JP2019095670A - 異物除去方法、及び光検出装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を効果的に除去することができ、歩留まりを向上させる。【解決手段】一実施形態の異物除去方法は、互いに対向する第１積層体２２の少なくとも第１ミラー部３１を含む部分と第２積層体２４の少なくとも第２ミラー部３２を含む部分との間に空隙Ｓが形成されることで、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタ１を用意する工程と、第２積層体２４の表面２４ａに付着した異物Ｆを検出する工程と、検出された異物Ｆの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第２積層体２４の表面２４ａに吹き付けることにより、第２積層体２４の表面２４ａから異物Ｆを除去する工程と、を含む。【選択図】図１４

Description

本発明の一側面は、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を除去する異物除去方法、及び光検出装置の製造方法に関する。

従来のファブリペロー干渉フィルタとして、基板と、基板上において空隙を介して互いに対向する固定ミラー及び可動ミラーと、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特表２０１３−５０６１５４号公報

ファブリペリー干渉フィルタは、メンブレン状で比較的脆弱な可動ミラーを有しているため、可動ミラーの変形又は破損等が懸念される方式による異物除去は、基本的に試みられていない。このため、表面に異物が付着しただけのファブリペロー干渉フィルタが不良品として扱われる場合があり、歩留まりの向上が阻害されていた。

そこで、本発明の一側面は、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を効果的に除去することができ、歩留まりを向上させることができる異物除去方法、及び光検出装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る異物除去方法は、互いに対向する第１表面及び第２表面を有する基板と、第１表面に配置された第１ミラー部を有する第１積層体と、第１ミラー部上に配置された第２ミラー部を有する第２積層体と、を備えるファブリペロー干渉フィルタであって、互いに対向する第１積層体の少なくとも第１ミラー部を含む部分と第２積層体の少なくとも第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する第１ミラー部と第２ミラー部との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタを用意する工程と、第２積層体の第１積層体とは反対側の表面に付着した異物を検出する工程と、検出された異物の位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第２積層体の表面に吹き付けることにより、第２積層体の表面から異物を除去する工程と、を含む。

本発明の一側面に係る異物除去方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタの第２積層体の表面に付着した異物を検出し、エアーの吹き付けによって当該異物を除去することができる。エアーの気流ピークの位置は、検出された異物の位置に基づいて調整されているため、当該エアーの吹き付けによって異物を適切に除去することができる。以上により、上記の異物除去方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を効果的に除去することができ、ファブリペロー干渉フィルタを歩留まり良く得ることができる。

ここで、ファブリペロー干渉フィルタでは、互いに対向する第１積層体の少なくとも第１ミラー部を含む部分と第２積層体の少なくとも第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されている。すなわち、第２積層体のうち第１ミラー部と第２ミラー部とが対向する方向から見て空隙と重なる部分（以下、単に「メンブレン部」という）は、いわゆるメンブレン構造を有しており、比較的脆弱な部分となっている。このため、従来、メンブレン部に負荷となる応力を生じさせ、メンブレン部の変形又は破損等が懸念される方式による異物除去は試みられておらず、異物が付着したファブリペロー干渉フィルタは、不良品として扱われることが多かった。しかし、本発明者らの鋭意研究の結果、エアーを吹き付ける方式であれば、メンブレン部に応力を生じさせる方法であるにもかかわらず、ファブリペロー干渉フィルタの特性に大きな影響を与えることなく、異物を除去することが可能であることが確認された。

異物を除去する工程において、気流ピークの位置は、異物の位置に合うように調整されてもよい。この場合、気流ピーク（すなわち、エアーの流速が最も大きい部分）が異物に直接当たることにより、異物をより確実に除去することができる。

第２積層体のうち、第１ミラー部と第２ミラー部とが互いに対向する方向から見て空隙と重なる部分には、第２積層体の表面から空隙に至る複数の貫通孔が形成されており、異物を除去する工程において、少なくとも第２積層体の表面のうち複数の貫通孔が形成された領域にエアーを吹き付けてもよい。この場合、第２積層体の表面に吹き付けられたエアーを、複数の貫通孔を介して空隙内に侵入させることができる。空隙内に侵入したエアーは、空隙内に新たに侵入してくるエアーによって押し出されるようにして、空隙内に新たに侵入してくるエアーが流通する貫通孔とは異なる貫通孔を介して第２積層体の表面側へと排出される。このようにして空隙から外側に排出されるエアーによって、第２積層体の表面に付着した異物を吹き上げることができる。これにより、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物をより一層効果的に除去することができる。

ファブリペロー干渉フィルタを用意する工程においては、複数のファブリペロー干渉フィルタが二次元に連結されたウェハが用意され、異物を検出する工程及び異物を除去する工程は、ウェハを構成するファブリペロー干渉フィルタに対して実施されてもよい。この場合、ウェハを構成するファブリペロー干渉フィルタに異物が付着している場合に、当該異物をエアーの吹き付けにより除去することができる。これにより、ウェハを構成する複数のファブリペロー干渉フィルタのそれぞれを検査する場合に、異物が付着したファブリペロー干渉フィルタを直ちに不良と判定することなく、異物が除去されたファブリペロー干渉フィルタを良品として後工程に回すことができる。したがって、ファブリペロー干渉フィルタの歩留まりを向上させることができる。

ファブリペロー干渉フィルタを用意する工程においては、個片化されたファブリペロー干渉フィルタが用意されてもよい。例えば、複数のファブリペロー干渉フィルタを含むウェハを構成するファブリペロー干渉フィルタに対してエアーの吹き付けによる異物除去を行った場合、当該異物が当該ウェハを構成する他のファブリペロー干渉フィルタ上に飛散し、当該他のファブリペロー干渉フィルタに悪影響を及ぼすおそれがある。一方、上記のようにファブリペロー干渉フィルタが個片化された段階で、当該ファブリペロー干渉フィルタに対してエアーの吹き付けによる異物除去を行うことにより、上述したような他のファブリペロー干渉フィルタへの悪影響の発生を防止することができる。

本発明の一側面に係る光検出装置の製造方法は、光を入射させる開口が形成されたキャップ及びキャップに接合されるステムを有するパッケージと、パッケージ内に配置されたファブリペロー干渉フィルタと、パッケージ内に配置され、ファブリペロー干渉フィルタを透過した光を検出する光検出器と、を備える光検出装置の製造方法であって、ファブリペロー干渉フィルタは、互いに対向する第１表面及び第２表面を有する基板と、第１表面に配置された第１ミラー部を有する第１積層体と、第１ミラー部上に配置された第２ミラー部を有する第２積層体と、を備え、互いに対向する第１積層体の少なくとも第１ミラー部を含む部分と第２積層体の少なくとも第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する第１ミラー部と第２ミラー部との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタであり、製造方法は、ファブリペロー干渉フィルタ及び光検出器が固定されたステムを用意する工程と、ステムに対して固定されたファブリペロー干渉フィルタの第２積層体の第１積層体とは反対側の表面に付着した異物を検出する工程と、検出された異物の位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第２積層体の表面に吹き付けることにより、第２積層体の表面から異物を除去する工程と、異物を除去する工程の後に、ステムにキャップを接合する工程と、を含む。

この光検出装置の製造方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタ及び光検出器がステムに対して固定された状態において、ファブリペロー干渉フィルタの第２積層体の表面に付着した異物を検出し、エアーの吹き付けによって当該異物を除去することができる。すなわち、光検出装置が得られる直前の状態においてファブリペロー干渉フィルタに付着した異物の検出及び除去を適切に実施することができる。ここで、光検出装置の組立作業は、清浄度の高いクリーンルーム内で行われるとは限らないため、当該組立作業時において、ファブリペロー干渉フィルタの表面に異物が付着する可能性が比較的高まる可能性がある。上記の製造方法によれば、光検出装置の製造工程の最終段階において、ファブリペロー干渉フィルタの特性に大きな影響を与えることなく、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を除去することができる。これにより、最終製品である光検出装置の良品率を向上させることができ、光検出装置を歩留まり良く得ることができる。

本発明の他の側面に係る光検出装置の製造方法は、蓋基板及び蓋基板に接合される支持体を有するパッケージと、パッケージ内に配置されたファブリペロー干渉フィルタと、パッケージ内に配置され、ファブリペロー干渉フィルタを透過した光を検出する光検出器と、を備える光検出装置の製造方法であって、ファブリペロー干渉フィルタは、互いに対向する第１表面及び第２表面を有する基板と、第１表面に配置された第１ミラー部を有する第１積層体と、第１ミラー部上に配置された第２ミラー部を有する第２積層体と、を備え、互いに対向する第１積層体の少なくとも第１ミラー部を含む部分と第２積層体の少なくとも第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する第１ミラー部と第２ミラー部との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタであり、製造方法は、一次元又は二次元に配置された複数のファブリペロー干渉フィルタと、複数のファブリペロー干渉フィルタに対応して設けられた複数の光検出器と、複数のファブリペロー干渉フィルタ及び複数の光検出器を支持する支持層であって、複数の支持体に切断される予定の支持層と、を用意する工程と、複数のファブリペロー干渉フィルタの各々について、第２積層体の第１積層体とは反対側の表面に付着した異物を検出する工程と、検出された異物の位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第２積層体の表面に吹き付けることにより、第２積層体の表面から異物を除去する工程と、異物を除去する工程の後に、複数の前記蓋基板に切断される予定の蓋基板層を支持層に接合することにより、一次元又は二次元に連結された複数の光検出装置を得る工程と、蓋基板層と支持層とが接合された部分を切断することにより、個々の光検出装置を得る工程と、を含む。

この光検出装置の製造方法によれば、複数のファブリペロー干渉フィルタが支持層に支持された状態において、各ファブリペロー干渉フィルタの第２積層体の表面に付着した異物を検出し、エアーの吹き付けによって当該異物を除去することができる。すなわち、光検出装置が得られる直前の状態において、各ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物の検出及び除去を適切に実施することができる。よって、本製造方法によれば、上述した光検出装置の製造方法と同様の効果が得られる。

複数の光検出装置を得る工程においては、複数の開口が予め形成された蓋基板層を、複数の開口の各々が複数のファブリペロー干渉フィルタの各々に対向するように、支持層に接合してもよい。この場合、複数の開口が予め形成された蓋基板層を用いることにより、光を入射させるための開口が蓋基板に形成された光検出装置を、蓋基板層及び支持層の切断後に直ちに得ることができる。これにより、切断後に個々の光検出装置の蓋基板に開口を形成するための工程を不要とすることができる。

本発明の一側面によれば、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を効果的に除去することができ、歩留まりを向上させることができる異物除去方法、及び光検出装置の製造方法を提供することができる。

一実施形態のウェハから切り出されたファブリペロー干渉フィルタの平面図である。 図１に示されるファブリペロー干渉フィルタの底面図である。 図１に示されるIII−III線に沿ってのファブリペロー干渉フィルタの断面図である。 一実施形態のウェハから切り出されたダミーフィルタの断面図である。 一実施形態のウェハの平面図である。 図５に示されるウェハの一部の拡大平面図である。 図５に示されるウェハのファブリペロー干渉フィルタ部及びダミーフィルタ部の断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 一実施形態の異物除去方法が実施される異物除去装置の概略構成図である。 ファブリペロー干渉フィルタの特性（フィルタ制御電圧に対するピーク透過波長）のエアブロー前後の比較結果を示すグラフである。 ファブリペロー干渉フィルタの特性（ピーク透過波長に対する波長分解能）のエアブロー前後の比較結果を示すグラフである。 図５に示されるウェハからファブリペロー干渉フィルタを切り出す方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハからファブリペロー干渉フィルタを切り出す方法を説明するための断面図である。 第１実施形態の光検出装置の断面図である。 図１９に示される光検出装置の製造方法を説明するための断面図である。 第２実施形態の光検出装置の断面図である。 図２１に示される光検出装置の平面図である。 図２１に示される光検出装置の製造方法を説明するための断面図である。 図２１に示される光検出装置の製造方法を説明するための断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［ファブリペロー干渉フィルタ及びダミーフィルタの構成］

