JP2019113675A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＰＳＡ型液晶表示装置を作製する製造方法の重合性化合物を含有する液晶組成物に対して光照射する重合工程において、重合性化合物を好適な重合速度で行うことで、プレチルト角の変化による表示不良が無いか、あるいは極めて少なく、かつＶＨＲの低下やそれに起因する表示不良の低減・抑制する液晶表示素子の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物を基板上に添着した後、波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光を前記液晶組成物にあてる光照射工程（Ａ）を１回以上行う液晶表示素子の製造方法を提供する。【選択図】 なし

Description

本発明は重合性化合物を含有する液晶組成物を使用した液晶表示素子の製造方法に関する。

ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示装置は、液晶分子のプレチルト角を制御するためにセル内にポリマー構造物を形成した構造を有するものであり、高速応答性や高いコントラストから液晶表示素子として開発が進められている。

ＰＳＡ型液晶表示素子の製造は、重合性化合物を含有する液晶組成物を基板間に注入し、電圧を印加して液晶分子を配向させた状態で紫外線を照射し、重合性化合物を重合させて形成したポリマー構造物により液晶分子のプレチルト角を制御することで液晶分子の配向を固定する方法が用いられる（特許文献１）。

このようなＰＳＡ型液晶表示素子では、プレチルト角を生成するために用いられた重合性化合物が、重合工程後でも未重合物としてディスプレイ内に残存すると低いＶＨＲ（電圧保持率）の値を示す液晶表示素子になり、焼き付きなどの表示不良を発生することがあるため、未重合物が残存しない又は残存しにくい重合性化合物などが開発されている（特許文献１、２）。

具体的には、特許文献１によれば、一対の透明電極の間に電圧を印加しながら、１つ以上の環構造あるいは縮環構造及び該環構造あるいは縮環構造と直接結合している２つの官能基とを有するモノマーを重合してポリマー構造物を形成することで焼き付きが低減できることが記載されている。

また、特許文献２によれば、２個の重合性基を有する１種類以上の重合性化合物及び３個以上の重合性基を有する１種類以上の重合性化合物を含む負の誘電異方性を有する液晶媒体及びそれを用いた液晶表示素子であり、特により長い波長において良好なＵＶ吸収を示し、ＬＣ媒体に含有されるＲＭが迅速及び完全に重合し、可能な限り迅速に低いチルト角を生成させ、長時間のＵＶ曝露後においてすら及び／又はＵＶ曝露後のプレチルトの高い安定性を可能とし、ディスプレイにおける画像固着の発生を低減又は防止し、ディスプレイにおけるＯＤＦムラの発生を低減又は防止することが記載されている。

特開２００３−３０７７２０号 特開２０１６−１０８５５８号

上記の特許文献１、２では、いずれも重合工程で使用する重合性化合物の構造や重合性化合物の含有量に着目した技術であり、例えば、特許文献１には、液晶分子の倒れる方向を特定の化学構造の重合性化合物により規制することで焼き付きを低減することが記載されているが、未重合の重合性化合物に起因するＶＨＲの低下やそれに起因する表示不良、光照射による非重合性液晶化合物の劣化という新たな問題が生じる。また、特許文献２では、重合性基の数や重合性化合物の含有量に着目しており、蛍光ＵＶランプ・タイプＣ（３０５〜３５５ｎｍ）を光照射条件として重合している。そのため、蛍光ＵＶランプによる非重合性液晶化合物の劣化という新たな問題が生じる。

そこで、本発明が解決しようとする課題は、ＰＳＡ型液晶表示装置を作製する製造方法の重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物に対して光照射する重合工程において、好適な範囲の光照射条件を行うことで、非重合性液晶化合物の劣化によるＶＨＲの低下や非重合性液晶化合物の劣化に起因する表示不良の低減・抑制する液晶表示素子の製造方法の提供を目的とする。

本発明者らが鋭意検討した結果、重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物を基板上に添着した後、波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光を前記液晶組成物にあてる光照射工程（Ａ）を１回以上行う液晶表示素子の製造方法により、上記課題を解決できることを見出し、本願発明を完成するに至った。

本発明の液晶表示素子の製造方法を用いた液晶表示素子は、ＶＨＲの低下を抑制・低減するものである。

本発明の液晶表示素子の製造方法を用いた液晶表示素子は、プレチルト角の変化による表示不良が無いか、あるいは極めて少ない。

本発明の液晶表示素子の製造方法を用いた液晶表示素子は、高い電圧保持率（ＶＨＲ）と、高速応答を示し、配向不良や焼き付きといった表示不良がない又は抑制された、優れた表示品位を示す。

本発明の液晶表示素子の製造方法を用いた液晶表示素子は、紫外線の照射時間が適度に短く、エネルギーコストの最適化及び削減により容易に生産効率を向上できる。

図１は、光源の発光スペクトルを示す図である。 図２は、比較例で用いる光源の発光スペクトルを示す図である。 図３は、実施例で用いる光源の発光スペクトルを示す図である。

本発明の第一は、重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物を基板上に添着した後、波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光を前記液晶組成物にあてる光照射工程（Ａ）を１回以上行う液晶表示素子の製造方法である。

本発明に係る製造方法では、３７０ｎｍ以上の波長を主成分とした光を重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物に対して照射するため、比較的温和な条件での重合となり、本発明の液晶表示素子の製造方法を用いた液晶表示素子は、液晶組成物、特に非重合性液晶化合物の劣化を低減することができ、非重合性液晶化合物の劣化に起因する液晶組成物のＶＨＲの低下を抑制・低減することができる。

本明細書でいう「波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光」とは、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長域と重なる光の照射を可能とする光源の発光スペクトルにおいて、３７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の光の積分値である積算強度を３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の光の積分値である積算強度で割った値が０．９以上である光をいう。主成分とは、少なくとも選択した３７０ｎｍ以上５００ｎｍの波長領域の光の積算強度が、３００ｎｍ以上５００ｎｍにおいて、少なくとも９０％以上の積算強度を持つことをいう。そのため、前記光源からの光又は「波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした光」には、３００ｎｍ未満の波長の光や５００ｎｍ超の波長の光を含んでもよい。また、光源の光は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長域と重なる光の照射を可能とすればよいため、３７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内の光だけでもよい。

また、本発明に係る製造方法において、波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光の算出方法について、以下図１を用いて説明する。すなわち、図１は光源の発光スペクトルを示す図であり、横軸が波長（ｎｍ）を、縦軸が強度（μＷ／ｃｍ^２）を表す。スペクトル内の線は各波長における強度を表すため、３００ｎｍから５００ｎｍの各波長の強度の合計である積分値（ａ）（３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の面積）が、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の光の積算強度である。また、３７０ｎｍから５００ｎｍの各波長の強度の合計である積分値（ｂ）（３７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の面積）が、３７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の光の積算強度である。そのため、前記積分値（ｂ）÷前記積分値（ａ）が０．９以上であると、「波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光」に該当する。本明細書では、「主成分」か否かを光源の発光スペクトルの面積比から算出している。すなわち、主成分であるとは、当該面積比が９０％以上であり、主成分でないとは、当該面積比が９０％未満である。

