JP2019050379A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基体4と、接着剤12を用いて基体4に所定の間隔をあけて固定された複数の電線8と、複数の電線8が1本の直線状となるように電線8に実装された複数の発光ダイオード10とを備えた発光装置である。基体4と電線8とを用いた簡易な構成により、複数の発光ダイオード10が直列接続、並列接続または直並列接続された発光装置を安価に提供することができる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光装置の概略構成図であり、図1(a)は斜視図、図1(b)は図1(a)中のAで示した部分を拡大した部分拡大図、図1(c)は図1(b)中のB−B断面を部分的に示す図である。
図2は、本発明の第2実施形態に係る発光装置の概略構成図であり、図2(a)は斜視図、図2(b)は図2(a)中のAで示した部分を拡大した部分拡大図、図2(c)は図2(b)中のB−B断面を示す図である。
図3は、本発明の第3実施形態に係る発光装置の概略構成を示す図であり、図3(a)は斜視図、図3(b)は図3(a)中のAで示した部分を拡大した部分拡大図、図3(c)は図3(b)中のB-B断面を示す図である。
図4は、本発明の第4実施形態に係る発光装置の概略平面図である。
図5は、本発明の第5実施形態に係る発光装置の概略平面図である。
図6は、本発明の第6実施形態に係る発光装置の概略構成を示す図であり、図6(a)は斜視図、図6(b)は図6(a)中のAで示した部分を拡大した部分拡大図、図6(c)は図6(b)中のB-B断面を示す図である。
図7は、本発明の第7実施形態に係る発光装置の概略構成を示す図であり、図7(a)は斜視図、図7(b)は図7(a)中のAで示した部分を拡大した部分拡大図、図7(c)は図7(b)中のB-B断面を示す図である。
図8は、本発明の第8実施形態に係る発光装置の概略構成を示す図であり、図8(a)は斜視図、図8(b)は図8(a)中のAで示した部分を拡大した部分拡大図、図8(c)は図8(b)中のB-B断面を示す図である。
基体4には、例えば、アルミ、銅、鉄、それらの合金、その他の材料(硝子、木、プラスチックなど)を用いた板状、シート状(テープ状、フィルム状)、棒状、パイプ状、ワイヤ状などの部材を用いることができる。基体4の平面視の形状としては、例えば、短冊形、矩形、多角形、円形、扇形、ドーナツ型などを一例として挙げることができる。
基体4が導電性を有する場合には、電線8が設けられる表面に絶縁膜6が設けられていることが好ましい。絶縁膜6は、絶縁できるものであればどのようなものでもよいが、高い光反射率を有することが好ましい。これにより、発光ダイオード10から出た光を基体4の表面で効率よく反射させることができる。このような高い光反射率を有する絶縁膜6としては、例えば、白色フィラーや白色粉末などを含有している絶縁膜6を用いることができるが、より具体的には、TiO2を含有するシリコーン樹脂やレジストなどのほか、シリコーン樹脂に酸化チタンを含有させた白色レジストやアルマイトなどの金属-酸化物複合膜などを用いることができる。さらに、絶縁膜6には、耐熱や耐光性が高いものを用いることが好ましい。なお、絶縁膜6には、膜状以外の部材を用いることができる。
電線8には、導電性を有する様々な部材を用いることができるが、特に、導電性に優れた部材を用いることが好ましい。例えば、Cu、Au、Al、Agなどの電気抵抗率が低い金属線あるいはそれらの複合材(銅クラッドアルミ線、合金線など)を好ましく用いることができる。また、曲げやすいものが好ましく、曲げても破損しにくい(疲労しにくい)ものが特に好ましい。なお、電線8には、Pd、Pt、Agなどの貴金属めっき、またはスズ系めっきが施されていてもよい。特にAgめっきは光反射率が高いため、発光装置の明るさを向上でき、好ましい。また、これらのめっきとしては、発光ダイオード10が有する正負の電極と電線8とを接続する接続部材との相性がよいものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、接続部材に半田材料を用いる場合は、貴金属めっきやスズ系めっきなどが施されたものを電線8として用いることが好ましい。
図9は、電線8上に電極を形成する方法の一例(その1)を示す概略平面図である。
図10は、電線8上に電極を形成する方法の一例(その2)を示す概略平面図である。
図11は、電線8を用いて電極を形成する方法の一例(その3)を示す図である。
図12は、電線8上に電極を形成する方法の一例(その4)を示す図である。
