JP2019021800A - 半導体装置およびその製造方法ならびに封止用樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】耐熱性および狭部への充填特性に優れる半導体装置の封止技術を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置は、パワー半導体素子を封止用樹脂組成物で封止してなる。そして、封止用樹脂組成物が、硬化性樹脂および無機充填材を含み、無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の大粒径側からの累積頻度が５％となるところの粒径をＲmax（μｍ）とし、無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の最大のピークの径をＲ（μｍ）とした場合、Ｒ＜Ｒmaxであり、１μｍ≦Ｒ≦２４μｍであり、Ｒ／Ｒmax≧０．４５であって、封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が１８０℃以上２７０℃以下であり、硬化物を２００℃、１０００時間下にさらしたときの重量損失が０．１２％以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法ならびに封止用樹脂組成物に関する。

半導体素子を封止するために用いられる封止材に関する技術として、特許文献１（特開２０００−６３６２９号公報）に記載のものがある。同文献には、半導体素子をウェハーの状態で封止し、その後切断する方法で製造される半導体装置を封止するための樹脂組成物であって、樹脂組成物が、充填剤、エポキシ樹脂、硬化剤からなり、充填剤の最大粒子径が４５μｍ以下である半導体封止用樹脂組成物について記載されている。そして、同文献によれば、このような半導体封止用樹脂組成物を用いることにより、信頼性の高い、チップサイズの半導体装置を低コストで製造することが可能となったとされている。

また、特許文献２（特開２０１６−４４２１１号公報）には、アンダーフィルと半導体チップ上部のモールドを一括して行なう封止方法であるモールドアンダーフィルに用いられる樹脂組成物に関する技術が記載されている。同文献によれば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、特定の構造を有する化合物である硬化促進剤、および、マレイミド化合物を含むモールドアンダーフィル用樹脂組成物は、充填性に優れ、硬化収縮が小さいとされている。

特開２０００−６３６２９号公報 特開２０１６−４４２１１号公報

しかしながら、本発明者が検討した結果、上記特許文献１または２に記載の封止材は、パワー半導体素子の封止材に求められる耐熱性を確保しつつ、狭部へ充填する際の好ましい充填性を得るという点において、なお改善の余地があることが明らかになった。
そこで、本発明は、耐熱性および狭部への充填特性に優れる半導体装置の封止技術を提供する。

本発明によれば、
以下の条件（Ａ）〜（Ｄ）：
（Ａ）消費電力２．０Ｗ以上の半導体素子
（Ｂ）ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｇａ₂Ｏ₃およびダイヤモンドからなる群から選択される１種以上の半導体からなる半導体素子
（Ｃ）電圧が１．０Ｖ以上の半導体素子
（Ｄ）パワー密度が１０Ｗ／ｃｍ³以上の半導体素子
のいずれかを満たす、パワー半導体素子を封止用樹脂組成物で封止してなる半導体装置であって、
前記封止用樹脂組成物が、硬化性樹脂および無機充填材を含み、
前記無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の大粒径側からの累積頻度が５％となるところの粒径をＲmax（μｍ）とし、
前記無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の最大のピークの径をＲ（μｍ）とした場合、
Ｒ＜Ｒmaxであり、
１μｍ≦Ｒ≦２４μｍであり、
Ｒ／Ｒmax≧０．４５であって、
前記封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が１８０℃以上２７０℃以下であり、
前記硬化物を２００℃、１０００時間下にさらしたときの重量損失が０．１２％以下である、半導体装置が提供される。

本発明によれば、
以下の条件（Ａ）〜（Ｄ）：
（Ａ）消費電力２．０Ｗ以上の半導体素子
（Ｂ）ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｇａ₂Ｏ₃およびダイヤモンドからなる群から選択される１種以上の半導体からなる半導体素子
（Ｃ）電圧が１．０Ｖ以上の半導体素子
（Ｄ）パワー密度が１０Ｗ／ｃｍ³以上の半導体素子
のいずれかを満たす、パワー半導体素子の封止用樹脂組成物であって、
当該封止用樹脂組成物が、硬化性樹脂および無機充填材を含み、
前記無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の大粒径側からの累積頻度が５％となるところの粒径をＲmax（μｍ）とし、
前記無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の最大のピークの径をＲ（μｍ）とした場合、
Ｒ＜Ｒmaxであり、
１μｍ≦Ｒ≦２４μｍであり、
Ｒ／Ｒmax≧０．４５であって、
当該封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が１８０℃以上２７０℃以下であり、
前記硬化物を２００℃、１０００時間下にさらしたときの重量損失が０．１２％以下である、封止用樹脂組成物が提供される。

また、本発明によれば、
以下の条件（Ａ）〜（Ｄ）：
（Ａ）消費電力２．０Ｗ以上の半導体素子
（Ｂ）ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｇａ₂Ｏ₃およびダイヤモンドからなる群から選択される１種以上の半導体からなる半導体素子
（Ｃ）電圧が１．０Ｖ以上の半導体素子
（Ｄ）パワー密度が１０Ｗ／ｃｍ³以上の半導体素子
のいずれかを満たすパワー半導体素子を、前記本発明におけるに封止用樹脂組成物で封止する工程を含む、半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、耐熱性および狭部への充填特性に優れる半導体装置の封止技術が実現される。

実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。 実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。 実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。

以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（半導体装置）
本実施形態において、半導体装置は、以下の条件（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかを満たす、パワー半導体素子を封止用樹脂組成物で封止してなる半導体装置である。
（Ａ）消費電力２．０Ｗ以上の半導体素子
（Ｂ）ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｇａ₂Ｏ₃およびダイヤモンドからなる群から選択される１種以上の半導体からなる半導体素子
（Ｃ）電圧が１．０Ｖ以上の半導体素子
（Ｄ）パワー密度が１０Ｗ／ｃｍ³以上の半導体素子
そして、封止用樹脂組成物が、硬化性樹脂および無機充填材を含み、無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の大粒径側からの累積頻度が５％となるところの粒径をＲmax（μｍ）とし、無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の最大のピークの径をＲ（μｍ）とした場合、Ｒ＜Ｒmaxであり、１μｍ≦Ｒ≦２４μｍであり、Ｒ／Ｒmax≧０．４５である。また、封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が１８０℃以上２７０℃以下であり、硬化物を２００℃、１０００時間下にさらしたときの重量損失が０．１２％以下である。

図１〜図３は、いずれも、本実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。なお、本実施形態において、半導体装置の構成は、図１〜図３に示すものには限られない。
まず、図１に示した半導体装置１００は、基板３０上に搭載された半導体素子２０と、半導体素子２０を封止してなる封止材５０と、を備えている。
封止材５０は、本実施形態における封止用樹脂組成物を硬化して得られる硬化物により構成されている。封止用樹脂組成物の具体的な構成については後述する。

また、図１には、基板３０が回路基板である場合が例示されている。この場合、図１に示すように、基板３０のうちの半導体素子２０を搭載する一面とは反対側の他面には、たとえば複数の半田ボール６０が形成される。半導体素子２０は、基板３０上に搭載され、かつワイヤ４０を介して基板３０と電気的に接続される。一方で、半導体素子２０は、基板３０に対してフリップチップ実装されていてもよい。ここで、ワイヤ４０は、たとえば銅で構成される。

封止材５０は、たとえば半導体素子２０のうちの基板３０と対向する一面とは反対側の他面を覆うように半導体素子２０を封止する。図１に示す例においては、半導体素子２０の上記他面と側面を覆うように封止材５０が形成されている。封止材５０は、たとえば封止用樹脂組成物をトランスファー成形法または圧縮成形法等の公知の方法を用いて封止成形することにより形成することができる。

