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JP2019096663A - 発光装置および表示装置 - Google Patents

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Tatsuo Ohashi
達男 大橋
琵琶　剛志
Tsuyoshi Biwa
剛志 琵琶
暁 大前
Akira Omae
暁 大前
祐亮 片岡
Yusuke Kataoka
祐亮 片岡
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Abstract

【課題】信頼性を向上させることが可能な発光装置および表示装置を提供する。【解決手段】発光装置１は、基板３１と、基板３１上に配置されると共に、上面および下面にそれぞれ電極１５、１４を有する発光素子１０と、基板３１と発光素子１０との間に設けられ、発光素子１０から出射される光による基板３１の劣化を低減するための遮光層３２とを備える。【選択図】図１

Description

本開示は、固体発光素子を備えた発光装置およびこれを備えた表示装置に関する。
近年、軽量で薄型のディスプレイとして、発光ダイオード（ＬＥＤ）を表示画素に用いたＬＥＤディスプレイが注目されている。ＬＥＤディスプレイは、見る角度によってコントラストや色合いが変化する視野角依存性がなく、色を変化させる場合の反応速度が速いという特徴がある。このため、例えば、特許文献１に記載の表示装置のように、製造歩留まりの向上や、薄型化等を目的とした様々なＬＥＤディスプレイの開発が行われている。
特開２０１２−１７５０６６号公報
ところで、発光素子としてＬＥＤを備えた表示装置では、信頼性の向上が望まれている。
信頼性を向上させることが可能な発光装置および表示装置を提供することが望ましい。
本開示の一実施形態の発光装置は、基板と、基板上に配置されると共に、上面および下面にそれぞれ電極を有する発光素子と、基板と発光素子との間に設けられた遮光層とを備えたものである。
本開示の一実施形態の表示装置は、複数の画素を有する表示パネルと、映像信号部に基づいて前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備えたものであり、表示パネルに含まれる複数の画素は、基板上に実装された、複数の上記一実施形態の発光装置からなる。
本開示の一実施形態の発光装置および一実施形態の表示装置では、基板と、上面および下面にそれぞれ電極を有する発光素子との間に、遮光層を配置するようにした。これにより、発光素子から出射される光による基板の劣化を低減することが可能となる。
本開示の一実施形態の発光装置および一実施形態の表示装置によれば、基板と、上面および下面にそれぞれ電極を有する発光素子との間に、遮光層を配置するようにしたので、発光素子から出射される光による基板の劣化が低減される。よって、発光装置および表示装置の信頼性を向上させることが可能となる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
本開示の第１の実施形態に係る発光装置の構成の一例を表す断面模式図である。 図１に示した発光素子の構成の一例を表す断面模式図である。 図１に示した発光素子の構成の他の例を表す断面模式図である。 図１に示した遮光層を構成する多層反射膜の特性図である。 パッケージ構造を有する発光装置の構成の一例を表す斜視図である。 図５Ａに示したＩ−Ｉ線における発光装置の断面模式図である。 本開示の表示装置の概略構成の一例を表す斜視図である。 図６に示した実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る発光装置の断面模式図である。 本開示の変形例に係る発光装置の断面模式図である。
以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は本開示の一具体例であって、本開示は以下の態様に限定されるものではない。また、本開示は、各図に示す各構成要素の配置や寸法、寸法比等についても、それらに限定されるものではない。なお、説明する順序は、下記の通りである。
１．第１の実施の形態（基板と発光素子との間にＤＢＲによって構成される遮光層を設けた発光装置の例）
１−１．発光装置の構成
１−２．表示装置の構成
１−３．作用・効果
２．第２の実施の形態（基板と発光素子との間に金属膜からなる遮光層を設けた発光装置の例）
３．変形例（発光素子の下部電極および電極パッドの周囲に接着膜を設けた例）
＜１．第１の実施の形態＞
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る発光装置（発光装置１）の断面構成を模式的に表したものである。発光装置１は、例えば、ＬＥＤディスプレイと呼ばれる表示装置（例えば、表示装置１００；図６参照）の表示画素として好適に適用可能なものである。本実施の形態の発光装置１は、例えば、基板３１上に配置された発光素子１０と基板３１との間に遮光層３２が設けられた構成を有する。
（１−１．発光装置の構成）