一実施形態の異物除去方法及び光検出装置の製造方法の説明に先立って、ウェハから切り出されたファブリペロー干渉フィルタ及びダミーフィルタの構成について説明する。

図１、図２及び図３に示されるように、ファブリペロー干渉フィルタ１は、基板１１を備えている。基板１１は、互いに対向する第１表面１１ａ及び第２表面１１ｂを有している。第１表面１１ａには、反射防止層２１、第１積層体２２、中間層２３及び第２積層体２４が、この順序で積層されている。第１積層体２２と第２積層体２４との間には、枠状の中間層２３によって空隙（エアギャップ）Ｓが画定されている。

第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合（平面視）における各部の形状及び位置関係は、次の通りである。基板１１の外縁は、例えば矩形状である。基板１１の外縁及び第２積層体２４の外縁は、互いに一致している。反射防止層２１の外縁、第１積層体２２の外縁及び中間層２３の外縁は、互いに一致している。基板１１は、中間層２３の外縁よりも空隙Ｓの中心に対して外側に位置する外縁部１１ｃを有している。外縁部１１ｃは、例えば、枠状であり、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に中間層２３を囲んでいる。空隙Ｓは、例えば円形状である。

ファブリペロー干渉フィルタ１は、その中央部に画定された光透過領域１ａにおいて、所定の波長を有する光を透過させる。光透過領域１ａは、例えば円柱状の領域である。基板１１は、例えば、シリコン、石英又はガラス等からなる。基板１１がシリコンからなる場合には、反射防止層２１及び中間層２３は、例えば、酸化シリコンからなる。中間層２３の厚さは、例えば、数十ｎｍ〜数十μｍである。

第１積層体２２のうち光透過領域１ａに対応する部分は、第１ミラー部３１として機能する。第１ミラー部３１は、固定ミラーである。第１ミラー部３１は、反射防止層２１を介して第１表面１１ａに配置されている。第１積層体２２は、複数のポリシリコン層２５と複数の窒化シリコン層２６とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、ポリシリコン層２５ａ、窒化シリコン層２６ａ、ポリシリコン層２５ｂ、窒化シリコン層２６ｂ及びポリシリコン層２５ｃが、この順で反射防止層２１上に積層されている。第１ミラー部３１を構成するポリシリコン層２５及び窒化シリコン層２６のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の１／４の整数倍であることが好ましい。なお、第１ミラー部３１は、反射防止層２１を介することなく第１表面１１ａ上に直接に配置されてもよい。

第２積層体２４のうち光透過領域１ａに対応する部分は、第２ミラー部３２として機能する。第２ミラー部３２は、可動ミラーである。第２ミラー部３２は、第１ミラー部３１に対して基板１１とは反対側において空隙Ｓを介して第１ミラー部３１と対向している。第１ミラー部３１と第２ミラー部３２とが互いに対向する方向は、第１表面１１ａに垂直な方向に平行である。第２積層体２４は、反射防止層２１、第１積層体２２及び中間層２３を介して第１表面１１ａに配置されている。第２積層体２４は、複数のポリシリコン層２７と複数の窒化シリコン層２８とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、ポリシリコン層２７ａ、窒化シリコン層２８ａ、ポリシリコン層２７ｂ、窒化シリコン層２８ｂ及びポリシリコン層２７ｃが、この順で中間層２３上に積層されている。第２ミラー部３２を構成するポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の１／４の整数倍であることが好ましい。

なお、第１積層体２２及び第２積層体２４では、窒化シリコン層の代わりに酸化シリコン層が用いられてもよい。また、第１積層体２２及び第２積層体２４を構成する各層の材料としては、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、シリコン、ゲルマニウム、硫化亜鉛等が用いられてもよい。また、ここでは、第１ミラー部３１の空隙Ｓ側の表面（ポリシリコン層２５ｃの表面）と、第２ミラー部３２の空隙Ｓ側の表面（ポリシリコン層２７ａの表面）とは、空隙Ｓを介して直接的に対向している。ただし、第１ミラー部３１の空隙Ｓ側の表面、及び、第２ミラー部３２の空隙Ｓ側の表面に、（ミラーを構成しない）電極層、保護層等が形成されていてもよい。この場合、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２とは、それらの層を間に介在させた状態において、空隙Ｓを介して互いに対向することになる。換言すれば、このような場合であっても、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との空隙Ｓを介した対向は実現され得る。

第２積層体２４において空隙Ｓに対応する部分（第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に空隙Ｓと重なる部分）には、複数の貫通孔２４ｂが形成されている。各貫通孔２４ｂは、第２積層体２４の中間層２３とは反対側の表面２４ａから空隙Ｓに至っている。複数の貫通孔２４ｂは、第２ミラー部３２の機能に実質的に影響を与えない程度に形成されている。複数の貫通孔２４ｂは、エッチングによって中間層２３の一部を除去して空隙Ｓを形成するために用いられる。

第２積層体２４は、第２ミラー部３２に加えて、被覆部３３と、周縁部３４と、を更に有している。第２ミラー部３２、被覆部３３及び周縁部３４は、互いに同じ積層構造の一部を有し且つ互いに連続するように、一体的に形成されている。被覆部３３は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に第２ミラー部３２を囲んでいる。被覆部３３は、中間層２３の基板１１とは反対側の表面２３ａ、並びに、中間層２３の側面２３ｂ（外側の側面、つまり、空隙Ｓ側とは反対側の側面）、第１積層体２２の側面２２ａ及び反射防止層２１の側面２１ａを被覆しており、第１表面１１ａに至っている。すなわち、被覆部３３は、中間層２３の外縁、第１積層体２２の外縁及び反射防止層２１の外縁を被覆している。

周縁部３４は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に被覆部３３を囲んでいる。周縁部３４は、外縁部１１ｃにおける第１表面１１ａ上に位置している。周縁部３４の外縁は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に基板１１の外縁と一致している。周縁部３４は、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されている。すなわち、周縁部３４のうち外縁部１１ｃの外縁に沿う部分は、周縁部３４のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、周縁部３４は、第２積層体２４を構成するポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８の一部が除去されていることで薄化されている。周縁部３４は、被覆部３３に連続する非薄化部３４ａと、非薄化部３４ａを囲む薄化部３４ｂと、を有している。薄化部３４ｂにおいては、第１表面１１ａ上に直接に設けられたポリシリコン層２７ａ以外のポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８が除去されている。

第１表面１１ａから非薄化部３４ａの基板１１とは反対側の表面３４ｃまでの高さは、第１表面１１ａから中間層２３の表面２３ａまでの高さよりも低い。第１表面１１ａから非薄化部３４ａの表面３４ｃまでの高さは、例えば１００ｎｍ〜５０００ｎｍである。第１表面１１ａから中間層２３の表面２３ａまでの高さは、例えば５００ｎｍ〜２００００ｎｍである。薄化部３４ｂの幅（第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合における非薄化部３４ａの外縁と外縁部１１ｃの外縁との間の距離）は、基板１１の厚さの０．０１倍以上である。薄化部３４ｂの幅は、例えば５μｍ〜４００μｍである。基板１１の厚さは、例えば５００μｍ〜８００μｍである。

第１ミラー部３１には、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に光透過領域１ａを囲むように第１電極１２が形成されている。第１電極１２は、ポリシリコン層２５ｃに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第１ミラー部３１には、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に光透過領域１ａを含むように第２電極１３が形成されている。第２電極１３は、ポリシリコン層２５ｃに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に、第２電極１３の大きさは、光透過領域１ａの全体を含む大きさであることが好ましいが、光透過領域１ａの大きさと略同一であってもよい。

第２ミラー部３２には、第３電極１４が形成されている。第３電極１４は、空隙Ｓを介して第１電極１２及び第２電極１３と対向している。第３電極１４は、ポリシリコン層２７ａに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。

一対の端子１５は、光透過領域１ａを挟んで対向するように設けられている。各端子１５は、第２積層体２４の表面２４ａから第１積層体２２に至る貫通孔内に配置されている。各端子１５は、配線１２ａを介して第１電極１２と電気的に接続されている。各端子１５は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。

一対の端子１６は、光透過領域１ａを挟んで対向するように設けられている。各端子１６は、第２積層体２４の表面２４ａから第１積層体２２に至る貫通孔内に配置されている。各端子１６は、配線１３ａを介して第２電極１３と電気的に接続されていると共に、配線１４ａを介して第３電極１４と電気的に接続されている。端子１６は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。一対の端子１５が対向する方向と一対の端子１６が対向する方向とは、直交している（図１参照）。

第１積層体２２の表面２２ｂには、複数のトレンチ１７，１８が設けられている。トレンチ１７は、配線１３ａにおける端子１６との接続部分を囲むように環状に延在している。トレンチ１７は、第１電極１２と配線１３ａとを電気的に絶縁している。トレンチ１８は、第１電極１２の内縁に沿って環状に延在している。トレンチ１８は、第１電極１２と第１電極１２の内側の領域（第２電極１３）とを電気的に絶縁している。各トレンチ１７，１８内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。

第２積層体２４の表面２４ａには、トレンチ１９が設けられている。トレンチ１９は、端子１５を囲むように環状に延在している。トレンチ１９は、端子１５と第３電極１４とを電気的に絶縁している。トレンチ１９内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。

基板１１の第２表面１１ｂには、反射防止層４１、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４が、この順序で積層されている。反射防止層４１及び中間層４３は、それぞれ、反射防止層２１及び中間層２３と同様の構成を有している。第３積層体４２及び第４積層体４４は、それぞれ、基板１１を基準として第１積層体２２及び第２積層体２４と対称の積層構造を有している。反射防止層４１、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、基板１１の反りを抑制する機能を有している。

第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されている。すなわち、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４のうち外縁部１１ｃの外縁に沿う部分は、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に薄化部３４ｂと重なる部分において第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４の全部が除去されていることで薄化されている。

第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４には、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に光透過領域１ａを含むように開口４０ａが設けられている。開口４０ａは、光透過領域１ａの大きさと略同一の径を有している。開口４０ａは、光出射側に開口している。開口４０ａの底面は、反射防止層４１に至っている。

第４積層体４４の光出射側の表面には、遮光層４５が形成されている。遮光層４５は、例えばアルミニウム等からなる。遮光層４５の表面及び開口４０ａの内面には、保護層４６が形成されている。保護層４６は、第３積層体４２、中間層４３、第４積層体４４及び遮光層４５の外縁を被覆すると共に、外縁部１１ｃ上の反射防止層４１を被覆している。保護層４６は、例えば酸化アルミニウムからなる。なお、保護層４６の厚さを１〜１００ｎｍ（好ましくは、３０ｎｍ程度）にすることで、保護層４６による光学的な影響を無視することができる。

以上のように構成されたファブリペロー干渉フィルタ１においては、一対の端子１５，１６を介して第１電極１２と第３電極１４との間に電圧が印加されると、当該電圧に応じた静電気力が第１電極１２と第３電極１４との間に発生する。当該静電気力によって、第２ミラー部３２が、基板１１に固定された第１ミラー部３１側に引き付けられ、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離が調整される。このように、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離が静電気力によって変化する。

