JP2019096791A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019096791A JP2019096791A JP2017226256A JP2017226256A JP2019096791A JP 2019096791 A JP2019096791 A JP 2019096791A JP 2017226256 A JP2017226256 A JP 2017226256A JP 2017226256 A JP2017226256 A JP 2017226256A JP 2019096791 A JP2019096791 A JP 2019096791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting device
- emission intensity
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
- H10H20/841—Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/814—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/814—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors
- H10H20/8142—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors forming resonant cavity structures
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の一態様として、基体10上に搭載された発光素子11と、基体10上に形成された、発光素子11を囲む反射部材12と、発光素子11の上方を覆うように設置された、上面が平坦な透明部材13と、透明部材13の上面の上に設置されたDBR膜14と、を備え、発光素子11から発せられてDBR膜14に入射する光の入射角とDBR膜14の透過率の関係において、入射角が0°よりも大きい範囲に透過率のピークが存在する、発光装置1を提供する。
【選択図】図1
Description
(発光装置の構成)
図1は、第1の実施の形態に係る発光装置1の垂直断面図である。発光装置1は、基体10と、基体10上に搭載された発光素子11と、基体10上に形成された、発光素子11を囲む反射部材12と、発光素子11の上方を覆うように設置された、上面が平坦な透明部材13と、透明部材13の上面の上に設置されたDBR(Distributed Bragg Reflector)膜14と、を備える。
図5(a)〜(d)は、第1の実施の形態に係る発光装置1の製造工程の一例を示す垂直断面図である。
第2の実施の形態は、透明部材と反射部材の形状において第1の実施の形態と異なる。第1の実施の形態と同様の点については説明を省略又は簡略化する。
図6(a)、(b)は、それぞれ第2の実施の形態に係る発光装置2の垂直断面図、斜視図である。なお、図6(b)では、後述する透明部材23及びDBR膜14の図示を省略している。
図9(a)〜(d)は、第2の実施の形態に係る発光装置2の製造工程の一例を示す垂直断面図である。
第3の実施の形態は、反射部材の形状において第2の実施の形態と異なる。第2の実施の形態と同様の点については説明を省略又は簡略化する。
図10(a)、(b)は、それぞれ第3の実施の形態に係る発光装置3の垂直断面図、斜視図である。なお、図10(b)では、後述する透明部材23及びDBR膜14の図示を省略している。
上記の第1〜第3の実施の形態によれば、軸上光度が小さい理想的なバットウィング形状の配光特性を有する発光装置を提供することができる。また、これらの発光装置は、バットウィング形状の配光特性を実現するために二次レンズを用いていないため、小型化や、製造コストの低減を図ることができる。
10 基体
11 発光素子
12、22、32 反射部材
13 透明部材
13a 第1の部分
13b 第2の部分
14 DBR膜
25、35 側面
25a、35a 第1の傾斜面
25b、35b 第2の傾斜面
Claims (8)
- 基体上に搭載された発光素子と、
前記基体上に形成された、前記発光素子を囲む反射部材と、
前記発光素子の上方を覆うように設置された、上面が平坦な透明部材と、
前記透明部材の上面の上に設置されたDBR膜と、
を備え、
前記発光素子から発せられて前記DBR膜に入射する光の入射角と前記DBR膜の透過率の関係において、入射角が0°よりも大きい範囲に透過率のピークが存在する、
発光装置。 - 前記透明部材が、前記発光素子の上面を覆う第1の部分と、前記第1の部分の上面及び前記反射部材の上面の上に設置された平板状の第2の部分とを有し、
前記反射部材が、前記発光素子の側面及び前記第1の部分の側面を覆う、
請求項1に記載の発光装置。 - 配光角と発光強度の関係において、配光角が0°のときの発光強度が、ピーク発光強度の10%以下である、
請求項1又は2に記載の発光装置。 - 前記透明部材の全ての側面が前記反射部材に覆われた、
請求項1に記載の発光装置。 - 前記反射部材の内側の側面が、前記反射部材の内側の空間が上方に向かって広がるように傾斜し、
前記透明部材が、前記反射部材の内側の空間に充填され、前記発光素子の上面及び側面を覆う、
請求項4に記載の発光装置。 - 前記反射部材の内側の側面が、前記基体の上面に対して第1の角度で傾斜した第1の傾斜面と、前記基体の上面に対して前記第1の角度よりも小さい第2の角度で傾斜した、前記第1の傾斜面の上側に位置する第2の傾斜面と、を有する、
請求項5に記載の発光装置。 - 前記反射部材の内側の側面が、逆円錐台の側面を構成する形状を有する、
請求項5又は6に記載の発光装置。 - 配光角と発光強度の関係において、配光角が0°のときの発光強度が、ピーク発光強度の5%以下である、
請求項4〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017226256A JP6870592B2 (ja) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 発光装置 |
| US16/197,729 US10825971B2 (en) | 2017-11-24 | 2018-11-21 | Light-emitting device including a Distributed Bragg Reflector (DBR) film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017226256A JP6870592B2 (ja) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019096791A true JP2019096791A (ja) | 2019-06-20 |
| JP6870592B2 JP6870592B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=66634566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017226256A Active JP6870592B2 (ja) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10825971B2 (ja) |
| JP (1) | JP6870592B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023203850A1 (ja) | 2022-04-21 | 2023-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、分光器及び発光部材の製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102816943B1 (ko) | 2019-03-22 | 2025-06-04 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 화상 표시 장치의 제조 방법 및 화상 표시 장치 |
| KR20220006052A (ko) * | 2019-05-08 | 2022-01-14 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 화상 표시 장치의 제조 방법 및 화상 표시 장치 |
| CN115202102A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-10-18 | 惠州视维新技术有限公司 | 背光模组、显示装置、led发光器件及其制备方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008031339A1 (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-20 | Hongkong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd | Light emitting diode device, and manufacture and use thereof |
