JP2019167618A - 真空処理装置及びトレイ - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、反応ガスの漏れを抑えることができる真空処理装置及びトレイを提供する。【解決手段】内部を真空とすることが可能なチャンバ２０と、チャンバ２０内に設けられた回転テーブル３１であって、当該回転テーブル３１の回転軸心を中心とする円周の軌跡でワークＷを循環搬送する回転テーブル３１と、回転テーブル３１に搭載され、ワークＷを載置する複数のトレイ１と、回転テーブル３１により搬送されるワークＷの周囲に反応ガスＧ１，Ｇ２を導入し、プラズマにより所定の処理を行う処理部と、を有し、処理部は、回転テーブル３１の径方向においてトレイ１の処理部に対向する面とトレイ１に載置されたワークＷの処理部に対向する面との間に、間隔を空けて対向するシールド部材８、５８を有し、複数のトレイ１の処理部に対向する面は、円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、真空処理装置及びトレイに関する。

半導体装置や液晶ディスプレイあるいは光ディスクなど各種の製品の製造工程において、例えばウェーハやガラス基板等のワーク上に光学膜等の薄膜を作成することがある。薄膜は、ワークに対して金属等の膜を形成する成膜や、形成した膜に対してエッチング、酸化又は窒化等の膜処理を行う等によって、作成することができる。

成膜あるいは膜処理は様々な方法で行うことができるが、その一つとして、プラズマを用いた方法がある。成膜では、ターゲットを配置したチャンバに反応ガスである不活性ガスを導入し、ターゲットに直流電圧を印加する。プラズマ化した不活性ガスのイオンをターゲットに衝突させ、ターゲットから叩き出された材料をワークに堆積させて成膜を行う。膜処理では、電極を配置したチャンバに反応ガスであるプロセスガスを導入し、電極に高周波電圧を印加する。プラズマ化したプロセスガスのイオン、ラジカル等の活性種をワーク上の膜に衝突させることによって、膜処理を行う。

このような成膜と膜処理を連続して行えるように、一つのチャンバの内部に回転テーブルを設け、回転テーブル上方の周方向に、複数の処理部を配置した真空処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。この処理部は、成膜用のユニットと膜処理用のユニットを複数配置したものである。このようにワークを回転テーブル上に保持して搬送し、成膜ユニットと膜処理ユニットの直下を通過させることで、光学膜等が形成される。

上記のような真空処理装置においては、チャンバ内の成膜ユニットに対応する位置には、シールド部材によって成膜室が形成される。また、膜処理ユニットにおいては、筒状の構成部材である筒部が設けられ、筒部の内部から下方にかけてプロセスガスを導入するガス空間が形成される。そして、誘電体の窓部材が、筒部の開口に形成されたフランジに、Ｏリング等のシール部材を介して搭載されることにより、ガス空間が封止される。窓部材に用いられる誘電体は、石英等の比較的硬くて脆い材質が用いられる。

特許第４４２８８７３号公報

以上のような真空処理装置において、成膜ユニットのシールド部材の縁部は、ワークの通過を許容するために、隙間を空けてワークに近接している。しかし、成膜ユニットにおいて、シールド部材からの成膜材料や不活性ガスの漏れを極力少なくするためには、シールド部材とワークとの間隔はできるだけ小さくすることが好ましい。また、膜処理ユニットの筒部の縁部にも、ワークの通過を許容するために、ワークとの間に隙間が空けられている。膜処理ユニットにおいても、筒部からのプロセスガスの漏れを極力少なくするためには、筒部とワークとの間隔はできるだけ小さくすることが好ましい。このため、シールド部材の縁部とワークとの間、筒部とワークとの間には、それぞれ例えば数ミリの隙間が形成されるように設定されている。

しかしながら、回転テーブルの表面とワークにおける成膜される面との間には、高低差が生じる。すると、ワークとシールド部材又は筒部との隙間を少なくしたとしても、ワークが存在しない箇所における回転テーブルの表面と、シールド部材又は筒部との隙間は拡大する。このため、ワークが存在しない箇所において、反応ガスの漏れや回り込みが発生する。例えば、成膜ユニットにおいて反応ガスとしてアルゴンガス、膜処理ユニットにおいて反応ガスとして酸素を用いている場合に、一方が他方に混入するコンタミネーションが発生することは、両者の反応が阻害されることになり好ましくない。

本発明は、処理部からの反応ガスの漏れを抑制できる真空処理装置及びトレイを提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の真空処理装置は、内部を真空とすることが可能なチャンバと、前記チャンバ内に設けられた回転テーブルであって、当該回転テーブルの回転軸心を中心とする円周の軌跡でワークを循環搬送する回転テーブルと、前記回転テーブルに搭載され、前記ワークを載置する複数のトレイと、前記回転テーブルにより搬送される前記ワークに対して、導入された反応ガスをプラズマ化して所定の処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記回転テーブルの径方向において前記トレイの前記処理部に対向する面と前記トレイに載置された前記ワークの前記処理部に対向する面との間に、前記ワークが通過可能な間隔を空けて対向するシールド部材を有し、複数の前記トレイの前記処理部に対向する面は、前記円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有する。

前記ワークは、前記処理部に対向する面に凸部を有し、前記シールド部材は、前記ワークの凸部に沿う凹部を有していてもよい。前記トレイは、前記処理部に対向する面に、前記シールド部材の凹部に沿う凸部を有していてもよい。前記シールド部材には、成膜される膜の膜厚分布を調整する調整部が設けられていてもよい。前記回転テーブルは、前記トレイの位置を規制する規制部を有していてもよい。前記トレイは、前記ワークが嵌め込まれる嵌込部を有していてもよい。

前記処理部は、前記ワークに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて膜を形成する成膜部を含んでいてもよい。前記処理部は、前記ワークに形成された膜と反応ガスとを反応させる膜処理を行う膜処理部を含んでいてもよい。

他の態様の真空処理装置は、内部を真空とすることが可能なチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、円周の軌跡でワークを循環搬送する回転テーブルと、前記回転テーブルにより搬送される前記ワークに対して、導入された反応ガスをプラズマ化して所定の処理を行う処理部と、を有し、前記ワークは、前記処理部に対向する面に凸部を有し、前記処理部は、前記回転テーブルにより搬送される前記ワークに間隔を空けて対向し、前記ワークの凸部に沿う凹部を有するシールド部材を有し、前記回転テーブルの表面に、前記シールド部材の凹部に沿う凸部が設けられ、前記回転テーブルの凸部の表面が、前記円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有する。

前記回転テーブルは、前記ワークが載置されるトレイが搭載されることにより、前記回転テーブルの表面と前記トレイの表面とが、前記円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分が生じる搭載部を有していてもよい。

他の態様のトレイは、内部を真空とすることが可能なチャンバと、前記チャンバ内に設けられた回転テーブルであって、当該回転テーブルの回転軸心を中心とする円周の軌跡でワークを循環搬送する回転テーブルと、前記回転テーブルにより搬送される前記ワークに対して、導入された反応ガスをプラズマ化して所定の処理を行う処理部と、を有し、前記処理部が、前記回転テーブルの径方向において前記ワークの前記処理部に対向する面との間に、前記ワークが通過可能な間隔を空けて対向するシールド部材を有する真空処理装置に使用され、前記ワークが載置されるトレイであって、前記回転テーブルに複数搭載されることにより、前記処理部に対向する面が、前記円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有する。

本発明によれば、処理部からの反応ガスの漏れを抑制することができる。

実施形態の真空処理装置の透視斜視図である。 実施形態の真空処理装置の透視平面図である。 図２のＡ−Ａ線断面図である。 ワークの側面図（Ａ）、平面図（Ｂ）、斜視図（Ｃ）である。 トレイの側面図（Ａ）、平面図（Ｂ）、斜視図（Ｃ）である。 トレイを載置していない回転テーブルを示す平面図である。 トレイを載置した回転テーブルを示す平面図である。 成膜部のシールド部材を示す斜視図である。 シールド部材とワークとの間隔を示す部分拡大断面図である。 図２のＢ−Ｂ線断面図である。 処理ユニットの分解斜視図である。 シールド部材とワークとの間隔を示す部分拡大断面図である。 トレイの搬出入の態様を示す説明図である。 トレイの他の態様を示す断面図である。 調整部を示す斜視図である。 着脱部材を示す斜視図である。 嵌込部を有するトレイを示す斜視図である。 嵌込部の一態様を示す斜視図である。 嵌込部及びスペーサの一態様を示す斜視図である。 トレイ及びこれを載置した回転テーブルの変形例を示す平面図である。 ワークの変形例を示す側面図（Ａ）、平面図（Ｂ）、斜視図（Ｃ）である。 回転テーブルの変形例を示す部分斜視図である。 回転テーブルの変形例を示す下面図である。 真空処理装置の変形例であって、図２３のＣ−Ｃ線に対応する断面図である。 変形例のトレイを示す斜視図である。 変形例のトレイに対するワークの装着過程（Ａ）、回転テーブルに対するトレイの装着過程（Ｂ）、回転テーブルに対するトレイの装着後（Ｃ）を示す部分断面による説明図である。 変形例のトレイを示す分解斜視図である。 変形例のトレイを示す分解斜視図である。 変形例のトレイを示す斜視図（Ａ）、Ｄ−Ｄ線に対応する断面図（Ｂ）である。

本発明の実施の形態（以下、本実施形態と呼ぶ）について、図面を参照して具体的に説明する。
［概要］
図１に示す真空処理装置１００は、ワークＷに対して、プラズマを用いて処理部により所定の処理を行う装置である。処理部による所定の処理は、本実施形態では、個々のワークＷの表面に化合物膜を形成する処理である。真空処理装置１００は、図１〜図３に示すように、チャンバ２０内に、回転テーブル３１、処理部である成膜部４０Ａ、４０Ｂ及び４０Ｃ、膜処理部５０Ａ、５０Ｂを有する。なお、図１は、真空処理装置１００の透視斜視図、図２は、透視平面図、図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。

回転テーブル３１が回転すると、回転テーブル３１に載置されたトレイ１（図５参照）上のワークＷが、回転テーブル３１の回転軸心（回転中心）を中心とする円周の軌跡で移動する。この移動により、ワークＷは、成膜部４０Ａ、４０Ｂ又は４０Ｃに対向する位置を繰り返し通過する。成膜部４０Ａ、４０Ｂ及び４０Ｃは、この通過毎に、スパッタリングによりターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの粒子をワークＷの表面に付着させる。また、ワークＷは膜処理部５０Ａ又は５０Ｂに対向する位置を繰り返し通過する。この通過毎に、成膜部４０Ａ、４０Ｂ、４０ＣによってワークＷの表面に付着した粒子は、導入されたプロセスガスＧ２中の物質と化合して化合物膜となる。