図２は、本実施形態における半導体装置１００の構成を示す断面図であって、図１とは異なる例を示すものである。図２に示す半導体装置１００は、基板３０としてリードフレームを使用している。この場合、半導体素子２０は、たとえば基板３０のうちのダイパッド３２上に搭載され、かつワイヤ４０を介してアウターリード３４へ電気的に接続される。半導体素子２０は、図１に示す例と同様に、たとえばパワー半導体素子である。また、封止材５０は、図１に示す例と同様にして、本実施形態における封止用樹脂組成物を用いて形成される。

図３は、本実施形態における別の半導体装置の構成を示す断面図である。図３に示した半導体装置１１０は、たとえば半導体パッケージであり、基板３０と、半導体素子２０と、封止材５０と、を備えている。半導体素子２０は、基板３０上に配置されている。図３には、半導体素子２０が、バンプ２２を介して基板３０上にフリップチップ実装される場合が例示されている。
封止材５０は、半導体素子２０を封止し、かつ基板３０と半導体素子２０との間の隙間２４に充填されている。封止材５０は、たとえば圧縮成形用モールドアンダーフィル材料を、圧縮成形法を用いて成形することにより得られる。この場合、充填性に優れた圧縮成形用モールドアンダーフィル材料を用いて、半導体素子２０を封止しつつ隙間２４内を充填することができ、信頼性に優れた半導体装置１１０を実現することが可能となる。

また、半導体装置１１０は、好ましくは、パワー半導体素子である半導体素子２０が基板３０上に設けられており、封止用樹脂組成物が基板３０と半導体素子２０との間の隙間に充填されてなるものである。

図１〜図３に示した半導体装置において、半導体素子２０は、上述した条件（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかを満たすパワー半導体素子である。半導体素子２０の材料は、好ましくは上述した条件（Ｂ）のもの、すなわちＳｉＣ、ＧａＮ、Ｇａ₂Ｏ₃およびダイヤモンドからなる群から選択される１種以上の半導体である。
また、半導体素子２０の消費電力は、たとえば上述した条件（Ａ）の２．０Ｗ以上であり、好ましくは３．０Ｗ以上であり、また、たとえば４．０Ｗ以下であってもよい。
半導体素子２０の電圧は、たとえば上述した条件（Ｃ）の１．０Ｖ以上であり、好ましくは３．０Ｖ以上であり、また、たとえば５．０Ｖ以上であってもよい。また、半導体素子２０の電圧は、たとえば１００Ｖ以下であってもよい。
また、半導体素子２０のパワー密度は、たとえば上述した条件（Ｄ）の１０Ｗ／ｃｍ³以上であり、好ましく２０Ｗ／ｃｍ³以上であり、また、たとえば３０Ｗ／ｃｍ³以上であってもよい。また、半導体素子２０のパワー密度は、たとえば２００Ｗ／ｃｍ³以下であってもよい。
また、半導体素子２０は、たとえば２００℃以上、好ましくは２５０℃以上という高温環境下で動作することができる。

また、半導体素子２０は、好ましくは、基板３０上に設けられたパワー半導体素子であり、整流ダイオード、パワートランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ（ＧＴＯ）およびトライアックからなる群から選択される１または２以上の電子部品を含む。
このとき、基板３０と半導体素子２０との間の隙間Ｇ（μｍ）は、隙間への無機充填材の充填性を向上させる観点から、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。また、上記Ｇは半導体装置全体を薄型化する観点から、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは３０μｍ以下である。

また、図１〜図３に示した半導体装置において、封止材５０は、封止用樹脂組成物の硬化物により構成される。

以下、本実施形態の封止用樹脂組成物またはその硬化物の特性についてさらに説明する。以下において、特段の説明がない場合、特性評価に用いられる硬化物は、封止用樹脂組成物を１７５℃、１２０秒の条件で硬化させ、さらに、１７５℃で４時間熱処理して得られる。

封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、硬化物の耐熱性を向上させる観点から、好ましくは１８０℃以上であり、より好ましくは１９０℃以上、さらに好ましくは２００℃以上、さらにまた好ましくは２０３℃以上、よりいっそう好ましくは２０５℃以上である。
また、硬化物のガラス転移温度の上限に制限はないが、硬化物の靭性を向上させる観点から、２７０℃以下であり、より好ましくは２５０℃以下、さらに好ましくは２３０℃以下である。
ここで、硬化物のガラス転移温度は、熱機械分析（Thermal Mechanical Analysis：ＴＭＡ）装置（セイコーインスツル社製、ＴＭＡ１００）を用いて測定温度範囲０℃〜４００℃、昇温速度５℃／分の条件で測定される。

硬化物を２００℃、１０００時間下にさらしたときの重量損失は、半導体装置の耐熱性を向上させる観点から、０．１２％以下であり、好ましくは０．１０％以下、より好ましくは０．０８％以下である。
上記重量損失の下限値は、０％以上であるが、たとえば０．０１％以上であってもよい。

以下の条件で測定される封止用樹脂組成物の充填長さは、封止用樹脂組成物のギャップ充填性を向上させる観点から、好ましくは１０ｍｍ以上であり、より好ましくは２０ｍｍ以上、さらに好ましくは３０ｍｍ以上である。
また、上記充填長さは、エアベント部分に発生するバリを抑制し、半導体装置の成型性または生産性を向上させる観点から、好ましくは１００ｍｍ以下であり、より好ましくは８０ｍｍ以下である。
（測定条件）
金型温度：１７５℃、注入速度：１０．５ｍｍ／ｓ、注入圧力：３．５ＭＰａ、硬化時間：１２０秒、タブレットサイズ：４０ｍｍΦ−４０ｇの条件にて、前記金型に形成された幅５ｍｍ、スリットギャップ２５μｍの矩形状の流路に、前記封止用樹脂組成物を注入し、流路の上流先端からの充填長さを測定する。

ここで、封止用樹脂組成物のギャップ充填性については、単純に無機充填材の平均粒径ｄ₅₀や最大ピーク径Ｒだけで決まるものではなく、無機充填材におけるふるい目すなわち粗粉カットサイズやＲmax、あるいは、Ｒ／Ｒmaxも因子として重要である。これらの各因子については後述する。

封止用樹脂組成物の溶融粘度（高化式フロー粘度）は、良好な充填性を得る観点から、好ましくは２５Ｐａ・ｓ以下であり、より好ましくは２０Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１５Ｐａ・ｓ以下である。また、溶融粘度の下限値は、限定されないが、たとえば３Ｐａ・ｓ以上とすることができる。
ここで、封止用樹脂組成物の溶融粘度（高化式フロー粘度）は、以下の条件で測定される樹脂組成物のみかけの粘度ηである。
島津製作所社製のフローテスタＣＦＴ−５００Ｃを用いて、温度１７５℃、荷重４０ｋｇｆ（ピストン面積１ｃｍ²）、ダイ穴直径０．５０ｍｍ、ダイ長さ１．００ｍｍの試験条件で溶解した樹脂組成物のみかけの粘度ηを測定する。このみかけの粘度ηは、次の計算式より算出される。なお、Ｑは単位時間あたりに流れる樹脂組成物の流量である。また、高化式フロー粘度は、数値が小さい方が、低粘度であることを示す。

η＝（４πＤＰ／１２８ＬＱ）×１０^-3（Ｐａ・秒）
η：みかけの粘度
Ｄ：ダイ穴直径（ｍｍ）
Ｐ：試験圧力（Ｐａ）
Ｌ：ダイ長さ（ｍｍ）
Ｑ：フローレート（ｃｍ³／秒）

