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JP2018530664A - An evaporation source for organic materials, an apparatus having an evaporation source for organic materials, and a method for depositing organic materials. - Google Patents

An evaporation source for organic materials, an apparatus having an evaporation source for organic materials, and a method for depositing organic materials. Download PDF

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JP2018530664A
JP2018530664A JP2017560165A JP2017560165A JP2018530664A JP 2018530664 A JP2018530664 A JP 2018530664A JP 2017560165 A JP2017560165 A JP 2017560165A JP 2017560165 A JP2017560165 A JP 2017560165A JP 2018530664 A JP2018530664 A JP 2018530664A
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シュテファン バンゲルト,
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アンドレアス ロップ,
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Abstract

基板(10)上に原料物質を堆積させるための蒸発源(100)が説明される。蒸発源は蒸発坩堝(104)を含み、蒸発坩堝は原料物質を蒸発させるように構成され、蒸発源は更に1以上の出口(212)を有する分配ユニット(130)を含み、分配ユニットは蒸発坩堝と流体連通し、1以上の出口は堆積方向(101)へ基板に対して原料物質を供給するように構成され、蒸発源は更に1以上の開口部(221)を含むように設けられた第1の冷却遮蔽構成(201)、第1の冷却遮蔽構成(201)から距離を置いて設けられた加熱遮蔽構成(202)を含み、加熱遮蔽構成(202)は1以上の開孔(222)を含む。第1の冷却遮蔽構成(201)は分配ユニット(130)と加熱遮蔽構成(202)との間に配置され、蒸発源(100)は、堆積方向(101)へ1以上の出口(212)から1以上の開口部(221)及び1以上の開孔(222)を通って基板へ至る、材料のための経路を画定するように構成されている。【選択図】図1An evaporation source (100) for depositing source material on a substrate (10) is described. The evaporation source includes an evaporation crucible (104), the evaporation crucible is configured to evaporate the source material, the evaporation source further includes a distribution unit (130) having one or more outlets (212), and the distribution unit is an evaporation crucible. One or more outlets are configured to supply source material to the substrate in the deposition direction (101), and the evaporation source is further provided with one or more openings (221). 1 cooling shield configuration (201), a heating shield configuration (202) provided at a distance from the first cooling shield configuration (201), the heating shield configuration (202) comprising one or more apertures (222) including. The first cooling shield configuration (201) is disposed between the distribution unit (130) and the heating shield configuration (202), and the evaporation source (100) is from one or more outlets (212) in the deposition direction (101). It is configured to define a path for the material through one or more openings (221) and one or more apertures (222) to the substrate. [Selection] Figure 1

Description

本開示の実施形態は、有機材料の堆積、例えば、有機材料などの材料を堆積させるためのシステム、有機材料のための源、及び有機材料のための堆積装置に関する。本開示の実施形態は、特に、有機材料のための蒸発源に関し、その蒸発源は、デバイス、特に、内部に有機材料を含むデバイスを製造するための蒸発装置及び/又は製造システムのためのものである。   Embodiments of the present disclosure relate to organic material deposition, for example, a system for depositing materials such as organic materials, a source for organic materials, and a deposition apparatus for organic materials. Embodiments of the present disclosure relate specifically to an evaporation source for organic materials, the evaporation source being for an evaporation apparatus and / or manufacturing system for manufacturing a device, particularly a device containing an organic material therein. It is.

有機蒸発器は、有機発光ダイオード(OLED)の製造のためのツールである。OLEDは、特殊な発光ダイオードであり、その中では発光層が特定の有機化合物の薄膜を含んでいる。有機発光ダイオード(OLED)は、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、及び他の携帯型デバイスの製造において使用される。OLEDは、一般的な空間照明にも使用することができる。OLEDピクセルが直接発光し、バックライトを必要としないので、OLEDディスプレイで可能な色、輝度、及び視野角の範囲は、従来のLCDディスプレイの範囲よりも広い。したがって、OLEDディスプレイのエネルギー消費は、従来のLCDディスプレイのエネルギー消費よりもかなり少ない。更に、OLEDをフレキシブル基板上に製造することができるという事実により、更なる用途が得られる。例えば、典型的なOLEDディスプレイは、個別に通電可能なピクセルを有するマトリクスディスプレイパネルを形成するようなやり方で全て基板上に堆積される、2つの電極の間に配置された有機材料の層を含み得る。OLEDは、一般的に、2つのガラスパネルの間に置かれ、OLEDをその中に封入するためにガラスパネルの端部が密閉される。   An organic evaporator is a tool for the manufacture of organic light emitting diodes (OLEDs). An OLED is a special light emitting diode in which a light emitting layer includes a thin film of a specific organic compound. Organic light emitting diodes (OLEDs) are used in the manufacture of television screens, computer monitors, cell phones, and other portable devices for displaying information. OLEDs can also be used for general space illumination. Since OLED pixels emit directly and do not require backlighting, the range of colors, brightness, and viewing angles possible with OLED displays is wider than that of conventional LCD displays. Thus, the energy consumption of an OLED display is significantly less than that of a conventional LCD display. Furthermore, the fact that OLEDs can be manufactured on flexible substrates provides further applications. For example, a typical OLED display includes a layer of organic material disposed between two electrodes, all deposited on a substrate in such a way as to form a matrix display panel with individually energizable pixels. obtain. An OLED is typically placed between two glass panels and the ends of the glass panel are sealed to encapsulate the OLEDs therein.

このようなディスプレイデバイスを製造する際には、多くの課題に遭遇することになる。OLEDディスプレイ又はOLED照明アプリケーションは、例えば、真空の中で蒸発する、幾つかの有機材料のスタックを含む。有機材料は、シャドーマスクを通して、続けて堆積される。OLEDスタックを効率良く製造するためには、混合層/ドープ層が生じるように、2つ以上の材料(例えば、ホスト及びドーパント)を共堆積又は共蒸発することが望ましい。更に、非常に繊細な有機材料の蒸発には、幾つかの工程条件があることを考慮しなければならない。   Many problems are encountered when manufacturing such display devices. An OLED display or OLED lighting application includes, for example, a stack of several organic materials that evaporate in a vacuum. The organic material is subsequently deposited through a shadow mask. In order to efficiently manufacture an OLED stack, it is desirable to co-deposit or co-evaporate two or more materials (eg, host and dopant) so that a mixed / doped layer is produced. Furthermore, it must be taken into account that there are several process conditions for the evaporation of very delicate organic materials.

材料を基板上に堆積させるために、材料は、材料が蒸発するまで加熱される。管が、蒸発した材料をノズルを通して基板へ誘導する。最近では、堆積工程の精度が上がり、例えば、非常に小さいピクセルサイズを提供することができるようになっている。ある工程では、蒸発した材料がマスク開口部を通過するときに、マスクがピクセルを画定するように使用される。しかし、マスクのシャドーイング効果、蒸発した材料の広がりなどが、蒸発工程の精度と予測可能性を更に高めることを難しくしている。   In order to deposit the material on the substrate, the material is heated until the material evaporates. A tube directs the evaporated material through the nozzle to the substrate. Recently, the accuracy of the deposition process has increased, and for example, it has become possible to provide very small pixel sizes. In one process, a mask is used to define a pixel as the evaporated material passes through the mask opening. However, the shadowing effect of the mask and the spread of the evaporated material make it difficult to further increase the accuracy and predictability of the evaporation process.

上述のことに照らしてみると、高い品質と精度を有するデバイスを製造するために、蒸発工程の精度と予測可能性を高めることが有益である。   In view of the above, it is beneficial to increase the accuracy and predictability of the evaporation process in order to produce devices with high quality and accuracy.

上述のことを考慮すると、独立請求項による、蒸発源、堆積装置、及び基板上に蒸発した材料を堆積させる方法が提供される。更なる利点、特徴、態様、及び詳細は、従属請求項、本明細書の説明、及び添付図面から明らかである。   In view of the above, an evaporation source, a deposition apparatus and a method for depositing evaporated material on a substrate are provided according to the independent claims. Further advantages, features, aspects and details are evident from the dependent claims, the description herein and the accompanying drawings.

本開示の一態様によれば、基板上に材料を堆積させるための蒸発源が提供される。蒸発源は蒸発坩堝を含み、蒸発坩堝は材料を蒸発させるように構成され、蒸発源は更に1以上の出口を有する分配ユニットを含み、分配ユニットは蒸発坩堝と流体連通し、1以上の出口は堆積方向へ基板に対して材料を供給するように構成され、蒸発源は更に1以上の開口部を含むように設けられた第1の冷却遮蔽構成、第1の冷却遮蔽構成から距離を置いて設けられた加熱遮蔽構成を含み、加熱遮蔽構成は1以上の開孔を含み、第1の冷却遮蔽構成は分配ユニットと加熱遮蔽構成との間に配置され、蒸発源は、堆積方向へ1以上の出口から1以上の開口部及び1以上の開孔を通って基板へ至る、材料のための経路を画定するように構成されている。   According to one aspect of the present disclosure, an evaporation source is provided for depositing material on a substrate. The evaporation source includes an evaporation crucible, the evaporation crucible is configured to evaporate the material, the evaporation source further includes a distribution unit having one or more outlets, the distribution unit being in fluid communication with the evaporation crucible, the one or more outlets being A first cooling shield configuration configured to supply material to the substrate in the deposition direction and the evaporation source further including one or more openings, spaced from the first cooling shield configuration. Including a heat shield configuration provided, the heat shield configuration includes one or more apertures, the first cooling shield configuration is disposed between the distribution unit and the heat shield configuration, and the evaporation source is one or more in the deposition direction. Is configured to define a path for the material from the outlet to the substrate through the one or more openings and the one or more apertures.

本開示の別の一態様によれば、本明細書で説明される実施形態による、1以上の蒸発源を含む堆積装置が提供される。   According to another aspect of the present disclosure, a deposition apparatus is provided that includes one or more evaporation sources according to embodiments described herein.

本開示の別の一態様によれば、本明細書で説明される実施形態による、1以上の蒸発源を含む堆積装置が提供される。蒸発源は蒸発坩堝を含み、蒸発坩堝は材料を蒸発させるように構成され、蒸発源は更に1以上の出口を有する分配ユニットを含み、分配ユニットは蒸発坩堝と流体連通し、1以上の出口は堆積方向へ基板に対して材料を供給するように構成され、蒸発源は更に1以上の開口部を含むように設けられた第1の冷却遮蔽構成、第1の冷却遮蔽構成から距離を置いて設けられた加熱遮蔽構成を含み、加熱遮蔽構成は1以上の開孔を含み、第1の冷却遮蔽構成は分配ユニットと加熱遮蔽構成との間に配置され、蒸発源は、堆積方向へ1以上の出口から1以上の開口部及び1以上の開孔を通って基板へ至る、材料のための経路を画定するように構成されている。   According to another aspect of the present disclosure, a deposition apparatus is provided that includes one or more evaporation sources according to embodiments described herein. The evaporation source includes an evaporation crucible, the evaporation crucible is configured to evaporate the material, the evaporation source further includes a distribution unit having one or more outlets, the distribution unit being in fluid communication with the evaporation crucible, the one or more outlets being A first cooling shield configuration configured to supply material to the substrate in the deposition direction and the evaporation source further including one or more openings, spaced from the first cooling shield configuration. Including a heat shield configuration provided, the heat shield configuration includes one or more apertures, the first cooling shield configuration is disposed between the distribution unit and the heat shield configuration, and the evaporation source is one or more in the deposition direction. Is configured to define a path for the material from the outlet to the substrate through the one or more openings and the one or more apertures.

本開示の更なる態様によれば、基板上に材料を堆積させる方法が提供される。該方法は、材料を蒸発させること、及び蒸発した材料を基板に付けることを含み、蒸発した材料を基板に付けることは、分配ユニットの1以上の出口を通して堆積方向へ蒸発した材料を供給すること、並びに第1の冷却遮蔽構成の1以上の開口部及び加熱遮蔽構成の1以上の開孔を通して蒸発した材料を送ることを含む。   According to a further aspect of the present disclosure, a method for depositing material on a substrate is provided. The method includes evaporating the material and applying the evaporated material to the substrate, wherein applying the evaporated material to the substrate provides the evaporated material in the deposition direction through one or more outlets of the dispensing unit. And evaporating material through one or more openings of the first cooling shield configuration and one or more apertures of the heating shield configuration.

本開示は、本開示の方法を実行するための装置部分を含む、該方法を実行するための装置も対象とする。該方法は、ハードウェア構成要素、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータ、これらの2つの任意の組合せ、或いは任意の他の方法によって実行され得る。更に、本開示は、説明される装置の操作方法も対象とする。これは、該装置のあらゆる機能を実行するための方法を含む。   The present disclosure is also directed to an apparatus for performing the method, including an apparatus portion for performing the method of the present disclosure. The method may be performed by hardware components, a computer programmed with appropriate software, any combination of the two, or any other method. Furthermore, the present disclosure is also directed to a method of operating the described apparatus. This includes methods for performing all functions of the device.

本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上で簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができる。添付の図面は本開示の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。   In order that the above features of the present disclosure may be understood in detail, a more specific description of the present disclosure, briefly outlined above, may be obtained by reference to embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described in the following description.

