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JP2019016550A - Organic electroluminescent element, organic electroluminescent panel, organic electroluminescent device and electronic equipment - Google Patents

Organic electroluminescent element, organic electroluminescent panel, organic electroluminescent device and electronic equipment Download PDF

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JP2019016550A
JP2019016550A JP2017134603A JP2017134603A JP2019016550A JP 2019016550 A JP2019016550 A JP 2019016550A JP 2017134603 A JP2017134603 A JP 2017134603A JP 2017134603 A JP2017134603 A JP 2017134603A JP 2019016550 A JP2019016550 A JP 2019016550A
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和弘 横田
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Abstract

【課題】素子性能を向上させることの可能な有機電界発光素子、ならびにそのような有機電界発光素子を備えた有機電界発光パネル、有機電界発光装置および電子機器を提供する。【解決手段】本開示の一実施の形態の有機電界発光素子は、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えている。有機層において、発光層と陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.1以上0.6以下の材料で構成された正孔輸送層を含んでいる。発光層は、当該発光層の、陽極側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.4以下の厚さの分だけ後退した位置に発光中心を有している。この有機電界発光素子は、界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有している。【選択図】図13An organic electroluminescent element capable of improving element performance, an organic electroluminescent panel including the organic electroluminescent element, an organic electroluminescent device, and an electronic apparatus are provided. An organic electroluminescent element according to an embodiment of the present disclosure includes an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order. In the organic layer, the first organic layer between the light emitting layer and the anode includes a hole transport layer made of a material having an absorption coefficient of 0.1 or more and 0.6 or less. The light emitting layer has a light emission center at a position retreated from the anode side interface of the light emitting layer by a thickness larger than 0 and 0.4 or less when the thickness of the light emitting layer is 1. Yes. This organic electroluminescent element has a microcavity structure in which the position of the interface is a resonance point. [Selection] Figure 13

Description

本開示は、有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置および電子機器に関する。   The present disclosure relates to an organic electroluminescent element, an organic electroluminescent panel, an organic electroluminescent device, and an electronic apparatus.

有機電界発光素子を用いた有機電界発光装置(有機電界発光ディスプレイ)として、種々のものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   Various types of organic electroluminescent devices (organic electroluminescent displays) using organic electroluminescent elements have been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開2017−072812号公報JP 2017-0772812 A

ところで、有機電界発光装置では、一般的に、有機電界発光素子の素子性能を向上させることが求められている。そのため、素子性能を向上させることの可能な有機電界発光素子、ならびにそのような有機電界発光素子を備えた、有機電界発光パネル、有機電界発光装置および電子機器を提供することが望ましい。   By the way, in the organic electroluminescent device, generally, it is required to improve the element performance of the organic electroluminescent element. Therefore, it is desirable to provide an organic electroluminescent element capable of improving element performance, and an organic electroluminescent panel, an organic electroluminescent device, and an electronic apparatus provided with such an organic electroluminescent element.

本開示の一実施の形態の有機電界発光素子は、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えている。有機層において、発光層と陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.1以上0.6以下の材料で構成された正孔輸送層を含んでいる。発光層は、当該発光層の、陽極側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.4以下の厚さの分だけ後退した位置に発光中心を有している。この有機電界発光素子は、界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有している。   An organic electroluminescent element according to an embodiment of the present disclosure includes an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order. In the organic layer, the first organic layer between the light emitting layer and the anode includes a hole transport layer made of a material having an absorption coefficient of 0.1 or more and 0.6 or less. The light emitting layer has a light emission center at a position retreated from the anode side interface of the light emitting layer by a thickness larger than 0 and 0.4 or less when the thickness of the light emitting layer is 1. Yes. This organic electroluminescent element has a microcavity structure in which the position of the interface is a resonance point.

本開示の一実施の形態の有機電界発光パネルは、赤色画素、緑色画素および青色画素を備えている。赤色画素、緑色画素および青色画素は、それぞれ、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えた有機電界発光素子を有している。赤色画素、緑色画素および青色画素のうち、少なくとも一方の画素の有機層において、発光層と陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.1以上0.6以下の材料で構成された正孔輸送層を含んでいる。上記正孔輸送層を有する画素における発光層は、当該発光層の、陽極側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.4以下の厚さの分だけ後退した位置に発光中心を有している。上記正孔輸送層を有する画素における有機電界発光素子は、界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有している。   An organic electroluminescent panel according to an embodiment of the present disclosure includes a red pixel, a green pixel, and a blue pixel. Each of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel has an organic electroluminescent element including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order. In the organic layer of at least one of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel, the first organic layer between the light emitting layer and the anode is made of a material having an absorption coefficient of 0.1 to 0.6. A hole transport layer formed thereon. The light emitting layer in the pixel having the hole transport layer recedes from the anode side interface of the light emitting layer by a thickness greater than 0 and 0.4 or less when the thickness of the light emitting layer is 1. It has a light emission center at the position. The organic electroluminescent element in the pixel having the hole transport layer has a microcavity structure in which the position of the interface is a resonance point.

本開示の一実施の形態の有機電界発光装置は、有機電界発光パネルと、有機電界発光パネルを駆動する駆動回路とを備えている。この有機電界発光装置に設けられた有機電界発光パネルは、上記の有機電界発光パネルと同一の構成要素を備えている。   An organic electroluminescent device according to an embodiment of the present disclosure includes an organic electroluminescent panel and a drive circuit that drives the organic electroluminescent panel. The organic electroluminescent panel provided in the organic electroluminescent device includes the same components as the above organic electroluminescent panel.

本開示の一実施の形態の電子機器は、有機電界発光装置を備えている。この電子機器に設けられた有機電界発光装置は、上記の有機電界発光装置と同一の構成要素を備えている。   An electronic apparatus according to an embodiment of the present disclosure includes an organic electroluminescent device. The organic electroluminescent device provided in the electronic apparatus includes the same components as the above organic electroluminescent device.

本開示の一実施の形態の有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置および電子機器では、正孔輸送層による消光の影響の最も大きな箇所である界面から、発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.4以下の厚さの分だけ後退した位置が発光中心となっている。これにより、正孔輸送層による消光の影響を避けつつ、共振点からのズレに起因する強度の低下を低く抑えることができる。   In the organic electroluminescent element, the organic electroluminescent panel, the organic electroluminescent device, and the electronic device according to an embodiment of the present disclosure, the thickness of the luminescent layer is changed from the interface that is the place where the influence of quenching by the hole transport layer is the largest. A light emission center is a position which is set back by an amount greater than 0 and less than or equal to 0.4. Thereby, it is possible to suppress a decrease in strength due to deviation from the resonance point while avoiding the influence of quenching by the hole transport layer.

本開示の一実施の形態の有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置および電子機器によれば、正孔輸送層による消光の影響を避けつつ、共振点からのズレに起因する強度の低下を低く抑えることができるようにしたので、有機電界発光素子の素子性能を向上させることができる。なお、本開示の効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されず、本明細書中に記載されたいずれの効果であってもよい。   According to the organic electroluminescent element, the organic electroluminescent panel, the organic electroluminescent device, and the electronic apparatus according to the embodiment of the present disclosure, the intensity caused by the deviation from the resonance point while avoiding the influence of quenching by the hole transport layer. As a result, the device performance of the organic electroluminescent device can be improved. In addition, the effect of this indication is not necessarily limited to the effect described here, Any effect described in this specification may be sufficient.

本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置の概略構成例を表す図である。It is a figure showing the schematic structural example of the organic electroluminescent apparatus which concerns on one embodiment of this indication. 図1の各画素に含まれる副画素の回路構成例を表す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit configuration example of subpixels included in each pixel of FIG. 1. 図1の有機電界発光パネルの概略構成例を表す図である。It is a figure showing the schematic structural example of the organic electroluminescent panel of FIG. 図3の有機電界発光パネルのA−A線での断面構成例を表す図である。It is a figure showing the cross-sectional structural example in the AA line of the organic electroluminescent panel of FIG. 図3の有機電界発光パネルのB−B線での断面構成例を表す図である。It is a figure showing the cross-sectional structural example in the BB line of the organic electroluminescent panel of FIG. 有機発光層に発生する発光領域のプロファイルの一例を表す図である。It is a figure showing an example of the profile of the light emission area | region which generate | occur | produces in an organic light emitting layer. 有機発光層に発生する発光領域のプロファイルの一例を表す図である。It is a figure showing an example of the profile of the light emission area | region which generate | occur | produces in an organic light emitting layer. 有機発光層に発生する発光領域のプロファイルの一例を表す図である。It is a figure showing an example of the profile of the light emission area | region which generate | occur | produces in an organic light emitting layer. 有機発光層に発生する発光領域のプロファイルの一例を表す図である。It is a figure showing an example of the profile of the light emission area | region which generate | occur | produces in an organic light emitting layer. 図4の有機電界発光素子を副画素ごとに模式的に表す図である。It is a figure which represents typically the organic electroluminescent element of FIG. 4 for every subpixel. 図7の有機電界発光素子における各層の膜厚の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the film thickness of each layer in the organic electroluminescent element of FIG. 比較例に係る有機電界発光素子における各層の膜厚の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the film thickness of each layer in the organic electroluminescent element which concerns on a comparative example. キャビティの次数と光取り出し強度との関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relationship between the order of a cavity, and light extraction intensity | strength. キャビティの次数と光取り出し強度との関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relationship between the order of a cavity, and light extraction intensity | strength. 有機電界発光素子の強度マップの一例を表す図である。It is a figure showing an example of the intensity map of an organic electroluminescent element. 図11の強度マップの数値の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the numerical value of the intensity | strength map of FIG. 図7の有機電界発光素子における発光中心の位置と光取り出し強度との関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relationship between the position of the light emission center in the organic electroluminescent element of FIG. 7, and light extraction intensity | strength. 比較例に係る有機電界発光素子における発光中心の位置と光取り出し強度との関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relationship between the position of the light emission center in the organic electroluminescent element which concerns on a comparative example, and light extraction intensity | strength. 正孔輸送層の吸収係数と光取り出し強度との関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relationship between the absorption coefficient of a positive hole transport layer, and light extraction intensity | strength. 本開示の有機電界発光装置を備えた電子機器の外観の一例を斜視的に表す図である。It is a figure which represents perspectively an example of the appearance of electronic equipment provided with the organic electroluminescent device of this indication. 本開示の有機電界発光素子を備えた照明装置の外観の一例を斜視的に表す図である。It is a figure which represents perspectively an example of the external appearance of the illuminating device provided with the organic electroluminescent element of this indication.

以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。   Hereinafter, modes for carrying out the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. Each of the embodiments described below shows a preferred specific example of the present disclosure. Therefore, the numerical values, shapes, materials, components, component arrangement positions, connection forms, and the like shown in the following embodiments are merely examples and do not limit the present disclosure. Therefore, among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements that are not described in the independent claims indicating the highest concept of the present disclosure are described as arbitrary constituent elements. Each figure is a schematic diagram and is not necessarily illustrated strictly. Moreover, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the substantially same structure, The overlapping description is abbreviate | omitted or simplified.

<1.実施の形態>
[構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置1の概略構成例を表したものである。図2は、有機電界発光装置1に設けられた各画素11に含まれる副画素12の回路構成の一例を表したものである。有機電界発光装置1は、例えば、有機電界発光パネル10、コントローラ20およびドライバ30を備えている。ドライバ30は、例えば、有機電界発光パネル10の外縁部分に実装されている。有機電界発光パネル10は、行列状に配置された複数の画素11を有している。コントローラ20およびドライバ30は、外部から入力された映像信号Dinおよび同期信号Tinに基づいて、有機電界発光パネル10(複数の画素11)を駆動する。
<1. Embodiment>
[Constitution]
FIG. 1 illustrates a schematic configuration example of an organic electroluminescent device 1 according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 2 illustrates an example of a circuit configuration of the sub-pixel 12 included in each pixel 11 provided in the organic electroluminescence device 1. The organic electroluminescent device 1 includes, for example, an organic electroluminescent panel 10, a controller 20, and a driver 30. The driver 30 is mounted on the outer edge portion of the organic electroluminescent panel 10, for example. The organic electroluminescent panel 10 has a plurality of pixels 11 arranged in a matrix. The controller 20 and the driver 30 drive the organic electroluminescent panel 10 (the plurality of pixels 11) based on the video signal Din and the synchronization signal Tin input from the outside.

(有機電界発光パネル10)
有機電界発光パネル10は、コントローラ20およびドライバ30によって各画素11がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Dinおよび同期信号Tinに基づく画像を表示する。有機電界発光パネル10は、行方向に延在する複数の走査線WSLと、列方向に延在する複数の信号線DTLおよび複数の電源線DSLと、行列状に配置された複数の画素11とを有している。
(Organic electroluminescent panel 10)
The organic electroluminescence panel 10 displays an image based on the video signal Din and the synchronization signal Tin inputted from the outside, by the active matrix driving of each pixel 11 by the controller 20 and the driver 30. The organic electroluminescence panel 10 includes a plurality of scanning lines WSL extending in the row direction, a plurality of signal lines DTL and a plurality of power supply lines DSL extending in the column direction, and a plurality of pixels 11 arranged in a matrix. have.

走査線WSLは、各画素11の選択に用いられるものであり、各画素11を所定の単位(例えば画素行)ごとに選択する選択パルスを各画素11に供給するものである。信号線DTLは、映像信号Dinに応じた信号電圧Vsigの、各画素11への供給に用いられるものであり、信号電圧Vsigを含むデータパルスを各画素11に供給するものである。電源線DSLは、各画素11に電力を供給するものである。   The scanning line WSL is used for selecting each pixel 11, and supplies a selection pulse for selecting each pixel 11 for each predetermined unit (for example, a pixel row) to each pixel 11. The signal line DTL is used to supply a signal voltage Vsig corresponding to the video signal Din to each pixel 11 and supplies a data pulse including the signal voltage Vsig to each pixel 11. The power supply line DSL supplies power to each pixel 11.

各画素11は、例えば、赤色光を発する副画素12、緑色光を発する副画素12、および青色光を発する副画素12を含んで構成されている。なお、各画素11は、例えば、さらに、他の色(例えば、白色や、黄色など)を発する副画素12を含んで構成されていてもよい。各画素11において、複数の副画素12は、例えば、所定の方向に一列に並んで配置されている。   Each pixel 11 includes, for example, a sub-pixel 12 that emits red light, a sub-pixel 12 that emits green light, and a sub-pixel 12 that emits blue light. Note that each pixel 11 may further include, for example, a sub-pixel 12 that emits another color (for example, white or yellow). In each pixel 11, the plurality of subpixels 12 are arranged in a line in a predetermined direction, for example.

