JP2019113784A - Optical transceiver - Google Patents
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Abstract
【課題】電子部品から発せられた熱を効率よく排出する。【解決手段】光トランシーバ1は、IC26が取り付けられた主回路基板6と、主回路基板6を収容する収容部Sを画成する外殻部22、及び外殻部22から収容部Sに向けて延びる隔離壁21を有する筐体8と、を備える。隔離壁21は、IC26が熱的に接続される熱回収部31を含む。外殻部22は、IC26から回収された熱を放熱する放熱部33と、熱回収部31において回収された熱を受けて放熱部33に伝える熱伝導部32と、を含む。【選択図】図2PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently discharge heat generated from an electronic component. An optical transceiver 1 is directed from a main circuit board 6 to which an IC 26 is attached, an outer shell portion 22 defining an accommodating portion S accommodating the main circuit board 6, and an outer shell portion 22 toward the accommodating portion S. A housing 8 having a separation wall 21 extending from the wall is provided. The isolation wall 21 includes a heat recovery unit 31 to which the IC 26 is thermally connected. The outer shell portion 22 includes a heat radiating unit 33 that dissipates heat recovered from the IC 26, and a heat conductive unit 32 that receives the heat recovered by the heat recovery unit 31 and transmits it to the heat radiating unit 33. [Selection diagram] Fig. 2
Description
本発明は、光トランシーバに関する。 The present invention relates to an optical transceiver.
特許文献1は、光トランシーバを開示する。この光トランシーバは、金属製のケース本体と、光モジュールと、基板と、を有する。基板の数は、光モジュールの数に対応する。また、特許文献2は、光送受信器を開示する。この光送受信器は、ケース内部に2枚のプリント基板を収容する。
光通信の通信容量が増大するに伴い、光通信に用いられる信号の速度が高速化される。その結果、光トランシーバに搭載される部品も信号の速度に応じた高速性能を有する必要がある。一方、このような高速性能を有する電子部品は、相対的に高速性能が低いものと比べてその消費電力が増大する傾向にある。電子部品の消費電力が増大すると、電子部品の発熱量も増大する。この発熱によって電子部品の温度が上昇すると、電子部品の温度が使用温度の上限値を超える状況が生じ得る。 As the communication capacity of optical communication increases, the speed of signals used for optical communication is increased. As a result, the components mounted on the optical transceiver also need to have high-speed performance according to the speed of the signal. On the other hand, electronic components having such high-speed performance tend to have increased power consumption as compared to those having relatively low high-speed performance. As the power consumption of electronic components increases, the amount of heat generated by the electronic components also increases. When the temperature of the electronic component rises due to this heat generation, a situation may occur where the temperature of the electronic component exceeds the upper limit of the operating temperature.
本発明は、電子部品から発せられた熱を効率よく排出することが可能な光トランシーバを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an optical transceiver capable of efficiently dissipating heat generated from an electronic component.
本発明の一形態は、電気信号と光信号との間の信号変換を行う光装置を有する光トランシーバであって、電気信号を処理する半導体素子が取り付けられた回路基板と、回路基板を収容する直方体状の収容空間を画成する外殻部、及び外殻部から収容空間に向けて延びる隔壁部を有する筐体と、を備え、隔壁部は、半導体素子と熱的に接続される熱回収部を含み、外殻部は、半導体素子から伝導された熱を放熱する放熱部と、半導体素子から熱回収部に伝導された熱を放熱部に伝導する熱伝導部と、を含む。 One embodiment of the present invention is an optical transceiver including an optical device that performs signal conversion between an electrical signal and an optical signal, which accommodates a circuit board to which a semiconductor element for processing the electrical signal is attached and the circuit board. A heat recovery system comprising: an outer shell defining a rectangular parallelepiped housing space; and a case having a partition extending from the outer shell toward the housing space, the partition being thermally connected to the semiconductor element The heat sink includes a heat sink that radiates the heat conducted from the semiconductor element, and a heat conducting section that conducts the heat conducted from the semiconductor chip to the heat recovery station to the heat sink.
本発明によれば、電子部品から発せられた熱を効率よく排出することが可能な光トランシーバが提供される。 According to the present invention, an optical transceiver capable of efficiently dissipating the heat generated from the electronic component is provided.
[本発明の実施形態の説明]
本発明の一形態は、電気信号と光信号との間の信号変換を行う光装置を有する光トランシーバであって、電気信号を処理する半導体素子が取り付けられた回路基板と、回路基板を収容する直方体状の収容空間を画成する外殻部、及び外殻部から収容空間に向けて延びる隔壁部を有する筐体と、を備え、隔壁部は、半導体素子と熱的に接続される熱回収部を含み、外殻部は、半導体素子から伝導された熱を放熱する放熱部と、半導体素子から熱回収部に伝導された熱を放熱部に伝導する熱伝導部と、を含む。
Description of the embodiment of the present invention
One embodiment of the present invention is an optical transceiver including an optical device that performs signal conversion between an electrical signal and an optical signal, which accommodates a circuit board to which a semiconductor element for processing the electrical signal is attached and the circuit board. A heat recovery system comprising: an outer shell defining a rectangular parallelepiped housing space; and a case having a partition extending from the outer shell toward the housing space, the partition being thermally connected to the semiconductor element The heat sink includes a heat sink that radiates the heat conducted from the semiconductor element, and a heat conducting section that conducts the heat conducted from the semiconductor chip to the heat recovery station to the heat sink.
