JP2019198171A - Power supply device - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体スイッチへの印加電圧が低下し、保護機能の動作が不安定な状態となった場合に半導体スイッチを遮断できる電力供給装置を提供する。【解決手段】電源１の電力を負荷回路２に供給する電力供給装置１００であって、電源１からの電力を負荷回路２に供給する電力供給線に接続されている半導体スイッチ１１а、１２аと、半導体スイッチ１１а、１２аの駆動電圧を制御し、半導体スイッチ１１а、１２аのオン、オフを切り換えるコントローラ３０と、半導体スイッチ１１а、１２аの高電位側の電圧を検出する検出部とを備え、半導体スイッチ１１а、１２аのターンオフ動作を保証する下限電圧が、半導体スイッチ１１а、１２аの高電位側の電圧に対して設定されており、所定の閾値電圧が下限電圧より高い電圧に設定されており、検出部により検出された検出電圧が所定の閾値電圧以下である場合に半導体スイッチ１１а、１２аはオフ状態になる。【選択図】 図１PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power supply device capable of shutting off a semiconductor switch when a voltage applied to the semiconductor switch is lowered and an operation of a protection function becomes unstable. A power supply device (100) for supplying electric power from a power supply (1) to a load circuit (2), and semiconductor switches (11a, 12a) connected to a power supply line for supplying electric power from the power supply (1) to the load circuit (2), The semiconductor switch 11a is provided with a controller 30 that controls the drive voltage of the semiconductor switches 11a and 12a to switch the semiconductor switches 11a and 12a on and off, and a detection unit that detects the high-potential-side voltage of the semiconductor switches 11a and 12a. , 12a, the lower limit voltage for ensuring the turn-off operation is set with respect to the voltage on the high potential side of the semiconductor switches 11a, 12a, and the predetermined threshold voltage is set to a voltage higher than the lower limit voltage. When the detected voltage detected is equal to or lower than a predetermined threshold voltage, the semiconductor switches 11a and 12a are turned off. [Selection diagram]
Description
本発明は、電源の電力を負荷に供給する電力供給装置に関するものである。 The present invention relates to a power supply device that supplies power from a power source to a load.
電源から負荷に電力供給するための電力供給ラインに設けられて通電電流をオン／オフするとともに、過電流を監視する自己保護手段を有する半導体スイッチと、半導体スイッチ１１０を制御するとともに電力供給ラインを監視・保護する制御部と、制御部の動作を監視する監視部と、監視部で制御部の異常が検出されたときに自己保護手段が有する制限値を調整する保護特性調整部と、を備えた電力供給装置が知られている（例えば特許文献１）。 A semiconductor switch provided on a power supply line for supplying power from the power source to the load to turn on / off the energization current, and has a self-protection means for monitoring overcurrent, and controls the semiconductor switch 110 and the power supply line A control unit that monitors and protects, a monitoring unit that monitors the operation of the control unit, and a protection characteristic adjustment unit that adjusts a limit value of the self-protecting means when an abnormality of the control unit is detected by the monitoring unit. A known power supply apparatus is known (for example, Patent Document 1).
上記の電力供給装置において、例えば負荷の回路異常により、前記半導体スイッチへの印加電圧が動作保証電圧未満となった場合には、自己保護手段による保護機能が不安定になり半導体スイッチを遮断できない可能性がある。 In the above power supply device, for example, when the applied voltage to the semiconductor switch becomes less than the operation guarantee voltage due to a load circuit abnormality, the protection function by the self-protection means becomes unstable and the semiconductor switch cannot be shut off. There is sex.
本発明が解決しようとする課題は、半導体スイッチへの印加電圧が低下し、保護機能の動作が不安定な状態となった場合に半導体スイッチを遮断できる電力供給装置を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a power supply device that can shut off a semiconductor switch when the voltage applied to the semiconductor switch is lowered and the operation of the protection function becomes unstable.
［１］本発明に係る電力供給装置は、電源の電力を負荷回路に供給する電力供給装置であって、前記電源からの電力を前記負荷回路に供給する電力供給線に接続されている半導体スイッチと、前記半導体スイッチの駆動電圧を制御し、前記半導体スイッチのオン、オフを切り換えるコントローラと、前記半導体スイッチの高電位側の電圧を検出する検出部とを備え、前記半導体スイッチのターンオフ動作を保証する下限電圧が、前記半導体スイッチの高電位側の電圧に対して設定されており、所定の閾値電圧が前記下限電圧より高い電圧に設定されており、前記検出部により検出された検出電圧が前記閾値電圧以下である場合に前記半導体スイッチはオフ状態になる。
［２］上記発明において、前記駆動電圧は、前記電源と異なる他の電源からとってもよい。
［３］上記発明において、前記半導体スイッチに流れる電流、又は、前記半導体スイッチの温度を検出するセンサを備え、前記コントローラは、前記センサの検出値に基づき異常を検出した場合に、前記半導体スイッチをオフにする保護制御を実行し、前記保護制御は、前記半導体スイッチの高電位側の電圧が所定電圧以上である場合に正常に機能し、前記閾値電圧は前記所定電圧より高い電圧に設定されていてもよい。
［４］上記発明において、前記検出部を含む保護回路を備え、前記コントローラは、前記半導体スイッチのオン、オフを切り換える第１信号を前記保護回路に出力し、前記保護回路は、前記検出電圧と前記閾値電圧とを比較し、比較結果に基づき前記半導体スイッチのオン、オフを切り換える第２信号を生成し、前記第１信号及び前記第２信号に対する応答信号を前記半導体スイッチの制御端子に出力することで、前記半導体スイッチのオン、オフを切り換えてもよい。
［５］上記発明において、前記半導体スイッチは、前記電源から前記駆動電圧を取得してもよい。
[1] A power supply device according to the present invention is a power supply device that supplies power from a power source to a load circuit, and is a semiconductor switch connected to a power supply line that supplies power from the power source to the load circuit And a controller for controlling the driving voltage of the semiconductor switch to switch the semiconductor switch on and off, and a detection unit for detecting a voltage on the high potential side of the semiconductor switch, and guaranteeing a turn-off operation of the semiconductor switch A lower limit voltage to be set with respect to a voltage on the high potential side of the semiconductor switch, a predetermined threshold voltage is set to a voltage higher than the lower limit voltage, and the detection voltage detected by the detection unit is When the voltage is lower than the threshold voltage, the semiconductor switch is turned off.
[2] In the above invention, the drive voltage may be taken from another power source different from the power source.
[3] In the above invention, a sensor that detects a current flowing through the semiconductor switch or a temperature of the semiconductor switch is provided, and the controller detects the abnormality when detecting an abnormality based on a detection value of the sensor. Protection control to turn off is performed, and the protection control functions normally when the voltage on the high potential side of the semiconductor switch is equal to or higher than a predetermined voltage, and the threshold voltage is set to a voltage higher than the predetermined voltage. May be.
