JP2019033124A

JP2019033124A - 半導体装置の製造方法、及び接着積層体

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Publication number: JP2019033124A
Application number: JP2017151766A
Authority: JP
Inventors: 岡本　直也; Naoya Okamoto; 直也岡本; 忠知山田; Tadatomo Yamada; 和浩菊池; Kazuhiro Kikuchi
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2017-08-04
Filing date: 2017-08-04
Publication date: 2019-02-28
Also published as: KR102611585B1; KR20190015117A; TW201921606A; CN109390240A

Abstract

【課題】樹脂封止の際の圧力によりチップが指定の位置からずれる不具合を抑制でき、製造工程を簡略化できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基材１１と半導体素子とを接着剤層１２を介して貼着する工程と、前記接着剤層１２を硬化させて硬化接着剤層１２Ａを形成する工程と、複数の前記半導体素子を封止して、封止樹脂層を有する封止体３を形成する工程と、前記硬化接着剤層１２Ａを封止体３から剥がさずに、基材１１を封止体３から剥離する工程と、前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、及び接着積層体に関する。

近年、電子機器の小型化、軽量化、及び高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、及び高密度化が求められている。半導体チップ（単に、チップと称する場合がある。）は、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（ＣｈｉｐＳｃａｌｅＰａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰを製造するプロセスの一つとして、ウエハレベルパッケージ（ＷａｆｅｒＬｅｖｅｌＰａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングによりパッケージを個片化する前に、チップ回路形成面に外部電極などを形成し、最終的にはチップを含むパッケージウエハをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ−Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ−Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、ＦＯ−ＷＬＰと略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。

例えば、特許文献１には、ＷＬＰなどの製造方法に使用されるチップ仮固定用の粘着テープが記載されている。当該粘着テープは、樹脂封止の際の圧力によりチップが保持されず指定の位置からずれる不具合を防止するために用いられることが特許文献１に記載されている。このような不具合は、ダイシフトと称される場合がある。

特開２０１２−６２３７２号公報

しかしながら、特許文献１に記載された粘着テープは、仮固定用のテープであるため、粘着力が低く、樹脂封止の際の圧力によりチップが指定の位置からずれるおそれがある。

本発明の目的は、樹脂封止の際の圧力によりチップ等の半導体素子が指定の位置からずれる不具合を抑制でき、高機能化が可能な半導体装置の製造方法、及び、当該製造方法に用いる接着積層体を提供することである。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、基材と半導体素子とを接着剤層を介して貼着する工程と、前記接着剤層を硬化させて硬化接着剤層を形成する工程と、複数の前記半導体素子を封止して、封止樹脂層を有する封止体を形成する工程と、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記基材を前記封止体から剥離する工程と、前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有することを特徴とする。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記基材と前記接着剤層とを有する接着積層体の前記接着剤層に、複数の前記半導体素子を貼着することが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記接着剤層は、前記基材に直接、積層されていることが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記接着剤層と、前記基材との間に、粘着剤層を含むことが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記基材を前記封止体から剥離する工程は、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記粘着剤層と前記硬化接着剤層との界面で剥離する工程であることが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記粘着剤層は、熱膨張性粘着剤層であることが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記半導体素子は、前記接着剤層を有することが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記基材と粘着剤層とを有する粘着シートの前記粘着剤層に、前記半導体素子の前記接着剤層が貼り合わされることが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記接着剤層は、第一の接着剤層と第二の接着剤層とを少なくとも含み、前記第一の接着剤層と前記第二の接着剤層とは、互いに材質が異なることが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記接着剤層を硬化させて前記硬化接着剤層を形成する工程は、前記第一の接着剤層を硬化させて第一の硬化接着剤層と、前記第二の接着剤層を硬化させて第二の硬化接着剤層とを形成する工程であることが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、複数の前記半導体素子と前記基材とを前記接着剤層を介して貼着する際に、前記半導体素子の接続端子を有する回路面とは反対側の素子裏面を前記接着剤層に向けて貼着し、複数の前記半導体素子を封止して前記封止体を形成した後に、前記回路面を覆う前記封止樹脂層の一部または全体を除去して前記接続端子を露出させ、露出させた前記接続端子に前記再配線層を電気的に接続させることが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、複数の前記半導体素子と前記基材とを前記接着剤層を介して貼着する際に、前記半導体素子の接続端子を有する回路面を前記接着剤層に向けて貼着し、前記封止体から前記基材を剥離した後に、前記回路面を覆う前記硬化接着剤層の一部または全体を除去して前記接続端子を露出させ、露出させた前記接続端子に前記再配線層を電気的に接続させることが好ましい。

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記接着剤層を硬化させて前記硬化接着剤層を形成する工程の前に、前記接着剤層に補強フレームを貼着することが好ましい。

本発明の一態様に係る接着積層体は、基材と、接着剤組成物を含有する接着剤層と、を備える接着積層体であって、前記接着剤組成物は、バインダーポリマー成分、及び硬化性成分を含有し、前記接着積層体の前記接着剤層に複数の半導体素子を貼着する工程と、前記接着剤層を硬化させて硬化接着剤層を形成する工程と、複数の前記半導体素子を封止して封止体を形成する工程と、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記基材を前記封止体から剥離する工程と、前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有する半導体装置の製造プロセスに用いられることを特徴とする。

本発明の一態様によれば、樹脂封止の際の圧力によりチップ等の半導体素子が指定の位置からずれる不具合を抑制でき、高機能化が可能な半導体装置の製造方法を提供できる。
また、本発明の一態様によれば、半導体装置の製造方法における樹脂封止の際の圧力によりチップ等の半導体素子が指定の位置からずれる不具合を抑制でき、半導体装置の高機能化が可能な接着積層体を提供できる。
なお、高機能化としては、例えば、高精細および各部材の相対的な位置精度に優れる、再配線層及び外部端子電極を有する半導体装置を得ることが可能になることをいう。

第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。図１に続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。図３に続いて、第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。第３実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。図６に続いて、第４実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。図８に続いて、第５実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。

本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法では、接着積層体を用いる。接着積層体は、基材と、接着剤層と、を備える。なお、本明細書において、接着積層体は、被着体に貼着した後に剥離されるような粘着シート（仮固定用シート）ではなく、接着積層体が備える接着剤層は、粘着シートの粘着剤層に比べて強固に被着体に固定される接着力を有する。

本発明の一実施形態に係る接着積層体は、基材と、接着剤組成物を含有する接着剤層と、を備える接着積層体であって、前記接着剤組成物は、バインダーポリマー成分、及び硬化性成分を含有し、前記接着積層体の前記接着剤層に複数の半導体素子を貼着する工程と、前記接着剤層を硬化させて硬化接着剤層を形成する工程と、複数の前記半導体素子を封止して封止体を形成する工程と、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記基材を前記封止体から剥離する工程と、前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有する半導体装置の製造プロセスに用いられる。

本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、接着積層体の前記接着剤層に複数の半導体素子を貼着する工程と、前記接着剤層を硬化させて硬化接着剤層を形成する工程と、複数の前記半導体素子を封止して、封止樹脂層を有する封止体を形成する工程と、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記基材を前記封止体から剥離する工程と、前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有する。

また、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法では、接着剤層及び粘着剤層を含む接着積層体を用いる場合もある。このような接着積層体は、基材と、接着剤層と、粘着剤層と、を備える。

また、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法では、接着剤層を備える半導体素子を用いる場合もある。この場合、半導体素子が備える接着剤層は、粘着シートの粘着剤層に比べて強固に被着体に固定される接着力を有する。

また、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法では、接着剤層が第一の接着剤層と第二の接着剤層とを含む場合もある。

〔第１実施形態〕
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、接着積層体の接着剤層に複数の半導体素子を貼着する工程と、前記接着剤層を硬化させて硬化接着剤層を形成する工程と、複数の前記半導体素子を封止して、封止樹脂層を有する封止体を形成する工程と、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記基材を前記封止体から剥離する工程と、前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有し、前記接着積層体に複数の前記半導体素子を貼着する際に、前記半導体素子の接続端子を有する回路面とは反対側の素子裏面を前記接着剤層に向けて貼着し、前記半導体素子を封止して前記封止体を形成した後に、前記回路面を覆う前記封止樹脂層の一部または全体を除去して前記接続端子を露出させ、露出させた前記接続端子に前記再配線層を電気的に接続させる。
前記接着剤層を硬化させて前記硬化接着剤層を形成する工程の前に、前記接着剤層に補強フレームを貼着することが好ましい。

（基材）
本実施形態における接着積層体の基材は、接着剤層等を支持する部材である。接着積層体の基材は特に限定されない。
基材は、例えば、樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、及びフッ素樹脂フィルムからなる群から選択される少なくともいずれかのフィルムが用いられる。また、基材として、これらの架橋フィルムも用いられる。さらに、基材は、これらの積層フィルムであってもよい。

また、基材は、例えば、硬質支持体であってもよい。硬質支持体の材質は、機械的強度、及び耐熱性等を考慮して適宜決定すればよい。硬質支持体の材質は、例えば、ＳＵＳ等の金属材料；ガラス、シリコンウエハ等の非金属無機材料；エポキシ、ＡＢＳ、アクリル、エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチック、ポリイミド、ポリアミドイミド等の樹脂材料；ガラスエポキシ樹脂等の複合材料等が挙げられ、これらの中でも、ＳＵＳ、ガラス、及びシリコンウエハ等が好ましい。エンジニアリングプラスチックとしては、ナイロン、ポリカーボネート（ＰＣ）、及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等が挙げられる。スーパーエンジニアリングプラスチックとしては、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が挙げられる。

基材の厚さは特に限定されない。基材の厚さは、好ましくは２０μｍ以上５０ｍｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以上２０ｍｍ以下である。基材の厚さを上記範囲とすることで、基材が樹脂フィルムである場合は、接着積層体が十分な可撓性を有するため、ワークに対して良好な貼付性を示す。ワークとしては、例えば、半導体素子であり、より具体的な例としては、半導体チップ等である。基材が硬質支持体である場合、硬質支持体の厚さは、機械的強度、及び取り扱い性等を考慮して適宜決定すればよい。硬質支持体の厚さは、例えば、１００μｍ以上５０ｍｍ以下である。

（接着剤層）
本実施形態における接着積層体の接着剤層は、外部からエネルギーを受けて硬化する硬化性の接着剤組成物を含有することが好ましい。外部から供給されるエネルギーとしては、例えば、紫外線、電子線、及び熱などが挙げられる。接着剤層は、紫外線硬化型接着剤、及び熱硬化型接着剤の少なくともいずれか一種を含有していることが好ましい。接着積層体の基材が、耐熱性を備えている場合は、熱硬化時の残存応力の発生を抑制できることから、接着剤層は、熱硬化型接着剤を含有する熱硬化性の接着剤層であることが好ましい。

接着剤層は、例えば、第一の接着剤組成物を含有する。第一の接着剤組成物は、バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）を含有する。

（Ａ）バインダーポリマー成分
接着剤層に十分な接着性及び造膜性（シート形成性）を付与するためにバインダーポリマー成分（Ａ）が用いられる。バインダーポリマー成分（Ａ）としては、従来公知のアクリルポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。

バインダーポリマー成分（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上２００万以下であることが好ましく、１０万以上１２０万以下であることがより好ましい。バインダーポリマー成分（Ａ）の重量平均分子量が低過ぎると接着剤層と粘着シートとの粘着力が高くなり、接着剤層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると接着剤層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から保護膜が剥離することがある。
本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧｅｌＰｅｒｍｅａｔｉｏｎＣｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ；ＧＰＣ）法により測定される標準ポリスチレン換算値である。

バインダーポリマー成分（Ａ）として、アクリルポリマーが好ましく用いられる。アクリルポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−６０℃以上５０℃以下、さらに好ましくは−５０℃以上４０℃以下、特に好ましくは−４０℃以上３０℃以下の範囲にある。アクリルポリマーのガラス転移温度が低過ぎると接着剤層と粘着シートとの剥離力が大きくなって接着剤層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると接着剤層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から保護膜が剥離することがある。

上記アクリルポリマーを構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、具体的にはメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有する（メタ）アクリレート、具体的にはシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどが挙げられる。さらに官能基を有するモノマーとして、水酸基を有するヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；その他、エポキシ基を有するグリシジル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。アクリルポリマーは、水酸基を有しているモノマーを含有しているアクリルポリマーが、後述する硬化性成分（Ｂ）との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリルポリマーは、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。

さらに、バインダーポリマー成分（Ａ）として、硬化後の保護膜の可とう性を保持するための熱可塑性樹脂を配合してもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が１０００以上１０万以下のものが好ましく、３０００以上８万以下のものがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは−３０℃以上１２０℃以下、さらに好ましくは−２０℃以上１２０℃以下のものが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。上記の熱可塑性樹脂を含有することにより、接着剤層の転写面に接着剤層が追従しボイドなどの発生を抑えることができる。

（Ｂ）硬化性成分
硬化性成分（Ｂ）は、熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分のうち少なくともいずれかの成分が用いられる。硬化性成分（Ｂ）として熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分を用いてもよい。

熱硬化性成分としては、熱硬化樹脂及び熱硬化剤が用いられる。熱硬化樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂が好ましい。

エポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に２官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。

接着剤層には、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、熱硬化樹脂が、好ましくは１質量部以上１０００質量部以下、より好ましくは１０質量部以上５００質量部以下、さらに好ましくは２０質量部以上２００質量部以下含まれる。熱硬化樹脂の含有量が１質量部未満であると十分な接着性が得られないことがあり、１０００質量部を超えると接着剤層と基材との剥離力が高くなり、接着剤層の転写不良が起こることがある。