回路基板に取り付けられた半導体素子が発熱すると、その熱は、半導体素子が熱的に接続された熱回収部に移動する。熱回収部を含む隔壁部は外殻部から延びているので、熱回収部に移動した熱は、さらに外殻部の一部である熱伝導部に向けて移動する。熱伝導部に移動した熱は、さらに外殻部の一部である放熱部に移動する。そして、放熱部に移動した熱は、筐体の外部に排出される。このように、半導体素子において発生した熱は、筐体の一部である熱回収部に直ちに移動した後に、筐体の一部である熱伝導部を介して放熱部に移動する。従って、熱移動を妨げる熱抵抗が低減されるので、半導体素子で発生した熱を効率よく排出することができる。 When the semiconductor element attached to the circuit board generates heat, the heat is transferred to a heat recovery unit to which the semiconductor element is thermally connected. Since the partition wall portion including the heat recovery portion extends from the outer shell portion, the heat transferred to the heat recovery portion further moves toward the heat conduction portion which is a part of the outer shell portion. The heat transferred to the heat conducting part further moves to the heat radiating part which is a part of the outer shell part. And the heat which moved to the thermal radiation part is discharged to the exterior of a case. As described above, the heat generated in the semiconductor element immediately moves to the heat recovery unit which is a part of the housing, and then moves to the heat dissipation part via the heat conducting part which is a part of the housing. Therefore, the thermal resistance that hinders the heat transfer is reduced, so that the heat generated in the semiconductor element can be efficiently discharged.
一形態において、隔壁部は、収容空間を、第1収容空間、及び、第1収容空間と放熱部との間に位置する第2収容空間に分割し、第1収容空間には、回路基板である第1回路基板が配置され、第2収容空間には、回路基板とは別の第2回路基板が配置され、第2回路基板は、放熱部に対して熱的に接続されてもよい。この構成によれば、筐体は、2枚の基板を収容することが可能である。従って、筐体内に収容可能な構成部品を増加することが可能となるので、高密度化することができる。 In one form, the partition part divides the housing space into a first housing space and a second housing space located between the first housing space and the heat dissipation portion, and the first housing space is a circuit board. A first circuit board may be disposed, a second circuit board different from the circuit board may be disposed in the second accommodation space, and the second circuit board may be thermally connected to the heat dissipation unit. According to this configuration, the housing can accommodate two substrates. Therefore, it is possible to increase the density since it is possible to increase the number of components that can be accommodated in the housing.
一形態において、外殻部は、収容空間の上部を覆う表面部と、収容空間の下部を覆う裏面部と、収容空間の側部を覆う一対の側面部と、を有し、表面部は、放熱部を含み、熱回収部は、一対の側面部の一方から一対の側面部の他方へ延びるように形成され、第1収容空間は、裏面部と熱回収部とに挟まれ、第2収容空間は、表面部と熱回収部とに挟まれてもよい。この構成によれば、第1回路基板上に第2回路基板を配置した構成とすることが可能になる。従って、光トランシーバを好適に高密度化することができる。 In one embodiment, the outer shell has a surface covering the upper part of the accommodation space, a back surface covering the lower part of the accommodation space, and a pair of side parts covering the sides of the accommodation space, The heat recovery unit includes a heat dissipation unit, and the heat recovery unit is formed to extend from one of the pair of side surfaces to the other of the pair of side surfaces, and the first accommodation space is sandwiched between the back surface and the heat recovery unit. The space may be sandwiched between the surface portion and the heat recovery portion. According to this configuration, it is possible to arrange the second circuit board on the first circuit board. Therefore, the optical transceiver can be suitably densified.
一形態において筐体の熱伝導率は、回路基板の熱伝導率よりも大きくてもよい。この構成によれば、半導体素子で発生した熱を好適に排出することができる。 In one form, the thermal conductivity of the housing may be greater than the thermal conductivity of the circuit board. According to this configuration, the heat generated in the semiconductor element can be suitably discharged.
一形態において、第1回路基板に取り付けられた半導体素子に接すると共に、熱回収部に接する第1伝熱部材をさらに備え、第1回路基板に取り付けられた半導体素子は第1伝熱部材を介して熱回収部に熱的に接続されてもよい。この構成によれば、第1回路基板上において半導体素子の高さに起因する凹凸がある場合でも、第1伝熱部材によって凹凸を吸収することができる。従って、第1回路基板から熱回収部に至る熱流路面積を増大させることが可能となるので、熱抵抗を低減することができる。 In one form, the semiconductor device further comprises a first heat transfer member in contact with the semiconductor element attached to the first circuit board and in contact with the heat recovery portion, and the semiconductor element attached to the first circuit board is via the first heat transfer member May be thermally connected to the heat recovery unit. According to this configuration, even when there is unevenness due to the height of the semiconductor element on the first circuit board, the unevenness can be absorbed by the first heat transfer member. Therefore, the heat flow area from the first circuit board to the heat recovery portion can be increased, so that the thermal resistance can be reduced.
一形態において、第2回路基板に接するとともに、放熱部に接する第2伝熱部材をさらに備え、第2回路基板は、第2伝熱部材を介して放熱部に接続されてもよい。この構成によれば、第2回路基板上において半導体素子の高さに起因する凹凸がある場合でも、第2伝熱部材によって凹凸を吸収することができる。従って、第2回路基板から放熱部に至る熱流路面積を増大させることが可能となるので、熱抵抗を低減することができる。 In one embodiment, the heat transfer unit may further include a second heat transfer member in contact with the heat dissipation portion while in contact with the second circuit board, and the second circuit substrate may be connected to the heat dissipation portion via the second heat transfer member. According to this configuration, even when there is unevenness due to the height of the semiconductor element on the second circuit board, the unevenness can be absorbed by the second heat transfer member. Therefore, it is possible to increase the heat flow passage area from the second circuit board to the heat dissipation portion, and thus the heat resistance can be reduced.