なお、本明細書の紫外線の波長領域は、２００〜３８０ｎｍとし、可視光の波長領域は、３８０〜７８０ｎｍとする。

一般に液晶表示素子の製造方法は、重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物を真空注入により一対の（電極）基板間に充填する方法（いわゆる真空注入法）と、一対の（電極）のうち少なくとも一方の（電極）基板上に液晶組成物を滴下する方法（いわゆるＯＤＦ法）とに大別される。本発明に係る液晶表示素子の製造方法を前者の真空注入法で行う場合、必要により配向膜が設けられた一対の（電極）基板を備えた液晶セルを作製する液晶セル作成工程と、前記液晶セル内に真空注入により前記（電極）基板上に重合性化合物を含有する液晶組成物を添着させて充填する注入工程と、前記（電極）基板上に添着された前記液晶組成物に波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光をあてる光照射工程（Ａ）と、偏光板を貼り合せる工程と、を有することが好ましい。

上記製造方法において、必要により注入工程の後、光照射工程を行う前に、液晶組成物が充填した液晶セルを６０〜１３０℃の条件でアニールしてもよい。また、液晶組成物に光を照射する工程（上記光照射工程（Ａ）及びそれ以外の波長の光を照射する工程）は、１回以上行うことが好ましい。

また、上記液晶組成物に光を照射する工程（上記光照射工程（Ａ）及びそれ以外の波長の光を照射する工程）は、電圧を印加した状態で光照射工程を１回以上行うことが好ましい。

本発明に係る液晶表示素子の製造方法を後者のＯＤＦ法で行う場合、必要により配向膜が設けられた（電極）基板を一対作製する（電極）基板作成工程と、少なくとも一方の前記（電極）基板の片面の外周部に、接合用シール剤により接合用領域が全周にわたって描写する工程と、前記（電極）基板の片面の前記接合用領域の内側に重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物を添着させた後、他方の（電極）基板と貼り合せて前記接合用シール剤を硬化させる工程と、前記（電極）基板上に添着された重合性化合物を含有する液晶組成物に波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光をあてる光照射工程（Ａ）と、偏光板を貼り合せる工程と、を有することが好ましい。

上記製造方法において、必要により注入工程の後、光照射工程を行う前に、液晶組成物が充填した液晶セルを６０〜１３０℃の条件でアニールしてもよい。また、液晶組成物に光を照射する工程（上記光照射工程（Ａ）及びそれ以外の波長の光を照射する工程）は、１回以上行うことが好ましい。

本発明に係る（電極）基板は、表面に配向層を有しても又は有してなくてもよい。また、一対の基板の一方に配向層を有してもよく、両方に配向層を有していてもよい。本発明に係る好ましい液晶表示素子の構成は、一方の面上に第１の偏光層を備え、他方の面上に画素電極および各画素に具備した前記画素電極を制御する薄膜トランジスタを形成した電極層を含む第１の基板と、一方の面上に第２の偏光層を備え、他方の面上に（透明）電極層（または共通電極とも称する。）およびカラーフィルタを備えた第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された液晶層（重合化合物を含有する液晶組成物から形成される）を有する。また、液晶表示素子は、液晶層中の液晶分子が電圧無印加時の液晶分子の長軸方向が前記基板に対して略垂直に配向し、かつ電圧印加時の液晶分子の長軸方向が前記基板に対して略平行に配向する形態であり、電圧に応答して液晶分子の長軸方向を可逆的に制御する液晶表示素子である。

さらに、液晶層と隣接し、かつ当該液晶層を構成する液晶組成物と直接接するよう配向層）を電極（層）または共通電極層の表面の少なくとも一方に必要により形成してもよく、両方の表面に配向層を形成しなくてもよい。

また、上記液晶組成物に光を照射する工程（Ａ）は、後述で詳説するが電圧を印加した状態で光照射工程を１回以上行うことが好ましい。

前記接合用シール剤は、ＵＶ又は熱で硬化する樹脂により硬化することが好ましく、公知の熱硬化型のシール剤を用いることが好ましい。

本発明に係る液晶表示素子の製造方法において、基板上に添着された重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物に波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光をあてる光照射工程（Ａ）は、好ましくは１〜５回、より好ましくは１〜４回、さらに好ましくは１〜３回、特に好ましくは１〜２回行う。

本発明に係る液晶表示素子の製造方法の光照射工程（Ａ）において、波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光を発生する手段としては、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、蛍光ＵＶランプ、ＬＥＤランプがある。バンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタなど特定の波長域をカットするフィルタを使用してもよい。

また、光照射工程（Ａ）では、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）なども好ましい。必要に応じて長波長カットフィルタ、短波長カットフィルタ、バンドパスフィルタのような分光フィルタを通して照射光を調整してもよく、必要に応じて、紫外線をカットして使用してもよい。

本発明に係る液晶表示素子の製造方法において、基板上に添着された重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物に対して、必要により波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光以外の光を照射する光照射工程（Ｂ）を行ってもよい。換言すると、本発明に係る液晶表示素子の製造方法において、波長３７０ｎｍ以上の光を主成分としない照射光をあてる光照射工程（Ｂ）を行ってもよい。
この場合、光を照射する工程（Ｂ）における照射する光の波長の下限は、３００ｎｍが好ましく、３０５ｎｍがより好ましく、３１０ｎｍがさらに好ましい。光を照射する工程（Ｂ）における照射する光の波長の上限は、８００ｎｍが好ましく、７００ｎｍが好ましく、６００ｎｍが好ましく、５００ｎｍが好ましく、４００ｎｍが好ましい。

当該波長領域の光を発生する光源としては、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、蛍光ＵＶランプ、超高圧水銀ランプ、ケミカルランプ、ＬＥＤ光源、エキシマレーザー発生装置等を用いることができ、ｊ線（３１３ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）などの３００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長を有する活性光線が好ましく使用でき、ｊ線（３１３ｎｍ）又はｉ線（３６５ｎｍ）の波長３７０ｎｍ以上の光を主成分としない活性光線が好ましい。

本発明に係る光照射工程（Ｂ）において使用する光は、３１３ｎｍ近傍にピークを有する又は３６５ｎｍ近傍にピークを有することが好ましく、３１３ｎｍ近傍にピークを有する及び３６５ｎｍ近傍にピークを有することがより好ましく、３１３ｎｍ近傍にピークを有することが特に好ましい。３１３ｎｍ近傍にピークを有すると、重合性化合物の反応速度が速くなるため、光照射時間が短く済み、長光照射によるＶＨＲ低下が起こりにくいというメリットがある。また、必要により公知のカットフィルタで特定の波長や特定の波長以下の光をカットしてもよい。本発明に係る光照射において、３００〜３５０ｎｍの範囲以下の光をカットすることが好ましく、例えば、３２０ｎｍ以下の光をカット、３２５ｎｍ以下の光をカットする態様が挙げられる。