[4] In the above invention, a protection circuit including the detection unit is provided, the controller outputs a first signal for switching on and off of the semiconductor switch to the protection circuit, and the protection circuit includes the detection voltage and the detection voltage. The threshold voltage is compared, a second signal for switching on and off of the semiconductor switch is generated based on the comparison result, and a response signal for the first signal and the second signal is output to a control terminal of the semiconductor switch Thus, the semiconductor switch may be switched on and off.
[5] In the above invention, the semiconductor switch may acquire the drive voltage from the power supply.
本発明によれば、半導体スイッチの電圧が動作保証電圧未満になるような異常が発生した場合には半導体スイッチを遮断することで、半導体スイッチ及び電力供給線を保護できる。 According to the present invention, when an abnormality occurs such that the voltage of the semiconductor switch becomes lower than the operation guarantee voltage, the semiconductor switch and the power supply line can be protected by cutting off the semiconductor switch.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図１は本実施形態における電力供給システムを示すブロック図である。 FIG. 1 is a block diagram showing a power supply system in the present embodiment.
本実施形態における電力供給システムは、バッテリなどの電源から出力される電力を、負荷回路に供給するシステムである。電力供給システムは、例えば電気自動車等の車両に搭載されており、車両に設けられたバッテリの電力を、ランプ、パワーウィンド、ナビゲーションシステム、又は、エアーコンデョナ等の負荷回路に供給する。この電力供給システムは、図１に示すように、電源１、負荷回路２、ハーネス３、電力線４、上位コントローラ５、及び電力供給装置１００を備えている。
The power supply system in the present embodiment is a system that supplies power output from a power source such as a battery to a load circuit. The power supply system is mounted on a vehicle such as an electric vehicle, for example, and supplies power from a battery provided in the vehicle to a load circuit such as a lamp, a power window, a navigation system, or an air conditioner. As shown in FIG. 1, the power supply system includes a
電源１は、例えば、車両に搭載される直流電源である、このような電源１としては、鉛電池、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池等の２次電池（バッテリ）や、電気二重層キャパシタ等を用いることができる。
The
電源１は、ハーネス３及び電力線４を介して負荷回路２に対して電力を供給している。負荷回路２は、等価的に電気抵抗成分と電気容量成分とを含んで構成されている。本実施形態の負荷回路２は、インダクティブ成分ＬとしてインダクタンスＬを有し、抵抗成分として抵抗Ｒを有し、容量成分としてキャパシタＣを有している。また負荷回路２は、ハーネス３を介して電力供給装置１００に接続されている。電源１と電力供給装置１００との間には、電力線４が接続されている。すなわち、ハーネス３及び電力線４が、電源１からの電力を負荷回路２に供給するための電力供給線に相当する。なお、以下の説明では、ハーネス３及び電力線４により、電源１から負荷回路２に接続される配線を、電力供給線とも称している。負荷回路２は、スイッチングデバイス１２より下流側に接続された回路である。半導体スイッチ１２аよりも上流側には、半導体スイッチ１１を介して電源１が接続されている。
The
抵抗Ｒは、ランプ等の灯火系、ワイパ、ウォッシャ、又はその他ＥＣＵ等の車載機器である。この抵抗Ｒは、一端がハーネス３及びスイッチングデバイス１１、１２を介して電源１に接続されており、他端が接地されている。キャパシタＣは、たとえば、電源１から供給される直流電流を平滑化する平滑キャパシタ、又は、ノイズ吸収用キャパシタである。このキャパシタＣは、一端がハーネス３及びスイッチングデバイス１１、１２を介して電源１に接続されており、他端が接地されている。電源１に対して、抵抗ＲとキャパシタＣは、並列に接続されている。なお、負荷回路２と電源１との間には、ハーネス３，電力線４やスイッチングデバイス１１、１２以外の構成要素が介在していてもよい。また、本実施形態では、抵抗ＲやキャパシタＣの他端は、いずれも接地されているが、特に上述に限定されない。等価的に示した回路モデルにおいて、インタラクティブ成分、抵抗成分と容量成分とが存在していれば、各成分の接続先は特に限定されない。
The resistor R is a lighting system such as a lamp, a wiper, a washer, or other in-vehicle equipment such as an ECU. One end of the resistor R is connected to the
電力線４は、電源１と、電力供給装置１００に含まれる半導体スイッチ１１との間に接続されている。ハーネス３は、負荷回路２と、電力供給装置１００に含まれる半導体スイッチ１２аとの間に接続されている。電力線４及びハーネス３の形状（主に配線径）は、電源供給システムにおいて許容される許容電流値に応じて設計されている。ここで、電力線４及びハーネス３の配線径について説明する。本実施形態とは異なり、負荷回路２を保護するためには、ヒューズを電力線４に接続することが考えられる。ヒューズは、大電流の導通により配線が切れることで、電流を遮断する。そのため、ヒューズと電気的に接続されている電力線４及びハーネス３は、少なくとも、ヒューズ配線が切れるまでの電流を導通させる必要があるため、電力線４及びハーネス３には、配線径の大きな配線を用いる必要がある。一方、本実施形態では、ヒューズが電力線に接続されていないため、従来と比較して、配線径の小さい電力線４及びハーネス３を用いることができる。
The
上位コントローラ５は、車両全体を制御するコントローラである。上位コントローラ５は、ＣＡＮなどの通信網により、電力供給装置１００に設けられたコントローラ３０とつながっている。
The
電力供給装置１００は、電源１と負荷回路２との間の電気的な導通と遮断とを切り替えるスイッチング機能（ドライブ機能）と、スイッチングデバイス１１、１２の状態を診断する自己診断機能と、半導体スイッチ１１а、１２а及び／又は負荷回路２を保護する保護機能を有している。
The
電力供給装置１００は、図１に示すように、スイッチングデバイス１１、１２、電源レギュレータ２０、コントローラ３０、及び保護回路４１、４２を備えている。スイッチングデバイス１１、１２、電源レギュレータ２０、及びコントローラ３０は弱電用の配線により接続されており、電源レギュレータ２０の出力電流が、コントローラ３０を介して、スイッチングデバイス１１、１２に流れるように、配線網又は配線パターンが形成されている。コントローラ３０は、スイッチングデバイス１１、１２に含まれる各センサ１１ｂ、１２ｂと、信号線又は配線パターンで接続されている。
As shown in FIG. 1, the
電力線４には、スイッチングデバイス１１、１２が接続されている。スイッチングデバイス１１は、半導体スイッチ１１аとセンサ１１ｂとを単一のチップでモジュール化したデバイスである。スイッチングデバイス１２は、スイッチングデバイス１１と同様に、半導体スイッチ１２аとセンサ１２ｂを１つのチップに集積化したデバイスである。
半導体スイッチ１１а、１２аには、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の半導体素子を用いることができる。本実施形態では、ｎチャネルのＭＯＳＦＥＴを用いているが、ｐチャネルのＭＯＳＦＥＴでもよい。 For example, a semiconductor element such as a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) or an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) can be used for the semiconductor switches 11a and 12a. In this embodiment, an n-channel MOSFET is used, but a p-channel MOSFET may be used.