ファブリペロー干渉フィルタ１を透過する光の波長は、光透過領域１ａにおける第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離に依存する。したがって、第１電極１２と第３電極１４との間に印加する電圧を調整することで、透過する光の波長を適宜選択することができる。このとき、第２電極１３は、第３電極１４と同電位である。したがって、第２電極１３は、光透過領域１ａにおいて第１ミラー部３１及び第２ミラー部３２を平坦に保つための補償電極として機能する。

ファブリペロー干渉フィルタ１では、例えば、ファブリペロー干渉フィルタ１に印加する電圧を変化させながら（すなわち、ファブリペロー干渉フィルタ１において第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離を変化させながら）、ファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａを透過した光を光検出器によって検出することで、分光スペクトルを得ることができる。

図４に示されるように、ダミーフィルタ２は、第２積層体２４に複数の貫通孔２４ｂが形成されていない点、及び中間層２３に空隙Ｓが形成されていない点で、上述したファブリペロー干渉フィルタ１と相違している。ダミーフィルタ２では、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に中間層２３が設けられている。つまり、第２ミラー部３２は、空隙Ｓ上に浮いておらず、中間層２３の表面２３ａに配置されている。
［ウェハの構成］

次に、一実施形態のウェハの構成について説明する。図５及び図６に示されるように、ウェハ１００は、基板層１１０を備えている。基板層１１０は、例えば、円板状の形状を呈しており、その一部にオリエンテーションフラットＯＦが形成されている。基板層１１０は、例えば、シリコン、石英又はガラス等からなる。以下、基板層１１０の厚さ方向から見た場合に基板層１１０の中心を通り且つオリエンテーションフラットＯＦに平行な仮想直線を第１直線３といい、基板層１１０の厚さ方向から見た場合に基板層１１０の中心を通り且つオリエンテーションフラットＯＦに垂直な仮想直線を第２直線４という。

ウェハ１００には、有効エリア１０１及びダミーエリア１０２が設けられている。ダミーエリア１０２は、基板層１１０の外縁１１０ｃ（すなわち、ウェハ１００の外縁１００ａ）に沿ったエリアである。有効エリア１０１は、ダミーエリア１０２の内側のエリアである。ダミーエリア１０２は、基板層１１０の厚さ方向から見た場合に有効エリア１０１を囲んでいる。ダミーエリア１０２は、有効エリア１０１に隣接している。

有効エリア１０１には、二次元に配置された複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが設けられている。複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａは、有効エリア１０１の全体に設けられている。ダミーエリア１０２には、二次元に配置された複数のダミーフィルタ部２Ａが設けられている。複数のダミーフィルタ部２Ａは、ダミーエリア１０２のうち一対のエリア１０２ａを除くエリアに設けられている。一方のエリア１０２ａは、オリエンテーションフラットＯＦに沿ったエリアである。他方のエリア１０２ａは、基板層１１０の外縁１１０ｃのうちオリエンテーションフラットＯＦとは反対側の部分に沿ったエリアである。有効エリア１０１とダミーエリア１０２との境界部分において、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａとダミーフィルタ部２Ａとは、隣接している。基板層１１０の厚さ方向から見た場合に、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの外形とダミーフィルタ部２Ａの外形とは、同一である。複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ及び複数のダミーフィルタ部２Ａは、互いに直交する第１直線３及び第２直線４のそれぞれについて対称となるように、配置されている。なお、複数のダミーフィルタ部２Ａは、ダミーエリア１０２の全体に設けられていてもよい。また、複数のダミーフィルタ部２Ａは、ダミーエリア１０２のうちいずれか一方のエリア１０２ａを除くエリアに設けられていてもよい。

複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａは、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数のファブリペロー干渉フィルタ１になる予定の部分である。複数のダミーフィルタ部２Ａは、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数のダミーフィルタ２になる予定の部分である。基板層１１０の厚さ方向から見た場合に、複数のライン５は、オリエンテーションフラットＯＦに平行な方向に沿うように延在しており、複数のライン５は、オリエンテーションフラットＯＦに垂直な方向に沿うように延在している。一例として、基板層１１０の厚さ方向から見た場合に各フィルタ部１Ａ，２Ａが矩形状を呈するときには、各フィルタ部１Ａ，２Ａは、二次元マトリックス状に配置され、複数のライン５は、隣り合うフィルタ部１Ａ，１Ａ間、隣り合うフィルタ部１Ａ，２Ａ間、及び隣り合うフィルタ部２Ａ，２Ａ間を通るように格子状に設定される。

図７の（ａ）は、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの断面図であり、図７の（ｂ）は、ダミーフィルタ部２Ａの断面図である。図７の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、基板層１１０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の基板１１になる予定の層である。基板層１１０は、互いに対向する第１表面１１０ａ及び第２表面１１０ｂを有している。基板層１１０の第１表面１１０ａには、反射防止層２１０が設けられている。反射防止層２１０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の反射防止層２１になる予定の層である。基板層１１０の第２表面１１０ｂには、反射防止層４１０が設けられている。反射防止層４１０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の反射防止層４１になる予定の層である。

反射防止層２１０上には、デバイス層２００が設けられている。デバイス層２００は、第１ミラー層２２０と、中間層２３０と、第２ミラー層２４０と、を有している。第１ミラー層２２０は、複数の第１ミラー部３１を有する層であって、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の第１積層体２２になる予定の層である。複数の第１ミラー部３１は、反射防止層２１０を介して基板層１１０の第１表面１１０ａに二次元に配置されている。中間層２３０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の中間層２３になる予定の層である。第２ミラー層２４０は、複数の第２ミラー部３２を有する層であって、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の第２積層体２４になる予定の層である。複数の第２ミラー部３２は、中間層２３を介して第１ミラー層２２０上に二次元に配置されている。

反射防止層４１０上には、応力調整層４００が設けられている。つまり、応力調整層４００は、反射防止層４１０を介して基板層１１０の第２表面１１０ｂに設けられている。応力調整層４００は、複数の層４２０，４３０，４４０を有している。層４２０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の第３積層体４２になる予定の層である。層４３０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の中間層４３になる予定の層である。層４４０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の第４積層体４４になる予定の層である。

応力調整層４００上には、遮光層４５０及び保護層４６０が設けられている。遮光層４５０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の遮光層４５になる予定の層である。保護層４６０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の保護層４６になる予定の層である。

図７の（ａ）に示されるように、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａでは、互いに対向する第１ミラー層２２０の少なくとも第１ミラー部３１を含む部分と第２ミラー層２４０の少なくとも第２ミラー部３２を含む部分との間に空隙Ｓが形成されている。つまり、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａでは、中間層２３が空隙Ｓを画定しており、第２ミラー部３２が空隙Ｓ上に浮いている。図１に示されるように、本実施形態では、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２とが互いに対向する方向（以下、単に「対向方向」という）から見た場合に、空隙Ｓは、光透過領域１ａよりも一回り大きい円形領域に形成されている。各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａには、上述したファブリペロー干渉フィルタ１の構成と同様に、第１電極１２、第２電極１３、第３電極１４、複数の端子１５，１６、及び開口４０ａ等に関する構成が設けられている。したがって、複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａがウェハ１００の状態のままであっても、一対の端子１５，１６を介して各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに電圧が印加されると、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離が静電気力によって変化する。

図７の（ｂ）に示されるように、各ダミーフィルタ部２Ａでは、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に中間層２３が設けられる。つまり、ダミーフィルタ部２Ａでは、中間層２３が空隙Ｓを画定しておらず、第２ミラー部３２が中間層２３の表面２３ａに配置されている。したがって、各ダミーフィルタ部２Ａには、上述したダミーフィルタ２の構成と同様に、第１電極１２、第２電極１３、第３電極１４、複数の端子１５，１６、及び開口４０ａ等に関する構成が設けられているものの、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離は変化しない。なお、各ダミーフィルタ部２Ａには、第１電極１２、第２電極１３、第３電極１４、複数の端子１５，１６（各端子１５，１６を構成するアルミニウム等の金属膜、各端子１５，１６を配置するための貫通孔等）、及び開口４０ａ等に関する構成が設けられていなくてもよい。

図６及び図７の（ａ）に示されるように、デバイス層２００には、基板層１１０とは反対側に開口する第１溝２９０が形成されている。第１溝２９０は、各ライン５に沿って形成されている。第１溝２９０は、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ及び各ダミーフィルタ部２Ａにおいて、第１ミラー部３１、中間層２３及び第２ミラー部３２を囲んでいる。各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａにおいて、第１ミラー部３１、中間層２３及び第２ミラー部３２は、環状に連続する第１溝２９０によって囲まれている。同様に、各ダミーフィルタ部２Ａにおいて、第１ミラー部３１、中間層２３及び第２ミラー部３２は、環状に連続する第１溝２９０によって囲まれている。隣り合うフィルタ部１Ａ，１Ａ、隣り合うフィルタ部１Ａ，２Ａ、及び隣り合うフィルタ部２Ａ，２Ａに着目すると、第１溝２９０は、一方のフィルタ部の周縁部３４及び他方のフィルタ部の周縁部３４上の領域に対応している。第１溝２９０は、有効エリア１０１及びダミーエリア１０２において繋がっており、対向方向から見た場合に基板層１１０の外縁１１０ｃに至っている。なお、第１溝２９０は、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ及び各ダミーフィルタ部２Ａにおいて、少なくとも第２ミラー部３２を囲んでいればよい。

図７の（ｂ）に示されるように、応力調整層４００には、基板層１１０とは反対側に開口する第２溝４７０が形成されている。第２溝４７０は、各ライン５に沿って形成されている。つまり、第２溝４７０は、第１溝２９０に対応するように形成されている。ここで、第２溝４７０が第１溝２９０に対応するとは、対向方向から見た場合に第２溝４７０が第１溝２９０と重なること意味する。したがって、第２溝４７０は、有効エリア１０１及びダミーエリア１０２において繋がっており、対向方向から見た場合に基板層１１０の外縁１１０ｃに至っている。
［ウェハの製造方法］

次に、ウェハ１００の製造方法について、図８〜図１３を参照して説明する。図８〜図１３において、（ａ）は、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分の断面図であり、（ｂ）は、ダミーフィルタ部２Ａに対応する部分の断面図である。

まず、図８に示されるように、基板層１１０の第１表面１１０ａに反射防止層２１０を形成すると共に、基板層１１０の第２表面１１０ｂに反射防止層４１０を形成する。続いて、各反射防止層２１０，４１０上に、複数のポリシリコン層及び複数の窒化シリコン層を交互に積層することで、反射防止層２１０上に第１ミラー層２２０を形成すると共に、反射防止層４１０上に層４２０を形成する。

第１ミラー層２２０を形成する際には、エッチングによって、反射防止層２１０の表面が露出するように、第１ミラー層２２０のうち各ライン５に沿った部分を除去する。また、不純物ドープによって、第１ミラー層２２０における所定のポリシリコン層を部分的に低抵抗化することで、基板１１に対応する部分ごとに、第１電極１２、第２電極１３及び配線１２ａ，１３ａを形成する。更に、エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、第１ミラー層２２０の表面にトレンチ１７，１８を形成する。

続いて、図９に示されるように、第１ミラー層２２０上、及び露出した反射防止層２１０の表面に、中間層２３０を形成すると共に、層４２０上に層４３０を形成する。各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分では、中間層２３０は、空隙Ｓ（図３参照）に対応する除去予定部５０を含んでいる。続いて、エッチングによって、基板層１１０の第１表面１１０ａが露出するように、中間層２３０及び反射防止層２１０のうち各ライン５に沿った部分を除去する。また、当該エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、中間層２３０のうち各端子１５，１６（図３参照）に対応する部分に空隙を形成する。

