JP2019045777A - 電気光学装置、電子機器及びプロジェクター - Google Patents

Abstract

【課題】高速転送への対応や組み立て性の向上等を図れる電気光学装置、電子機器及びプロジェクター等の提供。【解決手段】電気光学装置１０は、電気光学パネル３０と、放熱用基板２０と、放熱用基板２０に設けられ、電気光学パネル３０を駆動する第１の集積回路装置４０と、放熱用基板２０に設けられ、電気光学装置１０と外部装置との間でのインターフェース処理を行う第２の集積回路装置５０と、第２の集積回路装置５０に接続され、インターフェース処理用の信号端子を有するコネクター８０を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、電気光学装置、電子機器及びプロジェクター等に関する。

従来より、液晶パネル等の電気光学パネルと、電気光学パネルを駆動する集積回路装置を有する電気光学装置が知られている。例えば特許文献１には、絶縁表面上にインダクター（キャパシター）が形成された基板と、当該インダクター（キャパシター）に接続された薄膜トランジスターを有する層とが積層された複合集積回路を有する半導体装置が開示されている。この特許文献１には、基板に放熱機能を持たせることについての記載はない。特許文献２には、ドレイン配線の引出し線と、パネル駆動ＩＣ及びドレイン側フレキシブル基板の配置関係を改良して、額縁寸法の狭小化を可能にする手法が開示されているが、放熱用基板についての開示はない。特許文献３には、電気光学パネルと、電気光学パネルを駆動する第１、第２の集積回路が形成される第１、第２のフレキシブル基板と、第１、第２の集積回路において発生した熱を放熱するために、第１、第２の集積回路が固定された放熱部材とを有する電気光学装置が開示されている。

特開２００４−２２１５７０号公報 特開平１１−３０５２５４号公報 特開２０１０−１０２２１９号公報

特許文献３の従来技術では、放熱部材上に集積回路のチップが配置されているが、ＦＰＣテープに集積回路のチップが実装されたＣＯＦ（Chip On Film）を用いており、組み立て性に課題がある。例えば電気光学装置の組み立て時において、ＦＰＣテープを正確にコネクターに差し込まないと、端子ショート等が発生する可能性があった。またＦＰＣテープが曲がっていることによるリアクタンス成分により、信号波形が歪み、画像データの高速転送に対応することが難しかった。例えば４Ｋ解像度等の高精細な電気光学パネルに対応することが困難であった。

本発明の幾つかの態様によれば、高速転送への対応や組み立て性の向上等を図れる電気光学装置、電子機器及びプロジェクター等を提供できる。

本発明の一態様は、電気光学パネルと、放熱用基板と、前記放熱用基板に設けられ、前記電気光学パネルを駆動する第１の集積回路装置と、前記放熱用基板に設けられ、電気光学装置と外部装置との間でのインターフェース処理を行う第２の集積回路装置と、前記第２の集積回路装置に接続され、前記インターフェース処理用の信号端子を有するコネクターと、を含む電気光学装置に関係する。

本発明の一態様によれば、放熱用基板に設けられた第１の集積回路装置により、電気光学パネルが駆動され、放熱用基板に設けられた第２の集積回路装置により、電気光学装置と外部装置との間でのインターフェース処理が行われる。そして電気光学装置には、このインターフェース処理用の信号端子を有するコネクターが設けられる。このようにすれば、パネル駆動やインターフェース処理のために第１、第２の集積回路装置の温度が高くなった場合にも、第１、第２の集積回路装置で発生した熱を放熱用基板により効率的に放熱できるようになり、第１、第２の集積回路装置を適正に動作させることが可能になる。またパネル駆動を行う第１の集積回路装置のみならず、外部装置との間でのデータ転送のためのインターフェース処理を行う第２の集積回路装置や、第２の集積回路装置に接続されるコネクターが設けられることで、電気光学装置と外部装置との間で、高速なデータ転送が可能になると共に組み立て性の向上を図れるようになる。従って、高速転送への対応や組み立て性の向上等を図れる電気光学装置等の提供が可能になる。

また本発明の一態様では、前記第２の集積回路装置は、所与のインターフェース規格の前記インターフェース処理を行い、前記コネクターは、前記所与のインターフェース規格のコネクターであってもよい。

このようにすれば、例えば汎用のインターフェース規格のコネクターを用いて、外部装置からのケーブル、バス等を当該コネクターに接続して、外部装置と電気光学装置との間でのデータ転送を実現できるようになる。

また本発明の一態様では、前記所与のインターフェース規格は、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）、ｅＤＰ（embedded Display Port）又はＨＤＭＩ（登録商標）（High Definition Multimedia Interface）のインターフェース規格であってもよい。

このようにすれば、ＵＳＢ、ｅＤＰ又はＨＤＭＩに準拠したケーブル、バス等をコネクターに接続して、外部装置と電気光学装置の間での高速なデータ転送を実現できるようになる。

また本発明の一態様では、前記電気光学パネルの第１の方向側に前記第１の集積回路装置が設けられ、前記第１の集積回路装置の前記第１の方向側に前記第２の集積回路装置が設けられ、前記第２の集積回路装置の前記第１の方向側に前記コネクターが設けられてもよい。

このようにすれば、電気光学パネル、第１の集積回路装置、第２の集積回路装置、コネクターを第１の方向に沿って配置させることが可能になり、電気光学装置の小型化等を図れるようになる。

また本発明の一態様は、電気光学パネルと、放熱用基板と、前記放熱用基板に設けられ、前記電気光学パネルを駆動する第１の集積回路装置と、前記放熱用基板に設けられ、電気光学装置と外部装置との間での無線通信のインターフェース処理を行う第２の集積回路装置と、前記無線通信用のアンテナ部と、を含む電気光学装置に関係する。

本発明の一態様によれば、放熱用基板に設けられた第１の集積回路装置により、電気光学パネルが駆動され、放熱用基板に設けられた第２の集積回路装置により、電気光学装置と外部装置との間での無線通信のインターフェース処理が行われる。そして電気光学装置には、この無線通信用のアンテナ部が設けられる。このようにすれば、パネル駆動やインターフェース処理のために第１、第２の集積回路装置の温度が高くなった場合にも、第１、第２の集積回路装置で発生した熱を放熱用基板により効率的に放熱できるようになり、第１、第２の集積回路装置を適正に動作させることが可能になる。またパネル駆動を行う第１の集積回路装置のみならず、外部装置との間での無線通信のためのインターフェース処理を行う第２の集積回路装置や、無線通信用のアンテナ部が設けられることで、電気光学装置と外部装置との間で、有線の配線が不要な無線通信によるデータ転送が可能になると共に組み立て性の向上を図れるようになる。従って、高速転送への対応や組み立て性の向上等を図れる電気光学装置等の提供が可能になる。

また本発明の一態様では、前記電気光学パネルの第１の方向側に前記第１の集積回路装置が設けられ、前記第１の集積回路装置の前記第１の方向側に前記第２の集積回路装置が設けられ、前記第２の集積回路装置の前記第１の方向側に前記アンテナ部が設けられてもよい。

このようにすれば、電気光学パネル、第１の集積回路装置、第２の集積回路装置、アンテナ部を第１の方向に沿って配置させることが可能になり、電気光学装置の小型化等を図れるようになる。

また本発明の一態様では、前記第１の集積回路装置及び前記第２の集積回路装置は、前記放熱用基板に直交する方向での平面視において、前記放熱用基板に対して重なるように設けられてもよい。

このようにすれば、例えば第１、第２の集積回路装置の放熱用基板側の主面を、放熱用基板に対向させることが可能になり、当該主面からの熱を、放熱用基板を介して放熱できるようになる。従って、第１、第２の集積回路装置で発生した熱を効率的に放熱することが可能になる。

また本発明の一態様では、前記第１の集積回路装置及び前記第２の集積回路装置は、絶縁体を介して前記放熱用基板に設けられてもよい。

このように絶縁体を設けることで、例えば放熱用基板と第１、第２の集積回路装置が電気的に導通することに起因する不具合の発生を防止できるようになる。

また本発明の一態様では、前記電気光学パネルと前記第１の集積回路装置との間、及び、前記第１の集積回路装置と前記第２の集積回路装置との間の少なくとも一方は、ボンディングワイヤーにより接続されてもよい。