各信号線DTLは、後述の水平セレクタ31の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線DTLが1本ずつ、割り当てられている。各走査線WSLは、後述のライトスキャナ32の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線WSLが1本ずつ、割り当てられている。各電源線DSLは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線DSLが1本ずつ、割り当てられている。   Each signal line DTL is connected to an output terminal of a horizontal selector 31 described later. For example, one signal line DTL is assigned to each pixel column. Each scanning line WSL is connected to an output end of a write scanner 32 described later. For example, one scanning line WSL is assigned to each pixel row. Each power line DSL is connected to the output terminal of the power source. For example, one power line DSL is allocated to each pixel row.

各副画素12は、画素回路12−1と、有機電界発光素子12−2とを有している。有機電界発光素子12−2の構成については、後に詳述する。   Each sub-pixel 12 includes a pixel circuit 12-1 and an organic electroluminescent element 12-2. The configuration of the organic electroluminescent element 12-2 will be described in detail later.

画素回路12−1は、有機電界発光素子12−2の発光・消光を制御する。画素回路12−1は、後述の書込走査によって各副画素12に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路12−1は、例えば、駆動トランジスタTr1、書込トランジスタTr2および保持容量Csを含んで構成されている。   The pixel circuit 12-1 controls light emission / extinction of the organic electroluminescent element 12-2. The pixel circuit 12-1 has a function of holding a voltage written in each sub-pixel 12 by writing scanning described later. The pixel circuit 12-1 includes, for example, a drive transistor Tr1, a write transistor Tr2, and a storage capacitor Cs.

書込トランジスタTr2は、駆動トランジスタTr1のゲートに対する、映像信号Dinに対応した信号電圧Vsigの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタTr2は、信号線DTLの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタTr1のゲートに書き込む。駆動トランジスタTr1は、有機電界発光素子12−2に直列に接続されている。駆動トランジスタTr1は、有機電界発光素子12−2を駆動する。駆動トランジスタTr1は、書込トランジスタTr2によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子12−2に流れる電流を制御する。保持容量Csは、駆動トランジスタTr1のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Csは、所定の期間中に駆動トランジスタTr1のゲート−ソース間電圧Vgsを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路12−1は、上述の2Tr1Cの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の2Tr1Cの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。   The write transistor Tr2 controls application of the signal voltage Vsig corresponding to the video signal Din to the gate of the drive transistor Tr1. Specifically, the write transistor Tr2 samples the voltage of the signal line DTL and writes the voltage obtained by the sampling to the gate of the drive transistor Tr1. The drive transistor Tr1 is connected in series with the organic electroluminescent element 12-2. The drive transistor Tr1 drives the organic electroluminescent element 12-2. The drive transistor Tr1 controls the current flowing through the organic electroluminescent element 12-2 according to the magnitude of the voltage sampled by the write transistor Tr2. The holding capacitor Cs holds a predetermined voltage between the gate and source of the driving transistor Tr1. The storage capacitor Cs has a role of holding the gate-source voltage Vgs of the drive transistor Tr1 constant during a predetermined period. The pixel circuit 12-1 may have a circuit configuration in which various capacitors and transistors are added to the above-described 2Tr1C circuit, or may have a circuit configuration different from the above-described 2Tr1C circuit configuration. Good.

各信号線DTLは、後述の水平セレクタ31の出力端と、書込トランジスタTr2のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線WSLは、後述のライトスキャナ32の出力端と、書込トランジスタTr2のゲートとに接続されている。各電源線DSLは、電源回路と、駆動トランジスタTr1のソースまたはドレインに接続されている。   Each signal line DTL is connected to an output terminal of a horizontal selector 31 (to be described later) and a source or drain of the write transistor Tr2. Each scanning line WSL is connected to an output terminal of a later-described write scanner 32 and a gate of the write transistor Tr2. Each power line DSL is connected to the power circuit and the source or drain of the drive transistor Tr1.

書込トランジスタTr2のゲートは、走査線WSLに接続されている。書込トランジスタTr2のソースまたはドレインが信号線DTLに接続されている。書込トランジスタTr2のソースおよびドレインのうち信号線DTLに未接続の端子が駆動トランジスタTr1のゲートに接続されている。駆動トランジスタTr1のソースまたはドレインが電源線DSLに接続されている。駆動トランジスタTr1のソースおよびドレインのうち電源線DSLに未接続の端子が有機電界発光素子21−2の陽極21に接続されている。保持容量Csの一端が駆動トランジスタTr1のゲートに接続されている。保持容量Csの他端が駆動トランジスタTr1のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子21−2側の端子に接続されている。   The gate of the writing transistor Tr2 is connected to the scanning line WSL. The source or drain of the write transistor Tr2 is connected to the signal line DTL. Of the source and drain of the write transistor Tr2, a terminal not connected to the signal line DTL is connected to the gate of the drive transistor Tr1. The source or drain of the drive transistor Tr1 is connected to the power supply line DSL. Of the source and drain of the driving transistor Tr1, a terminal not connected to the power supply line DSL is connected to the anode 21 of the organic electroluminescent element 21-2. One end of the storage capacitor Cs is connected to the gate of the drive transistor Tr1. The other end of the storage capacitor Cs is connected to a terminal on the organic electroluminescence element 21-2 side of the source and drain of the drive transistor Tr1.

(ドライバ30)
ドライバ30は、例えば、水平セレクタ31およびライトスキャナ32を有している。水平セレクタ31は、例えば、制御信号の入力に応じて(同期して)、コントローラ20から入力されたアナログの信号電圧Vsigを、各信号線DTLに印加する。ライトスキャナ32は、複数の副画素12を所定の単位ごとに走査する。
(Driver 30)
The driver 30 includes, for example, a horizontal selector 31 and a write scanner 32. For example, the horizontal selector 31 applies the analog signal voltage Vsig input from the controller 20 to each signal line DTL in response to (in synchronization with) the input of the control signal. The write scanner 32 scans the plurality of subpixels 12 for each predetermined unit.

(コントローラ20)
次に、コントローラ20について説明する。コントローラ20は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Dinに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Vsigを生成する。コントローラ20は、例えば、生成した信号電圧Vsigを水平セレクタ31に出力する。コントローラ20は、例えば、外部から入力された同期信号Tinに応じて(同期して)、ドライバ30内の各回路に対して制御信号を出力する。
(Controller 20)
Next, the controller 20 will be described. For example, the controller 20 performs a predetermined correction on the digital video signal Din input from the outside, and generates a signal voltage Vsig based on the video signal obtained thereby. For example, the controller 20 outputs the generated signal voltage Vsig to the horizontal selector 31. For example, the controller 20 outputs a control signal to each circuit in the driver 30 in response to (in synchronization with) a synchronization signal Tin input from the outside.

次に、図3、図4、図5を参照して、有機電界発光素子12−2について説明する。図3は、有機電界発光パネル10の概略構成例を表したものである。図4は、図3の有機電界発光パネル10のA−A線での断面構成例を表したものである。図5は、図3の有機電界発光パネル10のB−B線での断面構成例を表したものである。   Next, the organic electroluminescent element 12-2 will be described with reference to FIG. 3, FIG. 4, and FIG. FIG. 3 shows a schematic configuration example of the organic electroluminescent panel 10. FIG. 4 illustrates an example of a cross-sectional configuration taken along line AA of the organic electroluminescent panel 10 of FIG. FIG. 5 illustrates a cross-sectional configuration example taken along line BB of the organic electroluminescent panel 10 of FIG.

有機電界発光パネル10は、行列状に配置された複数の画素11を有している。各画素11は、例えば、上述したように、赤色光を発する副画素12(12R)、緑色光を発する副画素12(12G)、および青色光を発する副画素12(12B)を含んで構成されている。副画素12Rが本開示の「赤色画素」の一具体例に相当する。副画素12Gが本開示の「緑色画素」の一具体例に相当する。副画素12Bが本開示の「青色画素」の一具体例に相当する。   The organic electroluminescent panel 10 has a plurality of pixels 11 arranged in a matrix. For example, as described above, each pixel 11 includes a sub-pixel 12 (12R) that emits red light, a sub-pixel 12 (12G) that emits green light, and a sub-pixel 12 (12B) that emits blue light. ing. The sub-pixel 12R corresponds to a specific example of “red pixel” of the present disclosure. The sub-pixel 12G corresponds to a specific example of “green pixel” of the present disclosure. The sub-pixel 12B corresponds to a specific example of “blue pixel” of the present disclosure.

副画素12Rは、赤色の光を発する有機電界発光素子12−2(12r)を含んで構成されている。副画素12Gは、緑色の光を発する有機電界発光素子12−2(12g)を含んで構成されている。副画素12Bは、青色の光を発する有機電界発光素子12−2(12b)を含んで構成されている。副画素12R,12G,12Bは、例えば、ストライプ配列となっている。各画素11において、例えば、副画素12R,12G,12Bが、列方向に並んで配置されている。さらに、各画素行において、例えば、同一色の光を発する複数の副画素12が、行方向に並んで配置されている。   The sub-pixel 12R includes an organic electroluminescent element 12-2 (12r) that emits red light. The subpixel 12G includes an organic electroluminescent element 12-2 (12g) that emits green light. The subpixel 12B includes an organic electroluminescent element 12-2 (12b) that emits blue light. The subpixels 12R, 12G, and 12B have, for example, a stripe arrangement. In each pixel 11, for example, sub-pixels 12R, 12G, and 12B are arranged side by side in the column direction. Furthermore, in each pixel row, for example, a plurality of subpixels 12 that emit light of the same color are arranged side by side in the row direction.

有機電界発光パネル10は、基板14上に、行方向に延在する複数のラインバンク13と、列方向に延在する複数のバンク15とを有している。複数のラインバンク13および複数のバンク15は、各副画素12Rを区画する。複数のラインバンク13は、各画素11において、各副画素12を区画する。複数のバンク15は、各画素行において、各画素11を区画する。つまり、複数の副画素12は、複数のラインバンク13および複数のバンク15によって区画されている。各バンク15は、列方向において互いに隣接する2つのラインバンク13の間に設けられている。各バンク15の両端部が、列方向において互いに隣接する2つのラインバンク13に連結されている。   The organic electroluminescent panel 10 has a plurality of line banks 13 extending in the row direction and a plurality of banks 15 extending in the column direction on the substrate 14. The plurality of line banks 13 and the plurality of banks 15 partition each sub-pixel 12R. The plurality of line banks 13 partitions each sub-pixel 12 in each pixel 11. The plurality of banks 15 partitions each pixel 11 in each pixel row. That is, the plurality of subpixels 12 are partitioned by a plurality of line banks 13 and a plurality of banks 15. Each bank 15 is provided between two line banks 13 adjacent to each other in the column direction. Both ends of each bank 15 are connected to two line banks 13 adjacent to each other in the column direction.

基板14は、例えば、各有機電界発光素子12−2や各ラインバンク13などを支持する基材と、基材上に設けられた配線層とによって構成されている。基板14内の基材は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスまたは石英などによって形成されている。基板14内の基材は、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、またはアルミナなどによって形成されていてもよい。基板14内の配線層には、例えば、各画素11の画素回路12−1が形成されている。   The board | substrate 14 is comprised by the base material which supports each organic electroluminescent element 12-2, each line bank 13, etc., and the wiring layer provided on the base material, for example. The base material in the substrate 14 is formed of, for example, alkali-free glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphate glass, borate glass, or quartz. The base material in the substrate 14 may be formed of, for example, an acrylic resin, a styrene resin, a polycarbonate resin, an epoxy resin, polyethylene, polyester, a silicone resin, or alumina. For example, a pixel circuit 12-1 of each pixel 11 is formed in the wiring layer in the substrate 14.

ラインバンク13およびバンク15は、例えば、絶縁性の有機材料によって形成されている。絶縁性の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などが挙げられる。ラインバンク13およびバンク15は、例えば、耐熱性、溶媒に対する耐性を持つ絶縁性樹脂によって形成されていることが好ましい。ラインバンク13およびバンク15は、例えば、絶縁性樹脂をフォトリソグラフィおよび現像によって所望のパターンに加工することによって形成される。ラインバンク13の断面形状は、例えば、図4に示したような順テーパ型であってもよく、裾が狭くなった逆テーパ型であってもよい。   The line bank 13 and the bank 15 are made of, for example, an insulating organic material. Examples of the insulating organic material include acrylic resin, polyimide resin, and novolac type phenol resin. For example, the line bank 13 and the bank 15 are preferably formed of an insulating resin having heat resistance and resistance to a solvent. The line bank 13 and the bank 15 are formed, for example, by processing an insulating resin into a desired pattern by photolithography and development. The cross-sectional shape of the line bank 13 may be, for example, a forward taper type as shown in FIG. 4 or a reverse taper type with a narrow skirt.

互いに平行で、かつ互いに隣接する2つのラインバンク13および両端のバンク15によって囲まれた領域が、溝部16なっている。各副画素12において、各有機電界発光素子12−2は、互いに平行で、かつ互いに隣接する2つのラインバンク13の間隙に1つずつ配置されている。つまり、各副画素12において、各有機電界発光素子12−2は、溝部16の中に1つずつ配置されている。   A region surrounded by two line banks 13 and banks 15 at both ends that are parallel to each other and adjacent to each other is a groove 16. In each sub-pixel 12, each organic electroluminescence element 12-2 is arranged one by one in the gap between two line banks 13 that are parallel to each other and adjacent to each other. That is, in each sub-pixel 12, each organic electroluminescent element 12-2 is arranged one by one in the groove 16.