続いて、図１０に示されるように、基板層１１０の第１表面１１０ａ側及び第２表面１１０ｂ側のそれぞれにおいて、複数のポリシリコン層及び複数の窒化シリコン層を交互に積層することで、中間層２３０上、及び露出した基板層１１０の第１表面１１０ａに、第２ミラー層２４０を形成すると共に、層４３０上に層４４０を形成する。

第２ミラー層２４０を形成する際には、ライン５に沿って互いに対向する中間層２３０の側面２３０ａ、第１ミラー層２２０の側面２２０ａ及び反射防止層２１０の側面２１０ａを、第２ミラー層２４０で被覆する。また、不純物ドープによって、第２ミラー層２４０における所定のポリシリコン層を部分的に低抵抗化することで、基板１１に対応する部分ごとに、第３電極１４及び配線１４ａを形成する。

続いて、図１１に示されるように、エッチングによって、第２ミラー層２４０が含むポリシリコン層２７ａ（図３参照）（すなわち、最も第１表面１１０ａ側に位置するポリシリコン層）の表面が露出するように、第２ミラー層２４０のうち各ライン５に沿った部分を薄化する。また、当該エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、第２ミラー層２４０のうち各端子１５，１６（図３参照）に対応する部分に空隙を形成する。続いて、基板１１に対応する部分ごとに、当該空隙に各端子１５，１６を形成し、各端子１５と配線１２ａとを接続すると共に、各端子１６と配線１３ａ及び配線１４ａのそれぞれとを接続する。

ここまでで、基板層１１０の第１表面１１０ａに、反射防止層２１０及びデバイス層２００が形成されると共に、デバイス層２００に第１溝２９０が形成される。第１溝２９０は、デバイス層２００が各ライン５に沿って部分的に薄化された領域である。

続いて、図１２の（ａ）に示されるように、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分では、エッチングによって、第２積層体２４の表面２４ａから除去予定部５０に至る複数の貫通孔２４ｂを第２積層体２４に形成する。このとき、図１２の（ｂ）に示されるように、各ダミーフィルタ部２Ａに対応する部分では、複数の貫通孔２４ｂを第２積層体２４に形成しない。続いて、図１２に示されるように、層４４０上に遮光層４５０を形成する。続いて、エッチングによって、反射防止層４１０の表面が露出するように、遮光層４５０及び応力調整層４００（すなわち、層４２０，４３０，４４０）のうち各ライン５に沿った部分を除去する。また、当該エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、開口４０ａを形成する。続いて、遮光層４５０上、露出した反射防止層４１０の表面、及び開口４０ａの内面、第２溝４７０に臨む応力調整層４００の側面に、保護層４６０を形成する。

ここまでで、基板層１１０の第２表面１１０ｂに、反射防止層４１０、応力調整層４００、遮光層４５０及び保護層４６０が形成されると共に、応力調整層４００に第２溝４７０が形成される。第２溝４７０は、応力調整層４００が各ライン５に沿って部分的に薄化された領域である。

続いて、図１３の（ａ）に示されるように、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分では、複数の貫通孔２４ｂを介したエッチング（例えばフッ酸ガスを用いた気相エッチング）によって、中間層２３０から複数の除去予定部５０を一斉に除去する。これにより、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分では、基板１１に対応する部分ごとに、空隙Ｓを形成する。このとき、図１３の（ｂ）に示されるように、各ダミーフィルタ部２Ａに対応する部分では、複数の貫通孔２４ｂが第２積層体２４に形成されていないため、中間層２３０に空隙Ｓが形成されない。

以上により、有効エリア１０１においては、図７の（ａ）に示されるように、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に空隙Ｓが形成されることで、複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが構成される。一方、ダミーエリア１０２においては、図７の（ｂ）に示されるように、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に中間層２３が設けられることで、複数のダミーフィルタ部２Ａが構成される。
［検査装置及び異物除去方法］

次に、一実施形態の異物除去方法が実施される検査装置の構成について説明する。図１４に示されるように、検査装置５００は、ウェハ支持部５１０と、撮像部５２０と、ブローノズル５３０と、電磁弁５４０と、制御部５５０と、を備えている。ウェハ支持部５１０、撮像部５２０、及びブローノズル５３０は、箱（図示省略）内に配置されている。ここでは、検査装置５００の検査対象は、ウェハ１００である。検査装置５００は、一例として、ウェハ１００（具体的には、ウェハ１００の表面）における各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの外観検査を実施する機能と、外観検査において検出された異物をエアブローによって除去する機能と、を有している。

ウェハ支持部５１０は、ウェハ１００の対向方向（すなわち、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２とが互いに対向する方向）が基準線ＲＬに平行となるように、ウェハ１００を支持する。ウェハ支持部５１０は、例えば、基準線ＲＬに垂直な平面に沿って（少なくとも、当該平面に平行であり且つ互いに直交する２方向のそれぞれに沿って）移動可能に構成されたステージである。なお、ウェハ支持部５１０は、基準線ＲＬに平行なラインを中心線として回転可能に構成されていてもよい。なお、ウェハ支持部５１０に対する撮像部５２０の相対移動は、上記のようにウェハ支持部５１０の移動によって行われてもよいし、撮像部５２０の移動によって行われてもよいし、ウェハ支持部５１０及び撮像部５２０の両方の移動によって行われてもよい。ウェハ支持部５１０に対するブローノズル５３０の相対移動についても同様である。

撮像部５２０は、ウェハ支持部５１０によって支持されたウェハ１００（具体的には、ウェハ１００の表面）を撮像する。撮像部５２０は、例えば、観察用の光を基準線ＲＬに沿って出射し、ウェハ支持部５１０によって支持されたウェハ１００の表面で反射された光を検出して、撮像データを制御部５５０に出力するカメラである。撮像部５２０は、例えば１０倍以上の倍率で、ウェハ１００における各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａを撮像するように設定される。なお、撮像部５２０は、基準線ＲＬ上に配置されているが、例えば観察用の光の進行方向を変えるミラー部材が基準線ＲＬ上に配置されることにより、撮像部５２０は、基準線ＲＬ上とは異なる位置に配置されてもよい。

ブローノズル５３０は、撮像データに基づく画像処理によって異物Ｆが検出されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対して、電磁弁５４０から送り込まれた圧縮エアーを吹き付ける（ブローする）装置である。ブローノズル５３０は、比較的広い範囲を同時にブローすることが可能なエアーガンタイプのノズルであってもよいし、比較的狭い範囲をピンポイントでブローすることが可能なニードルタイプのノズルであってもよい。また、ブローノズル５３０により噴射されるエアーは、例えば、ドライエアー、静電気を除去可能な除電エアー、及び窒素（Ｎ２）等である。

電磁弁５４０は、図示しない空気タンクに接続されており、制御部５５０からの制御信号に基づいて、所定の空気圧に圧縮された圧縮エアーのブローノズル５３０への流通のＯＮ／ＯＦＦを切り替える。

制御部５５０は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。制御部５５０では、プロセッサが、メモリ等に読み込まれた所定のソフトウェア（プログラム）を実行し、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み等を制御することで、各種の機能が実現される。例えば、制御部５５０は、各部（ウェハ支持部５１０、撮像部５２０、ブローノズル５３０、及び電磁弁５４０）の動作を制御することで、後述する異物除去方法を実現する。

以上のように構成された検査装置５００では、制御部５５０によって各部の動作が制御されることで、以下のように、異物除去方法が実施される。まず、検査対象であるウェハ１００が用意され、ウェハ支持部５１０によって支持される。このとき、ウェハ１００は、対向方向が基準線ＲＬに平行となるようにウェハ支持部５１０によって支持される。

続いて、ウェハ支持部５１０によって支持されたウェハ１００における複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａのそれぞれの外観検査が実行される。具体的には、撮像部５２０によって撮像された画像（撮像データ）に基づいて、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの第２ミラー層２４０の第１ミラー層２２０とは反対側の表面（ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、表面２４ａになる部分）に付着した異物が検出される。上記の異物検出は、例えば以下のように実行される。まず、ウェハ支持部５１０によって支持されたウェハ１００が撮像部５２０によって撮像される。撮像部５２０によって撮像された撮像データは、制御部５５０に出力される。制御部５５０は、撮像部５２０の位置及び撮像データに対する画像処理を実行し、当該画像処理の結果に基づいて、撮像部５２０によって撮像されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの表面の外観異常（異物）を検出する。制御部５５０は、例えば、撮像部５２０によって撮像されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａと、予め記憶しているパターン画像（外観異常のないファブリペロー干渉フィルタ部の画像）とを比較することにより、撮像されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの表面に付着した異物を検出する。制御部５５０は、検出された異物の位置（或いは領域）を示す情報（例えば、座標情報（或いは座標の範囲によって一定の領域を示す情報））を記憶する。

制御部５５０は、上述のような画像処理（本実施形態では、パターン画像との比較）を実行する代わりに、検査装置５００が備えるディスプレイ（不図示）に撮像データを表示し、異物の有無をオペレータに目視で確認させてもよい。目視確認によって異物が発見された場合、オペレータは、例えば、検査装置５００が備えるキーボード等の入力装置（不図示）を用いて、撮像データにおける異物に対応する領域を指定する。この場合、制御部５５０は、オペレータによって指定された領域を示す情報を記憶すればよい。

続いて、制御部５５０は、検出された異物Ｆを除去するために、ブローノズル５３０及び電磁弁５４０の動作を制御する。

まず、制御部５５０は、検出された異物Ｆの位置に基づいて、ブローノズル５３０の位置を調整する。すなわち、制御部５５０は、ブローノズル５３０から排出されるエアーの気流ピークの位置を調整する。気流ピークとは、エアーの流速が最も大きい部分である。本実施形態では、ブローノズル５３０の先端部５３０ａから、ブローノズル５３０の延在方向に平行な方向Ｄに沿ってエアーが排出される。この場合、気流ピークの位置は、ブローノズル５３０の先端部５３０ａから方向Ｄに沿った直線上の位置となる。本実施形態では、制御部５５０は、ブローノズル５３０から排出されるエアーの気流ピークの位置が、異物Ｆの位置に合うように調整される。具体的には、制御部５５０は、ブローノズル５３０の先端部５３０ａから方向Ｄに沿った直線上の位置に異物Ｆが重なるように、ブローノズル５３０の位置及び姿勢を制御する。

続いて、制御部５５０は、電磁弁５４０の開閉動作を制御し、所定の空気圧の圧縮エアーを所定時間ブローノズル５３０に送り込ませる。これにより、ブローノズル５３０の先端部５３０ａからエアーが排出され、当該エアーによって異物Ｆを吹き飛ばすことによって異物Ｆを除去することができる。

なお、制御部５５０は、気流ピークの位置をあえて異物Ｆに重ならない位置に調整してもよい。例えば、異物Ｆがファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの第２ミラー層２４０のうち、対向方向から見て空隙Ｓと重なる部分（以下、単に「メンブレン部」という）上に存在する場合、制御部５５０は、メンブレン部上の異物Ｆが存在しない領域（複数の貫通孔２４ｂが形成された領域）にエアーが吹き付けられるように、ブローノズル５３０の位置及び姿勢を制御してもよい。この場合、第２ミラー層２４０の表面に吹き付けられたエアーを、複数の貫通孔２４ｂを介して空隙Ｓ内に侵入させることができる。空隙Ｓ内に侵入したエアーは、空隙Ｓ内に新たに侵入してくるエアーによって押し出されるようにして、空隙Ｓ内に新たに侵入してくるエアーが流通する貫通孔２４ｂとは異なる貫通孔２４ｂを介して第２ミラー層２４０の表面側へと排出される。このようにして空隙Ｓから外側に排出されるエアーによって、第２ミラー層２４０の表面に付着した異物Ｆを吹き上げることができる。