［ワーク］
ワークＷは、図４（Ａ）の側面図、（Ｂ）の平面図、（Ｃ）の斜視図に示すように、処理部に対向する面、つまり、処理対象となる面（以下、処理対象面Ｓｐとする）に凸部Ｃｐを有し、凸部Ｃｐと反対側の面に凹部Ｒｐを有する板状の部材である。凸部Ｃｐとは、処理対象面Ｓｐにおいて、曲率中心が処理対象面Ｓｐとは反対側に位置する湾曲部分または、処理対象面Ｓｐが角度の異なる複数の平面で構成される場合に異なる平面同士を連結する部分（図２１参照）をいう。凹部Ｒｐとは凸部Ｃｐの反対側の部分をいう。本実施形態では、ワークＷは長方形状の基板であって、一短辺側に形成された湾曲部分によって処理対象面Ｓｐに凸部Ｃｐが形成されている。つまり、湾曲により伸長する側が凸部Ｃｐ、伸縮する側が凹部Ｒｐである。また、ワークＷの凸部Ｃｐから他方の短辺までの処理対象面Ｓｐは、平坦面となっている。

［トレイ］
トレイ１は、図５（Ａ）の側面図、図５（Ｂ）の平面図、図５（Ｃ）の斜視図に示すように、ワークＷを載置する部材である。トレイ１において、処理部に対向する面を対向面１１と称する。本実施形態では、トレイ１は、略扇形形状の板状体であり、Ｖ字に沿う一対の側面である斜面１２を有している。一対の斜面１２が接近する側の端部は、直線に沿う内周面１３で結ばれている。トレイ１の一対の斜面１２が離れる側の端部には、直交する辺を組み合わせた凸形状に沿う外周面１４が連続している。この外周面１４における互いに対向する平行な面を、規制面１４ａと呼ぶ。

各トレイ１は、対向面１１に、後述するシールド部材８の凹部８０、シールド部材５８の凹部５８ｃに沿う凸部１１ａを有する（図９、図１２参照）。凹部８０、５８ｃに沿うとは、凹部８０、５８ｃに倣う形状であることをいう。トレイ１の凸部１１ａは、凹部８０、５８ｃに非接触で対向する。本実施形態では、凸部１１ａは、ワークＷの凹部Ｒｐに倣う曲面でもある。凸部１１ａは、図５（Ｂ）に示すように、平面視で一対の斜面１２の中央を結ぶ円弧状に沿って形成されている。トレイ１の対向面１１は、凸部１１ａを挟んで、内周面１３側が回転テーブル３１に近い低位の平坦面、外周面１４側が回転テーブル３１から離れた高位の平坦面となっている。

トレイ１の材質としては、熱伝導性の高い材質、例えば、金属とすることが好ましい。本実施形態では、トレイ１の材質をＳＵＳとする。なお、トレイ１の材質は、例えば、熱伝導性の良いセラミクスや樹脂、または、それらの複合材としてもよい。

［真空処理装置］
真空処理装置１００は、図１〜図３に示すように、チャンバ２０、搬送部３０、成膜部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、膜処理部５０Ａ、５０Ｂ、ロードロック部６０、制御装置７０を有する。

［チャンバ］
チャンバ２０は、内部を真空とすることが可能な容器である。つまり、チャンバ２０の内部には、真空室２１が形成される。真空室２１は、チャンバ２０の内部の天井２０ａ、内底面２０ｂ及び内周面２０ｃにより囲まれて形成される円柱形状の密閉空間である。真空室２１は、気密性があり、減圧により真空とすることができる。なお、チャンバ２０の天井２０ａは、開閉可能に構成されている。つまり、チャンバ２０は分離構造となっている。

真空室２１の内部の所定の領域には、反応ガスＧが導入される。反応ガスＧは、成膜用のスパッタガスＧ１、膜処理用のプロセスガスＧ２を含む（図３参照）。以下の説明では、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２を区別しない場合には、反応ガスＧと呼ぶ場合がある。スパッタガスＧ１は、電力の印加により生じるプラズマにより、発生するイオンをターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃに衝突させて、ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの材料をワークＷの表面に堆積させるための反応ガスである。例えば、アルゴンガス等の不活性ガスを、スパッタガスＧ１として用いることができる。

プロセスガスＧ２は、誘導結合により生じるプラズマにより発生する活性種を、ワークＷの表面に堆積された膜に浸透させて、化合物膜を形成するための反応ガスＧである。以下、このようなプラズマを利用した表面処理であって、ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを用いない処理を、逆スパッタと呼ぶ場合がある。プロセスガスＧ２は、処理の目的によって適宜変更可能である。例えば、膜の酸窒化を行う場合には、酸素Ｏ_２と窒素Ｎ_２の混合ガスを用いる。

チャンバ２０は、図３に示すように、排気口２２、導入口２４を有する。排気口２２は、真空室２１と外部との間で気体の流通を確保して、排気Ｅを行うための開口である。この排気口２２は、例えば、チャンバ２０の底部に形成されている。排気口２２には、排気部２３が接続されている。排気部２３は、配管及び図示しないポンプ、バルブ等を有する。この排気部２３による排気処理により、真空室２１内は減圧される。

導入口２４は、各成膜部４０Ａ、４０Ｂ、４０ＣにスパッタガスＧ１を導入するための開口である。この導入口２４は、例えば、チャンバ２０の上部に設けられている。この導入口２４には、ガス供給部２５が接続されている。ガス供給部２５は、配管の他、図示しない反応ガスＧのガス供給源、ポンプ、バルブ等を有する。このガス供給部２５によって、導入口２４から真空室２１内にスパッタガスＧ１が導入される。なお、チャンバ２０の上部には、後述するように、膜処理部５０Ａ、５０Ｂが挿入される開口２１ａが設けられている。

［搬送部］
搬送部３０は、ワークＷを、回転テーブル３１の回転軸心を中心とする円周の搬送経路Ｔで循環搬送させる装置である。循環搬送は、ワークＷを上記円周の軌跡で繰り返し周回移動させることをいう。搬送経路Ｔは、搬送部３０によってワークＷ又は後述するトレイ１が移動する軌跡であり、ドーナツ状の幅のある円環である。以下、搬送部３０の詳細を説明する。

搬送部３０は、回転テーブル３１、モータ３２を有する。回転テーブル３１は、チャンバ２０内に設けられ、ワークＷを循環搬送する。回転テーブル３１は、例えば、ステンレス鋼の板状部材の表面に酸化アルミニウムを溶射したものとしても良い。以降、単に「周方向」という場合には、「回転テーブル３１の周方向」を意味し、単に「半径方向」という場合には、「回転テーブル３１の半径方向」を意味する。また、「高さ」、「厚み」とは、回転テーブル３１の回転の軸に平行な方向の長さである。モータ３２は、回転テーブル３１に駆動力を与え、この回転テーブル３１を水平面内で回転させる駆動源である。

回転テーブル３１は、図６の平面図に示すように、搭載部３３を有する。搭載部３３は、搬送部３０により搬送されるトレイ１が搭載される領域である。搭載部３３は、回転テーブル３１の表面に設けられている。回転テーブル３１の表面は、回転テーブル３１が水平方向である場合に上方を向く面、つまり天面である。搭載部３３は、回転テーブル３１上に後述する敷板３３ａが敷き詰められることによって形成されることになる、回転テーブル３１の回転中心と同心の略円環状に窪んだ領域である。各トレイ１は、図７の平面図に示すように、それぞれの斜面１２が互いに接するように、搭載部３３に並べられることにより、平面視で環状に敷き詰められる。これにより、複数のトレイ１は、円周等配位置に搭載される。トレイ１の斜面１２は、回転テーブル３１の半径に沿う。これにより、本実施形態では、搭載部３３上に、６０°間隔で６つのトレイ１を載置することができる。

回転テーブル３１の搭載部３３に複数のトレイ１が搭載されることで、複数のトレイ１の対向面１１は、円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有するように形成されている。ここで複数のトレイ１の対向面１１が面一となるとは、各トレイ１の対向面１１における対応する箇所同士が実質的に同一の高さとなる場合をいう。そして、本実施形態では、６個のトレイ１の凸部１１ａが、円周上に連続して構成される凸状部分を形成する。つまり、上記のように、凸部１１ａは円弧状に沿って形成されているので（図５（Ｂ）参照）、この凸部１１ａが複数連続することにより、複数の円弧を組み合わせた円周状の凸状部分が形成される。なおトレイ１としては、後述するように、凸部１１ａを有していないものも適用可能であるが（図２０参照）、その場合、各トレイ１の対向面により、一平面が形成されることになる。但し、各トレイ１の境界には、僅かな溝が生じていてもよい。なお、搭載部３３の内周側の縁部は、複数のトレイ１の内周面１３に接する六角形状となっている。搭載部３３の外周側の縁部は、複数のトレイ１の外周面１４に接する多角形状となっている。

より具体的には、搭載部３３は、回転テーブル３１の表面と、この表面に取り付けられた複数の敷板３３ａの縁部によって構成されている。敷板３３ａは、多角形状のプレートであり、回転テーブル３１の表面に環状に敷き詰めることにより、回転テーブル３１の表面との高低差を生じさせて、トレイ１を嵌め込む窪みを形成する。敷板３３ａの表面の高さは、嵌め込まれたトレイ１と面一となるように設定されている。

ここでいうトレイ１と面一とは、各敷板３３ａの高さが、トレイ１における当該敷板が接する部分の高さと実質的に同一の高さとなる場合をいう。このため、トレイ１の縁部に高低差がある場合には、トレイ１の縁部に接する敷板３３ａが、その縁部の高さに等しくなっている。但し、各トレイ１と各敷板３３ａの境界には、僅かな溝が生じていてもよい。本実施形態では、上記のようにトレイ１は凸部１１ａを有し、内周面１３側よりも外周面１４側が厚くなっている。このため、トレイ１が搭載部３３に搭載された場合に、内周面１３側よりも外周面１４側が高くなる。これに対応させて、内周面１３側の敷板３３ａよりも、外周面１４側の敷板３３ａが厚く形成され、トレイ１と面一となっている。なお図２０を用いて説明するような、凸部１１ａを有していないトレイ１を用いる場合には、各トレイ１の対向面１１と各敷板３３ａの上面とにより、一平面が形成されることになる。

さらに、搭載部３３は、規制部３３ｂを有する。規制部３３ｂは、トレイ１の位置を規制する。本実施形態の規制部３３ｂは、トレイ１の搬送経路Ｔに沿う方向への移動を規制する。より具体的には、規制部３３ｂは、トレイ１の規制面１４ａに接するととともに、搬送経路Ｔに交差する方向の縁部である。この規制部３３ｂは、規制面１４ａに接することにより、トレイ１の位置が周方向にずれないように規制する。

