JP2019054211A - インプリント装置、および物品製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
S101で、制御部400は、基板1における、インプリント処理の対象とするショット領域である対象ショット領域がインプリント材供給部23の下に位置するように基板ステージ7を移動させる。その後、制御部400は、ガス供給部21を制御して型18と基板1との間の空間に充填用ガスを供給する。
制御部400は、ジョブが投入されると、ロットで使用可能な型の情報を制御コンピュータ500から取得する。S201で、制御部400は、型搬送部29を制御して、取得した型の情報に基づいて型ストッカー28から型18を取り出し、当該ロットに対応するインプリント処理部100に搬入する。搬入された型18は型チャック17によって型ヘッド16に保持される。S202で、制御部400は、不図示の基板送部を制御して、ロット内の基板1を搬入する。搬入された基板1は不図示の基板チャックによって基板ステージ7に保持される。
(1)離型剤供給部32による離型剤の供給が行われた履歴がない場合(S204でYES)
(2)最後に離型剤供給部32による離型剤の供給が行われてからの経過時間が所定時間T1を超えている場合(S205でYES)
(3)最後に型の洗浄が行われてからの経過時間が所定時間T2を超えていない場合(S206でYES)
(1)まず、制御部400は、インプリント材供給部23を制御して、当該ショット領域にインプリント材を供給する。
(2)次に、制御部400は、離型剤供給部32を制御して、当該ショット領域に離型剤を供給する。このとき、制御部400は、型管理部402に保持されている履歴情報に離型剤供給の履歴を追記する。離型剤の供給後、制御部400は、型ヘッド16を制御して、そのショット領域に供給された離型剤およびインプリント材と型18との接触動作と離型動作とを所定回数繰り返す(例えば5回)。これは、型18のパターン部Pに離型剤を馴染ませるための馴染ませ動作である。
(3)その後、制御部400は、当該ショット領域において、接触動作、インプリント材の硬化、および離型動作を含むインプリント処理を行う。
第1実施形態における臨時インプリント処理は、基板1の最初にインプリント処理を行う所定数のショット領域のそれぞれで馴染ませ動作を行うものであった。しかし、このような馴染ませ動作を含まない臨時インプリント処理も考えられる。例えば、S208で、制御部400は、離型剤供給部32を制御して、基板1の複数のショット領域のうち処理順序が最初から所定数のショット領域(第1〜第Nショット領域)(例えば、N=3)のそれぞれで、次のような臨時インプリント処理を行う。
(1)まず、制御部400は、インプリント材供給部23を制御して、当該ショット領域にインプリント材を供給する。
(2)次に、制御部400は、離型剤供給部32を制御して、当該ショット領域に離型剤を供給する。このとき、制御部400は、型管理部402に保持されている履歴情報に離型剤供給の履歴を追記する。その後、馴染ませ動作ではなく通常どおりインプリント処理を行う。ただし、このときの離型動作は、通常のインプリント処理における離型動作よりも遅い速度で行う。
図6は、基板1上のショット領域のレイアウトを例示する図である。図6に示されるように、基板1上には、複数のショット領域がマトリクス状に配列されている。本実施形態では、基板1の有効面積(パターンが形成される領域の面積)を最大にするため、基板1の内側のショット領域61だけでなく、基板1の外周1Rを含む周辺ショット領域にもインプリント処理が行われる。周辺ショット領域とは、一部が基板1の外周1Rからはみ出していて、基板の外周部において型のパターン部の一部のみが転写されるショット領域であり、「欠けショット領域」とも呼ばれる。また、以下では、周辺ショット領域62より内側のショット領域61を「フルショット領域」と呼ぶ。
(1)まず、フルショット領域に、順にインプリント処理を実行する。このとき、例えば、制御部400は、離型剤供給部32を制御して、最初のショット領域(第1ショット領域)のみ離型剤を供給する。このとき、制御部400は、型管理部402に保持されている履歴情報に離型剤供給の履歴を追記する。
(2)全てのフルショット領域へのインプリント処理を終えた後、周辺ショット領域62に、順にインプリント処理を実行する。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
Claims (9)
- 基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で前記インプリント材を硬化させ、該硬化したインプリント材から前記型を引き離すことにより、前記インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント材の上または前記型のパターン部に離型剤を供給する供給部と、
前記供給部による前記離型剤の供給の履歴を含む前記型の履歴情報に基づいて前記インプリント処理を制御する制御部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。 - 前記型と前記基板との相対位置を調整する駆動機構を有し、
前記制御部は、前記履歴情報から前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定される場合、前記基板の複数のショット領域のうち処理順序が最初から所定数のショット領域では、前記インプリント処理の前に、前記供給部により前記離型剤を供給し、前記離型剤の供給後に前記駆動機構により前記インプリント材と前記型とを接触させる接触動作と前記インプリント材から前記型を引き離す離型動作とを所定回数繰り返す
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記型と前記基板との相対位置を調整する駆動機構を有し、
前記制御部は、前記履歴情報から前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定される場合、前記基板の複数のショット領域のうち処理順序が最初から所定数のショット領域では、前記駆動機構により前記インプリント材から前記型を引き離す離型動作の速度を、前記塗布状態が不良であると判定されない場合よりも遅くして前記インプリント処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記基板は、前記基板の外周部において前記型のパターンの一部のみが転写される周辺ショット領域を有し、
前記制御部は、前記履歴情報から前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定される場合、前記周辺ショット領域よりも先に前記周辺ショット領域以外のショット領域に前記インプリント処理を行う
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記制御部は、前記履歴情報に前記供給部による前記離型剤の供給が行われた履歴がない場合に、前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定する
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記履歴情報は、前記供給部により前記離型剤の供給が行われた時刻を含み、
前記制御部は、最後に前記離型剤の供給が行われてからの経過時間が所定時間を超えている場合に、前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定する
ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。 - 前記履歴情報は、前記型の洗浄が行われた時刻を含み、
前記制御部は、最後に前記型の洗浄が行われてからの経過時間が所定時間を超えていない場合に、前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定する
ことを特徴とする請求項5または6に記載のインプリント装置。 - 前記履歴情報は、前記型のドライ洗浄が行われた時刻および前記型のウェット洗浄が行われた時刻とを含み、
前記制御部は、最後に前記型の前記ウェット洗浄が行われてからの経過時間が前記所定時間を超えていない場合に、前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定する
ことを特徴とする請求項7に記載のインプリント装置。 - 物品を製造する物品製造方法であって、
請求項1乃至8のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
を有し、前記加工された基板から前記物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
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