ここで、ブローノズル５３０が上述したエアーガンタイプのノズルである場合、異物Ｆの周辺（例えば、異物Ｆが付着しているファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの表面）だけでなく、その周辺（異物Ｆが付着しているファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ以外のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａを含むウェハ１００上の領域）についても、同じタイミングでブローすることができる。このため、エアーによって異物Ｆをウェハ１００から比較的遠い位置に吹き飛ばすことができ、ウェハ１００上の他のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの表面上に異物Ｆが再付着するおそれを低減できる。

一方、ブローノズル５３０が上述したニードルタイプのノズルである場合、異物Ｆ又は異物Ｆの周辺（例えば、異物Ｆが付着しているファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの表面）だけをピンポイントでブローすることが可能となる。この場合、例えば電磁弁５４０の動作異常が発生し、ブロー条件が極端に変化してしまう（例えば突発的にエアーが高圧になってしまう）ことがあったとしても、影響範囲を限定的にすることができるため、ウェハ１００全体に対する被害を最小限にすることができる。

次に、図１５及び図１６を参照して、本発明者らが行ったエアブロー前後のファブリペロー干渉フィルタの特性評価の結果について説明する。当該特性評価は、ファブリペロー干渉フィルタのメンブレン部に対して上述したブローノズル５３０によるエアブローを通常の異物除去に必要な量よりも過剰に行い、エアブロー前後のファブリペロー干渉フィルタの特性を比較することにより行われた。なお、当該特性評価は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで得られた個片化されたファブリペロー干渉フィルタ１に対して実施されたが、ウェハ１００におけるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａにエアブローを行う場合も同様の結果が得られると考えられる。

主な測定条件及び実施手順は以下の通りである。
＜測定条件＞
・ブローノズルのタイプ：ニードルタイプ
・ブローノズルのシリンジ容量：１０ｍｌ
・ブローノズルから排出されるエアーの圧力：０．５ＭＰａ
・ブロー時間：１ｍｓ
・ブローノズルの先端（ニードル先端）とファブリペロー干渉フィルタのメンブレン部表面との距離：１ｃｍ以下
＜実験手順＞
１．常温環境下において、サンプル（ファブリペロー干渉フィルタ１）を特性評価用の装置のステージにセットした。
２．エアブロー前の特性（フィルタ制御電圧に対するピーク透過波長、及びピーク透過波長に対する波長分解能）を測定した。
３．サンプルを取り外し、当該サンプルに対して上記測定条件に基づくエアブローを実施した。
４．常温環境下において、サンプルを再度ステージにセットした。
５．エアブロー後の特性（フィルタ制御電圧に対するピーク透過波長、及びピーク透過波長に対する波長分解能）を測定した。

図１５は、フィルタ制御電圧（すなわち、第１電極１２と第３電極１４との間の電圧）に対するピーク透過波長（光透過領域１ａを最も透過し易い波長）の関係を示している。図１５に示されるように、エアブロー前後で、ピーク透過波長の最大ずれ量（絶対値）は０．９ｎｍ程度であった。このずれ量の原因は、エアブローを行うためにサンプルをステージから１度取り外していること、及び測定環境による誤差等に起因する可能性が高いと考えられる。したがって、当該ずれ量は、許容レベルの誤差であり、エアブローがファブリペロー干渉フィルタの特性（フィルタ制御電圧に対するピーク透過波長の関係）に与える影響は、ほとんどなかったと考えられる。

図１６は、ピーク透過波長に対する波長分解能（ＦＷＨＭ）の関係を示している。図１６に示されるように、エアブロー前後で、同じピーク透過波長での波長分解能の差分は、最大でも０．３ｎｍ程度であった。すなわち、ファブリペロー干渉フィルタのメンブレン部に対するエアブローによって、ファブリペロー干渉フィルタの特性（ピーク透過波長に対する波長分解能の関係）はほとんど変化しないこと（十分許容可能な誤差の範囲に収まること）が確認された。
［ファブリペロー干渉フィルタの製造方法］

次に、ウェハ１００からファブリペロー干渉フィルタ１を切り出す方法（ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法）について、図１７及び図１８を参照して説明する。図１７及び図１８において、（ａ）は、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分の断面図であり、（ｂ）は、ダミーフィルタ部２Ａに対応する部分の断面図である。

まず、図１７に示されるように、保護層４６０上に（すなわち、第２表面１１０ｂ側に）エキスパンドテープ６０を貼り付ける。続いて、第２表面１１０ｂ側にエキスパンドテープ６０が貼り付けられた状態で、エキスパンドテープ６０とは反対側からレーザ光Ｌを照射し、レーザ光Ｌの集光点を基板層１１０の内部に位置させつつ、レーザ光Ｌの集光点を各ライン５に沿って相対的に移動させる。つまり、エキスパンドテープ６０とは反対側から、第１溝２９０において露出したポリシリコン層の表面を介して、基板層１１０にレーザ光Ｌを入射させる。

そして、このレーザ光Ｌの照射によって、各ライン５に沿って基板層１１０の内部に改質領域７を形成する。改質領域７は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域であって、基板層１１０の厚さ方向に伸展する亀裂の起点となる領域である。改質領域７としては、例えば、溶融処理領域（一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくとも何れか一つを意味する）、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域７としては、基板層１１０の材料において改質領域７の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域等がある。基板層１１０の材料が単結晶シリコンである場合、改質領域７は、高転位密度領域ともいえる。なお、各ライン５に対して基板層１１０の厚さ方向に配列される改質領域７の列数は、基板層１１０の厚さによって適宜調整される。

続いて、図１８に示されるように、第２表面１１０ｂ側に貼り付けられたエキスパンドテープ６０を拡張させることで、基板層１１０の内部に形成された改質領域７から基板層１１０の厚さ方向に亀裂を伸展させ、各ライン５に沿って基板層１１０を複数の基板１１に切断する。このとき、第１溝２９０において第２ミラー層２４０のポリシリコン層が各ライン５に沿って切断されると共に、第２溝４７０において反射防止層４１０及び保護層４６０が各ライン５に沿って切断される。これにより、エキスパンドテープ６０上において互いに離間した状態にある複数のファブリペロー干渉フィルタ１及び複数のダミーフィルタ２を得る。
［第１実施形態の光検出装置の構成］

次に、ファブリペロー干渉フィルタ１を備えた第１実施形態の光検出装置１０の構成について説明する。図１９に示されるように、光検出装置１０は、パッケージ７１を備えている。パッケージ７１は、ステム７２と、キャップ７３と、を有するＣＡＮパッケージである。キャップ７３は、側壁７４及び天壁７５によって一体的に構成されている。ステム７２及びキャップ７３は、金属材料によって形成されており、互いに気密に接合されている。金属材料によって形成されたパッケージ７１において、側壁７４の形状は、ライン９を中心線とする円筒状である。ステム７２及び天壁７５は、ライン９に平行な方向において互いに対向しており、側壁７４の両端をそれぞれ塞いでいる。

ステム７２の内面７２ａには、配線基板７６が固定されている。配線基板７６の基板材料としては、例えば、シリコン、セラミック、石英、ガラス、プラスチック等を用いることができる。配線基板７６には、光検出器（光検出部）７７、及びサーミスタ等の温度検出器（図示省略）が実装されている。光検出器７７は、ライン９上に配置されている。より具体的には、光検出器７７は、その受光部の中心線がライン９に一致するように配置されている。光検出器７７は、例えば、ＩｎＧａＡｓ等が用いられた量子型センサ、サーモパイル又はボロメータ等が用いられた熱型センサ等の赤外線検出器である。紫外、可視、近赤外の各波長域の光を検出する場合には、光検出器７７として、例えば、シリコンフォトダイオード等を用いることができる。なお、光検出器７７には、１つの受光部が設けられていてもよいし、或いは、複数の受光部がアレイ状に設けられていてもよい。更に、複数の光検出器７７が配線基板７６に実装されていてもよい。温度検出器は、ファブリペロー干渉フィルタ１の温度変化検出できるように、例えばファブリペロー干渉フィルタ１に近接した位置に配置されてもよい。

配線基板７６上には、複数のスペーサ７８が固定されている。各スペーサ７８の材料としては、例えば、シリコン、セラミック、石英、ガラス、プラスチック等を用いることができる。複数のスペーサ７８上には、ファブリペロー干渉フィルタ１が例えば接着剤によって固定されている。ファブリペロー干渉フィルタ１は、ライン９上に配置されている。より具体的には、ファブリペロー干渉フィルタ１は、光透過領域１ａの中心線がライン９に一致するように配置されている。なお、スペーサ７８は、配線基板７６に一体的に構成されていてもよい。また、ファブリペロー干渉フィルタ１は、複数のスペーサ７８によってではなく、１つのスペーサ７８によって支持されていてもよい。

ステム７２には、複数のリードピン８１が固定されている。より具体的には、各リードピン８１は、ステム７２との間の電気的な絶縁性及び気密性が維持された状態で、ステム７２を貫通している。各リードピン８１には、配線基板７６に設けられた電極パッド、光検出器７７の端子、温度検出器の端子、及びファブリペロー干渉フィルタ１の端子のそれぞれが、ワイヤ８２によって電気的に接続されている。なお、光検出器７７、温度検出器及びファブリペロー干渉フィルタ１は、配線基板７６を介して各リードピン８１に電気的に接続されていてもよい。例えば、それぞれの端子と配線基板７６に設けられた電極パッドとが電気的に接続され、電極パッドと各リードピン８１とがワイヤ８２によって接続されていてもよい。これにより、光検出器７７、温度検出器、及びファブリペロー干渉フィルタ１のそれぞれに対する電気信号の入出力等が可能である。

パッケージ７１には、開口７１ａが形成されている。より具体的には、開口７１ａは、その中心線がライン９に一致するようにキャップ７３の天壁７５に形成されている。ライン９に平行な方向から見た場合に、開口７１ａの形状は、円形状である。天壁７５の内面７５ａには、開口７１ａを塞ぐように光透過部材８３が配置されている。光透過部材８３は、天壁７５の内面７５ａに気密接合されている。光透過部材８３は、ライン９に平行な方向において互いに対向する光入射面８３ａ及び光出射面（内面）８３ｂ、並びに側面８３ｃを有している。光透過部材８３の光入射面８３ａは、開口７１ａにおいて天壁７５の外面と略面一となっている。光透過部材８３の側面８３ｃは、パッケージ７１の側壁７４の内面７４ａに接触している。つまり、光透過部材８３は、開口７１ａ内及び側壁７４の内面７４ａに至っている。このような光透過部材８３は、開口７１ａを下側にした状態でキャップ７３の内側にガラスペレットを配置し、そのガラスペレットを溶融させることで、形成される。つまり、光透過部材８３は、融着ガラスによって形成されている。

光透過部材８３の光出射面８３ｂには、接着部材８５によって、バンドパスフィルタ８４が固定されている。つまり、接着部材８５は、天壁７５の内面７５ａに接合された光透過部材８３を介して、天壁７５の内面７５ａに対してバンドパスフィルタ８４を固定している。バンドパスフィルタ８４は、光透過部材８３を透過した光のうち、光検出装置１０の測定波長範囲の光（所定の波長範囲の光であって、ファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａに入射させるべき光）を選択的に透過させる（すなわち、当該波長範囲の光のみを透過させる）。バンドパスフィルタ８４の形状は、四角形板状である。より具体的には、バンドパスフィルタ８４は、ライン９と平行な方向において互いに対向する光入射面８４ａ及び光出射面８４ｂ、並びに４つの側面８４ｃを有している。バンドパスフィルタ８４は、光透過性材料（例えば、シリコン、ガラス等）によって四角形板状に形成された光透過部材の表面に、誘電体多層膜（例えば、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５等の高屈折材料と、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２等の低屈折材料との組合せからなる多層膜）が形成されたものである。

