JP2019114684A - Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium - Google Patents
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Abstract
【課題】表面に保護材が設けられた基板に対し、当該基板の裏面から適切に加工する。【解決手段】表面に保護材が設けられたウェハWの裏面から加工する基板処理システム1は、ウェハWを保持するチャック31と、チャック31に保持されたウェハWの裏面から加工する加工ユニット80、90、100と、チャック31でウェハWを保持する前に、少なくともウェハWの上方又は下方から保護テープの有無を検知する検知センサ120と、を有している。【選択図】図1PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately process a substrate provided with a protective material on the front surface from the back surface of the substrate. SOLUTION: A substrate processing system 1 for processing from the back surface of a wafer W provided with a protective material on the front surface has a chuck 31 for holding the wafer W and a processing unit 80 for processing from the back surface of the wafer W held by the chuck 31. , 90, 100, and a detection sensor 120 that detects the presence or absence of the protective tape from at least above or below the wafer W before the wafer W is held by the chuck 31. [Selection diagram] Fig. 1
Description
本発明は、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理システム、当該基板処理システムを用いた基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate processing system for processing from the back surface of a substrate provided with a protective material on the front surface, a substrate processing method using the substrate processing system, a program, and a computer storage medium.
近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ(以下、ウェハという)に対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。また、例えば特許文献1に記載されているとおり、ウェハの表面には、デバイスを保護する保護材として、例えば保護テープが設けられている。 In recent years, in the semiconductor device manufacturing process, the back surface of a wafer may be ground to thin the wafer with respect to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) on which devices such as a plurality of electronic circuits are formed on the surface. It has been done. Further, as described in, for example, Patent Document 1, a protective tape is provided on the surface of the wafer as a protective material for protecting the device.
ウェハの裏面の研削は、例えばウェハの表面を保持し回転自在のチャックと、チャックに保持されたウェハの裏面を研削する研削砥石を備え環状で回転自在に構成された研削ホイールと、を備えた研削装置で行われる。そして、特許文献1に記載された研削方法では、先ず、ウェハの表面に保護テープを貼り付ける。その後、研削装置において、保護テープが貼り付けられたウェハの表面を当該保護テープを介してチャックで保持した後、チャックと研削ホイールを回転させながら、研削砥石をウェハの裏面に接触させることによって、当該ウェハの裏面を研削する。 The grinding of the back surface of the wafer comprises, for example, a rotatable chuck that holds the front surface of the wafer and a rotatable grinding wheel including a grinding wheel that grinds the back surface of the wafer held by the chuck. It takes place in a grinding device. Then, in the grinding method described in Patent Document 1, first, a protective tape is attached to the surface of the wafer. Thereafter, in the grinding apparatus, the surface of the wafer to which the protective tape is attached is held by the chuck via the protective tape, and then the grinding wheel is brought into contact with the back surface of the wafer while rotating the chuck and the grinding wheel. Grind the back of the wafer.
しかしながら、特許文献1に記載された研削方法において、研削装置では、ウェハの表裏面が反転された状態、すなわちウェハの表面が上方を向いた状態で、誤ってチャックに保持される可能性がある。この原因は種々考えられるが、例えばオペレータの誤操作によって表裏面が反転した場合や、そもそも研削装置に搬送されたウェハの表裏面が反転している場合などがある。そして、かかる場合、ウェハの裏面を適切に研削することができない。 However, in the grinding method described in Patent Document 1, in the grinding apparatus, the wafer may be erroneously held by the chuck with the front and back surfaces of the wafer turned upside down, that is, with the front surface of the wafer facing upward. . There are various causes for this, but there are cases, for example, when the front and back surfaces are reversed due to an operator's erroneous operation, or when the front and back surfaces of the wafer conveyed to the grinding apparatus are originally reversed. And in such a case, the back surface of the wafer can not be properly ground.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、表面に保護材が設けられた基板に対し、当該基板の裏面から適切に加工することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and has an object of appropriately processing a substrate provided with a protective material on the front surface from the back surface of the substrate.