各有機電界発光素子12−2は、例えば、陽極21、正孔注入層22、正孔輸送層23、有機発光層24、電子輸送層25、電子注入層26および陰極27を基板14側からこの順に備えたものである。正孔注入層22および正孔輸送層23のうち少なくとも正孔輸送層23が本開示の「第1有機層」の一具体例に相当する。有機発光層24が本開示の「発光層」の一具体例に相当する。電子輸送層25および電子注入層26のうち少なくとも電子輸送層25が本開示の「第2有機層」の一具体例に相当する。正孔注入層22は、正孔注入効率を高めるための層である。正孔輸送層23は、陽極21から注入された正孔を有機発光層24へ輸送するための層である。有機発光層24は、電子と正孔との再結合により、所定の色の光を発する層である。電子輸送層25は、陰極27から注入された電子を有機発光層24へ輸送するための層である。電子注入層26は、電子注入効率を高めるための層である。正孔注入層22および電子注入層26のうち少なくとも一方が省略されていてもよい。各有機電界発光素子12−2は、上述以外の層をさらに有していてもよい。   Each organic electroluminescent element 12-2 includes, for example, an anode 21, a hole injection layer 22, a hole transport layer 23, an organic light emitting layer 24, an electron transport layer 25, an electron injection layer 26, and a cathode 27 from the substrate 14 side. It is prepared in order. Of the hole injection layer 22 and the hole transport layer 23, at least the hole transport layer 23 corresponds to a specific example of a “first organic layer” of the present disclosure. The organic light emitting layer 24 corresponds to a specific example of “light emitting layer” of the present disclosure. Of the electron transport layer 25 and the electron injection layer 26, at least the electron transport layer 25 corresponds to a specific example of a “second organic layer” of the present disclosure. The hole injection layer 22 is a layer for increasing the hole injection efficiency. The hole transport layer 23 is a layer for transporting holes injected from the anode 21 to the organic light emitting layer 24. The organic light emitting layer 24 is a layer that emits light of a predetermined color by recombination of electrons and holes. The electron transport layer 25 is a layer for transporting electrons injected from the cathode 27 to the organic light emitting layer 24. The electron injection layer 26 is a layer for increasing electron injection efficiency. At least one of the hole injection layer 22 and the electron injection layer 26 may be omitted. Each organic electroluminescent element 12-2 may further include layers other than those described above.

陽極21は、例えば、基板14の上に形成されている。陽極21は、透光性を有する透明電極であって、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)又はIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電性材料からなる透明導電膜が用いられる。なお、陽極21は、透明電極に限るものではなく、例えば、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、アルミニウムもしくは銀の合金等、または、反射性を有する反射電極であってもよい。陽極21は、反射電極と透明電極とが積層されたものであってもよい。   The anode 21 is formed on the substrate 14, for example. The anode 21 is a transparent electrode having translucency. For example, a transparent conductive film made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) is used. The anode 21 is not limited to a transparent electrode, and may be, for example, aluminum (Al), silver (Ag), aluminum or a silver alloy, or a reflective electrode having reflectivity. The anode 21 may be a laminate of a reflective electrode and a transparent electrode.

正孔輸送層23は、陽極21から注入された正孔を有機発光層24へ輸送する機能を有する。正孔輸送層23は、例えば、塗布膜である。正孔輸送層23は、例えば、正孔輸送性を有する有機材料(以下、「正孔輸送性材料23M」と称する。)を溶質の主成分とする溶液を塗布および乾燥することにより形成されている。正孔輸送層23は、正孔輸送性材料23Mを主成分として含んで構成されている。また、溶質である正孔輸送性材料12Mは、不溶化する機能を有している。不溶化する機能とは、架橋性基又は熱解離可溶性基などの不溶化基が、熱あるいは紫外光等の照射もしくはその組み合わせにより、化学変化し、有機溶媒や水に対し不溶化する機能のことをいう。従って、正孔輸送層12は、不溶化された正孔輸送層である。   The hole transport layer 23 has a function of transporting holes injected from the anode 21 to the organic light emitting layer 24. The hole transport layer 23 is, for example, a coating film. The hole transport layer 23 is formed, for example, by applying and drying a solution containing an organic material having a hole transport property (hereinafter referred to as “hole transport material 23M”) as a main component of a solute. Yes. The hole transport layer 23 includes a hole transport material 23M as a main component. Moreover, the hole transport material 12M which is a solute has a function of insolubilizing. The insolubilizing function refers to a function in which an insolubilizing group such as a crosslinkable group or a heat dissociable soluble group undergoes a chemical change by irradiation with heat or ultraviolet light or a combination thereof, and insolubilizes in an organic solvent or water. Therefore, the hole transport layer 12 is an insolubilized hole transport layer.

正孔輸送層23の原料(材料)である正孔輸送性材料23Mは、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料である。正孔輸送性材料23Mは、さらに、例えば、溶解性および不溶化の機能のために、その分子構造中に、可溶性基と、熱解離可溶性基、架橋性基または脱離性保護基などの不溶化基とを有している。   The hole transporting material 23M that is a raw material (material) of the hole transporting layer 23 includes, for example, arylamine derivatives, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine Derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, butadiene compounds, polystyrene derivatives, hydrazone derivatives, triphenylmethane derivatives, tetraphenylbenzine derivatives, etc., or a combination thereof Material. The hole transporting material 23M further includes, for example, a soluble group and an insolubilizing group such as a thermally dissociable soluble group, a crosslinkable group, or a removable protective group in the molecular structure for the function of solubility and insolubilization. And have.

有機発光層24は、正孔と電子との再結合により、所定の色の光を発する機能を有する。有機発光層24は、例えば、塗布膜である。有機発光層24は、正孔と電子との再結合により励起子を生成し発光する有機材料(以下、「有機発光材料24M」と称する。)を溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。有機発光層24は、有機発光材料24Mを主成分として含んで構成されている。副画素12Rに含まれる有機電界発光素子12rでは、有機発光材料24Mが赤色有機発光材料を含んで構成されている。副画素12Gに含まれる有機電界発光素子12gでは、有機発光材料24Mが緑色有機発光材料を含んで構成されている。副画素12Bに含まれる有機電界発光素子12bでは、有機発光材料24Mが青色有機発光材料を含んで構成されている。   The organic light emitting layer 24 has a function of emitting light of a predetermined color by recombination of holes and electrons. The organic light emitting layer 24 is, for example, a coating film. The organic light-emitting layer 24 is formed by applying and drying a solution containing an organic material that emits light by generating excitons by recombination of holes and electrons (hereinafter, referred to as “organic light-emitting material 24M”). Is formed. The organic light emitting layer 24 includes an organic light emitting material 24M as a main component. In the organic electroluminescent element 12r included in the sub-pixel 12R, the organic light emitting material 24M includes a red organic light emitting material. In the organic electroluminescent element 12g included in the sub-pixel 12G, the organic light emitting material 24M includes a green organic light emitting material. In the organic electroluminescent element 12b included in the sub-pixel 12B, the organic light emitting material 24M includes a blue organic light emitting material.

有機発光層24は、例えば、単層の有機発光層、または、積層された複数の有機発光層によって構成されている。有機発光層24が積層された複数の有機発光層によって構成されている場合には、有機発光層24は、例えば、主成分が互いに共通の複数の有機発光層を積層したものである。このとき、複数の有機発光層は、ともに、塗布膜である。複数の有機発光層は、ともに、有機発光材料24Mを溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。   The organic light emitting layer 24 is constituted by, for example, a single organic light emitting layer or a plurality of stacked organic light emitting layers. In the case where the organic light emitting layer 24 is constituted by a plurality of organic light emitting layers stacked, the organic light emitting layer 24 is formed by stacking a plurality of organic light emitting layers whose main components are common to each other, for example. At this time, the plurality of organic light emitting layers are all coating films. Both of the plurality of organic light emitting layers are formed by applying and drying a solution containing the organic light emitting material 24M as a main component of a solute.

有機発光層24の原料(材料)である有機発光材料24Mは、例えば、ドーパント材料単独であってもよいが、より好ましくは、ホスト材料とドーパント材料との組み合わせがよい。つまり、有機発光層24は、有機発光材料24Mとして、ホスト材料およびドーパント材料を含んで構成されていることが好ましい。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、ドーパント材料は、発光の機能を担っている。ホスト材料およびドーパント材料は1種類のみに限られるものではなく、2種類以上の組み合わせであってもよい。ドーパント材料の量は、ホスト材料に対して、0.01重量%以上30重量%以下であるとよく、より好ましくは、0.01重量%以上10重量%以下である。   The organic light emitting material 24M that is a raw material (material) of the organic light emitting layer 24 may be, for example, a dopant material alone, but more preferably a combination of a host material and a dopant material. That is, the organic light emitting layer 24 is preferably configured to include a host material and a dopant material as the organic light emitting material 24M. The host material mainly has the function of transporting electrons or holes, and the dopant material has the function of light emission. The host material and the dopant material are not limited to one type, and may be a combination of two or more types. The amount of the dopant material is preferably 0.01% by weight to 30% by weight and more preferably 0.01% by weight to 10% by weight with respect to the host material.

有機発光層24のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、または、ペリレン誘導体等が挙げられる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、または、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。   As a host material of the organic light emitting layer 24, for example, an amine compound, a condensed polycyclic aromatic compound, or a heterocyclic compound is used. As the amine compound, for example, a monoamine derivative, a diamine derivative, a triamine derivative, or a tetraamine derivative is used. Examples of the condensed polycyclic aromatic compound include anthracene derivatives, naphthalene derivatives, naphthacene derivatives, phenanthrene derivatives, chrysene derivatives, fluoranthene derivatives, triphenylene derivatives, pentacene derivatives, and perylene derivatives. Examples of heterocyclic compounds include carbazole derivatives, furan derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, imidazole derivatives, pyrazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, pyrrole derivatives, indole derivatives, azaindole derivatives, Azacarbazole, a pyrazoline derivative, a pyrazolone derivative, a phthalocyanine derivative, or the like can be given.

また、有機発光層24のドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、または、クリセン誘導体が用いられる。また、有機発光層24のドーパント材料としては、金属錯体が用いられてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、オスミウム(Os)、金(Au)、レニウム(Re)、もしくは、ルテニウム(Ru)等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。   Moreover, as a dopant material of the organic light emitting layer 24, a pyrene derivative, a fluoranthene derivative, an aryl acetylene derivative, a fluorene derivative, a perylene derivative, an oxadiazole derivative, an anthracene derivative, or a chrysene derivative is used, for example. In addition, a metal complex may be used as a dopant material for the organic light emitting layer 24. Examples of the metal complex include a metal atom and a ligand such as iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), gold (Au), rhenium (Re), or ruthenium (Ru). Is mentioned.

副画素12Rに含まれる有機電界発光素子12rでは、有機発光材料24Mは、電子移動度が正孔移動度よりも大きな有機発光材料によって構成されている。つまり、有機電界発光素子12rに含まれる有機発光材料24Mは、電子輸送性の高い材料であり、かつ、電子移動度が正孔移動度よりも大きな材料である。従って、有機電界発光素子12rでは、発光領域12Aが正孔輸送層23側に位置する。なお、有機電界発光素子12rにおいて、発光領域12Aが正孔輸送層23との界面付近に位置していてもよい。   In the organic electroluminescent element 12r included in the sub-pixel 12R, the organic light emitting material 24M is made of an organic light emitting material whose electron mobility is larger than the hole mobility. That is, the organic light emitting material 24M included in the organic electroluminescent element 12r is a material having a high electron transport property and a material having an electron mobility larger than the hole mobility. Therefore, in the organic electroluminescent element 12r, the light emitting region 12A is located on the hole transport layer 23 side. In the organic electroluminescent element 12r, the light emitting region 12A may be positioned near the interface with the hole transport layer 23.

副画素12Gに含まれる有機電界発光素子12gでは、有機発光材料24Mは、電子移動度が正孔移動度よりも大きな有機発光材料によって構成されている。つまり、有機電界発光素子12gに含まれる有機発光材料24Mは、電子輸送性の高い材料であり、かつ、電子移動度が正孔移動度よりも大きな材料である。従って、有機電界発光素子12gでは、発光領域12Aが正孔輸送層23側に位置する。なお、有機電界発光素子12gにおいて、発光領域12Aが正孔輸送層23との界面付近に位置していてもよい。   In the organic electroluminescent element 12g included in the subpixel 12G, the organic light emitting material 24M is made of an organic light emitting material having an electron mobility larger than the hole mobility. That is, the organic light emitting material 24M included in the organic electroluminescent element 12g is a material having a high electron transport property and a material having an electron mobility larger than the hole mobility. Therefore, in the organic electroluminescent element 12g, the light emitting region 12A is located on the hole transport layer 23 side. In the organic electroluminescent element 12g, the light emitting region 12A may be located in the vicinity of the interface with the hole transport layer 23.

副画素12Bに含まれる有機電界発光素子12gでは、有機発光材料24Mは、正孔移動度が電子移動度よりも大きな有機発光材料によって構成されている。つまり、有機電界発光素子12bに含まれる有機発光材料24Mは、正孔輸送性の高い材料であり、かつ、電子移動度が正孔移動度よりも大きな材料である。従って、有機電界発光素子12bでは、発光領域12Aが電子輸送層25側に位置する。なお、有機電界発光素子12bにおいて、発光領域12Aが電子輸送層25との界面付近に位置していてもよい。   In the organic electroluminescent element 12g included in the subpixel 12B, the organic light emitting material 24M is made of an organic light emitting material having a hole mobility larger than the electron mobility. That is, the organic light emitting material 24M included in the organic electroluminescent element 12b is a material having a high hole transport property and a material having an electron mobility larger than the hole mobility. Therefore, in the organic electroluminescent element 12b, the light emitting region 12A is located on the electron transport layer 25 side. In the organic electroluminescent element 12b, the light emitting region 12A may be located in the vicinity of the interface with the electron transport layer 25.

「発光領域12Aが電子輸送層25側に位置する」とは、例えば、図6Aに示したように、有機発光層24内の発光領域12Aの50%以上が、電子輸送層25が配置されている側の領域に存在していることを指している。「発光領域が正孔輸送層23側に位置する」とは、例えば、図6Bに示したように、有機発光層24内の発光領域12Aの50%以上が、正孔輸送層23が配置されている側の領域に存在していることを指している。   “The light emitting region 12A is located on the electron transport layer 25 side” means that, for example, as shown in FIG. 6A, 50% or more of the light emitting region 12A in the organic light emitting layer 24 is disposed in the electron transport layer 25. It is present in the area on the other side. “The light emitting region is located on the hole transport layer 23 side” means that, for example, as shown in FIG. 6B, 50% or more of the light emitting region 12A in the organic light emitting layer 24 is disposed in the hole transport layer 23. Indicates that it exists in the side area.