発光装置１は、基板３１と対向する第１面（下面、面Ｓ１）および第１面Ｓ１とは反対側の第２面（上面、面Ｓ２）に、それぞれ、第１電極１４および第２電極１５を有する発光素子１０が、例えば、端子電極２１を介して基板３１上に搭載されたものである。端子電極２１は、所定の間隙を介して配置されると共に、互いに電気的に分離されている端子電極２１Ａおよび端子電極２１Ｂを有する。端子電極２１Ａは第１電極１４と電気的に接続されており、端子電極２１Ｂは第２電極１５と、電気的に接続されている。端子電極２１の下層、具体的には、基板３１と端子電極２１との間には、遮光層３２が配置されている。
発光素子１０は、所定の波長帯の光を上面から発する固体発光素子であり、具体的には、ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂等で覆われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下のサイズ（横幅Ｗ１）となっており、いわゆるマイクロＬＥＤと呼ばれるものである。ＬＥＤチップの平面形状は、例えば、略正方形となっている。ＬＥＤチップは、薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比（高さＨ１／横幅Ｗ１）（図２参照）は、例えば、０．１以上１０未満となっている。発光素子１０の高さＨ１は、例えば、３μｍ以上、５０μｍ以下となっている。
発光素子１０は、例えば、図２に示したように、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３を順に積層してなる積層構造を有している。第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３は、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料やＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料によって構成されている。第１電極１４および第２電極１５は、例えば、Ａｇ（銀）等の高反射性の金属材料を含んで構成されている。なお、各発光素子１０は、図示しないが、側面と、第１面のうち第１電極１４の未形成領域とを被う絶縁膜を有していてもよい。
発光素子１０の側面は、例えば、図２に示したように、積層方向（例えば、Ｚ軸方向）と直交する面となっている。なお、光取り出し効率を考慮して、各発光素子１０の側面が、積層方向と交差する傾斜面となっていてもよい。例えば、図３に示したように、各発光素子１０は、側面に、当該発光素子１０の断面が逆台形状となるような傾斜面を有していてもよい。
第１導電型層１１の下面（面Ｓ１）には第１電極１４が設けられている。第１電極１４は、第１導電型層１１に接するとともに第１導電型層１１に電気的に接続されている。第１電極１４は、下面（面Ｓ１）の全面に設けられていてもよいが、例えば、図１に示したように、下面の中央部分に開口１４Ｈを設けるようにしてもよい。
第２導電型層１３の上面（面Ｓ２）には第２電極１５が設けられている。第２電極１５は、第２導電型層１３に接するとともに第２導電型層１３に電気的に接続されている。第１電極１４および第２電極１５は、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図２および図３に示したように、第１電極１４および第２電極１５がともに、単一の電極からなるものとする。
端子電極２１は、上記のように、所定の間隙を介して配置されると共に、互いに電気的に分離された端子電極２１Ａおよび端子電極２１Ｂから構成されている。端子電極２１Ａおよび端子電極２１Ｂは、互いに同一面内に形成されており、例えば、基板３１上に形成されている。各端子電極２１Ａ，２１Ｂは、例えば、主にＣｕ（銅）を含んで構成されている。各端子電極２１Ａ，２１Ｂの表面の少なくとも一部が、例えば、Ａｕ（金）等の酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。例えば、各端子電極２１Ａ，２１Ｂの表面全体が、ＡｕやＴｉ等の酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。各端子電極２１は、発光装置１の入出力端子としての役割の他に、活性層１２から発せられた光を第２導電型層１３側に反射する役割も有している。
端子電極２１Ａは、例えば、基板３１上における発光素子１０との対向領域に配置されており、発光素子１０の第１電極１４と接合材（図示せず）を介して電気的に接続されている。接合材は、例えば、めっき処理によって形成されためっき金属によって構成されている。なお、接合材は、めっき処理以外の方法で形成されたものであってもよい。端子電極２１Ａは、例えば、発光素子１０との対向領域の内側に開口２１Ｈを有する。この開口２１Ｈは、例えば、発光素子１０の第１電極１４に設けられた開口１４Ｈに対応するように設けられており、開口１４Ｈおよび開口２１Ｈ内には、例えば接着剤２３が充填されている。これによって、発光素子１０は基板３１上に保持される。接着剤２３としては、例えば感光性樹脂等を用いることができる。
端子電極２１Ｂは、例えば、基板３１上における発光素子１０との対向領域の外側に配置されており、発光素子１０の第２電極１５と、配線２２（導電線）を介して電気的に接続されている。配線２２は、発光素子１０の上面にある第２電極１５と接しており、第２電極１５とは電気的に接続されている。
