JP2019095669A - ウェハの検査方法、及びウェハ - Google Patents

Abstract

【課題】検査効率の向上を図ると共に、破損したファブリペロー干渉フィルタが他のファブリペロー干渉フィルタに悪影響を及ぼすことを抑制する。【解決手段】ウェハ１００は、基板層１１０と、二次元に配置された複数の第１ミラー部３１を有する第１ミラー層２２０と、二次元に配置された複数の第２ミラー部３２を有する第２ミラー層２４０と、を備える。ウェハ１００において、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に空隙Ｓが形成されることで、複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが構成されている。一実施形態のウェハ１００の検査方法は、複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａのそれぞれの良否判定を行う工程と、不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの第２ミラー層２４０のうち、対向方向から見て空隙Ｓと重なる部分の少なくとも一部にインク５３２を塗布する工程と、を含む。【選択図】図１６

Description

本発明の一側面は、ファブリペロー干渉フィルタを得るためのウェハ、及び当該ウェハの検査方法に関する。

従来のファブリペロー干渉フィルタとして、基板と、基板上において空隙を介して互いに対向する固定ミラー及び可動ミラーと、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特表２０１３−５０６１５４号公報

上述したようなファブリペロー干渉フィルタは微細な構造体であるため、個片化されたファブリペロー干渉フィルタを個別に取り扱って検査することは容易ではなく、検査効率を向上させることは困難である。また、複数のファブリペロー干渉フィルタが一体化された状態（例えばウェハ状態）において、例えばメンブレン状の可動ミラーが破損したファブリペロー干渉フィルタが存在する場合、当該ファブリペロー干渉フィルタの破損部分からパーティクルが発生し、当該パーティクルが他のファブリペロー干渉フィルタ上に飛散して悪影響を及ぼすおそれがあることが分かった。

そこで、本発明の一側面は、検査効率の向上を図ると共に、破損したファブリペロー干渉フィルタが他のファブリペロー干渉フィルタに悪影響を及ぼすことを抑制することができるウェハの検査方法、及びウェハを提供することを目的とする。

本発明の一側面に係るウェハの検査方法は、互いに対向する第１表面及び第２表面を有する基板層と、第１表面に二次元に配置された複数の第１ミラー部を有する第１ミラー層と、第１ミラー層上に二次元に配置された複数の第２ミラー部を有する第２ミラー層と、を備えるウェハであって、互いに対向する第１ミラー層の少なくとも第１ミラー部を含む部分と第２ミラー層の少なくとも第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する第１ミラー部と第２ミラー部との間の距離が静電気力によって変化する複数のファブリペロー干渉フィルタ部が構成されたウェハを用意する工程と、複数のファブリペロー干渉フィルタ部のそれぞれの良否判定を行う工程と、良否判定を行う工程において不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部の第２ミラー層のうち、第１ミラー部と第２ミラー部とが互いに対向する方向から見て空隙と重なる部分の少なくとも一部に、インクを塗布する工程と、を含む。

本発明の一側面に係るウェハの検査方法によれば、それぞれファブリペロー干渉フィルタになる予定の複数のファブリペロー干渉フィルタ部が一体化された状態（すなわちウェハ状態）において、各ファブリペロー干渉フィルタ部の検査（良否判定）が行われる。このため、ウェハを切断することによって個片化されたファブリペロー干渉フィルタを個別に検査する場合と比較して、効率的に検査を行うことができる。また、上記検査方法では、不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部のうち、いわゆるメンブレン構造を有する脆弱な部分（すなわち、第２ミラー層のうち、第１ミラー部と第２ミラー部とが対向する方向から見て空隙と重なる部分。以下単に「メンブレン部」という）の少なくとも一部にインクが塗布される。これにより、仮にメンブレン部が破損していた場合には、破損部分の捲れ上がり、当該破損部分からのパーティクルの発生等を抑制することができる。また、メンブレン部が破損していない場合においても、当該メンブレン部がインクによって補強されることにより、当該メンブレン部が将来破損する可能性を低減することができる。以上により、上記のウェハの検査方法によれば、検査効率の向上を図ると共に、破損したファブリペロー干渉フィルタが他のファブリペロー干渉フィルタに悪影響を及ぼすことを抑制することができる。

インクが塗布される上記少なくとも一部には、第２ミラー層の第１ミラー層とは反対側の表面から空隙に至る貫通孔が形成されていてもよい。これにより、当該貫通孔を介して、インクを第２ミラー層の表面から内部に浸透させることができる。その結果、第２ミラー層がインクによって補強され、当該第２ミラー層の破損部分の捲れ上がり、当該破損部分からのパーティクルの発生等を効果的に抑制することができる。また、不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部のメンブレン部に破損が生じていない場合であっても、空隙に浸透したインクにより、当該メンブレン部が将来破損する可能性を効果的に低減することができる。

インクを塗布する工程においては、良否判定を行う工程において全てのファブリペロー干渉フィルタ部の良否判定が完了した後に、不良と判定された一以上のファブリペロー干渉フィルタ部に順次インクを塗布してもよい。この場合、全てのファブリペロー干渉フィルタ部に対する検査（良否判定）が完了した後に、不良と判定された一以上のファブリペロー干渉フィルタ部に対するインクによるマーキングをまとめて行うことができるため、マーキングを効率的に行うことができる。

インクを塗布する工程においては、良否判定を行う工程において１つのファブリペロー干渉フィルタ部が不良と判定される度に、当該１つのファブリペロー干渉フィルタ部にインクを塗布してもよい。この場合、検査によって不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部が発見される度に、当該ファブリペロー干渉フィルタ部に対するマーキングが即時に行われる。これにより、他のファブリペロー干渉フィルタ部に悪影響を及ぼす可能性のあるファブリペロー干渉フィルタ部（例えば破損しておりパーティクルを発生させる可能性のあるファブリペロー干渉フィルタ部）に対して即時にインクを塗布できる。その結果、他のファブリペロー干渉フィルタ部に悪影響が及ぶことを、より効果的に抑制することができる。

インクの硬化前の状態における粘度は、５００ｃＰ〜５００００ｃＰであってもよい。このような粘度のインクを用いることにより、第２ミラー層の破損部分の捲れ上がり、当該破損部分からのパーティクルの発生等を好適に抑制することができる。

本発明の一側面に係るウェハは、互いに対向する第１表面及び第２表面を有する基板層と、第１表面に二次元に配置された複数の第１ミラー部を有する第１ミラー層と、第１ミラー層上に二次元に配置された複数の第２ミラー部を有する第２ミラー層と、を備え、互いに対向する第１ミラー層の少なくとも第１ミラー部を含む部分と第２ミラー層の少なくとも第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する第１ミラー部と第２ミラー部との間の距離が静電気力によって変化する複数のファブリペロー干渉フィルタ部が構成されており、複数のファブリペロー干渉フィルタ部のうち、少なくとも１つの不良品のファブリペロー干渉フィルタ部にはインクが塗布されており、少なくとも１つの良品のファブリペロー干渉フィルタ部にはインクが塗布されていない。

本発明の一側面に係るウェハでは、それぞれファブリペロー干渉フィルタになる予定の複数のファブリペロー干渉フィルタ部が一体化された状態となっているため、各ファブリペロー干渉フィルタ部に対する良否判定（検査）を効率的に行うことができる。また、例えば上記検査の結果不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部のうち、上述したメンブレン部の少なくとも一部には、インクが塗布されている。これにより、仮にメンブレン部が破損していた場合には、破損部分の捲れ上がり、当該破損部分からのパーティクルの発生等が抑制されている。また、メンブレン部が破損していない場合においても、当該メンブレン部がインクによって補強されることにより、当該メンブレン部が将来破損する可能性が低減されている。以上により、上記のウェハによれば、検査効率の向上を図ると共に、破損したファブリペロー干渉フィルタが他のファブリペロー干渉フィルタに悪影響を及ぼすことを抑制することができる。

不良品のファブリペロー干渉フィルタ部に形成された空隙には、インクが浸透していてもよい。この場合、空隙に浸透したインクにより、第２ミラー層が第１ミラー層に対して固定され、当該第２ミラー層の破損部分の捲れ上がり、当該破損部分からのパーティクルの発生等を効果的に抑制することができる。また、不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部のメンブレン部に破損が生じていない場合であっても、空隙に浸透したインクにより、当該メンブレン部が将来破損する可能性を効果的に低減することができる。

本発明の一側面によれば、検査効率の向上を図ると共に、破損したファブリペロー干渉フィルタが他のファブリペロー干渉フィルタに悪影響を及ぼすことを抑制することができるウェハの検査方法、及びウェハを提供することができる。

一実施形態のウェハから切り出されたファブリペロー干渉フィルタの平面図である。 図１に示されるファブリペロー干渉フィルタの底面図である。 図１に示されるIII−III線に沿ってのファブリペロー干渉フィルタの断面図である。 一実施形態のウェハから切り出されたダミーフィルタの断面図である。 一実施形態のウェハの平面図である。 図５に示されるウェハの一部の拡大平面図である。 図５に示されるウェハのファブリペロー干渉フィルタ部及びダミーフィルタ部の断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。 一実施形態の検査方法が実施される検査装置の概略構成図である。 図１４に示されるマーキング部の概略断面図である。 マーキングがされた後のウェハの平面図である。 マーキングがされたファブリペロー干渉フィルタ部の平面図である。 図５に示されるウェハからファブリペロー干渉フィルタを切り出す方法を説明するための断面図である。 図５に示されるウェハからファブリペロー干渉フィルタを切り出す方法を説明するための断面図である。 ファブリペロー干渉フィルタを備える光検出装置の断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［ファブリペロー干渉フィルタ及びダミーフィルタの構成］