本実施形態では、図５（Ｃ）、図７に示すように、各トレイ１に３つのワークＷが載置される。このため、合計で１８のワークＷを処理することができる。回転テーブル３１は、ワークＷを搭載したトレイ１を循環搬送して成膜部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、膜処理部５０Ａ、５０Ｂに対向する位置を繰り返し通過させる。

なお、ワークＷは、トレイ１の対向面１１に対して直接載置されてもよいし、粘着シート等を介して間接的に載置されていてもよい。各トレイ１に載置されるワークＷの数は、これには限定されない、トレイ１毎に単数のワークＷが載置されてもよいし、複数のワークＷが載置されてもよい。

さらに、回転テーブル３１には、図６に示すように、開口３１ａ、カム穴３１ｂが形成されている。開口３１ａは、回転テーブル３１の各トレイ１が載置される円周等配位置に設けられた貫通孔である。カム穴３１ｂは、回転テーブル３１の底面に、円周等配位置に設けられた略円錐形状の窪みである（図１３参照）。

［成膜部］
成膜部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃは、搬送経路Ｔを循環搬送されるワークＷに対向する位置に設けられ、スパッタリングによりワークＷに成膜材料を堆積させて膜を形成する処理部である。以下、複数の成膜部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを区別しない場合には、成膜部４０として説明する。成膜部４０は、図３に示すように、スパッタ源４、電源部６、シールド部材８を有する。

（スパッタ源）
スパッタ源４は、ワークＷにスパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜材料の供給源である。スパッタ源４は、図２及び図３に示すように、ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、バッキングプレート４２、電極４３を有する。ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、ワークＷに堆積されて膜となる成膜材料によって形成され、搬送経路Ｔに離隔して対向する位置に配置されている。

本実施形態では、３つのターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃが、平面視で三角形の頂点上に並ぶ位置に設けられている。回転テーブル３１の回転中心に近い方から外周に向かって、ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの順で配置されている。以下、ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを区別しない場合には、ターゲット４１として説明する。ターゲット４１の表面は、搬送部３０により移動するワークＷに、離隔して対向する。

なお、３つのターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃによって、成膜材料を付着させることができる領域は、半径方向におけるトレイ１の大きさよりも大きい。このように、成膜部４０で成膜させる領域に対応し、搬送経路Ｔに沿った円環状の領域を成膜領域Ｆ（図２の点線で示す）とする。成膜領域Ｆの半径方向の幅は、半径方向におけるトレイ１の幅よりも長い。また、本実施形態では、３つのターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、成膜領域Ｆの半径方向の幅全域で隙間なく成膜材料を付着させることができるように配置されている。

成膜材料としては、例えば、シリコン、ニオブなどを使用する。但し、スパッタリングにより成膜される材料であれば、種々の材料を適用可能である。また、ターゲット４１は、例えば、円柱形状である。但し、長円柱形状、角柱形状等、他の形状であってもよい。

バッキングプレート４２は、各ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを個別に保持する部材である。電極４３は、チャンバ２０の外部から各ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃに個別に電力を印加するための導電性の部材である。各ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃに印加する電力は、個別に変えることができる。なお、スパッタ源４には、必要に応じてマグネット、冷却機構などが適宜具備されている。

（電源部）
電源部６は、ターゲット４１に電力を印加する構成部である。この電源部６によってターゲット４１に電力を印加することにより、プラズマ化したスパッタガスＧ１が生じる。そして、プラズマにより生じたイオンがターゲット４１に衝突することで、ターゲット４１から叩き出された成膜材料をワークＷに堆積させることができる。各ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃに印加する電力は、個別に変えることができる。本実施形態においては、電源部６は、例えば、高電圧を印加するＤＣ電源である。なお、高周波スパッタを行う装置の場合には、ＲＦ電源とすることもできる。回転テーブル３１は、接地されたチャンバ２０と同電位であり、ターゲット４１側に高電圧を印加することにより、電位差を発生させている。

（シールド部材）
シールド部材８は、図３及び図８に示すように、トレイ１に載置されたワークＷに間隔を空けて対向する部材である。本実施形態のシールド部材８は、ワークＷが通過する側に開口８１を有し、成膜部４０による成膜が行われる成膜室Ｓを形成する。つまり、シールド部材８は、スパッタガスＧ１が導入され、プラズマを発生させる空間を形成し、スパッタガスＧ１及び成膜材料のチャンバ２０内への漏れを抑制する。

シールド部材８は、天井部８２、側面部８３を有する。天井部８２は、成膜室Ｓの天井を形成する部材である。天井部８２は、図８に示すように、回転テーブル３１の平面と平行に配置された略扇形の板状体である。天井部８２には、成膜室Ｓ内に各ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃが露出するように、各ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃに対応する位置に、ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの大きさ及び形状と同じターゲット孔８２ａが形成されている。天井部８２は、ターゲット孔８２ａからターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃが露出するように、チャンバ２０の天井２０ａに取り付けられている。

側面部８３は、成膜室Ｓの周縁の側面を形成する部材である。側面部８３は、外周壁８３ａ、内周壁８３ｂ、隔壁８３ｃ、８３ｄを有する。外周壁８３ａ及び内周壁８３ｂは、円弧状に湾曲した直方体形状で、回転テーブル３１の平面に直交する方向に垂下した板状体である。外周壁８３ａの上縁は、天井部８２の外縁に取り付けられている。内周壁８３ｂの上縁は、天井部８２の内縁に取り付けられている。また、シールド部材８の内部には、ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの近傍までガス供給部２５の先端が延びている。

隔壁８３ｃ、８３ｄは、平坦な直方体形状で、回転テーブル３１の平面に直交する方向に垂下した板状体である。隔壁８３ｃ、８３ｄの上縁は、それぞれが、天井部８２の一対の半径方向の縁部に取り付けられている。天井部８２と側面部８３との接合部は、気密に封止されている。なお、天井部８２と側面部８３を、一体的に、つまり共通の材料により連続して形成してもよい。このようなシールド部材８により、上部及び周縁の側面が天井部８２及び側面部８３によって覆われ、ワークＷに向かう下部が開口した成膜室Ｓが形成される。

シールド部材８は、平面視で回転テーブル３１の半径方向における中心側から外側に向けて拡径する略扇形になっている。ここでいう略扇形とは、扇子の扇面の部分の形を意味する。シールド部材８の開口８１も、同様に略扇形である。回転テーブル３１上に保持されるワークＷが開口８１の下を通過する速度は、回転テーブル３１の半径方向において中心側に向かうほど遅くなり、外側へ向かうほど速くなる。そのため、開口８１が単なる長方形又は正方形であると、半径方向における中心側と外側とでワークＷが開口８１の直下を通過する時間に差が生じる。開口８１を半径方向における中心側から外側に向けて拡径させることで、ワークＷが開口８１を通過する時間を一定とすることができ、後述するプラズマ処理を均等にできる。ただし、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。シールド部材８の材質としては、例えば、アルミニウムやＳＵＳを用いることができる。

隔壁８３ｃ、８３ｄの下端と回転テーブル３１との間には、図３及び図９に示すように、回転する回転テーブル３１上のワークＷが通過可能な間隔Ｄ１が形成されている。つまり、シールド部材８の下縁とワークＷとの間に、僅かな隙間が生じるように、隔壁８３ｃ、８３ｄの高さが設定されている。

より具体的には、シールド部材８は、トレイ１に載置されたワークＷの凸部Ｃｐに沿う凹部８０を有する。凸部Ｃｐに沿うとは、凸部Ｃｐに倣う形状であることをいう。本実施形態では、凹部８０は、凸部Ｃｐの湾曲に沿う曲面である。但し、凹部８０と凸部Ｃｐとの間は、上記のように間隔Ｄ１が空いている。つまり、凹部８０を含む隔壁８３ｃ、８３ｄの下縁には、ワークＷの処理対象面Ｓｐに非接触で沿う形状が形成されている。ワークＷの処理対象面Ｓｐとシールド部材８との間隔Ｄ１は、凸部Ｃｐと凹部８０との間隔も含めて、１ｍｍ〜１５ｍｍとすることが好ましい。これは、ワークＷの通過を許容するとともに、内部の成膜室Ｓの圧力を維持するためである。

このようなシールド部材８によって、図２に示すように、スパッタ源４によりワークＷが成膜される成膜ポジションＭ２、Ｍ４、Ｍ５、膜処理を行う膜処理ポジションＭ１、Ｍ３が仕切られる。シールド部材８によって、成膜ポジションＭ２、Ｍ４、Ｍ５の反応ガスＧ及び成膜材料が真空室２１に拡散することを抑制できる。

成膜ポジションＭ２、Ｍ４、Ｍ５の水平方向の範囲は、各シールド部材８によって区切られた領域となる。なお、回転テーブル３１により循環搬送されるワークＷが、成膜ポジションＭ２、Ｍ４、Ｍ５のターゲット４１に対向する位置を繰り返し通過することにより、ワークＷの表面に成膜材料が膜として堆積する。

成膜ポジションＭ２、Ｍ４、Ｍ５の各シールド部材８で画される成膜室Ｓは、成膜の大半が行われる領域であるが、成膜室Ｓから外れる領域であっても、成膜室Ｓからの成膜材料の漏れはあるため、全く膜の堆積がないわけではない。つまり、成膜部４０において成膜が行われる成膜領域Ｆは、シールド部材８で画される成膜室Ｓよりもやや広い領域となる。

このような成膜部４０は、複数の成膜部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに同じ成膜材料を用いて同時に成膜することにより、一定時間内における成膜量つまり、成膜レートを上げることができる。また、複数の成膜部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに互いに異なる種類の成膜材料を用いて同時或いは順々に成膜することにより、複数の成膜材料の層から成る膜を形成することもできる。

［膜処理部］
膜処理部５０Ａ、５０Ｂは、搬送部３０により搬送されるワークＷに堆積した材料に対して膜処理を行う処理部である。この膜処理は、ターゲット４１を用いない逆スパッタである。以下、膜処理部５０Ａ、５０Ｂを区別しない場合には、膜処理部５０として説明する。膜処理部５０は、処理ユニット５を有する。この処理ユニット５の構成例を図１０の断面図、図１１の分解斜視図、図１３の部分拡大図を参照して説明する。

処理ユニット５は、図１０及び図１１に示すように、筒部Ｈ、窓部材５２、供給部５３、アンテナ５５、シールド部材５８を有する。筒部Ｈは、一端の開口Ｈｏが、チャンバ２０の内部の搬送経路Ｔに向かう方向に延在した構成部である。筒部Ｈは、筒状体５１と対向部ｈを有する。対向部ｈは、開口Ｈｏを有し、回転テーブル３１に向かう構成部である。これらの筒部Ｈを構成する部材のうち、まず、筒状体５１について説明し、対向部ｈについては後述する。

筒状体５１は、水平断面が角丸長方形状の筒である。ここでいう角丸長方形状とは、陸上競技におけるトラック形状である。トラック形状とは、一対の部分円を凸側を相反する方向として離隔して対向させ、それぞれの両端を互いに並行な直線で結んだ形状である。筒状体５１は、回転テーブル３１と同様の材質とする。筒状体５１は、開口Ｈｏが回転テーブル３１側に離隔して向かうように、チャンバ２０の天井２０ａに設けられた開口２１ａに挿入されている。これにより、筒状体５１の側壁の大半は、真空室２１内に収容されている。筒状体５１は、その長径が回転テーブル３１の半径方向と平行となるように配置されている。なお、厳密な平行である必要はなく、多少の傾きがあってもよい。

窓部材５２は、筒部Ｈに設けられ、チャンバ２０内のプロセスガスＧ２が導入されるガス空間Ｒと外部との間を仕切る部材である。本実施形態では、窓部材５２は、筒部Ｈを構成する筒状体５１に設けられている。ガス空間Ｒは、膜処理部５０において、回転テーブル３１と筒部Ｈの内部との間に形成される空間であり、回転テーブル３１によって循環搬送されるワークＷが繰り返し通過する。窓部材５２は、筒状体５１の内部に収まり、筒状体５１の水平断面と略相似形の石英等の誘電体の平板である。窓部材５２は、上記のように配設された筒状体５１の水平断面と略相似形の角丸長方形状の板である。つまり、窓部材５２は、搬送経路Ｔに沿う方向の長さよりも、搬送経路Ｔに交差する方向の長さが長い。なお、窓部材５２は、アルミナ等の誘電体であってもよいし、シリコン等の半導体であってもよい。

筒部Ｈには、窓部材５２を支持する支持部５１０が設けられている。本実施形態では、支持部５１０は、筒部Ｈを構成する筒状体５１に設けられている。支持部５１０と窓部材５２との間に、ガス空間Ｒと外部との間を封止するシール部材２１ｂが設けられている。

支持部５１０には、供給口５１２が形成されている。供給口５１２は、プロセスガスＧ２を筒状体５１内に供給する穴である。供給口５１２は、断面がＬ字形となるように、筒状体５１の下端の開口５１ａまで貫通している。供給口５１２は、支持部５１０において搬送経路Ｔの下流側と上流側とに設けられている。各々の供給口５１２は、対向する位置に設けられている。

さらに、筒状体５１における開口５１ａとは反対側の端部には、外フランジ５１ｂが形成されている。外フランジ５１ｂの下面とチャンバ２０の天面との間には、全周に亘るシール部材２１ｂが配設され、開口２１ａが気密に封止されている。

供給部５３は、ガス空間ＲにプロセスガスＧ２を供給する装置である。供給部５３は、図示しないボンベ等のプロセスガスＧ２の供給源とこれに接続された配管５３ｂ、５３ｃを有している。また、図示はしないが、供給部５３は、供給口５１２から導入するプロセスガスＧ２の供給量を調整する調節部を有する。調節部は、供給部５３の単位時間当たりのプロセスガスＧ２の供給量を、個別に調節するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）である。ＭＦＣは、流体の流量を計測する質量流量計と流量を制御する電磁弁を有する部材である。

アンテナ５５は、搬送経路Ｔを通過するワークＷを処理するための誘導結合プラズマを発生させる部材である。アンテナ５５は、ガス空間Ｒの外部であって窓部材５２の近傍に配置される。アンテナ５５に電力が印加されることにより、アンテナ電流がつくる磁界に誘導された電界が発生し、ガス空間ＲのプロセスガスＧ２をプラズマ化する。アンテナ５５の形状により発生する誘導結合プラズマの分布形状を変えることができる。本実施形態においては、アンテナ５５は、平面方向から見て角丸長方形の電路を導体により形成する。これにより、筒状体５１内のガス空間Ｒの水平断面と略相似する形状の誘導結合プラズマを発生させることができる。

アンテナ５５には、高周波電力を印加するためのＲＦ電源５５ａが接続されている。ＲＦ電源５５ａの出力側には整合回路であるマッチングボックス５５ｂが直列に接続されている。ＲＦ電源５５ａとアンテナ５５との間には、マッチングボックス５５ｂが接続されている。マッチングボックス５５ｂは、入力側及び出力側のインピーダンスを整合させることで、プラズマの放電を安定化させる。

対向部ｈは、冷却部５６、分散部５７を有する。冷却部５６は、図１１に示すように、筒状体５１と外形の大きさが略同一の角丸長方形状の筒形部材であり、その上面が筒状体５１の底面に接して合致する位置に設けられている。冷却部５６の内部には、図示はしないが、冷却水が流通するキャビティが設けられている。キャビティには、冷却水を循環供給する冷却水循環装置であるチラーに接続された供給口と排水口が連通している。このチラーにより冷却された冷却水が供給口から供給され、キャビティ内を流通して排水口から排出されることを繰り返すことにより、冷却部５６が冷却され、筒状体５１及び分散部５７の加熱が抑制される。

分散部５７は、筒状体５１、冷却部５６と外形の大きさが略同一の角丸長方形状の筒形部材であり、その上面が冷却部５６の底面に接して合致する位置に設けられている。分散部５７には、分散板５７ａが設けられている。分散板５７ａは、供給口５１２と間隔を空け、且つ、供給口５１２に対向する位置に配置され、供給口５１２から導入されるプロセスガスＧ２を分散させて、ガス空間Ｒに流入させる。この分散板５７ａが内側に設けられている分だけ、分散部５７は、環状部分の水平方向の幅が、筒状体５１よりも大きくなっている。

供給部５３から供給口５１２を介して、ガス空間ＲにプロセスガスＧ２を導入し、ＲＦ電源５５ａからアンテナ５５に高周波電圧を印加する。すると、窓部材５２を介して、ガス空間Ｒに電界が発生し、プロセスガスＧ２がプラズマ化される。これにより、電子、イオン及びラジカル等の活性種が発生する。

なお、冷却部５６と筒状体５１との間、冷却部５６と分散部５７との間には、シート５６１、５６２が配設されている。シート５６１、５６２は、冷却部５６と筒状体５１、分散部５７との密着性を高めて、熱伝導性を高める薄板状の部材である。例えば、カーボンシートを用いる。

シールド部材５８は、図３、図１０〜図１２に示すように、トレイ１に載置されたワークＷに間隔を空けて対向する部材である。本実施形態のシールド部材５８は、対向部ｈと回転テーブル３１との間に、対向部ｈ及び回転テーブル３１に対して非接触且つチャンバ２０に対して不動で介在する。シールド部材５８は、プラズマを閉じ込めて、プロセスガスＧ２を成膜部４０へ拡散するのを抑制する機能を有する。シールド部材５８は、開口Ｈｏに対向する位置に設けられ、プラズマ処理の範囲を調節する調節穴５８ａが形成されている。

また、シールド部材５８は、図１２に示すように、トレイ１に載置されたワークＷの凸部Ｃｐに沿う凹部５８ｃを有する。凸部Ｃｐに沿うとは、凸部Ｃｐに倣う形状であることをいう。本実施形態では、凹部５８ｃは、凸部Ｃｐの湾曲に沿う曲面である。但し、凹部５８ｃと凸部Ｃｐとの間は間隔が空いている。つまり、凹部５８ｃを含むシールド部材５８の下端は、ワークＷの処理対象面Ｓｐに非接触で沿う形状に形成されている。ワークＷの処理対象面Ｓｐとシールド部材５８との間隔Ｄ２は、凸部Ｃｐと凹部５８ｃとの間隔も含めて、１ｍｍ〜１５ｍｍとすることが好ましい。これは、ワークＷの通過を許容するとともに、内部のガス空間Ｒの圧力を維持するためである。なお、本実施形態では、後述するように分散部５７とシールド部材５８との間に間隔ｄが生じるので、間隔Ｄ２と間隔ｄとを合わせても、１５ｍｍを超えないことが好ましい。

より具体的には、シールド部材５８は、図１１に示すように、筒状体５１と外形が略同一の角丸長方形状の環状のプレートであり、基体５８１、遮蔽板５８２を有する。基体５８１は、シールド部材５８の外形を形成する厚肉の平板部分である。基体５８１には、上記の凹部５８ｃが設けられている。遮蔽板５８２は、基体５８１の内縁に形成され、基体５８１よりも薄肉の平板部分であり、その内側に調節穴５８ａが形成されている。調節穴５８ａは、回転テーブル３１の外周側と外周より回転テーブル３１の中心側（以下、内周側と呼ぶ）とで大きさが異なっている。ワークＷに対してプラズマ処理、つまり膜処理を行う処理領域の枠は、調節穴５８ａで画される。

ここで、回転テーブル３１の外周側と内周側とを比べると、一定距離を通過する速度に差が生じる。つまり、本実施形態の筒状体５１のように、長径が回転テーブル３１の半径方向と平行となるように配置されている場合、筒状体５１の下部を回転テーブル３１が通過する時間は、内周側よりも外周側が短い。

このため、本実施形態では、内周側と外周側で、ワークＷがプラズマに晒される時間が同じになり、処理レートを合わせるために、上記のように、遮蔽板５８２によってプラズマを遮蔽する範囲を決定している。つまり、調節穴５８ａの形状によって、プラズマに晒される範囲を決定していることになる。このことは、シールド部材５８に、開口Ｈｏに対向する位置に設けられ、プラズマ処理の範囲を調節する遮蔽板５８２を有することと、プラズマ処理の範囲を調節する調節穴５８ａを有することとは、同義であることを意味している。調節穴５８ａの形状例としては、扇形や三角形を挙げることができる。また、開口Ｈｏより大きくならない範囲で、扇形や三角形の中心角の異なる遮蔽板５８２に交換することにより、遮蔽の範囲を変更できる。

シールド部材５８は、導電性材料で構成するとよい。また、電気抵抗が低い材料としてもよい。そのような材料として、アルミニウム、ステンレス又は銅が挙げられる。回転テーブル３１と同じ材料で構成しても良く、異なる材料で構成しても良い。シールド部材５８は、例えば、ステンレス鋼の板状部材の表面に酸化アルミニウムを溶射したものとしてもよい。シールド部材５８は、ワークＷと同様にプラズマ処理され、熱によって劣化するので交換する必要がある。そこで、プラズマ処理の内容に応じて、エッチング防止剤、酸化防止剤又は窒化防止剤でコーティングすることにより、交換頻度を減らすことができる。また、筒部Ｈと分離して構成されているので、交換作業は容易となる。

図３及び図１０に示すように、シールド部材５８は、支持部材５８ｂによって、対向部ｈの分散部５７と回転テーブル３１の間に、非接触で位置するように固定されている。支持部材５８ｂは、回転テーブル３１の外側から、シールド部材５８の半径方向外側を支持固定する部材である。支持部材５８ｂは、柱状の部材であり、内底面２０ｂから立設され、回転テーブル３１の表面よりも高い位置まで延びて、回転テーブル３１の外縁の外側に延びた基体５８１を支持している。つまり、分離構造のチャンバ２０の一方、つまり開閉可能な天井２０ａに筒部Ｈが設けられているのに対して、他方、つまり内底面２０ｂに回転テーブル３１及びシールド部材５８が設けられている。

シールド部材５８とワークＷとの間の間隔Ｄ２と、分散部５７とシールド部材５８との間の間隔ｄの関係について述べる。本実施形態では、分散部５７とシールド部材５８との間に間隔ｄが生じるので、ガス空間Ｒの圧力を維持するために、間隔Ｄ２をなるべく短くするとともに、間隔Ｄ２と間隔ｄとを合わせても、５ｍｍ以上で１５ｍｍを超えないことが好ましい。つまり、５ｍｍ≦Ｄ２＋ｄ≦１５ｍｍとするとよい。例えば、間隔Ｄ２＝間隔ｄ＝５ｍｍ程度とすることが考えられる。

さらに、シールド部材５８は、図１０に示すように、冷却部５８３を有する。冷却部５８３は、シールド部材５８の内部に設けられ、冷却水が流通する水路である。水路には、冷却水を循環供給する冷却水循環装置であるチラーに接続された供給口と排水口が連通している。このチラーにより冷却された冷却水が供給口から供給され、水路内を流通して排水口から排出されることを繰り返すことにより、シールド部材５８が冷却される。水路は配管により構成されるが、例えば、支持部材５８ｂに沿って内底面２０ｂを気密に通過して、チャンバ２０の外に延びている。

［ロードロック部］
ロードロック部６０は、真空室２１の真空を維持した状態で、図示しない搬送手段によって、外部から未処理のワークＷを搭載したトレイ１を、真空室２１に搬入し、処理済みのワークＷを搭載したトレイ１を真空室２１の外部へ搬出する装置である。このロードロック部６０は、周知の構造のものを適用することができるため、説明を省略する。

なお、図１３に示すように、チャンバ２０内には、ロードロック部６０を介して、外部と回転テーブル３１との間で、トレイ１を搬送するリフタ３５が設けられている。リフタ３５は、図示しない駆動機構によって、ロボットアームＡＭとの間でトレイ１の受け渡しを行う位置と、回転テーブル３１に対するトレイ１の上げ下げを行う位置との間を昇降する。このため、リフタ３５は、回転テーブル３１の開口３１ａ内を挿通可能に設けられている。

また、チャンバ２０内には、回転テーブル３１の停止位置を決める位置決めピン３６が設けられている。位置決めピン３６は先端が円錐形状であり、図示しない駆動機構によって、カム穴３１ｂに先端が挿脱する方向に移動する。モータ３２の制御によって回転テーブル３１の大まかな位置決めを行った後、位置決めピン３６の先端が、カム穴３１ｂに挿入されると、回転テーブル３１の搭載部３３の各トレイ１の位置が、ロードロック部６０に対応する位置に合う。

［制御装置］
制御装置７０は、真空処理装置１００の各部を制御する装置である。この制御装置７０は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって構成できる。つまり、真空室２１へのスパッタガスＧ１及びプロセスガスＧ２の導入および排気に関する制御、電源部６、ＲＦ電源５５ａの制御、回転テーブル３１の回転の制御などに関しては、その制御内容がプログラムされている。制御装置７０は、このプログラムがＰＬＣやＣＰＵなどの処理装置により実行されるものであり、多種多様なプラズマ処理の仕様に対応可能である。

具体的に制御される対象を挙げると以下の通りである。すなわち、モータ３２の回転速度、真空処理装置１００の初期排気圧力、スパッタ源４の選択、ターゲット４１及びアンテナ５５への印加電力、スパッタガスＧ１及びプロセスガスＧ２の流量、種類、導入時間及び排気時間、成膜及び膜処理の時間などである。

特に、本実施形態では、制御装置７０は、成膜部４０のターゲット４１への電力の印加、ガス供給部２５からのスパッタガスＧ１の供給量を制御することにより、成膜レートを制御する。また、制御装置７０は、アンテナ５５への電力の印加、供給部５３からのプロセスガスＧ２の供給量を制御することにより、膜処理レートを制御する。

［動作］
以上のような本実施形態の動作を説明する。なお、図示はしないが、真空処理装置１００には、ロボットアームＡＭによって、ワークＷを搭載したトレイ１の搬入、搬送、搬出が行われる。

複数のトレイ１は、図１３に示すように、ロボットアームＡＭによって、ロードロック部６０を介して、チャンバ２０内に順次搬入される。つまり、回転テーブル３１は、搭載部３３のトレイ１の搭載位置を、ロードロック部６０からの搬入箇所に移動させる。位置決めピン３６が上昇して先端がカム穴３１ｂに挿入されることにより、各トレイ１の搭載位置が、ロードロック部６０の下部に位置決めされる。

リフタ３５が上昇すると、ロボットアームＡＭに保持されたトレイ１を支持して、ロボットアームＡＭが退避する。リフタ３５が下降することにより、回転テーブル３１の搭載部３３上に、トレイ１が搭載される。これを順次繰り返すことにより、図２及び図３に示すように、ワークＷを搭載したトレイ１が、回転テーブル３１上に環状に搭載される。

このようにトレイ１が搭載されると、トレイ１の対向面１１は、凸部１１ａを含めて円周上に連続して、全て面一となる。さらに、敷板３３ａの表面とトレイ１の表面も、全て面一となる。このため、トレイ１と、シールド部材８及びシールド部材５８との間隔は、凸部Ｃｐも含めて、全周に亘って一定となる（図９、図１２参照）。また、トレイ１に載置されたワークＷの処理対象面Ｓｐは、シールド部材８、シールド部材５８に対して一定の間隔を維持しつつ、トレイ１の対向面１１よりも接近する。

以上のように真空処理装置１００に導入されたワークＷに対する膜を形成する処理は、以下のように行われる。なお、以下の動作は、成膜部４０Ａのみ及び膜処理部５０Ａのみといったように、成膜部４０と膜処理部５０の中からそれぞれ一つを稼働させて成膜及び膜処理を行う例である。但し、複数組の成膜部４０、膜処理部５０を稼働させて処理レートを高めてもよい。また、成膜部４０及び膜処理部５０による成膜及び膜処理の例は、酸窒化シリコンの膜を形成する処理である。酸窒化シリコンの膜を形成することは、ワークＷに原子レベルでシリコンを付着させる毎に、酸素イオン及び窒素イオンを浸透させる処理を、ワークＷを循環搬送させながら繰り返すことで行う。

まず、真空室２１は、排気部２３によって常に排気され減圧されている。そして、真空室２１が所定の圧力に到達すると、図２及び図３に示すように、回転テーブル３１が回転する。これにより、搭載部３３に保持されたワークＷは、搬送経路Ｔに沿って移動し、成膜部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃおよび膜処理部５０Ａ、５０Ｂの下を通過する。回転テーブル３１が所定の回転速度に達すると、次に、成膜部４０のガス供給部２５は、スパッタガスＧ１を、ターゲット４１の周囲に供給する。このとき、膜処理部５０の供給部５３も、プロセスガスＧ２をガス空間Ｒに供給する。

成膜部４０では、電源部６が各ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃに電力を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がプラズマ化する。スパッタ源４において、プラズマにより発生したイオン、ラジカル等の活性種は、ターゲット４１に衝突して成膜材料の粒子を飛ばす。このため、成膜部４０を通過するワークＷの表面には、その通過毎に成膜材料の粒子が堆積されて、膜が生成される。この例では、シリコンの層が形成される。

電源部６は、回転テーブル３１の内周側から外周側に行くに従って順次電力が大きくなるように、各ターゲット４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃに電力を印加する。このため、スパッタリングによる単位時間当たりの成膜量は、内周側から外周側に行くほど多くなるが、内周側から外周側に行くほど回転テーブル３１の通過速度は、速くなる。結果として、ワークＷの全体の膜厚は均一となる。

なお、ワークＷは、稼働していない成膜部４０や膜処理部５０を通過しても、成膜や膜処理は行われないため、加熱されない。この加熱されない領域において、ワークＷは熱を放出する。なお、稼働していない成膜部４０とは、例えば成膜ポジションＭ４、Ｍ５である。また、稼働していない膜処理部５０とは、例えば、膜処理ポジションＭ３である。

一方、成膜されたワークＷは、処理ユニット５における筒状体５１に対向する位置を通過する。処理ユニット５では、図３及び図１０に示すように、供給部５３から供給口５１２を介して、筒状体５１にプロセスガスＧ２である酸素及び窒素が供給され、ＲＦ電源５５ａからアンテナ５５に高周波電圧が印加される。高周波電圧の印加によって、窓部材５２を介して、ガス空間Ｒに電界がかかり、プラズマが生成される。生成されたプラズマによって発生した酸素イオン及び窒素イオンが、成膜されたワークＷの表面に衝突することにより、膜材料に浸透する。遮蔽板５８２は、開口Ｈｏの外縁部分を概ね覆うことによって、覆った部分においてプラズマを遮蔽する。したがって、プラズマ処理は、調節穴５８ａによって規定された範囲で行われる。

アンテナ５５に印加される印加電力を上昇させても、支持部５１０は冷却部５６によって冷却されるので、温度上昇が抑えられる。また、分散部５７も、冷却部５６によって冷却されるので、温度上昇が抑えられる。そして、支持部５１０と冷却部５６との間には熱伝導性の高いシート５６１が接触して介在し、分散部５７と冷却部５６との間には熱伝導性の高いシート５６２が接触して介在している。これにより、支持部５１０、分散部５７の熱は冷却部５６に効率よく伝達される。

さらに、プラズマによる酸素イオン及び窒素イオンが衝突することにより、シールド部材５８も加熱されるが、分散部５７とは間隔ｄ（図１２参照）を空けて分離しているので、その熱は分散部５７に伝達しない。仮に、シールド部材５８が熱変形したとしても、それによる歪みが分散部５７に伝達されることも防止される。また、シールド部材５８自体も、冷却部５８３によって冷却される。以上のことから、シールド部材５８、分散部５７、支持部５１０の加熱による熱変形が抑えられるので、窓部材５２の変形や損傷が防止される。

以上のような膜を形成する処理の間、回転テーブル３１は回転を継続しワークＷを搭載したトレイ１を循環搬送し続ける。このように、ワークＷを循環させて成膜と膜処理を繰り返すことにより、ワークＷの表面に化合物膜として酸窒化シリコンの膜が形成される。

回転テーブル３１が回転しても、トレイ１の対向面１１は、凸部１１ａを含めて円周上に連続していて、全て面一となっている。このため、ワークＷの載置されていない箇所においても、トレイ１とシールド部材８及びシールド部材５８との間隔が一定に維持され、大きく空くことがない。

酸窒化シリコンの膜が所望の膜厚となる所定の処理時間が経過したら、成膜部４０及び膜処理部５０を停止する。つまり、電源部６によるターゲット４１への電力の印加、供給口５１２からのプロセスガスＧ２の供給、ＲＦ電源５５ａによる電力の印加等を停止する。

このように、膜を形成する処理が完了した後、ワークＷを搭載したトレイ１は、回転テーブル３１の回転と位置決めピン３６により、順次、ロードロック部６０に位置決めされリフタ３５及びロボットアームＡＭにより、外部へ搬出される。

［作用効果］
以上のような本実施形態では、内部を真空とすることが可能なチャンバ２０と、チャンバ２０内に設けられた回転テーブル３１であって、当該回転テーブル３１の回転軸心を中心とする円周の軌跡でワークＷを循環搬送する回転テーブル３１と、回転テーブル３１に搭載され、ワークＷを載置する複数のトレイ１と、回転テーブル３１により搬送されるワークＷに対して、導入された反応ガスＧをプラズマ化して所定の処理を行う処理部と、を有し、処理部は、回転テーブル３１の径方向においてトレイ１の処理部に対向する面とトレイ１に載置されたワークＷの処理部に対向する面との間に、ワークＷが通過可能な間隔を空けて対向するシールド部材８、５８を有し、複数のトレイ１の処理部に対向する面は、円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有する。

このため、ワークＷとシールド部材８、５８との間隔に比べて、トレイ１とシールド部材８、５８との間隔が極端に拡大することが防止され、処理部からの反応ガスＧの漏洩を抑制することができる。また、異なる反応ガスＧを用いる処理部を含む場合に、反応ガスの漏洩による相互のコンタミネーションを防止できる。さらに、種々の形状のワークＷに対応した形状のトレイ１を用意しておくことで、トレイ１を交換するだけで、ワークＷの形状の変更に対応できる。

また、シールド部材８、５８とワークＷとの間隔を調整することによって、反応ガスＧの漏洩を抑制できる。シールド部材５８は、筒部Ｈから分離しているため、ワークＷとの間隔の調整を容易且つ正確に行うことができる。

ワークＷは、処理部に対向する面に凸部Ｃｐを有し、シールド部材８、５８は、ワークＷの凸部Ｃｐに沿う凹部８０、５８ｃを有する。このため、ワークＷに凸部Ｃｐがあっても、ワークＷとシールド部材８、５８との間隔が拡大することが防止され、反応ガスＧの漏洩を抑制できる。

トレイ１は、処理部に対向する面に、シールド部材８、５８の凹部８０、５８ｃに沿う凸部１１ａを有する。このため、トレイ１のワークＷが載置されていない部分においても、トレイ１とシールド部材８、５８との間隔が極端に拡大することが防止され、反応ガスＧの漏洩を、より一層抑制できる。

回転テーブル３１は、トレイ１の位置を規制する規制部３３ｂを有する。このため、回転テーブル３１の回転によるトレイ１のずれが防止され、ワークＷの位置が安定する。

［変形例］
（１）ワークＷの形状、種類及び材料は特定のものに限定されない。例えば、図２１に示すように、処理対象面Ｓｐが角度の異なる複数の平面で構成されることにより、異なる平面同士を連結する部分によって凸部Ｃｐが形成されたワークＷであってもよい。また、ワークＷの厚みによっては、ワークＷの処理対象面Ｓｐがトレイ１の対向面１１よりも上に突出する場合がある。この場合、シールド部材８、５８に、ワークＷの突出部分を避ける凹部８０、５８ｃを設けることになる。但し、ワークＷの処理対象面Ｓｐに、凸部Ｃｐがなくてもよい。ワークＷの材料としては、金属、カーボン等の導電性材料を含むもの、ガラスやゴム等の絶縁物を含むもの、シリコン等の半導体を含むものを用いても良い。シールド部材８、５８の凹部８０、５８ｃは、ワークＷの凸部Ｃｐに沿う形状であればよいため、ワークＷの形状に応じて、種々の形状とすることができる。また、トレイ１の凸部１１ａは、シールド部材８、５８の凹部８０、５８ｃに沿う形状であればよいため、凹部８０、５８ｃの形状に応じて、種々の形状とすることができる。

さらに、ワークＷの成膜される面は、上記の実施形態では、凸部Ｃｐを有する面を成膜していたが、反対側の面を成膜してもよい。例えば、凹部Ｒｐを有する面を成膜してもよい。この場合、シールド部材８、５８は、凹部Ｒｐに沿う凸部を有していればよい。また、トレイ１は、凹部Ｒｐに沿うとともに、シールド部材８、５８の凸部に沿う凹部を有していればよい。

例えば、図１４（Ａ）に示すように、断面が円弧状となるワークＷのように、ワークＷの処理対象面Ｓｐの全体が凸部Ｃｐとなっていてもよい。この場合、シールド部材８、５８の凹部８０、５８ｃも円弧状として、トレイ１の凸部１１ａも断面が円弧状となるように形成する。また、図１４（Ｂ）に示すように、両縁に凸部Ｃｐを有することにより、処理対象面Ｓｐの全体が処理部側に隆起して接近している形状でもよい。この場合、シールド部材８、５８の凹部８０、５８ｃ、トレイ１の凸部１１ａも処理対象面Ｓｐに沿う形状となるように形成する。

（２）シールド部材８に、図１５に示すように、調整部８５を設けてもよい。調整部８５は、成膜される膜の膜厚分布を調整する部材である。調整部８５は、成膜領域Ｆの一部に、成膜材料のスパッタ粒子を遮蔽する領域を形成することにより、膜厚分布を補正する。つまり、スパッタ粒子が多く付着して膜が厚くなり易い箇所に、必要以上にスパッタ粒子が付着しないように遮蔽する部分である。つまり、調整部８５は、成膜材料を遮る遮蔽部である。

例えば、図１５では、シールド部材８の隔壁８３ｄの下端に、成膜室Ｓの内部の方向に突出した面により、調整部８５を構成する。ワークＷの凸部Ｃｐによって、処理対象面Ｓｐがターゲット４１に近づくことにより、膜厚分布が厚くなる箇所に、成膜室Ｓ側に突出した山を形成している。これにより、山の部分でスパッタ粒子を遮蔽して、ワークＷへ必要以上に付着することが防止されるので、膜厚分布を均一にすることができる。

（３）シールド部材８を、チャンバ２０の天井２０ａに取り付けるのではなく、支柱等により、チャンバ２０の内底面又は内周面に支持される構成としてもよい。これにより、開閉される天井２０ａから、シールド部材８を分離することができ、シールド部材８とワークＷとの間隔の調整を容易且つ正確に行うことができる。

（４）図１６に示すように、凹部８０を、シールド部材８に着脱可能な着脱部材８６に設けてもよい。例えば、着脱部材８６を、シールド部材８の隔壁８３ｃ、８３ｄに着脱自在に設ける。着脱部材８６は、隔壁８３ｄと同様の形状であるが、その下縁に、凹部８０ａが形成されている。着脱部材８６には、位置決め用の位置決め部Ｌが形成されている。本態様の位置決め部Ｌは、爪を屈曲させたフック状となっている。隔壁８３ｃ、８３ｄには、複数の略方形の肉抜孔Ｎａが形成され、軽量化が図られている。肉抜孔Ｎａの下縁には、位置決め部Ｌが係止される係止部Ｎｂが形成されている。本態様の係止部Ｎｂは、フック状の位置決め部Ｌが嵌る切欠きとなっている。

また、成膜室Ｓにおけるスパッタリング時の成膜材料は着脱部材８６に付着するので、着脱部材８６は、シールド部材８への膜の形成を防止する防着板としても機能する。着脱部材８６を外して清掃又は交換することにより、膜を除去することができる。このため、重量物であるシールド部材８を清掃又は交換する手間を省くことができる。

なお、シールド部材８は、上記の実施形態では、処理部を全周で囲む壁を備えた構成となっている。但し、シールド部材８は、回転テーブル３１の径方向において、トレイ１の処理部に対向する面とトレイ１に載置されたワークＷの処理部に対向する面との間に、ワークＷが通過可能な間隔を空けて対向していればよい。つまり、シールド部材８は、反応ガスＧの漏れを防ぐ機能を有していればよい。このため、例えば、シールド部材８は少なくとも隔壁８３ｃ、８３ｄを有していればよい。

（５）図１７に示すように、トレイ１に、ワークＷが嵌め込まれる嵌込部１１ｂを設けてもよい。嵌込部１１ｂは、ワークＷの厚み方向の一部又は全部が埋め込まれる窪みである。これにより、ワークＷの処理対象面Ｓｐと、トレイ１の表面との高低差を少なくして、ワークＷ以外のトレイ１の表面とシールド部材８、５８との隙間が拡大することを防止して、反応ガスの漏れをより一層抑制できる。

この場合、トレイ１の表面とワークＷの処理対象面Ｓｐとが面一となるように、嵌込部１１ｂの深さを設定することが好ましい。このための構成としては、例えば、図１８に示すように、嵌込部１１ｂの深さと、ワークＷの厚みを略一致させてもよい。また、図１９に示すように、スペーサ１１ｃを用いて、トレイ１の表面とワークＷの処理対象面Ｓｐとが面一となるようにしてもよい。例えば、嵌込部１１ｂの底面を、回転テーブル３１に近い低位の平坦面に合わせ、スペーサ１１ｃを介してワークＷを載置することにより、トレイ１の表面とワークＷの処理対象面Ｓｐとが面一となるようにしてもよい。この場合、ワークＷの厚さが均等で、これに合わせてスペーサ１１ｃの厚さが部分的に異なっていてもよい（図中α）。ワークＷの厚さが部分的に異なっていて、これを補うように、均等な厚さのスペーサ１１ｃを介在させて、トレイ１の表面とワークＷの処理対象面Ｓｐとが面一となるようにしてもよい（図中β）。

（６）回転テーブル３１により同時搬送されるトレイ１、ワークＷの数は、少なくとも１つであればよく、上記の実施形態で例示した数には限定されない。つまり、１つのトレイ１、１つのワークＷが循環搬送される態様でもよく、２つ以上のトレイ１、２つ以上のワークＷが循環搬送される態様でもよい。トレイ１が搭載部３３の一部にのみ搭載されたとしても、規制部３３ｂによってトレイ１のずれが防止される。

（７）複数のトレイ１の対向面１１は、図２０に示すように、円周の軌跡に沿って連続して面一となるように形成されていればよく、必ずしも凸部１１ａを有していなくてもよい。例えば、トレイ１の対向面１１が平坦面であってもよい。また、シールド部材８、５８が、凹部８０、５８ｃを有していなくてもよい。つまり、複数のトレイ１の対向面１１が円周の軌跡に沿って連続して面一となるように形成されていれば、ワークＷが存在しない箇所で、トレイ１とシールド部材８、５８との間隔が極端に拡大することが防止され、反応ガスＧの漏洩を抑制できる。