上記課題を解決する本発明の一態様は、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理システムであって、前記基板の表面を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の裏面から加工する加工部と、前記基板保持部で前記基板を保持する前に、少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知する保護材検知部と、を有する。 One aspect of the present invention which solves the above-mentioned subject is a substrate processing system processed from the back of a substrate by which a protective material was provided in the surface, and the substrate holding part which holds the surface of the substrate, and the substrate holding part A processing unit for processing from the back surface of the held substrate, and a protection material detection unit for detecting the presence or absence of the protection material at least from above or below the substrate before holding the substrate by the substrate holding unit; Have.
別な観点による本発明の一態様は、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理方法であって、保護材検知部を用いて少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知し、当該検知結果に基づいて前記基板の表裏面の向きを確認する第1の工程と、その後、前記第1の工程において、前記基板の表裏面の向きが正常であると確認された場合、基板保持部で前記基板の表面を保持し、加工部を用いて当該基板の裏面から加工する第2の工程と、を有する。 One embodiment of the present invention according to another aspect is a substrate processing method of processing from the back surface of a substrate provided with a protective material on the front surface, and using the protective material detection unit, the protective material at least from above or below the substrate In the first step of detecting the orientation of the front and back of the substrate based on the detection result, and thereafter confirming that the orientation of the front and back of the substrate is normal in the first step And a second step of holding the front surface of the substrate by the substrate holding unit and processing the back surface of the substrate using the processing unit.
また別な観点による本発明の一態様によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a program operating on a computer of a control unit that controls the substrate processing system to cause the substrate processing system to execute the substrate processing method.
さらに別な観点による本発明の一態様によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a readable computer storage medium storing the program.
本発明によれば、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工するに際し、研削前に基板の保護材の有無を検知して、当該基板の表裏面の向きを確認することにより、基板の表裏面の向きが正常な状態で、当該基板の裏面から適切に加工することができる。 According to the present invention, when processing from the back surface of the substrate provided with the protective material on the front surface, the substrate is detected by detecting the presence or absence of the protective material of the substrate before grinding to confirm the orientation of the front and back surfaces of the substrate. It is possible to properly process from the back surface of the substrate in a state in which the front and back surfaces have a normal orientation.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, elements having substantially the same functional configuration will be assigned the same reference numerals and redundant description will be omitted.
<基板処理システム>
先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図1は、基板処理システム1の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
<Substrate processing system>
First, the configuration of a substrate processing system according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a substrate processing system 1. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction orthogonal to one another are defined, and the Z-axis positive direction is the vertically upward direction.
本実施形態の基板処理システム1では、図2に示す、基板としてのウェハWを薄化する。ウェハWは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。ウェハWの表面W1にはデバイス(図示せず)が形成されており、さらに当該表面W1にはデバイスを保護するための保護材、例えば保護テープPが貼り付けられている。そして、ウェハWの裏面W2に対して研削などの所定の処理が行われ、当該ウェハが薄化される。 In the substrate processing system 1 of the present embodiment, the wafer W as a substrate shown in FIG. 2 is thinned. The wafer W is, for example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer. A device (not shown) is formed on the surface W1 of the wafer W, and a protective material for protecting the device, for example, a protective tape P is attached to the surface W1. Then, predetermined processing such as grinding is performed on the back surface W2 of the wafer W to thin the wafer.