本明細書の実施形態による、蒸発源の概略図を示す。FIG. 3 shows a schematic diagram of an evaporation source, according to embodiments herein. 本明細書の更なる実施形態による、蒸発源の概略図を示す。FIG. 4 shows a schematic diagram of an evaporation source according to further embodiments herein. 本明細書で説明される実施形態による、蒸発源の一部分の概略図を示す。FIG. 3 shows a schematic diagram of a portion of an evaporation source, according to embodiments described herein. 本明細書で説明される実施形態による、蒸発源の一部分の概略図を示す。FIG. 3 shows a schematic diagram of a portion of an evaporation source, according to embodiments described herein. 本明細書で説明される実施形態による、別の蒸発源の概略図を示す。FIG. 6 shows a schematic diagram of another evaporation source, according to embodiments described herein. 本明細書の実施形態による、蒸発源の概略的な側面図を示す。FIG. 4 shows a schematic side view of an evaporation source according to embodiments herein. 本明細書の実施形態による、蒸発源の概略的な側面図を示す。FIG. 4 shows a schematic side view of an evaporation source according to embodiments herein. 本明細書の更なる実施形態による、蒸発源の概略的な上面図を示す。FIG. 6 shows a schematic top view of an evaporation source according to further embodiments herein. 本明細書のまた更なる実施形態による、蒸発源の概略的な上面図を示す。FIG. 4 shows a schematic top view of an evaporation source according to still further embodiments herein. 本明細書で説明される実施形態による、真空チャンバ内で原料物質を堆積させるための堆積装置の概略的な上面図を示す。FIG. 3 shows a schematic top view of a deposition apparatus for depositing source material in a vacuum chamber, according to embodiments described herein. 本明細書で説明される実施形態による、基板上に原料物質を堆積させる方法を示す概略的なブロック図を示す。FIG. 3 shows a schematic block diagram illustrating a method of depositing source material on a substrate according to embodiments described herein. 本明細書で説明される実施形態による、基板上に原料物質を堆積させる方法を示す概略的なブロック図を示す。FIG. 3 shows a schematic block diagram illustrating a method of depositing source material on a substrate according to embodiments described herein.

ここで、本開示の様々な実施形態が詳細に参照されることになり、その1以上の実施例が図示される。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。下記において、個々の実施形態に関する違いのみが説明される。各実施例は、本開示の説明のために提供されているが、本開示を限定することが意図されているわけではない。更に、一実施形態の一部として図示且つ説明されている特徴を、他の実施形態で用いてもよく、或いは他の実施形態と併用してもよい。それにより、更に別の実施形態が生み出される。本説明には、このような修正例及び変形例が含まれることが意図されている。   Reference will now be made in detail to various embodiments of the disclosure, one or more examples of which are illustrated. Within the following description of the drawings, the same reference numbers refer to the same components. In the following, only the differences with respect to the individual embodiments are described. Each example is provided by way of explanation of the disclosure, but is not intended to limit the disclosure. Further, features illustrated and described as part of one embodiment may be used in other embodiments or used in combination with other embodiments. Thereby, yet another embodiment is created. This description is intended to include such modifications and variations.

本開示では、「原料物質」という用語が、蒸発し基板の表面上に堆積される材料として理解され得る。例えば、本明細書で説明される実施形態では、基板の表面上に堆積される蒸発した材料が、有機原料物質であり得る。有機材料の非限定的な例は、以下のもののうちの1以上を含む。すなわち、ITO、NPD、Alq、キナクリドン、Mg/AG、スターバースト材料などである。 In this disclosure, the term “source material” may be understood as a material that is evaporated and deposited on the surface of a substrate. For example, in the embodiments described herein, the evaporated material deposited on the surface of the substrate can be an organic source material. Non-limiting examples of organic materials include one or more of the following. That is, ITO, NPD, Alq 3 , quinacridone, Mg / AG, starburst material, and the like.

本開示では、「流体連通」という用語が、流体連通している2つの要素が、連結を介して流体を交換することができ、2つの要素間の流体の流れが可能となることと理解され得る。一実施例では、流体連通している要素とは、流体が流通し得る中空構造体を含み得る。ある実施形態によれば、流体連通している要素のうちの少なくとも1つは、管のような要素であり得る。   In the present disclosure, the term “fluid communication” is understood to mean that two elements in fluid communication can exchange fluid via a connection, allowing fluid flow between the two elements. obtain. In one example, the fluid communication element may include a hollow structure through which fluid can flow. According to certain embodiments, at least one of the fluidly communicating elements can be a tube-like element.

本開示では、「蒸発源」という用語が、基板上に堆積されるべき原料物質を供給する構成として理解され得る。特に、蒸発源は、堆積装置の真空堆積チャンバなどの真空チャンバ内で、基板上に堆積されるべき原料物質を供給するように構成され得る。本明細書で説明される、ある実施形態によれば、蒸発源は、基板上に堆積されるべき原料物質を蒸発させるように構成され得る。例えば、蒸発源は蒸発器すなわち坩堝を含み、坩堝は基板上に堆積されるべき原料物質を蒸発させ、蒸発源は更に分配ユニットを含み、分配ユニットは特に例えば1以上の出口を通して基板に向かう方向へ蒸発した原料物質を解放する。   In this disclosure, the term “evaporation source” may be understood as a configuration that supplies a source material to be deposited on a substrate. In particular, the evaporation source can be configured to supply a source material to be deposited on a substrate in a vacuum chamber, such as a vacuum deposition chamber of a deposition apparatus. According to certain embodiments described herein, the evaporation source can be configured to evaporate the source material to be deposited on the substrate. For example, the evaporation source comprises an evaporator or crucible, the crucible evaporates the raw material to be deposited on the substrate, the evaporation source further comprises a distribution unit, the distribution unit in particular in the direction towards the substrate through one or more outlets, for example. Release the evaporated material.

本開示では、「坩堝」という用語が、堆積されるべき原料物質を供給する又は含む、デバイス又は容器として理解され得る。通常、坩堝は、基板上に堆積されるべき原料物質を蒸発させるために加熱され得る。本明細書の実施形態によれば、坩堝は、それに対して坩堝によって蒸発された原料物質が運ばれ得るところの分配ユニットと流体連通し得る。   In this disclosure, the term “crucible” may be understood as a device or container that supplies or contains a source material to be deposited. Typically, the crucible can be heated to evaporate the source material to be deposited on the substrate. According to embodiments herein, the crucible can be in fluid communication with a distribution unit to which source material evaporated by the crucible can be carried.

「分配ユニット」又は「分配管」は、蒸発した原料物質を供給するためのユニットであり得る。特に、分配ユニットは、坩堝から1以上の出口を通して蒸発した原料物質を基板へ供給するように構成され得る。「分配ユニット」又は「分配管」は、1以上の出口を含み得る。「分配ユニット」又は「分配管」は、例えば、出口が坩堝から離れている又は直接的に隣接しないように、細長いチューブであり得る。   The “distribution unit” or “distribution pipe” may be a unit for supplying evaporated raw material. In particular, the distribution unit may be configured to supply the source material evaporated from the crucible through one or more outlets to the substrate. A “distribution unit” or “distributor” may include one or more outlets. The “distribution unit” or “distributor” can be, for example, an elongated tube so that the outlet is away from or not directly adjacent to the crucible.

本開示では、「冷却遮蔽構成」という用語が、能動的に冷却されるように構成された遮蔽構成として理解され得る。特に、本明細書で説明される冷却遮蔽構成は、本明細書で説明されるように、基板上に堆積されるべき原料物質の凝縮温度まで冷却されるように構成され得る。例えば、本明細書で説明される冷却遮蔽構成は、50°C未満、特に40°C未満、更に特に30°C未満、例えば近似的に20°Cの温度まで冷却されるように構成され得る。   In this disclosure, the term “cooling shield configuration” may be understood as a shield configuration configured to be actively cooled. In particular, the cooling shield configuration described herein can be configured to be cooled to the condensation temperature of the source material to be deposited on the substrate, as described herein. For example, the cooling shield configuration described herein may be configured to be cooled to a temperature of less than 50 ° C, particularly less than 40 ° C, more particularly less than 30 ° C, such as approximately 20 ° C. .

本開示では、「加熱遮蔽構成」という用語が、能動的に加熱されるように構成された遮蔽構成として理解され得る。特に、本明細書で説明される加熱遮蔽構成は、本明細書で説明されるように、基板上に堆積されるべき原料物質の蒸発温度に相当する温度まで能動的に加熱されるように構成され得る。本明細書で説明される加熱遮蔽構成は、基板上に堆積されるべき原料物質の蒸発温度より上の温度まで能動的に加熱されるようにも構成され得ることが理解されるべきである。   In this disclosure, the term “heat shield configuration” may be understood as a shield configuration configured to be actively heated. In particular, the heat shield configuration described herein is configured to be actively heated to a temperature corresponding to the evaporation temperature of the source material to be deposited on the substrate, as described herein. Can be done. It should be understood that the heat shield configuration described herein can also be configured to be actively heated to a temperature above the evaporation temperature of the source material to be deposited on the substrate.

本開示では、「堆積方向」という用語が、本明細書で説明されるように、分配ユニットの1以上の出口を通して供給される蒸発した原料物質の主たる放出方向として理解され得る。特に、本明細書で説明される堆積方向は、水平に対して+/−20度の範囲内に含まれる方向として理解され得る。   In the present disclosure, the term “deposition direction” may be understood as the main release direction of evaporated source material supplied through one or more outlets of the distribution unit, as described herein. In particular, the deposition direction described herein can be understood as a direction falling within a range of +/− 20 degrees with respect to the horizontal.

図1は、本明細書の実施形態による、蒸発源100の概略図を示している。特に、図1で例示的に示されているように、蒸発源100は、原料物質を蒸発させるように構成された蒸発坩堝104を含む。更に、蒸発源100は、1以上の出口212を有する分配ユニット130を含む。分配ユニット130は、蒸発坩堝104と流体連通している。分配ユニット130の1以上の出口212は、堆積方向101において基板10へ原料物質を供給するように構成されている。更に、蒸発源100は、1以上の開口部221を含む第1の冷却遮蔽構成201を含む。図1で例示的に示されているように、蒸発源100は、第1の冷却遮蔽構成201から距離を置いて設けられた、加熱遮蔽構成202を更に含む。加熱遮蔽構成202は、1以上の開孔222を含む。第1の冷却遮蔽構成201は、分配ユニット130と加熱遮蔽構成202との間に配置されている。更に、図1で例示的に示されている本明細書の実施形態によれば、蒸発源100は、堆積方向101において1以上の出口212から1以上の開口部221及び1以上の開孔222を通って基板10へ至る、原料物質のための経路を画定するように構成されている。   FIG. 1 shows a schematic diagram of an evaporation source 100 according to an embodiment herein. In particular, as illustrated in FIG. 1, the evaporation source 100 includes an evaporation crucible 104 configured to evaporate the source material. Further, the evaporation source 100 includes a distribution unit 130 having one or more outlets 212. Distribution unit 130 is in fluid communication with evaporation crucible 104. One or more outlets 212 of the distribution unit 130 are configured to supply source material to the substrate 10 in the deposition direction 101. Further, the evaporation source 100 includes a first cooling shield configuration 201 that includes one or more openings 221. As exemplarily shown in FIG. 1, the evaporation source 100 further includes a heating shield configuration 202 disposed at a distance from the first cooling shield configuration 201. Heat shield arrangement 202 includes one or more apertures 222. The first cooling shield configuration 201 is disposed between the distribution unit 130 and the heating shield configuration 202. Further, according to the embodiment herein illustrated by way of example in FIG. 1, the evaporation source 100 includes one or more openings 221 and one or more apertures 222 from one or more outlets 212 in the deposition direction 101. It is configured to define a path for the source material through the substrate 10.

したがって、本明細書で説明される実施形態による蒸発源を提供することによって、マスクのシャドーイング構成を低減させるために、例えば、マスクを通して、基板に供給される蒸発した原料物質の入射角が制限されるように、堆積方向へ加熱遮蔽構成の後ろの所定の放出角度が提供され得る。したがって、基板上に堆積した原料物質の改良された解像度が実現され得る。更に、有益なことに、本明細書で説明される実施形態による蒸発源は、長い時間にわたり安定した堆積プロセス条件が維持され得るように、加熱遮蔽構成の1以上の開孔及び分配ユニットの1以上の出口の詰まりを抑制し又は完全に避けることさえ提供する。これは何故ならば、加熱遮蔽構成の1以上の開孔を通過しない蒸発した原料物質が、蒸発した原料物質が凝縮するところの第1の冷却遮蔽構成へ後方錯乱し、それによって、後方錯乱した原料物質が第1の冷却遮蔽構成上に収集され得るからである。したがって、加熱遮蔽構成の1以上の開孔及び分配ユニットの1以上の出口は、堆積プロセスを通じてクリーンなままである。   Thus, by providing an evaporation source according to embodiments described herein, for example, the incident angle of evaporated source material supplied to the substrate through the mask is limited to reduce the shadowing configuration of the mask. As can be done, a predetermined discharge angle behind the heat shield arrangement in the deposition direction can be provided. Thus, improved resolution of the source material deposited on the substrate can be achieved. In addition, beneficially, the evaporation source according to the embodiments described herein can include one or more apertures and one of the dispensing units in a heat shield configuration so that stable deposition process conditions can be maintained over time. It also provides for the suppression or even avoidance of these clogging outlets. This is because the evaporated source material that does not pass through one or more apertures in the heat shield configuration is back confused to the first cooling shield configuration where the evaporated source material condenses, thereby causing a back mess. This is because the source material can be collected on the first cooling shield configuration. Thus, the one or more apertures in the heat shield configuration and the one or more outlets of the dispensing unit remain clean throughout the deposition process.

