JP2019094242A - ガラス、筐体及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】強度が向上したガラスの提供。【解決手段】互いに対向する第１の面１−１及び第２の面２−１と、該第１の面と該第２の面とを接続する第３の面３−１とを少なくとも備え、該第１の面１−１、該第２の面２−１及び該第３の面３−１のそれぞれが金属原子を含有し、該第１の面１−１及び該第３の面３−１のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、該第１の面と１−１該第３の面３−１とから形成される第１辺領域５１−１の金属原子の平均濃度が小さい、ガラスを提供する。【選択図】図１

Description

本技術は、ガラス、筐体及び電子機器に関する。

益々、市場に普及する傾向がある、スマートフォン、デジタルカメラ、ＰＤＡ（携帯情報端末：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄａｔａ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）、タッチパネルディスプレイ等のデバイスには、ガラスが用いられている。

例えば、強化ガラス及び強化ガラスの製造方法に関する技術が提案されている（特許文献１〜３を参照）。

特開２０１５−１７４７７７号公報 特開２０１６−１２１０６７号公報 特開２０１６−０７４５６４号公報

しかしながら、特許文献１〜３で提案された技術では、ガラスの強度の更なる向上が図れないおそれがある。

そこで、本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、強度が向上したガラス、及びそのガラスを備える筐体及び電子機器を提供することを主目的とする。

本発明者は、上述の目的を解決するために鋭意研究を行った結果、ガラスの強度を飛躍的に向上させることに成功し、本技術を完成するに至った。

すなわち、本技術では、互いに対向する第１の面及び第２の面と、該第１の面と該第２の面とを接続する第３の面とを少なくとも備え、該第１の面、該第２の面及び該第３の面のそれぞれが金属原子を含有し、該第１の面及び該第３の面のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、該第１の面と該第３の面とから形成される第１辺領域の金属原子の平均濃度が小さい、ガラスを提供する。

本技術に係るガラスにおいて、前記第１辺領域が面取り形状でよく、前記第１辺領域の前記面取り形状がＣ面取り形状でもよく、Ｒ面取り形状でもよい。

本技術に係るガラスにおいて、前記第２の面と前記第３の面とから形成される第２辺領域の前記金属原子の平均濃度が、前記第２の面及び前記第３の面のそれぞれの前記金属原子の平均濃度よりも小さくてもよい。

本技術に係るガラスにおいて、前記第２辺領域が面取り形状でよく、前記第２辺領域の前記面取り形状がＣ面取り形状でもよく、Ｒ面取り形状でもよい。

本技術に係るガラスが、更に、前記第１の面と前記第２の面とを接続する第４の面を少なくとも備えてよく、本技術に係るガラスにおいて、該第４の面が前記金属原子を含有し、前記第１辺領域及び前記第１の面と該第４の面とから形成される第３辺領域のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、前記第１辺領域と該第３辺領域とから形成される頂点部の金属原子の平均濃度が小さくてもよい。

本技術に係るガラスが、更に、前記第１の面と前記第２の面とを接続する第４の面を少なくとも備えてよく、本技術に係るガラスにおいて、該第４の面が前記金属原子を含有し、前記第２の面と前記第３の面とから形成される第２辺領域及び前記第２の面と該第４の面とから形成される第４辺領域のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、該第２辺領域と該第４辺領域とから形成される頂点部の金属原子の平均濃度が小さくてもよい。

本技術に係るガラスにおいて、前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方の面が平面でもよい。
本技術に係るガラスにおいて、前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方の面が曲面でもよい。

また、本技術では、本技術に係るガラスを備える筐体を提供する。
さらに、本技術では、本技術に係るガラスを備える電子機器を提供する。

本技術によれば、ガラスの強度を更に向上させることができる。なお、ここに記載された効果は、必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

本技術を適用した第１の実施形態のガラスの構成例を示す斜視図である。 本技術を適用した第２の実施形態のガラスの構成例を示す斜視図である。 本技術を適用した第６の実施形態の電子機器の構成例を示す斜視図である。 本技術を適用した第３の実施形態のガラスの構成例を示す斜視図である。 本技術を適用した第３の実施形態のガラスの構成例を示す断面図である。 本技術を適用した第３の実施形態のガラスの構成例を示す断面図である。 本技術を適用した第４の実施形態のガラスの構成例を示す斜視図である。 イオン濃度とガラス表面からの距離との関係を説明するための図である。 イオン濃度とガラス表面からの距離との関係を説明するための図である。 イオン濃度とガラス表面からの距離との関係を説明するための図である。 イオン濃度とガラス表面からの距離との関係を説明するための図である。 本技術に係るガラスの製造方法を説明するための図である。 本技術に係るガラスの製造方法を説明するための図である。 本技術を適用した第１の実施形態のガラスの構成を説明するための図である。 内部応力（ＭＰａ）と強化低減領域の幅（μｍ）との関係を説明するための図である。 強化低減領域の幅（μｍ）に対する応力の分布を示す図である。 本技術を適用した第６の実施形態の電子機器の使用例を示す図である。 本技術を適用した第６の実施形態の電子機器の一例の機能ブッロク図である。

以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。

なお、説明は以下の順序で行う。
１．本技術の概要
２．第１の実施形態（ガラスの例１）
３．第２の実施形態（ガラスの例２）
４．第３の実施形態（ガラスの例３）
５．第４の実施形態（ガラスの例４）
６．第５の実施形態（筐体の例）
７．第６の実施形態（電子機器の例）
８．本技術を適用した電子機器の使用例

＜１．本技術の概要＞
まず、本技術の概要について説明をする。

使用環境下で、モバイル機器が落下することにより、表面ガラスが割れる場合がある。一般的な解決手段として圧縮ガラスにより強化する方法がある。圧縮ガラスは表面に圧縮応力状態を作り、引っ張り応力で発生する割れのマージンを広げられたガラスである。製法としてはガラスを槽につけてイオン交換により表面からサイズの大きい原子を注入する化学強化の手法やガラス成型時に急速に冷却して外表面に圧縮の残留応力を残す手法が代表的である。これらの強化方法は良い成果を残しているが、さらに良い成果を出す強化方法は依然として求められている。こうした従来の技術の問題として、ガラスのエッジ部分で強化層の応力により内部の応力が増大し粉砕され破片が細かくなり危険性が上がる問題や強度が落ちる問題がある。そのため、たとえば端部にＲをつけたり、端面全体の強化を強くしたり、逆に端面全体の強化を弱くしたりして改善する技術がある。

しかしながら、単純に端面全体の強化を強くする技術ではガラスの辺部分や角部分の内部応力が増大して粉砕され破片が細かくなってしまうことがある。逆に端面全体の強化を弱くする技術ではガラスの強化すべき面部分の応力が低下して強化が弱くなることがある。

本技術では、ガラス（化学強化ガラスでもよい。）においてガラスの辺部分（辺領域）や角部分（頂点部）の破砕を低減しつつ面の強化応力を保つガラスを提供する。ガラスの面と面がなす辺領域（辺でもよい。）や、辺領域同士で形成される頂点部（辺と辺とがなす頂点部でもよい。）のイオン交換量を面の表面と比較して減らして面の強度を保ったままイオン交換により発生する角部の内部応力を低減し粉砕を低減する。