熱硬化剤は、熱硬化樹脂、特にエポキシ樹脂に対する硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤としては、エポキシ基と反応し得る官能基を１分子中に２個以上有する化合物が挙げられる。エポキシ基と反応し得る官能基としては、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、及び酸無水物基などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、及び酸無水物基などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、及びアミノ基が挙げられる。

フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、及びアラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）が挙げられる。これらは、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。

熱硬化剤の含有量は、熱硬化樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５００質量部以下であることが好ましく、１質量部以上２００質量部以下であることがより好ましい。熱硬化剤の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であると接着剤層の吸湿率が高まり半導体装置の信頼性を低下させることがある。

接着剤層が、硬化性成分（Ｂ）として、熱硬化性成分を含有する場合、接着剤層は熱硬化性を有する。この場合、接着剤層を加熱により硬化することが可能となるが、本実施形態の接着積層体において、基材が耐熱性を有している場合には、接着剤層の熱硬化の際に、基材に残存応力が発生して不具合を生じることが起こりにくい。

エネルギー線硬化性成分としては、エネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する低分子化合物（エネルギー線重合性化合物）を用いることができる。このようなエネルギー線硬化性成分として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、あるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート及びイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が１００以上３００００以下、好ましくは３００以上１００００以下である。エネルギー線重合性化合物の配合量は、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上１５００質量部以下、より好ましくは１０質量部以上５００質量部以下、特に好ましくは２０質量部以上２００質量部以下含まれる。

また、エネルギー線硬化性成分として、バインダーポリマー成分（Ａ）の主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型重合体を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型重合体は、バインダーポリマー成分（Ａ）としての機能と、硬化性成分（Ｂ）としての機能を兼ね備える。

エネルギー線硬化型重合体の主骨格は特に限定はされず、バインダーポリマー成分（Ａ）として汎用されているアクリルポリマーであってもよく、またポリエステル、ポリエーテル等であっても良いが、合成及び物性の制御が容易であることから、アクリルポリマーを主骨格とすることが特に好ましい。

エネルギー線硬化型重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、例えばエネルギー線重合性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には（メタ）アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型重合体に結合していてもよい。

エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上２００万以下であることが好ましく、１０万以上１５０万以下であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−６０℃以上５０℃以下であることが好ましく、−５０℃以上４０℃以下であることがより好ましく、−４０℃以上３０℃以下であることがさらに好ましい。

エネルギー線硬化型重合体は、例えば、官能基を含有するアクリルポリマーと、重合性基含有化合物とを反応させて得られる。この官能基を含有するアクリルポリマーが有する官能基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等が挙げられる。この重合性基含有化合物は、アクリルポリマーが有する当該置換基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を１分子毎に１〜５個有する重合性基含有化合物である。該官能基と反応する置換基としては、イソシアネート基、グリシジル基、及びカルボキシル基等が挙げられる。

重合性基含有化合物としては、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート、及び（メタ）アクリル酸等が挙げられる。

アクリルポリマーは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリルモノマーまたはその誘導体と、これと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とからなる共重合体であることが好ましい。

ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、ヒドロキシル基を有する２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート；カルボキシル基を有するアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸；エポキシ基を有するグリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。

上記（メタ）アクリルモノマーと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、及び２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
上記（メタ）アクリルモノマーと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、環状骨格を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、及びイミドアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリルポリマーには、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、及びスチレンからなる群から選択される少なくともいずれかが共重合されていてもよい。

エネルギー線硬化型重合体を使用する場合であっても、前記したエネルギー線重合性化合物を併用してもよく、またバインダーポリマー成分（Ａ）を併用してもよい。本実施形態における接着剤層中のこれら三者の配合量の関係は、エネルギー線硬化型重合体及びバインダーポリマー成分（Ａ）の質量の合計１００質量部に対して、エネルギー線重合性化合物が好ましくは１質量部以上１５００質量部以下、より好ましくは１０質量部以上５００質量部以下、さらに好ましくは２０質量部以上２００質量部以下含まれる。

接着剤層にエネルギー線硬化性を付与することで、接着剤層を簡便かつ短時間で硬化でき、硬化接着剤層付チップの生産効率が向上する。硬化接着剤層は、半導体素子を保護するための保護膜としても機能し得る。従来、チップ等の半導体素子用の保護膜は、一般にエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂により形成されていたが、熱硬化樹脂の硬化温度は２００℃を超え、また硬化時間は２時間程度を要しているため、生産効率向上の障害となっていた。しかし、エネルギー線硬化性の接着剤層は、エネルギー線照射により短時間で硬化するため、簡便に保護膜を形成でき、生産効率の向上に寄与し得る。

・その他の成分
接着剤層は、上記バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）に加えて下記成分を含むことができる。

（Ｃ）着色剤
接着剤層は、着色剤（Ｃ）を含有することが好ましい。接着剤層に着色剤を配合することで、半導体装置を機器に組み込んだ際に、周囲の装置から発生する赤外線等を遮蔽し、それらによる半導体装置の誤作動を防止することができ、また接着剤層を硬化して得た硬化接着剤層（保護膜）に、製品番号等を印字した際の文字の視認性が向上する。すなわち、保護膜が形成された半導体装置や半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が、通常、レーザーマーキング法（レーザー光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法）により印字される。保護膜が着色剤（Ｃ）を含有することで、保護膜のレーザー光により削り取られた部分とそうでない部分のコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。着色剤（Ｃ）としては、有機顔料、無機顔料、有機染料、及び無機染料の少なくともいずれかが用いられる。着色剤（Ｃ）としては、電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、及び活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本実施形態における接着剤層の高い硬化性は、可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤を用い、紫外線の透過性が低下した場合に、特に好ましく発揮される。可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤としては、上記の黒色顔料のほか、可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の波長領域で吸収性または反射性を有する着色剤であれば特に限定されない。

着色剤（Ｃ）の配合量は、接着剤層を構成する全固形分１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上３５質量部以下、より好ましくは０．５質量部以上２５質量部以下、さらに好ましくは１質量部以上１５質量部以下である。

（Ｄ）硬化促進剤
硬化促進剤（Ｄ）は、接着剤層の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤（Ｄ）は、特に、硬化性成分（Ｂ）において、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。

好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン類；２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。

硬化促進剤（Ｄ）は、硬化性成分（Ｂ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上１０質量部以下、さらに好ましくは０．１質量部以上１質量部以下の量で含まれる。硬化促進剤（Ｄ）を上記範囲の量で含有することにより、高温度かつ高湿度の条件下に曝されても優れた接着特性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高い信頼性を達成することができる。硬化促進剤（Ｄ）の含有量が少ないと硬化不足で十分な接着特性が得られないおそれがあり、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は、高温度かつ高湿度の条件下で接着剤層中を接着界面側に移動し、偏析することにより半導体装置の信頼性を低下させるおそれがある。

（Ｅ）カップリング剤
カップリング剤（Ｅ）は、接着剤層の半導体素子に対する接着性、密着性及び硬化接着剤層（保護膜）の凝集性の少なくともいずれかを向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（Ｅ）を使用することで、接着剤層を硬化して得られる硬化接着剤層（保護膜）の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。

カップリング剤（Ｅ）としては、バインダーポリマー成分（Ａ）、硬化性成分（Ｂ）などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤（Ｅ）としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。

カップリング剤（Ｅ）は、バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して、通常、０．１質量部以上２０質量部以下、好ましくは０．２質量部以上１０質量部以下、より好ましくは０．３質量部以上５質量部以下の割合で含まれる。カップリング剤（Ｅ）の含有量が０．１質量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、２０質量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。

（Ｆ）無機充填材
無機充填材（Ｆ）を接着剤層に配合することにより、硬化後の硬化接着剤層（保護膜）における熱膨張係数を調整することが可能となり、半導体チップに対して硬化後の硬化接着剤層（保護膜）の熱膨張係数を最適化することで半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、硬化後の硬化接着剤層（保護膜）の吸湿率を低減させることも可能となる。

好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、及び窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維並びにガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラー及びアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材（Ｆ）は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。無機充填材（Ｆ）の含有量は、接着剤層を構成する全固形分１００質量部に対して、通常、１質量部以上８０質量部以下の範囲で調整が可能である。

（Ｇ）光重合開始剤
接着剤層が、前述した硬化性成分（Ｂ）としてエネルギー線硬化性成分を含有する場合には、その使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性成分を硬化させる。この際、接着剤層を構成する組成物中に光重合開始剤（Ｇ）を含有させることで、重合硬化時間を短くすることができ、さらに、光線照射量を少なくすることができる。

このような光重合開始剤（Ｇ）として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４−ジエチルチオキサンソン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、１，２−ジフェニルメタン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド及びβ−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤（Ｇ）は１種類単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。

光重合開始剤（Ｇ）の配合割合は、エネルギー線硬化性成分１００質量部に対して０．１質量部以上１０質量部以下含まれることが好ましく、１質量部以上５質量部以下含まれることがより好ましい。０．１質量部未満であると光重合の不足で満足な転写性が得られないおそれがあり、１０質量部を超えると光重合に寄与しない残留物が生成し、接着剤層の硬化性が不十分となるおそれがある。

（Ｈ）架橋剤
接着剤層の初期接着力及び凝集力を調節するために、接着剤層に架橋剤を添加することもできる。架橋剤（Ｈ）としては、有機多価イソシアネート化合物、及び有機多価イミン化合物などが挙げられる。

上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物及びこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、並びにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。

有機多価イソシアネート化合物としては、例えば２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネート及びリジンイソシアネートが挙げられる。

上記有機多価イミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート及びＮ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等を挙げることができる。

架橋剤（Ｈ）はバインダーポリマー成分（Ａ）及びエネルギー線硬化型重合体の合計量１００質量部に対して、通常、０．０１質量部以上２０質量部以下、好ましくは０．１質量部以上１０質量部以下、より好ましくは０．５質量部以上５質量部以下の比率で用いられる。

（Ｉ）汎用添加剤
接着剤層には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、及び連鎖移動剤などが挙げられる。

上記のような各成分からなる接着剤層は、接着性と硬化性とを有し、未硬化状態ではワーク（半導体ウエハやチップ等）を押圧することで容易に接着する。そして硬化を経て、最終的には耐衝撃性の高い硬化接着剤層（保護膜）を与えることができ、接着強度にも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な保護機能を保持し得る。なお、接着剤層は単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を１層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。

接着剤層の厚さは、特に限定されない。接着剤層の厚さは、好ましくは３μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上２５０μｍ以下、さらに好ましくは７μｍ以上２００μｍ以下である。

接着剤層における可視光線及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線の透過性を示す尺度である、波長３００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下における最大透過率は、２０％以下であることが好ましく、０％以上１５％以下であることがより好ましく、０％を超え１０％以下であることがより好ましく、０．００１％以上８％以下であることがさらに好ましい。波長３００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下における接着剤層の最大透過率を上記範囲とすることで、接着剤層がエネルギー線硬化性成分（特に紫外線硬化性成分）を含有する場合には、接着剤層が着色されている場合であっても硬化性に優れる。また、可視光波長領域及び赤外波長領域の少なくともいずれかの透過性の低下が生じ、半導体装置の赤外線起因の誤作動の防止や、印字の視認性向上といった効果が得られる。波長３００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下における接着剤層の最大透過率は、上記着色剤（Ｃ）により調整できる。なお、接着剤層の最大透過率は、ＵＶ−ｖｉｓスペクトル検査装置（（株）島津製作所製）を用いて、硬化後の接着剤層（厚さ２５μｍ）の３００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下での全光線透過率を測定し、透過率の最も高い値（最大透過率）とした。

（半導体装置の製造方法）
図１及び図２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、基材１１と、接着剤層１２と、を備える接着積層体１を用いる。本実施形態に係る接着積層体１において、接着剤層１２は、基材１１に直接、積層されている。
接着剤層１２は、外部からエネルギーを受けて硬化する硬化型接着剤を含有することが好ましい。外部から供給されるエネルギーとしては、例えば、紫外線、電子線、及び熱などが挙げられる。接着剤層１２は、紫外線硬化型接着剤、及び熱硬化型接着剤の少なくともいずれか一種を含有していることが好ましい。本実施形態において、接着剤層１２に含有される接着剤としては、例えば、前述の第一の接着剤組成物であることが好ましい。

・半導体チップ貼着工程
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）には、接着積層体１の接着剤層１２に半導体チップＣＰを貼着させる工程（半導体チップ貼着工程と称する場合がある。）を説明する断面概略図が示されている。なお、図１（Ａ）には、半導体チップＣＰが１つ示されているが、本実施形態では、図１（Ｂ）に示すように複数の半導体チップＣＰを接着剤層１２に貼着させる。半導体チップＣＰを貼着させる際は、１つずつ貼着させてもよいし、複数の半導体チップＣＰを同時に貼着させてもよい。
本実施形態で用いる半導体チップＣＰは、接続端子Ｗ３が設けられた回路面Ｗ１と、回路面Ｗ１とは反対側の素子裏面としてのチップ裏面Ｗ２とを有する。本実施形態では、チップ裏面Ｗ２を接着剤層１２に貼着させる。

・補強フレーム貼着工程
本実施形態においては、接着積層体１に補強フレーム２を貼着する工程（補強フレーム貼着工程と称する場合がある。）をさらに有することが好ましい（図１（Ａ）及び（Ｂ）参照）。補強フレーム２を接着積層体１に貼着することにより、半導体装置の製造方法のプロセス中における半導体チップＣＰを貼着させた接着積層体１の取り扱い性などが向上する。
補強フレーム２の形状は特に限定されない。例えば、接着積層体１に貼着された複数の半導体チップＣＰが貼着された領域全体の外周を囲うような枠状に形成された補強フレームが挙げられる。また、１つ又は複数の半導体チップＣＰごとに囲う格子状に形成された補強フレームが挙げられる。また、接着積層体１に貼着された複数の半導体チップＣＰが貼着された領域を複数の領域に区分するような十字状に形成された補強フレームが挙げられる。
補強フレーム２を貼着する工程は、半導体チップＣＰを接着積層体１に貼着させる工程の前に実施してもよいし、後に実施してもよい。