一形態において、第1回路基板には、半導体素子を含む第1半導体素子群が取り付けられ、第2回路基板には、半導体素子とは別の半導体素子を含む第2半導体素子群が取り付けられ、第1半導体素子群の発熱量は、第2半導体素子群の発熱量よりも大きくてもよい。この構成によれば、第1半導体素子群に起因する熱を効率よく排出することができる。 In one embodiment, a first semiconductor element group including a semiconductor element is attached to the first circuit board, and a second semiconductor element group including a semiconductor element different from the semiconductor element is attached to the second circuit board. The calorific value of the first semiconductor element group may be larger than the calorific value of the second semiconductor element group. According to this configuration, the heat caused by the first semiconductor element group can be efficiently discharged.
[本発明の実施形態の詳細]
以下、本発明の実施形態に係る光トランシーバについて、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
Details of the Embodiment of the Present Invention
Hereinafter, an optical transceiver according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to these exemplifications, but is shown by the claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the claims. Further, in the drawings, the same or corresponding portions are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
図1に示される光トランシーバ1は、光通信に用いられる光送受信モジュールである。光トランシーバ1は、その長手方向D1に沿ってホストシステム100(伝送システム)に備えられたケージ101に挿し込まれる。光トランシーバ1は、長手方向D1のケージ101に挿し込まれる側(ケージ側)の端に電気コネクタ(エッジ・コネクタ)を有する。一方、ケージ101の奥には電気コネクタが備えられている。それぞれの電気コネクタが互いに嵌合することで光トランシーバ1とホストシステム100とが電気的に接続される。それによって、光トランシーバ1は、ホストシステム100から動作に必要な電力の供給を受け、電気信号による相互の通信が可能となる。なお、光トランシーバ1は、ケージ101の奥の電気コネクタが通電された状態で抜き差し(活線挿抜)されても良い。また、光トランシーバ1は、長手方向D1のケージ側と反対側(光ファイバ側)の端に2個の光レセプタクル2を有する。この光レセプタクル2には、光ファイバ201を保持する光コネクタ200が挿し込まれる。光レセプタクル2と光コネクタ200とが互いに嵌合することで、光トランシーバ1は、光ファイバ201と光学的に接続される。それによって、光トランシーバ1は、例えば他の光トランシーバと光信号による双方向通信(二芯全二重通信)が可能となる。光トランシーバ1は、ホストシステム100から与えられた電気信号を光信号に変換し、当該光信号を一方の光コネクタ200に出力する。また、光トランシーバ1は、別の光コネクタ200から伝送された光信号を電気信号に変換し、ホストシステム100に出力する。光トランシーバ1のケージ101に挿し込まれる部分は、ケージ101が長手方向D1に長い直方体状の形状であるため、同様に長手方向D1に長い直方体状の形状となっている。光レセプタクル2は、ケージ101に挿し込まれないため、直方体状の形状となっていなくてもよい。
The
光トランシーバ1は、表面部1aと、裏面部1bと、一対の側面部1cと、を有する。光トランシーバ1がホストシステム100に挿し込まれたとき、裏面部1bは、ホストシステム100の表面100aと向き合う。表面部1a及び一対の側面部1c上には、所定の空間が設けられる。この構成により、表面部1a及び一対の側面部1cには、ホストシステム100から冷却風が提供される。つまり、光トランシーバ1は、表面部1a及び一対の側面部1cに与えられる冷却風によって冷却される。なお、ケージ101は、金属部材を介して光トランシーバ1の表面部1aや一対の側面部1cと接触する機構を有していてもよい。そのような機構を介して、光トランシーバ1の内部で発生した熱が熱伝導によってケージ101に排出されてもよい。
The
図2に示されるように、光トランシーバ1は、光送信モジュール3(光装置)と、光受信モジュール4(光装置)と、主回路基板6と、副回路基板7と、筐体8と、を有する。
As shown in FIG. 2, the
光送信モジュール3は、電気信号を光信号に変換する、いわゆるTOSA(Transmitter OpticalSub-Assembly)である。光受信モジュール4は、光信号を電気信号に変換する、いわゆるROSA(Receiver OpticalSub-Assembly)である。
The