＜２．第１の実施形態（ガラスの例１）＞
本技術に係る第１の実施形態のガラスは、互いに対向する第１の面及び第２の面と、該第１の面と該第２の面とを接続する第３の面とを少なくとも備え、該第１の面、該第２の面及び該第３の面のそれぞれが金属原子を含有し、該第１の面及び該第３の面のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、該第１の面と該第３の面とから形成される第１辺領域の金属原子の平均濃度が小さい、ガラスである。

本技術に係る第１の実施形態のガラスは、前記第２の面と前記第３の面とから形成される第２辺領域の前記金属原子の平均濃度が、前記第２の面及び前記第３の面のそれぞれの前記金属原子の平均濃度よりも小さくてもよい。

本技術に係る第１の実施形態のガラスは、第１の面と第２の面とを接続する第４の面を備えてもよく、第４の面は金属原子を含有してよい。第１の面及び第４の面のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面と第４の面とから形成される第３辺領域の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面及び第４の面のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面と第４の面とから形成される第４辺領域の金属原子の平均濃度は小さくてよい。

本技術に係る第１の実施形態のガラスは、第１の面と第２の面とを接続する第５の面を備えてよく、第５の面は金属原子を含有してよい。第１の面及び第５の面のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面と第５の面とから形成される第５辺領域の金属原子の平均濃度は小さくてよく、第２の面及び第５の面のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面と第５の面とから形成される第６辺領域５６−１の金属原子の平均濃度も小さくてよい。

本技術に係る第１の実施形態のガラスは、第１の面と第２の面とを接続する第６の面を備えてよく、第６の面は金属原子を含有してよい。第１の面及び第６の面のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面と第６の面とから形成される第７辺領域の金属原子の平均濃度は小さくてよく、第２の面及び第６の面のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面と第６の面６−１とから形成される第８辺領域５８−１の金属原子の平均濃度も小さくてよい。

本技術に係る第１の実施形態のガラスにおいて、第３の面と第４の面とから形成される第９辺領域の金属原子の平均濃度は、第３の面及び第４の面のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さくてよく、第４の面と第５の面とから形成される第１０辺領域の金属原子の平均濃度は、第４の面及び第５の面のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さくてよく、第５の面と第６の面とから形成される第１１辺領域の金属原子の平均濃度は、第５の面及び第６の面のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さくてよく、さらに、第６の面と第３の面とから形成される第１２辺領域の金属原子の平均濃度は、第６の面及び第３の面のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さくてよい。

第１辺領域〜第１２辺領域は、内部応力（引張応力）の影響が届く範囲内であることが好適であるが、これに限定されなくてもよい。内部応力（引張応力）の影響が届く範囲内とは、例えば、ガラスの厚みが７００μｍ程度の場合は、ガラス表面から数μｍ〜１００μｍである。

金属原子は、金属原子がイオン化した状態、すなわち、金属イオンを含む概念である。金属原子は、イオン交換法によって、本技術に係る第１の実施形態のガラスに含有させることができる。イオン交換法は、例えば、イオン交換前にガラスに含まれる小さなイオン半径（原子半径）のイオンを大きなイオン半径（原子半径）のイオンに置換することをいう。例えば、イオン交換前にガラスに含まれるＬｉイオンを、Ｎａイオンに置換したり、イオン交換前にガラスに含まれるＮａイオンを、Ｋイオンに置換することをいう。

本技術に係る第１の実施形態のガラスの形状は、任意の形状でよい。例えば、本技術に係る第１の実施形態のガラスの形状は、六面体でもよいし、多面体でもよい。

図１に、本技術に係る第１の実施形態のガラスの一例であるガラス１００（図１中では１００−１である。）を示す。図１は、六面体のガラス１００−１の斜視図である。

ガラス１００−１は、互いに対向する第１の面１−１及び第２の面２−１と、第１の面１−１と第２の面２−１とを接続する第３の面３−１とを少なくとも備える。第１の面１−１、第２の面２−１及び第３の面３−１のそれぞれが金属原子を含有する。第１の面１−１及び第３の面３−１のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−１と第３の面３−１とから形成される第１辺領域５１−１の金属原子の平均濃度は小さい。第１辺領域５１−１は、第１辺１３−１を含む領域である。

ガラス１００−１において、第２の面２−１と第３の面３−１とから形成される第２辺領域５２−１の金属原子の平均濃度が、第２の面２−１及び第３の面３−１のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さい。第２辺領域５２−１は、第２辺２３−１を含む領域である。

ガラス１００−１は、第１の面１−１と第２の面２−１とを接続する第４の面４−１を備え、第４の面４−１は金属原子を含有する。第１の面１−１及び第４の面４−１のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−１と第４の面４−１とから形成される第３辺領域５３−１の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−１及び第４の面４−１のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−１と第４の面４−１とから形成される第４辺領域５４−１の金属原子の平均濃度は小さい。第３辺領域５３−１は、第３辺１４−１を含む領域である。第４辺領域５４−１は、第４辺２４−１を含む領域である。

ガラス１００−１は、第１の面１−１と第２の面２−１とを接続する第５の面５−１を備え、第５の面５−１は金属原子を含有する。第１の面１−１及び第５の面５−１のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−１と第５の面５−１とから形成される第５辺領域５５−１の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−１及び第５の面５−１のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−１と第５の面５−１とから形成される第６辺領域５６−１の金属原子の平均濃度は小さい。第５辺領域５５−１は、第５辺１５−１を含む領域である。第６辺領域５６−１は、第６辺２５−１を含む領域である。

ガラス１００−１は、第１の面１−１と第２の面２−１とを接続する第６の面６−１を備え、第６の面６−１は金属原子を含有する。第１の面１−１及び第６の面６−１のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−１と第６の面６−１とから形成される第７辺領域５７−１の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−１及び第６の面６−１のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−１と第６の面６−１とから形成される第８辺領域５８−１の金属原子の平均濃度は小さい。第７辺領域５７−１は、第７辺１６−１を含む領域である。第８辺領域５８−１は、第８辺２６−１を含む領域である。

ガラス１００−１において、第３の面３−１と第４の面４−１とから形成される第９辺領域５９−１の金属原子の平均濃度は、第３の面３−１及び第４の面４−１のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、第４の面４−１と第５の面５−１とから形成される第１０辺領域６０−１の金属原子の平均濃度は、第４の面４−１及び第５の面５−１のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、第５の面５−１と第６の面６−１とから形成される第１１辺領域６１−１の金属原子の平均濃度は、第５の面５−１及び第６の面６−１のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、さらに、第６の面６−１と第３の面３−１とから形成される第１２辺領域６２−１の金属原子の平均濃度は、第６の面６−１及び第３の面３−１のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さい。第９辺領域５９−１は、第９辺３４０−１を含む領域である。第１０辺領域６０−１は、第１０辺４５０−１を含む領域である。第１１辺領域６１−１は、第１１辺５６０−１を含む領域である。第１２辺領域６２−１は、第１２辺６３０−１を含む領域である。

図１４は、本技術に係る第１の実施形態のガラスの構成を説明するための図である。図１４（ａ）は、ガラス１００−１４ａの斜視図であり、図１４（ｂ）は、ガラス１００−１４ａのＱ−１４ａ中の斜線部分Ｒ−１４ａを拡大断面視した図である。