・接着剤層硬化工程
図１（Ｃ）には、接着剤層１２を硬化させて硬化接着剤層１２Ａを形成する工程（接着剤層硬化工程と称する場合がある。）を説明する断面概略図が示されている。接着剤層１２を硬化させることにより、半導体チップＣＰは、硬化接着剤層１２Ａにより強固に接着され、後の樹脂封止工程における半導体チップＣＰの移動を抑制できる。
接着剤層の硬化の程度としては、完全硬化、又は半硬化（Ｂステージ化）が挙げられる。
接着剤層１２を硬化させる方法は、接着剤層１２が含有する接着剤の種類に応じて適宜選択することが好ましい。接着剤層１２が含有する接着剤が、紫外線硬化型接着剤であれば、紫外線を接着剤層１２に照射して、接着剤層１２を硬化させる。照射した紫外線が接着剤層１２に到達して、接着剤層１２が硬化するように、接着積層体１の基材１１は、紫外線透過性を有することが好ましい。
本実施形態では、補強フレーム２が接着剤層１２に貼着されているため、接着剤層１２が硬化する際の収縮による接着積層体１の撓み及びカールを抑制できる。したがって、接着剤層１２を硬化させて硬化接着剤層１２Ａを形成する工程の前に、接着剤層１２に補強フレーム２を貼着させておくことが好ましい。

・封止工程
図１（Ｄ）には、硬化接着剤層１２Ａの形成後、複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程と称する場合がある。）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１側を封止部材３０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３０が充填されている。本実施形態では、補強フレーム２も封止体３の内部に取り込まれているため、封止体３の剛性が向上し、樹脂封止後に発生する半導体パッケージの反りを抑制できる。
封止部材３０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する方法は、特に限定されない。例えば、接着積層体１に支持された状態の複数の半導体チップＣＰを金型内に載置し、金型内に流動性を有する封止樹脂材料を注入し、封止樹脂材料を加熱硬化させて封止樹脂層を形成する方法を採用してもよい。また、シート状の封止樹脂を複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１を覆うように載置し、半導体チップＣＰ及び補強フレーム２を覆うようにシート状の封止樹脂を載置し、封止樹脂を加熱硬化させて、封止樹脂層を形成する方法を採用してもよい。シート状の封止樹脂を用いる場合には、真空ラミネート法により半導体チップＣＰ及び補強フレーム２を封止することが好ましい。この真空ラミネート法により、半導体チップＣＰと補強フレーム２との間に空隙が生じることを防止できる。真空ラミネート法による加熱硬化の温度条件範囲は、例えば、８０℃以上１２０℃以下である。
封止部材３０の材質としては、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。封止部材３０として用いられるエポキシ樹脂には、例えば、フェノール樹脂、エラストマー、無機充填材、及び硬化促進剤などが含まれていてもよい。

封止工程と次の工程との間に封止部材３０をさらに硬化させる工程（追加の硬化工程と称する場合がある。）を実施してもよい。この工程では、封止樹脂層を加熱して硬化を促進させる方法が例として挙げられる。なお、追加の硬化工程を実施せずに封止工程における加熱によって封止部材３０を十分に硬化させてもよい。

・基材剥離工程
図１（Ｅ）には、複数の半導体チップＣＰを封止した後に、接着積層体１の基材１１を剥離する工程（基材剥離工程と称する場合がある。）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、硬化接着剤層１２Ａを封止体３に残したまま、基材１１を封止体３から剥離する。

・接続端子露出工程
図２（Ｆ）には、封止体３の表面に半導体チップＣＰの接続端子Ｗ３を露出させる工程（接続端子露出工程と称する場合がある。）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１や接続端子Ｗ３を覆う封止体３の封止樹脂層の一部または全体を除去して接続端子Ｗ３を露出させる。半導体チップＣＰの接続端子Ｗ３を露出させる方法は特に限定されない。半導体チップＣＰの接続端子Ｗ３を露出させる方法としては、例えば、封止樹脂層を研削して接続端子Ｗ３を露出させる方法、封止樹脂層をレーザー照射等の方法により除去して接続端子Ｗ３を露出させる方法、及び封止樹脂層をエッチング法により除去して接続端子Ｗ３を露出させる方法などが挙げられる。後述する再配線層と電気的に接続可能であれば、接続端子Ｗ３の全体を露出させてもよいし、接続端子Ｗ３の一部を露出させてもよい。

・再配線層形成工程
図２（Ｇ）には、半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線層４を形成する工程（再配線層形成工程と称する場合がある。）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、再配線層４と封止体３の表面に露出させた接続端子Ｗ３とを電気的に接続させる。本実施形態においては、再配線層４を、回路面Ｗ１の上、及び封止体３の面３Ｓの上に形成する。再配線層４を形成する方法は、従来公知の方法を採用することができる。
再配線層４は、外部端子電極を接続させるための外部電極パッド４１を有する。本実施形態では、外部電極パッド４１は、複数個所に形成されている。本実施形態では、半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド４１も形成されている。

・外部端子電極接続工程
図２（Ｈ）には、再配線層４に外部端子電極５を電気的に接続させる工程（外部端子電極接続工程と称する場合がある。）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、外部電極パッド４１に、はんだボール等の外部端子電極５を載置し、はんだ接合などにより、外部端子電極５と外部電極パッド４１とを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、例えば、含鉛はんだや無鉛はんだ等が挙げられる。

・個片化工程
図２（Ｉ）には、外部端子電極５が接続された封止体３を個片化する工程（個片化工程と称する場合がある。）を説明する断面概略図が示されている。
封止体３を個片化する方法は、特に限定されない。個片化する方法としては、例えば、ダイシングソーなどの切断手段を用いて個片化する方法、及びレーザー照射法などが挙げられる。封止体３を個片化する工程は、封止体３をダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。
本実施形態では、複数の半導体チップＣＰを含むように封止体３を個片化することにより、複数の半導体チップＣＰを含んだ半導体パッケージ１００を製造する。半導体パッケージ１００においては、半導体チップＣＰのチップ裏面Ｗ２に硬化接着剤層１２Ａが接着されたままである。すなわち、接着積層体１の接着剤層１２は、樹脂封止後に剥離される仮固定用ではなく、硬化接着剤層１２Ａとして半導体チップＣＰに強固に接着されて半導体パッケージ１００の一部として含まれる。
本実施形態では、半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド４１に外部端子電極５を接続させているため、半導体パッケージ１００は、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）として使用できる。

・実装工程
本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体パッケージ１００を、プリント配線基板等に実装する工程（実装工程と称する場合がある。）を含むことも好ましい。

・実施形態の効果
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、樹脂封止の際の圧力により半導体チップＣＰが指定の位置からずれる不具合を抑制できる。
特許文献１に記載のように粘着テープを仮固定用として使用する方法と比べて、本実施形態の製造方法では、接着積層体を用いており、さらに接着剤層１２を硬化させた後に、半導体チップＣＰの樹脂封止を実施している。そのため、本実施形態に係る接着積層体によれば、従来の方法に係る粘着テープと比べて、半導体チップＣＰをより強固に硬化接着剤層１２Ａにおいて保持することができ、指定の位置からずれる不具合（ダイシフト）を抑制できる。
また、特許文献１に記載のように粘着テープを使用する方法と比べて、本実施形態の製造方法では、接着剤層１２を硬化させて硬化接着剤層１２Ａを形成するので、特許文献１に記載の方法のように基板に半導体チップＣＰを固定しなくても、硬化接着剤層１２Ａの剛性によって半導体チップＣＰの取り扱い性の低下を防止できる。そのため、半導体装置の製造方法において使用する部材や工程を少なくして、製造工程を簡略化できる。
また、硬化接着剤層１２Ａは、剛性を有するので、封止体３の剛性が向上し、樹脂封止後に発生する半導体パッケージの反りを抑制できる。
硬化接着剤層１２Ａは、半導体パッケージ１００の一部として含まれるため、硬化接着剤層１２Ａがレーザー印字可能な材質で形成されている場合には、半導体パッケージ１００の硬化接着剤層１２Ａに製造番号等の識別情報を印字することができる。

〔第２実施形態〕
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、接着積層体の接着剤層に複数の半導体素子を貼着する工程と、前記接着剤層を硬化させて硬化接着剤層を形成する工程と、複数の前記半導体素子を封止して、封止樹脂層を有する封止体を形成する工程と、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記基材を前記封止体から剥離する工程と、前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有し、前記接着積層体に複数の前記半導体素子を貼着する際に、前記半導体素子の接続端子を有する回路面を前記接着剤層に向けて貼着し、前記封止体から前記基材を剥離した後に、前記回路面を覆う前記硬化接着剤層の一部または全体を除去して前記接続端子を露出させ、露出させた前記接続端子に前記再配線層を電気的に接続させる。
前記接着剤層を硬化させて前記硬化接着剤層を形成する工程の前に、前記接着剤層に補強フレームを貼着することが好ましい。

（基材）
本実施形態における接着積層体の基材も特に限定されず、例えば、第１実施形態で説明した基材と同様のものを使用できる。

（接着剤層）
本実施形態における接着積層体の接着剤層も、外部からエネルギーを受けて硬化する硬化型接着剤を含有することが好ましい。接着剤層は、紫外線硬化型接着剤、及び熱硬化型接着剤の少なくともいずれか一種を含有していることが好ましい。接着積層体の基材が、耐熱性を備えている場合は、熱硬化時の残存応力の発生を抑制できることから、接着剤層は、熱硬化型接着剤を含有する熱硬化性の接着剤層であることが好ましい。

本実施形態の接着剤層は、例えば、第二の接着剤組成物を含有する。
接着剤層には、反応性二重結合基を有するバインダー成分の添加によりシート形状維持性及び硬化性を付与することができる。また、バインダー成分は反応性二重結合基の他に、後述するエポキシ基を含むため、該エポキシ基同士や反応性二重結合基同士が付加重合することで、三次元網目構造が形成されることにより接着剤層の硬化が実現される。その結果、接着剤層は、反応性二重結合基を有さないバインダー成分からなる接着剤層よりも半導体装置の信頼性を向上させることができる。さらに、接着剤層に、後述する反応性二重結合基を表面に有する充填材（Ｌ）を添加する場合には、反応性二重結合基を有するバインダー成分は反応性二重結合基を有さないバインダー成分と比較して、該充填材（Ｌ）との相溶性が高い。

反応性二重結合基を有するバインダー成分としては、重合体成分（Ｊ）及び熱硬化性成分（Ｋ）が挙げられる。反応性二重結合基は、重合体成分（Ｊ）及び熱硬化性成分（Ｋ）の少なくとも一方に含まれていればよい。重合体成分は、バインダーポリマー成分と称される場合がある。
第二の接着剤組成物は、重合体成分（Ｊ）及び熱硬化性成分（Ｋ）を含有することが好ましい。
なお、接着剤層を硬化するまでの間、ワークに仮着させておくための機能である初期接着性は、感圧接着性であってもよく、熱により軟化して接着する性質であってもよい。初期接着性は、通常、バインダー成分の諸特性や、後述する充填材（Ｌ）の配合量の調整などにより制御される。

（Ｊ）重合体成分
重合体成分（Ｊ）は、接着剤層にシート形状維持性を付与することを主目的として添加される。
上記の目的を達成するため、重合体成分（Ｊ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常２０，０００以上であり、２０，０００以上３，０００，０００以下であることが好ましい。

重合体成分（Ｊ）としては、アクリル重合体、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリシロキサン、及びゴム系重合体等を用いることができる。また、これらの２種以上が結合した重合体成分であってもよく、このような重合体成分としては、例えば、水酸基を有するアクリル重合体であるアクリルポリオールに、分子末端にイソシアネート基を有するウレタンプレポリマーを反応させることにより得られるアクリルウレタン樹脂等であってもよい。さらに、重合体成分（Ｊ）としては、２種以上が結合した重合体を含め、これらの２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｊ１）アクリル重合体
重合体成分（Ｊ）としては、アクリル重合体（Ｊ１）が好ましく用いられる。アクリル重合体（Ｊ１）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−６０℃以上５０℃以下、より好ましくは−５０℃以上４０℃以下、さらに好ましくは−４０℃以上３０℃以下の範囲にある。アクリル重合体（Ｊ１）のガラス転移温度が高いと接着剤層の接着性が低下し、ワークに転写できなくなるおそれがある。

アクリル重合体（Ｊ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００，０００以上１，５００，０００以下であることが好ましい。アクリル重合体（Ｊ１）の重量平均分子量が高いと接着剤層の接着性が低下し、ワークに転写できなくなるおそれがある。

アクリル重合体（Ｊ１）は、アクリル重合体（Ｊ１）を構成する単量体として、少なくとも、（メタ）アクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体を含む。（メタ）アクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体としては、特開２０１６−０２７６５５号公報に記載のアクリル重合体（Ａ１）において例示したものが挙げられる。なお、アクリル重合体（Ｊ１）を構成する単量体として、カルボキシル基を有する単量体を用いてもよいが、後述する熱硬化性成分（Ｋ）として、エポキシ系熱硬化性成分を用いる場合には、カルボキシル基とエポキシ系熱硬化性成分中のエポキシ基とが反応してしまうため、カルボキシル基を有する単量体の使用量は少ないことが好ましい。