配線２２は、例えば、ワイヤによって構成されていてもよいし、めっき金属を含んで構成されていてもよい。メッキ金属を含んで構成する場合には、配線２２は、具体的には、シード金属と、このシード金属の上面に積層されためっき金属とにより構成されている。ここで、シード金属は、上記と同様、チタン（Ｔｉ）や銅（Ｃｕ）等をスパッタ、ＰＶＤまたはＣＶＤ等の成膜プロセスを用いて形成されたものである。めっき金属は、上記と同様、成膜プロセスの１つであるめっき処理によって形成されたものである。なお、めっきの種類としては、例えば、電解めっき、無電解めっき等が挙げられる。配線２２は、めっき工程を経て形成されたものである。配線２２は、最適な成長方法の選択により電気的・機械的に安定な構造になっており、例えば、コンフォーマルに（例えば膜厚均一に）形成されていたり、例えば、第２電極１５との接続部分が他の部分よりも相対的に厚い形状に形成されていたりする。
基板３１は、例えば、表面および裏面に配線構造を有すると共に、層間の電気的な接続がビアでなされた積層基板である。具体的には、例えば、基板３１は、ビルドアップ基板であり、コア基板と、コア基板の表面および裏面に接してそれぞれ形成されたビルドアップ層とを有している。コア基板は、例えば、基板３１の剛性を確保するためのものであり、例えば、ガラスエポキシ基板によって構成されている。ビルドアップ層は、１層以上の配線層を有しており、基板３１の表面には、例えば、発光素子１０を駆動させる駆動ＩＣ等を構成する配線が、例えば樹脂層に覆われて形成されている。基板３１の裏面には、例えば、外部端子としての複数の電極パッド等が設けられている。
遮光層３２は、基板３１上の例えば全面に形成されており、波長選択性を有し、発光素子１０から出射される発光波長近傍以外の波長を透過することが望ましい。例えば、遮光層３２は、発光素子１０から出射される発光波長および発光波長の前後５０ｎｍを除く波長を透過することが好ましい。一具体例としては、遮光層３２は、例えば、発光素子１０を基板３１上に保持するための樹脂（図示せず）を硬化させるための露光に必要な波長（例えば、２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下）は透過させ、発光波長は反射させるような積層構造を有することが好ましい。このような遮光層３２は、例えば、波長コントロール層を用いて構成することができる。波長コントロール層の一例としては、分布ブラッグ反射器（Distributed Bragg Reflector：ＤＢＲ）のようなフォトニック結晶を用いて構成が挙げられる。
このような構成としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）および酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の、互いに屈折率の異なる材料の単層膜を２種組み合わせて交互に積層させた構造が挙げられる。例えば、ＳｉＯ２膜とＴｉＯ２膜とを組み合わせ、それぞれの膜厚をλ／４として５ペアの積層構造を有する多層反射膜（遮光層３２）を形成した場合、例えば、４６０ｎｍの波長に対して、図６に示したような反射率が得られる。なお、上記構成は一例であり、５ペア以下あるいは５ペア以上の積層構造としてもよいし、ＳｉＯ２膜とＴｉＯ２膜との積層構造以外の組み合わせとしてもよい。
また、遮光層３２は、ＤＢＲ以外の構成としてもよい。例えば、遮光層３２は、一般的なカラーフィルタや３次元フォトジェニック結晶等を用いて構成してもよい。
また、発光装置１は、例えば、図５Ａおよび図５Ｂに示したように、複数の発光素子１０が薄い肉厚の樹脂（絶縁体２０）によって覆われた微小パッケージ構造としてもよい（発光装置１Ａ）。
図５Ａは、発光装置１Ａの構成を斜視的に表したものであり、図５Ｂは、図５Ａに示したＩ−Ｉ線における断面構成を模式的に表したものである。因みに、図１に示した発光装置１の断面構成は、図５Ａでは、Ｉ−Ｉ線における断面に相当する。発光装置１Ａでは、図５Ａに示したように、３つの発光素子１０を備えている。各発光素子１０は、発光装置１Ａ内に配置されており、例えば、図５Ａに示したように、他の発光素子１０と所定の間隙を介して、例えば一列に配置されている。互いに隣り合う２つの発光素子１０の隙間は、例えば、各発光素子１０のサイズと同等か、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては、各発光素子１０のサイズよりも狭くなっていてもよい。発光素子１０と発光装置１Ａの側面との間隔は、例えば、各発光素子１０のサイズの１／２以上となっている。
各発光素子１０は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図５Ａに示したように、３つの発光素子１０は、緑色帯の光を発する発光素子１０Ｇと、赤色帯の光を発する発光素子１０Ｒと、青色帯の光を発する発光素子１０Ｂとにより構成されている。発光素子１０Ｇは、例えば、発光装置１Ａの辺部近傍に配置されている。発光素子１０Ｂは、例えば、発光装置１Ａの辺部のうち発光素子１０Ｇの近接する辺部とは異なる辺部の近傍に配置されている。発光素子１０Ｒは、例えば、発光素子１０Ｇと発光素子１０Ｂとの間に配置されている。なお、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。
