JP2019097101A - 固体撮像装置及び撮像システム - Google Patents
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Abstract
【課題】撮像走査行及び焦点検出走査行の非蓄積期間における光電変換部のリセット動作による画質の劣化を低減しうる固体撮像装置を提供する。【解決手段】複数の画素行を構成するように配され、各々が、複数の光電変換部と、保持部と、保持部が保持する電荷の量に基づく画素信号を出力する増幅部と、光電変換部をリセットするリセット部と、を含む複数の画素と、画素行ごとに、光電変換部のリセット動作と、光電変換部で生じた電荷に基づく画素信号の読み出し動作とを行う走査回路と、を有し、複数の画素行は、少なくとも1つの画素行をそれぞれが含み、保持部を単位とする複数の単位画素行を構成し、走査回路は、複数の画素行のそれぞれにおけるリセット動作の開始のタイミングが、当該リセット動作が行われる画素行の属する単位画素行の隣の単位画素行に属する画素行において読み出し動作が行われる期間と重ならないように、リセット動作を実行する。【選択図】図10
Description
本発明は、固体撮像装置及び撮像システムに関する。
ビデオカメラや電子スチルカメラなどの撮像システムにおいて、撮影時のフォーカス(ピント、焦点)調整を自動的に行うオートフォーカス(AF)機能が広く普及している。AF機能を備えた装置としては、撮像信号と焦点検出用信号の両方の取得が可能な撮像装置が知られている。
特許文献1には、撮像用に行を間引いて走査する撮像走査と、焦点検出用に撮像走査で走査されていない行の少なくとも一部を走査する焦点検出走査とを行うことにより、撮像信号と焦点検出用信号との両方を取得する撮像装置が記載されている。また、特許文献1には、撮像走査行及び焦点検出走査行の非蓄積期間に光電変換部をリセットすることで画質を向上できることが記載されている。
しかしながら、特許文献1に記載のように撮像走査行及び焦点検出走査行の非蓄積期間に光電変換部のリセット動作を行う場合、その態様によっては画質の劣化が生じることがあった。
本発明の目的は、撮像走査行及び焦点検出走査行の非蓄積期間における光電変換部のリセット動作による画質の劣化を低減しうる固体撮像装置を提供することにある。
本発明の一観点によれば、複数の画素行を構成するように配され、各々が、光電変換により電荷を生成する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部のいずれかで生じた電荷を保持する保持部と、前記保持部が保持する電荷の量に基づく画素信号を出力する増幅部と、前記光電変換部をリセットするリセット部と、を含む複数の画素と、前記複数の画素に対して、前記画素行ごとに、前記画素の前記光電変換部のリセット動作と、前記光電変換部で生じた電荷を前記保持部へ転送する電荷転送を含み、前記光電変換部で生じた電荷に基づく画素信号の読み出し動作とを行う走査回路と、を有し、前記複数の画素行は、少なくとも1つの画素行をそれぞれが含み、前記保持部を単位とする複数の単位画素行を構成し、前記走査回路は、前記複数の画素行のそれぞれにおける前記リセット動作の開始のタイミングが、当該リセット動作が行われる画素行の属する単位画素行の隣の単位画素行に属する画素行において前記読み出し動作が行われる期間と重ならないように、前記リセット動作を実行する固体撮像装置が提供される。
本発明によれば、撮像走査行及び焦点検出走査行の非蓄積期間における光電変換部のリセット動作による画質の劣化を低減することができる。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図1乃至図10を用いて説明する。
本発明の第1実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図1乃至図10を用いて説明する。
はじめに、本実施形態による固体撮像装置の構造について、図1乃至図4を用いて説明する。図1は、本実施形態による固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図2は、本実施形態による固体撮像装置の単位画素の構成例を示す回路図である。図3は、本実施形態による固体撮像装置における撮像光学系の概念図である。図4は、本実施形態による固体撮像装置の垂直走査回路の構成例を示す図である。
本実施形態による固体撮像装置100は、図1に示すように、画素領域10と、垂直走査回路20と、列読み出し回路30と、水平走査回路40と、出力回路50と、制御回路60とを有している。
画素領域10には、複数行及び複数列に渡ってマトリクス状に配された複数の単位画素12が設けられている。図1には、単位画素行V1から単位画素行Vnまでのn個の単位画素行を含む画素領域10を示している。それぞれの単位画素行は、行方向に1列に配された複数の単位画素12を含む。画素領域10に配される画素アレイの行数及び列数は、特に限定されるものではない。また、画素領域10には、撮像信号や焦点検出用信号を検出する単位画素12のほかに、遮光されたオプティカルブラック画素や信号を出力しないダミー画素等の他の画素(図示せず)が配置されていてもよい。
画素領域10の画素アレイの各単位画素行には、第1の方向(図1において横方向、一例では水平方向)に延在して、制御線14が配されている。制御線14は、第1の方向に並ぶ単位画素12にそれぞれ接続され、これら単位画素12に共通の信号線をなしている。本明細書では、制御線14の延在する第1の方向を、行方向と表記することがある。また、画素領域10の画素アレイの各列には、第1の方向と交差する第2の方向(図1において縦方向、一例では垂直方向)に延在して、出力線16が配されている。出力線16は、第2の方向に並ぶ単位画素12にそれぞれ接続され、これら単位画素12に共通の信号線をなしている。本明細書では、出力線16の延在する第2の方向を、列方向と表記することがある。
各単位画素行の制御線14は、垂直走査回路20に接続されている。垂直走査回路20は、単位画素12から画素信号を読み出す際に単位画素12内の読み出し回路を駆動するための制御信号を、制御線14を介して単位画素12に供給する回路部である。各列の出力線16の一端は、列読み出し回路30に接続されている。単位画素12から読み出された画素信号は、出力線16を介して列読み出し回路30に入力される。列読み出し回路30は、単位画素12から読み出された画素信号に対して所定の信号処理、例えば増幅処理やAD変換処理等の信号処理を実施する回路部である。列読み出し回路30は、差動増幅回路、サンプルホールド回路、AD変換回路等を含み得る。
水平走査回路40は、列読み出し回路30で処理された画素信号を列毎に順次、出力回路50に転送するための制御信号を、列読み出し回路30に供給する回路部である。出力回路50は、バッファアンプ、差動増幅器などから構成され、列読み出し回路30から読み出された画素信号を固体撮像装置100の外部の信号処理部に出力するための回路部である。制御回路60は、垂直走査回路20、列読み出し回路30、水平走査回路40及び出力回路50の動作やそのタイミングを制御する制御信号を供給するための回路部である。制御回路60は、垂直走査回路20、列読み出し回路30、水平走査回路40及び出力回路50の動作やそのタイミングを制御する制御信号の少なくとも一部は、固体撮像装置100の外部から供給してもよい。
それぞれの単位画素12は、例えば図2に示す回路により構成され得る。図2に示す単位画素12は、光電変換部DA,DBと、転送トランジスタM1A,M1Bと、リセットトランジスタM2と、増幅トランジスタM3と、選択トランジスタM4とを含む。
光電変換部DA,DBは、例えばフォトダイオードである。光電変換部DAは、アノードが接地ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1Aのソースに接続されている。光電変換部DBは、アノードが接地ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1Bのソースに接続されている。
転送トランジスタM1A,M1Bのドレインは、リセットトランジスタM2のソース及び増幅トランジスタM3のゲートに接続されている。転送トランジスタM1A,M1Bのドレイン、リセットトランジスタM2のソース及び増幅トランジスタM3のゲートの接続ノードは、いわゆるフローティングディフュージョン(FD)ノードである。FDノードが有する容量成分は、光電変換部DA,DBから転送される電荷の保持部として機能するとともに、電荷電圧変換部としても機能する。
リセットトランジスタM2のドレイン及び増幅トランジスタM3のドレインは、電圧VDDを供給する電源ノードに接続されている。増幅トランジスタM3のソースは、選択トランジスタM4のドレインに接続されている。選択トランジスタM4のソースは、出力線16に接続されている。出力線16には、電流源18が接続されている。
図2に示す単位画素12の場合、制御線14は、転送ゲート信号線TXA,TXB、リセット信号線RES、選択信号線SELを含む。転送ゲート信号線TXAは、転送トランジスタM1Aのゲートに接続される。転送ゲート信号線TXBは、転送トランジスタM1Bのゲートに接続される。リセット信号線RESは、リセットトランジスタM2のゲートに接続される。選択信号線SELは、選択トランジスタM4のゲートに接続される。