これにより、重合性化合物の反応速度を調整しやすいというメリットがある。

さらに、本発明に係る光照射工程（Ｂ）において照射する紫外線の波長としては、上記の３００〜３７０ｎｍ波長の紫外線を含んでさえすればよく、重合性化合物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射してもよい。照射する紫外線などの活性エネルギー線は、複数のスペクトルを有するものが好ましく、複数のスペクトルを有する紫外線が好ましい。複数のスペクトルを有する活性エネルギー線の照射によって、重合性化合物は、その種類ごとに適したスペクトル（波長）の活性エネルギー線によって重合することが可能となり、この場合、液晶分子の配向方向を制御できる重合体がより効率的に形成される。

本発明の液晶組成物に含まれる重合性化合物を重合させて液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線とは別に、電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法であってもよい。

本発明に係る液晶表示素子の製造方法において、基板上に添着された重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物に光を照射する工程（Ｂ）は、好ましくは０〜５回、より好ましくは１〜４回、さらに好ましくは１〜３回、特に好ましくは１〜２回行う。

本発明に係る液晶表示素子の製造方法において、光照射工程（Ａ）の前に、光を照射する工程（Ｂ）を行ってもよく、また光照射工程（Ａ）の後に、光を照射する工程（Ｂ）を行ってもよい。

本発明に係る液晶表示素子の製造方法において、基板上に添着された重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物に対する光照射工程の好ましい形態は、３７０ｎｍ以上の波長のみの光を照射する光照射工程（Ａ）を１〜２回行い、光照射工程（Ａ）の後、光を照射する工程（Ｂ）を０〜４回行うことが好ましい。

光照射工程を、複数回行うことで、ＶＨＲの低下の原因となる残存モノマー量の低減と所望のプレチルト角を形成することができる。

本発明に係る光照射工程（Ｂ）において照射する光の照度の下限値は、１０ｍＷ／ｃｍ^２であることが好ましく、２０ｍＷ／ｃｍ^２であることがより好ましく、３０ｍＷ／ｃｍ^２がさらに好ましい。上記照射する光の照度の上限値は、１５００ｍＷ／ｃｍ^２であることが好ましく、１０００ｍＷ／ｃｍ^２であることがより好ましく、８００ｍＷ／ｃｍ^２がさらに好ましい。

本発明に係る照射する光の照度の測定方法は特に制限されることはなく、公知の方法や装置で行うことができるが、本明細書における照射する光の照度の測定方法には、３１３ｎｍの照度にウシオ電機製ＵＶＤ−Ｓ３１３を、３６５ｎｍの照度にウシオ電機製ＵＶＤ−Ｓ３６５を使用している。

本発明に係る光照射工程（Ａ）における光の照射時間（ｔ_Ａ）は、光照射工程の回数などで適宜定められるが、０．５〜１５０分であることが好ましい。上記光照射工程における照射時間の下限値は、０．５分であることがより好ましく、１分であることがさらに好ましく、１．５分であることが特に好ましい。上記紫外線の照射時間の上限値は、１２０分であることがより好ましく、１００分であることがより好ましく、９０分であることがより好ましく、６０分であることがより好ましく、４０分であることが特に好ましい。

本発明に係る光照射工程（Ｂ）における光の照射時間（ｔ_Ａ）は、光照射工程の回数などで適宜定められるが、０．５〜１００分であることが好ましい。上記光照射工程における照射時間の下限値は、０．５分であることがより好ましく、１分であることがさらに好ましく、１．５分であることが特に好ましい。上記紫外線の照射時間の上限値は、６０分であることがより好ましく、５０分であることがさらに好ましく、４５分であることが特に好ましい。

重合させる工程において強い紫外線を長時間照射する場合、製造装置の大型化、製造効率の低下を招くことになるとともに、紫外線による液晶組成物、特に非重合性液晶化合物の劣化等が生じてしまう。一方、紫外線の照射時間を短くすると、残存した重合性化合物によって生じる表示不良のひとつである焼き付きの発生が避けられない。光照射工程が上記の条件であれば、後述にも説明するが、組成物全体における未反応の重合性化合物をあえて残存させて、さらに光照射工程を行うことで残存した未反応の重合性化合物を使用することができる。

本発明に係る光照射工程（Ａ）、（Ｂ）における雰囲気の温度範囲は、１９℃〜６３℃であることが好ましく、２０℃〜５０℃であることがより好ましい。

なお、本明細書の紫外線の波長領域は、２００〜３８０ｎｍとし、可視光の波長領域は、３８０〜７８０ｎｍとする。

本発明に係る光照射工程（Ａ）、（Ｂ）は、紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良いが、無偏光の紫外線を照射することが好ましい。

本発明に係る光照射工程（Ａ）、（Ｂ）において、光照射における雰囲気は特に制限されることはなく、大気雰囲気であってもよく、窒素や希ガス雰囲気下であってもよい。

本発明に係る光照射工程（Ａ）、（Ｂ）で使用できる照射方式は特に制限されることはなく公知の照射方式を使用することができる。

また、重合性化合物含有液晶組成物を２枚の基板間に挟持させた状態で紫外線を照射する場合（重合を行う）場合には、少なくとも照射面側の基板は紫外線に対して適当な透明性が与えられていることが好ましい。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に紫外線を照射して重合させるという手段を用いても良い。

本発明に係る液晶表示素子の製造方法において、光照射工程（Ａ）又は（Ｂ）において、電圧を印加した状態で光を照射することが好ましい。

重合性化合物を含有する液晶組成物に対して電圧を印加した状態でさらに所定の波長の光を照射することで、残存した重合性化合物由来の重合体により液晶分子の安定したプレチルト角を形成することができる。より詳細に説明すると、光照射工程（Ａ）、（Ｂ）において重合した重合体により重合性化合物を含有する液晶組成物を構成する液晶分子の配向方向を基板に対して特定の方向（例えば、基板に対して垂直方向）に配向させ、必要によりさらに光照射工程で重合した重合体により安定したプレチルト角を形成することで、液晶分子が垂直配向で固定化することができる。これにより、例えば電圧ＯＮ時における液晶分子は、フィッシュボーン構造の外側から中心に向かう方向と、平行に配向するため、マルチドメインの液晶表示素子を製造することができる。

本発明に係る光照射工程（Ａ）、（Ｂ）において紫外線を照射する際には、交流電圧又は直流電圧を印加しながら紫外線を照射することが好ましく、交流電圧を印加しながら紫外線を照射することがより好ましい。

前記印加する交流電圧の周波数の下限値は、周波数１０Ｈｚであることが好ましく、周波数６０Ｈｚであることがより好ましい。また上記印加する交流電圧の周波数の上限値は、１０ｋＨｚであることが好ましく、周波数１ｋＨｚがより好ましい。