アクリル重合体（Ｊ１）が反応性二重結合基を有する場合には、反応性二重結合基は、アクリル重合体（Ｊ１）の骨格となる連続構造の単位中に付加されるか、又は末端に付加される。
反応性二重結合基を有するアクリル重合体（Ｊ１）は、例えば、反応性官能基を有するアクリル重合体と、該反応性官能基と反応する置換基と反応性二重結合基を１分子毎に１〜５個有する重合性基含有化合物とを反応させて得られる。
アクリル重合体（Ｊ１）の有する反応性二重結合基としては、好ましくはビニル基、アリル基及び（メタ）アクリロイル基などが挙げられる。
アクリル重合体（Ｊ１）の有する反応性官能基は、特開２０１６−０２７６５５号公報に記載の成分（Ａ）における反応性官能基と同義であり、反応性官能基を有するアクリル重合体は、当該公報の成分（Ａ）において記載した方法で得ることができる。重合性基含有化合物としては、特開２０１６−０２７６５５号公報に記載の成分（ＡＤ）において例示したものと同様である。

接着剤層が後述する架橋剤（Ｎ）を含有する場合には、アクリル重合体（Ｊ１）は反応性官能基を有することが好ましい。
中でも、反応性官能基として水酸基を有するアクリル重合体（Ｊ１）は、その製造が容易であり、架橋剤（Ｎ）を用いて架橋構造を導入することが容易になるため好ましい。また、水酸基を有するアクリル重合体（Ｊ１）は、後述する熱硬化性成分（Ｋ）との相溶性に優れる。

アクリル重合体（Ｊ１）を構成するモノマーとして、反応性官能基を有する単量体を用いることによりアクリル重合体（Ｊ１）に反応性官能基を導入する場合、反応性官能基を有する単量体の、アクリル重合体（Ｊ１）を構成するモノマー全質量中の割合は１質量％以上２０質量％以下が好ましく、３質量％以上１５質量％以下であることがより好ましい。アクリル重合体（Ｊ１）における、反応性官能基を有する単量体に由来する構成単位を上記範囲とすることで、反応性官能基と架橋剤（Ｎ）の架橋性官能基とが反応して三次元網目構造を形成し、アクリル重合体（Ｊ１）の架橋密度を高めることができる。その結果、接着剤層は、せん断強度に優れる。また、接着剤層の吸水性が低下するため、パッケージ信頼性に優れる半導体装置を得ることができる。

（Ｊ２）非アクリル系樹脂
また、重合体成分（Ｊ）として、非アクリル系樹脂（Ｊ２）を用いても良い。非アクリル系樹脂（Ｊ２）は、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリシロキサン、及びゴム系重合体からなる群から選択される樹脂、またはこれらの群から選択される２種以上の樹脂が結合したものから選ばれる。非アクリル系樹脂（Ｊ２）は、１種単独または２種以上の組み合わせを用いてもよい。非アクリル系樹脂（Ｊ２）の重量平均分子量は、２０，０００以上１００，０００以下であることが好ましく、２０，０００以上８０，０００以下であることがより好ましい。

非アクリル系樹脂（Ｊ２）のガラス転移温度は、好ましくは−３０℃以上１５０℃以下、さらに好ましくは−２０℃以上１２０℃以下の範囲にある。

非アクリル系樹脂（Ｊ２）と上述のアクリル重合体（Ｊ１）とを併用した場合には、ワークへ接着剤層を転写する際に、転写面に接着剤層が追従しボイドなどの発生をより抑えることができる。

非アクリル系樹脂（Ｊ２）を、上述のアクリル重合体（Ｊ１）と併用する場合には、非アクリル系樹脂（Ｊ２）の含有量は、非アクリル系樹脂（Ｊ２）とアクリル重合体（Ｊ１）との質量比（Ｊ２：Ｊ１）において、通常１：９９〜６０：４０、好ましくは１：９９〜３０：７０の範囲にある。非アクリル系樹脂（Ｊ２）の含有量がこの範囲にあることにより、上記の効果を得ることができる。

重合体成分（Ｊ）として、側鎖にエポキシ基を有するアクリル重合体（Ｊ１）や、フェノキシ樹脂を用いた場合には、重合体成分（Ｊ）の有するエポキシ基が熱硬化に関与することがあるが、本実施形態ではこのような重合体又は樹脂も、熱硬化成分（Ｋ）ではなく、重合体成分（Ｊ）として扱う。

（Ｋ）熱硬化性成分
熱硬化性成分（Ｋ）は、接着剤層に熱硬化性を付与することを主目的として添加される。
熱硬化性成分（Ｋ）は、エポキシ基を有する化合物（以下、単に「エポキシ化合物」と記載することがある。）を含有し、エポキシ化合物と熱硬化剤とを組み合わせたものを用いることが好ましい。
熱硬化性成分（Ｋ）は、重合体成分（Ｊ）と組み合わせて用いるため、接着剤層を形成するための塗工用組成物の粘度を抑制し、取り扱い性を向上させる等の観点から、通常、熱硬化性成分（Ｋ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００以下であり、１００以上１０，０００以下であることが好ましい。

エポキシ化合物としては、反応性二重結合基を有するエポキシ化合物（Ｋ１）及び反応性二重結合基を有しないエポキシ化合物（Ｋ１’）があり、熱硬化剤としては、反応性二重結合基を有する熱硬化剤（Ｋ２）及び反応性二重結合基を有しない熱硬化剤（Ｋ２’）がある。本実施形態における熱硬化性成分（Ｋ）が反応性二重結合基を有する場合には、反応性二重結合基を有するエポキシ化合物（Ｋ１）及び反応性二重結合基を有する熱硬化剤（Ｋ２）の少なくとも一方を必須成分として含む。

（Ｋ１）反応性二重結合基を有するエポキシ化合物
反応性二重結合基を有するエポキシ化合物（Ｋ１）としては、接着剤層の熱硬化後の強度や耐熱性が向上するため、芳香環を有するものが好ましい。エポキシ化合物（Ｋ１）の有する反応性二重結合基としては、好ましくはビニル基、アリル基及び（メタ）アクリロイル基などが挙げられ、より好ましくは（メタ）アクリロイル基、さらに好ましくはアクリロイル基が挙げられる。
このような反応性二重結合基を有するエポキシ化合物（Ｋ１）としては、例えば、多官能のエポキシ化合物のエポキシ基の一部が反応性二重結合基を含む基に変換されてなる化合物が挙げられる。このような化合物は、例えば、エポキシ基へアクリル酸を付加反応させることにより合成できる。あるいは、エポキシ樹脂を構成する芳香環等に、反応性二重結合基を含む基が直接結合した化合物などが挙げられる。

ここで、反応性二重結合基を有するエポキシ化合物（Ｋ１）としては、下記式（１）で表される化合物、下記式（２）で表される化合物、あるいは後述する反応性二重結合基を有しないエポキシ化合物（Ｋ１’）の一部のエポキシ基ヘアクリル酸を付加反応させて得られる化合物等が挙げられる。

〔式（１）中、Ｒは、Ｈ−またはＣＨ_３−であり、ｎは、０〜１０の整数である。〕

式（２）中、Ｒは、Ｈ−またはＣＨ_３−であり、ｎは、０〜１０の整数である。〕

なお、反応性二重結合基を有しないエポキシ化合物（Ｋ１’）とアクリル酸との反応により得られる反応性二重結合基を有するエポキシ化合物（Ｋ１）は、未反応物やエポキシ基が完全に消費された化合物との混合物となっている場合があるが、本実施形態においては、上記化合物が実質的に含まれているものであればよい。

（Ｋ１’）反応性二重結合基を有しないエポキシ化合物
反応性二重結合基を有しないエポキシ化合物（Ｋ１’）としては、従来公知のエポキシ化合物を用いることができる。このようなエポキシ化合物としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルやその水添物、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂、及びフェノールノボラック型エポキシ樹脂など、分子中に２官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。

エポキシ化合物（Ｋ１）及び（Ｋ１’）の数平均分子量は、特に制限されない。エポキシ化合物（Ｋ１）及び（Ｋ１’）の数平均分子量は、それぞれ独立に、接着剤層の硬化性や硬化後の強度や耐熱性の観点から、好ましくは３００以上３００００以下、より好ましくは４００以上１００００以下、さらに好ましくは５００以上１００００以下である。また、エポキシ化合物（Ｋ１）及び（Ｋ１’）の全量［（Ｋ１）＋（Ｋ１’）］中の反応性二重結合基の含有量は、エポキシ化合物（Ｋ１）及び（Ｋ１’）の全量中のエポキシ基１００モルに対して０．１モル以上１０００モル以下、好ましくは１モル以上５００モル以下、さらに好ましくは１０モル以上４００モル以下である。エポキシ化合物（Ｋ１）及び（Ｋ１’）の全量中の反応性二重結合基の含有量が１０００モルを超えると熱硬化性が不十分となるおそれがある。本明細書において、数平均分子量は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）による標準ポリスチレン換算値として求めることができる。

熱硬化剤は、エポキシ化合物（Ｋ１）及び（Ｋ１’）に対する硬化剤として機能する。

（Ｋ２）反応性二重結合基を有する熱硬化剤
反応性二重結合基を有する熱硬化剤（Ｋ２）は、重合性の炭素−炭素二重結合基を有する熱硬化剤である。熱硬化剤（Ｋ２）の有する反応性二重結合基としては、好ましくはビニル基、アリル基及び（メタ）アクリロイル基などが挙げられ、より好ましくはメタクリロイル基が挙げられる。
また、熱硬化剤（Ｋ２）は、上記の反応性二重結合基に加えて、エポキシ基と反応し得る官能基を含む。エポキシ基と反応し得る官能基としては、好ましくはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基及び酸無水物基などが挙げられ、これらの中でもより好ましくはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、及びアミノ基が挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基が挙げられる。

反応性二重結合基を有する熱硬化剤（Ｋ２）としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部を、反応性二重結合基を含む基で置換してなる化合物、あるいは、フェノール樹脂の芳香環に、反応性二重結合基を含む基が直接結合した化合物などが挙げられる。ここで、フェノール樹脂としては、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、及び多官能系フェノール樹脂等が挙げられ、特にノボラック型フェノール樹脂が好ましい。したがって、反応性二重結合基を有する熱硬化剤（Ｋ２）としては、ノボラック型フェノール樹脂の水酸基の一部を、反応性二重結合基を含む基で置換してなる化合物、あるいは、ノボラック型フェノール樹脂の芳香環に、反応性二重結合基を含む基が直接結合した化合物が好ましい。

反応性二重結合基を有する熱硬化剤（Ｋ２）の特に好ましい例としては、下記式（ａ）のようなフェノール性水酸基を含有する繰返単位の一部に反応性二重結合基が導入された構造であり、下記式（ｂ）または（ｃ）のような反応性二重結合基を含む基を有する繰返単位を含む化合物が挙げられる。特に好ましい反応性二重結合基を有する熱硬化剤（Ｋ２）は、下記式（ａ）の繰返単位と、下記式（ｂ）または（ｃ）の繰返単位と、を含む。

（式（ａ）中、ｎは、０または１である。）

（式（ｂ）及び式（ｃ）中、ｎは、それぞれ独立に、０または１である。
式（ｂ）及び式（ｃ）中、Ｒ^１が、それぞれ独立に、水酸基を有していてもよい炭素数１〜５の炭化水素基であり、かつ、Ｘが、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＮＲ^２−（Ｒ^２は水素またはメチル）である場合と、Ｒ^１Ｘが単結合であり、Ａが（メタ）アクリロイル基である場合とがある。）

繰返単位（ａ）に含まれるフェノール性水酸基は、エポキシ基と反応し得る官能基であり、接着剤層の熱硬化時にエポキシ化合物のエポキシ基と反応硬化する硬化剤としての機能を有する。繰返単位（ｂ）及び（ｃ）に含まれる反応性二重結合基は、アクリル重合体（Ｊ１）と熱硬化性成分（Ｋ）との相溶性を向上させると共に、反応性二重結合基同士が付加重合することで、接着剤層中に三次元網目構造が形成される。この結果、接着剤層の硬化物（硬化接着剤層（保護膜））がより強靭な性質となり、これにより半導体装置の信頼性が向上する。また、繰返単位（ｂ）及び（ｃ）に含まれる反応性二重結合基は、接着剤層をエネルギー線硬化する際に重合硬化し、接着剤層と基材との接着力を低下させる作用も有する。
この熱硬化剤（Ｋ２）における前記（ａ）式で示される繰返単位の割合は、好ましくは５モル％以上９５モル％以下、より好ましくは２０モル％以上９０モル％、さらに好ましくは４０モル％以上８０モル％以下であり、前記（ｂ）または（ｃ）式で示される繰返単位の割合は、合計で、好ましくは５モル％以上９５モル％以下、より好ましくは１０モル％以上８０モル％以下、さらに好ましくは２０モル％以上６０モル％以下である。

（Ｋ２’）反応性二重結合基を有しない熱硬化剤
反応性二重結合基を有しない熱硬化剤（Ｋ２’）としては、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基及び酸無水物基などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、及び酸無水物基などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、及びアミノ基が挙げられる。
アミノ基を有する熱硬化剤（アミン系熱硬化剤）の具体的な例としては、ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）が挙げられる。
フェノール性水酸基を有する熱硬化剤（フェノール系熱硬化剤）の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、及びアラルキルフェノール樹脂が挙げられる。
これらは、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。

上記した熱硬化剤（Ｋ２）及び（Ｋ２’）の数平均分子量は、好ましくは４０以上３００００以下、より好ましくは６０以上１００００以下、さらに好ましくは８０以上１００００以下である。

接着剤層における熱硬化剤（Ｋ２）及び（Ｋ２’）の合計［（Ｋ２）及び（Ｋ２’）］の含有量は、エポキシ化合物（Ｋ１）及び（Ｋ１’）の合計［（Ｋ１）及び（Ｋ１’）］の１００質量部に対して、０．１質量部以上５００質量部以下であることが好ましく、１質量部以上２００質量部以下であることがより好ましい。熱硬化剤の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないおそれがある。また、熱硬化剤［（Ｋ２）及び（Ｋ２’）］の含有量は、重合体成分（Ｊ）１００質量部に対して１質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、２質量部以上４０質量部以下であることがより好ましい。熱硬化剤の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないおそれがある。

熱硬化性成分（Ｋ）（エポキシ化合物と熱硬化剤の合計［（Ｋ１）＋（Ｋ１’）＋（Ｋ２）＋（Ｋ２’）］）は、接着剤層の全質量中、好ましくは５０質量％未満、より好ましくは１質量％以上３０質量％以下、さらに好ましくは５質量％以上２５質量％以下の割合で含まれる。また、接着剤層には、重合体成分（Ｊ）１００質量部に対して、熱硬化性成分（Ｋ）が、好ましくは１質量部以上１０５質量部未満、より好ましくは１質量部以上１００質量部未満、さらに好ましくは３質量部以上６０質量部以下、特に好ましくは３質量部以上４０質量部以下の範囲で含まれる。特に、熱硬化性成分（Ｋ）の含有量を少なくした場合、例えば、重合体成分（Ｊ）１００質量部に対して、３質量部以上４０質量部以下の範囲で含まれる程度とした場合には、次のような効果が得られる。接着剤層に半導体チップに固着させ、接着剤層を熱硬化させる前に、接着剤層が高温にされても、熱硬化工程中に、接着剤層中にボイドが発生する可能性を低減できる。熱硬化性成分（Ｋ）の含有量が多すぎると十分な接着性が得られないおそれがある。

（Ｋ３）硬化促進剤
硬化促進剤（Ｋ３）は、接着剤層の硬化速度を調整するために用いてもよい。硬化促進剤（Ｋ３）は、特に、熱硬化性成分（Ｋ）としてエポキシ系熱硬化性成分を用いるときに好ましく用いられる。

硬化促進剤（Ｋ３）を用いる場合、硬化促進剤（Ｋ３）は、熱硬化性成分（Ｋ）の合計［（Ｋ１）＋（Ｋ１’）＋（Ｋ２）＋（Ｋ２’）］１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上１０質量部以下、より好ましくは０．１質量部以上２．５質量部以下の量で含まれる。硬化促進剤（Ｋ３）を上記範囲の量で含有することにより、接着剤層は、高温度かつ高湿度の条件下に曝されても優れた接着特性を有する。また、硬化促進剤（Ｋ３）を上記範囲の量で含有することにより、接着剤層をフェースダウン型半導体チップの裏面を保護する硬化接着剤層（保護膜）を形成するために用いる場合に、チップの裏面保護機能に優れる。硬化促進剤（Ｋ３）の含有量が少ないと硬化不足で十分な接着特性が得られないおそれがある。

接着剤層には、反応性二重結合基を有するバインダー成分のほか、以下の成分を含有させてもよい。

（Ｌ）充填材
接着剤層は、充填材（Ｌ）を含有していてもよい。充填材（Ｌ）を接着剤層に配合することにより、接着剤層を硬化して得られる硬化接着剤層（保護膜）における熱膨張係数を調整することが可能となり、ワークに対して硬化接着剤層（保護膜）の熱膨張係数を最適化することで半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、硬化接着剤層（保護膜）の吸湿性を低減させることも可能となる。
また、本実施形態における接着剤層を硬化して得られる硬化接着剤層（保護膜）を、ワークまたはワークを個片化したチップの保護膜として機能させる場合には、保護膜にレーザーマーキングを施すことにより、レーザー光により削り取られた部分に充填材（Ｌ）が露出して、反射光が拡散するために白色に近い色を呈する。そのため、接着剤層が後述する着色剤（Ｉ）を含有すると、レーザーマーキング部分と他の部分にコントラスト差が得られ、印字が明瞭になるという効果がある。

好ましい充填材（Ｌ）としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、及び窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維、並びにガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラー及びアルミナフィラーが好ましい。充填材（Ｌ）は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
上述の効果をより確実に得るための、充填材（Ｌ）の含有量の範囲としては、接着剤層の全質量中、好ましくは１質量％以上８０質量％以下、より好ましくは２０質量％以上７５質量％以下である。なお、接着剤層をフェースダウン型半導体チップの裏面を保護する保護膜を形成するために用いる場合には、チップの裏面保護機能を向上させる観点から、充填材（Ｌ）の含有量は、接着剤層の全質量中、特に好ましくは４０質量％以上７０質量％以下である。

また、本実施形態における充填材（Ｌ）は、反応性二重結合基を有する化合物によりその表面が修飾されていることが好ましい。以下において、反応性二重結合基を有する化合物によりその表面が修飾された充填材を、「反応性二重結合基を表面に有する充填材」と記載する。
充填材（Ｌ）の有する反応性二重結合基は、ビニル基、アリル基、または（メタ）アクリロイル基であることが好ましい。

反応性二重結合基を表面に有する充填材に用いる未処理の充填材としては、上記充填材（Ｌ）の他、ケイ酸カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、酸化チタン、タルク、マイカ、及びクレー等が挙げられる。中でも、シリカが好ましい。シリカが持つシラノール基は、後述のシランカップリング剤との結合に有効に作用する。

反応性二重結合基を表面に有する充填材は、例えば、未処理の充填材の表面を、反応性二重結合基を有するカップリング剤により表面処理することにより得られる。

上記反応性二重結合基を有するカップリング剤は、特に限定されない。該カップリング剤として、例えば、ビニル基を有するカップリング剤、スチリル基を有するカップリング剤、及び（メタ）アクリロキシ基を有するカップリング剤が好適に用いられる。上記カップリング剤は、シランカップリング剤であることが好ましい。

上記カップリング剤の具体例として、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン及び３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらの市販品として、例えば、ＫＢＭ−１００３、ＫＢＥ−１００３、ＫＢＭ−１４０３、ＫＢＭ−５０２及びＫＢＭ−５０３、ＫＢＥ−５０２、ＫＢＥ−５０３、及びＫＢＭ−５１０３（以上いずれも信越化学工業社製）が挙げられる。

上記カップリング剤により上記充填材を表面処理する方法は特に限定されない。この方法として、例えば、ヘンシェルミキサー又はＶ型ミキサー等の高速攪拌可能なミキサー中に未処理の充填材を添加し、攪拌しながら、カップリング剤を、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒若しくは水溶液に溶解及び分散して添加する乾式法が挙げられる。さらに、未処理の充填材のスラリー中にカップリング剤を添加するスラリー法、未処理の充填材を乾燥させた後、カップリング剤をスプレー付与するスプレー法等の直接処理法、又は上記組成物の調製時に、未処理の充填材とアクリル系ポリマーとを混合し、該混合時にカップリング剤を直接添加するインテグレルブレンド法等が挙げられる。

上記未処理の充填材１００質量部を表面処理するカップリング剤の量の好ましい下限は０．１質量部、好ましい上限は１５質量部である。カップリング剤の量が０．１質量部未満であると、上記カップリング剤により未処理の充填材が充分に表面処理されず効果を発揮しない可能性がある。

また、反応性二重結合基を表面に有する充填材は、反応性二重結合基を有するバインダー成分との親和性に優れ、接着剤層中に均一に分散させることができる。

反応性二重結合基を表面に有する充填材は、接着剤層の全質量中、好ましくは５０質量％未満、より好ましくは１質量％以上３０質量％以下、さらに好ましくは５質量％以上２５質量％以下の割合で含まれる。また、バインダー成分１００質量部に対して、反応性二重結合基を表面に有する充填材は、好ましくは５質量部以上１００質量部未満、より好ましくは８質量部以上６０質量部以下、さらに好ましくは１０質量部以上４０質量部以下の範囲で含まれる。反応性二重結合基を表面に有する充填材の量が多すぎると、ワークへの貼付性や基板への接着性が悪くなるおそれがある。反応性二重結合基を表面に有する充填材の量が少なすぎると、該充填材添加の効果が十分に発揮されないおそれがある。

充填材（Ｌ）の平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは０．０１μｍ以上０．２μｍ以下の範囲内にある。充填材の平均粒径が上記の範囲内にある場合、ワークとの貼付性を損なわず接着性を発揮することができる。上記平均粒径が大きすぎると、シートの面状態が悪化し接着剤層の面内厚さがばらつくという不具合が発生する可能性がある。
なお、上記「平均粒径」とは、動的光散乱法を用いた粒度分布計（日機装社製、装置名；Ｎａｎｏｔｒａｃ１５０）により求められる。
充填材の平均粒径を上記範囲とすることにより、パッケージ信頼性向上効果が顕著に得られるのは、以下の理由によるものと推測される。
充填材の平均粒径が大きいと、充填材同士の間を埋めている充填材以外の成分から形成される構造も大きくなる。充填材以外の成分は、充填材よりも凝集性が低い。充填材以外の成分から形成される構造が大きいと、充填材以外の成分に破断が生じた場合に、破断が広範囲に広がる懸念がある。一方、充填材が微細であると、充填材以外の成分から形成される構造も微細になる。そうすると、充填材以外の成分に破断が生じても、その微細な構造に取り込まれた充填材が破断の進行を妨げる。その結果、破断が広範囲に広がらない傾向がある。さらに、本実施形態では、充填材が有するメタクリロキシ基等の反応性二重結合基と充填材以外の成分（例えばバインダー成分）に含まれる反応性二重結合基とが結合を生じ得る。充填材が微細であれば充填材と充填材以外の成分の接触面積が大きくなる。その結果、充填材とバインダー成分との結合が増える傾向がある。

（Ｉ）着色剤
接着剤層には、着色剤（Ｉ）を配合することができる。着色剤を配合することで、半導体装置を機器に組み込んだ際に、周囲の装置から発生する赤外線等による半導体装置の誤作動を防止することができる。また、レーザーマーキング等の手段により硬化接着剤層（保護膜）に刻印を行った場合に、文字、記号等のマークが認識しやすくなるという効果がある。すなわち、硬化接着剤層（保護膜）が形成された半導体装置や半導体チップでは、硬化接着剤層（保護膜）の表面に品番等が、通常、レーザーマーキング法（レーザー光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法）により印字される。硬化接着剤層（保護膜）が着色剤（Ｉ）を含有することで、硬化接着剤層（保護膜）のレーザー光により削り取られた部分と、削り取られていない部分とのコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。

着色剤としては、有機顔料、無機顔料、有機染料、及び無機染料が用いられる。着色剤としては、電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、二酸化マンガン、アニリンブラック、及び活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤（Ｉ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
着色剤（Ｉ）の配合量は、接着剤層の全質量中、好ましくは０．１質量％以上３５質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上２５質量％以下、さらに好ましくは１質量％以上１５質量％以下である。

（Ｍ）カップリング剤
無機物と反応する官能基及び有機官能基と反応する官能基を有するカップリング剤（Ｍ）を、接着剤層のワークに対する貼付性及び接着性を向上させるため、並びに接着剤層の凝集性を向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（Ｍ）を使用することで、硬化接着剤層（保護膜）の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上させることができる。このようなカップリング剤としては、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、及びシランカップリング剤等が挙げられる。これらのうちでも、シランカップリング剤が好ましい。

シランカップリング剤としては、その有機官能基と反応する官能基が、重合体成分（Ｊ）、及び熱硬化性成分（Ｋ）などが有する官能基と反応する基であるシランカップリング剤が好ましく使用される。
このようなシランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、及びビニルトリメトキシシラン等のアルコキシ基を２つまたは３つ有する低分子シランカップリング剤、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、ビニルトリアセトキシシラン、並びにイミダゾールシランなどが挙げられる。また、上記のアルコキシ基を２つまたは３つ有する低分子シランカップリング剤やアルコキシ基を４つ有する低分子シランカップリング剤などをアルコキシ基の加水分解及び脱水縮合により縮合した生成物であるオリゴマータイプのシランカップリング剤が挙げられる。特に、上記の低分子シランカップリング剤のうち、アルコキシ基を２つまたは３つ有する低分子シランカップリング剤と、アルコキシ基を４つ有する低分子シランカップリング剤とが脱水縮合により縮合した生成物であるオリゴマーが、アルコキシ基の反応性に富み、かつ充分な数の有機官能基を有しているので好ましく、例えば、３−(２，３−エポキシプロポキシ)プロピルメトキシシロキサンとジメトキシシロキサンとの共重合体であるオリゴマーが挙げられる。
これらシランカップリング剤は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。

シランカップリング剤は、バインダー成分１００質量部に対して、通常、０．１質量部以上２０質量部以下、好ましくは０．２質量部以上１０質量部以下、より好ましくは０．３質量部以上５質量部以下の割合で含まれる。シランカップリング剤の含有量が０．１質量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、２０質量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。

（Ｎ）架橋剤
接着剤層の初期接着力及び凝集力を調節するために、架橋剤（Ｎ）を接着剤層に添加することもできる。なお、架橋剤を配合する場合には、前記アクリル重合体（Ｊ１）には、反応性官能基が含まれる。
架橋剤（Ｎ）としては、有機多価イソシアネート化合物、及び有機多価イミン化合物などが挙げられ、特開２０１６−０２７６５５号公報に記載の架橋剤（Ｂ）として例示した架橋剤と同様の架橋剤が例示できる。

イソシアネート系の架橋剤を用いる場合、反応性官能基として水酸基を有するアクリル重合体（Ｊ１）を用いることが好ましい。架橋剤がイソシアネート基を有し、アクリル重合体（Ｊ１）が水酸基を有すると、架橋剤とアクリル重合体（Ｊ１）との反応が起こり、接着剤層に架橋構造を簡便に導入することができる。