光電変換部DA,DBは、入射光をその光量に応じた量の電荷に変換(光電変換)するとともに、生じた電荷を蓄積する。転送トランジスタM1Aは、オンすることにより光電変換部DAの電荷をFDノードに転送する。転送トランジスタM1Bは、オンすることにより光電変換部DBの電荷をFDノードに転送する。転送トランジスタM1A,M1Bは、光電変換部DA,DBの電荷をFDノードに転送する電荷転送部を構成する。
FDノードは、その容量による電荷電圧変換によって、光電変換部DA,DBから転送された電荷の量に応じた電圧となる。増幅トランジスタM3は、ドレインに電圧VDDが供給され、ソースに選択トランジスタM4を介して電流源18からバイアス電流が供給される構成となっており、ゲートを入力ノードとする増幅部(ソースフォロワ回路)を構成する。これにより増幅トランジスタM3は、FDノードの電圧に基づく信号を、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力する。リセットトランジスタM2は、オンすることによりFDノードを電圧VDDに応じた電圧にリセットする。この際、転送トランジスタM1A,M1Bがオンすることにより、光電変換部DA,DBのリセットも可能である。リセットトランジスタM2は、転送トランジスタM1A,M1Bとともに、光電変換部DA,DBをリセットするリセット部を構成する。
光電変換部DA,DBの光入射方向には共通の1つのマイクロレンズMLが配されており、瞳分割された光が光電変換部DAと光電変換部DBとにそれぞれ入射するようになっている。例えば、図3に示すように、光電変換部DA,DBの上にはカラーフィルタCF及びマイクロレンズMLが配されている。撮像レンズの瞳70を通過した光は、マイクロレンズML及びカラーフィルタCFを通過して、光電変換部DA,DBへと入射する。このとき、光電変換部DAには、撮像レンズの瞳70のうちの一部の瞳領域72aを通過した光束が入射するようになっている。また、光電変換部DBには、撮像レンズの瞳70のうちの他の一部の瞳領域72bを通過した光束が入射するようになっている。一例では、光電変換部DAと光電変換部DBとは、行方向に並べて配置される。他の例では、光電変換部DAと光電変換部DBとは、列方向に並べて配置される。
光電変換部DAにより取得される被写体像をA像、光電変換部DBにより取得される被写体像をB像とすると、A像とB像との相対位置を検出することで、被写体像のピントずれ量(デフォーカス量)を検出することができる。すなわち、位相差方式の焦点検出が可能になる。また、光電変換部DAで生成された電荷に基づく信号と、光電変換部DBで生成された電荷に基づく信号とを合算した信号は、撮像信号として利用可能である。
図4は、垂直走査回路20の任意の第m行の駆動に関わる部分の構成を示す回路図である。なお、図4の説明における1行の単位は、単位画素行ではなく、画素行である。
垂直走査回路20は、図4に示すように、デコーダ部22と、画素領域10の画素行毎に設けられた走査回路部24とを有している。走査回路部24は、論理生成部26と、論理生成部26の出力信号や外部信号に応じて単位画素12の制御信号を生成する論理回路とを有している。
制御回路60は、デコーダ部22及び走査回路部24に、所定の制御信号を供給する。デコーダ部22は、制御回路60から供給された制御信号をもとに行アドレスを選択する。例えば、第m行目の走査回路部24には、デコーダ部22からデコーダ信号DEC[m]が供給される。制御回路60から総ての行の走査回路部24に供給される複数の制御信号のうち、一定の間隔で行の選択を行うための行選択ラッチパルスは、共通配線から各行の走査回路部24へと供給される。
論理生成部26は、デコーダ部22から供給されるデコーダ信号DEC[m]と制御回路60から供給される行選択ラッチパルスとに応じて、配線111に行選択信号を出力する。走査回路部24は、この行選択信号と外部PSEL信号との論理積をとり、選択信号線SELに供給される制御信号pSEL[m]を生成する。また、走査回路部24は、行選択信号と外部PRESB信号との否定論理積をとり、リセット信号線RESに供給される制御信号pRES[m]を生成する。
また、論理生成部26は、デコーダ信号DEC[m]と行選択ラッチパルスとに応じて、配線113,114にそれぞれシャッタ動作用信号を出力する。走査回路部24は、配線113に出力されたシャッタ動作用信号と外部PTXA信号との論理積をとり、制御信号pTXA[m]を生成する。また、走査回路部24は、配線114に出力されたシャッタ動作用信号と外部PTXB信号との論理積をとり、制御信号pTXB[m]を生成する。
なお、外部PSEL信号、外部PRESB信号、外部PTXA信号及び外部PTXB信号は、制御回路60から供給してもよい。
次に、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法について、図5乃至図10を用いて説明する。図5及び図8は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法における各画素行の動作を示す模式図である。図6は、撮像走査及びAF走査のタイミングを示す模式図である。図7は、リセット動作、撮像行の読み出し動作及びAF行の読み出し動作を示すタイミングチャートである。図9は、参考例による固体撮像装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図10は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。
図5は、画素領域10を構成する単位画素行V1から単位画素行Vnのうち、単位画素行V1から単位画素行V12までの動作を模式的に示したものである。
本実施形態による固体撮像装置の駆動方法では、単位画素行を単位として4行周期で所定の動作を行うものとする。すなわち、単位画素行V1,V2,V3,V5,V6,V7,V9,V10,V11は、撮像用の信号を取得する行(以下、「撮像行」と呼ぶ)である。単位画素行V4,V8,V12は、焦点検出用の信号を取得する焦点検出行(以下、「AF行」と呼ぶ)である。
図6は、撮像走査及びAF走査のタイミングを示す模式図である。図6において、横軸は時間であり、縦軸は行走査方向を示している。
各画素行における動作は、リセット動作(「シャッタ動作」とも言う)と、読み出し動作とを含む。リセット動作は、光電変換部DA,DBの電荷をリセットする動作である。光電変換部DA,DBのリセット状態を解除することで電荷の蓄積期間が開始され、所定の蓄積時間の経過後、光電変換部DA,DBの電荷をFDノードに転送することで電荷の蓄積期間が終了する。光電変換部DA,DBからFDノードへの電荷の転送が、読み出し動作に対応する。この一連の動作は、撮像行及びAF行において共通に行われる。
撮像行におけるリセット動作及び読み出し動作、AF行におけるリセット動作及び読み出し動作は、それぞれ行順次で行われる。各行のリセット動作と読み出し動作とのタイミングにより蓄積時間が決定される。このような駆動は、いわゆるローリングシャッター駆動である。
本明細書では、撮像行のリセット動作を行順次で行う一連の動作を、「撮像リセット走査」を呼ぶものとする。また、撮像行の読み出し動作を行順次で行う一連の動作を、「撮像リード走査」と呼ぶものとする。また、撮像リセット走査と撮像リード走査とを一括して「撮像走査」と呼ぶものとする。同様に、AF行のリセット動作を行順次で行う一連の動作を、「AFリセット走査」を呼ぶものとする。また、AF行の読み出し動作を行順次で行う一連の動作を、「AFリード走査」を呼ぶものとする。また、AFリセット走査とAFリード走査とを一括して「焦点検出走査(AF走査)」と呼ぶものとする。
本実施形態の駆動方法において、撮像走査とAF走査とは独立して実行する。図6において、撮像行のリセット動作のタイミングから読み出し動作のタイミングまでの期間が、撮像行における電荷の蓄積時間である。同様に、AF行のリセット動作のタイミングから読み出し動作のタイミングまでの期間が、AF行における電荷の蓄積時間である。なお、図6には、撮像行の読み出しを行った後にAF行の読み出しを行う例を示しているが、AF行の読み出しを行った後に撮像行の読み出しを行ってもよい。
図7は、1つの画素行における基本的な動作を示すタイミングチャートである。図7(a)は撮像行及びAF行におけるリセット動作を示し、図7(b)は撮像行における読み出し動作を示し、図7(c)はAF行における読み出し動作を示している。
リセット動作では、図7(a)に示すように、制御信号pSELがローレベル、制御信号pRESがハイレベルの状態で、垂直走査信号pVに応じた所定のタイミングで制御信号pTXA,pTXBをハイレベルにする。これにより、転送トランジスタM1A,M1Bがオンになり、光電変換部DA,DBが電圧VDDに応じた所定の電位にリセットされる。
撮像行の読み出し動作では、図7(b)に示すように、垂直走査信号pVに応じた所定のタイミングで制御信号pSELをハイレベルにして、選択トランジスタM4をオンにする。その際、制御信号pRESはハイレベルであり、FDノードはリセットされている。制御信号pRESをローレベルにした後、制御信号pSHnをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力されたリセット信号を、N信号用のサンプルホールド容量に保持する。制御信号pSHnは、N信号用のサンプルホールド容量の接続と非接続とを制御するスイッチの制御信号である。次いで、制御信号pTXA,pTXBを同時にハイレベルにし、光電変換部DA,DBに蓄積された信号電荷をFDノードに転送する。その際、制御信号pSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。制御信号pSHsは、S信号用のサンプルホールド容量の接続と非接続とを制御するスイッチの制御信号である。次いで、水平転送信号pHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持されたS信号とN信号とを出力回路50へと転送する。出力回路50においてS信号とN信号との差分を算出して出力することで、S/N比の良好な画素信号を取得することができる。