一実施形態のウェハの構成及び当該ウェハの検査方法の説明に先立って、当該ウェハから切り出されたファブリペロー干渉フィルタ及びダミーフィルタの構成について説明する。

図１、図２及び図３に示されるように、ファブリペロー干渉フィルタ１は、基板１１を備えている。基板１１は、互いに対向する第１表面１１ａ及び第２表面１１ｂを有している。第１表面１１ａには、反射防止層２１、第１積層体２２、中間層２３及び第２積層体２４が、この順序で積層されている。第１積層体２２と第２積層体２４との間には、枠状の中間層２３によって空隙（エアギャップ）Ｓが画定されている。

第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合（平面視）における各部の形状及び位置関係は、次の通りである。基板１１の外縁は、例えば矩形状である。基板１１の外縁及び第２積層体２４の外縁は、互いに一致している。反射防止層２１の外縁、第１積層体２２の外縁及び中間層２３の外縁は、互いに一致している。基板１１は、中間層２３の外縁よりも空隙Ｓの中心に対して外側に位置する外縁部１１ｃを有している。外縁部１１ｃは、例えば、枠状であり、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に中間層２３を囲んでいる。空隙Ｓは、例えば円形状である。

ファブリペロー干渉フィルタ１は、その中央部に画定された光透過領域１ａにおいて、所定の波長を有する光を透過させる。光透過領域１ａは、例えば円柱状の領域である。基板１１は、例えば、シリコン、石英又はガラス等からなる。基板１１がシリコンからなる場合には、反射防止層２１及び中間層２３は、例えば、酸化シリコンからなる。中間層２３の厚さは、例えば、数十ｎｍ〜数十μｍである。

第１積層体２２のうち光透過領域１ａに対応する部分は、第１ミラー部３１として機能する。第１ミラー部３１は、固定ミラーである。第１ミラー部３１は、反射防止層２１を介して第１表面１１ａに配置されている。第１積層体２２は、複数のポリシリコン層２５と複数の窒化シリコン層２６とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、ポリシリコン層２５ａ、窒化シリコン層２６ａ、ポリシリコン層２５ｂ、窒化シリコン層２６ｂ及びポリシリコン層２５ｃが、この順で反射防止層２１上に積層されている。第１ミラー部３１を構成するポリシリコン層２５及び窒化シリコン層２６のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の１／４の整数倍であることが好ましい。なお、第１ミラー部３１は、反射防止層２１を介することなく第１表面１１ａ上に直接に配置されてもよい。

第２積層体２４のうち光透過領域１ａに対応する部分は、第２ミラー部３２として機能する。第２ミラー部３２は、可動ミラーである。第２ミラー部３２は、第１ミラー部３１に対して基板１１とは反対側において空隙Ｓを介して第１ミラー部３１と対向している。第１ミラー部３１と第２ミラー部３２とが互いに対向する方向は、第１表面１１ａに垂直な方向に平行である。第２積層体２４は、反射防止層２１、第１積層体２２及び中間層２３を介して第１表面１１ａに配置されている。第２積層体２４は、複数のポリシリコン層２７と複数の窒化シリコン層２８とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、ポリシリコン層２７ａ、窒化シリコン層２８ａ、ポリシリコン層２７ｂ、窒化シリコン層２８ｂ及びポリシリコン層２７ｃが、この順で中間層２３上に積層されている。第２ミラー部３２を構成するポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の１／４の整数倍であることが好ましい。

なお、第１積層体２２及び第２積層体２４では、窒化シリコン層の代わりに酸化シリコン層が用いられてもよい。また、第１積層体２２及び第２積層体２４を構成する各層の材料としては、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、シリコン、ゲルマニウム、硫化亜鉛等が用いられてもよい。また、ここでは、第１ミラー部３１の空隙Ｓ側の表面（ポリシリコン層２５ｃの表面）と、第２ミラー部３２の空隙Ｓ側の表面（ポリシリコン層２７ａの表面）とは、空隙Ｓを介して直接的に対向している。ただし、第１ミラー部３１の空隙Ｓ側の表面、及び、第２ミラー部３２の空隙Ｓ側の表面に、（ミラーを構成しない）電極層、保護層等が形成されていてもよい。この場合、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２とは、それらの層を間に介在させた状態において、空隙Ｓを介して互いに対向することになる。換言すれば、このような場合であっても、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との空隙Ｓを介した対向は実現され得る。

第２積層体２４において空隙Ｓに対応する部分（第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に空隙Ｓと重なる部分）には、複数の貫通孔２４ｂが形成されている。各貫通孔２４ｂは、第２積層体２４の中間層２３とは反対側の表面２４ａから空隙Ｓに至っている。複数の貫通孔２４ｂは、第２ミラー部３２の機能に実質的に影響を与えない程度に形成されている。複数の貫通孔２４ｂは、エッチングによって中間層２３の一部を除去して空隙Ｓを形成するために用いられる。

第２積層体２４は、第２ミラー部３２に加えて、被覆部３３と、周縁部３４と、を更に有している。第２ミラー部３２、被覆部３３及び周縁部３４は、互いに同じ積層構造の一部を有し且つ互いに連続するように、一体的に形成されている。被覆部３３は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に第２ミラー部３２を囲んでいる。被覆部３３は、中間層２３の基板１１とは反対側の表面２３ａ、並びに、中間層２３の側面２３ｂ（外側の側面、つまり、空隙Ｓ側とは反対側の側面）、第１積層体２２の側面２２ａ及び反射防止層２１の側面２１ａを被覆しており、第１表面１１ａに至っている。すなわち、被覆部３３は、中間層２３の外縁、第１積層体２２の外縁及び反射防止層２１の外縁を被覆している。

周縁部３４は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に被覆部３３を囲んでいる。周縁部３４は、外縁部１１ｃにおける第１表面１１ａ上に位置している。周縁部３４の外縁は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に基板１１の外縁と一致している。周縁部３４は、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されている。すなわち、周縁部３４のうち外縁部１１ｃの外縁に沿う部分は、周縁部３４のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、周縁部３４は、第２積層体２４を構成するポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８の一部が除去されていることで薄化されている。周縁部３４は、被覆部３３に連続する非薄化部３４ａと、非薄化部３４ａを囲む薄化部３４ｂと、を有している。薄化部３４ｂにおいては、第１表面１１ａ上に直接に設けられたポリシリコン層２７ａ以外のポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８が除去されている。

第１表面１１ａから非薄化部３４ａの基板１１とは反対側の表面３４ｃまでの高さは、第１表面１１ａから中間層２３の表面２３ａまでの高さよりも低い。第１表面１１ａから非薄化部３４ａの表面３４ｃまでの高さは、例えば１００ｎｍ〜５０００ｎｍである。第１表面１１ａから中間層２３の表面２３ａまでの高さは、例えば５００ｎｍ〜２００００ｎｍである。薄化部３４ｂの幅（第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合における非薄化部３４ａの外縁と外縁部１１ｃの外縁との間の距離）は、基板１１の厚さの０．０１倍以上である。薄化部３４ｂの幅は、例えば５μｍ〜４００μｍである。基板１１の厚さは、例えば５００μｍ〜８００μｍである。

第１ミラー部３１には、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に光透過領域１ａを囲むように第１電極１２が形成されている。第１電極１２は、ポリシリコン層２５ｃに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第１ミラー部３１には、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に光透過領域１ａを含むように第２電極１３が形成されている。第２電極１３は、ポリシリコン層２５ｃに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に、第２電極１３の大きさは、光透過領域１ａの全体を含む大きさであることが好ましいが、光透過領域１ａの大きさと略同一であってもよい。

第２ミラー部３２には、第３電極１４が形成されている。第３電極１４は、空隙Ｓを介して第１電極１２及び第２電極１３と対向している。第３電極１４は、ポリシリコン層２７ａに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。

一対の端子１５は、光透過領域１ａを挟んで対向するように設けられている。各端子１５は、第２積層体２４の表面２４ａから第１積層体２２に至る貫通孔内に配置されている。各端子１５は、配線１２ａを介して第１電極１２と電気的に接続されている。各端子１５は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。

一対の端子１６は、光透過領域１ａを挟んで対向するように設けられている。各端子１６は、第２積層体２４の表面２４ａから第１積層体２２に至る貫通孔内に配置されている。各端子１６は、配線１３ａを介して第２電極１３と電気的に接続されていると共に、配線１４ａを介して第３電極１４と電気的に接続されている。端子１６は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。一対の端子１５が対向する方向と一対の端子１６が対向する方向とは、直交している（図１参照）。

第１積層体２２の表面２２ｂには、複数のトレンチ１７，１８が設けられている。トレンチ１７は、配線１３ａにおける端子１６との接続部分を囲むように環状に延在している。トレンチ１７は、第１電極１２と配線１３ａとを電気的に絶縁している。トレンチ１８は、第１電極１２の内縁に沿って環状に延在している。トレンチ１８は、第１電極１２と第１電極１２の内側の領域（第２電極１３）とを電気的に絶縁している。各トレンチ１７，１８内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。