接着部材８５は、バンドパスフィルタ８４の光入射面８４ａの全領域に配置された第１部分８５ａを有している。つまり、第１部分８５ａは、接着部材８５のうち、互いに対向する光透過部材８３の光出射面８３ｂとバンドパスフィルタ８４の光入射面８４ａとの間に配置された部分である。更に、接着部材８５は、ライン９に平行な方向から見た場合にバンドパスフィルタ８４の外縁から外側に突出した第２部分８５ｂを有している。第２部分８５ｂは、側壁７４の内面７４ａに至っており、側壁７４の内面７４ａに接触している。また、第２部分８５ｂは、バンドパスフィルタ８４の側面８４ｃに接触している。

以上のように構成された光検出装置１０においては、外部から、開口７１ａ、光透過部材８３及び接着部材８５を介して、光がバンドパスフィルタ８４に入射すると、所定の波長範囲の光が選択的に透過させられる。バンドパスフィルタ８４を透過した光がファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａに入射すると、所定の波長範囲の光のうち所定の波長の光が選択的に透過させられる。ファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａを透過した光は、光検出器７７の受光部に入射して、光検出器７７によって検出される。すなわち、光検出器７７は、ファブリペロー干渉フィルタ１を透過した光を電気信号に変換して出力する。例えば、光検出器７７は、受光部に入射される光の強度に応じた大きさの電気信号を出力する。
［第１実施形態の光検出装置の製造方法］

次に、光検出装置１０の製造方法について説明する。図２０に示されるように、まず、ファブリペロー干渉フィルタ１及び光検出器７７が固定されたステム７２が用意される。具体的には、キャップ７３が取り付けられる直前の状態の光検出装置１０の一部が用意される。例えば、一又は複数の上記ステム７２が、上述した外観検査及びエアブローを行うためのステージ（不図示）に載置される。

続いて、上述した検査装置５００による外観検査と同様の手法により、ステム７２に対して固定されたファブリペロー干渉フィルタ１の第２積層体２４の第１積層体２２とは反対側の表面２４ａに付着した異物Ｆを検出する。続いて、上述した検査装置５００によるエアブローと同様の手法により、検出された異物Ｆの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第２積層体２４の表面２４ａに吹き付ける。これにより、第２積層体２４の表面２４ａから異物Ｆが除去される。続いて、上述のようにして異物Ｆが除去された後に、ファブリペロー干渉フィルタ１及び光検出器７７が固定されたステム７２にキャップ７３が接合される。以上により、図１９に示される光検出装置１０が得られる。なお、ステージ上に複数の上記ステム７２が載置される場合、上述したように広範囲にブロー可能なエアーガンタイプのノズルを用いることにより、複数のステム７２に固定された複数のファブリペロー干渉フィルタ１に対して、一斉にエアブローを行うことができる。また、上述したエアブローを、ファブリペロー干渉フィルタ１の第２積層体２４の表面２４ａ以外の部分も対象として行うことにより、表面２４ａに付着した異物Ｆを当該表面２４ａから除去すると共に、当該異物Ｆをパッケージ外へと排出することが好ましい。
［第２実施形態の光検出装置の構成］

次に、図２１及び図２２を参照して、ファブリペロー干渉フィルタ１を備えた第２実施形態の光検出装置１０Ａの構成について説明する。図２２においては、後述する蓋基板９４等が省略されている。図２１及び図２２に示されるように、光検出装置１０Ａは、ＳＭＤ（Surface Mount Device）として構成されている点で、上述した光検出装置１０と異なっている。光検出装置１０Ａは、光検出器９１、温度補償用素子（図示省略）及びファブリペロー干渉フィルタ１を収容するＳＭＤパッケージ９２を備えている。ＳＭＤパッケージ９２は、ファブリペロー干渉フィルタ１及び光検出器９１を支持する支持体９３と、支持体９３に接合される蓋基板９４と、を有している。支持体９３は、第１基板９３ａ、第２基板９３ｂ、第３基板９３ｃ、第４基板９３ｄ及び第５基板９３ｅを有している。

第１基板９３ａ、第２基板９３ｂ、第３基板９３ｃ、第４基板９３ｄ、第５基板９３ｅ及び蓋基板９４は、この順で積層されている。第２基板９３ｂ、第３基板９３ｃ、第４基板９３ｄ及び第５基板９３ｅのそれぞれの中央部には、開口が設けられている。これらの基板の積層方向（方向Ａ）から見た場合に、第３基板９３ｃの開口は、第２基板９３ｂの開口を含んでいる。方向Ａから見た場合に、第４基板９３ｄの開口は、第３基板９３ｃの開口を含んでいる。方向Ａから見た場合に、第５基板９３ｅの開口は、第４基板９３ｄの開口を含んでいる。これにより、第１基板９３ａ、第２基板９３ｂ、第３基板９３ｃ及び第４基板９３ｄのそれぞれの表面の一部は、第５基板９３ｅの開口に露出している。

露出した第１基板９３ａの表面には、光検出器９１及び温度補償用素子（図示省略）が実装されている。第１基板９３ａの裏面には、複数の電極パッド（図示省略）が設けられている。光検出器９１の各端子、及び温度補償用素子の各端子は、第１基板９３ａに設けられた配線によって、又は、ワイヤ９５及び各基板９３ａ，９３ｂに設けられた配線によって、電極パッドと電気的に接続されている。

露出した第３基板９３ｃの表面には、ファブリペロー干渉フィルタ１が接着部材９６によって固定されている。ファブリペロー干渉フィルタ１の各端子１５、１６の上面は、第４基板９３ｄの上面と同等の高さにある。第４基板９３ｄの上面には、電極パッドと電気的に接続されたパッドが設けられており、各端子１５、１６は、ワイヤ９５によって第４基板９３ｄの上面のパッドと接続されている。ファブリペロー干渉フィルタ１の各端子１５，１６は、ワイヤ９５及び各基板９３ａ，９３ｂ，９３ｃ，９３ｄに設けられた配線によって、電極パッドと電気的に接続されている。第３基板９３ｃは、第１基板９３ａ及び第２基板９３ｂ上においてファブリペロー干渉フィルタ１を支持する支持部材として機能している。

第１基板９３ａ、第２基板９３ｂ、第３基板９３ｃ、第４基板９３ｄ及び第５基板９３ｅの材料としては、例えば、セラミック、樹脂等を用いることができる。特に、ファブリペロー干渉フィルタ１と第３基板９３ｃとの間における熱膨張係数の差を緩和するために、第３基板９３ｃの材料は、ファブリペロー干渉フィルタ１の材料と比較して、熱膨張係数が同等であることが好ましい。

ファブリペロー干渉フィルタ１と第３基板９３ｃとを接着する接着部材９６の材料としては、可撓性を有する樹脂材料（例えば、シリコーン系、ウレタン系、エポキシ系、アクリル系、ハイブリッド等の樹脂材料であって、導電性であっても或いは非導電性であってもよい）を用いることができる。その樹脂材料としては、ヤング率が１０００ＭＰａ未満の材料から選択されることが好ましく、ヤング率が１０ＭＰａ未満の材料から選択されることがより好ましい。また、その樹脂材料としては、ガラス転移温度が光検出装置１０Ａの使用環境温度から外れた材料から選択されることが好ましい。例えば、接着部材９６の材料として、シリコーン系の樹脂材料を含む接着剤を用いれば、硬化後のヤング率は、１０ＭＰａ未満となり、ガラス転移温度は、使用環境温度（例えば、５〜４０℃程度）よりも低い−５０〜−４０℃程度となる。

ここで、ファブリペロー干渉フィルタ１と第３基板９３ｃとを接着する接着部材９６の弾性率は、第３基板９３ｃの弾性率よりも小さい。また、接着部材９６の弾性率は、第１基板９３ａ、第２基板９３ｂ、第３基板９３ｃ、第４基板９３ｄ、第５基板９３ｅ及び蓋基板９４を互いに接着する接着部材（図示省略）の弾性率よりも小さい。例えば、第１基板９３ａ、第２基板９３ｂ、第３基板９３ｃ、第４基板９３ｄ、第５基板９３ｅ及び蓋基板９４を互いに接着する接着部材の材料として、エポキシ系の樹脂材料を含む接着剤を用いれば、硬化後のヤング率は、１００ＭＰａ以上となる。

蓋基板９４は、光透過基板９４ａ及び遮光層９４ｂを有している。光透過基板９４ａは、第５基板９３ｅ上に接着部材（図示省略）によって固定されている。光透過基板９４ａの材料としては、光検出装置１０Ａの測定波長範囲に対応した材料（例えば、ガラス、シリコン、ゲルマニウム等）を用いることができる。遮光層９４ｂは、光透過基板９４ａの表面に形成されている。遮光層９４ｂの材料としては、遮光材料又は光吸収材料（例えば、アルミニウム等の金属、酸化クロム等の金属酸化物、黒色樹脂等）を用いることができる。遮光層９４ｂには、開口９４ｃが設けられている。光透過領域１ａと開口９４ｃとは、方向Ａにおいて互いに対向している。なお、遮光層９４ｂは、光透過基板９４ａの裏面に形成されていてもよい。また、光透過基板９４ａの表面及び裏面の少なくとも一方に、光反射防止層が形成されていてもよい。また、光透過基板９４ａとして、測定波長範囲の光のみを透過させるバンドパスフィルタが用いられていてもよい。

以上のように構成された光検出装置１０Ａにおいては、外部から開口９４ｃ及び光透過基板９４ａを介してファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａに光が入射すると、光透過領域１ａにおける第１ミラー部３１（図３参照）と第２ミラー部３２（図３参照）との距離に応じて、所定の波長を有する光が選択的に透過させられる。第１ミラー部３１及び第２ミラー部３２を透過した光は、光検出器９１の受光部９１ａに入射して、光検出器９１によって検出される。光検出装置１０Ａでは、ファブリペロー干渉フィルタ１に印加する電圧を変化させながら（すなわち、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との距離を変化させながら）、第１ミラー部３１及び第２ミラー部３２を透過した光を光検出器９１で検出することで、分光スペクトルを得ることができる。
［第２実施形態の光検出装置の製造方法］

次に、光検出装置１０Ａの製造方法について説明する。図２３に示されるように、まず、一次元又は二次元に配置された複数のファブリペロー干渉フィルタ１と、複数のファブリペロー干渉フィルタ１に対応して設けられた複数の光検出器９１と、複数のファブリペロー干渉フィルタ１及び複数の光検出器９１を支持する支持層９３０と、が用意される。支持層９３０は、切断ラインＬ１に沿って切断されることで、それぞれ複数の第１基板９３ａ、第２基板９３ｂ、第３基板９３ｃ、第４基板９３ｄ及び第５基板９３ｅになる予定の層である第１基板層９３０ａ、第２基板層９３０ｂ、第３基板層９３０ｃ、第４基板層９３０ｄ及び第５基板層９３０ｅを有している。

続いて、上述した検査装置５００による外観検査と同様の手法により、支持層９３０に支持された複数のファブリペロー干渉フィルタ１の各々について、第２積層体２４の第１積層体２２とは反対側の表面２４ａに付着した異物Ｆを検出する。続いて、上述した検査装置５００によるエアブローと同様の手法により、検出された異物Ｆの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第２積層体２４の表面２４ａに吹き付ける。これにより、異物Ｆが検出されたファブリペロー干渉フィルタ１の第２積層体２４の表面２４ａから異物Ｆが除去される。