図1に示すように基板処理システム1は、処理前のウェハWを収容容器としてのカセットC内に収納し、複数のウェハWをカセット単位で外部から基板処理システム1に搬入する搬入ステーション2と、処理後のウェハWをカセットC内に収納し、複数のウェハWをカセット単位で基板処理システム1から外部に搬出する搬出ステーション3と、ウェハWに加工処理を行って薄化する加工装置4と、加工処理後のウェハWの後処理を行う後処理装置5と、搬入ステーション2、加工装置4及び後処理装置5の間でウェハWを搬送する、搬送部としての搬送ステーション6と、を接続した構成を有している。搬入ステーション2、搬送ステーション6、及び加工装置4は、X軸負方向側においてY軸方向にこの順で並べて配置されている。搬出ステーション3と後処理装置5は、X軸正方向側においてY軸方向にこの順で並べて配置されている。
As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 stores a wafer W before processing in a cassette C as a storage container, and carries in a plurality of wafers W from the outside into the substrate processing system 1 in cassette units, and A loading station 3 for storing the processed wafers W in a cassette C and unloading a plurality of wafers W from the substrate processing system 1 in units of cassettes; and a
(搬入ステーション)
搬入ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。図示の例では、カセット載置台10には、複数、例えば2つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台10に載置されたカセットC内には、保護テープPがウェハWを支持するガイド(図示せず)と接触して損傷を被ったり、変形したりするのを抑制するため、当該保護テープPが貼り付けられたウェハWの表面W1が上方を向くようにウェハWが収納されている。
(Loading station)
A cassette mounting table 10 is provided at the
(搬出ステーション)
搬出ステーション3も、搬入ステーション2と同様の構成を有している。搬出ステーション3にはカセット載置台20が設けられ、カセット載置台20には、例えば2つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。なお、搬入ステーション2と搬出ステーション3は1つの搬入出ステーションに統合されてもよく、かかる場合、搬入出ステーションには共通のカセット載置台が設けられる。
(Transportation station)
The unloading station 3 also has the same configuration as the
(加工装置)
加工装置4では、ウェハWに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。加工装置4は、回転テーブル30、搬送ユニット40、アライメントユニット50、第1の洗浄ユニット60、第2の洗浄ユニット70、加工部としての粗研削ユニット80、加工部としての中研削ユニット90、及び加工部としての仕上研削ユニット100を有している。
(Processing device)
In the
回転テーブル30は、回転機構(図示せず)によって回転自在に構成されている。回転テーブル30上には、ウェハWの表面W1を保護テープPを介して吸着保持する、基板保持部としてのチャック31が4つ設けられている。チャック31は、回転テーブル30と同一円周上に均等、すなわち90度毎に配置されている。4つのチャック31は、回転テーブル30が回転することにより、受渡位置A0及び加工位置A1〜A3に移動可能になっている。
The rotary table 30 is rotatably configured by a rotation mechanism (not shown). On the rotating table 30, four
本実施形態では、受渡位置A0は回転テーブル30のX軸正方向側且つY軸負方向側の位置であり、当該受渡位置A0のY軸負方向側には、第2の洗浄ユニット70、アライメントユニット50及び第1の洗浄ユニット60が並べて配置される。アライメントユニット50と第1の洗浄ユニット60は上方からこの順で積層されて配置される。第1の加工位置A1は回転テーブル30のX軸正方向側且つY軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット80が配置される。第2の加工位置A2は回転テーブル30のX軸負方向側且つY軸正方向側の位置であり、中研削ユニット90が配置される。第3の加工位置A3は回転テーブル30のX軸負方向側且つY軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット100が配置される。
In the present embodiment, the delivery position A0 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the rotary table 30, and the
チャック31はチャックベース32に保持されている。チャック31及びチャックベース32は、回転機構(図示せず)によって回転可能に構成されている。
The
搬送ユニット40は、複数、例えば3つのアーム41〜43を備えた多関節型のロボットである。3つのアーム41〜43は関節部(図示せず)によって接続され、これら関節部によって、第1のアーム41と第2のアーム42はそれぞれ基端部を中心に旋回自在に構成されている。3つのアーム41〜43のうち、先端の第1のアーム41には、ウェハWを吸着保持する搬送パッド44が取り付けられている。また、3つのアーム41〜43のうち、基端の第3のアーム43は、アーム41〜43を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構45に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット40は、受渡位置A0、アライメントユニット50、第1の洗浄ユニット60、及び第2の洗浄ユニット70に対して、ウェハWを搬送できる。
The
アライメントユニット50では、研削処理前のウェハWの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック(後述の図5に示すスピンチャック200)に保持されたウェハWを回転させながら、検出部(後述の図5に示す検出部201)でウェハWのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハWの水平方向の向きを調節する。
The
