）および標準偏差（σ）の双方において、値が小さいことがわかる。このことは、上述の実施の形態のようにスクライブ位置のオフセットを行うことで、スクライビングホイール４とホルダ５との間のクリアランスの条件を違えずとも、スクライブラインの形成位置のばらつきを統計的に抑制できることを、指し示している。

なお、本実施の形態においては、各スクライブラインを形成するごとに、オフセット量の特定、およびオフセットを含む次のスクライブ位置の位置決めを行うこととしたが、予め定めた回数スクライブを実行するごとにオフセット量の特定、およびオフセットを含む次のスクライブ位置の位置決めを行うようにしてもよい。この場合にも、スクライブラインの、ストリート中心からのずれが増大することを抑制でき、互いに平行な多数のストリートのそれぞれに形成されるスクライブラインの、ストリート中心からのずれが、統計的に低減されるようになる。

１（１ａ、１ｂ） 支柱
２ （スクライブヘッドの）ガイド
４ スクライビングホイール
４ａ (スクライビングホイールの）刃先
５ ホルダ
５ａ、５ｂ 支持部
５ｃ ピン
６ スクライブヘッド
７ テーブル
８ 水平回転部
９ 台盤
１０ スクリューネジ
１１ カメラ
１００ スクライブ装置
１００ａ 基台
Ｃ ホルダ中心
ＰＴ 電極パターン
ＳＴ（ＳＴ１、ＳＴ１α、ＳＴ２） ストリート
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 基板をスクライブしてスクライブラインを形成する装置であって、
   前記基板の水平な被スクライブ面に圧接された状態で水平方向に転動されることによって、前記基板に前記スクライブラインを形成するスクライビングホイールと、
   前記スクライビングホイールとの間に、所定のクリアランスを有した状態で前記スクライビングホイールを鉛直面内で回転自在に保持するホルダと、
   前記被スクライブ面に、前記スクライビングホイールによって互いに平行な複数のスクライブラインを形成する場合において、直前に形成したスクライブラインのスクライブ予定位置からのずれ量をオフセット量として特定するオフセット処理手段と、
   を備え、
   次に形成するスクライブラインのスクライブ予定位置を前記オフセット量の分だけオフセットする、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
2. 請求項１に記載のスクライブ装置であって、
   前記オフセット処理手段は、
   前記直前に形成したスクライブラインのスクライブ予定位置からの距離が等しい一対の基準部位をあらかじめ定めておき、
   前記オフセット量をΔとし、前記一対の基準部位のそれぞれと前記直前に形成したスクライブラインの形成位置との距離をＡ、Ｂ（ただしＢ≧Ａ）とするとき、
   Δ＝（Ｂ−Ａ）／２
   なる式により前記オフセット量を求める、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
3. 請求項２に記載のスクライブ装置であって、
   前記被スクライブ面を撮像可能な撮像手段、
   をさらに備え、
   前記オフセット処理手段は、前記撮像手段により同一視野において撮像された、前記直前に形成したスクライブラインの撮像画像と前記一対の基準部位の撮像画像とに基づいて、前記オフセット量を求める、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
4. 所定のクリアランスを有した状態で所定のホルダに鉛直面内で回転自在に保持されてなるスクライビングホイールを、基板の水平な被スクライブ面に圧接させた状態で水平方向に転動させることによって、互いに平行な複数のスクライブラインを前記被スクライブ面に形成する方法であって、
   直前に形成したスクライブラインのスクライブ予定位置からのずれ量をオフセット量として特定し、次に形成するスクライブラインのスクライブ予定位置を前記オフセット量の分だけオフセットする、
   ことを特徴とするスクライブ方法。
5. 請求項４に記載のスクライブ方法であって、
   前記直前に形成したスクライブラインのスクライブ予定位置からの距離が等しい一対の基準部位をあらかじめ定めておき、
   前記オフセット量をΔとし、前記一対の基準部位のそれぞれと前記直前に形成したスクライブラインの形成位置との距離をＡ、Ｂ（ただしＢ≧Ａ）とするとき、
   Δ＝（Ｂ−Ａ）／２
   により前記オフセット量を求める、
   ことを特徴とするスクライブ方法。
6. 請求項５に記載のスクライブ方法であって、
   前記被スクライブ面を撮像可能な所定の撮像手段により同一視野において撮像した、前記直前に形成したスクライブラインの撮像画像と前記一対の基準部位の撮像画像とに基づいて、前記オフセット量を求める、
   ことを特徴とするスクライブ方法。

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