AF行の読み出し動作では、図7(c)に示すように、撮像行の読み出し動作と同様の手順で、制御信号pTXAのみをハイレベルにする動作と、制御信号pTXBのみをハイレベルにする動作とを別々に行う。これにより、焦点検出用信号として、光電変換部DAに蓄積された信号電荷のみに基づくA像信号と、光電変換部DBに蓄積された信号電荷のみに基づくB像信号とを、別々に取得することができる。
前述のように、リセット動作では制御信号pSELがローレベルであり、画素信号は出力線16に出力されない。したがって、異なる行のリセット動作と読み出し動作とは、同じタイミングで行うことが可能である。
図8は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法における各画素行の動作を示す模式図である。図8において縦方向は、図5と同様の単位画素行V1〜V12を示している。撮像行及びAF行の繰り返し周期も、図5の場合と同様である。図8において横方向は時間軸であり、走査する行を選択するための制御信号、すなわち行選択ラッチパルスの間隔(1水平期間)を基準単位として、期間H1、期間H2、…、期間H10を定義している。
例えば、撮像行である単位画素行V1の画素は、期間H1が信号電荷を蓄積する期間(蓄積状態)であり、期間H2が撮像信号の読み出し動作を行う期間であり、期間H3から期間H10が信号電荷となる電荷を蓄積しない期間(非蓄積状態)である。また、AF行である単位画素行V4の画素は、期間H1が光電変換部DA,DBをリセットするリセット動作を行う期間であり、期間H2から期間H10は蓄積状態である。本明細書では、リセット動作が実行される水平期間を「リセット期間」、読み出し動作が実行される水平期間を「読み出し期間」と表記することがある。
次に、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法が解決しようとする課題について、図9を用いて説明する。図9は、単位画素行V4,V5,V6,V7の期間H5、期間H6及び期間H7における動作を示すタイミングチャートの一例である。
図9では、単位画素行V4,V5,V6,V7の選択トランジスタM4を駆動する制御信号を、それぞれpSEL4,pSEL5,pSEL6,pSEL7で表している。また、単位画素行V4,V5,V6,V7のリセットトランジスタM2を駆動する制御信号を、それぞれpRES4,pRES5,pRES6,pRES7で表している。また、単位画素行V4,V5,V6,V7の転送トランジスタM1A,M1Bを駆動する制御信号を、それぞれpTX4,pTX5,pTX6,pTX7で表している。なお、各画素行の転送トランジスタM1A,M1Bは、AF行の読み出し動作では図7(c)に示したように別々のタイミングで動作されるが、図9に示す範囲の動作では同じタイミングで動作されるため、図9には1つの信号として表している。
行選択ラッチパルスは、図4を用いて説明した通り、制御回路60から垂直走査回路20に供給される。そして、垂直走査回路20の内部において、行選択ラッチパルスとセンサの外部から供給される外部PSEL信号との論理をとり、各行の選択を行う。そのため、ここでは行選択ラッチパルスの立ち上がりを基準として、行選択ラッチパルスの間の期間をそれぞれ、期間H5、期間H6、期間H7と定義している。すなわち、図9において、時刻t0から時刻t6までの期間が期間H5であり、時刻t6から時刻t12までの期間が期間H6であり、時刻t12から時刻t18までの期間が期間H7である。
期間H5において、AF行である単位画素行V4及び撮像行である単位画素行V6,V7は、図8に示すように蓄積状態であり、各行の制御信号pSEL,pRES,pTXは、所定のレベルに保持される。一方、期間H5において、撮像行である単位画素行V5は、図8に示すように読み出し動作を行う期間であり、以下に説明する動作が行われる。
時刻t0において、制御信号pRES5はハイレベルになっており、単位画素行V5のFDノードは、リセット状態である。
時刻t1において、垂直走査回路20により制御信号pSEL5がハイレベルに制御されることで、単位画素行V5の選択トランジスタM4がオンとなり、単位画素行V5の単位画素12から出力線16への信号の読み出しが可能な状態となる。すなわち、単位画素行V5が選択される。
時刻t2において、垂直走査回路20により制御信号pRES5がローレベルに制御されることで、単位画素行V5のFDノードのリセットが解除される。リセット解除後のFDノードの電圧に基づく画素信号は、リセット信号(N信号)として出力線16を介して出力される。
時刻t3において、垂直走査回路20により制御信号pTX5がハイレベルに制御され、単位画素行V5の光電変換部DA,DBに蓄積されている信号電荷がFDノードへと転送される。信号電荷の転送後のFDノードの電圧に基づく画素信号は、光信号(S信号)として出力線16を介して出力される。
時刻t4において、垂直走査回路20により制御信号pRES5がハイレベルに制御されることで、単位画素行V5のFDノードの電位がリセットされる。
時刻t5において、垂直走査回路20により制御信号pSEL5がローレベルに制御されることで、単位画素行V5の選択トランジスタM4がオフとなり、単位画素行V5の単位画素12が出力線16から切り離される。すなわち、単位画素行V5の選択が解除される。
時刻t6から開始される期間H6において、AF行である単位画素行V4及び撮像行である単位画素行V7は、図8に示すように蓄積状態であり、各行の制御信号pSEL,pRES,pTXは、所定のレベルに保持される。一方、期間H6において、撮像行である単位画素行V5は、図8に示すように非蓄積状態の期間であり、また、撮像行である単位画素行V6は、図8に示すように読み出し動作を行う期間であり、以下に説明する動作が行われる。
時刻t6において、行選択パルスの立ち上がりに応じて、垂直走査回路20により制御信号pTX5がハイレベルに制御される。これにより、単位画素行V5の転送トランジスタM1A,M1Bがオンとなり、光電変換部DA,DBがリセットされる。単位画素行V5の光電変換部DA,DBは、転送トランジスタM1A,M1Bがオフになるまでリセット状態を維持する。すなわち、単位画素行V5は非蓄積状態となる。
時刻t7において、垂直走査回路20により制御信号pSEL6がハイレベルに制御されることで、単位画素行V6の選択トランジスタM4がオンとなり、単位画素行V6の単位画素12から出力線16への信号の読み出しが可能な状態となる。すなわち、単位画素行V6が選択される。
時刻t8において、垂直走査回路20により制御信号pRES6がローレベルに制御されることで、単位画素行V6のFDノードのリセットが解除される。リセット解除後のFDノードの電圧に基づく画素信号は、リセット信号(N信号)として出力線16を介して出力される。
時刻t9において、垂直走査回路20により制御信号pTX6がハイレベルに制御され、単位画素行V6の光電変換部DA,DBに蓄積されている信号電荷がFDノードへと転送される。信号電荷の転送後のFDノードの電圧に基づく画素信号は、光信号(S信号)として出力線16を介して出力される。
時刻t10において、垂直走査回路20により制御信号pRES6がハイレベルに制御されることで、単位画素行V6のFDノードの電位がリセットされる。
時刻t11において、垂直走査回路20により制御信号pSEL6がローレベルに制御されることで、単位画素行V6の選択トランジスタM4がオフとなり、単位画素行V6の単位画素12が出力線16から切り離される。すなわち、単位画素行V6の選択が解除される。
時刻t12から開始される期間H7において、AF行である単位画素行V4は、図8に示すように蓄積状態であり、制御信号pSEL4,pRES4,pTX4は、所定のレベルに保持される。一方、期間H7において、撮像行である単位画素行V5,V6は、図8に示すように非蓄積状態の期間であり、また、撮像行である単位画素行V7は、図8に示すように読み出し動作を行う期間であり、以下に説明する動作が行われる。
時刻t12において、行選択パルスの立ち上がりに応じて、垂直走査回路20により制御信号pTX6がハイレベルに制御される。これにより、単位画素行V6の転送トランジスタM1A,M1Bがオンとなり、光電変換部DA,DBがリセットされる。単位画素行V6の光電変換部DA,DBは、転送トランジスタM1A,M1Bがオフになるまでリセット状態を維持する。すなわち、単位画素行V6は非蓄積状態となる。
時刻t13において、垂直走査回路20により制御信号pSEL7がハイレベルに制御されることで、単位画素行V7の選択トランジスタM4がオンとなり、単位画素行V7の単位画素12から出力線16への信号の読み出しが可能な状態となる。すなわち、単位画素行V7が選択される。
時刻t14において、垂直走査回路20により制御信号pRES7がローレベルに制御されることで、単位画素行V7のFDノードのリセットが解除される。リセット解除後のFDノードの電圧に基づく画素信号は、リセット信号(N信号)として出力線16を介して出力される。
時刻t15において、垂直走査回路20により制御信号pTX7がハイレベルに制御され、単位画素行V7の光電変換部DA,DBに蓄積されている信号電荷がFDノードへと転送される。信号電荷の転送後のFDノードの電圧に基づく画素信号は、光信号(S信号)として出力線16を介して出力される。