本実施形態において、封止用樹脂組成物のスパイラルフロー流動長は、封止用樹脂組成物を成形する際の充填性をより効果的に向上させる観点から、好ましくは４０ｃｍ以上であり、より好ましくは５０ｃｍ以上、さらに好ましくは６０ｃｍ以上である。また、スパイラルフロー流動長の上限値は、限定されないが、たとえば２００ｃｍ以下とすることができる。

次に、封止材５０に用いられる封止用樹脂組成物について説明する。
（封止用樹脂組成物）
本実施形態において、封止用樹脂組成物は、硬化性樹脂および無機充填材を含む。

（硬化性樹脂）
硬化性樹脂は、具体的には熱硬化性樹脂である。
熱硬化性樹脂は、封止用樹脂組成物の硬化物の耐熱性を向上させる観点から、好ましくはマレイミド基を２つ以上有する化合物、ベンゾオキサジン環を２つ以上有する化合物、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびベンゾシクロブテン樹脂からなる群から選択される１種または２種以上を含む。

また、同様の観点から、硬化性樹脂は、好ましくはエポキシ樹脂およびフェノール樹脂硬化剤を含み、より好ましくは下記一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤および下記一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂からなる群から選択される１種または２種を含み、さらに好ましくは下記一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤と、下記一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂とを含む。

（上記一般式（１Ａ）中、２つのＹは、それぞれ独立して、下記一般式（１Ｂ）または下記一般式（１Ｃ）で表されるヒドロキシフェニル基を表し、Ｘは、下記一般式（１Ｄ）または下記一般式（１Ｅ）で表されるヒドロキシフェニレン基を表し、ｎは０以上の数を表し、ｎが２以上の場合、２つ以上のＸは、それぞれ独立して、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ¹は、それぞれ独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表し、ａは０〜４の整数を表す。また、上記一般式（１Ａ）は、下記一般式（１Ｃ）で表される二価ヒドロキシフェニル基と、下記一般式（１Ｅ）で表される二価ヒドロキシフェニレン基のうちの少なくとも一方を有する。）

（上記一般式（１Ｂ）〜（１Ｅ）中、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表し、ｂは０〜４の整数、ｃは０〜３の整数、ｄは０〜３の整数、ｅは０〜２の整数を表す。）

（上記一般式（２Ａ）中、２つのＹは、それぞれ独立して、下記一般式（２Ｂ）または下記一般式（２Ｃ）で表されるグリシジル化フェニル基を表し、Ｘは、下記一般式（２Ｄ）または下記一般式（２Ｅ）で表されるグリシジル化フェニレン基を表し、ｎは０以上の数を表し、ｎが２以上の場合、２つ以上のＸは、それぞれ独立して、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ¹は、それぞれ独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表し、ａは０〜４の整数を表す。また、上記一般式（２Ａ）は、下記一般式（２Ｃ）で表される２つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニル基と、下記一般式（２Ｅ）で表される２つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニレン基のうちの少なくとも一方を有する。）

（上記一般式（２Ｂ）〜（２Ｅ）中、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表し、ｂは０〜４の整数、ｃは０〜３の整数、ｄは０〜３の整数、ｅは０〜２の整数を表す。）

以下、一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤および一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂についてさらに詳細に説明する。
まず、一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤について説明する。
一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤において、ｎは、平均値であり、０以上の数を表し、また、好ましくは６以下であり、より好ましくは３以下、さらに好ましくは１以下である。また、一般式（１Ａ）で表わされるフェノール樹脂硬化剤の数平均分子量は、好ましくは３９０以上であり、より好ましくは４００以上であり、また、好ましくは１０００以下であり、より好ましくは６００以下、さらに好ましくは５５０以下、よりいっそう好ましくは５００以下である。このようなフェノール樹脂硬化剤は、複数の水酸基で置換された芳香環を有するため、水素結合に由来する分子間の相互作用が強く、従来の樹脂に比べ、成形性、殊に連続成形時の充填性において、従来の流動性や硬化性の概念とは異なる特異な挙動を示す場合がある。上記範囲内の数平均分子量を有するフェノール樹脂硬化剤を用いることにより、優れた硬化性および良好な連続成形性を有する樹脂組成物が得られるとともに、その硬化物は、高いガラス転移温度と低い重量減少率を有する。
なお、ｎの値は、数平均分子量、上記のＸおよびＹ、ならびにビフェニル骨格の構造とその構成比から算出できる。また、ｎが２以上の場合、２つ以上のＸは、それぞれ独立して、同一であっても異なっていてもよい。

一般式（１Ａ）中のＲ¹は、それぞれ互いに独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表す。一般式（１Ｂ）〜（１Ｅ）中のＲ²およびＲ³は、それぞれ互いに独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表す。Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³において、炭素の数が５以下であれば、得られる樹脂組成物の反応性が低下して、成形性が損なわれてしまうのをより確実に防止することができる。

置換基Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³としては、たとえば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、ｔ−ペンチル基等のアルキル基が挙げられ、これらの中でも、メチル基であるのが好ましい。これにより、樹脂組成物の硬化性と疎水性のバランスをとりわけ優れたものとすることができる。

また、ａは、一般式（１Ａ）において、同一のベンゼン環上に結合する置換基Ｒ¹の数を表し、ａは、互いに独立して、０〜４の整数である。ｂおよびｄは、それぞれ、一般式（１Ｂ）および（１Ｄ）において、同一のベンゼン環上に結合する置換基Ｒ²の数を表し、ｂは、互いに独立して、０〜４の整数であり、ｄは、互いに独立して、０〜３の整数である。さらに、ｃおよびｅは、それぞれ、一般式（１Ｃ）および（１Ｅ）において、同一のベンゼン環上に結合する置換基Ｒ³の数を表し、ｃは、互いに独立し、０〜３の整数であり、ｅは、互いに独立して、０〜２の整数である。また、ａは好ましくは０〜２の整数であり、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、好ましくは０または１である。

一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤は、一般式（１Ｂ）で表される一価ヒドロキシフェニル基（以下、一価ヒドロキシフェニル基とは、水酸基を１個有するヒドロキシフェニル基の意味で記載する。）、および、一般式（１Ｄ）で表される一価ヒドロキシフェニレン基（以下、一価ヒドロキシフェニレン基とは、水酸基を１個有するヒドロキシフェニレン基の意味で記載する。）からなる群から選択される１または２の基を含んでよい。また、一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤は、一般式（１Ｃ）で表される二価ヒドロキシフェニル基（以下、二価ヒドロキシフェニル基とは、水酸基を２個有するヒドロキシフェニル基の意味で記載する。）、および、一般式（１Ｅ）で表される二価ヒドロキシフェニレン基（以下、二価ヒドロキシフェニレン基とは、水酸基を２個有するヒドロキシフェニレン基の意味で記載する。）からなる群から選択される１または２の基を含んでよい。
ここで、一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤は、一般式（１Ｃ）で表される二価ヒドロキシフェニル基と、一般式（１Ｅ）で表される二価ヒドロキシフェニレン基のうちの少なくとも一方を有し、好ましくは両方を有する。かかる構成とすることにより、水酸基密度の向上が図られる。
一般式（１Ｃ）で表される二価ヒドロキシフェニル基と、一般式（１Ｅ）で表される二価ヒドロキシフェニレン基とを含むフェノール樹脂硬化剤は、フェノール性水酸基の密度が高いことから、得られる樹脂組成物の硬化物は高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する。一般に、一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤のようなフェノール性水酸基を有する重合体は、フェノール性水酸基の密度が高くなるにつれて、その重量減少率は高くなる。しかしながら、一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤とエポキシ樹脂との架橋体は、Ｔｇの上昇に伴う重量減少率の上昇が抑制される。この理由は必ずしも明らかではないが、架橋体のビフェニル骨格と二価のフェノールを連結するメチレン基部分が、立体的嵩高さにより保護されて、比較的熱分解を受けにくいためと考えられる。