このようなワイヤーボンディング接続を行うことで、比較的、簡素な製造工程での信号接続等が可能になる。

また本発明の一態様では、前記第１、第２の集積回路装置と前記放熱用基板との間に設けられるシリコン基板を含み、前記シリコン基板には、前記電気光学パネルと前記第１の集積回路装置との間の信号接続、及び、前記第１の集積回路装置と前記第２の集積回路装置との間の信号接続の少なくとも一方を行うための配線層が形成されてもよい。

このようにすれば、信号接続用のシリコン基板を用いて、電気光学パネルと第１の集積回路装置との間の信号接続や、或いは第１の集積回路装置と第２の集積回路装置との間の信号接続を実現できるようになる。

また本発明の一態様では、前記放熱用基板に設けられ、前記第１の集積回路装置及び前記第２の集積回路装置に対して電源を供給する第３の集積回路装置を含んでもよい。

このような電源用の第３の集積回路装置を設ければ、第３の集積回路装置から第１、第２の集積回路装置に対して適切な電源電圧を供給できるようになる。

また本発明の一態様では、前記第３の集積回路装置は、所与の周波数帯域の電源ノイズを低減するノイズフィルター部を有してもよい。

このようにすれば、電源ノイズをノイズフィルター部により低減して生成された電源電圧を、第３の集積回路装置から第１、第２の集積回路装置に供給できるようになる。

また本発明の一態様では、前記第３の集積回路装置に対して外部電源を供給するための電源コネクターを有してもよい。

このようにすれば、電源コネクターを用いて外部電源を第３の集積回路装置に供給できるようになる。そして第３の集積回路装置が、電源電圧を生成し、生成された電源電圧を第１、第２の集積回路装置に供給できるようになる。

また本発明の一態様では、電気光学装置に対して無接点で電力を供給するための無接点電力伝送用のインダクターを含んでもよい。

このようにすれば、ケーブル等を用いずに、無接点で外部電源を電気光学装置に供給して、電気光学装置を動作させることが可能になる。

また本発明の一態様では、前記第２の集積回路装置は、画像データのデコード処理を行い、前記放熱用基板に設けられ、前記デコード処理用のメモリー部を有する第４の集積回路装置を含んでもよい。

このようにすれば、第２の集積回路装置内にメモリー部を設けなくても、第２の集積回路装置は、第４の集積回路装置のデコード処理用のメモリー部を用いて、画像データについてのデコード処理を実行できるようになる。

また本発明の一態様では、前記電気光学パネルの画素数は、３８４０×２１６０以上であり、前記インターフェース処理の転送レートは６００Ｍｂｐｓ以上であってもよい。

このような画素数とすることで、電気光学パネルを用いた高精細な画像の表示が可能になる。また、このような転送レートにすることで、電気光学パネルに高精細な画像を表示するための画像データについても、外部装置から適正に受信できるようになる。

また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載の電気光学装置を含む電子機器に関係する。

また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載の電気光学装置と、光源及び光学系を有する投影部と、を含むプロジェクターに関係する。

本実施形態の電気光学装置の第１の構成例。 本実施形態の電気光学装置の第２の構成例。 本実施形態の電気光学装置の第３の構成例。 本実施形態の電気光学装置の概略側面図。 空冷式の放熱用基板の構成例を示す斜視図。 空冷式の放熱用基板の構成例を示す斜視図。 水冷式の放熱用基板の構成例を示す斜視図。 コネクターの種々の例を示す図。 集積回路装置と放熱用基板の間に信号接続用のシリコン基板を設ける構成の説明図。 パネル駆動用の集積回路装置の構成例。 インターフェース処理用の集積回路装置の構成例。 無線通信のインターフェース処理用の集積回路装置の構成例。 電源用の集積回路装置の構成例。 メモリー用の集積回路装置の構成例。 本実施形態の電子機器の構成例。 本実施形態のプロジェクターの構成例。

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。

１．電気光学装置
図１に本実施形態の電気光学装置１０の第１の構成例を示す。電気光学装置１０（パネルモジュール）は、放熱用基板２０と、電気光学パネル３０と、パネル駆動用の集積回路装置４０と、インターフェース処理用の集積回路装置５０と、コネクター８０を含む。また電気光学装置１０は、集積回路装置６０、７０や電気光学パネル３０用のフレーム２２（基板）を更に含むことができる。なお電気光学装置１０は図１（後述の図２、図３）の構成に限定されず、これらの一部の構成要素（例えば集積回路装置６０、７０等）を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。

放熱用基板２０は、集積回路装置４０、５０等（集積回路装置４０、５０、６０、７０。以下、同様）で発生した熱を放熱するための基板（部材）である。放熱用基板２０（放熱部材）は、例えばマグネシウムやアルミニウム等の熱伝導性の高い金属により形成される。或いは放熱用基板２０を、セラミック又はシリコンなどにより形成したり、熱導電性プラスチック等の熱伝導性を有する絶縁体により形成してもよい。また放熱用基板２０は、例えば主面が矩形（略矩形）の形状の部材である。

電気光学パネル３０は、画像を表示するためのパネルであり、例えば液晶パネルや有機ＥＬパネルなどにより実現できる。液晶パネルとしては、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）などのスイッチ素子を用いたアクティブマトリクス方式のパネルを採用できる。電気光学パネル３０は、電気光学装置１０の組み立て時（製造時）にフレーム２２に収納される。フレーム２２に収納される際に、例えばシリコン系のモールド剤等によって電気光学パネル３０とフレーム２２とが相互に接着される。このフレーム２２は放熱用部材としての機能を有していてもよい。例えば図１では放熱用基板２０とフレーム２２とが別体に形成されているが、これらを一体に形成した放熱用の基板としてもよい。

電気光学パネル３０（表示パネル）は、複数の画素を有する。例えばマトリクス状に配置された複数の画素を有する。また電気光学パネル３０は、複数のデータ線（ソース線）と、複数のデータ線に交差する方向に配線される複数の走査線（ゲート線）を有する。そして各データ線と各走査線が交差する領域に、複数の画素の各画素が設けられる。またアクティブマトリクス方式のパネルの場合には、各画素の領域に、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）などのスイッチ素子が設けられる。そして電気光学パネル３０は、各画素の領域における電気光学素子（液晶素子、ＥＬ素子等）の光学特性を変化させることで表示動作を実現する。なお有機ＥＬパネルの場合には、各画素の領域にＥＬ素子を電流駆動するための画素回路が設けられる。

集積回路装置４０（第１の集積回路装置）は放熱用基板２０に設けられる。そして集積回路装置４０（パネル駆動ＩＣ）は電気光学パネル３０を駆動する。例えば電源用の集積回路装置６０から供給された駆動用の電源電圧に基づいて、電気光学パネル３０のデータ線を駆動する。例えば画像データ（表示データ、階調データ）に基づくデータ電圧（ソース電圧）を供給してデータ線（ソース線）を駆動する。また集積回路装置４０は電気光学パネル３０の走査線を駆動してもよい。例えば集積回路装置４０は、走査線（ゲート線）を順次選択するための選択電圧を供給して走査線を駆動してもよい。なお複数の集積回路装置４０を設けて、これらの複数の集積回路装置４０により電気光学パネル３０を駆動するようにしてもよい。

集積回路装置５０（第２の集積回路装置）は放熱用基板２０に設けられる。そして集積回路装置５０は、電気光学装置１０（集積回路装置４０）と外部装置との間でのインターフェース処理を行う。外部装置は、電気光学装置１０の外部に設けられる装置（デバイス）であり、例えば処理装置又は処理装置が実装される主基板などの装置である。インターフェース処理は、例えば電気光学パネル３０の画像表示に用いられる画像データを外部装置から受信する処理や、各種のコマンド等の指示情報を外部装置から受信する処理や、或いは各種のステータス情報を外部装置に送信する処理などである。後述するように集積回路装置５０は、例えばＵＳＢ等の所与のインターフェース規格（通信規格、通信仕様）に準拠したインターフェース処理を行う。また集積回路装置５０は、受信した画像データの伸張処理等のデコード処理を行ってもよい。

