JP2019091779A - 小径ウェーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】生産性を高めながら品質の低下も抑制できる新たな小径ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】小径ウェーハの製造方法であって、一方の面と他方の面とを有し一方の面が鏡面に加工されたウェーハの一方の面に第１保護部材を被覆し、ウェーハの他方の面に第２保護部材を被覆する保護部材被覆工程と、第１保護部材及び第２保護部材を被覆したウェーハから複数の小径ウェーハを切り出す切り出し工程と、小径ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と、小径ウェーハから第１保護部材及び第２保護部材を除去する保護部材除去工程と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、１枚のウェーハから径の小さい複数の小径ウェーハを製造する小径ウェーハの製造方法に関する。

携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、集積回路等のデバイスを含むデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面側を複数の分割予定ライン（ストリート）で区画し、各領域にデバイスを形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することで得られる。

近年では、デバイスチップの生産性を高めるために、直径が１２インチ（約３００ｍｍ）以上のウェーハ（以下、大口径ウェーハ）を用いてデバイスチップを生産するのが主流になっている。一方で、大口径ウェーハを加工してデバイスチップを生産する際には、その径に対応した大型の装置が必要になる。よって、例えば、少量のデバイスチップを生産する際に大口径ウェーハを使用すると、却ってデバイスチップの価格が高くなってしまうこともあった。

この問題に対して、直径が３インチ（約７５ｍｍ）程度の径の小さいウェーハ（以下、小径ウェーハ）を用いて少量のデバイスチップを生産する新たな生産システムが検討されている。この生産システムでは、小径ウェーハのサイズに応じて各種装置も小型化されるので、生産システムの低コスト化、省スペース化が可能になる。なお、この生産システムで使用される小径ウェーハは、例えば、上述した大口径ウェーハから切り出す方法によって製造される（例えば、特許文献１参照）。

小径ウェーハを製造するための具体的な手順は、例えば、次の通りである。まず、大口径ウェーハの裏面側を研削して、この大口径ウェーハを所望の厚みまで薄くする。次に、薄くなった大口径ウェーハをレーザビームで加工して、複数の小径ウェーハを切り出す。そして、切り出された小径ウェーハの外周部を面取りする。更に、面取りされた小径ウェーハの表面をエッチング及びポリッシングして鏡面に加工する。その後、この小径ウェーハを洗浄する。

特開２０１４−１１０４１１号公報

しかしながら、上述のような小径ウェーハの製造方法では、切り出された複数の小径ウェーハを１枚ずつポリッシングして鏡面に加工する必要があるので、生産性を十分に高められない。また、小径ウェーハを加工する際に、その表面に傷が付いたり異物が付着したりして、小径ウェーハの品質が低下する恐れもあった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、生産性を高めながら品質の低下も抑制できる新たな小径ウェーハの製造方法を提供することである。

本発明の一態様によれば、一方の面と他方の面とを有し該一方の面が鏡面に加工されたウェーハの該一方の面に第１保護部材を被覆し、該ウェーハの該他方の面に第２保護部材を被覆する保護部材被覆工程と、該第１保護部材及び該第２保護部材を被覆した該ウェーハから複数の小径ウェーハを切り出す切り出し工程と、該小径ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と、該小径ウェーハから該第１保護部材及び該第２保護部材を除去する保護部材除去工程と、を含む小径ウェーハの製造方法が提供される。

本発明の一態様において、前記切り出し工程では、前記ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該ウェーハに照射することで複数の前記小径ウェーハを切り出しても良い。

また、本発明の一態様において、前記切り出し工程では、前記ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該ウェーハの内部に位置付けるように該レーザビームを該ウェーハに照射して該ウェーハの内部に改質層を形成することで複数の前記小径ウェーハを切り出しても良い。

また、本発明の一態様において、前記切り出し工程では、前記ウェーハをコアドリルによってくり抜くことで複数の前記小径ウェーハを切り出しても良い。

また、本発明の一態様において、前記切り出し工程では、前記第１保護部材又は前記第２保護部材の前記小径ウェーハの輪郭に相当する部分を除去し、該第１保護部材又は該第２保護部材をマスクとしてプラズマエッチングを行うことで複数の該小径ウェーハを切り出しても良い。

また、本発明の一態様において、前記ウェーハの前記他方の面に前記第２保護部材を被覆する前に、該ウェーハの該他方の面側を研削して該ウェーハを所定の厚みまで薄くする研削工程を更に備えても良い。

また、本発明の一態様において、前記ウェーハから前記小径ウェーハを切り出す前に、該小径ウェーハの結晶方位を示す目印を該ウェーハの前記一方の面又は前記他方の面に形成する目印形成工程を更に備えても良い。

また、本発明の一態様において、前記ウェーハから前記小径ウェーハを切り出した後に、該小径ウェーハをピックアップするピックアップ工程を更に備えても良い。

また、本発明の一態様において、前記小径ウェーハから前記第１保護部材及び前記第２保護部材を除去した後に、該小径ウェーハを洗浄する洗浄工程を更に備えても良い。

本発明の一態様に係る小径ウェーハの製造方法では、予め一方の面が鏡面に加工されたウェーハから複数の小径ウェーハを切り出すので、切り出された小径ウェーハを鏡面に加工する必要がない。つまり、切り出された複数の小径ウェーハを１枚ずつ鏡面に加工しなくて良いので、小径ウェーハの生産性が高まる。

また、本発明の一態様に係る小径ウェーハの製造方法では、ウェーハの一方の面に第１保護部材を被覆し、他方の面に第２保護部材を被覆した状態で、ウェーハから複数の小径ウェーハを切り出すので、切り出しの際に小径ウェーハに傷が付いたり異物が付着したりする可能性を低く抑えられる。つまり、小径ウェーハの品質の低下を抑制できる。

ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図である。 図２（Ａ）は、ウェーハの第１面に第１保護部材が被覆された状態を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、ウェーハの第２面に第２保護部材が被覆された状態を模式的に示す斜視図である。 ウェーハの小径ウェーハとなる領域に結晶方位を示す目印が形成される様子を模式的に示す斜視図である。 ウェーハから小径ウェーハが切り出される様子を模式的に示す斜視図である。 小径ウェーハがピックアップされる様子を模式的に示す斜視図である。 小径ウェーハの外周部が面取りされる様子を模式的に示す斜視図である。 第１保護部材及び第２保護部材が除去された後の小径ウェーハを模式的に示す斜視図である。 第１変形例に係る切り出し工程でウェーハから小径ウェーハが切り出される様子を模式的に示す斜視図である。 第２変形例に係る切り出し工程で第２保護部材の一部が除去される様子を模式的に示す斜視図である。 第２変形例に係る切り出し工程でウェーハから小径ウェーハが切り出される様子を模式的に示す斜視図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る小径ウェーハの製造方法は、保護部材被覆工程（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）、目印形成工程（図３参照）、切り出し工程（図４参照）、ピックアップ工程（図５参照）、面取り工程（図６参照）、保護部材除去工程（図７参照）、及び洗浄工程を含む。

保護部材被覆工程では、鏡面に加工されたウェーハの第１面（一方の面）に第１保護部材を被覆し、この第１面とは反対側の第２面（他方の面）に第２保護部材を被覆する。目印形成工程では、ウェーハの第２面側の小径ウェーハとなる領域に結晶方位を示す目印を形成する。切り出し工程では、第１保護部材及び第２保護部材を被覆したウェーハから複数の小径ウェーハを切り出す。

ピックアップ工程では、ウェーハから切り出された小径ウェーハをピックアップする。面取り工程では、小径ウェーハの外周部を面取りする。保護部材除去工程では、小径ウェーハから第１保護部材及び第２保護部材を除去する。洗浄工程では、小径ウェーハを洗浄する。以下、本実施形態に係る小径ウェーハの製造方法について詳述する。

図１は、本実施形態に係る小径ウェーハの製造方法で使用されるウェーハ１１の構成例を模式的に示す斜視図である。本実施形態で使用されるウェーハ１１は、例えば、結晶性のシリコン（Ｓｉ）を用いて円盤状に形成されており、鏡面に加工された概ね平坦な第１面（一方の面）１１ａと、この第１面１１ａとは反対側の第２面（他方の面）１１ｂとを有している。なお、第２面１１ｂは、第１面１１ａに対して概ね平行である。

ウェーハ１１の外周縁には、結晶方位を示すノッチ１１ｃが設けられている。ただし、ノッチ１１ｃの代わりに、オリエンテーションフラット等が設けられていても良い。このウェーハ１１の直径（Ｄ１）は、本実施形態で製造される小型ウェーハの直径等より大きい。また、ウェーハ１１の厚さ（Ｔ１）は、本実施形態で製造される小型ウェーハの厚さ以上である。

なお、本実施形態では、結晶性のシリコンでなる円盤状のウェーハ１１を用いるが、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料を含む基板をウェーハ１１として用いることもできる。また、本実施形態では、鏡面に加工された第１面１１ａを有するウェーハ１１を用いるが、鏡面に加工された第１面１１ａ及び第２面１１ｂを有するウェーハ１１を用いても良い。

本実施形態に係る小径ウェーハの製造方法では、まず、上述したウェーハ１１の第１面１１ａに第１保護部材を被覆し、第２面１１ｂに第２保護部材を被覆する保護部材被覆工程を行う。図２（Ａ）は、ウェーハ１１の第１面１１ａに第１保護部材１３が被覆された状態を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、ウェーハ１１の第２面１１ｂに第２保護部材１５が被覆された状態を模式的に示す斜視図である。

図２（Ａ）に示すように、本実施形態に係る保護部材被覆工程では、まず、ウェーハ１１の第１面１１ａに第１保護部材１３を被覆する。第１保護部材１３の製法、材質、厚み等に特段の制限はないが、本実施形態では、ウェーハ１１の第１面１１ａに環化ゴム等のネガ型レジスト材料を塗布し露光させる方法で、厚みが１０μｍ程度の第１保護部材１３を形成する。

ウェーハ１１の第１面１１ａに第１保護部材１３を被覆した後には、図２（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の第２面１１ｂに第２保護部材１５を被覆する。第２保護部材１５の製法、材質、厚み等にも特段の制限はないが、本実施形態では、第１保護部材１３と同じ製法、材質で、同等の厚みの第２保護部材１５を形成する。

なお、ネガ型レジスト材料を塗布する際には、例えば、スピンコート法、スプレーコーティング法、ディップ法、スクリーン印刷法等を用いることができる。また、本実施形態では、第１面１１ａに第１保護部材１３を被覆してから、第２面１１ｂに第２保護部材１５を被覆しているが、第２面１１ｂに第２保護部材１５を被覆してから、第１面１１ａに第１保護部材１３を被覆しても良い。ネガ型レジスト材料の他、水溶性の樹脂や保護テープ等を用いて第１保護部材１３及び第２保護部材１５を形成することもできる。

保護部材被覆工程の後には、ウェーハ１１の第２面１１ｂ側の小径ウェーハとなる領域に結晶方位を示す目印を形成する目印形成工程を行う。図３は、ウェーハ１１の小径ウェーハとなる領域に結晶方位を示す目印が形成される様子を模式的に示す斜視図である。この目印は、例えば、ウェーハ１１に吸収される波長（吸収性を有する波長）のレーザビームＬ１をウェーハ１１の第２面１１ｂに照射する方法で形成される。