発光装置１Ａは、さらに、図５Ａおよび図５Ｂに示したように、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが埋め込まれたチップ状の絶縁体２０を備えている。また、発光装置１Ａは、発光装置１と同様に、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに、端子電極２１Ａ，２１Ｂと、配線２２とを備えている。
絶縁体２０は、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを、少なくとも側面側および上面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体２０は、さらに、配線２２を内部に有している。つまり、配線２２は、絶縁体２０内に埋め込まれている。絶縁体２０は、例えば、ポリイミド等の樹脂材料によって構成されている。なお、絶縁体２０は、耐光性を有するとともに感光性を有する透明樹脂を硬化させたものであってもよい。絶縁体２０のアスペクト比（高さＨ２／上面の幅Ｗ２）は、例えば、１よりも小さくなっている。
絶縁体２０は、例えば、図５Ａおよび図５Ｂに示したように、上面および下面に平坦面を有している。絶縁体２０の上面には、構造物は特に何も設けられておらず、絶縁体２０の上面は、外部（例えば空気）と接している。一方、絶縁体２０の下面には、端子電極２１Ａ，２１Ｂが設けられている。端子電極２１Ａ，２１Ｂは、上記発光装置１と同様に、所定の間隙を介して配置されており、互いに電気的に分離されている。
絶縁体２０は、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側面と、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上面に接して形成されている。絶縁体２０は、例えば、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配列方向に延在する帯状の形状（例えば直方体形状）となっている。絶縁体２０の高さＨ２は、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの高さＨ１よりも高くなっており、絶縁体２０の上面の幅Ｗ２は、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの横幅Ｗ１よりも広くなっている。
（１−２．表示装置の構成）
図６は、表示装置１００の概略構成の一例を斜視的に表したものである。表示装置１００は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素として、例えば発光装置１Ａが用いられたものである。表示装置１００は、例えば、図６に示したように、表示パネル１１０と、表示パネル１１０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。
表示パネル１１０は、実装基板１１０−１と、透明基板１１０−２とを互いに重ね合わせたものである。透明基板１１０−２の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域１１０Ａを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域２１０Ｂを有している図７は、実装基板１１０−１の透明基板１１０−２側の表面のうち表示領域１１０Ａに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。
実装基板１１０−１の表面のうち表示領域１１０Ａに対応する領域には、例えば、図７に示したように、複数のデータ配線１１１が所定の方向に延在して形成されており、且つ、所定のピッチで並列配置されている。実装基板１１０−１の表面のうち表示領域１１０Ａに対応する領域には、さらに、例えば、複数のスキャン配線１１２がデータ配線１１１と交差（例えば直交）する方向に延在して形成されており、且つ、所定のピッチで並列配置されている。データ配線１１１およびスキャン配線１１２は、例えば、Ｃｕ（銅）等の導電性材料からなる。
スキャン配線１１２は、例えば、最表層に形成されており、例えば、基材表面に形成された絶縁層（図示せず）上に形成されている。なお、実装基板１１０−１の基材は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板等からなり、基材上の絶縁層は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、またはＡｌ２Ｏ３からなる。一方、データ配線１１１は、スキャン配線１１２を含む最表層とは異なる層（例えば、最表層よりも下の層）内に形成されており、例えば、基材上の絶縁層内に形成されている。絶縁層の表面上には、スキャン配線１１２の他に、例えば、必要に応じて、ブラックが設けられている。ブラックは、コントラストを高めるためのものであり、光吸収性の材料によって構成されている。ブラックは、例えば、絶縁層の表面のうち少なくともパッド電極４２０の非形成領域に形成されている。なお、ブラックは、必要に応じて省略することも可能である。