図１４（ｂ）を参照すると、ガラス１００−１４ｂは、第１の面１−１４ｂ、第２の面２−１４ｂ、第１の面１−１４ｂと第２の面２−１４ｂとを接続する第５の面５−１４ｂ、及び未強化領域５２０−１４ｂとから構成されている。第１の面１−１４ｂには強化領域５１０−１４ｂ−１が形成され、第２の面２−１４ｂには強化領域５１０−１４ｂ−２が形成され、第５の面５−１４ｂには強化領域５１０−１４ｂ−３が形成されている。そして、第１の面１−１４ｂと第５の面５−１４ｂとから、強化低減領域５００−１４ｂ−２が形成され、第２の面２−１４ｂと第５の面５−１４ｂとから、強化低減領域５００−１４ｂ−１が形成されている。強化低減領域５００−１４ｂ−２が第５辺領域に対応し、強化低減領域５００−１４ｂ−１が第６辺領域に対応する。強化低減領域５００−１４ｂ−１は、第２の面２−１４ｂに沿った方向の幅１を有し、第５の面５−１４ｂに沿った方向の幅２を有する。強化低減領域５００−１４ｂ−２は、第５の面５−１４ｂに沿った方向の幅３を有し、第１の面１−１４ｂに沿った方向の幅４を有する。幅１〜幅４のそれぞれは、互いに同じ長さでもよいし、異なった長さでもよい。

強化低減領域５００−１４ｂ−１及び５００−１４ｂ−２は、強化領域５１０−１４ｂ−１〜３に比べて、イオン交換される原子半径が大きい金属原子（金属イオン）の量が少ない。ガラス１００−１４ｂに強化低減領域５００−１４ｂ−１及び５００−１４ｂ−２を設けることで、第１の面１−１４ｂの強化応力（圧縮応力）Ｐ−１４ｂ−１、第２の面２−１４ｂの強化応力（圧縮応力）Ｐ１４−ｂ−２、及び第５の面５−１４ｂの面の強化応力（圧縮応力）Ｐ１４ｂ−３を保ったまま、第５辺領域及び第６辺領域（ガラス１００−１４ｂの角部）の内部応力（引張応力）を低減して、粉砕・破砕を防止することができる。

図１５は、強化領域の金属原子の平均濃度に対する強化低減領域の金属原子の平均濃度の濃度比を０％〜１００％まで変化させたときの、内部応力（引張応力）（ＭＰａ）と強化低減領域の幅（μｍ）との関係を説明するための図である。強化低減領域の幅（μｍ）は図１４（ｂ）に示される幅１〜幅４のどれか１つの幅に対応する。例えば、濃度比「０％」とは、強化低減域は、未強化領域の原子半径が大きい金属原子の平均濃度と同様に、原子半径が大きい金属原子の平均濃度は０ｍｏｌ％（イオン交換なし。）であることを示し、濃度比「２０％」とは、強化領域の（原子半径が大きい）金属原子の平均濃度が１０ｍｏｌ％であるとき、強化低減領域の原子半径が大きい金属原子の平均濃度は２ｍｏｌ％であることを示す。濃度比「１００％」とは、強化低減領域が形成されていなく、強化領域のみが形成されていることを示す。

図１５に示されるように、内部応力は低い方が良いが、濃度比０％〜８０％において、幅に最適値があることを確認することできる。

図１６は、強化低減領域の幅（μｍ）に対する内部応力（引張応力）の分布を示す図である。図１６（ａ）は、強化低減領域の幅が０μｍ（強化低減領域なし。）であるガラスの内部応力（引張応力）の分布を示す図であり、図１６（ｂ）は、強化低減領域の幅が１５０μｍであるガラスの内部応力（引張応力）の分布を示す図であり、図１６（ｃ）は、強化低減領域の幅が３００μｍであるガラスの内部応力（引張応力）の分布を示す図である。強化低減領域の幅（μｍ）とは、ガラスの互いに対抗する第１の面及び第２の面、並びに、第１の面及び第２の面を接続する第３の面（端面）のうちのいずれか１つの面の表面からの長さ（距離）を意味し、例えば、図１４（ｂ）に示される幅１〜４のいずれか１つの幅に対応する。強化領域の金属原子の平均濃度に対する強化低減領域の金属原子の平均濃度の濃度比は４０％である。

図１６に示されるように、強化低減領域がない場合（０μｍ）は２面の応力影響が重なって大きい内部応力が発生するが、強化低減領域を入れることにより、応力ピークが分散し、内部応力が低減する。更に強化層低減領域を広げると他エッジの強化層低減領域の応力ピーク同士が干渉して強い内部応力を生じる。これは、最適値があるメカニズムである。したがってエッジからの幅が応力の影響距離以上かつ他端の強化低減領域との距離が応力の影響距離以上離れていると効果的である。

図８は、金属イオン濃度とガラス表面からの距離との関係を説明するための図である。図８（ａ）は、ガラス１００−８ａを厚み方向に切断したときの断面図であり、図８（ｂ）は、ガラス表面からの距離に対する金属イオン濃度を示すグラフである。図８（ａ）に示される矢印Ｐ−８ａ―１（破線）の方向の金属イオン濃度が、図８（ｂ）に示される破線のグラフに対応し、図８（ａ）に示される矢印Ｐ−８ａ―２（実線）の方向の金属イオン濃度が、図８（ｂ）に示される実線のグラフに対応する。図８（ｂ）に示されるように、濃度比は４０％である。

図８（ａ）を参照すると、ガラス１００−８ａは、第１の面１−８ａ、第２の面２−８ａ、第１の面１−８ａと第２の面２−８ａとを接続する第３の面３−８ａ、及び未強化領域５２０−８ａとから構成されている。第１の面１−８ａには強化領域５１０−８ａ−３が形成され、第２の面２−８ａには強化領域５１０−８ａ−２が形成され、第３の面３−８ａには強化領域５１０−８ａ−１が形成されている。そして、第１の面１−８ａと第３の面３−８ａとには、強化低減領域５００−８ａ−１が形成され、第２の面２−８ａと第３の面３−８ａとには、強化低減領域５００−８ａ−２が形成されている。強化低減領域５００−８ａ−１が第１辺領域に対応し、強化低減領域５００−８ａ−２が第２辺領域に対応する。図８から明らかなように、第１辺領域及び第２辺領域（強化低減領域）における金属原子の最表面の濃度を面（強化領域）に対して低くして金属原子の濃度を低くしてもよい。

図９は、金属イオン濃度とガラス表面からの距離との関係を説明するための図である。図９（ａ）は、ガラス１００−９ａを厚み方向に切断したときの断面図であり、図９（ｂ）は、ガラス表面からの距離に対する金属イオン濃度を示すグラフである。図９（ａ）に示される矢印Ｐ−９ａ―１（破線）の方向の金属イオン濃度が、図９（ｂ）に示される破線のグラフに対応し、図９（ａ）に示される矢印Ｐ−９ａ―２（実線）の方向の金属イオン濃度が、図９（ｂ）に示される実線のグラフに対応する。図９（ｂ）に示されるよう、表面からの距離比（深さの比）は、４０％である。