「発光領域12Aが電子輸送層25との界面付近に位置する」とは、例えば、図6Cに示したように、有機発光層24内の発光領域12Aの90%以上が、電子輸送層25が配置されている側に存在していることを指している。「発光領域12Aが正孔輸送層23との界面付近に位置する」とは、例えば、図6Dに示したように、有機発光層24内の発光領域12Aの90%以上が、正孔輸送層23が配置されている側の領域に存在していることを指している。なお、図6A〜図6Dには、発光領域12Aの一例が示されている。例えば、発光領域のピーク(発光中心12a)が有機発光層24の界面ではなく、有機発光層24内に位置している場合もある。なお、発光領域12Aのプロファイルやピーク(発光中心12a)の位置を変化させる方法としては、例えば、有機発光層24に含まれるホスト材料とドーパント材料の比率を調整する方法がある。   “The light emitting region 12A is located near the interface with the electron transport layer 25” means that, for example, 90% or more of the light emitting region 12A in the organic light emitting layer 24 is 90% or more as shown in FIG. It means that it exists on the side where it is placed. “The light emitting region 12A is positioned in the vicinity of the interface with the hole transport layer 23” means that, for example, 90% or more of the light emitting region 12A in the organic light emitting layer 24 is 90% or more as shown in FIG. 23 exists in the area | region where the side is arrange | positioned. 6A to 6D show an example of the light emitting region 12A. For example, the peak of the light emitting region (the light emission center 12a) may be located in the organic light emitting layer 24 instead of the interface of the organic light emitting layer 24. As a method of changing the profile of the light emitting region 12A and the position of the peak (light emission center 12a), for example, there is a method of adjusting the ratio of the host material and the dopant material contained in the organic light emitting layer 24.

電子輸送層25は、陰極27から注入された電子を有機発光層24へ輸送する機能を有する。電子輸送層25は、例えば、蒸着膜またはスパッタ膜である。電子輸送層25は、電子輸送性を有する有機材料(以下、「電子輸送性材料25M」と称する。)主成分として含んで構成されている。電子輸送層25は、正孔ブロック性および励起子失活を防ぐのに適した、広いエネルギーギャップを有する有機材料によって構成されていることが好ましい。電子輸送層25は、電子輸送層25のエネルギーギャップが有機発光層24のエネルギーギャップよりも大きい有機材料によって構成されている。   The electron transport layer 25 has a function of transporting electrons injected from the cathode 27 to the organic light emitting layer 24. The electron transport layer 25 is, for example, a deposited film or a sputtered film. The electron transport layer 25 includes an organic material having an electron transport property (hereinafter, referred to as “electron transport material 25M”) as a main component. The electron transport layer 25 is preferably made of an organic material having a wide energy gap that is suitable for preventing hole blocking and exciton deactivation. The electron transport layer 25 is made of an organic material in which the energy gap of the electron transport layer 25 is larger than the energy gap of the organic light emitting layer 24.

エネルギーギャップとは、HOMO(最高被占準位,Highest occupied molecular orbital)エネルギー準位と、LUMO(最低空準位,Lowest unoccupied molecular orbital) エネルギー準位とのエネルギー差を指す。エネルギーギャップは、バンドギャップとも言う。HOMO準位の測定法としては、例えば、大気中光電子分光法、電気化学的手法(サイクリックボルタメトリー)、又は、光電子分光法(PES)等が挙げられる。一方、LUMO準位の測定法としては、例えば、逆光電子分光法(IPES)、又は、光吸収分光法により吸収端から求めたエネルギーギャップとHOMO準位とから算出する方法等が挙げられる。また、それぞれの準位を、分子起動法計算を用いて、HOMO準位及びLUMO準位順位を算出する手法を用いてもよい。   The energy gap refers to an energy difference between a HOMO (highest occupied molecular orbital) energy level and a LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) energy level. The energy gap is also called a band gap. Examples of the method for measuring the HOMO level include atmospheric photoelectron spectroscopy, electrochemical techniques (cyclic voltammetry), and photoelectron spectroscopy (PES). On the other hand, examples of the LUMO level measurement method include inverse photoelectron spectroscopy (IPES), a method of calculating from the energy gap obtained from the absorption edge by light absorption spectroscopy and the HOMO level. In addition, a method of calculating the HOMO level and the LUMO level rank for each level using molecular activation method calculation may be used.

電子輸送層25は、有機発光層24と陰極27との間に介在し、陰極27から注入された電子を有機発光層24へ輸送する機能を有する。なお、電子輸送層25は、さらに、有機発光層24から陰極27への電荷(本実施の形態では正孔)の突き抜けを抑制する電荷ブロック機能や、有機発光層24の励起状態の消光を抑制する機能等を有していることが好ましい。電子輸送層25の原料(材料)である電子輸送性材料25Mは、例えば、分子内にヘテロ原子を1個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物である。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。また、電子輸送層25は、電子輸送性を有する金属を含んでもよい。電子輸送層25は、電子輸送性を有する金属を含むことで、電子輸送層25の電子輸送性を向上できる。電子輸送層25に含まれる金属としては、例えば、バリウム(Ba)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、セシウム(Cs)、ナトリウム(Na)、ルビジウム(Rb)、イットリビウム(Yb)等を用いることができる。   The electron transport layer 25 is interposed between the organic light emitting layer 24 and the cathode 27 and has a function of transporting electrons injected from the cathode 27 to the organic light emitting layer 24. The electron transport layer 25 further suppresses charge blocking function that suppresses the penetration of charges (holes in the present embodiment) from the organic light emitting layer 24 to the cathode 27 and quenching of the excited state of the organic light emitting layer 24. It is preferable to have the function to perform. The electron transporting material 25M that is a raw material (material) of the electron transporting layer 25 is, for example, an aromatic heterocyclic compound containing one or more heteroatoms in the molecule. Examples of the aromatic heterocyclic compound include compounds containing a pyridine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a benzimidazole ring, a phenanthroline ring, a quinazoline ring or the like in the skeleton. Further, the electron transport layer 25 may include a metal having an electron transport property. The electron transport layer 25 can improve the electron transport property of the electron transport layer 25 by containing the metal which has electron transport property. Examples of the metal contained in the electron transport layer 25 include barium (Ba), lithium (Li), calcium (Ca), potassium (K), cesium (Cs), sodium (Na), rubidium (Rb), yttrium ( Yb) or the like can be used.

陰極27は、例えば、光反射性を有する反射電極であり、例えば反射性を有する金属材料を用いて形成された金属電極である。陰極27の材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が用いられる。なお、陰極27は、反射電極に限るものではなく、陽極21と同様に、ITO膜等の透明電極であってもよい。基板14及び陽極21が透光性を有し、陰極27が反射性を有する場合には、有機電界発光素子12−2は、基板14側から光が放出するボトムエミッション構造となっている。陽極21が反射性を有し、陰極27が透光性を有する場合には、有機電界発光素子12−2は、トップエミッション構造となっている。   The cathode 27 is, for example, a reflective electrode having light reflectivity, and is, for example, a metal electrode formed using a metal material having reflectivity. As the material of the cathode 27, for example, aluminum (Al), magnesium (Mg), silver (Ag), aluminum-lithium alloy, magnesium-silver alloy, or the like is used. The cathode 27 is not limited to the reflective electrode, and may be a transparent electrode such as an ITO film, like the anode 21. When the substrate 14 and the anode 21 are translucent and the cathode 27 is reflective, the organic electroluminescent element 12-2 has a bottom emission structure in which light is emitted from the substrate 14 side. When the anode 21 has reflectivity and the cathode 27 has translucency, the organic electroluminescent element 12-2 has a top emission structure.

有機電界発光パネル10は、さらに、例えば、各有機電界発光素子12−2を封止する封止層28を有していてもよい。封止層28は、例えば、各有機電界発光素子12−2の陰極27の表面に接して設けられている。   The organic electroluminescent panel 10 may further include, for example, a sealing layer 28 that seals each organic electroluminescent element 12-2. The sealing layer 28 is provided in contact with the surface of the cathode 27 of each organic electroluminescent element 12-2, for example.

次に、本実施の形態に係る有機電界発光素子12−2の特徴について、比較例を交えて説明する。図7は、有機電界発光素子12−2を副画素12の種類ごとに模式的に表したものである。図8は、図7の有機電界発光素子12−2における各層の膜厚の一例を表したものである。図9は、比較例に係る有機電界発光素子における各層の膜厚の一例を表したものである。図10、図11は、キャビティの次数と光取り出し強度との関係の一例を表したものである。図12は、有機電界発光素子12−2の強度マップの一例を表したものである。図12(A)は、赤色の副画素12Rの有機電界発光素子12−2の強度マップの一例を表したものである。図12(B)は、緑色の副画素12Rの有機電界発光素子12−2の強度マップの一例を表したものである。図12(C)は、青色の副画素12Rの有機電界発光素子12−2の強度マップの一例を表したものである。図13は、図12の強度マップの数値の一例を表したものである。   Next, the characteristics of the organic electroluminescent element 12-2 according to the present embodiment will be described with a comparative example. FIG. 7 schematically shows the organic electroluminescent element 12-2 for each type of subpixel 12. FIG. 8 shows an example of the film thickness of each layer in the organic electroluminescent element 12-2 of FIG. FIG. 9 shows an example of the film thickness of each layer in the organic electroluminescent element according to the comparative example. 10 and 11 show an example of the relationship between the order of the cavity and the light extraction intensity. FIG. 12 shows an example of an intensity map of the organic electroluminescent element 12-2. FIG. 12A shows an example of an intensity map of the organic electroluminescent element 12-2 of the red subpixel 12R. FIG. 12B shows an example of an intensity map of the organic electroluminescent element 12-2 of the green sub-pixel 12R. FIG. 12C shows an example of an intensity map of the organic electroluminescent element 12-2 of the blue subpixel 12R. FIG. 13 shows an example of numerical values of the intensity map of FIG.

副画素12R、副画素12Gおよび副画素12Bにおいて、有機電界発光素子12−2には、マイクロキャビティ構造が設けられている。図7の左端には、副画素12Rの有機電界発光素子12−2に設けられているマイクロキャビティ構造Crが例示されている。図7の中央には、副画素12Gの有機電界発光素子12−2に設けられているマイクロキャビティ構造Cgが例示されている。図7のマイクロキャビティ構造Cr,Cgにおいて、正孔注入層22および正孔輸送層23からなる層が本開示の「第1有機層」の一具体例に相当する。図7のマイクロキャビティ構造Cr,Cgにおいて、電子輸送層25および電子注入層26からなる層が本開示の「第2有機層」の一具体例に相当する。なお、図7において、正孔注入層22が省略されていてもよい。また、図7において、電子注入層26が省略されていてもよい。また、図7のマイクロキャビティ構造Cr,Cgにおいて、正孔注入層22の全体もしくは一部が無機材料によって構成されている場合には、正孔注入層22および正孔輸送層23からなる層のうち、有機材料によって構成されている箇所が本開示の「第1有機層」の一具体例に相当する。図7の右端には、副画素12Bの有機電界発光素子12−2に設けられているマイクロキャビティ構造Cbが例示されている。マイクロキャビティ構造Cr,Cg,Cbは、例えば、陽極21と陰極27との間で生じる光の共振を利用し、特定波長の光を増強させる効果を有する。有機発光層24から発せられた光は、陽極21と陰極27との間で多重反射する。このとき、有機発光層24から発せられた光のうちの特定の波長成分が強められる。   In the subpixel 12R, the subpixel 12G, and the subpixel 12B, the organic electroluminescent element 12-2 has a microcavity structure. The left end of FIG. 7 illustrates a microcavity structure Cr provided in the organic electroluminescent element 12-2 of the subpixel 12R. In the center of FIG. 7, a microcavity structure Cg provided in the organic electroluminescent element 12-2 of the sub-pixel 12G is illustrated. In the microcavity structure Cr, Cg in FIG. 7, the layer formed of the hole injection layer 22 and the hole transport layer 23 corresponds to a specific example of “first organic layer” of the present disclosure. In the microcavity structures Cr and Cg in FIG. 7, the layer including the electron transport layer 25 and the electron injection layer 26 corresponds to a specific example of “second organic layer” of the present disclosure. In FIG. 7, the hole injection layer 22 may be omitted. In FIG. 7, the electron injection layer 26 may be omitted. Further, in the microcavity structure Cr, Cg of FIG. 7, when the whole or part of the hole injection layer 22 is made of an inorganic material, the layer composed of the hole injection layer 22 and the hole transport layer 23 Of these, a portion made of an organic material corresponds to a specific example of the “first organic layer” of the present disclosure. The right end of FIG. 7 illustrates a microcavity structure Cb provided in the organic electroluminescent element 12-2 of the subpixel 12B. The microcavity structures Cr, Cg, and Cb have an effect of enhancing light of a specific wavelength by utilizing resonance of light generated between the anode 21 and the cathode 27, for example. The light emitted from the organic light emitting layer 24 undergoes multiple reflections between the anode 21 and the cathode 27. At this time, a specific wavelength component of the light emitted from the organic light emitting layer 24 is strengthened.

本実施の形態では、副画素12R、副画素12Gおよび副画素12Bから射出される光の波長は、それぞれ異なる。そのため、陽極21と陰極27との間の光路長は、各色の発光スペクトルピーク波長に対応している。マイクロキャビティ構造Cr,Cg,Cbにより、有機発光層24から出射された光は、陽極21と陰極27との間で所定の光学長の範囲内で反射を繰り返し、光路長に対応した特定の波長の光は共振して増強される一方、光路長に対応しない波長の光は弱められる。その結果、外部に取り出される光のスペクトルが急峻でかつ高強度になり、輝度および色純度が向上する。   In the present embodiment, the wavelengths of light emitted from the subpixel 12R, the subpixel 12G, and the subpixel 12B are different. Therefore, the optical path length between the anode 21 and the cathode 27 corresponds to the emission spectrum peak wavelength of each color. The light emitted from the organic light emitting layer 24 by the microcavity structure Cr, Cg, Cb is repeatedly reflected within a predetermined optical length range between the anode 21 and the cathode 27, and has a specific wavelength corresponding to the optical path length. While the light of this wavelength is resonated and enhanced, the light of a wavelength not corresponding to the optical path length is attenuated. As a result, the spectrum of the light extracted to the outside becomes steep and high intensity, and the luminance and color purity are improved.