時刻t16において、垂直走査回路20により制御信号pRES7がハイレベルに制御されることで、単位画素行V7のFDノードの電位がリセットされる。
時刻t17において、垂直走査回路20により制御信号pSEL7がローレベルに制御されることで、単位画素行V7の選択トランジスタM4がオフとなり、単位画素行V7の単位画素12が出力線16から切り離される。すなわち、単位画素行V7の選択が解除される。
しかしながら、図9に示す駆動方法では、単位画素行V5の読み出し時の状態と単位画素行V6,V7の読み出し時の状態との間に差が発生してしまう。すなわち、単位画素行V5の読み出し動作を行う期間H5において、単位画素行V5に隣接する単位画素行V4,V6は蓄積状態であり、画素回路は動作していない。一方、単位画素行V6の読み出し動作を行う期間H6において、単位画素行V6に隣接する単位画素行V5では、光電変換部DA,DBのリセット動作が開始される。また、単位画素行V7の読み出し動作を行う期間H7において、単位画素行V7に隣接する単位画素行V6では、光電変換部DA,DBのリセット動作が開始される。
このような場合において、隣接する単位画素行の単位画素12の間で容量結合(カップリング)が生じていると、読み出し動作を行う期間に隣接する単位画素行においてリセット動作が開始されたときにその影響が読み出し信号に伝わり、ノイズになることがある。隣接する単位画素行の単位画素12同士のカップリングは、特に限定されるものではないが、例えば、これら単位画素12の浮遊拡散部(FDノード)同士の容量結合等によって生じ得る。
例えば、単位画素行V6の読み出しが行われる期間H6では、期間H5で読み出しが終了した単位画素行V5の単位画素12の光電変換部DA,DBのリセット動作が開始される。このとき、単位画素行V5の単位画素12の光電変換部DA,DBのリセット開始による影響が単位画素行V6の単位画素12からの読み出し信号に伝わり、出力信号にノイズとして重畳してしまう場合がある。
同様に、単位画素行V7の読み出しが行われる期間H7では、期間H6で読み出しが終了した単位画素行V6の単位画素12の光電変換部DA,DBのリセット動作が開始される。このとき、単位画素行V6の単位画素12の光電変換部DA,DBのリセット開始による影響が単位画素行V7の単位画素12からの読み出し信号に伝わり、出力信号にノイズとして重畳してしまう場合がある。
この結果、単位画素行V5から読み出した信号と単位画素行V6,V7から読み出した信号との間に、重畳するノイズ成分の違いに起因した出力差が生じ、画質を低下する原因となる。
このような観点から、本実施形態では、例えば図10に示すタイミングチャートに従って、固体撮像装置を駆動する。
図10に示すタイミングチャートは、非蓄積状態の単位画素行において単位画素12の光電変換部DA,DBのリセット動作を開始するタイミングが、図9のタイミングチャートとは異なっている。
具体的には、単位画素行V5においては、非蓄積状態で単位画素12の光電変換部DA,DBのリセット動作を開始する時刻を時刻t6から時刻t12にシフトしている。同様に、単位画素行V6においては、非蓄積状態で単位画素12の光電変換部DA,DBのリセット動作を開始する時刻を時刻t12から時刻t18にシフトしている。このようにすることで、単位画素行V5,V6,V7について、読み出し動作が行われる水平期間における隣接画素の動作状態を揃えることができる。
これにより、非蓄積状態での光電変換部DA,DBのリセット動作を行いながら、その影響を受ける単位画素12と受けない単位画素12とが生じることによる画質悪化を低減することが可能となる。
このように、本実施形態によれば、撮像行及び焦点検出行の非蓄積期間における光電変換部のリセット動作による画質の劣化を低減することができる。
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図11乃至図15を用いて説明する。第1実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第2実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図11乃至図15を用いて説明する。第1実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本実施形態による固体撮像装置は、単位画素12の構成が異なるほかは、第1実施形態による固体撮像装置と同様である。
図11は、本実施形態による固体撮像装置の単位画素の構成例を示す回路図である。本実施形態による固体撮像装置の単位画素12は、光電変換部DA1,DB1,DA2,DB2と、転送トランジスタM1A1,M1B1,M1A2,M1B2と、リセットトランジスタM2と、増幅トランジスタM3と、選択トランジスタM4とを含む。
光電変換部DA1,DB1,DA2,DB2は、例えばフォトダイオードである。光電変換部DA1は、アノードが接地ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1A1のソースに接続されている。光電変換部DB1は、アノードが接地ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1B1のソースに接続されている。光電変換部DA2は、アノードが接地ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1A2のソースに接続されている。光電変換部DB2は、アノードが接地ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1B2のソースに接続されている。
転送トランジスタM1A1,M1B1,M1A2,M1B2のドレインは、リセットトランジスタM2のソース及び増幅トランジスタM3のゲートに接続されている。転送トランジスタM1A1,M1B1,M1A2,M1B2のドレイン、リセットトランジスタM2のソース及び増幅トランジスタM3のゲートの接続ノードは、FDノードである。FDノードが有する容量成分は、光電変換部DA1,DB1,DA2,DB2から転送される電荷の保持部として機能するとともに、電荷電圧変換部としても機能する。
リセットトランジスタM2のドレイン及び増幅トランジスタM3のドレインは、電圧VDDを供給する電源ノードに接続されている。増幅トランジスタM3のソースは、選択トランジスタM4のドレインに接続されている。選択トランジスタM4のソースは、出力線16に接続されている。出力線16には、電流源18が接続されている。
図11に示す単位画素12の場合、制御線14は、転送ゲート信号線TXA1,TXB1,TXA2,TXB2、リセット信号線RES、選択信号線SELを含む。転送ゲート信号線TXA1は、転送トランジスタM1A1のゲートに接続される。転送ゲート信号線TXB1は、転送トランジスタM1B1のゲートに接続される。転送ゲート信号線TXA2は、転送トランジスタM1A2のゲートに接続される。転送ゲート信号線TXB2は、転送トランジスタM1B2のゲートに接続される。リセット信号線RESは、リセットトランジスタM2のゲートに接続される。選択信号線SELは、選択トランジスタM4のゲートに接続される。
光電変換部DA1,DB1,DA2,DB2は、入射光をその光量に応じた量の電荷に変換(光電変換)するとともに、生じた電荷を蓄積する。転送トランジスタM1A1は、オンすることにより光電変換部DA1の電荷をFDノードに転送する。転送トランジスタM1B1は、オンすることにより光電変換部DB1の電荷をFDノードに転送する。転送トランジスタM1A2は、オンすることにより光電変換部DA2の電荷をFDノードに転送する。転送トランジスタM1B2は、オンすることにより光電変換部DB2の電荷をFDノードに転送する。転送トランジスタM1A1,M1B1,M1A2,M1B2は、光電変換部DA1,DB1,DA2,DB2の電荷をFDノードに転送する電荷転送部を構成する。
FDノードは、その容量による電荷電圧変換によって、光電変換部DA1,DB1,DA2,DB2から転送された電荷の量に応じた電圧となる。増幅トランジスタM3は、ドレインに電圧VDDが供給され、ソースに選択トランジスタM4を介して電流源18からバイアス電流が供給される構成となっており、ゲートを入力ノードとする増幅部(ソースフォロワ回路)を構成する。これにより増幅トランジスタM3は、FDノードの電圧に基づく信号を、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力する。リセットトランジスタM2は、オンすることによりFDノードを電圧VDDに応じた電圧にリセットする。この際、転送トランジスタM1A1,M1B1,M1A2,M1B2がオンすることにより、光電変換部DA1,DB1,DA2,DB2のリセットも可能である。リセットトランジスタM2は、転送トランジスタM1A1,M1B1,M1A2,M1B2とともに、光電変換部DA1,DB1,DA2,DB2をリセットするリセット部を構成する。
光電変換部DA1,DB1の光入射方向には共通のマイクロレンズML1が配されており、瞳分割された光が光電変換部DA1と光電変換部DB1とにそれぞれ入射するようになっている。同様に、光電変換部DA2,DB2の光入射方向には共通のマイクロレンズML2が配されており、瞳分割された光が光電変換部DA2と光電変換部DB2とにそれぞれ入射するようになっている。