半導体スイッチ１１а、１２аは、ドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極とを有している。半導体スイッチ１１аのドレイン電極は、電力線４を介して電源１と接続されている。半導体スイッチ１１аのソース電極は、センサ１１ｂを介して、半導体スイッチ１２ａのドレイン電極に接続されている。半導体スイッチ１２аのソース電極は、センサ１２ｂを介して負荷回路２に接続されている。半導体スイッチ１１а、１２ａのゲート電極は、保護回路４０を介してコントローラ３０の駆動部３１に接続されている。この半導体スイッチ１１а、１２аは、駆動部３１からゲート電極に出力されるスイッチング信号（駆動電圧）によりオンとオフの切り替えが可能となっている。
The semiconductor switches 11a and 12a have a drain electrode, a source electrode, and a gate electrode. The drain electrode of the
半導体スイッチ１１а、１２аのゲート電極に、ハイレベルの駆動電圧が入力されると、半導体スイッチ１１а、１２аは、ドレイン電極とソース電極との間が導通するオン状態となる。これにより、電源１と負荷回路２との間が導通し、電源１の電力が負荷回路２に供給される。一方、ゲート電極に、ローレベルの駆動電圧が入力されると、半導体スイッチ１１а、１２аは、ドレイン電極とソース電極との間が遮断するオフ状態となる。これにより、電源１と負荷回路２との間が遮断し、電源１から負荷回路２への電力供給が停止する。なお、半導体スイッチ１１а、１２аは独立して切り替わる。
When a high-level driving voltage is input to the gate electrodes of the semiconductor switches 11a and 12a, the semiconductor switches 11a and 12a are turned on so that the drain electrode and the source electrode are electrically connected. As a result, the
センサ１１ｂは、半導体スイッチ１１аの状態を検出するセンサである。センサ１１ｂには、例えば電流センサが用いられる。センサ１１ｂは、半導体スイッチ１１аのソース電極に接続されており、半導体スイッチ１１аのドレイン−ソース間に流れる電流を検出し、信号線を介して検出値をコントローラ３０に出力する。半導体スイッチ１２ａのソース電極には、半導体スイッチ１２аの状態を検出するセンサ１２ｂが接続されている。なお、センサ１１ｂ、１２ｂは、半導体スイッチ１１а、１２аのゲート電流を検出してもよい。またセンサ１１ｂ、１２ｂには、電流センサの代わりに温度センサを用いてもよく、半導体スイッチ１１а、１２аの各温度を検出することで、半導体スイッチ１１а、１２аの状態を検出してもよい。
The
半導体スイッチ１１ａ及び半導体スイッチ１２ａは、電源１と負荷回路２との間で直列に接続されている。直列接続された複数の半導体スイッチ１１ａ、１２ａのうち、半導体スイッチ１１ａが、高電位側（上流側）で電源１から負荷回路２までの電気的な導通及び遮断を切り替え、半導体スイッチ１２ａが低電位側（下流側）で電源１から負荷回路２までの電気的な導通及び遮断を切り替える。半導体スイッチ１１ａが、従来のヒューズの保護機能を有している。そして、半導体スイッチ１２ａの異常発生時には、半導体スイッチ１１ａをオンからオフに切り替えることで、負荷回路２が保護される。また、半導体スイッチ１１ａの異常発生時には、半導体スイッチ１２ａをオンからオフに切り替えることで、負荷回路２が保護される。
The
なお、スイッチングデバイス１１の接続部分に、スイッチングデバイス１１の代わりに、機械的に遮断するヒューズを接続することも考えられる。このようなヒューズは、大電流の導通等により溶断されると、復帰することが容易ではない。本実施形態における電力供給装置は、半導体スイッチ１１а、１２аを用いているため、電源１と負荷回路２との間を遮断した後に、電源１と負荷回路２を導通させることができる。
It is also conceivable to connect a mechanically interrupted fuse to the connection portion of the
なお、スイッチングデバイス１１は、半導体スイッチ１１а及びセンサ１１ｂの他に、制御回路（図示しない）を含みつつ、ＩＰＤ（Intelligent Power Device）等のＩＣにより構成されてもよい。ＩＰＤに含まれる制御回路は、センサの１１ｂの検出結果から、半導体スイッチ１１аの異常を検知した場合には、半導体スイッチ１１аをオフする機能を有している。すなわち、ＩＰＤで構成されるスイッチングデバイス１１は、自己診断機能を有している。スイッチングデバイス１２も同様に、ＩＰＤ等のＩＣにより構成されてもよく、自己診断機能を有してもよい。
The switching
電源レギュレータ２０は、電源１の出力電圧をコントローラ３０の動作電圧に変換する回路である。電源レギュレータ２０は、制御部３２を動作するための電圧を出力する。また電源レギュレータ２０は、半導体スイッチ１１а、１２аの駆動電圧を生成するための電圧を、駆動部３１に出力する。電源レギュレータ２０は電力線４に接続されている。これにより、半導体スイッチ１１а、１２аは電源１から駆動電圧を取得している。
The
コントローラ３０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ａ／Ｄ変換器予備入出力インタフェース等を含んで構成されるマイクロコンピュータから構成されている。またコントローラ３０は、マイクロコンピュータを１チップで集積化されている。
The
コントローラ３０は、駆動部３１及び制御部３２を有している。駆動部３１は、半導体スイッチ１１а、１２аの各ゲート端子に対してゲート電圧を印加する駆動回路を有している。駆動部３１は、昇圧回路を用いて、電源レギュレータ２０から出力される電圧を昇圧させて、ゲート電圧を生成する。
The
駆動部３１には、制御部３２から駆動要求信号が入力される。駆動要求信号が駆動部３１に入力されると、駆動部３１は、半導体スイッチ１１а、１２аのオン、オフを切り替えるためスイッチング信号を半導体スイッチ１１а、１２аのゲート電極に出力することで、半導体スイッチ１１а、１２аの駆動電圧を設定する。駆動部３１は、半導体スイッチ１１а及び半導体スイッチ１２аをそれぞれ独立して、オン、オフを切り換えることができる。
A drive request signal is input from the
制御部３２は、上位コントローラ５からの外部要求信号に応じて、半導体スイッチ１１а、１２аのオン状態とオフ状態を切り替えるための駆動要求信号を、駆動部３１に出力する。また、制御部３２は、センサ１１ｂ、１２ｂを用いて、半導体スイッチ１１а、１２аの自己診断制御を実行する。例えば、制御部３２は、半導体スイッチ１１а及び半導体スイッチ１２аをオンにするための駆動要求信号を出力している状態で、センサ１１ｂの検出電流がゼロ又はゼロに近い値である場合には、半導体スイッチ１１аのオープン故障が発生している可能性がある。制御部３２は、センサ１１ｂ、１２ｂの検出値から、半導体スイッチ１１а、１２аが駆動要求信号で示される指令どおりに動作しているか否かを判定する。そして、半導体スイッチ１１а、１２аが指令どおりに動作していない場合には、制御部３２は、半導体スイッチ１１а、１２аに異常が生じていると判定する。
The
なお、制御部３２による自己診断方法は、上記の診断方法に限らず他の診断方法でもよい。制御部３２は、半導体スイッチ１１а、１２аの短絡等の異常を診断してもよい。具体的な一例として、制御部３２は、センサ１１ｂ、１２ｂの検出電流から、半導体スイッチ１１а、１２аがターンオンしてからの電流特性を測定する。ターンオンさせるための駆動電圧が半導体スイッチ１１аのゲート電極に印加されたにもかかわらず、半導体スイッチ１１аのドレインソース間の電圧が上昇しない場合には、半導体スイッチ１１аの内部で短絡が発生している可能性がある。制御部３２は、半導体スイッチ１１аのターンオン動作後に、電圧が上昇しない場合には、半導体スイッチ１１аの内部短絡等により、半導体スイッチ１１аに異常が生じていると判定する。
In addition, the self-diagnosis method by the
