JP2019186470A - 回路付基板加工体及び回路付基板加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 簡略かつ低コストなプロセスが構築可能で、ＴＳＶ形成、基板裏面配線工程に対する工程適合性が高く、熱プロセス耐性に優れ、薄型基板の生産性を高めることができる回路付基板加工体、及び回路付基板加工方法を提供する。【解決手段】 支持体上に仮接着材層が剥離可能に積層され、かつ、該仮接着材層が、表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板の表面に剥離可能に積層された回路付基板加工体であって、仮接着材層は熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）からなり、重合体層（Ａ）が、硬化後において、支持体から界面剥離させる際の剥離力が、１８０°剥離試験において１０〜５００ｍＮ／２５ｍｍであり、かつ、重合体層（Ａ）が、硬化後において、回路付基板から界面剥離させる際の剥離力が、１８０°剥離試験において５０〜１０００ｍＮ／２５ｍｍであることを特徴とする回路付基板加工体。【選択図】図１

Description

本発明は、回路付基板加工体及び回路付基板加工方法に関し、特に、薄型回路付基板を効果的に得ることを可能にする回路付基板加工体及び回路付基板加工方法に関する。

３次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化を実現するために必須となってきている。３次元実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ：ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を非回路形成面（「裏面」ともいう）研削によって薄型化し、更に裏面にＴＳＶを含む電極形成を行う工程が必要である。従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に裏面保護テープを貼り、研削時のウエハ破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、ＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適しない。

そこで、半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着層を介して接合することによって、裏面研削、ＴＳＶや裏面電極形成の工程に十分耐えうるシステムが提案されている。この際に重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離できることが必要である。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着層（または仮接着材層）と呼ぶことにする。

これまでに公知の仮接着層とその剥離方法としては、光吸収性物質を含む接着材に高強度の光を照射し、接着材層を分解することによって支持体から接着材層を剥離する技術（特許文献１）、及び、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着材に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術（特許文献２）が提案されている。前者の技術はレーザー等の高価な装置が必要であり、かつ基板１枚あたりの処理時間が長くなるなどの問題があった。また後者の技術は加熱だけで制御するため簡便である反面、２００℃を超える高温での熱安定性が不十分であるため、適用範囲は狭かった。更にこれらの仮接着層では、高段差基板の均一な膜厚形成と、支持体への完全接着にも適さなかった。

また、シリコーン粘着剤を仮接着材層に用いるウェハ加工方法に関する技術が提案されている（特許文献３）。この方法は、基板を支持体に付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて接合し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解、あるいは分解するような薬剤に浸漬して基板を支持体から分離するものである。そのため、剥離に非常に長時間を要し、実際の製造プロセスへの適用は困難である。

特開２００４−６４０４０号公報 特開２００６−３２８１０４号公報 米国特許第７５４１２６４号公報

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、簡略かつ低コストなプロセスが構築可能で、ＴＳＶ形成、基板裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、ＣＶＤといった熱プロセス耐性に優れ、回路付基板の研削時等に回路付基板のズレが生じる恐れがなく、支持体ないし回路付基板の剥離が容易で、回路付基板から残渣無く熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を剥離可能であり、薄型基板の生産性を高めることができる回路付基板加工体、及び回路付基板加工方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明では、支持体上に仮接着材層が剥離可能に積層され、かつ、該仮接着材層が、表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板の表面に剥離可能に積層された、前記支持体、前記仮接着材層、前記回路付基板の順からなる回路付基板加工体であって、
前記仮接着材層は熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）からなり、
前記支持体に積層された前記重合体層（Ａ）が、硬化後において、前記支持体から界面剥離させる際の剥離力が、２５ｍｍ幅試験片の５ｍｍ／秒での１８０°剥離試験において１０〜５００ｍＮ／２５ｍｍであり、かつ、
前記回路付基板に積層された前記重合体層（Ａ）が、硬化後において、前記回路付基板から界面剥離させる際の剥離力が、２５ｍｍ幅試験片の５ｍｍ／秒での１８０°剥離試験において５０〜１０００ｍＮ／２５ｍｍであることを特徴とする回路付基板加工体を提供する。

このような回路付基板加工体は、熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）からなる単層構造を有する仮接着材層を備えたものであるため、この仮接着材層により、回路付基板と支持体との仮接着が容易に実現され、かつ、高段差基板を用いた場合にも均一な膜厚で仮接着材層が形成されたものである。また、このような回路付基板加工体は、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、仮接着層を単層化することで簡略かつ低コストなプロセスが構築可能で、更には、ＣＶＤといった熱プロセス耐性も良好で、剥離前の薄型ウエハが切断された状態であっても容易に剥離可能で、薄型ウエハの生産性を高めることができる。また、本発明における熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）は、熱硬化後において上記ピール剥離力を有するため、回路付基板の裏面研削時等に回路付基板のズレが生じる恐れがなく、高温に晒しても剥離することなく、支持体ないし回路付基板の剥離が容易で、回路付基板から残渣無く熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を剥離可能となる。

またこの場合、前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）が、（Ａ−１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ａ−２）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び（Ａ−３）白金系触媒、を含有し、前記（Ａ−１）成分中のアルケニル基に対する前記（Ａ−２）成分中のＳｉ−Ｈ基のモル比が０．３から１０となる量を含有する組成物の硬化物であることが好ましい。

上記のピール剥離力を有する熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を形成するための、熱硬化前組成物としては、このような（Ａ−１）〜（Ａ−３）を含む組成物が挙げられる。

また、前記（Ａ−１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンが、ＳｉＯ_４／２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）を含むことが好ましい。