一例では、光電変換部DA1と光電変換部DB1とは、行方向に並べて配置される。また、光電変換部DA2と光電変換部DB2とは、行方向に並べて配置される。光電変換部DA1及び光電変換部DB1(マイクロレンズML1)と、光電変換部DA2及び光電変換部DB2(マイクロレンズML2)とは、列方向に並べて配置される。
なお、光電変換部DA1と光電変換部DB1、光電変換部DA2と光電変換部DB2は、列方向に並べて配置されていてもよい。また、光電変換部DA1及び光電変換部DB1(マイクロレンズML1)と、光電変換部DA2及び光電変換部DB2(マイクロレンズML2)とは、行方向に並べて配置されていてもよい。
光電変換部DA1,DB1と光電変換部DA2,DB2とは、互いに異なるマイクロレンズML1,ML2を通過した光に基づく信号を出力するものであり、互いに異なる画素の要素でもある。換言すると、それぞれの単位画素12は、光電変換部DA1,DB1を含む瞳分割画素と、光電変換部DA2,DB2を含む瞳分割画素とを有している。光電変換部DA1,DB1を含む画素と、光電変換部DA2,DB2を含む画素とは、FDノード、リセットトランジスタM2、増幅トランジスタM3及び選択トランジスタM4を共有している。また、それぞれの単位画素行は、光電変換部DA1,DB1を含む画素が複数配された画素行と、光電変換部DA2,DB2を含む画素が複数配された画素行との2つの画素行を有しているといえる。この場合、画素領域10の画素アレイに含まれる画素行の数は、2n行となる。1つの単位画素行に属する画素のうち、同じ列に配された光電変換部DA1,DB1を含む画素と光電変換部DA2,DB2を含む画素とは、保持部(FDノード)を共有している。換言すると、複数の画素行は、保持部を単位とする複数の単位画素行を構成している。
以下の説明において、単位画素12の2つの画素を区別する必要のない場合には、光電変換部DA1,DB1又は光電変換部DA2,DB2を、光電変換部DA,DBと表記することがある。また、転送トランジスタM1A1,M1B1又は転送トランジスタM1A2,M1B2を、転送トランジスタM1A,M1Bと、表記することがある。
次に、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法について、図12乃至図15を用いて説明する。図12及び図14は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法における各画素行の動作を示す模式図である。図13は、撮像走査及びAF走査のタイミングを示す模式図である。図15は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。
図12は、画素領域10を構成する単位画素行V1から単位画素行Vnのうち、単位画素行V1から単位画素行V10までの動作を模式的に示したものである。それぞれの単位画素行は、前述の通り、2つの画素行を含む。ここでは、それぞれの単位画素行の符号に枝番を付し、これらに属する2つの画素行を区別するものとする。例えば、単位画素行V1に含まれる2つの画素行については、「V1−1」、「V1−2」と表記している。単位画素行V2以降についても同様である。
ここで、各画素行の画素には、いわゆるベイヤー配列で所定の色のカラーフィルタが配されているものとする。例えば、画素行V1−1,V2−1,V3−1,V4−1,V5−1,V6−1,V7−1,V8−1,V9−1,V10−1の画素にはR又はGrのカラーフィルタが配されている。また、画素行V1−2,V2−2,V3−2,V4−2,V5−2,V6−2,V7−2,V8−2,V9−2,V10−2の画素には、Gb又はBのカラーフィルタが配置されている。
本実施形態による固体撮像装置の駆動方法では、画素行を単位として3行周期で所定の動作を行うものとする。すなわち、画素行V1−1,V2−2,V4−1,V5−2,V7−1,V8−2、V10−1は、第1の撮像行である。画素行V1−2,V3−1,V4−2,V6−1,V7−2,V9−1,V10−2は、AF行又は非読み出し行である。画素行V2−1,V3−2,V5−1,V6−2,V8−1,V9−2は、第2の撮像行である。画素行V1−1と画素行V2−1、画素行V2−2と画素行V3−2、画素行V4−1と画素行V5−1、画素行V5−2と画素行V6−2、画素行V7−1と画素行V8−1、画素行V8−2と画素行V9−2は、それぞれ同じカラーフィルタ配列を備える。ここでは、画素行V1−2,V3−1,V4−2が非読み出し行であり、画素行V6−1,V7−2,V9−1,V10−2がAF行である場合を想定する。
図13は、撮像走査及びAF走査のタイミングを示す模式図である。図13において、横軸は時間であり、縦軸は行走査方向を示している。
図6を用いて第1実施形態で説明したように、各画素行における動作は、リセット動作と、読み出し動作とを含む。撮像行におけるリセット動作及び読み出し動作、AF行におけるリセット動作及び読み出し動作は、それぞれ行順次で行われる。撮像行のリセット動作を行順次で行う一連の動作が撮像リセット走査であり、撮像行の読み出し動作を行順次で行う一連の動作が撮像リード走査である。同様に、AF行のリセット動作を行順次で行う一連の動作がAFリセット走査であり、AF行の読み出し動作を行順次で行う一連の動作がAFリード走査である。図13におけるAF領域開始位置が、図12における画素行V6−1に相当する。各行のリセット動作と読み出し動作とのタイミングにより、蓄積時間が決定される。
本実施形態による固体撮像装置では、前述のように、1つの単位画素行に属する画素のうち、同じ列に配された光電変換部DA1,DB1を含む画素と光電変換部DA2,DB2を含む画素とは、保持部(FDノード)を共有している。
例えば必要な画角に合わせる場合など、総ての画素行を読み出さず一部の行を間引きながら読み出すような場合、非読み出し行の画素の光電変換部DA,DBは、非蓄積状態とするためにリセットする。ところが、同じ単位画素行に属する2つの画素行のうち一方が読み出し行であり他方が非読み出し行である場合、これら2つの画素行の画素で共有している保持部(FDノード)は、読み出しを行う一方の画素行の読み出し時に使用する必要がある。そのため、当該一方の画素行の読み出しを行う期間には、非読み出し行である他方の画素行における非蓄積状態のリセットを一旦解除する必要がある。一方で、非蓄積状態のリセットの解除タイミングが読み出しタイミングに近いと、出力信号に影響を及ぼすことも分かっている。
このような観点から、本実施形態では、保持部(FDノード)を共有する画素を含む2つの画素行のうち、一方の画素行が蓄積状態(読み出し期間を含む)である場合、他方の画素行についてはその間だけ光電変換部DA,DBのリセットを解除する。すなわち、非蓄積状態のリセットは、保持部(FDノード)を共有する画素行がともに蓄積状態ではないとき(図13中、「非蓄積」と表記した網掛けの期間)に実行する。このように構成することにより、当該一方の画素行からの読み出しを行うとともに、非蓄積状態のリセットの解除に起因する出力信号への影響を抑制することができる。
図14は、図12に示す各画素行の動作をより具体的に示した模式図である。図14において縦方向は、図12と同様の画素行V1−1〜V10−2を示している。第1の撮像行、AF行(非読み出し行)、第2の撮像行の繰り返し周期も、図12の場合と同様である。図14において横方向は時間軸であり、行選択ラッチパルスの間隔(1水平期間)を基準単位として、期間H1、期間H2、…、期間H10を定義している。本実施形態では、同色のカラーフィルタを持つ画素(例えば、画素行V1−1の画素と画素行V2−1の画素)の信号を同じタイミングで同じ出力線16に出力する構成をとるものとする。
図14の模式図に示すように、同じ単位画素行に属する2つの画素行のうち、一方の画素行が蓄積状態又は読み出し動作時である場合に、他方の画素行が非蓄積状態のときは、光電変換部DA,DBのリセット(PDリセット)を解除する動作を行う。
図15は、画素行V4−1,V4−2,V5−1,V5−2,V6−1,V6−2,V7−1,V7−2の期間H5から期間H7までにおける動作を示すタイミングチャートの一例である。
図15では、単位画素行V4,V5,V6,V7の選択トランジスタM4を駆動する制御信号を、それぞれpSEL4,pSEL5,pSEL6,pSEL7で表している。また、単位画素行V4,V5,V6,V7のリセットトランジスタM2を駆動する制御信号を、それぞれpRES4,pRES5,pRES6,pRES7で表している。また、画素行V4−1,V5−1,V6−1,V7−1の転送トランジスタM1A1,M1B1を駆動する制御信号を、それぞれpTX4−1,pTX5−1,pTX6−1,pTX7−1で表している。また、画素行V4−2,V5−2,V6−2,V7−2の転送トランジスタM1A2,M1B2を駆動する制御信号を、それぞれpTX4−2,pTX5−2,pTX6−2,pTX7−2で表している。なお、各画素行の転送トランジスタM1A,M1Bは、AF行の読み出し動作では図8(c)に示したように別々のタイミングで動作されるが、図16に示す範囲の動作では同じタイミングで動作されるため、図15には1つの信号として表している。
図15において、時刻t0から時刻t6までの期間が期間H5であり、時刻t6から時刻t12までの期間が期間H6であり、時刻t12から時刻t18までの期間が期間H7である。
期間H5では、同色の組のカラーフィルタを備えた画素を含む撮像行である画素行V4−1及び画素行V5−1に対して同時刻に読み出し動作が行われる。これら画素行の各列の2つの画素から読み出された信号は、加算され、同じ出力線16から出力される。