図９（ａ）を参照すると、ガラス１００−９ａは、第１の面１−９ａ、第２の面２−９ａ、第１の面１−９ａと第２の面２−９ａとを接続する第３の面３−９ａ、及び未強化領域５２０−９ａとから構成されている。第１の面１−９ａには強化領域５１０−９ａ−４が形成され、第２の面２−９ａには強化領域５１０−９ａ−３が形成され、第３の面３−９ａには強化領域５１０−９ａ−１及び−２が形成されている。そして、第１の面１−９ａと第３の面３−９ａとには、強化低減領域５００−９ａ−１がガラス１００−９ａの内部に形成され、第２の面２−９ａと第３の面３−９ａとには、強化低減領域５００−９ａ−２がガラス１００−９ａの内部に形成されている。強化低減領域５００−９ａ−１が第１辺領域に対応し、強化低減領域５００−９ａ−２が第２辺領域に対応する。図９から明らかなように、第１辺領域及び第２辺領域（強化低減領域）における金属原子の表面からの浸透距離を面（強化領域）に対して短くして金属原子の濃度を低くしてもよい。

図１０は、金属イオン濃度とガラス表面からの距離との関係を説明するための図である。図１０（ａ）は、ガラス１００−１０ａを厚み方向に切断したときの断面図であり、図１０（ｂ）は、ガラス表面からの距離に対する金属イオン濃度を示すグラフである。図１０（ａ）に示される矢印Ｐ−１０ａ―１（破線）の方向の金属イオン濃度が、図１０（ｂ）に示される破線のグラフに対応し、図１０（ａ）に示される矢印Ｐ−１０ａ―２（実線）の方向の金属イオン濃度が、図１０（ｂ）に示される実線のグラフに対応する。

図１０（ａ）を参照すると、ガラス１００−１０ａは、第１の面１−１０ａ、第２の面２−１０ａ、第１の面１−１０ａと第２の面２−１０ａとを接続する第３の面３−１０ａ、及び未強化領域５２０−１０ａとから構成されている。第１の面１−１０ａには強化領域５１０−１０ａ−３が形成され、第２の面２−１０ａには強化領域５１０−１０ａ−２が形成され、第３の面３−１０ａには強化領域５１０−１０ａ−１が形成されている。そして、第１の面１−１０ａと第３の面３−１０ａとには、強化低減領域５００−１０ａ−１が形成され、第２の面２−１０ａと第３の面３−１０ａとには、強化低減領域５００−１０ａ−２が形成されている。強化低減領域５００−１０ａ−１が第１辺領域に対応し、強化低減領域５００−１０ａ−２が第２辺領域に対応する。

図１１は、金属イオン濃度とガラス表面からの距離との関係を説明するための図である。図１１（ａ）は、ガラス１００−１１ａを厚み方向に切断したときの断面図であり、図１１（ｂ）は、ガラス表面からの距離に対する金属イオン濃度を示すグラフである。図１１（ａ）に示される矢印Ｐ−１１ａ―１（破線）の方向の金属イオン濃度が、図１１（ｂ）に示される破線のグラフに対応し、図１１（ａ）に示される矢印Ｐ−１１ａ―２（実線）の方向の金属イオン濃度が、図１１（ｂ）に示される実線のグラフに対応する。

図１１（ａ）を参照すると、ガラス１００−１１ａは、第１の面１−１１ａ、第２の面２−１１ａ、第１の面１−１１ａと第２の面２−１１ａとを接続する第３の面３−１１ａ、及び未強化領域５２０−１１ａとから構成されている。第１の面１−１１ａには強化領域５１０−１１ａ−３が形成され、第２の面２−１１ａには強化領域５１０−１１ａ−２が形成され、第３の面３−１１ａには強化領域５１０−１１ａ−１が形成されている。そして、第１の面１−１１ａと第３の面３−１１ａとには、強化低減領域５００−１１ａ−１がガラス１００−１１ａの内部に形成され、第２の面２−１１ａと第３の面３−１１ａとには、強化低減領域５００−１１ａ−２がガラス１００−１１ａの内部に形成されている。強化低減領域５００−１１ａ−１が第１辺領域に対応し、強化低減領域５００−１１ａ−２が第２辺領域に対応する。

図１０及び図１１から明らかなように、第１辺領域及び第２辺領域（強化低減領域）における金属原子の最表面からの濃度分布の屈曲部（図１０（ｂ）で示される屈曲部ｋ−１０ｂ及び図１１（ｂ）に示される屈曲部ｋ−１１ｂ）を面（強化領域）に対して少なくして金属原子の濃度を低くしてもよい。これは、面（強化領域）に対して、第１辺領域及び第２辺領域（強化低減領域）における強化回数を減らして実現される。深く入れる強化を減らしてもよいし、浅く入れる強化を減らしてもよい。

［本技術に係る第１の実施形態のガラスの製造方法］
次に、本技術に係る第１の実施形態のガラスの製造方法について説明をする。本技術に係る第１の実施形態のガラスは、例えば、以下の製造方法の例によって得られる。

（本技術に係る第１の実施形態のガラスの製造方法の例１）
本技術に係る第１の実施形態のガラスの製造方法の例１を、図１２を用いて説明をする。図１２（ａ）は、ガラス６１０−１２ａに膜（マスク）（６００−１２ａ―１〜６００−１２ａ−４）を形成することを示し、図１２（ｂ）は、ガラス６１０−１２ｂに、膜（マスク）（６００−１２ｂ―１〜６００−１２ｂ−４）をして、矢印Ｐ−１２ｂ−１及び矢印Ｐ−１２ｂ−２方向で、化学強化処理（ガラス６１０−１２ｂ中のＮａ^＋からＫ^＋（図１２（ｂ）中では、６２０−１２ｂ）にイオン交換処理）を施すことを示し、図１２（ｃ）は、膜を除去して、ガラス１００−１２ｃが得られたことを示す図である。

ガラス１００−１２ｃは、未強化領域５２０−１２ｃと、強化領域５１０−１２ｃ−１〜５１０−１２ｃ−４と、強化低減領域５００−１２ｃ−１〜５１−１２ｃ−４とから構成されている。未強化領域５２０−１２ｃの外側の面に強化領域５１０−１２ｃ−１〜５１０−１２ｃ−４が形成され、未強化領域５２０−１２ｃの外側の辺領域に強化低減領域５００−１２ｃ−１〜５１−１２ｃ−４が形成されている。

図１２（ａ）〜図１２（ｃ）から明らかなように、ガラスの辺領域や頂点部においてレジスト、テープ、異組成のガラスなどイオン浸透速度がガラスに対して遅い材料をマスクとして塗布してイオン置換による化学強化をすることでガラスの辺や頂点の金属原子の濃度を減らすことで実現可能である。イオン置換は例えばＮａをＫ、ＬｉをＮａなどにより金属原子のサイズが大きいものへの置換であれば種類は問わない。

（本技術に係る第１の実施形態のガラスの製造方法の例２）
本技術に係る第１の実施形態のガラスの製造方法の例２を、図１３を用いて説明をする。

図１３（ａ）は、ガラス６１０−１３ａに、矢印Ｐ−１３ａ−１及び矢印Ｐ−１３ａ−２方向で、化学強化処理（ガラス６１０−１３ａ中のＮａ^＋からＫ^＋（図１３（ａ）中では、６２０−１３ａ）にイオン交換処理）を施すことを示し、図１３（ｂ）は、ガラスの端部を加工して、ガラス１００−１３ｂが得られたことを示す図である。