データ配線１１１とスキャン配線１１２との交差部分の近傍が表示画素１１３となっており、複数の表示画素１１３が表示領域１１０Ａ内においてマトリクス状に配置されている。各表示画素１１３には、例えば、図７に示したように、複数の発光素子１０を含む発光装置１Ａが実装されている。なお、図７には、３つの発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）で１つの表示画素１１３が構成されており、発光素子１０Ｒから赤色の光を、発光素子１０Ｇから緑色の光を、発光素子１０Ｂから青色の光をそれぞれ出力することができるようになっている場合が例示されている。
上記のように、発光装置１Ａには、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに一対の端子電極２１Ａ，２１Ｂが設けられている。そして、一方の端子電極２１Ａが、例えば、データ配線１１１に電気的に接続されており、他方の端子電極２１Ｂが、例えば、スキャン配線１１２に電気的に接続されている。例えば、端子電極２１Ａは、データ配線１１１に設けられた分枝１１１Ａの先端のパッド電極４２０に電気的に接続されている。また、例えば、端子電極２１Ｂは、スキャン配線１１２に設けられた分枝１１２Ａの先端のパッド電極４２０に電気的に接続されている。
各パッド電極４２０は、例えば、最表層に形成されており、例えば、図７に示したように、各発光装置１Ａが実装される部位に設けられている。ここで、パッド電極４２０は、例えば、Ａｕ（金）等の導電性材料からなる。
実装基板１１０−１には、さらに、例えば、実装基板１１０−１と透明基板１１０−２との間の間隔を規制する複数の支柱（図示せず）が設けられている。支柱は、表示領域１１０Ａとの対向領域内に設けられていてもよいし、フレーム領域２１０Ｂとの対向領域内に設けられていてもよい。
透明基板１１０−２は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板等からなる。透明基板１１０−２において、発光装置１Ａ側の表面は平坦となっていてもよいが、粗面となっていることが好ましい。粗面は、表示領域１１０Ａとの対向領域全体に渡って設けられていてもよいし、表示画素１１３との対向領域にだけ設けられていてもよい。粗面は、発光素子１０から発せられた光が当該粗面に入射したときに入射光を散乱させる程度に細かな凹凸を有している。粗面の凹凸は、例えば、サンドブラストや、ドライエッチング等によって作製可能である。
駆動回路は、映像信号に基づいて複数の表示画素１１３を駆動するものである。駆動回路は、例えば、表示画素１１３に接続されたデータ配線１１１を駆動するデータドライバと、表示画素１１３に接続されたスキャン配線１１２を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板１１０−１上に実装されていてもよいし、表示パネル１１０とは別体で設けられ、且つ、配線（図示せず）を介して実装基板１１０−１と接続されていてもよい。
（１−３．作用・効果）
前述したように、近年、軽量で薄型のディスプレイとして、発光ダイオード（ＬＥＤ）を表示画素に用いたＬＥＤディスプレイが注目されている。
一般に、発光素子としてＬＥＤが搭載される基板構造では、基板の表面には樹脂によって覆われた配線層が形成されている。発光素子として、上面および下面にそれぞれ電極を有するＬＥＤをその基板に搭載する場合、上面に設けられた電極（上部電極）と電気的に接続される端子電極は、下面に設けられた電極（下部電極）との短絡を防ぐためにＬＥＤから離れた位置に配置される。このため、ＬＥＤの上部電極および下部電極とそれぞれ電気的に接続される２つの端子電極の間には、基板上に設けられた樹脂が露出した領域が形成される。この露出した樹脂部分にＬＥＤから出射された光（特に、青色光）が照射されると、樹脂が劣化し、短絡等を引き起こす虞がある。特に、ＬＥＤの上部電極と基板上の端子電極とを幅広な配線を用いて接続した場合、ＬＥＤから出射された光は、その配線によって基板側に反射され、基板上の樹脂は劣化しやすくなる。
これに対して、本実施の形態では、基板３１と発光素子１０との間に遮光層３２を形成するようにした。これにより、発光素子１０から出射された光や、第２電極１５と端子電極２１Ｂとを接続する配線２２によって反射された反射光による基板３１の劣化を低減することが可能となる。
以上のように、本実施の形態における発光装置１では、基板３１と発光素子１０との間に遮光層３２を形成するようにしたので、発光素子１０から出射された光や、第２電極１５と端子電極２１Ｂとを接続する配線２２によって反射された反射光による基板３１の劣化が低減される。よって、発光装置１およびこれを備えた表示装置１００の信頼性を向上させることが可能となる。
また、発光素子１０からの光漏れをある程度許容することが可能となるため、発光素子１０として、より発光効率の高い発光素子を用いることが可能となる。よって、発光素子の構造の自由度が向上すると共に、より輝度の高い表示装置を提供することが可能となる。
次に、本開示の第２の実施の形態および変形例について説明する。なお、上記実施の形態の発光装置１に対応する構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
＜２．第２の実施の形態＞
図８は、本開示の第２の実施の形態に係る発光装置（発光装置２）の断面構成を模式的に表したものである。発光装置２は、上記第１の実施の形態と同様に、例えば、ＬＥＤディスプレイと呼ばれる表示装置の表示画素として好適に適用可能なものである。本実施の形態の発光装置２は、例えば、基板３１上に配置された発光素子１０と基板３１との間に設けられる遮光層４２が、金属膜によって構成されている点が上記第１の実施の形態とは異なる。