具体的には、時刻t1において制御信号pSEL4,pSEL5がハイレベルとなり、単位画素行V4,V5が選択される。時刻2において制御信号pRES4,pRES5がローレベルとなり、単位画素行V4,V5の単位画素12のFDノードのリセットが解除される。時刻t3において制御信号pTX4−1,pTX5−1がハイレベルとなり、画素行V4−1の画素の光電変換部DA1,DB1の電荷及び画素行V5−1の画素の光電変換部DA1,DB1の電荷が、FDノードへと転送される。これにより、各列の出力線16に、画素行V4−1の画素から読み出された信号と画素行V5−1の画素から読み出された信号とを加算した信号が出力される。
期間H6では、同色の組のカラーフィルタを備えた画素を含む撮像行である画素行V4−2及び画素行V6−2に対して同時刻に読み出し動作が行われる。これら画素行の各列の2つの画素から読み出された信号は、加算され、同じ出力線16から出力される。
具体的には、時刻t7において制御信号pSEL5,pSEL6がハイレベルとなり、単位画素行V5,V6が選択される。時刻8において制御信号pRES5,pRES6がローレベルとなり、単位画素行V5,V6の単位画素12のFDノードのリセットが解除される。時刻t9において制御信号pTX5−2,pTX6−2がハイレベルとなり、画素行V5−2の画素の光電変換部DA2,DB2の電荷及び画素行V6−2の画素の光電変換部DA2,DB2の電荷が、FDノードへと転送される。これにより、各列の出力線16に、画素行V5−2の画素から読み出された信号と画素行V6−2の画素から読み出された信号とを加算した信号が出力される。
期間H5において読み出し動作が終了した画素行V4−1,V5−1の画素は非蓄積状態へと移行する。この際、保持部(FDノード)を共有する画素行V4−1と画素行V4−2は、ともに蓄積状態ではないため、制御信号pRES4はハイレベルに保持され、非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットが行われる。一方、保持部(FDノード)を共有する画素行V5−1,V5−2のうち画素行V5−2は蓄積状態(読み出し動作期間)であるため、画素行V5−1については非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットは行わない。
期間H7では、同色の組のカラーフィルタを備えた画素を含む撮像行である画素行V7−1及び画素行V8−1に対して同時刻に読み出し動作が行われる。これら画素行の各列の2つの画素から読み出された信号は、加算され、同じ出力線16から出力される。
具体的には、時刻t13において制御信号pSEL7及び図示しない制御信号pSEL8がハイレベルとなり、単位画素行V7,V8が選択される。時刻14において制御信号pRES7及び図示しないpRES8がローレベルとなり、単位画素行V7,V8の単位画素12のFDノードのリセットが解除される。時刻t15において制御信号pTX7−1及び図示しない制御信号pTX8−1がハイレベルとなり、画素行V7−1の画素の光電変換部DA1,DB1の電荷及び画素行V8−1の画素の光電変換部DA1,DB1の電荷が、FDノードへと転送される。これにより、各列の出力線16に、画素行V7−1の画素から読み出された信号と画素行V8−1の画素から読み出された信号とを加算した信号が出力される。
期間H6において読み出し動作が終了した画素行V5−2,V6−2の画素は非蓄積状態へと移行する。この際、保持部(FDノード)を共有する画素行V5−1と画素行V5−2は、ともに蓄積状態ではないため、制御信号pRES5はハイレベルに保持され、非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットが行われる。一方、保持部(FDノード)を共有する画素行V6−1,V6−2のうち画素行V6−1はAF行として蓄積状態となっているため、画素行V6−2については非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットは行わない。
各期間における画素行の読み出し時の状態を比較すると、期間H5に読み出し動作が行われる画素行V4−1及び画素行V5−1では、隣接する単位画素行V3において非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットが行われる。同様に、期間H6に読み出し動作が行われる画素行V5−2及び画素行V6−2では、隣接する単位画素行V4において非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットが行われる。一方、期間H7に読み出し動作が行われる画素行V7−1及び画素行V8−1では、隣接する単位画素行V6において非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットは行われない。そのため、第1実施形態で説明したように、期間H5,H6で読み出した信号と期間H7で読み出した信号との間に、重畳するノイズ成分の違いに起因した出力差が生じ、画質を低下する原因となる。
このような観点から、本実施形態においても、単位画素行V4における非蓄積状態の光電変換部DA,DBのリセットを、時刻t6から開始している。同様に、単位画素行V5における非蓄積状態の光電変換部DA,DBのリセットを、時刻t12から開始している。これにより、非蓄積状態での光電変換部DA,DBのリセット動作を行いながら、その影響を受ける単位画素12と受けない単位画素12とが生じることによる画質悪化を低減することが可能となる。また、本実施形態では、間引かれる行を減らし複数の画素行の信号を加算して同時刻に読み出すように構成しているため、モアレの低減を図ることも可能である。
このように、本実施形態によれば、撮像走査行及び焦点検出走査行の非蓄積期間における光電変換部のリセット動作による画質の劣化を低減することができる。
[第3実施形態]
本発明の第3実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図16乃至図19を用いて説明する。第1及び第2実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第3実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図16乃至図19を用いて説明する。第1及び第2実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本実施形態では、第1実施形態による固体撮像装置において、位相差検出信号を出力する画素を含む画素行から、位相差検出信号と撮像信号とを取得する駆動例を説明する。
図16は、画素領域10を構成する単位画素行V1から単位画素行Vnのうち、単位画素行V1から単位画素行V5までの動作を模式的に示したものである。
本実施形態による固体撮像装置の駆動方法では、単位画素行を単位として3行周期で所定の動作を行うものとする。すなわち、単位画素行V1,V3,V4は、撮像用の信号を取得する行(以下、「撮像行」と呼ぶ)である。単位画素行V2,V5は、撮像用の信号を取得するとともに、焦点検出用の信号を取得する撮像・焦点検出行(以下、「撮像・AF行」と呼ぶ)である。
図17は、図16に示す各画素行の動作をより具体的に示した模式図である。図17において縦方向は、図16と同様の単位画素行V1〜V5を示している。撮像行、撮像・AF行の繰り返し周期も、図15の場合と同様である。図17において横方向は時間軸であり、行選択ラッチパルスの間隔(1水平期間)を基準単位として、期間H1、期間H2、…、期間H10を定義している。
例えば、単位画素行V1では、期間H1にリセット動作を行い、期間H2から期間H3で蓄積を行い、期間H4で撮像信号の読み出し動作を行う。期間H5以降は非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットを行う。
また、単位画素行V2では、期間H3にリセット動作を行い、期間H4で蓄積を行い、期間H5及び期間H6で読み出し動作を行う。期間H7以降は非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットを行う。単位画素行V2の動作が単位画素行V1の動作と異なる点は、撮像用の信号の読み出しを行う期間H6の1水平期間前のH5期間に焦点検出用の信号の読み出し動作を行う点である。
図18は、単位画素行V1から単位画素行V5の期間H1から期間H10までにおける動作を示すタイミングチャートの一例である。図18には、単位画素行V1,V2,V3,V4,V5の転送トランジスタM1Aを駆動する制御信号を、それぞれpTX1−A,pTX2−A,pTX3−A,pTX4−A,pTX5−Aで表している。また、単位画素行V1,V2,V3,V4,V5の転送トランジスタM1Bを駆動する制御信号を、それぞれpTX1−B,pTX2−B,pTX3−B,pTX4−B,pTX5−Bで表している。
単位画素行V1では、期間H1において、制御信号pTX1_A,pTX1_Bをハイレベルに制御して光電変換部DA,DBのリセット動作を同時に行い、信号電荷の蓄積を開始する。期間H2,H3の蓄積期間を経過後、期間H4において、制御信号pTX1_A,pTX1_Bを同時にハイレベルに制御し、光電変換部DA,DBに蓄積された信号電荷をFDノードに転送して加算し、撮像情報として読み出す。