架橋剤（Ｎ）を用いる場合、架橋剤（Ｎ）はアクリル重合体（Ｊ１）１００質量部に対して、通常、０．０１質量部以上２０質量部以下、好ましくは０．１質量部以上１０質量部以下、より好ましくは０．５質量部以上５質量部以下の比率で用いられる。

（Ｐ）光重合開始剤
接着剤層には、光重合開始剤（Ｐ）が配合されてもよい。光重合開始剤（Ｐ）として具体的には、特開２０１６−０２７６５５号公報に記載の光重合開始剤（Ｅ）と同様の光重合開始剤を例示できる。

光重合開始剤（Ｐ）を用いる場合、その配合割合は、前記した充填材（Ｌ）の表面の反応性二重結合基及びバインダー成分の有する反応性二重結合基の合計量に基づいて、適宜に設定すればよい。光重合開始剤（Ｐ）の配合割合は、限定されない。光重合開始剤（Ｐ）の配合割合は、例えば、反応性二重結合基を有する重合体成分、反応性二重結合基を有する熱硬化性成分及び前記充填材の合計１００質量部に対して、光重合開始剤（Ｐ）は、通常、０．１質量部以上１０質量部以下、好ましくは１質量部以上５質量部以下である。光重合開始剤（Ｐ）の含有量が上記範囲より下回ると光重合の不足で満足な反応が得られないおそれがあり、上記範囲より上回ると光重合に寄与しない残留物が生成し、接着剤層の硬化性が不十分となるおそれがある。

（Ｍ）汎用添加剤
接着剤層には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、第一実施形態で説明した汎用添加剤（Ｉ）や剥離剤などが挙げられる。

接着剤層は、例えば上記各成分を適宜の割合で混合して得られる組成物（第二の接着剤組成物）を用いて得られる。第二の接着剤組成物は、予め溶媒で希釈しておいてもよく、また混合時に溶媒に加えてもよい。また、第二の接着剤組成物の使用時に、溶媒で希釈してもよい。
このような溶媒としては、酢酸エチル、酢酸メチル、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、及びヘプタンなどが挙げられる。

接着剤層の厚さは、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上９０μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以上８０μｍ以下である。接着剤層の厚さを上記範囲とすることで、接着剤層が信頼性の高い接着剤または保護膜として機能する。

（半導体装置の製造方法）
図３及び図４は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、基材１１と、接着剤層１２と、を備える接着積層体１を用いる。
接着剤層１２は、外部からエネルギーを受けて硬化する硬化型接着剤を含有することが好ましい。外部から供給されるエネルギーとしては、例えば、紫外線、電子線、及び熱などが挙げられる。接着剤層１２は、紫外線硬化型接着剤、及び熱硬化型接着剤の少なくともいずれか一種を含有していることが好ましい。本実施形態において、接着剤層１２に含有される接着剤としては、例えば、前述の第二の接着剤組成物であることが好ましい。

・半導体チップ貼着工程
図３（Ａ）には、接着積層体１の接着剤層１２に半導体チップＣＰを貼着させる工程（半導体チップ貼着工程）を説明する断面概略図が示されている。本実施形態においては、図３（Ａ）に示すように複数の半導体チップＣＰを接着剤層１２に貼着させる。半導体チップＣＰを貼着させる際は、１つずつ貼着させてもよいし、複数の半導体チップＣＰを同時に貼着させてもよい。
本実施形態で用いる半導体チップＣＰは、接続端子Ｗ３が設けられた回路面Ｗ１と、回路面Ｗ１とは反対側の素子裏面としてのチップ裏面Ｗ２とを有する。本実施形態では、回路面Ｗ１を接着剤層１２に貼着させる。

・補強フレーム貼着工程
本実施形態においても、第１実施形態と同様、接着積層体１に補強フレーム２を貼着する工程（補強フレーム貼着工程）をさらに有することが好ましい（図３（Ａ）参照）。補強フレーム２の形状は特に限定されず、補強フレーム２の例示としては、第１実施形態と同様である。
本実施形態においても、第１実施形態と同様、補強フレーム２を貼着する工程は、半導体チップＣＰを接着積層体１に貼着させる工程の前に実施してもよいし、後に実施してもよい。

・接着剤層硬化工程
図３（Ｂ）には、接着剤層１２を硬化させて硬化接着剤層１２Ａを形成する工程（接着剤層硬化工程）を説明する断面概略図が示されている。接着剤層１２を硬化させることにより、半導体チップＣＰは、硬化接着剤層１２Ａにより強固に接着され、後の樹脂封止工程における半導体チップＣＰの移動を抑制できる。
接着剤層１２を硬化させる方法は、第１実施形態と同様に、接着剤層１２が含有する接着剤の種類に応じて適宜選択することが好ましい。
本実施形態においても、補強フレーム２が接着剤層１２に貼着されているため、接着剤層１２が硬化する際の収縮による接着積層体１の撓み及びカールを抑制できる。したがって、接着剤層１２を硬化させて硬化接着剤層１２Ａを形成する工程の前に、接着剤層１２に補強フレーム２を貼着させておくことが好ましい。

・封止工程
図３（Ｃ）には、硬化接着剤層１２Ａの形成後、複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、半導体チップＣＰのチップ裏面Ｗ２側を封止部材３０によって覆うことにより封止体３Ａが形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３０が充填されている。本実施形態では、補強フレーム２も封止体３Ａの内部に取り込まれているため、封止体３Ａの剛性が向上し、樹脂封止後に発生する半導体パッケージの反りを抑制できる。
封止部材３０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する方法は、特に限定されず、例えば、第１実施形態で説明した方法などが挙げられる。
封止部材３０の材質としては、例えば、第１実施形態で説明した材料や組成物などが挙げられる。
本実施形態においても、第１実施形態で説明した追加の硬化工程を実施してもよい。

・基材剥離工程
図３（Ｄ）には、複数の半導体チップＣＰを封止した後に、接着積層体１の基材１１を剥離する工程（基材剥離工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態においても、硬化接着剤層１２Ａを封止体３Ａに残したまま、基材１１を封止体３Ａから剥離する。

・接続端子露出工程
図４（Ｅ）には、封止体３Ａの表面に半導体チップＣＰの接続端子Ｗ３を露出させる工程（接続端子露出工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１や接続端子Ｗ３を覆う封止体３Ａの硬化接着剤層１２Ａの一部または全体を除去して接続端子Ｗ３を露出させる。半導体チップＣＰの接続端子Ｗ３を露出させる方法は特に限定されない。半導体チップＣＰの接続端子Ｗ３を露出させる方法としては、例えば、硬化接着剤層１２Ａをレーザー照射等の方法により除去して接続端子Ｗ３を露出させる方法、及び硬化接着剤層１２Ａをエッチング法により除去して接続端子Ｗ３を露出させる方法などが挙げられる。本実施形態においても、後述する再配線層と電気的に接続可能であれば、接続端子Ｗ３の全体を露出させてもよいし、接続端子Ｗ３の一部を露出させてもよい。

・再配線層形成工程
図４（Ｆ）には、半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線層４を形成する工程（再配線層形成工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、再配線層４と封止体３Ａの表面に露出させた接続端子Ｗ３とを電気的に接続させる。本実施形態においては、再配線層４を、回路面Ｗ１の上、及び封止体３Ａの面３Ｓの上に形成する。再配線層４を形成する方法は、従来公知の方法を採用することができる。
再配線層４は、外部端子電極を接続させるための外部電極パッド４１を有する。本実施形態では、外部電極パッド４１は、複数個所に形成されている。本実施形態では、半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド４１も形成されている。

・再配線層形成工程
図４（Ｇ）には、再配線層４に外部端子電極５を電気的に接続させる工程（外部端子電極接続工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、外部電極パッド４１に、はんだボール等の外部端子電極５を載置し、はんだ接合などにより、外部端子電極５と外部電極パッド４１とを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、例えば、含鉛はんだや無鉛はんだ等が挙げられる。

・個片化工程
図４（Ｈ）には、外部端子電極５が接続された封止体３Ａを個片化する工程（個片化工程）を説明する断面概略図が示されている。
封止体３Ａを個片化する方法は、特に限定されず、例えば、第１実施形態と同様の方法が挙げられる。封止体３Ａを個片化する工程は、封止体３Ａをダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。
本実施形態では、複数の半導体チップＣＰを含むように封止体３Ａを個片化することにより、複数の半導体チップＣＰを含んだ半導体パッケージ１００Ａを製造する。半導体パッケージ１００Ａにおいては、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に硬化接着剤層１２Ａが設けられている。すなわち、接着積層体１の接着剤層１２は、樹脂封止後に剥離される仮固定用ではなく、硬化接着剤層１２Ａとして半導体チップＣＰに強固に接着されて半導体パッケージ１００Ａの一部として含まれる。
本実施形態では、半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド４１に外部端子電極５を接続させているため、半導体パッケージ１００Ａは、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）として使用できる。

・実装工程
本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体パッケージ１００Ａを、プリント配線基板等に実装する工程（実装工程と称する場合がある。）を含むことも好ましい。

・実施形態の効果
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、第１実施形態と同様に、特許文献１に記載のように粘着テープを使用する方法と比べて、樹脂封止の際の圧力により半導体チップＣＰが指定の位置からずれる不具合を抑制でき、製造工程を簡略化できる。
また、硬化接着剤層１２Ａは、剛性を有するので、封止体３Ａの剛性が向上し、樹脂封止後に発生する半導体パッケージの反りを抑制できる。

〔第３実施形態〕
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基材と、接着剤層と、前記接着剤層と、前記基材との間に、粘着剤層を含む接着積層体を用いる製造方法である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、このような接着積層体の前記接着剤層に、複数の前記半導体素子を貼着する工程と、前記接着剤層を硬化させて硬化接着剤層を形成する工程と、複数の前記半導体素子を封止して、封止樹脂層を有する封止体を形成する工程と、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記基材を前記封止体から剥離する工程と、前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有する。
前記基材を前記封止体から剥離する工程は、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記粘着剤層と前記硬化接着剤層との界面で剥離する工程であることが好ましい。

（接着積層体）
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、基材１１と、接着剤層１２と、粘着剤層１３と、を備える接着積層体１Ａを用いる（図５（Ａ）参照）。

（基材）
基材１１は特に限定されず、例えば、第１実施形態で説明した基材と同様の基材を使用できる。

（接着剤層）
接着剤層１２は、外部からエネルギーを受けて硬化する硬化型接着剤を含有することが好ましい。外部から供給されるエネルギーとしては、例えば、紫外線、電子線、及び熱などが挙げられる。接着剤層１２は、紫外線硬化型接着剤、及び熱硬化型接着剤の少なくともいずれか一種を含有していることが好ましい。本実施形態において、接着剤層１２に含有される接着剤としては、例えば、前述の第一の接着剤組成物及び前述の第二の接着剤組成物の少なくともいずれかの接着剤組成物であることが好ましい。

（粘着剤層）
粘着剤層１３は、基材１１と接着剤層１２との間に含まれる。接着積層体１Ａにおいて、接着剤層１２は、基材１１に設けられた粘着剤層１３の上に積層されている。
粘着剤層１３は、接着剤層１２を剥離できる程度の粘着力を有する弱粘着性の粘着剤で形成されていてもよいし、エネルギー線照射により粘着力が低下するエネルギー線硬化性の粘着剤で形成されていてもよい。また、エネルギー線硬化性の粘着剤で形成した粘着剤層を用いる場合、接着剤層１２が積層される領域（例えば、基材１１の内周部）に予めエネルギー線照射を行い、粘着性を低減させておく一方、他の領域（例えば、基材１１の外周部）はエネルギー線照射を行わず、例えば治具への接着を目的として、粘着力を高いまま維持しておいてもよい。他の領域のみにエネルギー線照射を行わないようにするには、例えば、基材１１の他の領域に対応する領域に印刷等によりエネルギー線遮蔽層を設け、基材１１側からエネルギー線照射を行えばよい。

粘着剤層１３は、従来公知の種々の粘着剤により形成できる。粘着剤層１３は、例えば、汎用粘着剤、エネルギー線硬化型粘着剤、及び熱膨張成分含有粘着剤からなる群から選択される少なくともいずれかの粘着剤により形成できる。汎用粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、及びビニルエーテル系粘着剤からなる群から選択される少なくともいずれかの粘着剤であることが好ましい。また、粘着剤層１３の形態としては、芯材と、芯材の両面に設けられた粘着剤層とを有する形態も含まれる。

また、粘着剤層１３は、熱膨張性粘着剤層であることも好ましい。熱膨張性粘着剤層は、熱膨張性粘着剤で形成される。熱膨張性粘着剤は、粘着剤と熱膨張性成分とを含有する。粘着剤層１３が熱膨張性粘着剤層である場合、加熱により、熱膨張性粘着剤層と被着体との接触面積を減少させて、粘着力を低下させることができる。熱膨張性成分としては、熱膨張性微粒子を用いることができる。熱膨張性微粒子は、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微粒子である。ガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、及びペンタン等が挙げられる。特に、熱膨張性微粒子は、加熱膨張後に粘着剤層の表面形状を制御しやすく、これによって粘着剤層を強粘着性の状態から加熱によって剥離容易な状態に変化させやすいため、好ましい。また、熱膨張性成分としては、発泡剤を用いてもよい。発泡剤は、例えば、熱分解して、ガスを発生させる能力を有する化学物質である。発生させるガスとしては、例えば、水、炭酸ガス、及び窒素等が挙げられる。発泡剤を粘着剤中に分散させることにより、熱膨張性微粒子と類似の効果を奏する。

粘着剤層１３の厚さは、特に限定されない。粘着剤層１３の厚さは、通常、１μｍ以上５０μｍ以下であり、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。

（半導体装置の製造方法）
図５は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、接着積層体１Ａを用いる。