（８）搭載部３３は、回転テーブル３１に直接形成した窪みによって構成してもよい。また、トレイ１は、回転テーブル３１上に敷き詰めることができればよいため、搭載部３３は、必ずしも窪んだ領域として設ける必要はない。例えば、トレイ１が、半径方向において、シールド部材８、５８よりも長い場合には、回転テーブル３１の表面は平坦であってもよい。なお、トレイ１を保持するための構成としては、溝、穴、突起、治具、ホルダ、メカチャック、粘着チャック等を有していてもよい。

（９）図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、回転テーブル３１の表面に、シールド部材８、５８の凹部８０、５８ｃに沿う凸部３１ｃが、円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有するように形成してもよい。この場合も、図２２（Ａ）に示すように、回転テーブル３１の表面とトレイ１の対向面１１とが面一となるように設定することが好ましい。つまり、対向面１１に凸部１１ａを有するトレイ１を搭載すると、回転テーブル３１の表面とトレイ１が円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有する搭載部３３を、回転テーブル３１に設ける構成としてもよい。この場合には、ワークＷが存在しない箇所で、トレイ１とシールド部材８、５８との間隔が極端に拡大することが防止されるとともに、トレイ１が存在しない箇所においても、回転テーブル３１の表面とシールド部材８、５８との間隔が極端に拡大することが防止され、反応ガスＧの漏洩を抑制できる。

また、上記のように、回転テーブル３１の表面に凸部３１ｃを設ける場合に、図２２（Ｂ）に示すように、回転テーブル３１に直接形成した窪みによって、ワークＷを嵌め込む嵌込部３１ｄを設けてもよい。この場合、凸部Ｃｐを有するワークＷを嵌込部３１ｄに嵌め込むと、回転テーブル３１の表面とワークＷの表面が円周の軌跡に沿って面一となる。このように構成しても、ワークＷが存在しない箇所で、回転テーブル３１とシールド部材８、５８との間隔が極端に拡大することが防止され、反応ガスＧの漏洩を抑制できる。

（１０）成膜材料については、スパッタリングにより成膜可能な種々の材料を適用可能である。例えば、タンタル、チタン、アルミニウム等を適用できる。化合物とするための材料についても、種々の材料を適用可能である。

（１１）成膜部におけるターゲットの数は、３つには限定されない。ターゲットを１つとしても、２つとしても、４つ以上としてもよい。ターゲットの数を多くして、印加電力を調節することによって、より細かい膜厚の制御が可能となる。また、成膜部を１つとしても、２つとしても、４つ以上としてもよい。成膜部の数を多くして、成膜レートを向上させることができる。これに応じて、膜処理部の数も多くして、膜処理レートを向上させることができる。

（１２）成膜部４０及び膜処理部５０のいずれか一方のみを作動させるように運転してもよい。また、処理部としては、成膜部４０及び膜処理部５０の少なくとも一方を有していればよい。さらに、処理部は、成膜及びこれに対する膜処理には限定されない。プラズマによって発生させた活性種を利用して、処理対象に処理を行う真空処理装置に適用できる。例えば、処理ユニットにおいて、ガス空間内にプラズマを発生させて、エッチング、アッシング等の表面改質、クリーニング等を行う真空処理装置として構成してもよい。この場合、例えば、アルゴン等の不活性ガスをプロセスガスとすることが考えられる。

（１３）筒状体、窓部材、アンテナの形状も、上記の実施形態で例示したものには限定されない。水平断面が方形、円形、楕円形であってもよい。上記の実施形態では、筒部Ｈとシールド部材５８とが、分離した構造であったが、筒部Ｈとシールド部材５８とが一体となった構造も、本発明に含まれる。さらに、成膜部４０、膜処理部５０は、上記の態様には限定されない。例えば、膜処理部５０で発生させるプラズマは、誘導結合プラズマには限定されない。

（１４）回転テーブル３１にトレイ１を搭載する搭載部３３を有する真空処理装置、上記のようなトレイ１も本発明の一態様である。

（１５）上記の態様では、水平に配置した回転テーブル３１の上面に搭載部３３を設け、この回転テーブル３１を水平面内で回転させ、この回転テーブル３１の上方に成膜部４０および膜処理部５０を配置するものとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、回転テーブル３１の配置は、水平に限らず垂直の配置でも傾斜した配置でも良い。また、搭載部３３も、回転テーブル３１の少なくとも一方の面に設けられていれば良く、水平配置した回転テーブル３１の下面に設けるようにしても良い。さらに、回転テーブル３１の両方の面に設けるようにしても良い。また、成膜部４０と膜処理部５０は、回転テーブル３１の搭載部３３が設けられた面に対向して配置されていれば良い。したがって、例えば、水平配置した回転テーブル３１の下面に搭載部３３を設けた場合は、成膜部４０と膜処理部５０を、回転テーブル３１の下側から回転テーブル３１に対向する位置に配置すればよい。なお、回転テーブル３１を垂直や傾斜した配置としたり、回転テーブル３１の下側に搭載部３３を設けたりした場合、搭載部３３にトレイ１を着脱自在に保持するための保持機構、例えば、チャック機構などを設けると良い。また、合わせてトレイ１にも、ワークを着脱自在に保持するためのチャック機構などの保持機構や、ワークを嵌め込むことで保持させることのできる爪部材などにより挟持する保持機構を設けるようにしても良い。

成膜部４０と膜処理部５０を、回転テーブル３１の下側から回転テーブル３１に対向する位置に配置する変形例を、図２３〜図２９を参照して説明する。図２３は、変形例の回転テーブル３１の下面図、図２４は、変形例の回転テーブル３１を組み込んで、成膜部４０及び膜処理部５０を回転テーブル３１の下側に配置した真空処理装置のＣ−Ｃ線断面図である。図２５は、変形例のトレイ１を示す斜視図である。図２６は、トレイ１に対するワークＷの装着、回転テーブル３１に対するトレイ１の装着を示す説明図である。図２７は、他の変形例のトレイ１を示す分解斜視図である。図２８は、他の変形例のトレイ１を示す分解斜視図、図２９（Ａ）は斜視図、図２９（Ｂ）は断面図である。

（成膜部及び膜処理部）
図２４に示すように、成膜部４０及び膜処理部５０は、回転テーブル３１の下側に配置されている。成膜部４０及び膜処理部５０は、上記の態様と同様の構成であるが、上下が反転されて設置されている。このため、シールド部材８の開口８１、シールド部材５８の調節穴５８ａ（図１０、図１１参照）は上方に向き、回転テーブル３１の下側に対向している。

シールド部材８は、天井部８２がチャンバ２０の内底面２０ｂと接するように取り付けられている。ここでいう天井部８２は、この変形例では下側となる。シールド部材５８は、上記の態様と同様に、支持部材５８ｂによって、対向部ｈの分散部５７と回転テーブル３１の間に、非接触で位置するように固定されている。

（トレイ）
トレイ１は、図２５の斜視図に示すように、略扇形形状の板状体である。なお、図２５は、成膜部４０、膜処理部５０に対向する対向面１１側を上にして示している。トレイ１が回転テーブル３１に搭載される際には、図２３、図２４、図２６（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、対向面１１は下側に向かう。ここで、トレイ１の対向面１１を有する側を対向部Ｘ１、その反対面の側を支持部Ｘ２とする。

トレイ１の支持部Ｘ２の外形形状は、対向部Ｘ１の外形形状と略同一であるが、そのサイズは、対向部Ｘ１よりも一回り大きい。このため、トレイ１は、対向部Ｘ１の外周よりも支持部Ｘ２の外周が、全周に亘って外側に張り出した張出部１５を有している。また、対向部Ｘ１は、シールド部材８の凹部８０、シールド部材５８の凹部５８ｃに沿う凸部１１ａを有する。

トレイ１は、上下方向に貫通した複数の開口１６を有する。ここで、図２６（Ａ）に示すように、開口１６は、支持部Ｘ２側が対向部Ｘ１側よりも一回り大きくなっている。より具体的には、開口１６の支持部Ｘ２側は、ワークＷをトレイ１の内部に入れることが可能な大きさの挿入部１６ａとなっている。また、開口１６の対向部Ｘ１側は、内側に隆起してトレイ１を保持可能な保持部１６ｂとなっている。保持部１６ｂの内周は、ワークＷの外形と略同一の形状であるが、ワークＷより一回り小さくなっているため、図２３、図２４、２６（Ｂ）に示すように、挿入部１６ａから挿入されたワークＷの処理対象面Ｓｐの外周を保持する。

（回転テーブル）
回転テーブル３１には、図２４及び図２６（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、開口３１ａが設けられている。開口３１ａは、回転テーブル３１の各トレイ１が載置される円周等配位置に設けられた貫通孔である。開口３１ａは、トレイ１の対向部Ｘ１の外形と略同一の形状であり、対向部Ｘ１の外形より僅かに大きくなっているため、対向部Ｘ１が嵌り合うように形成されている。

回転テーブル３１の上面には、開口３１ａの周囲にトレイ１の張出部１５が載置される載置面３１ｅが設けられるとともに、上記の態様と同様に敷板３３ａに規制部３３ｂが設けられている。

そして、回転テーブル３１の下面は、シールド部材８、５８の凹部８０、５８ｃに沿う凸部３１ｃが、円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有するように形成されている。このように、面一となる部分を有する形状は、上下が反転している以外は、上記の態様と同様である。

なお、トレイ１にワークＷを載置した状態では、開口１６の下端は、数ｍｍ以下の開口深さを有する。このように数ｍｍ以下の段差を有する部分があっても、本発明の目的である処理部からの反応ガスの漏れの抑制が可能である。このため、この程度の僅かな段差は、本発明では「面一」に含まれる。つまり、「複数のトレイの処理部に対向する面は、円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有する」の「面一」は、正確に連続した面である必要はなく、僅かな段差を含んでいてもよい。また、この変形例のような構成であってもトレイ１の対向面１１と回転テーブル３１の下面とを、回転中心側において、円周の軌跡に沿って連続して面一とすることもできる。

（トレイの装着）
このような変形例では、図２６（Ａ）に示すように、ワークＷは、開口１６の挿入部１６ａからトレイ１の内部に挿入され、図２６（Ｂ）に示すように、ワークＷの処理対象面Ｓｐの外周が、開口１６の保持部１６ｂによって保持される。このため、トレイ１には、ワークＷを保持するための複雑な機構を設ける必要がない。