短絡電線22は、異なる電線8を短絡するために用いられる。例えば、基体4上に電源を設ける場合、この電源の正極につながる電線8と発光ダイオード10の正電極につながる電線8とを短絡したり、この電源の負極につながる電線8と発光ダイオード10の負電極につながる電線8とを短絡したり、異なる基体4上の正極につながる電線8同士や負極につながる電線8同士を短絡したり、などするために用いられる。短絡電線22を用いれば、複数の並列回路の各枝が複数の直列接続された発光ダイオード10を含む直並列回路(図4参照)や複数の発光ダイオード10が並列接続された複数の並列回路を直列接続してなる並直列回路(図5参照)などの複雑な回路を簡易に構成することができ、発光ダイオード10を様々な態様で接続した所望の発光装置を安価に提供することができる。
発光ダイオード10には、例えば、表面実装型LED、砲弾型LED、LEDチップ、チップサイズパッケージLEDなどの様々な素子を用いることができる。また、サファイア基板などの透光性基板の上に青色発光を行うGaN系半導体が積層されたLEDチップなどは、発光ダイオード10として、蛍光体などの波長変換部材と組み合わせることで、照明装置として用いる発光装置に特に好ましく用いることができる。パッケージングされていないLEDチップを発光ダイオード10として用いることにより、安価な発光装置とすることができる。
基体4と電線8とは、接着剤12によって接着されていてもよい。接着剤12により、電線8と発光ダイオード10とをまとめて基体4に接着させることもできる。
発光ダイオード10は、封止部材14によって封止されている。
封止部材14は、土手部16に囲まれていてもよい。土手部16によれば、発光ダイオード10を封止部材14で封止する際に封止部材14が流れ出すことなどを防止して、封止部材14を容易に形成することができる。
発光ダイオード10と電線8とを接続する接続部材20には、例えば、Au−Sn、Sn−Cu−Ag、Sn−Cu、Sn−Bi、Sn−Znをはじめとする半田や異方性導電ペースト、銀ペースト、銅ペースト、カーボンペーストなどの導電性接合材料を用いることができる。
その他、基体4上に固定された電線8には、給電用コネクタや保護素子(例:ツェナーダイオード)を設けることもできる。
まず、図13(a)に示すように、複数の貫通孔42を有する基体4を準備する。基体4としては、厚さ0.1mm、幅16mm、長さ300mmのSUS304薄板を用いる。また、基体4の中心線上の24箇所に12.5mm間隔で長孔(長さ1mm、幅0.4mm)を形成し、貫通孔42とする。
次に、図13(b)に示すように、アノード用の電線8aとカソード用の電線8bとの一対からなる電線8を基体4の裏面側に設ける。この際、アノード用の電線8aとカソード用の電線8bとは、複数の発光ダイオード10を実装される各箇所が、基体4の裏面側から貫通孔42を通って基体42の表面側に一旦突き出た後、再び貫通孔42を通って基体4の裏面側に戻るように曲げられる。
次に、図13(c)に示すように、基体4の表面にシリコーン系白色レジストを絶縁膜6として10〜20μmの厚さで設ける。塗布方法としては、スクリーン印刷、スプレーコートなどの種々の方法が利用できる。
次に、図13(d)に示すように、絶縁被膜を除去した箇所に半田ペーストを接続部材としてディスペンス(48箇所)し、24個のフリップチップ実装用のLEDチップ(長さ0.8mm、幅0.3mm)を発光ダイオード10として接続部材がディスペンスされた箇所に所定の向き(正負の電極が一対の電線8の一方と他方とにそれぞれ接続される向き)でマウントする。そして、リフロー炉を用いて接続部材を溶融し、発光ダイオード10と電線8とを接続する。
次に、図13(e)に示すように、フラックスを洗浄し、土手部16を白色フィラーが含有されたエポキシ系透明樹脂で形成し、YAG蛍光体を混ぜたシリコーン系樹脂を封止部材14としてポッティングし硬化させる。
まず、図14(a)に示すように、複数の貫通孔42を有する基体4を準備する。基体4としては、厚さ0.1mm、幅16mm、長さ300mmのSUS304薄板を用いる。また、基体4の中心線上の24箇所に12.5mm間隔で長孔(長さ1mm、幅0.4mm)を形成し、貫通孔42とする。
次に、図14(b)に示すように、基体4の裏面側において、基体4の中心線上に1本のエナメル線(平角線、厚さ0.15mm、幅0.5mm)を這わせ、貫通孔42を通って基体4の表面に0.15mm突き出し、突き出た部分を切断する。これにより、1本のエナメル線が複数の電線8(電線8a、電線8b、電線8c、電線8d・・・)へと分離され、各電線8(電線8a、電線8b、電線8c、電線8d・・・)の一端と他端とが基体4の裏面側から貫通孔42を通って基体4の表面側に突き出る。
