[go: up one dir, main page]

JP2019114684A - Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium - Google Patents

Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium Download PDF

Info

Publication number
JP2019114684A
JP2019114684A JP2017247663A JP2017247663A JP2019114684A JP 2019114684 A JP2019114684 A JP 2019114684A JP 2017247663 A JP2017247663 A JP 2017247663A JP 2017247663 A JP2017247663 A JP 2017247663A JP 2019114684 A JP2019114684 A JP 2019114684A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
unit
processing
processing system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017247663A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
宗久 児玉
Munehisa Kodama
宗久 児玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2017247663A priority Critical patent/JP2019114684A/en
Publication of JP2019114684A publication Critical patent/JP2019114684A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】表面に保護材が設けられた基板に対し、当該基板の裏面から適切に加工する。【解決手段】表面に保護材が設けられたウェハWの裏面から加工する基板処理システム1は、ウェハWを保持するチャック31と、チャック31に保持されたウェハWの裏面から加工する加工ユニット80、90、100と、チャック31でウェハWを保持する前に、少なくともウェハWの上方又は下方から保護テープの有無を検知する検知センサ120と、を有している。【選択図】図1PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately process a substrate provided with a protective material on the front surface from the back surface of the substrate. SOLUTION: A substrate processing system 1 for processing from the back surface of a wafer W provided with a protective material on the front surface has a chuck 31 for holding the wafer W and a processing unit 80 for processing from the back surface of the wafer W held by the chuck 31. , 90, 100, and a detection sensor 120 that detects the presence or absence of the protective tape from at least above or below the wafer W before the wafer W is held by the chuck 31. [Selection diagram] Fig. 1

Description

本発明は、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理システム、当該基板処理システムを用いた基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。   The present invention relates to a substrate processing system for processing from the back surface of a substrate provided with a protective material on the front surface, a substrate processing method using the substrate processing system, a program, and a computer storage medium.

近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ(以下、ウェハという)に対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。また、例えば特許文献1に記載されているとおり、ウェハの表面には、デバイスを保護する保護材として、例えば保護テープが設けられている。   In recent years, in the semiconductor device manufacturing process, the back surface of a wafer may be ground to thin the wafer with respect to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) on which devices such as a plurality of electronic circuits are formed on the surface. It has been done. Further, as described in, for example, Patent Document 1, a protective tape is provided on the surface of the wafer as a protective material for protecting the device.

ウェハの裏面の研削は、例えばウェハの表面を保持し回転自在のチャックと、チャックに保持されたウェハの裏面を研削する研削砥石を備え環状で回転自在に構成された研削ホイールと、を備えた研削装置で行われる。そして、特許文献1に記載された研削方法では、先ず、ウェハの表面に保護テープを貼り付ける。その後、研削装置において、保護テープが貼り付けられたウェハの表面を当該保護テープを介してチャックで保持した後、チャックと研削ホイールを回転させながら、研削砥石をウェハの裏面に接触させることによって、当該ウェハの裏面を研削する。   The grinding of the back surface of the wafer comprises, for example, a rotatable chuck that holds the front surface of the wafer and a rotatable grinding wheel including a grinding wheel that grinds the back surface of the wafer held by the chuck. It takes place in a grinding device. Then, in the grinding method described in Patent Document 1, first, a protective tape is attached to the surface of the wafer. Thereafter, in the grinding apparatus, the surface of the wafer to which the protective tape is attached is held by the chuck via the protective tape, and then the grinding wheel is brought into contact with the back surface of the wafer while rotating the chuck and the grinding wheel. Grind the back of the wafer.

特開2012−38801号公報JP, 2012-38801, A

しかしながら、特許文献1に記載された研削方法において、研削装置では、ウェハの表裏面が反転された状態、すなわちウェハの表面が上方を向いた状態で、誤ってチャックに保持される可能性がある。この原因は種々考えられるが、例えばオペレータの誤操作によって表裏面が反転した場合や、そもそも研削装置に搬送されたウェハの表裏面が反転している場合などがある。そして、かかる場合、ウェハの裏面を適切に研削することができない。   However, in the grinding method described in Patent Document 1, in the grinding apparatus, the wafer may be erroneously held by the chuck with the front and back surfaces of the wafer turned upside down, that is, with the front surface of the wafer facing upward. . There are various causes for this, but there are cases, for example, when the front and back surfaces are reversed due to an operator's erroneous operation, or when the front and back surfaces of the wafer conveyed to the grinding apparatus are originally reversed. And in such a case, the back surface of the wafer can not be properly ground.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、表面に保護材が設けられた基板に対し、当該基板の裏面から適切に加工することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and has an object of appropriately processing a substrate provided with a protective material on the front surface from the back surface of the substrate.

上記課題を解決する本発明の一態様は、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理システムであって、前記基板の表面を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の裏面から加工する加工部と、前記基板保持部で前記基板を保持する前に、少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知する保護材検知部と、を有する。   One aspect of the present invention which solves the above-mentioned subject is a substrate processing system processed from the back of a substrate by which a protective material was provided in the surface, and the substrate holding part which holds the surface of the substrate, and the substrate holding part A processing unit for processing from the back surface of the held substrate, and a protection material detection unit for detecting the presence or absence of the protection material at least from above or below the substrate before holding the substrate by the substrate holding unit; Have.

別な観点による本発明の一態様は、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理方法であって、保護材検知部を用いて少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知し、当該検知結果に基づいて前記基板の表裏面の向きを確認する第1の工程と、その後、前記第1の工程において、前記基板の表裏面の向きが正常であると確認された場合、基板保持部で前記基板の表面を保持し、加工部を用いて当該基板の裏面から加工する第2の工程と、を有する。   One embodiment of the present invention according to another aspect is a substrate processing method of processing from the back surface of a substrate provided with a protective material on the front surface, and using the protective material detection unit, the protective material at least from above or below the substrate In the first step of detecting the orientation of the front and back of the substrate based on the detection result, and thereafter confirming that the orientation of the front and back of the substrate is normal in the first step And a second step of holding the front surface of the substrate by the substrate holding unit and processing the back surface of the substrate using the processing unit.

また別な観点による本発明の一態様によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program operating on a computer of a control unit that controls the substrate processing system to cause the substrate processing system to execute the substrate processing method.

さらに別な観点による本発明の一態様によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to still another aspect of the present invention, there is provided a readable computer storage medium storing the program.

本発明によれば、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工するに際し、研削前に基板の保護材の有無を検知して、当該基板の表裏面の向きを確認することにより、基板の表裏面の向きが正常な状態で、当該基板の裏面から適切に加工することができる。   According to the present invention, when processing from the back surface of the substrate provided with the protective material on the front surface, the substrate is detected by detecting the presence or absence of the protective material of the substrate before grinding to confirm the orientation of the front and back surfaces of the substrate. It is possible to properly process from the back surface of the substrate in a state in which the front and back surfaces have a normal orientation.

本実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the outline | summary of a structure of the substrate processing system concerning this embodiment. ウェハの構成の概略を示す側面図である。It is a side view showing an outline of composition of a wafer. 搬送ステーションの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of an internal structure of a conveyance station. ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main process of wafer processing. 他の実施形態にかかる検知センサの配置を示す説明図である。It is an explanatory view showing arrangement of a detection sensor concerning other embodiments. 他の実施形態にかかる検知センサの配置を示す説明図である。It is an explanatory view showing arrangement of a detection sensor concerning other embodiments.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, elements having substantially the same functional configuration will be assigned the same reference numerals and redundant description will be omitted.

<基板処理システム>
先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図1は、基板処理システム1の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
<Substrate processing system>
First, the configuration of a substrate processing system according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a substrate processing system 1. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction orthogonal to one another are defined, and the Z-axis positive direction is the vertically upward direction.

本実施形態の基板処理システム1では、図2に示す、基板としてのウェハWを薄化する。ウェハWは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。ウェハWの表面W1にはデバイス(図示せず)が形成されており、さらに当該表面W1にはデバイスを保護するための保護材、例えば保護テープPが貼り付けられている。そして、ウェハWの裏面W2に対して研削などの所定の処理が行われ、当該ウェハが薄化される。   In the substrate processing system 1 of the present embodiment, the wafer W as a substrate shown in FIG. 2 is thinned. The wafer W is, for example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer. A device (not shown) is formed on the surface W1 of the wafer W, and a protective material for protecting the device, for example, a protective tape P is attached to the surface W1. Then, predetermined processing such as grinding is performed on the back surface W2 of the wafer W to thin the wafer.

図1に示すように基板処理システム1は、処理前のウェハWを収容容器としてのカセットC内に収納し、複数のウェハWをカセット単位で外部から基板処理システム1に搬入する搬入ステーション2と、処理後のウェハWをカセットC内に収納し、複数のウェハWをカセット単位で基板処理システム1から外部に搬出する搬出ステーション3と、ウェハWに加工処理を行って薄化する加工装置4と、加工処理後のウェハWの後処理を行う後処理装置5と、搬入ステーション2、加工装置4及び後処理装置5の間でウェハWを搬送する、搬送部としての搬送ステーション6と、を接続した構成を有している。搬入ステーション2、搬送ステーション6、及び加工装置4は、X軸負方向側においてY軸方向にこの順で並べて配置されている。搬出ステーション3と後処理装置5は、X軸正方向側においてY軸方向にこの順で並べて配置されている。   As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 stores a wafer W before processing in a cassette C as a storage container, and carries in a plurality of wafers W from the outside into the substrate processing system 1 in cassette units, and A loading station 3 for storing the processed wafers W in a cassette C and unloading a plurality of wafers W from the substrate processing system 1 in units of cassettes; and a processing apparatus 4 for processing the wafers W for thinning And a post-processing apparatus 5 for post-processing the processed wafer W; and a transfer station 6 as a transfer unit for transferring the wafer W between the loading station 2, the processing apparatus 4 and the post-processing apparatus 5; It has a connected configuration. The loading station 2, the transfer station 6, and the processing device 4 are arranged in this order in the Y-axis direction on the X-axis negative direction side. The unloading station 3 and the post-processing device 5 are arranged side by side in this order in the Y-axis direction on the X-axis positive direction side.

(搬入ステーション)
搬入ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。図示の例では、カセット載置台10には、複数、例えば2つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台10に載置されたカセットC内には、保護テープPがウェハWを支持するガイド(図示せず)と接触して損傷を被ったり、変形したりするのを抑制するため、当該保護テープPが貼り付けられたウェハWの表面W1が上方を向くようにウェハWが収納されている。
(Loading station)
A cassette mounting table 10 is provided at the loading station 2. In the illustrated example, a plurality of, for example, two cassettes C can be mounted on the cassette mounting table 10 in a row in the X-axis direction. In the cassette C mounted on the cassette mounting table 10, the protective tape P is in contact with a guide (not shown) supporting the wafer W to prevent damage or deformation. The wafer W is stored such that the front surface W1 of the wafer W to which the protective tape P is attached is directed upward.

(搬出ステーション)
搬出ステーション3も、搬入ステーション2と同様の構成を有している。搬出ステーション3にはカセット載置台20が設けられ、カセット載置台20には、例えば2つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。なお、搬入ステーション2と搬出ステーション3は1つの搬入出ステーションに統合されてもよく、かかる場合、搬入出ステーションには共通のカセット載置台が設けられる。
(Transportation station)
The unloading station 3 also has the same configuration as the loading station 2. A cassette mounting table 20 is provided at the unloading station 3, and for example, two cassettes C can be mounted on the cassette mounting table 20 in a row in the X-axis direction. The loading station 2 and the unloading station 3 may be integrated into one loading and unloading station, and in such a case, the loading and unloading station is provided with a common cassette mounting table.

(加工装置)
加工装置4では、ウェハWに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。加工装置4は、回転テーブル30、搬送ユニット40、アライメントユニット50、第1の洗浄ユニット60、第2の洗浄ユニット70、加工部としての粗研削ユニット80、加工部としての中研削ユニット90、及び加工部としての仕上研削ユニット100を有している。
(Processing device)
In the processing device 4, processing such as grinding and cleaning is performed on the wafer W. The processing apparatus 4 includes a rotary table 30, a transport unit 40, an alignment unit 50, a first cleaning unit 60, a second cleaning unit 70, a rough grinding unit 80 as a processing unit, a middle grinding unit 90 as a processing unit, It has a finishing grinding unit 100 as a processing unit.

回転テーブル30は、回転機構(図示せず)によって回転自在に構成されている。回転テーブル30上には、ウェハWの表面W1を保護テープPを介して吸着保持する、基板保持部としてのチャック31が4つ設けられている。チャック31は、回転テーブル30と同一円周上に均等、すなわち90度毎に配置されている。4つのチャック31は、回転テーブル30が回転することにより、受渡位置A0及び加工位置A1〜A3に移動可能になっている。   The rotary table 30 is rotatably configured by a rotation mechanism (not shown). On the rotating table 30, four chucks 31 as a substrate holding unit are provided which hold the front surface W1 of the wafer W by suction via the protective tape P. The chucks 31 are arranged uniformly on the same circumference as the rotary table 30, that is, every 90 degrees. The four chucks 31 are movable to the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3 by rotation of the rotary table 30.

本実施形態では、受渡位置A0は回転テーブル30のX軸正方向側且つY軸負方向側の位置であり、当該受渡位置A0のY軸負方向側には、第2の洗浄ユニット70、アライメントユニット50及び第1の洗浄ユニット60が並べて配置される。アライメントユニット50と第1の洗浄ユニット60は上方からこの順で積層されて配置される。第1の加工位置A1は回転テーブル30のX軸正方向側且つY軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット80が配置される。第2の加工位置A2は回転テーブル30のX軸負方向側且つY軸正方向側の位置であり、中研削ユニット90が配置される。第3の加工位置A3は回転テーブル30のX軸負方向側且つY軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット100が配置される。   In the present embodiment, the delivery position A0 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the rotary table 30, and the second cleaning unit 70, alignment on the Y-axis negative direction side of the delivery position A0. The unit 50 and the first cleaning unit 60 are arranged side by side. The alignment unit 50 and the first cleaning unit 60 are stacked and arranged in this order from above. The first processing position A1 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis positive direction side of the rotary table 30, and the rough grinding unit 80 is disposed. The second processing position A2 is a position on the X axis negative direction side and the Y axis positive direction side of the rotary table 30, and the middle grinding unit 90 is disposed. The third processing position A3 is a position on the X axis negative direction side and the Y axis negative direction side of the rotary table 30, and the finish grinding unit 100 is disposed.