主回路基板6及び副回路基板7は、それぞれの回路基板上に構成された回路の働きによって光送信モジュール3及び光受信モジュール4のための電気的な信号処理を行う。つまり、主回路基板6及び副回路基板7は、光送信モジュール3及び光受信モジュール4の動作を制御する制御信号の生成や、電気信号の増幅、ノイズ除去、波形調整といった種々の機能を奏し得る。例えば、主回路基板6は、光送信モジュール3を駆動するためのレーザダイオードドライバ(LDD)やパルス振幅変調(PAM;Pulse-Amplitude Modulation)を行うIC(PAM−IC)を有する。また、主回路基板6は、光受信モジュール4から出力された電気信号を増幅するICやPAM信号の復調のためのICを有する。例えば、副回路基板7は、上記LDDやPAM―ICのための電源を供給する電源ICや、光トランシーバ1の動作を総合的に制御する制御ICなどを有する。
The
筐体8は、3個の部品により構成される。つまり、筐体8は、下筐体11と、第1上筐体12と、第2上筐体13と、を有する。
The
下筐体11は、光トランシーバ1の底部を構成する。下筐体11は、長手方向D1に沿って延びる板状の部品である。下筐体11は表面11aと裏面11bとを有する。表面11aには、第1上筐体12及び第2上筐体13といった光トランシーバ1の構成部品が搭載される。裏面11bは、光トランシーバ1の裏面部1bを構成する。下筐体11の前方(光ファイバ側)には、光送信モジュール3及び光受信モジュール4が配置される。下筐体11上において、光送信モジュール3及び光受信モジュール4は、長手方向D1と交差する幅方向D2に沿って並置される。より詳細には、光送信モジュール3及び光受信モジュール4は、それぞれ光ファイバ201と光学的に結合するための光学結合系を備えている。光送信モジュール3及び光受信モジュール4は、それぞれの備える光学結合系の光軸が長手方向D1と平行になるように配置される。また、光送信モジュール3及び光受信モジュール4は、それぞれ光ファイバ201と光学的に結合するため光レセプタクル2の近くに配置される。そして、これらの光送信モジュール3及び光受信モジュール4を覆うように、下筐体11の前方(光ファイバ側)には、さらに第1上筐体12が配置される。また、下筐体11は、長手方向D1における略中央に設けられた一対の連結孔14を有する。連結孔14には、ネジ16が挿通される。ネジ16は、第1上筐体12と第2上筐体13と下筐体11とを一体化する。
The
第1上筐体12は、光トランシーバ1の前部を構成する。従って、第1上筐体12は、上述した光レセプタクル2を有する。第1上筐体12は、光レセプタクル2に挿し込まれた光コネクタ200(図1参照)と、光送信モジュール3及び光受信モジュール4とを、相互に光学的に結合した状態に保持する。
The first
第1上筐体12は、第1表面部12aと、一対の第1側面部12cと、を有する。第1表面部12aは、光トランシーバ1の表面部1aの一部を構成する。第1側面部12cは、光トランシーバ1の側面部1cの一部を構成する。第1上筐体12は、長手方向D1の後ろ側(ケージ側)からみると、一つの面が開いたコ字状の断面を呈する。つまり、第1上筐体12の底面側は、開口する。この開口は、下筐体11によって閉鎖される。ここで、第1上筐体12と下筐体11との間には、導電性弾性体17(図3参照)が挟み込まれる。さらに、第1上筐体12は、一対のネジ孔18を有する。ネジ孔18のそれぞれは、下筐体11の連結孔14に連通する。下筐体11側から挿し込まれたネジ16は、ネジ孔18に形成されたねじ山にねじ込まれる。連結孔14は、光トランシーバ1の高さ方向D3に沿って延びる。
The first
第2上筐体13は、光トランシーバ1の後側を構成する。従って、第2上筐体13は、上述したホストシステム100(図1参照)と連結するための構造を有する。具体的には、第2上筐体13の後ろ側は、開口しており、当該開口からは主回路基板6が露出する。光トランシーバ1をホストシステム100に挿し込んだとき、当該主回路基板6がホストシステム100の電気コネクタに電気的に接続される。
The second
第2上筐体13は、第2表面部13aと、一対の第2側面部13cと、を有する。第2表面部13aは、第1表面部12aと共に光トランシーバ1の表面部1aを構成する。第2側面部13cは、第1側面部12cと共に光トランシーバ1の側面部1cを構成する。第2上筐体13は、第1上筐体12と同様に、長手方向D1の後ろ側(ケージ側)からみると、一つの面が開いたコ字状の断面を呈する。つまり、第2上筐体13の底面側は、開口する。この開口は、下筐体11によって閉鎖される。ここで、第2上筐体13と下筐体11との間には、導電性弾性体17が挟み込まれる。また、第2上筐体13は、一対のネジ孔19を有する。ネジ孔19は、光トランシーバ1の高さ方向D3に沿って延びる。ネジ孔19のそれぞれは、下筐体11の連結孔14に連通する。下筐体11側から挿し込まれたネジ16は、下筐体11の連結孔14と、第2上筐体13の連結孔14を介して、ネジ孔18に形成されたねじ山にねじ込まれる。
The second
図3に示されるように、第2上筐体13は、隔離壁21(隔壁部)を有する。つまり、第2上筐体13は、隔離壁21を有する点で第1上筐体12と異なる。隔離壁21は、一方の第2側面部13cから他方の第2側面部13cに向けて延びる。より具体的には、隔離壁21の一端は、一方の第2側面部13cと一体化されており、隔離壁21の他端は、一方の第2側面部13cと一体化されている。つまり、隔離壁21は、第2側面部13cと一体である。この隔離壁21は、収容部S(収容空間)を第1収容部S1(第1収容空間)と第2収容部S2(第2収容空間)とに分割する。収容部Sは、筐体8によって画成される筐体8の内側の空間である。筐体8の大部分はケージ101への挿し込みが可能なように長手方向D1に長い直方体状の形状をしており、収容部Sはそれに類似した直方体状の形状をしている。ただし、筐体8の内部は、内部に部品を取り付ける都合により種々の凹凸などがあり、厳密に直方体となっていなくてもよい。ここで直方体状というのは、細部の形状は除いて、全体的な外観にて直方体として捉えることができるということを意味している。
As shown in FIG. 3, the second