単位画素行V2では、期間H3において、制御信号pTX2_A,pTX2_Bをハイレベルに制御して光電変換部DA,DBのリセット動作を同時に行い、信号電荷の蓄積を開始する。期間H4の蓄積期間を経過後、期間H5において、制御信号pTX2_Aをハイレベルに制御し、光電変換部DAに蓄積された信号電荷をFDノードに転送し、焦点検出情報(A信号)として読み出す。この後、FDノードに光電変換部DAから転送された電荷を保持したままの状態で、期間H6において、制御信号pTX2_A,pTX2_Bを同時にハイレベルに制御し、光電変換部DA,DBに蓄積された信号電荷をFDノードに転送する。これにより、期間H4,H5の2水平期間の間に光電変換部DA,DBで生成された信号電荷をFDノードで加算し、撮像情報(A+B信号)として読み出す。このようにして取得したA信号とA+B信号からB信号を得ることで、A信号とB信号とに基づき位相差検出を行うことが可能となる。
このとき、単位画素行V2の読み出しが行われる期間H6では、単位画素行V2に隣接する単位画素行V1は非蓄積状態であり、光電変換部DA,DBのリセットが行われている。一方、単位画素行V3の読み出しが行われる期間H7では、単位画素行V3に隣接する単位画素行V2が非蓄積状態となり、光電変換部DA,DBのリセットが開始される。そのため、第1実施形態において説明したように、単位画素行V2の非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットの開始に起因するノイズが、単位画素行V3から読み出した信号に重畳する懸念がある。
このような観点から、本実施形態においては、例えば図19に示すタイミングチャートに従い、固体撮像装置を駆動する。図19に示すタイミングチャートでは、非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットの開始を、図18の場合よりも2水平期間(2H期間)遅らせている。このように構成することで、どの単位画素行の読み出し時においても隣接する単位画素行で非蓄積状態における光電変換部DA,DBのリセットが行われなくなり、ノイズ混入による画質の悪化を低減できる。
これにより、非蓄積状態での光電変換部DA,DBのリセット動作を行いながら、その影響を受ける単位画素12と受けない単位画素12とが生じることによる画質悪化を低減することが可能となる。
このように、本実施形態によれば、撮像走査行及び焦点検出走査行の非蓄積期間における光電変換部のリセット動作による画質の劣化を低減することができる。
[第4実施形態]
本発明の第4実施形態による撮像システムについて、図20を用いて説明する。第1乃至第3実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。図20は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本発明の第4実施形態による撮像システムについて、図20を用いて説明する。第1乃至第3実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。図20は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
上記第1乃至第3実施形態で述べた固体撮像装置100は、種々の撮像システムに適用可能である。適用可能な撮像システムの例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、監視カメラ、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などが挙げられる。また、レンズなどの光学系と固体撮像装置とを備えるカメラモジュールも、撮像システムに含まれる。図20には、これらのうちの一例として、デジタルスチルカメラのブロック図を例示している。
図20に例示した撮像システム200は、撮像装置201、被写体の光学像を撮像装置201に結像させるレンズ202、レンズ202を通過する光量を可変にするための絞り204、レンズ202の保護のためのバリア206を有する。レンズ202及び絞り204は、撮像装置201に光を集光する光学系である。撮像装置201は、第1乃至第3実施形態で説明した固体撮像装置100であって、レンズ202により結像された光学像を画像データに変換する。
撮像システム200は、また、撮像装置201より出力される出力信号の処理を行う信号処理部208を有する。信号処理部208は、撮像装置201が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換を行う。また、信号処理部208はその他、必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像データを出力する動作を行う。信号処理部208の一部であるAD変換部は、撮像装置201が設けられた半導体基板に形成されていてもよいし、撮像装置201とは別の半導体基板に形成されていてもよい。また、撮像装置201と信号処理部208とが同一の半導体基板に形成されていてもよい。
撮像システム200は、さらに、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部210、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部(外部I/F部)212を有する。さらに撮像システム200は、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体214、記録媒体214に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部(記録媒体制御I/F部)216を有する。なお、記録媒体214は、撮像システム200に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
さらに撮像システム200は、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部218、撮像装置201と信号処理部208に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部220を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム200は少なくとも撮像装置201と、撮像装置201から出力された出力信号を処理する信号処理部208とを有すればよい。
撮像装置201は、撮像信号を信号処理部208に出力する。信号処理部208は、撮像装置201から出力される撮像信号に対して所定の信号処理を実施し、画像データを出力する。信号処理部208は、撮像信号を用いて、画像を生成する。
第1乃至第3実施形態による固体撮像装置100を適用することにより、ノイズの少ない良質な画像を取得しうる撮像システムを実現することができる。
[第5実施形態]
本発明の第5実施形態による撮像システム及び移動体について、図21を用いて説明する。図21は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
本発明の第5実施形態による撮像システム及び移動体について、図21を用いて説明する。図21は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
図21(a)は、車戴カメラに関する撮像システムの一例を示したものである。撮像システム300は、撮像装置310を有する。撮像装置310は、上記第1乃至第3実施形態のいずれかに記載の固体撮像装置100である。撮像システム300は、撮像装置310により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部312と、撮像システム300により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差取得部314を有する。また、撮像システム300は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離取得部316と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部318と、を有する。ここで、視差取得部314や距離取得部316は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部318はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)やASIC(Application Specific Integrated circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
撮像システム300は車両情報取得装置320と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、撮像システム300は、衝突判定部318での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御装置である制御ECU330が接続されている。また、撮像システム300は、衝突判定部318での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置340とも接続されている。例えば、衝突判定部318の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ECU330はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置340は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。