チャック31はチャックベース32に保持されている。チャック31及びチャックベース32は、回転機構(図示せず)によって回転可能に構成されている。   The chuck 31 is held by a chuck base 32. The chuck 31 and the chuck base 32 are configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).

搬送ユニット40は、複数、例えば3つのアーム41〜43を備えた多関節型のロボットである。3つのアーム41〜43は関節部(図示せず)によって接続され、これら関節部によって、第1のアーム41と第2のアーム42はそれぞれ基端部を中心に旋回自在に構成されている。3つのアーム41〜43のうち、先端の第1のアーム41には、ウェハWを吸着保持する搬送パッド44が取り付けられている。また、3つのアーム41〜43のうち、基端の第3のアーム43は、アーム41〜43を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構45に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット40は、受渡位置A0、アライメントユニット50、第1の洗浄ユニット60、及び第2の洗浄ユニット70に対して、ウェハWを搬送できる。   The transport unit 40 is an articulated robot including a plurality of, for example, three arms 41 to 43. The three arms 41 to 43 are connected by joints (not shown), and by these joints, the first arm 41 and the second arm 42 are configured to be pivotable around their respective proximal ends. Of the three arms 41 to 43, a transfer pad 44 for holding the wafer W by suction is attached to the first arm 41 at the tip. Further, the third arm 43 at the proximal end of the three arms 41 to 43 is attached to a vertical movement mechanism 45 that moves the arms 41 to 43 in the vertical direction. The transfer unit 40 having such a configuration can transfer the wafer W to the delivery position A0, the alignment unit 50, the first cleaning unit 60, and the second cleaning unit 70.

アライメントユニット50では、研削処理前のウェハWの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック(後述の図5に示すスピンチャック200)に保持されたウェハWを回転させながら、検出部(後述の図5に示す検出部201)でウェハWのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハWの水平方向の向きを調節する。   The alignment unit 50 adjusts the horizontal direction of the wafer W before the grinding process. For example, while rotating the wafer W held by the spin chuck (the spin chuck 200 shown in FIG. 5 described later), the position of the notch of the wafer W is detected by the detection unit (the detection unit 201 shown in FIG. Then, the position of the notch is adjusted to adjust the horizontal direction of the wafer W.

第1の洗浄ユニット60では、研削処理後のウェハWの裏面W2を洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。例えばスピンチャック(図示せず)に保持されたウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル(図示せず)からウェハWの裏面W2に洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は裏面W2上を拡散し、当該裏面W2が洗浄される。   In the first cleaning unit 60, the back surface W2 of the wafer W after the grinding process is cleaned, more specifically, spin-cleaned. For example, while rotating the wafer W held by a spin chuck (not shown), the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle (not shown) to the back surface W2 of the wafer W. Then, the supplied cleaning liquid diffuses on the back surface W2, and the back surface W2 is cleaned.

第2の洗浄ユニット70では、研削処理後のウェハWが搬送パッド44に保持された状態のウェハWの表面W1、すなわち表面W1に貼り付けられた保護テープPを洗浄するとともに、搬送パッド44を洗浄する。   The second cleaning unit 70 cleans the transfer pad 44 while cleaning the surface W1 of the wafer W in a state where the wafer W after grinding processing is held by the transfer pad 44, that is, the protective tape P attached to the surface W1. Wash.

粗研削ユニット80では、ウェハWの裏面W2を粗研削する。粗研削ユニット80は、環状形状で回転自在な粗研削砥石(図示せず)を備えた粗研削部81を有している。また、粗研削部81は、支柱82に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を粗研削砥石に当接させた状態で、チャック31と粗研削砥石をそれぞれ回転させることによって、ウェハWの裏面W2を粗研削する。   In the rough grinding unit 80, the back surface W2 of the wafer W is roughly ground. The rough grinding unit 80 has a rough grinding portion 81 provided with a ring-shaped rotatable rough grinding wheel (not shown). In addition, the rough grinding portion 81 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support 82. Then, while the back surface W2 of the wafer W held by the chuck 31 is in contact with the rough grinding wheel, the chuck 31 and the rough grinding wheel are respectively rotated to roughly grind the back surface W2 of the wafer W.

中研削ユニット90では、ウェハWの裏面W2を中研削する。中研削ユニット90は、環状形状で回転自在な中研削砥石(図示せず)を備えた中研削部91を有している。また、中研削部91は、支柱92に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を中研削砥石に当接させた状態で、チャック31と中研削砥石をそれぞれ回転させることによって、裏面W2を中研削する。   In the middle grinding unit 90, the back surface W2 of the wafer W is middle ground. The middle grinding unit 90 has a middle grinding portion 91 having an annular shape and a rotatable middle grinding wheel (not shown). The middle grinding portion 91 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support 92. The grain size of the abrasive grains of the medium grinding wheel is smaller than the grain size of the abrasive grains of the rough grinding stone. Then, while the back surface W2 of the wafer W held by the chuck 31 is in contact with the middle grinding stone, the chuck 31 and the middle grinding wheel are respectively rotated to middle grind the back surface W2.

仕上研削ユニット100では、ウェハWの裏面W2を仕上研削する。仕上研削ユニット100は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石(図示せず)を備えた仕上研削部101を有している。また、仕上研削部101は、支柱102に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック31に保持されたウェハWの裏面W2を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック31と仕上研削砥石をそれぞれ回転させることによって、裏面W2を仕上研削する。   In the finish grinding unit 100, the back surface W2 of the wafer W is finish ground. The finish grinding unit 100 has a finish grinding portion 101 provided with a ring-shaped rotatable finish grinding wheel (not shown). The finish grinding unit 101 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support 102. The grain size of the abrasive grains of the finish grinding wheel is smaller than the grain size of the abrasive grains of the medium grinding wheel. Then, while the back surface W2 of the wafer W held by the chuck 31 is in contact with the finish grinding wheel, the back surface W2 is finish ground by rotating the chuck 31 and the finish grinding wheel respectively.

(後処理装置)
後処理装置5では、加工装置4で加工処理されたウェハWに対して後処理が行われる。後処理としては、例えばウェハWをダイシングテープを介してダイシングフレームに保持するマウント処理、ウェハWに貼り付けられた保護テープPを剥離する剥離処理などが行われる。そして、後処理装置5は、後処理が行われダイシングフレームに保持されたウェハWを搬出ステーション3のカセットCに搬送する。後処理装置5で行われるマウント処理や剥離処理はそれぞれ、公知の装置が用いられる。
(Post-processing device)
In the post-processing apparatus 5, post-processing is performed on the wafer W processed by the processing apparatus 4. As the post-processing, for example, a mounting process of holding the wafer W on the dicing frame through the dicing tape, a peeling process of peeling the protective tape P attached to the wafer W, and the like are performed. Then, the post-processing apparatus 5 carries the post-processing and carries the wafer W held by the dicing frame to the cassette C of the unloading station 3. A known device is used for the mounting process and the peeling process performed by the post-processing device 5 respectively.

