JP2019035798A - エレクトロデポジション素子を駆動する駆動回路 - Google Patents

Abstract

【課題】完全透過状態等の所定の透過状態において、イオン化した材料が電極に析出を開始する際の反応速度を早める。【解決手段】透過率保持パルス生成部２０は、エレクトロデポジション素子２の透過状態を完全透過状態等の所定の透過状態に保持する待機期間において、予め設定された周波数ｆ、デューティ比ｔ／Ｔ、第１電圧Ｖ１及び第２電圧Ｖ２に基づいて、周波数ｆに対応する周期の透過率保持パルスＰのパターンを生成し、透過率保持パルスＰのパターンを連続的にエレクトロデポジション素子２へ出力する。析出開始電圧生成部２１は、エレクトロデポジション素子２の透過状態を減光状態に保持する減光期間において、予め設定された析出開始電圧である第３電圧Ｖ３をエレクトロデポジション素子２へ印加する。これにより、金属イオンが析出し易くなり、金属イオンの拡散速度を早めることができる。【選択図】図２

Description

本発明は、撮像装置、表示装置等の調光装置に用いるエレクトロデポジション素子を駆動する駆動回路に関する。

従来、電圧を印加して電気化学的な酸化または還元反応を用い光の吸収現象を起こす種々のエレクトロクロミック材料が知られている。例えば有機材料では、還元発色するビオロゲン誘導体、酸化発色するフェロセンがあり、無機材料では、還元発色するＷＯ３がある。また、溶媒中にイオン化した材料を電極に析出させ調光させる電析現象いわゆるエレクトロデポジション法が知られている。このエレクトロデポジション法を用いて、溶媒中に金属イオンを分散させ電気的制御を行うことで電気化学的反応を起こすエレクトロデポジション素子が知られている。

この電気化学的反応は、色の変化におけるコントラストが高く、また低消費電力等の利点があることから、撮像装置、表示装置、窓、顕微鏡、内視鏡等の調光装置（調光機能を備えた装置）への応用が期待されている。

特に、銀イオン等の金属イオンを用いたエレクトロデポジション素子は、可視光領域の分光特性が平坦であるため、平坦な分光特性を維持したまま透過率を変化させることができる（例えば、非特許文献１を参照）。

エレクトロデポジション素子を撮像装置に用いた場合には、撮像素子への入射光量を変化させることができる。つまり、レンズの絞りに頼ることなく入射光量を変化させることができるから、被写界深度の変化や、回折による小絞りボケを伴わない撮影が可能となる。このため、エレクトロデポジション素子は、発色に影響することなく入射光量のみを少なくする電子式可変ＮＤ（Neutral Density）フィルタへの応用が期待される。

また、エレクトロデポジション素子を用いた表示装置においては、エレクトロデポジション素子を駆動するための様々な手法が提案されている。例えば、エレクトロデポジション素子の減光状態を適正な状態に制御する手法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。この手法は、金属イオンが析出する閾値以下の電圧パルスを印加し、そのときの電流値を検出し、電流値に応じて書き込みパルスを印加し、これらの動作を繰り返すことで、画素の濃度を制御するものである。

特許第３９５１９５０号

宮川和典、菊地幸大他、"金属塩析出型エレクトロクロミック調光素子の試作"、映像情報メディア学会冬季大会、１５Ｂ−１、２０１６年

前述のとおり、エレクトロデポジション素子は、高コントラスト、低消費電力等の利点があることから、将来、撮像装置、表示装置等の様々な調光装置に使用されることが期待される。しかしながら、エレクトロデポジション素子は、金属イオンが電解液中を拡散移動する速度が遅いため、減光速度が遅いことが知られている。

析出反応に寄与する金属イオンの動作速度は、この移動速度に律速されてしまい低速であることから、一般に、透過率が変化するときの応答は遅くなってしまう。つまり、エレクトロデポジション素子では、例えば完全透過状態（無析出状態）から減光状態へ変化するまでの時間がかかってしまう。

このように、エレクトロデポジション素子は、所定の透過状態より透過率の低い減光状態へ変化するときに、金属イオンが電極に析出する際の反応速度が遅く、時間がかかるという問題があった。

そこで、本発明は前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、完全透過状態等の所定の透過状態において、イオン化した材料が電極に析出を開始する際の反応速度を早めることが可能な、エレクトロデポジション素子を駆動する駆動回路を提供することにある。

前記課題を解決するために、請求項１の駆動回路は、エレクトロデポジション素子の透過状態を変化させるための電圧を印加する駆動回路において、所定の透過状態のときに、前記エレクトロデポジション素子に含まれるイオン化した材料へエネルギーを与え、当該イオン化した材料を振動させ、前記所定の透過状態から、当該所定の透過状態よりも透過率の低い減光状態へ変化させるときに、前記エレクトロデポジション素子に含まれる電極に前記イオン化した材料の結晶核が生成される予め設定された結晶核生成電圧を超える所定の電圧を、前記エレクトロデポジション素子へ印加する、ことを特徴とする。

また、請求項２の駆動回路は、エレクトロデポジション素子の透過状態を変化させるための電圧を印加する駆動回路において、所定の透過状態のときに、前記エレクトロデポジション素子に含まれるイオン化した材料へエネルギーを与えて前記イオン化した材料を振動させるための電圧として、前記エレクトロデポジション素子に含まれる電極に生成された前記イオン化した材料の結晶核が成長する予め設定された結晶成長電圧を基準に、当該結晶成長電圧を上下して変化するパルスを生成し、当該パルスを所定の周期にて連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加するパルス生成部と、前記所定の透過状態から、当該所定の透過状態よりも透過率の低い減光状態へ変化させるときに、前記イオン化した材料が析出を開始する電圧として、前記エレクトロデポジション素子に含まれる電極に前記イオン化した材料の結晶核が生成される予め設定された結晶核生成電圧を超える所定の析出開始電圧を生成し、当該析出開始電圧を前記エレクトロデポジション素子へ印加する析出開始電圧生成部と、を備えたことを特徴とする。

また、請求項３の駆動回路は、請求項２に記載の駆動回路において、前記結晶核生成電圧以下であって、かつ前記結晶成長電圧以上の所定の電圧を第１電圧とし、前記結晶成長電圧よりも小さい所定の電圧を第２電圧として、前記パルス生成部が、予め設定された周波数、前記第１電圧、前記第２電圧、並びに当該第１電圧及び当該第２電圧のデューティ比に基づいて、前記周波数に対応する周期の前記パルスのパターンを生成し、当該パルスのパターンを連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加する、ことを特徴とする。