また制御部３２は、半導体スイッチ１１а、１２аの過熱による異常を診断してもよい。温度センサがセンサ１１ｂ、１２ｂに使用される場合には、制御部３２はセンサ１１ｂ、１２ｂの検出温度に基づき、半導体スイッチ１１а、１２аが過熱された状態であるか否かを診断する。特に、スイッチングデバイス１１、１２が隣接してレイアウトされている場合に、半導体スイッチ１１аが過熱された状態となると、半導体スイッチ１１аの熱が、隣の半導体スイッチ１２аに伝わり、半導体スイッチ１２аの温度が高くなる可能性がある。制御部３２が、半導体スイッチ１１а、１２аの温度を管理し、過熱による半導体スイッチ１１а、１２аの異常を診断することで、半導体スイッチ１１а、１２аを保護することができる。
The
制御部３２は、半導体スイッチ１１а、１２аに異常が生じていると判定した場合には、駆動部３１に対して、半導体スイッチ１１а、１２аをオフにするための駆動要求信号（オフ信号）を出力する。制御部３２は、半導体スイッチ１１а、１２аのうち、異常ありと判定した半導体スイッチをオフにするように、オフ信号を出力する。駆動部３１は、当該オフ信号を受信し、半導体スイッチ１１аのゲート電圧を低くして、半導体スイッチ１１а、１２аをオンからオフに切り換える。制御部３２は、自己診断の結果を上位コントローラ５に出力する。
When it is determined that an abnormality has occurred in the semiconductor switches 11a and 12а, the
また、制御部３２は、半導体スイッチの保護機能及び負荷保護機能を有しており、過電流が負荷回路２に流れないようにするために、センサ１１ｂ、１２ｂの検出値に応じて、負荷回路２の保護動作を実行する。具体的には、制御部３２は、メモリに保存されている保護電流閾値と、センサ１１ｂ、１２ｂの検出電流の値とを比較する。そして、検出電流の値が保護電流閾値より高い場合には、制御部３２は半導体スイッチ１１а、１２аをオンからオフに切り換える。これにより、半導体スイッチ１１а、１２а及び負荷回路２が保護される。すなわち、過電流検出により、半導体スイッチ１１ａ、１２ａをオフに切り替える動作は、半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護に加えて、負荷回路２及び半導体スイッチ１１ａ、１２ａを保護する動作となる。以下の説明では、半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能及び負荷回路２の保護機能を総称として、半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能と称す。
Further, the
保護回路４１、４２は、半導体スイッチ１１а、１２аを保護するための回路である。保護回路４１、４２は、半導体スイッチ１１а、１２аの高電位側のドレイン電圧を検出し、検出されたドレイン電圧が閾値電圧以下である場合には、半導体スイッチ１１а、１２を強制的にオフにするように動作する。
The
保護回路４１は、ドレイン電圧検出部４１аと論理回路４１ｂを有している。ドレイン電圧検出部４１аは、ドレイン電圧を検出するための電圧センスを有しており、電圧センスは、半導体スイッチ１１аのドレイン端子に接続されている。ドレイン電圧検出部４１аは検出値を論理回路４１ｂに出力する。論理回路４１ｂは、ドレイン電圧検出部４１аと閾値電圧とを比較する比較器と、比較器から出力される信号及び駆動部３１から出力される信号に対する応答信号を出力するための応答回路を有している。
The
図２を用いて、論理回路４１ｂの具体的な回路構成を説明する。図２は、論理回路４１ｂの回路図である。論理回路４１ｂは、比較器４１１、トランジスタ４１２、及び抵抗Ｒ１〜Ｒ５を有している。比較器４１１の反転入力端子は、抵抗Ｒ１を介してドレイン電圧検出部４１аに接続されている。ドレイン電圧検出部４１аから出力される検出電圧（ドレイン電圧）は、比較器４１１の反転入力端子に入力される。抵抗Ｒ２の一端は、抵抗Ｒ１の一端と比較器４１１の反転入力端子の間に接続されており、抵抗Ｒ２の他端はグランドに接地されている。比較器４１１の非反転入力端子は、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との間に接続されている。抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との直列回路は、基準電圧（ＶＣＣ）とグランドの間に接続されている。非反転端子に入力される閾値電圧は、基準電圧（ＶＣＣ）と、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４を含む分圧抵抗により決まる。比較器４１１の出力端子と、比較器４１１の非反転入力端子の間には、フィードバック回路が形成されている。フィードバック回路は抵抗Ｒ５を有している。
A specific circuit configuration of the
比較器４１１の出力端子は、トランジスタ４１２のベース端子に接続されている。トランジスタ４１２のエミッタ端子はグランドに接地されている。トランジスタ４１２のコレクタ端子は、駆動部３１の入力及び半導体スイッチ１１аのゲート端子に接続されている。
The output terminal of the
次に、論理回路４１ｂの回路動作を説明する。比較器４１１は、ドレイン検出電圧と閾値電圧を比較する。ドレイン検出電圧が閾値電圧より高い場合には、比較器４１１は、トランジスタ４１２をオフ状態にするために、ローレベルの信号を出力する。ドレイン検出電圧が閾値電圧以下である場合には、比較器４１１は、トランジスタ４１２をオン状態にするために、ハイレベルの信号を出力する。トランジスタ４１２がオフ状態を維持している場合には、駆動部３１から入力される信号が半導体スイッチ１１аのゲート端子に入力される。駆動部３１から入力される信号がハイレベルであれば、ゲート端子にはハイレベルの信号が出力され、半導体スイッチ１１аはオンとなる。駆動部３１から入力される信号がローレベルであれば、ゲート端子にはローレベルの信号が出力され、半導体スイッチ１１аはオフとなる。トランジスタ４１２がオン状態を維持している場合には、駆動部３１から入力される信号はトランジスタ４１２を流れるため、駆動部３１から半導体スイッチ１１аのゲート端子に入力されず、半導体スイッチ１１аはオフになる。
Next, the circuit operation of the
すなわち、ドレイン電圧検出部４１аの検出電圧が閾値電圧より高い場合には、半導体スイッチ１１аのオン、オフは、駆動部３１から出力される信号に応じて切り換わる。一方、ドレイン電圧検出部４１аの検出電圧が閾値電圧以下である場合には、半導体スイッチ１１аは、駆動部３１から出力される信号の状態とは関係なく、強制的にオフになる。
That is, when the detection voltage of the drain
このように、保護回路４１аは、半導体スイッチ１１аのドレイン電圧を検出し、検出されたドレイン電圧と閾値電圧とを比較し、比較結果に基づき、半導体スイッチ１１аのオン、オフを切り換えるための信号を生成する。この信号は、比較器４１１の出力信号に相当する。保護回路４１аは、駆動部３１から入力される信号と、比較器４１１の出力信号に対する応答信号を生成する。応答信号は、トランジスタ４１２のオン、オフの切り換え動作により生成される。そして、保護回路４１аは生成された応答信号を半導体スイッチ１１аのゲート端子に出力する。つまり、トランジスタ４１２がオフ状態のときには、駆動部３１からの入力信号が、応答信号として半導体スイッチ１１аに出力される。一方、トランジスタ４１２がオン状態のときには、比較器４１１の比較結果、すなわち、は導体スイッチ１１аをオフ状態にする信号が、応答信号として半導体スイッチ１１аに出力される。
Thus, the
保護回路４２は、ドレイン電圧検出部４２аと論理回路４２ｂを有している。ドレイン電圧検出部４２аは、ドレイン電圧を検出するための電圧センスを有しており、電圧センスは、半導体スイッチ１２аのドレイン端子に接続されている。ドレイン電圧検出部４２аは検出値を論理回路４２ｂに出力する。論理回路４２ｂは、ドレイン電圧検出部４２аと閾値電圧とを比較する比較器と、比較器から出力される信号及び駆動部３１から出力される信号に対する応答信号を出力するための応答回路を有している。保護回路４２аの具体的な回路構成は保護回路４１аと同様である。また、保護回路４２の回路動作は保護回路４１аと同様である。