(搬送ステーション)
図1及び図3に示すように搬送ステーション6には、ウェハ搬送領域110が設けられている。ウェハ搬送領域110には、X軸方向に延伸する搬送路111上を移動自在なウェハ搬送装置112が設けられている。ウェハ搬送装置112は、ウェハWを保持するウェハ保持部として、搬送フォーク113と搬送パッド114を有している。搬送フォーク113は、その先端が2本に分岐し、ウェハWを吸着保持する。搬送フォーク113は、研削処理前のウェハWを搬送する。搬送パッド114は、平面視においてウェハWの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハWを吸着保持する。搬送パッド114は、研削処理後のウェハWを搬送する。搬送フォーク113と搬送パッド114は、移動機構115に取り付けられている。この移動機構115によって、搬送フォーク113と搬送パッド114はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。
(Transport station)
As shown in FIGS. 1 and 3, the transfer station 6 is provided with a wafer transfer area 110. In the wafer transfer area 110, a wafer transfer apparatus 112 movable on the transfer path 111 extending in the X-axis direction is provided. The wafer transfer apparatus 112 has a transfer fork 113 and a transfer pad 114 as a wafer holding unit for holding the wafer W. The tip of the transfer fork 113 is branched into two, and the wafer W is held by suction. The transfer fork 113 transfers the wafer W before the grinding process. The transfer pad 114 has a circular shape with a diameter longer than that of the wafer W in plan view, and holds the wafer W by suction. The transfer pad 114 transfers the wafer W after the grinding process. The transfer fork 113 and the transfer pad 114 are attached to the moving mechanism 115. The transfer fork 113 and the transfer pad 114 are configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, around the horizontal axis, and around the vertical axis by the moving mechanism 115, respectively.

ウェハ搬送領域110には、ウェハWにおける保護テープPの有無を検知する、保護材検知部としての検知センサ120が設けられている。検知センサ120には、保護テープPに接触せずに当該保護テープPの有無を検査する厚みを測定するセンサが用いられ、例えば白色共焦点(コンフォーカル)式の光学系センサが用いられる。検知センサ120は、ウェハW(保護テープP)に対して所定の波長帯域を有する光を照射し、さらに保護テープPの表面から反射した反射光と、裏面から反射した反射光とを受光する。そして、この受光した両反射光に基づいて、保護テープPの有無が検知される。   The wafer transfer area 110 is provided with a detection sensor 120 as a protective material detection unit that detects the presence or absence of the protective tape P in the wafer W. As the detection sensor 120, a sensor that measures the thickness to check the presence or absence of the protective tape P without contacting the protective tape P is used, and for example, a white confocal (confocal) optical system sensor is used. The detection sensor 120 irradiates the wafer W (protective tape P) with light having a predetermined wavelength band, and further receives the reflected light reflected from the front surface of the protective tape P and the reflected light reflected from the back surface. Then, the presence or absence of the protective tape P is detected based on the received both reflected lights.

なお、本実施形態では検知センサ120には白色共焦点式の光学系センサが用いられたが、検知センサ120の構成はこれに限定されず、保護テープPの有無を検知するものであれば任意の測定器を用いることができる。例えばウェハW(保護テープP)に所定の光を所定の波長帯域を有する光を照射し、さらにウェハW(保護テープP)の表面から反射した反射光の光量を測定して、保護テープPの有無を検知してもよい。   Although a white confocal optical system sensor is used as the detection sensor 120 in this embodiment, the configuration of the detection sensor 120 is not limited to this, and any configuration may be used as long as it detects the presence or absence of the protective tape P. Can be used. For example, the wafer W (protective tape P) is irradiated with light having a predetermined wavelength band, and the amount of light reflected from the surface of the wafer W (protective tape P) is measured to obtain a protective tape P The presence or absence may be detected.

検知センサ120は、複数、例えば2つ設けられ、カセット載置台10においてカセットCが載置される位置に対応して配置されている。また、検知センサ120は、カセット載置台10に載置されるカセットCの上方の高さ位置に配置されている。そして、検知センサ120は、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113に保持されたウェハWの上方から保護テープPの有無を検知する。上述したようにカセットCでは、保護テープPが貼り付けられたウェハWの表面W1が上方を向くようにウェハWが収納されている。そこで、検知センサ120がウェハWの上面に保護テープPが有ると検知すれば、当該ウェハWの表裏面の向きは正常であると確認される。   A plurality, for example, two, of the detection sensors 120 are provided, and are arranged corresponding to the position at which the cassette C is mounted on the cassette mounting table 10. Further, the detection sensor 120 is disposed at a height position above the cassette C mounted on the cassette mounting table 10. Then, the detection sensor 120 detects the presence or absence of the protective tape P from above the wafer W held by the transfer fork 113 of the wafer transfer apparatus 112. As described above, in the cassette C, the wafer W is stored such that the front surface W1 of the wafer W to which the protective tape P is attached is directed upward. Therefore, if the detection sensor 120 detects that the protective tape P is present on the upper surface of the wafer W, it is confirmed that the orientation of the front and back surfaces of the wafer W is normal.

なお、本実施形態では、検知センサ120は、搬送フォーク113に保持されたウェハWの上方から保護テープPの有無を検知したが、ウェハWの下方から保護テープPの有無を検知してもよい。かかる場合、検知センサ120がウェハWの下面に保護テープPが無いと検知すれば、当該ウェハWの表裏面の向きは正常であると確認される。また、検知センサ120をウェハWの上下2か所に設け、ウェハWの上方と下方の両方から、保護テープPの有無を検知してもよい。   In the present embodiment, the detection sensor 120 detects the presence or absence of the protective tape P from above the wafer W held by the transport fork 113, but may detect the presence or absence of the protective tape P from below the wafer W . In such a case, if the detection sensor 120 detects that the protective tape P is not present on the lower surface of the wafer W, the orientation of the front and back surfaces of the wafer W is confirmed to be normal. Further, the detection sensors 120 may be provided at two positions above and below the wafer W, and the presence or absence of the protective tape P may be detected from both the upper side and the lower side of the wafer W.

図1に示すように基板処理システム1には、制御部130が設けられている。制御部130は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、基板処理システム1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム1における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部130にインストールされたものであってもよい。   As shown in FIG. 1, a control unit 130 is provided in the substrate processing system 1. The control unit 130 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling the processing of the wafer W in the substrate processing system 1. The program storage unit also stores a program for realizing the below-described wafer processing in the substrate processing system 1 by controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transport apparatuses. The program is recorded on a computer readable storage medium H such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disc (CD), a magnet optical desk (MO), a memory card, etc. It may be one that has been installed in the control unit 130 from the storage medium H.

<ウェハ処理>
次に、以上のように構成された基板処理システム1を用いて行われるウェハ処理について説明する。
<Wafer processing>
Next, wafer processing performed using the substrate processing system 1 configured as described above will be described.

先ず、複数のウェハWを収納したカセットCが、搬入ステーション2のカセット載置台10に載置される。上述したようにカセットC内には、保護テープPが損傷を被ったり、変形したりするのを抑制するため、当該保護テープPが貼り付けられたウェハWの表面W1が上方を向くようにウェハWが収納されている。   First, a cassette C containing a plurality of wafers W is placed on the cassette mounting table 10 of the loading station 2. As described above, in order to prevent the protective tape P from being damaged or deformed in the cassette C, the wafer W is directed such that the surface W1 of the wafer W to which the protective tape P is attached is directed upward. W is stored.