また、請求項４の駆動回路は、請求項３に記載の駆動回路において、前記パルス生成部が、前記第２電圧を含む前記パルスのパターンを連続して印加する際に、前記第２電圧を印加する期間の間、当該駆動回路から前記エレクトロデポジション素子へ電圧を印加する回路をオープンとする、ことを特徴とする。

また、請求項５の駆動回路は、請求項１から４までのいずれか一項に記載の駆動回路において、前記所定の透過状態を完全透過状態とする、ことを特徴とする。

また、請求項６の駆動回路は、請求項３または４に記載の駆動回路において、前記パルス生成部が、完全透過状態のときに、前記パルスのパターンを完全透過用パルスのパターンとして生成し、当該完全透過用パルスのパターンを連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加し、前記析出開始電圧生成部が、前記完全透過状態から前記減光状態へ変化させるときに、前記析出開始電圧を前記エレクトロデポジション素子へ印加し、前記パルス生成部が、前記析出開始電圧生成部による前記析出開始電圧の印加に伴い変化した前記減光状態に対応する透過状態のときに、前記完全透過用パルスのパターンとは異なる透過用パルスのパターンを生成し、当該透過用パルスのパターンを連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加する、ことを特徴とする。

また、請求項７の駆動回路は、請求項３または４に記載の駆動回路において、さらに、前記減光状態から完全透過状態へ変化させるときに、前記イオン化した材料の結晶核を溶解させる予め設定された透過戻し電圧を生成し、当該透過戻し電圧を前記エレクトロデポジション素子へ印加する透過戻し電圧生成部を備え、前記パルス生成部が、前記完全透過状態のときに、前記パルスのパターンを完全透過用パルスのパターンとして生成し、当該完全透過用パルスのパターンを連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加し、前記析出開始電圧生成部が、前記完全透過状態から前記減光状態へ変化させるときに、前記析出開始電圧を前記エレクトロデポジション素子へ印加し、前記透過戻し電圧生成部が、前記析出開始電圧生成部による前記析出開始電圧の印加に伴い変化した前記減光状態のときに、前記透過戻し電圧を前記エレクトロデポジション素子へ印加し、前記パルス生成部が、前記透過戻し電圧生成部による前記透過戻し電圧の印加に伴い、前記完全透過状態へ変化する途中の透過状態のときに、前記完全透過用パルスのパターンとは異なる透過用パルスのパターンを生成し、当該透過用パルスのパターンを連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加する、ことを特徴とする。

以上のように、本発明によれば、完全透過状態等の所定の透過状態において、イオン化した材料が電極に析出を開始する際の反応速度を早めることが可能となる。そして、所定の透過状態から、当該所定の透過状態よりも透過率の低い減光状態へ変化する時間を短くすることができる。

本発明の実施形態による駆動回路及びエレクトロデポジション素子の構成例を示す概略図である。 エレクトロデポジション素子への印加電圧の例を説明する図である。 エレクトロデポジション素子への印加電圧及びエレクトロデポジション素子の透過率の例を説明する図である。 駆動回路の機能構成例を示すブロック図である。 駆動時間の測定結果を説明する図である。 実施例１の撮像装置の全体構成例を示す概略図である。 フィルタ駆動回路の構成例を示すブロック図である。 実施例２の撮像装置の全体構成例を示す概略図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を用いて詳細に説明する。本発明は、エレクトロデポジション素子が所定の透過状態のときに、調光層内の電解液中のイオン化した材料へ拡散エネルギー（イオン化した材料を拡散させるためのエネルギー）を与えることでイオン化した材料を振動させ、所定の透過状態から減光状態へ変化させるときに、結晶核生成電圧を超える電圧を印加することを特徴とする。

これにより、減光状態へ変化させるときには、イオン化した材料が電極に析出し易くなる。つまり、イオン化した材料が電極に析出を開始する際の反応速度を早め、減光速度を早めることができ、所定の透過状態から、透過率の低い減光状態へ変化する時間を短くすることができる。

以下、エレクトロデポジション素子の調光層内のイオン化した材料へ拡散エネルギーを与えることでイオン化した材料を振動させる手法として、電圧を印加する手法を例にして説明する。

〔駆動回路及びエレクトロデポジション素子〕
図１は、本発明の実施形態による駆動回路及びエレクトロデポジション素子の構成例を示す概略図である。駆動回路１は、エレクトロデポジション素子２の金属イオンへ拡散エネルギーを与えると共に、調光層１４の透過状態を所望の減光状態へ変化させるために、透過状態を制御するための電圧を生成する。そして、駆動回路１は、当該電圧を、導線３ａ，３ｂを介してエレクトロデポジション素子２へ印加する。エレクトロデポジション素子２上の丸印は、導線３ａ，３ｂとエレクトロデポジション素子２との間の接続箇所を示す。

（エレクトロデポジション素子２）
エレクトロデポジション素子２は、透明基板１０、基板１１、透明導電膜１２ａ，１２ｂ、封止材１３ａ，１３ｂ及び調光層１４を備えている。エレクトロデポジション素子２は、透明基板１０、当該透明基板１０に隣接した透明導電膜１２ａ、当該透明導電膜１２ａに隣接した調光層１４及び封止材１３ａ，１３ｂ、当該調光層１４及び当該封止材１３ａ，１３ｂに隣接した透明導電膜１２ｂ、及び、当該透明導電膜１２ｂに隣接した基板１１が積層して構成されている。

透明導電膜１２ａは、透明基板１０上に形成されており、透明導電膜１２ｂは、透明基板１０に対向して設けられた基板１１上に形成されている。例えば、エレクトロデポジション素子２が撮像装置に用いられる場合、基板１１は透明基板であり、エレクトロデポジション素子２が表示装置に用いられる場合、基板１１は非透明基板である。

透明基板１０は、例えば透明ガラスが用いられ、基板１１は、例えば透明ガラス、セラミックが用いられる。透明導電膜１２ａ，１２ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）が用いられる。

調光層１４は、電解液からなる層であり、透明基板１０上に形成された透明導電膜１２ａ、基板１１上に形成された透明導電膜１２ｂ、及び封止材１３ａ，１３ｂの間に挟み込まれている。