このような（Ａ−１）を含む組成物の硬化物であれば、確実に、上記ピール剥離力を有するものとなるために好ましい。

また、前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）が、前記（Ａ−１）成分、前記（Ａ−２）成分、前記（Ａ−３）成分に加え、（Ａ−４）有機溶剤、（Ａ−５）反応制御剤のいずれか一方、又はその両方を含有する組成物の硬化物であることが好ましい。

熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を形成するための硬化前組成物が、（Ａ−４）有機溶剤を含むことで、組成物粘度を調節することが可能となり、目的とする膜厚となるように溶液を調製することが可能となる。また、（Ａ−５）反応制御剤を加えることで、保存時の安定性を高めることが可能となる。

また、前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）の硬化物が、Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を０．００１〜６０．０００モル％、Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を１０．０００〜９９．９９９モル％、Ｒ^６ＳｉＯ_３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．００５モル％、ＳｉＯ_４／２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）を０．０００〜６０．０００モル％含有する（但し、Ｒ^１〜Ｒ^６はそれぞれ非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）ことが好ましい。

熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）が硬化後このような膜となっていれば、所望の弾性率を満たすことができる。

またこの場合、前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）の硬化物が、２５℃における貯蔵弾性率が１×１０^６〜１×１０^９Ｐａであることが好ましい。

熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）が硬化後にこのような弾性率の膜であれば、回路付基板薄型化の研削工程に十分耐えることができ、基板の反りが小さくなるため工程で装置にかからない等の問題が発生しにくくなるため好ましい。

また、本発明では、
（ａ）前記回路付基板加工体を準備する工程と、
（ｂ）前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を熱硬化させる工程と、
（ｃ）前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
（ｅ）前記回路付基板加工体から前記支持体を分離する工程と、
（ｆ）前記支持体が分離された前記回路付基板加工体から前記重合体層（Ａ）の硬化膜を分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板加工方法を提供する。

また、本発明では、
（ａ）前記回路付基板加工体を準備する工程と、
（ｂ）前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を熱硬化させる工程と、
（ｃ）前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
（ｇ）前記回路付基板加工体から、前記支持体と前記重合体層（Ａ）を一体で分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板加工方法を提供する。

このような回路付基板加工方法であれば、本発明における単層仮接着材層が、回路付基板と支持体の接合に使用されるため、この仮接着材層を使用して貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハ（薄型回路付基板）を、容易に製造することができる。また、このような剥離工程によれば、支持体を、加工を施した回路付基板から容易に剥離することができる。

また、この場合、前記工程（ａ）で回路付基板加工体を準備する工程として、
（ａ−１）前記支持体上に前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を積層する工程と、
（ａ−２）前記重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を介して前記支持体と前記回路付基板を貼り合わせる工程と、
を含むことが好ましい。

またこの場合、前記工程（ａ）で回路付基板加工体を準備する工程として、
（ａ−３）前記回路付基板上に前記重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を積層する工程と、
（ａ−４）前記重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を介して前記回路付基板と前記支持体を貼り合わせる工程と、
を含むことが好ましい。

上記工程（ａ）で回路付基板加工体を準備する工程としては、これらの方法が挙げられる。

本発明の回路付基板加工体における仮接着材層は、単層構造を有し、単層処理で済むため簡便かつ低コストなプロセスを構築可能で、熱硬化性シロキサン重合体層を仮接着層として使用することで、樹脂の熱分解が生じないことはもとより、高温時での樹脂の流動も生じず、耐熱性が高いために、幅広い半導体成膜プロセスに適用でき、段差を有するウエハに対しても、膜厚均一性の高い接着材層を形成でき、この膜厚均一性のため容易に５０μｍ以下の均一な薄型回路付基板を得ることが可能となり、更には、薄型回路付基板作製後、支持体より室温で容易に剥離することができるため、割れ易い薄型回路付基板を容易に製造することができる。

本発明の回路付基板加工体の一例を示す断面図である。

以下、本発明をより詳細に説明する。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、硬化後において特定のピール剥離力を有する熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）からなる単層系の熱硬化性仮接着層を使用した回路付基板加工体とすることで、貫通電極構造やバンプ接続構造を有する薄型回路付基板を、簡単に製造することが可能な回路付基板加工体及び回路付基板加工方法を見出した。

図１に示したように、本発明の回路付基板加工体１０は、支持体１上に仮接着材層２が剥離可能に積層され、かつ、該仮接着材層２が、表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板３の表面に剥離可能に積層された、前記支持体１、前記仮接着材層２、前記回路付基板３の順からなる回路付基板加工体である。即ち、仮接着材層２は、表面に回路面を有し、裏面を加工すべき回路付基板３と、回路付基板３の加工時に回路付基板３を支持する支持体１との間に介在する。本発明においては、仮接着材層２が、熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）からなる。

＜仮接着材層＞
−熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）−
本発明の回路付基板加工体の構成要素である熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）は、硬化後において（即ち、重合体層（Ａ）を支持体上に積層させた状態で硬化させた後において）、支持体から界面剥離させる際の剥離力が、２５ｍｍ幅試験片を５ｍｍ／秒で引き上げて剥がす１８０°剥離試験において１０〜５００ｍＮ／２５ｍｍであり、好ましくは３０〜５００ｍＮ／２５ｍｍであり、より好ましくは５０〜２００ｍＮ／２５ｍｍであるようなピール剥離力を有する。本発明における熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）は、熱硬化後において、支持体から界面剥離させる際の剥離力が１０ｍＮ以上であるため、回路付基板の裏面加工工程中等に剥離することが無く、５００ｍＮ以下であるため、容易に重合体層（Ａ）の硬化膜を支持体から剥離することができる。