本発明に係る光照射工程（Ａ）、（Ｂ）において印加する電圧の大きさは、液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。上記光照射工程（Ａ）、（Ｂ）において印加する電圧の大きさの下限値は、好ましくは０．１Ｖ、より好ましくは０．２Ｖ、さらに好ましくは０．５Ｖである。上記光照射工程において印加する電圧の大きさの上限値は、好ましくは３０Ｖ、より好ましくは２０Ｖ、さらに好ましくは１０Ｖである。

本発明に係る光照射工程（Ａ）、（Ｂ）において電圧印加時の重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物の温度は、室温に近い温度、好ましくは１４〜６２℃、より好ましくは１６〜５５℃、さらに好ましくは１８〜５２℃で重合性化合物含有液晶組成物に電圧を印加することが好ましい。

本発明に係る光照射工程において電圧印加時の重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物は、ネマチック相状態であることが好ましい。

電圧を印加した状態で紫外線を照射するため、均一配向の観点で重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物がネマチック相であることが好ましい。

以下、本発明に係る液晶表示素子の製造法における好適な実施形態を説明する。

本発明に係る液晶表示素子の製造方法の一形態は、重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物を基板上に添着した後、波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光を前記液晶組成物にあてる光照射工程（Ａ）を１回行った後、波長３７０ｎｍ以上の光を主成分としない照射光を前記液晶組成物にあてる光照射工程（Ｂ）を１回行い、前記重合性化合物は、後述の式（ＸＸ−１４）〜（ＸＸ−２１）、式（Ｍ−３）〜（Ｍ−６）及び式（ＲＭ−２−１）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種又は２種以上である。

上記好適な実施形態において、光照射工程（Ａ）は、必要により電圧を印加して照射光を前記液晶組成物にあててもよく、光照射工程（Ｂ）では、電圧無印加状態で前記液晶組成物に照射光をあてる。

上記好適な実施形態において、前記重合性化合物が、後述の式（ＸＸ−１４）〜（ＸＸ−２１）、式（Ｍ−３）〜（Ｍ−６）及び式（ＲＭ−２−１）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種又は２種以上であると、比較的温和な光照射条件でも反応が遅延することなく重合が進行するため、経時的に安定したチルト角を形成することができ、かつ比較的温和な光照射条件であるため電圧保持率を高く維持することができる。

本発明に係る製造方法において、基板上に重合性化合物を含有する液晶組成物を添着する方法は特に制限されることはなく、一対の（電極）基板をスペーサを介して貼りあわせたセルの内部に重合性化合物を含有する液晶組成物を注入することで、（電極）基板上に重合性化合物含有液晶組成物を添着する方法（真空注入法）、一対の（電極）基板の一方の基板及び／又は両方の基板上に重合性化合物含有液晶組成物を滴下する方法（ＯＤＦ法）などが挙げられる。また、本発明に係る基板は、（透明）支持基板に対して、必要により電極層（ＴＦＴを含む画素電極、共通電極）、配向膜が形成されていることが好ましい。

本発明に係る重合性化合物含有液晶組成物を滴下する方法は特に限定されないが、例えば、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェット、液滴吐出装置又はディスペンサー等で行う方法が一般的である。その他の方法としては、ディップ、ロールコーター、スリットコーター、スピンナー等があり、目的に応じてこれらを用いてもよい。

本発明に係る基板は、垂直電界駆動用又は横電界駆動用の電極層を有することが好ましい。前記電極層として、液晶表示素子が透過型である場合、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料などを挙げることができるが、これらに限定されない。また、反射型の液晶表示素子の場合、電極層として、アルミなどの光を反射する材料などを挙げることができるがこれらに限定されない。

本発明に係る基板に電極層を形成する方法は、従来公知の手法を用いることができる。実施の形態に係る液晶表示素子は、互いに対向する一対の透明基板を有しており、少なくとも一方の基板には上記電極層が形成されていることが好ましい。また、前記電極層は、所定のパターン（フィッシュボーン構造）にスリットが形成されていることが好ましく、当該電極層の上には、透明な絶縁膜や平坦化膜などが積層されていてもよい。さらに、前記絶縁膜又は前記電極層上には、必要により垂直又は水平配向膜がそれぞれ形成されていてもよい。当該配向膜は、ポリイミド膜、ナイロン膜、ポリビニルアルコール膜などの有機高分子膜が用いられることが好ましい。

本発明において、一対の基板のうちの少なくとも一方に配向膜が形成されてもよく、又は配向膜が形成されていない基板を用いることが好ましい。

本発明に係る液晶表示素子は、対向に配置された第１の支持基板及び第２の支持基板と、前記第１の支持基板又は前記第２の支持基板に設けられる共通電極と、前記第１の支持基板又は前記第２の支持基板に設けられ、薄膜トランジスタを有する画素電極と、前記第１の支持基板と第２の支持基板間に設けられる液晶組成物を含有する液晶層と、を有することが好ましい。必要により前記液晶層と当接するように第１の支持基板及び／又は第２の支持基板の少なくとも一つの支持基板の対向面側に、液晶分子の配向方向を制御する配向膜を設けてもよい。さらに、カラーフィルタを、第１の支持基板又は第２の支持基板上に適宜設けてもよく、また前記画素電極や共通電極上にカラーフィルタを設けることができる。また、二枚の偏光板を前記第１の支持基板又は第２の支持基版の外側に設けてもよい。

本発明に係る支持基板は、ガラス又はプラスチック（アクリル、ポリカーボネート等）の如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、反射型の液晶表示素子への適用を考慮し、シリコンウェハなどの不透明な材料でも良い。また、一対の基板は、周辺領域に配置されたエポキシ系熱硬化性組成物等のシール材及び封止材によって貼り合わされていて、その間には基板間距離を保持するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサ又はフォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなるスペーサ柱が配置されていてもよい。

本発明に係る液晶表示素子が垂直電界駆動の場合は、一対の基板の両方の基板上に電極層を備えていることが好ましい。より詳細には、本発明に係る垂直電界駆動型の液晶表示素子（ＶＡ）は、対向に配置された第２の支持基板と、前記第２の支持基板に設けられる共通電極と、前記第１の支持基板に設けられ、薄膜トランジスタを有する画素電極と、前記第１の支持基板と第２の支持基板間に設けられる液晶組成物を含有する液晶層と、を有することが好ましい。

そのため、一方の基板は、支持基板と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、画素電極と、配線（ゲートライン、データバスライン、Ｃｓ電極、コンタクトホールなど）とを有し、他方の基板は、支持基板と、共通電極と、カラーフィルタとを有していることが好ましい。また前記画素電極や共通電極上にカラーフィルタを設けてもよい（カラーフィルタオンアレイ）。

本発明に係る液晶表示素子が横電界駆動の場合は、一対の基板のうち一方の基板上のみに電極層が形成されていることが好ましく、より詳細には、前記一方の基板は、支持基板と、配線（ゲートライン、データバスライン、Ｃｓ電極、コンタクトホールなど）と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、共通電極と、画素電極とを有していることが好ましい。また、他方の基板は、支持基板と、必要によりカラーフィルタとを有していることが好ましい。