次に、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113によりカセットC内のウェハWが取り出される。この際、図3に示したように検知センサ120によって、搬送フォーク113に保持されたウェハWの上方から、保護テープPの有無が検知され、その検知結果に基づいて、ウェハWの表裏面の向きが確認される(図4のステップS1)。   Next, the wafer W in the cassette C is taken out by the transfer fork 113 of the wafer transfer apparatus 112. At this time, as shown in FIG. 3, the detection sensor 120 detects the presence or absence of the protective tape P from above the wafer W held by the transfer fork 113, and based on the detection result, the front and back surfaces of the wafer W are detected. The orientation is confirmed (step S1 in FIG. 4).

ステップS1において、検知センサ120によりウェハWの上面に保護テープPが有ると検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは正常であると確認される。かかる場合、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、裏面W2が上方に向けられた後、ウェハWは加工装置4に搬送される。   In step S1, when the detection sensor 120 detects that the protective tape P is present on the upper surface of the wafer W, it is confirmed that the orientation of the front and back surfaces of the wafer W is normal. In such a case, the wafer W is transported to the processing apparatus 4 after the front and back surfaces of the wafer W are inverted by the transfer fork 113 and the back surface W2 is directed upward.

一方、ステップS1において、検知センサ120によりウェハWの上面に保護テープPが無いと検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは反対である(異常である)と確認される。かかる場合、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、表面W1が上方に向けられる(図4のステップT1)。その後、ウェハWをカセットCに戻した後、すなわち表裏面が正常な状態でウェハWを収納した後、再び搬送フォーク113により当該ウェハWをカセットCから取り出す。そして、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、裏面W2が上方に向けられた後、ウェハWは加工装置4に搬送される。かかる場合、表裏面の向きが間違った状態でウェハWがカセットCに収容されていても、正常に後続の処理を継続させることができる。   On the other hand, when it is detected by the detection sensor 120 that there is no protective tape P on the upper surface of the wafer W in step S1, the direction of the front and back of the wafer W is confirmed to be opposite (abnormal). In such a case, the front and back surfaces of the wafer W are inverted by the transfer fork 113, and the front surface W1 is directed upward (step T1 in FIG. 4). Thereafter, after the wafer W is returned to the cassette C, that is, after the wafer W is stored with the front and back surfaces normal, the wafer W is taken out of the cassette C by the transfer fork 113 again. Then, after the front and back surfaces of the wafer W are inverted by the transfer fork 113 and the back surface W2 is directed upward, the wafer W is transferred to the processing apparatus 4. In such a case, even if the wafer W is accommodated in the cassette C with the orientation of the front and back surfaces being incorrect, the subsequent processing can be normally continued.

なお、上述したステップT1におけるウェハWの表裏面の反転方法は一例であって、アライメントユニット50に搬送されるウェハWの裏面W2が上方に向けられれば、任意の方法をとることができる。   Note that the method of reversing the front and back surfaces of the wafer W in step T1 described above is an example, and any method can be taken if the back surface W2 of the wafer W transferred to the alignment unit 50 is directed upward.

以上のように加工装置4に搬送されたウェハWは、その裏面W2が上方に向けられた状態で、アライメントユニット50に受け渡される。そして、アライメントユニット50において、ウェハWの水平方向の向きが調節される(図4のステップS2)。   The wafer W transferred to the processing apparatus 4 as described above is delivered to the alignment unit 50 with the back surface W2 directed upward. Then, in the alignment unit 50, the horizontal direction of the wafer W is adjusted (step S2 in FIG. 4).

次に、ウェハWは搬送ユニット40により、アライメントユニット50から受渡位置A0に搬送され、当該受渡位置A0のチャック31に受け渡される。チャック31では、ウェハWの表面W1が保持される。その後、回転テーブル30を反時計回りに90度回転させ、チャック31を第1の加工位置A1に移動させる。そして、粗研削ユニット80によって、ウェハWの裏面W2が粗研削される(図4のステップS3)。   Next, the wafer W is transported by the transport unit 40 from the alignment unit 50 to the delivery position A0 and delivered to the chuck 31 at the delivery position A0. The chuck 31 holds the surface W1 of the wafer W. Thereafter, the rotary table 30 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the chuck 31 to the first processing position A1. Then, the back surface W2 of the wafer W is roughly ground by the rough grinding unit 80 (step S3 in FIG. 4).

次に、回転テーブル30を反時計回りに90度回転させ、チャック31を第2の加工位置A2に移動させる。そして、中研削ユニット90によって、ウェハWの裏面W2が中研削される(図4のステップS4)。   Next, the rotary table 30 is rotated 90 degrees counterclockwise, and the chuck 31 is moved to the second processing position A2. Then, the back surface W2 of the wafer W is internally ground by the middle grinding unit 90 (step S4 in FIG. 4).

次に、回転テーブル30を反時計回りに90度回転させ、チャック31を第3の加工位置A3に移動させる。そして、仕上研削ユニット100によって、ウェハWの裏面W2が仕上研削される(図4のステップS5)。   Next, the rotary table 30 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the chuck 31 to the third processing position A3. Then, the back surface W2 of the wafer W is finish ground by the finish grinding unit 100 (step S5 in FIG. 4).

次に、回転テーブル30を反時計回りに90度回転させ、又は回転テーブル30を時計回りに270度回転させて、チャック31を受渡位置A0に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル(図示せず)を用いて、ウェハWの裏面W2が洗浄液によって粗洗浄される(図7のステップS6)。このステップS6では、裏面W2の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。   Next, the rotary table 30 is rotated 90 degrees counterclockwise, or the rotary table 30 is rotated 270 degrees clockwise to move the chuck 31 to the delivery position A0. Here, the back surface W2 of the wafer W is roughly cleaned by the cleaning liquid using the cleaning liquid nozzle (not shown) (step S6 in FIG. 7). In this step S6, cleaning is performed to remove the dirt on the back surface W2 to a certain extent.

次に、ウェハWは搬送ユニット40により、受渡位置A0から第2の洗浄ユニット70に搬送される。そして、第2の洗浄ユニット70では、ウェハWが搬送パッド44に保持された状態で、当該ウェハWの表面W1(保護テープP)が洗浄し、乾燥される(図7のステップS7)。   Next, the wafer W is transferred by the transfer unit 40 from the delivery position A0 to the second cleaning unit 70. Then, in the second cleaning unit 70, the surface W1 (protective tape P) of the wafer W is cleaned and dried in a state where the wafer W is held by the transfer pad 44 (Step S7 in FIG. 7).

次に、ウェハWは搬送ユニット40により、第2の洗浄ユニット70から第1の洗浄ユニット60に搬送される。そして、第1の洗浄ユニット60では、洗浄液ノズル(図示せず)を用いて、ウェハWの裏面W2が洗浄液によって仕上洗浄される(図7のステップS8)。このステップS8では、裏面W2が所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。   Next, the wafer W is transferred by the transfer unit 40 from the second cleaning unit 70 to the first cleaning unit 60. Then, in the first cleaning unit 60, the back surface W2 of the wafer W is finish-cleaned by the cleaning liquid using the cleaning liquid nozzle (not shown) (step S8 in FIG. 7). In this step S8, the back surface W2 is washed and dried to a desired cleanliness.

その後、ウェハWはウェハ搬送装置112によって、第1の洗浄ユニット60から後処理装置5に搬送される。そして、後処理装置5では、ウェハWをダイシングフレームに保持するマウント処理や、ウェハWに貼り付けられた保護テープPを剥離する剥離処理などの後処理が行われる(図7のステップS9)。   Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer device 112 from the first cleaning unit 60 to the post-processing device 5. Then, in the post-processing apparatus 5, post-processing such as mounting processing for holding the wafer W on the dicing frame and peeling processing for peeling the protective tape P attached to the wafer W is performed (step S9 in FIG. 7).