更に、本発明においては、回路付基板に積層された重合体層（Ａ）が、硬化後において（即ち、重合体層（Ａ）を、回路付基板に積層させた状態で硬化させた後において）、回路付基板から界面剥離させる際の剥離力が、２５ｍｍ幅試験片を５ｍｍ／秒で引き上げて剥がす１８０°剥離試験において５０〜１０００ｍＮ／２５ｍｍであり、好ましくは７０〜１０００ｍＮ／２５ｍｍであり、より好ましくは８０〜５００ｍＮ／２５ｍｍであるようなピール剥離力を有する。本発明における熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）は、熱硬化後において、回路付基板から界面剥離させる際の剥離力が５０ｍＮ以上であるため、回路付基板の裏面加工工程中等に剥離することが無く、特に高温プロセスを通しても剥離が生じず、１０００ｍＮ以下であるため、重合体層（Ａ）の硬化膜を回路付基板からテープにより剥離することができる。

このようなピール剥離力を有する熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を形成するための、熱硬化前組成物は、
（Ａ−１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
（Ａ−２）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、ただし（Ａ−１）成分中のアルケニル基に対する（Ａ−２）成分中のＳｉ−Ｈ基のモル比が０．３から１０となる量、
（Ａ−３）白金系触媒、
を含んだものが挙げられる。

また、任意成分として、（Ａ−４）有機溶剤、（Ａ−５）反応制御剤のいずれか一方、又はその両方を含んでも良く、この場合、（Ａ−５）反応制御剤は、前記（Ａ−１）および前記（Ａ−２）成分の合計１００質量部に対して０〜８．０質量部とすることができる。

以下（Ａ−１）〜（Ａ−５）成分について説明する。
（Ａ−１）成分
（Ａ−１）成分は、１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンであり、例えば、１分子中に２個以上のアルケニル基を含有する直鎖状又は分岐状のジオルガノポリシロキサン、又はＳｉＯ_４／２単位で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）を持つレジン構造のオルガノポリシロキサンである。特に、１分子中に０．６ｍｏｌ％（アルケニル基モル数／Ｓｉモル数）〜９ｍｏｌ％のアルケニル基を含有するジオルガノポリシロキサン、又はレジン構造のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。

このようなオルガノポリシロキサンとして、具体的には下記式（１）、（２）、（３）で示されるものを挙げることができる。これらは１種単独でも、２種以上を混合して用いても良い。
Ｒ^７ _{（３−ａ）}Ｘ_ａＳｉＯ−（Ｒ^７ＸＳｉＯ）_ｍ−（Ｒ^７ _２ＳｉＯ）_ｎ−ＳｉＲ^７ _{（３−ａ）}Ｘ_ａ （１）
Ｒ^７ _２（ＨＯ）ＳｉＯ−（Ｒ^７ＸＳｉＯ）_ｐ＋２−（Ｒ^７ _２ＳｉＯ）_ｑ−ＳｉＲ^７ _２（ＯＨ） （２）
（ＳｉＯ_４／２）_ｂ（Ｒ^７ _３ＳｉＯ_１／２）_ｃ（Ｒ^７ _{（３−ｅ）}Ｘ_ｅＳｉＯ_１／２）_ｄ （３）
（式中、Ｒ^７は夫々独立して脂肪族不飽和結合を有さない１価炭化水素基、Ｘは夫々独立してアルケニル基含有１価有機基、ａは０〜３の整数、ｍ、ｎは、２ａ＋ｍが１分子中にアルケニル基含有量が０．６ｍｏｌ％〜９ｍｏｌ％となる数である。ｐ、ｑは、ｐ＋２が１分子中にアルケニル基含有量が０．６ｍｏｌ％〜９ｍｏｌ％となる数である。ｅは夫々独立な１〜３の整数で、ｂ、ｃ、ｄが、（ｃ＋ｄ）／ｂが０．３〜３．０、ｄ／（ｂ＋ｃ＋ｄ）が０．０１〜０．６となるような数である。）

上記式中、Ｒ^７としては、炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基が好ましく、例示すると、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基；シクロヘキシル基などのシクロアルキル基；フェニル基、トリル基などのアリール基などであり、特にメチル基等のアルキル基又はフェニル基が好ましい。

Ｘのアルケニル基含有１価有機基としては、炭素原子数２〜１０の有機基が好ましく、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基；アクリロイルプロピル基、アクリロイルメチル基、メタクリロイルプロピル基等の（メタ）アクリロイルアルキル基；アクリロキシプロピル基、アクリロキシメチル基、メタクリロキシプロピル基、メタクリロキシメチル基等の（メタ）アクリロキシアルキル基；シクロヘキセニルエチル基、ビニルオキシプロピル基などのアルケニル基含有１価炭化水素基が挙げられ、特に、工業的にはビニル基が好ましい。

上記一般式（１）中、ａは０〜３の整数であるが、ａが１〜３であれば、分子鎖末端がアルケニル基で封鎖されるため、反応性のよいこの分子鎖末端アルケニル基により、短時間で反応を完結することができ好ましい。さらには、コスト面において、ａ＝１が工業的に好ましい。このアルケニル基含有ジオルガノポリシロキサンの性状はオイル状又は生ゴム状であることが好ましい。このアルケニル基含有ジオルガノポリシロキサンは直鎖状であっても分岐状であってもよい。