ガラス１００−１３ｃは、イオン濃度が低い領域と、イオン濃度が高い領域５１１−１３ｂと、イオン濃度が非常に高い領域５１０−１３ｂ−１〜４とから構成されている。イオン濃度が低い領域の外側の面にイオン濃度が高い領域５１１−１３ｂが形成され、さらに、イオン濃度が高い領域５１１−１３ｂの外側の面にイオン濃度が非常に高い領域５１０−１３ｂ−１〜４が形成され、端部加工により、端部はイオン濃度が高い領域５１１−１３ｂが露出している。

図１３（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、ガラスの強化後に、辺や頂点を研磨やエッチングで削ることで最表面の最も濃度が高い強化領域を取り除き、ガラスの辺や頂点の金属原子の濃度を減らすことで実現可能である。

＜３．第２の実施形態（ガラスの例２）＞
本技術に係る第２の実施形態のガラスは、上記で述べた本技術に係る第１の実施形態のガラスの構成と同じ構成を有して、さらに、前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方の面が平面である、ガラスである。又は、本技術に係る第２の実施形態のガラスは、上記で述べた本技術に係る第１の実施形態のガラスの構成と同じ構成を有して、さらに、前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方の面が曲面である、ガラスである。

図２に、本技術に係る第２の実施形態のガラスの一例であるガラス１００−２を示す。図２は、ガラス１００−２の斜視図である。

ガラス１００−２は、互いに対向する第１の面１−２及び第２の面２−２と、第１の面１−２と第２の面２−２とを接続する第３の面３−２とを少なくとも備える。第１の面１−２、第２の面２−２及び第３の面３−２のそれぞれが金属原子を含有する。第１の面１−２及び第３の面３−２のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−２と第３の面３−２とから形成される第１辺領域５１−２の金属原子の平均濃度は小さい。第１辺領域５１−２は、第１辺１３−２を含む領域である。

ガラス１００−２において、第２の面２−２と第３の面３−２とから形成される第２辺領域５２−２の金属原子の平均濃度が、第２の面２−２及び第３の面３−２のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さい。第２辺領域５２−２は、第２辺２３−２を含む領域である。

ガラス１００−２は、第１の面１−２と第２の面２−２とを接続する第４の面４−２を備え、第４の面４−２は金属原子を含有する。第１の面１−２及び第４の面４−２のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−２と第４の面４−２とから形成される第３辺領域５３−２の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−２及び第４の面４−２のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−２と第４の面４−２とから形成される第４辺領域５４−２の金属原子の平均濃度は小さい。第３辺領域５３−２は、第３辺１４−２を含む領域である。第４辺領域５４−２は、第４辺２４−２を含む領域である。

ガラス１００−２は、第１の面１−２と第２の面２−２とを接続する第５の面５−２を備え、第５の面５−２は金属原子を含有する。第１の面１−２及び第５の面５−２のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−２と第５の面５−２とから形成される第５辺領域５５−２の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−２及び第５の面５−２のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−２と第５の面５−２とから形成される第６辺領域５６−２の金属原子の平均濃度は小さい。第５辺領域５５−２は、第５辺１５−２を含む領域である。第６辺領域５６−２は、第６辺２５−２を含む領域である。

ガラス１００−２は、第１の面１−２と第２の面２−２とを接続する第６の面６−２を備え、第６の面６−２は金属原子を含有する。第１の面１−２及び第６の面６−２のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−２と第６の面６−２とから形成される第７辺領域５７−２の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−２及び第６の面６−２のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−２と第６の面６−２とから形成される第８辺領域５８−２の金属原子の平均濃度は小さい。第７辺領域５７−２は、第７辺１６−２を含む領域である。第８辺領域５８−２は、第８辺２６−２を含む領域である。

ガラス１００−２において、第３の面３−２と第４の面４−２とから形成される第９辺領域５９−２の金属原子の平均濃度は、第３の面３−２及び第４の面４−２のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、第４の面４−２と第５の面５−２とから形成される第１０辺領域６０−２の金属原子の平均濃度は、第４の面４−２及び第５の面５−２のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、第５の面５−２と第６の面６−２とから形成される第１１辺領域６１−２の金属原子の平均濃度は、第５の面５−２及び第６の面６−２のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、さらに、第６の面６−２と第３の面３−２とから形成される第１２辺領域６２−２の金属原子の平均濃度は、第６の面６−２及び第３の面３−２のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さい。第９辺領域５９−２は、第９辺３４０−２を含む領域である。第１０辺領域６０−２は、第１０辺４５０−２を含む領域である。第１１辺領域６１−２は、第１１辺５６０−２を含む領域である。第１２辺領域６２−２は、第１２辺６３０−２を含む領域である。

図２中のガラス１００−２において、第１の面（図２中では上面）１−２は曲面であり、第２の面２−２（図２中では下面）は平面であり、ガラス１００−２の外周部を構成する側面である、第３の面（端面）３−２、第４の面（端面）４−２、第５の面（端面）５−２及び第６の面（端面）６０２は平面である。なお、第２の面２−２、第３の面（端面）３−２、第４の面（端面）４−２、第５の面（端面）５−２及び第６の面（端面）６０２の少なくともいずれ１つが曲面であってもよい。

＜４．第３の実施形態（ガラスの例３）＞
本技術に係る第３の実施形態のガラスは、上記で述べた本技術に係る第１の実施形態のガラスの構成と同じ構成を有して、さらに、前記第１辺領域が、少なくとも面取り形状である、ガラスである。第１辺領域の面取り形状はＣ面取り形状でもよく、Ｒ面取り形状でもよい。そして、本技術に係る第３の実施形態のガラスにおいて、前記第２辺領域が面取り形状でもよく、第２辺領域の面取り形状がＣ面取り形状でもよく、Ｒ面取り形状でもよい。

図４に、本技術に係る第３の実施形態のガラスの一例であるガラス１００−４を示す。図４は、ガラス１００−４の斜視図である。

ガラス１００−４は、互いに対向する第１の面１−４及び第２の面２−４と、第１の面１−４と第２の面２−４とを接続する第３の面３−４とを少なくとも備える。第１の面１−４、第２の面２−４及び第３の面３−４のそれぞれが金属原子を含有する。第１の面１−４及び第３の面３−４のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−４と第３の面３−４とから形成される第１辺領域５１−４の金属原子の平均濃度は小さい。第１辺領域５１−４は、第１辺１３−４を含む領域である。

ガラス１００−４において、第２の面２−４と第３の面３−４とから形成される第２辺領域５２−４の金属原子の平均濃度が、第２の面２−４及び第３の面３−４のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さい。第２辺領域５２−４は、第２辺２３−４を含む領域である。

ガラス１００−４は、第１の面１−４と第２の面２−４とを接続する第４の面４−４を備え、第４の面４−４は金属原子を含有する。第１の面１−４及び第４の面４−４のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−４と第４の面４−４とから形成される第３辺領域５３−４の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−４及び第４の面４−４のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−４と第４の面４−４とから形成される第４辺領域５４−４の金属原子の平均濃度は小さい。第３辺領域５３−４は、第３辺１４−４（第３面取り部１４−４ともいう。）を含む領域である。第４辺領域５４−４は、第４辺２４−４（第４面取り部２４−４ともいう。）を含む領域である。

ガラス１００−４は、第１の面１−４と第２の面２−４とを接続する第５の面５−４を備え、第５の面５−４は金属原子を含有する。第１の面１−４及び第５の面５−４のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−４と第５の面５−４とから形成される第５辺領域５５−４の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−４及び第５の面５−４のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−４と第５の面５−４とから形成される第６辺領域５６−４の金属原子の平均濃度は小さい。第５辺領域５５−４は、第５辺１５−４を含む領域である。第６辺領域５６−４は、第６辺２５−４を含む領域である。