発光装置２は、基板３１と対向する第１面（下面、面Ｓ１）および第１面Ｓ１とは反対側の第２面（上面、面Ｓ２）に、それぞれ、第１電極１４および第２電極１５を有する発光素子１０が、例えば、端子電極２１を介して基板３１上に搭載された構成を有する。端子電極２１は、所定の間隙を介して配置されると共に、互いに電気的に分離されている端子電極２１Ａおよび端子電極２１Ｂを有し、端子電極２１Ａは第１電極１４と、端子電極２１Ｂは第２電極１５と、それぞれ、電気的に接続されている。本実施の形態では、基板３１上に遮光層４２が形成されており、基板３１上には、さらに、遮光層４２を覆うように絶縁層４３が形成された構成を有する。
遮光層４２は、基板３１上の一部または全面に形成されており、例えば、金属膜によって構成されている。金属膜の材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、ＴｉＷ等のＴｉ合金、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｌ合金、金（Ａｕ）、Ａｕ合金、銅（Ｃｕ）、Ｃｕ合金、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）および白金（Ｐｔ）等が挙げられ、遮光層４２は、これらの単層膜あるいは積層膜によって形成されている。遮光層４２の膜厚は、発光素子から出射される光を遮光できればよく、例えば、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。遮光層４２は、図８に示したように、少なくとも端子電極２１Ａと端子電極２１Ｂとの間隙に対応する位置に設けられていることが望ましい。遮光層４２を基板３１上の全面に設ける場合には、発光素子１０と対向する領域（発光素子１０の形成領域）の内側、例えば、第１電極１４の開口１４Ｈと対向する位置に開口を設けることが好ましい。これにより、発光素子１０を、例えば光硬化性樹脂を用いて基板３１上に保持する際に、基板３１側からの光照射が可能となる。
絶縁層４３は、端子電極２１Ａ，２１Ｂと遮光層４２とを電気的に絶縁するためのものである。絶縁層４３は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、またはＡｌ２Ｏ３からなる。絶縁層４３の膜厚は特に問わないが、例えば、２００ｎｍ以上厚いことが好ましく、例えば、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
以上のように、本実施の形態では、遮光層４２を、金属膜を用いて構成するようにした。このように、遮光層４２を、金属膜を用いて構成した場合も、上記第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
また、本実施の形態では、遮光層４２を、端子電極２１Ａと端子電極２１Ｂとの間隙に対応する位置にのみ形成するようにしたので、発光素子１０が搭載される基板３１の表面の凹凸を低減することが可能となる。
＜３．変形例＞
図９は、本開示の変形例に係る発光装置（発光装置３）の断面構成を模式的に表したものである。本変形例の発光装置３は、基板３１と発光素子１０との間の接着剤２３を、発光素子１０の第１電極１４の側面および端子電極２１Ａの側面および上面を連続して覆うように延在させた点が上記第１および第２の実施の形態とは異なる。このように、基板３１上の発光素子１０および端子電極２１Ａの周囲まで接着剤２３を延在させることで、発光素子１０をより強固に基板３１上に保持することが可能となる。
以上、第１および第２の実施の形態および変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
例えば、本技術は、本実施の形態の発光装置１（および発光装置１Ａ）ならびに表示装置１００の構造に限定されず、例えば、パッケージ構造を有する発光装置１Ａを基板３１上にはんだを用いて接合するような場合にも適用することができる。例えば、発光装置１Ａと基板３１とをはんだを用いて接合する際には、はんだ粒子を含んだ熱硬化性樹脂を用いて発光装置１Ａと基板３１との接合を強化する場合がある。その場合、感光性樹脂が発光素子１０の下部に残る。そのような構造では、遮光層をパッケージ側に設けることで、感光性樹脂の劣化を低減することが可能となる。
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
なお、本開示は以下のような構成をとることも可能である。
（１）
基板と、
前記基板上に配置されると共に、上面および下面にそれぞれ電極を有する発光素子と、
前記基板と前記発光素子との間に設けられた遮光層と
を備えた発光装置。
（２）
前記遮光層は波長選択性を有し、前記発光素子から出射される発光波長以外の波長を透過する、前記（１）に記載の発光装置。
（３）
前記遮光層は、前記発光素子から出射される発光波長および前記発光波長の前後５０ｎｍを除く波長を透過する、前記（１）または（２）に記載の発光装置。
（４）
前記遮光層は、互いに異なる屈折率を有する複数の層が交互に積層された光反射層である、前記（１）乃至（３）のうちのいずれかに記載の発光装置。
（５）