その後、すべての処理が施されたウェハWは、搬出ステーション3のカセット載置台20のカセットCに搬送される。こうして、基板処理システム1における一連のウェハ処理が終了する。   Thereafter, the wafer W subjected to all the processes is transferred to the cassette C of the cassette mounting table 20 of the unloading station 3. Thus, a series of wafer processing in the substrate processing system 1 is completed.

以上の実施形態によれば、ステップS1において、検知センサ120により、搬送フォーク113に保持されたウェハWの上方から保護テープPの有無を検知し、その検知結果に基づいて、ウェハWの表裏面の向きを確認することができる。そして、ステップS1でウェハWの表裏面の向きが正常であると確認された場合、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、裏面W2が上方に向けられた状態で、ウェハWは加工装置4に搬送される。一方、ステップS1でウェハの表裏面の向きが正常でないと確認された場合でも、ステップT1でその表裏面を反転させた後、さらに搬送フォーク113によりウェハWの裏面W2が上方に向けられた状態で、ウェハWは加工装置4に搬送される。このように本実施形態では、ステップS1でウェハWの表裏面の向きを確認することにより、加工装置4に搬送されるウェハWの表裏面の向きを確実に正常な状態にすることができる。そしてその結果、加工装置4において、チャック31でウェハWの表面W1を保持し、粗研削ユニット80、中研削ユニット90、仕上研削ユニット100を順次用いて、ウェハWの裏面W2を適切に研削することができる。   According to the above embodiment, in step S1, the detection sensor 120 detects the presence or absence of the protective tape P from above the wafer W held by the transfer fork 113, and based on the detection result, the front and back of the wafer W You can check the orientation of the When it is confirmed in step S1 that the orientation of the front and back of the wafer W is normal, the wafer W is processed in a state where the front and back of the wafer W is inverted by the transfer fork 113 and the back W2 is directed upward. It is transported to the device 4. On the other hand, even if it is confirmed in step S1 that the front and back direction of the wafer is not normal, the back surface W2 of the wafer W is further directed upward by the transfer fork 113 after the front and back surface is reversed in step T1. Then, the wafer W is transferred to the processing apparatus 4. As described above, in the present embodiment, by confirming the orientation of the front and back surfaces of the wafer W in step S1, the orientation of the front and back surfaces of the wafer W transported to the processing apparatus 4 can be reliably made normal. As a result, in processing apparatus 4, front surface W1 of wafer W is held by chuck 31 and rough grinding unit 80, middle grinding unit 90, and finish grinding unit 100 are sequentially used to appropriately grind back surface W2 of wafer W. be able to.

また、本実施形態によれば、一の基板処理システム1において、一連の処理を複数のウェハWに対して連続して行うことができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。   Further, according to the present embodiment, in one substrate processing system 1, a series of processing can be continuously performed on a plurality of wafers W, and the throughput of wafer processing can be improved.

<他の実施形態>
以上の実施形態では、検知センサ120は搬送ステーション6のウェハ搬送領域110に設けられていたが、検知センサ120の設置位置はこれに限定されない。ウェハWがカセットCから取り出されてから、受渡位置A0でチャック31に保持されるまでにおいて、検知センサ120は任意の位置に配置でき、例えば加工装置4の内部に配置されていてもよい。
Other Embodiments
In the above embodiments, the detection sensor 120 is provided in the wafer transfer area 110 of the transfer station 6, but the installation position of the detection sensor 120 is not limited to this. The detection sensor 120 can be disposed at an arbitrary position from the time when the wafer W is taken out of the cassette C and held by the chuck 31 at the delivery position A0, and may be disposed, for example, inside the processing device 4.

例えば図5に示すように検知センサ120は、アライメントユニット50に設けられてもよい。アライメントユニット50は、ウェハWの表面W1(保護テープP)を吸着保持するスピンチャック200と、スピンチャック200に保持されたウェハWのノッチ部の位置を検出する検出部201とを有している。検知センサ120は、スピンチャック200に保持されたウェハWの上方に配置され、保護テープPの有無を検知する。   For example, as shown in FIG. 5, the detection sensor 120 may be provided in the alignment unit 50. The alignment unit 50 has a spin chuck 200 for attracting and holding the surface W1 (protective tape P) of the wafer W, and a detection unit 201 for detecting the position of the notch of the wafer W held by the spin chuck 200. . The detection sensor 120 is disposed above the wafer W held by the spin chuck 200 and detects the presence or absence of the protective tape P.

かかる場合、上記実施形態のウェハ処理において、ステップS1とステップT1が異なる。すなわち、ステップS1において、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113によりカセットCから取り出されたウェハWは、加工装置4のアライメントユニット50に搬送され、スピンチャック200に保持される。その後、ウェハWの水平方向の向きが調節される前に、検知センサ120によって、ウェハWの上方から保護テープPの有無が検知される。   In such a case, steps S1 and T1 are different in the wafer processing of the above embodiment. That is, in step S 1, the wafer W taken out of the cassette C by the transfer fork 113 of the wafer transfer apparatus 112 is transferred to the alignment unit 50 of the processing apparatus 4 and held by the spin chuck 200. Thereafter, before the horizontal direction of the wafer W is adjusted, the detection sensor 120 detects the presence or absence of the protective tape P from above the wafer W.

検知センサ120によりウェハWの上面に保護テープPが無いと検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは正常であると確認される。かかる場合、後続のステップS2が行われる。   If the detection sensor 120 detects that the protective tape P is not present on the upper surface of the wafer W, it is confirmed that the orientation of the front and back surfaces of the wafer W is normal. In such a case, the subsequent step S2 is performed.

一方、検知センサ120によりウェハWの上面に保護テープPが有ると検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは反対である(異常である)と確認される。かかる場合、ステップT1において、スピンチャック200に保持されたウェハWは、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113によりアライメントユニット50から搬出される。そして、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、表面W1が上方に向けられる。その後、ウェハWをカセットCに戻した後、すなわち表裏面が正常な状態でウェハWを収納した後、再び搬送フォーク113により当該ウェハWをカセットCから取り出す。その後、搬送フォーク113によりウェハWの表裏面が反転され、裏面W2が上方に向けられた後、ウェハWはアライメントユニット50に搬送される。そして、後続のステップS2が行われる。   On the other hand, when the detection sensor 120 detects that the protective tape P is present on the upper surface of the wafer W, it is confirmed that the direction of the front and back surfaces of the wafer W is opposite (abnormal). In such a case, the wafer W held by the spin chuck 200 is unloaded from the alignment unit 50 by the transfer fork 113 of the wafer transfer device 112 in step T1. Then, the front and back surfaces of the wafer W are inverted by the transfer fork 113, and the front surface W1 is directed upward. Thereafter, after the wafer W is returned to the cassette C, that is, after the wafer W is stored with the front and back surfaces normal, the wafer W is taken out of the cassette C by the transfer fork 113 again. Thereafter, the front and back surfaces of the wafer W are inverted by the transfer fork 113, and the back surface W2 is directed upward, and then the wafer W is transferred to the alignment unit 50. Then, the subsequent step S2 is performed.