本発明に係る光照射工程において、重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物を添着する基板は、上記（第１又は第２の）支持基板、透明基板、上記の一方の基板、上記の他方の基板のいずれであってもよい。

本発明に係るカラーフィルタは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルタの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルタ用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルタ用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。

前記第１の基板及び前記第２の基板を、共通電極や画素電極層が内側となるように対向させることが好ましい。

第１の基板と第２の基板との間隔はスペーサを介して、調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。

本発明に係る重合性化合物としては、以下の一般式（Ｉ）で表される化合物が好ましい。

（上記一般式（Ｉ）中、Ｒ^１０１、Ｒ^１０２、Ｒ^１０３、Ｒ^１０４、Ｒ^１０５、Ｒ^１０６、Ｒ^１０７、Ｒ^１０８、Ｒ^１０９及びＲ^１１０はそれぞれ独立して、Ｐ^２１−Ｓ^２１−、炭素原子数１から１８のアルキル基、炭素原子数１から１８のアルコキシ基、ハロゲン原子又は水素原子のいずれかを表し、上記Ｐ^２１は、下記式（Ｒ−Ｉ）〜式（Ｒ−ＩＸ）で表されるいずれかの基であり、

（前記式（Ｒ−Ｉ）〜（Ｒ−ＩＸ）中、Ｒ^２１、Ｒ^３１、Ｒ^４１、Ｒ^５１及びＲ^６１はお互いに独立して、水素原子、炭素原子数１〜５個のアルキル基又は炭素原子数１〜５個のハロゲン化アルキル基であり、Ｗ^１は単結合、−Ｏ−又はメチレン基であり、Ｔ^１は単結合又はＣＯＯ−であり、ｐ^１、ｔ^１及びｑ^１はそれぞれ独立して、０、１又は２であり、上記式（Ｒ−Ｉ）〜（Ｒ−ＩＸ）の１つ以上の水素原子は、前記極性基に置換されてもよい。上記化学式中の＊は結合手を表す。）
上記Ｓ^２１は、単結合又は炭素原子数１〜１５のアルキレン基を表し、該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されてよく、
ｎ^１１は、０、１又は２を表し、
ｎ^１２及びｎ^１３はそれぞれ独立して、０又は１を表し、
ｎ^１１＋ｎ^１２＋ｎ^１３＝１、２、３又は４を表し、
Ａ^１１は、下記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）：
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、２，７−フェナントレンジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基又はＰ^２１−Ｓ^２１−で置換されていても良く、
Ｌ^１０及びＬ^１１は、それぞれ独立して、単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＯＣ_２Ｈ_４Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｚ−Ｏ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_ｚ−、−ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_ｚ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯ−（ＣＨ_２）ｚ−ＣＯ−、ＯＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−（式中、Ｒ^ａはそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、前記式中、ｚはそれぞれ独立して０〜４の整数を表す。）を表し、
Ｐ^２１、Ｓ^２１、Ｌ^１１及びＡ^１１が複数存在する場合は、それぞれ同一であっても異なっていても良い。）
本発明に係る重合性化合物含有液晶組成物において、一般式（Ｉ）で表される重合性化合物の液晶組成物全体に対する含有量は、０．０１から５質量％含有するが、含有量の下限は０．０２質量％が好ましく、０．０３質量％が好ましく、０．０４質量％が好ましく、０．０５質量％が好ましく、０．０６質量％が好ましく、０．０７質量％が好ましく、０．０８質量％が好ましく、０．０９質量％が好ましく、０．１質量％が好ましく、０．１５質量％が好ましく、０．２質量％が好ましく、０．２５質量％が好ましく、０．３質量％が好ましく、０．３５質量％が好ましく、０．４質量％が好ましく、０．５質量％が好ましく、０．５５質量％が好ましく、含有量の上限は４．５質量％が好ましく、４質量％が好ましく、３．５質量％が好ましく、３質量％が好ましく、２．５質量％が好ましく、２質量％が好ましく、１．５質量％が好ましく、１質量％が好ましく、０．９５質量％が好ましく、０．９質量％が好ましく、０．８５質量％が好ましく、０．８質量％が好ましく、０．７５質量％が好ましく、０．７質量％が好ましく、０．６５質量％が好ましく、０．６質量％が好ましく、０．５５質量％が好ましい。

本発明に係る重合性化合物は、以下の一般式（ＩＩ）：

（一般式（ＩＩ）中、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２０３、Ｒ^２０４、Ｒ^２０５、Ｒ^２０６、Ｒ^２０７、Ｒ^２０８、Ｒ^２０９及びＲ^２１０は、それぞれ独立して、Ｐ^２１−Ｓ^２１−、フッ素原子に置換されてもよい炭素原子数１から１８のアルキル基、フッ素原子に置換されてもよい炭素原子数１から１８のアルコキシ基、フッ素原子又は水素原子のいずれかを表し、Ｐ^２１は重合性基を表し、
Ｓ^２１は、単結合又は炭素数１〜１５のアルキレン基を表し、該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されてよく、
ｎ^２１は、０又は１を表し、
Ａ^２１は、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基又はＰ^２１−Ｓ^２１−で置換されていても良く、
上記一般式（Ｉ）の１分子内に少なくとも１以上のＰ^２１−Ｓ^２１−を有し、
Ｌ^２１は単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＯＣ_２Ｈ_４Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_ｚ−、−ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_ｚ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−（式中、Ｒ^ａはそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、前記式中、ｚはそれぞれ独立して１〜４の整数を表す。）を表すが、
Ｐ^２１、Ｓ^２１、及びＡ^２１が複数存在する場合は、それぞれ同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物を１種又は２種以上であることがより好ましい。

Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２０３、Ｒ^２０４、Ｒ^２０５、Ｒ^２０６、Ｒ^２０７、Ｒ^２０８、Ｒ^２０９及びＲ^２１０は、電子供与基で置換されていることが好ましく、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数１から１８のアルコキシ基が好ましい。

本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物は、一般式（ＩＶ）で表される重合性化合物であることが好ましい。

上記一般式（ＩＶ）中、Ｒ^７及びＲ^８は、それぞれ独立して、上記の式（Ｒ−Ｉ）から式（Ｒ−ＩＸ）のいずれかを表し、Ｘ^１からＸ^８は、それぞれ独立して、トリフルオロメチル基、フッ素原子、水素原子又は炭素原子数１〜５のアルコキシ基を表す。

上記一般式（ＩＶ）中、Ｒ^７及びＲ^８は、それぞれ独立して、メタクリル基又はアクリル基であることが好ましい。

前記一般式（ＩＶ）で表される化合物は、式（ＩＶ−１１）〜式（ＩＶ−１９）からなる群から選択される１種又は２種以上であることが更に好ましく、式（ＩＶ−１６）、式（ＩＶ−１７）であることが特に好ましい。

本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物は、具体的には、例えば式（ＸＸ−１）から一般式（ＸＸ−２９）で表される化合物が好ましく、式（ＸＸ−１）から式（ＸＸ−７）、式（ＸＸ−１４）から式（ＸＸ−２９）が更に好ましく、式（ＸＸ−１５）及び式（ＸＸ−２３）が特に好ましい。