また、一般式（１Ａ）において、一般式（１Ｂ）で表される一価ヒドロキシフェニル基と、一般式（１Ｄ）で表される一価ヒドロキシフェニレン基とを含むフェノール樹脂硬化剤を用いることにより、得られる樹脂組成物は、優れた難燃性、低吸水率、耐半田性を有する。
一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤において、一般式（１Ｂ）で表わされるヒドロキシフェニル基の数と、一般式（１Ｄ）で表わされるヒドロキシフェニレン基の数との合計をｋとし、ｋの平均値をｋ０とし、一般式（１Ｃ）で表わされるヒドロキシフェニル基の数と、一般式（１Ｅ）で表わされるヒドロキシフェニレン基の数との合計をｍとし、ｍの平均値をｍ０とした場合、ｋ０／ｍ０の値は、０／１００〜８２／１８であるのが好ましく、２０／８０〜８０／２０であるのがより好ましく、２５／７５〜７５／２５であるのがさらに好ましい。ｋ０／ｍ０の値が上記範囲にあることにより、流動特性、耐半田性、難燃性、連続成形性、耐熱性のバランスに優れた樹脂組成物を、経済的に得ることができる。

なお、ｋ０およびｍ０の値は、電界脱離質量分析（Field Desorption Mass Spectrometry；ＦＤ−ＭＳ）で測定される相対強度比を質量比とみなして算術計算することによって求めることができる。あるいは、Ｈ−ＮＭＲまたはＣ−ＮＭＲ測定によっても求めることができる。

一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤は、たとえば、国際公開第２０１３／１３６７６９号に記載の方法を用いて製造することができる。

次に、一般式（２Ａ）に示したエポキシ樹脂について説明する。
一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂において、ｎは平均値であり、０以上の数を表し、また、好ましくは６以下であり、より好ましくは３以下、さらに好ましくは１以下である。また一般式（２Ａ）で表わされるエポキシ樹脂の数平均分子量は４５０以上２０００以下が好ましく、５００以上１０００以下がより好ましく、５００以上８００以下がさらに好ましく、５００以上７００以下がさらにまた好ましい。このようなエポキシ樹脂は、その硬化過程において、複数の水酸基を有する芳香環を含有するフェノール樹脂硬化剤に由来する水素結合の相互作用の影響を強く受け、従来の樹脂に比べ、成形性、殊に連続成形時の充填性において、従来の流動性や硬化性の概念とは異なる特異な挙動を示す場合がある。上記範囲内の数平均分子量を有するエポキシ樹脂を用いることにより、優れた硬化性および良好な連続成形性を有する樹脂組成物が得られるとともに、その硬化物は、高いガラス転移温度と低い重量減少率を有する。
なお、ｎは、数平均分子量、上記のＸおよびＹ、ならびにビフェニル骨格の構造とその構成比から算出できる。また、ｎが２以上の場合、２つ以上のＸは、それぞれ独立して、同一であっても異なっていてもよい。

一般式（２Ａ）中のＲ¹は、それぞれ互いに独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表す。一般式（２Ｂ）〜（２Ｅ）中のＲ²およびＲ³は、それぞれ互いに独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表す。Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³において、炭素の数が５以下であれば、得られる樹脂組成物の反応性が低下して、成形性が損なわれてしまうのを確実に防止することができる。

置換基Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の具体例としては、たとえば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、ｔ−ペンチル基等のアルキル基が挙げられ、これらの中でも、メチル基であるのが好ましい。これにより、樹脂組成物の硬化性と疎水性のバランスを殊更優れたものとすることができる。

一般式（２Ａ）におけるａは、同一のベンゼン環上に結合する置換基Ｒ¹の数を表し、ａは、互いに独立して、０〜４の整数である。一般式（２Ｂ）および一般式（２Ｄ）におけるｂおよびｄは、同一のベンゼン環上に結合する置換基Ｒ²の数を表し、ｂは、互いに独立して、０〜４の整数であり、ｄは、互いに独立して、０〜３の整数である。一般式（２Ｃ）および一般式（２Ｅ）におけるｃおよびｅは、同一のベンゼン環上に結合する置換基Ｒ³の数を表し、ｃは、互いに独立し、０〜３であり、ｅは、互いに独立して、０〜２の整数である。また、ａは好ましくは０〜２の整数であり、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは好ましくは０または１である。

一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂は、一般式（２Ｂ）で表される１つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニル基、および、一般式（２Ｄ）で表される１つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニレン基からなる群から選択される１または２の基を含んでよい。また、一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂は、一般式（２Ｃ）で表される２つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニル基、および、一般式（２Ｅ）で表される２つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニレン基からなる群から選択される１または２の基を含んでよい。
ここで、一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂は、一般式（２Ｃ）で表される２つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニル基と、一般式（２Ｅ）で表される２つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニレン基のうちの少なくとも一方を有し、好ましくは両方を有する。かかる構成とすることにより、エポキシ基密度の向上が図られる。
一般式（２Ｃ）で表される２つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニル基と、一般式（２Ｅ）で表される２つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニレン基とを含むエポキシ樹脂は、グリシジルエーテル基の密度が高いことから、得られる樹脂組成物の硬化物は、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する。一般に、このような一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂において、グリシジルエーテル基の密度が高くなるにつれて、その重量減少率は高くなる。しかしながら、一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂と、上記のフェノール樹脂硬化剤との架橋体は、Ｔｇの上昇に伴う重量減少率の上昇が抑制される。この理由はかならずしも明らかではないが、架橋体のビフェニル骨格と一価または二価のフェノールを連結するメチレン基部分が、立体的嵩高さにより保護されて、比較的熱分解を受けにくいためと考えられる。

また、一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂において、一般式（２Ｂ）で表される１つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニル基と、一般式（２Ｄ）で表される１つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニレン基とを含むエポキシ樹脂を用いることにより、得られる樹脂組成物は、優れた難燃性、低吸水率、耐半田性を有する。

一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂は、たとえば、国際公開第２０１３／１３６７６９号に記載の方法を用いて製造することができる。

また、本実施形態において、より好ましくは、硬化性樹脂が一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤と一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂とを含む。こうすれば、双方の官能基密度の向上が図られるため、エポキシ樹脂同士がフェノール樹脂硬化剤を介して架橋することにより形成される硬化物の架橋密度がさらに高くなる。その結果、かかる硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）がよりいっそう向上する。また、樹脂組成物の硬化物のＴｇの向上と、硬化物の重量減少率の低減との双方を実現することができる。その結果、樹脂組成物を硬化して得られる硬化物は、接着性、電気的安定性、難燃性、成形性、殊に連続成形性および耐熱性に優れたものとなり、特に耐熱性において高Ｔｇと重量減少の低減化を両立させることができる。

硬化性樹脂が一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤と一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂とを含むとき、一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤の、樹脂組成物中の含有率をＡ１（質量％）とし、一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂の、樹脂組成物中の含有率をＡ２（質量％）としたとき、（Ａ１／（Ａ１＋Ａ２））の値は、好ましくは０．２以上０．９以下であり、より好ましくは０．３以上０．７以下である。上記範囲を採用することにより、グリシジルエーテル基と水酸基とで形成される架橋点の数が適切な範囲内に調整され、より確実に硬化物のＴｇを向上させることができる。

また、本実施形態において、エポキシ樹脂として、一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂以外のものを用いてもよい。他のエポキシ樹脂としては、たとえばビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェニルメタン型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂から選択される１種または２種以上を含むことができる。優れた硬化性と高いガラス転移温度とのバランスの観点から、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やトリフェニルメタン型エポキシ樹脂を使用することが好ましい。
封止用樹脂組成物は、好ましくは、一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中５０質量％以上含む。