The
ここで、負荷回路２に異常が発生した場合の、スイッチングデバイス１１、１２の動作電圧について説明する。スイッチングデバイス１１、１２には、素子特性に応じた動作保証電圧が予め決まっている。スイッチングデバイス１１、１２に含まれる半導体スイッチ１１а、１２ａに印加される印加電圧が、動作保証電圧の下限値（下限電圧）未満である場合には、スイッチングデバイス１１、１２は正常に動作しない可能性がある。
Here, the operating voltage of the
本実施形態において、スイッチングデバイス１１、１２の動作保証電圧はドレイン電圧に対して設定されている。半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧が、何らかの原因で低下し、動作保証電圧の下限値未満となった場合には、半導体スイッチ１１а、１２аのターンオフ動作が正常にできない可能性がある。このような、動作保証電圧の問題は、ＦＥＴ等の半導体スイッチ１１а、１２а自体にも同様にあり、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧の低下により、半導体スイッチ１１а、１２のオン、オフの切り替え動作が正常にできない可能性がある。また、センサ１１ｂ、１２ｂは、半導体スイッチ１１а、１２のドレイン−ソース間を導通する電流を検出し、検出値に応じた電圧をコントローラ３０に出力する。このとき、ドレイン電圧が半導体スイッチ１１а、１２の動作保証電圧の下限値未満となった場合には、センサ１１ｂ、１２ｂ、導通する電流に対して、正確な電圧を出力できない可能性がある。そのため、センサ１１ｂ、１２ｂの出力電圧に基づく半導体スイッチ１１а、１２аの保護機能が正常に機能しない可能性もある。
In this embodiment, the operation guarantee voltage of the
さらに、スイッチングデバイス１１、１２が自己診断機能を有する場合には、自己診断機能の動作保証電圧が素子特性により決まっている。そして、自己診断機能の動作保証電圧がドレイン電圧に対して設定されており、半導体スイッチ１１аのドレイン電圧が下限値未満となった場合には、自己診断機能が正常に動作しない可能性がある。
Furthermore, when the
負荷回路２に異常が発生した場合のドレイン電圧の低下について、図３を用いて説明する。図３は、図１に示す電力供給システムのブロック図のうち、保護回路４１、４２の図示を省略している。図３において、Ｒоはハーネス３の配線抵抗を示し、Ｒｉは電力線４の配線抵抗を示す。また、Ｒｏｎ１は半導体スイッチ１１аのオン抵抗を示し、Ｒｏｎ２は半導体スイッチ１２аのオン抵抗を示す。
A decrease in the drain voltage when an abnormality occurs in the
図３に示すように、半導体スイッチ１１аと半導体スイッチ１２аの直列回路は、バッテリ１と負荷回路２との間で、ハーネス３及び電力線４に接続されている。そのため、半導体スイッチ１１аのドレイン電圧（Ｖｄ１）及び半導体スイッチ１２аのドレイン電圧（Ｖｄ２）は、電源１の電圧と、５つの抵抗（Ｒｉ、Ｒｏｎ１、Ｒｏｎ２、Ｒｑо、Ｒ）で構成される抵抗分圧回路によって決まる。なお、Ｒは、負荷回路２に含まれる抵抗成分の合成抵抗である。
As shown in FIG. 3, the series circuit of the
負荷回路２が正常であり、半導体スイッチ１１а、１２аがオンのときの半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧（Ｖｄ１、Ｖｄ２）は下記式（１）及び（２）でそれぞれ示される。なお、Ｖｂは電源１の出力電圧である。
負荷回路２の異常の一例として、デッドショートが発生した場合には、ハーネス３の一端がグランドに接地された状態となる。このとき、半導体スイッチ１１аのドレイン電圧（Ｖｄ１）及び半導体スイッチ１２аのドレイン電圧（Ｖｄ２）は、下記式（３）及び（４）でそれぞれ示される。
As an example of an abnormality in the
上記の式より、負荷回路２の抵抗成分が電力供給線を含む回路上に存在する場合には、式（１）及び（２）に示すように、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧（Ｖｄ１、Ｖｄ２）を高く保つことができる。一方、負荷回路２のデッドショートにより、負荷回路２の抵抗成分が電力供給線を含む回路上に存在しない場合には、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧（Ｖｄ１、Ｖｄ２）が正常時と比較して低くなる。さらに、電源１の電圧（Ｖｂ）が低下している場合には、デッドショート時のドレイン電圧（Ｖｄ１、Ｖｄ２）はさらに低下する。
From the above equation, when the resistance component of the
電源１の電圧及び各抵抗（Ｒｉ、Ｒｏｎ１、Ｒｏｎ２、Ｒо、Ｒ）の具体例を挙げて、ドレイン電圧の低下について説明する。なお、以下の具体例として挙げる数値は一例にすぎない。電源１の電圧を１０Ｖとする。そして、Ｒｉを６０ｍΩとし、Ｒоを３０ｍΩとし、Ｒｏｎ１、Ｒｏｎ２を１０ｍΩとする。また、負荷回路２の抵抗（Ｒ）を１Ωとする。さらに、半導体スイッチ１１а、１２аの動作保証電圧の下限値を４Ｖとする。
A decrease in the drain voltage will be described by giving specific examples of the voltage of the
負荷回路２が正常な場合には、上記式（１）、（２）より、半導体スイッチ１１аのドレイン電圧（Ｖｄ１）は９．５Ｖとなり、半導体スイッチ１２аのドレイン電圧（Ｖｄ２）は約９．３Ｖとなる。半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧（Ｖｄ１、Ｖｄ２）は動作保証電圧の下限値より高いため、半導体スイッチ１１а、１２аは正常に動作する。また、スイッチングデバイス１１、１２の自己診断機能も正常に動作する。
When the
一方、負荷回路２にデッドショートが発生した場合には、上記式（３）、（４）より、半導体スイッチ１１аのドレイン電圧（Ｖｄ１）は４．５Ｖとなり、半導体スイッチ１２аのドレイン電圧（Ｖｄ２）は３．６Ｖとなる。半導体スイッチ１１аのドレイン電圧（Ｖｄ１）は動作保証電圧の下限値より高いため正常に動作するが、半導体スイッチ１２аのドレイン電圧（Ｖｄ２）は動作保証電圧の下限値より低いため、半導体スイッチ１２аは正常に動作しない。そして、負荷回路２にデッドショートが発生した場合には、過電流が流れる可能性があるが、半導体スイッチ１２аが正常に動作しないため、過電流を遮断できない可能性がある。さらに、半導体スイッチ１２аのドレイン電圧（Ｖｄ２）が、スイッチングデバイス１２の自己診断機能を正常な動作させるための動作保証電圧の下限値よりも低い場合には、スイッチングデバイス１２の自己診断機能も正常に動作しない。
On the other hand, when a dead short occurs in the
他の具体例として、通常時の電源１の電圧１２Ｖであるが、電源１の電圧低下により、電源１の電圧が６Ｖになったとする。負荷回路２が正常な場合には、上記式（１）、（２）より、半導体スイッチ１１аのドレイン電圧（Ｖｄ１）は５．７Ｖとなり、半導体スイッチ１２аのドレイン電圧（Ｖｄ２）は５．６Ｖとなる。すなわち、電源１の電圧が低下した場合でも、負荷回路２に含まれる抵抗成分が回路上に存在していれば、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧（Ｖｄ１、Ｖｄ２）は動作保証電圧の下限値より高くなり、半導体スイッチ１１а、１２аは正常に動作する。また、スイッチングデバイス１１、１２の自己診断機能も正常に動作する。
As another specific example, it is assumed that the voltage of the
一方、負荷回路２にデッドショートが発生した場合には、上記式（３）、（４）より、半導体スイッチ１１аのドレイン電圧（Ｖｄ１）は２．７Ｖとなり、半導体スイッチ１２аのドレイン電圧（Ｖｄ２）は２．１６Ｖとなる。半導体スイッチ１１аのドレイン電圧（Ｖｄ１）及び半導体スイッチ１２аのドレイン電圧（Ｖｄ２）は動作保証電圧の下限値より低いため、半導体スイッチ１１а、１２аは正常に動作しない。正常に動作しない。そして、半導体スイッチ１１а、１２аが正常に動作しないため、過電流を遮断できない可能性がある。さらに、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧（Ｖｄ１、Ｖｄ２）が、スイッチングデバイス１１、１２の自己診断機能に設定されている動作保証電圧の下限値よりも低い場合には、スイッチングデバイス１１、１２の自己診断機能も正常に動作しない。
On the other hand, when a dead short occurs in the
上記のとおり、負荷回路２の異常が発生し、負荷回路２の抵抗成分が回路上に存在しない状態となった場合には、ドレイン電圧の低下により、半導体スイッチ１１а、１２аが正常に動作しない可能性がある。また、図３に示すように、スイッチングデバイス１１、１２が、電源１と負荷回路２との間で、２段で接続されている場合には、低電位側の半導体スイッチ１２аのドレイン電圧が高電位側のドレイン電圧よりも低くなるため、半導体スイッチ１２аが正常に動作しない可能性が高くなる。さらに、電源１の電圧が低下している状態で、負荷回路２に異常が発生した場合には、ドレイン電圧の低下により、半導体スイッチ１１а、１２аが正常に動作しない可能性がある。
As described above, when an abnormality occurs in the
本実施形態では、保護回路４１、４２が半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧を検出し、検出されたドレイン電圧が閾値電圧以下である場合には、半導体スイッチ１１а、１２аはオフ状態になる。これにより、例えばデッドショートにより、負荷回路の抵抗成分が回路上に存在しない状態となり、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧が動作保証電圧の下限値以下となった場合に、半導体スイッチ１１а、１２を強制的にオフにすることができる。その結果として、過電流が流れることを防止し、半導体スイッチ１１а、１２а及び負荷回路２の保護を図ることができる。
In this embodiment, the
図４を用いて、保護回路４１、４２に設定されている閾値電圧について説明する。閾値電圧は、半導体スイッチ１１а、１２аを強制的にオフにするために、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧に対して設定される閾値である。閾値電圧は、比較器４１１の非反転入力端子に入力される電圧である。
The threshold voltage set in the
図４は、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン−ソース間に流れる電流（以下、導通電流とも称す）に対する、センサ１１ｂ、１２ｂの出力電圧（以下、センサ出力電圧とも称する）の特性を示すグラフである。Ｖｄは半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧を示す。図４に示すように、導通電流に対するセンサ出力電圧の特性はドレイン電圧により変わる。そして、ドレイン電圧が高いほど、導通電流とセンサ出力電圧との間で線形性を保つ範囲が広くなる。
FIG. 4 is a graph showing characteristics of output voltages (hereinafter also referred to as sensor output voltages) of the
例えば、ハーネス３及び電力線４に流れる過電流を検出する際に、１０Ａ以上の電流を過電流として検出する場合について説明する。図４のグラフより、電流電圧特性の線形性が保たれる場合には、センサ１１ｂ、１２ｂは、導通電流１０Ａに対して、約２．７Ｖをセンサ出力電圧として出力する。制御部３２には、過電流を判定するための閾値が予め設定されており、制御部３２は、センサ出力電圧が閾値以下とあった場合には、過電流が流れると判定し、半導体スイッチ１１а、１２аをオフにするための駆動要求信号を駆動部３１に出力する。
For example, a case where a current of 10 A or more is detected as an overcurrent when an overcurrent flowing through the
図４に示すグラフにより、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧が６Ｖより低くなると、１０Ａ以上の電流電圧特性で線形性が失われる。そのため、上記の例では、保護回路４１、４２の閾値電圧を６Ｖより高い電圧に設定する。すなわち、図４の例で、６Ｖのドレイン電圧は、センサ１１ａ、１２ａの検出値に基づく半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能を正常に動作するための下限電圧である。そして、閾値電圧は、この下限電圧より高い電圧に設定されている。ドレイン電圧が閾値電圧以下になった場合には、センサ１１ｂ、１２ｂのセンサ出力電圧は導通電流を正確に表すことができないため、センサ出力電圧に基づく保護機能が正常に動作しない。このような場合に、本実施形態では、保護回路４１、４２が、ドレイン電圧の低下を検出し、半導体スイッチ１１а、１２аを強制的にオフ状態にする。一方、ドレイン電圧が閾値電圧より高い場合には、制御部３２による保護機能が正常に動作する。これにより、過電流の導通を防ぎ、半導体スイッチ１１а、１２а及び負荷回路２の保護を図ることができる。
According to the graph shown in FIG. 4, when the drain voltage of the semiconductor switches 11a and 12a is lower than 6V, the linearity is lost in the current-voltage characteristic of 10A or more. Therefore, in the above example, the threshold voltages of the
以上のように、本実施形態では、電源１からの電力を負荷回路２に供給する電力供給線に接続されている半導体スイッチ１１а、１２аと、半導体スイッチ１１а、１２аのオン、オフを切り換えるコントローラ３０と、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧を検出電圧として検出するドレイン電圧検出部４１а、４２а（本発明の検出部に相当）を備えている。半導体スイッチ１１а、１２аのターンオフ動作を保証する下限電圧（半導体スイッチ１１ａ、１２ａの動作保証電圧の下限値に相当）が、半導体スイッチ１１а、１２аの高電位側の電圧に対して設定されている。そして、検出電圧が所定の閾値電圧以下である場合に半導体スイッチ１１а、１２аがオフ状態になる。これにより、半導体スイッチへの印加電圧が低下し、保護機能の動作が不安定な状態となった場合に、半導体スイッチを遮断できる。その結果として、過電流の導通を防ぎ、半導体スイッチ１１а、１２а及び負荷回路２の保護を図ることができる。またドレイン電圧が低下することで、半導体１１ａ、１２ａのターンオフ動作が不安定な状態になる前に、半導体スイッチ１１ａ、１２ａを強制的に遮断できる。
As described above, in the present embodiment, the semiconductor switches 11a and 12a connected to the power supply line that supplies the power from the
また本実施形態では、コントローラ３０は、センサ１１ｂ、１２ｂの検出値に基づき異常を検出した場合に、半導体スイッチ１１а、１２аをオフにする保護制御を実行する。保護制御は、半導体スイッチ１１а、１２аのドレイン電圧が所定電圧以上である場合に正常に機能する。そして、保護回路４１，４２の閾値電圧は所定電圧より高い電圧に設定されている。これにより、ドレイン電圧が所定電圧より低くなり、制御部３２による保護機能が不安定な状態になった場合に、半導体スイッチを遮断できる。その結果として、過電流の導通を防ぎ、半導体スイッチ１１а、１２а及び負荷回路２の保護を図ることができる。
In the present embodiment, the