本実施形態では、車両の周囲、例えば前方又は後方を撮像システム300で撮像する。図21(b)に、車両前方(撮像範囲350)を撮像する場合の撮像システムを示した。車両情報取得装置320が、撮像システム300ないしは撮像装置310に指示を送る。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。
上記では、他の車両と衝突しないように制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御や、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。さらに、撮像システムは、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの移動体(移動装置)に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム(ITS)等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。
[変形実施形態]
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、何れかの実施形態の一部の構成を、他の実施形態に追加した形態、或いは他の実施形態の一部の構成と置換した形態も本発明の実施形態である。
また、上記実施形態では、FDノードの電位の変動の影響が隣り合う単位画素行の間で生じる場合を例にして説明したが、FDノードの電位の変動の影響は、隣り合う単位画素行の範囲を超えて生じることもある。したがって、少なくともリセット動作に伴うFDノードの電位の変動による影響が及ぶ範囲にある単位画素行では、上記実施形態で説明した駆動方法を適用することが好ましい。
また、上記実施形態では、1つの画素の2つの光電変換部DA,DBで1つのマイクロレンズMLを共有する構成とすることで瞳分割を行ったが、遮光膜や配線層によって一部の瞳領域を遮光した光電変換部を有する2つの画素によって瞳分割を行ってもよい。
また、上記実施形態では、画素領域10に配された総ての画素を瞳分割画素としたが、必ずしも総ての画素を瞳分割画素にする必要はない。例えば、少なくともAF行に属する画素の少なくとも一部が瞳分割画素であればよい。
また、上記実施形態では、各列に1つの出力線16を配したが、各列に複数の出力線16を配するようにしてもよい。この場合、一の撮像行に対する読み出し動作と他の撮像行に対する読み出し動作とを同時に実行し、一の撮像行に属する画素から読み出した画素信号と他の撮像行に属する画素から読み出した画素信号とを、同じ列に配された別々の出力線に出力することができる。
また、上記実施形態に示した撮像システムは、本発明の固体撮像装置を適用しうる撮像システム例を示したものであり、本発明の固体撮像装置を適用可能な撮像システムは図20及び図21に示した構成に限定されるものではない。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
DA,DB,DA1,DB1,DA2,DB2…光電変換部
M1A,M1B,M1A1,M1B1,M1A2,M1B2…転送トランジスタ
M2…リセットトランジスタ
M3…増幅トランジスタ
M4…選択トランジスタ
10…画素領域
12…単位画素
14…制御線
16…出力線
20…垂直走査回路
60…制御回路
100…固体撮像装置
M1A,M1B,M1A1,M1B1,M1A2,M1B2…転送トランジスタ
M2…リセットトランジスタ
M3…増幅トランジスタ
M4…選択トランジスタ
10…画素領域
12…単位画素
14…制御線
16…出力線
20…垂直走査回路
60…制御回路
100…固体撮像装置
Claims (9)
- 複数の画素行を構成するように配され、各々が、光電変換により電荷を生成する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部のいずれかで生じた電荷を保持する保持部と、前記保持部が保持する電荷の量に基づく画素信号を出力する増幅部と、前記光電変換部をリセットするリセット部と、を含む複数の画素と、
前記複数の画素に対して、前記画素行ごとに、前記画素の前記光電変換部のリセット動作と、前記光電変換部で生じた電荷を前記保持部へ転送する電荷転送を含み、前記光電変換部で生じた電荷に基づく画素信号の読み出し動作とを行う走査回路と、を有し、
前記複数の画素行は、少なくとも1つの画素行をそれぞれが含み、前記保持部を単位とする複数の単位画素行を構成し、
前記走査回路は、前記複数の画素行のそれぞれにおける前記リセット動作の開始のタイミングが、当該リセット動作が行われる画素行の属する単位画素行の隣の単位画素行に属する画素行において前記読み出し動作が行われる期間と重ならないように、前記リセット動作を実行する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記リセット動作が行われる前記画素行の属する単位画素行の画素の保持部と、当該リセット動作が行われる前記画素行の属する単位画素行の隣の単位画素行の画素の保持部とが、隣り合っている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素行は、隣り合う2つの画素行ごとに前記単位画素行を構成しており、それぞれの前記単位画素行を構成する前記2つの画素行のうちの一方に属する画素と他方に属する画素とが、前記保持部及び前記増幅部を共有しており、
前記走査回路は、前記単位画素行を構成する前記2つの画素行のうちの前記一方に属する画素と前記他方に属する画素とがともに蓄積期間ではないときに、前記リセット動作を実行する
ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素行は、撮像信号を取得する複数の撮像行と、焦点検出用信号を取得する複数の焦点検出行と、を含み、
前記走査回路は、前記複数の撮像行からの信号の後に前記複数の焦点検出行の信号が出力されるように、前記複数の撮像行に対して前記リセット動作および前記読み出し動作を行う撮像走査と、前記複数の焦点検出行に対して前記リセット動作および前記読み出し動作を行う焦点検出走査とを独立して実行する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素の各々が有する前記複数の光電変換部は、マイクロレンズを共有する第1の光電変換部及び第2の光電変換部を含み、
前記複数の画素行は、撮像信号を取得する複数の撮像行と、撮像信号及び焦点検出用信号を取得する複数の撮像・焦点検出行と、を含み、
前記走査回路は、前記複数の撮像・焦点検出行のそれぞれにおいて、第1の水平期間に、前記第1の光電変換部で生じた電荷に基づく画素信号の読み出し動作を実行し、前記第1の水平期間の次の第2の水平期間に、前記第1の光電変換部及び前記第2の光電変換部で生じた電荷に基づく画素信号の読み出し動作を実行する
ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。 - 前記走査回路は、一の画素行に対する前記読み出し動作と、他の画素行に対する前記読み出し動作とを同時に実行し、前記一の画素行に属する画素から読み出した画素信号と、前記他の画素行に属する画素から読み出した画素信号とを、同じ出力線に出力する
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記走査回路は、一の画素行に対する前記読み出し動作と、他の画素行に対する前記読み出し動作とを同時に実行し、前記一の画素行に属する画素から読み出した画素信号と、前記他の画素行に属する画素から読み出した画素信号とを、同じ列に配された別々の出力線に出力する
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の前記画素から出力される信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017226728A JP2019097101A (ja) | 2017-11-27 | 2017-11-27 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017226728A JP2019097101A (ja) | 2017-11-27 | 2017-11-27 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019097101A true JP2019097101A (ja) | 2019-06-20 |
Family
ID=66973251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017226728A Pending JP2019097101A (ja) | 2017-11-27 | 2017-11-27 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2019097101A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023124986A (ja) * | 2022-02-28 | 2023-09-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
-
2017
- 2017-11-27 JP JP2017226728A patent/JP2019097101A/ja active Pending
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