電解液は、例えば非水溶媒ＰＣ（プロピレンカーボネート）に硝酸銀（AgNO3）、塩化銅（CuCl2）及びリチウム塩（Li）を溶解させ、さらにポリマーを添加し粘度調整した液が用いられる。封止材１３ａ，１３ｂは、例えばエポキシ樹脂が用いられる。

エレクトロデポジション素子２が撮像装置に用いられる場合、入射光αがエレクトロデポジション素子２の透明基板１０の外部から入り込む。そして、入射光αは、透明基板１０、透明導電膜１２ａ、調光層１４、透明導電膜１２ｂ及び基板１１（この場合は、透明基板）を介して出射される。

透明基板１０及び基板１１の入射光α側から見た面のサイズは約５ｃｍ□形状であり、透明導電膜１２ｂの抵抗値は８Ω／□である。透明導電膜１２ａ，１２ｂの周辺は、約２ｍｍ（Ｌ１）幅でエポキシ樹脂を用いて封止材１３ａ，１３ｂに貼り合わされている。透明導電膜１２ａ，１２ｂのセルギャップは約３００μｍ（Ｌ２）である

尚、エレクトロデポジション素子２を構成する透明基板１０、基板１１、透明導電膜１２ａ，１２ｂ、封止材１３ａ，１３ｂ及び調光層１４としては、前述以外の材料を用いるようにしてもよい。また、調光層１４の処理箇所に、透明基板１０及び透明導電膜１２ａと基板１１及び透明導電膜１２ｂとの間を支持するスペーサを設けるようにしてもよい。

また、透明導電膜１２ａ，１２ｂは、エッチング等の技術を用いて、透明基板１０及び基板１１上の複数領域に分割して形成されるようにしてもよい。これにより、領域毎に電圧を印加することができ、領域毎の制御が可能となる。

また、透明導電膜１２ａ，１２ｂは、調光層１４側の表面に、凹凸等の形状を有するようにしてもよい。これにより、調光層１４に接する透明導電膜１２ａ，１２ｂの面積が広くなり、金属イオンが析出する電極の面積を広くすることができるから、析出する金属イオンの量が増え、結果として、減色速度を一層早めることができる。

ここで、調光層１４の透過状態を減光状態と完全透過状態とに区別する。減光状態は、透明導電膜１２ａ，１２ｂのいずれか一方の電極の表面に金属イオンが析出した状態、すなわち後述する完全透過状態ではない所定の透過率による透過状態である。完全透過状態は、電極の表面から金属イオンの析出物が溶解（離脱）し、透過率が回復した状態である。

（印加電圧）
次に、駆動回路１からエレクトロデポジション素子２へ印加する電圧について説明する。図２は、エレクトロデポジション素子２への印加電圧の例を説明する図である。縦軸は、金属イオンが析出する電極を基準としたときの、エレクトロデポジション素子２へ印加される電圧を示し、横軸は時間を示す。図１及び図２を参照して、具体的に説明する。

駆動回路１は、エレクトロデポジション素子２の透過状態を完全透過状態に保持する待機期間において、透過率保持パルスＰを所定の周期にて連続的に、エレクトロデポジション素子２へ印加する。

この待機期間は、エレクトロデポジション素子２の透過状態が完全透過状態に保持されている期間である。また、待機期間は、透過率保持パルスＰが所定の周期にて連続的に印加されることで、調光層１４内の金属イオンへ断続的に拡散エネルギーが与えられ、拡散エネルギーが残存して金属イオンが振動する振動状態でもある。

透過率保持パルスＰは、結晶核生成電圧Ｖａ以下かつ結晶成長電圧Ｖｂ以上の第１電圧Ｖ１と、結晶成長電圧Ｖｂよりも小さい第２電圧Ｖ２とからなるパルスである。

結晶核生成電圧Ｖａは、電圧印加にて透明導電膜１２ａ，１２ｂのいずれか一方の電極上に金属イオンの結晶核が形成され、析出層が生成される電圧である。結晶成長電圧Ｖｂは、既に生成された結晶核が成長する電圧である。

第１電圧Ｖ１は、調光層１４内の金属イオンに拡散エネルギーを与え、金属イオンを振動させるための電圧である。第２電圧Ｖ２は、電極上に僅かに残留する結晶核に対し、その成長を避け、透過率が変化すること回避するための電圧である。

つまり、駆動回路１は、第１電圧Ｖ１及び第２電圧Ｖ２からなる透過率保持パルスＰを所定の周期にて連続的に印加することにより、金属イオンに拡散エネルギーを与えて金属イオンを振動させると共に、電極上に残存した結晶核の成長を回避することができる。また、透過率が変化しないから、完全透過状態を保持することができる。したがって、待機状態において、完全透過状態を保持したまま、金属イオンに拡散エネルギーを残存させ金属イオンを振動させる状態を維持することができる。

例えば、透過率保持パルスＰの周波数ｆは１Ｈｚであり、そのデューティ比ｔ／Ｔは１０％である。ｔは第１電圧Ｖ１の時間長であり、Ｔは透過率保持パルスＰの周期である。結晶核生成電圧Ｖａは２．１Ｖ、結晶成長電圧Ｖｂは１．５Ｖ、第１電圧Ｖ１は１．７Ｖ、第２電圧Ｖ２は０．９Ｖである。

駆動回路１は、エレクトロデポジション素子２の透過状態を完全透過状態から減光状態へ変化させる減光開始のときに、結晶核生成電圧Ｖａを超える析出開始電圧である第３電圧Ｖ３をエレクトロデポジション素子２へ印加する。駆動回路１は、エレクトロデポジション素子２の透過状態を減光状態に保持する減光期間において、第３電圧Ｖ３をエレクトロデポジション素子２へ印加する。図２の例では、第３電圧Ｖ３は２．４Ｖである。

これにより、金属イオンに拡散エネルギーが残存し金属イオンが振動している状態で、第３電圧Ｖ３が印加されるから、金属イオンが析出し易くなり、金属イオンが電極に析出を開始する際の反応速度を早め、減光速度を早めることができる。

減光状態の透過率は、第３電圧Ｖ３の印加時間に応じて決定される。第３電圧Ｖ３の印加時間が長いほど、透過率は低くなる。

駆動回路１は、エレクトロデポジション素子２の透過状態を減光状態から完全透過状態へ戻すために、透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４をエレクトロデポジション素子２へ印加する。図２の例では、第４電圧Ｖ４は−０Ｖ〜−１．５Ｖである。