続いて、上述のようにして支持層９３０に支持された複数のファブリペロー干渉フィルタ１の各々から異物Ｆが除去された後に、図２４に示されるように、複数のファブリペロー干渉フィルタ１に対応するように複数の開口９４ｃが形成された蓋基板層９４０を支持層９３０（ここでは、第５基板層９３０ｅの上面）に接合する。具体的には、蓋基板層９４０は、方向Ａにおいて複数の開口９４ｃの各々が複数のファブリペロー干渉フィルタ１の各々に対向するように、支持層９３０に接合される。蓋基板層９４０は、切断ラインＬ１に沿って切断されることで、複数の蓋基板９４になる予定の層である。蓋基板層９４０は、光透過基板層９４０ａ及び遮光層９４０ｂを有している。光透過基板層９４０ａは、蓋基板層９４０が切断ラインＬ１に沿って切断されることで、複数の光透過基板９４ａになる予定の層である。遮光層９４０ｂは、蓋基板層９４０が切断ラインＬ１に沿って切断されることで、複数の遮光層９４ｂになる予定の層である。上述のような蓋基板層９４０が支持層９３０に接合されることにより、切断ラインＬ１において一次元又は二次元に連結された複数の光検出装置１０Ａが得られる。

続いて、切断ラインＬ１に沿って、蓋基板層９４０と支持層９３０とが接合された部分を切断する。これにより、個々の光検出装置１０Ａ（図２１及び図２２参照）が得られる。
［異物除去方法及び光検出装置の製造方法による作用及び効果］

上述した異物除去方法は、ファブリペロー干渉フィルタ１を用意する工程と、第２積層体２４の第１積層体２２とは反対側の表面２４ａに付着した異物Ｆを検出する工程と、検出された異物Ｆの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第２積層体２４の表面２４ａに吹き付けることにより、第２積層体２４の表面２４ａから異物Ｆを除去する工程と、を含む。なお、ウェハ１００に対してエアブローを行う場合には、ファブリペロー干渉フィルタ１、第１積層体２２、及び第２積層体２４は、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ、第１ミラー層２２０、及び第２ミラー層２４０とそれぞれ読み替えられる。

上記の異物除去方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタ１の第２積層体２４の表面２４ａに付着した異物Ｆを検出し、エアーの吹き付けによって当該異物Ｆを除去することができる。エアーの気流ピークの位置は、検出された異物Ｆの位置に基づいて調整されているため、当該エアーの吹き付けによって異物Ｆを適切に除去することができる。以上により、上記の異物除去方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタ１に付着した異物Ｆを効果的に除去することができ、ファブリペロー干渉フィルタ１を歩留まり良く得ることができる。

ここで、ファブリペロー干渉フィルタ１では、互いに対向する第１積層体２２の少なくとも第１ミラー部３１を含む部分と第２積層体２４の少なくとも第２ミラー部３２を含む部分との間に空隙Ｓが形成されている。すなわち、第２積層体２４のうち対向方向から見て空隙Ｓと重なる部分（メンブレン部）は、いわゆるメンブレン構造を有しており、比較的脆弱な部分となっている。このため、従来、メンブレン部に負荷となる応力を生じさせ、メンブレン部の変形又は破損等が懸念される方式による異物除去は試みられておらず、異物Ｆが付着したファブリペロー干渉フィルタ１は、不良品として扱われることが多かった。しかし、本発明者らの鋭意研究の結果、エアーを吹き付ける方式であれば、メンブレン部に応力を生じさせる方法であるにもかかわらず、ファブリペロー干渉フィルタ１の特性に大きな影響を与えることなく、異物Ｆを除去することが可能であることが確認された。

また、異物Ｆを除去する工程において、気流ピークの位置は、異物Ｆの位置に合うように調整される。この場合、気流ピーク（すなわち、エアーの流速が最も大きい部分）が異物Ｆに直接当たることにより、異物Ｆをより確実に除去することができる。

また、第２積層体２４のうち、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２とが互いに対向する方向から見て空隙と重なる部分（メンブレン部）には、第２積層体２４の表面２４ａから空隙Ｓに至る複数の貫通孔２４ｂが形成されており、異物Ｆを除去する工程において、少なくとも第２積層体２４の表面２４ａのうち複数の貫通孔２４ｂが形成された領域にエアーを吹き付ける。この場合、第２積層体２４の表面２４ａに吹き付けられたエアーを、複数の貫通孔２４ｂを介して空隙Ｓ内に侵入させることができる。空隙Ｓ内に侵入したエアーは、空隙Ｓ内に新たに侵入してくるエアーによって押し出されるようにして、空隙Ｓ内に新たに侵入してくるエアーが流通する貫通孔２４ｂとは異なる貫通孔２４ｂを介して第２積層体２４の表面２４ａ側へと排出される。このようにして空隙Ｓから外側に排出されるエアーによって、第２積層体２４の表面２４ａに付着した異物Ｆを吹き上げることができる。これにより、ファブリペロー干渉フィルタ１に付着した異物Ｆをより一層効果的に除去することができる。

また、ファブリペロー干渉フィルタ１を用意する工程においては、複数のファブリペロー干渉フィルタ１が二次元に連結されたウェハ１００が用意され、異物Ｆを検出する工程及び異物Ｆを除去する工程は、ウェハ１００を構成するファブリペロー干渉フィルタ（すなわち、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ）に対して実施されてもよい。すなわち、ウェハ段階において、エアブローによる異物除去が実施されてもよい。この場合、ウェハ１００を構成するファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに異物Ｆが付着している場合に、当該異物Ｆをエアーの吹き付けにより除去することができる。これにより、ウェハ１００を構成する複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａのそれぞれを検査する場合に、異物Ｆが付着したファブリペロー干渉フィルタ部１Ａを直ちに不良と判定することなく、異物Ｆが除去されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａを良品として後工程に回すことができる。したがって、ファブリペロー干渉フィルタ１の歩留まりを向上させることができる。なお、このようにウェハ１００に対してエアブローを行う場合には、異物Ｆが発見されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの表面から当該異物Ｆを除去するだけでなく、当該異物Ｆがウェハ１００の表面全体から除去されるように比較的広範囲にエアブローを行うことが好ましい。

また、ファブリペロー干渉フィルタ１を用意する工程においては、個片化されたファブリペロー干渉フィルタ１が用意されてもよい。すなわち、チップ段階において、エアブローによる異物除去が実施されてもよい。例えば、ウェハ１００を構成するファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対してエアーの吹き付けによる異物除去を行った場合、異物Ｆが当該ウェハ１００を構成する他のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ上に飛散し、当該他のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに悪影響を及ぼすおそれがある。一方、上記のようにファブリペロー干渉フィルタ１が個片化された段階で、当該ファブリペロー干渉フィルタ１に対してエアーの吹き付けによる異物除去を行うことにより、上述したような他のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａへの悪影響の発生を防止することができる。

また、上述した第１実施形態の光検出装置の製造方法は、光を入射させる開口７１ａが形成されたキャップ７３及びキャップ７３に接合されるステム７２を有するパッケージ７１と、パッケージ７１内に配置されたファブリペロー干渉フィルタ１と、パッケージ７１内に配置され、ファブリペロー干渉フィルタ１を透過した光を検出する光検出器７７と、を備える光検出装置１０の製造方法である。この製造方法は、ファブリペロー干渉フィルタ１及び光検出器７７が固定されたステム７２を用意する工程と、ステム７２に対して固定されたファブリペロー干渉フィルタ１の第２積層体２４の表面２４ａに付着した異物Ｆを検出する工程と、検出された異物Ｆの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第２積層体２４の表面２４ａに吹き付けることにより、第２積層体２４の表面２４ａから異物Ｆを除去する工程と、異物Ｆを除去する工程の後に、ステム７２にキャップ７３を接合する工程と、を含む。

第１実施形態の光検出装置の製造方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタ１及び光検出器７７がステム７２に対して固定された状態において、ファブリペロー干渉フィルタ１の第２積層体２４の表面２４ａに付着した異物Ｆを検出し、エアーの吹き付けによって当該異物Ｆを除去することができる。すなわち、光検出装置１０が得られる直前の状態においてファブリペロー干渉フィルタ１に付着した異物Ｆの検出及び除去を適切に実施することができる。ここで、光検出装置１０の組立作業は、清浄度の高いクリーンルーム内で行われるとは限らないため、当該組立作業時において、ファブリペロー干渉フィルタ１の表面２４ａに異物Ｆが付着する可能性が比較的高まる可能性がある。上記の製造方法によれば、光検出装置１０の製造工程の最終段階において、ファブリペロー干渉フィルタ１の特性に大きな影響を与えることなく、ファブリペロー干渉フィルタ１に付着した異物Ｆを除去することができる。これにより、最終製品である光検出装置１０の良品率を向上させることができ、光検出装置１０を歩留まり良く得ることができる。

また、上述した第２実施形態の光検出装置の製造方法は、蓋基板９４及び蓋基板９４に接合される支持体９３を有するＳＭＤパッケージ９２と、ＳＭＤパッケージ９２内に配置されたファブリペロー干渉フィルタ１と、ＳＭＤパッケージ９２内に配置され、ファブリペロー干渉フィルタ１を透過した光を検出する光検出器９１と、を備える光検出装置１０Ａの製造方法である。この製造方法は、一次元又は二次元に配置された複数のファブリペロー干渉フィルタ１と、複数のファブリペロー干渉フィルタ１に対応して設けられた複数の光検出器９１と、複数のファブリペロー干渉フィルタ１及び複数の光検出器９１を支持する支持層９３０であって、複数の支持体９３に切断される予定の支持層９３０と、を用意する工程と、複数のファブリペロー干渉フィルタ１の各々について、第２積層体２４の表面２４ａに付着した異物Ｆを検出する工程と、検出された異物Ｆの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第２積層体２４の表面２４ａに吹き付けることにより、第２積層体２４の表面２４ａから異物Ｆを除去する工程と、異物Ｆを除去する工程の後に、複数の蓋基板９４に切断される予定の蓋基板層９４０を支持層９３０に接合することにより、一次元又は二次元に連結された複数の光検出装置１０Ａを得る工程と、蓋基板層９４０と支持層９３０とが接合された部分を切断することにより、個々の光検出装置１０Ａを得る工程と、を含む。

第２実施形態の光検出装置の製造方法によれば、複数のファブリペロー干渉フィルタ１が支持層９３０に支持された状態において、各ファブリペロー干渉フィルタ１の第２積層体２４の表面２４ａに付着した異物Ｆを検出し、エアーの吹き付けによって当該異物Ｆを除去することができる。すなわち、光検出装置１０Ａが得られる直前の状態（具体的には、蓋基板層９４０を支持層９３０に接合することによって各ファブリペロー干渉フィルタ１が収容される空間が密封される直前の状態）において、各ファブリペロー干渉フィルタ１に付着した異物Ｆの検出及び除去を適切に実施することができる。よって、本製造方法によれば、上述した光検出装置１０の製造方法と同様の効果が得られる。

また、複数の光検出装置１０Ａを得る工程においては、複数の開口９４ｃが予め形成された蓋基板層９４０を、複数の開口９４ｃの各々が複数のファブリペロー干渉フィルタ１の各々に対向するように、支持層９３０に接合する。このように、複数の開口９４ｃが予め形成された蓋基板層９４０を用いることにより、光を入射させるための開口９４ｃが蓋基板９４に形成された光検出装置１０Ａを、蓋基板層９４０及び支持層９３０の切断後に直ちに得ることができる。これにより、切断後に個々の光検出装置１０Ａの蓋基板９４に開口９４ｃを形成するための工程を不要とすることができる。