第1の洗浄ユニット60では、研削処理後のウェハWの裏面W2を洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。例えばスピンチャック(図示せず)に保持されたウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル(図示せず)からウェハWの裏面W2に洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は裏面W2上を拡散し、当該裏面W2が洗浄される。
In the
第2の洗浄ユニット70では、研削処理後のウェハWが搬送パッド44に保持された状態のウェハWの表面W1、すなわち表面W1に貼り付けられた保護テープPを洗浄するとともに、搬送パッド44を洗浄する。
The
粗研削ユニット80では、ウェハWの裏面W2を粗研削する。粗研削ユニット80は、環状形状で回転自在な粗研削砥石(図示せず)を備えた粗研削部81を有している。また、粗研削部81は、支柱82に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を粗研削砥石に当接させた状態で、チャック31と粗研削砥石をそれぞれ回転させることによって、ウェハWの裏面W2を粗研削する。
In the
中研削ユニット90では、ウェハWの裏面W2を中研削する。中研削ユニット90は、環状形状で回転自在な中研削砥石(図示せず)を備えた中研削部91を有している。また、中研削部91は、支柱92に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を中研削砥石に当接させた状態で、チャック31と中研削砥石をそれぞれ回転させることによって、裏面W2を中研削する。
In the
仕上研削ユニット100では、ウェハWの裏面W2を仕上研削する。仕上研削ユニット100は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石(図示せず)を備えた仕上研削部101を有している。また、仕上研削部101は、支柱102に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック31と仕上研削砥石をそれぞれ回転させることによって、裏面W2を仕上研削する。
In the
(後処理装置)
後処理装置5では、加工装置4で加工処理されたウェハWに対して後処理が行われる。後処理としては、例えばウェハWをダイシングテープを介してダイシングフレームに保持するマウント処理、ウェハWに貼り付けられた保護テープPを剥離する剥離処理などが行われる。そして、後処理装置5は、後処理が行われダイシングフレームに保持されたウェハWを搬出ステーション3のカセットCに搬送する。後処理装置5で行われるマウント処理や剥離処理はそれぞれ、公知の装置が用いられる。
(Post-processing device)
In the
(搬送ステーション)
図1及び図3に示すように搬送ステーション6には、ウェハ搬送領域110が設けられている。ウェハ搬送領域110には、X軸方向に延伸する搬送路111上を移動自在なウェハ搬送装置112が設けられている。ウェハ搬送装置112は、ウェハWを保持するウェハ保持部として、搬送フォーク113と搬送パッド114を有している。搬送フォーク113は、その先端が2本に分岐し、ウェハWを吸着保持する。搬送フォーク113は、研削処理前のウェハWを搬送する。搬送パッド114は、平面視においてウェハWの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハWを吸着保持する。搬送パッド114は、研削処理後のウェハWを搬送する。搬送フォーク113と搬送パッド114は、移動機構115に取り付けられている。この移動機構115によって、搬送フォーク113と搬送パッド114はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。
(Transport station)
As shown in FIGS. 1 and 3, the
ウェハ搬送領域110には、ウェハWにおける保護テープPの有無を検知する、保護材検知部としての検知センサ120が設けられている。検知センサ120には、保護テープPに接触せずに当該保護テープPの有無を検査する厚みを測定するセンサが用いられ、例えば白色共焦点(コンフォーカル)式の光学系センサが用いられる。検知センサ120は、ウェハW(保護テープP)に対して所定の波長帯域を有する光を照射し、さらに保護テープPの表面から反射した反射光と、裏面から反射した反射光とを受光する。そして、この受光した両反射光に基づいて、保護テープPの有無が検知される。
The
なお、本実施形態では検知センサ120には白色共焦点式の光学系センサが用いられたが、検知センサ120の構成はこれに限定されず、保護テープPの有無を検知するものであれば任意の測定器を用いることができる。例えばウェハW(保護テープP)に所定の光を所定の波長帯域を有する光を照射し、さらにウェハW(保護テープP)の表面から反射した反射光の光量を測定して、保護テープPの有無を検知してもよい。
Although a white confocal optical system sensor is used as the
検知センサ120は、複数、例えば2つ設けられ、カセット載置台10においてカセットCが載置される位置に対応して配置されている。また、検知センサ120は、カセット載置台10に載置されるカセットCの上方の高さ位置に配置されている。そして、検知センサ120は、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113に保持されたウェハWの上方から保護テープPの有無を検知する。上述したようにカセットCでは、保護テープPが貼り付けられたウェハWの表面W1が上方を向くようにウェハWが収納されている。そこで、検知センサ120がウェハWの上面に保護テープPが有ると検知すれば、当該ウェハWの表裏面の向きは正常であると確認される。
A plurality, for example, two, of the
なお、本実施形態では、検知センサ120は、搬送フォーク113に保持されたウェハWの上方から保護テープPの有無を検知したが、ウェハWの下方から保護テープPの有無を検知してもよい。かかる場合、検知センサ120がウェハWの下面に保護テープPが無いと検知すれば、当該ウェハWの表裏面の向きは正常であると確認される。また、検知センサ120をウェハWの上下2か所に設け、ウェハWの上方と下方の両方から、保護テープPの有無を検知してもよい。
In the present embodiment, the
図1に示すように基板処理システム1には、制御部130が設けられている。制御部130は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、基板処理システム1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム1における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部130にインストールされたものであってもよい。
As shown in FIG. 1, a
<ウェハ処理>
次に、以上のように構成された基板処理システム1を用いて行われるウェハ処理について説明する。
<Wafer processing>
Next, wafer processing performed using the substrate processing system 1 configured as described above will be described.