そして、図２３、図２６（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、ワークＷを載置したトレイ１の対向部Ｘ１を、回転テーブル３１の開口３１ａに嵌め合わせると、支持部Ｘ２の張出部１５が、開口３１ａの周囲の載置面３１ｅによって支持される。また、張出部１５の外周の位置が、敷板３３ａの規制部３３ｂによって規制される。このように、トレイ１を回転テーブル３１に搭載すると、対向面１１が回転テーブル３１の開口３１ａを貫通し、回転テーブル３１の下面側に露出する。このため、回転テーブル３１に、トレイ１を着脱自在に保持するための複雑な保持機構を設ける必要がない。さらに、ワークＷの処理対象面が下方を向いていると、塵、埃、装置内に付着した成膜材料等が、重力により落下してワークＷに付着することが防止される。

また、ワークＷの処理対象面Ｓｐが下方を向いても、トレイ１から落下しないように保持する例として、図２７に示すように、スライドベース１１ｄ及びスペーサ１１ｃを用いる例を説明する。すなわち、トレイ１の対向面１１に形成された嵌込部１１ｂの内壁に、トレイ１の平面に平行な溝１１ｅを形成する。スライドベース１１ｄは、直方体形状であり、その相反する側面に、溝１１ｅに挿入される凸部１１ｆが形成されている。スライドベース１１ｄにおける対向面１１側の面には、両面粘着テープ等の粘着材１１ｇを介して、スペーサ１１ｃが貼り付けられる。スペーサ１１ｃの対向面１１側の面には、粘着材１１ｇを介して、ワークＷが貼り付けられる。このようにワークＷを搭載したスライドベース１１ｄの凸部１１ｆを溝１１ｅに挿入することにより、嵌込部１１ｂに対して、スライドベース１１ｄ及びスペーサ１１ｃとともにワークＷを装着する。このとき、ワークＷの処理対象面Ｓｐは、トレイ１の対向面１１と面一となることが好ましい。

この例では、以下のような作用効果が得られる。
（１）粘着材１１ｇでワークＷの裏面を支持するので、ワークＷの処理対象面Ｓｐの全面に成膜することができる。
（２）スペーサ１１ｃの形状を変化させることで、異なる形状のワークＷに対応することができる。
（３）トレイ１の対向面１１の全面に粘着材１１ｇを設ける場合と比べると、粘着材１１ｇの面積を必要最小限とすることができるので、粘着材１１ｇからのアウトガスの量を減らすことができ、成膜前の排気時間の短縮が可能となる。
（４）ワークＷをスペーサ１１ｃに真空中で貼り合わせるので、トレイ１に比べると小さなチャンバで貼り合わせが可能となり、排気時間の短縮が可能となる。

なお、スライドベース１１ｄを省略して、トレイ１とスペーサ１１ｃが一体となっている構成としてもよい。この場合にも、上記の（１）、（３）の作用効果が得られる。また、スペーサ１１ｃにワークＷを保持する保持手段は、粘着材１１ｇに替えて、静電チャックを用いてもよい。

また、図２８、図２９に示すように、トレイ１を、対向部Ｘ１と支持部Ｘ２とに分解可能に構成してもよい。この場合、例えば、対向部Ｘ１と支持部Ｘ２との間に、スペーサ１１ｃを介してワークＷを挟んで固定する。すなわち、図２８に示すように、対向部Ｘ１には、ネジ１７の胴部が挿入される取付孔１８が複数形成され、支持部Ｘ２には、ネジ１７の胴部がねじ込まれるネジ穴１９ａが複数形成されている。スペーサ１１ｃは、ワークＷの載置面とは反対側の面に、直方体の固定ブロック１１ｈを有している。支持部Ｘ２には、対向部Ｘ１の開口１６に対応する位置に、固定ブロック１１ｈが挿入される複数の孔である嵌込部１１ｂが設けられている。各嵌込部１１ｂに固定ブロック１１ｈを挿入することにより、スペーサ１１ｃが支持部Ｘ２に固定される。なお、このように、嵌込部１１ｂには、スペーサ１１ｃのみ嵌め込まれる態様も含まれる。

図２９（Ａ）に示すように、スペーサ１１ｃにワークＷを載置して、対向部Ｘ１を被せ、ネジ１７を各取付孔１８に挿入してネジ１７によって締め付けることにより、対向部Ｘ１と支持部Ｘ２とを固定する。ワークＷは、図２９（Ｂ）に示すように、スペーサ１１ｃと保持部１６ｂに挟まれるとともに、処理対象面Ｓｐを開口１６から露出させることができる。トレイ１をあらかじめ一体的に形成することは加工が難しいが、別体で構成された対向部Ｘ１と支持部Ｘ２を合わせるようにすれば、トレイ１の作製が容易となる。

［他の実施形態］
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。

１００ 真空処理装置
１ トレイ
１１ 対向面
１１ａ 凸部
１１ｂ 嵌込部
１１ｃ スペーサ
１１ｄ スライドベース
１１ｅ 溝
１１ｆ 凸部
１１ｇ 粘着材
１１ｈ 固定ブロック
１２ 斜面
１３ 内周面
１４ 外周面
１４ａ 規制面
１５ 張出部
１６ 開口
１６ａ 挿入部
１６ｂ 保持部
１７ ネジ
１８ 取付孔
１９ａ ネジ穴
２０ チャンバ
２０ａ 天井
２０ｂ 内底面
２０ｃ 内周面
２１ 真空室
２１ａ 開口
２１ｂ シール部材
２２ 排気口
２３ 排気部
２４ 導入口
２５ ガス供給部
３０ 搬送部
３１ 回転テーブル
３１ａ 開口
３１ｂ カム穴
３１ｃ 凸部
３１ｄ 嵌込部
３１ｅ 載置面
３２ モータ
３３ 搭載部
３３ａ 敷板
３３ｂ 規制部
３５ リフタ
３６ 位置決めピン
４０、４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ 成膜部
４ スパッタ源
４１、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ ターゲット
４２ バッキングプレート
４３ 電極
５ 処理ユニット
５０、５０Ａ、５０Ｂ 膜処理部
５１ 筒状体
５１ａ 開口
５１ｂ 外フランジ
５１０ 支持部
５１２ 供給口
５２ 窓部材
５３ 供給部
５３ｂ、５３ｃ 配管
５５ アンテナ
５５ａ ＲＦ電源
５５ｂ マッチングボックス
５６ 冷却部
５６１、５６２ シート
５７ 分散部
５７ａ 分散板
５８ シールド部材
５８ａ 調節穴
５８ｂ 支持部材
５８ｃ 凹部
５８１ 基体
５８２ 遮蔽板
５８３ 冷却部
６ 電源部
６０ ロードロック部
７０ 制御装置
８ シールド部材
８０ 凹部
８１ 開口
８２ 天井部
８２ａ ターゲット孔
８３ 側面部
８３ａ 外周壁
８３ｂ 内周壁
８３ｃ、８３ｄ 隔壁
８５ 調整部
８６ 着脱部材
Ｄ１、Ｄ２、ｄ 間隔
Ｅ 排気
Ｔ 搬送経路
Ｌ 位置決め部
Ｍ１、Ｍ３ 膜処理ポジション
Ｍ２、Ｍ４、Ｍ５ 成膜ポジション
Ｎａ 肉抜孔
Ｎｂ 係止部
Ｇ 反応ガス
Ｇ１ スパッタガス
Ｇ２ プロセスガス
Ｆ 成膜領域
Ｈ 筒部
Ｈｏ 開口
ｈ 対向部
Ｒ ガス空間
Ｓ 成膜室
Ｗ ワーク
Ｓｐ 処理対象面
Ｃｐ 凸部
Ｒｐ 凹部

Claims (11)

1. 内部を真空とすることが可能なチャンバと、
   前記チャンバ内に設けられた回転テーブルであって、当該回転テーブルの回転軸心を中心とする円周の軌跡でワークを循環搬送する回転テーブルと、
   前記回転テーブルに搭載され、前記ワークを載置する複数のトレイと、
   前記回転テーブルにより搬送される前記ワークに対して、導入された反応ガスをプラズマ化して所定の処理を行う処理部と、
   を有し、
   前記処理部は、前記回転テーブルの径方向において前記トレイの前記処理部に対向する面と前記トレイに載置された前記ワークの前記処理部に対向する面との間に、前記ワークが通過可能な間隔を空けて対向するシールド部材を有し、
   複数の前記トレイの前記処理部に対向する面は、前記円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有することを特徴とする真空処理装置。
2. 前記ワークは、前記処理部に対向する面に凸部を有し、
   前記シールド部材は、前記ワークの凸部に沿う凹部を有することを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
3. 前記トレイは、前記処理部に対向する面に、前記シールド部材の凹部に沿う凸部を有することを特徴とする請求項２記載の真空処理装置。
4. 前記シールド部材には、成膜される膜の膜厚分布を調整する調整部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の真空処理装置。
5. 前記回転テーブルは、前記トレイの位置を規制する規制部を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の真空処理装置。
6. 前記トレイは、前記ワークが嵌め込まれる嵌込部を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の真空処理装置。
7. 前記処理部は、前記ワークに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて膜を形成する成膜部を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の真空処理装置。
8. 前記処理部は、前記ワークに形成された膜と反応ガスとを反応させる膜処理を行う膜処理部を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の真空処理装置。
9. 内部を真空とすることが可能なチャンバと、
   前記チャンバ内に設けられ、円周の軌跡でワークを循環搬送する回転テーブルと、
   前記回転テーブルにより搬送される前記ワークに対して、導入された反応ガスをプラズマ化して所定の処理を行う処理部と、
   を有し、
   前記ワークは、前記処理部に対向する面に凸部を有し、
   前記処理部は、前記回転テーブルにより搬送される前記ワークに間隔を空けて対向し、前記ワークの凸部に沿う凹部を有するシールド部材を有し、
   前記回転テーブルの表面に、前記シールド部材の凹部に沿う凸部が設けられ、
   前記回転テーブルの凸部の表面が、前記円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有することを特徴とする真空処理装置。
10. 前記回転テーブルは、前記ワークが載置されるトレイが搭載されることにより、前記回転テーブルの表面と前記トレイの表面とに、前記円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分が生じる搭載部を有することを特徴とする請求項９記載の真空処理装置。
11. 内部を真空とすることが可能なチャンバと、前記チャンバ内に設けられた回転テーブルであって、当該回転テーブルの回転軸心を中心とする円周の軌跡でワークを循環搬送する回転テーブルと、前記回転テーブルにより搬送される前記ワークに対して、導入された反応ガスをプラズマ化して所定の処理を行う処理部と、を有し、前記処理部が、前記回転テーブルの径方向において前記ワークの前記処理部に対向する面との間に、前記ワークが通過可能な間隔を空けて対向するシールド部材を有する真空処理装置に使用され、前記ワークが載置されるトレイであって、
    前記回転テーブルに複数搭載されることにより、前記処理部に対向する面が、前記円周の軌跡に沿って連続して面一となる部分を有することを特徴とするトレイ。

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