コネクター８０は、集積回路装置５０に接続され、インターフェース処理用の信号端子を有する。そしてコネクター８０は、インターフェース処理用の外部バス（ＵＳＢ等）を介して外部装置に接続される。インターフェース処理用の信号端子は、例えば集積回路装置５０のインターフェース処理に使用されるデータ端子（例えばＵＳＢにおけるＤＰ、ＤＭの端子等）などである。またコネクター８０は、データ端子に加えて電源端子（例えばＶＢＵＳの端子）やクロック端子などを有していてもよい。コネクター８０は、例えばインタフェース処理用のバス（ＵＳＢ等）に接続可能な形状を有しており、例えばＵＳＢ等の所与のインターフェース規格のコネクターである。

集積回路装置６０（第３の集積回路装置）は放熱用基板２０に設けられる。そして集積回路装置６０は、集積回路装置４０、５０等（集積回路装置４０、５０、７０）に対して電源電圧を供給する。例えば電源電圧を生成して、集積回路装置４０、５０等に供給する。また集積回路装置６０は、電源ノイズを低減（吸収）するフィルター処理を行う。例えば集積回路装置６０は、所与の周波数帯域の電源ノイズを低減するノイズフィルター処理を行う。なお集積回路装置６０には、各種の受動素子６１が外付け部品として接続されている。受動素子６１は、例えばキャパシター、抵抗又はインダクターなどである。これらの受動素子６１は、例えば放熱用基板２０に設けられる。例えば集積回路装置６０は、キャパシター、抵抗又はインダクターなど受動素子６１を用いて、ノイズフィルター処理や電源電圧の生成処理を行う。例えば集積回路装置６０は、受動素子６１を用いて、電源ノイズの周波数帯域成分を減衰させるバンドエリミネートのフィルター処理（ノッチフィルター処理）を行う。或いは集積回路装置６０は、受動素子６１を用いて、チャージポンプ方式やスイッチングレギュレーター方式のＤＣ−ＤＣ変換処理を行って、各種の電源電圧を生成する。

集積回路装置７０（第４の集積回路装置）は放熱用基板２０に設けられ、各種のメモリー部を含む回路装置である。例えば集積回路装置５０は、圧縮された画像データの伸長処理等のデコード処理を行うが、この場合に集積回路装置７０は、デコード処理用のメモリー部を有する。また集積回路装置７０は、インターフェース処理用のメモリー部や、システム設定等の設定用のメモリー部を含むことができる。これらのメモリー部は例えばＳＲＡＭやＤＲＡＭ等の半導体メモリーにより実現できる。

図１では、電気光学パネル３０の方向ＤＲ１側（第１の方向側）に集積回路装置４０が設けられ、集積回路装置４０の方向ＤＲ１側に集積回路装置５０が設けられる。また集積回路装置５０の方向ＤＲ１側にコネクター８０が設けられる。例えば電気光学パネル３０に隣合うように集積回路装置４０が設けられる。また集積回路装置４０に隣合うように集積回路装置５０が設けられ、集積回路装置５０に隣合うようにコネクター８０が設けられる。例えば集積回路装置４０は、電気光学パネル３０と集積回路装置５０との間に設けられ、集積回路装置５０は、集積回路装置４０とコネクター８０との間に設けられる。また方向ＤＲ１に交差（直交）する方向を方向ＤＲ２（第２の方向）とした場合に、集積回路装置６０は、集積回路装置５０の方向ＤＲ２側に設けられ、集積回路装置７０は、集積回路装置５０の方向ＤＲ２の反対方向側に設けられる。例えば集積回路装置５０に隣合うように集積回路装置６０が設けられ、集積回路装置５０に隣合うように集積回路装置７０が設けられる。例えば集積回路装置５０は集積回路装置６０と集積回路装置７０の間に設けられる。また集積回路装置４０、５０は、放熱用基板２０に直交（交差）する方向ＤＲ３での平面視において、放熱用基板２０に対して重なるように設けられる。集積回路装置６０、７０も、放熱用基板２０に直交する方向ＤＲ３での平面視において、放熱用基板２０に対して重なるように設けられる。

ここで方向ＤＲ１は、例えば電気光学装置１０の辺ＳＤ１（第１の辺）からＳＤ１に対向する辺ＳＤ２（第２の辺）に向かう方向である。電気光学装置１０の辺ＳＤ１、ＳＤ２に交差（直交）する辺を辺ＳＤ３（第３の辺）、辺ＳＤ４（第４の辺）とした場合に、方向ＤＲ２は、辺ＳＤ３からＳＤ３に対向する辺ＳＤ４に向かう方向である。また方向ＤＲ３は、方向ＤＲ１及び方向ＤＲ２に交差（直交）する方向である。例えば放熱用基板２０に直交する方向が方向ＤＲ３となる。

図２に本実施形態の電気光学装置１０の第２の構成例を示す。図２の第２の構成例では図１のコネクター８０の代わりに、アンテナ部９０が設けられている。また第２の構成例では電源コネクター８２が設けられている。例えば第２の構成例では、放熱用基板２０に設けられる集積回路装置５０が、電気光学装置１０と外部装置との間での無線通信のインターフェース処理を行う。例えば集積回路装置５０は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）やブルートゥース（Bluetoothは登録商標）などの無線通信のインターフェース処理を行う。そしてアンテナ部９０は、この無線通信用のアンテナ部であり、インダクター等により実現される。なおアンテナ部９０を実現するインダクターは、例えば放熱用基板２０上に形成してもよいし、例えば無線通信用の集積回路装置５０内に形成してもよい。例えば集積回路装置５０の最上層の金属層（パッドメタル）によりアンテナ部９０のインダクターを実現してもよい。

電源コネクター８２は、電源用の集積回路装置６０に外部電源を供給するためのコネクターである。例えば外部装置からの電源電圧が電源コネクター８２を介して集積回路装置６０に供給される。なお図１の第１の構成例の場合には、コネクター８０が電源コネクター８２を兼ねており、外部装置からの電源電圧がコネクター８０を介して集積回路装置６０に供給されることになる。

図２では、電気光学パネル３０の方向ＤＲ１側に集積回路装置４０が設けられ、集積回路装置４０の方向ＤＲ１側に集積回路装置５０が設けられる。また集積回路装置５０の方向ＤＲ１側にアンテナ部９０が設けられる。例えば集積回路装置５０に隣合うようにアンテナ部９０が設けられる。例えば集積回路装置４０は、電気光学パネル３０と集積回路装置５０との間に設けられ、集積回路装置５０は、集積回路装置４０とアンテナ部９０との間に設けられる。

図３に本実施形態の電気光学装置１０の第３の構成例を示す。図３の第３の構成例では、電源供給用のアンテナ部９２が設けられている。例えば第３の構成例のアンテナ部９２は、電気光学装置１０に対して無接点で電力を供給するための無接点電力伝送用のインダクター（コイル）を含む。例えばアンテナ部９２は、無接点電力伝送用のインダクターと、無線通信用のインダクターを含むことができる。なお集積回路装置５０が、無線通信ではなく、ＵＳＢ等の有線の通信のインターフェース処理を行う場合には、図３のアンテナ部９２には、無接点電力伝送用のインダクターだけが設けられることになる。

図４に電気光学装置１０の概略側面図を示す。図４に示すように電気光学パネル３０はフレーム２２に取り付けられている。そして放熱用基板２０上にはパネル駆動用の集積回路装置４０とインターフェース処理用の集積回路装置５０とコネクター８０が実装されている。例えば放熱用基板２０に直交する方向をＤＲ３とした場合に、集積回路装置４０、５０の方向ＤＲ３側（下側）に放熱用基板２０が設けられる。また集積回路装置４０は、電気光学パネル３０の方向ＤＲ１側に設けられる。また集積回路装置５０は、集積回路装置４０の方向ＤＲ１側に設けられ、コネクター８０は、集積回路装置５０の方向ＤＲ１側に設けられる。

なおコネクター８０については放熱用基板２０上に実装しない変形実施も可能である。また図２、図３の第２、第３の構成例の場合には、図４のコネクター８０の場所にアンテナ部９０やアンテナ部９２が設けられることになる。また図４では放熱用基板２０とフレーム２２（電気光学パネル３０用の基板）が別体に形成されているが、これを一体に形成した放熱用の基板としてもよい。

電気光学パネル３０と集積回路装置４０との間は、ボンディングワイヤー２により接続される。集積回路装置４０と集積回路装置５０との間は、ボンディングワイヤー３により接続される。集積回路装置５０とコネクター８０（アンテナ部９０、９２）との間は、ボンディングワイヤー４により接続される。また図１、図２、図３に示すように、集積回路装置６０と集積回路装置４０との間は、ボンディングワイヤー５により接続され、集積回路装置６０と集積回路装置５０との間は、ボンディングワイヤー６により接続され、集積回路装置６０と受動素子６１との間は、ボンディングワイヤー７により接続される。集積回路装置５０と集積回路装置７０の間は、ボンディングワイヤー８により接続される。また図２、図３に示すように、集積回路装置５０とアンテナ部９０又はアンテナ部９２との間は、ボンディングワイヤー４により接続される。これらのボンディングワイヤー２〜８による接続は、例えば電気光学装置１０の組み立て時（製造時）のワイヤーボーディングの工程で行われることになる。例えばワイヤーボンディングの装置を用いてボンディングワイヤー２〜８の接続が行われる。

また放熱用基板２０が、マグネシウム、アルミ等の導電性の部材で形成される場合に、放熱用基板２０の電位と集積回路装置４０、５０等のＩＣチップの裏面電位とが同一電位である場合には、集積回路装置４０、５０等を放熱用基板２０に直接実装する。一方、異なる電位である場合には、集積回路装置４０、５０側の放熱用基板２０の面を、酸化膜等で絶縁して、集積回路装置４０、５０等を実装したり、ポリイミド等の絶縁材で絶縁して実装する。一方、放熱用基板２０が、熱導電性プラスチック等の熱伝導性を有する絶縁体により形成される場合には、集積回路装置４０、５０等を放熱用基板２０に直接実装する。

図５は空冷式の放熱用基板２０の表側の形状を示す斜視図であり、図６は裏側の形状を示す斜視図である。放熱用基板２０は、平板状の基部１１と、基部１１の裏側（集積回路装置の取付面の反対側の面）に設けられる空冷用のフィン１２、１３を有する。これらのフィン１２、１３を設けることで、放熱効果を高めることができる。なおフィン１２、１３の個数は２個に限定されず、１個又は３個以上であってもよい。またフィン１２、１３の形状も図５、図６に示した形状に限定されず種々の変形実施が可能である。

図７は水冷式の放熱用基板２０の構成例を示す斜視図である。水冷式の放熱用基板２０は、基部１１と、基部１１内に設けられる水冷用の配管１４を有する。配管１４には冷却液が流れる。例えば不図示のポンプ等により冷却液が基部１１の内部の配管１４に流れることで、放熱が実現される。

図８に図１のコネクター８０の具体的な実現例を示す。コネクター８３は、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）のＴＹＰＥ−Ｃのコネクターである。ＵＳＢのＴＹＰＥ−Ｃのコネクター８３は、標準Ａタイプ、標準Ｂタイプに比べて小型化しており、ホスト側、デバイス側のどちら側でも使用可能であり、リバーシブル構造のコネクターとなっている。また従来のＵＳＢ２．０やＵＳＢ３．０の規格のほか、１０Ｇｂｐｓの転送速度でのデータ転送が可能なＵＳＢ３．１の規格や、更にはUSB Power Delivery（USB PD）やUSB Billboard（USB BB）、USB Battery Charging（USB BC）といった様々な規格をサポートしている。例えばUSB Power Deliveryでは、例えば２０Ｖ×５Ａというような非常に大きな電力を供給することが可能になる。またＵＳＢのＴＹＰＥ−Ｃの仕様には、オルタネートモードと呼ばれる制御モードがオプション機能として用意されている。オルタネートモードでは、ＵＳＢのＴＹＰＥ−Ｃのケーブル等を使用して、ＵＳＢ以外の方式でのデータ転送を実現できる。このオルタネートモードを使用することで、ThunderboltやThunderbolt3などを実現できる。例えばThunderbolt3によれば、４０Ｇｂｐｓといった超高速なデータ転送が可能になる。

コネクター８４は、ｅＤＰ（embedded Display Port）などのDisplay Portのコネクターである。ｅＤＰの規格は、従来のＬＶＤＳよりも高速化して信号数を削減する目的の規格であり、デジタル・インターフェース規格であるDisplay Portをベースとしており、Display Portを装置内の組み込み配線用に変更したものである。ｅＤＰにより１レーンあたりで例えば５．４Ｇｂｐｓのデータ転送が可能になる。コネクター８５は、ＨＤＭＩ（High Definition Multimedia Interface）のコネクターである。ＨＤＭＩは、デジタル映像と音声入出力のインターフェース規格であり、従来のＤＶＩを、家電やＡＶ機器向けのインターフェースとして発展させたものであり、映像と音声を１本のケーブルで伝送可能になっている。

このように本実施形態では、集積回路装置５０が所与のインターフェース規格のインターフェース処理を行う場合に、コネクター８０は、所与のインターフェース規格のコネクターとなる。即ち、所与のインターフェース規格に準拠したコネクターになる。具体的には図８に示すように、コネクター８０は、所与のインターフェース規格であるＵＳＢに準拠したコネクター８３、ｅＤＰに準拠したコネクター８４、又はＨＤＭＩに準拠したコネクター８５などにより実現される。

以上のように本実施形態の電気光学装置１０は、図１に示すように、電気光学パネル３０と、放熱用基板２０と、放熱用基板２０に設けられ、電気光学パネル３０を駆動する集積回路装置４０と、放熱用基板２０に設けられ、電気光学装置１０と外部装置との間でのインターフェース処理を行う集積回路装置５０と、集積回路装置５０に接続され、インターフェース処理用の信号端子を有するコネクター８０を含む。

このように放熱用基板２０に集積回路装置４０、５０を設ければ、パネル駆動やインターフェース処理のために集積回路装置４０、５０の温度が高くなった場合にも、集積回路装置４０、５０で発生した熱を放熱用基板２０により効率的に放熱できるようになる。従って、集積回路装置４０、５０を適正に動作させることが可能になり、電気光学パネル３０の表示画像が不適切な画像になったり、熱による電気光学装置１０の誤動作等が発生するのを効果的に防止できる。なお電気光学パネル３０の表示画像は、例えば後述する図１６のようなプロジェクター３０２の投影画像としても用いることができる。

また本実施形態では、パネル駆動を行う集積回路装置４０のみならず、外部装置との間でのデータ転送のためのインターフェース処理を行う集積回路装置５０や、集積回路装置５０に接続されるコネクター８０が、電気光学装置１０に設けられている。このようにすれば、例えば外部装置からのケーブルをコネクター８０に接続することで、電気光学装置１０と外部装置との間で、例えばインターフェース処理の規格に応じた高速なデータ転送が可能になる。従って、例えば電気光学パネル３０が４Ｋ解像度等の高精細なパネルである場合にも、高精細表示に必要な画像データを、外部装置から例えば６００Ｍｂｐｓ以上となる高速なデータ転送で受信できるようになる。これにより、電気光学パネル３０に対して、例えば画素数が３８４０×２１６０以上となるような高精細な画像を表示することが可能になる。