マイクロキャビティ構造では、膜厚が大きくなるにつれて、1次干渉(ファーストキャビティ)、2次干渉(セカンドキャビティ)、3次干渉(サードキャビティ)などが発生する。マイクロキャビティ構造Cr,Cgは、セカンドキャビティが生じる光路長を有している。一方、マイクロキャビティ構造Cbは、サードキャビティが生じる光路長を有している。マイクロキャビティ構造Crにおいて、陽極21と陰極27との間の距離Lrが、副画素12Rの有機発光層24から出射される光(赤色光)の波長においてセカンドキャビティが生じる光路長となっている。また、マイクロキャビティ構造Cgにおいて、陽極21と陰極27との間の距離Lgが、副画素12Gの有機発光層24から出射される光(緑色光)の波長においてセカンドキャビティが生じる光路長となっている。また、マイクロキャビティ構造Cbにおいて、陽極21と陰極27との間の距離Lgが、副画素12Bの有機発光層24から出射される光(青色光)の波長においてサードキャビティが生じる光路長となっている。   In the microcavity structure, as the film thickness increases, primary interference (first cavity), secondary interference (second cavity), tertiary interference (third cavity), and the like are generated. The microcavity structures Cr and Cg have an optical path length in which a second cavity is generated. On the other hand, the microcavity structure Cb has an optical path length in which a third cavity is generated. In the microcavity structure Cr, the distance Lr between the anode 21 and the cathode 27 is an optical path length in which a second cavity is generated at the wavelength of light (red light) emitted from the organic light emitting layer 24 of the subpixel 12R. In the microcavity structure Cg, the distance Lg between the anode 21 and the cathode 27 is an optical path length in which a second cavity is generated at the wavelength of light (green light) emitted from the organic light emitting layer 24 of the subpixel 12G. Yes. In the microcavity structure Cb, the distance Lg between the anode 21 and the cathode 27 is an optical path length in which a third cavity is generated at the wavelength of light (blue light) emitted from the organic light emitting layer 24 of the subpixel 12B. Yes.

本実施の形態では、副画素12R、副画素12Gおよび副画素12Bにおいて、電子輸送層25は、互いに共通の層で構成されている。例えば、副画素12R、副画素12Gおよび副画素12Bにおいて、電子輸送層25は、蒸着やスパッタなどによって一括成膜されている。副画素12Rおよび副画素12Gにおいて、正孔注入層22、正孔輸送層23、有機発光層24、電子輸送層25および電子注入層26は、陽極21と陰極27との間の距離Lr,Lgが、セカンドキャビティが生じる光路長となるように調整された膜厚となっている。また、副画素12Bにおいて、正孔注入層22、正孔輸送層23、有機発光層24、電子輸送層25および電子注入層26は、陽極21と陰極27との間の距離Lbが、サードキャビティが生じる光路長となるように調整された膜厚となっている。   In the present embodiment, in the subpixel 12R, the subpixel 12G, and the subpixel 12B, the electron transport layer 25 is configured by a common layer. For example, in the sub-pixel 12R, the sub-pixel 12G, and the sub-pixel 12B, the electron transport layer 25 is collectively formed by vapor deposition or sputtering. In the subpixel 12R and the subpixel 12G, the hole injection layer 22, the hole transport layer 23, the organic light emitting layer 24, the electron transport layer 25, and the electron injection layer 26 are distances Lr, Lg between the anode 21 and the cathode 27, respectively. However, the film thickness is adjusted so as to be the optical path length in which the second cavity is generated. In the subpixel 12B, the hole injection layer 22, the hole transport layer 23, the organic light emitting layer 24, the electron transport layer 25, and the electron injection layer 26 have a distance Lb between the anode 21 and the cathode 27 that is equal to the third cavity. The film thickness is adjusted to be the optical path length that causes

有機電界発光素子の設計では、陽極21と発光中心24aとの距離や、陰極27と発光中心24aとの距離が非常に重要である。これらの距離の基準点は、厳密には発光再結合が起こる位置である。   In designing an organic electroluminescent element, the distance between the anode 21 and the light emission center 24a and the distance between the cathode 27 and the light emission center 24a are very important. Strictly speaking, the reference points of these distances are positions where luminescence recombination occurs.

図8には、副画素12Rおよび副画素12Gにおいて発光中心24aが有機発光層24内の正孔輸送層23側に位置するとともに、副画素12Bにおいて発光中心24aが有機発光層24内の電子輸送層25側に位置しているときの、各層の膜厚の一例が示されている。図8において、膜厚の単位はnmである。図8の上段には、マイクロキャビティ構造Crにおいて、発光中心24aの上部に相当する箇所(上部層)の理想的な膜厚と、発光中心24aの下部に相当する箇所(下部層)の理想的な膜厚とが例示されている。   In FIG. 8, in the subpixel 12R and the subpixel 12G, the emission center 24a is located on the hole transport layer 23 side in the organic light emitting layer 24, and in the subpixel 12B, the emission center 24a is transported in the organic light emitting layer 24. An example of the film thickness of each layer when located on the layer 25 side is shown. In FIG. 8, the unit of film thickness is nm. In the upper part of FIG. 8, in the microcavity structure Cr, an ideal film thickness of a portion (upper layer) corresponding to the upper portion of the light emission center 24a and an ideal film thickness of a portion (lower layer) corresponding to the lower portion of the light emission center 24a. The film thickness is exemplified.

副画素12Rにおいて、上部層の膜厚Lr1が理想的には250nmとなっており、下部層の膜厚Lr2が理想的には60nmとなっている。膜厚Lr1が本開示の「第2距離」の一具体例に対応し、膜厚Lr2が本開示の「第1距離」の一具体例に対応する。膜厚Lr1,Lr2は、発光中心24aから発せられた光がマイクロキャビティ構造Crによって共振するような光路長となっている。また、副画素12Gにおいて、上部層の膜厚Lg1が理想的には215nmとなっており、下部層の膜厚Lg2が理想的には50nmとなっている。膜厚Lg1,Lg2は、発光中心24aから発せられた光がマイクロキャビティ構造Cgによって共振するような光路長となっている。膜厚Lg1が本開示の「第2距離」の一具体例に対応し、膜厚Lg2が本開示の「第1距離」の一具体例に対応する。副画素12Bにおいて、上部層の膜厚Lb1が理想的には170nmとなっており、下部層の膜厚Lb2が理想的には180nmとなっている。膜厚Lb1,Lb2は、発光中心24aから発せられた光がマイクロキャビティ構造Cbによって共振するような光路長となっている。   In the sub-pixel 12R, the upper layer thickness Lr1 is ideally 250 nm, and the lower layer thickness Lr2 is ideally 60 nm. The film thickness Lr1 corresponds to a specific example of “second distance” of the present disclosure, and the film thickness Lr2 corresponds to a specific example of “first distance” of the present disclosure. The film thicknesses Lr1 and Lr2 have optical path lengths such that the light emitted from the light emission center 24a resonates with the microcavity structure Cr. In the sub-pixel 12G, the film thickness Lg1 of the upper layer is ideally 215 nm, and the film thickness Lg2 of the lower layer is ideally 50 nm. The film thicknesses Lg1 and Lg2 have optical path lengths such that light emitted from the light emission center 24a resonates with the microcavity structure Cg. The film thickness Lg1 corresponds to a specific example of “second distance” of the present disclosure, and the film thickness Lg2 corresponds to a specific example of “first distance” of the present disclosure. In the sub-pixel 12B, the upper layer thickness Lb1 is ideally 170 nm, and the lower layer thickness Lb2 is ideally 180 nm. The film thicknesses Lb1 and Lb2 have optical path lengths such that light emitted from the light emission center 24a resonates with the microcavity structure Cb.

また、図8の下段には、有機電界発光素子12−2に含まれる各層の膜厚が例示されている。各副画素12において、電子輸送層25および電子注入層24は、蒸着やスパッタなどによって一括成膜されたものであり、電子輸送層25および電子注入層24の合計膜厚が170nmとなっている。副画素12rにおいて、有機発光層24の膜厚が80nmとなっており、正孔輸送層23および正孔注入層22の合計膜厚が60nmとなっている。また、副画素12gにおいて、有機発光層24の膜厚が45nmとなっており、正孔輸送層23および正孔注入層22の合計膜厚が50nmとなっている。また、副画素12bにおいて、有機発光層24の膜厚が50nmとなっており、正孔輸送層23および正孔注入層22の合計膜厚が130nmとなっている。   Moreover, the film thickness of each layer contained in the organic electroluminescent element 12-2 is illustrated by the lower stage of FIG. In each subpixel 12, the electron transport layer 25 and the electron injection layer 24 are collectively formed by vapor deposition or sputtering, and the total film thickness of the electron transport layer 25 and the electron injection layer 24 is 170 nm. . In the subpixel 12r, the thickness of the organic light emitting layer 24 is 80 nm, and the total thickness of the hole transport layer 23 and the hole injection layer 22 is 60 nm. In the subpixel 12g, the thickness of the organic light emitting layer 24 is 45 nm, and the total thickness of the hole transport layer 23 and the hole injection layer 22 is 50 nm. In the subpixel 12b, the thickness of the organic light emitting layer 24 is 50 nm, and the total thickness of the hole transport layer 23 and the hole injection layer 22 is 130 nm.

図8から、各副画素12において、有機発光層24の膜厚が塗布に適した膜厚(45nm〜80nm)となっており、さらに、正孔輸送層23および正孔注入層22の合計膜厚も塗布に適した膜厚(50nm〜130nm)となっていることがわかる。   From FIG. 8, in each subpixel 12, the film thickness of the organic light emitting layer 24 is a film thickness (45 nm to 80 nm) suitable for coating, and the total film of the hole transport layer 23 and the hole injection layer 22 It can be seen that the thickness is also suitable for coating (50 nm to 130 nm).

図9には、比較例に係る各副画素における膜厚が例示されている。図9には、各色の副画素において発光中心が有機発光層内の正孔輸送層側に位置しているときの、各層の膜厚の一例が示されている。図9において、膜厚の単位はnmである。図9の上段には、各色の副画素のマイクロキャビティ構造において、発光中心の上部に相当する箇所(上部層)の理想的な膜厚と、発光中心の下部に相当する箇所(下部層)の理想的な膜厚とが例示されている。また、図9の下段には、有機電界発光素子に含まれる各層の膜厚が例示されている。図9において、青色の副画素における正孔輸送層23および正孔注入層22の合計膜厚が、塗布に適した膜厚よりも厚くなっている。そのため、青色の副画素において、発光中心を、有機発光層内の正孔輸送層側に配置することは、塗布の観点からは不適切であることがわかる。   FIG. 9 illustrates the film thickness in each sub-pixel according to the comparative example. FIG. 9 shows an example of the film thickness of each layer when the emission center is located on the side of the hole transport layer in the organic light emitting layer in each color subpixel. In FIG. 9, the unit of film thickness is nm. In the upper part of FIG. 9, in the microcavity structure of each color sub-pixel, an ideal film thickness of a portion (upper layer) corresponding to the upper portion of the light emission center and a portion (lower layer) corresponding to the lower portion of the light emission center are shown. The ideal film thickness is illustrated. Moreover, the film thickness of each layer contained in an organic electroluminescent element is illustrated by the lower stage of FIG. In FIG. 9, the total film thickness of the hole transport layer 23 and the hole injection layer 22 in the blue subpixel is thicker than the film thickness suitable for coating. Therefore, it can be seen that in the blue subpixel, it is inappropriate from the viewpoint of coating to dispose the emission center on the hole transport layer side in the organic light emitting layer.

ところで、マイクロキャビティ構造におけるキャビティの次数を決める際に、従来のシミュレーションでは、干渉効果のみが考慮されていた。そのため、図10に示したように、キャビティの次数が大きくなるにつれて、光取り出し効率が大幅に減っていくことがわかる。従って、光取り出し効率の観点からは、キャビティの次数を1次にすることが好ましく、2次や3次にすることは好ましくないことがわかる。一方で、本願の発明者は、マイクロキャビティ構造におけるキャビティの次数を決めるには、干渉効果だけでなく、金属消光も考慮すべきことを見出した。そこで、本願の発明者は、干渉効果と金属消光とを考慮したシミュレーションによって、光取り出し効率と、マイクロキャビティ構造におけるキャビティの次数との関係を導出した。その結果を図11に示した。図11から、副画素12Rおよび副画素12Gにおいては、キャビティの次数を1次にするよりも、2次にすることが好ましいことがわかる。さらに、図11から、副画素12Bにおいては、キャビティの次数を1次にするよりも、3次にすることが好ましいことがわかる。なお、副画素12Bにおいて、キャビティの次数を2次にしたときの光取り出し効率がキャビティの次数を3次にしたときの光取り出し効率よりも小さくなるのは、おそらく、金属消光の影響が他の副画素12R,12Gと比べて長距離に及ぶためであると思われる。   By the way, when determining the order of the cavity in the microcavity structure, only the interference effect has been considered in the conventional simulation. Therefore, as shown in FIG. 10, it can be seen that the light extraction efficiency decreases significantly as the order of the cavity increases. Therefore, from the viewpoint of light extraction efficiency, it is understood that the order of the cavity is preferably the first order and that the second order or the third order is not preferable. On the other hand, the inventors of the present application have found that not only the interference effect but also metal quenching should be considered in order to determine the order of the cavity in the microcavity structure. Therefore, the inventors of the present application derived the relationship between the light extraction efficiency and the order of the cavities in the microcavity structure through a simulation that takes into account interference effects and metal quenching. The results are shown in FIG. From FIG. 11, it can be seen that in the subpixel 12R and the subpixel 12G, the order of the cavity is preferably set to the second order rather than the first order. Furthermore, it can be seen from FIG. 11 that in the sub-pixel 12B, the order of the cavity is preferably 3 order rather than 1 order. In the sub-pixel 12B, the light extraction efficiency when the cavity order is second order is smaller than the light extraction efficiency when the cavity order is third order. This seems to be because the distance is longer than that of the sub-pixels 12R and 12G.

図12(A)、図12(B)、図12(C)には、横軸を下部層の膜厚とし、縦軸を上部層の膜厚としたときの強度マップ(光取り出し効率の大きさマップ)が示されている。図13には、図12(A)、図12(B)、図12(C)に示した光取り出し効率における最大値を100%としたときの、各次数におけるピーク値の割合が示されている。   In FIGS. 12A, 12B, and 12C, an intensity map (the magnitude of light extraction efficiency is shown) when the horizontal axis is the thickness of the lower layer and the vertical axis is the thickness of the upper layer. Map) is shown. FIG. 13 shows the ratio of the peak value in each order when the maximum value in the light extraction efficiency shown in FIGS. 12 (A), 12 (B), and 12 (C) is 100%. Yes.