本実施形態の封止用樹脂組成物において、エポキシ樹脂を使用する場合、さらに上記エポキシ樹脂と反応する硬化剤を併用してもよい。これにより、封止用樹脂組成物の硬化性を一段と向上させることができる。上記硬化剤の具体例として、上述した一般式（１Ａ）に示したフェノール樹脂硬化剤以外に、他のフェノール樹脂系硬化剤、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられる。封止用樹脂組成物の硬化性を向上させる観点から、上記硬化剤は、好ましくはフェノール樹脂系硬化剤およびアミン系硬化剤のうちの少なくとも一方を含み、より好ましくはフェノール樹脂系硬化剤を少なくとも含む。

フェノール樹脂系硬化剤の具体例として、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型フェノール樹脂；ポリビニルフェノール；トリスメタンフェノール型樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物；レゾール型フェノール樹脂等からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられる。

アミン系硬化剤の具体例として、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン；ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン；ベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドラジドなどを含む他のアミン化合物からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられる。

酸無水物系硬化剤の具体例として、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物；無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられる。

なお、本明細書においては、これらの硬化剤もエポキシ樹脂と架橋してネットワークを形成するため、この硬化剤そのものも「熱硬化性樹脂」の一部であるものとして扱う。

封止用樹脂組成物中の熱硬化性樹脂の含有量は、封止用樹脂組成物の流動性を向上させ、より安定的な封止材の形成を可能とする観点から、封止用樹脂組成物全体に対して、好ましくは７質量％以上であり、より好ましくは１２質量％以上、さらに好ましくは１６質量％以上である。また、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させる観点から、封止用樹脂組成物中の熱硬化性樹脂の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して好ましくは４０質量％以下であり、より好ましくは３５質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下である。
なお、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含むとき、熱硬化性樹脂の含有量に関し、このエポキシ樹脂に対応する硬化剤も合算した値として定義することができる。

また、本実施形態において、封止用樹脂組成物が溶媒を含む場合には、封止用樹脂組成物全体に対する含有量とは、封止用樹脂組成物のうちの溶媒を除く固形分全体に対する含有量を指す。また、封止用樹脂組成物の固形分とは、封止用樹脂組成物中の不揮発分を指し、水や溶媒等の揮発成分を除いた残部を指す。

（無機充填材）

無機充填材の具体例として、酸化チタン、酸化ジルコニウム、シリカ、炭酸カルシウム、炭化ホウ素、クレー、マイカ、タルク、ワラストナイト、ガラスビーズ、ミルドカーボン、グラファイト等からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられる。
無機充填材は、封止用樹脂組成物の充填性を向上させる観点、および、封止材の高温長期保管特性等を向上させる観点から、好ましくはシリカを含み、より好ましくは溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、および結晶シリカからなる群から選択される１種または２種以上を含み、さらに好ましくは溶融球状シリカを含む。

上記シリカは、たとえばＳｉＯ₂の含有量が９９．８質量％以上であることが好ましい。このような純度の高いシリカを使用することによって、金属不純物等のイオン性不純物量を低減させつつ、良好な耐熱性や機械特性を有する封止材を実現することが容易となる。封止材の高温長期保管特性をより効果的に向上させる観点からは、シリカにおけるＳｉＯ₂の含有量が９９．９質量％以上であることが好ましい。

無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の大粒径側からの累積頻度が５％となるところの粒径をＲmax（μｍ）とし、無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の最大のピークの径をＲ（μｍ）とした場合、Ｒ＜Ｒmaxであり、１μｍ≦Ｒ≦２４μｍであり、Ｒ／Ｒmax≧０．４５である。

ここで、Ｒmax（μｍ）は、いわゆるｄ₉₅を意味し、体積基準粒度分布において粒子径の小さい方から累積して９５質量％となる点の粒径である。
また、無機充填材を構成する粒子について篩分けをおこなうと、最大粒径Ｒmaxに対応する目開きでの篩でメッシュＯＮ（篩残量）が１％以下となる。

Ｒ（μｍ）は、無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布における最大のピークとなる位置の粒径である。本実施形態においては、無機充填材に含まれる粒子全体の体積基準粒度分布の大粒径側からの一つ目のピークの径がＲとなる。樹脂組成物の流動性を良好なものとする観点から、Ｒは１μｍ以上である。また、封止用樹脂組成物を微小な隙間により確実に充填する観点から、Ｒは２４μｍ以下である。
そして、無機充填材に含まれる粒子は、Ｒ＜Ｒmaxであり、１μｍ≦Ｒ≦２４μｍであり、かつ、Ｒ／Ｒmax≧０．４５となる関係を満たしている。これらの関係を満足することにより、封止樹脂組成物は、流動性および充填性に優れたものとなる。そして、かかる封止用樹脂組成物にてパワー半導体素子を封止することにより、耐熱性および狭部への充填特性に優れる半導体装置を得ることができる。
なお、無機充填材に含まれる粒子が第１の粒子のみの場合には、無機充填材のＲmaxと第１の粒子の最大粒径とは一致し、無機充填材のＲと第１の粒子のモード径とは一致する。ここで、「モード径」とは、第１の粒子中、出現比率（体積基準）が最も高い粒子径をいう。

Ｒmaxは、１μｍ≦Ｒ≦２４μｍなる関係である場合に、Ｒよりも大きく、Ｒ／Ｒmax≧０．４５であればよい。なかでも、Ｒmaxは、好ましくは３μｍ以上であり、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上であり、また、好ましくは４８μｍ以下であり、より好ましくは３２μｍ以下、さらに好ましくは２５μｍ以下、さらにより好ましくは２０μｍ以下である。このような範囲を満足することにより、樹脂組成物を微小な隙間、たとえば、後述する基板３０と半導体素子２０との間の３０μｍ程度以下の隙間により確実に無機充填材を充填することができる。

また、Ｒを１μｍ以上２４μｍ以下とすることにより、無機充填材に含まれる粒子を高い比率で粒径が１〜２４μｍ程度の粒子とすることができる。これにより、封止用樹脂組成物の狭部への充填特性および流動性を向上させることができる。
封止用樹脂組成物の狭部への充填特性および流動性を向上させる観点から、Ｒは、好ましくは３μｍ以上であり、より好ましくは４．５μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上、さらにまた好ましくは８μｍ以上であり、また、好ましくは２０μｍ以下であり、より好ましくは１７μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以下である。

無機充填材に含まれる粒子全体の体積基準粒度分布において、Ｒ（μｍ）の粒径の粒子の頻度は、３．５％以上、１５％以下であることが好ましく、４％以上１０％以下であるのがより好ましく、４．５％以上、９％以下であるのがさらに好ましい。さらには、５％以上、より好ましくは６％以上である。これにより、ＲまたはＲに近い粒径を有する粒子の割合を高くすることができる。そのため、流動性の高い樹脂組成物を得ることができる。

また、Ｒ／Ｒmaxは、粒子の大半をＲmaxに比較的近い粒径の粒子とすることにより、樹脂組成物の流動性を向上させる観点から、０．４５以上であり、好ましくは０．５５以上である。
Ｒ／Ｒmaxの上限値は、限定されないが、好ましくは０．９以下であり、より好ましくは０．８以下である。Ｒ／Ｒmaxが１に近づき過ぎると、Ｒよりも大きい粒子の頻度が低下するため、その分、Ｒまたはモード径Ｒに近い粒径の粒子の頻度が低下するおそれがある。

パワー半導体素子である半導体素子２０が基板３０上に設けられており、基板３０と半導体素子２０との間の隙間をＧ（μｍ）とした場合、Ｇに対するＲの比（Ｒ／Ｇ）は、エアベント部分に発生するバリを抑制して成型性ないしは生産性の低下を抑制する観点から、好ましくは０．０５以上であり、より好ましくは０．１以上、さらに好ましくは０．１４以上である。
また、隙間への無機充填材の充填性を向上させる観点から、上記比（Ｒ／Ｇ）は、好ましくは０．７以下であり、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．３以下である。

ここで、上記Ｇは、上記隙間への無機充填材の充填性を向上させる観点から、好ましくは３μｍ以上であり、より好ましくは５μｍ以上である。
また、半導体装置全体の薄型化の観点から、上記Ｇは、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは３５μｍ以下である。

本実施形態において、無機充填材の平均粒径ｄ₅₀は、封止用樹脂組成物の充填特性を向上させる観点から、好ましくは１μｍ以上であり、より好ましくは３μｍ以上であり、また、好ましくは２０μｍ以下であり、より好ましくは１５μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。

また、本実施形態において、無機充填材のふるい目すなわち粗粉カットサイズは、封止用樹脂組成物の充填特性を向上させる観点から、好ましくは１０μｍ以上であり、より好ましくは１５μｍ以上であり、また、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは４０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下である。

本実施形態において、封止用樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、封止材としての剛性を効果的に向上させる観点から、封止用樹脂組成物全体に対して、好ましくは６５質量％以上であり、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは７５質量％である。
また、半導体装置の耐熱性を向上させる観点から、封止用樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して、好ましくは９０質量％以下であり、より好ましくは８５質量％以下である。

また、本実施形態において、封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂および充填材以外の成分を含んでもよい。たとえば、封止用樹脂組成物が硬化促進剤、シランカップリング剤、または他の添加剤を含んでもよい。

（硬化促進剤）
硬化促進剤は、熱硬化性樹脂の硬化を促進させるものであればよく、熱硬化性樹脂の種類に応じて選択される。
本実施形態において、硬化促進剤は、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）などのイミダゾール化合物；１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン等が例示されるアミジンや３級アミン、上記アミジンやアミンの４級塩等の窒素原子含有化合物からなる群から選択される１種類または２種類以上を含む。封止用樹脂組成物の硬化性を向上する観点および封止材と金属との密着性を向上する観点から、硬化促進剤は好ましくはイミダゾール化合物およびリン原子含有化合物からなる群から選択される１または２以上の化合物を含む。

封止用樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物の硬化性を効果的に向上させる観点から、封止用樹脂組成物全体に対して好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．０３質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上である。
また、封止用樹脂組成物のハンドリングを向上させる観点から、封止用樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して好ましくは５質量％以下であり、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。

（シランカップリング剤）
本実施形態において、封止用樹脂組成物がシランカップリング剤を含む構成とすることより、封止用樹脂組成物の密着性のさらなる向上を図ることができる。
封止用樹脂組成物が充填材として無機充填材を含むとき、シランカップリング剤は、たとえばシランカップリング剤により表面処理が施された無機充填材を他成分と混合することにより封止用樹脂組成物中に含ませることができる。一方で、充填材に対して上記表面処理を行わず、各成分とともにシランカップリング剤をミキサー等へ投入し、これを混合することによってシランカップリング剤を封止用樹脂組成物中に含ませてもよい。

シランカップリング剤としては、たとえばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、メタクリルシラン等の各種シラン系化合物を用いることができる。
これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチルーブチリデン）プロピルアミンの加水分解物等のシラン系カップリング剤が挙げられる。
これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態において、封止用樹脂組成物中のシランカップリング剤の含有量は、樹脂組成物の流動性と密着性を効果的に向上させる観点から、封止用樹脂組成物全体に対して好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．０３質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上である。
また、封止用樹脂組成物の硬化性を向上させる観点から、シランカップリング剤の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して好ましくは５質量％以下であり、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。

（添加剤）
本実施形態の封止用樹脂組成物には、さらに必要に応じて、ハイドロタルサイト類および多価金属酸性塩等の無機イオン交換体に例示されるイオン捕捉剤；カルナバワックス等の天然ワックス、合成ワックス、ステアリン酸亜鉛、モンタン酸エステルワックス、パラフィン等の高級脂肪酸およびその金属塩類ならびにそれらの誘導体等の離型剤；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼン等の難燃剤；酸化防止剤等の各種の添加剤を適宜配合してもよい。これらの配合量は任意である。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

次に、封止用樹脂組成物およびこれを用いる半導体装置の製造方法を説明する。
本実施形態の封止用樹脂組成物は、たとえば前述の各成分を、公知の手段で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、冷却した後に粉砕することで得ることができる。さらには、これらをタブレット状に打錠成形したものを封止用樹脂組成物として用いることもできる。これにより、顆粒状またはタブレット状の封止用樹脂組成物を得ることができる。
このような打錠成形した組成物とすることにより、トランスファー成形、射出成形、および圧縮成形等の公知の成型方法を用いて封止成形することが容易となる。

また、本実施形態における半導体装置の製造方法は、たとえば、前述した条件（Ａ）〜（Ｄ）半導体素子を、本実施形態における封止用樹脂組成物で封止する工程を含む。

本実施形態においては、封止材５０が前述した本実施形態における封止用樹脂組成物を用いて形成されているため、耐熱性に優れるとともに、封止材５０の狭部への充填特性に優れるものとなっている。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

次に、本発明の実施例について説明する。

（製造例１）フェノール樹脂硬化剤１の製造
セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、１，３−ジヒドロキシベンゼン（東京化成工業社製、「レゾルシノール」、融点１１１℃、分子量１１０、純度９９．４％）２９１質量部、フェノール（関東化学社製特級試薬、「フェノール」、融点４１℃、分子量９４、純度９９．３％）２３５質量部、あらかじめ粒状に砕いた４，４'−ビスクロロメチルビフェニル（和光純薬工業社製、「４，４'−ビスクロロメチルビフェニル」、融点１２６℃、純度９５％、分子量２５１）１２５質量部を、セパラブルフラスコに秤量し、窒素置換しながら加熱し、フェノールの溶融の開始に併せて攪拌を開始した。
その後、系内温度を１１０〜１３０℃の範囲に維持しながら３時間反応させた後、加熱し、１４０〜１６０℃の範囲に維持しながら３時間反応させた。
なお、上記の反応によって系内に発生した塩酸ガスは、窒素気流によって系外へ排出した。

反応終了後、１５０℃、２ｍｍＨｇの減圧条件で未反応成分を留去した。次いで、トルエン４００質量部を添加し、均一溶解させた後、分液漏斗に移し、蒸留水１５０質量部を加えて振とうした後に、水層を棄却する操作（水洗）を洗浄水が中性になるまで繰り返しおこなった後、油層を１２５℃減圧処理することによってトルエン、残留未反応成分等の揮発成分を留去し、下記一般式（１２Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤１（重合体）を得た。
なお、このフェノール樹脂硬化剤１における水酸基当量は１３５であった。

また、電界脱離質量分析（Field Desorption Mass Spectrometry：ＦＤ−ＭＳ）により測定・分析された相対強度比を質量比とみなして算術計算することにより得られた、水酸基が１個の構造単位の繰り返し数ｋの平均値ｋ０、水酸基が２個の構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０の比（ｋ０／ｍ０）は、０．９８／１であり、フェノール樹脂硬化剤１の数平均分子量は４６０であった。

ここで、上記数平均分子量については、Ｗａｔｅｒｓ社製アライアンス（２６９５セパレーションズモデュール、２４１４リフラクティブインデックスディテクター、ＴＳＫゲルＧＭＨＨＲ−Ｌｘ２＋ＴＳＫガードカラムＨＨＲ−Ｌｘ１、移動相：ＴＨＦ、０．５ｍＬ／分）を用い、カラム温度４０．０℃、示差屈折率計温度４０．０℃、サンプル注入量１００μＬの条件にてゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により数平均分子量を測定した。