前記遮光層は金属膜である、前記（１）乃至（３）のうちのいずれかに記載の発光装置。
（６）
前記金属膜は、前記発光素子との対向領域の内側に開口を有する、前記（５）に記載の発光装置。
（７）
さらに、前記遮光層と前記発光素子との間に、前記発光素子の電極と電気的に接続されている複数の端子電極を有し、
前記複数の端子電極のうちの一の端子電極は、前記発光素子の上部に設けられた電極と、前記発光素子の側面から離れた位置に配置された導電線を介して電気的に接続されている、前記（１）乃至（６）のうちのいずれかに記載の発光装置。
（８）
前記一の端子電極は、前記基板上における前記発光素子との対向領域の外側に配置され、前記複数の端子電極を構成する他の端子電極との間に間隙を有する、前記（７）に記載の発光装置。
（９）
前記遮光層は、少なくとも、前記一の端子電極と前記他の端子電極との間の間隙に対応する位置に設けられている、前記（８）に記載の発光装置。
（１０）
前記他の端子電極は、前記発光素子との対向領域の内側に開口を有する、前記（８）または（９）に記載の発光装置。
（１１）
前記発光素子は、絶縁体によって埋め込まれている、前記（１）乃至（１０）のうちのいずれかに記載の発光装置。
（１２）
前記絶縁体には、前記発光素子と共に、互いに異なる波長を出射する１以上の発光素子が埋め込まれている、前記（１１）に記載の発光装置。
（１３）
複数の画素を有する表示パネルと、
映像信号部に基づいて前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備え、
前記表示パネルに含まれる複数の画素は、基板上に実装された複数の発光装置からなり、
前記発光装置は、
基板と、
前記基板上に配置されると共に、上面および下面にそれぞれ電極を有する発光素子と、
前記基板と前記発光素子との間に設けられた遮光層と
を有する表示装置。
１，２，３…発光装置、１０…発光素子、１１…第１導電型層、１２…活性層、１３…第２導電型層、１４…第１電極、１５…第２電極、２１，２１Ａ，２１Ｂ…端子電極、２２…配線、２３…接着剤、３０…絶縁体、３１…基板、３２，４２…遮光層、４３…絶縁層、４４…樹脂膜、１００…表示装置。

Claims (13)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置されると共に、上面および下面にそれぞれ電極を有する発光素子と、
    前記基板と前記発光素子との間に設けられた遮光層と
    を備えた発光装置。
  2. 前記遮光層は波長選択性を有し、前記発光素子から出射される発光波長以外の波長を透過する、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記遮光層は、前記発光素子から出射される発光波長および前記発光波長の前後５０ｎｍを除く波長を透過する、請求項１に記載の発光装置。
  4. 前記遮光層は、互いに異なる屈折率を有する複数の層が交互に積層された光反射層である、請求項１に記載の発光装置。
  5. 前記遮光層は金属膜である、請求項１に記載の発光装置。
  6. 前記金属膜は、前記発光素子との対向領域の内側に開口を有する、請求項５に記載の発光装置。
  7. さらに、前記遮光層と前記発光素子との間に、前記発光素子の電極と電気的に接続されている複数の端子電極を有し、
    前記複数の端子電極のうちの一の端子電極は、前記発光素子の上部に設けられた電極と、前記発光素子の側面から離れた位置に配置された導電線を介して電気的に接続されている、請求項１に記載の発光装置。
  8. 前記一の端子電極は、前記基板上における前記発光素子との対向領域の外側に配置され、前記複数の端子電極を構成する他の端子電極との間に間隙を有する、請求項７に記載の発光装置。
  9. 前記遮光層は、少なくとも、前記一の端子電極と前記他の端子電極との間の間隙に対応する位置に設けられている、請求項８に記載の発光装置。
  10. 前記他の端子電極は、前記発光素子との対向領域の内側に開口を有する、請求項８に記載の発光装置。
  11. 前記発光素子は、絶縁体によって埋め込まれている、請求項１に記載の発光装置。
  12. 前記絶縁体には、前記発光素子と共に、互いに異なる波長を出射する１以上の発光素子が埋め込まれている、請求項１１に記載の発光装置。
  13. 複数の画素を有する表示パネルと、
    映像信号部に基づいて前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備え、
    前記表示パネルに含まれる複数の画素は、基板上に実装された複数の発光装置からなり、
    前記発光装置は、
    基板と、
    前記基板上に配置されると共に、上面および下面にそれぞれ電極を有する発光素子と、
    前記基板と前記発光素子との間に設けられた遮光層と
    を有する表示装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112018227A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
US20220199857A1 (en) * 2020-12-17 2022-06-23 Seoul Viosys Co., Ltd. Unit pixel and displaying apparatus including the unit pixel