次に、図14(c)に示すように、基体4の表面にシリコーン系白色レジストを絶縁膜6として10〜20μmの厚さで塗布し、硬化させる。
次に、図14(d)に示すように、絶縁被膜を除去した箇所に半田ペーストを接続部材としてディスペンス(48箇所)し、24個のフリップチップ実装用のLEDチップ(長さ0.8mm、幅0.3mm)を発光ダイオード10として接続部材がディスペンスされた箇所へ所定の向き(正負の電極が一の電線8(例えば電線8a)の一端と他の電線8(例えば電線8b)の他端とにそれぞれ接続される向き)でマウントする。そして、リフロー炉を用いて接続部材を溶融し、発光ダイオード10と電線8とを電気的に接続する。
次に、図14(e)に示すように、フラックスを洗浄し、平面視が発光ダイオード10を囲むような円形の土手部16を白色フィラーが含有されたエポキシ系透明樹脂で形成し、土手部16の内側にYAG蛍光体を混ぜたシリコーン系樹脂を封止部材14としてポッティングし硬化させる。
まず、図15(a)に示すように、複数の貫通孔42を有する基体4を準備する。基体4としては、厚さ2mm、幅16mm、長さ300mmの白色のポリフタルアミド(PPA)の板を用いる。また、基体4の中心線上の24箇所に12.5mm間隔で平面視が円形の孔(上面の直径が3mm、底面の直径が1.4mm)を形成し、貫通孔42とする。
次に、図15(b)に示すように、アノード用の電線8aとカソード用の電線8bとの一対からなる電線8を基体4の裏面側に設ける。この際、アノード用の電線8aとカソード用の電線8bとは、基体4の裏面側において貫通孔42の開口面を横切るように設けられる。
次に、図15(c)に示すように、貫通孔42の開口面上にある一対の電線8の一部分(幅0.5mm、長さ約0.3mm)における絶縁被膜(エナメル)を例えばリューターで除去し、図15(c)に示すように、絶縁被膜を除去した箇所に半田ペーストを接続部材としてディスペンスし、一つの主面に正負の電極が形成されたLEDチップ(長さ0.8mm、幅0.3mm)を発光ダイオード10として接続部材がディスペンスされた箇所に所定の向き(正負の電極が一対の電線8の一方と他方とにそれぞれ接続される向き)でマウントする。そして、リフロー炉を用いて接続部材を溶融し、発光ダイオード10と電線8とを接続する。
次に、図15(d)に示すように、フラックスを洗浄した後、YAG蛍光体を混ぜたシリコーン系樹脂を封止部材14としてポッティングし硬化させる。
6 絶縁膜
8 電線
81 被覆
82 芯線
10 発光ダイオード
12 接着剤
14 封止部材
16 土手部
18 溝
20 接続部材
22 短絡電線
42 貫通孔
Claims (5)
- 複数の貫通孔を有する基体と、
前記基体の裏面側に設けられた電線と、
前記基体の表面側に設けられた複数の発光ダイオードと、を備え、
前記電線は、アノード用の電線とカソード用の電線との一対からなり、
前記アノード用の電線と前記カソード用の電線は、前記基体の裏面側から一の前記貫通孔を通って前記基体の表面側に一旦突き出た後、再び一の前記貫通孔を通って前記基体の裏面側に戻るように曲げられ、前記基体の裏面側に戻った後、前記基体の裏面に沿って延伸し、前記基体の裏面側から他の前記貫通孔を通って前記基体の表面側に一旦突き出た後、再び他の前記貫通孔を通って前記基体の裏面側に戻るように曲げられ、
前記複数の発光ダイオードは、その正負の電極が、前記アノード用の電線と前記カソード用の電線とにおける、一の前記貫通孔及び他の前記貫通孔を通って前記基体の表面側へそれぞれ突き出ている各箇所にそれぞれ接続されている発光装置。 - 発光ダイオード及び/又は保護素子が前記基体の裏面側において前記電線に実装されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記電線は断面が矩形状である請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記電線は、
芯線と前記芯線を被覆する絶縁部材とを有し、
前記基体の表面側において、前記絶縁部材から前記芯線が露出する複数の露出部を備え、
前記複数の発光ダイオードは、前記露出した芯線に実装されている、
請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記基体は樹脂フィルムである請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
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