具体的には、まず、図３に示すように、小径ウェーハを切り出す際の基準である切り出し予定ライン１７と重なるように、レーザ照射ユニット２の移動の基準となる移動予定ライン１９を第２保護部材１５の表面に設定する。次に、第２保護部材１５の表面側（ウェーハ１１とは反対側）にレーザ照射ユニット２を配置し、このレーザ照射ユニット２が移動予定ライン１９に沿って移動するように、レーザ照射ユニット２とウェーハ１１とを相対的に移動させる。

そして、切り出し予定ライン１７によって囲まれる領域に対応する範囲をレーザ照射ユニット２が移動するタイミングで、このレーザ照射ユニット２からウェーハ１１の第２面１１ｂにレーザビームＬ１を照射する。なお、レーザビームＬ１の出力等は、ウェーハ１１の第２面１１ｂを、このレーザビームＬ１によって僅かにアブレーション加工できる範囲で調整される。

これにより、移動予定ライン１９と重なる任意の目印形成予定ライン２１にレーザビームＬ１を照射して、結晶方位を示す目印２３ｃ（図７参照）をウェーハ１１の第２面１１ｂ側の小径ウェーハとなる領域に形成できる。この目印２３ｃは、ウェーハ１１のノッチ１１ｃ等に関連付けられるので、目印２３ｃに基づいて、ウェーハ１１から切り出された後の小径ウェーハの結晶方位を確認できるようになる。小径ウェーハとなる領域の全てに目印２３ｃが形成されると、この目印形成工程は終了する。

なお、この目印形成工程で形成される目印２３ｃの形状、向き、大きさ等に特段の制限はない。また、本実施形態では、切り出し予定ライン１７で囲まれた領域にのみレーザビームＬ１を照射して目印２３ｃを形成しているが、移動予定ライン１９の全体にレーザビームＬ１を照射して目印２３ｃを形成することもできる。

また、本実施形態では、ウェーハ１１の第２面１１ｂに目印２３ｃを形成しているが、ウェーハ１１の第１面１１ａに目印２３ｃを形成することもできる。更に、本実施形態では、レーザビームＬ１を用いるアブレーション加工により目印２３ｃを形成しているが、切削加工やドリル加工、エッチング加工等により目印２３ｃを形成しても良い。

目印形成工程の後には、第１保護部材１３及び第２保護部材１５を被覆したウェーハ１１から複数の小径ウェーハを切り出す切り出し工程を行う。図４は、ウェーハ１１から小径ウェーハが切り出される様子を模式的に示す斜視図である。この切り出し工程では、目印形成工程に引き続いて、ウェーハ１１に吸収される波長（吸収性を有する波長）のレーザビームＬ１を照射するレーザ照射ユニット２が使用される。

具体的には、図４に示すように、第２保護部材１５の表面側に配置されているレーザ照射ユニット２が切り出し予定ライン１７に沿って移動するように、レーザ照射ユニット２とウェーハ１１とを相対的に移動させる。同時に、このレーザ照射ユニット２からウェーハ１１の第２面１１ｂにレーザビームＬ１を照射する。なお、レーザビームＬ１の出力や照射の回数等は、ウェーハ１１をアブレーション加工によって切断できる範囲で調整される。

これにより、切り出し予定ライン１７に沿ってレーザビームＬ１を照射し、ウェーハ１１から小径ウェーハ２３（図５等参照）を切り出すことができる。なお、この小径ウェーハ２３は、第１面（一方の面）２３ａ（図７参照）に第１保護部材１３の一部である第１保護部材１３ａ（図５等参照）が被覆され、第２面（他方の面）２３ｂ（図７参照）に第２保護部材１５の一部である第２保護部材１５ａ（図５等参照）が被覆された状態で切り出されることになる。

ウェーハ１１から全ての小径ウェーハ２３が切り出されると、この切り出し工程は終了する。なお、本実施形態では、ウェーハ１１の第２面１１ｂにレーザビームＬ１を照射することによって小径ウェーハ２３を切り出しているが、ウェーハ１１の第１面１１ａにレーザビームＬ１を照射することによって小径ウェーハ２３を切り出すこともできる。