なお、図5に示した例では、検知センサ120は、スピンチャック200に保持されたウェハWの上方から保護テープPの有無を検知したが、ウェハWの下方から保護テープPの有無を検知してもよいし、あるいはウェハWの上方と下方の両方から保護テープPの有無を検知してもよい。   In the example shown in FIG. 5, the detection sensor 120 detects the presence or absence of the protective tape P from above the wafer W held by the spin chuck 200, but detects the presence or absence of the protective tape P from below the wafer W. Alternatively, the presence or absence of the protective tape P may be detected from both the upper side and the lower side of the wafer W.

例えば図6に示すように検知センサ120は、搬送ユニット40で搬送中のウェハWに対して、保護テープPの有無を検知してもよい。具体的に検知センサ120は、例えばアライメントユニット50の上方であって、搬送ユニット40に保持されたウェハWの下方に配置される。   For example, as shown in FIG. 6, the detection sensor 120 may detect the presence or absence of the protective tape P with respect to the wafer W being transported by the transport unit 40. Specifically, the detection sensor 120 is disposed, for example, above the alignment unit 50 and below the wafer W held by the transfer unit 40.

かかる場合、上記実施形態のウェハ処理において、ステップS1とステップT1が異なる。すなわち、一旦ステップS2におけるウェハWのアライメントが行われた後、ステップS1において、搬送ユニット40で搬送中のウェハWに対して、検知センサ120により保護テープPの有無が検知される。   In such a case, steps S1 and T1 are different in the wafer processing of the above embodiment. That is, once alignment of the wafer W in step S2 is performed, the presence or absence of the protective tape P is detected by the detection sensor 120 with respect to the wafer W being transported by the transport unit 40 in step S1.

ステップS1では、検知センサ120によりウェハWの下面に保護テープPが有ると検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは正常であると確認される。かかる場合、後続のステップS3が行われる。   In step S1, when the detection sensor 120 detects that the protective tape P is present on the lower surface of the wafer W, it is confirmed that the orientation of the front and back surfaces of the wafer W is normal. In such a case, the subsequent step S3 is performed.

一方、検知センサ120によりウェハWの上面に保護テープPが無いと検知された場合、当該ウェハWの表裏面の向きは反対である(異常である)と確認される。かかる場合、ステップT1において、搬送ユニット40に保持されたウェハWは、アライメントユニット50に戻された後、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113によりアライメントユニット50から搬出される。そして、搬送フォーク113によりウェハWの裏面W2が上方に向けられた後、ウェハWはアライメントユニット50に再び搬送される。そして、後続のステップS2が行われる。   On the other hand, when the detection sensor 120 detects that the protective tape P is not present on the upper surface of the wafer W, it is confirmed that the orientation of the front and back surfaces of the wafer W is opposite (abnormal). In such a case, in step T1, the wafer W held by the transfer unit 40 is returned to the alignment unit 50 and then unloaded from the alignment unit 50 by the transfer fork 113 of the wafer transfer device 112. Then, after the back surface W 2 of the wafer W is directed upward by the transfer fork 113, the wafer W is transferred again to the alignment unit 50. Then, the subsequent step S2 is performed.

なお、図6に示した例では、検知センサ120は、搬送ユニット40に保持されたウェハWの下方から保護テープPの有無を検知したが、ウェハWの上方から保護テープPの有無を検知してもよいし、あるいはウェハWの上方と下方の両方から保護テープPの有無を検知してもよい。   In the example shown in FIG. 6, the detection sensor 120 detects the presence or absence of the protective tape P from below the wafer W held by the transport unit 40, but detects the presence or absence of the protective tape P from above the wafer W Alternatively, the presence or absence of the protective tape P may be detected from both the upper side and the lower side of the wafer W.

以上のように検知センサ120が加工装置4の内部に配置された場合でも、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。なお、上述したステップT1におけるウェハWの表裏面の反転方法は一例であって、チャック31に受け渡されるウェハWの裏面W2が上方に向けられれば、任意の方法をとることができる。但し、ステップT1におけるウェハWの表裏面の反転を、ウェハ搬送装置112の搬送フォーク113により行う場合、上記実施形態のように検知センサ120を搬送ステーション6のウェハ搬送領域110に設ける方が効率が良い。   Even when the detection sensor 120 is disposed inside the processing device 4 as described above, the same effect as that of the above embodiment can be obtained. Note that the method of reversing the front and back surfaces of the wafer W in step T1 described above is an example, and any method can be adopted if the back surface W2 of the wafer W delivered to the chuck 31 is directed upward. However, when reversing the front and back of the wafer W in step T1 by the transfer fork 113 of the wafer transfer apparatus 112, providing the detection sensor 120 in the wafer transfer area 110 of the transfer station 6 as in the above embodiment is more efficient. good.

以上の実施形態では、ウェハWの表面W1にはデバイスを保護するために保護テープPが貼り付けられていたが、デバイスの保護材はこれに限定されない。例えばウェハWの表面W1には、支持ウェハやガラス基板などの支持基板が貼り合せられていてもよく、かかる場合でも本発明を適用することができる。   In the above embodiment, the protective tape P is attached to the surface W1 of the wafer W in order to protect the device, but the protective material of the device is not limited to this. For example, a support substrate such as a support wafer or a glass substrate may be attached to the surface W1 of the wafer W, and the present invention can be applied even in such a case.

以上の実施形態の基板処理システム1において、加工装置4は、粗研削ユニット80、中研削ユニット90、仕上研削ユニット100を有していたが、ユニットの構成はこれに限定されない。例えば第1の加工位置A1に粗研削ユニット80が配置され、第2の加工位置A2に仕上研削ユニット100が配置され、第3の加工位置A3に研磨ユニット(図示せず)が配置されてもよい。   In the substrate processing system 1 of the above embodiment, the processing apparatus 4 includes the rough grinding unit 80, the middle grinding unit 90, and the finish grinding unit 100, but the configuration of the unit is not limited to this. For example, even if the rough grinding unit 80 is disposed at the first processing position A1, the finish grinding unit 100 is disposed at the second processing position A2, and the polishing unit (not shown) is disposed at the third processing position A3. Good.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、上記実施形態の基板処理システム1ではウェハWの裏面W2を研削したが、本発明は、ウェハWの裏面W2からレーザ加工や切削刃による加工等を行う場合にも適用することができる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this example. It is apparent that those skilled in the art can conceive of various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims, and the technical scope of the present invention is also natural for them. It is understood to belong to For example, although the back surface W2 of the wafer W is ground in the substrate processing system 1 of the above embodiment, the present invention can also be applied to the case where laser processing or processing with a cutting blade is performed from the back surface W2 of the wafer W.