透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４は、調光層１４内で成長した結晶核を溶解させるための電圧である。第４電圧Ｖ４の印加により、エレクトロデポジション素子２の透過状態は完全透過状態へ戻るが、透過率保持パルスＰの印加がない場合、拡散エネルギーが与えられず、金属イオンが振動しない非振動状態となる。

ここで、駆動回路１は、エレクトロデポジション素子２の透過状態が減光状態から完全透過状態へ戻る途中で、透過率保持パルスＰを所定の周期にて連続的に印加する。これにより、透過率保持パルスＰを印加したときの透過率による透過状態を維持することができる。

尚、第１電圧Ｖ１は、結晶核生成電圧Ｖａ＝２．１以下かつ結晶成長電圧Ｖｂ＝１．５以上であることが必要であり、前述の例では１．７Ｖであり、好ましくは、１．５Ｖ〜２．０Ｖである。

また、第２電圧Ｖ２は、結晶成長電圧Ｖｂ＝１．５Ｖよりも小さいことが必要であり、前述の例では０．９Ｖであり、好ましくは、０．５Ｖ以上かつ１．５Ｖよりも小さい電圧である。第２電圧Ｖ２として０．４Ｖ以下の電圧が印加されると、電極上にチャージされた微量の金属イオンがつくる電界に対し、逆バイアスがかかる。この場合、金属イオンに与えられた拡散エネルギーがキャンセルされるから、金属イオンに拡散エネルギーを残存させることができず、金属イオンを振動させる状態を維持することができなくなる。結果として、金属イオンが電極に析出を開始する際の反応速度を早めることができなくなる。したがって、第２電圧Ｖ２は、結晶成長電圧Ｖｂ＝１．５Ｖよりも小さく、かつ電極上の金属イオンがつくる電界に対して逆バイアスがかからない０．５Ｖ以上であることが望ましい。

駆動回路１は、透過率保持パルスＰを構成する第２電圧Ｖ２を印加する際に、導線３ａ，３ｂに接続された回路を開（オープン）にするようにしてもよい。これにより、金属イオンに拡散エネルギーが与えられ金属イオンが振動している状態を、そのまま維持することができる。

また、第３電圧Ｖ３は、結晶核生成電圧Ｖａを超えることが必要であり、前述の例では２．４Ｖであり、好ましくは、３．０Ｖ以下の２．１Ｖを超える電圧である。第３電圧として３．０Ｖ以下としたのは、３．０Ｖを超えると、析出ムラまたは焼付きが生じる可能性があるからである。

また、所定の周期で連続的に印加する透過率保持パルスＰのパターンにおいて、その周波数ｆは、前述の例では１Ｈｚであり、好ましくは、１Ｈｚ〜１００Ｈｚである。

また、所定の周期で連続的に印加する透過率保持パルスＰのパターンにおいて、そのデューティ比ｔ／Ｔは、前述の例では１０％であり、好ましくは、０よりも大きくかつ１００％よりも小さい値である。

また、図２に示した透過率保持パルスＰの波形は矩形波であるが、三角波、正弦波等であってもよい。要するに、所定の周期で連続的に印加する透過率保持パルスＰのパターンは、金属イオンに拡散エネルギーが残存し、金属イオンが振動する状態を維持することができれば何でもよい。

図３は、エレクトロデポジション素子２への印加電圧及びエレクトロデポジション素子２の透過率の例を説明する図である。図３の上図において、縦軸は、金属イオンが析出する電極を基準としたときの、エレクトロデポジション素子２へ印加される電圧を示し、横軸は時間を示す。図３の下図において、縦軸は透過率を示し、横軸は時間を示す。

駆動回路１は、期間Ｔ１において、透過状態を完全透過状態に保持する完全透過用パルスＰ１を所定の周期にて連続的に、エレクトロデポジション素子２へ印加する。このときのエレクトロデポジション素子２の透過状態は、透過率τ１の完全透過状態であり、かつ金属イオンに拡散エネルギーが残存して金属イオンが振動する振動状態である。

駆動回路１は、期間Ｔ２において、析出開始電圧である第３電圧Ｖ３をエレクトロデポジション素子２へ印加する。このときのエレクトロデポジション素子２の透過状態は、透過率τ１から透過率τ２へ低下する減光状態である。透過率τ２は、第３電圧Ｖ３の印加時間に応じて決定され、第３電圧Ｖ３の印加時間が長いほど、透過率τ２は低くなる。

駆動回路１は、期間Ｔ３において、透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４をエレクトロデポジション素子２へ印加する。このときのエレクトロデポジション素子２の透過状態は、期間Ｔ３の開始時点から時点ｔ１までの期間において、透過率τ２から透過率τ１へ上昇する減光状態であり、時点ｔ１から期間Ｔ３の終了時点までの期間において、透過率τ１の完全透過状態である。期間Ｔ３の透過状態は、金属イオンに拡散エネルギーが残存しておらず、金属イオンが振動していない非振動状態である。

駆動回路１は、期間Ｔ４において、完全透過用パルスＰ１を所定の周期にて連続的に、エレクトロデポジション素子２へ印加する。このときのエレクトロデポジション素子２の透過状態は、期間Ｔ１と同様に、透過率τ１の完全透過状態であり、かつ金属イオンに拡散エネルギーが残存して金属イオンが振動する振動状態である。

駆動回路１は、期間Ｔ５において、析出開始電圧である第３電圧Ｖ３をエレクトロデポジション素子２へ印加する。このときのエレクトロデポジション素子２の透過状態は、期間Ｔ２と同様に、透過率τ１から透過率τ２’へ低下する減光状態である。期間Ｔ２の場合と同様に、透過率τ２’は、第３電圧Ｖ３の印加時間に応じて決定され、第３電圧Ｖ３の印加時間が長いほど、透過率τ２’は低くなる。

駆動回路１は、期間Ｔ６において、透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４をエレクトロデポジション素子２へ印加する。このときのエレクトロデポジション素子２の透過状態は、透過率τ２’から透過率τ３へ上昇する減光状態である。

駆動回路１は、期間Ｔ７において、エレクトロデポジション素子２の透過状態が透過率τ１の完全透過状態に到達する前の透過率τ３（＜τ１）の状態で、透過率τ３の透過状態を保持する透過用パルスＰ２を所定の周期にて連続的に、エレクトロデポジション素子２へ印加する。これにより、エレクトロデポジション素子２の透過状態は、透過率τ３による透過状態であり、かつ金属イオンに拡散エネルギーが残存して金属イオンが振動する振動状態となる。