CN114823761A (zh) * 2021-01-27 2022-07-29 群创光电股份有限公司 显示装置
WO2022176906A1 (ja) * 2021-02-18 2022-08-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光装置および表示装置
TWI807909B (zh) * 2022-07-08 2023-07-01 宏齊科技股份有限公司 晶圓級全彩顯示裝置及其製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997048138A2 (en) 1996-06-11 1997-12-18 Philips Electronics N.V. Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices
JPH10190066A (ja) 1996-12-27 1998-07-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いたｌｅｄ表示装置
EP1658642B1 (en) 2003-08-28 2014-02-26 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP4160881B2 (ja) * 2003-08-28 2008-10-08 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法
JP2009194052A (ja) 2008-02-13 2009-08-27 Panasonic Corp 電子装置
JP2009212134A (ja) 2008-02-29 2009-09-17 Toshiba Corp 窒化アルミニウムパッケージ、発光装置、バックライトおよび照明装置
JP5241411B2 (ja) 2008-09-29 2013-07-17 京セラ株式会社 発光装置用基板、発光装置及び発光装置を用いた照明装置
JP5304605B2 (ja) 2009-11-13 2013-10-02 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法およびランプ、電子機器、機械装置
JP5388877B2 (ja) 2010-01-21 2014-01-15 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
KR101144351B1 (ko) * 2010-09-30 2012-05-11 서울옵토디바이스주식회사 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US9461023B2 (en) 2011-10-28 2016-10-04 Bridgelux, Inc. Jetting a highly reflective layer onto an LED assembly
JP5652252B2 (ja) 2011-02-24 2015-01-14 ソニー株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
JP5754173B2 (ja) * 2011-03-01 2015-07-29 ソニー株式会社 発光ユニットおよび表示装置
CN104170102B (zh) 2012-02-02 2018-02-06 普瑞光电股份有限公司 在模制互连结构中封装仅具有顶侧连接的光子构建块
KR101992366B1 (ko) 2012-12-27 2019-06-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP6175952B2 (ja) 2013-07-19 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9673364B2 (en) 2013-07-19 2017-06-06 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
KR102123039B1 (ko) 2013-07-19 2020-06-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
JP6318495B2 (ja) 2013-08-07 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017183458A (ja) 2016-03-30 2017-10-05 ソニー株式会社 発光素子組立体及びその製造方法、並びに、表示装置
JP6668996B2 (ja) * 2016-07-29 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10243124B2 (en) * 2016-12-26 2019-03-26 Nichia Corporation Light emitting device
US10431723B2 (en) * 2017-01-31 2019-10-01 Apple Inc. Micro LED mixing cup

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