上記一般式（３）はＳｉＯ_４／２単位を持つレジン構造のオルガノポリシロキサンであり、式中ｅは夫々独立な１〜３の整数であるが、コスト面において、ｅ＝１が工業的に好ましい。また、ｅの平均値とｄ／（ｂ＋ｃ＋ｄ）の積が、０．０２〜１．５０であることが好ましく、０．０３〜１．０であることがより好ましい。このレジン構造のオルガノポリシロキサンは、有機溶剤に溶解させた溶液として使用しても良い。

（Ａ−２）成分
（Ａ−２）成分は架橋剤であり、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を少なくとも２個、好ましくは３個以上有するオルガノハイドロジエンポリシロキサンである。直鎖状、分岐状、又は環状のものを使用できる。

前記（Ａ−２）成分のオルガノハイドロジエンポリシロキサンの２５℃における粘度は、１〜５，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、５〜５００ｍＰａ・ｓであるのがさらに好ましい。このオルガノハイドロジエンポリシロキサンは２種以上の混合物でもよい。（Ａ−２）成分の使用量は、（Ａ−１）成分中のアルケニル基量に対する（Ａ−２）成分中のＳｉＨ基のモル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）が０．３〜１０、特に１．０〜８．０の範囲となるように配合することが好ましい。このＳｉＨ基とアルケニル基とのモル比が０．３以上であれば、架橋密度が低くなることもなく、粘着剤層が硬化しないといった問題も起こらない。１０以下であれば、架橋密度が高くなりすぎることもなく、十分な粘着力及びタックが得られる。また、前記モル比が１０以下であれば、処理液の使用可能時間を長くすることができる。

（Ａ−３）成分
（Ａ−３）成分は白金系触媒（即ち、白金族金属触媒）であり、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とアルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン化合物との反応物、塩化白金酸とビニル基含有シロキサンとの反応物などが挙げられる。

前記（Ａ−３）成分の添加量は有効量であり、通常前記（Ａ−１）及び（Ａ−２）成分の合計に対し、白金族金属分（質量換算）として１〜５，０００ｐｐｍであり、５〜２，０００ｐｐｍであることが好ましい。１ｐｐｍ以上であればシリコーン仮接着材組成物の硬化性が低下することもなく、架橋密度が低くなることも、保持力が低下することもない。５，０００ｐｐｍ以下であれば、処理浴の使用可能時間を長くすることができる。

（Ａ−４）成分
（Ａ−４）成分は有機溶剤である。重合体層（Ａ）は、その熱硬化前組成物溶液をスピンコート、ロールコータなどの方法によって支持体上に形成する。スピンコートなどの方法によって支持体上に重合体層（Ａ）を形成する場合には、樹脂を溶液としてコートすることが好ましい。このとき使用される有機溶剤としては、（Ａ−１）〜（Ａ−３）及び（Ａ−５）成分を溶解可能な溶剤であれば特に制限はないが、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、イソオクタン、ノナン、デカン、ｐ−メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネンなどの炭化水素系溶剤又はシリコーン系溶剤が好適に使用される。溶剤の含有量は、樹脂１００質量部に対して１０〜９００質量部、好ましくは２５〜４００質量部、更に好ましくは４０〜３００質量部である。

（Ａ−５）成分
（Ａ−５）成分は反応制御剤であり、シリコーン仮接着材組成物を調合ないし基材に塗工する際に、加熱硬化前に処理液が増粘やゲル化を起こさないようにするために必要に応じて任意に添加するものである。

具体例としては、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、１−エチニルシクロヘキサ
ノール、３−メチル−３−トリメチルシロキシ−１−ブチン、３−メチル−３−トリメチ
ルシロキシ−１−ペンチン、３，５−ジメチル−３−トリメチルシロキシ−１−ヘキシン
、１−エチニル−１−トリメチルシロキシシクロヘキサン、ビス（２，２−ジメチル−３
−ブチノキシ）ジメチルシラン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テト
ラビニルシクロテトラシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジ
シロキサンなどが挙げられ、好ましいのは１−エチニルシクロヘキサノール、及び３−メ
チル−１−ブチン−３−オールである。

前記（Ａ−５）成分の配合量は、通常前記（Ａ−１）及び（Ａ−２）成分の合計１００質量部に対して０〜８．０質量部の範囲であればよく、好ましくは０．０１〜８．０質量部、特に０．０５〜２．０質量部であるのが好ましい。８．０質量部以下であれば、シリコーン仮接着材組成物の硬化性が低下することもなく、０．０１質量部以上であると反応制御の効果が十分発揮される。

また、この重合体層（Ａ）熱硬化前組成物溶液には、公知の酸化防止材を耐熱性向上のために添加することができる。

また、前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）は、膜厚が１０〜１５０μｍの間で形成されて使用されるのが好ましい。膜厚が１０μｍ以上であれば、基板と支持体を隙間なく貼り合わせることが可能で、回路付基板の薄型化の研削工程に十分耐えることができ、該重合体層（Ａ）の膜厚が１５０μｍ以下であれば、ＴＳＶ形成工程などの熱処理工程で樹脂変形を生じるおそれがなく、実用に耐えることができるため好ましい。なお、この熱硬化性シロキサンには、耐熱性を更に高めるため、シリカ等のフィラーを５０質量部以下添加してもよい。

前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）の硬化物は、Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を０．００１〜６０．０００モル％、Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を１０．０００〜９９．９９９モル％、Ｒ^６ＳｉＯ_３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．００５モル％、ＳｉＯ_４／２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）を０．０００〜６０．０００モル％含有することが好ましく、前記Ｍ単位を０．００１〜３５．０００モル％、前記Ｄ単位を３０．０００〜９９．９９９モル％、前記Ｔ単位を０．０００〜０．００１モル％、前記Ｑ単位を０．０００〜５０．０００モル％含有することがより好ましい。