図12(A)、図12(B)、図12(C)において、2次のキャビティが2箇所存在していることがわかる。また、図12(A)、図12(B)、図12(C)において、3次のキャビティが3箇所存在していることがわかる。図12(A)、図12(B)、図12(C)からは、下部層の膜厚が薄く、上層の膜厚が厚くなるときの方が、下部層の膜厚が厚く、上層の膜厚が薄くなるときと比べて、2次のキャビティにおける光取り出し効率が高くなっていることがわかる。また、図12(A)、図12(B)、図12(C)からは、下部層の膜厚が2番目に薄く、上層の膜厚も2番目に薄いときに、3次のキャビティにおける光取り出し効率が最も高くなることがわかる。また、2次のキャビティにおける光取り出し効率と、3次のキャビティにおける光取り出し効率とを対比すると、副画素12Rおよび副画素12Gにおいては、2次のキャビティにおける光取り出し効率の方が、3次のキャビティにおける光取り出し効率よりも高くなっていることがわかる。その一方で、副画素12Bにおいては、3次のキャビティにおける光取り出し効率の方が、2次のキャビティにおける光取り出し効率よりも高くなっていることがわかる。   12A, 12B, and 12C, it can be seen that there are two secondary cavities. In addition, it can be seen that there are three tertiary cavities in FIGS. 12A, 12B, and 12C. From FIG. 12A, FIG. 12B, and FIG. 12C, when the lower layer is thinner and the upper layer is thicker, the lower layer is thicker and the upper layer is thicker. It can be seen that the light extraction efficiency in the secondary cavity is higher than when the film thickness is reduced. Also, from FIGS. 12A, 12B, and 12C, when the thickness of the lower layer is the second smallest and the thickness of the upper layer is the second smallest, It can be seen that the light extraction efficiency is the highest. Further, when the light extraction efficiency in the secondary cavity and the light extraction efficiency in the tertiary cavity are compared, in the subpixel 12R and the subpixel 12G, the light extraction efficiency in the secondary cavity is the third order. It can be seen that the light extraction efficiency in the cavity is higher. On the other hand, in the sub-pixel 12B, it can be seen that the light extraction efficiency in the tertiary cavity is higher than the light extraction efficiency in the secondary cavity.

以上のことから、マイクロキャビティ構造Cr,Cgは、光取り出し効率の観点からは、セカンドキャビティが生じる光路長を有していることが好ましい。一方、マイクロキャビティ構造Cbは、光取り出し効率の観点からは、サードキャビティが生じる光路長を有していることが好ましい。   From the above, the microcavity structures Cr and Cg preferably have an optical path length in which a second cavity is generated from the viewpoint of light extraction efficiency. On the other hand, it is preferable that the microcavity structure Cb has an optical path length in which a third cavity is generated from the viewpoint of light extraction efficiency.

図14は、本実施の形態に係る有機電界発光素子12−2において、発光中心12aの位置と光取り出し強度との関係の一例を表したものである。図15は、比較例に係る有機電界発光素子において、キャビティの次数と光取り出し強度との関係の一例を表したものである。図16は、正孔輸送層23の吸収係数kと光取り出し強度との関係の一例を表したものである。吸収係数kは、例えば、数10nm〜数100nmの薄膜にも対応可能な分光エリプソメータを用いて導出することが可能である。   FIG. 14 illustrates an example of the relationship between the position of the light emission center 12a and the light extraction intensity in the organic electroluminescent element 12-2 according to the present embodiment. FIG. 15 shows an example of the relationship between the order of the cavity and the light extraction intensity in the organic electroluminescent element according to the comparative example. FIG. 16 shows an example of the relationship between the absorption coefficient k of the hole transport layer 23 and the light extraction intensity. The absorption coefficient k can be derived using, for example, a spectroscopic ellipsometer that can handle thin films of several tens to several hundreds of nanometers.

図14には、有機発光層24に接する正孔輸送層23の吸収係数kが0.06のときの副画素12Rおよび副画素12Gの発光中心12aの位置と光取り出し強度との関係の一例が示されている。図15には、有機発光層24に接する正孔輸送層23の吸収係数kがゼロのときの副画素12Rおよび副画素12Gの発光中心12aの位置と光取り出し強度との関係の一例が示されている。図14、図15では、マイクロキャビティ構造Cr,Cgの共振点が、有機発光層24の界面(具体的には、有機発光層24と正孔輸送層23との界面)の位置となっている。図16には、副画素12Rおよび副画素12Gにおいて、正孔輸送層23の吸収係数kと、有機発光層24と正孔輸送層23との界面における光取り出し強度との関係が例示されている。   FIG. 14 shows an example of the relationship between the light extraction intensity and the position of the emission center 12a of the subpixel 12R and subpixel 12G when the absorption coefficient k of the hole transport layer 23 in contact with the organic light emitting layer 24 is 0.06. It is shown. FIG. 15 shows an example of the relationship between the position of the emission center 12a of the subpixel 12R and the subpixel 12G and the light extraction intensity when the absorption coefficient k of the hole transport layer 23 in contact with the organic light emitting layer 24 is zero. ing. 14 and 15, the resonance point of the microcavity structures Cr and Cg is the position of the interface of the organic light emitting layer 24 (specifically, the interface between the organic light emitting layer 24 and the hole transport layer 23). . FIG. 16 illustrates the relationship between the absorption coefficient k of the hole transport layer 23 and the light extraction intensity at the interface between the organic light emitting layer 24 and the hole transport layer 23 in the subpixel 12R and the subpixel 12G. .

ところで、正孔輸送層23の吸収係数kは、実際にはゼロではなく、材料によって様々な値を採り得る。副画素12Rおよび副画素12Gのうち、少なくとも一方の副画素12の正孔輸送層23は、通常、吸収係数kが0.1以上0.6以下の材料で構成されている。そのため、発光中心12aが有機発光層24と正孔輸送層23との界面にある場合、正孔輸送層23の吸収係数kによって、発光の近接場エネルギーに損失が発生する。その結果、光取り出し効率が低下するおそれがある。   By the way, the absorption coefficient k of the hole transport layer 23 is not actually zero and can take various values depending on the material. Of the subpixel 12R and the subpixel 12G, the hole transport layer 23 of at least one of the subpixels 12 is generally made of a material having an absorption coefficient k of 0.1 or more and 0.6 or less. Therefore, when the emission center 12 a is at the interface between the organic light emitting layer 24 and the hole transport layer 23, a loss occurs in the near-field energy of light emission due to the absorption coefficient k of the hole transport layer 23. As a result, the light extraction efficiency may be reduced.

そこで、本実施の形態に係る有機電界発光素子12−2では、吸収係数kが0.1以上0.6以下の材料で構成された正孔輸送層23を有する副画素12の有機発光層24は、例えば、図14に示したように、当該有機発光層24の、正孔輸送層23側の界面から、当該有機発光層24の厚さを1としたときの0より大きく0.4以下の厚さの分だけ後退した位置に発光中心12a(第1発光中心)を有している。これにより、発光中心12aが有機発光層24と正孔輸送層23との界面にある場合よりも、光取り出し効率が向上する。また、吸収係数kが0.1以上0.6以下の材料で構成された正孔輸送層23を有する副画素12の有機発光層24は、例えば、図14に示したように、当該有機発光層24の、正孔輸送層23側の界面から、当該有機発光層24の厚さを1としたときの0.1以上0.2以下の厚さの分だけ後退した位置に発光中心12a(第1発光中心)を有していることがより好ましい。このようにした場合には、光取り出し効率が最も向上する。   Therefore, in the organic electroluminescent element 12-2 according to the present embodiment, the organic light emitting layer 24 of the subpixel 12 having the hole transport layer 23 made of a material having an absorption coefficient k of 0.1 or more and 0.6 or less. For example, as shown in FIG. 14, from the interface of the organic light emitting layer 24 on the hole transport layer 23 side, the thickness of the organic light emitting layer 24 is larger than 0 and 0.4 or less. A light emission center 12a (first light emission center) is provided at a position retreated by the thickness of. As a result, the light extraction efficiency is improved as compared with the case where the emission center 12 a is at the interface between the organic light emitting layer 24 and the hole transport layer 23. Further, the organic light emitting layer 24 of the sub-pixel 12 having the hole transport layer 23 made of a material having an absorption coefficient k of 0.1 or more and 0.6 or less is, for example, as shown in FIG. The emission center 12a (in the position where the thickness of the organic light emitting layer 24 is set back from the interface of the layer 24 on the hole transport layer 23 side by a thickness of 0.1 to 0.2 when the thickness of the organic light emitting layer 24 is 1. More preferably, it has a first emission center. In this case, the light extraction efficiency is most improved.

図16には、正孔輸送層23の吸収係数kを0から徐々に大きくしていくと、有機発光層24と正孔輸送層23との界面における光取り出し強度が徐々に小さくなっていく様子が示されている(図中の黒丸)。これは、正孔輸送層23の吸収係数kによって、発光の近接場エネルギーに損失が発生しているためである。その一方で、光取り出し強度が最大となる箇所(図中の白丸)は、有機発光層24と正孔輸送層23との界面から、当該有機発光層24の厚さを1としたときの0.1以上0.2以下の厚さの分だけ後退した位置にある。このように、発光中心12aを、有機発光層24と正孔輸送層23との界面(つまり共振点)から少し離れた箇所に配置することにより、光取り出し強度を最大化することができることがわかる。   In FIG. 16, when the absorption coefficient k of the hole transport layer 23 is gradually increased from 0, the light extraction intensity at the interface between the organic light emitting layer 24 and the hole transport layer 23 gradually decreases. Is shown (black circle in the figure). This is because the near-field energy of light emission is lost due to the absorption coefficient k of the hole transport layer 23. On the other hand, the portion where the light extraction intensity is maximum (white circle in the figure) is 0 from the interface between the organic light emitting layer 24 and the hole transport layer 23 when the thickness of the organic light emitting layer 24 is 1. .Retracted by the thickness of 1 or more and 0.2 or less. Thus, it can be seen that the light extraction intensity can be maximized by disposing the emission center 12a at a position slightly away from the interface (that is, the resonance point) between the organic light emitting layer 24 and the hole transport layer 23. .

[効果]
次に、本実施の形態の有機電界発光パネル10およびそれを備えた有機電界発光装置1の効果について説明する。
[effect]
Next, the effect of the organic electroluminescent panel 10 of this Embodiment and the organic electroluminescent apparatus 1 provided with the same is demonstrated.

従来から、有機電界発光素子の光取り出し効率を向上するための試みが非常に多くなされている。光取り出し効率を高めることで、消費電力を低減することができるからである。光取り出し効率を高める手段の1つとしてマイクロキャビティ効果を利用することが考えられる。しかし、図9に示したように、干渉効果のみを考慮した光学計算では、2次以上のキャビティを利用すると、光取り出し効率がむしろ低下してしまう。   Conventionally, many attempts have been made to improve the light extraction efficiency of an organic electroluminescent device. This is because power consumption can be reduced by increasing the light extraction efficiency. It is conceivable to use the microcavity effect as one means for increasing the light extraction efficiency. However, as shown in FIG. 9, in the optical calculation considering only the interference effect, if a second-order or higher cavity is used, the light extraction efficiency is rather lowered.

一方、本実施の形態では、赤色の画素12Rおよび緑色の画素12Gのマイクロキャビティ構造は、それぞれ、セカンドキャビティが生じる光路長を有している。一方、青色の画素12Bのマイクロキャビティ構造は、サードキャビティが生じる光路長を有している。これは、干渉効果だけでなく金属消光の効果も考慮した光学計算では、図10に示したように、光取り出し効率は干渉効果だけでなく金属消光の効果にも依存しているためである。図10によると、赤色の画素12Rおよび緑色の画素12Gでは、2次のキャビティを利用すると、光取り出し効率が最大となり、青色の画素12Bでは、3次のキャビティを利用すると、光取り出し効率が最大となる。従って、セカンドキャビティが生じる光路長(共振器長)となるように、赤色の画素12Rおよび緑色の画素12Gのマイクロキャビティ構造を構成し、サードキャビティが生じる光路長(共振器長)となるように、青色の画素12Bのマイクロキャビティ構造を構成することにより、干渉効果だけでなく金属消光の影響も緩和され、光取り出し効率を向上させることができる。その結果、有機電界発光素子12−2の素子性能を向上させることができる。   On the other hand, in the present embodiment, each of the microcavity structures of the red pixel 12R and the green pixel 12G has an optical path length in which a second cavity is generated. On the other hand, the microcavity structure of the blue pixel 12B has an optical path length in which a third cavity is generated. This is because in the optical calculation considering not only the interference effect but also the metal quenching effect, the light extraction efficiency depends on not only the interference effect but also the metal quenching effect as shown in FIG. According to FIG. 10, in the red pixel 12R and the green pixel 12G, the light extraction efficiency is maximized when the secondary cavity is used, and in the blue pixel 12B, the light extraction efficiency is maximized when the tertiary cavity is used. It becomes. Therefore, the microcavity structure of the red pixel 12R and the green pixel 12G is configured so as to have the optical path length (resonator length) in which the second cavity is generated, and the optical path length (resonator length) in which the third cavity is generated. By configuring the microcavity structure of the blue pixel 12B, not only the interference effect but also the influence of metal quenching can be mitigated, and the light extraction efficiency can be improved. As a result, the element performance of the organic electroluminescent element 12-2 can be improved.

また、本実施の形態では、副画素12Rおよび副画素12Gにおいて、陽極21と陰極27との間の距離Lr,Lgが、セカンドキャビティが生じる光路長となっている。つまり、正孔注入層22、正孔輸送層23、有機発光層24、電子輸送層25および電子注入層26が、副画素12Rおよび副画素12Gにおいて、陽極21と陰極27との間の距離Lr,Lgが、セカンドキャビティが生じる光路長となるように調整された膜厚となっている。さらに、副画素12Bにおいて、陽極21と陰極27との間の距離Lbが、サードキャビティが生じる光路長となっている。つまり、正孔注入層22、正孔輸送層23、有機発光層24、電子輸送層25および電子注入層26が、副画素12Bにおいて、陽極21と陰極27との間の距離Lbが、サードキャビティが生じる光路長となるように調整された膜厚となっている。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。その結果、有機電界発光素子12−2の素子性能を向上させることができる。また、このときに、副画素12R、副画素12Gおよび副画素12Bにおいて、電子輸送層25の膜厚を共通にすることができる。その結果、副画素12R、副画素12Gおよび副画素12Bにおいて、電子輸送層25を、互いに共通の層で構成することができる。   In the present embodiment, in the sub-pixel 12R and the sub-pixel 12G, the distances Lr and Lg between the anode 21 and the cathode 27 are optical path lengths in which a second cavity is generated. That is, the hole injection layer 22, the hole transport layer 23, the organic light emitting layer 24, the electron transport layer 25, and the electron injection layer 26 are the distance Lr between the anode 21 and the cathode 27 in the subpixel 12R and the subpixel 12G. , Lg has a film thickness adjusted to be an optical path length in which a second cavity is generated. Further, in the sub-pixel 12B, the distance Lb between the anode 21 and the cathode 27 is an optical path length in which a third cavity is generated. That is, the hole injection layer 22, the hole transport layer 23, the organic light emitting layer 24, the electron transport layer 25, and the electron injection layer 26 have the distance Lb between the anode 21 and the cathode 27 in the subpixel 12B. The film thickness is adjusted to be the optical path length that causes Thereby, the light extraction efficiency can be improved. As a result, the element performance of the organic electroluminescent element 12-2 can be improved. At this time, the electron transport layer 25 can have a common film thickness in the subpixel 12R, the subpixel 12G, and the subpixel 12B. As a result, in the subpixel 12R, the subpixel 12G, and the subpixel 12B, the electron transport layer 25 can be configured by a common layer.