つまり、駆動回路１は、期間Ｔ７において、透過用パルスＰ２を所定の周期にて連続的に印加することにより、金属イオンに拡散エネルギーを与えて金属イオンを振動させると共に、電極上に残存した結晶核の成長を避けることができる。また、透過率τ３が変化しないから、完全透過状態ではない透過率τ３の透過状態を保持することができる。したがって、完全透過状態ではない透過率τ３の透過状態を保持したまま、金属イオンに拡散エネルギーを残存させ金属イオンを振動させる状態を維持することができる。

所定の周期で連続的に印加する透過用パルスＰ２のパターンは、完全透過状態ではない透過率τ３の透過状態を保持するためのパターンであるから、透過率τ１の完全透過状態を保持するための完全透過用パルスＰ１のパターンとは異なる。つまり、透過用パルスＰ２のパターンと完全透過用パルスＰ１のパターンとは、その波形が異なる。例えば、透過用パルスＰ２のデューティ比ｔ／Ｔは、完全透過用パルスＰ１のデューティ比ｔ／Ｔと異なる値が予め設定される。

尚、図３の例では、駆動回路１は、期間Ｔ４における透過率τ１の完全透過状態から、期間Ｔ７における透過率τ３の透過状態である減光状態へ変化させる過程において、期間Ｔ５のときに第３電圧Ｖ３を印加し、期間Ｔ６のときに第４電圧Ｖ４を印加し、期間Ｔ７のときに透過用パルスＰ２を所定の周期にて連続的に印加するようにした。

これに対し、駆動回路１は、期間Ｔ４における透過率τ１の完全透過状態から透過率を低下させて、透過率τ３の透過状態である減光状態へ直接変化させるようにしてもよい。この場合、駆動回路１は、期間Ｔ５の開始時点で第３電圧Ｖ３を印加し、透過率が低下して透過率τ３となった時点ｔ２において、透過用パルスＰ２を所定の周期にて連続的に印加する。

（駆動回路１の詳細）
次に、図１に示した駆動回路１について詳細に説明する。図４は、駆動回路１の機能構成例を示すブロック図である。この駆動回路１は、透過率保持パルス生成部２０、析出開始電圧生成部２１及び透過戻し電圧生成部２２を備えている。

駆動回路１は、切替信号を入力し、切替信号に従って、透過率保持パルスＰ、析出開始電圧である第３電圧、及び透過戻し電圧である第４電圧のうちのいずれかを選択して出力する。切替信号は、透過率保持（完全透過状態等の所定の透過状態の保持）、減光及び透過（完全透過状態への戻し）のいずれかを示している。

透過率保持パルス生成部２０は、切替信号を入力し、切替信号が透過率保持を示している場合、予め設定された周波数ｆ、デューティ比ｔ／Ｔ、第１電圧Ｖ１及び第２電圧Ｖ２に基づいて、周波数ｆに対応する周期の透過率保持パルスＰのパターンを生成する。そして、透過率保持パルス生成部２０は、透過率保持パルスＰのパターンの電圧を連続的にエレクトロデポジション素子２へ出力する。

前述のとおり、第１電圧Ｖ１は、結晶核生成電圧Ｖａ以下かつ結晶成長電圧Ｖｂ以上の電圧であり、第２電圧Ｖ２は、結晶成長電圧Ｖｂよりも小さい電圧である。結晶核生成電圧Ｖａ及び結晶成長電圧Ｖｂは、エレクトロデポジション素子２における調光層１４の電解液に応じて予め設定される。後述する析出開始電圧である第３電圧Ｖ３、及び透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４も同様である。

具体的には、透過率保持パルス生成部２０は、メモリから、エレクトロデポジション素子２の透過率に対応した周波数ｆ、デューティ比ｔ／Ｔ、第１電圧Ｖ１及び第２電圧Ｖ２を読み出し、これらのデータに基づいて透過率保持パルスＰのパターンを生成する。メモリには、完全透過状態の透過率τ１に対応した周波数ｆ等の各種データ、透過率τ２を含む所定範囲の周波数ｆ等の各種データ、透過率τ３を含む所定範囲の周波数ｆ等の各種データ等が格納されている。

例えば、透過率保持パルス生成部２０は、図３に示した完全透過状態の期間Ｔ１の開始時点において、メモリから、透過率τ１に対応した周波数ｆ等の各種データを読み出し、完全透過用パルスＰ１のパターンを生成する。そして、透過率保持パルス生成部２０は、期間Ｔ１において、完全透過用パルスＰ１のパターンの電圧を連続的にエレクトロデポジション素子２へ出力する。

また、透過率保持パルス生成部２０は、図３に示した透過状態の期間Ｔ７の開始時点において、メモリから、透過率τ３に対応した周波数ｆ等の各種データを読み出し、透過用パルスＰ２のパターンを生成する。そして、透過率保持パルス生成部２０は、期間Ｔ７において、透過用パルスＰ２のパターンの電圧を連続的にエレクトロデポジション素子２へ出力する。

析出開始電圧生成部２１は、切替信号を入力し、切替信号が減光を示している場合、予め設定された析出開始電圧を第３電圧Ｖ３として生成する。そして、析出開始電圧生成部２１は、第３電圧Ｖ３をエレクトロデポジション素子２へ出力する。前述のとおり、第３電圧Ｖ３は、結晶核生成電圧Ｖａを超える電圧である。

透過戻し電圧生成部２２は、切替信号を入力し、切替信号が透過を示している場合、予め設定された透過戻し電圧を第４電圧Ｖ４として生成する。そして、透過戻し電圧生成部２２は、第４電圧Ｖ４をエレクトロデポジション素子２へ出力する。前述のとおり、透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４は、エレクトロデポジション素子２の透過状態を減光状態から完全透過状態へ戻すための電圧である。

尚、図４は、駆動回路１における実際の回路を機能的に表現した機能構成を示しており、実際には、駆動回路１は、エレクトロデポジション素子２への出力部として、２つ以上の出力端子を備えている。駆動回路１は、それぞれの出力端子に対し、予め設定された電位を印加する。これにより、出力端子には、前述の種々の電圧に対応する電位差が生じることとなる。