第1収容部S1は、第2収容部S2に対して高さ方向D3における下側に形成される。第1収容部S1は、主回路基板6を収容する。第1収容部S1は、下筐体11と、一対の第2側面部13cと、隔離壁21とによって囲まれる。一方、第2収容部S2は、副回路基板7を収容する。第2収容部S2は、第2表面部13aと、一対の第2側面部13cと、隔離壁21とによって囲まれる。
The first accommodation portion S1 is formed on the lower side in the height direction D3 with respect to the second accommodation portion S2. The first accommodation portion S1 accommodates the
図4は、第2上筐体13を裏側(下筐体11側)から見た分解斜視図である。図4に示されるように、隔離壁21は、開口21dを有する。開口21dは、隔離壁21の後ろ側(ケージ側)に設けられる。開口21dは、スタッキングコネクタ25のためのものである。スタッキングコネクタ25は、主回路基板6と副回路基板7とを電気的に接続する。図4の例示では、スタッキングコネクタ25は、主回路基板6の表面6aに設けられ、副回路基板7に向けて突出する。開口21dは、当該突出した部分を避けるように、隔離壁21の一部が切り欠かれた領域である。また、隔離壁21の前側の辺部21f及び後ろ側の辺部21gは、開放端である。例えば、第2上筐体13は、辺部21g側において、副回路基板7を第2上筐体13に取り付けるためのクリアランスFを有する。クリアランスFを有することによって、副回路基板7が第2上筐体13と干渉することを防ぐことができる。
FIG. 4 is an exploded perspective view of the second
以下、再び図3を参照しつつ、光トランシーバ1が有する放熱構造に注目して、さらに詳細に説明する。筐体8は、外殻部22と隔離壁21とを有する。外殻部22は、光トランシーバ1の内部空間と外部とを隔てる壁である。外殻部22は、第2表面部13aと、第2側面部13cと、下筐体11と、を有する。そして、第2表面部13a、第2側面部13c、下筐体11に囲まれた空間は、収容部Sである。収容部Sの前方及び後方は開放されている。この筐体8は、金属製である。例えば、筐体8のための金属材料として、亜鉛合金、アルミニウム合金、銅合金などを採用し得る。そうすると、筐体8の熱伝導率は、例えば120W/mK以上とすることが可能である。
Hereinafter, the heat dissipation structure of the
次に、一方の第2側面部13cから他方の第2側面部13cに向けて隔離壁21が延びる。すなわち、隔離壁21は、長手方向D1及び幅方向D2に平面状に延びる。換言すると、隔離壁21は、高さ方向D3に対して直交し、第2表面部13a及び下筐体11に対面する。この隔離壁21により、収容部Sは、第1収容部S1と、第2収容部S2とに、分割される。つまり、隔離壁21により収容部Sは、高さ方向D3に沿って2つの空間に分割される。
Next, the
第1収容部S1には、主回路基板6が配置される。この主回路基板6は、いわゆるプリント回路基板(PCB)であり、ガラスエポキシ、銅等の材料により構成される。そうすると、主回路基板6の熱伝導率は、例えば0.5〜5W/mK程度である。主回路基板6は特に限定されることなく、例えば、セラミック基板等であってもよい。なお、副回路基板7についても同様である。
The
主回路基板6の表面6aには、複数のIC26が取り付けられる。これらのIC26は、比較的消費電力が大きい。つまり、IC26は、発熱量が大きい。例えば、主回路基板6に取り付けられた複数のIC26の消費電力の合計は、副回路基板7に取り付けられたIC27の消費電力の合計よりも大きい。換言すると、主回路基板6に取り付けられたIC26の発熱量の合計は、副回路基板7に取り付けられたIC27の発熱量の合計よりも大きい。そして、主回路基板6は、当該IC26と隔離壁21の裏面21bとの間に挟み込まれた第1放熱シート28(第1伝熱部材)によって隔離壁21と熱的に接続される。
A plurality of
この第1放熱シート28は、可撓性を有する柔軟な材料である。例えば、第1放熱シート28は、シリコーンやアクリルといった樹脂材料により構成される。なお、後述する第2放熱シート29(第2伝熱部材)も同様である。つまり、隔離壁21の裏面21bにおいて第1放熱シート28が貼り着けられた部分は、IC26からの熱を受ける。従って、隔離壁21は、熱回収部31を構成する。
The first
また、主回路基板6は、その前端に設けられたコネクタ(不図示)が第1上筐体12に設けられた接続部に挿し込まれる。この構造により主回路基板6は、機械的に保持される。なお、主回路基板6の裏面6bと下筐体11との間には、スペーサ35が配置されてもよい。
In addition, a connector (not shown) provided at the front end of the
第2収容部S2には、副回路基板7が配置される。副回路基板7の表面7aには、複数のIC27が取り付けられる。そして、副回路基板7は、その裏面7bが隔離壁21の表面21aに接触する。つまり、副回路基板7は、隔離壁21に対して物理的に取り付けられる。なお、副回路基板7の裏面7bに電極等が露出している場合には、それらが隔離壁21から電気的に絶縁されるように、両者の間に適当な空間を設けたり、絶縁材料を挿入してもよい。一方、副回路基板7は、複数のIC27の表面27aと第2表面部13aの裏面13dとの間に挟み込まれた第2放熱シート29によって熱的に接続される。
The
なお、上述したように、下筐体11と第2上筐体13との間、より詳細には、下筐体11の表面11aと、第2上筐体13の第2側面部13cの下端13gとの間には、導電性弾性体17が挟み込まれる。従って、導電性弾性体17は、下筐体11と第2上筐体13との導通を確保する。一方、導電性弾性体17は、筐体8と比べて熱伝導率が低い。一例として導電性弾性体17は、シリコーンを母材とし、当該シリコーン中に導電性粒子を含めたものである。一例として、導電性弾性体17の熱伝導率は、例えば0.1〜1W/mK以下である。そうすると、下筐体11と第2上筐体13とを直接接触させた場合と比べると、導電性弾性体17を下筐体11と第2上筐体13の間に挟むことによって、下筐体11と第2上筐体13との熱伝導性は1/100以下に低下する。