ガラス１００−４は、第１の面１−４と第２の面２−４とを接続する第６の面６−４を備え、第６の面６−４は金属原子を含有する。第１の面１−４及び第６の面６−４のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−４と第６の面６−４とから形成される第７辺領域５７−４の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−４及び第６の面６−４のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−４と第６の面６−４とから形成される第８辺領域５８−４の金属原子の平均濃度は小さい。第７辺領域５７−４は、第７辺１６−４（第７面取り部１６−４ともいう。）を含む領域である。第８辺領域５８−４は、第８辺２６−４（第８面取り部２６−４ともいう。）を含む領域である。

ガラス１００−４において、第３の面３−４と第４の面４−４とから形成される第９辺領域５９−４の金属原子の平均濃度は、第３の面３−４及び第４の面４−４のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、第４の面４−４と第５の面５−４とから形成される第１０辺領域６０−４の金属原子の平均濃度は、第４の面４−４及び第５の面５−４のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、第５の面５−４と第６の面６−４とから形成される第１１辺領域６１−４の金属原子の平均濃度は、第５の面５−４及び第６の面６−４のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、さらに、第６の面６−４と第３の面３−４とから形成される第１２辺領域６２−４の金属原子の平均濃度は、第６の面６−４及び第３の面３−４のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さい。第９辺領域５９−４は、第９辺３４０−４を含む領域である。第１０辺領域６０−４は、第１０辺４５０−４を含む領域である。第１１辺領域６１−４は、第１１辺５６０−４を含む領域である。第１２辺領域６２−４は、第１２辺６３０−４を含む領域である。

図４中においては、第３辺領域５３−４、第４辺領域５４−４、第７辺領域５７−４及び第８辺領域５８−４が、面取り形状である。さらに、第１辺領域５１−４、第２辺領域５２−４、第５辺領域５５−４及び第６辺領域５６−４の少なくとも１つが面取り形状でもよい。

以下に、図５及び図６を用いて、面取り形状について詳細に説明をする。

図５は、Ｃ面取り形状を有するガラス１００−５の断面図である。ガラス１００−５は、第１の面（上面）１−５と、第２の面（下面）２−５と、第１の面（上面）１−５及び第２の面（下面）２−５を接続する第４の面（端面）４−５及び第６の面（端面）６−５とから構成されている。ガラス１００−５においては、第１の面１−５と第４の面４−５とから第３辺領域５３−５が形成され、第２の面２−５と第４の面４−５とから第４辺領域５４−５が形成され、第１の面１−５と第６の面６−５とから第７辺領域５７−５が形成され、第２の面２−５と第６の面４−５とから第８辺領域５８−５が形成されている。

第３辺領域５３−５は第３辺１４−５を含み、第４辺領域５４−５は第４辺２４−５を含み、そして、第７辺領域５７−５は第７辺１６−５を含む。第８辺領域５８−５は、Ｃ面取りＱ−５を含む。Ｃ面取りＱ−５のＣ面取り幅Ｐ−５は随意でよいが、内部応力（引張応力）の影響が届く範囲内の幅Ｐ−５を有するＣ面取形状が好適である。それ以上の面取り幅の場合はＣ面を面とみなして面の金属原子の濃度を低くしない方が好適である。例えば、ガラス１００−５の厚み、すなわち、第４の面（端面）４−５及び第６の面（端面）６−５の長さ（図５中では上下方向の長さ）が７００μｍ程度の場合は、幅Ｐ−５は２００μｍ未満がよい。

図６は、Ｒ面取り形状を有するガラス１００−６の断面図である。ガラス１００−６は、第１の面（上面）１−６と、第２の面（下面）２−６と、第１の面（上面）１−６及び第２の面（下面）２−６を接続する第４の面（端面）４−６及び第６の面（端面）６−６とから構成されている。ガラス１００−６においては、第１の面１−６と第４の面４−６とから第３辺領域５３−６が形成され、第２の面２−６と第４の面４−６とから第４辺領域５４−６が形成され、第１の面１−６と第６の面６−６とから第７辺領域５７−６が形成され、第２の面２−６と第６の面４−６とから第８辺領域５８−６が形成されている。

第３辺領域５３−６は第３辺１４−６を含み、第４辺領域５４−６は第４辺２４−６を含み、そして、第７辺領域５７−６は第７辺１６−６を含む。第８辺領域５８−６は、Ｒ面取りＱ−６を含む。Ｒ面取りＱ−６のＲ面取り幅（半径）は随意でよいが、内部応力（引張応力）の影響が届く範囲内の幅（半径）を有するＲ面取り形状が好適である。それ以上の面取り幅（半径）の場合はＲ面を面とみなして面の金属原子の濃度を低くしない方が好適である。例えば、ガラス１００−６の厚み、すなわち、第４の面（端面）４−６及び第６の面（端面）６−６の長さ（図６中では上下方向の長さ）が７００μｍ程度の場合は、Ｒ面取りの半径は２００μｍ未満がよい。

＜５．第４の実施形態（ガラスの例４）＞
本技術に係る第４の実施形態のガラスは、上記で述べた本技術に係る第１の実施形態のガラスの構成と同じ構成を有して、さらに、前記第１の面と前記第２の面とを接続する第４の面を少なくとも備えて、該第４の面が前記金属原子を含有し、前記第１辺領域及び前記第１の面と該第４の面とから形成される第３辺領域のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、前記第１辺領域と該第３辺領域とから形成される頂点部の金属原子の平均濃度が小さい、ガラスである。また、本技術に係る第４の実施形態のガラスは、前記第２辺領域及び前記第２の面と該第４の面とから形成される第４辺領域のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、該第２辺領域と該第４辺領域とから形成される頂点部の金属原子の平均濃度が小さくてもよい。

図７に、本技術に係る第４の実施形態のガラスの一例であるガラス１００−７を示す。図７は、ガラス１００−７の斜視図である。

ガラス１００−７は、互いに対向する第１の面１−７及び第２の面２−７と、第１の面１−７と第２の面２−７とを接続する第３の面３−７とを少なくとも備える。第１の面１−７、第２の面２−７及び第３の面３−７のそれぞれが金属原子を含有する。第１の面１−７及び第３の面３−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−７と第３の面３−７とから形成される第１辺領域５１−７の金属原子の平均濃度は小さい。第１辺領域５１−７は、第１辺１３−７を含む領域である。

ガラス１００−７において、第２の面２−７と第３の面３−７とから形成される第２辺領域５２−７の金属原子の平均濃度が、第２の面２−７及び第３の面３−７のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さい。第２辺領域５２−７は、第２辺２３−７を含む領域である。

ガラス１００−７は、第１の面１−７と第２の面２−７とを接続する第４の面４−７を備え、第４の面４−７は金属原子を含有する。第１の面１−７及び第４の面４−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−７と第４の面４−７とから形成される第３辺領域５３−７の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−７及び第４の面４−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−７と第４の面４−７とから形成される第４辺領域５４−７の金属原子の平均濃度は小さい。第３辺領域５３−７は、第３辺１４−７を含む領域である。第４辺領域５４−７は、第４辺２４−７を含む領域である。