以上のように、本発明の実施形態の駆動回路１によれば、透過率保持パルス生成部２０は、エレクトロデポジション素子２の透過状態を完全透過状態等の所定の透過状態に保持する待機期間において、予め設定された周波数ｆ、デューティ比ｔ／Ｔ、第１電圧Ｖ１及び第２電圧Ｖ２に基づいて、周波数ｆに対応する周期の透過率保持パルスＰのパターンを生成し、透過率保持パルスＰのパターンの電圧を連続的にエレクトロデポジション素子２へ出力する。

これにより、入射光量の変化を伴うことなく（入射光量を少なくして減光させることなく）、調光層１４内の金属イオンに拡散エネルギーを与えて金属イオンを振動させることができ、また、電極上に残存した結晶核の成長を避けることができる。つまり、完全透過等の所定の透過状態を保持したまま、金属イオンに拡散エネルギーを残存させ、金属イオンを常時振動させる状態を維持することができ、金属イオンの固定化を防止することができる。

そして、析出開始電圧生成部２１は、エレクトロデポジション素子２の透過状態を減光状態に保持する減光期間において、予め設定された析出開始電圧である第３電圧Ｖ３をエレクトロデポジション素子２へ印加する。

これにより、金属イオンに拡散エネルギーが残存し金属イオンが振動している状態で、析出開始電圧である第３電圧Ｖ３が印加されるから、金属イオンが析出し易くなり、金属イオンが電極に析出を開始する際の反応速度を早めることができる。つまり、減光速度を早めることが可能となり、所定の透過状態から、透過率の低い減光状態へ変化する時間を短くすることができる。

〔実験結果〕
次に、実験結果について説明する。図５は、エレクトロデポジション素子２の駆動時間の測定結果を説明する図である。縦軸は透過率（％）を示し、横軸は時間（秒）を示す。本発明の実施形態の測定結果Ａ及び従来技術の測定結果Ｂは、同一のエレクトロデポジション素子２に対して波長５５０ｎｍの光を入射させたときの透過率の時間変化を示しており、減光開始時を５秒の時点としている。

本発明の実施形態の測定結果Ａは、透過率保持パルスＰ、析出開始電圧である第３電圧Ｖ３及び透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４を用いた場合の測定結果である。駆動回路１は、図２に示した透過率保持パルスＰを５秒間、エレクトロデポジション素子２へ印加し、減光開始時である５秒の時点にて、析出開始電圧である第３電圧Ｖ３＝２．４Ｖを印加する。これにより得られた測定結果が、本発明の実施形態の測定結果Ａである。

従来技術の測定結果Ｂは、透過率保持パルスＰを用いないで、析出開始電圧である第３電圧Ｖ３及び透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４を用いた場合の測定結果である。従来の駆動回路は、０Ｖの状態を５秒間継続し、減光開始時である５秒の時点にて、２．４Ｖの析出開始電圧である第３電圧Ｖ３をエレクトロデポジション素子２へ印加する。これにより得られた測定結果が、従来技術の測定結果Ｂである。

図５から、透過率が７７％から９％へ低下する時間は、本発明の実施形態の測定結果Ａでは約２４秒であり、従来技術の測定結果Ｂでは約５５秒であることがわかる。

図５から、本発明の実施形態は、従来技術よりも、所定の透過状態にて金属イオンが電極に析出を開始する際の反応速度が早くなっていることがわかる。

〔撮像装置〕
次に、図１に示した駆動回路１及びエレクトロデポジション素子２を撮像装置に用いた場合について説明する。図６は、実施例１の撮像装置の全体構成例を示す概略図である。この撮像装置４−１は、フィルタ駆動回路３１、減光フィルタ３２、レンズ３３、撮像素子３４、アナログ信号処理部３５及びデジタル信号処理部３６を備えている。

フィルタ駆動回路３１は、図１に示した駆動回路１に対応する回路であり、撮像素子３４への入射光βの量を補正するために、減光フィルタ３２に対し所定の電圧を印加することで、減光フィルタ３２を駆動する。

フィルタ駆動回路３１は、当該撮像装置４−１により出力される映像信号を入力し、映像信号の輝度情報に基づいて、透過率保持、減光及び透過のいずれかを示す切替信号を生成する。そして、フィルタ駆動回路３１は、切替信号が透過率保持を示している場合、透過率保持パルスＰのパターンを生成し、切替信号が減光を示している場合、析出開始電圧である第３電圧Ｖ３を生成する。また、フィルタ駆動回路３１は、切替信号が透過を示している場合、透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４を生成する。

フィルタ駆動回路３１は、生成した透過率保持パルスＰのパターン、析出開始電圧である第３電圧Ｖ３または透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４を、減光フィルタ３２へ連続的に出力する。

図７は、フィルタ駆動回路３１の構成例を示すブロック図である。このフィルタ駆動回路３１は、切り替えスイッチ４０、輝度情報解析部４１、駆動電圧発生回路４２及びバッファアンプ４３ａ，４３ｂを備えている。フィルタ駆動回路３１には、＋１２Ｖの直流（ＤＣ）電圧が供給される。

切り替えスイッチ４０は、透過率保持、減光、透過及びオート（自動）のうちいずれかを示す切替信号を駆動電圧発生回路４２に出力する。透過率保持、減光、透過及びオートのうちのいずれかを示す切替信号は、ユーザにより設定される。

輝度情報解析部４１は、当該撮像装置４−１により出力される映像信号を入力する。そして、輝度情報解析部４１は、映像信号の輝度情報を解析し、輝度情報に基づいた閾値処理により、映像が暗い場合は明るくなるように、映像が明るい場合は暗くなるように、透過率保持、減光及び透過のいずれかの自動切替信号を生成する。そして、輝度情報解析部４１は、自動切替信号を駆動電圧発生回路４２に出力する。この自動切替信号は、切り替えスイッチ４０により出力される切替信号がオートの場合に、駆動電圧発生回路４２により使用される信号である。

駆動電圧発生回路４２は、図１に示した駆動回路１に対応し、切り替えスイッチ４０から切替信号を入力すると共に、輝度情報解析部４１から自動切替信号を入力する。また、駆動電圧発生回路４２は、＋１２Ｖの直流電圧を入力する。

駆動電圧発生回路４２は、切り替えスイッチ４０から入力した切替信号が透過率保持、減光及び透過のいずれかを示している場合、輝度情報解析部４１から入力した自動切替信号を無視する。そして、駆動電圧発生回路４２は、切替信号が透過率保持を示している場合、図４に示した透過率保持パルス生成部２０の処理と同様に、透過率保持パルスＰのパターンを生成し、透過率保持パルスＰのパターンの電圧を連続的に、バッファアンプ４３ａ，４３ｂを介して減光フィルタ３２へ出力する。