・半導体チップ貼着工程
図５（Ａ）には、接着積層体１Ａの接着剤層１２に半導体チップＣＰを貼着させる工程（半導体チップ貼着工程）を説明する断面概略図が示されている。本実施形態においては、図５（Ｂ）に示すように複数の半導体チップＣＰを接着剤層１２に貼着させる。半導体チップＣＰを貼着させる際は、１つずつ貼着させてもよいし、複数の半導体チップＣＰを同時に貼着させてもよい。
本実施形態で用いる半導体チップＣＰは、接続端子Ｗ３が設けられた回路面Ｗ１と、回路面Ｗ１とは反対側の素子裏面としてのチップ裏面Ｗ２とを有する。本実施形態では、チップ裏面Ｗ２を接着剤層１２に貼着させる。

・補強フレーム貼着工程
本実施形態においても、第１実施形態と同様、接着積層体１Ａに補強フレーム２を貼着する工程（補強フレーム貼着工程）をさらに有することが好ましい（図５（Ａ）及び（Ｂ）参照）。補強フレーム２の形状は特に限定されず、補強フレーム２の例示としては、第１実施形態と同様である。
本実施形態においても、補強フレーム２を貼着する工程は、第１実施形態と同様、半導体チップＣＰを接着積層体１Ａに貼着させる工程の前に実施してもよいし、後に実施してもよい。

・接着剤層硬化工程
図５（Ｃ）には、接着剤層１２を硬化させて硬化接着剤層１２Ａを形成する工程（接着剤層硬化工程）を説明する断面概略図が示されている。接着剤層１２を硬化させることにより、半導体チップＣＰは、硬化接着剤層１２Ａにより強固に接着され、後の樹脂封止工程における半導体チップＣＰの移動を抑制できる。
接着剤層１２を硬化させる方法は、第１実施形態と同様に、接着剤層１２が含有する接着剤の種類に応じて適宜選択することが好ましい。
本実施形態においても、補強フレーム２が接着剤層１２に貼着されているため、接着剤層１２が硬化する際の収縮による接着積層体１Ａの撓み及びカールを抑制できる。したがって、接着剤層１２を硬化させて硬化接着剤層１２Ａを形成する工程の前に、接着剤層１２に補強フレーム２を貼着させておくことが好ましい。

・封止工程
図５（Ｄ）には、硬化接着剤層１２Ａの形成後、複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１側を封止部材３０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３０が充填されている。本実施形態においても、補強フレーム２も封止体３の内部に取り込まれているため、封止体３の剛性が向上し、樹脂封止後に発生する半導体パッケージの反りを抑制できる。
封止部材３０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する方法は、特に限定されず、例えば、第１実施形態で説明した方法などが挙げられる。封止部材３０の材質としては、例えば、第１実施形態で説明した材料や組成物などが挙げられる。

本実施形態においても、第１実施形態で説明した追加の硬化工程を実施してもよい。なお、追加の硬化工程を実施せずに封止工程における加熱によって封止部材３０を十分に硬化させてもよい。

・剥離工程
図５（Ｅ）には、複数の半導体チップＣＰを封止した後に、接着積層体１Ａの基材１１及び粘着剤層１３を剥離する工程（剥離工程と称する場合がある。）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、硬化接着剤層１２Ａを封止体３に残したまま、基材１１及び粘着剤層１３を封止体３から剥離する。接着積層体１Ａは、粘着剤層１３と硬化接着剤層１２Ａとの界面で剥離可能である。

基材剥離工程の後、例えば、第一実施形態と同様に接続端子露出工程（図２（Ｆ）参照）、再配線層形成工程（図２（Ｇ）参照）、外部端子電極接続工程（図２（Ｈ）参照）、及び個片化工程（図２（Ｉ）参照）を実施することで、半導体パッケージ１００を製造できる。本実施形態の半導体装置の製造方法において、さらに、実装工程を実施してもよい。

・実施形態の効果
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、接着積層体１Ａは、基材１１と接着剤層１２との間に粘着剤層１３を含んでいるので、接着剤層を硬化させる工程において基材からの浮きを抑制することができる。

〔第４実施形態〕
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基材と粘着剤層とを備える粘着シート、並びに接着剤層を備える半導体素子を用いる製造方法である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、粘着シートの前記粘着剤層に、複数の前記半導体素子の前記接着剤層を貼り合せる工程と、前記接着剤層を硬化させて硬化接着剤層を形成する工程と、複数の前記半導体素子を封止して、封止樹脂層を有する封止体を形成する工程と、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記基材を前記封止体から剥離する工程と、前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有する。
前記基材を前記封止体から剥離する工程は、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記粘着剤層と前記硬化接着剤層との界面で剥離する工程であることが好ましい。
なお、本明細書において、粘着シートは、被着体に貼着した後に剥離可能な粘着力を有し、接着剤層のような強固に被着体に固定される接着力を有する接着シートとは異なる。

（粘着シート）
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、基材１１と、粘着剤層１３と、を備える粘着シート１Ｂを用いる（図６（Ａ）参照）。

（粘着剤層）
粘着剤層１３は、基材１１に設けられている。粘着剤層１３は、第３実施形態で説明した粘着剤層と同様の粘着剤層を使用できる。

（半導体装置の製造方法）
図６及び図７は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、粘着シート１Ｂを用いる。

・半導体チップ貼着工程
図６（Ａ）には、粘着シート１Ｂの粘着剤層１３に半導体チップＣＰを貼着させる工程（半導体チップ貼着工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態で用いる半導体チップＣＰは、接続端子Ｗ３が設けられた回路面Ｗ１と、回路面Ｗ１とは反対側の素子裏面としてのチップ裏面Ｗ２とを有する。接着剤層１４は、半導体チップＣＰのチップ裏面Ｗ２に設けられている。接着剤層１４に含有される接着剤としては、例えば、前述の第一の接着剤組成物及び前述の第二の接着剤組成物の少なくともいずれかの接着剤組成物であることが好ましい。
本実施形態においては、図６（Ｂ）に示すように、接着剤層１４を介して複数の半導体チップＣＰを粘着シート１Ｂの粘着剤層１３に貼着させる。半導体チップＣＰを貼着させる際は、１つずつ貼着させてもよいし、複数の半導体チップＣＰを同時に貼着させてもよい。

・補強フレーム貼着工程
本実施形態においては、粘着シート１Ｂに補強フレーム２を貼着する工程（補強フレーム貼着工程）をさらに有することが好ましい（図６（Ａ）及び（Ｂ）参照）。補強フレーム２を粘着シート１Ｂに貼着することにより、半導体装置の製造方法のプロセス中における半導体チップＣＰを貼着させた粘着シート１Ｂの取り扱い性などが向上する。
補強フレーム２の形状は特に限定されず、補強フレーム２の例示としては、第１実施形態と同様である。
本実施形態においても、補強フレーム２を貼着する工程は、半導体チップＣＰを粘着シート１Ｂに貼着させる工程の前に実施してもよいし、後に実施してもよい。

・接着剤層硬化工程
図６（Ｃ）には、接着剤層１４を硬化させて硬化接着剤層１４Ａを形成する工程（接着剤層硬化工程）を説明する断面概略図が示されている。接着剤層１４を硬化させることにより、半導体チップＣＰは、硬化接着剤層１４Ａにより強固に接着され、後の樹脂封止工程における半導体チップＣＰの移動を抑制できる。
接着剤層１４を硬化させる方法は、第１実施形態と同様に、接着剤層１４が含有する接着剤の種類に応じて適宜選択することが好ましい。
本実施形態においても、補強フレーム２が粘着シート１Ｂに貼着されているため、接着剤層１４が硬化する際の収縮による粘着シート１Ｂの撓み及びカールを抑制できる。したがって、接着剤層１４を硬化させて硬化接着剤層１４Ａを形成する工程の前に、粘着剤層１３に補強フレーム２を貼着させておくことが好ましい。

・封止工程
図６（Ｄ）には、硬化接着剤層１４Ａの形成後、複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１側を封止部材３０によって覆うことにより封止体３Ｂが形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３０が充填されている。本実施形態においては、補強フレーム２及び硬化接着剤層１４Ａが封止体３Ｂの内部に取り込まれているため、封止体３Ｂの剛性が向上し、樹脂封止後に発生する半導体パッケージの反りを抑制できる。封止部材３０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する方法は、特に限定されず、例えば、第１実施形態で説明した方法などが挙げられる。封止部材３０の材質としては、例えば、第１実施形態で説明した材料や組成物などが挙げられる。

・粘着シート剥離工程
図６（Ｅ）には、複数の半導体チップＣＰを封止した後に、粘着シート１Ｂを剥離する工程（粘着シート剥離工程と称する場合がある。）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、硬化接着剤層１４Ａを封止体３Ｂに残したまま、粘着シート１Ｂ（基材１１及び粘着剤層１３）を封止体３Ｂから剥離する。粘着シート１Ｂは、粘着剤層１３と硬化接着剤層１４Ａとの界面で剥離可能である。

・接続端子露出工程
図７（Ｆ）には、封止体３Ｂの表面に半導体チップＣＰの接続端子Ｗ３を露出させる工程（接続端子露出工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１や接続端子Ｗ３を覆う封止体３Ｂの封止樹脂層の一部または全体を除去して接続端子Ｗ３を露出させる。本実施形態の接続端子露出工程は、第一実施形態と同様にして実施できる。

・再配線層形成工程
図７（Ｇ）には、半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線層４を形成する工程（再配線層形成工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、再配線層４と封止体３Ｂの表面に露出させた接続端子Ｗ３とを電気的に接続させる。本実施形態の再配線層形成工程は、第一実施形態と同様にして実施できる。
本実施形態の再配線層４も、外部端子電極を接続させるための外部電極パッド４１を有する。本実施形態においても、外部電極パッド４１は、複数個所に形成されている。本実施形態においても、半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド４１も形成されている。

・外部端子電極接続工程
図７（Ｈ）には、再配線層４に外部端子電極５を電気的に接続させる工程（外部端子電極接続工程）を説明する断面概略図が示されている。本実施形態の外部端子電極接続工程は、第一実施形態と同様にして実施できる。

・個片化工程
図７（Ｉ）には、外部端子電極５が接続された封止体３Ｂを個片化する工程（個片化工程）を説明する断面概略図が示されている。
封止体３Ｂを個片化する方法は、特に限定されず、例えば、第１実施形態と同様の方法が挙げられる。封止体３Ｂを個片化する工程は、封止体３Ｂをダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。
本実施形態では、複数の半導体チップＣＰを含むように封止体３Ｂを個片化することにより、複数の半導体チップＣＰを含んだ半導体パッケージ１００Ｃを製造する。半導体パッケージ１００Ｃにおいては、半導体チップＣＰのチップ裏面Ｗ２に硬化接着剤層１４Ａが設けられている。すなわち、半導体チップＣＰのチップ裏面Ｗ２に設けられていた接着剤層１４は、樹脂封止後に剥離される仮固定用ではなく、硬化接着剤層１４Ａとして半導体チップＣＰに強固に接着されて半導体パッケージ１００Ｃの一部として含まれる。
本実施形態においても、半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド４１に外部端子電極５を接続させているため、半導体パッケージ１００Ｃは、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）として使用できる。

・実装工程
本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体パッケージ１００Ｃを、プリント配線基板等に実装する工程（実装工程と称する場合がある。）を含むことも好ましい。

・実施形態の効果
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップＣＰは、チップ裏面Ｗ２に設けられていた接着剤層１４を介して粘着シート１Ｂに貼着されるので、チップ状に個片化される前のウエハ全面に接着剤層が積層された積層体が先に作製された状態であっても使用することができる。

〔第５実施形態〕
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基材と接着剤層とを備え、前記接着剤層が第一の接着剤層と第二の接着剤層とを含む接着積層体を用いる製造方法である。前記第一の接着剤層と前記第二の接着剤層とは、互いに材質が異なる。本実施形態においては、前記基材の上に前記第二の接着剤層が形成され、前記第二の接着剤層の上に前記第一の接着剤層が形成されている接着積層体を例に挙げて説明する。本実施形態では、接着積層体の基材としては、例えば、樹脂フィルムが用いられる。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前記第一の接着剤層に硬質支持体を貼着する工程と、前記基材を前記第二の接着剤層から剥離する工程と、前記第二の接着剤層に複数の半導体素子を貼着する工程と、前記第一の接着剤層を硬化させて第一の硬化接着剤層と、前記二の接着剤層を硬化させて第二の硬化接着剤層とを形成する工程と、複数の前記半導体素子を封止して、封止樹脂層を有する封止体を形成する工程と、前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、前記第二の硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記第一の硬化接着剤層及び前記硬質支持体を除去する工程と、を有し、前記接着積層体に複数の前記半導体素子を貼着する際に、前記半導体素子の接続端子を有する回路面とは反対側の素子裏面を前記接着剤層に向けて貼着し、前記半導体素子を封止して前記封止体を形成した後に、前記回路面を覆う前記封止樹脂層の一部または全体を除去して前記接続端子を露出させ、露出させた前記接続端子に前記再配線層を電気的に接続させる。
前記基材を第二の接着剤層から剥離する工程においては、前記基材と前記第二の接着剤層との界面で剥離することが好ましい。
第一の接着剤層と第二の接着剤層とを同じ工程で硬化させることが好ましく、同時に硬化させることがより好ましい。

（接着積層体）
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、基材１１と、第一の接着剤層１５と、第二の接着剤層１６と、を備える接着積層体１Ｃを用いる（図８（Ａ）参照）。接着積層体１Ｃは、基材１１と第一の接着剤層１５との間に第二の接着剤層１６を含む。

（基材）
基材１１は特に限定されず、例えば、第１実施形態で説明した基材と同様の基材を使用できる。本実施形態では、基材１１は、可撓性を有する材質であることが好ましい。本実施形態では、基材１１として樹脂フィルムを用いる場合を例に挙げて説明する。