また本実施形態ではコネクター８０としてインターフェース規格に準拠した汎用のコネクターを用いることができる。このため、例えばパーソナルコンピューター（ＰＣ）、ノートＰＣ、タブレットＰＣ又はスマートフォンなどの情報処理装置（外部装置）からのケーブルを、コネクター８０に接続して、情報処理装置からの画像データを直接に受信することが可能になる。これにより、情報処理装置からの画像データによる高精細画像を電気光学パネル３０に表示したり、投影画像として表示することが可能になり、これまでにない電気光学装置１０の利用形態を実現できる。

また例えば前述した従来技術では、ＦＰＣテープに集積回路装置が実装されたＣＯＦを用いていた。従って、例えばＦＰＣテープが曲がっていることによるリアクタンス成分により、信号波形が歪み、画像データの高速転送に対応することが難しかった。また電気光学装置の組み立て時（製造時）において、ＦＰＣテープのコネクターの斜め刺しなどが行われて、端子ショートが発生するなどの問題があった。

この点、本実施形態では、外部装置からのケーブルを電気光学装置１０のコネクター８０に接続するだけで、高精細画像の画像データを、集積回路装置５０のインターフェース処理による高速なデータ転送で受信することが可能になる。また外部装置との接続についてはＦＰＣテープを用いずに、外部装置からのケーブル、バス等をコネクター８０に接続するだけで済むため、斜め刺しによる端子ショート等も発生せず、組み立て性も向上できる。

また本実施形態では、集積回路装置５０は、所与のインターフェース規格のインターフェース処理を行い、コネクター８０は、当該所与のインターフェース規格のコネクターとなっている。具体的には図８で説明したように、所与のインターフェース規格は、ＵＳＢ、ｅＤＰ又はＨＤＭＩなどのインターフェース規格である。なおインターフェース規格はこれに限定されず、ＵＳＢ、ｅＤＰ又はＨＤＭＩを発展させた規格や、ＵＳＢ、ｅＤＰ又はＨＤＭＩ以外の規格であってもよい。

このようにすれば、汎用のインターフェース規格のコネクター８０を用いて、例えばＰＣやスマートフォン等の情報処理装置からのケーブルを当該コネクター８０に接続して、情報処理装置からの画像データを直接に受信することが可能になる。例えばＵＳＢであれば、ＵＳＢ３．１等による高速なデータ転送で画像データを受信したり、ＵＳＢのオルタネートモードなどを利用して画像データ（映像データ）を受信して、電気光学パネル３０に画像を表示したり、投影画像を表示することが可能になる。従って、これまでにないタイプの画像表示システムの実現が可能になる。またＵＳＢ規格等のコネクター８０を用いれば、外部電源についてもコネクター８０を介して電気光学装置１０に供給できるようになる。例えばＵＳＢのＶＢＵＳ等を用いて外部電源を電気光学装置１０に供給できるようになる。

また本実施形態では、図１に示すように電気光学パネル３０の方向ＤＲ１側に集積回路装置４０が設けられ、集積回路装置４０の方向ＤＲ１側に集積回路装置５０が設けられ、集積回路装置５０の方向ＤＲ１側にコネクター８０が設けられる。このようにすれば、電気光学パネル３０、集積回路装置４０、５０、コネクター８０を方向ＤＲ１に沿ってコンパクトに配置できるようになる。例えば電気光学パネル３０、集積回路装置４０、５０、コネクター８０を方向ＤＲ１に沿って隣合って配置することが可能になる。これにより電気光学装置１０の小型化や薄型化などを実現でき、電気光学装置１０が組み込まれる電子機器のコンパクト化等も実現できる。また電気光学パネル３０、集積回路装置４０、５０、コネクター８０の間を、互いに近づけて配置できるため、短い配線のボンディングワイヤー２、３、４等による信号接続が可能になり、配線の寄生容量や寄生抵抗を原因とする悪影響を低減でき、電気光学装置１０の高性能化等を実現できる。

また本実施形態の電気光学装置１０は図２に示すように、電気光学パネル３０と、放熱用基板２０と、放熱用基板２０に設けられ、電気光学パネル３０を駆動する集積回路装置４０と、放熱用基板２０に設けられ、電気光学装置１０と外部装置との間での無線通信のインターフェース処理を行う集積回路装置５０と、無線通信用のアンテナ部９０を含む。

この構成によれば、集積回路装置４０、５０で発生した熱を放熱用基板２０により効率的に放熱できるようになり、集積回路装置４０、５０を適正に動作させることが可能になる。従って、電気光学パネル３０の表示画像が不適切な画像になったり、電気光学装置１０の誤動作等が発生するのを効果的に防止できる。

またパネル駆動を行う集積回路装置４０のみならず、外部装置との間での無線通信のインターフェース処理を行う集積回路装置５０や、無線通信用のアンテナ部９０が、電気光学装置１０に設けられている。このようにすれば、例えば無線ＬＡＮやブルートゥースなどにより、電気光学装置１０と外部装置との間で、無線通信によるデータ転送が可能になる。従って、高精細表示に必要な画像データを、高速な無線通信で受信して、高精細な画像を表示できるようになる。またＰＣやスマートフォン等の情報処理装置を、無線ＬＡＮ等により電気光学装置１０に対して無線により直接に通信接続して、情報処理装置からの画像データ等を転送できるようになる。従って、電気光学パネル３０を有する電気光学装置１０（パネルモジュール）と情報処理装置とが無線により直接に通信接続されるような画像表示システムの実現が可能になる。

また図２では、集積回路装置６０に対して外部電源を供給するための電源コネクター８２が設けられている。このようにすれば、電源コネクター８２を用いて外部電源を集積回路装置６０に供給できるようになる。そして集積回路装置６０が、電源電圧を生成し、生成された電源電圧を集積回路装置４０、５０、７０等に供給できるようになる。また図２のように、無線通信用のアンテナ部９０と電源コネクター８２を設ければ、データについては無線通信を用いて転送することで、配線が不要になり、電源コネクター８２の電源線だけを配線すれば済むようになる。

また図２では、電気光学パネル３０の方向ＤＲ１側に集積回路装置４０が設けられ、集積回路装置４０の方向ＤＲ１側に集積回路装置５０が設けられ、集積回路装置５０の方向ＤＲ１側にアンテナ部９０が設けられる。このようにすれば、電気光学パネル３０、集積回路装置４０、５０、アンテナ部９０を方向ＤＲ１に沿ってコンパクトに配置できるようになる。これにより電気光学装置１０の小型化や薄型化などを実現でき、電気光学装置１０が組み込まれる電子機器のコンパクト化等の実現も可能になる。また電気光学パネル３０、集積回路装置４０、５０、アンテナ部９０の間を互いに近づけて配置できるため、短い配線のボンディングワイヤー２、３、４等による信号接続が可能になり、配線の寄生容量や寄生抵抗を原因とする悪影響を低減でき、電気光学装置１０の高性能化等を実現できる。

また図１、図２、図３では、集積回路装置４０、５０等は、放熱用基板２０に直交する方向ＤＲ３での平面視において、放熱用基板２０に対して重なるように設けられる。即ち集積回路装置４０、５０等の方向ＤＲ３側に放熱用基板２０が位置するように、電気光学装置１０が組み立てられている。このようにすれば、集積回路装置４０、５０等の放熱用基板２０側の主面を、放熱用基板２０に対向させることが可能になり、広い面積の当該主面からの熱を、放熱用基板２０を介して放熱できるようになる。従って、集積回路装置４０、５０等で発生した熱を効率的に放熱することが可能になり、発熱を原因とする集積回路装置４０、５０等の動作の不具合の発生を防止できるようになる。

また本実施形態の電気光学装置１０は、放熱用基板２０に設けられ、集積回路装置４０、５０等に対して電源電圧を供給する集積回路装置６０を含む。このような電源用の集積回路装置６０を設ければ、電源ノイズを低減したり、集積回路装置４０、５０等に必要な種々の電源電圧を生成して供給できるようになる。例えば集積回路装置４０は、電気光学パネル３０の駆動用の電源電圧が必要になるが、集積回路装置６０を設けることで、このような駆動用の電源電圧を集積回路装置４０に供給できるようになる。またインターフェース処理を行う集積回路装置５０が、高速化のために、トランジスターのチャネル長が短い低耐圧用の製造プロセスで形成される場合には、例えば集積回路装置６０が低電圧の電源電圧を生成して、集積回路装置５０に供給できるようになる。