先ず、複数のウェハWを収納したカセットCが、搬入ステーション2のカセット載置台10に載置される。上述したようにカセットC内には、保護テープPが損傷を被ったり、変形したりするのを抑制するため、当該保護テープPが貼り付けられたウェハWの表面W1が上方を向くようにウェハWが収納されている。
First, a cassette C containing a plurality of wafers W is placed on the cassette mounting table 10 of the
次に、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113によりカセットC内のウェハWが取り出される。この際、図3に示したように検知センサ120によって、搬送フォーク113に保持されたウェハWの上方から、保護テープPの有無が検知され、その検知結果に基づいて、ウェハWの表裏面の向きが確認される(図4のステップS1)。
Next, the wafer W in the cassette C is taken out by the
ステップS1において、検知センサ120によりウェハWの上面に保護テープPが有ると検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは正常であると確認される。かかる場合、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、裏面W2が上方に向けられた後、ウェハWは加工装置4に搬送される。
In step S1, when the
一方、ステップS1において、検知センサ120によりウェハWの上面に保護テープPが無いと検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは反対である(異常である)と確認される。かかる場合、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、表面W1が上方に向けられる(図4のステップT1)。その後、ウェハWをカセットCに戻した後、すなわち表裏面が正常な状態でウェハWを収納した後、再び搬送フォーク113により当該ウェハWをカセットCから取り出す。そして、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、裏面W2が上方に向けられた後、ウェハWは加工装置4に搬送される。かかる場合、表裏面の向きが間違った状態でウェハWがカセットCに収容されていても、正常に後続の処理を継続させることができる。
On the other hand, when it is detected by the
なお、上述したステップT1におけるウェハWの表裏面の反転方法は一例であって、アライメントユニット50に搬送されるウェハWの裏面W2が上方に向けられれば、任意の方法をとることができる。
Note that the method of reversing the front and back surfaces of the wafer W in step T1 described above is an example, and any method can be taken if the back surface W2 of the wafer W transferred to the
以上のように加工装置4に搬送されたウェハWは、その裏面W2が上方に向けられた状態で、アライメントユニット50に受け渡される。そして、アライメントユニット50において、ウェハWの水平方向の向きが調節される(図4のステップS2)。
The wafer W transferred to the
次に、ウェハWは搬送ユニット40により、アライメントユニット50から受渡位置A0に搬送され、当該受渡位置A0のチャック31に受け渡される。チャック31では、ウェハWの表面W1が保持される。その後、回転テーブル30を反時計回りに90度回転させ、チャック31を第1の加工位置A1に移動させる。そして、粗研削ユニット80によって、ウェハWの裏面W2が粗研削される(図4のステップS3)。
Next, the wafer W is transported by the
次に、回転テーブル30を反時計回りに90度回転させ、チャック31を第2の加工位置A2に移動させる。そして、中研削ユニット90によって、ウェハWの裏面W2が中研削される(図4のステップS4)。
Next, the rotary table 30 is rotated 90 degrees counterclockwise, and the
次に、回転テーブル30を反時計回りに90度回転させ、チャック31を第3の加工位置A3に移動させる。そして、仕上研削ユニット100によって、ウェハWの裏面W2が仕上研削される(図4のステップS5)。
Next, the rotary table 30 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the
次に、回転テーブル30を反時計回りに90度回転させ、又は回転テーブル30を時計回りに270度回転させて、チャック31を受渡位置A0に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル(図示せず)を用いて、ウェハWの裏面W2が洗浄液によって粗洗浄される(図7のステップS6)。このステップS6では、裏面W2の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。
Next, the rotary table 30 is rotated 90 degrees counterclockwise, or the rotary table 30 is rotated 270 degrees clockwise to move the
次に、ウェハWは搬送ユニット40により、受渡位置A0から第2の洗浄ユニット70に搬送される。そして、第2の洗浄ユニット70では、ウェハWが搬送パッド44に保持された状態で、当該ウェハWの表面W1(保護テープP)が洗浄し、乾燥される(図7のステップS7)。