図1で例示的に示されているように、加熱遮蔽構成202の1以上の開孔222は、分配ユニット130の1以上の出口212を通して供給される蒸発した原料物質の放出角度(θ)を制限し得る。したがって、本明細書で説明される実施形態によれば、加熱遮蔽構成202が、基板10に向けて分配される蒸発した原料物質の分配コーン(cone)又はプルーム(plume)318の範囲を定めるように構成され得ることを理解すべきである。特に、加熱遮蔽構成202は、加熱遮蔽構成202から反射した点線の矢印によって、図1で例示的に示されているように、蒸発した原料物質の少なくとも一部分を遮断するように構成され得る。通常、加熱遮蔽構成202の1以上の開孔222は、堆積方向101において分配ユニット130の1以上の出口212と位置合わせされるように配置され得る。特に、加熱遮蔽構成202の1以上の開孔222は、加熱遮蔽構成202の後ろで、すなわち、蒸発した原料物質が1以上の開孔222を通過したときに、所定の放出角度(θ)が提供され得るように構成され配置されている。言い換えると、加熱遮蔽構成202は、分配ユニット130の1以上の出口212のうちの何れかから供給される蒸発した原料物質の(本明細書で堆積方向とも称される)主たる放出方向から、30度より上、特に40度より上、例えば45度より上の、所定の放出角度(θ)を有する蒸発した原料物質を遮断するように適合され得る。したがって、本明細書で説明される実施形態による蒸発源を提供することによって、基板の前に設けられたマスクによってもたらされるシャドーイング効果が低減され、それによって、基板上に堆積される原料物質の改良された解像度が実現され得る。   As exemplarily shown in FIG. 1, the one or more apertures 222 of the heat shield configuration 202 provide a discharge angle (θ) of the evaporated source material supplied through one or more outlets 212 of the distribution unit 130. Can be limited. Thus, according to the embodiments described herein, the heat shield arrangement 202 is configured to delimit the distribution cone or plume 318 of evaporated source material that is dispensed toward the substrate 10. It should be understood that it can be configured as follows. In particular, the heat shield configuration 202 may be configured to block at least a portion of the evaporated source material, as exemplarily shown in FIG. 1, by a dotted arrow reflected from the heat shield configuration 202. In general, one or more apertures 222 of the heat shield configuration 202 may be arranged to align with one or more outlets 212 of the dispensing unit 130 in the deposition direction 101. In particular, the one or more apertures 222 of the heat shield configuration 202 have a predetermined emission angle (θ) behind the heat shield configuration 202, ie, when evaporated source material passes through the one or more apertures 222. Configured and arranged to be provided. In other words, the heat shield arrangement 202 is 30 centimeters from the main discharge direction (also referred to herein as the deposition direction) of evaporated source material supplied from any of the one or more outlets 212 of the distribution unit 130. It can be adapted to block evaporated source material having a predetermined emission angle (θ) above 50 degrees, in particular above 40 degrees, for example above 45 degrees. Thus, by providing an evaporation source according to the embodiments described herein, the shadowing effect caused by a mask provided in front of the substrate is reduced, thereby reducing the source material deposited on the substrate. Improved resolution can be realized.

本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る、実施形態によれば、加熱遮蔽構成202は、第1の温度まで加熱されるように構成されている。特に、そこまで加熱遮蔽構成202が加熱され得るところの第1の温度は、堆積されるべき原料物質の蒸発温度に相当し得る。例えば、加熱遮蔽構成202は、加熱要素を含み得る。加熱要素が、加熱遮蔽構成に設置され又は取り付けられ得る。更に又は代替的に、加熱要素は、加熱遮蔽構成の範囲内に配置され得る。例えば、加熱要素は、熱電加熱デバイスであり得る。したがって、堆積されるべき原料物質の蒸発温度以上まで加熱される加熱遮蔽構成を提供することによって、1以上の出口、例えば、ノズルを離れた蒸発した原料物質の分子が、大きな角度で加熱遮蔽構成の1以上の開孔の周りの壁に衝突するが、加熱遮蔽構成に固着することができない。結果として、加熱遮蔽構成の1以上の開孔は、堆積プロセスを通じてクリーンなままであり、加熱遮蔽構成の1以上の開孔の詰まりが避けられ得る。   According to embodiments, which can be combined with any other embodiment described herein, the heat shield arrangement 202 is configured to be heated to a first temperature. In particular, the first temperature at which the heat shield structure 202 can be heated can correspond to the evaporation temperature of the source material to be deposited. For example, the heat shield configuration 202 may include a heating element. The heating element may be installed or attached in a heat shield configuration. Additionally or alternatively, the heating element may be disposed within a heat shield configuration. For example, the heating element can be a thermoelectric heating device. Thus, by providing a heat shield arrangement that is heated to above the evaporation temperature of the source material to be deposited, the molecules of the evaporated source material that have left the one or more outlets, for example, the nozzle, are heated at a large angle. Impinges on the wall around one or more apertures, but cannot adhere to the heat shield configuration. As a result, the one or more apertures in the heat shield configuration remain clean throughout the deposition process, and clogging of the one or more apertures in the heat shield configuration can be avoided.

本明細書で説明される実施形態によれば、加熱遮蔽構成は、約100°Cから約600°Cまでの蒸発温度、特に、約150°Cから約450°Cまでの蒸発温度まで加熱されるように構成され得る。ある実施形態では、加熱遮蔽構成が、例えば、蒸発した有機材料に対して化学的に不活性な材料を含み得る。ある実施形態によれば、加熱遮蔽構成は、ステンレス鋼、水晶ガラス(quartz crystal glass)、Ta、Ti、Nb、DLC、及びグラファイトから成る群から選択された少なくとも1つの材料を含み、又はそれらの材料のうちの少なくとも1つを用いた被覆を含み得る。したがって、加熱遮蔽構成上の蒸発した原料物質の蓄積が妨げられ得る。   According to the embodiments described herein, the heat shield arrangement is heated to an evaporation temperature of about 100 ° C. to about 600 ° C., in particular to an evaporation temperature of about 150 ° C. to about 450 ° C. Can be configured. In certain embodiments, the heat shield configuration may include, for example, a material that is chemically inert to the evaporated organic material. According to certain embodiments, the heat shield configuration comprises at least one material selected from the group consisting of stainless steel, quartz crystal glass, Ta, Ti, Nb, DLC, and graphite, or It may include a coating using at least one of the materials. Thus, accumulation of evaporated source material on the heat shield configuration can be prevented.

図1で例示的に示されているように、本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、第1の冷却遮蔽構成201は、分配ユニット130の1以上の出口212を側方から取り囲むように構成され得る。特に、第1の冷却遮蔽構成201は、堆積されるべき原料物質の凝縮温度まで能動的に冷却されるように構成され得る。したがって、第1の冷却遮蔽構成は、加熱遮蔽構成から後方錯乱した蒸発した原料物質を収集するように構成されている。更に、有益なことに、分配ユニットの1以上の出口は、堆積プロセスを通じてクリーンなままであり、分配ユニットの1以上の出口の詰まりが避けられ、それによって、長い時間にわたり安定した堆積プロセス条件が維持され得る。   As illustrated by way of example in FIG. 1, according to an embodiment that may be combined with any other embodiment described herein, the first cooling shield configuration 201 is one of the distribution units 130. It may be configured to surround the above outlet 212 from the side. In particular, the first cooling shield configuration 201 can be configured to be actively cooled to the condensation temperature of the source material to be deposited. Accordingly, the first cooling shield configuration is configured to collect evaporated source material that has been confused backward from the heating shield configuration. In addition, beneficially, one or more outlets of the dispensing unit remain clean throughout the deposition process, avoiding clogging of the one or more outlets of the dispensing unit, thereby ensuring stable deposition process conditions over time. Can be maintained.

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、第1の冷却遮蔽構成201は、空気、窒素、水、又は他の適切な冷却流体などの、冷却流体のための導管を有する1以上の金属プレートによって設けられ得る。例えば、冷却流体のための導管は、第1の冷却遮蔽構成に取り付けられ、又は第1の冷却遮蔽構成の範囲内に設けられ得る。更に又は代替的に、第1の冷却遮蔽構成は、熱電冷却デバイス、又は第1の冷却遮蔽構成のために適切な任意の他の冷却デバイスを含み得る。ある実施形態によれば、第1の冷却遮蔽構成は、以下のものから成る群から選択された少なくとも1つの材料を含み得る。すなわち、(例えば、Niめっきで覆われた)Cu、Ta、Ti、Nb、DLC、及びグラファイトである。更に、第1の冷却遮蔽構成は、それらの材料のうちの少なくとも1つを用いた被覆を含み得る。   According to certain embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the first cooling shield configuration 201 includes a cooling fluid, such as air, nitrogen, water, or other suitable cooling fluid. May be provided by one or more metal plates having conduits for For example, a conduit for the cooling fluid may be attached to the first cooling shield configuration or provided within the first cooling shield configuration. Additionally or alternatively, the first cooling shield configuration may include a thermoelectric cooling device or any other cooling device suitable for the first cooling shield configuration. According to certain embodiments, the first cooling shield configuration may include at least one material selected from the group consisting of: That is, Cu, Ta, Ti, Nb, DLC, and graphite (eg, covered with Ni plating). Further, the first cooling shield configuration may include a coating using at least one of these materials.

本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、分配ユニット130の1以上の出口212は、図1で例示的に示されているように、分配ユニットの加熱壁135内に設けられ得る。例えば、加熱壁135は、加熱要素を含み得る。加熱要素は、加熱壁135に設置され又は取り付けられ得る。更に又は代替的に、加熱要素は、分配ユニットの加熱壁135の範囲内に配置され得る。例えば、加熱要素は、熱電加熱デバイスであり得る。特に、加熱壁135は、そこまで加熱遮蔽構成が加熱されるところの第1の温度に実質的に相当する第2の温度まで加熱されるように構成されている。したがって、加熱壁と加熱遮蔽構成は、実質的に等しい熱膨張を有するように構成され得る。それによって、加熱壁に連結され得る分配ユニットの1以上の出口は、堆積プロセスを通じて加熱遮蔽構成の1以上の開孔に対して位置合わせされたままである。   In accordance with an embodiment that may be combined with any other embodiment described herein, one or more outlets 212 of the dispensing unit 130 may be connected to the dispensing unit as exemplarily shown in FIG. It can be provided in the heating wall 135. For example, the heating wall 135 can include a heating element. The heating element can be installed or attached to the heating wall 135. Additionally or alternatively, the heating element may be located within the heating wall 135 of the dispensing unit. For example, the heating element can be a thermoelectric heating device. In particular, the heating wall 135 is configured to be heated to a second temperature substantially corresponding to the first temperature to which the heating shield arrangement is heated. Accordingly, the heated wall and the heated shield configuration can be configured to have substantially equal thermal expansion. Thereby, the one or more outlets of the dispensing unit, which can be connected to the heating wall, remain aligned with the one or more apertures of the heating shield arrangement throughout the deposition process.

本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、加熱遮蔽構成202と分配ユニット130の加熱壁135とは、実質的に等しい熱膨張を示すように構成されている。例えば、加熱遮蔽構成202と分配ユニット130の加熱壁135とは、同じ材料から作られ得る。更に又は代替的に、上述されたように、加熱遮蔽構成202及び/又は分配ユニット130の加熱壁135は、加熱遮蔽構成202の熱膨張と加熱壁135の熱膨張とが等しくなるように加熱されるような、加熱要素を含み得る。例えば、加熱遮蔽構成202が、それから加熱壁135が作られるところの材料よりも高い熱膨張を有する材料から作られている場合には、等しい熱膨張を提供するために、分配ユニット130の加熱壁135が、加熱遮蔽構成202よりも高い温度まで加熱され得る。したがって、有益なことに、加熱壁に連結され得る分配ユニットの1以上の出口の位置は、堆積プロセスを通じて加熱遮蔽構成の1以上の開孔の位置に対して位置合わされたままである。   According to certain embodiments, which can be combined with any other embodiment described herein, the heat shield arrangement 202 and the heating wall 135 of the dispensing unit 130 exhibit substantially equal thermal expansion. It is configured. For example, the heat shield configuration 202 and the heating wall 135 of the dispensing unit 130 can be made from the same material. Additionally or alternatively, as described above, the heat shield structure 202 and / or the heating wall 135 of the dispensing unit 130 is heated so that the thermal expansion of the heat shield structure 202 and the thermal expansion of the heating wall 135 are equal. Heating elements may be included. For example, if the heat shield arrangement 202 is made from a material that has a higher thermal expansion than the material from which the heating wall 135 is made, to provide equal thermal expansion, the heating wall of the dispensing unit 130 135 can be heated to a higher temperature than the heat shield configuration 202. Thus, beneficially, the location of the one or more outlets of the dispensing unit that can be coupled to the heating wall remains aligned with the location of the one or more apertures of the heat shield configuration throughout the deposition process.

例示的に図2を参照して、本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、蒸発源100の加熱遮蔽構成202は、連結要素232を介して、分配ユニット130の加熱壁135と連結され得る。したがって、分配ユニットの1以上の出口の位置と加熱遮蔽構成の1以上の開孔の位置との位置合わせは改良され得る。   Illustratively referring to FIG. 2, according to an embodiment that may be combined with any other embodiment described herein, the heat shield configuration 202 of the evaporation source 100 is connected via a coupling element 232. It can be connected to the heating wall 135 of the distribution unit 130. Thus, the alignment of the position of the one or more outlets of the dispensing unit with the position of the one or more apertures of the heat shield configuration can be improved.