As described above, between the
上述した構成を有する光トランシーバ1における放熱機構を説明する。光トランシーバ1を通電状態にする、具体的には、主回路基板6及び副回路基板7に取り付けられた複数のIC26,27に電力を与える。そうすると、それぞれのIC26,27は、所定の動作を開始する。そして、IC26,27ごとに消費する電力に応じて、それぞれのIC26,27は発熱する。
The heat dissipation mechanism in the
主回路基板6に取り付けられたIC26と第2表面部13aとに注目する。IC26と第2表面部13aとは、熱回路を構成する。具体的には、IC26は、隔離壁21と第2側面部13cの第1部分13eとによって、第2表面部13aに接続される。つまり、IC26が入力(高温側)であり、第2表面部13aが出力(低温側)となり得る。
Attention is focused on the
ここで、光トランシーバ1を非通電状態から通電状態にしたときに、IC26が発熱し、IC26の温度が上昇したとする。そうすると、IC26から第2表面部13aまでの熱回路に熱勾配が生じる。この熱勾配によって、熱の移動が生じる。具体的には、IC26において生じた熱は、まず、第1放熱シート28に移動する。次に、第1放熱シート28に移動した熱は、隔離壁21の裏面21bを介して隔離壁21に移動する。次に、隔離壁21に移動した熱は、第2側面部13cの第1部分13e(熱伝導部32)に移動する。熱伝導部32に移動した熱は、第2表面部13aに移動する。最終的に第2表面部13aに移動した熱は、第2表面部13aに提供される冷却風によって筐体8から持ち去られる。あるいは、上述したように筐体8がケージ101と適当な金属部材を介して接続されている場合は、第2表面部13aの熱はさらにケージ101に排出されてもよい。
Here, when the
このように、IC26において生じた熱は、第1放熱シート28を介した後に、直ちに筐体8に伝導される。この筐体8は、金属材料により形成され、比較的高い熱伝導率を有することを既に述べた。従って、筐体8に伝わった熱は、速やかに放熱部33に移送されて、筐体8の外部に排出される。なお、第2表面部13aは、第1上筐体12に対して接触するので、当該熱は、第1上筐体12の第1表面部12aにも伝わる。従って、筐体8の熱は、第1表面部12a及び第2表面部13aにより構成される第1表面部12aから排出される。また、隔離壁21から第2表面部13aに伝わる熱は、その途中における第2側面部13cからもその一部が排出される。
Thus, the heat generated in the
一方、光トランシーバ1は、導電性弾性体17によって第2上筐体13と下筐体11と間の熱伝導性が大幅に低下する。そうすると、第2側面部13cに伝わった熱は、第1部分13eを介して第2表面部13aには伝達されるものの、第2部分13f及び下端13gを介しての下筐体11への熱伝達は制限される。この導電性弾性体17によって、筐体8に回収した熱を、選択的に第1上筐体12及び第2上筐体13に伝えることができる。換言すると、冷却風が提供されない下筐体11には、熱がほとんど移動しないので、下筐体11における熱だまりの発生を抑制することができる。ひいては、IC26において発生した熱を、効率よく筐体8の外部へ排出することができる。
On the other hand, in the
以下、比較例に係る光トランシーバと比較しつつ、実施形態に係る光トランシーバ1の作用効果について説明する。
Hereinafter, the operational effects of the
図5に示されるように、比較例に係る光トランシーバ300は、筐体308と、主回路基板306と、副回路基板307と、を有する。ここで、筐体308は、上筐体312と、下筐体311とを有し、上筐体312と下筐体311とは、導電性弾性体313を挟んで一体化されている。そして、筐体308は、隔離壁21を有しない。つまり、筐体308は、一つの収容部Sを有する。まず、副回路基板307は、第2放熱シート329を介して上筐体312の表面部に熱的に接続される。このとき、副回路基板307は、スペーサ(不図示)や他の保持機構(不図示)等を介して筐体308に取り付けられる。次に、主回路基板306は、第1放熱シート328を介して副回路基板307の裏面に熱的に接続される。このとき、主回路基板306は、スペーサ(不図示)や他の保持機構(不図示)等を介して筐体308に取り付けられる。
As shown in FIG. 5, the
光トランシーバ300において、主回路基板306のIC326が発熱したとする。このとき、熱は、第1放熱シート328、副回路基板307、第2放熱シート329を介して、放熱面である表面部に移動する。第1放熱シート328、副回路基板307、第2放熱シート329は、筐体308よりも熱伝導率が低い。従って、高い発熱量を有するIC326から上筐体312までの熱抵抗が高い。例えば、回路基板といった部品同士の空隙を埋めるために放熱シートが用いられる。この放熱シートは、筐体308よりも熱伝導率が低いので、放熱性に対する影響が大きい。つまり、IC326の放熱性は、放熱シートの熱伝導率が律速(ボトルネック)となり得る。
In the
さらに具体的に、光トランシーバ300の放熱性を検討した。この検討では、光トランシーバ300に搭載するICについて、消費電力を仮定し、それぞれのICにおける最高温度を熱解析計算により確認した。熱解析にあたっては、光トランシーバ300を構成する各部材の熱伝導率を以下のように設定した。
上筐体及び下筐体:120W/mK。
伝導性弾性体:1W/mK。
第1放熱シート:5W/mK。
第2放熱シート:5W/mK。
主回路基板:5W/mK。
副回路基板:5W/mK。
More specifically, the heat dissipation of the
Upper case and lower case: 120 W / mK.