ガラス１００−７は、第１の面１−７と第２の面２−７とを接続する第５の面５−７を備え、第５の面５−７は金属原子を含有する。第１の面１−７及び第５の面５−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−７と第５の面５−７とから形成される第５辺領域５５−７の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−７及び第５の面５−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−７と第５の面５−７とから形成される第６辺領域５６−７の金属原子の平均濃度は小さい。第５辺領域５５−７は、第５辺１５−７を含む領域である。第６辺領域５６−７は、第６辺２５−７を含む領域である。

ガラス１００−７は、第１の面１−７と第２の面２−７とを接続する第６の面６−７を備え、第６の面６−７は金属原子を含有する。第１の面１−７及び第６の面６−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第１の面１−７と第６の面６−７とから形成される第７辺領域５７−７の金属原子の平均濃度は小さく、第２の面２−７及び第６の面６−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、第２の面２−７と第６の面６−７とから形成される第８辺領域５８−７の金属原子の平均濃度は小さい。第７辺領域５７−７は、第７辺１６−７を含む領域である。第８辺領域５８−７は、第８辺２６−７を含む領域である。

ガラス１００−７において、第３の面３−７と第４の面４−７とから形成される第９辺領域５９−７の金属原子の平均濃度は、第３の面３−７及び第４の面４−７のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、第４の面４−７と第５の面５−７とから形成される第１０辺領域６０−７の金属原子の平均濃度は、第４の面４−７及び第５の面５−７のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、第５の面５−７と第６の面６−７とから形成される第１１辺領域６１−７の金属原子の平均濃度は、第５の面５−７及び第６の面６−７のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さく、さらに、第６の面６−７と第３の面３−７とから形成される第１２辺領域６２−７の金属原子の平均濃度は、第６の面６−７及び第３の面３−７のそれぞれの金属原子の平均濃度よりも小さい。第９辺領域５９−７は、第９辺３４０−７を含む領域である。第１０辺領域６０−７は、第１０辺４５０−７を含む領域である。第１１辺領域６１−７は、第１１辺５６０−７を含む領域である。第１２辺領域６２−７は、第１２辺６３０−７を含む領域である。

ガラス１００−７において、第１辺領域５１−７と第３辺領域５３−７とから形成される頂点部１３１４−７の金属原子の平均濃度は、第１辺領域５１−７及び第３辺領域５３−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して小さい。頂点部１３１４−７及び頂点部１３１４−７の近傍は、第１の面１−７、第３の面３−７及び第４の面４−７に囲まれて内部応力が高くなる傾向にあるので、頂点部１３２４−７の平均濃度を小さくすることは効果的な場合がある。なお、頂点部１３１４−７は、第１辺領域５１−７と第３辺領域５３−７と第９辺領域５９−７とから形成されてもよい。

ガラス１００−７において、第１辺領域５２−７と第４辺領域５４−７とから形成される頂点部２３２４−７の金属原子の平均濃度は、第２辺領域５２−７及び第４辺領域５４−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して小さい。頂点部２３２４−７及び頂点部２３２４−７の近傍は、第２の面２−７、第３の面３−７及び第４の面４−７に囲まれて内部応力が高くなる傾向にあるので、頂点部２３２４−７の平均濃度を小さくすることは効果的な場合がある。なお、頂点部２３２４−７は、第２辺領域５２−７と第４辺領域５４−７と第９辺領域５９−７とから形成されてもよい。

ガラス１００−７において、第３辺領域５３−７と第５辺領域５５−７とから形成される頂点部１４１５−７の金属原子の平均濃度は、第３辺領域５３−７及び第５辺領域５５−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して小さい。頂点部１４１５−７及び頂点部１４１５−７の近傍は、第１の面１−７、第４の面４−７及び第５の面５−７に囲まれて内部応力が高くなる傾向にあるので、頂点部１４１５−７の平均濃度を小さくすることは効果的な場合がある。なお、頂点部１４１５−７は、第３辺領域５３−７と第５辺領域５５−７と第１０辺領域６０−７とから形成されてもよい。

ガラス１００−７において、第４辺領域５４−７と第６辺領域５６−７とから形成される頂点部２４２５−７の金属原子の平均濃度は、第４辺領域５４−７及び第６辺領域５６−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して小さい。頂点部２４２５−７及び頂点部２４２５−７の近傍は、第２の面２−７、第４の面４−７及び第５の面５−７に囲まれて内部応力が高くなる傾向にあるので、頂点部２４２５−７の平均濃度を小さくすることは効果的な場合がある。なお、頂点部２４２５−７は、第４辺領域５４−７と第６辺領域５６−７と第１０辺領域６０−７とから形成されてもよい。

ガラス１００−７において、第５辺領域５５−７と第７辺領域５７−７とから形成される頂点部１５１６−７の金属原子の平均濃度は、第５辺領域５５−７及び第７辺領域５７−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して小さい。頂点部１５１６−７及び頂点部１５１６−７の近傍は、第１の面１−７、第５の面５−７及び第６の面６−７に囲まれて内部応力が高くなる傾向にあるので、頂点部１５１６−７の平均濃度を小さくすることは効果的な場合がある。なお、頂点部１５１６−７は、第５辺領域５５−７と第７辺領域５７−７と第１１辺領域６１−７とから形成されてもよい。

ガラス１００−７において、第６辺領域５６−７と第８辺領域５８−７とから形成される頂点部２５２６−７の金属原子の平均濃度は、第６辺領域５６−７及び第８辺領域５８−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して小さい。頂点部２５２６−７及び頂点部２５２６−７の近傍は、第２の面２−７、第５の面５−７及び第６の面６−７に囲まれて内部応力が高くなる傾向にあるので、頂点部２５２６−７の平均濃度を小さくすることは効果的な場合がある。なお、頂点部２５２６−７は、第６辺領域５６−７と第８辺領域５８−７と第１１辺領域６１−７とから形成されてもよい。

ガラス１００−７において、第７辺領域５７−７と第１辺領域５１−７とから形成される頂点部１３１６−７の金属原子の平均濃度は、第７辺領域５７−７及び第１辺領域５１−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して小さい。頂点部１３１６−７及び頂点部１３１６−７の近傍は、第１の面１−７、第６の面６−７及び第３の面３−７に囲まれて内部応力が高くなる傾向にあるので、頂点部１３１６−７の平均濃度を小さくすることは効果的な場合がある。なお、頂点部１３１６−７は、第７辺領域５７−７と第１辺領域５１−７と第１２辺領域６２−７とから形成されてもよい。

ガラス１００−７において、第８辺領域５８−７と第２辺領域５２−７とから形成される頂点部２３２６−７の金属原子の平均濃度は、第８辺領域５８−７及び第２辺領域５２−７のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して小さい。頂点部２３２６−７及び頂点部２３２６−７の近傍は、第２の面２−７、第６の面６−７及び第３の面３−７に囲まれて内部応力が高くなる傾向にあるので、頂点部２３２６−７の平均濃度を小さくすることは効果的な場合がある。なお、頂点部２３２６−７は、第８辺領域５８−７と第２辺領域５２−７と第１２辺領域６２−７とから形成されてもよい。

＜６．第５の実施形態（筐体の例）＞
本技術に係る第５の実施形態の筐体（筐体の例）は、本技術に係る第１の実施形態〜第４の実施形態のガラスのいずれかのガラスを備える筐体である。本技術に係る第５の実施形態の筐体は、
優れた強度を有する上記のガラスを備えているので、ユーザが、本技術に係る第５の実施形態の筐体をロバストに扱うことができる。