第２積層体２４の表面２４ａには、トレンチ１９が設けられている。トレンチ１９は、端子１５を囲むように環状に延在している。トレンチ１９は、端子１５と第３電極１４とを電気的に絶縁している。トレンチ１９内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。

基板１１の第２表面１１ｂには、反射防止層４１、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４が、この順序で積層されている。反射防止層４１及び中間層４３は、それぞれ、反射防止層２１及び中間層２３と同様の構成を有している。第３積層体４２及び第４積層体４４は、それぞれ、基板１１を基準として第１積層体２２及び第２積層体２４と対称の積層構造を有している。反射防止層４１、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、基板１１の反りを抑制する機能を有している。

第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されている。すなわち、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４のうち外縁部１１ｃの外縁に沿う部分は、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に薄化部３４ｂと重なる部分において第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４の全部が除去されていることで薄化されている。

第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４には、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に光透過領域１ａを含むように開口４０ａが設けられている。開口４０ａは、光透過領域１ａの大きさと略同一の径を有している。開口４０ａは、光出射側に開口している。開口４０ａの底面は、反射防止層４１に至っている。

第４積層体４４の光出射側の表面には、遮光層４５が形成されている。遮光層４５は、例えばアルミニウム等からなる。遮光層４５の表面及び開口４０ａの内面には、保護層４６が形成されている。保護層４６は、第３積層体４２、中間層４３、第４積層体４４及び遮光層４５の外縁を被覆すると共に、外縁部１１ｃ上の反射防止層４１を被覆している。保護層４６は、例えば酸化アルミニウムからなる。なお、保護層４６の厚さを１〜１００ｎｍ（好ましくは、３０ｎｍ程度）にすることで、保護層４６による光学的な影響を無視することができる。

以上のように構成されたファブリペロー干渉フィルタ１においては、一対の端子１５，１６を介して第１電極１２と第３電極１４との間に電圧が印加されると、当該電圧に応じた静電気力が第１電極１２と第３電極１４との間に発生する。当該静電気力によって、第２ミラー部３２が、基板１１に固定された第１ミラー部３１側に引き付けられ、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離が調整される。このように、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離が静電気力によって変化する。

ファブリペロー干渉フィルタ１を透過する光の波長は、光透過領域１ａにおける第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離に依存する。したがって、第１電極１２と第３電極１４との間に印加する電圧を調整することで、透過する光の波長を適宜選択することができる。このとき、第２電極１３は、第３電極１４と同電位である。したがって、第２電極１３は、光透過領域１ａにおいて第１ミラー部３１及び第２ミラー部３２を平坦に保つための補償電極として機能する。

ファブリペロー干渉フィルタ１では、例えば、ファブリペロー干渉フィルタ１に印加する電圧を変化させながら（すなわち、ファブリペロー干渉フィルタ１において第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離を変化させながら）、ファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａを透過した光を光検出器によって検出することで、分光スペクトルを得ることができる。

図４に示されるように、ダミーフィルタ２は、第２積層体２４に複数の貫通孔２４ｂが形成されていない点、及び中間層２３に空隙Ｓが形成されていない点で、上述したファブリペロー干渉フィルタ１と相違している。ダミーフィルタ２では、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に中間層２３が設けられている。つまり、第２ミラー部３２は、空隙Ｓ上に浮いておらず、中間層２３の表面２３ａに配置されている。
［ウェハの構成］

次に、一実施形態のウェハの構成について説明する。図５及び図６に示されるように、ウェハ１００は、基板層１１０を備えている。基板層１１０は、例えば、円板状の形状を呈しており、その一部にオリエンテーションフラットＯＦが形成されている。基板層１１０は、例えば、シリコン、石英又はガラス等からなる。以下、基板層１１０の厚さ方向から見た場合に基板層１１０の中心を通り且つオリエンテーションフラットＯＦに平行な仮想直線を第１直線３といい、基板層１１０の厚さ方向から見た場合に基板層１１０の中心を通り且つオリエンテーションフラットＯＦに垂直な仮想直線を第２直線４という。

ウェハ１００には、有効エリア１０１及びダミーエリア１０２が設けられている。ダミーエリア１０２は、基板層１１０の外縁１１０ｃ（すなわち、ウェハ１００の外縁１００ａ）に沿ったエリアである。有効エリア１０１は、ダミーエリア１０２の内側のエリアである。ダミーエリア１０２は、基板層１１０の厚さ方向から見た場合に有効エリア１０１を囲んでいる。ダミーエリア１０２は、有効エリア１０１に隣接している。

有効エリア１０１には、二次元に配置された複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが設けられている。複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａは、有効エリア１０１の全体に設けられている。ダミーエリア１０２には、二次元に配置された複数のダミーフィルタ部２Ａが設けられている。複数のダミーフィルタ部２Ａは、ダミーエリア１０２のうち一対のエリア１０２ａを除くエリアに設けられている。一方のエリア１０２ａは、オリエンテーションフラットＯＦに沿ったエリアである。他方のエリア１０２ａは、基板層１１０の外縁１１０ｃのうちオリエンテーションフラットＯＦとは反対側の部分に沿ったエリアである。有効エリア１０１とダミーエリア１０２との境界部分において、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａとダミーフィルタ部２Ａとは、隣接している。基板層１１０の厚さ方向から見た場合に、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの外形とダミーフィルタ部２Ａの外形とは、同一である。複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ及び複数のダミーフィルタ部２Ａは、互いに直交する第１直線３及び第２直線４のそれぞれについて対称となるように、配置されている。なお、複数のダミーフィルタ部２Ａは、ダミーエリア１０２の全体に設けられていてもよい。また、複数のダミーフィルタ部２Ａは、ダミーエリア１０２のうちいずれか一方のエリア１０２ａを除くエリアに設けられていてもよい。

複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａは、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数のファブリペロー干渉フィルタ１になる予定の部分である。複数のダミーフィルタ部２Ａは、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数のダミーフィルタ２になる予定の部分である。基板層１１０の厚さ方向から見た場合に、複数のライン５は、オリエンテーションフラットＯＦに平行な方向に沿うように延在しており、複数のライン５は、オリエンテーションフラットＯＦに垂直な方向に沿うように延在している。一例として、基板層１１０の厚さ方向から見た場合に各フィルタ部１Ａ，２Ａが矩形状を呈するときには、各フィルタ部１Ａ，２Ａは、二次元マトリックス状に配置され、複数のライン５は、隣り合うフィルタ部１Ａ，１Ａ間、隣り合うフィルタ部１Ａ，２Ａ間、及び隣り合うフィルタ部２Ａ，２Ａ間を通るように格子状に設定される。

図７の（ａ）は、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの断面図であり、図７の（ｂ）は、ダミーフィルタ部２Ａの断面図である。図７の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、基板層１１０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の基板１１になる予定の層である。基板層１１０は、互いに対向する第１表面１１０ａ及び第２表面１１０ｂを有している。基板層１１０の第１表面１１０ａには、反射防止層２１０が設けられている。反射防止層２１０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の反射防止層２１になる予定の層である。基板層１１０の第２表面１１０ｂには、反射防止層４１０が設けられている。反射防止層４１０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の反射防止層４１になる予定の層である。

反射防止層２１０上には、デバイス層２００が設けられている。デバイス層２００は、第１ミラー層２２０と、中間層２３０と、第２ミラー層２４０と、を有している。第１ミラー層２２０は、複数の第１ミラー部３１を有する層であって、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の第１積層体２２になる予定の層である。複数の第１ミラー部３１は、反射防止層２１０を介して基板層１１０の第１表面１１０ａに二次元に配置されている。中間層２３０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の中間層２３になる予定の層である。第２ミラー層２４０は、複数の第２ミラー部３２を有する層であって、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の第２積層体２４になる予定の層である。複数の第２ミラー部３２は、中間層２３を介して第１ミラー層２２０上に二次元に配置されている。

反射防止層４１０上には、応力調整層４００が設けられている。つまり、応力調整層４００は、反射防止層４１０を介して基板層１１０の第２表面１１０ｂに設けられている。応力調整層４００は、複数の層４２０，４３０，４４０を有している。層４２０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の第３積層体４２になる予定の層である。層４３０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の中間層４３になる予定の層である。層４４０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の第４積層体４４になる予定の層である。

応力調整層４００上には、遮光層４５０及び保護層４６０が設けられている。遮光層４５０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の遮光層４５になる予定の層である。保護層４６０は、ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、複数の保護層４６になる予定の層である。

図７の（ａ）に示されるように、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａでは、互いに対向する第１ミラー層２２０の少なくとも第１ミラー部３１を含む部分と第２ミラー層２４０の少なくとも第２ミラー部３２を含む部分との間に空隙Ｓが形成されている。つまり、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａでは、中間層２３が空隙Ｓを画定しており、第２ミラー部３２が空隙Ｓ上に浮いている。図１に示されるように、本実施形態では、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２とが互いに対向する方向（以下、単に「対向方向」という）から見た場合に、空隙Ｓは、光透過領域１ａよりも一回り大きい円形領域に形成されている。各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａには、上述したファブリペロー干渉フィルタ１の構成と同様に、第１電極１２、第２電極１３、第３電極１４、複数の端子１５，１６、及び開口４０ａ等に関する構成が設けられている。したがって、複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａがウェハ１００の状態のままであっても、一対の端子１５，１６を介して各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに電圧が印加されると、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離が静電気力によって変化する。