例えば集積回路装置６０は、後述の図１３に示すように、所与の周波数帯域の電源ノイズを低減するノイズフィルター部６２を有している。ノイズフィルター部６２は、例えば電源ノイズの周波数帯域の成分を低減するバンドエリミネートのフィルター処理を行う。このフィルター処理は例えば放熱用基板２０に設けられた受動素子６１などを用いて実現できる。このようにすれば、電源ノイズをノイズフィルター部６２により低減（除去）して生成された各種の電源電圧を、集積回路装置６０から集積回路装置４０、５０等に供給できるようになる。

なお本実施形態では図３に示すように、電気光学装置１０に対して無接点で電力を供給するための無接点電力伝送用のアンテナ部９２を設けてもよい。このようにすれば図２に示すような電源コネクター８２が不要になり、ケーブル等を用いずに、無接点（非接触）で外部電源を電気光学装置１０に供給して、電気光学装置１０を動作させることが可能になる。例えば無接点電力伝送では、送電側に設けられた送電コイル（１次コイル、１次インダクター）と、受電側に設けられた受電コイル（２次コイル、２次インダクター）を電磁的に結合させて電力伝送トランスを形成することで、非接触での電力伝送を実現する。この場合に図３の電気光学装置１０のアンテナ部９２には、受電コイルのインダクターが設けられることになる。

またインターフェース処理用の集積回路装置５０は、画像データのデコード処理を行ってよい。例えば画像データが所与の符号化方式により符号化されていた場合に、集積回路装置５０は、符号化されていた画像データを復号化するデコード処理を行う。具体的には、例えばインターフェース処理により受信した画像データが圧縮されていた場合に、集積回路装置５０は、圧縮された画像データを伸張するためのデコード処理を行う。この場合に集積回路装置７０は、後述する図１４に示すように、デコード処理用（圧縮・伸張用）のメモリー部７２を有している。そして集積回路装置５０は、例えばこのメモリー部７２をワーク領域として、伸張処理等のデコード処理を行うことになる。このようにすれば、集積回路装置５０内にメモリー部を設けなくても、集積回路装置５０の外部に設けられた集積回路装置７０のメモリー部７２を用いて画像データについてのデコード処理を実行できるようになる。例えば大容量のメモリーを実現するためには、メモリー用の製造プロセスで製造された集積回路装置７０を利用することが、低コスト化や装置の小型化の点において有利になる。

また本実施形態の電気光学パネルの画素数は、例えば３８４０×２１６０以上であり、集積回路装置５０のインターフェース処理の転送レートは、６００Ｍｂｐｓ以上であることが望ましい。このような画素数とすることで、電気光学パネル３０を用いた高精細な画像表示が可能になる。そして高精細な画像表示を行うためには、電気光学装置１０が高速な転送レートで画像データを外部装置から受信する必要がある。この点、集積回路装置５０のインターフェース処理の転送レートが６００Ｍｂｐｓ以上（或いは１Ｇｂｐｓ以上）であれば、このような高速な転送レートでの画像データの受信が可能になり、画素数が３８４０×２１６０以上となるような高精細な画像の表示が可能になり、例えば４Ｋ解像度等の表示にも対応できるようになる。

また本実施形態では、電気光学パネル３０と集積回路装置４０との間、及び、集積回路装置４０と集積回路装置５０との間の少なくとも一方は、ボンディングワイヤーにより接続される。例えば図１〜図３では、電気光学パネル３０と集積回路装置４０の間はボンディングワイヤー２により接続され、集積回路装置４０と集積回路装置５０の間はボンディングワイヤー３により接続されている。なお電気光学パネル３０と集積回路装置４０との間、及び、集積回路装置４０と集積回路装置５０との間の一方だけを、ボンディングワイヤーにより接続し、他方については他の接続形態で接続してもよい。例えば電気光学パネル３０と集積回路装置４０との間や集積回路装置４０と集積回路装置５０との間を、放熱用基板２０上に配線された信号線等により接続してもよい。

このようなボンディングワイヤーによる接続手法によれば、比較的、簡素な製造工程で、低コストでの信号接続が可能になる。例えば電気光学装置１０の製造の際に、ワイヤーボンディの装置を用いて、電気光学パネル３０、集積回路装置４０、５０の間での信号線の接続を行うことが可能になり、製造工程の簡素化や電気光学装置１０の低コスト化等を図れるようになる。

また本実施形態では、集積回路装置４０、５０等は、絶縁体を介して放熱用基板２０に設けられる。例えば放熱用基板２０がアルミニウムやマグネシウムなどの金属により形成される場合に、前述したように放熱用基板２０の表面に、絶縁体となる酸化膜等を形成して、集積回路装置４０、５０等を実装する。このようにすることで、放熱用基板２０と集積回路装置４０、５０等が電気的に導通してしまうことなどを防止できる。この場合に集積回路装置４０、５０等のＩＣチップの裏面側と放熱用基板２０とが同電位に設定される場合には、このような絶縁体となる酸化膜等の形成を行わないようにしてもよい。

また本実施形態では図９に示すように、電気光学装置１０は、集積回路装置４０と放熱用基板２０との間に設けられるシリコン基板２４を有していてもよい。このシリコン基板２４には、例えば電気光学パネル３０と集積回路装置４０との間の信号接続、及び、集積回路装置４０と集積回路装置５０との間の信号接続の少なくとも一方を行うための配線層が形成されている。例えば図９では、シリコン基板２４上に酸化膜ＩＬ１、ＩＬ２が形成され、酸化膜ＩＬ１、ＩＬ２上に配線層ＡＬ１、ＡＬ２が形成されている。配線層ＡＬ１、ＡＬ２はアルミ等の金属の配線層であり、電気光学パネル３０と集積回路装置４０との間の信号接続（配線）や、集積回路装置４０と集積回路装置５０との間の信号接続（配線）は、これらの２層の配線層ＡＬ１、ＡＬ２を用いて行われる。

また酸化膜ＩＬ２上には酸化膜ＩＬ３が形成され、酸化膜ＩＬ３上には、最上層の配線層（パッドメタル）を用いてパッドＰＤＡ（広義には端子）が形成されている。例えばパシベーションＰＡＳＡに形成された開口部に、パッドＰＤＡが形成される。そしてパッドＰＤＡの上にはバンプＢＭＰ（Ａｕバンプ）が形成されている。なおパッドＰＤＡ上には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの多層のメッキＭＰＬが形成され、メッキＭＰＬの上にバンプＢＭＰが形成される。このようにパッドＰＤＡとバンプＢＭＰの間にメッキＭＰＬを形成することで、接続強度を向上できる。

そしてこのバンプＢＭＰは、例えば集積回路装置４０（５０、６０、７０）のパッドＰＤＢ（端子）に電気的に接続される。例えばパシベーションＰＡＳＢに形成された開口部に、パッドＰＤＢが形成され、このパッドＰＤＢにバンプＢＭＰの上端部が電気的に接続される。即ち集積回路装置４０（５０、６０、７０）のＩＣがフリップ実装される。このようにすることで、信号接続用のシリコン基板２４のチップのパッドＰＤＡと、集積回路装置４０（５０、６０、７０）のパッドＰＤＢとを、バンプ接続できるようになる。これにより、電気光学パネル３０と集積回路装置４０との間の信号接続や、集積回路装置４０と集積回路装置５０との間での信号接続を実現できる。このようにすることで、図１〜図３に示すようなワイヤーボンディング接続を行わなくても、電気光学パネル３０、集積回路装置４０、５０、６０、７０間での信号接続を実現できるようになる。