切り出し工程の後には、ウェーハ１１から切り出された小径ウェーハ２３をピックアップするピックアップ工程を行う。図５は、小径ウェーハ２３がピックアップされる様子を模式的に示す斜視図である。小径ウェーハ２３のピックアップは、例えば、小径ウェーハ２３を吸着、保持する保持部を備えたピックアップツール（不図示）を用いて行われる。

具体的には、小径ウェーハ２３に被覆された第１保護部材１３又は第２保護部材１５にピックアップツールの保持部を接触させて、この第１保護部材１３又は第２保護部材１５をピックアップツールで吸着する。その後、ピックアップツールをウェーハ１１から離れる方向に移動させることで、小径ウェーハ１１をピックアップできる。

ピックアップ工程の後には、ウェーハ１１から切り出された小径ウェーハ２３の外周部を面取りする面取り工程を行う。図６は、小径ウェーハ２３の外周部が面取りされる様子を模式的に示す斜視図である。小径ウェーハ２３の外周部の面取りは、例えば、円筒状に形成された面取り用の砥石４を回転させて、その側面４ａを小径ウェーハ２３の外周部に接触させる方法で行われる。なお、砥石４の側面４ａは、面取り後の小径ウェーハ２３の外周部に対応する形で湾曲している。

面取り工程の後には、第１保護部材１３ａ及び第２保護部材１５ａを小径ウェーハ２３から除去する保護部材除去工程を行う。図７は、第１保護部材１３ａ及び第２保護部材１５ａが除去された後の小径ウェーハ２３を模式的に示す斜視図である。本実施形態では、第１保護部材１３ａ及び第２保護部材１５ａに環化ゴム等のネガ型レジスト材料が用いられているので、例えば、硫酸と過酸化水素水との混合液で処理することによって、第１保護部材１３ａ及び第２保護部材１５ｂを小径ウェーハ２３から除去できる。

なお、保護部材除去工程で行われる具体的な処理は、第１保護部材１３ａ及び第２保護部材１５ａの材質等に応じて変更される。例えば、第１保護部材１３ａ及び第２保護部材１５ａに水溶性の樹脂が用いられている場合には、水等で処理することによって、第１保護部材１３ａ及び第２保護部材１５ｂを小径ウェーハ２３から除去できる。第１保護部材１３ａ及び第２保護部材１５ａに保護テープ等が用いられている場合には、第１保護部材１３ａ及び第２保護部材１５ｂを小径ウェーハ２３から引き剥がして除去すれば良い。

保護部材除去工程の後には、小径ウェーハ２３を洗浄する洗浄工程を行う。この洗浄工程には、例えば、ＲＣＡ洗浄等と呼ばれる洗浄方法が用いられる。具体的には、小径ウェーハ２３を水酸化アンモニウム水溶液と過酸化水素水との混合液で処理し、更に、フッ酸で処理した後に、塩酸と過酸化水素水との混合液で処理する。ただし、洗浄工程で行われる具体的な洗浄の種類に特段の制限はない。

以上のように、本実施形態に係る小径ウェーハの製造方法では、予め第１面（一方の面）１１ａが鏡面に加工されたウェーハ１１から複数の小径ウェーハ２３を切り出すので、切り出された小径ウェーハ２３を鏡面に加工する必要がない。つまり、切り出された複数の小径ウェーハ２３を１枚ずつ鏡面に加工しなくて良いので、小径ウェーハ２３の生産性が高まる。

また、本実施形態に係る小径ウェーハの製造方法では、ウェーハ１１の第１面１１ａに第１保護部材１３を被覆し、第２面（他方の面）１１ｂに第２保護部材１５を被覆した状態で、ウェーハ１１から複数の小径ウェーハ２３を切り出すので、切り出しの際に小径ウェーハ２３に傷が付いたり異物が付着したりする可能性を低く抑えられる。