（上記一般式（１２Ａ）中、２つのＹは、それぞれ互いに独立して、下記式（１２Ｂ）または下記式（１２Ｃ）で表されるヒドロキシフェニル基を表し、Ｘは、下記式（１２Ｄ）または下記式（１２Ｅ）で表されるヒドロキシフェニレン基を表す。）

（製造例２）エポキシ樹脂１の製造
セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、前述のフェノール樹脂硬化剤１を１００質量部、エピクロルヒドリン（東京化成工業社製）３００質量部、トルエン５０質量部を秤量し、１００℃に加熱して溶解させた後、水酸化ナトリウム（固形細粒状、純度９９％試薬）４５質量部を３時間かけて徐々に添加し、さらに２時間反応させた。次にトルエン２００質量部を加えて溶解させた後、蒸留水１５０質量部を加えて振とうし、水層を棄却する操作（水洗）を洗浄水が中性になるまで繰り返しおこなった後、油層を１２５℃、２ｍｍＨｇの減圧条件でエピクロルヒドリンを留去した。得られた固形物にメチルイソブチルケトン３００質量部を加えて溶解し、７０℃に加熱し、３０質量％水酸化ナトリウム水溶液９．５質量部を１時間かけて添加し、さらに１時間反応した後、静置し、水層を棄却した。油層に蒸留水１５０質量部を加えて水洗操作を行い、洗浄水が中性になるまで同様の水洗操作を繰り返しおこなった後、加熱減圧によってメチルイソブチルケトンを留去することによりエポキシ樹脂１を得た。

このエポキシ樹脂１は、下記一般式（１３Ａ）で表される化合物において、グリシジルエーテル基の一部が水酸基として残存することで、そのエポキシ当量が２２０ｇ／ｅｑとなっているものであり、かかる点から、（Ｍ／（Ｍ＋Ｎ））が０．８７であることが確認されている。すなわち、原料のフェノール樹脂硬化剤１の水酸基当量１３５から算出される一般式（１３Ａ）で表されるエポキシ樹脂の理論エポキシ当量が１９１であるため、エポキシ樹脂１の各重合体が有するグリシジルエーテル基の数の総数をＭとし、各重合体が有する水酸基の数の総数をＮとしたときの（Ｍ／（Ｍ＋Ｎ））が０．８７となることが確認されている。また、エポキシ樹脂１の数平均分子量は５３０であった。

なお、理論エポキシ当量に対するずれ０．１３に相当する水酸基が残存していることは、得られたエポキシ樹脂１を過剰のアセチル化剤で反応させ、ＮＭＲで解析したところ、生成したエステルの約１３％がフェノール性水酸基に基づくエステルであったことからも裏付けられている。

（式（１３Ａ）中、２つのＹは、それぞれ互いに独立して、下記式（１３Ｂ）または下記式（１３Ｃ）で表されるグリシジル化フェニル基を表し、Ｘは、下記式（１３Ｄ）または下記式（１３Ｅ）で表されるグリシジル化フェニレン基を表す。）

（実施例１〜９、比較例１〜４）
（封止用樹脂組成物の調製）
各実施例、および各比較例のそれぞれについて、以下のように封止用樹脂組成物を調製した。
まず、表１に示す各成分をミキサーにより混合した。次いで、得られた混合物を、ロール混練した後、冷却、粉砕して粉粒体である封止用樹脂組成物を得た。

表１中の各成分の詳細は下記のとおりである。また、表１中に示す各成分の配合割合は、樹脂組成物全体に対する配合割合（質量部）を示している。
（熱硬化性樹脂またはその原料）
エポキシ樹脂１：製造例２で得られたエポキシ樹脂
エポキシ樹脂２：ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ３０００）
エポキシ樹脂３：トリフェニルメタン型エポキシ樹脂とビフェニル型エポキシ樹脂の混合物（ジャパンエポキシレジン社製 「ＹＬ６６７７」
エポキシ樹脂４：オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＥＯＣＮ−１０２０−５５）
フェノール樹脂硬化剤１：製造例１で得られたフェノール樹脂系硬化剤
フェノール樹脂硬化剤２：ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（日本化薬社製、ＧＰＨ−６５）
フェノール樹脂硬化剤３：トリフェニルメタン型フェノール樹脂（エアウォーターケミカル社製、ＨＥ９１０−２０）
フェノール樹脂硬化剤４：ノボラック型フェノール樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３）

（充填材）
無機充填材１：溶融球状シリカ（アドマテックス社製、モード径Ｒ＝１０μｍ、粒径Ｒmax＝１８μｍ、Ｒ／Ｒmax＝０．５６）
無機充填材２：球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−２５Ｒ」）
無機充填材３：溶融球状シリカ（マイクロン社製、ＴＳ−６０２１）
無機充填材４：溶融球状シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ５６０）

（その他の成分）
硬化促進剤１：下記式（１４）で表される化合物

シランカップリング剤１：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（チッソ社製、ＧＰＳ−Ｍ）
離型剤１：モンタン酸エステルワックス（クラリアント・ジャパン製、リコルブ ＷＥ ４）
離型剤２：モンタン酸エステルワックス（クラリアント・ジャパン製、リコワックス Ｅ）
離型剤３：窒素含有モンタン酸エステルワックス（クラリアント・ジャパン製、リコモント ＴＰ ＮＣ １３３）
離型剤４：カルナバワックス（東亜化成社製、ＴＯＷＡＸ−１３２）
着色剤１：カーボンブラック（三菱化学社製、ＭＡ−６００）

以上により得られた封止用樹脂組成物またはその硬化物について、以下の評価をおこなった。評価結果を表１にあわせて示す。

（スパイラルフロー）
低圧トランスファー成形機（コータキ精機社製、「ＫＴＳ−３０」）を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型に、金型温度２００℃、注入圧力６．９ＭＰａ、保圧時間１２０秒間の条件で、得られた封止用樹脂組成物を注入、硬化させ、スパイラルフローを測定した。単位はｃｍである。

（ガラス転移温度Ｔｇ（ＴＭＡ））
トランスファー成形装置を用いて、金型温度２００℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒で、得られた封止用樹脂組成物を注入成形し、１５ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの成形品を得た。
次いで、得られた成形品を２５０℃、４時間で後硬化して試験片を作製した。

その後、得られた試験片に関し、熱機械分析装置（セイコーインスツル社製、ＴＭＡ１００）を用いて、測定温度範囲０℃〜４００℃、昇温速度５℃／分の条件下で熱機械分析をおこない、ガラス転移温度を測定した。ガラス転移温度の単位は℃である。

（重量減少率）
ガラス転移温度の測定に用いた硬化物について、硬化物を２００℃に１０００時間さらした後の重量減少率を測定した。

（耐燃性）
低圧トランスファー成形機（コータキ精機社製、ＫＴＳ−３０）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、注入時間１５秒、硬化時間１２０秒の条件で、各例における封止用樹脂組成物を注入成形して、６．４ｍｍ厚の耐燃試験片を作製した。作製した試験片を１７５℃、８時間、後硬化した後、ＵＬ９４垂直法の規格に則り耐燃試験を行い、耐燃性を判断した。表１には、判定後の耐燃ランクを示した。