なお、電気光学パネル３０と集積回路装置４０との間の信号接続と、集積回路装置４０と集積回路装置５０との間での信号接続の一方の信号接続だけを、シリコン基板２４の配線層ＡＬ１、ＡＬ２やバンプ接続を用いて行うようにして、他方の信号接続は他の接続形態で実現してもよい。またバンプＢＭＰは、パッド上に形成された突起状の接続電極である。バンプ接続は、例えばパッド同士（端子）を向かい合わせて金属突起（導電性突起）であるバンプＢＭＰを介して接続する手法である。バンプ接続は、ワイヤーボンディング接続に比べて、接続長を短くできるなどの利点がある。なおバンプＢＭＰは、樹脂により形成されたバンプのコアを金属でメッキすることで構成される樹脂コアバンプなどであってもよい。

図９のように信号接続用のシリコン基板２４を設ける構成の場合には、例えば酸化膜ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３等が、集積回路装置４０、５０等と放熱用基板２０との間に設けられる絶縁体になる。即ち、これらの酸化膜ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３等が絶縁体となって、集積回路装置４０、５０等と放熱用基板２０とが電気的に絶縁されるようになる。なお本実施形態では、例えば集積回路装置４０、５０等と放熱用基板２０との間に、信号接続用のフレキシブル基板を設けてもよい。この場合には、電気光学パネル３０と集積回路装置４０との間の信号接続や、集積回路装置４０と集積回路装置５０との間での信号接続は、フレキシブル基板に形成された信号線により実現されることになる。また例えば放熱用基板２０の表面に酸化膜を形成し、この酸化膜上に配線パターンを直接に形成してもよい。この場合には、電気光学パネル３０と集積回路装置４０との間の信号接続や、集積回路装置４０と集積回路装置５０との間での信号接続は、酸化膜上に形成された配線パターンにより実現されることになる。

２．集積回路装置
次に図１〜図３の集積回路装置４０、５０、６０、７０の具体的な構成例について説明する。

図１０にパネル駆動用の集積回路装置４０の具体的な構成例を示す。この集積回路装置４０は、入力処理回路４１、データバッファー＆データ配分回路４２、Ｄ／Ａ変換部４３、アンプ部４４、階調電圧生成回路４５を含む。入力処理回路４１は、集積回路装置４０の入力端子群４８を介して画像信号や制御信号等の入力信号が入力されて、入力処理を行う。データバッファー＆データ配分回路４２は、画像信号に対応する画像データ（階調データ）のバッファリングやＤ／Ａ変換部４３への配分処理を行う。例えば相展開処理と呼ばれる配分処理などを行う。Ｄ／Ａ変換部４３は、複数のＤ／Ａ変換器ＤＡＣ１〜ＤＡＣｎを有し、画像データのＤ／Ａ変換を行う。具体的には、階調電圧生成回路４５により生成された複数の階調電圧の中から、画像データである階調データに対応する電圧をデータ電圧（ソース電圧）として選択するＤ／Ａ変換を行う。アンプ部４４は、複数のアンプＡＭ１〜ＡＭｎを有し、Ｄ／Ａ変換部４３からの複数のデータ電圧（ソース電圧）をバッファリングして、出力端子群４９に出力する。出力端子群４９は、ワイヤーボンディング等の配線により電気光学パネル３０に電気的に接続されている。

図１１にインターフェース処理用の集積回路装置５０の具体的な構成例を示す。集積回路装置５０は、トランシーバー回路５１（入力処理回路）、データデコード回路５６、出力処理回路５７を含む。トランシーバー回路５１は、集積回路装置５０の入力端子群５８から入力された信号の入力処理を行う。具体的には、トランシーバー回路５１は、インターフェース処理のインターフェース規格に準拠した物理層の処理やリンク層の処理などを行う。例えばＵＳＢのインターフェース規格であれば、ＵＳＢの規格に準拠した物理層の処理やリンク層の処理などを行う。例えば差動入力信号（ＤＰ、ＤＭ）の受信処理、送信処理や、パケットの解析処理や生成処理などを行う。データデコード回路５６は、トランシーバー回路５１を介して外部装置から受信した画像データのデコード処理を行う。例えば画像データが圧縮されていた場合には、圧縮された画像データの伸張処理などのデコード処理を行う。このように画像データを圧縮して転送することで、データ量の多い画像データを高速に転送することが可能になる。出力処理回路５７は、デコード処理後の画像データ等に基づいて信号の出力処理を行って、集積回路装置５０の出力端子群５９を介して、集積回路装置４０等に対して画像信号や制御信号を出力する。例えばパネル駆動用の集積回路装置４０に用いられる信号形式に信号を変換して出力する。例えばＲＧＢインターフェース等の信号形式に変換する出力処理を行う。なおインターフェース処理用の集積回路装置５０からパネル駆動用の集積回路装置４０への信号伝送は、例えばＬＶＤＳなどの小振幅の差動信号による信号伝送であってもよい。

図１２に無線通信のインターフェース処理を行う集積回路装置５０の具体的な構成例を示す。集積回路装置５０は、ＲＦ回路５２、ベースバンド回路５５、データデコード回路５６、出力処理回路５７を含む。ＲＦ回路５２は、図２、図３のアンテナ部９０、９２に設けられるアンテナＡＮＴ（インダクター）に接続される。ＲＦ回路５２は、無線通信の受信と送信の切り替えを行うための切り替え回路５３と、無線通信の受信及び送信を行う受信＆送信回路５４を含む。受信＆送信回路５４には、発振回路（不図示）から無線通信用のクロック信号ＣＬＫが供給されて動作する。ベースバンド回路５５は、無線通信におけるベースバンド処理を行う。データデコード回路５６、出力処理回路５７の動作は図１１と同様であるため詳細な説明は省略する。

図１３に電源用の集積回路装置６０の具体的な構成例を示す。集積回路装置６０は、ノイズフィルター部６２、監視部６３、レギュレーター６４、基準電圧生成部６５、電源立ち上げシーケンス処理部６６を含む。ノイズフィルター部６２は、電源ノイズを低減するためのフィルター処理を行う。具体的にはノイズフィルター部６２は、所与の周波数帯域の電源ノイズを低減するフィルター処理を行う。例えば電源ノイズの周波数帯域成分を減衰させるバンドエリミネートのフィルター処理を行う。監視部６３は電源の監視処理を行う。例えば電源投入時の電源の監視処理や電源電圧の変動についての監視処理を行う。レギュレーター６４は、例えば外部電源電圧を調整して、種々の電源電圧を生成する。生成された電源電圧は集積回路装置４０、５０、６０、７０に供給される。基準電圧生成部６５は、各種のアナログ回路等の基準となる電圧を生成する。基準電圧生成部６５は、例えばバンドギャップ回路などにより実現できる。電源立ち上げシーケンス処理部６６は、電源投入の際の電源の立ち上がり時のシーケンス処理を行う。例えば電源投入時の起動シーケンスについての処理を行う。

図１４にメモリー用の集積回路装置７０の具体的な構成例を示す。集積回路装置７０は、画像メモリー部７１、デコード処理用のメモリー部７２、システム設定用のメモリー部７３、ガンマ変換用のメモリー部７４を含む。画像メモリー部７１は、例えばＶＲＡＭとなるメモリー部である。デコード処理用のメモリー部７２は、集積回路装置５０での伸張処理等のデコード処理において使用されるメモリー部である。メモリー部７２は、デコード処理のワーク領域等として使用される。システム設定用のメモリー部７３は、電気光学装置１０のシステム設定のための種々の情報を記憶するメモリー部である。例えばメモリー部７３は、動作設定情報や各種のパラメーター情報などを記憶する。ガンマ変換用のメモリー部７４は、パネル駆動用の集積回路装置４０でのガンマ変換特性（階調電圧特性）の設定情報を記憶するメモリー部である。

３．電子機器、プロジェクター
図１５に本実施形態の電気光学装置１０を含む電子機器３００の構成例を示す。電子機器３００は、電気光学装置１０、処理装置３１０、記憶部３３０（記憶装置、メモリー）、通信部３４０（通信回路、通信装置）、操作部３６０（操作装置）を含む。電子機器３００の具体例としては、例えばプロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、携帯情報端末、車載装置（例えばメーターパネル、カーナビゲーションシステム等）、携帯型ゲーム端末、ロボット、情報処理装置などの表示装置を搭載する種々の電子機器を想定できる。