一方、駆動電圧発生回路４２は、切替信号が減光を示している場合、図４に示した析出開始電圧生成部２１の処理と同様に、析出開始電圧である第３電圧Ｖ３を生成し、第３電圧Ｖ３を、バッファアンプ４３ａ，４３ｂを介して減光フィルタ３２へ出力する。

また、駆動電圧発生回路４２は、切替信号が透過を示している場合、図４に示した透過戻し電圧生成部２２の処理と同様に、透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４を生成し、第４電圧Ｖ４を、バッファアンプ４３ａ，４３ｂを介して減光フィルタ３２へ出力する。

駆動電圧発生回路４２は、切り替えスイッチ４０から入力した切替信号がオートを示している場合、輝度情報解析部４１から入力した自動切替信号に従い、所定の電圧を、バッファアンプ４３ａ，４３ｂを介して減光フィルタ３２へ出力する。

具体的には、駆動電圧発生回路４２は、切替信号がオートを示しており、自動切替信号が透過率保持を示している場合、図４に示した透過率保持パルス生成部２０の処理と同様に、透過率保持パルスＰのパターンを生成し、透過率保持パルスＰのパターンの電圧を連続的に出力する。

一方、駆動電圧発生回路４２は、切替信号がオートを示しており、自動切替信号が減光を示している場合、図４に示した析出開始電圧生成部２１の処理と同様に、析出開始電圧である第３電圧Ｖ３を生成し、第３電圧Ｖ３を出力する。

また、駆動電圧発生回路４２は、切替信号がオートを示しており、自動切替信号が透過を示している場合、図４に示した透過戻し電圧生成部２２の処理と同様に、透過戻し電圧である第４電圧Ｖ４を生成し、第４電圧Ｖ４を出力する。

バッファアンプ４３ａ，４３ｂは、駆動電圧発生回路４２と減光フィルタ３２との間のインピーダンス分離を行う。

図６に戻って、減光フィルタ３２は、図１に示したエレクトロデポジション素子２に相当し、撮像素子３４へ入射する入射光βの量を補正するためのフィルタである。この場合、減光フィルタ３２に備えた基板１１（図１を参照）は、透明基板１０と同じ透明である。減光フィルタ３２は、フィルタ駆動回路３１から所定の電圧を入力し、当該電圧に従い、調光層１４の透過状態を完全透過状態または減光状態に変化させる。

これにより、調光層１４の透過状態が完全透過状態の場合、減光フィルタ３２の透過光は、入射光βの量が補正されず同じ量の状態で、撮影用のレンズ３３を介して撮像素子３４へ入射する。一方、調光層１４の透過状態が減光状態の場合、減光フィルタ３２の透過光は、入射光βの量が補正された状態で、レンズ３３を介して撮像素子３４へ入射する。

撮像素子３４は、減光フィルタ３２およびレンズ３３を介して入射した光を、アナログの電気信号に変換し、アナログ信号をアナログ信号処理部３５に出力する。

アナログ信号処理部３５は、撮像素子３４からアナログ信号を入力し、アナログ信号の増幅、Ａ／Ｄ変換等のアナログ信号処理を行う。そして、アナログ信号処理部３５は、アナログ信号処理後のデジタル信号をデジタル信号処理部３６に出力する。

デジタル信号処理部３６は、アナログ信号処理部３５からデジタル信号を入力し、現像処理、色変換、ガンマ補正等のデジタル信号処理を行う。そして、デジタル信号処理部３６は、デジタル信号処理後の映像信号をフィルタ駆動回路３１及び外部へ出力する。

以上のように、図６に示した実施例１の撮像装置４−１によれば、フィルタ駆動回路３１は、撮像素子３４への入射光βの量を補正するために、図１に示した駆動回路１に対応する処理を行う。具体的には、フィルタ駆動回路３１は、減光フィルタ３２の透過状態を完全透過状態等の所定の透過状態に保持する透過率保持の期間において、透過率保持パルスＰのパターンを生成し、透過率保持パルスＰを減光フィルタ３２へ出力する。

そして、フィルタ駆動回路３１は、減光フィルタ３２の透過状態を減光状態に保持する減光の期間において、予め設定された析出開始電圧である第３電圧Ｖ３を減光フィルタ３２へ印加する。

これにより、駆動回路１の場合と同様に、金属イオンが電極に析出を開始する際の反応速度を早めることができる。つまり、減光速度を早めることができ、所定の透過状態から、透過率の低い減光状態へ変化する時間を短くすることができる。

図６に示した実施例１の撮像装置４−１は、減光フィルタ３２をレンズ３３の前方に設けた例である。これに対し、減光フィルタ３２をレンズ３３の後方に設けるようにしてもよい。図８は、実施例２の撮像装置の全体構成例を示す概略図である。この撮像装置４−２は、図６に示した実施例１の撮像装置４−１と同じ構成部を備えている。

図６に示した実施例１の撮像装置４−１とこの撮像装置４−２とを比較すると、撮像装置４−２は、減光フィルタ３２をレンズ３３の後方に備えている点で、減光フィルタ３２をレンズ３３の前方に備えている撮像装置４−１と相違する。撮像装置４−２は、減光フィルタ３２を、レンズ３３と撮像素子３４との間に備えている。図８において、図６と共通する部分には図６と同一の符号を付し、その詳しい説明は省略する。

以上のように、図８に示した実施例２の撮像装置４−２によれば、実施例１の撮像装置４−１と同様の効果を奏する。

尚、撮像装置４−２は、減光フィルタ３２及び撮像素子３４を個別に備えるようにしたが、個別の減光フィルタ３２及び撮像素子３４の代わりに、減光フィルタ３２及び撮像素子３４を一体化した素子を備えるようにしてもよい。この一体化した素子は、図１に示したエレクトロデポジション素子２に相当する減光フィルタ３２を、撮像素子３４に直接積層して構成される。

以上、実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その技術思想を逸脱しない範囲で種々変形可能である。前記実施形態では、エレクトロデポジション素子２の調光層１４層内の金属イオンへ拡散エネルギーを与えることで金属イオンを振動させる状態を、透過率保持パルスＰのパターンの電圧を用いて作るようにした。本発明は、透過率保持パルスＰのパターンの電圧を用いることに限定するものではなく、例えば超音波、放射線、熱等を用いるようにしてもよいし、当該エレクトロデポジション素子２を振動させるようにしてもよい。