1 基板処理システム
2 搬入ステーション
3 搬出ステーション
4 加工装置
5 後処理装置
6 搬送ステーション
30 回転テーブル
31 チャック
40 搬送ユニット
50 アライメントユニット
60 第1の洗浄ユニット
70 第2の洗浄ユニット
80 粗研削ユニット
90 中研削ユニット
100 仕上研削ユニット
110 ウェハ搬送領域
112 ウェハ搬送装置
120 検知センサ
130 制御部
P 保護テープ
W ウェハ
W1 表面
W2 裏面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 substrate processing system 2 loading station 3 unloading station 4 processing device 5 post-processing device 6 transfer station 30 rotating table 31 chuck 40 transfer unit 50 alignment unit 60 first cleaning unit 70 second cleaning unit 80 rough grinding unit 90 middle grinding Unit 100 Finishing grinding unit 110 Wafer transfer area 112 Wafer transfer apparatus 120 Detection sensor 130 Control part P Protective tape W Wafer W1 Front surface W2 Back surface

Claims (11)

表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理システムであって、
前記基板の表面を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の裏面から加工する加工部と、
前記基板保持部で前記基板を保持する前に、少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知する保護材検知部と、を有する、基板処理システム。
A substrate processing system for processing from the back surface of a substrate provided with a protective material on the front surface, comprising:
A substrate holding unit that holds the surface of the substrate;
A processing unit configured to process from the back surface of the substrate held by the substrate holding unit;
A substrate processing system, comprising: a protective material detection unit that detects the presence or absence of the protective material at least from above or below the substrate before the substrate is held by the substrate holding unit.
前記基板保持部と前記加工部を備えた加工装置と、
前記加工装置に対して前記基板を搬送する搬送部と、をさらに有し、
前記保護材検知部は前記加工装置又は前記搬送部に設けられている、請求項1に記載の基板処理システム。
A processing apparatus comprising the substrate holding unit and the processing unit;
And a transport unit configured to transport the substrate to the processing apparatus,
The substrate processing system according to claim 1, wherein the protective material detection unit is provided in the processing apparatus or the transport unit.
前記搬送部は、前記基板を搬送し、且つ前記基板の表裏面を反転させる搬送装置を有する、請求項2に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 2, wherein the transfer unit has a transfer device that transfers the substrate and reverses the front and back of the substrate. 前記保護材検知部による検知結果に基づいて、前記基板の表裏面の向きが正常であると確認された場合、前記搬送装置は当該基板を前記加工装置に搬送し、
前記保護材検知部による検知結果に基づいて、前記基板の表裏面の向きが正常でないと確認された場合、前記搬送装置は当該基板の表裏面を反転させて、基板を収容する収容容器に戻す、請求項3に記載の基板処理システム。
When it is confirmed that the orientation of the front and back of the substrate is normal based on the detection result by the protective material detection unit, the transport device transports the substrate to the processing device,
If it is confirmed that the orientation of the front and back of the substrate is not normal based on the detection result by the protective material detection unit, the transport device reverses the front and back of the substrate and returns the container to the container that accommodates the substrate. The substrate processing system according to claim 3.
前記保護材検知部による検知結果に基づいて、前記基板の表裏面の向きが正常でないと確認された場合、前記搬送装置は、前記収容容器に戻された前記基板を再び搬出し、前記加工装置に搬送する、請求項4に記載の基板処理システム。 If it is confirmed that the orientation of the front and back of the substrate is not normal based on the detection result by the protective material detection unit, the transfer device carries out the substrate returned to the storage container again, and the processing device The substrate processing system according to claim 4, wherein the substrate processing system transports the substrate. 表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理方法であって、
保護材検知部を用いて少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知し、当該検知結果に基づいて前記基板の表裏面の向きを確認する第1の工程と、
その後、前記第1の工程において、前記基板の表裏面の向きが正常であると確認された場合、基板保持部で前記基板の表面を保持し、加工部を用いて当該基板の裏面から加工する第2の工程と、を有する、基板処理方法。
A substrate processing method for processing from the back surface of a substrate provided with a protective material on the front surface,
A first step of detecting the presence or absence of the protective material at least from above or below the substrate using a protective material detection unit, and confirming the orientation of the front and back surfaces of the substrate based on the detection result;
Thereafter, in the first step, when it is confirmed that the orientation of the front and back of the substrate is normal, the substrate holding unit holds the surface of the substrate, and processing is performed from the back of the substrate using a processing unit. A substrate processing method having a second step.
前記基板保持部と前記加工部は加工装置に設けられ、
前記第1の工程は、前記加工装置の内部、又は前記加工装置に対して前記基板を搬送する搬送部の内部において行われる、請求項6に記載の基板処理方法。
The substrate holding unit and the processing unit are provided in a processing apparatus,
The substrate processing method according to claim 6, wherein the first step is performed in the inside of the processing apparatus or in the inside of a transport unit that transports the substrate to the processing apparatus.
前記第1の工程において、前記基板の表裏面の向きが正常でないと確認された場合、前記搬送部において前記基板の表裏面を反転させて、基板を収容する収容容器に戻す第3の工程をさらに有する、請求項7に記載の基板処理方法。 In the first step, when it is confirmed that the front and back surfaces of the substrate are not in the normal direction, the third step is to reverse the front and back surfaces of the substrate in the transport unit and return the container to the container. The substrate processing method according to claim 7, further comprising: 前記第3の工程において、前記搬送部によって、前記収容容器に戻された前記基板を再び搬出し、前記加工装置に搬送する、請求項8に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 8, wherein in the third step, the transport unit again unloads the substrate returned to the storage container and transports the substrate to the processing apparatus. 請求項6〜9のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 The program which operate | moves on the computer of the control part which controls the said substrate processing system to make the substrate processing system perform the substrate processing method as described in any one of Claims 6-9. 請求項10に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage medium storing the program according to claim 10.
JP2017247663A 2017-12-25 2017-12-25 Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium Pending JP2019114684A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017247663A JP2019114684A (en) 2017-12-25 2017-12-25 Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017247663A JP2019114684A (en) 2017-12-25 2017-12-25 Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019114684A true JP2019114684A (en) 2019-07-11

Family

ID=67223264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017247663A Pending JP2019114684A (en) 2017-12-25 2017-12-25 Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2019114684A (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001028355A (en) * 1999-07-14 2001-01-30 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding equipment
JP2012248683A (en) * 2011-05-27 2012-12-13 Nitto Denko Corp Semiconductor wafer mounting method and semiconductor wafer mounting device
JP2018187688A (en) * 2017-04-28 2018-11-29 株式会社ディスコ Processing equipment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001028355A (en) * 1999-07-14 2001-01-30 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding equipment
JP2012248683A (en) * 2011-05-27 2012-12-13 Nitto Denko Corp Semiconductor wafer mounting method and semiconductor wafer mounting device
JP2018187688A (en) * 2017-04-28 2018-11-29 株式会社ディスコ Processing equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102607483B1 (en) Substrate processing system, substrate processing method, and computer storage medium
CN114096379B (en) Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method
JP6937370B2 (en) Grinding equipment, grinding methods and computer storage media
JP7002874B2 (en) Board processing system
JP7018452B2 (en) Board processing system, board processing method and computer storage medium
JP6887260B2 (en) Processing equipment
JP7071818B2 (en) Board processing system
JP7603132B2 (en) Processing device, processing method, and computer storage medium
JPWO2019013042A1 (en) Substrate processing system, substrate processing method, and computer storage medium
CN113302020A (en) Machining device and machining method
KR102897950B1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
TW201937640A (en) Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium
KR102759345B1 (en) Methods and substrate handling systems for CMP processing
JP6968201B2 (en) Board processing system, board processing method and computer storage medium
KR102629528B1 (en) Cleaning device, cleaning method, and computer storage medium
JP7291470B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP2019114684A (en) Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium
CN115066314B (en) Processing method and processing device
JP3240007U (en) processing equipment
JP2020009849A (en) Substrate processing system and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190201

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200928

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210914

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210916

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220308