＜７．第６の実施形態（電子機器の例）＞
本技術に係る第６の実施形態の電子機器（電子機器の例）は、本技術に係る第１の実施形態〜第４の実施形態のガラスのいずれかのガラスを備える電子機器である。本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、優れた強度を有する上記のガラスを備えているので、ユーザが、本技術に係る第５の実施形態の電子機器をロバストに扱うことができる。

本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、例えば、本技術に係る第１の実施形態〜第４の実施形態のガラスのいずれかのガラスをカバーガラスとして備え、更に、互いに対向する２つの主面（表面及び裏面）と、２つの主面と接続する４つの側面（外周面）とを有する筐体と、ディスプレイとを備え、カバーガラスがディスプレイを覆って設けられている電子機器である。

図３に、本技術に係る第６の実施形態の電子機器の一例である電子機器４００−３を示す。図３は、電子機器４００−３の斜視図である。

電子機器４００−３は、ガラス１００−３と、ディスプレイ２００−３と、筐体３００−３とを備える。図３に示されるように、電子機器４００−３には、筐体３００−３の上部（図３中の上方向）に、ディスプレイ２００−３が配され、ディスプレイ２００−３を覆うようにガラス１００−３が、カバーガラスとして配されている。

＜８．本技術を適用した固体撮像素子の使用例＞
図１７は、イメージセンサとしての本技術に係る第６の実施形態の電子機器の使用例を示す図である。

上述した第６の実施形態の電子機器は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングするさまざまなケースに使用することができる。すなわち、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、図１７に示すように、例えば、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、農業の分野等において用いられる装置として使用することができる。

具体的には、鑑賞の分野においては、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置として使用することができる。

交通の分野においては、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置として使用することができる。

家電の分野においては、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置として使用することができる。

医療・ヘルスケアの分野においては、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置として使用することができる。

セキュリティの分野においては、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置として使用することができる。

美容の分野においては、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置として使用することができる。

スポーツの分野において、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラプルカメラ等の、スポーツの用に供される装置として使用することができる。

農業の分野においては、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置として使用することができる。

次に、本技術に係る第６の実施形態の電子機器の一例を具体的に説明する。例えば、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器として使用することができる。図１８に、その一例として、電子機器１０２（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器１０２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像素子１０１と、光学系（光学レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、固体撮像素子１０１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３と、信号処理部３１２とを有する。

光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像素子１０１の画素部１０１ａへ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、固体撮像素子１０１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、固体撮像素子１０１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、固体撮像素子１０１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄoutは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。

なお、本技術に係る実施形態は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

また、本技術は、以下のような構成も取ることができる。
［１］
互いに対向する第１の面及び第２の面と、該第１の面と該第２の面とを接続する第３の面とを少なくとも備え、
該第１の面、該第２の面及び該第３の面のそれぞれが金属原子を含有し、
該第１の面及び該第３の面のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、
該第１の面と該第３の面とから形成される第１辺領域の金属原子の平均濃度が小さい、ガラス。
［２］
前記第１辺領域が面取り形状である、［１］に記載のガラス。
［３］
前記面取り形状がＣ面取り形状である、［２］に記載のガラス。
［４］
前記面取り形状がＲ面取り形状である、［２］に記載のガラス。
［５］
前記第２の面と前記第３の面とから形成される第２辺領域の前記金属原子の平均濃度が、前記第２の面及び前記第３の面のそれぞれの前記金属原子の平均濃度よりも小さい、［１］から［４］のいずれか１つに記載のガラス。
［６］
前記第２辺領域が面取り形状である、［５］に記載のガラス。
［７］
前記面取り形状がＣ面取り形状である、［６］に記載のガラス。
［８］
前記面取り形状がＲ面取り形状である、［６］に記載のガラス。
［９］
更に、前記第１の面と前記第２の面とを接続する第４の面を少なくとも備え、
該第４の面が前記金属原子を含有し、
前記第１辺領域及び前記第１の面と該第４の面とから形成される第３辺領域のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、前記第１辺領域と該第３辺領域とから形成される頂点部の金属原子の平均濃度が小さい、［１］から［８］のいずれか１つに記載のガラス。
［１０］
更に、前記第１の面と前記第２の面とを接続する第４の面を少なくとも備え、
該第４の面が前記金属原子を含有し、
前記第２の面と前記第３の面とから形成される第２辺領域及び前記第２の面と該第４の面とから形成される第４辺領域のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、該第２辺領域と該第４辺領域とから形成される頂点部の金属原子の平均濃度が小さい、［１］から［９］のいずれか１つに記載のガラス。
［１１］
前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方の面が平面である、［１］から［１０］のいずれか１つに記載のガラス。
［１２］
前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方の面が曲面である、［１］から［１１］のいずれか１つに記載のガラス。
［１３］
［１］から［１２］のいずれか１つに記載のガラスを備える、筐体。
［１４］
［１］から［１２］のいずれか１つに記載のガラスを備える、電子機器。

１００（１００−１）…ガラス、１−１…第１の面、２−１…第２の面、３−１…第３の面、５１−１…第１辺領域

Claims (14)

1. 互いに対向する第１の面及び第２の面と、該第１の面と該第２の面とを接続する第３の面とを少なくとも備え、
   該第１の面、該第２の面及び該第３の面のそれぞれが金属原子を含有し、
   該第１の面及び該第３の面のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、
   該第１の面と該第３の面とから形成される第１辺領域の金属原子の平均濃度が小さい、ガラス。
2. 前記第１辺領域が面取り形状である、請求項1に記載のガラス。
3. 前記面取り形状がＣ面取り形状である、請求項２に記載のガラス。
4. 前記面取り形状がＲ面取り形状である、請求項２に記載のガラス。
5. 前記第２の面と前記第３の面とから形成される第２辺領域の前記金属原子の平均濃度が、前記第２の面及び前記第３の面のそれぞれの前記金属原子の平均濃度よりも小さい、請求項１に記載のガラス。
6. 前記第２辺領域が面取り形状である、請求項５に記載のガラス。
7. 前記面取り形状がＣ面取り形状である、請求項６に記載のガラス。
8. 前記面取り形状がＲ面取り形状である、請求項６に記載のガラス。
9. 更に、前記第１の面と前記第２の面とを接続する第４の面を少なくとも備え、
   該第４の面が前記金属原子を含有し、
   前記第１辺領域及び前記第１の面と該第４の面とから形成される第３辺領域のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、前記第１辺領域と該第３辺領域とから形成される頂点部の金属原子の平均濃度が小さい、請求項１に記載のガラス。
10. 更に、前記第１の面と前記第２の面とを接続する第４の面を少なくとも備え、
    該第４の面が前記金属原子を含有し、
    前記第２の面と前記第３の面とから形成される第２辺領域及び前記第２の面と該第４の面とから形成される第４辺領域のそれぞれの金属原子の平均濃度に対して、該第２辺領域と該第４辺領域とから形成される頂点部の金属原子の平均濃度が小さい、請求項１に記載のガラス。
11. 前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方の面が平面である、請求項1に記載のガラス。
12. 前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方の面が曲面である、請求項1に記載のガラス。
13. 請求項1に記載のガラスを備える、筐体。
14. 請求項1に記載のガラスを備える、電子機器。