また本実施形態では、コントローラ３０は、半導体スイッチ１１а、１２аのオン、オフを切り換える第１信号を保護回路４１、４２に出力する。保護回路４１、４２は、ドレイン電圧を検出し、検出されたドレイン電圧と閾値電圧とを比較し、比較結果に基づき、半導体スイッチのオン、オフを切り換える第２信号を生成する。そして、保護回路４１，４２は、第１信号及び第２信号に対する応答信号を半導体スイッチ１１а、１２аの制御端子に出力することで、半導体スイッチンのオン、オフを切り換える。これにより、コントローラ３０から半導体スイッチ１１а、１２аに出力されるスイッチング信号の信号ラインと、保護回路４１、４２から半導体スイッチ１１а、１２аに出力される出力信号の信号ラインとを分けることができるため、ノイズによる影響を抑制できる。
In the present embodiment, the
なお、本実施形態では、半導体１１ａ、１２ａのターンオフ動作を保証する第１下限電圧が、センサ１１ａ、１２ａの検出値に基づく半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能を正常に動作する第２下限電圧より高い場合には、閾値電圧は、第１下限電圧より高い電圧に設定すればよい。これにより、ドレイン電圧の低下により半導体１１ａ、１２ａのターンオフ動作が不安定になる状態、及び、ドレイン電圧の低下により、センサ１１ａ、１２ａの検出値に基づく半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能が不安定になる状態を回避できる。
In the present embodiment, the first lower limit voltage that guarantees the turn-off operation of the
なお、本実施形態では、半導体スイッチ１１а及び半導体スイッチ１２аは、同一のスイッチに限らず、異なるスイッチ（トランジスタ）で構成されてもよい。半導体スイッチ１１а、１２аはディスクリート部品で構成されてもよい。
In the present embodiment, the
本実施形態の変形例では、図５に示すように、ドレイン電圧検出部４１а、４２аの検出電圧を制御部３２に出力し、制御部３２が、ドレイン電圧の低下による半導体スイッチ１１ａ、１２ａの強制的なオフ動作を実行してもよい。図５は、本実施形態の変形例における電力供給システムを示すブロック図である。
In the modification of the present embodiment, as shown in FIG. 5, the detection voltages of the drain
制御部３２は、ドレイン電圧検出部４１ａ、４２ａで検出された検出電圧と閾値電圧とを比較する。閾値電圧は、半導体スイッチ１１а、１２аを強制的にオフにするために設定される閾値である。検出された電圧が閾値電圧より高い場合には、制御部３２は、センサ１１ｂ、１２ｂの検出電圧に基づいて、半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能を実行する。検出された電圧が閾値電圧以下である場合には、制御部３２は、ドレイン電圧検出部４１ａ、４２ａの検出電圧に基づいて、半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能を実行する。
The
すなわち、ドレイン電圧が閾値電圧より高い場合には、センサ１１ｂ、１２ｂの検出値に基づく半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能が正常に動作するため、制御部３２は、センサ１１ｂ、１２ｂの検出値を用いて、半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能を実行する。一方、ドレイン電圧が閾値電圧以下である場合には、センサ１１ｂ、１２ｂの検出値に基づく半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能が不安定な状態となるため、制御部３２は、ドレイン電圧検出部４１ａ、４２ａの検出電圧を用いて、半導体スイッチ１１ａ、１２ａの保護機能を実行する。
That is, when the drain voltage is higher than the threshold voltage, the protection function of the semiconductor switches 11a and 12a based on the detection values of the
上記のように、本実施形態の変形例では、センサ１１ｂ、１２ｂの検出値に基づき半導体スイッチ１１ａ、１２ａを強制的にオフにする遮断制御と、ドレイン電圧検出部４１ａ、４２ａの検出値に基づく半導体スイッチ１１ａ、１２ａを強制的にオフにする遮断制御が、制御部３２で実行できるように構成されている。これにより、半導体スイッチへの印加電圧が低下し、保護機能の動作が不安定な状態となった場合に、半導体スイッチを遮断できる。その結果として、過電流の導通を防ぎ、半導体スイッチ１１а、１２а及び負荷回路２の保護を図ることができる。
As described above, in the modification of the present embodiment, the cutoff control for forcibly turning off the semiconductor switches 11a and 12a based on the detection values of the
本実施形態の変形例では、図６に示すように、半導体スイッチ１１а、１２аを駆動させる駆動電圧を、電源１とは異なる他の電源９からとる。電源９は、コントローラ３０及び半導体スイッチ１１а、１２に駆動電圧を与えるための電源である。電源１と電源９には別系統の独立した電源である。電源９としては、バッテリなどの蓄電器又は電圧安定素子を含む電源装置（ユニット電源、ユニットの電源レギュレータ等）等を用いることができる。
In the modification of the present embodiment, as shown in FIG. 6, the drive voltage for driving the semiconductor switches 11 a and 12 a is taken from another power source 9 different from the
本実施形態の変形例では、半導体スイッチ１１а、１２аのゲート電圧が、負荷用の電源１と異なる電源９から供給されるため、ゲート電圧の低下を抑制できる。また、ドレイン電圧検出部４１ａ、４２ａによりドレイン電圧を検出し、検出されたドレイン電圧が閾値電圧以下となった場合に、半導体スイッチ１１а、１２аを確実に遮断できる。
In the modification of the present embodiment, since the gate voltages of the semiconductor switches 11a and 12a are supplied from the power source 9 different from the
なお、本実施形態では、２つのスイッチングデバイス１１、１２を直列に接続し、スイッチングデバイス１１、１２に対応するように保護回路４１、４２をそれぞれ接続することで、スイッチングデバイス１１、１２と保護回路４１、４２を２段接続としているが、図７に示すように電力供給装置１００は、スイッチングデバイス１２及び保護回路４２を省略した１段接続となるよう構成されてよい。図７に示すように、スイッチングデバイス１１がハーネス３に接続されている。保護回路４１は、半導体スイッチ１１аのドレイン電圧が閾値電圧以下である場合には、半導体スイッチ１１а、１２を強制的にオフにするように動作する。これにより、半導体スイッチへの印加電圧が低下し、保護機能の動作が不安定な状態となった場合に、半導体スイッチを遮断できる。その結果として、過電流の導通を防ぎ、半導体スイッチ１１а及び負荷回路２の保護を図ることができる。
In the present embodiment, the
また、本実施形態の変形例では、図５に示すように、２つのスイッチングデバイス１１、１２を直列に接続し、スイッチングデバイス１１、１２に対応するようにドレイン電圧検出部４１а、４２аをそれぞれ接続することで、スイッチングデバイス１１、１２とドレイン電圧検出部４１а、４２аを２段接続としているが、電力供給装置１００は、スイッチングデバイス１２及びドレイン電圧検出部４２аを省略した１段接続となるよう構成されてよい。