（モールドアンダーフィル（ＭＵＦ）充填性）
金型温度：１７５℃、注入速度：１０．５ｍｍ／ｓ、注入圧力：３．５ＭＰａ、硬化時間：１２０秒、タブレットサイズ：４０ｍｍΦ−４０ｇ（成型圧力８ＭＰａ）の条件にて、金型に形成された幅５ｍｍ、スリットギャップ（Ｇ）２５μｍの矩形状の流路に、封止樹脂組成物を注入し、流路の上流先端からの充填長さを測定し、以下の基準で評価した。
○：充填長さが２０ｍｍ以上
△：充填長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ未満
×：充填長さが１０ｍｍ未満

（高化式粘度）
各実施例および各比較例において得られた封止用樹脂組成物の高化式粘度を、高化式フローテスタ（島津製作所社製、ＣＦＴ−５００）を用いて、２００℃、圧力１０ｋｇｆ／ｃｍ²、キャピラリー径０．５ｍｍの条件で高化式粘度（Ｐａ・ｓ）を測定した。

１００ 半導体装置
１１０ 半導体装置
２０ 半導体素子
２２ バンプ
２４ 隙間
３０ 基板
３２ ダイパッド
３４ アウターリード
４０ ワイヤ
５０ 封止材
６０ 半田ボール

Claims (9)

1. 以下の条件（Ａ）〜（Ｄ）：
   （Ａ）消費電力２．０Ｗ以上の半導体素子
   （Ｂ）ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｇａ₂Ｏ₃およびダイヤモンドからなる群から選択される１種以上の半導体からなる半導体素子
   （Ｃ）電圧が１．０Ｖ以上の半導体素子
   （Ｄ）パワー密度が１０Ｗ／ｃｍ³以上の半導体素子
   のいずれかを満たす、パワー半導体素子を封止用樹脂組成物で封止してなる半導体装置であって、
   前記封止用樹脂組成物が、硬化性樹脂および無機充填材を含み、
   前記無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の大粒径側からの累積頻度が５％となるところの粒径をＲmax（μｍ）とし、
   前記無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の最大のピークの径をＲ（μｍ）とした場合、
   Ｒ＜Ｒmaxであり、
   １μｍ≦Ｒ≦２４μｍであり、
   Ｒ／Ｒmax≧０．４５であって、
   前記封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が１８０℃以上２７０℃以下であり、
   前記硬化物を２００℃、１０００時間下にさらしたときの重量損失が０．１２％以下である、半導体装置。
2. 以下の条件で測定される前記封止用樹脂組成物の充填長さが、１０ｍｍ以上である、請求項１に記載の半導体装置。
   （測定条件）
   金型温度：１７５℃、注入速度：１０．５ｍｍ／ｓ、注入圧力：３．５ＭＰａ、硬化時間：１２０秒、タブレットサイズ：４０ｍｍΦ−４０ｇの条件にて、前記金型に形成された幅５ｍｍ、スリットギャップ２５μｍの矩形状の流路に、前記封止用樹脂組成物を注入し、流路の上流先端からの充填長さを測定する。
3. 前記硬化性樹脂が、下記一般式（１Ａ）で表されるフェノール樹脂硬化剤と、下記一般式（２Ａ）で表されるエポキシ樹脂とを含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
   

   

   （上記一般式（１Ａ）中、２つのＹは、それぞれ独立して、下記一般式（１Ｂ）または下記一般式（１Ｃ）で表されるヒドロキシフェニル基を表し、Ｘは、下記一般式（１Ｄ）または下記一般式（１Ｅ）で表されるヒドロキシフェニレン基を表し、ｎは０以上の数を表し、ｎが２以上の場合、２つ以上のＸは、それぞれ独立して、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ¹は、それぞれ独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表し、ａは０〜４の整数を表す。また、上記一般式（１Ａ）は、下記一般式（１Ｃ）で表される二価ヒドロキシフェニル基と、下記一般式（１Ｅ）で表される二価ヒドロキシフェニレン基のうちの少なくとも一方を有する。）
   

   

   （上記一般式（１Ｂ）〜（１Ｅ）中、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表し、ｂは０〜４の整数、ｃは０〜３の整数、ｄは０〜３の整数、ｅは０〜２の整数を表す。）
   

   

   （上記一般式（２Ａ）中、２つのＹは、それぞれ独立して、下記一般式（２Ｂ）または下記一般式（２Ｃ）で表されるグリシジル化フェニル基を表し、Ｘは、下記一般式（２Ｄ）または下記一般式（２Ｅ）で表されるグリシジル化フェニレン基を表し、ｎは０以上の数を表し、ｎが２以上の場合、２つ以上のＸは、それぞれ独立して、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ¹は、それぞれ独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表し、ａは０〜４の整数を表す。また、上記一般式（２Ａ）は、下記一般式（２Ｃ）で表される２つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニル基と、下記一般式（２Ｅ）で表される２つのグリシジルエーテル基を有するグリシジル化フェニレン基のうちの少なくとも一方を有する。）
   

   

   （上記一般式（２Ｂ）〜（２Ｅ）中、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立して、炭素数１〜５の炭化水素基を表し、ｂは０〜４の整数、ｃは０〜３の整数、ｄは０〜３の整数、ｅは０〜２の整数を表す。）
4. 前記パワー半導体素子が、基板上に設けられており、前記封止用樹脂組成物が前記基板と前記半導体素子との間の隙間に充填されてなる、請求項１乃至３いずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記パワー半導体素子が、基板上に設けられており、前記基板と前記半導体素子との間の隙間をＧ（μｍ）とした場合、前記Ｇに対する前記Ｒの比（Ｒ／Ｇ）が、０．０５以上０．７以下である、請求項１乃至４いずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記パワー半導体素子が、基板上に設けられており、整流ダイオード、パワートランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ（ＧＴＯ）およびトライアックからなる群から選択される１または２以上の電子部品を含み、
   前記基板と前記半導体素子との間の隙間Ｇ（μｍ）が０．１μｍ以上３５μｍ以下である、請求項１乃至５いずれか１項に記載の半導体装置。
7. 前記封止用樹脂組成物の溶融粘度が３Ｐａ・ｓ以上２５Ｐａ・ｓ以下である、請求項１乃至６いずれか１項に記載の半導体装置。
8. 以下の条件（Ａ）〜（Ｄ）：
   （Ａ）消費電力２．０Ｗ以上の半導体素子
   （Ｂ）ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｇａ₂Ｏ₃およびダイヤモンドからなる群から選択される１種以上の半導体からなる半導体素子
   （Ｃ）電圧が１．０Ｖ以上の半導体素子
   （Ｄ）パワー密度が１０Ｗ／ｃｍ³以上の半導体素子
   のいずれかを満たす、パワー半導体素子の封止用樹脂組成物であって、
   当該封止用樹脂組成物が、硬化性樹脂および無機充填材を含み、
   前記無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の大粒径側からの累積頻度が５％となるところの粒径をＲmax（μｍ）とし、
   前記無機充填材に含まれる粒子の体積基準粒度分布の最大のピークの径をＲ（μｍ）とした場合、
   Ｒ＜Ｒmaxであり、
   １μｍ≦Ｒ≦２４μｍであり、
   Ｒ／Ｒmax≧０．４５であって、
   当該封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が１８０℃以上２７０℃以下であり、
   前記硬化物を２００℃、１０００時間下にさらしたときの重量損失が０．１２％以下である、封止用樹脂組成物。
9. 以下の条件（Ａ）〜（Ｄ）：
   （Ａ）消費電力２．０Ｗ以上の半導体素子
   （Ｂ）ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｇａ₂Ｏ₃およびダイヤモンドからなる群から選択される１種以上の半導体からなる半導体素子
   （Ｃ）電圧が１．０Ｖ以上の半導体素子
   （Ｄ）パワー密度が１０Ｗ／ｃｍ³以上の半導体素子
   のいずれかを満たすパワー半導体素子を、請求項８に記載の封止用樹脂組成物で封止する工程を含む、半導体装置の製造方法。

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