なお、ウェハ１００では、複数のファブリペロー干渉フィルタ１になる複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが有効エリア１０１に設けられている。その一方で、基板層１１０の外縁１１０ｃに沿い且つ有効エリア１０１を囲むダミーエリア１０２に複数のダミーフィルタ部２Ａが設けられており、各ダミーフィルタ部２Ａでは、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に中間層２３が設けられている。これにより、ウェハ１００全体の強度が十分に確保される。そのため、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａについて上述した検査方法を実施する際におけるウェハ１００のハンドリングが容易になる。また、ウェハ１００が反り難くなるため、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対する検査、及び異物が検出されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対するエアブローを精度良く実施することができる。

また、ウェハ１００の製造方法では、複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａがウェハ１００の状態のままで、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａにおいて空隙Ｓが形成される。これにより、空隙Ｓの形成が個々のチップレベルで実施される場合に比べ、極めて効率良く、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に空隙Ｓを形成することができる。しかも、有効エリア１０１では、二次元に配置された複数の除去予定部５０に対して中間層２３０のエッチングが同時に実施される等、基板層１１０内の任意の基板１１に対応する部分と、それを囲む周囲の基板１１に対応する部分とで、同時にプロセスが進行するため、基板層１１０の面内での応力の偏りを少なくすることができる。よって、ウェハ１００の製造方法によれば、品質の高いファブリペロー干渉フィルタ１を安定して量産することを可能にするウェハ１００を得ることができる。

また、レーザ光Ｌの照射によって、各ライン５に沿って基板層１１０の内部に改質領域７を形成することで、各ライン５に沿ってウェハ１００を切断することは、次の理由により、ファブリペロー干渉フィルタ１を製造する上で極めて有効である。すなわち、レーザ光Ｌを用いたウェハ１００の切断では、水が不要であるため、空隙Ｓ上に浮いた第２ミラー部３２が水圧によって破損したり、空隙Ｓ内に水が浸入してスティッキング（第２ミラー部３２が第１ミラー部３１に接触して動かなくなる現象）が発生したりすることがない。よって、レーザ光Ｌを用いたウェハ１００の切断は、ファブリペロー干渉フィルタ１を製造する上で極めて有効である。
［変形例］

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。

図１４に示されるように、ウェハ１００では、基板層１１０の内部に、第１溝２９０に対応するように改質領域７が形成されていてもよい。ここで、改質領域７が第１溝２９０に対応するとは、対向方向から見た場合に改質領域７が第１溝２９０と重なること意味し、特には、改質領域７か各ライン５に沿って形成されている状態を意味する。これにより、改質領域７から基板層１１０の厚さ方向に亀裂を伸展させて、ウェハ１００から複数のファブリペロー干渉フィルタ１を容易に且つ精度良く切り出すことができる。この場合、基板層１１０の第２表面１１０ｂ側にエキスパンドテープ６０が貼り付けられていてもよい。このとき、ウェハ１００に貼り付けられたエキスパンドテープ６０の外縁部は、環状のフレームによって保持される。これにより、基板層１１０の内部に改質領域７が形成された状態であっても、ウェハ１００を容易にハンドリングすることができる。なお、基板層１１０の内部に改質領域７が形成されたウェハ１００では、改質領域７から不意に亀裂が伸展するおそれがある。ウェハ１００では、ダミーエリア１０２のうち一対のエリア１０２ａに、複数のダミーフィルタ部２Ａ並びに第１溝２９０及び第２溝４７０が設けられていないため、亀裂の伸展は、一対のエリア１０２ａによって停止させられる。

また、異物Ｆを検出する工程、及び検出された異物Ｆの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを吹き付ける工程は、上記実施形態のように、検査装置５００の動作制御（コンピュータ制御）により実行されてもよいし、手動により実行されてもよい。例えば、異物Ｆを検出する工程は、第２積層体２４の表面２４ａに付着した異物Ｆを作業者が目視によって確認することによって実行されてもよい。また、上記エアーを吹き付ける工程は、ハンドガンタイプのエアーガンを作業者が手で操作してエアブローを行うことによって実行されてもよい。

また、第２実施形態に係る光検出装置１０Ａでは、支持体９３は、互いに別体として形成された第１基板９３ａ、第２基板９３ｂ、第３基板９３ｃ、第４基板９３ｄ及び第５基板９３ｅによって形成されていたが、支持体９３を構成する基板の層数（ここでは一例として５層）は、５層より少なくてもよいし、５層より多くてもよい。また、支持体９３は、一体的に形成された部材であってもよい。すなわち、第１基板９３ａ、第２基板９３ｂ、第３基板９３ｃ、第４基板９３ｄ及び第５基板９３ｅは、一体的に形成されていてもよい。この場合、光検出装置１０Ａの製造工程において、上述した支持層９３０の代わりに、上述した第１基板層９３０ａ、第２基板層９３０ｂ、第３基板層９３０ｃ、第４基板層９３０ｄ及び第５基板層９３０ｅが一体として形成された支持層が用いられる。

また、上述した第２実施形態に係る光検出装置の製造方法において、複数の開口９４ｃが形成されていない蓋基板層が用いられてもよい。この場合、蓋基板層及び支持層９３０の切断後、開口９４ｃが形成されていない蓋基板を有する光検出装置が得られる。その後、このようにして得られた光検出装置の蓋基板に開口９４ｃを形成することにより、上述した光検出装置１０Ａが得られる。なお、開口９４ｃが形成されていない蓋基板を有する光検出装置を製造する者と、当該蓋基板に開口９４ｃを形成する者とは、同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。例えば、複数の開口９４ｃが形成されていない蓋基板層を用いて製造された光検出装置（すなわち、蓋基板に開口９４ｃが形成されていない状態の光検出装置）が出荷され、出荷先において、当該光検出装置の蓋基板に開口９４ｃが形成されてもよい。

１…ファブリペロー干渉フィルタ、１Ａ…ファブリペロー干渉フィルタ部、１０，１０Ａ…光検出装置、１１…基板、１１ａ…第１表面、１１ｂ…第２表面、２２…第１積層体、２４…第２積層体、２４ａ…表面、２４ｂ…貫通孔、３１…第１ミラー部、３２…第２ミラー部、７１…パッケージ、７１ａ，９４ｃ…開口、７２…ステム、７３…キャップ、７７，９１…光検出器、９２…ＳＭＤパッケージ（パッケージ）、９３…支持体、９４…蓋基板、９４ｃ…開口、１００…ウェハ、９３０…支持層、９４０…蓋基板層、Ｆ…異物、Ｓ…空隙。

Claims (8)

1. 互いに対向する第１表面及び第２表面を有する基板と、前記第１表面に配置された第１ミラー部を有する第１積層体と、前記第１ミラー部上に配置された第２ミラー部を有する第２積層体と、を備えるファブリペロー干渉フィルタであって、互いに対向する前記第１積層体の少なくとも前記第１ミラー部を含む部分と前記第２積層体の少なくとも前記第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する前記第１ミラー部と前記第２ミラー部との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタを用意する工程と、
   前記第２積層体の前記第１積層体とは反対側の表面に付着した異物を検出する工程と、
   検出された前記異物の位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを前記第２積層体の前記表面に吹き付けることにより、前記第２積層体の前記表面から前記異物を除去する工程と、
   を含む、異物除去方法。
2. 前記異物を除去する工程において、前記気流ピークの位置は、前記異物の位置に合うように調整される、
   請求項１に記載の異物除去方法。
3. 前記第２積層体のうち、前記第１ミラー部と前記第２ミラー部とが互いに対向する方向から見て前記空隙と重なる部分には、前記第２積層体の前記表面から前記空隙に至る複数の貫通孔が形成されており、
   前記異物を除去する工程において、少なくとも前記第２積層体の前記表面のうち複数の前記貫通孔が形成された領域に前記エアーを吹き付ける、
   請求項１又は２に記載の異物除去方法。
4. 前記ファブリペロー干渉フィルタを用意する工程においては、複数の前記ファブリペロー干渉フィルタが二次元に連結されたウェハが用意され、
   前記異物を検出する工程及び前記異物を除去する工程は、前記ウェハを構成する前記ファブリペロー干渉フィルタに対して実施される、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の異物除去方法。
5. 前記ファブリペロー干渉フィルタを用意する工程においては、個片化された前記ファブリペロー干渉フィルタが用意される、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の異物除去方法。
6. 光を入射させる開口が形成されたキャップ及び前記キャップに接合されるステムを有するパッケージと、前記パッケージ内に配置されたファブリペロー干渉フィルタと、前記パッケージ内に配置され、前記ファブリペロー干渉フィルタを透過した前記光を検出する光検出器と、を備える光検出装置の製造方法であって、
   前記ファブリペロー干渉フィルタは、互いに対向する第１表面及び第２表面を有する基板と、前記第１表面に配置された第１ミラー部を有する第１積層体と、前記第１ミラー部上に配置された第２ミラー部を有する第２積層体と、を備え、互いに対向する前記第１積層体の少なくとも前記第１ミラー部を含む部分と前記第２積層体の少なくとも前記第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する前記第１ミラー部と前記第２ミラー部との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタであり、
   前記製造方法は、
   前記ファブリペロー干渉フィルタ及び前記光検出器が固定された前記ステムを用意する工程と、
   前記ステムに対して固定された前記ファブリペロー干渉フィルタの前記第２積層体の前記第１積層体とは反対側の表面に付着した異物を検出する工程と、
   検出された前記異物の位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを前記第２積層体の前記表面に吹き付けることにより、前記第２積層体の前記表面から前記異物を除去する工程と、
   前記異物を除去する工程の後に、前記ステムに前記キャップを接合する工程と、
   を含む、光検出装置の製造方法。
7. 蓋基板及び前記蓋基板に接合される支持体を有するパッケージと、前記パッケージ内に配置されたファブリペロー干渉フィルタと、前記パッケージ内に配置され、前記ファブリペロー干渉フィルタを透過した光を検出する光検出器と、を備える光検出装置の製造方法であって、
   前記ファブリペロー干渉フィルタは、互いに対向する第１表面及び第２表面を有する基板と、前記第１表面に配置された第１ミラー部を有する第１積層体と、前記第１ミラー部上に配置された第２ミラー部を有する第２積層体と、を備え、互いに対向する前記第１積層体の少なくとも前記第１ミラー部を含む部分と前記第２積層体の少なくとも前記第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する前記第１ミラー部と前記第２ミラー部との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタであり、
   前記製造方法は、
   一次元又は二次元に配置された複数の前記ファブリペロー干渉フィルタと、複数の前記ファブリペロー干渉フィルタに対応して設けられた複数の前記光検出器と、複数の前記ファブリペロー干渉フィルタ及び複数の前記光検出器を支持する支持層であって、複数の前記支持体に切断される予定の該支持層と、を用意する工程と、
   複数の前記ファブリペロー干渉フィルタの各々について、前記第２積層体の前記第１積層体とは反対側の表面に付着した異物を検出する工程と、
   検出された前記異物の位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを前記第２積層体の前記表面に吹き付けることにより、前記第２積層体の前記表面から前記異物を除去する工程と、
   前記異物を除去する工程の後に、複数の前記蓋基板に切断される予定の蓋基板層を前記支持層に接合することにより、一次元又は二次元に連結された複数の前記光検出装置を得る工程と、
   前記蓋基板層と前記支持層とが接合された部分を切断することにより、個々の前記光検出装置を得る工程と、
   を含む、光検出装置の製造方法。
8. 複数の前記光検出装置を得る工程においては、複数の開口が予め形成された前記蓋基板層を、複数の前記開口の各々が複数の前記ファブリペロー干渉フィルタの各々に対向するように、前記支持層に接合する、
   請求項７に記載の光検出装置の製造方法。

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