図７の（ｂ）に示されるように、各ダミーフィルタ部２Ａでは、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に中間層２３が設けられる。つまり、ダミーフィルタ部２Ａでは、中間層２３が空隙Ｓを画定しておらず、第２ミラー部３２が中間層２３の表面２３ａに配置されている。したがって、各ダミーフィルタ部２Ａには、上述したダミーフィルタ２の構成と同様に、第１電極１２、第２電極１３、第３電極１４、複数の端子１５，１６、及び開口４０ａ等に関する構成が設けられているものの、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間の距離は変化しない。なお、各ダミーフィルタ部２Ａには、第１電極１２、第２電極１３、第３電極１４、複数の端子１５，１６（各端子１５，１６を構成するアルミニウム等の金属膜、各端子１５，１６を配置するための貫通孔等）、及び開口４０ａ等に関する構成が設けられていなくてもよい。

図６及び図７の（ａ）に示されるように、デバイス層２００には、基板層１１０とは反対側に開口する第１溝２９０が形成されている。第１溝２９０は、各ライン５に沿って形成されている。第１溝２９０は、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ及び各ダミーフィルタ部２Ａにおいて、第１ミラー部３１、中間層２３及び第２ミラー部３２を囲んでいる。各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａにおいて、第１ミラー部３１、中間層２３及び第２ミラー部３２は、環状に連続する第１溝２９０によって囲まれている。同様に、各ダミーフィルタ部２Ａにおいて、第１ミラー部３１、中間層２３及び第２ミラー部３２は、環状に連続する第１溝２９０によって囲まれている。隣り合うフィルタ部１Ａ，１Ａ、隣り合うフィルタ部１Ａ，２Ａ、及び隣り合うフィルタ部２Ａ，２Ａに着目すると、第１溝２９０は、一方のフィルタ部の周縁部３４及び他方のフィルタ部の周縁部３４上の領域に対応している。第１溝２９０は、有効エリア１０１及びダミーエリア１０２において繋がっており、対向方向から見た場合に基板層１１０の外縁１１０ｃに至っている。なお、第１溝２９０は、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ及び各ダミーフィルタ部２Ａにおいて、少なくとも第２ミラー部３２を囲んでいればよい。

図７の（ｂ）に示されるように、応力調整層４００には、基板層１１０とは反対側に開口する第２溝４７０が形成されている。第２溝４７０は、各ライン５に沿って形成されている。つまり、第２溝４７０は、第１溝２９０に対応するように形成されている。ここで、第２溝４７０が第１溝２９０に対応するとは、対向方向から見た場合に第２溝４７０が第１溝２９０と重なること意味する。したがって、第２溝４７０は、有効エリア１０１及びダミーエリア１０２において繋がっており、対向方向から見た場合に基板層１１０の外縁１１０ｃに至っている。
［ウェハの製造方法］

次に、ウェハ１００の製造方法について、図８〜図１３を参照して説明する。図８〜図１３において、（ａ）は、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分の断面図であり、（ｂ）は、ダミーフィルタ部２Ａに対応する部分の断面図である。

まず、図８に示されるように、基板層１１０の第１表面１１０ａに反射防止層２１０を形成すると共に、基板層１１０の第２表面１１０ｂに反射防止層４１０を形成する。続いて、各反射防止層２１０，４１０上に、複数のポリシリコン層及び複数の窒化シリコン層を交互に積層することで、反射防止層２１０上に第１ミラー層２２０を形成すると共に、反射防止層４１０上に層４２０を形成する。

第１ミラー層２２０を形成する際には、エッチングによって、反射防止層２１０の表面が露出するように、第１ミラー層２２０のうち各ライン５に沿った部分を除去する。また、不純物ドープによって、第１ミラー層２２０における所定のポリシリコン層を部分的に低抵抗化することで、基板１１に対応する部分ごとに、第１電極１２、第２電極１３及び配線１２ａ，１３ａを形成する。更に、エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、第１ミラー層２２０の表面にトレンチ１７，１８を形成する。

続いて、図９に示されるように、第１ミラー層２２０上、及び露出した反射防止層２１０の表面に、中間層２３０を形成すると共に、層４２０上に層４３０を形成する。各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分では、中間層２３０は、空隙Ｓ（図３参照）に対応する除去予定部５０を含んでいる。続いて、エッチングによって、基板層１１０の第１表面１１０ａが露出するように、中間層２３０及び反射防止層２１０のうち各ライン５に沿った部分を除去する。また、当該エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、中間層２３０のうち各端子１５，１６（図３参照）に対応する部分に空隙を形成する。

続いて、図１０に示されるように、基板層１１０の第１表面１１０ａ側及び第２表面１１０ｂ側のそれぞれにおいて、複数のポリシリコン層及び複数の窒化シリコン層を交互に積層することで、中間層２３０上、及び露出した基板層１１０の第１表面１１０ａに、第２ミラー層２４０を形成すると共に、層４３０上に層４４０を形成する。

第２ミラー層２４０を形成する際には、ライン５に沿って互いに対向する中間層２３０の側面２３０ａ、第１ミラー層２２０の側面２２０ａ及び反射防止層２１０の側面２１０ａを、第２ミラー層２４０で被覆する。また、不純物ドープによって、第２ミラー層２４０における所定のポリシリコン層を部分的に低抵抗化することで、基板１１に対応する部分ごとに、第３電極１４及び配線１４ａを形成する。

続いて、図１１に示されるように、エッチングによって、第２ミラー層２４０が含むポリシリコン層２７ａ（図３参照）（すなわち、最も第１表面１１０ａ側に位置するポリシリコン層）の表面が露出するように、第２ミラー層２４０のうち各ライン５に沿った部分を薄化する。また、当該エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、第２ミラー層２４０のうち各端子１５，１６（図３参照）に対応する部分に空隙を形成する。続いて、基板１１に対応する部分ごとに、当該空隙に各端子１５，１６を形成し、各端子１５と配線１２ａとを接続すると共に、各端子１６と配線１３ａ及び配線１４ａのそれぞれとを接続する。

ここまでで、基板層１１０の第１表面１１０ａに、反射防止層２１０及びデバイス層２００が形成されると共に、デバイス層２００に第１溝２９０が形成される。第１溝２９０は、デバイス層２００が各ライン５に沿って部分的に薄化された領域である。

続いて、図１２の（ａ）に示されるように、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分では、エッチングによって、第２積層体２４の表面２４ａから除去予定部５０に至る複数の貫通孔２４ｂを第２積層体２４に形成する。このとき、図１２の（ｂ）に示されるように、各ダミーフィルタ部２Ａに対応する部分では、複数の貫通孔２４ｂを第２積層体２４に形成しない。続いて、図１２に示されるように、層４４０上に遮光層４５０を形成する。続いて、エッチングによって、反射防止層４１０の表面が露出するように、遮光層４５０及び応力調整層４００（すなわち、層４２０，４３０，４４０）のうち各ライン５に沿った部分を除去する。また、当該エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、開口４０ａを形成する。続いて、遮光層４５０上、露出した反射防止層４１０の表面、及び開口４０ａの内面、第２溝４７０に臨む応力調整層４００の側面に、保護層４６０を形成する。

ここまでで、基板層１１０の第２表面１１０ｂに、反射防止層４１０、応力調整層４００、遮光層４５０及び保護層４６０が形成されると共に、応力調整層４００に第２溝４７０が形成される。第２溝４７０は、応力調整層４００が各ライン５に沿って部分的に薄化された領域である。

続いて、図１３の（ａ）に示されるように、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分では、複数の貫通孔２４ｂを介したエッチング（例えばフッ酸ガスを用いた気相エッチング）によって、中間層２３０から複数の除去予定部５０を一斉に除去する。これにより、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分では、基板１１に対応する部分ごとに、空隙Ｓを形成する。このとき、図１３の（ｂ）に示されるように、各ダミーフィルタ部２Ａに対応する部分では、複数の貫通孔２４ｂが第２積層体２４に形成されていないため、中間層２３０に空隙Ｓが形成されない。

以上により、有効エリア１０１においては、図７の（ａ）に示されるように、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に空隙Ｓが形成されることで、複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが構成される。一方、ダミーエリア１０２においては、図７の（ｂ）に示されるように、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に中間層２３が設けられることで、複数のダミーフィルタ部２Ａが構成される。
［検査装置及び検査方法］

次に、一実施形態のウェハの検査方法が実施される検査装置の構成について説明する。図１４に示されるように、検査装置５００は、ウェハ支持部５１０と、撮像部５２０と、マーキング部５３０と、制御部５４０と、を備えている。ウェハ支持部５１０、撮像部５２０、及びマーキング部５３０は、暗箱（図示省略）内に配置されている。検査装置５００の検査対象は、ウェハ１００である。検査装置５００は、一例として、ウェハ１００（具体的には、ウェハ１００の表面）における各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの外観検査を実施する機能と、外観検査において不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａにインクによるマーキングを行う機能と、を有している。