上記において、有機置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、非置換又は置換の１価炭化水素基であり、炭素原子数１〜１０が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの炭化水素基、これら水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基、特に好ましくはメチル基及びフェニル基である。

また熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）の硬化膜は、２５℃における貯蔵弾性率が１×１０^６〜１×１０^９Ｐａであることが好ましい。

熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）が硬化後このような弾性率の膜であれば、回路付基板の薄型化の研削工程に十分耐えることができ、基板の反りが小さくなるため工程で装置にかからない等の問題が発生しにくくなるため好ましい。

−任意成分−
本発明に用いられる仮接着剤には、上記各成分以外に任意成分を添加することができる。例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリジメチルジフェニルシロキサンなどの非反応性のポリオルガノシロキサン；フェノール系、キノン系、アミン系、リン系、ホスファイト系、イオウ系、チオエーテル系などの酸化防止剤；トリアゾール系、ベンゾフェノン系などの光安定剤；リン酸エステル系、ハロゲン系、リン系、アンチモン系などの難燃剤；カチオン活性剤、アニオン活性剤、非イオン系活性剤などの帯電防止剤；塗工の際の粘度を下げるための溶剤として、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、ヘキサン、オクタン、イソパラフィンなどの脂肪族系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸イソブチルなどのエステル系溶剤、ジイソプロピルエーテル、１，４−ジオキサンなどのエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶剤などが使用される。

本発明における仮接着材層は、上記（Ａ−１）〜（Ａ−３）を含み、（Ａ−４），（Ａ−５）を任意に混合して接着溶液とし、またはフィルム化して形成されるものである。

＜回路付基板加工方法＞
本発明の回路付基板加工方法は、本発明の回路付基板加工体を用いて、半導体回路等を有する回路付基板の加工を行う方法であり、即ち、回路付基板と支持体との接着層として、上記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）の単層からなる仮接着材層を用いることを特徴とする。本発明の回路付基板加工方法により得られる薄型化された回路付基板の厚さは、典型的には５〜３００μｍ、より典型的には１０〜１００μｍである。

本発明の回路付基板加工方法は、
（ａ）本発明の回路付基板加工体を準備する工程と、
（ｂ）前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を熱硬化させる工程と、
（ｃ）前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
（ｅ）前記回路付基板加工体から前記支持体を分離する工程と、
（ｆ）前記支持体が分離された前記回路付基板加工体から前記重合体層（Ａ）の硬化膜を分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むか、または、
（ａ）本発明の回路付基板加工体を準備する工程と、
（ｂ）前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を熱硬化させる工程と、
（ｃ）前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
（ｇ）前記回路付基板加工体から、前記支持体と前記重合体層（Ａ）を一体で分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、を含む方法である。

［工程（ａ）］
工程（ａ）は、本発明の回路付基板加工体を準備する工程である。この工程は、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有する回路付基板の前記回路形成面を、熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）からなる仮接着材層を介して、支持体に接合することにより、本発明の回路付基板加工体を製造し、準備する工程であり、
（ａ−１）前記支持体上に前記重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を積層する工程と、
（ａ−２）前記重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を介して前記支持体と前記回路付基板を貼り合わせる工程と、
を含むか、又は
（ａ−３）前記回路付基板上に前記重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を積層する工程と、
（ａ−４）前記重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を介して前記回路付基板と前記支持体を貼り合わせる工程と、
を含む。

（ａ−１）工程又は（ａ−３）工程で重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を積層する際には、フィルムで、回路付基板や支持体に形成することもでき、あるいは、それぞれの溶液をスピンコート、スリットコート、スプレーコート等の方法により形成することができ、好ましくはスピンコート法が用いられる。この場合、スピンコート後、その溶剤の揮発条件に応じ、８０〜２００℃の温度で、予めプリベークを行ったのち、使用に供される。

（ａ−２）工程又は（ａ−４）工程で支持体と回路付基板を重合体層（Ａ）を介して接合する工程では、好ましくは４０〜２００℃、より好ましくは６０〜１８０℃の温度領域で、この温度にて減圧下（特に、真空下）、この基板を均一に圧着することで、回路付基板が支持体と接合した回路付基板加工体（積層体基板）が形成される。このとき、ウエハ貼り合わせ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばＥＶＧ社のＥＶＧ５２０ＩＳ、８５０ＴＢ、ＳＵＳＳ社のＸＢＣ３００、東京エレクトロン社のＳｙｎａｐｓｅＶ等が挙げられる。

回路形成面及び回路非形成面を有する回路付基板は、一方の面が回路形成面であり、他方の面が回路非形成面である回路付基板である。本発明に使用される回路付基板は、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ等が挙げられる。該ウエハの厚さは、特に制限はないが、典型的には６００〜８００μｍ、より典型的には６２５〜７７５μｍである。

支持体としては、シリコンウエハやガラス板、石英ウエハ等の基板が使用可能であるがなんら制約はない。本発明においては、支持体を通して仮接着材層に放射エネルギー線を照射する必要はなく、支持体の光線透過性は不要である。

［工程（ｂ）］
工程（ｂ）は、前記重合体層（Ａ）を熱硬化させる工程である。回路付基板加工体（ウエハ加工体、積層体基板）が形成された後、１２０〜２５０℃、好ましくは１４０〜２００℃で１０分〜４時間、好ましくは３０分〜２時間加熱することによって、前記重合体層（Ａ）の硬化を行う。