Next, the wafer W is transferred by the
次に、ウェハWは搬送ユニット40により、第2の洗浄ユニット70から第1の洗浄ユニット60に搬送される。そして、第1の洗浄ユニット60では、洗浄液ノズル(図示せず)を用いて、ウェハWの裏面W2が洗浄液によって仕上洗浄される(図7のステップS8)。このステップS8では、裏面W2が所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。
Next, the wafer W is transferred by the
その後、ウェハWはウェハ搬送装置112によって、第1の洗浄ユニット60から後処理装置5に搬送される。そして、後処理装置5では、ウェハWをダイシングフレームに保持するマウント処理や、ウェハWに貼り付けられた保護テープPを剥離する剥離処理などの後処理が行われる(図7のステップS9)。
Thereafter, the wafer W is transferred by the
その後、すべての処理が施されたウェハWは、搬出ステーション3のカセット載置台20のカセットCに搬送される。こうして、基板処理システム1における一連のウェハ処理が終了する。 Thereafter, the wafer W subjected to all the processes is transferred to the cassette C of the cassette mounting table 20 of the unloading station 3. Thus, a series of wafer processing in the substrate processing system 1 is completed.
以上の実施形態によれば、ステップS1において、検知センサ120により、搬送フォーク113に保持されたウェハWの上方から保護テープPの有無を検知し、その検知結果に基づいて、ウェハWの表裏面の向きを確認することができる。そして、ステップS1でウェハWの表裏面の向きが正常であると確認された場合、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、裏面W2が上方に向けられた状態で、ウェハWは加工装置4に搬送される。一方、ステップS1でウェハの表裏面の向きが正常でないと確認された場合でも、ステップT1でその表裏面を反転させた後、さらに搬送フォーク113によりウェハWの裏面W2が上方に向けられた状態で、ウェハWは加工装置4に搬送される。このように本実施形態では、ステップS1でウェハWの表裏面の向きを確認することにより、加工装置4に搬送されるウェハWの表裏面の向きを確実に正常な状態にすることができる。そしてその結果、加工装置4において、チャック31でウェハWの表面W1を保持し、粗研削ユニット80、中研削ユニット90、仕上研削ユニット100を順次用いて、ウェハWの裏面W2を適切に研削することができる。
According to the above embodiment, in step S1, the
また、本実施形態によれば、一の基板処理システム1において、一連の処理を複数のウェハWに対して連続して行うことができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。 Further, according to the present embodiment, in one substrate processing system 1, a series of processing can be continuously performed on a plurality of wafers W, and the throughput of wafer processing can be improved.
<他の実施形態>
以上の実施形態では、検知センサ120は搬送ステーション6のウェハ搬送領域110に設けられていたが、検知センサ120の設置位置はこれに限定されない。ウェハWがカセットCから取り出されてから、受渡位置A0でチャック31に保持されるまでにおいて、検知センサ120は任意の位置に配置でき、例えば加工装置4の内部に配置されていてもよい。
Other Embodiments
In the above embodiments, the
例えば図5に示すように検知センサ120は、アライメントユニット50に設けられてもよい。アライメントユニット50は、ウェハWの表面W1(保護テープP)を吸着保持するスピンチャック200と、スピンチャック200に保持されたウェハWのノッチ部の位置を検出する検出部201とを有している。検知センサ120は、スピンチャック200に保持されたウェハWの上方に配置され、保護テープPの有無を検知する。
For example, as shown in FIG. 5, the
かかる場合、上記実施形態のウェハ処理において、ステップS1とステップT1が異なる。すなわち、ステップS1において、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113によりカセットCから取り出されたウェハWは、加工装置4のアライメントユニット50に搬送され、スピンチャック200に保持される。その後、ウェハWの水平方向の向きが調節される前に、検知センサ120によって、ウェハWの上方から保護テープPの有無が検知される。
In such a case, steps S1 and T1 are different in the wafer processing of the above embodiment. That is, in step S 1, the wafer W taken out of the cassette C by the
検知センサ120によりウェハWの上面に保護テープPが無いと検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは正常であると確認される。かかる場合、後続のステップS2が行われる。
If the