ウェハ支持部５１０は、ウェハ１００の対向方向（すなわち、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２とが互いに対向する方向）が基準線ＲＬに平行となるように、ウェハ１００を支持する。ウェハ支持部５１０は、例えば、基準線ＲＬに垂直な平面に沿って（少なくとも、当該平面に平行であり且つ互いに直交する２方向のそれぞれに沿って）移動可能に構成されたステージである。なお、ウェハ支持部５１０は、基準線ＲＬに平行なラインを中心線として回転可能に構成されていてもよい。

撮像部５２０は、ウェハ支持部５１０によって支持されたウェハ１００（具体的には、ウェハ１００の表面）を撮像する。撮像部５２０は、例えば、観察用の光を基準線ＲＬに沿って出射し、ウェハ支持部５１０によって支持されたウェハ１００の表面で反射された光を検出して、撮像データを制御部５４０に出力するカメラである。撮像部５２０は、例えば１０倍以上の倍率で、ウェハ１００における各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａを撮像するように設定される。なお、撮像部５２０は、基準線ＲＬ上に配置されているが、例えば観察用の光の進行方向を変えるミラー部材が基準線ＲＬ上に配置されることにより、撮像部５２０は、基準線ＲＬ上とは異なる位置に配置されてもよい。

マーキング部５３０は、例えば撮像データに基づいて不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対して、インクマーキングを実行する装置である。図１５に示されるように、一例として、マーキング部５３０は、インクカートリッジ５３１と、インク５３２と、フィラメント５３３と、金属ニードル５３４と、プッシャ５３５と、を備えている。

インクカートリッジ５３１は、略直方体状に形成されている。インクカートリッジ５３１の内部には、インク５３２が充填されている。インクカートリッジ５３１において互いに対向する壁部５３１ａ，５３１ｂには、それぞれ断面円形状の貫通孔５３１ｃ，５３１ｄが形成されている。

インク５３２は、例えば、自然乾燥により硬化する自然硬化型のインクである。ただし、インク５３２は、加熱硬化型（例えば９０℃〜１８０℃で数十分（１０分〜４０分）加熱することにより硬化するタイプ）、ＵＶの照射により硬化するＵＶ硬化型、又は電子線の照射により硬化する電子線硬化型等であってもよい。インク５３２の硬化前の状態における粘度は、例えば５００ｃＰ（ｃｐｓ）〜５００００ｃＰ（ｃｐｓ）であり、より好ましくは、２００ｃＰ〜５０００ｃＰである。インク５３２は、例えば黒色等の識別可能な色を有している。また、上述の通り、インク５３２は、一定の粘度を有しており、接着機能を有している。すなわち、インク５３２は、識別性を有する接着剤として機能するものである。

フィラメント５３３は、円柱状に形成されており、インク５３２を吸収する素材によって形成されている。フィラメント５３３の一端部５３３ａを含む一部分は、インクカートリッジ５３１内に配置されており、フィラメント５３３の他端部５３３ｂを含む一部分は、貫通孔５３１ｃを貫通しており、インクカートリッジ５３１の外側に延びている。フィラメント５３３には、インク５３２が浸透している。

金属ニードル５３４は、円筒状に形成されており、インクカートリッジ５３１の一方の壁部５３１ａの外側面５３１ｅに接続されている。金属ニードル５３４は、フィラメント５３３の延在方向から見て貫通孔５３１ｃを包囲するように、当該貫通孔５３１ｃの開口縁部に立設されている。金属ニードル５３４の内側には、フィラメント５３３の他端部５３３ｂを含む一部分が収容されている。

プッシャ５３５は、インクカートリッジ５３１の貫通孔５３１ｄを貫通する円柱状の部分５３５ａを有しており、当該部分５３５ａの先端がフィラメント５３３の一端部５３３ａに接続されている。当該部分５３５ａは、フィラメント５３３の延在方向に沿って一定の範囲で移動可能となっている。プッシャ５３５の上記移動によって、インクカートリッジ５３１及び金属ニードル５３４に対するフィラメント５３３の位置が変化する。具体的には、プッシャ５３５の上記移動によって、フィラメント５３３の他端部５３３ｂが金属ニードル５３４の先端部５３４ａよりも内側に位置する初期状態（図１５の（ａ）参照）と、フィラメント５３３の他端部５３３ｂが金属ニードル５３４の先端部５３４ａよりも外側に押し出された状態（図１５の（ｂ）参照）とが切り替えられる。

マーキング部５３０は、例えば、制御部５４０からの制御信号に基づいて動作するベース部材（不図示）によって支持されている。ベース部材は、制御部５４０からの制御信号に基づいて、基準線ＲＬに平行な方向（Ｚ方向）、及び基準線ＲＬに垂直であり且つ互いに直交する２方向（ＸＹ方向）に移動可能に構成されている。また、ベース部材は、制御部５４０からの制御信号に基づいて、プッシャ５３５の移動（すなわち、図１５の（ａ）に示される状態と（ｂ）に示される状態との切替）を制御可能に構成されている。

制御部５４０は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。制御部５４０では、プロセッサが、メモリ等に読み込まれた所定のソフトウェア（プログラム）を実行し、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み等を制御することで、各種の機能が実現される。例えば、制御部５４０は、各部（ウェハ支持部５１０、撮像部５２０、及びマーキング部５３０）の動作を制御することで、後述するウェハの検査方法を実現する。

以上のように構成された検査装置５００では、制御部５４０によって各部の動作が制御されることで、以下のように、ウェハの検査方法が実施される。まず、検査対象であるウェハ１００が用意され、ウェハ支持部５１０によって支持される。このとき、ウェハ１００は、対向方向が基準線ＲＬに平行となるようにウェハ支持部５１０によって支持される。

続いて、ウェハ支持部５１０によって支持されたウェハ１００における複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａのそれぞれの良否判定が実行される。具体的には、ウェハ１００における各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの良否判定を行うために、一以上の検査項目に関する検査が実施される。本実施形態では一例として、撮像部５２０によって撮像された画像（撮像データ）に基づく外観検査が実行される。具体的には、ウェハ支持部５１０によって支持されたウェハ１００が撮像部５２０によって撮像される。撮像部５２０によって撮像された撮像データは、制御部５４０に出力される。制御部５４０は、撮像部５２０の位置及び撮像データに基づいて、当該撮像データに含まれるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの座標情報を取得することができる。座標情報は、ウェハ１００におけるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの位置を特定する情報である。

また、制御部５４０は、撮像データに対する画像処理結果に基づいて、撮像部５２０によって撮像されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの表面の外観異常を検出する。制御部５４０は、例えば、撮像部５２０によって撮像されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａと、予め記憶しているパターン画像（外観異常のないファブリペロー干渉フィルタ部の画像）とを比較することにより、撮像されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの表面に破れ、クラック、異物、汚れ等の外観異常が存在するか否かを判定する。制御部５４０は、このような外観異常が存在すると判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａを、不良（ＮＧ）と判定する。そして、制御部５４０は、不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａを特定する情報（例えば、座標情報）に対応付けて、当該ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが不良であることを示す情報（ＮＧフラグ）を記憶する。

制御部５４０は、上述のような画像処理（本実施形態では、パターン画像との比較）を実行する代わりに、検査装置５００が備えるディスプレイ（不図示）に撮像データを表示し、外観異常の有無をオペレータに目視で確認させてもよい。目視確認によって外観異常が発見された場合、オペレータは、例えば、検査装置５００が備えるキーボード等の入力装置（不図示）を用いて、外観異常が発見されたことを示す情報（例えばチェックボックスに対するチェック等）を入力することができる。この場合、制御部５４０は、外観異常が発見されたことを示す情報が入力されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａを特定する情報に対応付けて、ＮＧフラグを記憶すればよい。

なお、上記の外観検査は、例えば以下のような判定基準に基づいて実行される。
＜判定基準＞
・第２ミラー層２４０において、対向方向から見て空隙Ｓと重なる部分に、破れ、クラック、異物又は汚れが存在しないこと。
・端子１５，１６において、正常のパターンが形成されており、パターン欠け又は腐食部が存在しないこと。
・ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの表面全体において、異物又は汚れが存在しないこと。

例えば、制御部５４０は、判定対象のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが上記判定基準を全て満たす場合に、当該ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａは良品であると判定する。一方、制御部５４０は、当該ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが上記判定基準の少なくとも１つを満たさない場合に、当該ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａは不良品（不良）であると判定する。

制御部５４０は、ウェハ１００における各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対して、上述したような検査（ここでは、外観検査）を順次実行することにより、ウェハ１００における複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａのうち、不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａを特定することができる。例えば、制御部５４０は、１つのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対する検査が完了する度に、ウェハ支持部５１０の動作を制御することにより、次のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａを基準線ＲＬ上に移動させる。そして、制御部５４０は、当該次のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対して、同様に検査を実施する。以下同様に、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの検査が順次実施される。

なお、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの良否判定を行うための検査は、上述した外観検査（表面の外観検査）に限られず、その他の様々な観点の検査を含み得る。例えば、検査装置５００は、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの裏面（基板層１１０の第２表面１１０ｂ側の表面）の外観検査を実施するための機構を更に備えていてもよい。当該外観検査は、例えば以下のような判定基準に基づいて実行される。
＜裏面の外観検査の判定基準＞
・光透過領域１ａ（開口４０ａ内）に、異物又は汚れが存在しないこと。
・保護層４６に、下地層（遮光層４５）が見える程度の欠けが存在しないこと。