［工程（ｃ）］
工程（ｃ）は、支持体と接合した回路付基板の裏面（回路非形成面）を研削又は研磨する工程、即ち、工程（ａ）にて準備した回路付基板加工体の回路付基板裏面側を研削又は研磨して、該回路付基板の厚みを薄くしていく工程である。回路付基板裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、回路付基板と砥石（ダイヤモンド等）に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。回路付基板裏面を研削加工する装置としては、例えば（株）ディスコ製ＤＡＧ−８１０（商品名）等が挙げられる。また、回路付基板裏面側をＣＭＰ研磨してもよい。

［工程（ｄ）］
工程（ｄ）は、回路非形成面を研削した回路付基板加工体、即ち、裏面研削又は裏面研磨によって薄型化された回路付基板加工体の裏面（回路非形成面）に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。またこれ以外に、ダイシング等の方法により裏面研削され薄型化したウエハをチップサイズに切断することもできる。

［工程（ｅ）］
工程（ｅ）は、工程（ｄ）で加工を施した回路付基板加工体から支持体を分離する工程、即ち、薄型化した回路付基板に様々な加工を施した後、回路付基板加工体から支持体を剥離する工程である。この剥離工程は、一般に室温から６０℃程度の比較的低温の条件で実施され、回路付基板加工体の回路付基板又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された回路付基板の研削面に保護フィルムを貼り、回路付基板と重合体層（Ａ）と保護フィルムを一体にピール方式で回路付基板加工体から剥離する方法等が挙げられる。

本発明には、これらの剥離方法のいずれにも適用可能であるが、回路付基板加工体の回路付基板を水平に固定しておき、支持体を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施される。

また、工程（ｄ）で加工を施した回路付基板から支持体を分離する工程（ｅ）は、
（ｅ−１）加工を施した回路付基板の加工面にダイシングテープを接着する工程
（ｅ−２）ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程
（ｅ−３）吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記回路付基板からピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施した回路付基板から容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。

［工程（ｆ）］
工程（ｆ）は、支持体が分離された回路付基板加工体から、重合体層（Ａ）の硬化膜を分離し回路付基板のみを取り出す工程である。工程（ｅ）で前記支持体を剥離した後、加工を施した回路付基板から前記重合体層（Ａ）の硬化膜をテープピールにより剥離することが好ましい。

この剥離工程は、一般に室温から６０℃程度の比較的低温の条件で実施され、回路付基板加工体を水平に固定しておき、露出している重合体層（Ａ）に剥離用のテープ材を貼り合わせ、このテープ材をピール方式により引き剥がすことで、重合体層（Ａ）の硬化膜を加工を施した回路付基板から剥離することができる。テープ材としては剥離可能であればどのようなテープ材でも使用可能であるが、特にシリコーン粘着材を使用したテープが好ましく、例えば（株）寺岡製作所製ポリエステルフィルム粘着テープＮｏ．６４６Ｓ、Ｎｏ．６４８などが好適に用いられる。

［工程（ｇ）］
工程（ｇ）は、工程（ｄ）で加工を施した回路付基板加工体から支持体及び前記重合体層（Ａ）を一体に分離して回路付基板のみを取り出す工程、即ち、薄型化した回路付基板に様々な加工を施した後、回路付基板加工体から薄型化した回路付基板のみを分離する工程である。この工程は、一般に室温から６０℃程度の比較的低温の条件で実施され、回路付基板加工体の回路付基板又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された回路付基板の研削面に保護フィルムを貼り、回路付基板と保護フィルムをピール方式で回路付基板加工体から剥離する方法等が挙げられる。

本発明には、これらの剥離方法のいずれにも適用可能であるが、回路付基板加工体の回路付基板を水平に固定しておき、支持体を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された回路付基板の研削面に保護フィルムを貼り、回路付基板と保護フィルムをピール方式で剥離する方法がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施される。

また、加工を施した回路付基板から支持体及び重合体層（Ａ）を一体で分離して回路付基板のみを取り出す工程（ｇ）は、
（ｇ−１）加工を施した回路付基板の加工面にダイシングテープを接着する工程
（ｇ−２）ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程
（ｇ−３）吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記回路付基板からピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施した回路付基板から容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。

また、工程（ｆ）ないし工程（ｇ）加工を施し回路付基板加工体から回路付基板のみを分離した後、（ｈ）回路付基板表面の洗浄工程を行うことができる。洗浄処理は、有機溶剤、アルカリ溶液、酸溶液等によるウェットプロセス、又はドライエッチング等のドライプロセス等で実施することができる。

前記工程（ｈ）は、例えば炭化水素系有機溶剤が使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソノナン、ｐ−メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネンなどが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独でも２種以上組み合わせて用いてもよい。また、除去しにくい場合は、上記溶剤に、塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、０．０１〜１０質量％、好ましくは０．１〜５質量％である。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。洗浄方法としては、上記液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が可能である。温度は１０〜８０℃、好ましくは１５〜６５℃が好適であり、必要があれば、これら洗浄液で洗浄を行った後、最終的に水洗又はアルコールによるリンスを行い、乾燥処理させて、薄型ウエハを得ることも可能である。

以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。

（樹脂溶液調製例１）
２．５モル％のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量（Ｍｎ）が３万のポリジメチルシロキサン１００質量部およびトルエン２００質量部からなる溶液に、下記式（Ｍ−１）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを４０質量部、エチニルシクロヘキサノールを０．７質量部添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ−ＰＬ−５（信越化学工業（株）製）を０．２質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ１）を得た。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ−Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、１．１となった。

［樹脂溶液調製例２］
２．５モル％のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量（Ｍｎ）が３万のポリジメチルシロキサン５０質量部およびトルエン１００質量部からなる溶液に、ＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ_２＝ＣＨ）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｖｉ単位）２モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン５０質量部及びトルエン１００質量部からなる溶液と、上記オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｍ−１）を４０質量部、エチニルシクロヘキサノールを０．７質量部添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ−ＰＬ−５を０．２質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、硬化した際Ｑ単位を含む熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ２）を得た。Ｑ単位はＳｉ−ＮＭＲで測定した。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ−Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、１．０となった。

［樹脂溶液調製例３］
２．５モル％のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量（Ｍｎ）が３万のポリジメチルシロキサン５０質量部およびトルエン１００質量部からなる溶液に、０．１モル％のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量（Ｍｎ）が１０万のポリジメチルシロキサン５０質量部及びトルエン１００質量部からなる溶液と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｍ−１）を２０質量部、エチニルシクロヘキサノールを０．７質量部添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ−ＰＬ−５を０．２質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ３）を得た。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ−Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、１．０となった。

［樹脂溶液調製例４］
２．５モル％のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量（Ｍｎ）が３万のポリジメチルシロキサン２５質量部およびトルエン５０質量部からなる溶液に、０．１モル％のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量（Ｍｎ）が１０万のポリジメチルシロキサン２５質量部及びトルエン５０質量部からなる溶液と、ＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ_２＝ＣＨ）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｖｉ単位）２モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン５０質量部及びトルエン１００質量部からなる溶液と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｍ−１）を３５質量部、エチニルシクロヘキサノールを０．７質量部添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ−ＰＬ−５を０．２質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、硬化した際Ｑ単位を含む熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ４）を得た。Ｑ単位はＳｉ−ＮＭＲで測定した。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ−Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、１．１となった。

［樹脂溶液調製例５］
０．１モル％のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量（Ｍｎ）が１０万のポリジメチルシロキサン２０質量部及びトルエン５０質量部からなる溶液に、ＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ_２＝ＣＨ）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｖｉ単位）２モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン８０質量部及びトルエン１６０質量部からなる溶液と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｍ−１）を３５質量部、エチニルシクロヘキサノールを０．７質量部添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ−ＰＬ−５を０．２質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ５）を得た。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ−Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、０．９となった。

［樹脂溶液調製例６］
０．１モル％のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量（Ｍｎ）が１０万のポリジメチルシロキサン１００質量部及びトルエン２００質量部からなる溶液に、（Ｍ−２）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを０．５質量部、エチニルシクロヘキサノール０．７質量部を添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ−ＰＬ―５（信越化学工業（株）製）を０．５質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ６）を得た。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ−Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、２．９となった。

（実施例１〜５及び比較例１、２）
−ピール剥離力試験−支持体
支持体として２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）上に、上記（Ａ１）〜（Ａ６）溶液をスピンコート後、ホットプレートにて、５０℃で３分間加熱することにより、（Ａ）層に対応する材料を表１に示す膜厚で形成し、窒素雰囲気下の２００℃オーブンに２時間入れて重合体層（Ａ）を硬化させた。その後重合体層（Ａ）上に１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが張られていない部分の（Ａ）層を除去した。島津製作所社のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ（ＡＧ−１）を用いてテープの一端から１８０°剥離で５ｍｍ／秒の速度で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、その仮接着層のピール剥離力とした。なお、剥離界面が重合体層（Ａ）とシリコンウエハ表面間の場合を合格として測定結果を記載し、テープ糊面と重合体層（Ａ）表面の間の場合は不合格として「×」で示した。以後の実験は、判定が「×」となった時点で評価を中止した。

−ピール剥離力試験−基板
表面に高さ１０μｍ、直径４０μｍの銅ポストが全面に形成された２００ｍｍ銅ポスト付シリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）上に、上記（Ａ１）〜（Ａ５）溶液をスピンコート後、ホットプレートにて５０℃で３分間加熱することにより、（Ａ）層に対応する材料を表１に示す膜厚で形成し、窒素雰囲気下の２００℃オーブンに２時間入れて重合体層（Ａ）を硬化させた。その後重合体層（Ａ）上に１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが張られていない部分の（Ａ）層を除去した。島津製作所社のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ（ＡＧ−１）を用いてテープの一端から１８０°剥離で５ｍｍ／秒の速度で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、その仮接着層のピール剥離力とした。なお、剥離界面が重合体層（Ａ）と銅ポスト付シリコンウエハ表面間の場合を合格として測定結果を記載し、テープ糊面と重合体層（Ａ）表面の間になるか、途中で重合体層（Ａ）が切れる等で剥離界面が変わってしまった場合は不合格として「×」で示した。以後の実験は、判定が「×」となった時点で評価を中止した。

−接着性試験−
支持体としての２００ｍｍガラスウエハ（厚さ：７００μｍ）上に上記（Ａ１）〜（Ａ５）溶液をスピンコート後、ホットプレートにて、５０℃で３分間加熱することにより、（Ａ）層に対応する材料を表１に示す膜厚で形成した。これに対し表面に高さ１０μｍ、直径４０μｍの銅ポストが全面に形成された直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）を、銅ポスト面が重合体層（Ａ）面に対向する様に、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて真空中にて接合し、回路付基板加工体（積層体）を作製した。接合温度は５０℃、接合時のチャンバー内圧力は１０^−３ｍｂａｒ以下、荷重は１０ｋＮで実施した。接合後、一旦、２００℃で２時間オーブンを用いて接合済み基板を加熱し、（Ａ）層の硬化を実施したのち、室温まで冷却し、その後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

−裏面研削耐性試験−
接着性試験後の回路付基板加工体に対して、グラインダー（ＤＩＳＣＯ製、ＤＡＧ８１０）でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚５０μｍまでグラインドした後、光学顕微鏡（１００倍）にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

−耐熱性試験−
シリコンウエハを裏面研削した後の回路付基板加工体を２６０℃のホットプレート上で１０分加熱した後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、わずかなウエハのゆがみが見られるものの、ボイド発生や、ウエハ膨れ、あるいはウエハ破損等の異常がなかった場合を概ね良好と評価して「△」、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

−支持体剥離性試験−
支持体の剥離性は、以下の方法で評価した。まず、耐熱性試験終了後の５０μｍまで薄型化したウエハの加工面（回路非形成面）側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの１点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。５０μｍのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

−テープピール剥離性試験−
テープピール剥離性試験は、以下の方法で行った。まず、支持体剥離性試験まで終えたウエハを、引き続きダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着版にセットした。その後、（株）寺岡製作所製ポリエステルフィルム粘着テープＮｏ．６４８を表面に露出した重合体層（Ａ）の硬化膜に貼り、テープピール剥離を行うことでウエハから重合体層（Ａ）の硬化膜を剥離した。５０μｍのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

表１に示されるように、本発明の要件を満たす実施例１〜５では、仮接着及び剥離が容易であることがわかる。一方、比較例１は（Ａ）層のピール剥離力が強すぎるため、支持体の剥離ができなかった。また比較例２は比較例１よりさらに剥離力が強かったため、剥離力測定の時点で測定ができなかった。剥離力を適正な値にすることでプロセス性が担保されることが分かった。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１…支持体、
２…仮接着材層（熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ））
３…回路付基板、
１０…回路付基板加工体。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (10)

1. 支持体上に仮接着材層が剥離可能に積層され、かつ、該仮接着材層が、表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板の表面に剥離可能に積層された、前記支持体、前記仮接着材層、前記回路付基板の順からなる回路付基板加工体であって、
   前記仮接着材層は熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）からなり、
   前記支持体に積層された前記重合体層（Ａ）が、硬化後において、前記支持体から界面剥離させる際の剥離力が、２５ｍｍ幅試験片の５ｍｍ／秒での１８０°剥離試験において１０〜５００ｍＮ／２５ｍｍであり、かつ、
   前記回路付基板に積層された前記重合体層（Ａ）が、硬化後において、前記回路付基板から界面剥離させる際の剥離力が、２５ｍｍ幅試験片の５ｍｍ／秒での１８０°剥離試験において５０〜１０００ｍＮ／２５ｍｍであることを特徴とする回路付基板加工体。
2. 前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）が、
   （Ａ−１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
   （Ａ−２）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
   （Ａ−３）白金系触媒、
   を含有し、前記（Ａ−１）成分中のアルケニル基に対する前記（Ａ−２）成分中のＳｉ−Ｈ基のモル比が０．３から１０となる量を含有する組成物の硬化物であることを特徴とする請求項１に記載の回路付基板加工体。
3. 前記（Ａ−１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンが、ＳｉＯ_４／２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）を含むことを特徴とする請求項２に記載の回路付基板加工体。
4. 前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）が、前記（Ａ−１）成分、前記（Ａ−２）成分、前記（Ａ−３）成分に加え、（Ａ−４）有機溶剤、（Ａ−５）反応制御剤のいずれか一方、又はその両方を含有する組成物の硬化物であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の回路付基板加工体。
5. 前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）の硬化物が、Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を０．００１〜６０．０００モル％、Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を１０．０００〜９９．９９９モル％、Ｒ^６ＳｉＯ_３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．００５モル％、ＳｉＯ_４／２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）を０．０００〜６０．０００モル％含有する（但し、Ｒ^１〜Ｒ^６はそれぞれ非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の回路付基板加工体。
6. 前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）の硬化物が、２５℃における貯蔵弾性率が１×１０^６〜１×１０^９Ｐａであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の回路付基板加工体。
7. （ａ）請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の回路付基板加工体を準備する工程と、
   （ｂ）前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を熱硬化させる工程と、
   （ｃ）前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
   （ｄ）前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
   （ｅ）前記回路付基板加工体から前記支持体を分離する工程と、
   （ｆ）前記支持体が分離された前記回路付基板加工体から前記重合体層（Ａ）の硬化膜を分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、
   を含むことを特徴とする回路付基板加工方法。
8. （ａ）請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の回路付基板加工体を準備する工程と、
   （ｂ）前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）を熱硬化させる工程と、
   （ｃ）前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
   （ｄ）前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
   （ｇ）前記回路付基板加工体から、前記支持体と前記重合体層（Ａ）を一体で分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、
   を含むことを特徴とする回路付基板加工方法。
9. 前記工程（ａ）で回路付基板加工体を準備する工程として、
   （ａ−１）前記支持体上に前記熱硬化性シロキサン重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を積層する工程と、
   （ａ−２）前記重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を介して前記支持体と前記回路付基板を貼り合わせる工程と、
   を含むことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の回路付基板加工方法。
10. 前記工程（ａ）で回路付基板加工体を準備する工程として、
    （ａ−３）前記回路付基板上に前記重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を積層する工程と、
    （ａ−４）前記重合体層（Ａ）の未硬化組成物層を介して前記回路付基板と前記支持体を貼り合わせる工程と、
    を含むことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の回路付基板加工方法。

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