一方、検知センサ120によりウェハWの上面に保護テープPが有ると検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは反対である(異常である)と確認される。かかる場合、ステップT1において、スピンチャック200に保持されたウェハWは、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113によりアライメントユニット50から搬出される。そして、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、表面W1が上方に向けられる。その後、ウェハWをカセットCに戻した後、すなわち表裏面が正常な状態でウェハWを収納した後、再び搬送フォーク113により当該ウェハWをカセットCから取り出す。その後、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、裏面W2が上方に向けられた後、ウェハWはアライメントユニット50に搬送される。そして、後続のステップS2が行われる。
On the other hand, when the
なお、図5に示した例では、検知センサ120は、スピンチャック200に保持されたウェハWの上方から保護テープPの有無を検知したが、ウェハWの下方から保護テープPの有無を検知してもよいし、あるいはウェハWの上方と下方の両方から保護テープPの有無を検知してもよい。
In the example shown in FIG. 5, the
例えば図6に示すように検知センサ120は、搬送ユニット40で搬送中のウェハWに対して、保護テープPの有無を検知してもよい。具体的に検知センサ120は、例えばアライメントユニット50の上方であって、搬送ユニット40に保持されたウェハWの下方に配置される。
For example, as shown in FIG. 6, the
かかる場合、上記実施形態のウェハ処理において、ステップS1とステップT1が異なる。すなわち、一旦ステップS2におけるウェハWのアライメントが行われた後、ステップS1において、搬送ユニット40で搬送中のウェハWに対して、検知センサ120により保護テープPの有無が検知される。
In such a case, steps S1 and T1 are different in the wafer processing of the above embodiment. That is, once alignment of the wafer W in step S2 is performed, the presence or absence of the protective tape P is detected by the
ステップS1では、検知センサ120によりウェハWの下面に保護テープPが有ると検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは正常であると確認される。かかる場合、後続のステップS3が行われる。
In step S1, when the
一方、検知センサ120によりウェハWの上面に保護テープPが無いと検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは反対である(異常である)と確認される。かかる場合、ステップT1において、搬送ユニット40に保持されたウェハWは、アライメントユニット50に戻された後、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113によりアライメントユニット50から搬出される。そして、搬送フォーク113によりウェハWの裏面W2が上方に向けられた後、ウェハWはアライメントユニット50に再び搬送される。そして、後続のステップS2が行われる。
On the other hand, when the
なお、図6に示した例では、検知センサ120は、搬送ユニット40に保持されたウェハWの下方から保護テープPの有無を検知したが、ウェハWの上方から保護テープPの有無を検知してもよいし、あるいはウェハWの上方と下方の両方から保護テープPの有無を検知してもよい。
In the example shown in FIG. 6, the
以上のように検知センサ120が加工装置4の内部に配置された場合でも、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。なお、上述したステップT1におけるウェハWの表裏面の反転方法は一例であって、チャック31に受け渡されるウェハWの裏面W2が上方に向けられれば、任意の方法をとることができる。但し、ステップT1におけるウェハWの表裏面の反転を、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113により行う場合、上記実施形態のように検知センサ120を搬送ステーション6のウェハ搬送領域110に設ける方が効率が良い。
Even when the
以上の実施形態では、ウェハWの表面W1にはデバイスを保護するために保護テープPが貼り付けられていたが、デバイスの保護材はこれに限定されない。例えばウェハWの表面W1には、支持ウェハやガラス基板などの支持基板が貼り合せられていてもよく、かかる場合でも本発明を適用することができる。 In the above embodiment, the protective tape P is attached to the surface W1 of the wafer W in order to protect the device, but the protective material of the device is not limited to this. For example, a support substrate such as a support wafer or a glass substrate may be attached to the surface W1 of the wafer W, and the present invention can be applied even in such a case.