また、検査装置５００は、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの特性（例えば、印加電圧の大きさと透過する光の波長（各電圧において検出強度がピークとなる波長）との関係）が予め定められた範囲に収まっているか否かに関する光検査を実施するための機構を備えていてもよい。また、検査装置５００は、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの電気的検査を実施するための機構を備えていてもよい。電気的検査は、例えば、端子１５，１６間に電圧を印加した際のリーク電流、又は容量（ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａにおいて第１電極１２と第３電極１４との間に生じる静電容量に相当）の測定結果に基づく検査である。

ウェハ１００における各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの良否判定を行うための検査として、上述した外観検査（表面・裏面）、光検査、及び電気的検査等の複数の検査項目に関する検査が検査装置５００によって実施される場合、少なくとも１つの検査項目に関する検査において不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタについて、ＮＧフラグが関連付けられることになる。

続いて、制御部５４０は、ウェハ１００における全てのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの良否判定が完了した後に、不良と判定された一以上のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに順次インク５３２を塗布する。具体的には、制御部５４０は、マーキング部５３０の動作を制御することにより、不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの第２ミラー層２４０のうち、対向方向から見て空隙Ｓと重なる部分（以下、単に「メンブレン部」という）の少なくとも一部に、インク５３２を塗布する。より具体的には、制御部５４０は、マーキング部５３０のフィラメント５３３の他端部５３３ｂが金属ニードル５３４の先端部５３４ａよりも外側に押し出された状態（図１５の（ｂ）参照）となり、且つ、フィラメント５３３の他端部５３３ｂに形成されたインク溜まり５３２ａが不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａのメンブレン部の少なくとも一部に押し当てられるように、マーキング部５３０の動作を制御する。

不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが複数存在する場合、制御部５４０は、例えば、１つのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対するマーキングが完了する度に、マーキング部５３０の位置を次のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａのマーキングを行うための位置に移動させ、当該次のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対するマーキングを同様に実施する。以下同様に、不良と判定された各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対するマーキングが順次実施される。なお、マーキング部５３０と不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａとの間の位置合わせは、上記のようにマーキング部５３０を移動させることにより行われてもよいし、ウェハ支持部５１０を移動させることにより行われてもよいし、マーキング部５３０及びウェハ支持部５１０の両方を移動させることにより行われてもよい。

以上の処理により、図１６に示されるように、複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａのうち、少なくとも１つの不良品のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ（ここでは、２つのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａａ，１Ａｂ）にはインク５３２が塗布されており、少なくとも１つの良品のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ（ここでは、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａａ，１Ａｂ以外のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ）にはインク５３２が塗布されていないウェハ１００Ａが得られる。ここで、「不良品のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ」とは、上述したような良否判定を行うための検査によって不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａである。「良品のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ」とは、上述したような良否判定を行うための検査によって不良と判定されなかったファブリペロー干渉フィルタ部１Ａである。

本実施形態では一例として、図１７の（ａ）に示されるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａａにおいて、メンブレン部は破損していない。このようなファブリペロー干渉フィルタ部１Ａａは、例えば、上述した特性検査（光検査、電気的検査）によって不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａである。

また、図１７の（ｂ）に示されるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａｂにおいて、メンブレン部は、破れ、クラック等の破損部Ｃを有している。このようなファブリペロー干渉フィルタ部１Ａｂは、例えば、上述した外観検査又は特性検査（或いはその両方）によって不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａである。

図１７の例では、いずれのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａａ，１Ａｂにおいても、メンブレン部の少なくとも一部（ここでは一例として、第２ミラー部３２とほぼ一致する円形領域）に、インク５３２によるマーキングＭが形成されている。マーキングＭの径（マーキング部５３０により塗布されたインク５３２のスポット径）は、例えば７５０μｍ程度である。
［ファブリペロー干渉フィルタの製造方法］

次に、ウェハ１００からファブリペロー干渉フィルタ１を切り出す方法（ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法）について、図１８及び図１９を参照して説明する。図１８及び図１９において、（ａ）は、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対応する部分の断面図であり、（ｂ）は、ダミーフィルタ部２Ａに対応する部分の断面図である。

まず、図１８に示されるように、保護層４６０上に（すなわち、第２表面１１０ｂ側に）エキスパンドテープ６０を貼り付ける。続いて、第２表面１１０ｂ側にエキスパンドテープ６０が貼り付けられた状態で、エキスパンドテープ６０とは反対側からレーザ光Ｌを照射し、レーザ光Ｌの集光点を基板層１１０の内部に位置させつつ、レーザ光Ｌの集光点を各ライン５に沿って相対的に移動させる。つまり、エキスパンドテープ６０とは反対側から、第１溝２９０において露出したポリシリコン層の表面を介して、基板層１１０にレーザ光Ｌを入射させる。

そして、このレーザ光Ｌの照射によって、各ライン５に沿って基板層１１０の内部に改質領域７を形成する。改質領域７は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域であって、基板層１１０の厚さ方向に伸展する亀裂の起点となる領域である。改質領域７としては、例えば、溶融処理領域（一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくとも何れか一つを意味する）、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域７としては、基板層１１０の材料において改質領域７の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域等がある。基板層１１０の材料が単結晶シリコンである場合、改質領域７は、高転位密度領域ともいえる。なお、各ライン５に対して基板層１１０の厚さ方向に配列される改質領域７の列数は、基板層１１０の厚さによって適宜調整される。

続いて、図１９に示されるように、第２表面１１０ｂ側に貼り付けられたエキスパンドテープ６０を拡張させることで、基板層１１０の内部に形成された改質領域７から基板層１１０の厚さ方向に亀裂を伸展させ、各ライン５に沿って基板層１１０を複数の基板１１に切断する。このとき、第１溝２９０において第２ミラー層２４０のポリシリコン層が各ライン５に沿って切断されると共に、第２溝４７０において反射防止層４１０及び保護層４６０が各ライン５に沿って切断される。これにより、エキスパンドテープ６０上において互いに離間した状態にある複数のファブリペロー干渉フィルタ１及び複数のダミーフィルタ２を得る。なお、複数のファブリペロー干渉フィルタ１のうちマーキングＭが付加されたファブリペロー干渉フィルタ１は、後述する光検出装置１０の製造に用いられないように、ウェハ１００から切り出された後に除去される。
［光検出装置の構成］

次に、ファブリペロー干渉フィルタ１を備える光検出装置１０の構成について説明する。図２０に示されるように、光検出装置１０は、パッケージ７１を備えている。パッケージ７１は、ステム７２と、キャップ７３と、を有するＣＡＮパッケージである。キャップ７３は、側壁７４及び天壁７５によって一体的に構成されている。ステム７２及びキャップ７３は、金属材料によって形成されており、互いに気密に接合されている。金属材料によって形成されたパッケージ７１において、側壁７４の形状は、ライン９を中心線とする円筒状である。ステム７２及び天壁７５は、ライン９に平行な方向において互いに対向しており、側壁７４の両端をそれぞれ塞いでいる。

ステム７２の内面７２ａには、配線基板７６が固定されている。配線基板７６の基板材料としては、例えば、シリコン、セラミック、石英、ガラス、プラスチック等を用いることができる。配線基板７６には、光検出器（光検出部）７７、及びサーミスタ等の温度検出器（図示省略）が実装されている。光検出器７７は、ライン９上に配置されている。より具体的には、光検出器７７は、その受光部の中心線がライン９に一致するように配置されている。光検出器７７は、例えば、ＩｎＧａＡｓ等が用いられた量子型センサ、サーモパイル又はボロメータ等が用いられた熱型センサ等の赤外線検出器である。紫外、可視、近赤外の各波長域の光を検出する場合には、光検出器７７として、例えば、シリコンフォトダイオード等を用いることができる。なお、光検出器７７には、１つの受光部が設けられていてもよいし、或いは、複数の受光部がアレイ状に設けられていてもよい。更に、複数の光検出器７７が配線基板７６に実装されていてもよい。温度検出器は、ファブリペロー干渉フィルタ１の温度変化検出できるように、例えばファブリペロー干渉フィルタ１に近接した位置に配置されてもよい。

配線基板７６上には、複数のスペーサ７８が固定されている。各スペーサ７８の材料としては、例えば、シリコン、セラミック、石英、ガラス、プラスチック等を用いることができる。複数のスペーサ７８上には、ファブリペロー干渉フィルタ１が例えば接着剤によって固定されている。ファブリペロー干渉フィルタ１は、ライン９上に配置されている。より具体的には、ファブリペロー干渉フィルタ１は、光透過領域１ａの中心線がライン９に一致するように配置されている。なお、スペーサ７８は、配線基板７６に一体的に構成されていてもよい。また、ファブリペロー干渉フィルタ１は、複数のスペーサ７８によってではなく、１つのスペーサ７８によって支持されていてもよい。