| JP2010062427A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2010537400A (ja) * | 2007-08-16 | 2010-12-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄型の側面発光ledに連結される光学要素 |
| US20130193464A1 (en) * | 2012-01-03 | 2013-08-01 | Seok Hun BAE | Light emitting device, light emitting device package and light emitting module |
| JP2014222705A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
| JP2016527723A (ja) * | 2013-07-22 | 2016-09-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | フリップチップ型側面発光led |
| US20160349445A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Jong In Kim | Semiconductor light emitting diode chip and light emitting device having the same |
| JP2017092021A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2018010958A (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 |
| US20190088824A1 (en) * | 2017-09-15 | 2019-03-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting package having phosphor layer over a transparent resin layer |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5624969A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-10 | Canon Inc | Semiconductor integrated circuit element |
| JP2004140185A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
| CN100587560C (zh) * | 2003-04-01 | 2010-02-03 | 夏普株式会社 | 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置 |
| US9142740B2 (en) * | 2003-07-04 | 2015-09-22 | Epistar Corporation | Optoelectronic element and manufacturing method thereof |
| US8816369B2 (en) * | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
| WO2006104061A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Kyocera Corporation | 反射部材、これを用いた発光装置および照明装置 |
| KR101266205B1 (ko) * | 2008-07-08 | 2013-05-21 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
| JP2011151357A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-08-04 | Ricoh Co Ltd | 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置 |
| JP5834414B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-12-24 | 株式会社リコー | 面発光レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置 |
| JP5601014B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2014-10-08 | 株式会社リコー | 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置 |
| KR101662010B1 (ko) * | 2010-05-20 | 2016-10-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| US9337405B2 (en) * | 2012-08-31 | 2016-05-10 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| TWI707484B (zh) * | 2013-11-14 | 2020-10-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
| KR20150078295A (ko) * | 2013-12-30 | 2015-07-08 | 일진엘이디(주) | 측면 발광형 질화물 반도체 발광 소자 |
| JP6753051B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2020-09-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US20200274027A1 (en) * | 2015-02-17 | 2020-08-27 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode and manufacturing method thereof |
| US9966514B2 (en) * | 2015-07-02 | 2018-05-08 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light emitting diode package structure and fabrication method |
| JP6217706B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法、半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置 |
| JP6506899B2 (ja) | 2015-10-08 | 2019-04-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、集積型発光装置および発光モジュール |
| WO2017061127A1 (en) | 2015-10-08 | 2017-04-13 | Nichia Corporation | Light-emitting device, integrated light-emitting device, and light-emitting module |
| WO2017155282A1 (ko) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
| US20170345983A1 (en) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | Epistar Corporation | Light-emitting device and light-emitting apparatus comprising the same |
| CN106025037B (zh) * | 2016-05-27 | 2018-08-14 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法 |
| US10274168B2 (en) * | 2016-07-20 | 2019-04-30 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP6455495B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2019-01-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US10355450B2 (en) * | 2016-11-10 | 2019-07-16 | Intel Corporation | System and method of reducing speckle for an illuminator |