ある実施態様によれば、連結要素232は、分配ユニット130の加熱壁135と加熱遮蔽構成202との間の距離を調整するように構成され得る。例えば、連結要素232は、加熱壁135に対して加熱遮蔽構成202を動かすように構成され得る。したがって、分配ユニット130の加熱壁135と加熱遮蔽構成202との間の距離を調整することによって、加熱遮蔽構成の後ろの蒸発した原料物質の放出角度(θ)が調整され得ることが理解されるべきである。例えば、分配ユニット130の加熱壁135と加熱遮蔽構成202との間の距離を増加させることによって、加熱遮蔽構成の後ろの蒸発した原料物質の放出角度(θ)が低減され得る。したがって、加熱遮蔽構成と基板との間に設けられるマスクのシャドーイング効果が低減され、基板上に堆積した原料物質の改良された解像度がもたらされ得る。   According to certain embodiments, the coupling element 232 may be configured to adjust the distance between the heating wall 135 and the heating shield configuration 202 of the dispensing unit 130. For example, the coupling element 232 can be configured to move the heat shield configuration 202 relative to the heating wall 135. Accordingly, it is understood that by adjusting the distance between the heating wall 135 of the dispensing unit 130 and the heating shield configuration 202, the emission angle (θ) of the evaporated source material behind the heating shield configuration can be adjusted. Should. For example, by increasing the distance between the heating wall 135 of the dispensing unit 130 and the heat shield configuration 202, the emission angle (θ) of the evaporated source material behind the heat shield configuration can be reduced. Thus, the shadowing effect of the mask provided between the heat shield structure and the substrate can be reduced, resulting in improved resolution of the source material deposited on the substrate.

本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、蒸発源100は、図2で例示的に示されているように、第2の冷却遮蔽構成203を含む。特に、第2の冷却遮蔽構成203は、堆積方向101において加熱遮蔽構成202の後ろに配置され得る。図2で例示的に示されているように、第2の冷却遮蔽構成203は、堆積方向101において加熱遮蔽構成202の1以上の開孔222と位置合わされるように配置された、1以上の開口部223を含む。したがって、堆積方向に加熱遮蔽構成の後ろに配置される第2の冷却遮蔽構成を提供することによって、マスク20及び/又は基板10における熱負荷が低減され得る。それは、基板上に堆積した原料物質の改良された解像度を実現するために有益であり得る。   According to an embodiment that may be combined with any other embodiment described herein, the evaporation source 100 includes a second cooling shield configuration 203, as exemplarily shown in FIG. . In particular, the second cooling shield arrangement 203 can be arranged behind the heating shield arrangement 202 in the deposition direction 101. As exemplarily shown in FIG. 2, the second cooling shield configuration 203 is arranged to align with one or more apertures 222 of the heating shield configuration 202 in the deposition direction 101. An opening 223 is included. Thus, by providing a second cooling shield configuration that is positioned behind the heat shield configuration in the deposition direction, the thermal load on the mask 20 and / or the substrate 10 can be reduced. It can be beneficial to achieve improved resolution of the source material deposited on the substrate.

本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、分配ユニット130の1以上の出口212は、図2で例示的に示されているように、1以上のノズル125である。特に、1以上のノズル125は、堆積方向101に沿って延在するように配置され構成され得る。更に特に、1以上のノズル125は、第1の冷却遮蔽構成201の1以上の開口部221から突出するように配置され構成され得る。例えば、1以上のノズル125は、基板に向かう方向、例えば、堆積方向101において、2mm以上、特に4mm以上、更に特に5mm以上の距離だけ、第1の冷却遮蔽構成201の1以上の開口部221から突出し得る。したがって、分配ユニットの1以上の出口は、長い時間にわたり安定した堆積プロセス条件が維持され得るように、抑制され又は除去さえされ得る。   According to embodiments that may be combined with any other embodiment described herein, one or more outlets 212 of the dispensing unit 130 may include one or more outlets, as exemplarily shown in FIG. Nozzle 125. In particular, the one or more nozzles 125 may be arranged and configured to extend along the deposition direction 101. More particularly, the one or more nozzles 125 may be arranged and configured to protrude from the one or more openings 221 of the first cooling shield configuration 201. For example, the one or more nozzles 125 may have one or more openings 221 in the first cooling shield configuration 201 by a distance of 2 mm or more, particularly 4 mm or more, more particularly 5 mm or more in the direction toward the substrate, for example, the deposition direction 101. Can protrude from. Accordingly, one or more outlets of the dispensing unit can be constrained or even removed so that stable deposition process conditions can be maintained over time.

図3Aから図3Cは、本明細書で説明される実施形態による、蒸発源の部分を示している。図3Aで示されるように、蒸発源は、分配ユニット130又は分配管106、及び蒸発坩堝104を含み得る。例えば、分配ユニット130又は分配管106は、加熱ユニット215を有する細長いチューブであり得る。蒸発坩堝は、坩堝加熱要素225によって蒸発されるべき有機材料などの原料物質のための容器であり得る。   3A-3C illustrate a portion of an evaporation source according to embodiments described herein. As shown in FIG. 3A, the evaporation source may include a distribution unit 130 or distribution pipe 106 and an evaporation crucible 104. For example, the distribution unit 130 or distribution pipe 106 can be an elongated tube having a heating unit 215. The evaporation crucible can be a container for a source material such as an organic material to be evaporated by the crucible heating element 225.

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、ノズルなどの複数の開口部及び/又は出口が、蒸発源の長さ方向に沿って配置され得る。特に、複数の開口部及び/又は出口は、分配ユニット又は分配管の長さ方向に沿って配置され得る。代替的な実施形態によれば、蒸発源の長さ方向及び/又は分配ユニット、例えば、分配管の長さに沿って延在する1つの細長い開口部が設けられ得る。例えば、細長い開口部は、スリットとすることができる。   According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, multiple openings and / or outlets such as nozzles may be arranged along the length of the evaporation source. In particular, the plurality of openings and / or outlets may be arranged along the length of the distribution unit or distribution pipe. According to an alternative embodiment, one elongate opening may be provided that extends along the length of the evaporation source and / or the length of the distribution unit, for example the distribution pipe. For example, the elongated opening can be a slit.

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、分配ユニット、例えば、分配管が長さ方向へ本質的に垂直に延在する。例えば、分配ユニット又は分配管の長さは、少なくとも堆積装置の中で堆積されるべき基板の高さに相当する。多くの場合では、分配ユニットの長さが、堆積されるべき基板の高さよりも、少なくとも10%又は更に20%だけ長くなる。それは、基板の上端及び/又は基板の下端における均一な堆積を可能にする。   According to certain embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, a distribution unit, eg, a distribution pipe, extends essentially perpendicular to the length. For example, the length of the distribution unit or distribution pipe corresponds at least to the height of the substrate to be deposited in the deposition apparatus. In many cases, the length of the dispensing unit will be at least 10% or even 20% longer than the height of the substrate to be deposited. It allows for uniform deposition at the top and / or bottom of the substrate.

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせ得る、ある実施形態によれば、分配ユニット、特に、分配管の長さは、1.3m以上、例えば、2.5m以上であり得る。図3Aで示されているように、一構成によれば、蒸発坩堝104は、分配ユニット130又は分配管106の下端において設けられている。通常、原料物質は、蒸発坩堝104の中で蒸発する。蒸発した原料物質は、分配管の底に入り、分配管内の複数の開口部を通して本質的に側方へ、例えば、本質的に垂直に方向付けられた基板へ向けて誘導される。   According to certain embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the length of the distribution unit, in particular the distribution pipe, can be 1.3 m or more, for example 2.5 m or more. As shown in FIG. 3A, according to one configuration, the evaporation crucible 104 is provided at the lower end of the distribution unit 130 or the distribution pipe 106. Usually, the raw material evaporates in the evaporation crucible 104. Evaporated source material enters the bottom of the distribution pipe and is directed essentially laterally through a plurality of openings in the distribution pipe, for example, toward a substrate that is oriented essentially vertically.

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、複数の出口、例えば、分配ユニットの1以上の出口は、水平に対して+/−20度である主たる放出方向を有するように配置されている。ある特定の実施形態によれば、主たる放出方向は、僅かに上方に(例えば、3度から7度上方になど、水平から15度までの範囲内で上方に)方向付けられていてもよい。同様に、望ましくない粒子の発生を低減させ得るように、蒸発方向に対して実質的に垂直となるように基板を僅かに傾斜させてもよい。   According to certain embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the plurality of outlets, eg, one or more outlets of the dispensing unit, is predominantly +/− 20 degrees relative to the horizontal. Arranged to have a discharge direction. According to certain embodiments, the primary emission direction may be oriented slightly upward (eg, upward within a range of 15 degrees from horizontal, such as 3 degrees to 7 degrees upward). Similarly, the substrate may be slightly tilted so that it is substantially perpendicular to the evaporation direction so that the generation of undesirable particles can be reduced.

図3Bは、特に、蒸発坩堝104に連結された分配ユニット130、例えば、分配管106の蒸発源の一部分の拡大された概略図を示している。蒸発坩堝104と分配管106との間の連結を提供するように構成された、フランジユニット233が設けられ得る。例えば、蒸発坩堝と分配ユニットが、例えば、蒸発源の動作のために、フランジユニットで分離及び連結又は組み立てできる分離したユニットとして提供される。   FIG. 3B shows an enlarged schematic view of a portion of the evaporation source of the distribution unit 130, for example, the distribution pipe 106, which is coupled to the evaporation crucible 104. A flange unit 233 may be provided that is configured to provide a connection between the evaporation crucible 104 and the distribution pipe 106. For example, the evaporation crucible and the dispensing unit are provided as separate units that can be separated and connected or assembled with a flange unit, for example, for operation of the evaporation source.

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、分配ユニット130、例えば、分配管106は内部空洞210を有している。更に、加熱ユニット215が、分配ユニット130、特に、分配管106を加熱するために設けられ得る。蒸発坩堝104によって供給された蒸発した原料物質が、分配ユニット130、例えば、分配管106の壁の内側部分において凝縮しないような温度まで、分配ユニット130を加熱することができる。図3Bで例示的に示されているように、2つ以上の熱シールド217が、分配ユニット130のチューブ周囲に設けられ得る。熱シールドは、加熱ユニット215によって提供された熱エネルギーを、内部空洞210に向けて反射し返すように構成されている。したがって、熱シールド217が有益に熱損失を低減させるので、分配ユニット130、例えば、分配管106を加熱するためのエネルギー、すなわち、加熱ユニット215へ提供されるエネルギーが低減され得る。他の分配ユニット及び/又はマスク若しくは基板への熱伝達が低減され得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、熱シールド217は、2つ以上の熱シールド層、例えば、10の熱シールド層などの、5つ以上の熱シールド層を含むことができる。   According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the distribution unit 130, eg, the distribution pipe 106, has an internal cavity 210. Furthermore, a heating unit 215 can be provided for heating the distribution unit 130, in particular the distribution pipe 106. The distribution unit 130 can be heated to a temperature such that the evaporated source material supplied by the evaporation crucible 104 does not condense in the distribution unit 130, for example, the inner portion of the wall of the distribution pipe 106. As illustrated by way of example in FIG. 3B, two or more heat shields 217 may be provided around the tube of the dispensing unit 130. The heat shield is configured to reflect the thermal energy provided by the heating unit 215 back toward the internal cavity 210. Accordingly, since the heat shield 217 beneficially reduces heat loss, the energy for heating the distribution unit 130, eg, the distribution pipe 106, ie, the energy provided to the heating unit 215 may be reduced. Heat transfer to other distribution units and / or masks or substrates can be reduced. According to certain embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the heat shield 217 has two or more heat shield layers, eg, five or more heat shield layers, such as ten heat shield layers. A heat shield layer can be included.

通常、図3Bで示されるように、熱シールド217は、分配ユニット130、例えば、分配管106内の出口212の位置において開口部を含む。図3Bで示されている蒸発源の拡大図は、4つの出口を示している。出口212は、分配ユニット130又は分配管106の長さ方向に沿って設けられ得る。本明細書で説明されるように、分配ユニット130又は分配管106は、内部に配置された(本明細書で1以上の出口とも称される)複数の開口部を有する、直線的な分配ユニットとして、特に、直線的な分配管として設けられ得る。例えば、分配管は1つの出口を有し得る。例えば、分配管は、分配ユニットの長さ方向に沿って配置された40、50、又は54の出口などの、30を上回る出口を有していてもよい。本明細書の実施形態によれば、出口は、互いから間隔を空けられ得る。例えば、出口は、1cm以上の距離、例えば、1cmから3cmまでの距離など、例えば、2cmの距離によって間隔を空けられ得る。   Typically, as shown in FIG. 3B, the heat shield 217 includes an opening at the location of the outlet 212 in the distribution unit 130, eg, the distribution pipe 106. The enlarged view of the evaporation source shown in FIG. 3B shows four outlets. The outlet 212 may be provided along the length direction of the distribution unit 130 or the distribution pipe 106. As described herein, distribution unit 130 or distribution pipe 106 is a straight distribution unit having a plurality of openings (also referred to herein as one or more outlets) disposed therein. In particular, it can be provided as a straight distribution pipe. For example, a distribution pipe can have one outlet. For example, the distribution pipe may have more than 30 outlets, such as 40, 50, or 54 outlets disposed along the length of the distribution unit. According to embodiments herein, the outlets can be spaced from each other. For example, the outlets can be spaced by a distance of 1 cm or more, for example a distance of 1 cm to 3 cm, such as a distance of 2 cm.

本明細書で理解されるように、分配ユニット、例えば、分配管は、筐体、空洞、又は管を有している。その中へ、例えば、蒸発坩堝から材料が供給又は誘導され得る。分配ユニットは、分配ユニット内の圧力が分配ユニットの外側より高くなるように、複数の開口部(又は細長いスリット)を有し得る。例えば、分配ユニット内の圧力は、分配ユニットの外側の圧力よりも少なくとも1桁高くすることができる。   As will be understood herein, a distribution unit, such as a distribution pipe, has a housing, a cavity, or a tube. Into it, for example, material can be fed or guided from an evaporation crucible. The dispensing unit may have a plurality of openings (or elongated slits) so that the pressure in the dispensing unit is higher than the outside of the dispensing unit. For example, the pressure in the dispensing unit can be at least an order of magnitude higher than the pressure outside the dispensing unit.