ステム７２には、複数のリードピン８１が固定されている。より具体的には、各リードピン８１は、ステム７２との間の電気的な絶縁性及び気密性が維持された状態で、ステム７２を貫通している。各リードピン８１には、配線基板７６に設けられた電極パッド、光検出器７７の端子、温度検出器の端子、及びファブリペロー干渉フィルタ１の端子のそれぞれが、ワイヤ８２によって電気的に接続されている。なお、光検出器７７、温度検出器及びファブリペロー干渉フィルタ１は、配線基板７６を介して各リードピン８１に電気的に接続されていてもよい。例えば、それぞれの端子と配線基板７６に設けられた電極パッドとが電気的に接続され、電極パッドと各リードピン８１とがワイヤ８２によって接続されていてもよい。これにより、光検出器７７、温度検出器、及びファブリペロー干渉フィルタ１のそれぞれに対する電気信号の入出力等が可能である。

パッケージ７１には、開口７１ａが形成されている。より具体的には、開口７１ａは、その中心線がライン９に一致するようにキャップ７３の天壁７５に形成されている。ライン９に平行な方向から見た場合に、開口７１ａの形状は、円形状である。天壁７５の内面７５ａには、開口７１ａを塞ぐように光透過部材８３が配置されている。光透過部材８３は、天壁７５の内面７５ａに気密接合されている。光透過部材８３は、ライン９に平行な方向において互いに対向する光入射面８３ａ及び光出射面（内面）８３ｂ、並びに側面８３ｃを有している。光透過部材８３の光入射面８３ａは、開口７１ａにおいて天壁７５の外面と略面一となっている。光透過部材８３の側面８３ｃは、パッケージ７１の側壁７４の内面７４ａに接触している。つまり、光透過部材８３は、開口７１ａ内及び側壁７４の内面７４ａに至っている。このような光透過部材８３は、開口７１ａを下側にした状態でキャップ７３の内側にガラスペレットを配置し、そのガラスペレットを溶融させることで、形成される。つまり、光透過部材８３は、融着ガラスによって形成されている。

光透過部材８３の光出射面８３ｂには、接着部材８５によって、バンドパスフィルタ８４が固定されている。つまり、接着部材８５は、天壁７５の内面７５ａに接合された光透過部材８３を介して、天壁７５の内面７５ａに対してバンドパスフィルタ８４を固定している。バンドパスフィルタ８４は、光透過部材８３を透過した光のうち、光検出装置１０の測定波長範囲の光（所定の波長範囲の光であって、ファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａに入射させるべき光）を選択的に透過させる（すなわち、当該波長範囲の光のみを透過させる）。バンドパスフィルタ８４の形状は、四角形板状である。より具体的には、バンドパスフィルタ８４は、ライン９と平行な方向において互いに対向する光入射面８４ａ及び光出射面８４ｂ、並びに４つの側面８４ｃを有している。バンドパスフィルタ８４は、光透過性材料（例えば、シリコン、ガラス等）によって四角形板状に形成された光透過部材の表面に、誘電体多層膜（例えば、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５等の高屈折材料と、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２等の低屈折材料との組合せからなる多層膜）が形成されたものである。

接着部材８５は、バンドパスフィルタ８４の光入射面８４ａの全領域に配置された第１部分８５ａを有している。つまり、第１部分８５ａは、接着部材８５のうち、互いに対向する光透過部材８３の光出射面８３ｂとバンドパスフィルタ８４の光入射面８４ａとの間に配置された部分である。更に、接着部材８５は、ライン９に平行な方向から見た場合にバンドパスフィルタ８４の外縁から外側に突出した第２部分８５ｂを有している。第２部分８５ｂは、側壁７４の内面７４ａに至っており、側壁７４の内面７４ａに接触している。また、第２部分８５ｂは、バンドパスフィルタ８４の側面８４ｃに接触している。

以上のように構成された光検出装置１０においては、外部から、開口７１ａ、光透過部材８３及び接着部材８５を介して、光がバンドパスフィルタ８４に入射すると、所定の波長範囲の光が選択的に透過させられる。バンドパスフィルタ８４を透過した光がファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａに入射すると、所定の波長範囲の光のうち所定の波長の光が選択的に透過させられる。ファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａを透過した光は、光検出器７７の受光部に入射して、光検出器７７によって検出される。すなわち、光検出器７７は、ファブリペロー干渉フィルタ１を透過した光を電気信号に変換して出力する。例えば、光検出器７７は、受光部に入射される光の強度に応じた大きさの電気信号を出力する。
［ウェハの検査方法及びウェハによる作用効果］

上述したウェハの検査方法は、複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａのそれぞれの良否判定を行う工程と、良否判定を行う工程において不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの第２ミラー層２４０のうち、対向方向から見て空隙Ｓと重なる部分（メンブレン部）の少なくとも一部に、インク５３２を塗布する工程と、を含む。

上記のウェハの検査方法によれば、それぞれファブリペロー干渉フィルタ１になる予定の複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが一体化された状態（すなわちウェハ状態）において、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの検査（良否判定）が行われる。このため、ウェハ１００を切断することによって個片化されたファブリペロー干渉フィルタ１を個別に検査する場合と比較して、効率的に検査を行うことができる。また、上記検査方法では、不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａ（本実施形態では、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａａ，１Ａｂ）のうち、いわゆるメンブレン構造を有する脆弱な部分（メンブレン部）の少なくとも一部にインク５３２が塗布される。これにより、図１７の（ｂ）に示されるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａｂのように、仮に第２積層体２４のメンブレン部が破損していた場合には、破損部分（破損部Ｃ）の捲れ上がり、当該破損部分からのパーティクルの発生等を抑制することができる。具体的には、粘性を有するインク５３２を介して、当該破損部分同士（或いは当該破損部分と破損していない部分）が固定されることにより、メンブレン部の強度を向上させ、メンブレン部の破損が進行することを抑制することができる。また、図１７の（ａ）に示されるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａａのように、メンブレン部が破損していない場合においても、当該メンブレン部がインク５３２によって補強されることにより、当該メンブレン部が将来破損する可能性を低減することができる。以上により、上記のウェハの検査方法によれば、検査効率の向上を図ると共に、破損したファブリペロー干渉フィルタが他のファブリペロー干渉フィルタに悪影響を及ぼすことを抑制することができる。

また、インク５３２が塗布されるメンブレン部の少なくとも一部には、第２ミラー層２４０の第１ミラー層２２０とは反対側の表面（ウェハ１００が各ライン５に沿って切断されることで、表面２４ａになる部分）から空隙Ｓに至る貫通孔（本実施形態では、複数の貫通孔２４ｂ）が形成されている。これにより、貫通孔２４ｂを介して、インク５３２を第２ミラー層２４０の表面から内部（空隙Ｓ）に浸透させることができる。その結果、第２ミラー層２４０が、インク５３２によって補強される。このため、図１７の（ｂ）に示されるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａｂにおいては、当該第２ミラー層２４０の破損部Ｃの捲れ上がり、当該破損部Ｃからのパーティクルの発生等を効果的に抑制することができる。また、図１７の（ａ）に示されるように、不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａａのメンブレン部に破損が生じていない場合であっても、空隙Ｓに浸透したインク５３２により、当該メンブレン部が将来破損する可能性を効果的に低減することができる。なお、ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａｂについては、メンブレン部に形成された破損部Ｃを介してインク５３２が空隙Ｓに浸透すると考えられるが、貫通孔２４ｂが形成されていることにより、一層効果的にインク５３２を空隙Ｓに浸透させることができる。

また、上記のウェハの検査方法では、インク５３２を塗布する工程においては、良否判定を行う工程において全てのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａの良否判定が完了した後に、不良と判定された一以上のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに順次インク５３２が塗布される。この場合、全てのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対する検査（良否判定）が完了した後に、不良と判定された一以上のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対するインク５３２によるマーキングをまとめて行うことができるため、マーキングを効率的に行うことができる。すなわち、全てのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対する良否判定を行う工程と、不良と判定された一以上のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａにインク５３２を塗布する工程とを完全に分離することにより、各工程における処理の制御を簡素化することができる。なお、この場合には、インクマーキングを実行する装置は、良否判定のための検査を実行する装置とは異なる装置であってもよい。

一方、上記のウェハの検査方法の変形例として、インク５３２を塗布する工程においては、良否判定を行う工程において１つのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが不良と判定される度に、当該１つのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａにインク５３２が塗布されてもよい。具体的には、ある検査（例えば、上述した外観検査及び特性検査等のうちの１つの検査項目に関する検査）において１つのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが不良と判定される度に、当該１つのファブリペロー干渉フィルタ部１Ａにインク５３２が塗布されてもよい。この場合、ある検査項目に関する検査によって不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが発見される度に、当該ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対するマーキングが即時に行われる。これにより、他のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに悪影響を及ぼす可能性のあるファブリペロー干渉フィルタ部（例えば破損しておりパーティクルを発生させる可能性のあるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａｂ）に対して即時にインク５３２を塗布できる。その結果、他のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに悪影響が及ぶことを、より効果的に抑制することができる。

また、インク５３２の硬化前の状態における粘度は、５００ｃＰ〜５００００ｃＰであり、より好ましくは２００ｃＰ〜５０００ｃＰである。このような粘度のインク５３２を用いることにより、第２ミラー層２４０（メンブレン部）の破損部分の捲れ上がり、当該破損部分からのパーティクルの発生等を好適に抑制することができる。