式（ＸＸ−１）から一般式（ＸＸ−２９）中、Ｓｐ^ｘｘは炭素原子数１〜８のアルキレン基又はＯ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは１から７の整数を表し、酸素原子は環に結合するものとする。）を表す。

式（ＸＸ−１）から一般式（ＸＸ−２９）中、１，４−フェニレン基中の水素原子は、更に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ_３、−ＣＨ_３又はＰ^２１−Ｓ^２１−のいずれかによって置換されていても良い。

また、一般式（Ｉ）で表される化合物として、例えば、式（Ｍ１）から式（Ｍ１８）で表される重合性化合物が好ましい。

上記式中、Ｒｃは、メチル基、エチル基又はプロピル基を表し、Ｓｐ^Ｍは、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは１から７の整数を表し、酸素原子は環に結合するものとする。）を表す。

また、式（Ｍ１９）から式（Ｍ３４）のような重合性化合物も好ましい。

式（Ｍ１９）から式（Ｍ３４）中の１，４−フェニレン基及びナフタレン基中の水素原子は、更に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ_３、−ＣＨ_３によって置換されていても良い。

また、一般式（Ｉ）で表される化合物は、式（Ｍ３５）〜式（Ｍ６７）で表される重合性化合物も好ましい。

（上記式中、Ｒｃは、メチル基、エチル基又はプロピル基を表し、Ｓｐ^Ｍは、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは１から７の整数を表し、酸素原子は環に結合するものとする。）を表す。

また、一般式（Ｉ）で表される化合物は、式（ＲＭ−２−１）〜式（ＲＭ−２−５２）で表される重合性化合物も好ましい。

本発明に係る液晶組成物が負の液晶組成物の場合は、２０℃における誘電率異方性（Δε）が−２．０から−８．０であるが、−２．１から−６．２が好ましく、−２．２から−５．３がより好ましく、−２．５から−５．０がさらに好ましい。−２．７から−４．８が特に好ましい。

本発明に係る液晶組成物が正の液晶組成物の場合は、２０℃における誘電率異方性（Δε）が１．５から２０であるが、１．５から１８．０が好ましく、１．５から１５．０がより好ましく、１．５から１１がさらに好ましく、１．５から８が特に好ましい。

本発明に係る液晶組成物は、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１４であるが、０．０９から０．１３がより好ましく、０．０９から０．１２が特に好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１３であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１１であることが好ましい。

本発明に係る液晶組成物は、２０℃における粘度（η）が１０から５０ｍＰａ・ｓであるが、１０から４５ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０から４０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０から３５ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０から３０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０から２５ｍＰａ・ｓであることが更に好ましく、１０から２２ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明に係る液晶組成物は、２０℃における回転粘性（γ_１）が５０から１６０ｍＰａ・ｓであるが、５５から１６０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、６０から１６０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、６０から１５０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、６０から１４０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、６０から１３０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、６０から１２５ｍＰａ・ｓであることが好ましい。

本発明に係る液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が６０℃から１２０℃であるが、７０℃から１００℃がより好ましく、７０℃から８５℃が特に好ましい。

本発明に係る液晶組成物は非重合性液晶化合物を含み、当該非重合性液晶化合物は、第一の成分として、誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）の一般式（Ｌ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。

前記一般式（Ｌ）で表される化合物は、以下の通りである。

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｌ１は０、１、２又は３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
本発明に係る液晶組成物は非重合性液晶化合物を含み、当該非重合性液晶化合物は、第二の成分として、誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）の一般式（Ｊ）で表される化合物及び／又は誘電的に負の化合物（Δεの符号が負で、その絶対値が２より大きい。）の一般式（Ｎ−１）〜（Ｎ〜３）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。

前記誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）の一般式（Ｊ）で表される化合物は、以下の通りである。

（式中、Ｒ^Ｊ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｊ１は、０、１、２、３又は４を表し、
Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２及びＡ^Ｊ３は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
Ｚ^Ｊ１及びＺ^Ｊ２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＡ^Ｊ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＺ^Ｊ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｊ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）
上記誘電的に負の化合物（Δεの符号が負で、その絶対値が２より大きい。）の一般式（Ｎ−１）〜（Ｎ−３）で表される化合物からなる群から選択される１種又は２種以上は、以下の通りである。

（上記式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）及び
（ｄ） １，４−シクロヘキセニレン基
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）及び基（ｄ）はそれぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｘ^Ｎ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
Ｔ^Ｎ３１は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１及びｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、Ａ^Ｎ１１〜Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１〜Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
上記一般式（Ｌ）で表される化合物は、以下の式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）と同じ意味を表し、Ａ^Ｌ１及びＡ^Ｌ７はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）と同じ意味を表すが、Ａ^Ｌ１及びＡ^Ｌ２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｚ^Ｌ１は一般式（Ｌ）におけるＺ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ｘ^Ｌ１及びＸ^Ｌ２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表す。）
上記一般式（Ｊ）で表される化合物は、以下の式（Ｍ−１）〜（Ｍ−１８）で表される化合物であることが好ましい。

（上記式中、Ｘ^Ｍ１１〜Ｘ^Ｍ１８６はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒ^Ｊ１〜Ｒ^Ｊ１８１はそれぞれ独立し、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｊ１１〜Ｘ^Ｊ１８１ははフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表し、
Ａ^Ｍ８１及びＡ^Ｍ８２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又は

を表すが、１，４−フェニレン基上の水素原子はフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｗ^Ｍ１０１〜Ｗ^Ｍ１７２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）
上記一般式（Ｊ）で表される化合物は、以下の式（Ｋ−１）〜（Ｋ−６）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ１１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ１１〜Ｘ^Ｋ１４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ１１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）

（式中、Ｒ^Ｋ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ２１〜Ｘ^Ｋ２４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ２１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）

（式中、Ｒ^Ｋ３１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ３１〜Ｘ^Ｋ３６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ３１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）

（式中、Ｒ^Ｋ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ４１〜Ｘ^Ｋ４６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ４１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ^Ｋ４１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）

（式中、Ｒ^Ｋ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ５１〜Ｘ^Ｋ５６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ５１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ^Ｋ５１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）

（式中、Ｒ^Ｋ６１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ６１〜Ｘ^Ｋ６８はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ６１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ^Ｋ６１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）
本発明に係る一般式（Ｎ−１）で表される化合物として、下記の一般式（Ｎ−１ａ）〜（Ｎ−１ｇ）で表される化合物群を挙げることができる。