（接着剤層）
第一の接着剤層１５及び第二の接着剤層１６は、外部からエネルギーを受けて硬化する硬化型接着剤を含有することが好ましい。外部から供給されるエネルギーとしては、例えば、紫外線、電子線、及び熱などが挙げられる。第一の接着剤層１５及び第二の接着剤層１６は、それぞれ独立に、紫外線硬化型接着剤、及び熱硬化型接着剤の少なくともいずれか一種を含有していることが好ましい。本実施形態において、第一の接着剤層１５に含有される接着剤及び第二の接着剤層１６に含有される接着剤としては、それぞれ独立に、例えば、前述の第一の接着剤組成物及び前述の第二の接着剤組成物の少なくともいずれかの接着剤層組成物であることが好ましい。また、第一の接着剤層１５及び第二の接着剤層１６は、紫外線硬化型接着剤層であることが好ましい。第一の接着剤層１５及び第二の接着剤層１６が紫外線硬化型接着剤層である場合、硬質支持体１７は、紫外線を透過可能な材質で形成されていることが好ましい。

（半導体装置の製造方法）
図８及び図９は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、接着積層体１Ｃを用いる。

・硬質支持体貼着工程
図８（Ａ）には、第一の接着剤層１５に硬質支持体１７を貼着する工程（硬質支持体貼着工程）を説明する断面概略図が示されている。
硬質支持体１７の材質は、機械的強度、耐熱性等を考慮して適宜決定すればよい。硬質支持体１７の材質は、例えば、ＳＵＳ等の金属材料；ガラス、シリコンウエハ等の非金属無機材料；エポキシ、ＡＢＳ、アクリル、エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチック、ポリイミド、ポリアミドイミド等の樹脂材料；ガラスエポキシ樹脂等の複合材料等が挙げられ、これらの中でも、ＳＵＳ、ガラス、及びシリコンウエハ等が好ましい。エンジニアリングプラスチックとしては、ナイロン、ポリカーボネート（ＰＣ）、及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等が挙げられる。スーパーエンジニアリングプラスチックとしては、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が挙げられる。
硬質支持体１７の厚さは、機械的強度、及び取り扱い性等を考慮して適宜決定すればよい。硬質支持体１７の厚さは、例えば、１００μｍ以上５０ｍｍ以下である。
本実施形態では、第二の接着剤層１６及び第一の接着剤層１５が硬質支持体１７に貼着されているので、半導体装置の製造方法のプロセス中における半導体チップＣＰの取り扱い性などが向上する。

・基材剥離工程
図８（Ｂ）には、硬質支持体貼着工程の後に接着積層体１Ｃから基材１１を剥離する工程（基材剥離工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態に係る製造方法において、接着積層体１Ｃは、第二の接着剤層１６と基材１１との界面で剥離可能である。

・半導体チップ貼着工程
図８（Ｃ）には、基材１１を剥離することで露出した第二の接着剤層１６に半導体チップＣＰを貼着させる工程（半導体チップ貼着工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態で用いる半導体チップＣＰは、接続端子Ｗ３が設けられた回路面Ｗ１と、回路面Ｗ１とは反対側の素子裏面としてのチップ裏面Ｗ２とを有する。
本実施形態においては、図８（Ｃ）に示すように、複数の半導体チップＣＰを第二の接着剤層１６に貼着させる。半導体チップＣＰを貼着させる際は、１つずつ貼着させてもよいし、複数の半導体チップＣＰを同時に貼着させてもよい。

・接着剤層硬化工程
図８（Ｄ）には、第一の接着剤層１５を硬化させて第一の硬化接着剤層１５Ａを形成し、第二の接着剤層１６を硬化させて第二の硬化接着剤層１６Ａを形成する工程（接着剤層硬化工程）を説明する断面概略図が示されている。第二の接着剤層１６を硬化させることにより、半導体チップＣＰは、第二の硬化接着剤層１６Ａにより強固に接着され、後の樹脂封止工程における半導体チップＣＰの移動を抑制できる。
第一の接着剤層１５及び第二の接着剤層１６を硬化させる方法は、第１実施形態と同様に、第一の接着剤層１５及び第二の接着剤層１６が含有する接着剤の種類に応じて適宜選択することが好ましい。第一の接着剤層１５及び第二の接着剤層１６が同じ硬化方式の接着剤で構成されている場合には、第一の接着剤層１５及び第二の接着剤層１６を同時に硬化させることが好ましい。
第二の硬化接着剤層１６Ａを、チップ裏面を保護するための保護膜として利用する場合、この保護膜は、着色されていることが好ましく、黒色であることがより好ましい。そのため、第二の接着剤層１６には、前述の着色剤が配合されていることが好ましい。

・封止工程
図８（Ｅ）には、第一の硬化接着剤層１５Ａ及び第二の硬化接着剤層１６Ａの形成後、複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１側を封止部材３０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３０が充填されている。本実施形態においては、硬質支持体１７が封止体３に貼着されているため、封止体３の剛性が向上し、樹脂封止後に発生する半導体パッケージの反りを抑制できる。封止部材３０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する方法は、特に限定されず、例えば、第１実施形態で説明した方法などが挙げられる。封止部材３０の材質としては、例えば、第１実施形態で説明した材料や組成物などが挙げられる。

・接続端子露出工程
図９（Ｆ）には、封止体３の表面に半導体チップＣＰの接続端子Ｗ３を露出させる工程（接続端子露出工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１や接続端子Ｗ３を覆う封止体３の封止樹脂層の一部または全体を除去して接続端子Ｗ３を露出させる。本実施形態の接続端子露出工程は、第一実施形態と同様にして実施できる。

・再配線層形成工程
図９（Ｇ）には、半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線層４を形成する工程（再配線層形成工程）を説明する断面概略図が示されている。
本実施形態では、再配線層４と封止体３の表面に露出させた接続端子Ｗ３とを電気的に接続させる。本実施形態の再配線層形成工程は、第一実施形態と同様にして実施できる。
本実施形態の再配線層４も、外部端子電極を接続させるための外部電極パッド４１を有する。本実施形態においても、外部電極パッド４１は、複数個所に形成されている。本実施形態においても、半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド４１も形成されている。

・外部端子電極接続工程
図９（Ｈ）には、再配線層４に外部端子電極５を電気的に接続させる工程（外部端子電極接続工程）を説明する断面概略図が示されている。本実施形態の外部端子電極接続工程は、第一実施形態と同様にして実施できる。

・除去工程
図９（Ｉ）には、硬質支持体１７を除去する工程（除去工程）を説明する断面概略図が示されている。本実施形態では、さらに第一の硬化接着剤層１５Ａも除去して、第二の硬化接着剤層１６Ａを露出させる。第二の硬化接着剤層１６Ａを、チップ裏面を保護するための保護膜として利用することもできる。保護膜としての第二の硬化接着剤層１６Ａの表面は、レーザーマーキング等によって印字が施されてもよい。

・個片化工程
図９（Ｊ）には、外部端子電極５が接続された封止体３を個片化する工程（個片化工程）を説明する断面概略図が示されている。
封止体３を個片化する方法は、特に限定されず、例えば、第１実施形態と同様の方法が挙げられる。封止体３を個片化する工程は、封止体３をダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。
本実施形態では、複数の半導体チップＣＰを含むように封止体３を個片化することにより、複数の半導体チップＣＰを含んだ半導体パッケージ１００を製造する。半導体パッケージ１００においては、半導体チップＣＰのチップ裏面Ｗ２に第二の硬化接着剤層１６Ａが設けられている。すなわち、半導体チップＣＰのチップ裏面Ｗ２に設けられていた第二の接着剤層１６は、樹脂封止後に剥離される仮固定用ではなく、第二の硬化接着剤層１６Ａとして半導体チップＣＰに強固に接着されて半導体パッケージ１００の一部として含まれる。
本実施形態においても、半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド４１に外部端子電極５を接続させているため、半導体パッケージ１００は、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）として使用できる。

・実施形態の効果
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、硬質支持体１７が第一の接着剤層１５に貼着されているため、硬質支持体１７と第一の接着剤層１５との接着性を確保し、封止時における半導体チップＣＰの位置ずれを抑制できる。また、第二の硬化接着剤層１６Ａを、最終的にチップ裏面に残る保護膜として利用できる。位置ずれ抑制機能及び保護機能を有する第一の硬化接着剤層１５Ａと第二の硬化接着剤層１６Ａとを同一の工程で形成できるので、製造工程を簡略化できる。

〔実施形態の変形〕
本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様などを含む。

例えば、半導体ウエハや半導体チップにおける回路等は、図示した配列や形状等に限定されない。半導体パッケージにおける外部端子電極との接続構造等も、前述の実施形態で説明した態様に限定されない。前述の実施形態では、ＦＯ−ＷＬＰタイプの半導体パッケージを製造する態様を例に挙げて説明したが、本発明は、ファンイン型のＷＬＰ等のその他の半導体パッケージを製造する態様にも適用できる。

前記実施形態では、複数の半導体チップを含むように封止体を個片化することにより、複数の半導体チップを含んだ半導体パッケージを製造する態様を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、個片化工程は、それぞれの半導体パッケージが半導体チップ等の半導体素子を一つずつ含むように、封止体を個片化する態様であってもよい。また、例えば、個片化工程は、それぞれの半導体パッケージが半導体チップ等の半導体素子を３つ以上含むように、封止体を個片化する態様であってもよい。

前記実施形態では、積層された接着剤層を介して半導体素子を基材に貼着する態様を例に挙げて説明したが、接着剤層の積層数は、２層に限定されず、３層以上であってもよい。

前記実施形態では、基材に接着剤層が積層された接着積層体を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。別の実施形態としては、例えば、半導体チップ等の半導体素子に、接着剤層が積層されている態様であってもよい。この態様の場合、半導体素子は、素子裏面の接着剤層を介して、基材に貼着されてもよいし、素子裏面の接着剤層と粘着シートの粘着剤層とを介して、粘着シートに貼着されてもよい。半導体素子に積層される接着剤層の積層数は、２層に限定されず、３層以上であってもよい。

１，１Ａ，１Ｃ…接着積層体、１Ｂ…粘着シート、１１…基材、１２…接着剤層、１２Ａ…硬化接着剤層、１３…粘着剤層、１４…接着剤層、１４Ａ…硬化接着剤層、１５…第一の接着剤層、１５Ａ…第一の硬化接着剤層、１６…第二の接着剤層、１６Ａ…第二の硬化接着剤層、２…補強フレーム、３，３Ａ，３Ｂ…封止体、４…再配線層、５…外部端子電極、ＣＰ…半導体チップ（半導体素子）、Ｗ１…回路面、Ｗ２…チップ裏面（素子裏面）、Ｗ３…接続端子。

Claims

基材と半導体素子とを接着剤層を介して貼着する工程と、
前記接着剤層を硬化させて硬化接着剤層を形成する工程と、
複数の前記半導体素子を封止して、封止樹脂層を有する封止体を形成する工程と、
前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記基材を前記封止体から剥離する工程と、
前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、
前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材と前記接着剤層とを有する接着積層体の前記接着剤層に、複数の前記半導体素子を貼着する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤層は、前記基材に直接、積層されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤層と、前記基材との間に、粘着剤層を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材を前記封止体から剥離する工程は、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記粘着剤層と前記硬化接着剤層との界面で剥離する工程である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記粘着剤層は、熱膨張性粘着剤層である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子は、前記接着剤層を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材と粘着剤層とを有する粘着シートの前記粘着剤層に、前記半導体素子の前記接着剤層が貼り合わされる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材を前記封止体から剥離する工程は、前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記粘着剤層と前記硬化接着剤層との界面で剥離する工程である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項２から請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤層は、第一の接着剤層と第二の接着剤層とを少なくとも含み、
前記第一の接着剤層と前記第二の接着剤層とは、互いに材質が異なる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤層を硬化させて前記硬化接着剤層を形成する工程は、前記第一の接着剤層を硬化させて第一の硬化接着剤層と、前記第二の接着剤層を硬化させて第二の硬化接着剤層とを形成する工程である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項２から請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
複数の前記半導体素子と前記基材とを前記接着剤層を介して貼着する際に、前記半導体素子の接続端子を有する回路面とは反対側の素子裏面を前記接着剤層に向けて貼着し、
複数の前記半導体素子を封止して前記封止体を形成した後に、前記回路面を覆う前記封止樹脂層の一部または全体を除去して前記接続端子を露出させ、
露出させた前記接続端子に前記再配線層を電気的に接続させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項２から請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
複数の前記半導体素子と前記基材とを前記接着剤層を介して貼着する際に、前記半導体素子の接続端子を有する回路面を前記接着剤層に向けて貼着し、
前記封止体から前記基材を剥離した後に、前記回路面を覆う前記硬化接着剤層の一部または全体を除去して前記接続端子を露出させ、
露出させた前記接続端子に前記再配線層を電気的に接続させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤層を硬化させて前記硬化接着剤層を形成する工程の前に、前記接着剤層に補強フレームを貼着する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
基材と、
接着剤組成物を含有する接着剤層と、を備える接着積層体であって、
前記接着剤組成物は、バインダーポリマー成分、及び硬化性成分を含有し、
前記接着積層体の前記接着剤層に複数の半導体素子を貼着する工程と、
前記接着剤層を硬化させて硬化接着剤層を形成する工程と、
複数の前記半導体素子を封止して封止体を形成する工程と、
前記硬化接着剤層を前記封止体から剥がさずに、前記基材を前記封止体から剥離する工程と、
前記半導体素子と電気的に接続する再配線層を形成する工程と、
前記再配線層に外部端子電極を電気的に接続させる工程と、を有する半導体装置の製造プロセスに用いられる
ことを特徴とする接着積層体。