また、本実施の形態では、副画素12R、副画素12Gおよび副画素12Bにおいて、電子輸送層25を、互いに共通の層で構成することができる。これにより、電子輸送層24を、マスクを使わずに一括成膜で形成することができる。その結果、電子輸送層24を、副画素12R、副画素12Gおよび副画素12Bにおいて共通の蒸着膜またはスパッタ膜とすることができる。   In the present embodiment, the electron transport layer 25 can be composed of a common layer in the subpixel 12R, the subpixel 12G, and the subpixel 12B. Thereby, the electron transport layer 24 can be formed by batch film formation without using a mask. As a result, the electron transport layer 24 can be a common deposited film or sputtered film in the subpixel 12R, the subpixel 12G, and the subpixel 12B.

また、本実施の形態では、副画素12Rおよび副画素12Gにおいて発光中心24aが有機発光層24内の正孔輸送層23側に配置されるとともに、副画素12Bにおいて発光中心24aが有機発光層24内の電子輸送層25側に配置されている。これにより、例えば、図8に示したように、各副画素12において、有機発光層24の膜厚を塗布に適した膜厚(45nm〜80nm)にすることができ、さらに、正孔輸送層23および正孔注入層22の合計膜厚も塗布に適した膜厚(50nm〜130nm)にすることができる。その結果、各副画素12における有機電界発光素子12−2を塗布型の素子とすることができるので、有機電界発光パネル10を安価に大型化することができる。   In the present embodiment, the emission center 24a is disposed on the hole transport layer 23 side in the organic emission layer 24 in the subpixel 12R and the subpixel 12G, and the emission center 24a is provided in the organic emission layer 24 in the subpixel 12B. It is arrange | positioned at the inner side electron transport layer 25 side. Thereby, for example, as shown in FIG. 8, in each sub-pixel 12, the film thickness of the organic light emitting layer 24 can be set to a film thickness (45 nm to 80 nm) suitable for coating, and further, the hole transport layer. The total film thickness of 23 and the hole injection layer 22 can also be a film thickness (50 nm to 130 nm) suitable for coating. As a result, the organic electroluminescent element 12-2 in each sub-pixel 12 can be a coating-type element, so that the organic electroluminescent panel 10 can be enlarged at a low cost.

ところで、低コストで大型化パネルの製造が容易な塗布型デバイスで光取出しを最大化させることが望まれている。塗布型デバイスとは、例えば、正孔輸送層23や有機発光層24を塗布で形成し、電子輸送層25を、RGB画素に対して一括で形成した有機発光素子12−2を指している。塗布型デバイスでは、マスクパターン技術が不要なため、大型かつ安価なパネルを製造することができる。   By the way, it is desired to maximize light extraction with a coating type device that is easy to manufacture a large-sized panel at low cost. The coating type device refers to, for example, the organic light emitting element 12-2 in which the hole transport layer 23 and the organic light emitting layer 24 are formed by coating, and the electron transport layer 25 is collectively formed for the RGB pixels. Since the coating type device does not require a mask pattern technique, a large and inexpensive panel can be manufactured.

しかし、上記塗布型デバイスでは、電子輸送層25が一括で形成される。そのため、電子輸送層25の膜厚を、発光効率が最も低く電力の最大律速となる青色の画素12Bに最適化した膜厚に設計することになる。しかし、そのようにした場合には、赤色の画素12Rと、緑色の画素12Gにおける光取出しが低下してしまうという問題がある。   However, in the coating type device, the electron transport layer 25 is formed in a lump. Therefore, the film thickness of the electron transport layer 25 is designed to be optimized for the blue pixel 12B having the lowest light emission efficiency and the maximum rate limiting of power. However, in such a case, there is a problem that light extraction at the red pixel 12R and the green pixel 12G is reduced.

一方、本実施の形態では、吸収係数kが0.1以上0.6以下の材料で構成された正孔輸送層23による消光の影響の最も大きな箇所である界面から、有機発光層24の厚さを1としたときの0より大きく0.4以下の厚さの分だけ後退した位置が発光中心12aとなっている。これにより、正孔輸送層23による消光の影響を避けつつ、共振点からのズレに起因する強度の低下を低く抑えることができる。その結果、有機電界発光素子の素子性能(光取出し効率)を向上させることができる。   On the other hand, in the present embodiment, the thickness of the organic light emitting layer 24 is measured from the interface that is the place where the influence of quenching by the hole transport layer 23 made of a material having an absorption coefficient k of 0.1 or more and 0.6 or less is the largest. The light emission center 12a is a position retreated by a thickness greater than 0 and 0.4 or less when the thickness is 1. Thereby, while avoiding the influence of quenching by the hole transport layer 23, it is possible to suppress a decrease in strength due to the deviation from the resonance point. As a result, the element performance (light extraction efficiency) of the organic electroluminescent element can be improved.

また、本実施の形態では、吸収係数kが0.1以上0.6以下の材料で構成された正孔輸送層23による消光の影響の最も大きな箇所である界面から、有機発光層24の厚さを1としたときの0.1以上0.2以下の厚さの分だけ後退した位置が発光中心12aとなっている。これにより、正孔輸送層23による消光の影響を避けつつ、共振点からのズレに起因する強度の低下をより一層低く抑えることができる。その結果、有機電界発光素子の素子性能(光取出し効率)をより一層向上させることができる。   Further, in the present embodiment, the thickness of the organic light emitting layer 24 from the interface that is the place where the influence of quenching is the greatest due to the hole transport layer 23 made of a material having an absorption coefficient k of 0.1 or more and 0.6 or less. The light emission center 12a is a position retreated by a thickness of 0.1 to 0.2 when the thickness is 1. Thereby, while avoiding the influence of quenching by the hole transport layer 23, it is possible to further suppress the decrease in strength due to the deviation from the resonance point. As a result, the element performance (light extraction efficiency) of the organic electroluminescent element can be further improved.

<2.適用例>
[適用例その1]
以下では、上記実施の形態で説明した有機電界発光装置1の適用例について説明する。有機電界発光装置1は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、シート状のパーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
<2. Application example>
[Application example 1]
Below, the application example of the organic electroluminescent apparatus 1 demonstrated in the said embodiment is demonstrated. The organic electroluminescent device 1 is a television signal, a digital camera, a notebook personal computer, a sheet-like personal computer, a portable terminal device such as a mobile phone, or a video camera. The present invention can be applied to display devices for electronic devices in various fields that display signals as images or videos.

図17は、本適用例に係る電子機器2の外観を斜視的に表したものである。電子機器3は、例えば、筐体310の主面に表示面320を備えたシート状のパーソナルコンピュータである。電子機器2は、電子機器2の表示面320に、有機電界発光装置1を備えている。有機電界発光装置1は、有機電界表示パネル10が外側を向くように配置されている。本適用例では、有機電界発光装置1が表示面320に設けられているので、発光効率の高い電子機器2を実現することができる。   FIG. 17 is a perspective view of the appearance of the electronic apparatus 2 according to this application example. The electronic device 3 is, for example, a sheet-like personal computer having a display surface 320 on the main surface of the housing 310. The electronic device 2 includes the organic electroluminescent device 1 on the display surface 320 of the electronic device 2. The organic electroluminescent device 1 is arranged so that the organic electric field display panel 10 faces outward. In this application example, since the organic electroluminescent device 1 is provided on the display surface 320, the electronic device 2 with high luminous efficiency can be realized.

[適用例その2]
以下では、上記実施の形態で説明した有機電界発光素子12−2の適用例について説明する。有機電界発光素子12−2は、卓上用もしくは床置き用の照明装置、または、室内用の照明装置など、あらゆる分野の照明装置の光源に適用することが可能である。
[Application example 2]
Below, the application example of the organic electroluminescent element 12-2 demonstrated in the said embodiment is demonstrated. The organic electroluminescent element 12-2 can be applied to a light source of a lighting device in various fields such as a desk or floor lighting device or a room lighting device.

図18は、有機電界発光素子12−2が適用される室内用の照明装置の外観を表したものである。この照明装置は、例えば、1または複数の有機電界発光素子12−2を含んで構成された照明部410を有している。照明部410は、建造物の天井420に適宜の個数および間隔で配置されている。なお、照明部410は、用途に応じて、天井420に限らず、壁430または床(図示せず)など任意の場所に設置することが可能である。   FIG. 18 shows the appearance of an indoor lighting device to which the organic electroluminescent element 12-2 is applied. This illuminating device has the illumination part 410 comprised including the 1 or several organic electroluminescent element 12-2, for example. The illumination units 410 are arranged on the ceiling 420 of the building at an appropriate number and interval. Note that the illumination unit 410 can be installed in an arbitrary place such as a wall 430 or a floor (not shown), not limited to the ceiling 420, depending on the application.

これらの照明装置では、有機電界発光素子12−2からの光により、照明が行われる。これにより、発光効率の高い照明装置を実現することができる。   In these illumination devices, illumination is performed by light from the organic electroluminescent element 12-2. Thereby, an illuminating device with high luminous efficiency can be realized.

以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、基板14上に複数のラインバンク13および複数のバンク15が設けられていたが、それらの代わりに、副画素12ごとに1つずつピクセルバンクが設けられていてもよい。   Although the present disclosure has been described with the embodiment, the present disclosure is not limited to the embodiment, and various modifications are possible. For example, in the above embodiment, the plurality of line banks 13 and the plurality of banks 15 are provided on the substrate 14, but instead of them, one pixel bank may be provided for each sub-pixel 12. Good.

また、例えば、上記実施の形態では、赤色の画素12Rおよび緑色の画素12Gのマイクロキャビティ構造が、それぞれ、セカンドキャビティが生じる光路長を有していた。さらに、青色の画素12Bのマイクロキャビティ構造が、サードキャビティが生じる光路長を有していた。しかし、上記実施の形態において、赤色の画素12R、緑色の画素12Gおよび青色の画素12Bのマイクロキャビティ構造が、それぞれ、上記とは異なる組み合わせになっていてもよい。例えば、上記実施の形態において、赤色の画素12R、緑色の画素12Gおよび青色の画素12Bのマイクロキャビティ構造が、それぞれ、ファーストキャビティ、または、セカンドキャビティが生じる光路長を有していてもよい。   Further, for example, in the above embodiment, the microcavity structure of the red pixel 12R and the green pixel 12G has an optical path length at which a second cavity is generated. Furthermore, the microcavity structure of the blue pixel 12B has an optical path length in which a third cavity is generated. However, in the above-described embodiment, the microcavity structures of the red pixel 12R, the green pixel 12G, and the blue pixel 12B may be a combination different from the above. For example, in the above-described embodiment, the microcavity structure of the red pixel 12R, the green pixel 12G, and the blue pixel 12B may have an optical path length in which a first cavity or a second cavity is generated.

なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。   In addition, the effect described in this specification is an illustration to the last. The effects of the present disclosure are not limited to the effects described in this specification. The present disclosure may have effects other than those described in this specification.