動作中に、分配ユニット130、例えば、分配管106は、フランジユニット233において蒸発坩堝104に連結されている。蒸発坩堝104は、蒸発されるべき原料物質を受け入れ、原料物質を蒸発させるように構成されている。図3Bは、蒸発坩堝104のハウジングを通る断面図を示している。図3Bで例示的に示されているように、例えば、蒸発坩堝の上側部分において、蒸発坩堝104の筐体を閉じるためのプラグ252、蓋、カバーなどを使用して閉じられ得る、リフィル開口部が設けられ得る。   During operation, the distribution unit 130, for example, the distribution pipe 106, is connected to the evaporation crucible 104 at the flange unit 233. The evaporation crucible 104 is configured to accept a source material to be evaporated and evaporate the source material. FIG. 3B shows a cross-sectional view through the housing of the evaporation crucible 104. A refill opening that can be closed using, for example, a plug 252, lid, cover, etc., for closing the housing of the evaporation crucible 104 in the upper portion of the evaporation crucible 104 as shown in FIG. 3B. Can be provided.

図3Bを例示的に参照すると、外側坩堝加熱要素225が、蒸発坩堝104の筐体内に設けられ得る。外側坩堝加熱ユニット225は、蒸発坩堝104の壁の少なくとも一部分に沿って延在し得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、更に又は代替的に、1以上の中央加熱要素が設けられ得る。図3Bは、2つの中央加熱要素を示している。第1の中央加熱要素226と第2の中央加熱要素228は、それぞれ、中央加熱要素に電力を供給するための第1の導体229と第2の導体230を含み得る。   With reference to FIG. 3B exemplarily, an outer crucible heating element 225 may be provided within the housing of the evaporation crucible 104. The outer crucible heating unit 225 may extend along at least a portion of the evaporation crucible 104 wall. According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, one or more central heating elements may be provided in addition or alternatively. FIG. 3B shows two central heating elements. The first central heating element 226 and the second central heating element 228 may include a first conductor 229 and a second conductor 230 for supplying power to the central heating element, respectively.

本明細書で説明された、ある実施形態によれば、シールド217及びシールド227などの熱シールドを蒸発源に設けることができる。熱シールドは、蒸発源からのエネルギー損失を低減させ得る。それは、原料物質を蒸発させるために蒸発源によって消費される全体のエネルギーも低減させる。しかし、更なる一態様として、特に、有機材料の堆積について、蒸発源から発した熱放射、殊に、堆積中のマスクと基板に向けられた熱放射が低減され得る。特に、マスクされた基板上での有機材料の堆積について、更には、ディスプレイ製造について、基板及びマスクの温度は、正確に制御される必要がある。蒸発源から発する熱放射は、例えば、熱シールド217及び熱シールド227などの、熱シールドによって低減され又は避けられ得る。   According to certain embodiments described herein, heat shields such as shield 217 and shield 227 can be provided at the evaporation source. The heat shield can reduce energy loss from the evaporation source. It also reduces the overall energy consumed by the evaporation source to evaporate the source material. However, as a further aspect, particularly for the deposition of organic materials, the heat radiation emitted from the evaporation source, in particular the heat radiation directed to the mask and the substrate being deposited, can be reduced. In particular, for organic material deposition on a masked substrate, and also for display manufacturing, the substrate and mask temperatures need to be accurately controlled. Thermal radiation emanating from the evaporation source can be reduced or avoided by heat shields, such as heat shield 217 and heat shield 227, for example.

これらのシールドは、蒸発源の外側への熱放射を低減させるための幾つかのシールド層を含むことができる。更なる選択肢として、熱シールドは、空気、窒素、水又は他の適切な冷却流体などの流体によって能動的に冷却されるシールド層を含み得る。本明細書で説明されるまた更なる実施形態によれば、1以上の熱シールドは、蒸発源のそれぞれの部分を取り囲む、例えば、分配管106及び/又は蒸発坩堝104を取り囲む、金属板を含むことができる。本明細書の実施形態によれば、例えば、金属板は、0.1mmから3mmの厚さを有することができ、鉄合金(SS)及び非鉄金属(Cu、Ti、Al)から成る群から選択された少なくとも1つの材料から選択されることができ、及び/又は、例えば、0.1mm以上の間隙によって、互いに間隔が空けられ得る。   These shields can include several shield layers to reduce heat radiation to the outside of the evaporation source. As a further option, the heat shield may include a shield layer that is actively cooled by a fluid such as air, nitrogen, water or other suitable cooling fluid. According to still further embodiments described herein, the one or more heat shields include a metal plate that surrounds a respective portion of the evaporation source, eg, surrounds the distribution pipe 106 and / or the evaporation crucible 104. be able to. According to embodiments herein, for example, the metal plate can have a thickness of 0.1 mm to 3 mm and is selected from the group consisting of ferrous alloys (SS) and non-ferrous metals (Cu, Ti, Al). At least one material selected and / or can be spaced from one another by, for example, a gap of 0.1 mm or more.

本明細書で説明される、ある実施形態によれば、図3A及び図3Bに関連して例示的に示されているように、蒸発坩堝104が、分配ユニット130の下側に設けられている。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、また更なる実施形態によれば、分配ユニット130の中央部分において、又は分配ユニットの下端と分配ユニットの上端との間の別の位置において、蒸気導管242が設けられてもよい。   According to certain embodiments described herein, an evaporation crucible 104 is provided below the dispensing unit 130, as exemplarily shown in connection with FIGS. 3A and 3B. . According to yet further embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, another position in the central portion of the dispensing unit 130 or between the lower end of the dispensing unit and the upper end of the dispensing unit. A steam conduit 242 may be provided.

図3Cは、分配管106と分配管の中央部分において設けられた蒸気導管242とを有する、蒸発源の一実施例を示している。蒸発坩堝104内で生成された蒸発した原料物質は、蒸気導管242を通して分配管106の中央部分へ誘導される。蒸発した原料物質は、複数の出口212を通って分配管106を出て行く。分配管106は、本明細書で説明される他の実施形態に関連して説明されるように、支持体102によって支持される。本明細書のまた更なる実施形態によれば、2つ以上の蒸気導管242が、分配管106の長さに沿った種々の位置において設けられ得る。蒸気導管242は、1つの蒸発坩堝に連結されていてもよく、又は幾つかの蒸発坩堝に連結されていてもよい。例えば、各蒸気導管242は、対応する蒸発るつぼ104を有し得る。代替的には、蒸発坩堝104が、分配管106に連結されている2つ以上の蒸気導管242と流体連通し得る。   FIG. 3C shows an example of an evaporation source having a distribution pipe 106 and a vapor conduit 242 provided in the central portion of the distribution pipe. The evaporated source material generated in the evaporation crucible 104 is guided to the central portion of the distribution pipe 106 through the vapor conduit 242. The evaporated raw material exits the distribution pipe 106 through a plurality of outlets 212. Distribution pipe 106 is supported by support 102 as described in connection with other embodiments described herein. According to still further embodiments herein, two or more steam conduits 242 may be provided at various locations along the length of the distribution pipe 106. The vapor conduit 242 may be connected to one evaporation crucible or may be connected to several evaporation crucibles. For example, each vapor conduit 242 may have a corresponding evaporation crucible 104. Alternatively, the evaporation crucible 104 may be in fluid communication with two or more vapor conduits 242 that are connected to the distribution pipe 106.

本明細書で使用される際に、「分配管」という用語は、蒸発した原料物質を誘導し供給するための管として理解され得る。特に、分配管は、蒸発した原料物質を坩堝から分配管内の複数の(開口部などの)出口へ誘導し得る。本明細書で使用される際に、「複数の出口」という用語は、通常、少なくとも2つ以上の出口を含む。本明細書の実施形態によれば、分配管は、第1の特に長手方向に延在する直線的な分配管であり得る。本明細書で説明される実施形態では、長手方向が、通常、分配管の長さ方向を指す。ある実施形態では、分配管が、円筒形状を有する管を含み得る。円筒は、円状の底形状又は任意の他の適切な底形状、例えば、三角形状を有し得る。   As used herein, the term “distributor” may be understood as a tube for inducing and supplying evaporated source material. In particular, the distribution pipe can guide the evaporated source material from the crucible to a plurality of outlets (such as openings) in the distribution pipe. As used herein, the term “multiple outlets” typically includes at least two or more outlets. According to embodiments herein, the distribution pipe may be a first distribution pipe extending in the longitudinal direction, in particular first. In the embodiments described herein, the longitudinal direction typically refers to the length direction of the distribution pipe. In certain embodiments, the distribution pipe may include a pipe having a cylindrical shape. The cylinder may have a circular bottom shape or any other suitable bottom shape, for example a triangular shape.

例えば、分配管は、中空の円筒であり得る。「円筒」という用語は、円状の底形状、円状の上形状、及び、上側の円と下側の円を連結する湾曲した表面領域又は外郭を有するものとして、一般的に理解され得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、更なる又は代替的な実施形態によれば、円筒という用語は、数学的意味において、任意の底形状、それと同一の上形状、及び上形状と下形状を連結する湾曲した表面領域又は外郭を有するものとして、更に理解することができる。円筒は、必ずしも円状の断面を有する必要はない。   For example, the distribution pipe can be a hollow cylinder. The term “cylinder” can be generally understood as having a circular bottom shape, a circular upper shape, and a curved surface region or outline that connects the upper and lower circles. According to further or alternative embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the term cylinder in the mathematical sense is any bottom shape, the same top shape, and It can be further understood as having a curved surface area or outline connecting the upper and lower shapes. The cylinder does not necessarily have a circular cross section.

図4Aは、本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る、本明細書の実施形態による、蒸発源の一部分の概略的な側面図を示している。図4Aで示されているように、分配ユニット130の1以上の出口212は、例えば、マスク20を通して、堆積方向101において基板10へ原料物質を供給するように構成されている。更に、1以上の開口部221を含む第1の冷却遮蔽構成201が、第1の冷却遮蔽構成201から距離を置いて設けられた加熱遮蔽構成202によって遮断された蒸発した原料物質を収集するために設けられている。加熱遮蔽構成202は、1以上の出口212を通して供給された蒸発した原料物質の放出角度(θ)を制限するための1以上の開孔222を含む。更に、堆積方向101において加熱遮蔽構成202の後ろに配置された第2の冷却遮蔽構成203が設けられている。第2の冷却遮蔽構成203は、空気、窒素、水、又は他の適切な冷却流体などの、冷却流体のための導管を有する1以上の金属プレートによって設けられ得る。例えば、冷却流体のための導管は、第2の冷却遮蔽構成に取り付けられ、又は第2の冷却遮蔽構成の範囲内に設けられ得る。更に又は代替的に、第2の冷却遮蔽構成は、熱電冷却デバイス、又は第2の冷却遮蔽構成のために適切な任意の他の冷却デバイスを含み得る。図4Aで例示的に示されているように、第2の冷却遮蔽構成203は、堆積方向101において加熱遮蔽構成202の1以上の開孔222と位置合わされるように配置された、1以上の開口部223を含む。したがって、図4Aで示されているように、蒸発源100は、堆積方向101において1以上の出口212から1以上の開口部221及び1以上の開孔222を通って基板へ至る、原料物質のための経路を画定するように構成されている。1以上の出口212から供給される蒸発した原料物質のうちの一部分は、加熱遮蔽構成202によって遮断される。それによって、加熱遮蔽構成202の後ろの所定の放出角度(θ)が提供され得る。   FIG. 4A shows a schematic side view of a portion of an evaporation source, according to embodiments herein, that may be combined with any other embodiment described herein. As shown in FIG. 4A, one or more outlets 212 of the dispensing unit 130 are configured to supply source material to the substrate 10 in the deposition direction 101, for example, through the mask 20. In addition, a first cooling shield configuration 201 that includes one or more openings 221 collects evaporated source material blocked by a heating shield configuration 202 provided at a distance from the first cooling shield configuration 201. Is provided. Heat shield arrangement 202 includes one or more apertures 222 to limit the emission angle (θ) of the evaporated source material supplied through one or more outlets 212. Furthermore, a second cooling shield arrangement 203 is provided which is arranged behind the heating shield arrangement 202 in the deposition direction 101. The second cooling shield configuration 203 may be provided by one or more metal plates having conduits for cooling fluid, such as air, nitrogen, water, or other suitable cooling fluid. For example, a conduit for cooling fluid may be attached to the second cooling shield configuration or provided within the second cooling shield configuration. Additionally or alternatively, the second cooling shield configuration may include a thermoelectric cooling device or any other cooling device suitable for the second cooling shield configuration. As illustratively shown in FIG. 4A, the second cooling shield configuration 203 is arranged to be aligned with one or more apertures 222 of the heating shield configuration 202 in the deposition direction 101. An opening 223 is included. Thus, as shown in FIG. 4A, the evaporation source 100 is formed of a source material from one or more outlets 212 in the deposition direction 101 through one or more openings 221 and one or more openings 222 to the substrate. Is configured to define a path for. A portion of the evaporated source material supplied from the one or more outlets 212 is blocked by the heat shield structure 202. Thereby, a predetermined discharge angle (θ) behind the heat shield arrangement 202 may be provided.