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表し、ｎ^Ｎａ１２は０又は１を表し、ｎ^Ｎｂ１１は１又は２を表し、ｎ^Ｎｃ１１は０又は１を表し、ｎ^Ｎｄ１１は１又は２を表し、ｎ^Ｎｅ１１は１又は２を表し、ｎ^Ｎｆ１２は１又は２を表し、ｎ^Ｎｇ１１は１又は２を表し、Ａ^Ｎｅ１１はトランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、Ａ^Ｎｇ１１はトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、ｎ^Ｎｇ１１が１の場合、Ａ^Ｎｇ１１は１，４−シクロヘキセニレン基を表し、ｎ^Ｎｇ１１が２の場合、少なくとも１つのＡ^Ｎｇ１１は１，４−シクロヘキセニレン基を表し、Ｚ^Ｎｅ１１は単結合又はエチレン基を表すが、ｎ^Ｎｅ１１が１の場合、Ｚ^Ｎｅ１１はエチレン基を表す。ｎ^Ｎｅ１１が２の場合、少なくとも１つのＺ^Ｎｅ１１はエチレン基を表す。）
本発明に係る重合性化合物を含有する液晶組成物全体が正の誘電率異方性を示す場合、一般式（Ｉ）で表される重合性化合物と、一般式（Ｊ）で表される化合物から選ばれる化合物を１種類又は２種類以上と、一般式（Ｌ）で表される化合物と、を含むことが好ましい。

本発明に係る重合性化合物を含有する液晶組成物全体のうち、一般式（Ｉ）、一般式（Ｊ）及び一般式（Ｌ）で表される化合物のみから構成される成分の占める割合の上限値は、１００質量％、９９質量％、９８質量％、９７質量％、９６質量％、９５質量％、９４質量％、９３質量％、９２質量％、９１質量％、９０質量％、８９質量％、８８質量％、８７質量％、８６質量％、８５質量％、８４質量％であることが好ましい。

また、本発明に係る重合性化合物含有液晶組成物全体のうち、一般式（Ｉ）、一般式（Ｊ）及び一般式（Ｌ）で表される化合物のみから構成される成分の占める割合の下限値は、７８質量％、８０質量％、８１質量％、８３質量％、８５質量％、８６質量％、８７質量％、８８質量％、８９質量％、９０質量％、９１質量％、９２質量％、９３質量％、９４質量％、９５質量％、９６質量％、９７質量％、９８質量％、９９質量％であることが好ましい。

本発明に係る重合性化合物含有液晶組成物全体が負の誘電率異方性を示す場合、一般式（Ｉ）で表される重合性化合物と、一般式（Ｎ−１）で表される化合物から選ばれる化合物を１種類又は２種類以上と、一般式（Ｌ）で表される化合物と、を含むことが好ましい。

本発明に係る重合性化合物含有液晶組成物全体のうち、一般式（Ｉ）、一般式（Ｎ−１）、及び一般式（Ｌ）で表される化合物のみから構成される成分の占める割合の上限値は、１００質量％、９９質量％、９８質量％、９７質量％、９６質量％、９５質量％、９４質量％、９３質量％、９２質量％、９１質量％、９０質量％、８９質量％、８８質量％、８７質量％、８６質量％、８５質量％、８４質量％であることが好ましい。

本発明の重合性化合物含有液晶組成物を用いた液晶表示素子は、高速応答という顕著な特徴を有しており、加えて、チルト角が十分に得られ、未反応の重合性化合物がないか、問題にならないほど少なく、電圧保持率（ＶＨＲ）が高いため、配向不良や表示不良といった不具合がないか、十分に抑制されている。また、チルト角及び重合性化合物の残留量を容易に制御できるため、製造のためのエネルギーコストの最適化及び削減が容易であるため、生産効率の向上と安定した量産に最適である。

本発明の重合性化合物含有液晶組成物を用いた液晶表示素子は、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＰＳＡモード、ＰＳＶＡモード、ＶＡモード、ＰＳ−ＩＰＳモード又はＰＳ−ＦＦＳモード用液晶表示素子に用いることができる。

以下、例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明の範囲はこれらによって限定されるものではない。実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。

（側鎖）
−ｎ −Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
ｎ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１− 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
−Ｏｎ −ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシ基
（連結基）
−１Ｏ− −ＣＨ_２−Ｏ−
（環構造）

実施例中、測定した特性は以下の通りである。

Ｔ_ｎｉ ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ ：２０℃における屈折率異方性
η ：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１ ：２０℃における回転粘性（ｍＰａ・ｓ）
Δε ：２０℃における誘電率異方性
（液晶表示素子の製造方法及びＶＨＲ評価方法）
まず、重合性化合物を含有する液晶組成物をセルギャップ３．５μｍで垂直配向を誘起するポリイミド配向膜を塗布した後、前記ポリイミド配向膜をラビング処理したＩＴＯ付き基板を含む液晶セルに真空注入法で注入して、重合性化合物を含有する液晶組成物を配向膜に添着させた後、以下の光条件Ａ〜Ｃで光照射工程を行うことで液晶表示素子を作製した。垂直配向膜形成材料として、ＪＳＲ社製のＪＡＬＳ２０９６を用いた。

実施例及び比較例に使用した光源Ａ〜Ｃは、以下の通りである。

光源Ａ：図２のスペクトルを示す高圧水銀ランプ（ＵＳＨ−５００ＢＹ１（ウシオ電機産業製））を用い、３２０ｎｍをカットオン波長とする短波長カットフィルタを介して光照射した。３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の光量に占める波長３７０ｎｍ以上の光の割合（３７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の面積÷３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の面積）は、５３％であった。

光源Ｂ：図２のスペクトルを示す高圧水銀ランプ（ＵＳＨ−５００ＢＹ１（ウシオ電機産業製））を用い、３２５ｎｍをカットオン波長とする短波長カットフィルタを介して光照射した。３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の光量に占める波長３７０ｎｍ以上の光の割合（３７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の面積÷３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の面積）は、７１％であった。

光源Ｃ：図３のスペクトルを示すＬＥＤランプを用い、光照射した。３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の光量に占める波長３７０ｎｍ以上の光の割合（３７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の面積÷３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の面積）は、９９％であった。

なお、実施例において、「波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とするか否か（３７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の面積÷３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の面積）」を光源の発光スペクトルの面積比から算出しており、ＵＳＲ−３０（ウシオ電機産業製）を用いて、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の光量に占める３７０ｎｍ以上の波長の割合を算出している。

次に、上記に示す光条件Ａ〜Ｃのいずれかの条件で液晶セルに紫外線を照射して作製した液晶表示素子を用いて、周波数０．６Ｈｚ、印加電圧１Ｖの条件下で３３３ＫにおけるＶＨＲ（％）を測定した。ＶＨＲの測定には、６４２４型液晶物性評価装置（東陽テクニカ製）を使用した。

その後、プレチルト角の変化による表示不良（焼き付き）評価を行った。まず、上記作製した液晶表示素子のプレチルト角を測定し、プレチルト角（初期）とした。この液晶表示素子に周波数１００Ｈｚで電圧を３０Ｖ印加しながらバックライトを２４時間照射した。その後、プレチルト角を測定し、プレチルト角（試験後）とした。測定したプレチルト角（初期）からプレチルト角（試験後）を引いた値をプレチルト角変化量（＝プレチルト角変化の絶対値）［°］とした。プレチルト角は、シンテック製ＯＰＴＩＰＲＯを用いて測定した。