In the modification of the present embodiment, as shown in FIG. 5, two
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiment described above is described for facilitating the understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.
１…電源
２…負荷回路
３…ハーネス
４…電力線
５…上位コントローラ
１１、１２…スイッチングデバイス
１１ａ、１２а…半導体スイッチ
１１ｂ、１２ｂ…センサ
２０…電源レギュレータ
３０…コントローラ
３１…駆動部
３２…制御部
４１、４２…保護回路
４１а、４２а…ドレイン電圧検出部
４１ｂ、４２ｂ…論理回路
１００…電力供給装置
Ｃ…キャパシタ
Ｒ…抵抗
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記電源からの電力を前記負荷回路に供給する電力供給線に接続されている半導体スイッチと、
前記半導体スイッチの駆動電圧を制御し、前記半導体スイッチのオン、オフを切り換えるコントローラと、
前記半導体スイッチの高電位側の電圧を検出する検出部とを備え、
前記半導体スイッチのターンオフ動作を保証する下限電圧が、前記半導体スイッチの高電位側の電圧に対して設定されており、
所定の閾値電圧が前記下限電圧より高い電圧に設定されており、
前記検出部により検出された検出電圧が前記閾値電圧以下である場合に前記半導体スイッチはオフ状態になる電力供給装置。 A power supply device for supplying power from a power source to a load circuit,
A semiconductor switch connected to a power supply line for supplying power from the power source to the load circuit;
A controller for controlling the driving voltage of the semiconductor switch and switching the semiconductor switch on and off;
A detection unit for detecting a voltage on a high potential side of the semiconductor switch,
The lower limit voltage that guarantees the turn-off operation of the semiconductor switch is set with respect to the voltage on the high potential side of the semiconductor switch,
The predetermined threshold voltage is set to a voltage higher than the lower limit voltage,
The power supply device in which the semiconductor switch is turned off when a detection voltage detected by the detection unit is equal to or lower than the threshold voltage.
前記駆動電圧は、前記電源と異なる他の電源からとる電力供給装置。 The power supply device according to claim 1,
The drive voltage is a power supply device that is taken from another power source different from the power source.
前記半導体スイッチに流れる電流、又は、前記半導体スイッチの温度を検出するセンサを備え、
前記コントローラは、前記センサの検出値に基づき異常を検出した場合に、前記半導体スイッチをオフにする保護制御を実行し、
前記保護制御は、前記半導体スイッチの高電位側の電圧が所定電圧以上である場合に正常に機能し、
前記閾値電圧は前記所定電圧より高い電圧に設定されている電力供給装置。 The power supply device according to claim 1 or 2,
A sensor for detecting a current flowing through the semiconductor switch or a temperature of the semiconductor switch;
The controller performs protection control to turn off the semiconductor switch when an abnormality is detected based on a detection value of the sensor,
The protection control functions normally when the voltage on the high potential side of the semiconductor switch is equal to or higher than a predetermined voltage,
The power supply apparatus, wherein the threshold voltage is set to a voltage higher than the predetermined voltage.
前記検出部を含む保護回路を備え、
前記コントローラは、前記半導体スイッチのオン、オフを切り換える第１信号を前記保護回路に出力し、
前記保護回路は、前記検出電圧と前記閾値電圧とを比較し、比較結果に基づき前記半導体スイッチのオン、オフを切り換える第２信号を生成し、前記第１信号及び前記第２信号に対する応答信号を前記半導体スイッチの制御端子に出力することで、前記半導体スイッチのオン、オフを切り換える電力供給装置。 The power supply device according to any one of claims 1 to 3,
A protection circuit including the detection unit;
The controller outputs a first signal for switching on and off of the semiconductor switch to the protection circuit,
The protection circuit compares the detection voltage with the threshold voltage, generates a second signal for switching on and off of the semiconductor switch based on the comparison result, and generates a response signal for the first signal and the second signal. A power supply device that switches on and off the semiconductor switch by outputting to a control terminal of the semiconductor switch.
前記半導体スイッチは、前記電源から前記駆動電圧を取得する電力供給装置。 The power supply device according to any one of claims 1 to 4,
The semiconductor switch is a power supply device that acquires the drive voltage from the power source.
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