また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
(1)
陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えた有機電界発光素子であって、
前記有機層において、前記発光層と前記陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.01以上0.06以下の材料で構成された正孔輸送層を含み、
前記発光層は、当該発光層の、前記陽極側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.35未満の厚さの分だけ後退した位置に発光中心を有し、
当該有機電界発光素子は、前記界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有する
有機電界発光素子。
(2)
前記発光層は、当該発光層の、前記陽極側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0.1以上、0.2以下の厚さの分だけ後退した位置に前記発光中心を有する
(1)に記載の有機電界発光素子。
(3)
前記界面と前記陽極との間の第1距離と、前記界面と前記陰極との間の第2距離とが、前記発光中心から発せられた光が前記マイクロキャビティ構造によって共振するような光路長となっている
(1)または(2)に記載の有機電界発光素子。
(4)
前記有機層において、前記発光層と前記陰極との間にある第2有機層は、蒸着膜またはスパッタ膜であり、
前記発光層および前記第1有機層は、塗布膜である
(1)から(3)のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
(5)
前記正孔輸送層は、不溶化された正孔輸送層である
(1)から(4)のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
(6)
赤色画素、緑色画素および青色画素を備え、
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素は、それぞれ、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えた有機電界発光素子を有し、
前記赤色画素および前記緑色画素のうち、少なくとも一方の画素の前記有機層において、前記発光層と前記陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.01以上0.06以下の材料で構成された正孔輸送層を含み、
前記正孔輸送層を有する画素における前記発光層は、当該発光層の、前記正孔輸送層側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.35未満の厚さの分だけ後退した位置に第1発光中心を有し、
前記正孔輸送層を有する画素における前記有機電界発光素子は、前記界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有する
有機電界発光パネル。
(7)
前記有機層において、前記発光層と前記陰極との間にある第2有機層が、電子輸送層を含み、
前記電子輸送層は、蒸着膜またはスパッタ膜であり、
前記発光層および前記第1有機層は、塗布膜である
(6)に記載の有機電界発光パネル。
(8)
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素において、前記電子輸送層は、互いに共通の層で構成されている
(7)に記載の有機電界発光パネル。
(9)
前記青色画素において、前記発光層は、当該発光層の、前記電子輸送層側の位置に第2発光中心を有する
(7)または(8)に記載の有機電界発光パネル。
(10)
有機電界発光パネルと、
前記有機電界発光パネルを駆動する駆動回路と
を備え、
前記有機電界発光パネルは、赤色画素、緑色画素および青色画素を有し、
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素は、それぞれ、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えた有機電界発光素子を有し、
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素のうち、少なくとも一方の画素の前記有機層において、前記発光層と前記陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.01以上0.06以下の材料で構成された正孔輸送層を含み、
前記正孔輸送層を有する画素における前記発光層は、当該発光層の、前記正孔輸送層側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.35未満の厚さの分だけ後退した位置に発光中心を有し、
前記正孔輸送層を有する画素における前記有機電界発光素子は、前記界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有する
有機電界発光装置。
(11)
有機電界発光装置を備え、
前記有機電界発光装置は、
有機電界発光パネルと、
前記有機電界発光パネルを駆動する駆動回路と
を有し、
前記有機電界発光パネルは、赤色画素、緑色画素および青色画素を有し、
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素は、それぞれ、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えた有機電界発光素子を有し、
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素のうち、少なくとも一方の画素の前記有機層において、前記発光層と前記陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.01以上0.06以下の材料で構成された正孔輸送層を含み、
前記正孔輸送層を有する画素における前記発光層は、当該発光層の、前記正孔輸送層側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.35未満の厚さの分だけ後退した位置に発光中心を有し、
前記正孔輸送層を有する画素における前記有機電界発光素子は、前記界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有する
電子機器。
For example, this indication can take the following composition.
(1)
An organic electroluminescent device comprising an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order,
In the organic layer, the first organic layer between the light emitting layer and the anode includes a hole transport layer made of a material having an absorption coefficient of 0.01 or more and 0.06 or less,
The light emitting layer has a light emission center at a position retreated from the anode side interface of the light emitting layer by a thickness larger than 0 and less than 0.35 when the thickness of the light emitting layer is 1. And
The organic electroluminescent device has a microcavity structure in which the position of the interface is a resonance point.
(2)
The light emitting layer is located at a position that is receded from the interface on the anode side of the light emitting layer by a thickness of 0.1 to 0.2 when the thickness of the light emitting layer is 1. The organic electroluminescence device according to (1), having a center.
(3)
The first distance between the interface and the anode and the second distance between the interface and the cathode are such that the light emitted from the emission center resonates by the microcavity structure. The organic electroluminescent device according to (1) or (2).
(4)
In the organic layer, the second organic layer between the light emitting layer and the cathode is a deposited film or a sputtered film,
The organic light emitting element according to any one of (1) to (3), wherein the light emitting layer and the first organic layer are coating films.
(5)
The organic electroluminescence device according to any one of (1) to (4), wherein the hole transport layer is an insolubilized hole transport layer.
(6)
With red, green and blue pixels,
Each of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel has an organic electroluminescence device including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order.
A material having an absorption coefficient of 0.01 or more and 0.06 or less in the first organic layer between the light emitting layer and the anode in the organic layer of at least one of the red pixel and the green pixel A hole transport layer composed of
The light emitting layer in the pixel having the hole transport layer has a thickness of more than 0 and less than 0.35 when the thickness of the light emitting layer is 1 from the interface of the light emitting layer on the hole transport layer side. Having a first emission center at a position retracted by that amount,
The organic electroluminescent panel of the pixel having the hole transport layer has a microcavity structure in which the position of the interface serves as a resonance point.
(7)
In the organic layer, the second organic layer between the light emitting layer and the cathode includes an electron transport layer,
The electron transport layer is a deposited film or a sputtered film,
The organic light emitting panel according to (6), wherein the light emitting layer and the first organic layer are coating films.
(8)
In the red pixel, the green pixel, and the blue pixel, the electron transport layer is configured by a common layer. The organic electroluminescent panel according to (7).
(9)
The organic light emitting panel according to (7) or (8), wherein in the blue pixel, the light emitting layer has a second light emission center at a position on the electron transport layer side of the light emitting layer.
(10)
An organic electroluminescent panel;
A drive circuit for driving the organic electroluminescent panel,
The organic electroluminescent panel has a red pixel, a green pixel and a blue pixel,
Each of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel has an organic electroluminescence device including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order.
In the organic layer of at least one of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel, the first organic layer between the light emitting layer and the anode has an absorption coefficient of 0.01 or more and 0.0. Including a hole transport layer composed of a material of 06 or less,
The light emitting layer in the pixel having the hole transport layer has a thickness of more than 0 and less than 0.35 when the thickness of the light emitting layer is 1 from the interface of the light emitting layer on the hole transport layer side. It has a light emission center at a position retreated by that amount,
The organic electroluminescent device in the pixel having the hole transport layer has a microcavity structure in which the position of the interface serves as a resonance point.
(11)
With an organic electroluminescent device,
The organic electroluminescent device is:
An organic electroluminescent panel;
A driving circuit for driving the organic electroluminescent panel;
The organic electroluminescent panel has a red pixel, a green pixel and a blue pixel,
Each of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel has an organic electroluminescence device including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order.
In the organic layer of at least one of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel, the first organic layer between the light emitting layer and the anode has an absorption coefficient of 0.01 or more and 0.0. Including a hole transport layer composed of a material of 06 or less,
The light emitting layer in the pixel having the hole transport layer has a thickness of more than 0 and less than 0.35 when the thickness of the light emitting layer is 1 from the interface of the light emitting layer on the hole transport layer side. It has a light emission center at a position retreated by that amount,
The organic electroluminescent device in a pixel having the hole transport layer has an electronic device having a microcavity structure in which the position of the interface is a resonance point.

1…有機電界発光装置、10…有機電界発光パネル、11…画素、12,12R,12G,12B…副画素、12−1…画素回路、12−2,12r,12g,12b…有機電界発光素子、13…ラインバンク、14…基板、15…バンク、16…溝部、20…コントローラ、21…陽極、22…正孔注入層、23…正孔輸送層、24,24a…発光領域、25…電子輸送層、26…電子注入層、27…陰極、28…封止層、30…ドライバ、31…水平セレクタ、32…ライトスキャナ、Tr1…駆動トランジスタ、Tr2…選択トランジスタ、Cs…保持容量、DSL…電源線、DTL…信号線、Vgs…ゲート−ソース間電圧、Vsig…信号電圧、WSL…選択線。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic electroluminescent apparatus, 10 ... Organic electroluminescent panel, 11 ... Pixel, 12, 12R, 12G, 12B ... Subpixel, 12-1 ... Pixel circuit, 12-2, 12r, 12g, 12b ... Organic electroluminescent element , 13 ... line bank, 14 ... substrate, 15 ... bank, 16 ... groove, 20 ... controller, 21 ... anode, 22 ... hole injection layer, 23 ... hole transport layer, 24, 24a ... light emitting region, 25 ... electron Transport layer 26 ... Electron injection layer 27 ... Cathode 28 ... Sealing layer 30 ... Driver 31 ... Horizontal selector 32 ... Light scanner Tr1 ... Drive transistor Tr2 ... Select transistor Cs ... Retention capacitor DSL ... Power line, DTL ... signal line, Vgs ... gate-source voltage, Vsig ... signal voltage, WSL ... selection line.

Claims (11)

陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えた有機電界発光素子であって、
前記有機層において、前記発光層と前記陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.01以上0.06以下の材料で構成された正孔輸送層を含み、
前記発光層は、当該発光層の、前記陽極側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.4以下の厚さの分だけ後退した位置に発光中心を有し、
当該有機電界発光素子は、前記界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有する
有機電界発光素子。
An organic electroluminescent device comprising an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order,
In the organic layer, the first organic layer between the light emitting layer and the anode includes a hole transport layer made of a material having an absorption coefficient of 0.01 or more and 0.06 or less,
The light emitting layer has a light emission center at a position retreated from the anode-side interface of the light emitting layer by a thickness greater than 0 and 0.4 or less when the thickness of the light emitting layer is 1. And
The organic electroluminescent device has a microcavity structure in which the position of the interface is a resonance point.
前記発光層は、当該発光層の、前記陽極側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0.1以上、0.2以下の厚さの分だけ後退した位置に前記発光中心を有する
請求項1に記載の有機電界発光素子。
The light emitting layer is located at a position that is receded from the interface on the anode side of the light emitting layer by a thickness of 0.1 to 0.2 when the thickness of the light emitting layer is 1. The organic electroluminescent element according to claim 1, which has a center.
前記界面と前記陽極との間の第1距離と、前記界面と前記陰極との間の第2距離とが、前記発光中心から発せられた光が前記マイクロキャビティ構造によって共振するような光路長となっている
請求項1または請求項2に記載の有機電界発光素子。
The first distance between the interface and the anode and the second distance between the interface and the cathode are such that the light emitted from the emission center resonates by the microcavity structure. The organic electroluminescent element according to claim 1 or 2.
前記有機層において、前記発光層と前記陰極との間にある第2有機層は、蒸着膜またはスパッタ膜であり、
前記発光層および前記第1有機層は、塗布膜である
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
In the organic layer, the second organic layer between the light emitting layer and the cathode is a deposited film or a sputtered film,
The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 3, wherein the light emitting layer and the first organic layer are coating films.
前記正孔輸送層は、不溶化された正孔輸送層である
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 4, wherein the hole transport layer is an insolubilized hole transport layer.
赤色画素、緑色画素および青色画素を備え、
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素は、それぞれ、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えた有機電界発光素子を有し、
前記赤色画素および前記緑色画素のうち、少なくとも一方の画素の前記有機層において、前記発光層と前記陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.01以上0.06以下の材料で構成された正孔輸送層を含み、
前記正孔輸送層を有する画素における前記発光層は、当該発光層の、前記正孔輸送層側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.4以下の厚さの分だけ後退した位置に第1発光中心を有し、
前記正孔輸送層を有する画素における前記有機電界発光素子は、前記界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有する
有機電界発光パネル。
With red, green and blue pixels,
Each of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel has an organic electroluminescence device including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order.
A material having an absorption coefficient of 0.01 or more and 0.06 or less in the first organic layer between the light emitting layer and the anode in the organic layer of at least one of the red pixel and the green pixel A hole transport layer composed of
The light emitting layer in the pixel having the hole transport layer has a thickness of greater than 0 and less than or equal to 0.4 from the interface of the light emitting layer on the hole transport layer side when the thickness of the light emitting layer is 1. Having a first emission center at a position retracted by that amount,
The organic electroluminescent panel of the pixel having the hole transport layer has a microcavity structure in which the position of the interface serves as a resonance point.
前記有機層において、前記発光層と前記陰極との間にある第2有機層が、電子輸送層を含み、
前記電子輸送層は、蒸着膜またはスパッタ膜であり、
前記発光層および前記第1有機層は、塗布膜である
請求項6に記載の有機電界発光パネル。
In the organic layer, the second organic layer between the light emitting layer and the cathode includes an electron transport layer,
The electron transport layer is a deposited film or a sputtered film,
The organic electroluminescent panel according to claim 6, wherein the light emitting layer and the first organic layer are coating films.
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素において、前記電子輸送層は、互いに共通の層で構成されている
請求項7に記載の有機電界発光パネル。
The organic electroluminescent panel according to claim 7, wherein the electron transport layer is formed of a common layer in the red pixel, the green pixel, and the blue pixel.
前記青色画素において、前記発光層は、当該発光層の、前記電子輸送層側の位置に第2発光中心を有する
請求項7または請求項8に記載の有機電界発光パネル。
9. The organic electroluminescent panel according to claim 7, wherein, in the blue pixel, the light emitting layer has a second light emission center at a position on the electron transport layer side of the light emitting layer.
有機電界発光パネルと、
前記有機電界発光パネルを駆動する駆動回路と
を備え、
前記有機電界発光パネルは、赤色画素、緑色画素および青色画素を有し、
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素は、それぞれ、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えた有機電界発光素子を有し、
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素のうち、少なくとも一方の画素の前記有機層において、前記発光層と前記陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.01以上0.06以下の材料で構成された正孔輸送層を含み、
前記正孔輸送層を有する画素における前記発光層は、当該発光層の、前記正孔輸送層側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.4以下の厚さの分だけ後退した位置に発光中心を有し、
前記正孔輸送層を有する画素における前記有機電界発光素子は、前記界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有する
有機電界発光装置。
An organic electroluminescent panel;
A drive circuit for driving the organic electroluminescent panel,
The organic electroluminescent panel has a red pixel, a green pixel and a blue pixel,
Each of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel has an organic electroluminescence device including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order.
In the organic layer of at least one of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel, the first organic layer between the light emitting layer and the anode has an absorption coefficient of 0.01 or more and 0.0. Including a hole transport layer composed of a material of 06 or less,
The light emitting layer in the pixel having the hole transport layer has a thickness of greater than 0 and less than or equal to 0.4 from the interface of the light emitting layer on the hole transport layer side when the thickness of the light emitting layer is 1. It has a light emission center at a position retreated by that amount,
The organic electroluminescent device in the pixel having the hole transport layer has a microcavity structure in which the position of the interface serves as a resonance point.
有機電界発光装置を備え、
前記有機電界発光装置は、
有機電界発光パネルと、
前記有機電界発光パネルを駆動する駆動回路と
を有し、
前記有機電界発光パネルは、赤色画素、緑色画素および青色画素を有し、
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素は、それぞれ、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とをこの順に備えた有機電界発光素子を有し、
前記赤色画素、前記緑色画素および前記青色画素のうち、少なくとも一方の画素の前記有機層において、前記発光層と前記陽極との間にある第1有機層が、吸収係数が0.01以上0.06以下の材料で構成された正孔輸送層を含み、
前記正孔輸送層を有する画素における前記発光層は、当該発光層の、前記正孔輸送層側の界面から、当該発光層の厚さを1としたときの0より大きく0.4以下の厚さの分だけ後退した位置に発光中心を有し、
前記正孔輸送層を有する画素における前記有機電界発光素子は、前記界面の位置が共振点となるマイクロキャビティ構造を有する
電子機器。
With an organic electroluminescent device,
The organic electroluminescent device is:
An organic electroluminescent panel;
A driving circuit for driving the organic electroluminescent panel;
The organic electroluminescent panel has a red pixel, a green pixel and a blue pixel,
Each of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel has an organic electroluminescence device including an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode in this order.
In the organic layer of at least one of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel, the first organic layer between the light emitting layer and the anode has an absorption coefficient of 0.01 or more and 0.0. Including a hole transport layer composed of a material of 06 or less,
The light emitting layer in the pixel having the hole transport layer has a thickness of greater than 0 and less than or equal to 0.4 when the thickness of the light emitting layer is 1 from the interface of the light emitting layer on the hole transport layer side. It has a light emission center at a position retreated by that amount,
The organic electroluminescent device in a pixel having the hole transport layer has an electronic device having a microcavity structure in which the position of the interface is a resonance point.
JP2017134603A 2017-07-04 2017-07-10 Organic electroluminescent devices, organic electroluminescent panels, organic electroluminescent devices and electronic devices Active JP6754733B2 (en)

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