同様に、第１保護部材１３ａと第２保護部材１５ａとが被覆された状態で小径ウェーハ２３の外周部を面取りするので、面取りの際に小径ウェーハ２３に傷が付いたり異物が付着したりする可能性を低く抑えられる。つまり、小径ウェーハ２３の品質の低下を抑制できる。

なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、ウェーハ１１に吸収される波長（吸収性を有する波長）のレーザビームＬ１を用いるアブレーション加工によってウェーハ１１から複数の小径ウェーハ２３を切り出しているが、他の方法で複数の小径ウェーハ２３を切り出すこともできる。

図８は、第１変形例に係る切り出し工程でウェーハ１１から小径ウェーハ２３が切り出される様子を模式的に示す斜視図である。この第１変形例に係る切り出し工程では、円筒状の中空ボディと、中空ボディの環状の下面に設けられた切削刃（砥石）と、を含むコアドリル６が使用される。

具体的には、図８に示すように、コアドリル６を回転させて、その切削刃を、切り出し予定ライン１７に沿ってウェーハ１１に切り込ませる。これにより、コアドリル６でウェーハ１１を切り出し予定ライン１７に沿ってくり抜いて、ウェーハ１１から小径ウェーハ２３を切り出すことができる。

図９は、第２変形例に係る切り出し工程で第２保護部材１５の一部が除去される様子を模式的に示す斜視図であり、図１０は、第２変形例に係る切り出し工程でウェーハ１１から小径ウェーハ２３が切り出される様子を模式的に示す斜視図である。この第２変形例に係る切り出し工程では、第２保護部材１５をマスクとしてプラズマエッチングを行うことで、ウェーハ１１から複数の小径ウェーハ２３を切り出す。

具体的には、まず、図９に示すように、レーザ照射ユニット８とウェーハ１１とを相対的に移動させて、このレーザ照射ユニット８から小径ウェーハ２３の輪郭に相当する切り出し予定ライン１７に沿ってレーザビームＬ２を照射する。これにより、第２保護部材１５の小径ウェーハ２３の輪郭に相当する部分が除去される。なお、本実施形態では、赤外線領域又は紫外線領域の波長のレーザビームＬ２を用いるが、レーザビームＬ２の波長に特段の制限はない。

全ての切り出し予定ライン１７に沿って第２保護部材１５を除去した後には、図１０に示すように、ウェーハ１１の第２面１１ｂ側に残存する第２保護部材１５をマスクとしてウェーハ１１の第２面１１ｂ側にプラズマエッチングを行う。ウェーハ１１の第２面１１ｂに作用させるプラズマＰの種類に特段の制限はないが、本実施形態では、ＳＦ_６、Ｏ_２、及びＨｅが混合された反応性ガスから生成されるプラズマＰを用いる。これにより、シリコンでなるウェーハ１１から複数の小径ウェーハ２３を同時に切り出すことができる。

なお、上述した第２変形例では、第２保護部材１５の一部を除去して、ウェーハ１１の第２面１１ｂ側にプラズマエッチングを行っているが、同様の手順で、ウェーハ１１の第１面１１ａ側にプラズマエッチングを行っても良い。この場合には、第１保護部材１３をマスクとして用いることになる。

また、第３変形例として、ウェーハ１１を透過する波長（透過性を有する波長）のレーザビームをウェーハ１１に照射する方法で、複数の小径ウェーハ２３を切り出すことも可能である。この場合には、レーザビームの集光点がウェーハの内部に位置付けられるように、切り出し予定ライン１７に沿ってウェーハ１１にレーザビームを照射する。