プレチルト角変化量は、０［°］に近いほどプレチルト角の変化による表示不良が発生する可能性がより低くなり、０．５［°］以上となると、プレチルト角の変化による表示不良の発生する可能性がより高くなる。

（比較例１、比較例２、実施例１）
ＬＣ−００１の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表１のとおりである。

液晶組成物ＬＣ−００１を９９．４重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−１を０．６重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、光源Ａで９０分光照射し、比較例１とした。

液晶組成物ＬＣ−００１を９９．４重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−１を０．６重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、光源Ｂで９０分光照射し、比較例２とした。

液晶組成物ＬＣ−００１を９９．４重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−１を０．６重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、光源Ｃで９０分光照射し、実施例１とした。

上記表２から、比較例１のＶＨＲは１７［％］、プレチルト角変化量は１．０［°］、比較例２のＶＨＲは３１［％］、プレチルト角変化量は０．５［°］であった。比較例１及び比較例２はＶＨＲが低く、プレチルト角変化量が大きいことがわかった。一方、実施例１のＶＨＲは８８［％］、プレチルト角変化量は０．１［°］であった。このことから、実施例１はＶＨＲが十分に高く、プレチルト角変化量が十分に小さいことがわかった。

（実施例２〜７）
液晶組成物ＬＣ−００１を９９．７重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−１を０．３重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、光源Ｃで９０分光照射し、実施例２とした。

液晶組成物ＬＣ−００１を９８．８重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−１を１．２重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、光源Ｃで９０分光照射し、実施例３とした。

液晶組成物ＬＣ−００１を９９．７重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−２を０．３重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、光源Ｃで９０分光照射し、実施例４とした。

液晶組成物ＬＣ−００１を９９．７重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−３を０．３重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、光源Ｃで９０分光照射し、実施例５とした。

液晶組成物ＬＣ−００１を９９．７重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−４を０．３重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、光源Ｃで９０分光照射し、実施例６とした。

液晶組成物ＬＣ−００１を９９．７重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−５を０．３重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、光源Ｃで９０分光照射し、実施例７とした。

実施例２〜７も実施例１と同様に、ＶＨＲが十分に高く、プレチルト角変化量が十分に小さいことが確認された。ＲＭ−１〜４を添加した実施例２〜７はプレチルト角変化量が特に小さく、ＲＭ−１を添加した実施例２及び実施例３は光照射後ＶＨＲが最も高く、ＲＭ−４を添加した実施例６は良好な保存安定性を示した。

（比較例３、実施例８〜９）
液晶組成物ＬＣ−００１を９９．４重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−１を０．６重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、電圧を１０Ｖ印加しながら光源Ｂで１５分光照射した後、光源Ｂで１５分光照射し、比較例３とした。

液晶組成物ＬＣ−００１を９９．４重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−１を０．６重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、電圧を１０Ｖ印加しながら光源Ｃで１５分光照射した後、光源Ｂで１５分光照射し、実施例８とした。

液晶組成物ＬＣ−００１を９９．４重量％に対して、重合性化合物ＲＭ−１を０．６重量％添加した重合性化合物含有液晶組成物を注入したセルに、電圧を１０Ｖ印加しながら光源Ｂで５分光照射した後、光源Ｃで４５分光照射し、実施例９とした。

比較例３のＶＨＲは７２［％］、プレチルト角変化量は０．５［°］であったのに対し、実施例８〜９も実施例１と同様に、ＶＨＲが十分に高く、プレチルト角変化量が十分に小さいことが確認された。特に実施例８の形態は、実施例１〜７及び実施例８よりもプレチルト角変化量が小さく、光照射後ＶＨＲも良好であった。

Claims (5)

1. 重合性化合物及び非重合性液晶化合物を含有する液晶組成物を基板上に添着した後、波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光を前記液晶組成物にあてる光照射工程（Ａ）を１回以上行う液晶表示素子の製造方法。
2. 波長３７０ｎｍ以上の光を主成分としない照射光をあてる光照射工程（Ｂ）をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
3. 前記液晶組成物に対して電圧を印加した状態で光照射工程（Ａ）又は光照射工程（Ｂ）を行う、請求項１又は２に記載の液晶表示素子の製造方法。
4. 前記重合性化合物として以下の一般式（Ｉ）
   

   

   （上記一般式（Ｉ）中、Ｒ^１０１、Ｒ^１０２、Ｒ^１０３、Ｒ^１０４、Ｒ^１０５、Ｒ^１０６、Ｒ^１０７、Ｒ^１０８、Ｒ^１０９及びＲ^１１０はそれぞれ独立して、Ｐ^２１−Ｓ^２１−、炭素原子数１から１８のアルキル基、炭素原子数１から１８のアルコキシ基、ハロゲン原子又は水素原子のいずれかを表し、上記Ｐ^２１は、下記式（Ｒ−Ｉ）〜式（Ｒ−ＩＸ）で表されるいずれかの基であり、
   

   

   （前記式（Ｒ−Ｉ）〜（Ｒ−ＩＸ）中、Ｒ^２１、Ｒ^３１、Ｒ^４１、Ｒ^５１及びＲ^６１はお互いに独立して、水素原子、炭素原子数１〜５個のアルキル基又は炭素原子数１〜５個のハロゲン化アルキル基であり、Ｗ^１は単結合、−Ｏ−又はメチレン基であり、Ｔ^１は単結合又はＣＯＯ−であり、ｐ^１、ｔ^１及びｑ^１はそれぞれ独立して、０、１又は２であり、上記式（Ｒ−Ｉ）〜（Ｒ−ＩＸ）の１つ以上の水素原子は、前記極性基に置換されてもよい。上記化学式中の＊は結合手を表す。）
   上記Ｓ^２１は、単結合又は炭素原子数１〜１５のアルキレン基を表し、該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されてよく、
   ｎ^１１は、０、１又は２を表し、
   ｎ^１２及びｎ^１３はそれぞれ独立して、０又は１を表し、
   ｎ^１１＋ｎ^１２＋ｎ^１３＝１、２又は３を表し、
   Ａ^１１は、下記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）：
   （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
   （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
   （ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、２，７−フェナントレンジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基又はＰ^２１−Ｓ^２１−で置換されていても良く、
   Ｌ^１０及びＬ^１１は、それぞれ独立して、単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＯＣ_２Ｈ_４Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_ｚ−、−ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_ｚ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−（式中、Ｒ^ａはそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、前記式中、ｚはそれぞれ独立して１〜４の整数を表す。）を表し、
   Ｐ^２１、Ｓ^２１、Ｌ^１１及びＡ^１１が複数存在する場合は、それぞれ同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物を１種又は２種以上含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示素子の製造方法。
5. 前記基板は表面に配向層を有しており、前記配向層上に添着された重合性化合物を含有する液晶組成物に波長３７０ｎｍ以上の光を主成分とした照射光をあてる光照射工程を１回以上行う、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示素子の製造方法。

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