要するに、調光層内の金属イオンへ拡散エネルギーを与えることで金属イオンを振動させることが可能な手法であれば何でもよい。この場合、駆動回路１は、超音波、放射線、熱等を用いて、エレクトロデポジション素子２の調光層１４層内の金属イオンへ拡散エネルギーを与え金属イオンを振動させるためのエネルギー供給部を備える。

１ 駆動回路
２ エレクトロデポジション素子
３ａ，３ｂ 導線
４−１，４−２ 撮像装置
１０ 透明基板
１１ 基板
１２ａ，１２ｂ 透明導電膜
１３ａ，１３ｂ 封止材
１４ 調光層
２０ 透過率保持パルス生成部
２１ 析出開始電圧生成部
２２ 透過戻し電圧生成部
３１ フィルタ駆動回路
３２ 減光フィルタ
３３ レンズ
３４ 撮像素子
３５ アナログ信号処理部
３６ デジタル信号処理部
４０ 切り替えスイッチ
４１ 輝度情報解析部
４２ 駆動電圧発生回路
４３ａ，４３ｂ バッファアンプ
Ｐ 透過率保持パルス
Ｐ１ 完全透過用パルス
Ｐ２ 透過用パルス
Ｖａ 結晶核生成電圧
Ｖｂ 結晶成長電圧
Ｖ１ 第１電圧
Ｖ２ 第２電圧
Ｖ３ 析出開始電圧（第３電圧）
Ｖ４ 透過戻し電圧（第４電圧）
ｆ 周波数
ｔ／Ｔ デューティ比
τ１，τ２，τ２’，τ３ 透過率
Ｔ１〜Ｔ７ 期間
ｔ１，ｔ２ 時点
α，β 入射光

Claims (7)

1. エレクトロデポジション素子の透過状態を変化させるための電圧を印加する駆動回路において、
   所定の透過状態のときに、前記エレクトロデポジション素子に含まれるイオン化した材料へエネルギーを与え、当該イオン化した材料を振動させ、
   前記所定の透過状態から、当該所定の透過状態よりも透過率の低い減光状態へ変化させるときに、前記エレクトロデポジション素子に含まれる電極に前記イオン化した材料の結晶核が生成される予め設定された結晶核生成電圧を超える所定の電圧を、前記エレクトロデポジション素子へ印加する、ことを特徴とする駆動回路。
2. エレクトロデポジション素子の透過状態を変化させるための電圧を印加する駆動回路において、
   所定の透過状態のときに、前記エレクトロデポジション素子に含まれるイオン化した材料へエネルギーを与えて前記イオン化した材料を振動させるための電圧として、前記エレクトロデポジション素子に含まれる電極に生成された前記イオン化した材料の結晶核が成長する予め設定された結晶成長電圧を基準に、当該結晶成長電圧を上下して変化するパルスを生成し、当該パルスを所定の周期にて連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加するパルス生成部と、
   前記所定の透過状態から、当該所定の透過状態よりも透過率の低い減光状態へ変化させるときに、前記イオン化した材料が析出を開始する電圧として、前記エレクトロデポジション素子に含まれる電極に前記イオン化した材料の結晶核が生成される予め設定された結晶核生成電圧を超える所定の析出開始電圧を生成し、当該析出開始電圧を前記エレクトロデポジション素子へ印加する析出開始電圧生成部と、
   を備えたことを特徴とする駆動回路。
3. 請求項２に記載の駆動回路において、
   前記結晶核生成電圧以下であって、かつ前記結晶成長電圧以上の所定の電圧を第１電圧とし、前記結晶成長電圧よりも小さい所定の電圧を第２電圧として、
   前記パルス生成部は、
   予め設定された周波数、前記第１電圧、前記第２電圧、並びに当該第１電圧及び当該第２電圧のデューティ比に基づいて、前記周波数に対応する周期の前記パルスのパターンを生成し、当該パルスのパターンを連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加する、ことを特徴とする駆動回路。
4. 請求項３に記載の駆動回路において、
   前記パルス生成部は、
   前記第２電圧を含む前記パルスのパターンを連続して印加する際に、前記第２電圧を印加する期間の間、当該駆動回路から前記エレクトロデポジション素子へ電圧を印加する回路をオープンとする、ことを特徴とする駆動回路。
5. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の駆動回路において、
   前記所定の透過状態を完全透過状態とする、ことを特徴とする駆動回路。
6. 請求項３または４に記載の駆動回路において、
   前記パルス生成部は、完全透過状態のときに、前記パルスのパターンを完全透過用パルスのパターンとして生成し、当該完全透過用パルスのパターンを連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加し、
   前記析出開始電圧生成部は、前記完全透過状態から前記減光状態へ変化させるときに、前記析出開始電圧を前記エレクトロデポジション素子へ印加し、
   前記パルス生成部は、前記析出開始電圧生成部による前記析出開始電圧の印加に伴い変化した前記減光状態に対応する透過状態のときに、前記完全透過用パルスのパターンとは異なる透過用パルスのパターンを生成し、当該透過用パルスのパターンを連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加する、ことを特徴とする駆動回路。
7. 請求項３または４に記載の駆動回路において、
   さらに、前記減光状態から完全透過状態へ変化させるときに、前記イオン化した材料の結晶核を溶解させる予め設定された透過戻し電圧を生成し、当該透過戻し電圧を前記エレクトロデポジション素子へ印加する透過戻し電圧生成部を備え、
   前記パルス生成部は、前記完全透過状態のときに、前記パルスのパターンを完全透過用パルスのパターンとして生成し、当該完全透過用パルスのパターンを連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加し、
   前記析出開始電圧生成部は、前記完全透過状態から前記減光状態へ変化させるときに、前記析出開始電圧を前記エレクトロデポジション素子へ印加し、
   前記透過戻し電圧生成部は、前記析出開始電圧生成部による前記析出開始電圧の印加に伴い変化した前記減光状態のときに、前記透過戻し電圧を前記エレクトロデポジション素子へ印加し、
   前記パルス生成部は、前記透過戻し電圧生成部による前記透過戻し電圧の印加に伴い、前記完全透過状態へ変化する途中の透過状態のときに、前記完全透過用パルスのパターンとは異なる透過用パルスのパターンを生成し、当該透過用パルスのパターンを連続して前記エレクトロデポジション素子へ印加する、ことを特徴とする駆動回路。

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