これにより、ウェーハ１１の内部を改質して、切り出し予定ライン１７に沿う改質層を形成できる。その後、改質層に沿って力を付与すれば、ウェーハ１１は、この改質層に沿って破断される。つまり、ウェーハ１１から小径ウェーハ２３を切り出すことができる。なお、ウェーハ１１から小径ウェーハ２３を切り出し易くなるように、切り出し予定ライン１７より外側の領域に更に改質層を形成しても良い。

また、ウェーハ１１の第２面１１ｂに第２保護部材１５を被覆する前に、ウェーハ１１の第２面１１ｂ側を研削して、このウェーハ１１を所定の厚みまで薄くしても良い。同様に、エッチング等の方法でウェーハ１１を薄くすることもできる。また、上記実施形態では、ウェーハ１１から切り出された小径ウェーハ２３をピックアップしているが、小径ウェーハ２３が切り出されたウェーハ１１の残りの部分を取り除くようにしても良い。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ ウェーハ
１１ａ 第１面（一方の面）
１１ｂ 第２面（他方の面）
１１ｃ ノッチ
１３，１３ａ 第１保護部材
１５，１５ａ 第２保護部材
１７ 切り出し予定ライン
１９ 移動予定ライン
２１ 目印形成予定ライン
２３ 小径ウェーハ
２３ａ 第１面（一方の面）
２３ｂ 第２面（他方の面）
２３ｃ 目印
２ レーザ照射ユニット
４ 砥石
４ａ 側面
６ コアドリル
８ レーザ照射ユニット
Ｌ１，Ｌ２ レーザビーム

Claims (9)

1. 一方の面と他方の面とを有し該一方の面が鏡面に加工されたウェーハの該一方の面に第１保護部材を被覆し、該ウェーハの該他方の面に第２保護部材を被覆する保護部材被覆工程と、
   該第１保護部材及び該第２保護部材を被覆した該ウェーハから複数の小径ウェーハを切り出す切り出し工程と、
   該小径ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と、
   該小径ウェーハから該第１保護部材及び該第２保護部材を除去する保護部材除去工程と、を含むことを特徴とする小径ウェーハの製造方法。
2. 前記切り出し工程では、前記ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該ウェーハに照射することで複数の前記小径ウェーハを切り出すことを特徴とする請求項１に記載の小径ウェーハの製造方法。
3. 前記切り出し工程では、前記ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該ウェーハの内部に位置付けるように該レーザビームを該ウェーハに照射して該ウェーハの内部に改質層を形成することで複数の前記小径ウェーハを切り出すことを特徴とする請求項１に記載の小径ウェーハの製造方法。
4. 前記切り出し工程では、前記ウェーハをコアドリルによってくり抜くことで複数の前記小径ウェーハを切り出すことを特徴とする請求項１に記載の小径ウェーハの製造方法。
5. 前記切り出し工程では、前記第１保護部材又は前記第２保護部材の前記小径ウェーハの輪郭に相当する部分を除去し、該第１保護部材又は該第２保護部材をマスクとしてプラズマエッチングを行うことで複数の該小径ウェーハを切り出すことを特徴とする請求項１に記載の小径ウェーハの製造方法。
6. 前記ウェーハの前記他方の面に前記第２保護部材を被覆する前に、該ウェーハの該他方の面側を研削して該ウェーハを所定の厚みまで薄くする研削工程を更に備えることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の小径ウェーハの製造方法。
7. 前記ウェーハから前記小径ウェーハを切り出す前に、該小径ウェーハの結晶方位を示す目印を該ウェーハの前記一方の面又は前記他方の面に形成する目印形成工程を更に備えることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の小径ウェーハの製造方法。
8. 前記ウェーハから前記小径ウェーハを切り出した後に、該小径ウェーハをピックアップするピックアップ工程を更に備えることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の小径ウェーハの製造方法。
9. 前記小径ウェーハから前記第１保護部材及び前記第２保護部材を除去した後に、該小径ウェーハを洗浄する洗浄工程を更に備えることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の小径ウェーハの製造方法。