Conductive elastic body: 1 W / mK.
First heat dissipation sheet: 5 W / mK.
Second heat dissipation sheet: 5 W / mK.
Main circuit board: 5 W / mK.
Secondary circuit board: 5 W / mK.
第1の検討例として、以下の条件を設定した。
TOSA及びROSAの消費電力(合計):2.5W。
CDR(Clock Data Recovery)―ICの消費電力:1.2W。
CDR ICは、上記IC326に対応する。この条件に基づく計算の結果、CDR―ICの動作温度は、約85℃であることがわかった。
The following conditions were set as a first examination example.
TOSA and ROSA power consumption (total): 2.5W.
CDR (Clock Data Recovery)-IC power consumption: 1.2W.
The CDR IC corresponds to the
第2の検討例として、以下の条件を設定した。
TOSA及びROSAの消費電力(合計):2.2W。
LDDとPAM−ICの消費電力(合計):3.6W。
LDD及びPAM−ICは、上記IC326に対応する。これらの素子は、光トランシーバ300の高速性能の向上ための素子であり、第1の検討例におけるCDR―ICよりも消費電力が大きい。具体的には、LDD及びPAMの消費電力の合計は、CDR ICの消費電力の約3倍である。この条件に基づく計算の結果、LDDの動作温度とPAM―ICの動作温度の平均値は、約95℃であることがわかった。
The following conditions were set as a second examination example.
TOSA and ROSA power consumption (total): 2.2W.
Power consumption of LDD and PAM-IC (total): 3.6W.
LDD and PAM-IC correspond to the
上記の検討の結果、光トランシーバ300の構造によれば、IC326の消費電力が増大するに従って、IC326の温度が上昇する傾向にあることがわかった。IC326には、使用温度範囲が定められているので、消費電力の大きいICの場合には、使用温度範囲の上限を超える状況もあり得ることがわかった。
As a result of the above examination, it was found that the structure of the
これに対して、実施形態に係る光トランシーバ1では、主回路基板6に取り付けられたIC26が発熱すると、その熱は、主回路基板6が熱的に接続された熱回収部31に移動する。熱回収部31を含む隔離壁21は外殻部22から延びているので、熱回収部31に移動した熱は、さらに外殻部22の一部である熱伝導部32に向けて移動する。熱伝導部32に移動した熱は、さらに外殻部22の一部である放熱部33に移動する。そして、放熱部33に移動した熱は、筐体8の外部に排出される。このように、IC26において発生した熱は、筐体8の一部である熱回収部31に直ちに移動した後に、筐体8の一部である熱伝導部32を介して放熱部33に移動する。従って、熱移動を妨げる熱抵抗が低減されるので、IC26で発生した熱を効率よく排出することができる。
On the other hand, in the
要するに、光トランシーバ1は、第1上筐体12及び第2上筐体13を箱型にすることで、ダイカスト部分を利用して、熱を直接に筐体8へ逃す。この構成によれば、放熱性に影響を及ぼす放熱シートは1カ所のみとすることができる。
In short, by making the first
隔離壁21は、収容部Sを、第1収容部S1と第2収容部S2とに分割する。第1収容部S1には、主回路基板6が配置される。第2収容部S2には、副回路基板7が配置される。副回路基板7は、放熱部33に対して熱的に接続される。この構成によれば、筐体8は、2枚の回路基板を収容することが可能である。従って、筐体8内に収容可能な構成部品を増加することが可能となるので、高密度化することができる。
The
外殻部22は、表面部1aと、裏面部1bと、一対の側面部1cと、を有する。表面部1aは、放熱部33を含む。熱回収部31は、一方の側面部1cから他方の側面部1cへ延びるように平面状に形成される。第1収容部S1は、裏面部1bと、熱回収部31とに挟まれる。第2収容部S2は、表面部1aと、熱回収部31とにより挟まれる。この構成によれば、主回路基板6上に副回路基板7を配置することが可能になる。従って、光トランシーバ1を好適に高密度化することができる。
The
筐体8の熱伝導率は、主回路基板6の熱伝導率よりも大きい。この構成によれば、IC26で発生した熱を好適に排出することができる。
The thermal conductivity of the
主回路基板6は、第1放熱シート28を介して熱回収部31に接続される。この構成によれば、主回路基板6上においてIC26の高さに起因する凹凸がある場合でも、第1放熱シート28によって凹凸を吸収することができる。従って、主回路基板6から熱回収部31に至る熱流路面積を増大させることが可能となるので、熱抵抗を低減することができる。
The
副回路基板7は、第2放熱シート29を介して放熱部33に接続される。この構成によれば、副回路基板7上においてIC27の高さに起因する凹凸がある場合でも、第2放熱シート29によって凹凸を吸収することができる。従って、副回路基板7から放熱部33に至る熱流路面積を増大させることが可能となるので、熱抵抗を低減することができる。
The
主回路基板6には、第1半導体素子群が取り付けられる。副回路基板7には、第2半導体素子群が取り付けられる。第1半導体素子群の発熱量は、第2半導体素子群の発熱量よりも大きい。この構成によれば、第1半導体素子群に起因する熱を効率よく排出することができる。
The first semiconductor element group is attached to the
本発明は、前述した実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。 The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
1…光トランシーバ、1a…表面部、1b…裏面部、1c…側面部、2…光レセプタクル、3…光送信モジュール(光装置)、4…光受信モジュール(光装置)、6…主回路基板(第1回路基板)、7…副回路基板(第2回路基板)、8…筐体、11…下筐体、12…第1上筐体、13…第2上筐体、14…連結孔、16…ネジ、17…導電性弾性体、18,19…ネジ孔、21…隔離壁(隔壁部)、22…外殻部、25…スタッキングコネクタ、26,27…IC(半導体素子)、28…第1放熱シート(第1伝熱部材)、29…第2放熱シート(第2伝熱部材)、31…熱回収部、32…熱伝導部、33…放熱部、35…スペーサ、100…ホストシステム、101…ケージ、200…光コネクタ、201…光ファイバ、300…光トランシーバ、306…主回路基板、307…副回路基板、308…筐体、311…下筐体、312…上筐体、313…導電性弾性体、328…第1放熱シート、329…第2放熱シート、D1…長手方向、D2…幅方向、D3…高さ方向、F…クリアランス、S…収容部、S1…第1収容部、S2…第2収容部。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記電気信号を処理する半導体素子が取り付けられた回路基板と、
前記回路基板を収容する直方体状の収容空間を画成する外殻部、及び前記外殻部から前記収容空間に向けて延びる隔壁部を有する筐体と、を備え、
前記隔壁部は、前記半導体素子と熱的に接続される熱回収部を含み、
前記外殻部は、前記半導体素子から伝導された熱を放熱する放熱部と、前記半導体素子から前記熱回収部に伝導された熱を前記放熱部に伝導する熱伝導部と、を含む、光トランシーバ。 An optical transceiver comprising an optical device for performing signal conversion between an electrical signal and an optical signal, comprising:
A circuit board on which a semiconductor element for processing the electrical signal is attached;
And a case having an outer shell defining a rectangular parallelepiped housing space for housing the circuit board, and a partition extending from the outer shell toward the housing space.
The partition portion includes a heat recovery portion thermally connected to the semiconductor element,
The outer shell portion includes a heat dissipation portion which dissipates heat conducted from the semiconductor element, and a heat conducting portion which conducts heat conducted from the semiconductor element to the heat recovery portion to the heat dissipation portion. Transceiver.
前記第1収容空間には、前記回路基板である第1回路基板が配置され、
前記第2収容空間には、前記回路基板とは別の第2回路基板が配置され、
前記第2回路基板は、前記放熱部に対して熱的に接続される、請求項1に記載の光トランシーバ。 The partition portion divides the housing space into a first housing space, and a second housing space located between the first housing space and the heat radiating portion.
A first circuit board, which is the circuit board, is disposed in the first accommodation space.
A second circuit board different from the circuit board is disposed in the second accommodation space,
The optical transceiver according to claim 1, wherein the second circuit board is thermally connected to the heat dissipation unit.
前記表面部は、前記放熱部を含み、
前記熱回収部は、前記一対の側面部の一方から前記一対の側面部の他方へ延びるように形成され、
前記第1収容空間は、前記裏面部と前記熱回収部とに挟まれ、
前記第2収容空間は、前記表面部と前記熱回収部とに挟まれる、請求項2に記載の光トランシーバ。 The outer shell portion has a surface portion covering an upper portion of the accommodation space, a back surface portion covering a lower portion of the accommodation space, and a pair of side portions covering side portions of the accommodation space.
The surface portion includes the heat dissipation portion,
The heat recovery portion is formed to extend from one of the pair of side portions to the other of the pair of side portions.
The first accommodation space is sandwiched between the back surface portion and the heat recovery portion,
The optical transceiver according to claim 2, wherein the second accommodation space is sandwiched between the surface portion and the heat recovery portion.
前記第1回路基板に取り付けられた前記半導体素子は前記第1伝熱部材を介して前記熱回収部に熱的に接続される、請求項2〜4の何れか一項に記載の光トランシーバ。 The semiconductor device further comprises a first heat transfer member in contact with the semiconductor element attached to the first circuit board and in contact with the heat recovery portion.
The optical transceiver according to any one of claims 2 to 4, wherein the semiconductor element attached to the first circuit board is thermally connected to the heat recovery unit via the first heat transfer member.
前記第2回路基板は、前記第2伝熱部材を介して前記放熱部に接続される、請求項2〜5の何れか一項に記載の光トランシーバ。 And a second heat transfer member in contact with the heat dissipation portion while in contact with the second circuit board,
The optical transceiver according to any one of claims 2 to 5, wherein the second circuit board is connected to the heat dissipation unit via the second heat transfer member.
前記第2回路基板には、前記半導体素子とは別の半導体素子を含む第2半導体素子群が取り付けられ、
前記第1半導体素子群の発熱量は、前記第2半導体素子群の発熱量よりも大きい、請求項2〜6の何れか一項に記載の光トランシーバ。
A first semiconductor element group including the semiconductor element is attached to the first circuit board,
A second semiconductor element group including a semiconductor element different from the semiconductor element is attached to the second circuit board,
The optical transceiver according to any one of claims 2 to 6, wherein a calorific value of the first semiconductor element group is larger than a calorific value of the second semiconductor element group.
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