処理装置３１０は、電子機器３００の制御処理や、種々の信号処理等を行う。処理装置３１０は、例えばＣＰＵやＭＰＵ等のプロセッサー、或いはＡＳＩＣ等により実現できる。記憶部３３０は、例えば通信部３４０から入力されたデータを記憶したり、或いは、処理装置３１０のワークメモリーとして機能する。記憶部３３０は、例えばＲＡＭやＲＯＭ等の半導体メモリー、或いはＨＤＤ等の磁気記憶装置、或いはＣＤドライブ、ＤＶＤドライブ等の光学記憶装置等により実現できる。通信部３４０は、画像データや制御データの入出力を行うデータインターフェースである。通信部３４０の通信処理は、有線の通信処理であってもよいし、無線の通信処理であってもよい。操作部３６０は、ユーザーからの種々の操作を受け付けるユーザーインターフェースである。例えば操作部３６０は、ボタンやマウスやキーボード、電気光学パネル３０に装着されたタッチパネル等により実現できる。

図１６に本実施形態の電気光学装置１０を含むプロジェクター３０２の構成例を示す。図１６のプロジェクター３０２は、本実施形態の電気光学装置１０と投影部３７０を有する。例えばプロジェクター３０２は、図１５で説明した処理装置３１０、記憶部３３０、通信部３４０、操作部３６０に加えて、投影部３７０を更に有する。投影部３７０は、光源３８０と光学系３９０を有する。光源３８０は、例えばハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニットなどにより実現される。光学系３９０は、例えばレンズ、プリズム又はミラー等により実現される。電気光学パネル３０が透過型である場合、光源３８０からの光を光学系３９０等を介して電気光学パネル３０に入射させ、電気光学パネル３０を透過した光をスクリーンに投影させる。電気光学パネル３０が反射型である場合、光源３８０からの光を光学系３９０等を介して電気光学パネル３０に入射させ、電気光学パネル３０から反射された光をスクリーンに投影させる。

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また電気光学装置、電気光学パネル、集積回路装置、放熱用基板、電子機器、プロジェクター等の構成・動作も本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。

ＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３、ＳＤ４…辺、ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３…方向、
ＡＬ１、ＡＬ２…配線層、ＢＭＰ…バンプ、ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３…酸化膜、
ＭＰＬ…メッキ、ＰＡＳＡ、ＰＡＳＢ ：パシベーション、
ＰＤＡ、ＰＤＢ…パッド、ＡＭ１〜ＡＭｎ…アンプ、
ＤＡＣ１〜ＤＡＣｎ…Ｄ／Ａ変換器、ＡＮＴ…アンテナ、ＣＬＫ…クロック信号、
２、３、４、５、６、７、８…ボンディングワイヤー、１０…電気光学装置、
１１…基部、１２、１３…フィン、１４…配管、２０…放熱用基板、２２…フレーム、
２４…シリコン基板、３０…電気光学パネル、４０…集積回路装置、
４１…入力処理回路、４２…データバッファー＆データ配分回路、
４３…Ｄ／Ａ変換部、４４…アンプ部、４５…階調電圧生成回路、４８…入力端子群、
４９…出力端子群、５０…集積回路装置、５１…トランシーバー回路、
５２…ＲＦ回路、５３…切り替え回路、５４…受信＆送信回路、
５５…ベースバンド回路、５６…データデコード回路、５７…出力処理回路、
５８…入力端子群、５９…出力端子群、６０…集積回路装置、６１…受動素子、
６２…ノイズフィルター部、６３…監視部、６４…レギュレーター、
６５…基準電圧生成部、６６…電源立ち上げシーケンス処理部、７０…集積回路装置、
７１…画像メモリー部、７２、７３、７４…メモリー部、８０…コネクター、
８２…電源コネクター、８３、８４、８５…コネクター、９０、９２…アンテナ部、
３００…電子機器、３０２…プロジェクター、３１０…処理装置、３３０…記憶部、
３４０…通信部、３６０…操作部、３７０…投影部、３８０…光源、３９０…光学系

Claims (18)

1. 電気光学パネルと、
   放熱用基板と、
   前記放熱用基板に設けられ、前記電気光学パネルを駆動する第１の集積回路装置と、
   前記放熱用基板に設けられ、電気光学装置と外部装置との間でのインターフェース処理を行う第２の集積回路装置と、
   前記第２の集積回路装置に接続され、前記インターフェース処理用の信号端子を有するコネクターと、
   を含むことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の集積回路装置は、所与のインターフェース規格の前記インターフェース処理を行い、
   前記コネクターは、前記所与のインターフェース規格のコネクターであることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項２において、
   前記所与のインターフェース規格は、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）、ｅＤＰ（embedded Display Port）又はＨＤＭＩ（High Definition Multimedia Interface）のインターフェース規格であることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記電気光学パネルの第１の方向側に前記第１の集積回路装置が設けられ、前記第１の集積回路装置の前記第１の方向側に前記第２の集積回路装置が設けられ、前記第２の集積回路装置の前記第１の方向側に前記コネクターが設けられることを特徴とする電気光学装置。
5. 電気光学パネルと、
   放熱用基板と、
   前記放熱用基板に設けられ、前記電気光学パネルを駆動する第１の集積回路装置と、
   前記放熱用基板に設けられ、電気光学装置と外部装置との間での無線通信のインターフェース処理を行う第２の集積回路装置と、
   前記無線通信用のアンテナ部と、
   を含むことを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項５において、
   前記電気光学パネルの第１の方向側に前記第１の集積回路装置が設けられ、前記第１の集積回路装置の前記第１の方向側に前記第２の集積回路装置が設けられ、前記第２の集積回路装置の前記第１の方向側に前記アンテナ部が設けられることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記第１の集積回路装置及び前記第２の集積回路装置は、前記放熱用基板に直交する方向での平面視において、前記放熱用基板に対して重なるように設けられることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１乃至７のいずれかにおいて、
   前記第１の集積回路装置及び前記第２の集積回路装置は、絶縁体を介して前記放熱用基板に設けられることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項１乃至８のいずれかにおいて、
   前記電気光学パネルと前記第１の集積回路装置との間、及び、前記第１の集積回路装置と前記第２の集積回路装置との間の少なくとも一方は、ボンディングワイヤーにより接続されることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項１乃至８のいずれかにおいて、
    前記第１、第２の集積回路装置と前記放熱用基板との間に設けられるシリコン基板を含み、
    前記シリコン基板には、前記電気光学パネルと前記第１の集積回路装置との間の信号接続、及び、前記第１の集積回路装置と前記第２の集積回路装置との間の信号接続の少なくとも一方を行うための配線層が形成されることを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれかにおいて、
    前記放熱用基板に設けられ、前記第１の集積回路装置及び前記第２の集積回路装置に対して電源を供給する第３の集積回路装置を含むことを特徴とする電気光学装置。
12. 請求項１１において、
    前記第３の集積回路装置は、所与の周波数帯域の電源ノイズを低減するノイズフィルター部を有することを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１１又は１２において、
    前記第３の集積回路装置に対して外部電源を供給するための電源コネクターを有することを特徴とする電気光学装置。
14. 請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
    電気光学装置に対して無接点で電力を供給するための無接点電力伝送用のインダクターを含むことを特徴とする電気光学装置。
15. 請求項１乃至１４のいずれかにおいて、
    前記第２の集積回路装置は、画像データのデコード処理を行い、
    前記放熱用基板に設けられ、前記デコード処理用のメモリー部を有する第４の集積回路装置を含むことを特徴とする電気光学装置。
16. 請求項１乃至１５のいずれかにおいて、
    前記電気光学パネルの画素数は、３８４０×２１６０以上であり、前記インターフェース処理の転送レートは６００Ｍｂｐｓ以上であることを特徴とする電気光学装置。
17. 請求項１乃至１６のいずれかに記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
18. 請求項１乃至１６のいずれかに記載の電気光学装置と、
    光源及び光学系を有する投影部と、
    を含むことを特徴とするプロジェクター。

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