図4Bを例示的に参照すると、本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、1以上の出口212のうちの少なくとも1つの出口、特に、1以上の出口の各々には、個別の加熱遮蔽構成202及び/又は個別の第2の冷却遮蔽構成203が設けられ得る。例えば、1以上の出口212は、それに対して本明細書で説明される実施形態による個別の加熱遮蔽構成202及び/又は個別の第2の冷却遮蔽構成203が設けられるところの、1以上のノズルであり得る。例えば、図5では、1つの出口212に個別の加熱遮蔽構成202と個別の第2の冷却遮蔽構成203が設けられた、例示的な実施形態が示されている。   Referring to FIG. 4B exemplarily, according to one embodiment, which may be combined with other embodiments described herein, at least one outlet of one or more outlets 212, particularly one or more Each outlet may be provided with a separate heating shield configuration 202 and / or a separate second cooling shield configuration 203. For example, the one or more outlets 212 may correspond to one or more nozzles to which a separate heating shield configuration 202 and / or a separate second cooling shield configuration 203 according to embodiments described herein are provided. It can be. For example, in FIG. 5, an exemplary embodiment is shown in which one outlet 212 is provided with a separate heating shield configuration 202 and a separate second cooling shield configuration 203.

図5は、本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る、本明細書の更なる実施形態による、蒸発源の概略的な上面図を示している。不必要な繰り返しを避けるために、図1、図2、及び図4で示された実施形態に対する相違のみが説明される。図5で示されている蒸発源は、三角形状の横断面を有する、分配管106などの、分配ユニット130を含む。分配ユニットの壁は、壁に取り付けられ又は装着された加熱要素380によって加熱され得る。分配ユニットの内部から分配ユニットの外部への熱放射を低減させるために、分配ユニットを取り囲んだ外側シールド302が設けられ得る。通常、外側シールド302は冷却され得る。例えば、外側シールドは、外側シールドに取り付けられた又は外側シールドの範囲内に設けられた、水などの冷却流体のための導管を有する金属プレートによって提供され得る。更に又は代替的に、外側シールドを冷却するために、熱電冷却デバイス又は別の冷却デバイスが設けられ得る。   FIG. 5 shows a schematic top view of an evaporation source according to a further embodiment herein, which may be combined with any other embodiment described herein. In order to avoid unnecessary repetition, only the differences with respect to the embodiment shown in FIGS. 1, 2 and 4 are described. The evaporation source shown in FIG. 5 includes a distribution unit 130, such as a distribution pipe 106, having a triangular cross section. The wall of the dispensing unit can be heated by a heating element 380 attached or attached to the wall. An outer shield 302 surrounding the distribution unit may be provided to reduce heat radiation from the inside of the distribution unit to the outside of the distribution unit. Typically, the outer shield 302 can be cooled. For example, the outer shield can be provided by a metal plate having a conduit for a cooling fluid, such as water, attached to the outer shield or provided within the outer shield. Additionally or alternatively, a thermoelectric cooling device or another cooling device may be provided to cool the outer shield.

図5を例示的に参照すると、本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、更なる冷却シールド構成211が設けられ得る。特に、更なる冷却シールド構成211は、1以上の出口のうちの出口の周りから横方向に距離を置いて設けられ得る。特に、更なる冷却遮蔽構成211は、図5で例示的に示されているように、堆積方向101において少なくとも部分的に延在し得る。例えば、更なる冷却遮蔽構成211は、堆積方向へ延在する主たる部分を有するL形状部材であり得る。第1の冷却遮蔽構成に類似して、更なる冷却遮蔽構成211は、本明細書で説明されるように、基板上に堆積されるべき原料物質の凝縮温度まで冷却されるように構成され得る。したがって、加熱遮蔽構成の開孔を通過しない蒸発した原料物質は、更なる冷却遮蔽構成211及び/又は第1の冷却遮蔽構成201に対して後方錯乱し、それらの所で蒸発した原料物質が凝縮すると理解される。それによって、後方錯乱した原料物質は、更なる冷却遮蔽構成及び/又は第1の冷却遮蔽構成上に収集され得る。   Referring to FIG. 5 by way of example, according to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, additional cooling shield configurations 211 may be provided. In particular, a further cooling shield arrangement 211 may be provided at a lateral distance from around the outlet of the one or more outlets. In particular, the further cooling shield arrangement 211 may extend at least partially in the deposition direction 101, as exemplarily shown in FIG. For example, the additional cooling shield configuration 211 may be an L-shaped member having a main portion that extends in the deposition direction. Similar to the first cooling shield configuration, the additional cooling shield configuration 211 may be configured to be cooled to the condensation temperature of the source material to be deposited on the substrate, as described herein. . Thus, the evaporated source material that does not pass through the apertures of the heating shield configuration is confused backwards with respect to the further cooling shield configuration 211 and / or the first cooling shield configuration 201, and the evaporated source material condenses there. Then it is understood. Thereby, the back-distracted source material can be collected on the further cooling shield arrangement and / or the first cooling shield arrangement.

本明細書で説明される、ある実施形態では、図5で例示的に示されているように、基板が、マスク20、例えば、シャドーマスクを通して基板10上に堆積した蒸発した原料物質を用いて処理され得る。例えば、インチ当たり800ピクセルより上の高い解像度での堆積のために、基板の表面において形成される蒸発した原料物質の各ピクセルは、通常、蒸発源の出口のうちの2つ以上から放出された蒸発した原料物質によって形成される。例えば、蒸発源の1以上の出口のうちの10個からの蒸発した原料物質が、基板の表面において形成されるピクセルの各々の形成に加わる。本明細書で説明される実施形態は、特に、高い解像度のディスプレイの生産に有益であることが理解されるべきである。特に、マスクにおける蒸発した原料物質の放出角度(θ)を制限するために、1以上の出口から供給される蒸発した原料物質のプルームの放出角度に応じて、蒸発した原料物質を遮断するように構成された、蒸発源を提供することによって、マスクのシャドーイング効果が低減され、基板上に堆積した原料物質の改良された解像度がもたらされる。   In certain embodiments described herein, as illustrated by way of example in FIG. 5, the substrate uses evaporated source material deposited on the substrate 10 through a mask 20, eg, a shadow mask. Can be processed. For example, for high resolution deposition above 800 pixels per inch, each pixel of evaporated source material formed at the surface of the substrate was typically emitted from more than one of the outlets of the evaporation source. Formed by evaporated source material. For example, evaporated source material from 10 of one or more outlets of the evaporation source contributes to the formation of each of the pixels formed on the surface of the substrate. It should be understood that the embodiments described herein are particularly useful for the production of high resolution displays. In particular, in order to limit the emission angle (θ) of the evaporated source material in the mask, the evaporated source material is blocked according to the emission angle of the plume of the evaporated source material supplied from one or more outlets. By providing a configured evaporation source, the shadowing effect of the mask is reduced, resulting in improved resolution of the source material deposited on the substrate.

本明細書で説明される実施形態では、「1以上の出口からの蒸発した原料物質のプルームの角度」は、蒸発源の任意の数の出口の各々からの蒸発した材料のプルームの角度を含むものとして、当業者によって理解されるべきである。   In the embodiments described herein, “evaporated source material plume angle from one or more outlets” includes the angle of the evaporated material plume from each of any number of outlets of the evaporation source. As such, it should be understood by those skilled in the art.

図6は、本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る、本明細書のまた更なる実施形態による、蒸発源の概略的な上面図を示している。不必要な繰り返しを避けるために、図5で示された実施形態に対する相違のみが説明される。図6は、分配ユニットに隣接し且つ断熱材479を介して分配ユニットに連結された、蒸発器制御ハウジング402にわたり設けられた、3つの分配ユニット、例えば、3つの分配管を有する一実施形態を示している。蒸発器制御ハウジングは、蒸発器制御ハウジング内で大気圧を維持するように構成され、且つスイッチ、バルブ、コントローラ、冷却ユニット、冷却制御ユニット、加熱制御ユニット、電源、及び測定デバイスから成る群から選択された少なくとも1つの要素を収容するように構成されている。本明細書の実施形態では、蒸発源を操作するための構成要素が、大気圧下で蒸発坩堝及び分配ユニットの近くに設けられ、蒸発源と共に堆積装置を通って移動することができる。   FIG. 6 shows a schematic top view of an evaporation source, according to still further embodiments herein, that may be combined with any other embodiment described herein. In order to avoid unnecessary repetition, only the differences with respect to the embodiment shown in FIG. 5 are described. FIG. 6 shows an embodiment having three distribution units, eg, three distribution pipes, provided over the evaporator control housing 402 adjacent to the distribution unit and connected to the distribution unit via insulation 479. Show. The evaporator control housing is configured to maintain atmospheric pressure within the evaporator control housing and is selected from the group consisting of switches, valves, controllers, cooling units, cooling control units, heating control units, power supplies, and measurement devices Configured to receive at least one of the elements. In embodiments herein, the components for operating the evaporation source are provided near the evaporation crucible and the distribution unit under atmospheric pressure and can move through the deposition apparatus with the evaporation source.

本明細書の実施形態では、1以上の出口が、分配管として構成され得る分配ユニット、例えば、分配管106、107、108の各々の長さに沿って分散され得る。各分配ユニットは、(図6で示されていない)蒸発坩堝と流体連通している。各分配ユニット、例えば、分配管106、107、108の複数の開口部の各々は、蒸発した原料物質に対する主たる放出方向101A、101B、101Cを有する。分配ユニットの形状が本質的に三角形であるため、3つの分配ユニットから生じる蒸発コーン又はプルームは、互いに接近しており、それによって、異なる分配ユニット及び出口からの原料物質の混合が改良され得る。図6で示されている例示的な実施形態の加熱遮蔽構成202は、上述の図1、図2、図4、及び図5に関連して説明されたのと同様のやり方で、分配管、例えば、分配管106、107、108の各々から、基板10及び/又はマスク20に向けて供給された蒸発した原料物質の分配コーン又はプルームの範囲を定める。   In the embodiments herein, one or more outlets can be distributed along the length of each of the distribution units, eg, distribution pipes 106, 107, 108, which can be configured as distribution pipes. Each dispensing unit is in fluid communication with an evaporation crucible (not shown in FIG. 6). Each distribution unit, for example, each of the plurality of openings of the distribution pipes 106, 107, 108, has a main discharge direction 101A, 101B, 101C for the evaporated source material. Since the shape of the distribution unit is essentially triangular, the evaporation cones or plumes resulting from the three distribution units are close to each other, which can improve the mixing of the raw material from different distribution units and outlets. The heat shield configuration 202 of the exemplary embodiment shown in FIG. 6 is similar to that described in connection with FIGS. 1, 2, 4, and 5 above, and the distribution pipe, For example, a distribution cone or plume of evaporated source material supplied from each of the distribution pipes 106, 107, 108 toward the substrate 10 and / or the mask 20 is defined.

上述のことに照らして考えると、本明細書で説明される蒸発源の実施形態は、例えば、マスクを通して、基板に供給される蒸発した原料物質の入射角を制限するように構成されていることが理解されるべきである。堆積されるべき原料物質の蒸発温度以上まで加熱され、且つ、主たる放出方向から、30度よりも上の、特に、40度よりも上の、例えば、45度より上の所定の放出角度(θ)を有する蒸発した原料物質を遮断するように適合された、加熱遮蔽構成を提供することによって、基板に供給される蒸発した原料物質の入射角は、例えば、マスクを通って、マスクのシャドーイング効果を低減させるために制限され得る。したがって、基板上に堆積した原料物質の改良された解像度が提供され得る。更に、堆積されるべき原料物質の凝縮温度まで冷却されるように構成され、且つ、分配ユニットの1以上の出口の周り及び後ろに配置された、第1の冷却遮蔽構成を提供することによって、加熱遮蔽構成から後方錯乱した蒸発した原料物質が収集され、それによって、分配ユニットの1以上の出口の詰まりが避けられ得る。それに照らして考えると、小さい角度でノズルを離れる蒸発した原料物質の分子は、開孔を通り抜けるだろう。大きい角度で1以上の出口、例えば、ノズルを離れる分子は、加熱遮蔽構成の1以上の開孔の周りの壁に衝突するが、加熱遮蔽構成に固着しない。何故ならば、加熱遮蔽構成は、堆積されるべき原料物質の蒸発温度以上に加熱されているからである。その代わりに、分子は、後方錯乱し、ノズルの周りに配置された第1の冷却遮蔽構成に衝突する。したがって、蒸発した原料物質、例えば、OLED生産のために使用される蒸発した原料物質は、第1の冷却遮蔽構成において凝縮する。結果として、後方錯乱した蒸発した原料物質は、第1の冷却遮蔽構成上に収集される。それによって、加熱遮蔽構成の1以上の開孔及び分配ユニットの1以上の出口は、クリーンなままであり、それによって、詰まりが抑制され又は完全に除去さえされ得る。したがって、本明細書で説明される実施形態は、長い時間にわたり安定したプロセス条件を提供する。   In view of the above, the embodiments of the evaporation source described herein are configured to limit the angle of incidence of evaporated source material supplied to the substrate, for example through a mask. Should be understood. It is heated to above the evaporation temperature of the raw material to be deposited, and from the main emission direction, a predetermined emission angle (θ above 30 degrees, in particular above 40 degrees, for example above 45 degrees The incident angle of the evaporated source material supplied to the substrate is, for example, through the mask, shadowing the mask, by providing a heat shield configuration adapted to block the evaporated source material having It can be limited to reduce the effect. Thus, improved resolution of the source material deposited on the substrate can be provided. Furthermore, by providing a first cooling shield configuration configured to be cooled to the condensation temperature of the source material to be deposited and disposed around and behind one or more outlets of the distribution unit, Evaporated source material that is confused backwards from the heat shield configuration is collected, thereby preventing clogging of one or more outlets of the dispensing unit. In light of that, the evaporated source material molecules leaving the nozzle at a small angle will pass through the aperture. Molecules leaving one or more outlets, eg, nozzles, at large angles will impinge on the walls around one or more apertures in the heat shield configuration, but will not stick to the heat shield configuration. This is because the heat shield arrangement is heated above the evaporation temperature of the source material to be deposited. Instead, the molecules are back confused and impinge on a first cooling shield arrangement located around the nozzle. Thus, evaporated source material, eg, evaporated source material used for OLED production, condenses in the first cooling shield configuration. As a result, the back-confused evaporated source material is collected on the first cooling shield configuration. Thereby, the one or more apertures in the heat shield configuration and the one or more outlets of the dispensing unit remain clean, whereby clogging can be suppressed or even completely eliminated. Thus, the embodiments described herein provide stable process conditions over time.

図7は、本明細書で説明される任意の実施形態による、蒸発源100を含む、真空チャンバ110内で原料物質を堆積させるための堆積装置150の概略的な上面図を示している。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、蒸発源は、並進運動及び軸周囲での回転のために構成される。本明細書の典型的な実施形態によれば、蒸発源は、1以上の蒸発坩堝、及び1以上の分配ユニット、例えば、1以上の分配管を有し得る。例えば、図7で示される蒸発源は、2つの蒸発坩堝104と2つの分配管130を含む。図7で示されているように、第1の基板121と第2の基板122が、蒸発した原料物質を受けるために真空チャンバ110内に設けられている。   FIG. 7 shows a schematic top view of a deposition apparatus 150 for depositing source material in a vacuum chamber 110 that includes an evaporation source 100 according to any embodiment described herein. According to certain embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the evaporation source is configured for translational movement and rotation about an axis. According to exemplary embodiments herein, the evaporation source may have one or more evaporation crucibles and one or more distribution units, such as one or more distribution pipes. For example, the evaporation source shown in FIG. 7 includes two evaporation crucibles 104 and two distribution pipes 130. As shown in FIG. 7, a first substrate 121 and a second substrate 122 are provided in the vacuum chamber 110 to receive the evaporated source material.

本明細書の実施形態によれば、基板をマスキングするためのマスクアセンブリが、基板と蒸発源との間に設けられ得る。マスクアセンブリは、マスク、及びマスクを所定の位置に保持するためのマスクフレームを含み得る。本明細書の実施形態では、1以上の更なる軌道が、マスクアセンブリを支持し配置するために設けられていてもよい。例えば、図7で示される実施形態は、蒸発源100と第1の基板121との間に配置された第1のマスクフレーム131によって支持された第1のマスク133と、蒸発源100と第2の基板122との間に配置された第2のマスクフレーム132によって支持された第2のマスク134とを有する。第1の基板121と第2の基板122は、真空チャンバ110内の(図では示されていない)それぞれの移送軌道上に支持され得る。   According to embodiments herein, a mask assembly for masking a substrate may be provided between the substrate and the evaporation source. The mask assembly may include a mask and a mask frame for holding the mask in place. In embodiments herein, one or more additional tracks may be provided to support and position the mask assembly. For example, the embodiment shown in FIG. 7 includes a first mask 133 supported by a first mask frame 131 disposed between the evaporation source 100 and the first substrate 121, the evaporation source 100, and the second source. And a second mask 134 supported by a second mask frame 132 disposed between the substrate 122 and the substrate 122. The first substrate 121 and the second substrate 122 may be supported on respective transfer tracks (not shown) in the vacuum chamber 110.

図7は、本明細書の実施形態による、加熱遮蔽構成202を更に示し、加熱遮蔽構成202は、本明細書で説明されるように、堆積方向への加熱遮蔽構成の後ろの蒸発した原料物質の放出角度(θ)を制限するために、1以上の出口から供給される蒸発した原料物質のプルームの放出角度に応じて蒸発した原料物質を遮断するように設けられている。本明細書の実施形態では、OLED製造システムなどにおいて、基板上に材料を堆積させるためにマスクが使用されるならば、マスクは、約30μm以下又は約20μmの断面の寸法(例えば、断面の最小寸法)を有するピクセル開口部などの、約50μm×50μm以下のサイズを有するピクセル開口部を有するピクセルマスクであり得る。一実施例では、ピクセルマスクが、約40μmの厚さを有し得る。マスクの厚さとピクセル開口部のサイズを考慮すると、シャドーイング効果が現れ得る。シャドーイング効果によって、マスク内のピクセル開口部の壁が、ピクセル開口部を影で覆う。本明細書で説明される蒸発源を提供することによって、シャドーイング効果は低減され得ることが理解されるべきである。したがって、基板上に堆積した原料物質の改良された解像度が実現され得る。   FIG. 7 further illustrates a heat shield configuration 202 according to embodiments herein, where the heat shield configuration 202 is vaporized source material behind the heat shield configuration in the deposition direction, as described herein. In order to limit the discharge angle (θ), the vaporized raw material is cut off in accordance with the plume discharge angle of the vaporized raw material supplied from one or more outlets. In embodiments herein, if a mask is used to deposit material on a substrate, such as in an OLED manufacturing system, the mask has a cross-sectional dimension of about 30 μm or less or about 20 μm (eg, a minimum cross-section). A pixel mask having a pixel opening having a size of about 50 μm × 50 μm or less, such as a pixel opening having a dimension). In one example, the pixel mask may have a thickness of about 40 μm. Considering the mask thickness and the size of the pixel opening, a shadowing effect can appear. Due to the shadowing effect, the walls of the pixel openings in the mask cover the pixel openings with shadows. It should be understood that by providing the evaporation source described herein, the shadowing effect can be reduced. Thus, improved resolution of the source material deposited on the substrate can be achieved.

本明細書で説明される実施形態によれば、基板は、本質的に垂直位置において原料物質を用いて被覆され得る。通常、分配管は、本質的に垂直に延在する線源を提供する。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、本明細書で説明される実施形態では、「垂直」という用語が、特に、基板の配向に対して言及するときに、垂直方向から20度以下、例えば、10度以下の偏差を許容すると理解される。例えば、垂直方向からの幾らかの偏差を有する基板支持体がより安定した基板位置をもたらし得るので、この偏差が提供され得る。しかし、原料物質の堆積中の本質的に垂直な基板の配向は、水平な基板の配向とは異なると考えられる。特に、基板の表面は、一方の基板寸法に対応する1つの方向に延びる線源、及び他方の基板寸法に対応する他方の方向に沿った並進運動によって被覆される。   According to the embodiments described herein, the substrate can be coated with the source material in an essentially vertical position. Normally, distribution pipes provide a source that extends essentially vertically. In the embodiments described herein, which may be combined with other embodiments described herein, the term “vertical” refers to the vertical direction, particularly when referring to the orientation of the substrate. It is understood that a deviation of 20 degrees or less, for example, 10 degrees or less is allowed. For example, this deviation can be provided because a substrate support having some deviation from the vertical direction can result in a more stable substrate position. However, the orientation of the essentially vertical substrate during the deposition of the source material is believed to be different from the orientation of the horizontal substrate. In particular, the surface of the substrate is covered by a source extending in one direction corresponding to one substrate dimension and a translational movement along the other direction corresponding to the other substrate dimension.

図7で示されている蒸発源100は、軌道、例えば、(図では示されていない)環状軌道又は直線的なガイド120の上において、堆積装置150の真空チャンバ110内に設けられ得る。軌道又は直線的なガイド120は、蒸発源100の並進移動のために構成されている。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、種々の実施形態によれば、並進運動のためのドライブが、真空チャンバ110又はそれらの組み合わせの範囲内で、トラック又は直線的なガイド120において、蒸発源100内に設けられ得る。   The evaporation source 100 shown in FIG. 7 may be provided in the vacuum chamber 110 of the deposition apparatus 150 on a track, such as an annular track (not shown) or a linear guide 120. An orbital or linear guide 120 is configured for translational movement of the evaporation source 100. According to various embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, a drive for translational motion can be tracked or linearly guided within the vacuum chamber 110 or combinations thereof. At 120, it can be provided in the evaporation source 100.

図7は、バルブ105、例えば、ゲートバルブを更に示している。バルブ105は、(図では示されていない)隣接する真空チャンバに対する真空密封を可能にする。本明細書の実施形態によれば、バルブ105は、基板又はマスクの真空チャンバ110の中への且つ/又は真空チャンバ110からの移送のために開かれ得る。   FIG. 7 further shows a valve 105, for example a gate valve. The valve 105 allows vacuum sealing to an adjacent vacuum chamber (not shown in the figure). According to embodiments herein, the valve 105 may be opened for transfer of the substrate or mask into and / or out of the vacuum chamber 110.

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、保守真空チャンバ111などの更なる真空チャンバが、真空チャンバ110に隣接して設けられる。真空チャンバ110と保守真空チャンバ111は、バルブ109によって連結され得る。バルブ109は、真空チャンバ110と保守真空チャンバ111との間の真空密封を開閉するように構成されている。本明細書の実施形態によれば、蒸発源100は、バルブ109が開放状態にある間、保守真空チャンバ111に移送することができる。その後、バルブは、真空チャンバ110と保守真空チャンバ111との間に真空密封を提供するよう閉じることができる。バルブ109が閉鎖されたならば、保守真空チャンバ111は、真空チャンバ110内の真空を破壊せずに、蒸発源100の保守のために通気及び開放することができる。   According to certain embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, an additional vacuum chamber, such as maintenance vacuum chamber 111, is provided adjacent to vacuum chamber 110. The vacuum chamber 110 and the maintenance vacuum chamber 111 can be connected by a valve 109. Valve 109 is configured to open and close the vacuum seal between vacuum chamber 110 and maintenance vacuum chamber 111. According to embodiments herein, the evaporation source 100 can be transferred to the maintenance vacuum chamber 111 while the valve 109 is open. The valve can then be closed to provide a vacuum seal between the vacuum chamber 110 and the maintenance vacuum chamber 111. If the valve 109 is closed, the maintenance vacuum chamber 111 can be vented and opened for maintenance of the evaporation source 100 without breaking the vacuum in the vacuum chamber 110.

説明される材料堆積装置は、例えば、2以上の有機材料などの2以上の原料物質が同時に蒸発される処理方法を含むOLEDデバイス製造のための用途を含む、様々な用途のために使用され得る。図7で示されている実施例では、2つ以上の分配ユニットと対応する蒸発坩堝とが、互いに隣り合って設けられている。   The described material deposition apparatus can be used for a variety of applications, including, for example, applications for OLED device manufacturing including processing methods in which two or more source materials, such as two or more organic materials, are vaporized simultaneously. . In the embodiment shown in FIG. 7, two or more distribution units and corresponding evaporation crucibles are provided next to each other.

図7で示されている実施形態は、堆積装置に可動蒸発源を設けているが、当業者であれば、上述の実施形態は、処理中に基板が移動する堆積装置にも適用され得ることを理解するだろう。例えば、被覆されるべき基板は、静止した材料堆積構成に沿って誘導され、駆動され得る。   Although the embodiment shown in FIG. 7 provides a movable evaporation source for the deposition apparatus, those skilled in the art can also apply the above-described embodiments to a deposition apparatus in which the substrate moves during processing. Will understand. For example, the substrate to be coated can be guided and driven along a stationary material deposition configuration.

本明細書で説明される実施形態は、特に、例えば、大きい面積の基板上でのOLEDディスプレイ製造のための、有機材料の堆積に関する。ある実施形態によれば、大きい面積の基板又は1以上の基板を支持するキャリアは、少なくとも0.174m2のサイズを有し得る。例えば、堆積システムは、約1.4mの基板(1.1m×1.3m)に対応するGEN5、約4.29mの基板(1.95m×2.2m)に対応するGEN7.5、約5.7mの基板(2.2m×2.5m)に対応するGEN8.5、又は更に約8.7mの基板(2.85m×3.05m)に対応するGEN10の基板などの大きい面積の基板を処理するように適合され得る。GEN11及びGEN12のような更に次の世代、並びにそれに相当する基板面積を同様に実装することができる。 Embodiments described herein relate specifically to the deposition of organic materials, for example, for the manufacture of OLED displays on large area substrates. According to certain embodiments, a large area substrate or a carrier supporting one or more substrates may have a size of at least 0.174 m 2 . For example, the deposition system may have a GEN5 corresponding to a substrate of about 1.4 m 2 (1.1 m × 1.3 m), a GEN 7.5 corresponding to a substrate of about 4.29 m 2 (1.95 m × 2.2 m), Large, such as GEN 8.5 corresponding to about 5.7 m 2 substrate (2.2 m × 2.5 m), or even GEN 10 substrate corresponding to about 8.7 m 2 substrate (2.85 m × 3.05 m) It can be adapted to process an area substrate. Further next generations such as GEN11 and GEN12 and the corresponding board area can be mounted in the same way.

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、本明細書の実施形態によれば、基板の厚さは、0.1から1.8mmまでであり、この基板のための保持構成は、そのような基板の厚さに適合され得る。しかし、特に、基板の厚さは、約0.9mm以下(0.5mm又は0,3mmなど)であり得る。保持構成は、このような基板の厚さに適合されている。通常、基板は、材料堆積に適した任意の材料から作られ得る。例えば、基板は、ガラス(例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、又は堆積プロセスによって被覆できる任意の他の材料若しくは材料の組合せからなる群から選択された材料から作られ得る。   According to embodiments herein, which may be combined with other embodiments described herein, the thickness of the substrate is from 0.1 to 1.8 mm, and the holding configuration for this substrate Can be adapted to the thickness of such a substrate. In particular, however, the thickness of the substrate can be about 0.9 mm or less (such as 0.5 mm or 0.3 mm). The holding arrangement is adapted to the thickness of such a substrate. In general, the substrate can be made of any material suitable for material deposition. For example, the substrate is a group consisting of glass (eg, soda lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, composite material, carbon fiber material, or any other material or combination of materials that can be coated by a deposition process. Can be made from materials selected from

図8Aは、本明細書で説明される実施形態による、基板上に原料物質を堆積させる方法800を示す概略的なブロック図を示している。該方法は、原料物質を蒸発させること(810)、及び蒸発した原料物質を基板へ付けること(820)を含む。更に、蒸発した原料物質を基板に付けること(820)は、分配ユニットの1以上の出口を通して堆積方向へ蒸発した原料物質を供給すること(821)、並びに第1の冷却遮蔽構成の1以上の開口部及び加熱遮蔽構成の1以上の開孔を通して蒸発した原料物質を送ること(822)を含む。特に、本明細書で説明される原料物質を堆積させる方法の実施形態は、本明細書で説明される実施形態による、蒸発源を採用することによって実行される。   FIG. 8A shows a schematic block diagram illustrating a method 800 for depositing a source material on a substrate according to embodiments described herein. The method includes evaporating source material (810) and applying the evaporated source material to a substrate (820). In addition, attaching the evaporated source material to the substrate (820) supplies the evaporated source material in the deposition direction through one or more outlets of the distribution unit (821), and one or more of the first cooling shield configuration. Sending 822 vaporized source material through one or more apertures in the aperture and heat shield configuration. In particular, embodiments of the method of depositing source material described herein are performed by employing an evaporation source according to embodiments described herein.

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、本明細書の実施形態によれば、基板上に原料物質を堆積させる方法は、加熱遮蔽構成を、堆積されるべき原料物質の蒸発温度以上まで加熱することを含み得る。したがって、加熱遮蔽構成上の蒸発した原料物質の蓄積が妨げられ得る。特に、加熱遮蔽構成の1以上の開孔の詰まりが抑制され又は完全に除去さえされ得る。   According to embodiments herein, which can be combined with other embodiments described herein, a method of depositing a source material on a substrate includes a heat shield configuration, evaporation of the source material to be deposited. Heating to a temperature or higher can be included. Thus, accumulation of evaporated source material on the heat shield configuration can be prevented. In particular, clogging of one or more apertures of the heat shield configuration can be suppressed or even eliminated completely.

図8Bを例示的に参照すると、本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る、更なる実施形態によれば、該方法は、加熱遮蔽構成によって遮断された蒸発した原料物質の一部分を第1の冷却遮蔽構成上に収集すること(830)を含み得る。したがって、分配ユニットの1以上の出口は、堆積プロセスを通じてクリーンなままであり、分配ユニットの1以上の出口の詰まりが避けられ又は完全に除去さえされ得る。それによって、長い時間にわたり安定した堆積プロセス条件が維持され得る。   Referring to FIG. 8B exemplarily, according to a further embodiment, which may be combined with any other embodiment described herein, the method comprises evaporating source material blocked by a heat shield configuration. Collecting 830 on a first cooling shield configuration. Thus, one or more outlets of the dispensing unit remain clean throughout the deposition process and clogging of the one or more outlets of the dispensing unit can be avoided or even completely removed. Thereby, stable deposition process conditions can be maintained over a long period of time.

したがって、上述のことに照らしてみると、本明細書で説明される基板上に原料物質を堆積させる方法は、加熱遮蔽構成の1以上の開孔及び分配ユニットの1以上の出口の詰まりを抑制すること又は完全に除去することさえ提供する。それによって、長い時間にわたり安定した堆積プロセス条件が実現され得る。更に、本明細書で説明される基板上に原料物質を堆積させる方法の実施形態は、例えば、高い解像度のディスプレイ、特に、高い解像度のOLEDディスプレイの生産のために、シャドーイング効果を低減させること、及び基板上に堆積した原料物質の改良された解像度を提供する。   Thus, in light of the foregoing, the method of depositing source material on the substrate described herein suppresses clogging of one or more apertures in the heat shield configuration and one or more outlets of the dispensing unit. Or even complete removal. Thereby, stable deposition process conditions can be realized over a long period of time. Further, embodiments of the method of depositing source material on a substrate described herein reduce shadowing effects, for example, for the production of high resolution displays, particularly high resolution OLED displays. , And provide improved resolution of the source material deposited on the substrate.

本明細書では諸例を用いて、ベストモードを含めて本開示を開示し、又は当業者が本開示の主題を実施することを、任意のデバイス又はシステムを作製し且つ使用すること、及び組み込まれている任意の方法を実施することを含めて可能にしている。前述において様々な特定の実施形態を開示してきたが、上述した実施形態の相互に非排他的な特徴は、互いに組み合わせることが可能である。特許性のある範囲は特許請求の範囲によって規定され、その他の実施例は、それが特許請求の範囲の文字通りの言葉と相違しない構造要素を有する場合、又は特許請求の範囲の文字通りの言葉とは実質的な違いがない等価な構造要素を含む場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。   This document uses examples to disclose the present disclosure, including the best mode, or to make and use and incorporate any device or system by those skilled in the art to implement the subject matter of the present disclosure. It is possible to implement any method that is included. Although various specific embodiments have been disclosed above, the mutually non-exclusive features of the above-described embodiments can be combined with each other. The patentable scope is defined by the claims, and other embodiments may have structural elements that do not differ from the literal words of the claims, or the literal words of the claims Including equivalent structural elements without substantial difference are intended to be within the scope of the claims.

Claims (15)

基板(10)上に原料物質を堆積させるための蒸発源(100)であって、
前記原料物質を蒸発させるように構成された、蒸発坩堝(104)、
1以上の出口(212)を有する分配ユニット(130)であって、前記蒸発坩堝と流体連通し、前記1以上の出口が堆積方向(101)へ前記基板に対して前記原料物質を供給するように構成された、分配ユニット(130)、
1以上の開口部(221)を備えた、第1の冷却遮蔽構成(201)、及び
前記第1の冷却遮蔽構成(201)から距離を置いて設けられた加熱遮蔽構成(202)であって、1以上の開孔(222)を備えた、加熱遮蔽構成(202)を備え、
前記第1の冷却遮蔽構成(201)が、前記分配ユニット(130)と前記加熱遮蔽構成(202)との間に配置され、且つ
前記蒸発源(100)が、前記堆積方向(101)へ前記1以上の出口(212)から前記1以上の開口部(221)及び前記1以上の開孔(222)を通って前記基板へ至る、前記原料物質のための経路を画定するように構成されている、蒸発源(100)。
An evaporation source (100) for depositing a source material on a substrate (10),
An evaporation crucible (104) configured to evaporate the source material;
A distribution unit (130) having one or more outlets (212), in fluid communication with the evaporation crucible, such that the one or more outlets supply the source material to the substrate in a deposition direction (101). A distribution unit (130),
A first cooling shield configuration (201) with one or more openings (221), and a heating shield configuration (202) provided at a distance from the first cooling shield configuration (201); Comprising a heat shield configuration (202) with one or more apertures (222);
The first cooling shield configuration (201) is disposed between the distribution unit (130) and the heating shield configuration (202), and the evaporation source (100) is in the deposition direction (101). Configured to define a path for the source material from one or more outlets (212) through the one or more openings (221) and the one or more openings (222) to the substrate. The evaporation source (100).
前記加熱遮蔽構成(202)が、第1の温度まで加熱されるように構成され、前記第1の温度が、堆積されるべき前記原料物質の蒸発温度に実質的に相当する、請求項1に記載の蒸発源(100)。   The heating shield arrangement (202) is configured to be heated to a first temperature, wherein the first temperature substantially corresponds to an evaporation temperature of the source material to be deposited. The evaporation source (100) described. 前記第1の冷却遮蔽構成(201)が、堆積されるべき前記原料物質の凝縮温度まで冷却されるように構成されている、請求項1又は2に記載の蒸発源(100)。   The evaporation source (100) according to claim 1 or 2, wherein the first cooling shield arrangement (201) is arranged to be cooled to the condensation temperature of the source material to be deposited. 前記加熱遮蔽構成(201)の前記1以上の開孔(222)が、前記堆積方向(101)に前記分配ユニット(130)の前記1以上の出口(212)と位置合わせされるように配置されている、請求項1から3のいずれか一項に記載の蒸発源(100)。   The one or more apertures (222) of the heat shield configuration (201) are arranged to be aligned with the one or more outlets (212) of the distribution unit (130) in the deposition direction (101). The evaporation source (100) according to any one of claims 1 to 3. 前記第1の冷却遮蔽構成(201)が、前記分配ユニット(130)の前記1以上の出口(212)を側方から取り囲むように構成されている、請求項1から4のいずれか一項に記載の蒸発源(100)。   The first cooling shield configuration (201) according to any one of claims 1 to 4, wherein the first cooling shield configuration (201) is configured to surround the one or more outlets (212) of the distribution unit (130) from the side. The evaporation source (100) described. 前記分配ユニット(130)の前記1以上の出口(212)が、前記分配ユニットの加熱壁(135)内に設けられている、請求項1から5のいずれか一項に記載の蒸発源(100)。   The evaporation source (100) according to any one of the preceding claims, wherein the one or more outlets (212) of the distribution unit (130) are provided in a heating wall (135) of the distribution unit. ). 前記加熱遮蔽構成(202)と前記分配ユニット(130)の前記加熱壁(135)とが、実質的に等しい熱膨張を示すように構成されている、請求項6に記載の蒸発源(100)。   The evaporation source (100) according to claim 6, wherein the heat shield arrangement (202) and the heating wall (135) of the distribution unit (130) are configured to exhibit substantially equal thermal expansion. . 前記加熱遮蔽構成(202)が、連結要素(232)を介して、前記分配ユニット(130)の前記加熱壁(135)と連結されている、請求項6又は7に記載の蒸発源(100)。   Evaporation source (100) according to claim 6 or 7, wherein the heat shield arrangement (202) is connected to the heating wall (135) of the distribution unit (130) via a connecting element (232). . 前記連結要素(232)が、前記分配ユニット(130)の前記加熱壁(135)と前記加熱遮蔽構成(202)との間の距離を調整するように構成されている、請求項8に記載の蒸発源(100)。   The connection element (232) according to claim 8, configured to adjust the distance between the heating wall (135) of the distribution unit (130) and the heating shield arrangement (202). Evaporation source (100). 前記堆積方向(101)に前記加熱遮蔽構成(202)の後ろに配置された第2の冷却遮蔽構成(203)が設けられている、請求項1から9のいずれか一項に記載の蒸発源(100)。   Evaporation source according to any one of the preceding claims, wherein a second cooling shield configuration (203) is provided in the deposition direction (101) behind the heating shield configuration (202). (100). 前記第2の冷却遮蔽構成(203)が、前記堆積方向(101)に前記加熱遮蔽構成(202)の前記1以上の開孔(222)と位置合わされるように配置された、1以上の開口部(223)を備えている、請求項10に記載の蒸発源(100)。   One or more apertures arranged such that the second cooling shield configuration (203) is aligned with the one or more apertures (222) of the heating shield configuration (202) in the deposition direction (101) The evaporation source (100) according to claim 10, comprising a section (223). 前記分配ユニット(130)の前記1以上の出口(212)が、前記堆積方向(101)に沿って延在し且つ前記第1の冷却遮蔽構成(201)の前記1以上の開口部(221)から突出する、1以上のノズル(125)である、請求項1から11のいずれか一項に記載の蒸発源(100)。   The one or more outlets (212) of the distribution unit (130) extend along the deposition direction (101) and the one or more openings (221) of the first cooling shield configuration (201) The evaporation source (100) according to any one of the preceding claims, wherein the evaporation source (100) is one or more nozzles (125) protruding from the nozzle. 真空チャンバ内で原料物質を堆積させるための堆積装置(150)であって、請求項1から12のいずれか一項に記載の1以上の蒸発源(100)を備えている、堆積装置(150)。   A deposition apparatus (150) for depositing a source material in a vacuum chamber, the deposition apparatus (150) comprising one or more evaporation sources (100) according to any one of the preceding claims. ). 基板上に原料物質を堆積させる方法(800)であって、
前記原料物質を蒸発させること(810)、及び
前記蒸発した原料物質を前記基板に付けること(820)を含み、前記蒸発した原料物質を前記基板に付けること(820)が、
分配ユニットの1以上の出口を通して堆積方向へ前記蒸発した原料物質を供給すること(821)、並びに
第1の冷却遮蔽構成の1以上の開口部及び加熱遮蔽構成の1以上の開孔を通して前記蒸発した原料物質を送ること(822)を含む、原料物質を堆積させる方法(800)。
A method (800) of depositing a source material on a substrate, comprising:
Evaporating the source material (810) and attaching the evaporated source material to the substrate (820), and attaching the evaporated source material to the substrate (820),
Supplying the evaporated source material in the deposition direction through one or more outlets of the distribution unit (821), and the evaporation through one or more openings of the first cooling shield configuration and one or more apertures of the heating shield configuration. Depositing source material (800), including sending the source material (822).
前記加熱遮蔽構成によって遮断された蒸発した原料物質の一部分を、前記第1の冷却遮蔽構成上に収集すること(830)を更に含む、請求項14に記載の原料物質を堆積させる方法(800)。   The method (800) of depositing a source material according to claim 14, further comprising collecting (830) a portion of the evaporated source material blocked by the heat shield configuration on the first cooling shield configuration. .
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