また、インク５３２によるマーキングＭが付加されたウェハ１００Ａでは、それぞれファブリペロー干渉フィルタ１になる予定の複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが一体化された状態となっているため、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対する良否判定（検査）を効率的に行うことができる。また、例えば上記検査の結果不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａのうち、いわゆるメンブレン構造を有する脆弱な部分（メンブレン部）の少なくとも一部には、インク５３２が塗布されている。これにより、仮にメンブレン部が破損していた場合には、破損部分の捲れ上がり、当該破損部分からのパーティクルの発生等が抑制されている。また、メンブレン部が破損していない場合においても、当該メンブレン部がインク５３２によって補強されることにより、当該メンブレン部が将来破損する可能性が低減されている。以上により、ウェハ１００Ａによれば、検査効率の向上を図ると共に、破損したファブリペロー干渉フィルタが他のファブリペロー干渉フィルタに悪影響を及ぼすことを抑制することができる。また、インク５３２によるマーキングＭが付加されていることにより、ウェハ１００Ａの破損箇所（破損しているファブリペロー干渉フィルタ部１Ａａ，１Ａｂ）を容易に確認することができる。

また、ウェハ１００Ａにおいて、不良品のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに形成された空隙Ｓには、インク５３２が浸透している。具体的には、マーキング部５３０により塗布されたインク５３２の一部が、メンブレン部に形成された複数の貫通孔２４ｂ及び破損部Ｃの少なくとも一方を介して、空隙Ｓに浸透している。これにより、図１７の（ｂ）に示されるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａｂにおいては、空隙Ｓに浸透したインク５３２により、第２ミラー層２４０が第１ミラー層２２０に対して固定され、当該第２ミラー層２４０の破損部Ｃの捲れ上がり、当該破損部Ｃからのパーティクルの発生等を効果的に抑制することができる。また、図１７の（ａ）に示されるファブリペロー干渉フィルタ部１Ａａのように、メンブレン部に破損が生じていない場合であっても、空隙Ｓに浸透したインク５３２により、当該メンブレン部が将来破損する可能性を効果的に低減することができる。

なお、ウェハ１００では、複数のファブリペロー干渉フィルタ１になる複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａが有効エリア１０１に設けられている。その一方で、基板層１１０の外縁１１０ｃに沿い且つ有効エリア１０１を囲むダミーエリア１０２に複数のダミーフィルタ部２Ａが設けられており、各ダミーフィルタ部２Ａでは、互いに対向する第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に中間層２３が設けられている。これにより、ウェハ１００全体の強度が十分に確保される。そのため、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａについて上述した検査方法を実施する際におけるウェハ１００のハンドリングが容易になる。また、ウェハ１００が反り難くなるため、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対する検査、及び不良と判定されたファブリペロー干渉フィルタ部１Ａに対するインクの塗布を精度良く実施することができる。

また、ウェハ１００の製造方法では、複数のファブリペロー干渉フィルタ部１Ａがウェハ１００の状態のままで、各ファブリペロー干渉フィルタ部１Ａにおいて空隙Ｓが形成される。これにより、空隙Ｓの形成が個々のチップレベルで実施される場合に比べ、極めて効率良く、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に空隙Ｓを形成することができる。しかも、有効エリア１０１では、二次元に配置された複数の除去予定部５０に対して中間層２３０のエッチングが同時に実施される等、基板層１１０内の任意の基板１１に対応する部分と、それを囲む周囲の基板１１に対応する部分とで、同時にプロセスが進行するため、基板層１１０の面内での応力の偏りを少なくすることができる。よって、ウェハ１００の製造方法によれば、品質の高いファブリペロー干渉フィルタ１を安定して量産することを可能にするウェハ１００を得ることができる。

また、レーザ光Ｌの照射によって、各ライン５に沿って基板層１１０の内部に改質領域７を形成することで、各ライン５に沿ってウェハ１００を切断することは、次の理由により、ファブリペロー干渉フィルタ１を製造する上で極めて有効である。すなわち、レーザ光Ｌを用いたウェハ１００の切断では、水が不要であるため、空隙Ｓ上に浮いた第２ミラー部３２が水圧によって破損したり、空隙Ｓ内に水が浸入してスティッキング（第２ミラー部３２が第１ミラー部３１に接触して動かなくなる現象）が発生したりすることがない。よって、レーザ光Ｌを用いたウェハ１００の切断は、ファブリペロー干渉フィルタ１を製造する上で極めて有効である。
［変形例］

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。

図１８に示されるように、ウェハ１００では、基板層１１０の内部に、第１溝２９０に対応するように改質領域７が形成されていてもよい。ここで、改質領域７が第１溝２９０に対応するとは、対向方向から見た場合に改質領域７が第１溝２９０と重なること意味し、特には、改質領域７か各ライン５に沿って形成されている状態を意味する。これにより、改質領域７から基板層１１０の厚さ方向に亀裂を伸展させて、ウェハ１００から複数のファブリペロー干渉フィルタ１を容易に且つ精度良く切り出すことができる。この場合、基板層１１０の第２表面１１０ｂ側にエキスパンドテープ６０が貼り付けられていてもよい。このとき、ウェハ１００に貼り付けられたエキスパンドテープ６０の外縁部は、環状のフレームによって保持される。これにより、基板層１１０の内部に改質領域７が形成された状態であっても、ウェハ１００を容易にハンドリングすることができる。なお、基板層１１０の内部に改質領域７が形成されたウェハ１００では、改質領域７から不意に亀裂が伸展するおそれがある。ウェハ１００では、ダミーエリア１０２のうち一対のエリア１０２ａに、複数のダミーフィルタ部２Ａ並びに第１溝２９０及び第２溝４７０が設けられていないため、亀裂の伸展は、一対のエリア１０２ａによって停止させられる。

また、上記実施形態では、ウェハを切断する前にウェハに対する検査を行うことについて主に説明したが、ウェハ状態における検査（ウェハに対する検査）と個片後における検査（個片化されたファブリペロー干渉フィルタに対する検査）との両方が実施されてもよい。

１…ファブリペロー干渉フィルタ、１Ａ，１Ａａ，１Ａｂ…ファブリペロー干渉フィルタ部、２２…第１積層体、２４…第２積層体、２４ａ…表面、２４ｂ…貫通孔、３１…第１ミラー部、３２…第２ミラー部、１００，１００Ａ…ウェハ、１１０…基板層、１１０ａ…第１表面、１１０ｂ…第２表面、２２０…第１ミラー層、２４０…第２ミラー層、５３２…インク、Ｍ…マーキング、Ｓ…空隙。

Claims (7)

1. 互いに対向する第１表面及び第２表面を有する基板層と、前記第１表面に二次元に配置された複数の第１ミラー部を有する第１ミラー層と、前記第１ミラー層上に二次元に配置された複数の第２ミラー部を有する第２ミラー層と、を備えるウェハであって、互いに対向する前記第１ミラー層の少なくとも前記第１ミラー部を含む部分と前記第２ミラー層の少なくとも前記第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する前記第１ミラー部と前記第２ミラー部との間の距離が静電気力によって変化する複数のファブリペロー干渉フィルタ部が構成されたウェハを用意する工程と、
   複数の前記ファブリペロー干渉フィルタ部のそれぞれの良否判定を行う工程と、
   前記良否判定を行う工程において不良と判定された前記ファブリペロー干渉フィルタ部の前記第２ミラー層のうち、前記第１ミラー部と前記第２ミラー部とが互いに対向する方向から見て前記空隙と重なる部分の少なくとも一部に、インクを塗布する工程と、
   を含む、ウェハの検査方法。
2. 前記インクが塗布される前記少なくとも一部には、前記第２ミラー層の前記第１ミラー層とは反対側の表面から前記空隙に至る貫通孔が形成されている、
   請求項１に記載のウェハの検査方法。
3. 前記インクを塗布する工程においては、前記良否判定を行う工程において全ての前記ファブリペロー干渉フィルタ部の良否判定が完了した後に、不良と判定された一以上の前記ファブリペロー干渉フィルタ部に順次インクを塗布する、
   請求項１又は２に記載のウェハの検査方法。
4. 前記インクを塗布する工程においては、前記良否判定を行う工程において１つの前記ファブリペロー干渉フィルタ部が不良と判定される度に、当該１つのファブリペロー干渉フィルタ部にインクを塗布する、
   請求項１又は２に記載のウェハの検査方法。
5. 前記インクの硬化前の状態における粘度は、５００ｃＰ〜５００００ｃＰである、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載のウェハの検査方法。
6. 互いに対向する第１表面及び第２表面を有する基板層と、
   前記第１表面に二次元に配置された複数の第１ミラー部を有する第１ミラー層と、
   前記第１ミラー層上に二次元に配置された複数の第２ミラー部を有する第２ミラー層と、を備え、
   互いに対向する前記第１ミラー層の少なくとも前記第１ミラー部を含む部分と前記第２ミラー層の少なくとも前記第２ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する前記第１ミラー部と前記第２ミラー部との間の距離が静電気力によって変化する複数のファブリペロー干渉フィルタ部が構成されており、
   複数の前記ファブリペロー干渉フィルタ部のうち、少なくとも１つの不良品の前記ファブリペロー干渉フィルタ部にはインクが塗布されており、少なくとも１つの良品の前記ファブリペロー干渉フィルタ部には前記インクが塗布されていない、ウェハ。
7. 不良品の前記ファブリペロー干渉フィルタ部に形成された前記空隙には、前記インクが浸透している、
   請求項６に記載のウェハ。

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