以上の実施形態の基板処理システム1において、加工装置4は、粗研削ユニット80、中研削ユニット90、仕上研削ユニット100を有していたが、ユニットの構成はこれに限定されない。例えば第1の加工位置A1に粗研削ユニット80が配置され、第2の加工位置A2に仕上研削ユニット100が配置され、第3の加工位置A3に研磨ユニット(図示せず)が配置されてもよい。
In the substrate processing system 1 of the above embodiment, the
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、上記実施形態の基板処理システム1ではウェハWの裏面W2を研削したが、本発明は、ウェハWの裏面W2からレーザ加工や切削刃による加工等を行う場合にも適用することができる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this example. It is apparent that those skilled in the art can conceive of various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims, and the technical scope of the present invention is also natural for them. It is understood to belong to For example, although the back surface W2 of the wafer W is ground in the substrate processing system 1 of the above embodiment, the present invention can also be applied to the case where laser processing or processing with a cutting blade is performed from the back surface W2 of the wafer W.
1 基板処理システム
2 搬入ステーション
3 搬出ステーション
4 加工装置
5 後処理装置
6 搬送ステーション
30 回転テーブル
31 チャック
40 搬送ユニット
50 アライメントユニット
60 第1の洗浄ユニット
70 第2の洗浄ユニット
80 粗研削ユニット
90 中研削ユニット
100 仕上研削ユニット
110 ウェハ搬送領域
112 ウェハ搬送装置
120 検知センサ
130 制御部
P 保護テープ
W ウェハ
W1 表面
W2 裏面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (11)
前記基板の表面を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の裏面から加工する加工部と、
前記基板保持部で前記基板を保持する前に、少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知する保護材検知部と、を有する、基板処理システム。 A substrate processing system for processing from the back surface of a substrate provided with a protective material on the front surface, comprising:
A substrate holding unit that holds the surface of the substrate;
A processing unit configured to process from the back surface of the substrate held by the substrate holding unit;
A substrate processing system, comprising: a protective material detection unit that detects the presence or absence of the protective material at least from above or below the substrate before the substrate is held by the substrate holding unit.
前記加工装置に対して前記基板を搬送する搬送部と、をさらに有し、
前記保護材検知部は前記加工装置又は前記搬送部に設けられている、請求項1に記載の基板処理システム。 A processing apparatus comprising the substrate holding unit and the processing unit;
And a transport unit configured to transport the substrate to the processing apparatus,
The substrate processing system according to claim 1, wherein the protective material detection unit is provided in the processing apparatus or the transport unit.
前記保護材検知部による検知結果に基づいて、前記基板の表裏面の向きが正常でないと確認された場合、前記搬送装置は当該基板の表裏面を反転させて、基板を収容する収容容器に戻す、請求項3に記載の基板処理システム。 When it is confirmed that the orientation of the front and back of the substrate is normal based on the detection result by the protective material detection unit, the transport device transports the substrate to the processing device,
If it is confirmed that the orientation of the front and back of the substrate is not normal based on the detection result by the protective material detection unit, the transport device reverses the front and back of the substrate and returns the container to the container that accommodates the substrate. The substrate processing system according to claim 3.
保護材検知部を用いて少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知し、当該検知結果に基づいて前記基板の表裏面の向きを確認する第1の工程と、
その後、前記第1の工程において、前記基板の表裏面の向きが正常であると確認された場合、基板保持部で前記基板の表面を保持し、加工部を用いて当該基板の裏面から加工する第2の工程と、を有する、基板処理方法。 A substrate processing method for processing from the back surface of a substrate provided with a protective material on the front surface,
A first step of detecting the presence or absence of the protective material at least from above or below the substrate using a protective material detection unit, and confirming the orientation of the front and back surfaces of the substrate based on the detection result;
Thereafter, in the first step, when it is confirmed that the orientation of the front and back of the substrate is normal, the substrate holding unit holds the surface of the substrate, and processing is performed from the back of the substrate using a processing unit. A substrate processing method having a second step.
前記第1の工程は、前記加工装置の内部、又は前記加工装置に対して前記基板を搬送する搬送部の内部において行われる、請求項6に記載の基板処理方法。 The substrate holding unit and the processing unit are provided in a processing apparatus,
The substrate processing method according to claim 6, wherein the first step is performed in the inside of the processing apparatus or in the inside of a transport unit that transports the substrate to the processing apparatus.
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|---|---|---|---|---|
| JP2001028355A (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | Grinding equipment |
| JP2012248683A (en) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Nitto Denko Corp | Semiconductor wafer mounting method and semiconductor wafer mounting device |
| JP2018187688A (en) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 株式会社ディスコ | Processing equipment |
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