| US10431723B2 (en) * | 2017-01-31 | 2019-10-01 | Apple Inc. | Micro LED mixing cup |
| KR102673595B1 (ko) * | 2017-02-14 | 2024-06-12 | 삼성전자주식회사 | Led 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102385940B1 (ko) * | 2017-09-01 | 2022-04-13 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
-
2017
- 2017-11-24 JP JP2017226256A patent/JP6870592B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-21 US US16/197,729 patent/US10825971B2/en active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008031339A1 (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-20 | Hongkong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd | Light emitting diode device, and manufacture and use thereof |
| JP2010537400A (ja) * | 2007-08-16 | 2010-12-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄型の側面発光ledに連結される光学要素 |
| JP2010062427A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| US20130193464A1 (en) * | 2012-01-03 | 2013-08-01 | Seok Hun BAE | Light emitting device, light emitting device package and light emitting module |
| JP2014222705A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
| JP2016527723A (ja) * | 2013-07-22 | 2016-09-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | フリップチップ型側面発光led |
| US20160349445A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Jong In Kim | Semiconductor light emitting diode chip and light emitting device having the same |
| JP2017092021A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2018010958A (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 |
| US20190088824A1 (en) * | 2017-09-15 | 2019-03-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting package having phosphor layer over a transparent resin layer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023203850A1 (ja) | 2022-04-21 | 2023-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、分光器及び発光部材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6870592B2 (ja) | 2021-05-12 |
| US20190165227A1 (en) | 2019-05-30 |
| US10825971B2 (en) | 2020-11-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI766032B (zh) | 發光裝置及發光裝置之製造方法 | |
| US9082946B2 (en) | Light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device | |
| JP5572013B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| US9599292B2 (en) | Light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device | |
| JP5558483B2 (ja) | Led組立体 | |
| TWI712181B (zh) | 發光裝置、整合式發光裝置、及發光模組 | |
| TWI817708B (zh) | 光源 | |
| US11043615B2 (en) | Light-emitting device having a dielectric multilayer film arranged on the side surface of the light-emitting element | |
| US9960330B2 (en) | Flip-chip side emitting LED with top reflector, peripheral wavelength conversion element, and optical element between light emitting element and lightguide element | |
| US12183861B2 (en) | Light-emitting device | |
| US20150054011A1 (en) | Light emitting device | |
| US20070194341A1 (en) | Light emitting diode package | |
| JP6089686B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6169383B2 (ja) | 発光モジュール及び光源装置 | |
| CN107450228B (zh) | 发光装置 | |
| JP4625997B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| US10825971B2 (en) | Light-emitting device including a Distributed Bragg Reflector (DBR) film | |
| TW201314973A (zh) | 光電組件及用於製造光電組件之方法 | |
| JP2018067630A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP6575507B2 (ja) | 発光装置および集積型発光装置 | |
| JP5970215B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| CN107689409A (zh) | 发光二极管 | |
| JP6383539B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2020098910A (ja) | 発光装置および集積型発光装置 | |
| JP2018085447A (ja) | Led発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191220 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210105 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210316 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210329 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6870592 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |